Особенности сверхпроводимости в окисной системе BaPb 1-x Bi x O 3 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. Обзор работ по сверхпроводящему соединению и свойствам неупорядоченных систем

1.1. Кристаллическая структура В>а Pt,x Oj

1.2. Валентность висмута в ЬаРЬ^бн* От, g

1.3. Проводимость и зонная структура

В* РЬ,Х 6>;х О,

1.4. Сверхпроводящие свойства В>а РЬ,.*

1.5. Эффект Джозефсона в fi>a Ptj-xfei* Dj

1.6. Проводимость неупорядоченных сред

1.7. Свойства гранулированных металлов

Глава 2. Методика эксперимента

2.1. Технология изготовления объемных керамических образцов £>aPt> „Ь'кО?

I Л Ж у и ее особенности

2.2. Технология напыления сверхпроводящих тонких пленок Ё>Q Pb,x fef* О

2.3. Изготовление контактов и измерение проводимости.

2.4. Измерительно-вычислительный комплекс

2.5. Исследование вольт-амперных характеристик

2.6. Криогенное оборудование

2.7. Измерение намагниченности и оптические исследования

Глава 3. Результаты экспериментальных исследований

3.1. Сверхпроводящий переход и критическая температура исследовавшихся образцов

3.2. Проводимость 3,

3.3. Верхнее критическое магнитное поле и магнитосопротивление в

3.4. Свойства пленок ЕЬаРЬ,Ё>iх , полученных методом лазерного напыления

3.5. Аномалии проводимости керамических образцов

ВаРк . bi„0? в смешан

I -X л ' ном состоянии

3.6. Джозефсоновские свойства керамических образцов BaPbNx &iy

3.7. Свойства v От и биполярон-ная теория сверхпроводимости III

Физика сверхпроводимости, предетавляющая собой большой раздел физики твердого тела, находит все большее применение в различных областях народного хозяйства: медицине, геологии, энергетической промышленности и т.д., Уникальные общефизические и технические приложения сверхпроводимости стимулируют экспериментальное и теоретическое изучение новых сверхпроводящих соединений, а также разработку на их основе различных систем и устройств. Однако применение сверхпроводников зачастую сдерживается необходимостью работать при низких температурах, используя для охлаждения сравнительно дорогой жидкий гелий. Поэтому поиск сверхпроводников с высокой критической температурой - одна из важнейших задач, стоящих перед современной физикой твердого тела. Одним из путей решения этой задачи является исследование возможностей радикального повышения критической температуры на основе какого-либо нового механизма сверхпроводимости, отличного от сверхпроводимости куперовских пар (ЕКШ механизм). Несмотря на значительное время, прошедшее с момента открытия сверхпроводимости, пока не найдено убедительных доказательств реализации в каком-либо соединении не БКШ механизма сверхпроводимости. Поэтому любое соединение, имеющее необычные с точки зрения теории БКШ свойства, сразу становится объектом пристального внимания как экспериментаторов, так и теоретиков.

Сверхпроводящие свойства Е>аРЬ.„£»\ О, были открыты в X X р

1975 году Слейтом и др. [i], наблюдавшими сравнительно широкий переход в сверхпроводящее состояние при температуре Тс= 9ч-13К. Уже в то время отмечались некоторые рекордные параметры этого соединения : оно имело максимальную критическую температуру среди соединений, не содержащих переходных металлов [2], которая на порядок превосходила максимальную критическую температуру, ожидавшуюся для перовскитов [з]. Дальнейшие исследования дали новую информацию о необычных свойствах этого соединения. Было обнаружено аномальное поведение проводимости (максимумы на зависимости сопротивления от магнитного поля) [4,5] и сверхпроводимость у неметаллических образцов [4,б]; концентрация носителей тока у составов с ТС=12К оказалась равной всего 4.10^см~^[б], что на порядок ниже концентрации в других сверхпроводниках с ТС~10К; измерения теплоемкости показали отсутствие скачка при переходе в сверхпроводящее состояние [7]. Все эти свойства казались настолько необычными, что вызвали появление целого ряда предположений о реализации не БКШ механизма сверхпроводимости в ВаРЬ. й>/ (X .

Параллельно с фундаментальными исследованиями этого соединения проводились и разработки с целью его практического использования. Сравнительно высокая критическая тампература, устойчивость этого соединения в атмосфере кислорода и наличие в Ё>а PL 0у при изменении X перехода металл-диэлектрик открывают возможности создания на основе этого соединения стабильных криоэлектронных структур. С этой целью были разработаны методы напыления тонких сверхпроводящих пленок этого соединения - сначала методом ВЧ-распыления [8,9], а затем и методом лазерного испарения [ю] .

Исследования пленок и керамических образцов ВвРЬ,. B>i 0г привели к новому неожиданному результату: оказалось, что границы мажду кристаллитами в В а РЬ,.У £><>< 0$ могут выполнять роль слабых связей[ll,12], при этом поликристаллические образцы и пленки этого соединения выступают в роли системы джозефооновских переходов, в которых наблюдается целый ряд когерентных явлений, например, детектирование СВЧ излучения происходит синхронно сразу большим числом переходов, так что возникающее на пленке напряжение оказывается равным примерно 2 мВ, в то время как на единичном переходе - всего I мкВ [13] . Такое поведение пленок и керамических образцов Ва Pb( Biy , а также простота их изготовления открыли новые перспективы для использования этого соединения: для создания генераторов, детекторов и других криоэлектронных устройств.

Все сказанное выше определяет актуальность систематических исследований BqPI) Bi 0? и разработки метода напыления тонких

1-у * > сверхпроводящих пленок. Отметим, что к началу работы над диссертацией в литературе отсутствовала информация о проводимости этого соединения (за исключением единственной температурной кривой в работе [i]). Целью диссертационной работы является проведение систематических исследований проводимости и изучение сверхпроводящих свойств керамических образцов и пленок 6аРЬ( •

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Изучение новых сверхпроводящих соединений иногда приводит к возникновению целого ряда проблем, связанных как с применимостью традиционных методов исследования, так и с интерпретацией полученных результатов. Большая ширина сверхпроводящего перехода, сложность изготовления омических контактов, необычное неметаллическое поведение проводимости сверхпроводящих образцов ВаРЬ Вгу Оу и т.п. привели к возникновению подобных проблем при исследовании этого соединения. Трудности выращивания монокристаллов BaPb^fi/^ О J вынудили на первом этапе работать с керамическими образцами. Исследования керамических образцов дали информацию о зависимости критической температуры от состава, о характере температурных зависимостей сопротивления, критического магнитного поля и о магнитосопротивлении этого соединения.

Но результатам исследования зависимости критической температуры от состава была оценена неоднородность исследовавшихся образцов, которая при х~0.2 составила около 10% от состава. Исследования зависимости проводимости от температуры и магнитного поля позволили установить, что: а) сверхпроводящие составы с 0.2^x^:0.3 имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления, причем температурный ход проводимости в области низких температур может быть описан выражением б (Т) = + А Т ^ ; б) у образцов с 0.20^x^0.27 при Т^4.2К в области магнитных полей 70кЭ£Н^ 200кЭ наблюдается отрицательное магнитосопротивление, описываемое выражением вида в) температурные зависимости верхнего критического магнитного поля, определенные для составов 0.05^x^0.30, близки к линейным, не описываются теоретической кривой Маки-де Жена[57], но согласуются с теоретическими результатами Коффи, Матталиба и Левина {joOl . Последний из приведенных выше результатов позволил объяснить все перечисленные особенности с единых позиций, связав их со слабой локализацией носителей тока, приводящей к появлению квантовых добавок к проводимости. Такая интерпретация подтверждается оценками, сделанными на основе теории квантовых добавок к проводимости [45,46] •

Обнаруженные сравнительно невысокие значения критического магнитного поля в ВаР(э &iy (около 35кЭ при Т=4.2К) не позволяют использовать данное соединение для создания сверхпроводящих соленоидов. Однако, для него можно указать другую область применения. Стабильность 6>Ct РЬ,Х В>\у в атмосфере кислорода, существование в нем перехода металл-диэлектрик позволяют создавать на' его основе стабильные криоэлектронные устройства, в которых сверхпроводящие и изолирующие области изготовлены из одного и того же материала и, следовательно, не разрушаются при многократных циклах охлаждение-нагрев. С этой целью была разработана технология получения сверхпроводящих пленок В>с<РjSu' 0, , л J отличающаяся простотой и надежностью.

Сверхпроводящие пленки этого соединения были получены с помощью лазерного напыления и последующего отжига на воздухе. Непосредственные измерения проводимости во время термообработки позволили определить оптимальные параметры отжига. Исследования полученных сверхпроводящих пленок Pb^^&iyO^ показали, что их свойства подобны свойствам массивных образцов этого соединения, но отличаются несколько меньшими значениями критической температуры и критического магнитного поля, что связывается с нарушением стехиометрии в процессе изготовления пленок.

Уникальная особенность BaPb^Bi^, - диэлектризадия поверхности - привела к тому, что некоторые свойства керамических образцов этого соединения оказались принципиально отличными от свойств обычных сверхпроводников. На керамических образцах удалось пронаблюдать целую группу аномалий, возникающих в области сверхпроводимости. Впервые наблюдались немонотонные, с двумя максимумами зависимости сопротивления от магнитного поля, значительное (более 2-х порядков)отрицательное магнитосопротивление. На основе выполненных исследований были предложены модели, объясняющие наблюдаемые особенности проводимости перераспределением индукции магнитного поля в системе слабых связей между зернами керамики при переходе зерен в смешанное состояние, а также эффектами одночастичного туннелирования через границы зерен.

Исследование поведения проводимости керамических образцов Ва Pb, ^Hi^Oj показало, что в этом соединении реализуются следующие типы связей между зернами керамики: а) туннельная связь с одночастичным туннелированием, б) слабая связь, в) связь через закоротки.

Определены характерные особенности поведения проводимости керамических образцов B>Q Pbty Ё>\у Of , в которых преобладает каждый из перечисленных типов связи. Для образцов, проводимость которых определяется одночастичным туннелированием через границы зерен, характерным является возникновение активационного роста о сопротивления при понижении температуры ниже критическом и подавление этого роста магнитным полем, приводящее к появлению значительного отрицательного магнитосопротивления. Резистивный сверхпроводящий переход в таких образцах отсутствует, а сами образцы являются высокоомными,О = 10-10 Ом*см. Для образцов, проводимость которых определяется слабыми связями, характерно уширение резистивного сверхпроводящего перехода, малое значение критического тока и подавление слабых связей небольшим магнитным полем Н=1-100Э. При этом в магнитном поле в зависимости от типа слабых связей может наблюдаться или появление максимума сопротивления, или же плавное восстановление сопротивления нормального состояния. Свойства образцов, в которых преобладают закоротки между зернами керамики, подобны свойствам сверхпроводников второго рода. Существование незначительного количества слабых связей в таких образцах приводит к небольшому увеличению ширины сверхпроводящего перехода в магнитном поле.

Полученные результаты представляют интерес для разработки перестраиваемых в широком диапазоне генераторов, использующих эффект Джозефсона. Подобные генераторы предполагается создать на основе массива сверхпроводящих нелинейных элементов, например, слабых связей, причем по некоторым оценкам [68] эти генераторы при значительной мощности (около 10мВт) могут перекрывать диапаq то зон частот 10 -10 Гц, т.е. не имеют аналогов среди существующих приборов. Керамические образцы B>q Bix 05 могут быть использованы в качестве рабочего элемента таких генераторов.

Другим возможным применением результатов работы является использование технологии получения сверхпроводящих тонких пленок для создания быстродействующих криоэлектронных элементов памяти, а также детекторов СВЧ, отличительной особенностью которых является возникновение при детектировании значительного напряжения пропорционального частоте, но много большего напряжения, возникающего на единичном джозефсоновском переходе (на возможность такого применения пленок в a pfc> указали авторы работы [13] ). Кроме того, малое значение критического V

- II? тока, наблюдающееся у пленок Во PL Bi\ О-г позволяют исполь

1-Х * У зовать их в качестве слабых связей в квантовых интерферометрах, а также в качестве нелинейных элементов в СВЧ технике.

В заключение кратко сформулируем основные результаты диссертационной работы:

1. Разработан метод получения сверхпроводящих пленок Bo.PL, в,- 0, , основанный на использовании лазерного налы

Ж л / ления и последующего отжига на воздухе. Определены оптимальные условия термообработки, критические температуры пленок различных составов, а также температурные зависимости сопротивления и критического магнитного поля.

2. Обнаружено и исследовано неметаллическое поведение проводимости керамических образцов BqPL (0.2^х<0.3). Показано, что в области температур Т^50К вплоть до сверхпроводящего перехода температурная зависимость проводимости может быть описана выражением б'д + А Т . Этот результат интерпретируется с точки зрения теории квантовых добавок к проводимости.

3. Обнаружено и исследовано отрицательное магнитосопротив-ление керамических образцов BaPLl B>iy 05 (0.2^x^0.3), наблюдавшееся в области температур 1.7^Т-^4.2К и магнитных полей Н^200кЭ. Полученные результаты интерпретированы с точки зрения теории квантовых поправок к провод шлости.

4. Для сверхпроводящих образцов Во РЬ,у Ё>>х 05 составов 0.05^x^0.30 определено критическое магнитное поле и его температурная зависимость в области температур выше I.2K и магнитных полей до 80кЭ. Обнаружено отклонение полученных зависимостей от кривой Маки-де Жена, описывающей грязный предел сверхпроводников второго рода. Полученные результаты интерпретированы на основе теории критического магнитного поля сильно разупо-рядоченных сверхпроводников, которая учитывает эффекты слабой локализации носителей тока.

5. У керамических образцов , термообрабо-танных в вакууме, обнаружено появление активационного роста сопротивления и значительного (более двух порядков при Т~2К) отрицательного магнитосопротивления при понижении температуры ниже критической. Показана связь этого явления с одночастичным туннелированием через границы зерен керамики.

6. Обнаружено и исследовано новое явление для гранулированных сверхпроводников второго рода - появление немонотонной, с двумя максимумами зависимости сопротивления от магнитного поля при понижении температуры ниже критической. Показана связь этого явления с туннельными эффектами на границах гранул и с перераспределением индукции магнитного поля при переходе гранул в смешанное состояние.

1. S1.i^Ui АЖ. , G/llson IL., &ersieJt P.E.1. S up^y-conduct i ^иtU 0} system Sol. S-t.

2. Со1^1ал. ^ v. 17, л/о "f j p. "27-28

3. CU C.U/. ^ MuaiACj S.} Sleigh A.W. Ujdrostatic

4. Sol. St. Loi^ia*. — 1у7ь; v. IS>/ a/o 8 , f=><977-9743. /Ctian /l/а/? я, ^ £osenbercj M.} Mllvier Superconductivity &\лсЬ icoudu cto r metal jsLiase -transition intb-e sestet*, 0,— pUys. stftt. ъо\.(а)} IJ)yy/ v.jp, sfo), p.yp-se 2

5. Протасов E.A., Заццев-Зотов С.В., Веневцев Ю.Н., Богатко В.В. Сверхпроводимость в окисной системе B>a РЬ. Bw 0?- ФТТ, 1978, т.20, в.II, с.3503-3505

6. Богатко В.В., Веневцев Ю.Н., Зайцев-Зотов С.В., Менушен-ков А.П., Протасов Е.А., Чуркин О.А. Сверхпроводимость в окисной системе ЁьаРЬ, ^0>}у0у Тезисы докладов 20-го Всесоюзного совещания по физике низких температур. М.: Черноголовка, 1978, ч.Ш, с.75-77

7. Thauil1 Т. кГоии а А Таиакь S, percouduc -kvity cu s>^stei>u.-~Appl1. Ploy*., 1/. 22, ^ 2,

8. Metbfi&sel C.F.} Stewart 6. R Mattes ft 7\ PaUi CM 1С Wby is ther* ho Lulk specific1. U ^лг i j I . i , Ibeat anomaly at tUz supetcondhActiuc, trcMSition temperature o{ 0 ? —

9. Ш/. Лс«1. Sc i .иц yso.u.ri^ffifcc,

10. Suzuki M. Muro hi(' Tmaisuurc, T. Preparation o-f supe гсокс/исЬЫу "tliiu -fi'li^S

11. Ц fip SpuWertM^.— Зри. J. f^tfO,1.. //o5, p. L2JI-2J4

12. Зайцев-Зотов С.В., Мартынюк А.Н., Протасов Е.А. Сверхпроводимость пленок С^ , полученных методом лазерного напыления. ФТТ, 1983, т.25, в.I, с.184-189

13. Е-и о vuoio V.} Suzuki М М Т ~L\AQiMure, ~f.) 1тикс,.; Т.;. 0los>e.rv<xt\o4 o-f qrain kouu^/ary ^Уоьер h-Sou current in1. Триv.20, a!*}, L461-LM

14. Белоус H.A., Габович A.M., Лежненко И.В., Моисеев Д.П., Постников В.М., Уварова С.К. Множественное туннелирование в трехмерной гранулярной системеbapjw&i, 0} .

15. Письма в №, т.8, в.17, с.1075-1078

16. Xto М Enotodo V.f Suzuki М. , MuiraltQbu', T; Хиаилиг^Т Mijster€SfS loop /V» carr-eui-voliaye curve, -foir В» J'osepLsoh iubctiOus (Хггску in a и*I с ro wa vQ. J^oti.i/.2/, /об, p. ^37^376

17. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е.А., Чуркин О.А. Аномальноемагнитосопротивление в R& R; Q, . ФТТ, 1982,1. U 0.7£ 3-Vт.24, в.8, с.2488-2490

18. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е.А. Особенности низкотемпературной проводимости сверхпроводящей керамикисвязанные с гранулярностью структуры. ФТТ, 1984, т.26, Ш5, с.I374-I38I

19. Г7. Сох Ъ. £., SleigW A.W. Cr^U I structure of B>a2 . — -Sol. St. Сым^^у-ji, i/.IJ)л/о 10 ; p-V^-pj ^

20. Cox D. Б. ; Slsiglrt AM. Mixed-valtbl & 06:structi-fir* а\лЫ propZrties i/S. ~i.Qv*pzr&tur-e. -Acta1. Cr^st. , I/. /, Л

21. TUohhlou G> Jbcotson A3". /1 Afzutroi* Di-f-fraetio^ cte"tern4i иа-tiou siruduw of Q>;"06 quqI

22. Scholdeir fC, Glaser И. Me~Lz &. Z.—1. Uorg. AUcjer*. t24. л/а ka\Mur<k Т } SoiaT. Paramagwetisn* audiducii i/it^ ии tricjiuic perovskite Bex £>i

23. J. P^s. S ос. ^рй . } №71, V.31, /Jb5 , p.128425. oU На) IT J. TU. W., Blaise G. Deier И/. И QtiflH of tU-e valency slat* o-f LisfMu^L lui £>aBiDj

24. Ц mfr&r-eol spectroscopy.-Sol. Com w.j IJ/73,vA2! л/оУ, p. 727- J2JI

25. Вalzarotti A.} MetnusLtHUov A., /lAffa Af.v. eyafs, (и S(Ap-ercoiAoluet} ucjoxide B>a O3 . — So/.

26. Ts ur<ircku l\/;tta } HiroHAiisu Talci, K&nsowi A/agas£

27. SlecrocpHolucifi/e cofaposilioh Co nta inl ua1. ВаРЬОPbW 3,374, /£>51. Patented Mar. /68

28. Моисеев Д.П., Уварова O.K., Феник М.Б., ЭДС Холла и проводимость в сверхпроводящей окиснои системе

29. ФТТ, 1981, т.23, в.8, с.2347-2351

30. Габович A.M., Моисеев Д.П., Шпигель А.С. Природа сверхпроводимости в твердых растворах О^со структурой перовскита. Роль диэлектризации электронного спектра. -ЖЭТФ, 1982, т.83, в.4(10), с.1383-1388

31. Богатко В.В., Веневцев Ю.Н. Сверхпроводимость ВаРЬО^ ФТТД980, т.22, в.4, c.I2II-I2I2

32. Та hi Т. } IfccT, Таиа(са S, e-f-fecLtu superconxj/uctiug system.—

33. Мойжес Б.Я., Драбкин И.А. Сверхпроводящие материалы с электронными парами, локализованными на ионах решетки. ФТТ, 1983, т.83, в.7, с.1974-1982

34. Suzuki М Muralccivui Т. ^ EnotnoioV. Тмаилига "17

35. Тг 1м ре г at иг-е. J^'Zp-nucl^uce o-f i^ua-xi ыц1. DC

36. JosepU son C-uirreuL ~throuo.L С|ГА(и B>ouvidQ ryjunctions LH B>G Pf> Ь/' О -ff/ms .—

37. Spb.'J.Appl. Pliys., \fA) „Д и/с 7,

38. Belous J\/.A, GaUid A.M., L€zh€mIc0 I.V.,

39. Mo\seev D. P. Post* i koi/ \f.M.} Uvarova Я Къ1. tulle solid state sam^l^s o-f supjzrcouoluetiuy cerauuic Pk.Leit., v.pA}s/oJ>; p>.4£S-4Sl>

40. Мотт H. Электронные процессы в некристаллических веществах. -М.: Мир, 1974,

41. Шкловский В.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1979, 416с.

42. Садовский М.В. Локализация электронов в неупорядоченных системах: критическое поведение и макроскопические проявления. -УФН, 1981, т.133, в.2, с.223-257

43. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982, 658 с.

44. Альтшуллер Б.Л., Аронов А.Г. : К теории неупорядоченных металлов и сильнолегированных полупроводников. ЖЭТФ, 1979, т.77, в.5(II), с.2028-2044

45. Альтшуллер Б.Л., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1981, т.81, в.2(8), с.768-783

46. Ионов А.Н., Шлимак И.С. Влияние локализованных состояний в области перехода металл-диэлектрик на проводимость и магни-топроводимостъ сильно легированного германия п -типа. -Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.5, с.208-210

47. Альтшуллер Б.Л., Аронов А.Г. Теория подобия перехода Андерсона для взаимодействующих электронов. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, в.8, с.349-351

48. Рикщуоыь К VdsioU К Afecjotise Моды eft resistanceсиtU е AiaoIzitsou locbli-z-zd states*.— Pk-ys. -S»oc. u. } y-7% p. 102-10$

49. Уайт Р., Джебел Т. Дальний порядок в твердых телах. -М.: Мир, 1982, 448 с.

50. Dsuisctar G. Ehtiio -Ia/OMWIQH О. Fi'sJitoairta p i г с, У. Ре rco latioh description of granule superconductors.—-198o} v. 62/, Voll, p.S04'-S°47

51. Ehiito-WoUfaQH 0', Kbpi-tulnic A.} Shapirek Y.jpeiAol QiA^e of 77 the normal sta~te hesi sb'ih дгаик/дг bup-erconductors Phys. кВ24ул/оП, p.HW-146853. оЬэг Ц Halpzrit* fi.LoiACj^r IS.

52. UoppiiAOj cowol uc ti v (Ьч disord-eir sys^^s,1. Pticjs. sAS, p.2£l2-262o

53. Менушенков А.П., Протасов E.A., Чубунова E.B. Влияние содержания кислорода на сверхпроводимость в BaPb,^ 0j . -ФТТ, 1981, т.23, с.3703-3705

54. Анисимов С.И., ймас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970, 272 с.

55. Черемных П.А., Чураков Г.Ф., Рожденственский Б.В., Самойлов Б.Н., Черноплеков Н.А. Комбинированная магнитная система для исследования в стационарных магнитных полях с индукцией до 25Т. Препринт ИАЭ 2436 М, 1974

56. Де Жен П. Сверхпроводимость металлов и сплавов. М.: Мир, 1968, 280 с.

57. Сан-Жам Д., Сарма Г., Томас Е. Сверхпроводимость второго рода. М.: Мир, 1970, 364 с.

58. Физика низких температур. Под ред. Шальникова А.И. М.: Иностранная литература, 1959, 937 с.

59. СоЩ Ц MuUoliL О., Levin (С TW^ of upper critic at ■fitij iu highly disordered superconductors: local ization effect .—

60. Phys. Rer. Letttj jj/84, 1/. £2, лбД

61. Suzuki M.} Ehotuoio V. Murakami T^Лиашигь T,

62. Prepa rcdiou Ouct properties of supercouo!uctiuja Pt,^ Si^ 0; -filing Idlj spuiteriucj.— Лр/э! PI^S., v.Sl, VoJf p. 1C22-1й-}0

63. Свидзинский А.В. Пространственно-неоднородные задачи сверхпроводимости. М.: Наука, 1982, 312 с.

64. Тилли Д.Р., Тилли Дж. Сверхпроводимость и сверхтекучесть. -М.: Мир, 1977, 304 с.

65. Gilabsiri ft. } Van Maese^donck С., 1Аи den Dr»«s, L &ru\j v\se.raede V. Teiuperoiturz depemolence of the HiaxiKiu^ bJ* Josephsoh aurreiA~t ш ^uperco^dut --tiug pro*' IA* i£y junction Sol State Co**,,ppy V3\> Уо2} pJoj/~m

66. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Статистическая физика ч.1. -М.: Наука, 1976, 584 с.

67. Александров А.С. Частное сообщение

68. B>artlo^ Re^eika J P.; Dynes R. С-> В огг

69. Сооь-ег G>ar\oo J"P. t-ц " S>upercouduc-Li \л'£ уui d- onol Ьлйо! /м^-tct/s,' -ed. ky U/. Sue Ы auol \a/. W<? betr FR&: K-e rnforsckuncjszentrui^1. Karlsruhe , \J)8i, p.4oi

70. Беленов Э.М., Веденеев С.И., Усков А.В. Некоторые вопросы электродинамики сверхпроводящих слабосвязанных систем. -Труды ШАН, 1983, т.148, с.192-219