Особенности структурных и электрофизических свойств нанокомпозитов на основе ленгмюровских и химически осаждённых плёнок тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Актуальность темы. Диссертация посвящена систематизированному комплексному исследованию взаимосвязи между условиями получения,ктурой, оптическими и электрофизическими свойствами нанокомпозитов из диэлектрических и полупроводниковых материалов.

Фундаментальные исследования в области молекулярной электроники неразрывно связаны с изучением взаимного влияния структурных и электрофизических свойств нанокомпозитов. Тонкоплёночные функциональные структуры являются основным материалом для микро- и наноэлектронной техники. Исследование структурных и электрофизических свойств металлических и полупроводниковых нанокомпозитов на основе органической матрицы позволяет достигнуть понимания деталей процесса формирования композита и является, таким образом, принципиальным для дальнейшего целенаправленного получения молекулярных элементов наноэлектронных схем.

К наиболее эффективным методам получения нанокомпозитов относятся выращивание неорганических наночастиц на органической основе и осаждение плёнок неорганических соединений из водного раствора. Данные способы получения являются наиболее технологичными, поскольку не требуют вакуумного оборудования и высоких температур в отличие от высокотемпературных химических и физических методов осаждения плёнок, а также позволяют наносить плёнки на поверхность подложки любой формы.

В качестве органической основы для формирования нанокомпозитов различных соединений широко применяются плёнки, полученные методом Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ плёнки). Преимущество ленгмюровского монослоя жирной кислоты (ЖК) перед другими органическими матрицами состоит в том, что он может быть детально охарактеризован и является удобным модельным объектом для изучения процессов зародышеобразования на нём неорганических кристаллов. В настоящее время ленгмюровские плёнки в основном используются как эффективные диэлектрические слои. Однако тонкие ЛБ плёнки солей ЖК являются перспективными для применения их в качестве активных элементов в системах переработки и хранения информации. Например, в комбинированных системах типа «полупроводник - ЛБ плёнка» возможен захват электронов, инжектированных из

3. Экспериментальное исследование процесса формирования нанокластеров CdS в объёме ЛБ плёнок соли жирной кислоты.

4. Выращивание ориентированных наночастиц CdS под ленгмюровским монослоем и изучение влияния структуры на их оптические и электрофизическими свойства.

5. Исследование влияния условий осаждения из водного раствора на структуру, строение и фотоэлектрические свойства плёнки CdS.

6. Сравнение структурных и фотоэлектрических особенностей нанокомпозитов CdS на основе ленгмюровских и осаждённых из водного раствора плёнок с целью понимания специфики химических невакуумных методов получения функциональных систем.

7. Исследование вибронных эффектов на тонких плёнках CdS е целью применения их в качестве основы для селективных газовых сенсоров.

Основные результаты настоящей работы, посвященной изучению взаимосвязи структурных и электрофизических особенностей нанокомпозитов на* основе ленгмюровских и химически осаждённых плёнок, следующие.

1. Экспериментально найдены оптимальные условия получения ЛБ плёнок солей жирных кислот на поверхности полупроводников (германий, кремний). Исследовано влияние заряженных поверхностных электронных состояний на структуру ЛБ плёнок. Установлено, что в ЛБ плёнках бегената меди имеются центры захвата для электронов, перезаряжающиеся при фотоинжекции носителей заряда из объёма полупроводника. Показано, что оптическая перезарядка части этих центров приводит к упорядочению структуры нанесённых слоев бегената меди.

2. Выращены ориентированные нанокристаллы CdS под ленгмюровским монослоем бегената кадмия. Методами электронографии и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что они ориентированы преимущественно гранью (110) параллельно плоскости монослоя по принципу одномерной эпитаксии.

3. Методами дифракции электронов высокой энергии, а также по спектрам оптического поглощения определён размер отдельных частиц CdS, выращенных под ленгмюровским монослоем и в объёме реакционной ванны. Средний размер кристаллитов составил 5 нм.

4. Впервые исследованы электрофизические свойства дендритоподобных структур CdS, выращенных под ленгмюровским монослоем бегената кадмия. Совокупность фотоэлектрических характеристик укладываются в рамки барьерного механизма фотопроводимости.

5. Изучена взаимосвязь между условиями роста, структурой, строением и электрофизическими свойствами сульфида кадмия, выращенного в ориентирующей матрице и осаждённого из водного раствора, на твёрдую подложку.

6. Предложена модель фотопроводимости исходных осаждённых из объёма водного раствора плёнок CdS, основанная на представлениях об электронно-колебательном взаимодействии адсорбированных молекул кислорода и воды с фотовозбуждённой электронной подсистемой полупроводника.

7. Обнаружен эффект спектральной сенсибилизации фотопроводимости на термообработанных химически осаждённых плёнках CdS, который связан с переносом энергии от фотовозбуждённых молекул красителя на локальные поверхностные уровни полупроводника. Лабораторные испытания датчиков на основе системы «CdS - молекулы красителя» показали, что они чувствительны к наличию углеводородов в атмосфере.

В заключении выражаю глубокую благодарность научным руководителям доктору физ. - мат. наук Клечковской В.В. и доценту, кандидату физ,- мат. наук Зайцеву В.Б. за внимательное и дображелательное отношение к моей работе и обучение некоторым методам исследований, а также профессору, доктору физ.-мат. наук Плотникову Г.С. за предоставление интересной темы для диссертации и руководство работой в аспирантуре. Благодарю с.н.с., канд. хим. наук Ракову Е.В. за консультации и помощь при изучении структурных свойств объектов исследования, а также с.н.с., канд. хим. наук Стёпину Н.Д. за обучение методикам получения плёнок методом Ленгмюра-Блоджетт и выращивания на их основе наночастиц CdS. Выражаю благодарность с.н.с. Беляеву В.В. за поддержку и сотрудничество при исследовании ЛБ плёнок методом малоуглового рентгеновского рассеяния.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Langmuir I. The constitution and fundamental properties of solids and liquids. J. Amer. Soc., 1937, v. 39, p. 1848.

2. Зайцев В. Б., Коновалов О. В., Плотников Г.С., Фейгин JI. А., Яковенко Д. JI. Межфазные электронные локализованные состояния в структурах германий -ленгмюровские плёнки стеарата меди. Вестник МГУ, сер. 3, физика, астрономия, 1996, №4, с. 53-58.

3. Львов Ю. М., Фейгин Л. А. Лэнгмюровские плёнки получение, структура, некоторые применения. Кристаллография, 1987, т. 32, с. 800-815.

4. Юдин С. Г. Полярные лэнгмюровские плёнки получение и свойства. Дис. на соиск. уч. степ. д. техн. наук, М., 1995, 372 с.

5. Блинов Л. М. Ленгмюровские плёнки. УФН, 1988, т. 155, № 3,с. 443-478.

6. Kaganer V. М., Mohwald Н., Dutta P. Structure and phase transitions in Langmuir monolayers. Rev. of Modern Phys, 1999, v. 71, p. 779-819.

7. Арсланов В. В., Морозова Н. И., Букреева Т. В., Гагина И. А. Эволюция свойств монослоёв стеариновой кислоты при их длительной экспозиции на поверхности воды. Коллоидный журнал, 2000, т. 62, № 2, с. 149-155.

8. Киселёв В. Ф., Львов Ю. М., Плотников Г. С., Постникова О. А. Оптическая память в структурах кремний фталоцианиновые плёнки Ленгмюра-Блоджетт. Микроэлектроника, 1990, т. 19, вып. 4., с. 341-346.

9. Spink J. A., Sanders J. V. Soap formation in monomolecular films on aqueous solutions. Trans Faraday Soc., 1955, v. 51, p. 1154.

10. Smith Т., Serrins R. Monolayers on water. J. Colloid. Interf. Sci.,1967, v. 23, p. 329340.

11. Stikiand F. G. W. The formation of monomolecular layers by spreading a copper stearate solution. J. Of Colloid and Interface Science, 1972, v. 40, № 2, p. 142-153.

12. Chollet P. Determination by infrared absorption of the orientation of molecules in monomolecular layers. Thin Sol. Films, 1978, v. 52, p. 343-360.

13. Коновалов О. В., Фейгин Л. А. К методике нахождения структуры ленгмюровских плёнок с малым числом слоёв по данным рентгеновской рефлектометрии. ДАН СССР, 1991, т. 320, № 2, с. 334-338.

14. Pietsch U., Barberka Т. A., Englisch U., Stommer R. The domain structure of LB multilayers prepared from fatty acid solts. Thin Sol. Films, 1996, v. 284-285, p. 387391.

15. Malik A., Durbin M. K., Ritchter et. al. Order in Langmuir-Blodgett films of lead and cadmium stearate: an X-ray diffraction study. Thin Sol. Films, 1996, v. 284-285, p. 144-146.

16. Вайнштейн Б. К., Клечковкая В. В. Структура плёнок Ленгмюра-Блоджетт. Кристаллография, 1994, т. 39, №2, с. 301-309.

17. Вайнштейн Б. К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956, 314с.

18. Троицкий В. И. Электронографическое исследование плёнок Ленгмюра-Блоджетт. В сб. Методы структурного анализа, М.: Наука, 1989, с. 272 285.

19. Klechkovskaya V., Anderle М., Antolini R. et. al. Comparative analysis of high electron diffraction patterns from LB films of Cd- and Pb-stearates. Thin Sol. Films, 1996, v. 284-285, p. 208-210.

20. Russel G. J., Petty M. C., Peterson I. R. et. al. A REED study of cadmium stearate Langmuir-Blodgett films. J. of Material Science, 1984, v. 3, p. 25-28.

21. Лёвшин Л. В., Салецкий А. М. Оптические методы исследования молекулярных систем. Ч. 1. Молекулярная спектроскопия. М.: Изд-во МГУ, 1994, 320 с.

22. Knoll W., Rabe J., Philpott M. R., Swallen J. D. Ellipsometry and reflection, luminescence and Raman Spectroscopies of monolayer assemblies on solid substrates. Thin Sol. Films, 1983, v. 99, p. 173-179.

23. Chollet P. -A., Messier J. IR dihroism of anisotropic Langmuir-Blodgett multilayers. Thin Sol. Films, 1983, v. 99, p. 197-204.

24. Urquhart R. S., Hoffmann C. L., Furlong D. N. et. al. FTIR study of changes in orientation and chemistry of Langmuir-Blodgett films of cadmium arachidate during the formation of Q-state CdS particles. J. Phys. Chem., 1995, v. 99, p. 15987-15992.

25. Троицкий В. И., Берзина Т. С., Нейланд О. Я., Сотников П. С., Ужинова Т. В. Проводящие плёнки Ленгмюра-Блоджетт бинарных смесей некоторых поверхностно-активных соединений. Поверхность. Физика, химия, механика, 1991, №4, с. 134-140.

26. Блинов Л. М. Физические свойства и применение ленгмюровских моно- и мультимолекулярных структур. Успехи химии, 1983, Вып. 8, с. 1263-1300.

27. Ayrapetiants S. V., Mazurina Е. A., Myagkov I. V. An electrical model for Langmuir-Blodgett planar conductive films. Mol. Mater., 2000, v. 12, p. 187-198.

28. Yamamoto N., Ohnishi Т., Hatakeyama M., Tsubomura H. Photoelectric properties of molecular layers of a fatty acid mixed with cyanine dyes. Thin Sol. Films, 1980, v. 68, p. 191-198.

29. Sugi M., Fukui Т., Izima S., Iriyama K. Electrical properties of langmuir multilayer films with and without dye-sensitizers. Bull. Electrotechn. Lab., 1979, v. 43, p. 625645.

30. Williams G., Moore A. G., Bryce M. R., Petty M. C. Conductivity and electroluminescence in an organometallic Langmuir-Blodgett film/anthracene structure. Thin Sol. Films, 1994, v. 244, 936-938.

31. Careem M. A., Hill R. M. Transport processes in stearic acid layers. Thin Sol. Films, 1978, v. 51, p. 363-371.

32. Fendler J. N., Meldrum F. C. The colloid chemical approach to nanostructured materials. Adv. Mater., 1995, v. 7, p. 607-632.

33. Cabasso I., Yuan Y. Nanoparticles in polymer and polymer dendrimers. Solids and Solutions, 1996, p. 131-153.

34. Гапоник H. П., Щукин Д. Г., Свиридов Д. В. Управляемый синтез квантово-размерных сульфидов переходных металлов в электрополимерной матрице. Материалы I конф. по высокоорганизованным соединениям, 1996 г., с. 410-412.

35. Nelson Е. J., Samulski Е. Т. Preparation of CdS nanoparticles within an ordered polypeptide matrix. Mater. Science and Engineer. C, 1995, v. 2, p. 133-140.

36. Wang Y., Herron N. Photoconductivity of CdS nanocluster-doped; polymers. Chem. Phys. Lett., 1992, v. 200, p. 71-75.

37. Jian Jin, Lin Song Li, Yan Qing Tian et. al. Structure and characterization of surfactant-capped CdS nanoparticle films by the Langmuir-Blodgett technique. Thin Solid Films, 1998, v. 327-329, p. 559-562.

38. Mayya K. S., Patil V., Kumar Madhu P.,Sastry Murali. On the deposition of Langmuir-Blodgett films of Q-state CdS nanoparticles through electrostatic immobilization at theair-water interface. Thin Sol. Films, 1998, v. 312, p. 300-305.

39. Khomutov G. В., Obydenov A. Yu., Yakovenko S. A. et. al. Synthesis of nanoparticles in Langmuir monolayer. Mater. Science and Engineer. C, 1999, v. 8-9, p. 309-318.

40. Zylberajch C., Ruaudel-Teeixier A., Barraud A. 2D monomolecular inorganic semiconductors, inserted in a Langmuir-Blodgett matrix. Synth. Metals B, 1988, v. 27, p. 609-614.

41. Fassi P., Erokhin V., Tronin A., Nicolini C. Formation of ultrathin semiconductor films by CdS nanostructure aggregation. J. Phys. Chem., 1994, v. 98, p. 13323-13327.

42. Erokhin V., Feigin L., Ivakin G. et. al. Formation and X-ray and electron diffraction study of CdS and PbS particles inside fatty acid matrix. Makromol. Chem., Macromol. Symp., 1991, v. 46, p. 359-363.

43. Dultsev F. N., Sveshnikova L. L. Formation of nanoclusters during the interaction of H2S with cadmium, zinc and copper behenates. Thin Sol. Films, 1996, v. 288, p. 103107.

44. Nabok A. V., Ray A. K., Hassan A. K. et. al. Formation of CdS nanoclusters within LB films of calixarene derivatives and study of their size-quatization. Mater. Science and Engineer. C, 1999, v. 8-9, p. 171-177.

45. Lin Song Li, Lianhua Qu, Ran Lu et. al. Preparation and structure of quantum-sized cadmium sulfide grown in amphiphilic oligomer Langmuir-Blodgett films. Thin Sol. Films, 1998, v. 327-329, p. 408-411.

46. Nabok A. V., Richardson Т., McCartney C. et. al. Size-quantization in extremely small CdS clusters formed in calixarene LB films. Thin Sol. Films, 1998, v. 327-329, p. 510-514.

47. Fendler J. N. Membrane-mimetic approach to advanced materials. Berlin. Ed. Springer, 1994, 236 p.Heuer A. H., Fink D., Laraia V. J. et. al. Innovative materials processing strategies: a biomimetic approach. Science, 1992, v. 255, p. 1098-1105.

48. Bunker В. C., Rieke P. C., Tarasevich B. J. et. al. Ceramic thin film formation on functionalized interfaces through biomimetic processing. Ibid, 1994, v. 264, p. 48-55.

49. Zhao X. K., Yang Y., McCormick L. D., Fendler J. N. Epitaxial formation of PbS crystals under arachidic acid monolayers. J. Phys. Chem., 1992, v. 96, p. 9933-9939.

50. Yang J., Medrum F. С., Fendler J. H. Epitaxial growth of size-quantized cadmium sulfide crystals under arachidic acid. J. Phys. Chem., 1995, v. 99, p. 5500-5504.

51. Erokhin V., Feigin L., Ivakin G. et. al. Formation and X-ray and electron diffraction study of CdS and PbS particles inside fatty acid matrix. Makromol. Chem., Macromol. Symp., 1991, v. 46, p. 359-363.

52. Basu J. K., Sanyal M. K. Capillary waves in Langmuir-Blodgett interfaces and formation of confined CdS layers. Phys. Rev. Lett., 1997, v. 79, p. 4617-4620.

53. Facci P., Erokhin V., Nicolini C. Formation and characterization of an ultrathin semiconductor polycrystal layer for transducer applications. Biosens. Bioelectron., 1997, v. 12, p. 607-611.

54. Facci P., Diaspro A., Rolandi R. SFM and SEM investigation of CdS layers from Langmuir-Blodgett films templates. Thin Sol. Films, 1998, v. 327-329, p. 532-535.

55. Dultsev F. N., Sveshnikova L. L. Determination of structure and shape of nanoclusters obtained in sulfidization of Langmuir-Blodgett layers. Thin. Sol. Films, 1998, v. 322, p. 303-307.

56. Urquhart R. S., Hoffmann C. L., Furlong D. N. et. al. FTIR study of changes in orientation and chemistry of Langmuir-Blodgett films of cadmium arachidate during the formation of Q-state CdS particles. J. Phys. Chem., 1995, v. 99, p. 15987-15992.

57. Smotkin E. S., Lee C., Bard A. J. et. al. Size quantization effects in cadmium sulfide layers formed by a Langmuir-Blodgett technique. Chem. Phys. Lett., 1988, v. 152, p. 265-268.

58. Urquhart R. S., Furlong D. N., Mansur H. et. al. Quartz crystal microbalance and UV-Vis absorption study of Q-state CdS particle formation in cadmium arachidate Langmuir-Blodgett films. Langmuir, 1994, v. 10, p. 899-904.

59. Урицкая А. А., Панов В. П., Бетенков H. Д. и др. Фазовый состав и фотоэлектрические свойства химически осаждённых плёнок CdS. Неорган, матер., 1976, т. 12, № 2, с. 193-197.

60. Morimoto J., Shimizu S. SEM observation of CdS films chemically deposited on Si single crystal. Mem. Nat. Def. Acad., 1981, v. 21, p. 57-62.

61. Hai-Ning Cui, Shi-Quan Xi. The fabrication of dipped CdS and sputtered ITO thin films for photovoltaic solar cells. Thin Sol. Films, 1996, v. 288, p. 325-329.

62. Chen-ho Wu, Bube R. H. Thermoelectric effects in semiconductors: Cadmium sulfide films. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, p. 648-660.

63. Nanda К. K., Sarangi S. N., Mohanty S., Nanda К. K. Optical properties of CdS nanocrystalline films prepared by a precipitation technique. Thin Sol. Films, 1998, v. 322, p. 21-27.

64. Nanda К. K., Nanda К. K. Photoluminescence of CdS nanocrystals: effect of ageing. Sol. State Commun., 1999, v. 111, p. 671-674.

65. Ермолович И. Б., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Механизм зелёной краевой люминесценции в CdS-монокристаллах и параметры центров; свечения. ФТП, 1968, т. 2, № 11, с. 1639-1643.

66. Ермолович И. Б., Матвиевская Г. И., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. УФЖ, 1973, т. 18, № 8, с. 733-741.

67. Панов В. П., Полежаев И. И., Сизова Г. Д. Условия роста и свойства остаточной проводимости плёнок CdS. Неорган, матер., 1977, т. 13, № 4, с. 604-607.

68. Nair Р. К., Nair М. Т. S., Campos J. Photocurrent response in chemically deposited CdS thin films. Solar Energy Mater., 1987, v. 15, p. 441-452.

69. Шик А. Я., Буль А. Я. Долговременные релаксации проводимости в неоднородных полупроводниках. ФТП, 1974, т. 8, № 9, с. 1675-1682.

70. Манаевский М. А., Перов Ю. И. Остаточная проводимость в модельном фотопроводнике из высокодисперсных частиц сульфида кадмия. Рук. депонир. в ВИНИТИ, № 913-78. Деп., 1978, 5 с.

71. Гаплевская С. П., Завертанная JI. С., Кривко Т. Г. и др. Метастабильные состояния в CdS р-типа. ФТП, 1982, т. 16, № 1, с. 98-102.

72. Ризаханов М. А., Гасанбеков Г. М., Габибов Ф. С. Об одной разновидности остаточной проводимости в полупроводниках типа CdS. ФТП, 1975, т. 9, № 9, с. 1837-1838.

73. Нымм У. X., Кропман Д. И. Об остаточной проводимости в плёнках и монокристаллах сульфида кадмия. Рук. депонир. В институте «Электроника», ДЭ, 1458/78, Деп., 1978.

74. Сытенко Т. Н. Роль поверхности в формировании фотоэлектрической памяти. В кн.: Проблемы физики поверхности полупроводников: К., 1981, с. 153-178.

75. Кропман Д. И., Шейнкман М. К. Остаточная проводимость в поликристаллических плёнках CdS (Си, С1). УФЖ, 1975, т. 20, №2, с. 251-256.

76. Вищакас Ю. К., Гайдялис В. И., Монтримас Э. М. Влияние межкристаллических барьеров на кинетику фотопроводимости. Литовский физический сборник, 1966, т. 6, № 4, с. 561-565.

77. Сандомирский В. Б., Ждан А. Г., Мессерер М. А., Гуляев И. Б. Механизм замороженной проводимости полупроводников. ФТП, 1973, т. 7, № 7, с. 13141319.

78. Жаров С. Н., Рудяк В. М. Фотопамять тонких плёнок CdS при комнатных температурах. Тез. Докл. IV Всес. совещ. Физика, химия и технические применения полупроводников А2Вб, Одесса, 1976, К.: Наук. Думка, 1976, с. 80.

79. Вуль А. Я., Шик А. Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. ФТП, 1974, т. 8, №. 10, с. 1952-1959.

80. Панов В. П., Полежаев И. И., Гаврилов Ф. Ф. Природа неоднородностей, обуславливающих остаточную проводимость в плёнках CdS. ФТП, 1976, т. 10, № 8, с. 1559-1561.

81. Панов В. П., Панова Г. Д., Шейнкман М. К. Долговременные релаксации проводимости, обусловленные фотостимулированной диффузией кислорода по

82. Плотников Г. С., Зайцев В. Б. Физические основы молекулярной электроники. М.: Физический факультет МГУ, 2000, 164 с.

83. Травление полупроводников. Пер. с англ. С. Н. Горина. М.: Изд. «Мир», 1965, 382 с.

84. Wiesler D. G., Feigin L. A., Majkrzak et. al. Neutron and X-ray study of Ba salts of alternating bilayers of denaturated and hydrogenated stearic acid. Thin Sol. Films, 1995, v. 266, p. 69-77.

85. Renault A., Legrand J. F., Goldman M., Berge B. Surface diffraction studies of 2D crystals of short fatty alcohols at the air-water interface. J. Phys. II France, 1993, v. 3, p. 761-766.

86. Могилевский JI. Ю., Дембо А. Т., Свергун Д. И., Фейгин Л. А. Малоугловой рентгеновский дифрактометр с однокоординатным детектором. Кристаллография, 1984, т. 20, № 3, с. 587-591.

87. Stommer R., Englisch U, Pietsch U., Holy V. X-ray and neutron diifuse scattering from multilayers of fatty acid solt moleculas/ Physica B, 1996, v. 221, p. 284-288.

88. Sato R. Acta Cryst., 1962, v. 15, p. 1109.

89. Корнаухов А. П. Глобулярная модель пористых тел корпускулярного строения. Кинетика и катализ, 1971, т. 12, № 5, с. 1235.

90. Nanda К. К., Sarangi S. N., Sahu S. N. Raman spectroscopy of CdS nanocrystalline semiconductors. Physica B, 1999, v. 262, p. 31-39.

91. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: «Энергия», 1971, 311с.

92. Brus L. Е. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: the size dependence of the lowest excited electronic state. J. Chem. Phys., 1984, v. 80, № 9, p. 4403-4409.

93. Rama Krishna M. V., Friesner R. A. Quantum confinement effects in semiconductor clusters. J. Chem. Phys, 1991, v. 95, № 11, p. 8309-8322.

94. Wu C., Feigelson R. S., Bube R. H. Phototermoelectric Analysis of Chemically Deposited Cadmium Sulfide Layers. J. Appl. Physics, 1972, v. 43. p. 756-758.

95. Нымм У. X. Хемосорбция и поверхностные свойства соединений А2В6 (CdS). Учёные записки Тартуского ун-та (Тарту, труды по электролюминесценции), 1975, вып. 346, с. 14-72.

96. Шейнкман М. К., Маркевич И. В., Хвостов В. А. Явление остаточной проводимости в полупроводниках и её параметры в CdS : Ag : С1. ФТП, 1971, т.5, № 10, с. 1904-1911.

97. Киселёв В. Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978, 251 с.

98. Федорович Ю. В., Фогель В. А. Участие электронных процессов в поверхностных явлениях полупроводников. В кн. Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников, Новосибирск.: Наука, 1972, с.181 233.

99. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966, 192 с.

100. Киселёв В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы поверхности физики поверхности твёрдого тела. М.:Изд-во Московского ун-та, Физический факультет МГУ, 1999, 287 с.

101. Киселёв В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979, 233 с.

102. Киселёв В. Ф., Плотников Г. С., Беспалов В. А., Зотеев А. В., Фомин Ю. Д. Элементарные возбуждения в системе полупроводник адсорбированные молекулы. Кинетика и катализ, 1987, т. 28, вып. 1, с. 20 - 34.

103. Ракова Е.В., Стёпина Н.Д., Клечковская В.В., Панова Т.В., Жигалина О.М., Фейгин Л.А. Эпитаксия PbS и CdS на ленгмюровских слоях. Материалы IX Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 2000г. с. 101.

104. Зайцев В.Б., Зотеев А.В., Панова Т.В., Плотников Г.С. Влияние адсорбции на сенсибилизированную проводимость тонких плёнок сульфида кадмия. Химическая физика, 1999, т. 18, № 9, стр. 35 38.

105. Zaitsev V.B., Panova T.V. The use of vibronic phenomena in adsorption phase for developing semiconductor gas sensors. Applied Surface Science, 2000, v. 167, p. 184 — 190.