Оптимистические и электрофизические свойства аморфных пленок нитрида и оксинитрида кремния переменного состава тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ОРДША ДРУЖБА НАРОДОВ АКАДЕМИЯ НАУК АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ

На правах рукописи

БАШИРОБ МУСАЕЕР ЗАБИТ ОГЛЫ

УДК 621.315.592.4:539.216.2

ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ПЛЕНОК НИТРВДА И ОКСИНИТРВДА КРШШ ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Б а к у - 1992

Работа выполнена в Специальном конструкторском бюро "Теллур" с Опытным производством Института фиазки Академии наук Азербайджанской Республики.

член-корреспонцент АН СССР, доктор физико-математических наук, профессор Г.Б.АВДУЛЛАЕВ,

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник А.Я.ШАБАШВ.

член-корреспондент АН Азербайджанской Республики, доктор физико-математических наук, профессор Т.Д;ДЖАФАРОВ,

доктор физико-математических наук, профессор М.Я.БЕКИРОВ.

Ведущая организация - Всесоюзный ордена Трудового Красноп Знамени научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт источников тока.

на заседании специализированного совета (Д-004.04.01) по защите диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук при Институте физики Академии наук Азербайджанской Республики (370143, Баку-143, проспект Азиз-бекова, 33).

С. диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики АН Азербайджанской Республики.

Автореферат разослан ..................1992 г.

Учёный секретарь специализированного совета доктор физико-математических

наук, профессор Р.Б.ШАФИЗАДЕ

Научные руководители:

Официальные оппоненты:

Защита состоится

ОДЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

'Актуальность теш. Тонкопленочные материалы находят широкое применение в электронике, энергетике, машиностроении и других областях народного хозяйства. Важной особенностью процесса осаждения тонких пленок, является относительная простота создання покрытий с заданным профилем распределения по толокне и по площади оптических и электрофизических свойств. Возможность создания таких многослойных структур позволяет как повысить вффактивность существующих приборов, так и разработать принципиально новые конструкции.

Б этой связи особый интерес приобретают исследования пленок Зь^и 5ьОхМ^ , состав которых, а следовательно, и физические свойства могут варьироваться в широких предела;., что позволяет использовать их в качестве селективных теплорегулируюшх и про-светлявких покрытий, оптических фильтров. Несомненно, перспективно использовать эти пленки для улучшения характеристик ШОП эле -ментов памяти, а также при создании нового класса солнечных эле -ментов с индуцированным каналом.

В настоящее время наиболее полно исследованы пленю: стехио-метрического нитрида кремния, чьи свойства, благодаря широкому использованию в бурно развивающейся микроэлектронике, хорошо описаны в большом количестве статей и монографий. В то яе время пленки БШх и БЮд-Ы^ переменного состгча до настоящего времени практически не исследовались. Хотя и существует ограниченное число работ, посвященных описанию тех или иных свойств пленок, отсутствуют комплексные исследования их физических свойств,.с учетом технологических особенностей осаждения, необходимые для их практического применения.

Полно работы является установление структуры тонких пленок $'МХ-Л БШ^м переменного состава, изучегае влияния технологи-

часких особенностей ах приготовления на оптические и электрофизические свойства, в также создание эффективных фотопреобразо -вателей. Для достижения цели потребовалось решение следующих задач:

1. Разработка и создание системы магнетронного распыления.

2. Разработка технологии получения пленок ЗШХ и 510х^ переменного состава методами реактивного магнетронного распыления и трехэлектродного ионно-плазменкого распыления. Получение ЩГ МДП и ШОП структур.

3. Исследования зависимости оптических, электрофизических, Сйсе-спектров и спектров электронного парамагнитного резонанса пленок от технологии их получения.

4. Разработка конструкции солнечного элемента с индуцированным каналом и технологии нанесения двухслойных просветляющих по -крытий.

5. Разработка"Методики измерения и аппаратуры для изучения полупроводниковых приборов методом динамических вольт-фарадных характеристик.

Научная новизна

1. Впервые показана возможность получения варизонных планок

с широкой областью изменения состава методом реактивного магнетронного распыления.

2. Разработана модель, описывающая оптические и диэлектри -чеокие свойства пленок 510х1\!у переменного состава. Рассчитаны диэлектрические функции пленок З'иМ^ и БьОх^ в широком спектральном интервале.

3. Впервые определены энергии уровней ответственные за прыжковый и сильно полевой механизмы переноса в пленках пере -кенного состава.

4. Обнаружена возможность сочетания высокого значения фиксированного заряда и низкой плотности поверхностных состояний при высоко-температурной обработке границы раздела ЭШд -туннель но-тонкий БиОа" Бь.

Практическая ценность. Разработана и внедрена на предприятиях п/я В-8560 и ВШИТ технология получения двухслойного просветляющего покрытия 51МХ~ Si.0j.Mij, позволяющего увеличить ток короткого замыкания на 37$.

Показана возможность создания солнечных элементов с индуцированным каналом на основе плёнок туннельно-тонкий 510а-51Ма и . разработана конструкция фотопреобразователя с самовосстанавливающимся инверсионным слоем.

Результаты исследований свойств границы раздела БЬ ,

БЮ^^-Бь могут быть использованы при сознании МОП и ШОП приборов для БИС и СБИС.

Основные положения, выносите на защиту.

1. Структура плёнок 31МГ (О £ х 4 1,33) и полученных методами ионно-плазнеиного трёхэлектродного и магнетрон-ного распыления, представляет собой смесь хаотически связанных тетраэдров Si.-Si.ij и . где 0 4 у 4 4.

2. В плёнках при х = 0,8 обнаружено резкое изменение электронных и оптических свойств, обусловленное преобладанием

в ближайшем окружении атомов кремния атомов азота.

3. Сдвиг полосы валентных колебаний в низкочастотную область при понижении концентрации азота обусловлен уменьшением длины связи

4. Проводимость плёнок Si.Ni в слабых полях обусловлена прыжковым механизмом переноса между дефектными уровнями, которые ответственны и за Бул-Френкелевский , стимулируемый полем, термический выброс, наблюдаемый в сильном поле.

5. В пленках SLNX , полученных ионно-цлазменным магне-тронным распылением, присутствуют парамагнитные центры, которые распределены в пленке в виде изолированных кластеров.

6. Низкая плотность поверхностных состояний, наблюдаемая при отжиге ШОП структур }№-51Дтунне.льно-танкил SlOa-SL обусловлена снятием напряжений в пленке нитрвда кремния благодаря образованию слоев оксинитрида, при этом рост величины фиксиро -ванного заряда вызван образованием положительно заряженных кислородных вакансий.

Апробация работы. Основные результаты д"ссертации докладывались на Ш научно-технической конференции колодах ученых и специалистов по источникам тока и преобразованию видов эн-.ргии (Москва, IS87), на конференции молодых ученых АН АзССР (Баку, IS87), на координационном совещании социалистических стран по физическим проблемам оптоэлектроники (Баку, 1989) и обсуздались на научных семинарах СКБ "Теллур" Института физики АН Азербайджан -ской Республики, лаборатории гетероструктур Института физики АН Азербайджанской Республики.

Публикации. Содержание диссертации отражено в 16 публика -циях и трех авторских свидетельствах.

Объем и отруктутза диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, списка литературы и приложения. Она содержит 147 страниц машинописного текста, включая jy таблиц, 48 рисунков и библиографии из 129 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность теш, сформулирована цель работы, отмечены новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены научные положения, выносимые на защиту, описана структура диссертации.

В первой главе выполнен обзор литературы, а котором изложены основные современные представления и экспериментальные результаты о структура и физических свойствах пленок нитрида и оксянитрида кремния. Приведены данные о стр< :стуре кристаллического и аморфного нитрида кремния и кратко охарактеризованы основные виды дефектов, существующие в БЬ31Ч[г, . Отмечается, что в отличие' от кристаллических модификаций нитрида кремния, аморфные имеют много различных электронных структур, каадач из которых имеет собственный минимум потенциальной энергии. Однако,несмотря на обусловленную этим фактором сильную зависимость сзойств пленок 51 от условий ссавдения,их структура моаег быть описана в рамках макроскопической или микроскопической модели. Макроскопическая модель (модель смеси) предполагает, чтс представляет собой механическую смесь 51 и . Согласно кигфоско-пической модели (модель хаотических связей) пленки

пред -

ставляют собой твердый раствор со структурой з ввде непрерывкой сетки, состоящей из хаоткческ»? связанных тетраэдров типа 51~

, где 0 4- у 4 4. Характерной особенностью пленок , структура которых описывается моделью хаотических связей (МХС), является наличие области составов, в которой долнно происходить резкое изменение электронных свойств. Анализ оптических свойств показывает, что а ИК спектрах шгекок ЭИ^д доминируемую роль играет мода, обусловленная валентными колебаниями связи 51-|\| Указывается, что изменение состава не вызывает существенных изменений ИК спектров, а приводит лишь к монотонному сдвигу коле -бательных мод. Отмечается, что в настоящее время практически отсутствуют работы, описывающие структуру и электронные свойства пленок оксикитрида кремния переменного состава.

В этой ке главе, дается описание основных механизмов переноса в тонких пленках нитрида и окскнигрвда кремния. Особое вкша-

кие уделено рассмотрении моделей, описывающих прыжковый механизм переноса и сильнопалевые механизмы Пула-Френкеля и Шоттки.

Во второй главе рассмотрены вопросы получения тонких пленок БЬ^и БЮ^И^ и описаны методики, используемые для иссле -дования их физических свойств.

Нанесение пленок осуществлялось двумя ме-

тодами: ионно-гошзменным распылением (ИПР) по триодкой схеме и магнетронным распылением на постоянном токе, .Состав пленок варьи-ровглся изменением давления кислорода и азота. Подача и рёгули -ровка давления аргоно-азотной (кислородной) смеси производились через вакуумный тройник с тремя игольчатыми натекателями. " данной главе детально описана конструкция разработанного нами маг -нэтронного блока.

Исследование влияния параметров технологического процесса на скорости осаждения гиенок 51 -, полученных ШР, показали, что она линейно растет с увеличением плотности тока источника ионов. Монотонный рост скорости осаждения наблюдался также и при уменьшении концентрации . Было установлено, что при измене-

п _т

нии давления аргона от ЗЛО" Па до 5.10 Па скорость осаждения уменьшалась от 4,8 до 2,8 км/мин, что связано с эффектом обратного рассеяния атомов распыляемого вещества при соударении их с ионами аргона. На основании выполненных исследований были определены режимы, обеспечивающие высокие скорости осаящения пленок (5 т/та), относительно небольшой разогрев подложек (Т=300°С) и малую дефектность (низкая концентрация ЭПР центров) наносимых покрытий: давление аргона ЗЛО""2 Па, ток плазмы 8 А, потенциал мшени 2,5 кВ. Использование метода магнетронного распыления позволило увеличить скорость осаждения пленок на порядок в уравнении с ИПР, при этом характер -изменения скорости осаждения при вариации давлений газов Яг , N1 , 0а остался прежним.

Подробно описаны .технология предварительной обработки подложек кремния, сит алла и кварца, а также фотолитограф;гчеокие процессы формирования ЩИ и ВДП структур. Приведен разработанный состав травителя, позволяющего использовать стандартные фотолитографические процессы при создании рисунка в сл"ях Зи .

Рассмотрены методики измерения оптических характеристик в области края поглощения, спзктров ИК пропускания, электрофязи -ческих характеристик, Оже и ЭПР спектров. Детально описаны принципиальная схема разработанной нами установки для измерения вольтфарадных и вольтсшиенсных характеристик и методы рабчета параметров МЦП структур.

В третьей глава изложены результаты исследования структуры и оптических свойств пленок и БиОд-. Средний хими-

ческий состав пленок определялся из измерений Оже-спектэов.

Исследование спектральной зависимости коэффициента поглощения пленок ЗИМХ показывает, что при давлениях азот?

Рц2 > 2,3.Ю-3 Па край поглоазнт практически не сдвигается, а показатель преломления имеет значения 1,75-1,8, характерные для пленок с избытком азота. С уменьшением давления азота наблюдается монотонный сдвиг края собственного поглощения в область низких энергий. При этом,при Рма < 1,7.10~3 Па происходит резкое изменение оптических свойств. Увеличение давления азота приводит к сдвигу основного пика поглощения от 7В7 до 840 см-'1', наблюдается также незначительное смещение полосы умеренного поглощения в коротковолновую область спектра. Параллельное смещение основного и умеренного.пиков ИК поглощения указывает на изменение- , длины связи . 51-N при изменении состава пленки.

Монотонный сдвиг края оптического поглощения и полосы ва -лантных колебаний пленок БШ^ (0 £ х < 1,33) указывает на то, что они не являются простой смесью фаз $1 и , а

• представляют собой однофазную систему со структурой в виде хаотически связанных тетраэдров . Sl-Sl^N^ (0< у < 4). В противном случае, изменения соотношения компонентов Si: St3М^ вызвало бы модуляции интенсивности полосы валентных колебаний при неизменном ее положении, а край поглощения совпал бы с краей поглощения SL .

Четкий вывод об однофазности композиции пленок SiNx был подучен путем сравнения теоретических спектральных зависимостей , пленок SiNj; , рассчитанных в рамках модели хаотически свя -занных тетраэдров и экспериментальных оптических характеристик. Подобный расчет и хорошее согласие с экспериментом било получено и для пленок SlOxNit , что позволило сделать вывод л том.что пленки оксиннтрида кремния представляют собой однофазную компо -зицив, в которой кислород и азот статистически (в зависимости от ооотава) замещают атомы кремния.

Структура и соотав пленок исследовались также методами Ose и ЭПР спектроскопии. Содержание в пленках 5lNx , полученных различными методами ^слорода и углерода не превышало Ь% и 3% соответственно, Присутствие в пленках небольшого количества кислорода позволяет объяснить несколько низкие, чем в объемном

StjNi, , значения показателя преломления ( П - 1,94). С увеличением давления азота в камере пик монотонно смещается от I6J.9 до 1609 вВ, причем в' области 2,Ю""3 - 2,4Д0~3 Па, где со -став соответствует сти-хиомегрическому нитриду кремния, он имеет значение 1614 sB характерное для Sl5N^ ,

Анализ Ose спектров показал, что в пленках Slß^N^ переменного состава, подученных путем вариации давления газовой смеси, содержащей 98% азота и 2% кислорода при давлении Р>3,5.10_3 Па .вклад кислорода в несколько раз выше его процентного содержания ч омеои. В то же время положение пиков, соответствующих пере-

ходам Nkul и Лгки., практически не меняется от состава пленок.

Профилирование Ожв спектров по глубине показало, что все пленки характеризуются достаточно равномерным распределением элементов по толщине, однако вблизи кремниевой подложки наблюдается слой толщиной порядка 10 нм, обогащенный "ремнием, который обусловлен неконтролируемыми параметрами начала (выставла -ние тока плазмы и потенциала мишани) технологического процесса.

Исследования ЗПР спектров пленок SiNx (04x4 1,33) показали, что они представляют собой синглетныа резонансные линии, амплитуда (Ns) и полуширина (дН) которых изменяются при вариации состава пленок. Концентрация ЗПР центров быотро увеличивается при росте ОС , достигая максимума ( Ns = I.3.I019 см-3) при ЗС = 0,8, а затем начинает'убывать. Неизменность Cj —фактора и дИ при комнатной температуре и температуре жидкого азота указывает на наличие спин-спинового взаимодействия мааду пврамагнптныю центрами. Так как такое взаимодействие возможно лишь при малых расстояниях меаду центрами ( < I нм), го ,при их равномерном распределении в объеме пленки, их плотность должна быть на менее I020 см-3, что на порядок ниже наблюдаемой. В этом случае объяснить наличие обменного взаимодействия можно предположив, что ЭПР центры распределены случайным образом а виде изолированных кластеров, внутри которых имеет место спин-спиновое взаимодействие.

Увеличение Ns с ростом азота в пленках указывает на то, что внедрение атомов азота о коваленгным радиусом (0,07 нм) меньшим* чем для кремния (0,117 нм).приводит к напряжениям в аморфной сетке и увеличению болтающихся связей, которое снимается пш составе Xt =0,8,.начиная с которого число связей Si-N преобладает над St~Si . Этот факт, а также резкое изменение зависимости дН и ^ от оптической ширины запрещенной зоны при X = 0,8,у называет на проявление перколяционного перехода .характерного для

твердых растворов, описываемых моделью хаотически'связанных тетраэдров.

В четвертой главе представлены результаты исследования электрофизических свойств пиенок 51К!Ж и ЙШ^Й^

Измерения всльг-амдарных характеристик (БАХ) МВД-структур • на основе пленок 51МХ и 51 показали, что в сильных полях ( Е > Ю6 В/и) реализуется механизм переноса, описываемый моделями Шоттки или Дула-Френкеля. Независимость ВАХ от полярности приложенного напряжения при различных металлических электродах (ЛеД.Сц) , а таете величина постоянной % Р , рассчитанная из ВАХ и графика температурной зависимости тока указывают, что перенос заряда обусловлен объемным процессом. ,

Рассчитанные из температурных зависимостей анергии активации оленок 51К1Х были равны соответственно 0,167, 0,16, 0,134 и 0,106 эВ дая составов Х = 1,33, ЗС = 0,85, СС = 0,6, X = 0,3. Исследования проводимости на переменном токе в интервале частот 10^ Гц и температур 100 4 Т 4 400 К показали наличие степенной зависимости проводимость от частоты, причем показатель степени ' 5 в сильной степени зависит от температуры. Такое поведение проводимости объясняется стимулируемыми фононами надбарьерными прыжками между дефектными состояниями. Близкие значения рассчитанных величин энергий активаций носителей в сильных полях имело место для всех. исследоваймх составов 31 N3- и указывает на то, что сильнополе^дй выброс носителей обусловлен теми т дефектными состояниями, которые ответственны за прыжковый перенос. Исследования вольтфараддах характеристик ЩП структур тукнельно-токкий $1.0Й~5'1 показали сильную зависимость свойств Гранады раздела от предварительной химической обработки кремниевых пластин и температуры отжига ЩП структур.

Так, путем последовательной обработки кремниевых пластин в травителях Сгг05 + Н20+HF в течении 5 минут и в Нг50/, в течении I час?,были получены ЭДДП структуры со встроенным зарядом,равным 3,2.1o1" см-2, при этом плотное'!в поверхностных состояний 1,7.10*® эВ^см"2, Измерения C-V характеристик ЭДЦП структур ЯЕ "SljN^-SL показали отсутствие зависимости емкости от напряжения вплоть до пробивных значений (100 В), что связано с наличием большой плотности поверхностных состояний еа границе Si ~ - 5L3 Ni, вследствие нарушения поверхности кремния при ионно-плазменном распылении. Резкое снижение плотности поверхностных состояний наблюдалось только в том случае, когда перед нанесением SLjNí, на кремниевой подложке вырывался туннельно-тонкий

Si0а при температура 850°С. Величина фиксированного заряда определялась из сдвига напряжения плоских зон и была равна Q(P=3,6.I012 см-2, при этом плотность поверхностных состояний ■ составляла N95=6.10*° Отжиг при температурах 510 и

Ю50°С приводил к значительному уменьшению как плотности поверхностных состояний, так и величины фиксированного заряда. И«ая картина наблюдалась для МНОП структур с пленкой тункельно-тгчкого Sl02(d = 8 нм и 20 км), полученной при 1 = 1050°С. Откиг такой структуры при Ю50°С приводит к росту Q<p = S.I0*2 см"2 и понижению N55 = 7.I010 эВ_1см~2.

Исследование ИХ спектров структур Sl5 Ní, - туннельно-тонкий SlOj- 51 поззолкло показать, что наблюдаемое снижение

N 53 к рост Qf обусловлены образованием при откате слоев " SiOxNjj с одной стороны ослаблявших напряжение на границе SirSijM, и тем самым уменьшавших поверхностные состояния, а с другой стороны приводящих к росту положительно заряженных кислородных дефектов. Измерения динамических ВАХ МЕОП структур показали наличие пика в области слабой инверсии, указывающего на наличие л о--

кальной биполярной генерации в электрически активных центрах. Наличие пика наблюдалось также на графике зависимости проводимости от напряжения смещения для образцов не прошедших термообработку, что свидетельствует об основном вкладе в активную составляющую- проводимости в области обеднения генерации-рекомбинации через поверхностные состояния. Отжиг при 5Ю°С приводит к исчезновению пика проводимости на С —V характеристиках, т.е. генерация идет через объемные состояния. Исследование частотной зависимости проводимости позволило определить постоянную времени перезарядки ловушек к оценить их сечение захвата, которое оказалось независящим от энергетического положения ловушек.

В пятой главе рассмотрены вопросы практического применения пленок БИУ^ к в качестве покрытий для просветления по-

верхностей солнечных элементов и создания новых типов фотопреоб- • рлзователей с индуцированным каналом.

Приводятся технологические параметры процесса нанесения и оптические характеристики однослойных и двухслойных покрытий на основе и характеризующихся высокой адгезией и

позволяющих увеличить ток короткого замыкания кремниевых фогопре-образоватедей на 37-33%.

В этой главе показано, что разработанная технология получения ШОП структур с высоким значением и низкой плотностью поверхностных состояний позволяют создавать эффективные поверхностно-канальные фотопреобразователи.' На основе разработанной технологии создан солнечный элемент с индуцированным инверсионным каналом вместо р-п перехода и предложен способ для повышения стабильности его характеристик и увеличения срока службы.

основные выводи

, I. Разработана технология получения пленок переменного состава 51№х (04 х ^ 1,33) и 510х|\|у методами реактивного ионно-плазмэнного и магнетронного распыления.

2. Комплексным исследованием физических свойств (оптические спектры края поглощения, ИК-спектроскопия, ЭПР и Оже спектроскопии) показано, что пленки $1Ма к 510ХМ^ являются варизошшми материалами, структура которых представляет собой твердый раствор в ввде статистической смэси хаотически связанных тетраэдров

и 51 ГМу (О < у ^ 4) соответственно.

3. Обнаружено резкое изменение электронных и оптических свойств пленок 5ШХ при' х и 0,8, обусловленное преобладанием в ближайшем окружении атомов кремния атомов азота,и показано,что уменьшение концентрации азота в пленках сопроаокдается ростом длины связи

51-N.

4. Показано, что проводимость пленок 51 Мх в сла'ых полях обусловлена прыжковым механизмом переноса меду дефектными уровнями, которые в сильных полях обеспечивают Пул-Фреккелевский, стимулируемый полем, термический выброс.носителей заряда.

5. Установлено, что в пленках З^Мд. , полученных магнетрон-ным распылением, присутствуют парамагнитные центры, распределенные в пленка в виде изолированных кластеров.

6. Показано, что низкая плотность поверхностных состояний, наблюдаемая при отжиге ШОП структур туннельво-тонкий

Бь 0^-51 ,обусловлена снятием напряжений в шенне нитрида кремния благодаря образованию слоев оксинитрида,кремния, пгт* атом

то р

высокое значение величины фиксированного заряда («10 см" ) связано с образованием положительно заряженных кислородных вакансий.

7. Разработана технология получения в едином технологическом цикле двухслойного просветлявшего покрытия SiN^ nSlOx , позволяющего увеличить ток короткого замыкания солнечных элементов на 38%. Показана возможность создания высоконадежного и долговечного ШОП солнечного элемента с индуцированным какалом.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах;

. I. Шабалов А.Л., Баширов M.S., Шустерман Л,С., Фельдман М.С. Установка для исследования зависящих от напряжения емкости и проводимости полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. - 1985. - В 4. - с. 240-241.

2. Шабалов А. Л., Багагров М.З., ¡Цустерман Л.С., Фельдман М.С. Активный мост дая исследования полной проводимости МОП структур . // Изв.АН АзССР, сер.физ.-техн. и мат.наук. - 1985. - JS3. - с.84-8'

3. Свидетельство Л I9SI4 (на пром.образец). Измеритель характеристик полупроводниковых структур ) Мазурин П.В., Киреев Е.А., Глухэнький Л.Ф., Шабалов А.Л., Саркисов Ю.А,, Баширов М.З. (приоритет от 10.II.85).

4. А.с. & 133048 (СССР). Способ определения электрофизических параметров полупроводниковых структур и устройство для его осуществления. / Шабалов А.Л., Ковдрашков O.k., Баширов М.З., Фельдман М.С., Саркисов Ю.А. (приоритет от 27.12.85).

5. Шабалов А.Л., Баширов >-М.З., Фельдман М.С., Саркисов Ю.А. Генератор линейно измэ! зэщегося напряжения для измерения вольт-фарад аых характеристик // Изв. АН АзССР, сер.физ.-тех. и мат.наук. 1986. - » 2. - о.67-70.

6. Шабалов А.Д., Башров М.З., Саксов Ю.А. Электрометрический усилитель тока с малой постоянной времени для измерения вольт-парадных характерней® // Изв. АН АзССР, сер.физ.-техн. и кат.наук. - 1986. - № 2. - с.92-94.

7. Шабалов А.Л., Фельдман М.С., Баширов М.3. Колебательные спектры и структура тонких пленок SlOx// Изв.АН АзССР, сер.физ,-техн. и мат.наук. - 1986. - Л 3.- с.78-83.

8. Шабалов A.JI., Саркисов Ю.Л., Баширов Î.Î.3., Фельдман М.С. Измеритель характеристик полупроводниковых структур // Приборы

и техника эксперимента. - 1986. -S 5, - с.247.:

9. Баширов Ы.З., Фельдман М.С. Структура и диэлектрические свойства тонких еленок двуокиси кремния // Тезисы конференции молодых ученых АН АзССР. Баку-87, с.7.

10. Шабалов А.Л., Фельдман М.С., Баширов М.З. Экспресс-метод определения плотности поверхностных состояний из НЧ C-V -характеристик // Препринт института физики АК АзССР. - 1987. - ]ё 218. -43 с.

11. Шабалов А.Л., Фельдман М.С., Баширов М.З. Возможности применения тонких пленок SiNx для просветления поверхности кремниевых фогопрообразоватолой // Тезисы Ш Всесоюзной научно-технической конференции молодых ученых и специалистов по источникам тока и преобразовании видов энергии. Москва, 1987. с.121.

12. Шабалов А.Л., Алиева Л.Л., Фельдман М.С., Баширов М.З. Исследование параметров ВДП структур методом вольт-фарадных характеристик / Препринт института физики АН АзССР. - 1987. - 223,37 с.

13. А.с. Jê I5I7675 (СССР). Преобразователь солнечной энергии в электрическую / Шабалов А.Л., Саркисов Ю.А., Баширов М.З., Фельдман М.С. (приоритет от 18.06.87).

14. Sho6a[ovJ.L,FeEdmaaiA.S.,BasKlïovil.Z. OptLcaE pzopeîties oj SlNj ji?ms oj iratlafeEe composiUof\//Phy5.St. 5oe(b).-19BÔ.-Yo?.1«.-RK71-K7A.

15. Шабалов А.Л,, Кулиева Л. Л., Фйлвдман М.С., Баширов М.З. Исследование влияния химической обработки на формирование встроенного заряда // Изв.АН АзССР, сер.физ.-техн. и маг.наук. - 1989.

№ 4. с.62-66.

16. Шабалов А.Л., Фельдман М.С., Баширов М.З. Исследования оптических и электрофизических свойств пленок SlNx (о с xi 1,33) и возмояности применения их в кремниевых фотопреобразователях .

// Тезисы координационного совещания социалистических стран по физическим проблемам оптоэлектроники. Баку,89, с.254,

17. Шабалов А.Л., Булиева Л.Л., Фельдман М.С., Баширов М.З. Исследование электрофизических характеристик МНОП-структур на основе аморфных пленок нитрида кремния, полученных реактивным расйилёнием // Электронная техника, сер.10. Микроэлектронные устройства, вып.К79), 1990. - с.46-48.

18. Sha&aEov il.L.t Fs£cirnaa Jl.S.,Ba.shi20V M.Z. DuEecUlc and optica? pajpe*tles oj Si, (SLN// Ph u s. St. So£ (a). -1S91. — Vo?. 126 ~ Р.КШ - K200.

19. Шабалов А.Л., Баширов М.З., Фельдман М.С., Расулов Ф.Р. Исследование свойств тонких кленок нитрида и оксинитрида кремния ЙК, ЭПР, Оже методами / Препринт института физики АН Азерб.Республики. - 1992. - №435. - 37 с.