Панорамные спектры легированных диэлектриков в субмиллиметровом и инфракрасном диапазонах волн тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ргб оа

.РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК 3 ^ М» '"^ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

НА ПРАВАХ РУКОПИСИ УДК 537.226

Командна Геннадий Анатольевич

Панорамные спектры легированных диэлектриков в субмиллиметровом и инфракрасном диапазонах волн.

(01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Москва 1998

Работа выполнена в институте общей физики Российской Академии Наук

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор Волков Л.Л.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

Плотннченко Виктор Геннадьевич,

доктор физико-математических наук, Вихпин Валентин Сергеевич

Ведущая организация: Институт кристаллографии РАН.

Защита состоится "28" сентября 1998 года в 15 часов на заседании Специализированного Совета К.003.49.01 при Институте общей физики РАН по адресу : 117942, г. Москва, ул. Вавилова,38.

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке Института общей физики РАН. Автореферат разослан "_"__1998 года.

Ученый секретарь У f v /./ *

Специализированного совета К.003.49.01 /

д.ф.-м.н., профессор H.A. Ирисова.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Все большее место в современных исследованиях и технике занимают диэлектрические атомнозамещенные (легированные) кристаллы, обладающие целыми комплексами интересных и практически важных физических свойств, которые можно направленно изменять взрыгроватаем состава Сюда относятся эяектрокерамикл для радиотехники, телевидения, локации и связи, многие материалы оптики и инфракрасной техники, сцинтилляторы для физики высоких энергий, ионообменные сенсоры для широчайшего круга применепий.

На микроскопическом уровне сильно легированные кристаллы характеризуются частичным разунорядочением кристаллической решетки и повышенной свободой перемещений атомов или атомных групп. В колебательных спектрах на узкие фопонные резонансы накладываются дополнительно широкие по частоте релаксации, связанные с движением кластеров, доменов, свободных ионов и вакансий. Разделение этих механизмов движения, происходящих на уровне среднею порядка, составляют на сегодня одну из важных фундаментальных задач колебательной спектроскопии твердого тела.

В методическом плане задача осложнена тем, что функция колебательного отклика легированных кристаллов малоконтрастпа и сильно упшрена в низкочастотную область спектра, что делает ее неудобной для изучения традиционными методами нейтронной, КР и ИК спектроскопии, эффективность которых резко падает при необходимости проведения амплитудных измерений размытых спектров. В этих условиях методы полностью теряют работоспособность на частотах ниже 1012 Гц (30см'1).

При анализе ИК данных, плавные экспериментальные спектры функции отклика, резко обрывающиеся на низкочастотном краю, малопригодны для обработки их как методами дисперсионной спектроскопии, так и методом Крамерса-Кронига. Ситуация, однако, может быть улучшена при наличии точных низкочастотных субмиллиметровых (СБММ) привязок.

В настоящей диссертации для этой цели предлагается использовать в комбинации с ИК спектроскопией (у>1012) Гц технику субмиллиметровой

(СБММ) спектроскопии на основе ламп обратной водны, способную обеспечить высокоточные опорные данные на частотах 10п-1012 Гц (3-30 см"1).

Целью диссертации явилась отработка комбинированного метода получения диэлектрических спектров веществ, путем одновременных взаимодополняющих измерений методами трансмиссионной ЛОВ- и отражательной ИК спектроскопии, приложение этого метода к проблеме разделения механизмов движения в частично разупорядоченцых атомнозамещенньж диэлектрических кристаллах, установление основных частотно-температурных закономерностей динамического поведения нескольких, типичных представителей этого класса кристаллов.

Научная новизна работы состоит в том что:

а) получены широкодиапазонные экспериментальные данные по частотно-температурному поведению диэлектрических свойств атомнозамещешшх твердых растворов AgTai.xNbxC>3- ATN, микроволновых керамик MgTi03.La -MTL, и Ba(ZnZrTa)C>3 - BZZT и легированных монокристаллов CaFiifNfd.Y) в диапазоне 10п-1014 Гц (3-3000 см"1);

б) определены спектральные параметры решеточных возбуждений в указанных соединениях, формирующих их статические и высокочастотные свойства;

в) обнаружены неизвестные ранее аномалии в частотно-температурном поведении диэлектрических свойств исследованных соединений.

Практическая значимость: В работе получены широкодиапазонные диэлектрические спектры кристаллов и керамик ATN, MTL, BZZT, CaF2(Nd,Y), которые являются перспективными материалами электронной техники и прикладной оптики. Полученные диэлектрические и оптические параметры для указанных составов могут использоваться при расчете электронных и оптических устройств.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на конференциях: XIV Всеросийская конференция по физике сегнегоэлектриков (19-23 сентября 1995 г., Иваново); The fifth Russian-Japanese symposium on Ferroelectricity. Moscow, Russia, August 22-27,1994; X Феофиловский симпозиум по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов. Санкт-Петербург, 1995; International Conference on

Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter. August 18-23, 1996, Prague, Czech Republic; European Quantum Electronics Conference, 8-13 September 1996, Congress Centrum Hamburg (CCH), Hamburg, Germany. Основные положения диссертации спублякопалы в 10 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Полный объем диссертации составляет 100 страниц, включая 55 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 91 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении сформулированы актуальность и пели работы, обсуждаются1 перспективы совместной обработки экспериментальных данных в субмиллиметровом (СБММ) и инфракрасном (НК) диапазонах. Отмечена особая необходимость использования экспериментальных данных одновременно во всем указанном диапазоне при исследовании разупорядочеиных кристаллов.

Первая глава в первой части посвящена обзору литературы по микроскопическим механизмам дипольного поглощения в диэлектриках, проявляющих себя в СБММ и дальней ИК областях спектра. Рассматриваются модели однофононного и многофононного собственного поглощения, динамика сегнетоэяектрических мягких мод, двухуровневых систем в стеклах и электронных переходов между близкорасположенными уровнями. Выделяется как общее свойство перечисленных механизмов чрезвычайная размытость связанного с ними поглощения по спектру и высокая степень перекрытия полос поглощения. Делается вывод о том, что для надежного разделения разных типов дипольного движения, требуется рассмотрение спектров функции диэлектрического отклика в максимально широком интервале частот, охватывающем ИК и СБММ диапазоны.

Во второй части обсуждается экспериментальная аппаратура и методы, необходимые для решения поставленной задачи. Описываются установки, на которых выполнялись спектральные измерения в настоящей работе-

ИК Фурье спектрометр Bruker IFS-113v (20-3000см-1) специализированный в нашем случае для работы в дальней ИК области, и лабораторный СБММ ЛОВ спектрометр "Эпсилон".

Спектрометры оснащены термостатами и криостатами для проведения измерений в интервале температур 5-1000 К. При управлении спектрометрами и выполнении расчетов использовались PC 486/DX4 100 МГц.

Для измерений на обоих спектрометрах использовались плоскоиараллельные образцы со шлифованными или полированными гранями. Продуктом измерений были спектры комплексного коэффициента пропускания (на "Эпсилоне") и энергетических коэффициентов пропускания и/или отражения (на Bruker 1FS-I13v). Окончательным экспериментальным результатом для данного вещества являлись широкодиапазонные частотно-температурные зависимости (панорамы) функции отклика в виде комплексной диэлектрической проницаемости c*(v)=e'(v)+ie"(v), динамической проводимости <j*(v), или коэффициента поглощения a(v).

Главная методическая особенность наших спектральных исследований связанных с легированными кристаллами, состояла в необходимости проводить измерения, относящиеся к разным областям частотно-температурных панорам, на одних и тех же образцах в силу их абсолютной индивидуальности и невозможности использования литературных данных в качестве ориентиров и привязок при дисперсионном анализе экспериментальных данных. В этих условиях построение панорам e*(v) в настоящей диссертации проводилось путем разработанного нами метода, состоящего в итерационном комбинировании СБММ ЛОВ и ИК спектров.

Подробно эта процедура описывается в гл. 2 на примере системы ATN. Для математической и программной поддержки метода использовались компьютерные программы, созданные в разное время С.П. Лебедевым, Ю.Г. Гончаровым и В.В. Войцеховским.

Последующие три главы по сути представляют собой анализ диэлектрических панорам, полученных описанным методом.

Вторая глава посвящена получению и исследованию СБММ-ИК панорамы функции отклика системы твердых растворов AgTai.xNbx03-ATN.

Система твердых растворов ATN сравнительно малоизученный объект, представляющий интерес с точки зрения исследования структурных фазовых переходов. К началу настоящей работы было известно о нетривиальном температурном поведении в этом соединении статической диэлектрической

у, ст1

Рис. 1. Панорамные СБММ-ИК спектры отражения Щу), действительной е'(у) и мнимой частей диэлектрической проницаемости А"Ш (60% МЬ).

проницаемости и низкочастотных спектров комбинационного рассеяния света [1]. На рис. 1 представлены панорамные спектры e*(v) ATN в том виде, в котором они получаются из простой стыковки СБММ и ИК данных, полученных в свою очередь из обработки по отдельности СБММ и ИК спектров пропускания и отражения (соответствешю прямой расчет по формулам Френеля и анализ Крамерса-Кронига). Бросается в глаза вопиющее расхождение. СБММ и ИК кривых. Типично это происходит всегда, когда на переходную область приходится полоса поглощения, по разному регистрируемая СБММ и ИК методиками. В диссертации нами развит подход, который позволяет преодолеть проблему стыковки СБММ и ИК спектров. Пользуясь исходными данными типа тех, что представлены на рис. 1, в качестве первого приближения, мы рассчитывали широкоформатный спектр отражения, и повторно проводили его обработку, но теперь уже методом дисперсионного анализа с подключением в модель наметившейся релаксации. На втором этапе расчетные данные опять сравнивались с экспериментом и подправлялись. Операция повторялась несколько раз. Для оптимального описания экспериментальных данных достаточным оказалось проведения нескольких итераций. Типичные данные, полученные таким способом представлены на рис. 2 и 3.

Панорамы охватывают по частоте три декады спектра электромагнитных волн. В этом масштабе, как видно, проявляется главная особенность динамики ATN - мощная субмиллиметровая релаксация, определяющая гигантскую дисперсию диэлектрической проницаемости и широкий колоколообразный пик потерь. Подобная аномалия практически недоступна для подробного изучения при рассмотрении спектров в нормальном представлении, как это обычно принято в ИК спектроскопии - рис. 4.

Полученную частотно-температурную панораму мы моделировали набором дисперсионных осцилляторов, добиваясь максимально полного совпадения расчетных кривых с экспериментальными. Параметры главной низкочастотной релаксация - она описывалась переторможенным осциллятором, - представлены на рис. 5. В общем случае наблюдается хорошо выраженная температурная и концентрационная неустойчивость релаксации, проявляющаяся в зависимости ее характерной частоты vo от концентрации и температуры. Смягчение

v, cm"1

Рис. 3. Частотно-концентрационная СБММ-ИК панорама диэлектрической проницаемости ATN при температуре 523 К.

V, ст"1

Рис. 4, Панорамный спектр поглощения А£ЫЬ03 в нормальном масштабе при температуре 650 К.

Температура, К

о

о

200

800

1000

400 600 Температура, К

Рис. 5. а) Температурные зависимости диэлектрического вклада (сплошная линия) и частоты (пунктир) СБММ релаксатора в AgNbOз. Черные точки - е на частоте 1МГц. б) Температурная зависимость силы СБММ релаксатора для AgNbOз.

релаксатора никогда не было полным, на зависимости vo(T) наблюдается минимум, положение которого по температуре зависит от состава.

Скореляировано с падением частоты релаксатора растет его диэлектрический вклад Де. В вдетом AgNbCb при температуре ~ 600 К он достигает величин порядка нескольких сотен единиц, характерных для сегнетоэлсктриков. Интенсивность релаксации спадает в направлении изменения состава от AN к АТ. В области повышенных температур температурная зависимость Де(Т) практически совпадает с температурной зависимостью статической диэлектрической проницаемости Ео(Т), что свидетельствует об отсутствии в динамике АТ.Ы на низких частотах любых других механизмов дипольного упорядочения. Макроскопические свойства ATN, таким образом, при не очень низких температурах всецело определяются его СБММ-ИК динамикой. Бездисперсионное поведение e'(v) на уровне высоких значений и малые потери при этом вплоть до СБММ частот ставят ATN в ряд высокодобротных СВЧ материалов, перспективных для технических приложений.

Нами зарегистрирована необычная особенность релаксатора, состоящая в том, что вне зависимости от немонотонного поведения Дб(Г) и Vo(T) очень сильно и монотонно зависит от температуры сила релаксатора f=Aevo (рис. 5). При низких температурах СБММ релаксатор вообще исчезает из спектров. Основываясь на правиле сумм, мы предполагаем возможность перекачки энергии релаксатора в более низкочастотные возбуждения, зарождающиеся в ATN при низких температурах. Подобная динамическая картина характерна для сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок, релаксоров и дипольных стекол.

В АТ релаксация отсутствует. В этом соединении в области установления полярного порядка (70-120 К) мы обнаружили появление новых ИК резонансов. Из литературы известно, что в указанном температурном диапазоне сингония кристалла AgTaOj не изменяется. Появление новых ИК резонансов, часть из которых активны и в ИК и в спектрах комбинационного рассеяния света, свидетельствует об исчезновении центра инверсии в ненолярной фазе. С учетом отсутствия мягкой моды это указывает на несобственный характер сегнетоперехода в Ag'1'аОз.

Полученные в настоящей диссертации данные по СБММ релаксации в АП\Т представляют собой базовый материал для построения в будущем адекватных микроскопических моделей. Пока же однозначно ясно, что доминирующая роль в процессах формирования релаксационного движения принадлежит ниобию.

В третьей главе рассмотрены и проанализированы СБММ - ИК панорамы микроволновых керамик MgTiOз:La - (МТЬ), Ва(2п2гТа)Оз - (BZZT). Приведены известные из литературы данные по ИК спектрам этих материалов.

Микроволновые керамики являются материалами СВЧ техники на основе которых создаются иысокодобротные и термостабильные частотные фильтры. Главным направлением в области исследования микроволновых керамик является создание материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, низкими потерями в СВЧ диапазоне и стабильными частотно-резонансными свойствами в широком температурном интервале. Для термостабилизации оптической толщины резонатора исходная кристаллическая матрица легируется специально подобранными примесями. Следствием легирования кристалла является разупорядочение решетки. В спектре дипольных возбуждений полученного материала происходят существенные изменения, приходящиеся на СБММ и ИК области. Исследование диэлектрического отклика микроволновых керамик в настоящее время проводятся очень активно в широчайшем частотном диапазоне. Среди большого числа микроволновых керамик мы исследовали два принципиально различных материала. Керамика МТЬ - двухфазная система, а твердый раствор BZZT - разупорядоченный поликристалл со случайным распределением 2п и 2г в решетке.

В титанате магния с примесью 1% нами исследована полоса поглощения на низкочастотном крыле собственного резонанса. Ранее проведенные исследования микроволновых керамик показали, что наличие релаксации в СБММ диапазоне - часто встречающееся явление в разупорядоченных системах. Для керамики МЬТ ширина полосы необычайно мала [2]. Нами показано, что полоса представляет набор двух собственных колебаний примесной фазы ЬагТЪС^ на частотах 45,7 и 52 см"1. Обнаружен также третий резонанс на 82 см"1, также относящийся к указанной фазе. Показано, что положение резонансных полос поглощения не зависит от температуры.

В панорамных ИК спектрах керамик Ba(ZrZnTa)03 нами зарегистрирован необычный пологий наклон низкочастотного крыла спектра отражения в области 200-400 см"1. Обнаружилось, что при использовании в дисперсионном анализе простых моделей диэлектрический спектр BZZT представляет собой набор фонояных мод на фоне широкой полосы поглощения 180 - 400см'1. Полоса поглощения имеет характерный релаксационный вид и связана, очевидно, с разуиорддочением кристаллической решетки. При модельном описании полосы 180-400 см"1 мы использовали формулы переторможенных связанных осцилляторов с учетом как действительной, так и мнимой частей связи.

Неожиданностью нашего анализа стало то, что в рамках стандартных моделей нам так и не удалось достичь адекватного описания спектров. При подборе параметров, удовлетворяющих ИК спектру отражения и дающими правильную величину действительной части диэлектрической проницаемости в СБММ области, расчетные СБММ потери всегда существенно отличались от измеренных. Причем самым необычным было то, что последние всегда были меньше.

В данном случае мы обнаружили пример материала, в котором явно видны ограничения применения простых моделей дисперсии для описания диэлектрических спектров разупорядоченных веществ.

В четвертой главе анализируется панорама функции отклика флюорита CaFz, легированного атомами неодима и иттрия. Широкоформатные спектры поглощения образцов CaF2:Nd:Y представлены на рис. 6. На рис. 7 приведены примеры температурного поведения коэффициента поглощения а на низких частотах. Картина частотных и температурных изменений а полностью соответствует представлению о том, что заметную роль в динамике этих кристаллов играют суммарные и разностные многофононные процессы. Помимо основного однофононного резонансана 260 см"1 во всех образцах мы уверенно зарегистрировали дополнительные хорошо разделенпые полосы поглощения в райопе 300 см'1 и ниже 100 см'1.

Модельное описание всех спектров выполнено с использованием трех осцилляторов - двух связанных в ИК диапазоне и одного переторможенного в СБММ области. Полученная картина в количественной форме представлена на

10000 1000 100

ТЕ

°10

а

1 0,1 0,01

1 10 100 1000 V, ст

Рис. 6. Панорамные СБММ-ИК спектры диэлектрических потерь а(у) системы

СаРгСУРз)* (NdFз)y для различных концентраций примесей.-ИК -

связанные осцилляторы,*- СаН2; О - х=0, у=0.01; ■ - х -3, у=0.03; □ - х=6, у=0.03; 5 - х=12, у=0.03; б - х=15, у=16.

100 80 60

В"

20

0 2 1 0

0 200 400 600 800 1000 1200 Температура, К

Рис.7. Температурная зависимость коэффициента поглощения а(Т) на частоте 8 см"', обр. 4 - х=6, у=0.03 и обр. 6 - х=15, у=16.

У1| 1У2

а Я [100]

Рис. 8. Схема соответствия полос СБММ-ЙК поглощения фононным ветвям для СаБг.

рис. 8 (вдоль оси абсцисс) в сравнениии с дисперсией фононных ветвей в СаРг, известной из нейтронных исследований. В диссертации подробно обсуждаются отмеченные стрелками процессы и возможные микроскопические причины их возникновения.

Мы приводим аргументы в пользу того, что активизация многофононных суммарных и разностных процессов вызвана нестабильностью подрешетки фтора в структуре флюорита. Переходы атомов фтора в междоузельные позиции является причиной энгармонизма и обнаруженных в диэлектрических спектрах дополнительных полос поглощения.

Легирование СаР?_ атомами неодима и иттрия приводит к формированию кластеров с пониженной симметрией и фиксацией междоузевьного фтора в соответствии с требованиями компенсации избыточного заряда трехвалентных катионов. Увеличение концентрации примесных атомов сопровождается ростом поглощения в СБММ участке спектра (рис. б) и устарением второй ИК моды. Существенные отличия по сравнению с нелегированным кристаллом обнаружены в температурном поведении поглощения в СБММ области (рис. 7) Температурная зависимость а(Т) имеет линейный характер в широком температурном диапазоне. Этот линейный рост поглощения однозначно указывает на доминирующую ролью релаксационных квазидебаевских потерь.

При высоких температурах нами обнаружен резкий рост поглощения в СБММ участке спектра. Модельный спектр высокотемпературных экспериментов содержит осциллятор с низкой, практически нулевой собственной частотой, что соответствует модели Друде для проводимости. С ростом концентрации примесных атомов понижается температура активации друдевской проводимости для ионов фтора в системе СаРгГШ.У). Появление ионного транспорта в структуре флюорита, легированного катионами с большей валентностью, мы связываем с двумя факторами: а) размытым фазовым переходом в суперионное состояние и движепием междоузелыгого фтора, и б) достижением порога перколяции.

Заключение

В настоящей диссертации мы отработали комбинированный метод получения панорамных диэлектрических спектров твердых тел в диапазоне 10п-10'4 Гц (33000 см"1). Панорамные спектры получены путем объединения

взаимодополняющих измерений методами монохроматической ЛОВ- и отражательной ИЬС спектроскопии. Этот метод применен к проблеме разделения механизмов диполыгого поглощения в частично разупорядоченных атомнозаметпенных диэлектрических кристаллах.

Нами измерены спектры комплексного пропускания в диапазоне частот 3-30 см'1 и отражена? в диапазоне 20-3000 см"1 на субмиллиметровом ЛОВ спектрометре "Эпсилон" и инфракрасном Фурье спектрометре Вгикег П^-НЗу. Максимальный температурный диапазон, в котором проведены измерения, составил 5-1100 К.

Полученные в СБММ и ИК диапазонах экспериментальные спектры совместно обработаны методом дисперсионного анализа, с целью получения спектров комплексной диэлектрической проницаемости, а также определения параметров дисперсионных моделей, таких как - собственная частота, диэлектрический вклад и затухание осциллятора, время релаксации, проводимость. Проведен анализ температурных зависимостей параметров дисперсионных моделей исходя из известных теоретических моделей дипольного поглощения и таким образом определены механизмы собственного динольного поглощения в указанных кристаллах и керамиках.

В результате установлены основные частотно-температурные закономерности динамического поведения нескольких типичных представителей атомнозамещенных кристаллов в субмидлимстровой области спектра (10и-1012 Гц 3—30 см4).

Выводы:

1. Путем комбинирования традиционных И К методик с методиками субмиллиметровой монохроматической ЛОВ1 спектроскопии впервые получены панорамные спектры комплексной диэлектрической проницаемости во всем диапазоне частот 3-3000 см"1 для:

- поликристаллических твердых растворов AgTa].íNb.(Oj - А'Ш (в интервале температур 5-1000 К);

ЛОВ - лампа обратной водны

- микроволновых керамик2 ]У^ТЮэ:Ьа и Ва(2л,&,Та)Оэ (в интервале 5530 К и комнатной температуре соответственно);

- сильнолегированных кристаллов СаЬ2(Кс],У) (в интервале 80-1000 К). Вьтолнен дисперсионный анализ измеренных спектров и определены

параметры возбуждений (собственная частота, диэлектрический вклад и затухание), формирующих диэлектрический отклик.

2. В диэлектрических спектрах системы тасрдых растворов ЛТ1\ на субмиллиметровых волнах обнаружена интенсивная температурно-неустойчивая полярная мода, демонстрирующая сильную концентрационную зависимость диэлектрического вклада при замещении. Та<->№. Показано, что известные статические аномалии диэлектрических свойств АТТЧ всецело определяются температурным и концентрационным поведением найденной мягкой моды. Зарегистрирован предельный уровеиь смягчения частоты мягкой моды (у«10 см"1) и аномальное поведение ее силы осциллятора при низких (пиже 120К) температурах. На основании этого высказано предположение о возможности реализации при низких (Т<150 К) температурах стеклообразной фазы, в АяКЮз и твердых растворах АПЧ. Показан несобственный характер сегнетоперехода в AgTaOз.

3. В диэлектрических спектрах микроволновых керамик М^ТЮз:Ьа и Ва(7.п,/гД а)Оз выявлены области поглощения, связанные с рэзупорядочением решетки исходных кристаллов в процессе легирования. Показано, I) что полоса поглощения в М£ТЮ3:1,а обусловлена фононами второй фазы ГагТ^СЬ; 2) на примере керамики Ва^ц2г,Та)Оз показана ограниченность использования простых моделей дисперсии при описании спектров атомнозамещенных диэлектриков.

4. Для системы твердых растворов Сар2(Ш,У) определена частотно-температурная область двухфоноиных разностных потерь. Показано полное соответствие распределения полос поглощения структуре фононных ветвей в зоне Бршшшна. При высоких температурах (Т>600 К) зарегистрирован переход системы Сар2(Нс1,У) в режим поглощения, связанного с ионным транспортом.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

2 микроволновые керамики миллиметровых волнах.

- промышленные керамики, использующиеся на 19

1. Г.А. Командин, Я.Петцелт, А.А.Волков, В.В.Войцеховский, А.Каниа. Диэлектрические свойства тапталата серебра в инфракрасном диапазоне. ФТТ, (1995), Том 37, N9, стр. 2629-2634.

2. А.А. Volkov,B.P. Gorshunov, G. Komandin, W. Fortin, G.E. Kugel, A. Каша, J. Grigas. High-frequcncy dielectric spectra of AgTaO^-AgNbOs mixed ceramics J.Phys.: Condens. Matter 7 (1995) pp 785-793.

3. Волков A.A., Горшунов Б.П., Командин Г.А., Григас И., Кужель Г. Субмиллиметровая релаксации в перовскитоподобных керамиках AgNb03-AgTa03. ФТТ. (1994), Том 36, N6, стр 1696-1702

4. А.А. Волков, В.В. Войцеховский, Г.А. Командин, Я. Петцелт, А. Каниа. Функции диэлектрического отклика системы твердых растворов AgNbiil'yjOj (ATN). Труды XIV Всероссийской конференции по физике сегнетомектриков (19-23 сентября 1995 г., Иваново)

5. V.M. Ferreira, J.L.Baptista, J. Petzelt, G.A. Komandin, V.V. Voitsekhovskii. Loss spectra of pure and La-doped microwavc ceramics. J.Mater. Res. Vol 10 No.9, (1995), pp 2301-2305.

6. Kozlov G.V., Komandin G.A., Voitsekhovskii V.V Far-Infrared rcsponce and origin of diclectric losses in microwave ccramics. Program and abstract The fifth Russian-Japanese symposium on Ferroelectricity. Moscow, Russia, August 22-27,1994, p59.

7. J.Petzelt, G.Komandin, V.Koukal. Infrared and near-millimetre dielectric spectroscopy of some commercial microwave ccramics. Proceedings «Electroceramics IV» (4,h Int. Conference Electronic ceramics and applications) Ed. RMaser et al., Vol.1, pp 17-22. Verlag der Augustinus Buchhandlung 1994.

8. K.B. Ферстиг, T.T. Басиев, А.А. Волков, А.Я. Карасик, Г.А. Командин, К.К. Пухов, В.В. Федоров. Аккумулированное фотонное эхо и процессы оптической дефазнровкя в упорядоченных и разупорядоченных фторидных кристаллах с ионами Nd3+. X Феофшовский симпозиум по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 1995, стр. 75(F-II-3).

9. А.Уа. Karasik, T.T. Basiev, А.А. Volkov, G.A. Komandin, V.V. Fedorov, K.W. Ver Steeg. Optical Phase Relaxation and Far Infrared Absorption in Ordered

and Disordered Nd3+ Doped Fluoride Crystals. Conference Handbook. International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter. August ¡8-23, 1996, Prague, Czech Republic. P12-75. 10. A.Ya. Karasik, T.T. Basiev, A.A.Volkov, G.A. Komandin, V.V. Fedorov, K.K. Pukhov, K.W. Ver Steeg. Optical Dephasing Processes and Far-Infrared Absorption in Ordered and Disordered Nd3*" Doped Fluoride Crystals. Technical Digest, European Quantum Electronics Conference, 8-13 September 1996, Congress Centrum Hamburg (CCH), Hamburg, Germany, 12:15 QFD6.

Список цитируемой литературы

1 M. Hafid, G.E. Kugel, A. Kania, K. Roieder, M.D. Fontana. Study of the phase transition sequence of mixed silver tantalatc-niobate (AgTaiJVbjOä) by inelastic light scattering. J. Phys.: Condens. Matter, 4, (1992), pp. 2333-2345.

2 V.M. Ferreira, J.L. Baptista, S. Kamba, J. Petzelt. Dielectric spectroscopy of MgTi03- based ceramics in the lfl9-I014 Hz region. J. of Materials Science 28, (1993) pp. 5894-5900