Нестационарные процессы в пленках линейных диэлектриков и сегнетоэлектриков тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

1.0Б1ЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Краткое содержание работы И

Часть I.

Нестационарные процессы в тонких слоях диэлектрика.

1.1 Переходной ток монополярной инжекции в диэлектрических слоях.

1.2 Переходной ток в диэлектрических пленках при нелинейных условиях на границе.

13 Переходной ток в высокоомных полупроводниках.

-1.4. Фотоиндуцированный переходной инжекционный ток в диэлектрике с ловушками.

1.5. Переходной процесс в диэлектрике в сильных электрических полях.

1.6. Алгоритм экспериментального установления механизма прохождения переходного тока монополярной инжекции в диэлектрических слоях.

1.7. Особенности использования времяпролетной методики определения подвижности носителей заряда в диэлектрике.

1.8 Локальный характер токопереноса в тонкопленочных М-Д-М- структурах. 1.9. Исследование механизмов пробоя тонких диэлектрических пленок. I. 10 Детонационный пробой диэлектрика.

Часть II

Научные основы создания нового поколения элементов миьфо-электроники на базе сегнетоэлектрических пленок.

II. 1 Исследование пироэлектрических явлений в тонких пленках ниобата бария 35 стронция.

II. 2 Тонкопленочные пироэлектрические приемники излучения.

III. 3 Исследование электрооптических эффектов в сегнетоэлектрических плен- 38 ках.

11.4 Реверсивная запоминающая среда на основе тонких электрооптических 40 пленок.

11.5 Элементы постоянной памяти репрограммируемые элекпэическим подъем.

КНИГА ИМЕЕТ в перепл. едан. соедйн •№-№> вып.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ