Перенос горячих электронов в многослойных гетероструктурах на основе многодолинных полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

САРАТСБСгСЗ 0РД31Л. ТРУДОВОГО 1СРАСНЗГО 2ЕАГЛЕГЛ. KCÏZ.i?CTSZHEÎi3 З-НЙБЕГСГ'ГГЕГГ га.Н.Г.ЧЕПЕЕЕЗС-ССГО

ПЕРЕНОС ГОРЯЧИХ ЭЛЕКПШЗЗ В ;.ЗЮГССД}Й2Ж П1Г^?СС7?ЛП7?ЛХ SA CCEöHH ^.ЖШлЮЯШЕЫХ

полтигсводнинов

0I-Q4.ID - fesEsa шлтщхззодг-зпзз з дзэяекграгоз

А. а т о р а ф э р а г Д2ссорт2Щпг на согскалзе тчэнсЗ стгавих яандалата &зта>-:изтега'гсггзсг2х says-

Сгрг»гзв-Ю32

РаЗота выполнена в Саратовском фслиале ордена Трудового Краткого Зпакстпт Ннстгтута радаготохкгаст; е электроники РАЕ.

Научные руководители: - доктор тог.наук,

профессор Тагер A.C.

- доктор фаг.-ыат.наук, профессор СалйШЕ Е.И.

Oj™:üEbHiie оппоненты: - доктор физ.-мат.наук

Гурввач С.А.

- доктор фгз.-мат.наук Иванченко Б.А.

Ьг^-^я оргаетзацпя - НИИ "Волга", г.Саратов

Защита состоится " 2В " маА^ 1932г. в

■часов на заседании специализированного совета Д 063.74.01 в Саратовское: государственной университете тг.Н.Г.ЧорЕцаевского по ацросу: '4I007I, г.Саратов, ул.Астраханская, д.83.

С дзссертацве£ могло ознакомиться в Научной библиотеке Саратовского тосуниверситвта.

Автореферат разослан " ¿¿У"" qnpejA-_IS92r.

секретарь спгциг лгаправапного совета

Ашгкгн Б. К.

«готсц, ! 0ЕШ ХАРЛКШНСТИП гАБСТа

—

Работа посвящена теорэтл^есгсму лссле^оазлгэ -зрепзза го-ря^спс электронов з многослойных гзтэрзс?р~стурах /Г С/ сснз-Б9 месгэдолинных полунрозоднпксз, ,-г:;гл:;г,7 язлзнил отр:а:з.тог.ъ-но2 даздереятальноЗ прсводдаоста (С~0, сйусяззяг'тсй пространственным переносом электронов прл пр-л.ю^э'.п::: сильного продольного электрического поля ъ разработке т.э.тгг.'аглчзст™ мо-целе2, ыптснвзагзшс зллянла гоЕструктавакх параметров ГС (гсо-".тзтрпесглх размэроз, урошеЗ легирована л ссстаза слой") на осяозкна статггчэснпе л ;цпкггпэскпе харазтортстгкл ОРД.

Апт? алчность Уелзхз пояугрсгс 5пп:о гзоЗ техиологгп:

шргсзваЕия тонких сгоеэ с гэдзаЕнот пгрг.'зтрг-.я :: твн^зткя современно:1! элехтрсшпс: к поштаниз рабств частот прлгол:: з сО-з года к-поязлеваа нового зигсса полупрсзогпптагых структур, прэдстазяязхзх гзггстздкзй лнтэрес для разработет ^ых СВЧ притЗорса см л даапэзоноз. [I] . Ото !лногосло2тша тер о структуры с сэлвктззшш лзгпроЕан:1г'Ч /ГС Л/, сбразогалтпге сяэякл сяльполегхроншзогэ зхрогэзсшхэго л частого уззсзопно-го материалов. В отсутствие гяопзэго элактрпчзсксго поля электроны, стремясь занять пэгвгажге с иллегально:! яотз2С1з.;.еь--;о2 энэргпоЗ, переходят в узкозсяпнЗ полупроводзих, образуя . даулернкЗ ™лз ззаззздтггернаЗ эяактроннкЗ газ с внссксЗ .псд2Л2~ нсстъа', лпгалппозанниЗ у гранита гетероперехода [2Л . Сильное электрзческоэ пола,, направленное шзягь слоев, приведет :: разогреву электровоз з лх сбратнозлу изрегоду з хгрохозопнш по— лупроБсднпн.-"аисй пространстзениэй пзргнсс ( Я " х^яХ

¿/мъес. "), яе .тиэзггп! аналогов з 5пз™а горячат

электронов объежнг материалов, птшгодлт г. р.'щу повнг фтзхг^а— . <жп эффектов.. Еапр^гар, переход элгкгронсз з т-таторигл с ыеяь-зеЗ поязееостю мог?? прпод^ть ;; с^разозалпг) пспсл^зс-

заться при созданны ЗЕссгипастотиЗГо гз^эсатссд ла ниг ГС [31 . Достознстаа такого госэраюра, зли. ПП'тезлос^,; "огли ба состоять з зохжгксстП узравжнзя горого-

зым полек к тастотнки щгздеяп» 051 путем годзора алрййчтрзз *• структуры. Оалзалпсь,. что при ^алсЗ тслг.лт сгзгзз таках! преззоидет пс засогочастотно1Г7 рабеш грз^г^пбк^-!! ; '

даод Ганна» =г свжгггЁаов лбгтхрозангга ззлт^зтс» т."-"'

^уэ, 72М у ос^елакг :лагер2пж1В,. стггп^всатз- "р-з^

ебГ: дгийово!: с-:орасти электронов от электрического поля С"(Г). В лосладнее время на ь-когослойшз ТС на основе полу-г.гоьсдкпкоь А^В^ ерздлоебек 2 реализованы транзисторные сггуг.тгр-; с использованием эффекта переноса горячих алект-гонсг ь реально:; пространств?: пеленге транзисторы с от- . рпЕгтсдьта: сопротивление«; ь канале (ПТСС, 'Тран-

кистор-; с ЕЕг.екЕяей заряда через барь-зр (ТьЗ, СЖкл'З') .

Б связи с гтп; ввсыз актуальны:-.^ является теоретические исследования свойств 1ЛЮГОСЛОЙНЫХ ГС г разработка математических ь:одеяз15, гщепхатпс описиБанипи: наиболее суцоственные особенности разогрева и переноса электронов б ГС на оезове кногсдолзкгаг полупроводников». Ирг. это:,: га-пно знать влияние конгтрук-гиднки параметров структур на статические 2 диез»сче-сгие характеристики ОХД. определяют, в конечном счете, рабочие характеристики активных приборов Еа :.шогосло5шг ТС.

Лель н5стояпе£ • тсю'отк состоит е:

- теоргтпческог.: анализе переноса горячих электронов в ТС с иалои толщиной слоев, предназначении для создания активна вхзмзптов с переносок едектравов;

■ - моделировании методом Монте-Карло переноса горячо: электронов е многослойных ГС на основе ипо-

.годогнкнии полупроводников к расчете характерных времен переноса Бяектронов;

- разработке математических моделей, позволяющие адекватно анализировать наиболее существенные особенности переноса горячих электроноЕ Б многоедэ&шх ГС;

- ЕсследоваЕкг на |азработаяЕЕК коввлге закономерностей, связывавших статические 'И динаигчесгае характеристики СШД ТС с параметрами подупроводттковоВ струкзурц.

Научная новизна работы сострит з теоретической исследовании переноса горячих электронов е 1С, щвдвазЕаявнннх дая создания ектевикх элементов с переносом электронов.

Методом Монте-Карло рассчлтанк характерные времена переноса электронов'в ГС , с црямоуголшад профилем дна зонк проводимости, оцредедящие частотный иределОДП.

' ^Разработана аналитическая теория ОЛИ и исследовано влва-ние хонструЕтпвайх лараштров ТС на величину, пороговое поле и -частотный предел ОДП в ГС -

Проанагззпрозанн особенности герояоса в ГС ¿--а^ч' -» сгеталнаэ с огтгсзаялзгл ¿ - я 2-золл-н зона пзс-^ ^ с росгзм -г .

^лд^ллл, зизостз-лгл ~а защиту:

1. Разрабсганпиз модала послззсзато лы:з узз-ткгазт -узззззз saç2:-a?çoa IS (rocznn, уровне л лэгзрозакзл гг сзстаза слоев) на ззреяое гзрлчзх злектр.зкоз з rr-sroc-ioiliiisc Г" за ослсзз млегглолплнып: золупрозопззгзз, зго пеззожтб? зрзглз-нлтг. тс ззз анализа. переноса, рас~э?а г сстхпзаял:: статлз'з-зпгзс .зззглзчгекзп ларгктослсл;л-: СГД в лпззрчеззл ГС.

2. 3 :/зогззлс/лзчл ГС - ^'¿^ С С. i) ; зряглзугзлзлзм rvr.z:.: зза зсяы зрозозлглоезл зкгзд зрсстрглстззз« зого ззр^зсса. л согглзрозаЯЕз зазззл:.:сстл v (Б) зля кзг.ззгз :т:г.л'.'тля зл^кзрлззелого золя 30 л егкелровлпнегл зсстлслгзл:: гз.л^л ллузлезеннзгз а^ л у^лезензогэ «V сдсоа (ллз л:;..:л--с-лого сссзава зроззегз собдязвная -с ) ^акезглалаз при сезз-лалтлем -зазевал иг (злз .<(,/ с/* ). Пел этом о^ректигиссгь 2c3pac?r.s-r с сопгзеепсм урзгзя лзглрезазля ггрохоз-згкеге

7Z3.ла (ллз тзедяченгеи -г ) z зреязллезел з езруззураз с á.W, ï ÂBTJC-ïpezsçaîHoa узздпченгя абсолл/гзсЗ ээлгтати езрззатзлз-сой длЖер-внггальяоЗ пазЕЕЕОста л закоткси зенпнгкза пэртз-ого лоля С-ДТ лз сравненлз.с о^земюсл тлет-лм i^a^i .

3. 3 гл-пгослойпл: ГС иаЖ- „¿¿¿Ц .¿i ( S3.> G.4) о зрлпе-гслззи.! з^дса зла зоны нрозопльгостз зг-слзз зрсстр-зотзезззгз греззеа а 0Д1 для карего зкачзная злзлзрзззезогз соля Г., аггс:з.;гл5Н зрл схгг:~:алззс!л зезборя есотлоггзпля золглзз слсгз л г.лпесгссго о с с тага лт , дзеззгаззея з структурах с ¿¿V ;лззсззпо озуезаллл ¿ - z I-ззлзз зезл зрезззтзэтезгт

:з узолглезлз «г з зрслзллезся з сг^гстзсписх.; узаллзозлл Z. за порядоу.) а^сслл-глсл заллзлзз ОД1, а ?2зз.э узэзз-г-злл к-эс:-:сл:-.кз раз оязспэнпя / ;; у-лопзлонзл ззро-

'2С.ТЭ ЗСЯЯ'СГЛ ЕЗ сралпоглгз с объСГЛЛЛЛ ЧНЗГйЛ .

4. ЧастотзкЗ ире^.зз 01Д 1.зюгос;гз1н:лс ГС ú'^v-í -Рйяхнхтезятся гаезггврнззз-: зезглозаттл S3 Г з зз ср-ззоссаззг зтотзгл*! зрезол :>5>¿cra Ганза з зелг-лзоп ¿г?»^ , з'ли,-;: :";-

зрл атностргзлзпсг^ углгнъзеззз телгззг: гзрекозззлзго э.та. 3 структура-:, гаг з-гяад ÍÓT з G~I зрл кгксй?^он ¿лагсдаря лззт^ору ззрагл^троз, 'ч-азтзз:i сл."

ü

тлалсслгкгтздтсЗ СJZL ns лрпЕос::о!с'т S3+SG Hi; up: з: «í С,4 г л: .40 ITa цр" 0,4.

Нгучкал :: щ~.зкааа?паая тшпнос?:-. состоит в том,

пго з нз2 б рангах екшогс кг-тяного aoaaoai рзесмсгрги пере-ИСС ГОрЛЧЛХ эясг.тропов 3 lîBOrOCAOclI'jx Г""; в ГСГЗГПЛГ': GXS-

,-ппн ог;гаг.2 срзделыпгс ^сзг-гаглосто;. I'J С о-¿i -

по «зхпкш г чаотоанс:.:;/ aparro аа л slic-зяо;: кллгс структур, азрспэаглаааа .таг созхдкгя в::с';г.от:ст':т!Пг; rarr.rs:;:-:^ элеаентов ггртюсс» гл'лгггопов. Иргзкс*--п a ааааха азтсгска:.: сгддз-oisíczzz'j HoßEj ЕОлупроБо£пп:саиЛ ¡:p:a'."-p - * ГГ, псзно-рс-алазоаааз ^ацсглз-.ап'мгоз tscpaial paí-ar-iesaas 2 ::о£о аггглцвгЕЯ райсгк рпзраСог.х: т:з:л:локз ^icsiarrrïdtsns: :.:о-

л äporpxü, а.;сааагно oaacaaaaara: npciiacci: разсгроБ'л .: аграазоа олЕатрзлсз ti aiîcrcacaaiaaa а:.л^арг._::алалазс л. ГС аа; ал псазас. "íacrb г^чгг.т cr¿aaa е .[о»-; -Sa '/"Г ':: Л-ас.-га-

а'/лагогоаллкоьал car

?.q¿<vrn. Соасьнц-э pcöy.tx.tuTii pad ал а ;c-'ci- па .i :: fj. ííeccoianaa аслферслааал: по .лазааг полуароалаал-азз va.iliaca, isgïr., r.ií'XSiSB, Г, Я ¡г 2 Гозсоазиигс

аазаал-оогаагараа: "Бзаалоазисавае элсаарсаагналана вел;; с солу-ar.oaj;aaa:a;ai л и с -rjn г о*; о j у ; : ' ла:з-газл!а:зр:1чеслл:.л1 саррларр-—"" (г.Саратов, ISCcz'., 12 CiL'. :i IS'CIr. ), 17 7 Бсессязасй ксн-ф-рти^лс; п1пг:пзс::пз ггсчосегг х< ггслу.рлг-охгп^соп.'х гетеросгр-ук-ír.Maica, iCÔGr., г. Колота, IS SO г.), Л Всзсзузшал cai.:-тозл~:.:з "цгаза.а a ноустойчлгоста з auayapoiir:аатлал;" (а.Вллъ-пзс, ISCír.), :и Icscoacaoll лаучасл Eoalrrcr'^iS an гаароолеат-(х-Лбиллен, I'JBTr.'), Я'^сосс^зака аоаоаалла "аагзаата-чесаоо аоделаровпдао а а/а а а/а праборга" {г.:апслаа;гь,19ссг.), Зса.тл.ааоа лаулло-агаллчеслоц a:a:ja; ал;лл 'Yarryoaaiaio ::со<5ло-:а: зазатрелагого зраборосароалил" (г.Погоолсарек, l'J-sûr. ), Воз-езлзла; мсгэдь'Х уаолаа Торлчле алэлтронл л кзл-

^аалаа:;; аалгааа в аолуигоьодаак^а" (r.H-'ца, ISSOr.), а таа-аа ar- ai'7aa-a: со:аа;ар:а: Саратоасао;: а ^разан^а^: частях :1?Э P.UI a ía:: "Hcxgk" -

"-•"аа: '"а-. Зопго ас опаэрлаа;а: дасскрааааа :п;-":лаасааас

^асоса. - -

ra a r-ícTí г^л^ггатта. Дассс-агзта! ссоазат as

ВЕаденпя, четкрел глаз, запличения и спгска п-

тзратури из 77 назвал^. Обьск згсгертадик 130 страплц, э го:.: числе 55 рлсунког г 3 тзблнтл:.

РАБОТЫ

Во зноленяд сиосповала актуп-лькссгь тв:д1 дассгртгшзг, ссэр:.г,'лцроБаны es цзль :: "ннсс.л'д;? па защиту изучи;:' излсл-с-ннл, гг.аралтерлзонапа нгупгал подгзна, г. rairte кратко нолс-р-H'j ссдгрланнс ne гллгг:.:.

В пергз" гдало на сспозэ лптерлтурн-я. дашпс: проапаяпзг-ровзло ЯВЯ0КЛ9 СДП в гет-ерс структурах с селектлхпаг: легированная /ТПД/ при ргзогрзвэ электронов црододпипаг элеетричесзпм пол"", н сгл-.злпг основные приборные прпсзЕенгя э^фсета пгро-нсса горячил электронов.

Прэн-здзн гркггчесхй- анализ методов расчета переноса горячил электроноь з мЕогсслгГлкг ГС на основе ьБэгодошпзаг ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

¡¡сказано, чтэ для гссгящовалгс аирокого круга яеявеп2, снязыгнюг с псрс-аосо'л гсрггпз: злэлтропов в рвйяьках 1С г СБЧ приборах на пх основ; наиболее yiíaómsss кз тсчпыг числс-нскл методов являете,- "зтед !.Ьп?е-Езрло, £ гз щсбянгшилсс сг.нс:ле-пологнческил - пегод, оснозапвкй на г-ленни ур-авнешй бялзнса анэргии, icciysrca и числа частщ с впелена^и рэгзкеадгп е лс— лдезх,- енчпслоянькн из статические харзэтористЕ?. материалов

СЛОСЕ.

Оточено, что к началу настоялсй работа не было разработано аналитически;: нодвдеИ» адекватно олнеклапдпх влиякп--"снструктнгзтл: параметров на статические п длна1лл?;-:'::т:ие лг-рактэрнстнкп ОДЗ в шсгослепныл ГС, а при моделировании методом '.Ьнте-Нарлс делались весьма серъезнке, а зачастую не~ сцраБедлзпао приближения относительно зонво?. струтгурп лир:— козенного материала ( S' Ста -М:- ) л профиля дне зоны rpo?. дикости на границе гетерошрехода [53 .

Вторая глава посвящена расчету катодом Uohtç—Карло ла-рактерныл времен переноса злектрснов малду слояж ГС -

, определяющие, наряду с временами релаксации энергии Г£ , импульса и ыелдслинных перелодов т

шутрд слоев высокочастотный предел ОЛЛ ГС.

Б

с^ачексл :;арактср:пс: гранен прл:.:с-го zrT, г обратного -r.vzr.zz?^ (п:лекс I относится г. узкозонног.гу, 2 - к пгропоьон-г.;атср::ала:.0 неэбхсдпьаг ддп акдлгга свойств гдтдггнг прг-о:;-.-:-- ::г. Г" z пгрспепт;:енозте дд додользовашх. Ирг ракетах

ддраг.тср::стдд ГС с зо~одьб jraE-icsd* г.злакса ■."сг.:л:г-р^опз С«^ Еаттунагс е геле фс-комеЕэлог^гчоскид

3::гк7х ::а?йктгрндд Бранен необходим для разра-сг-гд а;-:а.~т;:ч-:. сгаа*: ктделс£, пэзвздязддх проводить оптж.игзг-нарздтегаотЕЕ ГС.

Хвосте с тс:.' г. началу кастоязс-£ рабс-тн строги: расчетов гре:.!гг, например, гетодз:.: ;,:эптс—льрлс, не нровс— , а значения еехс-еигесъ на ссновз кнзиакслоггчсокнЕ г зотст;- де всегда достаточно обоспсзанзаг 7ТБет£:дгдг£'.

Ьо г,тс>о£ глазе дг-дрзбна еддоала кетодгха '.'оделлродагдя г: S 7 Иодте-Еарю. йсдсдьззвалась /"/Л - ксдидь зо-

:::.* дроь-'лхллоотд обос: г.:2тергагпз г унггдвалнсъ г;с. осно^д^з

едт—i>or.ct, адустгчгског., дрдмсспое, a Taise ы-з^злззшое рас-c-.'imic-). Ь ус.ЮБДЯй: раозгрегз эй\,сдтд, елгзаяпие с раз:гвр\:кы ¿¡гддтодадлс:.: :: нцрогзендек эгедтронзогс газа, предполагались

а не утдгдваддсъ. 1асс:.:агр::валдсв доргдодк толъдо кгь-ду додддацд риглЕ*ддг: слоев. Ей' это; ооэлгда-

zz.z- углагдт содг-аы-нгл знерглЕ г еродояьео£ ко:лгюногтк ке~-ггдзгзудьоа. иэдеддрованде лрсводдлссь для ГС с дряглугольнкг«-г.:":: дна ьокн лровэдслзстд, тзгдд-щ cross которых ддд залаъ-деге- уровня легирования в-гЗдралдсь довкзз длдне "раггква-для Л&сая. liieHEo тякпе структуре представляют надбальзд!' zh-геге; для гоегдг.ання знандтзлъгдг ОдП г дслэлЕзэвашас в активна;: СЗЧ пряоорад.

Ддд ГС с прямоугольник бедок дна зонк проьодтостс з ДрСДНОЛОДСНЕЕ ЫаЕСВОЛЛОВСКОЙ §TiCS05Z распределения полувеке аналитическое внраленЕО характерна: врекзн дороходз черзз тадп:, дарзлтетрд ГС, как зЗп^г.ТЕЕНыг кассы электродов в долина;:, олог-тронные температурц, толщине chose, взлетшш энер— , готических зазоров кегду долннэке.

Истодоь: г.:энтг— I-лрло показано, чте все харашх-рные mss-с;го.:кые вг-емзнь. достаточно точно опнсывавтся получеиншлд вн-

за ec.i:;e?i£î:;:c:>; врс:.:он;: в едльнаг полях

CL 4 1£/сд), которое оказывается sasvze-mnia. lias следуст

•э

пз расчета Зупггп: расяродэлзггия, ото различна с-иълсплатгл эз стхлозазчэм от :.1ако Голдовской в области знорг:-:"Л пор.ги::-долинного зазора з А?„¿'л и зыгтэ. По;;С'нал ситу.-лля п:.;з=т ?.тзсто при сзазкзнлд средних зрекея мег.тс:т.лпог'; пзрчхсдл з ойгемпом , долт=й<пяхх методе:* л з рен-

тах скедчниогэ "!а::с;>эллсзсисгс распрог.олз::::л, -.то призедл? к необходимости з псслегпом случал кг.;:гс:ст::р." гаг:> константу ■.'яздсдпхнсгз зсаиходгЗсттхя. ?ззн;и:а г<.-:.-.ду л тор:.:о-

•заисгпсннкл при одпсм и г:'.: -з о:.ал-;:::::: подл узйлл-

тзЕаетсл. с ростом 4 , лтс е~:г::::о с ет.лп7.*:л

'зори; '"лепт;: раопрздзлолпя з с::лг.-'.?:;х .:•: :■•:::::: лз:"::: с: МазгдчсгзгкглсЗ.

~ует отлгтиз з услсзилх л ло1ллзз.ггзп;дд:

са:сТ2:;-г:~-.ад гзрстьса з Г" —с г.--.:."™

(;•: ¿3,=) и > 0,4) значзнл..:.::: лг , сзяза£-

с гиуохаллеу ^ - зд- цслип зоян чрево гиглоет.: ¿/¿бал-* о рсстс:л ¿г .

При л ^ С, I ослоило-! о?:лсп олзхтропагй: происходит рзз Г-дз:п~л слс-=? а наиболее язляется / I л 2

переход из-за слабого разогрева здохтролсз з Л -долинах г.атз риалов (I - долина яр:: Е & 1С 5-32 :'2/с:.т ирах-

тхческл незаезлснз). Зр-;*«г. ^ приблизительно 'лдц-зНьо сп-егсит от тол^днн слоя ¿1га^ з а затлей юстз от ларгл-зтр. -з структур! тхвкглгется от единиц пс з слайд: золях до един™ ас 2-10*15 х5/с:л, Бр-амзпа обратных п<=ро::с-оз отнседгс.с-но слабо зхгенянггся при злуанзкпз лея.: -¿пело нрпбдззит-дь-яо лглеЗно зависят от толппкн слоя И-а. . Это лгс'."::?о-рсчхт известно;.:-/ утЕеркденхз КЛесса л др. Ц5] , працлепхг-гпх при сце.т-'.о часгз-гнкх згойстп ислолъзсз'яь з^^г.узлег-ь'з'з зрамя, предо раональасе кзздрату хлрс:-:озз:п-ого слоя.

Для выяснения спзлчзск-го с:ас::з тардхт -ря заплеггеегл времен обратного пересода от тодгдиЕы слоя злоз^хрз^лаоь задача о случайном блуздангз частил: гдола слоя г сгТзТйлелц те лродельпыэ фгзяческяа едтугцкд, которое с00'с1-згсгьу?:х тор-:гозгл1ссиошго;.Г7 ( ) л .дийТузиснному ( }

щюхаадепил частлш через слои.

Зрэкена обратного перахода электронов .

с ростом а; (нз-за увел:пеяня зсТ^жкгглах :«асс /л.4 ф .'о,; )-

к при 4ÙZZZE2Z п::рс::озознзго матзркага et* > 200 л пргыс^ет Bpe^ï ¡¡îcs^oianiHoia copezer« 2 оо'^я-гоа сл?2^,- ~G,2EC.

3 1С с jc > 0,4 оспззпей г. С::, за оде;;трзкздз: прегеходат через L слоаз (в с."^ -^< ài'trj. ¿¿Hz }.

lÎHtîtrnoîûiDCîi. тааяс струкгур спродагш^гся вгекакзы serosa

■ г- — Т > 1 \ -

г.дс-птрзнов 23 ^хроксооняого матсога-и v - -

с;;а"ательпс suno, чег.: 2* ГС с .г ^ 0, i. I^ltidck*: ого сбглс-аяи-ся тем, что самая к:;гняя И-дод: аа ослы siegcwsï рель своеобразней .;сз;."Г-:л -."=1:грз!:ог: пзгаз з затрс -кззопнш слсЛ, злелтроя слктлеллтзя а :м ¿¿у. 5 епду сласого разегрга с-дг-стр.:т:зх- з последазл оас£--дзн~ -оегь L -лодгпл; гу^.^г-::".;: зезхз-га z-.

лол ~ 0,СГ+0,С4 ( ^ --- C.ci-C, î) л лз:л

едлтглл: ас при £CQ Л > lü

- тллт.' опдеана раозазirv-лллл :«с_?л;. .::.

apocrparcTio:!i:3ro пзрзазса горячке з iC.". з

злзгтргчзелогз яслл баз учета лзглза зоян ifpor-c,nzr,-cc;2 7 -oasasi гетероперехода. Оно. дрл^зплла для рг.сгс-та тг.рллгорлцд. к&ксдойицх Брс.'лзп занлз;з.;остей гу^,» е 1С с прл:,;оугодьтк ел дол; да зека rpciw пезета a osaciaga на юлзллззслнж цродзссос переноса г сбзхздтл-; .\:аторлаяал, лз "отоглх сфо ретро ьзна ГС.

;,:сдел**гован:1з RSТ кетодоу !Ло1ГгеЧ£арло позволяет учесть reo осногяыэ механяггчц одссеяклл олсктронсв, особенности зонной структуры катор«:-.тов, а таг.~е кокрчвяекпв цна попк срсзс-

на граплцв гетероперехода, но требует ¿^лхдхх затрат :ла.лл1ксгз эро:леих-л пс1:р.'.е:гла\:о для характеряс-

тлл зза-jûîii оа/и1ог<зд>:;:кошх ерлбороз. 3 csesîi с зт:зл болг-:ioa 3;:."ло:г^о подаигитгог р^игиботка пряб.ссгвЕШК, 20 зфтек-тг;;-:зтх п па юзлтокеост? zpovizz патова расчета дс-з^онж ха-р:зстзр^зтпс эжктрсноз з ГС.

П1г-г.тог.бж:гй мозоль сс::з?лна спг.йуггггг гзажкоиоркс-ст:':с ";озтрзистпз:си".го пср-зкоса, ?.1:ягг.з'а1йх npz зтодзллрога-н;::: ¡IST .-«от.'-цом Мсизз-Парло з ГС Cm-Jt. - . 7с-

тагте г.зйяс , что прострапстй-злнйП' пс-рэнос EpciicxsstT з десяткл

сст-Xt раз тьлез, чей 5рсх;зсса расозла;:л зг^хра слоов ( Тр, ) з а -1зр9К0С1^:гя прл отс:л оасрпгя сяа~тояьно кеш.-тз газлзг^ ояелТронов з дожкгх. Гозгзщ аа

з;1;зст?сг;:огз на £.(>р:х/ Tynr-t^::; распргдоге-

нпя к гдд з?.гдс:?:ос:ге.£ м:и:рос::сличеслнл ьелпчин СпсдвкьЕс— слей, вроь:зн роладсадлд гпсргдд :: iгмгулвса) сг cpar-is" знср-гли злэптрспсв в долинах. Сикало сс-отезпйдпс 5зс2лй-ност=£ долин, завпслдс-е от тодди: слоев л ейллчлн гксргетлче-сппд лазеров меллу долинами, огдгпастся от состнетстнулдлл г.к?Ч:— ни1 в обнемнгл: материала::. При его?.: s системе возникает круговой летел лаг?:^ ь лгпрг-влснпд сухарной скорозтд легелода, котор:-!!- г.ллло-тед причине:: отличил величин сроднен дреЛналоЛ скорости злсггрсдсв л слоя:; ГС л с-0'_з:ддк материала::. '.-тот tvl-cnr нез7:нчнтслс.п (кзмокснлэ состколздня засс— яедиаегзЛ долил ;: елорасти в слоя:: гз црезсслеллг ноололз-

ес-сл.» ллл дчуллслинного до^тфовсднлка лр;: стсутсгЕЛЛ пли ола'ои связи ;.-:-зиду паро." доядп скорости в слслл л заселенности делит. точно соддадзд? с лл объзмщдя: зесчокцке.

Сягредолендр заннеп.тоетн ""'Е; в ГС сводится, такс.; оораьо:,:, г. опр-одолспп: залнсд^зсте* (Г) в долинли сбнем-

;нл: гдгердалох и р'лоппо уравнении баланса чнслг. частил в здст^мо. Частота мо-дс-лн-нн.- лгрохгдсв внутри слоев, лхоля-

згй'о дтт r-rp-::pa::au::r..i счгрзстс-Л мелнолппиого^ рассеяния с

~'J:.c:.*:::r: •■спален v.;. голо:* "онте-Парло. Ьог настоны мео-з.лол:-г.-. переносен, креме w>,rii , короле rir.:-.LT~-

:сл лоргл.-ло". торнсолентрочноИ омноснл. Для нннолненил л:.г:.:з~

:ое усреднение непорочней компонент:: ср.: ли а/. дроп.нсг.::". о:н.~ -'ОСТИ олоноронов.

Р, S Т гетоло"-; Монте-Карло ллл 1С с Ç;u:crj г.?".*лг.": тел.::: ли— с слоев и величине" разрыва зон на гранило, ;/с:.-.но сиг'Л- — п:ть с^^ и для нроиеволо-лл: галдгг, ноололлиу огнопопн:.-5pp7.-sh , нлчнеленпхп: методе;.; "енте-::—ло :;

гналпгпче-екп, определяется только (ГогмоЗ frsxar; рг.сгргд:-".-:— нал.

Дп5Дмз--2сгг.зм преклоненной коде s: является дроотола., рлзсчсская дпгляднзетв и дпрокле нее: томности для J ослод: глея, а ее точность огрчннннпеагтел стлдчи?лл к::ччспгЛ cpi'tic-::

ыяк скгрсгя«: в долинах ГС к объемных иагердалоь, кото-рос для ГС с; етшзугг дьнглг видогг дна зоны проБадглите не зрглс'ззозл? ~ З^Г".

Е зрегьсз в лряблзгездд кэдедж взлвого обедзенгл

зрхз-.оггазизз: о'лаззг;: в слабьз: псдях сд&лаза оден-

вдзянзя гзглба гла зс-;з: зрсвздзглэсзз на взз гавзямостн Г' (Г; ГС - „«& с ¿гГ, -40С А,

с-.Г", гз;з:чаг^:гся гсэшал легкровзнгя л толзлвсз гзгрскогок-зл:я /;,,<. *ХСГ' 4 5-ГО17 О!."3, =-£гЫСХ к. Зедкчз-и. лзгзба дза 2013; зрсЕедгслостз % для различных

сгзу-зур ззнвзяотся ст ^ 32 до 150 кэБ зрл 3 > 2 зБ/стл. Разогрев сдркзрс-кизгэ газа грсвздп? г. поьщге-пзз влсозк барьера за съ-? белее зптенсззззго керрхсда злглзр-оззв зз сз.я угкозонзс-зс- затерзала в ьтгс-зкобсип^. 'Сс-псстохлс-ззс та--солаззл з слзя ¿г золадззаст, хпо г^злз; сллс'здсг/роЕазззг слол оо^днлюаея ьо-лз дизйзог^з;, а I '.ч-легз:: сзлл-зс дезярэЕЗЗЗзх едзяз злазлто&зут- чазгь закв-1азгг сузззрулззл: оГлвсгз, качэезълвлг лгг.злйззё гдд езгл зав::з;з,:ос:сл ?■* (3;>. Увзтачекяс ззлзкзз з/ллг уровня л^гзрззанлл злрзлззозлегз злел бзд2т з уг.:йнв2сшзз, а загс:,: з зсзезнс/всззз лаззг^^з" учасзг.а кг ¿=_*:с1;-лосзз г*" (3) с; грх:1:са-о евлг^зо с уволиз-ззисл ¡С толзззз цззз-гзлз-нсз -егггз сдоя, пе пр:зззл:згас£ ¡¡-ас-ял г ьггголоЕног. дара— а гллзъ пукгзругез*: СРП сдоя. . Нгблдгаогся хорэ'-юе- качеггье-ПЕое в ззллчзствззвог сс-г~ лаззз результатов, ззлучгнньг: назя г зс ¿юЕоыеззлспгчссг-зЁ «здедд, оскоззззсз зз рэсензз уравзснз2 баланса ззерглв, в.<-пулвса з ззела зазззд соклззлзо с уравас:л:с:л Пуазсона С6] .

Проделанные оценке псдзварзщасг еззод о иа, что паилуч-ззз.з: азгвввхллв сво£с?вамз обладает структуря с яразтззеезл юлзоезьз обзднезкытл в слабых пзлял взрозсзонЕьпл слое;.: л, в частноззз, структура с "ллосяклз" зэнаглл.

Б четвертой глава вредетавлена аналлтззозкая модель пэ-реноса геря^зз элегаропсв в глногослоГяшз ГС на основе шого-до.тзс^1кз долузроводншсоБ АоБ- с прлмоугольпым вздок два ЗОЕК Щ'ОЕодтзостз. Модель основана Еа розазлл урашенй£ баланса числа частнц в ГС к прзбл5жеЕзо£ заглзле фойфзвш: ларазтер;;-сга; злзззроков в долз1аз слоев па соответсгвутгцзе харахстзрл-сгла:з объемных глатарзалов. Осковпзз сгранкченкя глодели связа-

ны с выборо;-: додает слоев s ссотеотствдп с услоззем "плосдязг" зон г требсваядя^п сохранения г слоях фпздческЕх свойств обье-глннх глатерлалов (фопсндого спектра, элективных касс к т.н.), мало: тп нвантово-раз;.'зрнз: п.ТфектоЕ в д?.ах г тушгелкроваппя электровоз через барьер;:, чте правозл? к значения 100 * 203 А' ± dt>í i , - глнка здрандрованпя Дебая.

3 дрлблйаоюп: ^л.мо^ледтроннон зиессее получены акаантн-чеокдз влрадендя, сгпз-;аа-:а.н9 средьсв дроЗ^огуо скорость д лнЬфогсннлальнун; до;;в:о::ноетъ, обусловленную R$7 , ,

с нора^отргн: структуру (соотношение!.' толцпл слоев, величина-ил г/с~дол:.чппл: зазргет:гчсс:::л: зазоров, э$*егг2ЕШЬ«а мзссаж г-лектролов; - Сгл^ует зачтете, что существенное условленно гнла заселедлоотсЕ лсл;л: прн учете кругового потока частиц Г дрлнздгл: к тону, -re &::лл;:г::':^еко:;у рассмотрению поддастся только сгучаЕ, когда Г х- С (что ледбддгхзпо выполняется лая ГС C-aSi - „•ífCe.^ г. Л? &a*4s - ).

Прозедс-на едти-д-д-т-т длраггогроБ ГЗ с дэлви получения лаа-'—ч- r~.r"n:r.ca в ГС &ú t¿i - t¿Sf ¿Ц,

(С- I), „Л" - Jk Р .

1." ГС - ^ ( ar <£ 0,4) внявленк с.::—

.о ■ рностд.

: л::а>::т:то г: отгна „г* ¿¿f й-*.и екг-енровалпого

но л л г.тлх дуальная величин;:

■joctzraj.c-t дрн кекс:оуон одтн:.:влъес.\! соотношении толдгн :ло?~ d¿ ¡ai, , а л:л аддзпдг: теллдн - при едтичальпо?: гначендн .а

■ьког^аланое значение ; 1 возрастает с узетичоннег'

i ПГ2 п г достигается при d¿ nn, ^ в поля::,

5ддзддд д пороговог,"' долг; гтз^доддгпого дердода в гйги^ и о неокслькс раз прегнтаот ! обьотл-юго частого .

Тоодолзку длила з::раннрован1'.я объемного заряда возрастает с тлсгьсенгеь: гондеятрзддп прпгасд, то возрастает с

lOHnseEKDM . Это приводит к towv, что значения ОД:

лЗ | i оказываются примерно па порядок юпе обнчно^реали-!узг.7гд: в твадиндопных диодах Гднн? ( ^ ~ -503 с:г'/3-с, /г =: 10К с.Г3).

!-.!алая за^ог.тквггость щхзстранствзннсго переноса bju - Ctf Jfe ( jr «с 0,4.) связана с дегначктедьк»'. !тлпчпеу э£т1ектишпс пасс з Г-дслдннх слоев, ¡.?а-.:ду кототлал:

К

г.ргасдзддг ззазааз:: ззаса засал-рова-тл.

Pa лраеааае т ecyn/räSK о^ьлсн-тх ьягого'гкигаЕНые неуднсЕые ' z".rzzzzs брльшх saaaeaa2 £31 на £$Т ь ГС с errara лзгарзалл;з;ал cacara: ¡пдрокгдонпзгс: гатераала а в спредояев-

гаса'аа acaaaapaaaaaca ты; àaaaca, что хозтоь^зно ajaci-paacaacaaa:' асрззсз Рал зЗалралзл у струптур с cL^ <¿r -

1Ьазаоазз г.згз С^Г, - раззазла лы.£!.аас ГС дал аалааао2 ве-лаагал. а ПГ2 азапзсгзя с уазаллсна&: уроала азглрскаалл

/л./. . Раз сааза;;; ::аа с тазаааз—:за i I , aar; а с пзааае-ласа асрзгоазго аола ¡.;залзл;а£лзго пррзасаа s , наз-

raaarao сзл:,з aaacacaaaia: раззгрзгза элсазрокзв в аза а грааг—

аауоаззолазгз аааграала. Сазана аоназаааат, чао а ааабзлзе с:аа:азлалаз:.: аля азаллакал аорзаа ОД: сгуааз ^ ~ О : ^ .> тз/с.-.а

аалаал пзрзаздз:.' в саоз /"-í/í . Озазапоз гзпа.гадзсзаз го;аа: crpp¡:a;a- азрза c'asaaaa .

аазгз аз-лаз ^IG'^IO^

J ^ » - --, _ „„.___ ,________аза,-

г payaaaaaa аллагалл зааазтв ГС асpciicktzehkî: дрсдса£ц;ллзтза лалсаззззладз ГС с алаазл пздааалсзааа toporosодного иагзраа-аа , озузлоадсанзл аз аазз:аа.: трзьпа^ лзаарзванаа ,

а, кадра:.'ер, осозвкпосгйс зонго- cipyaaypa «¿v прд

азлааоааа дзла .

laaaaaac. -что г ГС - ^¿У ^^ ( » > 0,4) за-

Л

тааал-аа гзллапп аарзазвзнного ¿алтзрал-ла огдензазгся сса?.:.-,з-газ.лла: ала ¡гзаъас аоааан узасзсЕдого л::-за уг-йлаазкая э-Тфск-таааззга RST азлеастгас саузкалля "гяхелаг" ¿ - г X -делал ззаа дрзвзаазлзста ¡áí- s с ростов -я: . Пзз?эг,*у заа-чеаас 1 в нла сущсслБеаас. (гриясрно на Езрядм-Л saactQi о:-аз;.а:зго__ Л' , обычно азасаьзузазгз в праборзх па ОДП ( п -10*'° ci."2, ts'J- - -5GC 4- -IODO c.¿/b'c). Стаз;а-;зсаз1е за-хазаглэста г-" (Е) хгрша-ерсгугя-ся отноовнка: ZvU»-«- / г Е£ст;од£:а> раз больггм, а Ег.рогокал aareu ОДП - «aasssai, чем i c^i.c'v.a-To;.* Cnzjfi . Ллв. аздагцото Еаачендя изкекидльное

2~3.4sst.o ' , о^услодлгкдсз прост гадстззгппдî д-рспсссм, слабо злвлолт or лз-за лсзпзллтолького ряззгрола олзлтро-яоз в , a сптлгтллх-пзо зкалснлэ -с','л?, ч:::п-сгзлл слтсхлнлл ~ - и I-дстдп с ростом л:

^слоставлонпэ алаллтлльсллг: р-ас-^тсз л рпзультатсл "дз-лпсззаллл ь&тодс:.? '¿онгз-Карло лзгтвзрг.:дает яхдод о вез:.:ол::з~ стл .:пзчптзЛсКо более з&^зггдгзсгэ улравлзллл! статднеелл: л ::л-ралгзслстнулзл: 2," С"} в ГС - с бслгл-чгл

алачсллггпт -с , чйл в ГС о .г ¿ О,-i ллл л . i:;-

7тг-л-аллзлзслак дзр-зг.зс олодтсоноп з ГС -Хг. ;

л голааапо, лто путо- подбора голл:::-: слоев ::о~.лз д-.-битг^д дг.л=".лл лорсгспсго лолл CIT до ~ 1,5 "Г/см л —йдллопдл: - з С раза ьо~г,г~л ! . Озпдз лз-за спллзлл зл

у > IGG лз лрллопдтол ззлглалл ховсзлзс ззллллл i л члотстллл сдоЛстз. лс-л л объектах Jk.Gr a J-í л -f-.-P .

Н-л ссловз ллолзлпого релзллл '¡'елоглзлслоплюиллс уг.алл;-ллЛ .Далласа олзгглд, г.-лулзса л числа частил £73 с врзлзллл: лзлолслл:;л перелолсз, плчпслзпллл л дйгхголог.енпп тзрг.тоолч-лт-роинол зг.л1зс::-л е упего:.: равсгрзга олзхтроннего газа з Г-лзлл-C-cjJt послг'Дсддно глпяпл'г ллрллзтроз К л дола оеаекпя ::а -гастотг^ь-з зздлзлглостг л ластстддЛ предел CJ7JI ГС il-zJ-S- ^Sûv-ïi' .

Получено зп'хллллгосло-з влргливле,. оллслваюцзо лаолот-^'о за?лсл"зо':з ^ллоолглллвпсл -л?-7.прз:пп:алъло1: подзплпзстл ГС з дрен-збгехолип лпсрплзллзсглп д.'алдзлпд:дд: лзсолоцоэ дзутгл: злсог до сраллг-:-ллз с хдзсхмэнкзетдя) R'ÎT ( "U^, ^ ), л галле рлзогр-звс:.т злелтродлого газа я гкрсхоэоЕДггт г.глгорллло { г, - л^г ).

Го:"злГ;0, что частота с тс злил СГД /» ГС уд г.™.л: "„о -зол с рссгс:.: лолл зл"лзллл (лз-'-Г5 лзг.лл л--л л:л рз-дахсл лз лзл Д;!Г-»

;--ел1лзллс статлчселоЛ , г.-тосто лл! л'-лчл:

£9 лрлсстанллльваот зто лллзсглнгз. Зз.дп:«/ф 1С ¿í-í/ - ЛС&а ,'Н 5 ллрЕЗ-'сгса.п, ойескечддд'дхдтг.! г-'злзл- • :21дьел5 ЛГЛЛ1Л ÄST 3 лорллрсванлз заллсллоотл } оу-

лзствзлло ндд-з t» ссь.з:.л-:ого ¿no,üp.i тс:.т лз ¿валзллл доля cr.!cice-.aí£ л лз лрзвселвтд'т ^ ЗО-ГЗО Цд ллл л: .0.1 •

2 Л 40 ГГЦ для от > 0,4-

Назлучззглз частотнзгля сволствгллз обладал; струг.турн Ста .Ж 'о нар?:.1зтра:лз ^ я^ ( 0,4)

г ¿лс^Л ж > в ксторьсс пространственный пе-

релое глад, е ОХК сбуслоБлзка в оспседсм з'сгдо.сяпиг: пер», -сдом в слое С-я & . Белзчзка ^ тчззз 1С .тлела к с?зе-иеого чистого ¿¡-а., а пс презг.г/даство состоит а возмог.-костз достлзандя при этом безьаззе ззачеяга! зоздоперзидд зеез-телзз ( ~ Юа7 с:,Г3). олролзлла;.ллс уроззз:; лзглреваззя лз:-рзкозекзего глатэрзала.

Прздзсзез л зопегдзн авторс^ззл свздзтолъетэсм ззлузр-оеоз-Еддовгй прзбор с Оря на -лпогссдсСпс! ГС, ПС-В0ЛЛГ!.33! з езлу езоел зозструкзлз роаглзогать ог.ззаг.'лоо уЕЭЛДчеззе ОДГ за счет я 5 Т .

3 сфорглулзрзваны есаозздз резутз-ат:: ря'озк.

ссисынг результаты Д:ССИР1А:З::

1. Зпервзз «зтодогл Мозге-Гасло дрозедез расчет харазгэр-вкл времен престразствоккого переноса зоряч.з: злззтрозоз в

1С СлзАь - ^ ¿га ^ ■ с прялсуголвязгл видом зна зозз зрозо-• ззгглосазц Показано, что гзраятерзые времена аростракстзззкого зерокоса достаточно точзо опдскваптся взрзяеазягли, золучглзи-глз з дркблзгоЕда термоэлектронной з.мзеезл с Мазсвслловской : ЙуЕЕЦДОЗ раСЦрСД0Д0Н1СЯ За ЗСДД2Я85П:Эь! ВрСМОНД ^гг прг Е > 4 дЗ/сы Еслодотвде отклопопяя ¿увкзлл раслредзлез'ля в сидышд элозтрлзгевзл по ляд ст «лвеведловег-зз.

2. Показано, что сущзствует врзвцизлалазее отлзчзе в ус-ловлях з колгчествгнззд зсарактсрчстззаз зерззсса электронов

3 ГС ¿га ^ - ¿,-а с глалзтя: ( са 0,4) з болзшзтлл

Ж. г-х

\ х. > 0.4) зЕвчезиязз. лс , обусдоз-дзяноа осускапзотл "тя-лелзз" £ - и 2-дздзз зона зрозо1за:остз ^¿»¿-.^с ростом -■г . Прл ~с «г. о,4 оезовзей оймзк злокзрепамд происходит чераз Г-даяидц слоев, а наиболее икердзокзш лвлзотся ¿112 "арпдод зз-за слабого разогрева олззтронов з- А - долинах

катйрладсв. ;.зрактсрнке врзмзпа пзроноса электронов мепду из-терлала-.н: грл телпинаи слоев й'.,, соизмерили с време-

нем релакеалии знсрглп (порядка Ю~х~с)' и нревнлннот времена р^лаксадпл гелнульса и ме:лнол;н:пыл лерепсдсв внутри слоев (Ю-"0 -i- id""--* с'i. Б ГС с .г > 0,-1 соноенол обмен эгг-ктрода-ми нрспснонпт через i -полипн слоев. При a'f Z_ > 2С0 Í. не-ролторнне не-енсРлно времена супгествеппо нре г/о си едят времена р-оланенднн внутри олоез ( гг^ > ХСГ-С с) з силу сесОеппоетс". оонно" структур" и огранкчнвант чаотстннн пропел СДП

ГС.

3. Установлена силен дос'^онн: ллронтер::ет:н; электронов и ГС с л:.ранториог;нии.:н сС'.'.ем::^ маоерналов, С.рорг/уллр^внн критерии, дли нннолпенпн которого простлано лионни!; иеронос не нлинет по сееепеноннс знссленноот<:;: лолнн и средни;: ;:.р~'.-л-онув сн.ороеть в елолл ГС.

4. Тл-н-ра бет низ приближенная мои с.с переноса и рас-ото. ллректерлолнк гор:нни: глентронов в мнегоолоиннн ГС, сснснн;-:;ал на модолнропаплн пр. .-до ос с в переноса методе:.: Ibneo-Popjo в обнсллн.аК млеорно.лал и.о.: некоторой "бегоно"" структуре.

5. Гредлсл^п метод и апробирован алгоритм расчета термо-

Н-нл'1:н"н......Г ра?:лр"." елонер: иного газа в пин. Уетод ееноллп

ïh усг-'-д"мини нонг:-нн:с иенпепептк сродно£ -роиреноГ сне;г-

•С. Сленено влияние поперечного ноля нроелранегнелнено ;ардда на вид статичсеккд зависимостей о'" {Б) ГС. Гоноео-

юллоствто обедненпнмн сго.стп п::рокпесппого материала и, г. :аетнооти, структур;: о "плоскими'1 зона:.".

7. 1н.еро£ботана аналитическая модель геренооа -.".рлнид лектронсг в много слс::н:л: ГС на оенело мне-годе линии:: нолт-роводддкоБ» последовательно уЧНТНКгСЛНЛ злклкпе кон отрут.---2BHI2 параметров ТС на статические и дни логине окно д.-р:.-;т*— пстнке одп.

В. Показано, что при оптимальном подборе параметр о в ГС С*Л - eA'^^Ji ( ^ ^ 0,4) V*» :!С:;-Т внео :ол:.::о аз пвэвнпать соответстгундое еначенне в с*-ао:л:г:: чистом

у* ~

uû -¿i , a порогом г- поле OJHI E уме нызаться вплеть до ~ 1,с кь/av. xuasejibkc- эофелтл достпгеэтой p. ïu с оетгоель-нс5'. тслиглюГ; плрекогонкоге слал, г лесягкг pas првваезгдг!' тоддлпу узкозенпого слоя. При зге." велпч^сза QUI i i , ол-ргделлл-зая ьихедйке характерлстлхл гктдБних прпбсроЕ, оказывается гл.а~лтолько (грз-лорпо nr. лгрядск) иппе обычно леполъ-эуе?ло:: i приборах на С-1П лз-за кеобхоцггэгтп гнкол-

нгкдд услок:?; лолвого езеднеллл аквоЕззонного :.татерлг_ла п, оледиватедьЕо, длзкей г.оЕДенгр2гзп: црслесп. Лрсдйдьдая. чаетс,-тг; суг;естгс>ва:ия 0Д1 б такпх ГС (да мало:.: елгнал:) завлг.яг оз- поля смсаошя п не превосхсдат ЕСн-IDO ГГд, что heso К длл (150^203 1Тд).

S. ПзрзнсдтпБШг.п: для нзпзлъневзхля ь качестве аптдзкю; г:ле:лзктоь являет сд ГС - c-^f&zj^s { дг С,4) с гг~

рзззетрагл: у - 1, б ксторих С1Л обусловлена 2 сеноЕЛе;.: изл-долпшдг: п&т>сх.сдогт г слое Ерс^^лзестбз таллл ГГ. -

отз BOsr.-.osiHcc'-i 1л.;сть ÎIC1, а.:""-2) кояцек-грзил: ноел-

тзле.. д, следогательки, дэвлпзппно ззачодпя ; \ ог.з удуд--;::енля их актлвпвх л чагтетлпл сведет:; по ералнел::г; с о~ъе:.;-глезл катерлахвзл:.

ID. L ГС Û-иЛ - ( > О,-О :.::Л;С;ЗЗЛЛЛЕ1Л.

гл;д£.д к$Т ь 0Л1 достигается б структурах с diz £а? зглсл-е-тБлп возраетаплл его злеектизнзетл пул опусхакхл "тк;:елдл"

L - 2 Х-Д0Я2Н ЛОНЛ лроводпжзтл . & с рост га.-, ¿с

Дрг оптимально:; подборе параметров г. указанных ГС воз"з;-.л;о существенное ( ~ на порядок) увеллчензе \ а та:гг.е- уъз-япченпэ в несколько pas сетсаенпл г угензлзепае

порогового пелд ОДЗ до сравпепшо с обьеяэм чпет-к .

Х.лд заданного доле Е0 гакегт/гльное значение , обуслов-

ленное RST t слабо зависит от яз пз-sa незначительного разогрева электронов ь е^йЛь . 2 онтж/лльнал толздза плрог-озонпого материала утлоназаптся с росток -с . Предельная частота существования ОдП /с таких структур существенно HKss объемного е 1С -( л: ¿1 0Г4) пз-за возросаей снсрдионности -EST к Ее превосходит 4.0 1Гц.

II.'Предложен е защтпдев авторские свлдетельством волу-провоЕшеовьш прибор с ОДЗ на ГС, позволяадш реализовать

к

n

О

Êi о

(Р| h-.

го

а

I

LI

Й

Г?

о i-¡ о

a w

о M

Ц

ге

M

M tí M

en о о

Г4

11

ri

H

n t*>

П о i;i

и

F fc

о

ti 1 Cl H rJ ) 1 t ¿1 t- V ,1, 1 f'j I-", pi ,

w H u. 'j r: f.ï t ; 1Д) 11 о с

ñ rl r.t t< pt ti ('! t. * H (•; rj L'j cj u 1 Г

4 »- ч . j i.j s n i",' C- t; ту cj h с < rr

íí t / t-; r.-o о fi LL V ■ о Г-Ч с 1 о i'i а

«> n H i i. о IH о • 1 с?

» II y: t < l-t •.-i l-b * ^ о r > c.l •

•rf^ a О î-î о ; J * ¡ f 1 r.J

* !*. 'ZJ г: с; tl ' r *' гк a О

r: Г' о (J fi й l\ i.: О i (■> r! r. r^ tf. t.j

ii b (; ci 14 r i * y < П • « C' i '' El <.} f .T I'J ! 4 ^ < [П n u

о i ^ Ô H

ij n u. ю a- c; V " l П: n 1 ? * o h

!< c< Г5 r ; с l- ' i (J- •

C1 11 t.' { -î f) и f Г1

Lt' Î'î «T; » i- 1 . • • j ; с

» ^ I L - i"' t -' i " ^ С '

t л * t b ti ¡: / * » « • f ri I 1

f ,! < 2

m с

ш !-■ • i'i

l I. (M

?! П

r:

10

m

l!

CJ i

í 1 • 11 ' ' r

1 ! n l I- r '

О t-i tr' ; í ^ ;

ti 1 ; : i 1 "l

Ol CJ r! !■'; с"'

; i u. t - !'• I1' I'

ti i • * t. ! i Ö !'

M 11 l '

1Г5 U'

! ' c,f

i-; r, 1 f ГЭ

и tl i' n 1*1

n Ol

H 0 o 1 -1 V«

\i *

i?

li К

с!

о M

u о

ïil Ü1

if f.l t». о

П '

> : n

r;

1

U C) "O

О ¡^

ía i К •

m tu

u>

jî m

ri * Ui n о

M

fc fci' i< О

ri r;

I.» is i ri

I 1 c,

• О

1

f i » ; L¡

Г- •' r;! ( í

ц • i ! r;

Ir« ! i ; Й v; Q p.;

11 o tj e

f j t; J ;

li t-! t ;

o С t а

li rt T

i

m г/ H

t 'il с 1

[] к M

я' Г ' IN о

f t о

li

t.; С ;

M .

•7' t < F*

ь ">

ГI ci

,1

iT

а t !

t!

!';

t'j И

Г ¡

M о

L?

h' о l-î

t) ; ;

о f.l 11

i/ • -4 Г)

fi M P;

Ч D í**< ■ j

\J t." ' "J Г J

О •

Pi 1 Г < i >

i « 112

£-< 1С « S

0> * ••»

r-í Ы Е-' ti

t1- c:

i-'t 4

„-л o ■ 1

5"! l< il {'t

f> Г-* TJ í f

rt tr¡

í-l L"' m

V j

l- j - (к

|i 'J

f i « i >i

ti

fs Я

tt|

Г

r;f

y.

С. i :

H ►

Я il о

t '

.'1 0

fo

IO •

M Щ

г.: i г

tí !•'.'

ff <-J ч

о < U\

r W

Г1 О

о

О ; )

c!i i-i

f; • [ i ::i * • M i i¡. 1 ' 1 i ; t.* £ ; <r> 1 rJ 4 i. ; с i

<0 l.li f" f • (-! c-î f • (1 1 i) +

» » * Г.: ! í : ч с: » 4.1 Г: i 1 Pf • ;; ч

r> u . r h ' - V r : r, » ГЛ 1 : « n >:; ; ; (, HI О [;! f! q C) (•1 1 -i t : 0) »

1 ; •Л 1 ; 1 ' fl I-' He: . i < i" il, t • С»! о * а V n a: t i ' : r-'

o i- ; ( f 1 M i ' l-í r!

! : 1 ' ! i * ' • : " ; ' 1° ' - f'J' I : Л П ■ \ PI 11 _ 1 [;! f- 1

* í i i. ' r.'t i-: Î : i ? f. • \ t 1.5 i t с \:¡ ;. t'j

Ь 1:1 f. ; f.l r-| : . : C" ; : Г-. 1 ' С1 f.t c; ri t: C.i 1 1 ■ и V » о Ы o M о Fjj ç't 1 - t ; tj ' о i '. < -j

<4 n! 1 ¡ i i! 1 ' ,"' 11 M V p • ' ■ V, ¿ H • ; Ui t'i • r > .( j ! : i

o 11 r ' : . 1 -t ! 1 ' 1 . i Ti . : ri f f *o С « 1 ■ 11 i ■ r.) it t -i Г 1 1 -1

! I I

Г-f Ci г !

: i

ö

l-l rj

O o

¡ г

У Л <-', •', 1 t>r H Г.

У " T"

t:í 4 C<

p-3?

c> h с- ^

'' NÍ

П

n

С I

t.'. о

■J,

f< 'S

r, c: о [ •: tri ¡n

Ui E-I

U

î;

u! t»> f-; i f

M ti о

14

ci

о У:

H

а «

11 О

pi ! •

t.! >-' 8 ^

Si i

о

t-if te ti w

о M

w

V

f.

r ;

7. Горздзголъ 3.5., Солоикая Т.Н., ПЗЗзлз С.Г. Статдчесхде я дцЕ2ьаг»эсЕЕе характеристика пареносг гсрл-зз: электронов з гетороструктурах с 'сзлзктзвззгл лс-лзрозаззегл

// Тез .докл.71 Зсзс.сзг.глозлу:.^ "Плазма з неустойчивости в полупроводниках".- Ззлзззз, 1936.- С. 143-144.

8. Горфгакель Б,Б., Солоддая Т. л. £со.;сТ.оезз характзсдстлкд электронов б гетероструктурйх с сследззвзнз ллдзрозсиде« л ил связь с характеристиках! об«о:.г<дз: матерлзлсз // Эдаззсонная тезззка. Сер.1. 0лектроз:п:а СБ".- 3333. — Знп.о.- С.2С-2-.

3. Горфззсэлв З.Б., Ссдодхая Т.П., ГсАтаз С.Г. Характеристики гетесоструктур с ззлзктивзсл лагзровгзд'.^м в дззбослх за гс-рячих оягктронах // Тез.докл.ХП Всес.здуччо!: ззд-З.дз i.rr-:po-злектреззкЕ.- "¿злзси, IS£7.- 4.2.- С.43-43.

1С. Гор|ппдсл5 В.З., Солодкая Т.Н. АЕая:тячВсдад -:«.срзя отр.-зз-» сз тзаоЗ ДД-1С-ерсшдально5 пс-даддяосзд в гетеросгруктура:: ¿^»-¿i - // ст.- I2C3.- т.22, злт.г;33-

I7G3.

11. Гсг^дддедь З.Е., Сслэдкая Т.П., ЕоЗ'-аз С.Г. *.:одолдр«вакдо переноса электронов а оптимизация ззрамзтров :лкогослойзыг структур а зродслвнзгл протеканием тока // Тез.докл.П Есас. совея. "".'атез'атпчсское цоцелировандо в полупроводззказ я полупроводниковых приборах".- Ярославль, 1988.- С.30.

12. Гсгпязз-зль В.Б., Солодзая Т.П. Свбрхнкзокдз значения отрипа-•гедьнсй дзЛ1>зрсзцззльзоЛ подвижности в гетероструктурах

: - Л£Ста// Тяз.докл.Х! Зсее.допф.по йззикз зс-

я/зрозсдников.- Злззяаз, 1935.- 0.57-53."

12. Гер5л~3:\73 В.З. f Синицдз ïï.'î,, Содогцсая Т.П. Слтльшьасвя зарсслетроз гетсрзструктур б-аЖ- Jâ&aJi , сбьепочзваызая 'лзззлзльзнз значения стрлзателъноз .^"ЗЗсреЕлдаззноЯ зозз-из-зосзл ка дрострдястзонггзы переноса электродов // Доклад за ' Есоз.7з:слэ-сс?.'."Бза:злодоГ:с'гвзо эязЕЧДОагхдгзз: вода с пс-яунрозсдясз^П! з зслузрсЕоззлззгз-тз'.с-'лзг.грлсчззкД'.с: структура^,- Саратов, ÏS63.- Ч.1.- 0.240-250.

lu Езгазва Т.гС.', Горрзпкзлв В.З., Солозкая Т.П. Вдяяняе из?ле~ В5НЗЛ ззлог.зкзя -¿ - з Z-додзн на статические д

ззсозочаетотнзе характеристики приборов за основе гзтвро-сзрукзур - // Тез.докл.Всез.ваучн.-техн.

доз"'.''Лкхуолзпдз прсблззгы электронного прибсрост~юеизяя.-3-:oBÍ3pc3. IDÏO,-

15. Еагаева Т.Е., Готйгнкелъ В.Б., Солодкая Т.И. 3spsi*oc горячих ЭЛЕКТрОНОВ Б гатерзструктурзд Н£ основе КДОГСДОЯДКИСС ДОДУПРОБОДНДКОВ C^aJs - Ji , - Jfc/7

// Теэ,гоЕЛ.Всвс.кон?.."йгзгзссппс процесса в полуцроводаз-ковкх гетероструктурах".- Налуга, 1230.- 7.1.- С.ПС.

15. Багаева Т.Е., Горйддкеяъ Б.Б., Солодкая Т.И. RST в ге-тероструктурам на основе многодслпнзкг аоауароасдедков

Jk ¿nr^s — -X^f* ff Тез.додл.Бс. лона', по горячи.: элеггронак г длаааеанк:.: ябледдлу б полу-дроБодндках.- Нцда, 1220,- С.13.

17. ГоргдпЕсль В.Б., ;.*9дводэв А. Л., Сододаая Т.Н. ПслудроБод-нздонлЗ дрлбор с отрицательно"! дзР-раргацагльнсл дроводг^о-стыз на гстсроструатуро. Ангорское сгддотельетво J5 I6323G2 от D3.02.89r.

13. Багаева Т.Е., Солодкая Т.П. Васслочгстстнко свойства отрицательной дилере кддадааой цроводакостд B aacrocroiaraz гвтероструктурад faM - ff Тез.докл.И Зссс.

школн-сек. "ЗзаыодеЕстЕДБ здегтрсиагвлтЕЦХ волн с тверда телом".- Саратов, I2SI.- C.CI-S2.

19. Багаева Т.Е., Сенецын H.H., Солсдаал Т.П., Тггер A.C. Влияние технолсгдчосгла гараизтрод за статдчеаае-'п ддна-ыдчеегое харалтерастлла изогэслоГлвх гатзроструг-тур GrtJs - Л с больпаалт значенпялд ff лад

на Ш Всес.ПЕол8-ск^"Взадаоде5:ствзе элгптро-^дгнттш; зола с ТБврдкм толок".- Саратов, 3SSI.- C.S3-7C.

ЦИТИРОВАННАЯ ßllEFATJFA

1. Волков B.A., Гродненский II.!*. Двумерный элзктронннй газ в гетеропереходе. Свойства и прлиевендз // МЕкроздактроника. - 1282.- Т.П, шп.З.- С. 195-207.

2. Андо Е.Ю., £аулеп А., Стера Электронные сао2стда двумерные систем.- М.: Удр, ISB5.- 415 с.

3. Грибников З.С. Отрицательная ддффэренцдальная проводимость в ынсгослойноЗ гатероструктуро // <5ТП.- 1972.- Т.6, ецп.7.-С.1280-1332.

4. (^-ъьпбсъ^ tt&i&i/s^jt ¿¿tsuit S. гу-

--глгг£ге/г ¿ул&сл. ¿п " £¿Zs^'/f/ ^"¿У ¿¿¿япсг*

// cd bSi^Caz . ¿&&ZT. — —

Za/ъ faamfbz ¿г - .^¿hr^rS 'Ал&ътубтли:-

Тиъс.// ¿tyaS- ^яу3- —/*<?£>.-¿Я*. У/, SM. - Р. г* yj- -J-f-УЯ

6» s&tf '¿С., /72<?ъАсге ¿ФгггЛм* 4 й

■гг.а£ qb&cc -¿¿¿¿¿zs*. // csfoiS. ^¿-r**-

'faßt. - /97У. -2Ы. JJ-, usf. -P Vers-9?-?.

7. Гсргеиякаль В.5., ПЬдыан С.Г. Описание переноса электронов в гетероструктурах с селективном логяровакяеч с пемоцдя уравнении баланса // ЙЕН.- 1988— Т.22, вып.5.- C.793-7S3.