Особенности нелинейного взаимодействия СВЧ излучения с диодами Ганна, работающими в режиме усиления или генерации тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

слраг0шкй1 ордена трдоззго 1срасногс эшш. гссллрстзлекый ¿низерсйгдг и. я.г.чгкьзеезпсгс'

На правах рукописи Для служебного псль зоэд>к.ч Э-.сз. 3

0 05 0

Горбатоз Сергей Сергеевич

ОССЕЗКСГИ ЙЕЛИЕЕЙЮГО ЗБА1ШОД2ЁСТКМ

спч игл пени с га:;на, рабсташш

3 режиме ус11ленш кш генерации

01.04.03 - Радиофизика.

Азтореферат -диссертация на со искан ко учено Я степени кгн~:"Д5та С-яз их о-чатеазтпчзских наук

Сат;а"од - "991 . * > «-..'Г

ш

ф;:2гл:;- твердого

- о -

ОЕЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность ппоблеж, Одной аз тенденций современной радиофизики является повышенна внимания к исследованиям злоктрод^на:»:-:-ческпх спетом, включающих полупроводниковые элемента, е тем числа работающие в режиме усиления или генерации. К сароко распространенным в практике полупроводниковым элементам, прк.-екя:о-сцегтлСя для широкополосного усиления или генерации СВЧ колебаний относятся диоды Ганка. Исследования характеристик злектродлез-йя1ёских систем, содержащих диоды Гакна, может обеспечить еоз-т.голшостъ дальнейшего совершенствования СВЧ устройств такого типа й, как результат, расширение области иг применения.

Проведение таких исследований затруднено тем, что для строгого теоретического описания физических процессов, протекающих з диодах Ганна при воздействии на них поля СВЧ, в частности, для определения параметров их Эквивалентных схем оказывается нз-обходямшл решать сложную систему нелинейных дифференциальных уравнений. Задача по нахождения распределения СЕЧ поля в электродинамической системе о размеяеийкмв в н-эй в оеиеЯья.. eaiHBt-

альных деа^атблей диодами Гакна, монет быть отнесена к классу

it.

наиболее сложных задач современной радиофизика.

Полное 'сппсанпа электродинамических сдстеы с диодами Ганца мо.тет быть получено лишь при. совместном решении ¿оставЛётйкс вкпэ задач. " и ' .

. Однако, к настоящему времени многие ёа5орй при изучений процессов, протекакщих в. полупроводпико&й дгдйах с отрицательной проводимостью, часто не учитывают сложного характера распределения электромагнитного '.т* ~'Дя з конкретных электродинамических системах, в которые потющаотся такие диоды.С дг-угбп ¿26-

?0'.ы срд анолззз ззаамодэйствая СЧ поля с ахтлсгдо злсакзксоы дксдеа .угятывад слолауэ структуру э-тактрсдпкаулчоско^ сиоге-

чеото прздсгазляют пслупроэсдвиговые активные эламвяты, пользуя с:;.гько упроценанв ысдэлт.

"зюл, ¿<зскзаьхо едяосторонка* лоддсд, пркзвл п.- зэдэссг.е ^лл-ло лет разгаСоткд новых сцлуярсзелндколыг акт:злин .7о:"Ч'.:огз ^Ч, ад'ллзлтчого оядсалд:-: хиракть'ристяк иоаих ¿54 усс^-.гссв. ^дгекггэчяэ йкла асслгдозакн гута дост:!.~знд:-: релл-.-.¡а е^аеллъного уеллйнл^ в ¿дроком дтапезу^ю гз'фжонил смояо-нзн з д-лгдах Ганза, кздосгогочное шлЛанло удоляЛ^с:, раезкет-?зял:о оссоснкостг:: нэлкнэПного характера зуг^ОДэВса'БН.ч лъ&чшвя с дяодааи Ггша.

'3 сйдзи а от!Ш ¡шляеяся актуздыида ярсводоше гэсретичес-дс.'с ?:;;'оая2л эл^стсодзза.уичзикшс сдстеи с диодами Гайка ярд отказа от ооачаэ ярлнэьаекых угрощачгдих предположена^. 3 чаоч'косг'л, арвдетазл,.«'? интерес асслодозааяв устойчивости днода Ганка з разляч.чых элокгроддыалаческдх системах с сЗолэе ¡полным, чзч это било сделано ранее, учетом свойств элзктсода-иачачосюис систем. Прев-одекиз такого анализа, наряду с улучшенном характеристик усалателэ? СВЧ и других устройств на длодад Галла, :,;огет позволить изучить особенности нелинейного дэйггаад ОБЧ-язлучэксн о тзхами услоо^ствакл. такдо как дгтек-

гисгарвзисиьйз явдехш, язделля зозничнозвнзя •.у'.•ггриэя&чзох'сс ссскиУишких и спектрах сигналов усллдтилуД л гащра г опоя ка ддедзх Гаача.

5 салза с этгн гагар работы язлялось •гйоретцч&ск.се и эк.-п^ра^здгальлоа. асследовакаэ нелкноллого взадмедяйгтвзя СБЧ ;ггл\ч аия с диодов! Галла, одисанао вожх радис^излчеслих эф-"лгл'еь 2 -гак'сс устроЛотЕсх, разработка к еоздаалв за ;:х сснсде

KCBäX теггое СБЧ устрс^сге.

Сюрспчь'й пагоггятяр, s^nsr?.*??, :

1. Б ?c:~tztsxxz пз дисзсх ГЬп» as:ta3s?sai: ssr

os., зсЕЕвзспзйсг з р"хгслг f*: гзагспмоегл Г*

пая Di c:~s3sstjt ns дзеде "р.1* тгд.гг^гзг: г -

нги смешения.

2. 3 cnsnire загодгогс мотал» усгг;:?£злзй на ддрдзу. Ishhs sss-ндгсзет суЛгарглонпч&егсте сосгсг-тсплз прг упорна ззгоднгг: сдг-нз-12 '334, примерно, соотвегсгэулкм зерзей гргппде ¡кнасчэс-когз дягпсгонг.

3.3 усглптвллх па дагогзх Ганпа одновременно с усЕдедсе:.! нхсд-нстс сдгпзда СЗЧ ноЬлтаэтся эсКект дзгектдрозЕндя. 4. 3 легл: -ютаная усаетелей пз диодах Ганзе пся а:.Ги"тудясГ модудлпп:: гяврддезгя пптгпгя boshssset оубгерконгчесЕпе со?газ— лятззпе прп прэзетеют некоторого уровня ег.:плЬ7уд!: напг.*.т.&нпл.

На загггу згаэспгся гакке группа повис типов С5 ч-у с т о г- i: ? га, созданных пз основе выявленных Бокококегносте* л эг^ептгг:

1. Сззрззнеопочастотный усллгтелъ.А.С. 539125.

2. ^орхвысокочпотогннЯ усплптвль A.C. 1Р??ЕЛ-'. 2. Смэсстолъ СЕЧ A.C. 1059514.

4. TiorrnpoBDiHSKoanf. гавчриор A.C. 152121 Г..

5. ;'пплитсль.А.С. 1521220.

S. ГЗЧ устройство.?,.С. 1450С73. ?.СЪЧ-ф.':льтр. A.C." I59VP7?

Установлено налячзо явлелгн ¿тастэрззиса в уетдэтолкх из дгодах Гапна, заклкчаздэ-эсп л разлппсй • завхсслосгс .loojc^s-f-.iTii усслокдя ог яопрсг.енЕя смощекаа дз дгодэ при угадв?5Ещг,

- о -

и уконьЕекги сы-зщания.

Обнаружено появление в спектре выходного сигнала усилителе:! на диодах Ганка субгармонических составляющих при подаче ка вход усилителя сигкаааСЗЧсшдаостью, примерно, соответствующей верхней границе дикамичоского диапазона усилителя. .

Сбнаругкгко появление субгармонических составлящюс в цепи питания диода Ганна, установленного в электродинамической сгс-те:.'.о, оЗзопрчгваицей- отсутствие НЧ-генерадии, при ыодулшвш напряжения смсщгкнк-на, диоде. .Теоретически. показано, что появление; субгармоэдчегжи; составляющих может быть обусловлено зави-слмоетьз емкости дкодз Ганка от акплптуды сигнала СВЗ.

Обнаружен и исследован .детекторный эффект.в усилителях на диодах Ганна, заключающийся в появлении,дополнительного постоянного .смешения ва дасдз при синусоидальном входной сигнале СВЧ и выделении огябаадай в дани питания диода Ганна при.модулированном входном сигнале .СВЧ.

Экспериментально установлено" и теоретически описано скач-. кообразное изменение продетактированного на диоде Ганна напря-ления при возникновении субтериояики £ /2,:где 5 - частота сигнала, подаваемого в цепь питания диода '.Ганна.

Дано теоретическое обоснование явлений возникновения гистерезиса и субгармонпк в усилителях на диодах Ганна.

■Сделан вывод о том/ что появление субгармоник вида 6 /2П , где { - частота входного сигнала СВЧ; п =.1,2,,.. к гис-■терэзис в усилителях диодах Ганна обусловлены зависимостью ■ емкости диода от напряжения. ',

Достоверность полученных резутгьтатов.Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается строгостью используемой натаматичаской модели, коррехстностьв упрощающих до-

пуденпй, сходимостью вычислительных пропесссз к :;с::о:/пн5 гедониям, выполнимостью продельных переходов к лзезстгплл ра^ешгпл.со--о?вотстэ:юм результатов оасчетз эксперименту. дсстозораостъ экспериментальных результагбв сбеспачона np:-r;-.:enc;i:t3;.i совремоя-ноЯ стандартной измбрнтзльноц аппаратуры^

Ппакт1;чВдкая,янз;итглссть.работа. Дотекторлай extern, о:-п-рулсешый з СВ!1-усялителях на диодах ratma, г.ю:::эт бить у с я га: л использован для контроля параметров тонких металлкчесхкх :i диэлектрических слоев, для стабилизации параметров полу провода;:-ксбчх активных 01Я-устрсйств, настройки усилителен. Продл:'-лоикая эл'эктродлна.'.'.лческая система, вклнчакщая кяогоатарзвуа структуру, была использована при создании констру::аяа синхронизированного генератора на диоде Ганка, отличахг.огсея pscnri:— реякои полосой синхронизация.

3 результате пповздеккых исследовании взат:одз2стз?л С5Ч. язлуЗДняя с длодгмк Ганн'а продложоя усилдтоль с игрекам диапазоном напряжений смащекля,- в котором обеспечивается рэ.тлк стабильного усиления.

Предлог.екшгЗ СЗЧ-фмьтр, включалядай генератор на дсодз Ганка, работящий в режима сащиШзацик, позволяет обсскечггь полосу запяранпя 0.05?'. Использование фильтра, например, в знодазатсрах спектра приводят к качественному улучшеихэ их ccli03H-Ji! характеристик.

ЛнчдШ. /вклад автора. Автором самостоятельно хтэлучеш со-

»о

огношегшя,доказывающие вогмйзшоёть вознпккбззиая з устройствах на диодах Ганна субгармопкк, появление при. это;.) дс-юлллтальнси постоянной состазляздей,опибМйаю!же хпстерэзяс в успллтзлях т.е. диадах Гаш-:а.

Автором лично ЗИЛО.ЗД0НЫ 1Шчг.ти, прозэданкгго с ;:спслг,зз-

- О -

вание.ч полученных соотношении. Экспериментальные исследования проведены автором самостоятельно.

Рвэлизагея результатов в народном хозяйстве. Г.сслодованак выполнены в соответствии с Координационным плано.м SIP ЛК СССР па 1981-1935 годы по грсблеме "Физическая элект-ронлка" раздел "Поиск новых физических принципов создания твердотельных приборов и устройств ОВ'1, в особенности «а и суб;д: дпапл-зокзб" и Косрданасаониаз плане:.! ПИР АН СССР на 1086-1330 поди по проблеме ''¿азпческая электроника" раздел 1.5.4.3 "ЛраЗорн и устройства СБЧ диапазона на твардотвгьшх элементах", по на-прлплэшш "¿лзяка твердого тола" раздел 1.3.10.4 "Радповолно-впо ;.;эходи", Координационным планов НЛ? знаках учебных заведении систем; ¡¿шву га СССР в области пизпкп полупроводников на l'i&'6-lC90 го/jj раздел 1.8 "Исследование эмгектов детектирования б полупроводниковых 054 диодах п'транзисторах, рас!ота?хцдх е рояедоо усиления пли генарапки" Комплексной научно-юхикчоской программой [¿и-.вуза РСФСР на 1986-1У9С годи по тема С.1.10 "Но— следованно эффектов автодкнаого детектирования з твердотельшх СБЧ-геператорах и создание па стой основе датчиков для караз-руьагздего контроля подупроводникоБых п цезлоктричоских материалов", Меквузовской nporpawioii ПЯР нз 1936-1990 г,г.. "Научное приборостроение" раздел 16 "Приборы лабораторной технологии", а тякув в oooTv.eTCTB.iin с .НИР ."Пёрадгзтр", прозодюппзпея согласно пост&::о»яг1Ш> ПОТ ССОР и включенной в план социального и ."if:C'Ho:!:r.'eoi-:cro развития РС<5СР на 1985 год.

Пгеддсквююв и созданные СЗЧ-усялигздь и СБЧ-£пдътр оацп--".o:2i авторскими тдетэльстза^п Р 152121,0, J? 159~977 и внэдре-ки в IF ли А.

дчпгЛяоя, рг<бот». Основное результаты ДЕссзртадггенаой ра-

йоты доложены на У1 итоговой конференции я И научно-техппчес-кс:: конференции молодое специалистов в г.Саратове в 1Р75 году, на Бс&союзнсм симпозиуме пс приборам, технике и распростране-• ним миллиметровых и субмиллиметровых волн в г.Москве в 1&7£ году, на ЗГИ Межвузовской конференции по электронике СВЧ б г.Гос-тове-на-Дону ь 1575 году, на УШ Зсесоюзном симпозиуме "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" в г.Паланга в 1989 г., а таете на объединенном научном семинаре кафедр радиофизики и

и

физики твердого тела Саратовского госуниверситета.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 20 работ, в том числе 7 авторских свидетельств.

С.тпуктуоа и объем диссертации^Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 113 наименований. Работа изложена на 140 страницах,включая 47 рисунков и список литературы, содерлсасий 113 наименований и изло^енгы-': на 12 страницах.

СОДЕРДАИЕ РАБОТЫ

^о вволении сформулирована дсль расе д.', показан* гг.ту-альность проблемы н практическая значимость рс^ст::, опк^р.чч структура диссертации.

В парной главе проведен анализ состояния исследовании нелинейного взаимодействия СБЧ излучояля с диодами Гонка.

Сделан вывод о необходимости солоэ строгого учата параметров электродинамических систем, в которые иомсщапгсп полупроводниковые СВЧ приборы, а такгиз учета зависимости парамзт-ров приборов от амплитуда сигнала СБЧ.

Вторая глпла посвящена исследовании неликойгсгх свойств

устройств на диодах Ганна. Приведены результаты теоретического анализа к экспериментального исследования низкочастотных модуляционных характеристик СВЧ генератора на диоде Ганна. Исследована сорма пизкочастотгщх колебании в цепи питания генератора на диода Ганна в зависимости от параметров низкочастотного колебательного контура и напряжения питания.

Исследованы условия возникновения 114 колебаний. Теоретически описано явление гистерезиса в воьяЕкновеиии 114 колебаний при изменении постоянного смещения и реглм релаксационных НЧ колебаний.

Приведет результаты экспериментальных исследований гис-терезксных явлении в ЕЯ-усилителях на диодах Ганна. Настройка С±Я схемы мояет быть проведена тагам образом, что значения напряжения смешения, соответствующие прекращении усиления и возникновению генерации имеют одинаковую величину. В этом случае с ростом напряжения смещения коэффициент усиления (Ц) увеличивается, достигая максимальной величины при некотором . значении напряжения смещения . при 1Д > \Л± бое инка е т (Ц,> и генерация колебаний. Если после возникновения генерации умекь-' пять смэгюнпе, то при напряжении смещения и- < Ь10 генерация исчезает и усиление & 0-0скачком достигает величины несколько меньшой максимальной. При кривые

и В Си) совпадают. Если же напряжение смещония не-увеличивать до значений,,при .которых усиление срывается и возникает генерация, -то яри последующем уменьшении напряжения кривая повторяет ход кривой

РОО -.».в

. гистерезис не

наблвдается. Гистерезис не возникает таете в случае такой настройки СВЧ.схемы, при которой м.ожду значениями напряжения смещения, соответствующими прекращению усиления и возникнозэ-

нею генерации имеется интервал напряжений смещения, в котором отсутствуют как усиление, так и генерация.

Гистерезисше явления в усилителях на диодах Ганка теоретически исследован; в результате анализа резений нелинейного дифференциального уравнения' вида:

и ии * 1Е. " Щи = Сс,00^

где К - активное сопротивление контура;

- индуктивность контура; о - емкость контура;

с

сК- = ? _ пасакеТр определявший крутизну завися-

• с;Ц™

мости емкости ■ диода от напряжения; амплитуда внешнего сигнала СЕЧ, Из сопоставления зкгшерк.7ецтальннх данных по измерению импеданса нагрузит диода Ганна в результатов расчета частоты генерации, сделан вывод о том, что набл~>дао1.:кз! немонотонна харг "ер изменения частоты генерации от изменяйся импеданса нагрузки может быть обусловлен влиянием активной части импеданса нагрузки.

Приведены результаты экспериментальных исследовании диода Ганна, находящегося под воздействием модулирующего сигнала низкой частота в цепи питания. Обнаружено возникновение субгармоник' 7 /2, {/4, модулирующей частот f при большой амплитуде глодулируицого сигналь

' Обнаругено, что при зознякнпвшша суогар:лоник2 ? /2 скачком изменяется постоянное смещение на диоде Ганна. ;, • Экспериментально исслэдовакн особенности споктра ькходне-

го сигнала СБЧ-усилителей на диодах Ганна при высоком уровне мощности. Обнаружено возникновение в спектре выходного сигнала субгармоник входного сигнала СБЧ. Установлено, что при воздействии на диод сигнала СВЧ высокого уровня мощности максимальную ьеличлну имеет амплитуда-су¿гармоники $ /4. При увеличении модности входного сигнала в спектре выходного сигнала в окрестности субгармоники £ /4 наблюдался участок шумовой генерации.

Теоретически, с учетом того, что едкость диода Ганна зависит от•амплитуды ОВЧ-сигнала, обоснована возможность возникновения субгармоник е диодах Ганна под воздействием СВЧ сигнала большой амплитуда.

Теоретически подтвер-чдэно появление дополнительной составлявшей токз диода Ганна при возникновении субгармонпки ^ /2.

Экспериментально исследован двухчастотний рагям работы усилителя на диоде Ганна. Установлено, что воздействие дополнительного сигнала СВЧ может более чем в 1,5 раза поникать уровень пороговой мощности основного сигнала, при котором возникает субгармонически-; составляющие. Наряду с уменьшением уроыш пороговой мощности, воздействие дополнительного сигнала увеличивает амплитуды субгармонических сост-блгллчйх.

Экспериментально установлено изменение вида вольтамперкей царактсрпстккп диода Генка в зависимости от режима работы на СВЧ. Сделан вывод о качественном отличии сольтампорнах характеристик диода Ганна, стабилизированного СВЧ цепью, от характеристик нзстБбилизирОЕашого диода, заклглащееся в появлении на статической ВАХ диода участка с.пологлтельной дифференциальной проводимостью, на котором и наблюдается усилений СВЧ.

Третья главе лосвяаена исследована» синхронизации'коле-

бзкяй в диодах Ганка под деиствпом внешнего сгпша ^ и ошгнкй голоси саяхронпзаиял было яс.псльзоышо ссотяотогще

АЁ1 - Л_ _к " □« ик

г

гдэ ис - а'/плг.туда Енешивго сигнала СВЧ; Ук- а:.:гл::?;;да сигнала гаавратора; Он- нагруг.ззная добротность. Е с представлена в вкдо:

(Г . 7 . X)

где Р^/Хл^ , и», - потеря.

¿> ¿сю ^Д , ¿с*г &пкхз(3к10,п/&ь)

'З - золновоэ сопротивление свободного ярсстмястзз,

^ % . Га= , Ж. 4

, Вм " паракетсп, определяншв полокэеп-з стер---кя с дзодсы в волноводе, 3 с:ергмя V'

= 7 + 7« 4 ~7

'Чз + ¿с : -йГ~

•рттп

2»

рлсстсжга? от огл етврчия по ц-ирзгоЛ сточк;: асдч-лг'д? ,

И-А ^

, а и ь-жсфо-

г.ъ й

ко?. и узкой стенок, соответственно.

Пснз&ден:-! результаты расчета величины напряленкн СВЧ.зоз-илпа^дего па диоде Ганна в предлога 1;но;г конструкция генератора. Сравдзшто дроддоканно;! конструкция генератора с кзиостшла сьддзтальстзует о бозмоллостк достдяаняя значений долсси сяих-ропдзасгп .примерно, в два раза больней, чем в пззеемшх волно-в одних гекерат орах.

ГГроавдоко исследование едлянля на взякчану полола слпхро-ккзацаи азшкокяя коз^^здкеита отражения нагрузки в виде ди-олзгсграческоЗ вставки в' прямоугольном волноводе'. •

Сдэлан вывод о всзмоалости регулировка полосы синхронизации в прйдлогёаноЗ конструкция игшейеЬтем пололеипя да-олоктрячвск'оа. иста ггх.

■ ' Р-.чптвортоГг главе приведены результаты исследования воз-мсхчостц применения ирадлог.енных СИ устройств на диодах Ганна. Приводится сястама дпсТ4еречциальшх уравнении, ракете которой позволяет тзорвкгезскк оценить величйну интервала напрл:гэкц;т схасвхгая," в котором в усклйтелв не' возбуждается паразитная генерация. Обнаружена воз:лохаос1ь реализация существенного рас-шгрёнпл диапазона напрягсенкй смещения, в котором усиление не солоовоудается паразитной генерацией.

Описана конструкция СВЧ-усилителя на длоде Ганна, пр:г дс-ггльсозакйд которой стабильное усиление наблэдаотся при дзпэ-■:ет;:::; кзгря^енкя смещения з диапазоне 40 %, что, примерно, в два раза больса, .чем в цгвзсхакх конструкциях усилителей.

Списана ' схема СБЧ-филыра с полосой запирания.— 0,05;$, основным узлом которого является синхронизированный СЗЧ-геке-ратор на диоде Гална.

Приведено описание пршшипа действия фильтра.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Исследовано влияние напряжения смещения на диоде Ганка в условиях различной настройки СВЧ цепи. Описан теоретически и обнаружен. адетерикентально эффект гистерезиса в усклитзлях, заключающийся в различной зависимости коэффициента усиления от напряжения смещения на диоде при увеличении и уменьшении напряжения, смещения.

2. Экспериментально исследованы особенности взаимодействия диода Ганка э режиме усиления с сигналом СВЧ, уровень которого превышает верхнюю границу динамического диапазона усилителя. Показано, что в этом случае в спектре выходного сигнала усилителя возникают субгармонические составляющие. Теоретически ооо лвана возможность возникновения субгармоник. Показано, что' возникновение субгармоник обусловлено зависимостью емкости диода от'напряжения СВЧ.

3.Экспериментально обнаружен эффект детектирования в усилителях, заключающийся в появлении дополнительной постоянной составляющей тска диода Ганна, наряду с усилением сигнала СВЧ. Сделан вквод о возможности использования возникающей постоянной составляющей для рэгулировки усиления. '-':..' 4. Экспериментально исследовано влияние амплитудной иодуллщгз напряжения смещения на работу усилителя! на даоде Ганна. Пока- -зано,- что при большом уровне модулирующего напряжения в кепи

пи пития усалптеля бозьтксот субгагд'окячззкие составляющие.

.""чгс.чт'Г опкоак и эЕЗГгеркмв&гсльнс сзсгс-дозан эффект скачкообразного возя: хкэйовпя догт&лня?ольро5 постоянно:- оостсъля-1с."5й тока диода Ганна пра возникновении субгарггойикти

5. Теоретически описано п экспериментально исследовано влияние на частоту генерации диода Ганна внешней ОЗЧ-аепи. Сделен вывод с тем, что наблюдаемой немонотонный характер изменения частота гекерзпки кокет бить обусловлен влияешь: йктяь-кон чссти импеданса нагрузки.

.Исследовано яахеяяа с-гяхрондзапЕн в генераторах не диодах Ганна. Пскззако, что полоса .сянхропкзацкя диода Ганна, включенного з многоЕЛОконтную электродинамическую структуру б прямоугольном волноводе,моге? быть существенно увеличена по сравнеш:;? с. однзатароьакя структурам.

6. Обоснована всзмогкоссь создания усилителя ка диоде Ганна с рзсг:пра:-пшм диапазоном напряжений смащевдгя, Р кст^рр:: обеспечивается ретгм стабильного усклечля. Прадяог.ане конструкция усилителя с ргатире-нк,; ^калагеноч »-ть^ртхочий емгазонкя >Г'- зио г,е. '

7. Прздлопеп ноны?- тип фильтра СВЧ с повышенной изЗирь-■гельноств.ч на основе генератора ка диоде Гснн?, райоталеем в

спнхроккзапкг..

; ОСНСШЖ РйЗУЛьТАТи даЗСЕРГАЦИч .

ОТБШШМЗД Б СЛЕЩЩЦХ РАПОТАХ

1.Уойное Д.А.,Посадский В.Буровян Р.Р..Горбятов С.С. ^.прокспойосиай уогяйгодь 3-см диапазона ддтн ьолн ка диаде с перепое*.« г-лс-ктрблсв//.Здоктроюгал техника. Сор. Электроника

¿34.- 1375.- енп.8.- 0.53-100.

3. 7саксз Д..А. ,Псегдскдй З.Н^Бурзк-лнП. В. .Гсг.Заггз С.С. Экз-серлтеяталаное ясслздовйкзо проходеого л сграллтельного уо:-:лг:~ тзл^л гсехсслш^етрозого диапазона на ллсдах с перекосом оле:-::-сспсз//' Тоз.дсгсл.:<с5л. "«спроса расчета, гездслогдд рззгд'стлл I лссл?до-?анлл злектрслллх л твердотсллллх дрлборсл ¿54".- С£-ратсз, ГЗ-73, лдл. 4 С45) 4.1,с.55.

¿.Зсадлз Д.А. .."ТссалсгЛЕ! З.Н. ,£ур=Н2П П..Горбатов С.2. Узллл-г-плл трсд-гамт&гчтрогсго даадгзока дддн всяк ез -зц£екг9 «вдо-¿Эрлтоз злзктрсназ// Гэз.дскл. лолзузозскоЁ когйерсн-слд ¿о зл-;кгрск2зсэ ¿34.- Зсстсз-лз Долу, 1376 г. ,с.124-12С. Дч:. з института "Зд-лтрсилка" ДЭ - 4212/72.

/.'сясз Д.А.,Злбалсз Д.Н., Горбатов ¿.¿. 0 яргочяеклг згрд-аддснмого метода к расчету волновода, частично нзлолн^:г-:с70 полупроводнике;.?// 5 меззузсзском научном сборнике "'1лзпка по-лупрсзсднхссв л пслудрозодлякозая &лзкгронзка".- Лзд-зо Спрат. ун-та,1375.-вид.7.--с.112-117. '

5. 7сгяоз Д.А..Посадский З.Н..Буреклз Д.В..Гсрбатоз С.С. Бкс-гер':кен?2Д1-нсэ исследование широкополосного усилителя трехса'л-тллетрсзого диапазона на зуГекге 1.;е:ддодлнногс перехода электронов// Электронная тэхддка. Сэр.Электроника СЗЧ.- 1970.-343* 1.-0.55-57.

3. Д:аяоз Д.А. ,Посаде?дп1 л.Н.,Буреккн П43»»ксфб£тсв С.С.

,'о дсподзссезелл &аНЗ -дзсдоз с мегйо.1знккм дерехохсп

• о

6.-зд:грснсз для уоял'зпля глллллтлетрсзн™ зслл// Т-:п.до~дт. г: озо^-:; Зезсо;::лсло сл:,;позх,7:,:з по прлбсрзл, л рб0~р0с;?с-г.неп7дс лллл:лл;тгс1:л: л су'ллллл^етрсвих зслд.-¿.осд:-а, 13-75.-с.СО-сЗ.

7. Зсзлоз Д.А.Поседсн.Л! З.Д. ,Г0 р?:л:л л.В,'.Гсрс'ат:в С.3.,3р-лсз 2.£. Дьтздторнг;: з услллтэллх - на ллод&х с лгрд::-

с см одактроков// Радиотехника и электроника.-Iv77.-Т.22, ,J¿5.~ с.1035-1065.

6. Усансз Д.Л..Посадсклй В.Н.,Буренин П.В..Горбатов С.С. Гистерезис у диодов на эффекте междолпнного перехода электронов// Злоктрсккая техника. Сор. Электроника СВЧ.-1977.-выц.5

:J. Усанов Д.А. .Посадский З.Н. .Буренин П.В. .Горбатов С.С. с.ф^ег.т кевгаишсго усиления СВЧ-колебаний полупроводниковыми структурам с междолишшы переходом электронов// Радиотехника п электроника,- 1978.- т.23. ."4.- с.868-869.

10. A.C. 63S125 СССР :.КИ НОЗ 3/55 Сверхвысскочастотккй усилитель/ Д.Л.Усансв, В.Н.Посадский.Q.Z-.Буренин,G.С.Горбатов./СССР/.-.2012073/18-05; Заявлена ¿9.07.77; Опубл. 23.12.7В.Екзл.!:47.-2с.

11.Усанов Д.А..Биненко В.Г,.Горбатов C.C.K расчету характеристик волководаых управляющих устройств на -диодах// Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ.-1961.-вып.4.-с.60-62.

12. Усанов Д.А'..Горбатов С.С.,Скрипаль А.2. Особенности низкочастотной генерации СБЧ диодов Ганна// Изв. Вузов-Радиоэлоктро-нака.-1981.- T.24.J» 10.-е.67-63.

•13.Усанов Д.А.,Горбатов"С.С..Скрйпаль A.B. Влияние Ж излучения на генерацию диодов Ганна//- Изв. йузов.-Радиоэлектроника.-1282.-т.2510.с. 92-93.

14. A.C. 967243 МКИЕОЗД 1/08 Сверхвысокочаетотный усилитель/

Я.А.Усанор.С.С.Горбятоз/СССР/.-3240669; Заявлено Ш0Ш1.' не подлез пт спуол. в откв.печати.

15. A.C. 1C3S8.14 СССР Смеситель СВЧ/ Д.А.УсановД.Н.Абраков.С.С.Гср-

.5!;^с?л^?,КажзисРЦ0в/ссср^^455^4;Зальлено ISDÜB2. не' riöv-b-.--¡т с,:.>бл. з откр. печати.с. :ИЛ. .

15.А.С.15212^Полупроводниковый генератор/ Д.А.Усанов,

С.>.Гсрбатов/СССРД-4226176¡Заявлено 03С487. но подлежит олубл. .в отхр. na4a?if.-2s.tlffi.