Пьезо- и диэлектрические свойства многокомпонентных твердых растворов с участием сегнетоэлектриков-релаксоров тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

ТАЛАНОВ Михаил Валерьевич

ПЬЕЗО- И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ С УЧАСТИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ-РЕЛАКСОРОВ

Специальность 01.04.07 — физика конденсированного состояния

Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

005554910

? 3 НОЯ 2Щ

Ростов-на-Дону 2014

005554910

Работа выполнена в отделе интеллектуальных материалов и нанотехнологий Научно-исследовательского института физики Южного федерального университета

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор РЕЗНИЧЕНКО Лариса Андреевна (Южный федеральный университет) Официальные оппоненты: ДО1СГОр физико-математических наук,

профессор БОГОМОЛОВ Алексей Алексеевич (Тверской государственный университет, профессор кафедры физики сегнето- и пьезоэлектриков)

доктор физико-математических наук, профессор ПАВЛОВ Андрей Николаевич (Ростовский государственный строительный университет, профессор кафедры физики)

Ведущая организация: Московский государственный технический

университет радиотехники, электроники и автоматики

Защита диссертации состоится "28" ноября 2014 года в 1430 часов на заседании диссертационного совета Д 212.208.05 по специальности 01.04.07 — физика конденсированного состояния, Южного федерального университета в здании НИИ физики ЮФУ по адресу: 344090 г. Ростов-на-Дону, просп. Стачки, 194, ауд. 411

С диссертацией можно ознакомиться в Зональной научной библиотеке им. Ю.А.Жданова Южного федерального университета по адресу: г. Ростов-на-Дону, ул. Зорге, 21Ж и на сайте http://hub.sfedu.ru/diss/announcement/3f56dae7-7ee2-40b2-9d0e-147f29fael37/

Автореферат разослан " " « » октября 2014 года

Отзывы на автореферат (2 экз.), заверенные печатью учреждения, следует направлять ученому секретарю диссертационного совета Д 212.208.05 по физико-математическим наукам в Южном федеральном университете по адресу: г. Ростов-на-Дону, просп. Стачки 194, НИИ физики ЮФУ

Ученый секретарь диссертационного совета

Гегузина Г. А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Стремительно возросшие в последние десятилетия требования к электротехническим устройствам привели к интенсивным поискам новых функциональных материалов с широкой вариацией диэлектрических и электромеханических откликов. В связи с этим особый интерес представляют твердые растворы (ТР) многокомпонентных систем с морфотропными фазовыми границами (МФГ), в состав композиций которых входят сегнетоэлектрики-релаксоры (СЭР) РЬМё1^ЬмОз (РМИ), РЬ7П|/3ЫЬ2/303 (РгИ), РЬ№1/3МЬ2/,Оз (РЫК) -соединения, демонстрирующие, в силу особенностей кристаллической структуры, рекордные электрофизические свойства [1], востребованные практикой (актюаторы, сенсоры, низкочастотные приемники). Систематических исследований электрофизических свойств и их корреляций с фазовыми диаграммами таких ТР в научной литературе практически нет, что связано со сложностями их фазообразования, которое критически зависящих от термодинамической предыстории. Чтобы получить эффективные материалы на основе подобных многокомпонентных ТР необходимо применить методы, основанные на химических (изо- и гетеровалентное модифицирование) и термодинамических (вариация режимов изготовления) воздействиях на исходные ТР, тем самым добиваясь у них необходимых для технических применений сочетаний электрофизических свойств. Таким образом, выявление закономерностей проявления и изменения пьезо- и диэлектрических свойств в свойств многокомпонентных твердых растворов с участием сегнетоэлектриков-релаксоров является актуальной задачей физики конденсированного состояния, решению которой и посвящена диссертация.

Цель работы: установление закономерностей проявления диэлектрических и пьезоэлектрических свойств многокомпонентных ТР в окрестности морфотропной области (МО) системы

(РЬо.95Вао.о5)(гп|/зЫЬ2/з)у(Мё1/3НЬ2/з)т(Ы1|/з№2/з)пТ1хОз.

Объекты исследования:

1) твердые растворы трех разрезов системы (Pbo.95Bao.o5)(Zn|/зNb2/з)y(Mg|/зNb2/з)m(Nil/зNb2/з)nTixOз:

3

- I разрез: у = 0,0842 - 0,1052, Ау = 0.0035, т = 0.3892 - 0.4844, Am =0.0136, л = 0.1266 -0.1604, Ди =0.0056, х = 0.25-0.40, Ах =0.025;

- II разрез: у = 0.0873 - 0.1091, Ду =0.0036, от = 0.2595 - 0.3244, Am =0.01082, « = 0.2532-0.3165, An =0.01055, х = 0.25 - 0.40, Дх=0.025;

III разрез: у = 0.0904 - 0.1130, Ау =0.0037, т = 0.1298 - 0.1644, Am =0.0058, п = 0.3798- 0.4726, Ди =0.0155, х = 0.25-0.40, Дх =0.025. 2) твердые растворы разреза системы

(Pb1.xBax)(Znl/3Nb2/3)o.o982(Mgl/3Nb2/3)o.454i(Ni|/3Nb2/3)o.i477Tio.303: х = 0 -

0.15, Дх =0.025.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

•S приготовить в виде керамики указанные объекты исследования

при различных режимах изготовления;

S построить фазовые диаграммы и определить положение

морфотропных фазовых границ на них;

■S установить особенности поведения диэлектрических,

пьезоэлектрических и сегнетоэлектрических свойств исследуемых керамик в электрических полях;

■S выделить составы твердых растворов с наиболее характерными

чертами проявления рассматриваемых характеристик;

установить корреляции наблюдаемых электрофизических свойств с особенностями фазовых картин изучаемых твердых растворов. Научная новизна. В диссертации впервые

• обнаружены платообразные аномалии на прямых (не первоначальных) ходах зависимостей реверсивной диэлектрической проницаемости и продольной деформации керамик составов из морфотропной области от величины напряженности постоянного электрического поля;

• показано образование и эволюция (от платообразных участков до минимумов) особенностей на зависимостях реверсивной диэлектрической проницаемости от величины напряженности электрического поля при увеличении содержания титаната свинца;

• установлена роль модифицирования барием в формировании структуры и пьезо-, диэлектрических свойств многокомпонентных керамик на основе сегнетоэлектриков-релаксоров;

• построена фазовая диаграмма в интервале составов с 0<г<0.15 системы (РЬ,.хВах)[(7П|/зЫЬ2/з)о.о982(Ме,/зНЬ2/з)о454|(№|/зМЬ2/з)о.1477Т1о.з]Оз;

• выявлены три принципиально различные группы зависимостей р(Тсп) керамик системы (Pb0.95Ba0.05)[(Zn1/зNb2/з)y(Mgl/зNb2/з)m(Ni|/зNb2/з)пTix]Oз: сильные с "насыщением" (х = 0.40), экстремальные (х = 0.325-0.375) и слабые (х < 0.30).

Практическая значимость основных результатов Разработаны сегнетопьезоэлектрические материалы на основе титаната свинца со следующими характеристиками:

• е33т/е0 = 9020, Кр = 0.62, |с/3|| = 335 пКл/Н, (?т = 29,для применений в низкочастотных приемных устройствах - гидрофонах, микрофонах, сейсмоприемниках, а также в приборах медицинской диагностики, работающих на нагрузку с низкоомным входным сопротивлением (Патент № 2440955 от 10.03.2010 Опубл. 27.01.2012 Бюл. № 3);

• е33т/е0 = 4100, Кр = 0.62, ¿/33 = 530 пКл/Н, |</3|| = 210 пКл/Н, = ПО пКл/Н, ()т = 42 для применений в низкочастотных приемных

устройствах, гидрофонах, сонарах, работающих в гидростатическом режиме, акустических приемниках, датчиках давления. (Патент № 2498958 от 08.06.2012. Опубл. 20.11.2013 Бюл. № 32).

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. В системе (РЬ|.хВах)[(2п|/з№2/з)у(Мд1/зЫЪ2/з)т(Н1|/зЫЬ2/з)„Т12]Оз при уменьшении концентрации РЬТЮ3 или при фиксированном содержании РЬТЮз и увеличении концентрации РЬ№|дТ<[Ь2/зОз наблюдается изменение электрофизических свойств от классического сегнетоэлектрика до сегнетоэлектрика-релаксора, а при модифицировании барием - от классического сегнетоэлектрика через промежуточное состояние сегнетоэлектрика-релаксора до параэлектрика.

2. В твердых растворах системы в окрестности морфотропной области происходит индуцированный полем переход из гетерофазного (псевдокубического и тетрагонального) состояния в фазу с тетрагональной симметрией, сопровождающийся усилением механических деформаций

5

элементарной ячейки и, как следствие, прекращением не-180-градусных переключений с формированием на зависимостях реверсивной диэлектрической проницаемости платообразных участков.

3. При уменьшении концентрации РЬТЮ3 и переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику - релаксору минимумы на реверсивных зависимостях диэлектрической проницаемости твердых растворов системы трансформируются в платообразные участки, а затем (при х>0.275) и полностью исчезают.

4. При одном и том же значении напряженности постоянного электрического поля (Е ~ 4 кВ/см) наблюдается минимум температур пиков диэлектрической проницаемости, исчезновение гистерезиса на зависимостях температур максимумов пироэлектрического коэффициента от напряженности электрического поля, что свидетельствует о близости к критической точке на Е-Т фазовой диаграмме, и достижение насыщения ммальных значений пироэлектрического коэффициента твердых растворов в окрестности морфотропной области системы.

Надежность и достоверность основных результатов и выводов диссертации обеспечена использованием комплекса взаимодополняющих современных апробированных экспериментальных методов и метрологически аттестованной измерительной аппаратуры, исследованиями большого числа образцов каждого состава для доказательства воспроизводимости результатов измерений и согласием полученных экспериментальных результатов с литературными данными. Кроме того, беспримесность изготовленной керамики твердых растворов и высокие относительные плотности образцов позволяют считать полученные результаты достоверными и надежными, а сформулированные положения и выводы - обоснованными.

Апробация результатов работы. Основные результаты диссертации докладывались на следующих конференциях: Международ, конф. молодых ученых «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения», Москва, 200В; VI - VII Международ, науч.-техн. школах-конф. «Молодые ученые -науке, технологиям и профессиональному образованию в микроэлектронике», Москва, 2008 - 2009; Международ, науч.-техн. конф. «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», Москва, 2008 - 2013; IV Международ, конф. по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века», посвященная памяти

М.П. Шаекольской, Москва, 2010; Международ, конф. «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», 2009, 2010). Махачкала. 2009, 2010; I Международ., междисципл. симп. «Термодинамика неупорядоченных сред и пьезоактивных материалов». Ростов-на-Дону - Пятигорск, 2009; XXII Международ, конф. «Релаксорные явления в твёрдых телах». Воронеж. 2010; XIII- XIV Международ., междисциплин, симп. «Упорядочение в минералах и сплавах». Ростов-на-Дону - JIoo. 2010, 2011; XIII- XIV Международ., междисциплин, симп. «Порядок, беспорядок и свойства оксидов». Ростов-на-Дону - JIoo. 2010, 2011, 2012; Международ, конф. «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов». (DFMN-2011). Москва; Международ, конф. «Физика диэлектриков». Санкт-Петербург. 2011, 2014; Intern, symp. «Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications». (PHENMA 2013). Kaohsiung, Taiwan. 2013; Международ, науч. конф. студ., асп. и молодых ученых «Ломоносов». Москва. 2010, 2011, 2012; I Междунар. междисциплин, симп. «Бессвинцовая сегнетопьезокерамика и родственные материалы: получение, свойства, применения (Ретроспектива-Современность-Прогнозы)». Ростов-на-Дону - Лоо. 2012; 7th Intern. Sem. on Ferroelastics Physics (ISFP-7). Voronezh. 2012; I Международ. Росс.-Укр. сем. «Аномальные свойства твердых растворов из морфотропной области многокомпонентных окислов, содержащих З-d металлы». 2011. Москва; Joint Intern, symp. ISFD-1 llh-RCBJSF. Ekaterinburg. 2012; II Международ, молодеж. Симп. «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития)». Ростов-на-Дону - Туапсе. 2013; II German-Russian interdisciplin. workshop for students and young scientists «Nanodesign: Physics, Chemistry and Computer modeling». Rostov-on-Don. 2013; I Международ, шк.-конф. «Saint-Petersburg OPEN 2014» по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам. Санкт-Петербург. 2014.; Intern, symp. «Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications». Khon Kaen, Thailand. 2014; 19 и 20 Всеросе. конф. по физике сегнетоэлектриков, Москва, 2011 и Красноярск, 2014; 15, 16 и 17 Всеросе. науч. конф. студентов-физиков, Кемерово-Томск, 2009, Волгоград, 2010, Екатеринбург, 2011; X Юбилейной всеросс. науч. конф. молодых ученых «Наука. Технологии. Инновации». Новосибирск. 2010; IV Всеросс. науч. Бергмановской конф. «Физико-химический анализ: состояние, проблемы, перспективы развития». Москва. 2012; Всеросс. смотре-конкурсе научно-техн. творчества студентов вузов «Эврика». Новочеркасск. 2008, 2009, 2012; Ежегод. конф. молодых науч. сотрудников и аспирантов. Москва. 2010 - 2014; Всеросс. молодеж. конф. «Минералы: строение, свойства, методы исследования». Новочеркасск. 2012; V Всеросс. молодеж. конф. по фундамент, иннов. вопросам совр. физики. Москва. 2013; V Всеросс. молодеж. конф. «Инновационные аспекты фундаментальных исследований по актуальным проблемам физики». Москва. 2011; III Всеросс. молод, конф. «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества». Москва. 2012; V Всеросс. конф. обуч. «Нац. достояние России». Москва. 2011.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 19 статьях в ведущих рецензируемых российских и зарубежных международных научных журналах, а также 39 статьях и 31 тезисе в сборниках трудов всероссийских, международных и региональных конференций, 4 главах в коллективных монографиях и 2 патентах.

Личный вклад автора в разработку проблемы. Автором совместно с научным руководителем, проф. Резниченко JI.A. выбрано направление исследований, проведено обсуждение и обобщение полученных данных, сформулированы цель работы, научные положения и основные результаты и выводы. Автор лично определил задачи, решаемые в работе; собрал и проанализировал массив литературных данных; провел измерения реверсивной диэлектрической проницаемости, диэлектрического и электромеханического гистерезиса, определил значения основных электрофизических параметров керамики изучаемых твердых растворов, оформил графический материал диссертации, подготовил публикации.

Основной массив керамических образцов получен под руководством Разумовской О.Н., Сорокун Т.Н., Тельновой Л.С. и Вербенко И.А.; рентгенофазовый анализ провели Шилкина Л.А., Бунина O.A. и Захарченко И.Н.; в измерениях температурных зависимостей диэлектрической проницаемости участвовал Павелко A.A., а пироэлектрического коэффициента - Захаров Ю.Н. и Лутохин А.Г.; консультации по интерпретации некоторых экспериментальных результатов давали профессора Сахненко В.П. и Турик A.B. и доцент Бунин М.А., а Дудкина С.И. - по измерениям пьезоэлектрических и поляризационных характеристик.

Объем и структура работы. Дисссертация состоит из введения, пяти разделов, основных результатов и выводов, изложенных на 144 страницах. В диссертации 64 рисунка, 2 таблицы, список цитируемой литературы состоит из 206 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обосновываются актуальность выбранной темы работы, сформулированы ее цель и задачи, определены объекты исследования, показаны научная новизна и практическая значимость проведенных исследований, представлены основные научные положения, выносимые на

8

защиту, описаны апробация результатов работы и личный вклад автора, раскрыта структура работы, дана краткая характеристика каждой главы.

В первой главе приведен литературный обзор экспериментальных данных о СЭР и ТР на их основе, природе высоких пьезоэлектрических и диэлектрических откликов последних, а также, о Е-Т фазовых диаграммах этих материалов. Рассматривается вопрос влияния модифицирования барием на структуру и диэлектрические свойства керамик на основе СЭР. Из обзора вытекает актуальность поставленных цели и задач, как с научной, так и с практической точки зрения.

Во втором разделе подробно описываются методы получения образцов (обычная керамическая технология) и их исследования (рентгенография, определение плотности, измерения диэлектрических, пьезоэлектрических, упругих, поляризационных, реверсивных и пироэлектрических характеристик).

Рисунок 1 - Тетраэдр составов четырехкомпонентной системы Р7Н-РМЫ-РЫЫ-РТ. красным выделен состав ТР 1-го разреза сечения II, эффект модифицирования барием которого рассматривается в работе

Методы получения. ТР второго сечения тетраэдра составов изучаемой системы (рис. 1). были изготовлены по обычной керамической технологии путем твердофазного синтеза с использованием колумбитного метода. Синтез колумбитоподобных соединений Г^№)206, №1ЧЬ206, 2пЫЪ206 из оксидов N10, ZnO и №205 высокой степени чистоты

включал две стадии: для 7пЫЬ206 и 1\^МЬ206 - обжиги при Г, = 1000 °С, Т2

Р7.Ы 1!а Р'Г

Ал П. 154. ✓

= 1100 °С в течение 6 час. и 4 час., соответственно, для №№>2Ов ~Т\ = 1000 °С, Г2 = 1240 °С в течение 6 час. и 2 час., соответственно. ТР конечного состава изготавливали однократным синтезом из предварительно полученных колумбитоподобных соединений, а также РЬО, ТЮ2 и ВаСОэ при Т = 950°С в течение 4 час. Спекание заготовок проводилось при температуре (Тсп.) 1180-1220°С.

В третьем разделе приведены результаты исследования ТР системы (Pbo.95Bao.o5)[(Znl/зNb2/з)y(Mg|/зNЪ2/з)m(Nil/зNb2/з)nTix]Oз. Выделены (рис. 2) области стабильности различных сегнетоэлектрических состояний: СЭР, сегнетоэлектрик с размытым фазовым переходом (СЭ РФП) и классический сегнетоэлектрик (КС).

Рисунок 2 — Фазовые картины разрезов 1-Ш сечения II системы: сплошные линии - границы фаз, а пунктирные линии - границы существования ТР с различным проявлением сегнетоэлектрических свойств

Во всех разрезах системы увеличение содержания РТ приводит к одинаковой последовательности переходов между структурными (кубическое (К), псевдокубическое (Пек), Пек + тетрагональное (Т), Т) и сегнетоэлектрическими (СЭР, СЭ РФП, КС) состояниями.

Динамика электрофизических характеристик, аналогична ранее наблюдаемой в других системах с участием СЭР, в которых присутствуют МФГ (морфотропная область (МО)) [1]: на зависимостях основных электрофизических характеристик исследованных ТР с различными Ти1 от содержания РТ при его увеличении происходит довольно резкое уменьшение (рис. 3) значений е3Зт/е0 и tg<5 (в III разрезе наблюдается максимум tariiî) в МО). В МО наблюдаются либо чёткие, либо размытые максимумы Кр и Iî/3|I, а величины Qu и Vепроходят через пологий минимум. Влияние Тш главным образом сказывается на механических и упругих параметрах (QM и Vе,), ввиду их зависимостей от р (Qu ~ р, Vе, ~

I разрез СЭР СЭ РФП

КС

К Пек гфк + т Т

0.25 СЭР 0.30 0.35 0.40 X И разрез СЭ РФП ; КС

К Пек Пек | т +Т !

0.25 0.30 0.35 111 разрез СЭР ; СЭ РФП 0.40 X КС

К Пек Пек: +"Г : Г

0.25

0.30

0.35

0.40 X

1/р) И, что особенно заметно чувствительны к изменению Тсп.

I

100 50 0

1<У

пКл/Н

зои 200 то1

12 8 4

Иск

0.25 0.30

Vе,. км/с

3.6

3.2

2.8

Кр

-0.6 0.4 0.2 ю2

в ТР с х = 0.4, которые наиболее

е/Е0-10"'

-ПВО'С

---ПОО'С

---1Ж

X

0.35

0.40

Рисунок 3 - Зависимости основных электрофизических характеристик

керамик разреза I сечения II системы от содержания РТ (х) при различных Тс„

-30 -20 -Ю 0 10 20 30 Н.кВ/см

Рисунок 4 - е/£0(£)-зависимости ТР

разреза I сечения II системы, полученных при Те„ = 1180°С, от Е. Содержание РТ (х): 1 - 0.25, 2 - 0.275, 3 - 0.30, 4 - 0.325, 5 - 0.35, 6 - 0.375, 7 - 0.40

При низком содержании РТ наблюдается характерная для СЭР безгистерезисная куполообразная форма зависимостей е/е0 и е3зТ/е0 от Е (рис. 4). Кривым е/е0(Е) и еззТ/е0(£) составов со средним содержанием РТ(х = 0.30) свойственны более узкие формы пиков, чем для СЭР. Гистерезис прямого и обратного ходов е/е0 и £ззТ/е0 для этих керамик наиболее сильно выражен при Е= 0. Отмечается небольшой рост е/е0 и £ззТ/£о, на начальном этапе повышения Е, связанный с исчезновением 180°-ных доменных стенок [3] и "освобождением" ранее зажатых (до переполяризации) доменов (эффект Другарда - Янга [4]). Кривые е/е<,{Е) и е}}т/е0(Е), соответствующие керамикам с высоким содержаниям РТ, имеют пологую форму, что говорит о возросшей сегнетожёсткости ТР, за счёт увеличения с/а [5], и, как следствие, перехода к классической доменной структуре.

При понижении содержания РТ происходит постепенное уменьшение значений коэффициента управляемости, К {К = (е/е0 (Е=0) - е/е0 {Еф0))/ е/е0 (£■=0)), от 6 до 1.2 (рис. 5). Нами выделены области концентрации РТ в

керамиках, которым соответствуют наиболее характерные е/ео(Е)-зависимости:

I. х < 0.30, высокие значения К (-0.8), и е/е0 (-10000), безгистерезисные e/so (Е)-зависимости;

II. 0.30 <х < 0.375, резкое уменьшение К (от 0.8 до 0.35) и е/е0 (от 8000 до 3000);

III. 0.375 < х, низкие значения К (~ 0.3) и е/е0 (~ 2500-3000), гистерезис е/£0(£)-зависимости.

Во всех трех разрезах при увеличении содержания РТ значения Ее возрастают (рис. 6), что связано с возрастанием сегнетожесткости при переходе от СЭР к КС. Параметры поляризации Рт, Рпт, Psp и Р\ претерпевают локальный максимум в МО. Возрастание Рт при увеличении содержания РТ происходит за счет вклада Р1ст и Psp, что, вероятно, связано с усилением полярной анизотропии материала при переходе к КС с макроскопической доменной структурой. Величина Р\, снижается с ростом содержания РТ, что объясняется повышением сегнетожесткости. Наибольшие различия в величинах поляризационных характеристик керамик полученных при различных Тсп , наблюдаются при х > 0.30, что наиболее четко проявляется в TP I разреза. Вероятно, это связано с обнаруженным ранее эффектом повышения оптимальной Тш при увеличении содержания РТ.

При низком содержании РТ (х ~ 0.25) наблюдаются типичные для

СЭР биполярные кривые Съ(Е) (рис. 7). Они характеризуются практически

отсутствующим гистерезисом между прямым и обратным ходом Сз(£)> а

также только положительными значениями деформаций. При увеличении

содержания РТ Сз(£)-зависимости приобретают форму характерную для КС.

Кривые-бабочки керамик с высоким содержанием РТ (х > 0.3)

характеризуются ярко выраженным гистерезисом между прямым и

обратным ходом ¿*з(Е), а также существованием значительных негативных

12

Рисунок 5 - К(х) - зависимости керамик

ппи пячпичнмх

деформаций. Последнее указывает на формирование сегнетоэластичской доменной структуры, которая отсутствует в СЭР [6]. Таким образом, при увеличении содержания РТ наблюдается трансформация биполярных (з(Е)-зависимостей от типичных для СЭР до характерных КС [6].

;т+Пск! т ^Е!

8 _ 4 ' О

5.Ю' 12

8

4 '

0

; .10 12

V

V ч,/

12

"" .Г-О.Э25 /'Х-О.55

16 (12 К к Ь

;12

к !о

5,10 12

0.25

0.30 ^ 0.35

0.40

— О

0 5 II) П. «В/см

Рисунок 6 - Зависимости параметров петли диэлектрического гистерезиса образцов ТР разреза I сечения II системы, полученных при различных Тсг

Рисунок 7 - Биполярные Сз(£)-зависимости образцов ТР разреза I системы, полученные при Гс„.=1220°С

В четвертом разделе на примере ТР разреза I сечения II системы (РЬ0.95Ва0.05)(гп1/3НЪ2/з)у(М§1/зМЬ2/з)т^1|/зКЬ2/з)пТ1хОз рассмотрены причины возникновения обнаруженных нами платообразных аномалий на е/е0(Е) - и £ззТ/£о(£) - гетерофазных керамических ТР. При уменьшении содержания РТ на фоне общего увеличения е/е0 происходит уменьшение значений Е (рис. 8), соответствующих аномалиям е/е0. Это обусловлено появлением и увеличением в объёме Пек фазы при уменьшении содержания РТ и, как следствие, понижением сегнетожёсткости, свойственной Т материалам. Кроме того, минимум е/е0 постепенно эволюционирует в платообразный участок, наблюдаемый в гетерофазных керамиках с х = 0.30 - 0.325.

о/с, -10"

Е/Еи-Ю-'

4.0 х}'

3.5

3.0

2.4

2.2

2.0

•15 -10 5...............0 5 10 15

К.кН/ем

Рисунок 8 - Зависимости е/е0(Е) исследуемых ТР с различными концентрациями РТ (х): петли (а) и не первоначальные прямые хода (б) в одном масштабе

Для выявления процессов 90°-х переключений в Т фазе и обнаружения возможных индуцированных электрическим полем фазовых переходов (ФП) как вероятных причин образования плато на зависимости е/ео(£) проанализированы изменения профильных характеристик рефлекса 200. Рентгендифракционные данные получены при одновременной подаче поля на образец в таком же режиме, при котором диэлектрическая аномалия выражена наиболее четко. Начиная с полей напряженностью £ = 1.8 кВ/см наблюдается увеличение объемной доли кристаллитов, полярные оси [001] которых ориентированы вдоль поля - формирование и рост е-доменов. В интервале напряженностей Е = (1.8 - 3.6) кВ/см этот процесс происходит только за счет уменьшения объемной доли кристаллитов, оси [001] которых ориентированы перпендикулярно полю (90°-ные переключения); объемная доля Пек -фазы при этом не изменяется (рис. 9). Дальнейший рост напряженности поля приводит к уменьшению объемной доли Пек -фазы; малоугловой «хвост» рефлекса 002 уменьшается и при значении Е= 6.3 кВ/см относительная интенсивность компоненты 200пск убывает до нуля. Наблюдаемые изменения интенсивности профилей свидетельствуют

об индуцированном электрическим полем ФП из Пек фазы в Т. Возникающие в результате механические напряжения при Е = (3.6 -6.3) кВ/см (рис. 10) препятствуют доменным переключением [100]—+[001], что также подтверждается наличием платообразных аномалий на зависимостях продольной деформации от величины Е.

Т+Пск

Й 0.04

а кв/см

Рисунок 9 — Зависимость относительных интегральных интенсивностей 1ц рефлексов Т и Пек фаз от Е. Квадраты - рефлексы 002 Т фазы; кружки - рефлексы 200 Пек фазы. Закрашенные символы соответствуют прямому ходу, открытые - обратному

Е, кВ/см Рисунок 10 — Зависимость относительной продольной деформации Т ячейки в направлении [001] (в %) от напряженности электрического поля. Закрашенные символы соответствуют прямому ходу, открытые - обратному

На основании детального изучения е'/е0(Е) и ¿"/е0(£)-зависимостей ТР, измеренных при различных температурах были выделены три особенности, возможные причины образования которых будут обсуждаться при построении Е-Т фазовой диаграммы в дальнейшем:

1. Плато, проявляющееся на ¿'/¿«(/^-зависимостях при увеличении Е, появление которого связывается нами с прекращением не-180°-ных доменных переключений из-за высоких механических напряжений, вызванных индуцированным Е ФП из гетерофазного (Пск+Т) в монофазное (Т) состояние (треугольные маркеры на рис. 11);

2. Максимумы ¿'/¿о и е"/е0, формирующиеся при увеличении Е и связанные с исчезновением 180°-ных доменных стенок, освобождением ранее "зажатых" (до переполяризации) доменов (полярных областей) и с

процессами обратного переключения не 180°-х доменов [3] (круглые незакрашенные маркеры на рис. 11);

3. Максимумы е"/е0 (в меньшей мере е'/е0), обнаруженные как на прямом, так и на обратном ходе Е, по нашему мнению, вызванные индуцированным электрическим полем обратимым ФП в пределах Пек фазы (МЛ—>МС), свойственным ТР СЭР и РТ из МО [7, 8] (круглые закрашенные маркеры на рис. 11).

На Е-Т фазовых диаграммах отображены результаты экспериментов, произведенных при пошаговом циклическом изменении Е и фиксированной температуре (рис. 11, а), а также при вариации температуры и неизменном значении Е (рис. 11, б). Диаграммы не объединены в одну, поскольку положение фазовых границ и последовательность индуцированных ФП зависит от способа приложения Е [7, 8]. Сделанное предположение о возможном индуцированном Е ФП Т + МА —>Т + Мс, позволило получить низкотемпературную часть Е-Т фазовой диаграммы, которая находится в хорошем согласии с экспериментальными результатами дифракционных исследований бинарных ТР на основе СЭР [7, 8].

Е,кВ/см

8ГсЛ

Е,кВ/см б)

Рисунок 11 - Е-Т фазовая диаграмма: низко-(а) и высокотемпературные части (б), полученные на основании анализа экспериментов, произведенных при различных условиях воздействия температуры и Е (увеличение Е при фиксированной температуре - вертикальные стрелочки, изменение температуры при Е=сопв1, - горизонтальные). СР-предполагаемая критическая точка

Высокотемпературная часть Е-Т фазовой диаграммы (рис. 11, б) получена на основании результатов диэлектрических (ромбические маркеры) и пироэлектрических измерений (квадратные маркеры) в РС

(закрашенные маркеры) и РНаРС-режиме (незакрашенные маркеры). При Е < 2 кВ/см, 7'таху в режиме РНаРС близко к Ту?. Увеличение Е до 4-5 кВ/ем приводит выходу на насыщение у(Е), перегибу /„„.(¿^-зависимостей и к подавлению температурного гистерезиса у(Т). Последнее свидетельствует в пользу существования критической точки, в которой линия переходов первого рода сменяется линией переходов второго рода. Как отмечалось в [9], указанные особенности проявляются вблизи критической точки типа жидкость-пар на Е-Т фазовой диаграмме. По мнению авторов [10], впервые показавших существование указанной особенности (линии критических точек) в случае ТР на основе СЭР, значительные флуктуации поляризации вблизи нее могут приводить к гигантским значениям электромеханических откликов

В пятой главе рассматривается структура, диэлектрические, пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические свойства ТР состава (РЬ|-хВах)(2П|/зЫЬ2/з)о.0982(Мё1/з№2/з)о.4541(Т^1|^Ь2/з)о.1477Т1о.зОз (0<г<0.1 5). Модифицирование Ва2+ привело к снижению оптимальной Тс„ керамик с 1200°С (х = 0.00 -0.05) до 1180°С (х = 0.075-0.150) и исчезновению следов пирохлорной фазы.

Фазовая диаграмма изучаемой системы в интервале 0<г<0.15 имеет вид: при 0<г<0.05 сосуществуют Т и Пск| фазы, в интервале 0.05<х<0.075 расположена Пск| фаза, в интервале 0.075<х<0.125 существует Пск2 фаза, при 0.125<х<0.150 - К фаза. Очевидно, что в диапазонах 0.075<х<0.10 и 0.125<х<0.15 должны находиться области сосуществования фаз ПсК| + Пск2 и Пск2 + К, соответственно. Отметим, что изменение симметрии ТР происходит на фоне изменения типа ТР: ТР внедрения (0<х<0.025) —» ТР внедрения + ТР замещения (0.025<х<0.()75) —> ТР замещения (0.075<х<0.15). Обнаружено, что с увеличением содержания Ва2+(х) происходит значительное снижение температуры максимума ек0 (от 131 °С при х = 0 до комнатной температуры при х = 0.125) и tg 3 (рис. 12). В диапазоне содержаний х = 0.025-0.100 наблюдается существенное возрастание параметров у (степень размытия фазового перехода) и ДТ со свойственных для КС прих = 0 (1.581 и ГС, соответственно) до типичных для СЭР при х = 0.025-0.075 (1.820 -1.848 и 5-7°С, соответственно). Это свидетельствует об усилении релаксорных свойств в указанном диапазоне содержания х.

Дальнейшее увеличение х приводит к уменьшению значений у и АТ при х = 0.100-0.125 (1.398 и ГС, соответственно), что, вероятно, связано с подавлением состояния СЭР и переходом в параэлектрическую (ПЭ) фазу. Анализ е/е0(7)-зависимостей позволил определить области существования КС (0<х<0.025)(СЭ), СЭР (0.025<х<0.125) и ПЭ (0.125<х<0.150).

-A-.Xk0.0i0

—V—.1-0.075 —*-,Г»0.100 ~<-.Г-0.125

Шск, Пск.+К

0.05 г 0.10

0.15

250

Рисунок 12 - Зависимости е/е0(7) и изучаемых керамик с различным содержанием Ва2+(л;)

Рисунок 13 - Зависимости основных электрофизических параметров керамик с различным содержанием Ва2+(х). На вставке изображена зависимость (?т(х) при малых х в другом масштабе

Кривые е1е0(х) и £33 /е0(х) характеризуются наличием двух размытых максимумов при х = 0.05 и л=0.125 на границах перехода в однофазное состояние (рис. 13). На зависимостях tg д(х) также обнаружены два максимума, однако, их положение смещено в сторону меньших х (х = 0.025 и х=0Л00, соответственно). До х ~ 0.075 е3Зт/е0 > е/е0 в силу того, что поляризация керамик приводит к освобождению зажатых доменов и, как следствие, повышению мобильности доменных стенок. При увеличении х различие в величинах е/е0 и £ззТ/г0 исчезает, что связывается с исчезновением доменной структуры при переходе в ПЭ фазу. Максимальные значения пьезоэлектрических свойств (¿/33 = 621 пКл/Н, Кр = 0.57) обнаружены при л=0.05. Ненулевые значения пьезоэлектрических

коэффициентов К TP (х=0.15), вероятно, связаны с индуцированным Е переходом части объема ПЭ фазы в СЭ в процессе поляризации керамик. Зависимости величин Vеt и У^м от х характеризуются наличием двух точек перегиба при х = 0.05 и х = 0. 10, что коррелирует с поведением ргс\. (х) - и pmcas. (х)-кривых. При х > 0.05, наблюдается рост Qm, Vе'\ и i^n (вплоть до 8300, 3.84 км/с и 1.11 Н/м2, соответственно, при х=0.15). При х=0.05 наблюдается минимум £)т(х)-зависимости (таблица), что характерно для керамик из МО и было ранее обнаружено в ряде других TP [1]. Такое поведение Qm объясняется повышением подвижности и увеличением числа доменных границ при приближении к МО. Резкое возрастание Qm при переходе в ПЭ фазу может быть объяснено исчезновением доменных границ, на которых рассеивается механическая энергия.

Петли диэлектрического гистерезиса изучаемых керамик с различным содержанием Ва2+(х) были получены при комнатной температуре. При х =0 наблюдаются типичные для КС насыщенные петли гистерезиса. Увеличение х до 0.025 приводит к резкому снижению Рт, Psp, Ргст и Р\, что может быть связано с неполным замещением ионов РЬ2+ на Ва2+ и, как следствие, возрастанием эффекта пиннинга доменных стенок на дефектах кристаллической структуры. В ПсК| фазе наблюдается формирование максимума указанных характеристик (при х =0.075). Это связано с малыми искажениями решетки в этой фазе, и, как следствие, облегчением доменных переключений. Кроме того, в случае если Пек; фаза имеет М симметрию, (как это предполагалось ранее), то это будет способствовать возрастанию характеристик поляризации, в частности Prcm, за счет большего числа возможных направлений вектора поляризации. Дальнейшее возрастание х сопровождается снижением Рт, Рц„ Ркт, Я, и Ес, что вызвано переходом в ПЭ состояние. При этом наблюдаются наклонные ненасыщенные петли диэлектрического гистерезиса (х = 0.15), характерные для линейного диэлектрика с потерями.

Основные результаты и выводы 1. Выявлены три принципиально различные группы зависимостей р(Тс„) керамических твердых растворов системы: сильные с "насыщением" (х = 0.40), экстремальные (х = 0.325-0.375) и слабые (х < 0.30).

2. Наиболее сильные различия значений е/е0 при Е = 0 до и после приложения смещающего электрического поля наблюдаются на зависимостях образцов TP гетерофазных составов с наибольшим содержанием PMN (I разрез).

3. На основании исследования петель диэлектрического гистерезиса керамики TP системы обнаружено, что максимумы поляризационных характеристик расположены вблизи морфотропной (гетерофазной) области изучаемой системы.

4. На основании изучения деформационных характеристик керамики TP I разреза системы установлено, что TP с х < 0.3 свойственны близкие значения £з,тах, полученные как при биполярном, так и при униполярном режимах. В керамиках с РТ > 0.35 гистерезис усиливается, а максимальные значения <,\пих наблюдаются в биполярном режиме.

5. Выявлены области изучаемых TP со свойствами, оптимальными для применения: в конденсаторной технике (х = 0.25, И, III разрез, ¿'ззт/со > 16000); в низкочастотных приёмных устройствах (гидрофонах, микрофонах, сейсмоприёмниках) (х = 0.30 - 0.325, I разрез, Гсп=1180°С, Кр ~ 0.6 и lc/3Il ~ 300, е33т/ео ~ 6000 ); в пьезодвигателях (х > 0.35, I разрез, Гсп= 1220°С, Кр ~ 0.4, \d3t\ > 150 пКл/Н и QM~ 100); в приборах медицинской диагностики {х > 0.35,1 разрез, Тсп = 1180°С, Кр ~ 0.4, |i/3i| > 150 пКл/Н и Vе! > 3.6 км/с). Кроме того, на основании изучения реверсивных характеристик исследуемых TP, установлено, что для применения в управляющих устройствах наилучшими параметрами обладают керамики с х = <0.30 (группа I на рис. 5). На основании, изучения деформационных характеристик, показано, что для применения в актюаторах, оптимальным сочетанием параметров обладают TP с х = 0.275.

6. Обнаружено индуцированное Е подавление дисперсии е/е0 керамик СЭР, что свидетельствует о переходе СЭР—»КС.

7. На биполярных £,(£) - зависимостях гетерофазных керамик системы обнаружены платообразные аномалии в диапазоне Е = 4-7 кВ/см, что соответствует значениям Е при которых наблюдались особенности на реверсивных характеристиках этих ТР.

8. Обнаружены максимумы е"/е0 (в меньшей мере е'/е0), формирующиеся как на прямом, так и на обратном ходе Е в TP с х = 0.30.

9. Построена фазовая диаграмма системы (Pbi_ xBax)[(Zn 1/3Nb2/3)o.o982(Mg i/3Nb2/3)o.4541 (Ni|/3Nb2/3)o. i477Tio.3]03 в интервале 0<r<0.15 согласно которой: при 0<х<0.05 сосуществуют Т и Пек, фазы, в интервале 0.05<х<0.075 расположена Пек, фаза, в интервале 0.075<х<0.125 существует Пск2 фаза, при 0.125<х<0.150 - К фаза. Кроме того отмечено, что изменение симметрии TP происходит на фоне изменения типа TP: TP внедрения (0<х<0.025) —* TP внедрения + TP замещения (0.025<х<0.075) -> TP замещения (0.075<х<0.15).

10. Установлено, что увеличение содержания Ва2+ в изучаемых TP приводит к:

- снижению оптимальной Гсп. с 1200°С до 1180°С;

- понижению Тт (от 13 ГС при х=0 до комнатной температуры прих=0.125);

- усилению релаксорных свойств в диапазоне 0.025<г<0.0100;

- к эволюции поляризационных, деформационных и реверсивных характеристик: КС—>СЭР—>ПЭ.

12. Выявлены области изучаемых TP (с вариацией содержания бария) со свойствами, оптимальными для различных применений:

- в низкочастотных приемных устройствах (сонарах, гидрофонах, сенсорах и т.д.) и актюаторах, с х =0.025-0.075 (группа I);

- в перестраиваемых устройствах, с х = 0.10-0.125 (группа II);

- в пьезодвигателях, с х = 0.15 (группа III).

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Данцигер, А.Я. Многокомпонентные системы сегнетоэлектрических сложных оксидов: физика, кристаллохимия, технология. Аспекты дизайна сегнетопьезоэлектрических материалов. / А.Я Данцигер, О.Н. Разумовская, JI.A. Резниченко, В.П. Сахненко, А.Н. Клевцов, С.И. Дудкина, JI.A. Шилкина, Н.В. Дергунова, А.Н. Рыбянец // Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ. 2001-2002. Т. 1,2. - 800 с.

2. Андрюшин, К.П. Бессвинцовые сегнетоэлектрические материалы с широким спектром показателей механической добротности, диэлектрической и пьезоэлектрической активности / К.П. Андрюшин, A.B. Павленко, H.A. Вербенко, A.B. Турик, С.И. Дудкина, Л.А. Резниченко // Конструкции из композиционных материалов. -2011. №2 -С. 53-59.

3. Турик, A.B. Реверсивные свойства керамик типа ВаТЮЗ на СВЧ / A.B. Турик, E.H. Сидоренко, В.Ф. Жесткое, В.Д. Комаров И Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1970. -Т. 34. №12-С. 2590-2593.

4. Drougard, M.E. Domain clamping effect in barium titanate single crystals / M.E. Drougard, D.R. Young // Phys. Rev. -1954. -V. 94, P. 1561-1564.

5. Вербенко И.A. / Многокомпонентные мультифункциональные электроактивные среды с различной термодинамической предысторией // дисс...к.ф.-м.н. Ростов-на-Дону. 2009.

6. Jin, L. Decoding the fingerprint of ferroelectric loops: comprehension of the material properties and structures /L. Jin, F. Li, S. Zhang//J.Amer. Ceram. Soc. 2014. V.97. P. 1-27.

7. Bai, F. X-ray and neutron diffraction investigations of the structural phase transformation sequence under electric field in 0.7Pb(Mgi/3Nb2/3)-0.3PbTiC>3 crystal/ F. Bai, N. Wang, J. Li, D. Viehland, P. M. Gehring, G. Xu, G. Shirane // J. Appl. Phys. -1999. -V. 85, -P. 2810-2814.

8. Ohwada, K. Neutron diffraction study of field-cooling effects on the relaxor ferroelectric Pb[(Zn,/3Nb2/3)o92Tio.o8]03 / K. Ohwada, K. Hirota, P.W. Rehrig, Y. Fujii, G. Shirane// Phys. Rev. B. -2003. -V 67, - 094111 (1-8).

9. Raevskaya, S. I. Critical nature of the giant field-induced pyroelectric response in Pb(Mgi,3Nb2/3)03-*PbTi03 single crystals / S. I. Raevskaya, Yu. N. Zakharov, A. G. Lutokhin, A. S. Emelyanov, I.P. Raevski, M.S. Panchelyuga, V.V. Titov, S.A. Prosandeev // J. Appl. Phys. Lett. - 2008. - V.93. - P. 042903 (1-3).

10.Kutnjak, Z. The giant electromechanical response in ferroelectric relaxors as a critical phenomenon / Z. Kutnjak, J. Petzelt, R. Blinc // Nature - 2006. - V.441. -P.956-959.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

A.l Talanov, M.V. Anomalies of the dielectric and electromechanical responses of multicomponent ceramics on the basis of PMN-PT near the morphotropic phase boundary/ M.V. Talanov, L.A. Shilkina, L.A. Reznichenko // Sensors and Actuators A: Physical. 2014. V. 217. P. 62-67.

A.2 Reznitchenko, L.A. Variations in the microstructure and properties of multicomponent ferroelectric ceramics as a result of its modification by barium / L.A. Reznichenko, V.A. Alyoshin, L.A. Shilkina, M.V. Talanov, S.I. Dudkina // Ceramics International. 2014. V. 40. P. 15089-15095.

A.3 Reznitchenko, L.A. Preparation, structure and piezoelectric properties of PZN-PMN-PT ceramics in the composition range of large PZN concentrations / L.A. Reznitchenko, I.A. Verbenko, O.N. Razumovskaya, L.A. Shilkina, A.A. Bokov, A.I. Miller, M.V. TaJanov // Ceramics International. 2012. V. 38. P. 3835-3839.

A.4 Таланов, M.B. E-T фазовые диаграммы твердого раствора МЕшгокомпонентной системы PbZni/3Nb2/303 - PbMgi/3Nb2/303 -РЬ№|/3№>2/303- РЬТЮ3 вблизи морфотропной фазовой границы / М.В. Таланов, А.А. Павелко, Л.А. Резниченко, Ю.Н. Захаров, А.Г. Лутохин, А.В. Турик // Физика твердого тела. 2014. Т. 56. №3. С. 589-595.

А.5 Таланов, M.B. Индуцированный электрическим полем фазовый переход в релаксорной керамике на основе PMN-PT / М.В. Таланов, O.A. Бунина, М.А. Бунин, И.Н. Захарченко, JI.A. Резниченко // Физика твердого тела. 2013. Т. 55. №2. С. 288-294.

А.6 Таланов, М.В. Эволюция доменных процессов при переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору / М.В. Таланов, JT.A. Шилкина, ДА. Резниченко // Физика твердого тела. 2012. Т. 54. №5, С. 930-931.

А.7 Таланов, М.В. Реверсивная диэлектрическая проницаемость многокомпонентных керамик на основе PMN-PT / М.В. Таланов, A.B. Турик, JI.A. Резниченко // Журнал технической физики. 2013. Т. 83. №11. С. 60-66.

А.8 Таланов, М.В. Фазовые равновесия и электрофизические свойства барий-содержащих твердых растворов на основе сегнетоэлектриков-релаксоров / М.В. Таланов, JI.A. Шилкина, JI.A. Резниченко, С.И. Дудкина // Неорганические материалы. 2014. Т. 50. №10. С. 1154-1160.

А.9 Таланов, М.В. Влияние бария на структуру, микроструктуру и пьезо-диэлектрические свойства многокомпонентных керамик на основе сегнетоэлектриков-релаксоров / М.В. Таланов, О.Н. Разумовская, JI.A. Шилкина, JI.A. Резниченко // Неорганические материалы. 2013. Т. 49. №9. С. 1027-1032.

А. 10 Таланов М.В., Вербенко И.А., Шилкина JI.A., Резниченко JI.A. / Влияние температуры спекания на плотность, пьезодиэлектрические отклики, механические и упругие свойства материалов различных функциональных групп// Неорганические материалы. 2012. Т. 48. №4. С. 455-459.

А. 11 Таланов, М.В. Реверсивная нелинейность и пьезо - диэлектрический отклик в многокомпонентных твёрдых растворах с различным характером проявления сегнетоэлектрических свойств/ М.В. Таланов, И.А. Вербенко, JI.A. Шилкина, JI.A. Резниченко // Изв. РАН. Сер. Физ. 2011. Т. 75. №8 . С. 1202 -1204.

А. 12 Вербенко, И.А. Поляризационные характеристики релаксорных керамик многокомпонентной системы с участием PbNb2/3Zn|/303, PbNb2/3Mg1/303, PbTiOj/И.А. Вербенко, М.В. Таланов, А.И. Миллер,

К.П. Андрюшин, JI.А. Резниченко// Изв. РАН. Сер. Физ. 2009. Т. 73. № 8. С. 1227-1229.

А. 13 Bunina, О.A. Electric-field induced domain switchings in the tetragonal PMN-PT based ceramic relaxor / O.A. Bunina, M.V. Talanov, M.A. Bunin, I.N. Zakharchenko, L.A. Reznitchenko// Ferroelectrics- 2012. 440. P.81-89.

A. 14 Talanov, M.V. Features of Electromechanical Properties of Relaxor Ferroelectrics Based Ceramics for Use in MEMS / M.V., Talanov, L.A. Reznichenko// Monograph « Physics and Mechanics of New Materials ». Nova Science Publishers. 2013. Chapter 8. P. 91-96. ISBN: 978-1-62618535-7.

A. 15 Таланов, M.B. Особенности поведения высокодеформируемых керамик на основе сегнетоэлектриков-релаксоров в электрических полях / М.В. Таланов, JI.A. Резниченко // Деформация и разрушение материалов. 2012. №7. С. 2-6.

А. 16 Таланов, М.В. Влияние модифицирования барием на фазовый состав, структуру и электрофизические свойства твердых растворов Pb(l.T)Ba,(Mgl/3Nb2/3)m(Zn,/3Nb2/3)y(Ni(/3Nb2/3)nTiz03 (0< .г < 0.15) / М.В. Таланов, JI.A. Шилкина, JI.A. Резниченко, И.А. Вербенко // Конструкции из композиционных материалов. 2014. №1. С. 57-61.

А. 17 Резниченко, JI.A. Влияние модифицирования на свойства многоэлементное композиционной керамики / JI.A. Резниченко, В.А. Алешин, JI.A. Шилкина, М.В. Таланов, С.И. Дудкина // Конструкции из композиционных материалов. 2014. №2. С. 61-67.

А. 18 Вербенко, И.А. Корреляции реверсивной нелинейности, электромеханического гистерезиса и структурных характеристик твёрдых растворов многокомпонентной системы, содержащей сегнетоэлектрики-релаксоры. / И.А. Вербенко, К.П. Андрюшин, Л.А. Шилкина, В.В. Килесса, А.И. Миллер, М.В. Таланов, Л.А. Резниченко // Конструкции из композиционных материалов. 2009. №4, С. 81-92.

А. 19 Вербенко, И.А. Исследование электрофизических свойств сегнетопьезокерамических материалов на основе магно-, цинко-, никельниобатов и титаната свинца / И.А. Вербенко, М.В. Таланов, А.И Миллер, Л.А. Шилкина, Л.А. Резниченко // Конструкции из композиционных материалов. 2009. №4. С. 92-103.

Сдано в набор 26.09.2014. Подписано в печать 26.09.2014. Формат 60x84 1/16. Ризография. Печ. л. 1,1. Бумага книжно-журнальная. Тираж 100 экз. Заказ 2609/02.

Отпечатано в ЗАО «Центр универсальной полиграфии» 340006, г. Ростов-на-Дону, ул. Пушкинская, 140, телефон 8-918-570-30-30

www.copy61.ru e-mail: info@copy61.ru