Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Содержание.

Введение.

Глава 1 Характеристика соединений А В и твердых растворов на их 10 основе (литературный обзор).

1.1. Свойства и особенности полупроводников А В.

1.2. Твердые растворы соединений на основе ZnSe.

1.3. Исследования сине-зеленых лазеров на основе широкозонных соединений А В . Основные причины деградации лазерных гетероструктур АВ

1.4. Особенности оптических и структурных свойств дробно-монослойных гетероструктур CdSe/ZnSe.

Глава 2 Аппаратурные и методические особенности МПЭ широкозонных соединений А В.

2.1. Основные принципы и аппаратное обеспечение.

2.2. Методы in situ диагностики при МПЭ. .1Ъ.":".-.'.'.

2.3. Особенности контроля температуры при МПЭ.

2.4. Методы ex situ структурной, оптической и электрической характеризации эпитаксиальных слоев и гетероструктур.

2.5. Особенности гетероэпитаксии широкозонных соединений А В на подложках GaAs.

Глава 3 Математическое моделирование МПЭ соединений А В и твердых растворов на их основе.

3.1 Кинетические модели молекулярно-пучковой эпитаксии и их ограничения.

3.2. Термодинамическая модель молекулярно-пучковой эпитаксии и ее применение к МПЭ халькогенидов подгруппы цинка.

3.3. Анализ процессов МПЭ твердых растворов ZnSySeiy при использовании сульфида цинка в качестве источника серы.

3.4. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов MgxZni.xSySei-y.

3.5. Расчет областей нестабильности и несмешиваемости в системе твердых растворов MgxZni.xSySei„y.

3.6 Переменно-напряженные многослойные гетероструктуры синезеленых лазеров на основе ZnSe.

Глава 4. Гетероструктуры CdSe/ZnSe с дробно-монослойными вставками.

4.1. Метод эпитаксии с повышенной миграцией атомов.

4.2. Калибровка номинальной толщины в CdSe/ZnSe ДМС структурах.

4.3. Температурная зависимость удельной толщины субмонослойных покрытий.

4.4. Особенности ЭПМ CdSe/ZnSe ДМС структур.

4.5. Индуцированное дефектами формирование островков в наноструктурах CdSe/ZnSe.

Глава 5. Новый материал для активной области приборов сине- 118 зеленого диапазона BeCdSe.

5.1. Анализ термодинамических свойств халькогенидов бериллия.

5.2. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов BeCdSe.

5.3. Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава в системе BeCdSe.

5.4. Структуры лазеров для оптической накачки и светоизлучающих диодов с BeCdSe активной областью.

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ.

В настоящее время полупроводниковая оптоэлектроника является одной из самых быстро развивающихся областей науки и техники. Возрастающие требования, предъявляемые к оптоэлектронным устройствам, стимулируют поиск и разработку технологии новых материалов. Появление коммерческих полупроводниковых лазеров и светодиодов, излучающих в сине-зеленой области спектра, откроет новые возможности при создании устройств цветного оптического отображения информации нового поколения, таких как полноцветные оптические дисплеи, системы проекционного лазерного телевидения, устройства высококачественной цветной печати и др. Безопасные для человеческого глаза маломощные сине-зеленые лазеры могут с успехом использоваться в строительной промышленности, заменив более мощные красные лазеры, а также в медицине (глазная хирургия, лазерная гемокоррекция), металлургии и военном деле в качестве целеуказателей для мощных инфракрасных лазеров. Следует также отметить, что максимум чувствительности человеческого глаза приходится именно на сине-зеленый диапазон видимого спектра.

На сегодняшний день реальную технологическую возможность перекрытия синезеленого (490-530 нм) спектрального диапазона удалось продемонстрировать только при

2 6 помощи широкозонных полупроводников А В . Этому в немалой степени способствовал значительный прогресс в области молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), которая позволяет прецизионно управлять энергетическими и геометрическими параметрами псевдоморфных наноструктур, формируемых на подложках ОаАэ, в том числе и в условиях проявления эффектов самоорганизации.

Подлинным прорывом, положившим начало новому этапу исследований гпЭе-содержащих материалов, явилось открытие в 1990/91 гг. технологии р-легирования при МПЭ, основанной на применении источников возбужденного азота. Однако, несмотря на большие усилия, прилагаемые многими исследовательскими группами в этом направлении, промышленно используемый лазер на основе соединений А2В6 до сих пор не создан. Основными конкурентами халькогенидам цинка в сфере оптоэлектронных применений являются полупроводники А3И, технология которых динамично развивается в последние годы. Однако при использовании гетероструктур А -нитридов получение стимулированного излучения в сине-зеленом спектральном диапазоне весьма проблематично из-за принципиальных трудностей формирования малодефектных квантовых ям 1пОаИ с большим содержанием 1п, обеспечивающим требуемую длину волны излучения. К этому следует добавить, что полимерные материалы, из которых изготавливаются лазерные компакт-диски и фокусирующие линзы в СО проигрывателях, оказываются чрезвычайно нестойкими к фиолетовому и УФ излучению нитридных лазеров. Поэтому несколько угасший в конце

1990-х годов интерес к широкозонным соединениям А2В6 в настоящее время вновь восстановился. Поиск новых решений, в частности, развитие технологии МПЭ новых материалов и низкоразмерных гетероструктур, позволяющих улучшить деградационные

Л с. характеристики лазерных структур на основе соединений А В , остается одной из важнейших задач современной полупроводниковой оптоэлектроники.

9 f*

Следует также отметить, что широкозонные соединения А В характеризуются большой энергией связи экситона и большой величиной критической концентрации экситонов, соответствующей переходу Мотта, так что эта система материалов может быть использована и как модельная для изучения оптических свойств низкоразмерных систем с большой устойчивостью экситонов.

К моменту начала выполнения диссертационной работы (1995 г.), технология МПЭ квантово-размерных гетероструктур широкозонных соединений А2В6 находилась на начальном этапе развития. Отсутствовало понимание механизмов роста при МПЭ, не были разработаны согласованные математические модели эпитаксии бинарных соединений А2В6 и многокомпонентных систем твердых растворов, что создавало объективные трудности в управлении скоростью роста и составом эпитаксиальных слоев при росте многослойных гетероструктур. Не были изучены особенности МПЭ напряженных наноструктур CdSe/ZnSe, используемых как для фундаментальных исследований сильно разупорядоченных напряженных низкоразмерных систем, так и для формирования активной области полупроводниковых лазеров. Крайне ограниченные сведения о халькогенидах бериллия не позволяли преодолеть барьер к их широкому практическому применению в структурах полупроводниковых лазеров.

Настоящая диссертационная работа, посвященная исследованию физико-химических аспектов технологии МПЭ различных широкозонных соединений А В , как известных, так и синтезированных впервые, а также исследованию структурных и некоторых фундаментальных оптических характеристик квантово-размерных гетероструктур на их основе, является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ.

Цель работы заключалась в подборе, оптимизации и научном обосновании технологических режимов молекулярно-пучковой эпитаксии псевдоморфных квантово

О f\ размерных гетероструктур на основе широкозонных полупроводников А В , согласованных с подложкой ОаАэ и пригодных для создания и модернизации лазеров и светодиодов, излучающих в сине-зеленой области спектра.

Для достижения поставленной цели, в ходе работы решались следующие основные задачи: отработка режимов МПЭ селенида цинка и твердых растворов на его основе, обеспечивающих получение эпитаксиальных слоев с низкой плотностью дефектов и совершенной морфологией поверхности; поиск методов прецизионного управления параметрами технологического процесса при МПЭ, в том числе надежного контроля истинного значения температуры подложки и ее относительного изменения в процессе эпитаксии; изучение закономерностей МПЭ изопериодных гетерогенных систем 7п88е/ОаА.$ и гт^ЯЗе/ОаАз; изучение особенностей МПЭ напряженных наноструктур СбЗе/гпБе с дробно-монослойными (ДМС) вставками и анализ влияния структурных дефектов на процессы самоорганизации квантовых островков; исследование закономерностей эпитаксии с повышенной миграцией атомов (ЭПМ) для формирования ДМС Сс18е/2п8е наноструктур; разработка математических моделей МПЭ, адекватно отражающих закономерности физико-химических процессов на поверхности роста в многокомпонентных системах и позволяющих прецизионно управлять составом эпитаксиальных слоев; анализ термодинамической устойчивости твердых растворов в системе ZnMgSSe/GaAs; апробация новых материалов для формирования активной области светоизлучающих структур; освоение методов дискретной эпитаксии для синтеза твердых растворов с протяженной областью термодинамической неустойчивости; разработка и создание опытных образцов лазерных и светодиодных квантово-размерных гетероструктур сине-зеленого спектрального диапазона.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА И ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ работы состоит в проведении многопланового экспериментального и теоретического исследования влияния различных технологических факторов на процессы МПЭ селенида цинка и широкозонных твердых растворов А2В6.

• Разработаны и экспериментально апробированы новые математические модели МПЭ широкозонных соединений в системе (Ве,М&2п,Сс1)(8,8е), в которых роль кинетических факторов при массопереносе учитывается через универсальные экспериментально определяемые характеристики технологического процесса. Достигнуто хорошее количественное соответствие результатов расчетов с экспериментальными данными.

• Впервые исследованы особенности роста Сс^е/ТлБе ДМС наноструктур в диапазоне докритических толщин СбБе (<3 монослоев) в режимах традиционной МПЭ и эпитаксии с повышенной миграцией атомов и определено влияние протяженных дефектов на процессы самоорганизации в структурах С(18е/7п8е ДМС сверхрешеток.

• Предложен новый подход для анализа термодинамической устойчивости четверных твердых растворов взаимного типа и впервые определено положение спинодальных и бинодальных изотерм в четверной системе М§гп88е с учетом и без учета когерентной деформации. В приближении теории регулярного раствора рассчитаны области нестабильности твердых растворов халькогенидов Ве.

• Разработана технология МПЭ нового материала ВеСсШе, характеризуемого существованием обширных областей нестабильности и несмешиваемости, и определены его фундаментальные характеристики в широком диапазоне составов. Разработана методика субмонослойной цифровой эпитаксии ВеС(18е, позволяющая преодолеть барьер несмешиваемости компонентов и формировать квантовые ямы высокого структурного совершенства.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

1. Для количественного описания закономерностей МПЭ твердых растворов 7п88е при использовании 2п8 в качестве источника серы может быть успешно применена математическая модель, в которой отклонение системы от состояния термодинамического равновесия вблизи межфазной границы учитывается через универсальные параметры -состав твердого раствора и отношение эквивалентных давлений в падающих молекулярных пучках элементов VI и II групп, экспериментально определяемые при выращивании 2п8Бе в условиях поддержания общей стехиометрии на поверхности роста. При температурах эпитаксии выше 300°С в условиях обогащения ростовой поверхности металлоидными компонентами состав конденсируемой фазы в основном определяется температурой роста из-за сильной температурной зависимости коэффициента встраивания серы и практически не зависит от давления паров 8е, вследствие большей энергии связи между Хп и Б.

2. Четырехкомпонентные твердые растворы М^пБЗе при типичных условиях МПЭ имеют протяженные области нестабильности и несмешиваемости, не пересекающие стороны концентрационного квадрата. Внутри области нестабильности разделение на равновесные фазы происходит в направлении диагонали М§8^п8е и почти не сопровождается увеличением упругой энергии системы. Положение бинодальных и спинодальных границ, рассчитанных с учетом и без учета вклада энергии гетерогенной деформации, практически совпадают.

3. При формировании дробно-монослойных гетероструктур Сс18е/гп8е методом эпитаксии с повышенной миграцией предельное количество СсШе, осаждаемое за один цикл, составляет 0.5 моноатомного слоя при типичной температуре роста 280±5°С и уменьшается с увеличением температуры эпитаксии. Избыточный СсЗ аккумулируется на протяженных и точечных дефектах ростовой поверхности с формированием достаточно крупных (-30 нм), оптически неактивных Сс18е-обогащениых островков, размеры и плотность которых зависят от начальной стадии роста и качества поверхности буферного слоя. В структурах дробно-монослойных сверхрешеток Сс18е/7п8е преимущественная аккумуляция Сс1 в местах пересечения дислокаций с плоскостями СсШе может приводить к ступенчатому расположению островков в соседних слоях и сопровождаться модификацией оптических свойств получаемых наноструктур.

4. Вследствие сильного несоответствия периодов кристаллических решеток исходных бинарных соединений в системе ВехСс1).х8е, области термодинамической неустойчивости и несмешиваемости перекрывают практически весь диапазон составов твердых растворов. При МПЭ слоев на подложках ОаАэ в условиях сохранения когерентности слоя и подложки область неустойчивости сужается до значений х= 0.03-0.38, что делает возможным выращивание совершенных твердых растворов ВехС(11.х8е, изопериодных к ОаАз, с содержанием Ве х=0.46. Релаксация упругих напряжений в псевдоморфных гетероструктурах ВеСс^еАлаАз при превышении критической толщины эпитаксиального слоя сопровождается расширением области нестабильности в сторону составов, обогащенных Ве8е, и спинодальным распадом твердого раствора.

5. Метод субмонослойной цифровой эпитаксии, в котором осаждение слоя твердого раствора осуществляется посредством попеременного осаждения субмонослоев образующих бинарных компонентов, позволяет получать квантовые ямы ВеСс18е/гп8е высокого структурного совершенства в широком диапазоне составов, в том числе, внутри области абсолютной термодинамической неустойчивости. 9

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах:

VII International Conference on II-VI Compounds, Edinburg, Scotland, 1995; VIII International Conference on И-VI Compounds, Grenoble, France, 1997; IX International Conference on II-VI Compounds, Kyoto, Japan, 1999; 10th International Conference on MBE, Cannes, France, 1998;

VIII European Workshop on MBE, Sierra-Nevada, Spain, 1995; IX European Workshop on MBE, Oxford, Great Britain, 1997; 3rd International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 1995; 5th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 1997; 6th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 1998, 7th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 1999; 8th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.-Petersburg, Russia, 2000; 3-ей Российской конференции по физике полупроводников, Москва, 1997; XXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustron-Jaszowiec, Poland, 1998; 23rd International Conference on Compound Semiconductors, St.-Petersburg, Russia, 1996; 7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Goteborg, Sweden, 1999; 2nd International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 1998; 3rd International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes, Berlin, Germany, 2000.

Перечень публикаций, раскрывающих основное содержание диссертационной работы, представлен на стр. 165-167.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В ходе диссертационной работы были получены следующие основные достижения и результаты:

1. Разработана универсальная методика определения истинного значения температуры подложки с погрешностью не менее 5°С в рабочем диапазоне 200-300°С, основанная на экспериментально определяемой зависимости показаний термопары, контролирующей температуру держателя подложки, от мощности, подаваемой на нагреватель, и учете линейной зависимости перепада температур между держателем и поверхностью подложки от плотности теплового потока.

2. Разработана методика предростовой подготовки подложек ОаА.ч и режимы инициации роста гпБе, обеспечивающие низкую плотность прорастающих дислокаций и дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях. Показано, что наиболее предпочтительной реконструкцией поверхности буферного слоя ОаАз, приводящей непосредственно к 20 послойному механизму роста ЕпБе на начальной стадии гетероэпитаксии, является переходная реконструкция (2хЗ)Аз—>(4хЗ)ва с четкими дифракционными линиями, наблюдаемая вместе с реконструкцией с(ЗхЗ).

3. Исследовано влияние отношения интенсивностей молекулярных потоков на качество эпитаксиальных слоев в системе (М^п^Бе/ОаАз. Установлено, что оптимальные условия МПЭ для получения слоев (]У^,2п)58е высокого структурного совершенства соответствуют равенству концентраций атомов VI и II групп на поверхности роста и определяются переходной (2х 1)8е->с(2х2)2п реконструкцией поверхности.

4. В рамках термодинамического подхода разработана модель МПЭ селенида цинка и твердых растворов на его основе, в которой кинетические ограничения на поверхности роста учитываются через эмпирические коэффициенты встраивания элементов. Предложена методика их экспериментального определения через универсальные параметры - состав твердого раствора и отношение интенсивностей падающих потоков элементов VI и II групп, соответствующие условиям роста при соблюдении общей стехиометрии на поверхности. Определены зависимости коэффициентов встраивания основных элементов фл, Сс1, 8е, Б) от степени пересыщения газовой фазы атомами халькогенов и от температуры роста. Выбраны и обоснованы режимы эпитаксии, обеспечивающие воспроизводимое получение составов твердых растворов 7пС<18е.

5. Предложена оригинальная кинетическая модель, позволяющая описать процессы МПЭ твердых растворов гиББе в условиях конкурентного встраивания элементов У1-ой группы (Б и Бе) (при Тп < 300°С и Бе-стабилизированных условиях роста), в основе которой заложены те же универсальные экспериментально определяемые параметры, что и в термодинамической модели.

6. При МПЭ четверных твердых растворов MgZnSSe обнаружен эффект стабилизации периода кристаллической решетки, ранее наблюдавшийся только при жидкофазной эпитаксии многокомпонентных систем А3В5. Эффект обусловлен стремлением кристаллизуемой фазы минимизировать упругую энергию за счет смещения состава псевдоморфного эпитаксиального слоя в направлении изопериода к подложке и проявляется в виде увеличения коэффициента встраивания серы при возрастании интенсивности падающего потока Мя.

7. Для оценки параметров межатомного взаимодействия в квазибинарных твердых растворах А2В6 модифицирована модель "дельта-параметра решетки", основанная на степенной корреляции между энергией атомизации твердой фазы и периодом кристаллической решетки. Предложен новый подход для вычисления областей термодинамической нестабильности четверных твердых растворов по константе равновесия твердофазной реакции обмена во взаимных системах.

8. В приближении теории регулярного раствора впервые определено положение границ нестабильности и несмешиваемости для четверных твердых растворов М§х2п1.х8у8е1.у. Показано, что при типичных температурах МПЭ в системе М§2п88е должны существовать протяженные области нестабильности и несмешиваемости, изолированные от сторон концентрационного квадрата. Направление спинодального распада неустойчивых фаз практически совпадает с направлением изопериода к ОаАв на диаграмме составов, благодаря чему сепарация фаз не сопровождается увеличением упругой энергии гетерогенной системы.

9. Получены структуры оптических и инжекционных лазеров с волноводом, выполненным в виде переменно-напряженной коротко-периодной СР. В структуре ВеМ§гп8е/2пСс18е ДГС РО лазерного диода достигнута генерация при комнатной температуре с пороговой плотностью тока ~ 450 А/см и характеристической температурой Т0 > 300 К.

10. Исследованы основные закономерности эпитаксии с повышенной миграцией атомов наноструктур Сс18е/2п8е с дробно-монослойными вставками и разработаны методики определения количества осажденного Сс18е, основанные на совместном анализе данных рентгеновской дифракции и ФЛ образцов.

11. Установлено, что при формировании наноструктур СсШе/гпБе в режиме ЭПМ, предельная номинальная толщина СёБе, эквивалентная количеству материала, осажденного за один цикл, составляет 0.5 МС при 280°С и уменьшается с увеличением температуры эпитаксии. Избыточный Сс1, как установлено при помощи метода ПЭМ, аккумулируется на несовершенствах поверхности роста в виде крупных, оптически неактивных СёБе-обогащенных островков, размеры и плотность которых зависят от начальных условий роста и качества поверхности буферного слоя.

12. Установлено, что в структурах СёБе^пБе ДМС СР преимущественная аккумуляция Сс1 в местах пересечения дислокаций с плоскостями СёБе может приводить к ступенчатому расположению обогащенных кадмием ZnCdSe островков в соседних слоях, что сопровождается модификацией оптических свойств получаемых наноструктур.

13. В приближении теории регулярного раствора и когерентного сопряжения фаз проведен анализ термодинамической устойчивости твердых растворов ВехСё1.х8е. Показано, что при гетероэпитаксии на подложках ваАз фазовая однородность твердого раствора может быть обеспечена лишь для составов х > 0.38 и при соблюдении условий псевдоморфного роста. Несимметричность спинодальной кривой относительно состава х = 0.5 обусловлена сильным различием модулей упругости исходных бинарных соединений.

14. Для синтеза твердых растворов ВеСёБе разработана методика субмонослойной цифровой эпитаксии, в процессе которой твердый раствор формируется посредством попеременного осаждения субмонослоев образующих бинарных компонентов. Благодаря принудительному перемешиванию компонентов метод СЦЭ позволяет получить ВеСсШе КЯ высокого структурного совершенства и высокой интенсивности люминесценции с составом, лежащим глубоко внутри области термодинамической неустойчивости квазибинарной системы.

15. Исследованы структурные и оптические свойства гетероструктур с тонкими одиночными КЯ 2п8е/ВехСс11х8е с различным содержанием бериллия. Установлено, что наибольшая интенсивность ФЛ наблюдается в КЯ с содержанием Ве х~0.15 и более чем в 50 раз превышает максимальную интенсивность ФЛ, полученную в ДМС наноструктурах 2п8е/Сс18е.

16. Методом СЦЭ на подложках ОаАэ впервые получены изопериодные гетероструктуры с толстыми слоями твердых растворов ВеСс18е, обладающие высокой однородностью и низкой плотностью протяженных дефектов.

17. Обнаружен эффект сильного уменьшения коэффициента встраивания Сс1 при выращивании в режиме МПЭ псевдоморфных напряженных слоев ВеСё8е. Релаксация упругих напряжений с толщиной слоя приводит к изменению условий встраивания атомов

147 кадмия в ВеСёБе и смещению состава осаждаемого твердого раствора внутрь области, ограниченной когерентной спинодалью, что сопровождается нарушением его однофазности.

18. По спектрам ФЛ толстых слоев ВехСс11.х8е и квантоворазмерных 7п5е/ВеСс18е гетероструктур определена зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора. Показано, что полученная зависимость вследствие сильного различия периодов решеток соединений, образующих твердый раствор, характеризуется значительным прогибом относительно линейной аппроксимации с параметром квадратичной нелинейности С-4.6 эВ.

19. Впервые получены многослойные лазерные и светодиодные структуры с активной областью на основе квантовых ям Beo.5Cdo.5Se/ZnSe. Лазерные структуры демонстрируют низкотемпературную генерацию в области А, = 460нм с пороговой плотностью накачки около 40 кВт/см2.

1. Semiconductors. Others than Group 1. Elements and III-V Compounds // Ed. by O. Madelung, Data in Science and Technology Series, vol. VIII, Springer-Verlag, Berlin, 1992;

2. Handbook of Semiconductors // Ed. by T.S. Moss, vol. 2: Optical properties of solids, Ed. by M. Balkanski, North-Holland, 1980, 633pp.

3. R.N. Bhargava, Blue and UV light emitting diodes and lasers // Optoelect. Dev. Technol., 1992, v.7,No.l,pp. 19-47.

4. M. A. Haase, J. M. DePuydt, H. Cheng, J. E. Potts, Electromigration inp-type ZnSe:Li // Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, No.l 1, pp. 1173-1174.

5. R.M. Park, M.B. Troffer, C.M. Rouleau, J.M. DePuydt, M.A. Haase, P-type ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth // Appl. Phys. Lett., 1990, v.57, No.20, pp. 2127-2129.

6. K. Ohkawa, T. Karasawa, T. Mitsuyu, Characteristics of p-type ZnSe layers grown by MBE with radical doping // Jpn. J. Appl. Phys., 1991, v.30, Part 2, No.2A, pp. L152-L155.

7. Б.М. Смирнов, A.C. Яценко, Параметры газовых димеров // Химия плазмы: сб.ст., вып. 15, под ред. Б.М. Смирнова, 1989, Москва, "Энергоатомиздат", сс. 93-126.

8. J. Qui, J.M. DePuydt, Н. Cheng, M.A. Haase, Heavily doped p-ZnSe:N grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, No.23, pp. 2992-2994.

9. M. Moldovan, L.S. Hirsch, A.J. Ptak, C.D. Stinespring, Т.Н. Myers, N.C. Giles, Nitrogen doping of ZnSe and CdTe epilayers: a comparison of two rf sources // J. Electron. Mater., 1998, v.27, No.6, pp. 756-762.

10. S.Ito, M.Ikeda, K.Akimoto, Plasma doping of nitrogen in ZnSe using Electron Cyclotron Resonance// Jpn. J. Appl. Phys., 1992, v.31, Part 2, No.9B, pp. L1316-L1318.

11. T.Ohtsuka, K.Horie, P-type ZnSe:N prepared by Electron Cyclotron Resonance Radical Beam doping during molecular beam epitaxial growth // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32, Part 2, No.2B, pp. L233-L235.

12. K.Kimura, S.Miwa, C.G.Jin, L.H.Kuo, T.Yasuda, A.Ohtake, K.Tanaka, T.Yao, H.Kobayashi, Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio//Appl. Phys. Lett., 1997, v.71, No.8, pp. 1077-1079.

13. B. Jobst, D. Hommel, U. Lunz, T. Gerhard, G. Landwehr, Eo band-gap energy and lattice constant of ternary Zni.xMgxSe as functions of composition // Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, No. 1, pp. 97-99.

14. H. Okuyama, Y. Kishita, A. Ishibashi, Quaternary alloy Zm.xMgxSySe,.y // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, No. 4, pp. 2257-2263.

15. D. J. Chadi, Predictor of ¿»-type doping in 1I-VI semiconductors // Phys. Rev. B, 1999, v.59, No.23, pp. 15181-15183.

16. Y. Zhang, B. J. Skromme, S. M. Shibli, M. C. Tamargo, Properties of the As-related shallow acceptor level in heteroepitaxial ZnSe grown by molecular-beam epitaxy // Phys. Rev. B, 1993, v.48,No,15, pp. 10885-10892.

17. L. K. Li, W. I. Wang, J. M. Gaines, J. Petruzzello, T. Marshall, Some doping results in ZnSe grown by molecular beam epitaxy // Journal of Vac. Sci. & Technol. B, 1994, v. 12, No.2, pp. 11971199.

18. L. C. Calhoun, R. M. Park, Doping of ZnSe during molecular beam epitaxial growth using an atomic phosphorus source // Appl. Phys. Lett., 1999, v.85, No. 1, pp. 490-497.

19. V. Pellegrini, R. Atanasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sorba, L. Vanzetti, A. Franciosi, Excitonic properties of Zni.xCdxSe/ZnSe strained quantum wells // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, No. 8, pp. 5171-5175.

20. М.В.Максимов, И.Л.Крестников, С.В.Иванов, Н.Н.Леденцов, С.В.Сорокин, Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах // ФТП, 1997, т. 31, вып. 8, сс. 939-943.

21. F. Liaci, P. Bigenwald, О. Briot, В. Gil, N. Briot, Т. Cloitre, R. L. Aulombard, Band offsets and exciton binding energies in Zni.vCd.vSe-ZnSe quantum wells grown by metal-organic vapor-phase epitaxy // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, No. 7, pp. 4699-4702.

22. S.-H. Wei, A. Zunger, Calculated natural band offsets of all II-VI and III-V semiconductors: Chemical trends and the role of cation d orbitals // Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, No. 16, pp. 2011 -2013.

23. J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshell, D. Mensz, J. Petruzzello, Blue-green injection lasers containing pseudomorphic ZnixMgxSySeiy cladding layers and operating up to 394 К // Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, No.20, pp. 2462-2464.

24. B.B. Кузнецов, П.П. Москвин, С.В. Сорокин, Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов // Москва, "Металлургия", 1991, 174с.

25. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett, 1991, v.59,No.ll,pp. 1272-1274.

26. D C. Grillo, Y. Fan, J. Han, L. He, R.L. Gunshor, A. Salokatve, M. Hagerott, H. Jeon, A.V. Nurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka, Pseudomorphic separate confinement heterostructure blue-green diode lasers// Appl. Phys. Lett., 1993, v.63, No.20, pp. 2723-2725.

27. A. Ishibashi, Y. Mori, Advances in blue laser diodes // J. Cryst. Growth, 1994, v. 138, Nos.(l-4), pp. 677-685.

28. J.M. DePuydt, M.A. Haase, S. Guha, J. Qiu, H. Cheng, B.J. Wu, G.E. Höfler, G. Meis-Haugen; M.S. Hagedorn, P.F. Baude, Room temperature II-VI lasers with 2.5 mA threshold // J. Cryst Growth 1994, v. 138, Nos.(1-4), pp. 667-676.

29. Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R.L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, A.V. Nurmikko, G.C Hua, and N. Otsuka, Graded band gap ohmic contact to p-ZnSe // Appl. Phys. Lett, 1992, v. 61 No.26, pp. 3160-3162.

30. S. Guha, J.M. Depuydt, M.A. Haase, J.Qiu, H. Cheng, Degradation of II-VI based blue-greer light emitters // Appl. Phys. Lett, 1993, v.63, No.23, pp. 3107-3109.

31. S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi, Structura study of defects induced during current injection to II-VI blue light emitter// Appl. Phys. Lett. 1995, v. 66, No. 10, pp. 1208-1210.

32. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda, 100h II-V] blue-green laser diode // Electron. Lett, 1996, v.32, No.6, pp 552-553.

33. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, A. Ishibashi, Significant progress ir II-VI blue-green laser diode lifetime // Electron. Lett, 1998, v.34, No.3, pp. 282-285.

34. K. Nakano, Degradation Model for II-VI Compounds Semiconductor Lasers // Proc. 2nd Int Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Eds. K.Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya Y.Nakano, 1998, Chiba, Japan, pp. 395-399.

35. D. Albert, J. Nürnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G. Landwehr, Influence of p-type doping on the degradation of ZnSe laser diodes // Appl. Phys. Lett., 1999, v.74, No. 14, pp. 1957-1959.

36. A.Waag, F.Fischer, K.Schüll, T.Baron, H.-J.Lugauer, Th.Litz, U.Zehnder, W.Ossau, T.Gerhardt, M.Keim, G.Reuscher, and G.Landwehr, Laser Diodes based on Beryllium Chalcogenides // Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, No.3, pp. 280-282.

37. K.-K. Law, P.F. Baude, T.J. Miller, M.A. Haase, G.M. Haugen, K.Smekalin, Room-temperature continuous-wave operation of blue-green CdZnSSe/ZnSSe quantum well laser diodes // Electron. Lett., 1996, v.32, No.4, pp. 345-346.

38. S. Fafard, D. Leonard, J.I. Merz, P.M. Petroff, Selective excitation of the photoluminescence and the energy levels of ultrasmall InGaAs/GaAs quantum dots // Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, No.l 1, pp.1388-90.

39. S. Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S. Fujita, Metalorganic molecular beam epitaxial growth and characterization of CdSe/ZnSe strained-layer single quantum wells and superlattices on GaAs substrates // J. Appl. Phys., 1992, v.72, No. 11, pp. 5233-5239.

40. H. Zajicek, P. Juza, E. Abramof, O. Pankratov, H. Sitter, M. Helm, G. Brunthaler, W. Faschinger, K. Lischka, Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, No.7, pp. 717-719.

41. F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D. Awschalom, Near-field optical spectroscopy of localized exitons in strained CdSe quantum dots // Phys. Rev. B, 1996, v.54, No.24, pp. R17312-Rl7315.

42. I. Sedova, T. Shubina, S. Sorokin, A. Sitnikova, A. Toropov, S. Ivanov, and M. Willander, CdSe Layers of Below Critical Thickness in ZnSe Matrix: Intrinsic Morphology and Defect Formation // Acta Physica Polonica A, 1998, v.94, No.3, pp. 519-524.

43. H.-C. Ko, D.-C. Park, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, Self-organized CdSe quantum dots onto cleaved GaAs (110) originating from Stranski-Krastanow growth mode // Appl. Phis. Lett., 1997, v.70, No.24, pp. 3278-3280.

44. S.H. Xin, P.D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J.L. Merz, J.K. Furdyna, Formation of self-assembling CdSe quantum dots on ZnSe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, No.25, pp. 3884-3886.

45. K. Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, U. Woggon, CdSe/ZnSe quantum structures grown by migration enhanced epitaxy: Structural and optical investigations//Appl. Phys. Lett., 1997, v.71, No.l 1, pp. 1510-1512.

46. R. Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G. C. La Rocca, K. Ploog, Exiton localization in submonolayer InAs/GaAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B, 1990, v.42, No.5, pp. 3209-3212.

47. N. Magnea, ZnTe fractional monolayer and dots in CdTe matrix // J. of Cryst. Growth, 1994, v. 138, Nos.(l-4), pp. 550-558.

48. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takcbayashi, T. Yao, Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy II Appl. Phys. Lett., 1993, v. 63, pp. 1678-1680.

49. W. Shan, S. J. Hwang, J. M. Hays, J. J. Song, Z. Q. Zhu, T. Yao, Optical properties of highly strained CdSe/ZnSe quantum wells // J. of Appl. Phys., 1993, v. 74, No. 9, p. 5699-5704.

50. K.G. Chinyama, K.P. O'Donnell, A. Rosenauer, D. Gerthsen, Morphology of ultratliin CdSe quantum confinement layers in ZnSe matrices II J. of Crystal Growth, 1999, v. 203, No. 3, p. 362370.

51. D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N. N. Ledentsov, Character of the Cd distribution in ultrathin CdSe layers in a ZnSe matrix // Phys. Rev. B, 2000, v. 61, No. 24, p. 16819-16826.

52. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, and S.V. Ivanov, Structural and Chemical Analysis of CdSe/ZnSe Nanostructures by Transmission Electron Microscopy // Physical Review B, 2000, v.61, No.23, pp. 16015-16024.

53. Cho A.Y., Arthur J.R., Molecular beam epitaxy // in Progress in solid state chemistry, ed. by G. Somorjaj, J. McCaldin, Pergamon, 1975, v.10, pp. 157-190

54. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin, Experimental determination of the incorporatio factor of AS4 during molecular beam epitaxy GaAs // J. Crystal Growth, 1999, v. 202, pp. 170-173.

55. H.H. Farrell, J.L. deMiguel, M.C. Tamargo, Reflection high-energy electron diffraction electron-stimulated desorption from ZnSe(lOO) (2x1) surfaces // J. Appl. Phys., 1989, v.65, No.10, pp. 4084-4086.

56. N. Matsumura, K. Senga, J. Kakuta, J. Saraie, Reflection high energy electron diffraction study on adatom desorption from ZnSe surface under electron beam irradiation and light irradiation // J. Crystal Growth, 1992, v.l 17, Nos.(l-4), pp. 129-133.

57. J.M. Gaines, C.A. Ponzoni, Surface diffusion during molecular-beam epitaxial growth of ZnSe studied by reflection high-energy electron diffraction // J. Vac. Sci. Technol B, 1992, v. 10, No.2, pp. 918-920.

58. V. Bousquet, С. Ongaretto, M. Laugt, M. Behringer, E. Tournié, J.-P. Faurie, (OOl)GaAs substrate preparation for direct ZnSe heteroepitaxy // J. Appl. Phys., 1997, v.81, No.10, pp. 70127017.

59. B.B. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов // Москва, "Металлургия", 1982, 352с.

60. M.A.G. Halliwell, М.Н. Lyons, M.J. Hill, The interpretation of X-ray rocking curves from II-V semiconductor device structures //J. Crystal Growth, 1984, v.68, No.2, pp. 523-531.

61. M.A.G. Halliwell, J. Juler, A.G. Norman, Measurement of grading in heteroepitaxial layers // Inst. Phys. Conf. Ser., 1983, v.67, pp. 365-370.

62. D.C. Grillo, M.D. Ringle, G.C. Hua, J. Han, R.L. Gunshor, M. Hovinen, A.V. Nurmikko, Issues of II-VI molecular-beam epitaxy growth toward a long lifetime blue/green laser doide // J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, v.13, No.2, pp. 720-723.

63. W.S. Lee, G.W. Yoffe, D.G. Schlom, J.S. Harris, Accurate measurement of MBE substrate temperature // J. Crystal Growth, 1991, v. 111, Nos.(l-4), pp. 131-135.

64. S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, Structural quality and the growth mode in epitaxial ZnSe/GaAs(100) // Journal of Appl. Phys., 1993, v.73, No.5, pp. 2294-2300.

65. S. Guha, H. Munekata, F. K. LeGoues, and L. L. Chang, Growth mode and dislocation distribution in the ZnSe/GaAs (100) system // Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, No.26, pp. 3220-3222.

66. C.C. Chu, T.B. Ng, J.Han, G.C. Hua, R.L. Gunshor, E. Ho, E.L. Warlick, L.A. Kolodziejski, A.V. Nurmikko, Reduction of structural defects in II-VI blue green laser diodes // Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, No.5, pp. 602-604.

67. J. Qiu, D. R. Menke, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, D. Li, Y. Nakamura, and N. Otsuka, Characterization of Ga2Se3 at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces // Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, No.24, pp. 2788-2790.

68. D. R. Menke, J. Qiu, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, D. Li, Y. Nakamura, and N. Otsuka, An x-ray photoelectron spectroscopy study of bonding at II—VI/III—V heterovalent interfaces // J. of Vac. Sei. Technol. B, 1991, v.9, No.4, pp. 2171-2175.

69. B. J. Wu, H. Cheng, S. Guha, M. A. Haase, J. M. De Puydt, G. Meis-Haugen, J. Qiu, Molecular beam epitaxial growth of CdZnS using elemental sources // Appl. Phys. Lett., 1993, v.63, No.21, pp. 2935-2937.

70. J. Massies and J. P. Contour, Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs {001} surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution // Journal of Appl. Phys., 1985, v.58, No.2, pp. 806-810.

71. R. L. Gunshor, L. A. Kolodziejski, M. R. Melloch, M. Vaziri, C. Choi, N. Otsuka, Nucleation and characterization of pseudomorphic ZnSe grown on molecular beam epitaxially grown GaAs epilayers // Appl. Phys. Lett., 1987, v.50, No.4, pp. 200-202.

72. S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa, Reflection high-energy electron-diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs(OOl) surface modified by Se adsorption // Phys. Rev. B, 1992, V.45, No.15, pp. 8498-8505.

73. M.C. Tamargo, R.E. Nahory, B.J. Skromme, S.M. Shibli, A.L. Weaver, R.J. Martin, H.H. Farrell, Surface stoichiometry effects on ZnSe/GaAs heteroepitaxy // J. Crystal Growth, 1991, v.lll,Nos.(l-4), pp. 741-746.

74. R. Heckingbottom, C. J. Todd, G. J. Davies, The interplay of thermodinamics and kinetics in molecular beam epitaxy (MBE) of doped gallium arsenide // J. Electrochem. Soc., 1980, v. 127, No. 2, pp. 444-450.

75. C.T. Foxon, Molecular beam epitaxy // Acta Electrónica, 1978, v. 21, No. 2, pp. 139-150.

76. Z. Zhu, T. Nomura, M. Miyao, M. Hagino, MBE growth mechanism of ZnSe: growth rate and surface coverage//J Crystal Growth, 1989, v. 96, No.3, pp. 513-518.

77. Z. Zhu, T. Nomura, M. Miyao, M. Hagino, MBE growth mechanism of ZnSe: flux ratio and substrate temperature // J Crystal Growth, 1989, v. 95, Nos.(l-4), pp. 529-532.

78. F.A. Kroger, The chemistry of imperfect crystals // North-Holland, Amsterdam, 1964.

79. R. Heckingbottom, G.J. Davies, K.A. Prior, Growth and doping of gallium arsenide using molecular beam epitaxy (MBE); Thermodynamic and kinetic aspects // Surf. Sci., 1983, v. 132, No.2, pp. 375-389.

80. H.Seki and A.Koukitu, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of III-V semiconductors // J. Crystal Growth, 1986, v. 78, No.2, pp. 342-352.

81. П.С. Копьев, H.H. Леденцов, Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AmBv // ФТП, 1988, т.22, вып. 10, сс 1729-1742.

82. J.-Y. Chen, Ch. Chatillon, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of III-V compounds: application to the GalnAs multilayer epitaxy // J. Crystal Growth, 1990, v. 106, pp. 553-565.

83. А.Ю. Егоров, A.P. Ковш, A.E. Жуков, B.M. Устинов, П.С. Копьев, Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AmBv при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIni.xPyAsi.y // ФТП, 1997, т. 31, вып. 10, сс. 1153-1157.

84. A. Koukitu and Н. Seki, Thermodynamic Analysis on Molecular Beam Epitaxy of GaN, InN and A1N // Japan. J. Appl. Phys., 1997, v. 36, Part 2, No. 6B, pp. L750-L753.

85. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, Thermodynamic analysis of segregation effects in molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth, 1990, v. 104, No.2, pp. 345-354.

86. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov, Thermodynamic analysis of segregation effects in MBE of Am-Bv compounds // J. Crystal Growth, 1991, v. 111, Nos.(l-4), pp. 151-161.

87. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov, Interplay of beryllium segregation and diffusion in heavily doped GaAs and AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy (thermodynamical analysis) //J. Cryst. Growth, 1991, v. 108, Nos.(3-4), pp. 661-669.

88. A. Koukitu, H. Nakai, T. Suzuki, II. Seki, Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of II-VI semiconductors // J. Crystal Growth, 1987, v. 84, No.3, pp. 425-430.

89. T. Yao, Y. Miyoshi, Y. Makita, S. Maekawa, Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe grown by molecular beam epitaxy // Japan. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, No. 2, pp. 369370.

90. A.B. Новоселова, А.С. Пашипкин, Давление пара летучих халькогенидов металлов // Москва,"Наука", 1978.

91. J. Berkowitz and W.A. Chupka, Comment on the composition of selenium vapor // J. Chem. Phys., 1968, v. 48, pp. 5743-5744.

92. H. Cheng, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J.E. Potts, Molecular-beam epitaxy growth of ZnSe using a cracked selenium source // J. Vac. Sci. Technol. B, 1990, v. 8, No. 2, pp. 181-186.

93. Технология тонких пленок. Справочник // Под ред. J1. Майссела, Р. Глэнга., пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко, Москва,"Советское радио", 1977, т.1.

94. R. Venkatasubramanian, N. Otsuka, J. Qiu, L.A. Kolodziejski and R.L. Gunshor, Incorporation processes in MBE growth of ZnSe // J. Crystal Growth, 1989, v. 95, Nos.(l-4), pp. 533-537.

95. H.J. Cornelissen, D.A. Cammack, and RJ. Dalby, Reflection high-energy electron diffraction observations during growth of ZnSxSeix (0<x<l) by molecular-beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. B, 1988, v. 6, No. 2, pp. 769-772.

96. Shizuo Fujita, N. Yoshimura, Y.-H. Wu and Shigeo Fujita, Surface reconstruction and stabilization in MOMBE of ZnSe revealed by in-situ RHEED monitoring // J. Crystal Growth, 1990, v. 101, Nos.(l-4), pp. 78-80.

97. J. Reichow, J. Griesche, N. Hoffmann, H. Rossmann, L. Wilde, F. Henneberger and K. Jacobs, Molecular beam epitaxial growth and characterization of ZnSe on GaAs // J. Crystal Growth, 1993, v. 131, Nos. (3-4), pp. 277-282.

98. F.S. Turco and M.C. Tamargo, Growth studies of molecular-beam epitaxial ZnSe using reflection high-energy electron diffraction oscillations // J. Appl. Phys, 1989, v. 66, No. 4, pp. 1695-1698.

99. R.M. Park, H.A. Mar, and N.M. Salansky, Molecular beam epitaxy growth of ZnSe on (OOl)GaAs by compound source and separate source evaporation: a comparative study // J. Vac. Sei. Technol. B, 1985, v. 3, No. 2, pp. 676-680.

100. Б.Я. Рябин, М.А.Остроумов, ТФ.Свит, Термодинамические свойства веществ, Справочник//Ленинград, "Химия", 1977.

101. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, Справочник // Коллектив авторов, Москва, "Наука",1978.

102. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, Справочное издание, в 4х тт. // Под ред. акад. В.П. Глушко, Москва, "Наука", 1981.

103. Metals Reference Book // Ed.C.I. Smithelles, E.A. Brandes, Fulmer Research Ltd., Butterworth and Co. (Publishers) Ltd, 1976.

104. J.D. Сох, DD. Wagman, V A. Medvedev, CODATA Key Values for Thermodynamics // Hemisphere Publishing Corp, New York, USA, 1989.

105. R H. Schümm, D.D. Wagman, S. Bailey, W.H. Evans, V.B. Parker // in National Bureau of Standards (USA), Technical Notes 270-1 to 270-8, 1973.

106. Термодинамические свойства веществ, Справочник // Под ред. М.Х. Карапетьянца Москва, "Химия", 1968, сс. 450.

107. M.W. Chase, NIST-JANAF Themochemical Tables, Fourth Edition // J. Phys. Chem. Ref. Data, 1998, Monograph 9, 1-1951.

108. B.J. Wu, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, G.E. Hofler, M.A. Haase, H. Cheng, S. Guha, J. Qiu, L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba, Wide band gap MgZnSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett, 1995, v. 66, No. 25, pp. 3462-3464.

109. Вуд Колин E.K. // В кн.: Молекулярно-пучковая эпитаксия и гетероструктуры. Москва, "Мир", 1989, сс. 127-160.

110. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах // Киев, "Наукова думка", 1983, 304 с.

111. Сорокин B.C. // Кристаллография, 1986, т.31, № 5, сс. 844-850.

112. Воронков В.В., Долгинов Л.М., Лапшин А.Н., Мильвидский М.Г. // Кристаллография, 1977, т.22, сс.375-378.

113. J.M. Gaines and С.A. Ponzoni, In-situ characterization of II/VI molecular beam epitaxy // Workbook of Int. Workshop on ZnSe-Based Compounds, 1994, Wurzburg, Germany, September p. 47-51.

114. T. Frey, T. Reisinger, B. Folger, M. Kastner, W. Gebhardt, Quantitative growth-investigation of zincblende ZnMgSe/GaAs(001) and ZnSe/GaAs(001) by means of RHEED, HRXRD and thickness monitoring // J. Crystal Growth, 1998, v. 184/185, pp. 31-36.

115. H. Kalisch, M. Liinenburger, H. Hamadeh, J. Xu, M Hauken, Optimized metalorganic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostructures // J. Crystal Growth, 1998, v. 184/185, pp. 129-133.

116. G.C. Hua, N. Otsuka, D.C. Grillo, Phase separation in ZnSeixSx and Zni.yMgySeixSx layers grown by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth, 1994, v. 138, pp. 367-372.

117. Q. Liu, G. Brockt, A. Meinert, H. Kalisch, M. Heuken, H. Lakner, Studies on structural and electro-optical properties of MOVPE-grown ZnMgSSe by cathodoluminescence // J. Crystal Growth, 1998, v. 184/185, p. 139.

118. J.L. Meijering, Segregation in regular ternary solutions // Philips Res. Reports, 1950, v. 5, pp. 333-356.

119. A.S. Jordan, M. Ilegems, Solid-Liquid equilibra for quanternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approximation // J. Phys. Chem. Sol., 1975, v. 36, pp. 329-342.

120. G.B. Stringfellow, Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams // J. Cryst. Growth, 1974, v. 27, pp. 21-34.

121. B.C. Урусов, Энергетическая кристаллохимия // Москва, "Наука", 1975.

122. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Горецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская, Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // Москва, "Наука", 1978.

123. С.Н.Р. Lupes, Chemical Thermodynamics of Materials // North-Holland, Oxford, 1983.

124. O. Kubaschewski, E.L. Evans, Metallurgical Thermochemistry // Pergamon Press, London, 1958, v. 3.

125. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник // Под ред. Новоселовой А.В. и Лазарева В.В., Москва, "Наука", 1979.

126. J.W. Cristian, The Theory of Transformations in Metal and Alloys I I Pergamon Press, Oxford, 1975, Part I.

127. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin, On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys // J. Appl. Phys., 1993, v. 74, p. 71987210.

128. G.B. Stringfellow, Spinodal decomposition and clustering in III/V alloys // J. Electronic Materials, 1982, v. 11, p. 903-918.

129. LP. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin, Compositional elastic domains in epitaxial layers of phase-separating semiconductor alloys// Phil. Mag. B, 1994, v. 70, p. 557-566.

130. B.J. Wu, L.H. Kuo, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, M.A. Haase, L. Salamanca-Riba, Growth and characterization of II—VI blue light-emitting diodes using short period superlattices // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, No. 3, pp. 379-381.

131. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V. A. Shchukin, A.A. Maradudin, R.F. Wallis, Kinetic Instability in the Epitaxial Growth of Semiconductor Solid Solutions // Physics of Low-Dimensional Structures, 1997, v. 3-4, p. 23-37.

132. A. Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner, J. Zweck, W. Gebhard, High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures // J. Crystal Growth, 1995, v. 152, pp. 42-50.

133. P. Juza, H. Zajicek, H. Sitter, M. Helm, W. Faschinger, K. Lischka, Photoluminescence of ZnSe/CdSe short period superlattices grown by self-limiting monolayer epitaxy //Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, pp. 3133-3135.

134. J.M. Gaines, J. Peruzzello, B. Greenberg, Structural properties of ZnSe films grown by migration enhanced epitaxy //J. Appl. Phys, 1992, v. 73, No. 6, pp. 2835-2840.

135. J. Lilja, J. Keskinen, M. Hovinen, M. Pessa, A comparative study of growth of ZnSe films on GaAs by conventional molecular-beam epitaxy and migration enhanced epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. B, 1989, v. 7, No. 4, pp. 593-598.

136. W. Chen, A. Kahn,. P. Soukiassian, P.S. Mangat, J. Gaines, C. Ponzoni, D. Olego, ZnSe(100) surface: Atomic configurations, composition, and surface dipole // Phys. Rev. B, 1994, v. 49, No. 15,pp.10790-10793.

137. A. García, J.E. Northrup, Se-rich phase of ZnSe(100) predicted by total-energy calculations // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, No. 6, pp. 708-710.

138. J. Qiu, D. R. Menke, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, D. Li, Y. Nakamura, and N. Otsuka, Characterization of Ga2Se3 at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces // Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, No. 24, pp. 2788-2790.

139. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, T. Yao, Strucrure and composition of the ZnSe(OOl) surface during atomic-layer epitaxy // Phys. Rev. B, 1999, v. 60, No. 11, pp. 8326-32.

140. J.M. Gaines, Molecular beam epitaxy of II-VI wide bandgap semiconductors // Philips J. Res., 1995, v. 49, pp. 245-265.

141. H.H. Farrell, J.L. deMiguel, M.C. Tamargo, Reflection high-energy electron diffraction electron-stimulated desorption from ZnSe(100) (2xl)-Se sufaces // J. Appl. Phys., 1989, v. 65, No. 10, pp. 4084-4086.

142. S J. Hwang, W. Shan, J J. Song, Z.Q. Zhu, T. Yao, Effect of hydrostatic pressure on strained CdSe/ZnSe single quantum wells // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, No. 17, pp. 2267-2269.

143. M. Rabe, M. Lowisch, F. Henneberger, Self-assembled CdSe guantum dots. Formation by thermally activated surface reorganization // J. Crystal Growth, 1998, v. 184/185, pp. 248-253.

144. J.M Hartmann, G. Feuillet, M. Charleux, H. Mariette, Atomic layer epitaxy of CdTe and MnTe // J. Appl. Phys., 1996, v. 79, No. 6, pp. 3035-3041.

145. T. Yao, T. Takeda, Growth process in atomic layer epitaxy of Zn chalcogenide single crystalline films on (100) GaAs // Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, No. 2, pp. 160-162.

146. S. Dosho, Y. Takemura, M. Konagai, K. Takahashi, Atomic layer epitaxial growth of ZnSe, ZnTe, and ZnSe-ZnTe strained-layer superlattices // J. Appl. Phys., 1989, v. 66, No. 6, pp. 25972602.

147. S. Ramesh, N. Kobayashi, Y. Horikoshi, High-quality ZnSe/GaAs superlattices: MBE growth, and structural and optical characterization // J. Crystal Growth, 1991, v. 111, pp. 752-756.

148. S.W. Short, H. Luo, S. Xin, A. Yin, A. Pareek, M. Dobrowolska, K. Furdyna, Migration enchanced epitaxy and optical properties of ZnSe/CdSe digital alloy quantum wells // J. Vac. Sci. Technol. B, 1994, v. 12, No. 2, pp. 1143-1145.

149. W. Faschinger, H. Sitter, Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates // J. Crystal Growth, 1990, v. 99, pp. 566-571.

150. B. Daudin, S. Tatarenko, D. Brun-Le Cunnf, Surface stoichiometry determination using reflection high-energy electron diffraction and atomic-layer epitaxy: The case of ZnTe(lOO) // Phys. Rev. B, 1995, v. 52, No. 11, pp. 7822-7825.

151. H.-C. Ko, S. Fujita, Self-Organizing Process of Moderately Strained Zni.xCdxSe Layer Grown on GaAs(l 10) by Molecular Beam Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys., 1998, v. 37, Part 1, No. 12B, pp. 7177-7181.

152. K.-I. Shiramine, Y. Horisaki, D. Suzuki, S. Itoh, Y. Ebico, S. Muto, Y. Nakata, N. Yokoyama, Threading Dislocations in Multilayer Structure of InAs Self-Assembled Quantum Dots // Jpn. J. Appl. Phys., 1998, v. 37, Part 1, No. 10, pp. 5493-5496.

153. T. Kummell, R. Weigand, G. Bacher, A. Forchel, K. Leonardi, D. Hommel, H. Selke, Single zero-dimensional excitons in CdSe/ZnSe nanostructures // Appl. Phys. Lett, 1998, v. 73, No. 21, pp. 3105-3107.

154. C. Duport, P. Nozieres, J. Villain, New Instability in Molecular Beam Epitaxy // Phys. Rev. Lett, 1995, v. 74, No. 1, pp. 134-137.

155. A.H. Cotrell, Dislocation and Plastic Flow In Crystal // Oxford, New-York, 1953.

156. V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.G. Malyshkin, N.N. Ledentsov, Vertical correlations and anticorrelations in multisheet arrays of two-dimensional islands // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, No. 19, pp. 12262-12274.

157. C. Verie // in Semiconductor Heteroepitaxy, edited by B. Gil and R.-L. Aulombard, World Scientific, Singapore, 1995, p. 73.

158. C. Verie, Covalency engineering through alloying with beryllium chalcogenides in wide band-gap II-VI crystals // J. Electron. Mater, 1998, v. 27, No 6, pp 782-787.

159. H.-J. Lugauer, Th. Litz, F. Fischer, A. Waag, T. Gerhard, U. Zehnder® W. Ossau, G. Landwehr, P-type doping of beryllium chalcogenides grown by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth, 1997, v. 175/176, pp. 619-623.

160. H.Luo, K. Ghandehari, R.G. Greene, A.L. Ruoff, S.S. Trail, F.J. DiSalvo, Phase transformation of BeSe and BeTe to the NiAs structure at high pressure // Phys. Rev. B, 1995, v. 52, No. 10, pp. 7058-7064.

161. R. Cingolani, P. Prete, D. Greco, P. V. Giugno, M. Lomascolo, R. Rinaldi, and L. Calcagnile, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi, Exciton spectroscopy in ZnirCd.vSe/ZnSe quantum wells // Phys. Rev. B, 1995, v. 51, No. 8, pp. 5176-5183.

162. S. Gundel, Diplomarbeit// Wuerzburg University, 1997, Wuerzburg.

163. H. J. Lozykowski, V. K. Shastri, Excitonic and Raman properties of ZnSe/Zni,vCd.TSe strained-layer quantum wells // J. Appl. Phys., 1991, v. 69, No. 5, pp. 3235-3242.

164. T. Matsumoto, T. Iwashita, K. Sasamoto, T. Kato, Atomic layer epitaxy of CdSe/ZnSe short-period superlattices // J. Cryst. Growth, 1994, v. 138, Nos. 1-4, pp. 63-67.

165. K. Wilmers, T. Wethkamp, N. Esser, C. Cobet, W. Richter, M. Cardona, V. Wagner, H. Lugauer, F. Fischer, T. Gerhard, M. Keim, Ellipsometric studies of BexZni.xSe between 3 eV and 25 eV // Phys. Rev. B, 1999, v. 59, No. 15, pp. 10071-10075.

166. N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, S. B. Qadri, Y. R. Lee, A. K. Ramdas, N. Otsuka, Growth of cubic (zinc blende) CdSe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1989, v. 54, No. 26, pp. 2680-2682.

167. D. J. Stukel, Energy-band structure of BeS, BeSe and BeTe // Phys. Rev. B, 1970, v. 2, No. 6, pp. 1852-1857.

168. C. Chauvet, E. Tournie, J.-P. Faurie, Nature of the band gap in Zni-JBe^Se alloys // Phys. Rev. B, 2000, v. 61, No. 8, pp. 5332-5336.

169. A. Ohtake, L.-H. Kuo, Kozo Kimura, S. Miwa, T. Yasuda, C. Jin, T. Yao, K. Nakajima, Kenji Kimura, Defect generation in layer-by-layer-grown ZnSe films on Te-terminated GaAs (001) surfaces//Phys. Rev. B, 1998, v. 57, No. 3, pp. 1410-1413.

170. B.C. Сорокин, Эффект стабилизации периода решетки в четырехкомпонентных твердых растворах // Кристаллография, 1986, т. 31, вып. 5, сс. 844-849.

171. J. Wang, X. Wang, Z.Q. Zhu, and T.Yao., Effects of quantum confinement and strain in ZnixCdxSe/ZnSe strained-layer superlatices // J. Phys.: Condens. Matter., 1995, v. 7, No. 29, pp. 5835-5842 .

172. J.W.Matthews and A. E. Blakeslee, Defects in epitaxial multilayers // J. Cryst. Growth, 1974, v. 27, p. 118.

173. R. People and J. C. Bean, Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GeTSii -JSi strained-layer heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, No. 3, pp. 322-324.

174. Ж. Панков, Оптические процессы в полупроводниках // пер. под ред. Ж.И. Алферова, B.C. Вавилова, Москва, "Мир", 1973,456с.

175. S. Permogorov, А. Reznitzky, Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions // J. Lumin., 1992, v.52, Nos.(l-4), pp. 201-223.164

176. K. Nishi, H. Ohyama, T. Suzuki, T. Mitsuyu, T. Tomimasu, Determining the band discontinuties of ZnSe/GaAs and ZnMgSSe/GaAs heterojunctions using free electron laser // Appl. Phys. Lett., 1997, v.70, No. 16, pp.2171-2173.

177. J. Puis, M. Rabe, A. Siarkos, F. Henneberger, Excitonic properties of ZnSe/(Zn,Mg)Se quantum wells: A model study of the tensile-strain situation // Phys. Rev. B, 1998, v.57, No.23, pp. 14749-14757.

178. K. Shahzad, J. Petruzzello, J.M. Gaines, C. Ponzoni, An investigation of energy-band offsets in the ZnSe/Zni.xMgxSySei„y multiquantum wells system // Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, No.5, pp.659-661.

179. РАБОТЫ, ВОШЕДШИЕ В ДИССЕРТАЦИЮ:

180. Ivanov S.V., Sorokin S.V., Park H.S., Kim T.I., Kop'ev P.S., Thermodynamic approach to composition and growth rate control in MBE of ZnSSe // Workbook of the 8th European Workshop on MBE, 1995, Sierra-Nevada, p. 119-122.

181. Ivanov S.V., Sorokin S.V., Kop'ev P.S., Kim J.R., Jung H.D., Park H.S., Composition, Stoichiometry and Growth Rate Control in MBE of ZnSe Based Ternary and Quaternary Alloys // J. Crystal Growth, 1996, v. 159, p. 16-20.

182. Ivanov S.V., Sorokin S.V., Krestnikov I.L., Faleev N.N., Ber B.Ya., Sedova I.V., Kop'ev P.S., Interplay of Kinetics and Thermodynamics in Molecular Beam Epitaxy of (Mg,Zn,Cd)(S,Se) // J. Cryst. Growth, 1998, v. 184/185, p. 70-74.

183. Sorokin S., Toropov A., Shubina T., Lebedev A., Sedova I., Ivanov S., Waag A., Optically Pumped Low Threshold ZnSSe Based Lasers with 2.5 ML CdSe Active Region, Acta Physica Polonica A, 1998, v. 94, p. 539-544.

184. Sitnikova A., Sorokin S., Shubina T., Sedova I., Toropov A., Ivanov S., Willander M., TEM Study of Self-Organization Phenomena in CdSe Fractional Monolayers in ZnSe Matrix // Thin Solid Films, 1998, v.336, p. 76-80.

185. Ivanov S.V., Toropov A.A., Sorokin S.V., Shubina T.V., Lebedev A.V., Sitnikova A.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ultra-Low Threshold ZnSe Based Lasers with Novel Design of Active Region // J. Cryst. Growth, 1999, v. 201/202, Nos.(l-4), p.942-945.

186. Sorokin S.V., Toropov A.A., Shubina T V., Sedova I.V., Sitnikova A.A., Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Peculiarities of MEE versus MBE Growth Kinetics of CdSe Fractional Monolayers in ZnSe // J. Cryst.Growth, 1999, v. 201/202, p. 461-464.

187. Sorokin V.S., Sorokin S.V., Kaygorodov V.A., Ivanov S.V., The Instability and Immiscibility Regions in MgxZni.xSySei.y Alloys // J. Cryst. Growth, 2000, v. 214-215, Nos. 1-4, p. 130-134.

188. Kyutt R.N, Toropov A.A., Sorokin S.V., Shubina T.V., Ivanov S.V., Karlsteen M., Willander M., Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by x-ray diffraction // Appl. Phys. Lett, 1999, v. 75, No. 3, p. 373-375.

189. Kyutt R.N, Toropov A.A., Shubina T.V., Sorokin S.V., Ivanov S.V., Karlsteen M, Willander M, Spatial Distribution of Cd in CdSe/ZnSe Superlattices Studied by X-Ray Diffraction // Applied Surface Science, 2000, v. 166, Nos. (1-4), p. 341-345.

190. Ivanov S.V., Toropov A.A, Shubina T.V., Lebedev A.V, Sorokin S.V., Sitnikova A.A., Kop'ev P.S., Reuscher G, Keim M, Bensing F, Waag A, Landwehr G, Posina G.R, Bergman J.P,167

191. Monemar В., MBE Growth and Properties of Bulk BeCdSe Alloys and Digital (BeSe:CdSe)/ZnSe Quantum Wells//J. Cryst. Growth, 2000, v. 214-215, Nos. 1-4, p. 109-114.

192. Сорокин B.C., Сорокин С.В., Кайгородов В.А., Управление составом твердых растворов ZnSySei.y при молекулярно-лучевой эпитаксии // Материалы электронной техники, 2000, вып. 4, с. 50-54.о