Процессы переключения поляризации в сегнетоэлектриках в самосогласованном электрическом поле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Процессы поляризации и переполяризации сегнетоэлектриков в импульсном самосогласованном электрическом поле.

1.1. Переполяризация сегнетоэлектриков в быстронарастающем сильном электрическом поле. Техника эксперимента и объекты исследований.

1.2. Способ поляризация сегнетопьезокерамики в самосогласованном электрическом поле.

1.3. Полуколичественная модель зародышеобразования в самосогласованном электрическом поле.

1.4. Электронное экранирование и симметрия импульсов тока переключения

Глава 2. Доменная структура и термическая устойчивость сегнетоэлектрика в поляризованном состоянии.

2.1. Влияние быстронарастающего электрического поля на доменную структуру сегнетопьезокерамики ЦТС.

2.2. Возникновение периодических доменных структур в кристаллах титаната бария в импульсных полях.

2.3. Термостимулированная релаксация объемных зарядов в сегне-топьезокерамике ЦТС.

2.3.1. Методы исследования.

2.3.2. Влияние режимов поляризации на спектр токов термостимули-рованной деполяризации сегнетопьезокерамики.

2.3.3. Влияние быстронарастающего электрического поля на зарядовое состояние дефектов в сегнетопьезокерамике.

2.3.4. Локальная пироактивность и стабильность поляризованного состояния в сегнетопьезокерамике.

Глава 3. Нелинейные диэлектрические, электромеханические и оптические свойства сегнетоэлектриков в самосогласованном электрическом поле.

3.1. Реверсивные характеристики поляризации сегнетопьезокерамики ЦТС в самосогласованном электрическом поле.

3.1.1. Реверсивная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков.

3.1.2. Методика исследований реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков в процессе сверхбыстрого переключения.

3.1.3. Реверсивная диэлектрическая проницаемость и динамические и релаксационные свойства доменной структуры сегнетопьезоке-рамики.

3.2. Электролюминесцентное исследование переключения поляризации в сегнетоэлектриках в самосогласованном электрическом поле.

3.2.1. Электролюминесценция сегнетоэлектриков, индуцированная переполяризацией.

3.2.2. Экспериментальное исследование электролюминесценции сег-нетопьезокерамики ЦТС.

3.3. Механические деформации и релаксационные явления в сегне-топьезокерамике при переполяризации в самосогласованном электрическом поле.

3.4. Ориентационные эффекты при одноосном сжатии параллельно оси поляризации.

3.4.1. Влияние механического напряжения на доменную структуру и процессы переполяризации в сегнетопьезокерамике.

3.4.2. Роль не 180°-ных переключений в процессе импульсной поляризации сегнетопьезокерамики.

Глава 4. Связь электрической прочности сегнетоэлектриков с процессами переполяризации в самосогласованном электрическом поле.

4.1. Электрический пробой в сегнетоэлектриках. Современное состояние проблемы.

4.2. Объемный пробой сегнетопьезокерамики ЦТС.

4.3. Поверхностный пробой сегнетопьезокерамики ЦТС.

4.4. Феноменологическая модель поверхностного пробоя сегнето-электрика в переполяризующем электрическом поле.

4.5. Нелинейная динамика в электрическом контуре с сегнетоэлек-триком и электрическая прочность.

Глава 5. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках.

Теоретическое описание.

5.1. Модельные теории зарождения и роста доменов.

5.2. Теоретическое описание импульсов тока переключения в полидоменных сегнетоэлектриках на основе концепции фрактала

5.3. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках в самосогласованном электрическом поле.

Актуальность темы. Процессы переключения поляризации в сегнето-электриках относятся к числу фундаментальных проблем физики твердого тела. Интерес к изучению процессов переполяризации и динамики доменной структуры связан с разнообразными практическими применениями этих материалов в устройствах, принцип действия которых основан на эффекте переключения. Помимо этого, отсутствие строгой теории для данного явления настоятельно требует дальнейших экспериментальных исследований процессов переключения, позволяющих выявить новые особенности динамики доменной структуры при различных внешних воздействиях. В частности, возросший в последнее время интерес к теории переключения связан с применением сегнетоэлектриче-ских материалов в качестве элементов памяти.

Традиционным методом исследования кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках является анализ переходных токов, возникающих при приложении импульсов электрического поля и содержащих информацию о закономерностях эволюции доменной структуры. В ряде случаев, прежде всего для поликристаллических сегнетоэлектриков, этот метод является едва ли не единственным при построении механизмов переключения, поскольку возможности прямого наблюдения движения доменов крайне ограничены.

Обычно механизмы переполяризации в сегнетоэлектриках исследуются на прямоугольных импульсах напряжения с крутым фронтом нарастания (метод Мерца). Преимуществами этого метода считаются постоянство поля в образце в течение всего процесса и удобство трактовки опытных результатов. Однако при исследованиях переключения поляризации в поликристаллических сегнетоэлектриках весьма плодотворной является методика применения сильных электрических полей с регулируемой скоростью нарастания, так как она позволяет получать достаточно целостную информацию о динамике процессов при сверхбыстром (микросекундный диапазон) переключении. В этой связи оказывается актуальной задача исследования влияния доменных переориентаций на свойства сегенетоэлектриков в быстронарастающих (самосогласованных) электрических полях. Одним из основных аспектов темы работы является анализ динамики доменной структуры и влияния на этот процесс объемных зарядов экранирования, поскольку, в отличие от метода Мерца, эти явления в значительно большей мере протекают параллельно и взаимосвязанно, что существенно при интерпретации экспериментальных результатов.

Поляризация сегнетоэлектрической керамики относится к числу важнейших технологических операций создания элементной базы функциональной пьезоэлектроники. Во многих практических случаях существенным оказывается получение пьезоэлементов не с максимальным уровнем поляризованности, а до заданного уровня при высокой температурной и временной стабильности поляризованного состояния. Именно эта проблема в последние годы выходит на передний план в связи с прогрессом в области создания новых высокоэффективных материалов и значительным расширением диапазона их разнообразных применений.

Имеется множество феноменологических теорий переключения в сегне-тоэлектрических материалах. При удачной теоретической трактовке формы импульсов тока можно составить определенные представления о характере протекания процесса переключения, определить относительные вклады элементарных механизмов в динамику доменных переориентаций и оценить параметры, характеризующие развитие процесса в целом. Наибольшее распространение получили модели, основанные на статистической теории кристаллизации Кол-могорова-Аврами. Наиболее последовательными из них являются модельные теории Фатуццо и Ишибаши-Такаги. Однако эти модели основаны на упрощенных представлениях о динамике доменной структуры и не учитывают такие важные факторы, как внутреннее экранирование, стохастические изменения диэлектрических свойств, эффекты анизотропии и запаздывания взаимодействий, особенности энергетического спектра доменной и электронной подсистем. В результате согласие с экспериментом достигается лишь при дробных значениях размерности параметра кинетического процесса и не удается удовлетворительно аппроксимировать спадающую часть импульса тока. В результате сложились объективные предпосылки для построения последовательной теории, в которой дробные значения параметра кинетического процесса возникали бы естественным образом, путем применения к данной задаче концепции фракталов.

Цель работы. Исследование общих закономерностей переполяризации и особенностей динамики доменной структуры полидоменных сегнетоэлектриков в быстронарастающих сильных электрических полях.

Программа работы содержит следующие задачи:

1. Комплексные исследования интегральных характеристик переключения поляризации в сегнетоэлектриках в самосогласованном поле.

2. Микроскопические исследования доменной структуры в сегнетоэлектриках, поляризованных в самосогласованном поле.

3. Исследование влияния режимов поляризации на диэлектрические и пироэлектрические свойства сегнетоэлектриков.

4. Исследование динамики доменной структуры косвенными методами: электролюминесцентным, методом измерения действительной и мнимой частей реверсивной диэлектрической проницаемости, механических деформаций обусловленных доменными переориентациями, токов переключения при внешних одноосных механических воздействиях.

5. Описание кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках и получение выражения для тока переполяризации на основе фрактальных представлений.

6. Выявление связи электрической прочности сегнетоэлектриков с процессами переполяризации в самосогласованном поле. Построение элементарной количественной модели, объясняющей закономерности поверхностной электрической прочности в переполяризующем поле.

7. Анализ нелинейных процессов в измерительной цепи с сегнетоэлектриком, обусловленных доменными переориентациями.

Основные объекты исследований - сегнетопьезоэлектрическая керамика (СПК) системы цирконата-титаната-свинца (ЦТС). Отдельные исследования проведены на высокоомных кристаллах титаната бария и триглицинсульфата.

Научная новизна. Впервые проведены систематические исследования процессов переключения поляризации в сегнетоэлектриках в быстронарастаю-щих сильных электрических полях, в которых в течение всего времени переключения напряжение на переполяризуемом образце регулируется током переключения (самосогласованное поле). Выявлены и проанализированы новые особенности динамики доменной структуры в самосогласованном поле, обуславливающие электрические, диэлектрические, оптические и электромеханические свойства сегнетоэлектриков:

1. Сверхбыстрое переключение поляризации в поликристаллических сегнетоэлектриках в импульсных полях с регулируемой скоростью нарастания. Динамика формирования внутренних полей объемных зарядов, стабилизирующих поляризованное состояние, за времена, значительно меньшие времени максвелловской релаксации.

2. Влияние скорости нарастания поля на процессы зародышеобразования и внутреннего электронного экранирования, в результате чего устанавливается взаимосвязанность основных характеристик переполяризации: динамического коэрцитивного поля, времени и тока переключения и форма импульса тока.

3. Эффект возникновения пространственно-модулированных доменных структур в сегнетоэлектрическом кристалле под воздействием коротких (2-5 мкс) импульсов электрического поля.

4. Повышенная стабильность поляризованности сегнетопьезокерамики, обусловленная заполнением в процессе поляризации глубоких энергетических уровней.

5. Электролюминесценция в сегнетопьезокерамике в самосогласованном поле.

6. Особенности полевой и временной зависимостей действительной и мнимой частей реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетопьезокерамики в процессе переключения поляризации. Методика их измерения. Качественная модель динамики доменной структуры.

7. Аналитическое выражение для расчета поляризованности сегнетокерамики в самосогласованном поле при внешних одноосных механических воздействиях.

8. Модельное представление эволюции доменов в поли доменных сегнетоэлек-триках в сильных электрических полях на основе концепции фрактала. Выражение для количественного описания временной зависимости импульса тока переключения.

9. Эффект генерирования избыточного напряжения в самосогласованном поле и его количественная интерпретация.

Ю.Влияние зарядов экранирования на электрическую прочность сегнетопьезокерамики. Феноменологическая модель поверхностного пробоя, учитывающая инжекцию свободных зарядов в разрядный промежуток.

Практическое значение. Разработанный в работе метод самосогласованного поля открывает новые возможности в исследовании процессов переполяризации и свойств сегнетоэлектриков, обусловленных собственно эффектом переключения. Во-первых, таким методом можно достичь сверхбыстрого переключения поляризации (за единицы и десятые доли микросекунды) как кристаллических, так и поликристаллических сегнетоэлектриков, что в случае последних является проблематичным в высовольтных импульсных электрических полях с крутым фронтом нарастания. Во-вторых, данным методом можно получить достаточно стабильную поляризованность сегнетокерамики в микросекундном диапазоне при комнатной температуре единичным импульсом напряжения в полях, существенно меньших пробивных, что позволяет, с одной стороны, повышать эффективность процесса, а с другой оптимизировать подходы при решении специфических задач, связанных с управлением поляризованностью. В-третьих, выявленные в работе закономерности поведения сегнетоэлек-триков в быстронарастающих электрических полях могут быть полезны как при описании процесса преобразования энергии в ударно-волновых преобразователях, так и при разработке рекомендаций по направленному повышению надежности преобразователей энергии и выборе их рабочего тела. Создание периодических доменных структур с микронными периодами в сегнетоэлектрических материалах в самосогласованном поле также имеет важное прикладное значение, в частности, в нелинейно-оптических устройствах, в которых требуется выполнение условия квазифазового синхронизма. На наш взгляд, важной является принципиальная возможность выделения с помощью электролюминесцентных исследований доменных границ, дающих максимальный вклад в люминесценцию, поскольку управление степенью закрепления доменных границ определенной системой дефектов позволит одновременно управлять и свечением кристалла и керамики, создавать ячейки памяти на этом эффекте и т.д.

Помимо этого существенную часть работы составляют количественные модели, построенные на элементарных физических представлениях, и позволяющие количественно удовлетворительно описывать некоторые интегральные характеристики сегнетоэлектриков в процессе переключения. Получаемые на основе этих моделей расчетные данные будут являться, несомненно, полезными в вопросах прогнозирования свойств сегнетоэлектриков в сильных электрических полях. Представленный в работе новый экспериментальный материал и его анализ позволяют глубже понять особенности поведения сегнетоэлектриков в области сильных импульсных электрических полей, значительно расширяют наши представления о динамике доменной структуры при сверхбыстром переключении и ставят новые проблемы перед теорией сегнетоэлектричества.

На защиту выносятся следующие основные результаты и выводы: 1. При разряде конденсатора большой емкости через последовательно соединенные индуктивность и сегнетоэлектрический образец в процессе переключения поляризованности последнего в нем устанавливается постоянное во времени падение напряжения и, соответственно, постоянное во времени динамическое коэрцитивное поле Е'с. Величина этого поля, формируемого в образце, определяется индуктивностью цепи и процессами возникновения и развития критических зародышей в интервале времени, предшествующем началу переполяризации. С уменьшением этого интервала Е'с возрастает. Экспериментально обнаруженные значения коэффициента симметрии тока переключения (т > 1) указывают на возможность формирования экранирующих зарядов за времена, существенно меньшие времени максвелловской релаксации путем туннелирования в зону проводимости.

2. Сегнетокерамические образцы, поляризованные единичным импульсом самосогласованного поля микросекундной длительности по сравнению с аналогичными образцами, поляризованными в стандартных режимах, обладают повышенной временной и температурной стабильностью электрофизических параметров. Одной из причин стабильности является заполнение более глубоких энергетических уровней (1.5-3 эВ) носителями, образующими объемный заряд экранирования остаточной поляризовванности.

3. На зависимости реверсивной диэлектрической проницаемости от времени действия переполяризующего напряжения наблюдается три максимума действительной составляющей £"'(/), разделенные минимумами, соответствующими максимумам мнимой составляющей е"(/). Первый из них, расположенный в начале процесса переключения, обусловлен появлением большого количества нестабильных доменных стенок; остальные соответствуют 180°-ным и 90°-ным переключениям.

4. Переключение поляризованности сопровождается люминесценцией образцов, которая имеет два максимума при 450-500 нм и 650-700 нм, соответственно. Эти максимумы указывают на заполнение носителями уровней глубины порядка 2-3 эВ. Временная зависимость интенсивности люминесценции определяется предысторией образцов: у предварительно состаренных образцов люминесценция запаздывает на 3-4 мкс от начала переполяризации. Снятие эффектов старения приводит к смещению максимума люминесценции к началу переполяризации и увеличению энергии излучения.

5. При продольном сжатии сегнетокерамических образцов возрастает динамическое коэрцитивное поле, и уменьшаются переключаемый заряд и время переключения.

6. В импульсных переключающих полях объемный электрический пробой в сегнетоэлектрике формируется при относительно низких значениях напряженности поля в результате взаимосвязанных процессов электрического (участие в разрядных процессах части нескомпенсированных зарядов, высвобождающихся при переключении поляризации) и механического (появление сильных локальных деформаций вследствие поворота вектора Р5 в сегнетоэластических доменах) разрушения структуры материала. Снижение поверхностной электрической прочности обусловлено участием в ионизационных процессах во внешней среде вблизи поверхности образца объемного заряда, высвобождаемого при переключении поляризации.

7. Найдено явное выражение для переходного тока на основе модифицированного уравнения Аврами, в которое введен фрактальный параметр а, учитывающий изменение формы функциональной зависимости тока от времени. Фрактальный характер временной зависимости тока переключения указывает на самоподобность пространственной конфигурации доменной структуры сегнетоэлектрика в процессе переключения поляризованности в импульсных полях.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Всесоюзных и Российских Конференциях по физике сегнетоэлектриков: IX (Ростов-на-Дону, 1979), XII (Ростов-на-Дону, 1989), XIII (Тверь, 1992), XIV (Иваново, 1995), XV (Ростов-на-Дону, 1999); III Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов и их роль в ускорении научно-технического прогресса Москва, 1987); IV Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988); I Всесоюзном совещании "Диэлектрические материалы в экстремальных условиях" (Суздаль, 1990); краткосрочном семинаре "Применение пьезоактив-ных материалов в промышленности" (Ленинград, 1988); II Всесоюзной школе-семинаре "Физика импульсных разрядов в конденсированных средах" (Николаев, 1985); I Межведомственном семинаре "Физика прочности сегнетоэлектри-ков и родственных материалов" (Ростов-на-Дону, 1991); 6,7 и 8 Международных семинарах по физике сегнетоэлектриков-пролупроводников (Ростов-на-Дону, 1993, 1996, 1998); Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, 1999); Международных научно-практических конференциях "Пьезотехника-97" (Обнинск, 1997) и "Пьезотехника-99" (Ростов-на-Дону, 1999); 2 Международном симпозиуме по доменной структуре сегнетоэлектри-ков и родственных материалов (Нант, Франция, 1992); 8 Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Мериланд, США, 1993); 8 Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Нижмеген, Нидерланды, 1995); 3 Азиатской конференции по сегнетоэлектричеству (Гонконг, Китай, 2000); на научных семинарах и конференциях ДГУ и ИФ РГУ .

Публикации. По теме диссертации опубликовано более 50 печатных работ и получен патент на способ поляризации. Список основных публикаций приводится в конце автореферата.

Личный вклад автора. Все выносимые на защиту положения диссертации разработаны автором лично или при его непосредственном участии. Им сформулированы задачи исследования, определены методы их решения, разработаны экспериментальные методики, дана физическая интерпретация полученных результатов, сформулированы основные положения и выводы работы. Основная часть экспериментальных исследований выполнена совместно с научным сотрудником Агаларовым A.A. на кафедре экспериментальной физики ДГУ. Отдельные измерения проведены в НИИФ РГУ. Доменная структура исследована совместно с Экнадиосянц Е.И. (НИИФ РГУ). В обосновании методики исследований и обсуждении некоторых вопросов приняли участие д.ф.м.н., профессор Новицкий Е.З., к.ф.м.н., с.н.с. Садунов В.Д. (ВНИИЭФ, Сарово), д.ф.м.н., профессор Бородин В.З. (РГУ) и д.ф.м.н., профессор Эфендиев А.З. (ДГУ). При решении конкретных задач теоретического характера принимали участие к.ф.м.н. Бондаренко Е.И. (РГУ), д.ф.м.н., профессор Мейланов Р.П. (ДНЦ АН РФ) и аспирант Казбеков К.К. (ДГУ).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из Введения, пяти глав, раздела «Основные результаты и выводы» и списка литературы. Содержит 293 страниц машинописного текста, включая 75 рисунков и 10 таблиц. Список цитированной литературы включает 245 ссылок. Результаты оригинальных исследований составляют содержание всех глав диссертации.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан метод самосогласованного электрического поля, позволяющий изучить общие закономерности процесса переполяризации и получить более целостную информацию об особенностях динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в сильных электрических полях, дополняющий известные разновидности методик переключения Мерца и существенно расширяющий экспериментальные возможности. Отличительная особенность метода -взаимозависимость всех основных характеристик переключения: времени, тока, коэрцитивного поля, достигаемая включением в измерительную цепь последовательно с исследуемым образцом сегнетоэлектрика сосредотенной индуктивности.

2. Показано, что регистрация тока и напряжения на образце в самосогласованном поле дает возможность исследовать в зависимости от скорости нарастания поля Е' диэлектрические характеристики сегнетоэлектриков: переключение поляризации, гистерезис, коэрцитивное поле, диэлектрическая проницаемость, а также влияние динамики доменной структуры на развитие пред-и пробойных явлений. Для сегнетопьезокерамик системы ЦТС установлено, что в диапазоне скоростей нарастания поля Е' - 0.1 - 160 кВ/(мм.мкс) динамическое коэрцитивное поле Ес линейно возрастает с ростом Е' ив несколько раз превышает статическое значение Ес. Динамическая диэлектрическая проницаемость е, измеренная в поляризующем направлении приложения поля, падает с увеличением Е' до 5 раз по отношению к ет33 , причем полевой фактор воздействия на е превалирует над фактором температуры, в силу чего в сильных электрических полях подавляется температурная зависимость £*(Т). Графики зависимости обратного времени переключения поляризации 1п1 =/(Ё) имеют качественно тот же вид, что и известный график Мерца для ВаТЮ3 - 1Г11 =/(Е) и аппроксимируются степенным законом. В сильных полях от 20-25 кВ/см и выше время переполяризации обратно пропорционально полю, в котором протекает процесс: tn = const • .

3. Разработан способ (патент 2092934) и физически обоснован механизм поляризации в самосогласованном электрическом поле, обеспечивающий в микросекундном диапазоне времени при комнатной температуре эффективную поляризации сегнетопьезокерамических образцов до заданного уровня с высокой степенью точности. Рассмотрена полуколичественная модель зароды-шеобразования, которая приводит к зависимости критического размера образующихся зародышей и их числа от величины индуктивности самосогласованной цепи. Показано, что асимметричность импульсов тока переключения с коэффициентом симметрии т>1, характерным для самосогласованной цепи, является следствием особенностей электронного экранирования растущих доменов для пристеночного и изолированного зародышеобразования.

4. Выявлена идентичность доменной структуры сегнетопьезокерамики ЦТС, сформированной поляризацией в самосогласованном поле в микросекундном интервале, с доменной структурой образцов, поляризованных в стандартном режиме. В результате переполяризации короткими электрическими импульсами длительностью 2-5 мкс в кристаллах ВаТЮз обнаружено возникновение пространственно-модулированных доменных структур, период (0.4-0.6 мкм) которых совпадает с ожидаемым (0.5-0.6 мкм) из уравнения состояния для сегнетоэлектрика с фазовым переходом первого рода.

5. Методами термодеполяризационного анализа установлено формирование в течение времени действия быстронарастающего импульса сильного электрического поля в микросекундном диапазоне внутренних полей объемного заряда определенной структуры, имеющих недиффузную природу, благодаря которым обеспечивается повышенная временная и температурная стабильность поляризованности электрофизических параметров сегнетопьезо-керамики. Показано, что объемный заряд экранирования, образующийся в самосогласованном поле, сосредотачивается на глубоких энергетических уровнях с энергиями активации 1.5-3 эВ, тогда как при поляризации в постоянном поле заполняются относительно мелкие уровни (до 1.5 эВ).

6. Предложена методика исследования комплексной диэлектрической проницаемости е сегнетоэлектриков в процессе сверхбыстрого переключения по измеренным мгновенным значениям фазового сдвига и амплитуд входного и выходного высокочастотного напряжения. На кривых действительной части е'(!) реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетопьезокерамики ЦТС обнаружены три максимума, разделенных минимумами, соответствующими максимумам мнимой части £"($. Обнаруженные зависимости реверсивных характеристик е'(0 и с"(0 свидетельствуют в пользу вклада 180°-ных и 90°-ных доменных стенок в диэлектрическую проницаемость сегнетопьезокерамики, роль которых различна в различных фазах процесса пере* ключения. Частотная (0.3-1.5 МГц) зависимость е указывает на релаксационный характер переключения доменных стенок с некоторым спектром времен релаксации. Оценка времени релаксации доменных стенок к моменту достижения е"^) максимума дает значения да 0.2-0.5 мкс, что приблизительно на порядок меньше, чем для кристаллов.

7. Впервые в самосогласованном поле обнаружена электролюминесценция сегнетопьезокерамики ЦТС, индуцированная переключением поляризации и возникающая, как правило, в виде двух ярко выраженных пиков синхронно с началом переполяризации и исчезающая с ее завершением. Временные характеристики люминесценции коррелируют с временными характеристиками переполяризации, причем пороговое поле разгорания свечения совпадает с динамическим коэрцитивным полем. В поляризующем направлении свечение не возникает. Определен спектральный состав люминесценции: максимум энергии излучения лежит в красноволновой области 650-700 нм, что соответствует рекомбинации на примесных центрах зарядов, экранирующих поляризацию и освобождающихся при переключениях с энергией активации 1.5-1.8 эВ. В промежуточной области спектра 450-500 нм обнаружен небольшой размытый максимум. Показано, что обнаруженные особенности эффекта связаны со спецификой перестройки доменной структуры в быс-тронарастающем сильном поле и являются следствием изменения энергетического состояния электронов, закрепленных на доменных стенках и других центрах локализации, а не с микроразрядами на дефектах электродов.

8. Выявлены закономерности переключения поляризации сегнетопьезокерами-ки ЦТС в самосогласованном поле при действии одномерного продольного сжатия, параллельного оси поляризации. Установлено, что по мере роста а время и ток переключения поляризации уменьшаются, а динамическое коэрцитивное поле возрастает. Теоретически проанализированы ориентационные эффекты в сегнетокерамике с учетом того, что под давлением за короткое время (~10"6 с) в кристаллитах будут происходить только 180°-ные переключения спонтанной поляризации Р5. Получено выражение для расчета остаточной поляризации Ра сегнетопьезокерамики под давлением. Из сравнения расчетной величины поляризационного заряда с экспериментальной показано, что в сегнетокерамических материалах, лежащих вблизи границы МФО, поляризованное состояние может быть создано не только 180°-ными и другими, отличными от 180°-ных переориентациями, но и тетрагонально-ромбоэдрическим структурным фазовым переходом в части кристаллитов под действием а с изменением ориентации и величины Р3.

9. На основании представления о фрактальной природе эволюционирующей доменной структуры построена модель переполяризации в сегнетоэлектриках, позволяющая получить выражение для временной зависимости импульса тока переключения. Показано, что применение кластерных представлений к реальной доменной структуре и операция перепараметризации, приводящая к эффективному временному кластеру, открывают возможности для адекватного описания тока переключения в полидоменных сегнетоэлектри-ках. Количественное описание формы импульса тока в рамках предложенной модели удается достигнуть путем учета временной зависимости фрактального параметра а кинетики тока переключения, позволяющей перейти к единой функциональной зависимости тока от времени. Сравнение теоретических зависимостей тока переключения 1(х) с экспериментальными, полученными на прямоугольных импульсах напряжения на примере тонкопленочных сегнетоэлектриков КЫ03, показало, что теоретические зависимости количественно удовлетворительно описывают реальные зависимости во всем интервале времени переключения. Токи переключения, получаемые в самосогласованном электрическом поле, удаются количественно описать зависимостью га(т) при одновременном выполнении условия 1< а < 2.

10.В сильном быстронарастающем электрическом поле, когда время переключения поляризации составляет единицы и десятки микросекунд, обнаружен эффект генерирования на образце сегнетопьезокерамики избыточного напряжения, которое накладывается на напряжение источника. Анализ нелинейных процессов в последовательном ЯЛС- контуре, содержащем сегнето-конденсатор, показывает, что причиной появления избыточного напряжения наряду с уменьшением диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика на завершающем этапе процесса переключения является переход энергии, накапливаемой в индуктивности и определяемой амплитудным значением тока переключения, в электрическую энергию емкости образца. Количественная оценка пикового напряжения для сегнетопьезокерамики ЦТС приводит к значению, превышающем напряжение источника до десяти раз. Однако вследствие электрического пробоя образца в диапазоне скоростей нарастания поля Е' — 0.1 — 160 кВ/(мм.мкс) реальное увеличение напряжения составляет не более трех- четырех раз.

11 .Процессы переключения поляризации в самосогласованном поле приводят к снижению электрической прочности сегнетопьезокерамики. Одной из главных причин снижения объемной электрической прочности, наряду с возникновением локальных упругих напряжений в результате переключения 90°-ных доменов, является участие в ионизационных процессах части неском-пенсированных зарядов, высвобождающихся при переключении поляризации. Определяющим фактором, приводящим к снижению поверхностной электрической прочности, является инжекция свободных зарядов из поверхностных слоев сегнетоэлектрика и их участие в ионизационных процессах. Построена количественная модель поверхностного пробоя сегнетоэлектрика с учетом влияния объемного заряда, высвобождаемого при переключении поляризованности и участвующего в ионизационных процессах во внешней среде вблизи поверхности образца.

1. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals. // Phys. Rev. 1954. Vol. 95. N 3. P. 690-698.

2. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М: Мир, 1981. 526 с.

3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М: Мир, 1981. 736 с.

4. Физика сегнетоэлектрических явлений. / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, и др. Под ред. Г.А. Смоленского. Л.: Наука. 1985. 396 с.

5. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М. Наука, 1986.248 с.

6. Волк Т.Р., Максимова Н.Г., Попов С.А., Флерова С.А., Шпак Н.В. Люминесценция при переполяризации кристаллов ТГС. // Кристаллография. 1985. Т. 30. Вып. 4. С. 720-725.

7. Mock W., Holt W.H. Axial-current-mode shock depoling of PZT 56/44 ferroelectric ceramic disks. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 4. P. 2740-2748.

8. Новицкий E.3., Садунов В.Д., Садыков C.A., Трищенко Т.В., Феронов А.Д., Пучкова З.М. Поведение сегнетопьезокерамики в сильном быстронара-стающем электрическом поле. // ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 2. С. 348-354.

9. Глозман И.А. Пьезокерамика. М.: Энергия, 1974. 190 с.

10. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерамические материалы. Изд.-во Ростовского ун.-та, 1983. 160 с.

11. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко Л.А., Дудкина С.И. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Ростов-на-Дону, Изд.-во Пайк, 1995.96 с.

12. Ищук В.М., Морозов Е.М., и др. АС № 8106446. 1981, БИ. №9.

13. Яффе Б, Кук У, Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. 288с.

14. Пьезоэлектрическое приборостроение / А.В. Гориш, В.П. Дудкевич, М.Ф. Куприянов и др.; Под ред. А.В. Гориша. Т.1. Физика сегнетоэлектрической керамики. М.: ИПРЖР, 1999. 368 с.

15. Constantinescu F., Vasiliu F. Ferroelectric domains and domain wall structure in PZT ceramics. // Fourth Euro Ceramics. Electroceramics. 1995. Vol. 5. P. 269276.

16. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. M.: Мир, 1965. 555с.

17. Новицкий Е. 3., Садунов В. Д., Трищенко Т. В. Исследование электрофизических свойств сегнетоэлектриков в условиях ударного волнового нагруже-ния. 1. Методы исследований. // ФГВ. 1980. Т. 16. № 1. С. 88-99.

18. Новицкий Е. 3., Садунов В. Д., Трищенко Т. В. Исследование электрофизических свойств сегнетоэлектриков в условиях ударного волнового нагруже-ния. 2. Физические представления. // ФГВ. 1980. Т. 16. № 4. С. 120-125.

19. Поляризация пьезокерамики. (Под ред. Фесенко Е.Г.). Ростов-на-Дону: Изд.-во Ростовского ун.-та, 1968. 133 с.

20. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М.: Энергия, 1976. 336 с.

21. Панич А,Е., Куприянов М.Ф. Физика и технология сегнетокерамики. Ростов-на-Дону: Изд.-во Ростовского ун.-та, 1989.

22. Бондаренко Е.И. Житомирский Г.А., Фесенко Е.Г. К анализу методов поляризации сегнетопьезокерамики. // Сегнетоэлектрики. Изд.-во Ростовского ун.-та, 1983. С. 118-128.

23. James С. King, Center Valley, Neni С. Thomas. Патент США. № 3310720, кл. 317-262, 1967.

24. Доля В.К., Крамаров О.П., Мацак А.Н., Розин Л.Г., Согомонян В.Э. Способ поляризации сегнетокерамических пьезоэлементов. SU. авторское свидетельство 14554185, кл. H 01 L 41/22, 1986.

25. Доля В.К., Крамаров О.П., Розин Л.Г., Согомонян В.Э. Способ поляризации сегнетокерамических элементов и устройство для его осуществления. SU. авторское свидетельство 1568113, кл. Н 01 L 41/22, 1990.

26. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Поляризация сегнетокерамики в импульсном самосогласованном поле. // Сб. докладов МНПК "Пьезотехника-97". Обнинск, 1997. С. 234-239.

27. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Способ поляризации сегнетокерамики. RU. Патент 2092934, кл. Н 01 L 41/24, 1997.

28. Lambeck P.V., Jonker G.H. Ferroelectric domain stabilization in BaTi03 by bulks ordering of defects. // Ferroelectrics. 1978. Vol. 22. P. 724-731.

29. Fatuzzo E., Merz W.J. Ferroelectricity. Amsterdam. 1967. 287 p.

30. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Семенчев А.Ф. Доменная структура многоосных сегнетоэлектриков. Ростов-на-Дону.: Изд.-во Ростовского ун.-та, 1990. 192 с.

31. Лившиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. Т. X. М.: Наука, 1979. 528 с.

32. Hayshi М. Kinetics of domain wall in ferroelectric switching. // J. Phys. Soc. Jpn. 1972. Vol. 33. N3. P. 616-628.

33. Донцова Л.И., Тихомирова H.A., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках. // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 1. С. 158-175.

34. Fatuzzo Е. Theoretical consideration on the switching transient in ferroelectrics. // Phys. Rev. 1962. Vol. 127. N 6. P. 1999-2005.

35. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники. M. Наука, 1976. 408 с.

36. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М.: Физматгиз, 1962. 400 с.

37. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974. 472 с.

38. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Мир, 1975. 398 с.

39. Соловьев В.Г. Теория сложных ядер. М.: Наука, 1971. 560 с.

40. Corp А.А., Бородин В.З., Экнадиосянц Е.И. Наблюдение доменной структуры сегнетоэлектрической керамики в растровом электронном микроскопе. // Изв. РАН. Сер. физ. 1990. Т. 57. № 3. с. 70-74.

41. Hatanaka Т., Hasegawa Н. Observation of domain switching in tetragonal PB(ZrxTi!.x)03 single crystals by chemical etching method. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. P. 3245-3248.

42. Goo E.K.W., Mishra R.K., Thomas G. Electron microscopy study of the ferroelectric domains and domain wall structure in PbZro,52Tio,4803. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. P. 2940-2949.

43. Saurenbach F., Terris B.D. Imaging of ferroelectric domain walls by force microscopy. //J. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 1703-1705.

44. Takata K. Strain imaging of a Pb(Zr,Ti)03 thin film. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79. N.l. P. 134-142.

45. Экнадиосянц Е.И., Пинская A.H., Бородин В.З. Влияние электрических полей на доменную структуру сегнетоэлектриков типа BaTi03. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. Т. 48. № 6. С. 1111- 1115.

46. Экнадиосянц Е.И., Пинская А.Н., Бородин В.З. Доменная структура сегне-томягких керамик на основе цирконата-титаната-свинца. // Кристаллография. 1999. Т. 44. № 3. С. 502-507.

47. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Бачко З.Г., Миллер Т.Д., Фейер М.М., Байер Р.Л. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в нио-бате лития.//ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 10. С. 1831-1837.

48. Бурсиан Э.В., Трунов Н.Н. Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:1. ЛГПИ, 1976. 60 с.

49. Холоденко Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титана-та бария. Рига: Зинатис, 1971.

50. Borodin V.Z., Eknadiosiants E.I., Schneider E.Ya., Borodina V.A., Pinskya A.N. Effect of elastic strains on the structure of 180° domains in BaTi03 crystals. // Ferroelectrics. 1990. Vol. 111. P. 271-276.

51. Borodina V.A. Formation of a periodic domain structure in «-domain BaTi03 crystals under the influence of an electric field. // // Ferroelectrics. 1990. Vol. 111. P. 277-281.

52. Shur V.Ya. and Rumyantsev E.L. Kinetics of ferroelectric domain structure: retardation effects.//Ferroelectrics. 1997. Vol. 191. P. 319-333.

53. Borodin V.Z., Sadicov S.A., Eknadiosiantz E.I., Agalarov A.Sh., Pinskaya A.N. Emergence of periodic domain structures in ferroelectrics. // Abstract 2-nd Inter. Symp. on Domain Structure and Related Materials., Nantes, France. 1992. P03-17. P. 65.

54. Бородин B.3., Садыков C.A., Экнадиосянц Е.И., Агаларов А.Ш., Пинская А.Н. Возникновение периодических доменных структур под влиянием коротких импульсов электрического поля. // Изв. РАН. Сер. физ. 1993. Т. 57. №3. С. 66-69.

55. Бородин В.З., Шпитальник Б.Ц., Бородина В.А. Фазовый переход в сегнето-электрике-полупроводнике при наличии экранирования. // Сегнетоэлектри-ки. Изд.-во Ростовского ун.-та, 1983. С. 106-118.

56. Гавриляченко В.Г., Семенчев А.Ф., Фесенко Е.Г. Экранирование спонтанной поляризации в кристаллах титаната свинца. // ФТТ. 1997. Т. 38. № 4. С. 1076-1080.

57. Крамаров О.П. К вопросу об эффекте закалки в сегнетокерамике. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи Изд.-во Ростовского ун.-та, 1971. С. 86-91.

58. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М. Наука, 1981. 176 с.

59. Бородин В.З., Вусевкер Ю.А., Гах С.Г., Крамаров О.П., Нестеренко П.С., Сокалло А.И. // Полупроводники-сегнетоэлектрики. Изд.-во Ростовского ун.-та, 1973. С. 172-176.

60. Нестеренко П.С., Сокалло А.И., Прокопало О.И. и др. Электретный эффект в сегнетокерамике на основе цирконата-титаната-свинца. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. Т. 39. № 6. С. 1321-1324.

61. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Термостимулированная релаксация объемных зарядов в сегнетокерамике, поляризованной в быстронарастающем импульсном поле. // Вестник ДГУ. 1998. Вып.1. С. 5-9.

62. Gundel Н., Handerek J., Riege Н. Time-dependent electron emission from fer-roelectrics by external pulsed electric fields. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 2. P. 975- 982.

63. Павлов A.H., Раевский И.П. Варисторный эффект в полупроводниковой сегнетокерамике. // ЖТФ. 1997. Т. 67. № 12. С. 21-25.

64. Павлов А.Н., Раевский И.П., Сахненко В.П. Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики. // ЖТФ. 1999. Т. 69. № 7. С. 49-52.

65. Садыков С.А., Агаларов А.Ш. Процесс переполяризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. Вып. 17. С. 32-35.

66. Даринский Б.М., Сидоркин А. С. Концентрация электрического поля в полидоменных сегнетоэлектриках. // ФТТ. 1984. Т. 26. Вып. 6. С. 1634-1639.

67. Сидоркин А.С., Даринский Б.М., Панкова Т.Н. Происхождение и спектральный состав люминесценции при перестройке доменной структуры сег-нетоэлектриков. // Изв. АН СССР. 1984. Т. 48. № 6. С. 1135-1142.

68. Бородин В.З. Температурная зависимость пироэффекта в сегнетоэлектриках. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1985. С. 15-22.

69. Новицкий Е.З., Садунов В.Д., Куприенко А.А., Феронов А.Д. Эффект уни-полярности при электрическом поверхностном пробое поляризованных образцов пьезокерамики. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1986. С. 71-73.

70. Husimi К. Dynamic properties of the polarizability in ВаТЮз crystal. // J. Appl. Phys. 1959. Vol. 30. N 7. P. 978-981.

71. Fatuzzo E. Increase in dielectric constant during switching in lithium selenite andtreiglycine sulfate. // J. Appl. Phys. 1961. Vol. 32. N 8. P. 173-180.

72. Fatuzzo E. Increase in dielectric constant during switching in barium titanate and treiglycine sulfate. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 8. P. 2589-2596.

73. Miller R.C., Weinreih G. Mechanism for the sidewise motion of 180° domain walls in barium titanate. // Phys. Rev. 1960. Vol. 117. N 6. P. 1460-1466.

74. Fouscova A., Janousek V. The increase in permittivity ferroelectrics as a consequence of the polarization reversal process. Part 1. Experimental date. // J. Phys. Soc.Jpn. 1965. Vol. 20. N9. P. 1619-1624.

75. Fouscova A. The increase in permittivity ferroelectrics as a consequence of the polarization reversal process. Part 11. Theory. // J. Phys. Soc. Jpn. 1965. Vol. 20. N9. P. 1625-1632.

76. Бородин В.З. Изучение реверсивной диэлектрической проницаемости монокристаллов ВаТЮз. // Изв. АН СССР. 1965. Т. 29. № 11. С. 1986-1990.

77. Греков А.А., Ляховицкая В.А., Родин А.И., Фридкин В.М. Влияние экранирования неравновесными носителями на процесс переполяризации сегнето-электрика SbSi. // ФТТ. 1968. Т. 10. Вып. 8. С. 2239-2241.

78. Sadicov S.A., Agalarov A.Sh., Borodin V.Z. Dynamic properties of polarization in PZT ceramics in fast-rising strong electric fields. // Ferroelectrics. 1996. Vol. 186. P. 127-131.

79. Садыков C.A., Агаларов А.Ш., Бородин В.З. Диэлектрическая проницаемость сегнетокерамики при импульсной поляризации. // Тезисы IMFS-7. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1996. Вып. 6. С. 131-132.

80. Садыков С.А., Бородин В.З. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в самосогласованном электрическом поле. // Тезисы 1MFS-8. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1998. Вып. 7. С. 165-166.

81. Садыков С.А., Бородин В.З., Агаларов А.Ш. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле. //

82. ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 6. С. 108-112.

83. Нечаев В.М., Рощупкин A.M. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках-сегнетоэлек-триках. //Изв. АН. Сер. физ. 1995. Т. 59. № 9. С. 11-25.

84. Miller R.C., Savage A. Motion of 180° domain walls in BaTi03 under the application of a train of voltage pulses. //J. Appl. Phys. 1961. Vol. 32. N4. P. 714-721.

85. Камышева Jl.H., Голицына O.M., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата. // ФТТ. 1998. Т.40. Вып.7. С. 1321-1323.

86. Садыков С.А., Бондаренко Е.И., Агаларов А.Ш. Поляризация сегнетокера-мики в самосогласованном импульсном поле: роль не 180°-ных переключений.//ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. И. С. 60-65.

87. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пагцук Е.Г., Офицерова Н.В., Авров Д.Д„ Садыков С.А. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 3. С. 402-406.

88. Safaraliev G.K., Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F., Shabanov Sh.Sh., Paschuk E.G., Ofitserova N.V., Avrov D.D., Sadykov S.A. Preparation and properties of poly-crystalline SiC-AlN solid solutions. // Semiconductors. 1993. Vol. 27. N 3. P. 224-227.

89. Harman G.A. Electroluminescence from the surface layer of BaTi03, SrTi03 and associated materials. //Phys. Rev. 1958. Vol. 111. N 1. P. 27-33.

90. Стауэр Э.В. Электролюминесценция титаната бария на звуковых частотах. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1960. Т. 24. №11. С. 1350- 1352.

91. Bhide V.G., Shringi S.N. Polarization reversal electroluminescence at low frequencies in barium titanate crystals. // J. Appl. Phys. 1966. Vol. 37. N.7. P. 810813.

92. Ishibashi Y., Stadler H.L. Light generation by BaTi03 electrode interfaces during polarization reversal. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N. 12. P. 5802-5805.

93. Богатко В.В., Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. Излучение света, сопровождающее переполяризацию титаната бария. // ФТТ. 1968. Т. 10. Вып. 7. С. 2094-2096.

94. Godefroy L., Jullien P., Morion В., Godefroy G. Electroluminescence in trigly-cine sulphate and barium titanate. // Ferroelectrics. 1974. Vol. 8. N. 1-2. P. 421-423.

95. Montoto L., Jaque F. Switching induced electroluminescence in TGS. // Ferroelectrics. 1978. Vol. 20. N. 3-4. P. 267-269.

96. Флерова С.А. Люминесценция при переполяризации сегнетоэлектрических кристаллов.//Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. Т.48. №6. С. 1233-1237.

97. Самченко Ю.И., Флерова С .А. Спектры излучения кристаллов ВаТЮз при импульсной переполяризации. // Кристаллография. 1978. Т.23. Вып. 6. С. 1272-1273.

98. Consalo С., Aguilar ML, Tague F., Godefroy G. // Ferroelectrics. 1980. Vol. 29. P. 135-138.

99. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю., Попов C.A., Флерова С.А. Люминесценция кристаллов Pb5Ge30n при импульсной переполяризации. // ФТТ. 1976. Т. 18. Вып. 2. С. 583-586.

100. Флерова С.А., Самченко Ю.И. Излучение света кристаллом BaTi03 под действием одномерного импульсного давления. // ФТТ. 1972. Т. 14. Вып. 2. С. 592-594.

101. Флерова С.А., Таран В.Г. Динамика 90-градусного переключения и люминесценция монокристаллов BaTi03. // Физика активных диэлектриков. Днепропетровск. Изд-во ДГУ, 1980. С. 30-39.

102. Флерова С.А., Таран В.Г. Люминесценция при механическом переключении кристаллов, обладающих сегнетоэлектрическими и сегнетоэластиче-скими свойствами. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1979. Т. 43. № 8. С. 1745

103. Флерова С.А., Кудзин А.Ю., Бочков O.E., Крайник H.H. Тензолюминес-ценция в кристаллах PbMg1/3Nb2/303 в области размытого фазового перехода. //Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 21. С. 1960-1963.

104. Желудев И.С., Вацеба М.А., Романюк H.A. Излучение света при пьезоэлектрической поляризации кристаллов сегнетовой соли. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. Т. 51. № 12. С. 2222-2224.

105. Флерова С.А., Самченко Ю.И., Горбенко В.М. Излучение света при импульсной переполяризации деформированных кристаллов ВаТЮ3. // ФТТ. 1981. Т. 23. Вып. 9. С. 2775-2778.

106. Крайник H.H., Флерова С.А., Попов С.А. Электролюминесценция в магно-ниобате свинца при наложении одноосного давления. // ФТТ. 1987. Т. 29. Вып. 9. С. 2845-2847.

107. Крамаров О.П., Вусевкер Ю.А., Дорошенко В.А., Кривцова С.П. Влияние формовки и температурной обработки на процессы поляризации пьезоке-рамики ЦТС-23. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Изд.-во Ростовского ун.-та, 1971. С. 92-96.

108. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Новицкий Е.З. Переполяризация и люминесценция пьезокерамики в быстронарастающем электрическом поле. // Тез. докл. 12-й Всес. конф. по физике сегнетоэлектриков. Ростов-на-Дону, 1989. Т. 3. С. 74.

109. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Эфендиев А.З. Электролюминесценция сегнетоэлектриков при быстром переключении поляризации. // Тезисы 6-го

110. Межд. семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону, 1993. С. 23.

111. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974.

112. Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. Полупроводниковые свойства ВаТЮ3. // Титанат бария. М.: Наука, 1973. С. 71.

113. Айрапетов А.Ш., Иванчик И.И., Лебедев А.Н., Левшин И.В., Тихомирова H.A. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика.// ДАН СССР. 1990. Т. 311. №3. С. 594-597.

114. Турин Н.Т., Сабитов О.Ю. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 2. С. 64-69.

115. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Бородин В.З. Механические деформации и релаксационные явления в пьезокерамике ЦТС в самосогласованном электрическом поле. // Труды МНПК "Пьезотехника-99". Ростов-на-Дону, 1999. С. 139-145.

116. Бородин В.З. Влияние одностороннего давления на процессы поляризации в сегнетокерамике. // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1960. Т. 24. № 10. С. 1264- 1270.

117. Синяков Е.В., Дудник Е.Ф., Флерова С.А. Влияние механического давления на процессы поляризации в монокристаллах ВаТЮ3 и твердых растворах ВаТЮз ZnO. // ФТТ. 1966. Т. 8. Вып. 10. С. 1848- 1852.

118. Синяков Е.В., Флерова С.А. Влияние одномерных растягивающих напряжений на электрические свойства и доменную структуру монокристаллов ВаТЮз. // ФТТ. 1970. Т. 12. Вып. 9. С. 2728-2730.

119. Синяков Е.В., Флерова С.А., Архипов В.И. Влияние одномерных механических напряжений на доменную структуру монокристаллов ВаТЮ3 в ромбоэдрической фазе.//ФТТ. 1973. Т. 15. Вып. 4. С. 1237-1239.

120. Дорошенко В.А. Исследование воздействия сильных механических напряжений сжатия на поляризованную сегнетокерамику. Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ростов-на-Дону, 1971.

121. Бондаренко Е.И., Сервули В.А., Феронов А.Д. Описание поведения сегнетокерамики при сильных механических воздействиях. // Диэлектрические материалы в экстремальных условиях. Суздаль. 1990. Т. 1. С. 90 98.

122. Минчина М.Г., Янковский О.И. Распределение 90-ных доменных переори-ентаций в пьезокерамике типа цирконата титаната свинца под действием продольного сжатия. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 6. С. 46-49.

123. Дорошенко В.А., Пикалев Э.М., Виталинская Г.Н., Поздняков H.H. Доменные процессы в сегнетокерамике при действии сильного поперечного сжатия. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Изд-во Ростовского ун-та. 1976. С. 66 73.

124. Шувалов J1.A. Сегнетоэластики. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1979. Т. 43. № 8. С. 1554-1560.

125. Юфатова С.М., Семенчев А.Ф., Гавриляченко В.Г., Фесенко Е.Г. Экранирование спонтанной поляризации при механическом двойниковании. // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. Вып. 12. С. 713-715.

126. Богданов C.B., Вул Б.М., Разбаш P.JI. Пьезоэлектричечские свойства поликристаллического титаната бария при больших давлениях. // Кристаллография. 1961. Т. 6. Вып. 1. С. 72-77.

127. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Новицкий Е.З. Влияние механических напряжений на импульсную электрическую прочность сегнетокерамики. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Ростов-на-Дону. 1991. Вып. 9. С. 75-78.

128. Садыков С.А., Бондаренко Е.И., Агаларов А.Ш. Роль не 180°-ных переключений в процессе импульсной поляризации сегнетокерамики. // Тез. Докл. 13-й конф. по физике сегнетоэлектриков. Тверь, 1992. Т. 2. С. 127.

129. Sadicov S.A., Bondarenco E.I., Agalarov A.Sh. Polarization of ferroelectric ceramic in high-voltage pulse field: The role of non-180° switching. // Ferroelec-trics. 1994. Vol. 157. P. 129-134.

130. Богданов C.B. К вопросу о влиянии механической нагрузки на ориентации доменов в монокристаллах ВаТЮз. Н Кристаллография. 1962. Т. 2. № 5. С. 755-760.

131. Shetty M.N., Prasad V.G.S., Subbarao Е.С. 90° domain-wall motion in barium titanate under uniaxial compression. // Phys. Rev. B. 1974. Vol. 10. N 11. P.4801-4806.

132. Турик А.В., Чернобабов А.И. Внутренние механические напряжения и прочность сегнетокерамики//ЖТФ. 1979. Т.49. Вып. 8. С. 1732-1736.

133. Baerwald H.G. Thermodynamic theory of ferroelectric ceramics. // Phys. Rev. 1957. Vol. 105. N2. P. 480-485.

134. Исупов В.А. Свойства пьезокерамики Pb(Ti,Zr)03 и характер ее ориента-ционной диэлектрической поляризации. // ФТТ. 1968. Т. 10. Вып. 4. С. 1244-1246.

135. Квапулиньский Я., Суровьяк 3., Куприянов М.Ф., Зайцев С.М., Данцигер А.Я., Фесенко Е.Г. Исследования процессов поляризации сегнетопьезо-электрической керамики. //ЖТФ. 1979. Т. 49. С. 1049-1052.

136. Bondarenko E.I., Topolov V.Yu., Turik A.V. The effect of 90° domain wall displacements on piezoelectric and dielectric constants of perovskite ceramics. // Ferroelectrics. 1990. Vol. 110. PtB. P. 53-56.

137. Shin Byong-Chul, Kim Ho-Gi. Dielectric breakdown of fast fired BaTi03 ce• tbi ramies. // Scientific Ceramics 14:Proc. 14 Internat. Conf., Canterbury, September 7-9th, 1987. Stoke-on-Trent, 1988. P. 997-1001.

138. Shin Byong-Chul, Kim Ho-Gi. Grain-size dependence of electrically induced microcracking in ВаТЮз ceramics. // Ferroelectrics. 1989. Vol. 100. NN 1-4. P. 209-212.

139. Shin Byong-Chul, Kim Ho-Gi. Dielectric breakdown and partial discharge inrH

140. BaTi03 ceramic. // Proc. 3 Internat. Conf. Conduct. Breakdown Solid Dielect., Trondheim, July 3-6, 1989. New York, NY, 1989. P. 474-477.

141. Бондаренко E. И., Тополов В. Ю., Турик А. В. К теории электрического пробоя сегнетопьезокерамики типа ВаТЮ3. // ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 7. С. 1416-1418.

142. Бондаренко Е. И., Тополов В. Ю., Турик А. В. Внутренние механическиенапряжения и электрический пробой поликристаллического титаната бария. //ЖТФ. 1992. Т. 62. Вып. 12. С. 155-158.

143. Приседский В.В. Сегнетомягкость и сегнетожесткость пьезокерамики ЦТС. // В сб.: Сегнето и пьезокерамика в ускорении научно - технического прогресса. М. 1987. С. 77- 81.

144. Сканави Г. И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1958. 907 с.

145. Воробьев Г.А., Несмелов Н.С. Электрический пробой твердых диэлектриков. // Изв. ВУЗов, физика. 1979. № 41. С. 90-104.

146. Foe Т., Hanscomb G. R. Electrical breakdown in ferroelectric sodium nitrite crystals. //J. Appl.Phys. 1972. Vol.13. N11. P. 4824-4825.

147. Дятлов В. А., Синяков E. В. Электрическая прочность кристаллов BaTi03 // Укр. Физич. Журнал. 1974. Т. 19. Вып. 12. С. 2053-2056.

148. Феронов А. Д., Сервули В. А. Исследование электрической прочности сег-нетокерамики на основе ЦТС. // В кн.: Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград, 1981. С. 111-117.

149. Новицкий Е. 3., Садунов В. Д. О развитии пробоя в ударно-сжатом сегне-тоэлектрике. // ФГВ. 1984. Т. 20. № 4. С. 89-90.

150. Бондаренко Е. И., Тополов В. Ю., Турик А. В. Внутренние механические напряжения и электрический пробой кристаллических диэлектриков. // Кристаллография. 1992. Т. 37. № 6. С. 1572-1574.

151. Дорогин В.И., Жога Л.В., Шпейзман В.В. Зависимость электрической прочности сегнетокерамики ЦТС-19 от механических напряжений. // ФТТ. 1987. Т. 29. Вып. 11. С. 3485-3486.

152. Дорогин В.И., Жога Л.В. Влияние механических напряжений на электрическую прочность сегнетокерамики ЦТС-19. // В сб.: Сегнето-и пьезоэлек-трики в ускорении научно-технического прогресса. М. 1987. С. 73-75.

153. Жога J1.B., Шпейзман В.В. Разрушение сегнетокерамики в электрическом и механическом полях.//ФТТ. 1992. Т. 34. Вып. 8. С. 2578-2583.

154. Новицкий Е. 3., Садунов В. Д., Садыков С. А. О связи электрической прочности пьезокерамики с процессами ее переполяризации в быстронара-стающем электрическом поле.// ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 9. С. 1793-1800.

155. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Эфендиев А.З. Электрический пробой пьезокерамики, индуцируемый переключением поляризации. // Тезисы докл. 12-й Всес. конф. по физике сегнетоэлектриков. Ростов-на-Дону, 1989. Т. 3. С. 75.

156. Дахия М. С., Закревский В. А., Слуцкер А. И. Температурная зависимость электрической прочности сегнетокерамики. // ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 3. С. 629-632.

157. Дахия М. С., Закревский В. А., Слуцкер А. И. Кинетика электрического разрушения некоторых титаносодержащихся керамик. // ФТТ. 1984. Т.26. Вып. 9. С. 2716-2721.

158. Дахия М. С., Закревский В. А., Слуцкер А. И. Накопительные процессы в механизме электрического разрушения керамик. // ФТТ. 1986. Т. 28. Вып. 9. С. 2700-2706.

159. Дахия М. С., Закревский В. А., Слуцкер А. И. Механизмы, контролирующие кинетику электрического разрушения керамик в широкой области температуры. //ФТТ. 1987. Т. 29. Вып.12. С. 3614-3619.

160. Ueda I., Takiuchim. М., Ikegami S., Sato H. Temperature dependence of breakdown field of ceramic BaTi03. // J. Phys. Soc. Japan. 1962. Vol. 17. N 10. P. 1679-1680.

161. Ueda I., Takiuchim. M., Ikegami S. Dielectric breakdown of polycristallite Ba-ТЮ3. //J. Phys. Soc. Japan. 1964. Vol. 19. N 8. P. 1267-1273.

162. Schomann K.D. Electrical breakdown of barium titanate: A. Model. // J.Appl.Phys. 1975. Vol. 6. N1. P. 89-92.

163. Губкин A.H. Поверхностный пробой поликристаллических диэлектриков сразеной диэлектрической проницаемостью. //ЖТФ. 1958. Т. 28. Вып. 10. С. 2194-2199.

164. Юнусов A.M., Чеботаренко О.Б., Аливердиев A.A., Садыков С.А. Исследования поведения сегнетокерамики в области высоких полей и температур. // В кн.: Пробой полупроводников и диэлектриков. 4.1. Махачкала, Изд.-во ДГУ, 1975. С. 70-74.

165. Юнусов A.M., Садыков С.А., Аливердиев A.A. Поверхносмтный пробой сегнетокерамики. // Исследования по физике полупроводников и диэлек-триклв. Ростов-на-Дону, 1976. С. 30-34. Деп. в ВИНИТИ №1479-76.

166. Эфендиев А.З., Юнусов A.M., Садыков С.А., Аливердиев A.A. Исследование поверхностного пробоя сегнетокерамики. // Изв. ВУЗов. Физика. 1977. №8. С. 158. Деп.

167. Чеботаренко О.Б., Митько В.Н., Круглов А.К. Влияние реальных технологических факторов на поверхностный пробой пьезокерамиики. // В кн.: Электромеханические свойства поликристаллических сегнетоэлектриков. Л. 1981. С. 31-34.

168. Эфендиев А.З., Мейланов Р.П., Садыков С.А. К вопросу о поверхностной электрической прочности сегнетоэлектриков. // ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 4. С. 790-796.

169. Halpin W.J. Current for a shock-loaded short-circuited ferroelectric ceramic disk. // J. Appl. Phys. 1966. Vol.37. P. 153-159.

170. Павлушенко К.И. О механизме электрического пробоя керамических диэлектриков. // Обзоры по электронной технике. М. 1969. Сер. Радиодетали. В. 62. №31. 13 с.

171. Зацаринный В.П. Прочность пьезокерамики. Ростов-на-Дону. Изд-во РТУ, 1978. 208 с.

172. Сыркин Л.Н., Эльгард A.M. Влияние доменной структуры керамических сегнетоэлектркиов на их механические свойства. // ФТТ. 1965. Т. 7. С. 1206- 1209.

173. Сыркин Л.Н., Эльгард A.M. Электромеханический гистерезис и релаксационные явления в пьезоэлектрической керамике. // Изв. АН СССР. Сер физ. 1965. Т. 29. № И. С. 2082-2085.

174. Бондаренко Е.И., Сервули В.А., Феронов А.Д. Описание поведения сегне-токерамики при сильных механических воздействиях. // Диэлектрические материалы в экстремальных условиях ( Докл. 1 Всесоюзного совещания). Суздаль, 1990. Т. 1. С. 90-98.

175. Садыков С.А., Эфендиев А.З., Прокопало О.И. О некоторых закономерностях поверхностного пробоя сегнетоэлектриков. // ЖТФ. 1980. Т.50. №10. С.2267-2269.

176. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Эфендиев А.З. Поверхностный пробой сег-нетокерамики в вакууме. // Пьезоэлектрические материалы и преобразователи. Ростов-на-Дону, 1991. Вып.9. С. 79-82.

177. Pillai A., Hackam R. Surface flashover of solid insulators in atmospheric air and in vacuum. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 1. P. 146-153.

178. Бугаев С.П., Месяц Г.А. Импульсный разряд по диэлектрику в вакууме. // В кн.: Импульсный разряд в диэлектриках. Новосибирск: Наука, 1985. С. 425.

179. Новицкий Е.З., Садунов В.Д. Процессы преобразования и энергии в ударно-нагруженных сегнетоэлектриках. // В кн.: Детонация. Материалы VI Всес. симп. по горению и взрыву. Черноголовка, 11980. С. 113-116.

180. Miller R., Savage S. Motion of 180° domain walls in metal electrodes barium titanate crystals as a function of electric field and sample thickness. // J. Appl. Phys. 1960. Vol. 31. N 4. P. 662-669.

181. Gundel H., Handerek J., Riege H., Wilson E.J., Zioutas R. Pulsed electron emission from PLZT ceramics. // CERN/PS 89-47 (AR). Geneva. 1989.

182. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмиссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 39. № 9. С. 397-399.

183. Asako Tun-ichi, Okuyama Masanori, Mamakawa Yoschihiro. Electron emission into vacuum from lead-zirconate-titanate ferroelectric ceramics induced by polarization reversal. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. N 18. P. 396-398.

184. Садыков С.А. О формировании поверхностного пробоя сегнетопьезокера-мики. // В сб.: Пробой диэлектриков и полупроводников. Махачкала. Изд. ДГУ. 1984. С. 87-91.

185. Вольф Е. М. Влияние ионизирующей радиации на величину пробивного напряжения воздушных промежутков. // ЖТФ. 1966. Т. 36. №3. С. 564-565.

186. Лозанский Э.Д., Фирсов О.Б. Теория искры. М.: Атомиздат, 1975. 272 с.

187. Авдиенко А.А., Малев М.Д. Поверхностный пробой твердых диэлектриков в вакууме. II. Механизм поверхностного пробоя. // ЖТФ. 1977. Т. 47. № 8. С. 1703-1711.

188. Конатенко М.А. Динамика начального развития самостоятельного объемного разряда с предионизацией. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. Вып. 4. С. 214-218.

189. Мун Ф. Хаотические колебания. М.: Мир, 1990. 311 с.

190. Дрождин С.Н., Камышева С.Н. Доменный механизм возникновения хаоса в сегнетоэлектрических кристаллах ТГС. // ФТТ. 1992. Т. 34. Вып. 9. С. 2797-2803.

191. Сидоркин А.С., Солодуха A.M., Нестеренко Л.П. Нелинейная динамика в электрическом контуре с сегнетоэлектриком. // ФТТ. 1997. Т. 39. Вып. 5. С. 918-919.

192. Matsuyama I., Jyomura S., Miyauchi К., Toda G. // Pulse-like voltage generation using polarization reversal of ferroelectrics Ba-substituted Pb(Zr,Ti)03 ceramics. //Jpn. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 16. N 10. P. 1871-1872.

193. Pulvari C.F., Kuebler V. Phenomenological theory of polarization reversal in ВаТЮз single crystals. // J. Appl. Phys. 1958. Vol.29. N9. P. 1315-1321.

194. Chynoweth A.G. Barkhausen pulses in Barium titanate. // Phys. Rev. 1958. Vol. 110. N 6. P. 1316-1332.

195. Wieder H.H. Model for switching and polarization reversal in colemanite // J. Appl. Phys. 1960. Vol. 31. N 1. P. 180-187.

196. Husimi K. Phenomenological theory of ferroelectric polarization reversal. // J. Phys. Soc. Japan. 1970. Vol. 28. N 3. P. 413-415.

197. Колмогоров A.H. К статистической теории кристаллизации металлов. // Изв. АН СССР. сер. мат. 1937. №3. С. 355-360.

198. Ishibashi Y., Takagi Y. Note on ferroelectric domain switching. // J. Phys. Soc. Jpn. 1971. Vol. 31. N2. P. 506-510.

199. Dimmler K., Parris M., Butler D., Eaton S., Pouligny В., Scott J.F., Ishibashi Y. Switching kinetics in KNO3 ferroelectric thin-film memories. // J. Appl. Phys., 1987. Vol. 61. N 12. P. 5467-5470.

200. Scott J.F., Kammerdiner L., Parris M., Traynor S., Ottenbacher V., Sha-wabkeh A., Oliver W.F. Switching kinetics of lead zirconate titanate submicron thin-film memories // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 64. N 2. P. 787-792.

201. Vails O.T., Mazenko G.F. Nucleation in a time-dependent Ginzburg-Landau model: A numerical study. //Phys. Rev.B. 1990. Vol. 42. N 10. P. 6614-6622.

202. Orihara H., Ishibashi Y., Yamada Y. Pattern evolution in polarization reversal of ferroelectric liquid crystal. // J. Phys. Soc. Jpn. 1988. Vol. 57. N 12. P. 41014105.

203. Ishibashi Y. A model of polarization reversal in ferroelectrics // J. Phys. Soc. Jpn. 1990. Vol. 59. N 1. P. 4158-4154.

204. Nagara Т., Ishibushi Y. A model of polarization reversal in ferroelectrics. // J. Phys. Soc. Jpn. 1991. Vol. 60. N 12. P. 4331-4136.

205. Duiker H.M., Beale P.D. Grain-size effects in ferroelectric switching // Phys. Rev.B. 1990. Vol. 41. N 1. P. 490-495.

206. Orihara H., Ishibashi Y. A statistical theory of nucleation and growth in finite systems. // J. Phys. Soc. Jpn. 1992. Vol. 61. N 6. P. 1919-1923.

207. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Makarov S.D., Volegov V.V. How to extract information about domain kinetics in thin ferroelectric films from switching transient current data. // Integrated Ferroelectrics. 1994. Vol. 5. N 4. P. 293-301.

208. Шур В .Я., Румянцев E.JT., Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 6. С. 1687-1692.

209. Шур В.Я., Макаров С.Д., Пономарев Н.Ю., Волегов В.В., Тонкачева Н.А., Суслов Л.А., Салащенко Н.Н., Клюенков Е.Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата-титаната-свинца. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 6. С. 1889-195.

210. Фракталы в физике. М.: Мир, 1988. 672 с.

211. Олемской А.И., Флат А.Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды. // УФН. 1993. Т. 163. № 12. С. 1-50.

212. Корженевский А.Л., Камзина Л.С., Коршунов О.Ю. Фрактальный характер крупномасштабных неоднородных состояний в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 3. С. 214216.

213. Исупов В.А. Природа фрактальных образований на поверхности сегнето-электрических кристаллов с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1998. Т. 40. №7. С. 1305-1306.

214. Шур В.Я., Негашев С.А., Субботин А.Л., Пелегов Д.В., Борисова Е.А., Бланкова Е.Б., Тролиер-МакКинстри С. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации. //

215. ФТТ. 1999. T. 41. Вып. 2. С. 306-309.

216. Шур В.Я., Ломакин Г.Г., Куминов В.П., Пелегов Д.В., Белоглазов С.С., Словиковский C.B., Сорокин И.Л. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной PLZT-керамике. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 3. С. 505-509.

217. Шур В.Я., Кожевников В.Л., Пелегов Д.В., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Фрактальная природа скачков Баркгаузена в сегнетоэлектриках. // Тезисы BKC-XV. Ростов-на-Дону, 1999. С. 70.

218. Нигматуллин P.P. Дробный интеграл и его физическая интерпретация. // ТМФ. 1992. Т. 90. № 3. С. 354-358.

219. Чукбар К.В. Стохастический перенос и дробные производные. // ЖЭТФ. 1995. Т. 108. № 5. С.1875-1884.

220. Олемской А.И., Коплык И.В. Теория пространственно-временной эволюции неравновесной термодинамической системы. // УФН. 1995. Т. 165. № 10. С. 1105-1144.

221. Морозова Г.П., Сердобольская О.Ю., Тихомирова H.A. Исследование доменной «памяти» в сегнетоэлектрических кристаллах методом генерации звука. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. № 16. С. 488-491.

222. Кубарев Ю.Г. Фрактальные свойства сегнетоэлектрических кристаллов. // Изв. АН. сер. физ. 1993. Т. 57. № 3. С. 129-131.

223. Самко С.Г., Килбас A.A., Маричев О.И. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их приложения. Минск: Наука и техника, 1987. 688с.

224. Галиярова Н.М. Низкочастотные диэлектрические спектры сегнетоэлек-триков при взаимосвязи движения доменных границ с другими релаксационными процессами.// Изв. АН. сер. физ. 1997. Т. 61. №2. С. 386-394.

225. Нигматуллин P.P., Рябов Я.Е. Диэлектрическая релаксация типа Коула -Коула и самоподобный процесс релаксации. // Изв. Вузов. Физика. 1997. №4. С. 6-11.

226. Зосимов В.В., Лямшев Л.М. Фракталы в волновых процессах. // УФН. 1995. Т. 165. №4. С. 361-401.

227. Справочник по специальным функциям. (Под. ред. Абрамовича Н., Стиган И.). М.: Наука, 1979. 780 с.

228. Садыков С.А., Мейланов Р.П. Описание кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках на основе концепции фрактала. // В сб.: Полу-проводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1996. Вып. 6. С. 37-38.

229. Садыков С.А., Мейланов Р.П. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках. // Вестник ДГУ. 1997. Вып.1. С. 45-48.

230. Мейланов Р.П., Садыков С.А. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках. //ЖТФ. 1999. Т. 69. № 5. С. 128-129.

231. Садыков С.А., Мейланов Р.П., Казбеков К.К. Теоретическое описание импульсов тока переключения в сегнетоэлектриках на основе фрактала. // В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону, 1998. Вып. 7. С. 169-170.

232. Садыков С.А., Казбеков К.К., Мейланов Р.П. Фрактальная теория кинетики тока переполяризации в сегнетоэлектриках с самоподобной доменной структурой. // Материалы Всероссийской конф. по физической электронике. Махачкала, 1999. С. 217-220.

233. Садыков С.А., Казбеков К.К. Фрактальная трактовка в теории импульсов тока переполяризации сегнетоэлектриков. // Тезисы BKC-XV. Ростов-на-Дону, 1999. С. 15.

234. Шур В .Я., Груверман А.Л., Пономарев Н. Ю., Румянцев Е.Л., Тонкачева H.A. Кинетика доменной структуры при сверхбыстром переключении поляризации в германате свинца. // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 53. № 12. С. 591-594.

235. Гладкий В.В, Кириков В.А., Иванова Е.С. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 2. С. 353-357.