Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В МДП-СТРУКТУРАХ.

§ I.I. Общие закономерности протекания тока в аморфном диэлектрике МДП-структуры.

§1.2. Нестабильность электрофизических характеристик МДП-структур.

ГЛАВА П. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ИНЖЕКЦИИ ЗАРЯДА В ШИРОКОЗОННЫЙ АМОРФНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК МДП-СТРУК-ТУР И ИХ СВЯЗЬ С НЕСТАБИЛЬНОСТЬЮ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ.

§ 2.1. Особенности электронных процессов при инжекции заряда в широкозонный аморфный диэлектрик ВДП-структур.

§ 2.2. Переходные процессы в МДП-структурах при знакопеременной инжекции носителей заряда из полупроводника.

§ 2.3. Переходные процессы при двухполярной инжекции зарядов в широкозонный диэлектрик с большим числом центров захвата.

ГЛАВА Ш. ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В АМОРФНЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ НА

ПОСТОЯННОМ ТОКЕ.

§ 3.1. Температурная зависимость энергии активации проводимости аморфных диэлектрических материалов.

§ 3.2. Проводимость аморфных полупроводников

Ах с потенциальными флуктуациями краев зон подвижности.

§ 3.3. Теория переноса заряда в сильных электрических полях, основанная на изменении уровней энергии локализованных состояний в щели подвижности.

А. Перестройка энергетического распределения локализованных состояний в щели подвижности во внешнем электрическом поле.

Б. Перенос заряда по зоне подвижности аморфного полупроводника в сильных электрических полях

§ 3.4. Анализ экспериментальных данных по переносу заряда в аморфном нитриде кремния в сильных электрических полях. НО

ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИИ ЗАРЯДА ЗАХВАЧЕННОГО В ДИЭЛЕКТРИКЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПРИ МНОГОКРАТНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯХ.

§ 4.1. Туннельная релаксация заряда в ОДЩ-структу-pax с учетом скомпенсированного заряда в объеме диэлектрика.

§ 4.2. Перенос заряда в диэлектрике в электрических полях, созданных захваченным зарядом в МДП-структуре.

§ 4.3. Влияние фотовозбуждения на процесс релаксации заряда, захваченного в аморфном нитриде кремния.

§ 4.4. Влияние толщины аморфного нитрида кремния на время хранения заряда в деградированных МНОП-элементах памяти.

Интерес исследователей к изучению электронных процессов в аморфных диэлектриках МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) -структур стимулируется двумя основными факторами. Первый - это очевидность перспектив практического применения МДП-структур /I/. Одним из направлений интенсивных исследований является разработка оптоэлектронных, энергонезависимых запоминающих устройств на основе ЦЦП-структур. В таких структурах можно длительное время хранить заряд, захваченный на глубокие локализованные состояния /2,3,4. в широкозонном аморфном диэлектрике.

Второй фактор определяется фундаментальным значением исследований физической природы явлений в некристаллических веществах. С этой точки зрения исследования процессов переноса заряда в аморфных диэлектриках, природы и энергетического распределения локализованных состояний в щели подвижности имеют важное научное значение /5/.

Функционирование МДП-элементов памяти сопряжено с наличием с сильных электрических полей (^10 В/см) в диэлектрике. Известные теории переноса заряда в сильных полях основаны на ранних работах Френкеля /б/ и Онзагера /7/. Общим для них является классический анализ влияния внешнего электрического поля на движение частицы в кулоновском поле центра захвата. Однако для того, чтобы получить соответствие между этими теориями и экспериментальными результатами полевой зависимости проводимости аморфных диэлектрических материалов требуются дополнительные предположения и введение эмпирических параметров /8,с.560/.

Особенности температурной зависимости проводимости аморфных полупроводников достаточно детально исследованы /8/. Как правило, проводимость аморфных диэлектрических материалов, характеризуемая уменьшением энергии активации с уменьшением температуры, связывается с прыжковым переносом заряда при переменной длине прыжка. Однако теоретические расчеты величины этой проводимости для некоторых материалов не согласуются с экспериментальными результатами /8, с.410/.

В связи с вышесказанным требовалось дальнейшее теоретическое исследование переноса заряда в аморфных диэлектрических материалах, контролируемого локализованными состояниями в щели подвижности.

Известно, что при длительном воздействии сильных электрических полей запоминающие свойства ВДП-структур ухудшаются (явления деградации). Предложенные ранее модели деградационных явлений не объясняли совокупности известных экспериментальных данных по не-стабильностям характеристик МДП-элементов памяти /9/. Общим для этих моделей является то, что в них предполагалось изменение энергетического распределения ловушек в запрещенной зоне диэлектрика и не учитывалось основное свойство широкозонного аморфного диэлектрика в запоминающих МДП-структурах: накапливать и длительно хранить заряд, захваченный на глубокие локализованные состояния.

Таким образом не был установлен механизм деградационных явлений, выявление которого имеет важное практическое значение.

Целью диссертационной работы явилось исследование электронных процессов в аморфных диэлектриках МДП-структур. При этом были сформулированы следующие основные задачи:

I. Теоретическое исследование переноса заряда в аморфных диэлектрических материалах с учетом энергетического расцределения локализованных состояний в щели подвижности. Особое внимание уделено исследованию проводимости аморфных диэлектриков, контролируемой локализованными состояниями,всильных электрических полях.

2. Теоретическое и экспериментальное исследования переходных процессов при инжекции заряда в широкозонный аморфный диэлектрик ВДП-структур и анализ их связи с нестабильностью характеристик элементов памяти.

Настоящая диссертация состоит из введения, 4 глав, 2 приложений и заключения.

Основные результаты можно сформулировать следующим образом:

I. Поставлена и исследована численными методами краевая задача переходных процессов в ЦЦП-структурах при двухполярной инжекции носителей заряда в диэлектрик с учетом эффекта поля для тепловой ионизации носителей с локализованных состояний. В качестве краевых условий рассматривались туннельные токи инжекции носителей заряда в диэлектрик, в запрещенной зоне которого имеются моноэнергетические электронные и дырочные ловушки. Показано, что на характер длинновременной релаксации тока и на величину стационарной проводимости МДП-структур существенное влияние оказывает инжекция носителей из контакта металл-диэлектрик, даже если последняя много меньше тока инжекции из контакта полупроводник-диэлектрик Установлено, что при температурах т < Тк ( f& f ) и электрических полях > FK (р Т) зависимость J (£) является не

I» монотонной: на больших временах происходит рост тока МДП-структу-ры (аномальная релаксация тока), сопровождающаяся увеличением пространственно-коррелированной, термодинамически-неравновесной заселенности электронных и дырочных ловушек. Анализ стационарного решения этой краевой задачи показал, что энергия активации проводимости диэлектрика с большим числом центров захвата зависит от его толщины (размерный эффект).

2. Предложена модель и на ее основе теоретически исследованы переходные процессы в МДП-структурах при знакопеременной инжекции носителей из полупроводника в диэлектрик с глубокими локализованными состояниями. Установлено, что в диэлектрике вблизи границы с полупроводником образуется область с близкими к единичным предельным заселенностям электронных и дырочных ловушек. Исследованы основные закономерности расцространения этой области на весь объем диэлектрика при увеличении числа циклов переключения структуры. Установлено, что это сопровождается изменением электрофизических характеристик МДП-элементов памяти. Развита модель, которая позволяет теоретически объяснить известные экспериментальные особенности деградационных явлений МНОП-элементов памяти.

3. В результате теоретического исследования переноса заряда в аморфных диэлектрических средах, контролируемого локализованными состояниями, установлена температурная зависимость энергии активации проводимости по нелокализованным состояниям. Показано, что зависимость Е (Т) определяется энергетическим распределением локализованных состояний в щели подвижности. Для гауссов-ского энергетического распределения локализованных состояний и фермиевской функции их заполнения установлен закон уменьшения энергии активации проводимости с уменьшением температуры.

4. Развита модель локализованных состояний в аморфном полупроводнике /4Л > рассматривающая эти состояния как квантовые уровни энергии носителей во флуктуационных потенциальных ямах краев зон подвижности, связанными с А-кластерами. Построенная теория, учитывающая энергетическое расцределение локализованных состояний и эффект поля для тепловой ионизации локализованных носителей, описывает следующие экспериментальные особенности проводимости аморфных диэлектрических веществ, не находивших ранее объяснения: а) зависимость эффективного понижения барьера для тепловой ионизации носителей с локализованных состояний л U^ от температуры; б) более резкое, по сравнению с зависимостью -tog (Г ™ F , увеличение проводимости при высоких полях; в) сохранение функциональной зависимости проводимости от электрического поля в области температур, где зависимость -doa <Г от T"Y является нелинейной и характеризуется уменьшением энергии активации проводимости с уменьшением 7" .

5. Показано, что учет зонной структуры аморфного диэлектрика приводит к тому, что эффект Френкеля для глубоких; локализованных состояний в щели подвижности не влияет на полевую зависимость проводимости.

6. Теоретически предсказана и рассчитана перестройка энергетического распределения локализованных состояний во внешнем электрическом поле (эффект Штарка в некристаллических средах). На основе этого эффекта предложена и разработана теория переноса заряда в аморфных диэлектриках в сильных электрических полях. Получена формула, описывающая перенос заряда по зоне подвижности аморфного диэлектрика. С ростом поля F теория предсказывает переход от омической проводимости к закону Пула -focf <» f и, далее, к зависимости <r(F) , имитирующей закон Френкеля.

По развитой теории переноса заряда в сильных электрических полях проведен анализ известных экспериментальных исследований проводимости аморфного нитрида кремния. Определены следующие параметры аморфного нитрида кремния, полученного в результате реакции Si се^ и А/Н3 при Ю00°С: £"о^0,95эВ, ms 0,33 те , ^ = 0,12.

7. В результате сопоставления экспериментальных данных по туннельной релаксации заряда и по влиянию фотовозбуждения на релаксацию заряда с теоретическими результатами установлено, что доминирующим механизмом деградационных явлений в МНОП-структурах является образование неравновесных скомпенсированных зарядов, захваченных на электронные и дырочные ловушки в объеме диэлектрика. Для аморфного нитрида кремния, полученного в результате реакции Si и при Ю00°С, установлено, что глубина электронных ловушек менее I эВ, отсчитанная от края зоны подвижности , а глубина дырочных ловушек находится в интервале 1-2 эВ, отсчитанная от края зоны подвижности .

Все теоретические исследования переноса заряда в аморфных диэлектрических материалах, представленные в диссертации, выполнены лично автором. Эксперимент по туннельной релаксации заряда в деградированных ШОП-структурах проведен М.В.Долговым. Автором теоретически исследованы деградационные явления в МДП-структурах и экспериментально изучено влияние фотовозбуждения на релаксацию заряда в деградированных ШОП-структурах. Р.Г.Сагитовым и З.Я.Са-дыговым проведены экспериментальные исследования деградационных явлений, подтверждающие развитые в представленной работе теоретические положения.

Автор выражает искреннюю благодарность научному руководителю ст.н.с.,к.ф.м.н.Селезневу В.Н. за постоянное внимание к работе и неоценимую помощь в ее выполнении. Автор выражает искреннюю признательность руководителю сектора "Оптическая запись информации" д.ф.м.н., профессору Плотникову А.Ф. за оказанную помощь, ценные дискуссии и критические замечания. Автор глубоко признателен заведующему лабораторией "Оптоэлектроника", д.ф.м.н., профессору

Попову Ю.М. за внимание к работе и постоянную поддержку, в процессе ее выполнения и за ценные замечания. Автор благодарен всем сотрудникам сектора "Оптическая запись информации" за плодотворные обсуждения, проводившиеся на протяжении всей работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Басов Н.Г., Попов Ю.М., Оптоэлектроника. - В международн. ежегоднике "Наука и человечество", 1982. М.: Знание, с.268.

2. Ржанов А.В., Синица С.П. Системы памяти на основе ВДП и МНОП-структур. Микроэлектроника, 1977, т.6, вып.6, с.491-497.

3. Мальцев А.И., Поспелов В.В. Запоминающие устройства на основе МНОП-структур. Сб.статей и "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", М., Сов.радио, 1976, вып.I, с.58.

4. Mott П.P. Closing address.-Proceed. Eighth Intern.Conf. on Amorph. and Liq. Semicond.Journ.Non-Cryst.Sol., 19SO,v.35-36, p.1321-1323.

5. Frenkel J. On pre-breakdown phenomenon in insulators and electronic semiconductors.- Phys.Rev., 1938,v.54, Ы9, pp.647-649.

6. Onsager L. Initial Recombination of Ions.- Phys.Rev.,1938, v.54, N 8, p.554-557 .

7. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982, 658 с.

8. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Сагитов Р.Г., Садыгов З.Я., Селезнев В.Н. Физическая модель деградационных явлений в МН0П-элементах памяти. Москва, 1982. - 44 с. (Препринт ФИАН СССР, №86).

9. Sze S.M. Current transport and dielectric strength of Silicon nitride films.- J.Appl.Phys., 1967, v.38, N7, p.2955 .

10. Hill R.M. Pool-Frenkel conduction in amorphous solids.-Phil.Hag., 1971, v.23, p.59-81 .

11. Poole H.H. On the temperature variation of the electrical conductivity of mica.- Phil.Mag., 1917, v.34, p.195 .

12. Нитрид кремния в электронике. Белый В.И., Васильева Л.Л., Гриценко В.А. и др. Новосибирск, 1982, 200 с.

13. Kahnt Н., Schirrmeister F. Electric field dependent conductivity in amorphous semiconductors.-Phys.Stat .Sol. (t>), 1983, v.115, N 1, p.171-179 .

14. Di Maria D.J., Arnett P.C. Conduction studies in silicon nitride.-IBM J.Res. and Dev., 1977, v.21, КЗ, p.227 .

15. Yeargan J.R., Taylor H.L. The Poole-Frenkel effect with compensation present•-J.Appl.Ehys., 1968, v.39, N 12, p.5600--5604 .

16. Плотников А.Ф., Садыгов З.Я., Селезнев B.H. О механизме изменения энергии активации проводимости в МНОЛ-элементах памяти. Письма в ЖТ§, 1980, т.6, вып.20, с.1220-1223.

17. Волков С.А. Исследование электрофизических свойств системы металл-диэлектрик-полупроводник на германии. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. Новосибирск, 1980.

18. De Wit H.J., Grevecoeur С. The electrical conduction of glassy As2Se^ at high fields.- J.Hon-Cryst.Sol.* 1972, v.8-10, p.787-792 .

19. Pai D.M., Enck R.C. Onsager mechanism of photogeneraiionin amorphous selenium.- Phys.Rev.,1975, v.B11, И12, p.5163-5174 .

20. Губанов А.И. К теории эффекта сильного поля в полупроводниках. Журнал Тех.Физики, 1954, т.ШУ, вып.2, с.308-320.

21. Pritsch L., Bobe W. Poole-Prenkel conduction mechanism in amorphous GeSe films.-Phys.Stat.Sol.(b), 1973, v.58, N 1, p.K49-K5 2.

22. Andrews J.M., Jackson B.C., Polito W.J» High field dark currents in thin CVD SioN.- J.Appl.Phys., 1980, v.51, U1,p4951. J 4 -502.

23. Meyerhofer D., Oshs S.A. Current flow in very thin films of

24. A1203 and BeO.-J.Appl.Phys.,1963, v.34, p.2535-2543 .

25. Haack L. Electronic conductivity in highly doped SiOg by means of ion implantation.-Phys.Stat.Sol.(a),1979, v.56, 11 2,p.581-591»

26. Barka E. DC conduction mechanism and dielectric properties of dry-air stabilized ZnSe films.-Indian J.Phys., 1982, v.56A, p.47-54 .

27. Yergan J.R., Taylor H.L. Conduction properties of pyrolitic silicon nitride films.-J.Elec.Soc., 1968, v.115, Ш,р.273»

28. Волков С.А., Овсюк В.Н. О механизме проводимости нитрида кремния в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Микроэлектроника, 1981, т.10, в.З, с.227-234.

29. Плотников А.Ф., Сагитов Р.Г., Садыгов З.Я., Селезнев В.Н. Нестационарная проводимость МНОП-структур в области высоких электрических полей. Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1980, вып.5, с.10-15.

30. Gritsenko Y.A., Meerson E.E., Sinitsa S.P. Unsteady silicon nitride conductivity in high electric fields.-Phys.Stat. Sol.(a) 1978, v.48, U1, p.31-37.

31. Arnett P.C. Transient conduction in insulators at high fields, J.Appl.Phys., 1975,v.46, N 10, p.5236-5243.

32. Gritsenko V.A., Meerson E.E., Mogilnikov K.P., Sinitsa S.P., High field conductivity of amorphous insulators films. -Phys.Stat.Sol.(a), v.52, К 1, p.47-57.

33. Гергель В.А., Масловский B.M. Переходные процессы при захвате заряда в диэлектриках. Микроэлектроника, 1979, т.8, № 4, с.357-361.

34. Френкель Я.Н. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках. Собрание избранных трудов, М.-Л.,

35. Издат.Академии наук СССР, 1958, т.П, с.217-227.

36. Lundstrom K.I., Svensson С.М. Properties of MNOS structures.-IEEE Trans.on Elect.Dev., 1972, v.ED-19, p.826-839.

37. Кольдяев В.И., Свиташев К.К. Математические модели физических процессов инжекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-транзисторов с памятью. Новосибирск, 1981.84 с. (Препринт Ин-та физики полупроводников СО АН СССР, № 59-81).

38. Мальцев А.И., Масловский В.М., Нагин А.П., Поспелов В.В. Влияние температуры и внешнего напряжения на отекание заряда в МНОП-структурах; Микроэлектроника, 1976, т.5, с.430-436.

39. Lundkvist I., Svensson С.М., Hansson В. Discharge of MNOS-structures at elevated temperatures,-Sol.Stat.Electr., 1976,v.19, p.221-226 .

40. Lehovec K., Fedotowsky A. Charge retantion of MtTOS-devices limited by Prenkel-Poole detrapping.-Appl.Phys.Lett., 1978 v.32, p.335-338.

41. Efimov V.M., Kolosanov V.A., Simitsa S.P. Electron and hole conduction in silicon nitride at moderate electric fields.-Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.49,p.217-223 .

42. Ефимов B.M., Модель разрядки МНОП-структур по механизму Пула-Френкеля, ограниченной туннелированием с границы. в сб.:

43. УП Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. Новосибирск, 1980, с.П, с.184-186.

44. Плотников А.Ф., Сагитов Р.Г., Садыгов З.Я., Селезнев В.Н. Восстановление характеристик деградированных МНОП-структур при комнатной температуре и влияние света на скорость восстановления. Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1980,5, с.22-28.

45. Heudebauer С.A., Burgess J.P. Endurance and memory decay of MHOS devices.- J.Appl.Phys., 1976, v.47, 117,p.3182-3192.

46. Гиновкер А.С., Колосанов В.А., Курышев Г.Л. Релаксация заряда в МНОП-транзисторах при многократных переключениях. -Микроэлектроника, 1976, т.5, вып.5, с.419-423.

47. Schauer Н., Arnold Е., Murdu Р.С. Interface states and memory decay in MHOS capacitors.- IEEE Trans.Electron.Dev., 1978, v.ED-25, N8, p.1037-1041 .

48. Susuki E., Hayashi Y. A model of degradation mechanisms in MHOS structures.- Appl.Phys.Lett., 1979,v.35, H10, p.790-792.

49. Jeppson K.O., Svensson C.M. negative bias stress of MNOS devices at high electric fields and degradation of MHOS devices.-J.Appl.Phys., 1977, v.48, H5, p.2004-2014.

50. Масловский В.И., Нагин А.П. Влияние сильного поля на проводимость пленок нитрида кремния. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, вып.17, с.777-779.

51. Масловский В.М., Нагин А.П., Поспелов В.В., Тюлькин В.М. Исследования нестабильности проводимости МНОП-структуры, связанной с величиной протекшего заряда. Журнал техн.физики, т.49, вып.9, с.1855-1861.

52. El-Dessonky, Balk P. Degradation of MNOS memory structures.--Revue de Physique Appl., 1978, t.13, p.833-835.

53. Булавинов В.В., Тарантов Ю.А., Барабан А.П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП-элементов памяти. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, в.4, с.235-238.

54. Плотников А.Ф., Селезнев В.Н., Токарчук Д.Н. Деградация МНОП-структур под действием УФ-облучения. Микроэлектроника, 1979, т.8, вып.6, с.554-558.

55. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и ди электриках. -М.: Изд.Наука, 1970, с.309.

56. Dean P.J., Choyne W.J. Recombination-enhanced defect reactions.-Adv. in Phys., 1977, v.26, p.1-30.

57. Шейнкман M.K. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-ак-цепторных пар в CdS . Письма в ЖЭТФ, 1972, т.15, вып.П, с.673-678.

58. Садыгов З.Я. Физические процессы в структурах металл-нитрид кремния-двуокись кремния-полупроводник. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. Москва, 1981.

59. Kirk С.Т. Valence-alternation pair model of charge storagein MHOS memory devices.-J.Appl.Phys., 1979,v.50, p.4190 .

60. Ngai K.L., Hsia Y. Empirical study of the metal-nitride-oxide-semiconductor device characteristics deduced froma microscopic model of memory traps.-Appl.Phys.Lett., 1980, v.42, N 2, p.159-161 .

61. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors.-Phys.Rev.Lett., 1975, v.34, N15,p.953-955 .

62. Nakayama H., Enomoto T. Effects of nitride deposition conditions on characteristics of a MNOS nonvolatile memory transistor. -Jap.Appl.Phys., 1979, v.18, N9,p.1773-1779 .

63. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Полностью компенсированный полу-цроводник как модель аморфного полупроводника. Журнал Экс-перим.и Теорет.физики, 1972, т.62, вып.З, с.1156-1165.

64. Ryvkin S.M., Shlimak I.S. A doped highly compensated crystal semiconductor as a model of amorphous semiconductors.-Phys.Stat.Sol. (a), 1973, v.16, H 2, p.515-526 .

65. Шейнкман М.К.,*Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. Физ.и Тех.полупр., 1976, т.10, в.2, с.209-232.

66. Kolomiets В.Т., Lyubin V.M.,Photoelectric phenomena in a amorphous chalcogenide semiconductors.-Phys.Stat.Sol.(a), 1973, v.17, p.11-46.

67. Rudenko A.I., Arkhipov V.I, Trap-controlled transient current injection in amorphous materials.-Journ.Non-Cryst.Sol.,1978, v.30, p.161-189.

68. Blackney R.M., Grunwald H.P., Small-signal current transients in insulators with traps.-Phys.Rev., 1967, v.159, H3, p.658-664.

69. Lehovec K., Bedotowsky A. Charge in MHOS-devices.-Journ.Appl. Phys., 1977, v.48, p.2955-2960.

70. Yun B.H., Electron and hole transport in CVD Si^H^ films.-Journ.Appl.Phys.Lett., 1975, v.27, p.256-258.

71. Di Maria D.J. The properties of electron and hole traps inthermal silicon dioxide layers grown on silicon.-In: Topical

72. Conf. on Phys. of Si0o and its interf., lew York, 1978 ,p.160-172.

73. Милне А.-Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.1. М.:Мир, 1977, 562 с.

74. Ginovker A.S., Gritsenko V.A., Sinitsa S.P. Two-band conductivity of MNOS structures.-Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v.26,p.489-495.

75. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев B.H. 0 возможности механизма деградационных явлений в ШОП-структурах. Микроэлектроника, 1981, т.10, вып.2, с.127-131.

76. Kendall E.J.M. The conduction process in silicon nitride.-Canad.Journ.Phys., 1968, v.46, p.2564-2566.

77. Arnett P.C., Weinberg Z.A. A review of recent experiments pertaining to hole transport in Si^H^.-IEEE Trans, on Elect. Dev., 1978, v.ED-25, p.1014-1018 .

78. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н. Переходные процессы в системе контакт-диэлектрик-контакт при двухполярной инжекции. Москва, 1981, 12 с. Препринт ФИАН СССР, № 140.

79. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н. Переходные процессы в МНОП-структурах и их связь с нестабильностью электрических характеристик приборов. Журнал Технич.Физика, 1983, т.33, в.6, с.1089-1095.

80. Lenzlinger IT., Snow Е.М. Fowler-Uordheim tunneling into thermally Si02.~J.Appl;Phys., 1969, v.40, N1, p.278-283.

81. Самарский А.А. Введение в теорию разностных схем. М.: Наука, 1971, 552 с.

82. Поттер Д. Вычислительные методы в физике. М.: Мир, 1975, 392 с.

83. Гриценко В.А., Меерсон Е.Е. Влияние толщины нитрида кремния на накопление заряда в МНОП-структурах. Микроэлектроника, 1983, т.12, вып.6, с.580-583.

84. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин Н.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981, 384 с.

85. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М.:Наука, 1977, 672 с.

86. Гриценко В.А. Электропроводность аморфных пленок нитрида кремния в сильных электрических полях. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук, Новосибирск, 1975, ИФД, СОАН.

87. Abeles B.,Sheng P., Coutts M.D., Arie Y. Structural and electrical properties of granular metal films.-Adv.in Phys., 1975, v.24, ГО, p.403-461.

88. Ландау JI.Д., Лившиц Е.М. Квантовая механика. М.:Физмат-гиз. 1963, с.89.

89. Lukes Т., Roberts М. An effective mass approximation for several bands.-Phys. Stat. Sol., 1969, v.35, p.397-403.

90. Агафонов А.И., Селезнев В.Н. Перенос заряда в аморфных полупроводниках в сильных электрических полях. Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1984, вып.8, с.

91. Клингер М.И. Сильное межэлектронное притяжение и дефекты в аморфных полупроводниках. Материалы X Зимней школы ФТИ по физике полупроводников, Ленинград, 1982, с.100-155.

92. Виноградов B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем. -Москва, 1971. 19 с. (Препринт ФИАН СССР, № III).

93. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Щербаков И.А. Исследование влияния уширения спектральных линий на миграцию электронного возбуждения по примесным центрам в кристаллах. ЖЭТФ, 1974, т.66, вып.6, с.2118-2129.

94. Киреев П.С. Физика полупроводников. М: Высшая школа, 1975, 584 с.

95. Maes Н.Е., Van Overstraeten R.J. Memory loss in MHOS capacitor.-J.Appl.Phys., 1976, зг.47, p.667-671.

96. Ефимов B.M. Перенос заряда в структурах металл-нитрид-крем-ния-окисел-полупроводник в слабых электрических полях. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Новосибирск, 1980.

97. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука, 1968, 720 с.

98. Гриценко В.А., Могильников К.П. Особенности фотоэмиссии элементов, обусловленных зонной структурой кремния. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, вып.5, с.297-300.

99. Зуев В.А., Попов В.П. Исследование внутренней фотоэмиссии в системе Si-SiOg-Si^N^ с туннельно-тонким слоем окисла. -Письма в ЖТФ, 1978, т.4, вып.24, с.1493-1496.

100. Bibyk S.B., Kapoor V.J. Photoionization cross section of electron traps in silicon nitride films.-J.Appl.Phys., 1981, v.52, N 12, p.7313-7316.

101. Kapoor V.J., Turi R.A. Charge storage and distribution in the nitride layer of the metal-nitride-oxide semiconductor structures.- J.Appl.Phys., 1981, v.52, N 1, p.311-319 .

102. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев B.H. Влияние света на релаксацию заряда в деградированных МНОП-структурах. -Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1983, вып.12, с.9-13.

103. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н. Использованиелазера для спектроскопии электронных ловушек в тонких пленках. 4-th International Conference on Lasers and their Application1.ipzig,1981),p.kp1.19.

104. Агафонов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н., Эльдаров Г.Г Влияние толщины нитрида кремния на время хранения заряда в деградированных МНОП-структурах. Краткие сообщения по физике (ФИАН СССР), 1983, вып.8, с.3-7.