Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ . S

Глава I - ЧЕТВЕРНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ InGci/IsP . Ю

§ I.I.I. Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А^В^ . ^

§ I.I.2. Физико-химические свойства твердых растворов In &cl As Р

§ 1.2. Методы получения твердых растворов In&aflsP

§ I.2.I. Метод жидкостной эпитаксии

§ 1.2.2. Метод газовой и молекулярной эпитаксии

§ 1.3. Приборы на основе гетероструктур твердых растворов InScL/lsP . 2.

§ I.3.I. Излучательные приборы на основе твердых растворов In&aftsP а) Гетеролазеры в системе б) Гетеролазеры в системе и In6-a.AsP-&aAsP. в) Светодиоды в системе I п(г&Я$Р —In Р и 1п£сиЛ<>Р -6-CLfisP.

§ 1.3.2. Фотоприемники на основе твердых растворов

In G-cu AsP

Глава П - ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Irl(rCu#sP у 1/7 &аР и In (га As . ъо

§ 2.1. Установка для выращивания эпитаксиальных слоев твердых растворов tn ёа. /)$ Р; 1л£а.Р и Tn&aAs

§ 2.2. Методика выращивания твердых растворов

InfazfisP, и

§ 2.3. Электронно-зондовый метод контроля параметров полупроводниковых гетероструктур

§ 2.4. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев <zAsP и Тп&аР на подложках Gcl/Is.

§ 2.5. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев

Infc&As и In£a.AsP на подложках In Р

§ 2.6. Получение многослойных гетероструктур на основе твердых растворов Tri£cL/lsP на под-ложах ZtuP

Глава Ш - ИССЛЕДОВАНИЕ ЛШИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1пвл/ЬбР

И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

§ 3.1. Методика регистрации и исследования спектральных характеристик излучения эпитаксиальных твердых растворов In6-a.AsРf Irifa^P и In&CL#$ .S

§3.2. Влияние величины несоответствия постоянных решетки и коэффициентов термического расширения на люминесцентные свойства гетероструктур 1пб-а^Р - &a,As

§3.3. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гегеролазерных структурах In&a. AsP - ZnP.

§3.4. Показатель преломления твердых растворов

InG-cbAsP

§ 3.5. Гегеролазеры в системе Ir\G-OLflsP - In Р • • •

§ 3.6. Гетеролазеры InGa-AsP - InP с гофрированным волноводом .///

§ 3.7. Гетерофоготранзисторы в системе InfcaflsP • . НА

j

В современной технике постоянно возрастает значение инжек-ционных источников излучения - светоизлучающих диодов, лазеров и фотоприемников. С помощью этих приборов решаются многочисленные задачи передачи, обработки и воспроизведения информации в различных системах связи и управления. Полупроводниковые инкек-ционные источники излучения и фотоприемники на гетероструктурах находятся на пути массового практического внедрения, благодаря разработке волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Быстро растущий интерес к оптическим системам передачи, приема и обработки информации обусловлен большими преимуществами, которые они имеют по сравнению с обычными электрическими системами. Низкие потери, широкая полоса частот, нечувствительность к внешним электромагнитным полям, отсутствие перекрестных помех, высокая плотность каналов на I ои? сечения кабеля [бо] , отсутствие заземлений и угрозы электрических пробоев [i] , высокая надежность, малые размеры и вес, высокая скорость передачи информации (более I Гбит/сек) [61,62] - все это предопределяет необходимость в замене существующих систем на ВОЛС.

Актуальность темы. В настоящее время в системе ВОЛС используется спектральный диапазон 0,8-0,9 мкм. Это обусловлено тем, что для данного интервала длин волн имеются хорошие источники спонтанного и когерентного излучения на основе твердых растворов В&ДШ и приемники излучения на основе кремния. Оптические потери в кварцевых волокнах в этом спектральном диапазоне составляют 2-4 м [2] . Однако минимальные оптические потери соответствуют спектральному диапазону 1,5-1,6 мкм ( <0,2 ^^/км) [179] .

- б

В связи с этим особый интерес представляет задача создания излучателей и приемников в этой спектральной области. Такие приборы могут быть созданы на основе прямозонных полупроводников с шириной запрещенной зоны меньшей 1,0 эВ. Среди полупроводников, удовлетворяющих этим требованиям, представляют интерес в первую очередь многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А'Ь* и особенно четверные твердые растворы в системе In -£&-Д$>-Р , имеющие параметр решетки одинаковый с ТпР и 9а/Is (изопериодические твердые растворы). Ширина запрещенной зоны твердых растворов Infr&MsP, из опери одических с InP, изменяется от 0,73 до 1,35 эВ ( Л = 0,92*1,70 мкм) при комнатной температуре. На этот же спектральный диапазон приходится минимум потерь в световолокне. Именно поэтому четверные твердые растворы Infra/lsP, из опери одические с ItiP, являются весьма перспективными для изготовления излучающих и фотоприемных приборов для систем ВОЛС

Ширина запрещенной зоны твердых растворов InG-Q-frsp^ изо-периодических с (rcc/Is, изменяется от 1,43 до 1,90 эВ ( X = 0,654-0,86 мкм). Эти твердые растворы используются для создания эффективных -источников излучения в видимой области спектра, которые могут быть использованы в цветном телевидении, намного повысить информативность световых табло и индикаторов, значительно расширить возможность оптических методов передачи и обработки информации как обычными, так и гол©графическими методами.

Целью работы является изучение особенностей процессов кристаллизации четверных твердых растворов 1п£<хД$Р и разработка технологии получения многослойных гетероструктур на их основе для создания эффективных излучающих и фотоприемных цриборов систем BQJIC в спектральном диапазоне 1,54-1,6 мкм.

Научная новизна работы заключается в проведенном экспериментальном исследовании влияния подготовки подложки, буферного слоя, несоответствия постоянных решетки и коэффициентов термического расширения подложки и эпитаксиальных слоев твердых растворов InfrccftsP на их кристаллическое совершенство и люминесцентные свойства, влияния внутренних напряжений, обусловленных несоответствием постоянных решетки подложки и эпитаксиально-го слоя на поляризацию когерентного излучения, в получении низкопороговых ( ~ IkA/cn?) инжекционных гетеролазеров и фототранзисторов с коэффициентом усиления ~1Сг в спектральном диапазоне 1,54-1,6 мкм.

Практическая ценность работы заключается в разработке технологии получения жидкостной эпитаксией твердых растворов InSaflsP, из опери одических с ГпР и bcufls ♦ Установлено влияние подготовки подложки, толщины буферного слоя, несоответствия постоянной решетки и коэффициентов термического расширения подлсшки и эпитаксиальных твердых растворов 1п9аД&Р на их кристаллическое совершенство и люминесцентные свойства. Определен показатель преломления твердых растворов InfaflsP на из опери одическом сечении с InP .На основании проведенных исследований получены низкопороговые ( ~ 1кА/см2) инжекционные гетерсшазеры в системе InBaflsP-InР в спектральном диапазоне 1,5*1,6 мкм, гетералазеры с гофрированным волноводным слоем с распределенной обратной связью (РОС), фототранзисторы с коэффициентом усиления о 10° и спектральной областью чувствительности от 0,9 до 1,6 мкм. Эти приборы могут быть использованы в системе ВОЯС.

Совокупность представленных в диссертации результатов иссле-ваний позволяет сформулировать следующие научные положения, которые выносятся на защиту:

I. Для улучшения люминесцентных свойств и получения совершенных гетероструктур в системе In fa/IsP - In Р необходимо удалять перед эпитаксией с поверхности подложки елей, толщиной не менее 80 мкм.

2. Дефекты подложки InP "залечиваются" в эпитаксиальном буферном слое толщиной не менее 15 мкм.

3. Показатель преломления твердых растворов InfaAsP, из опери одических с ZnP, меняется с изменением состава от Хг?Р до Ih(ra.fls в пределах от 3,35 до 3,48.

4. Управляя величиной и знаком рассогласования параметров решетки подложки и эпитаксиального слоя, можно получать различные типы поляризации С ТВ или ТМ ) излучения, возбуждаемого в гетеролазерных структурах.

5. Для получения низкопороговых гетеролазеров в системе InBaAsP необходимо управлять положением р-п-перехода относительно металлургической границы между эмиттером и активной областью за счет изменения толщины второго нелегированного эмиттера и уровня легирования контактного слоя.

6. В гетеролазерах на основе твердых растворов In$afrsP с гофрированным волноводным слоем с РОС наблюдается разная температурная зависимость для разных линий генераций и с возбуждением генерации -низших мод температурный сдвиг линий генерации увеличивается.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на У республиканской конференции молодых ученых-физиков (г.Баку, май 1980 г.) и на У1 Международной конференции по росту кристаллов (г.Москва, сентябрь 1980 г.)

Публикации. Результаты диссертации опубликованы в 9 печатных работах.

Диссертация состоит из трех глав, заключения с основными выводами и списка цитируемой литературы.

В первой главе дан обзор литературы по четверным твердым растворам In&xAsP , их физико-химические свойства и методам получения. Рассматриваются различные виды излучающих и фотоприемных приборов на основе этих материалов.

Вторая глава посвящена технологии получения жидкостной эпитаксией четверных твердых растворов InPaAsP изоперио-дических с ТлР и (kt/?s . Описано влияние подготовки подложки перед пэитаксией на качество гетероструктур; разработан способ предотвращения термической эррозии поверхности InP , выяснены особенности получения однослойных и многослойных гетероструктур и проведены электронно-зондовые исследования таких структур.

В третьей главе описывается влияние несоответствия постоянных решетки, КТР подложи и эпитаксиальных слоев твердых растворов Ift&a#sP на их кристаллическое совершенство, люминесцентные свойства и поляризацию излучения. Приводятся результаты исследования инжекционных гетеролазеров InfotAsP-InP в спектральном диапазоне 1,5-1,6 мкм, лазеров с гофрированным волноводным слоем с РОС и фототранзисторов с высоким коэффициентом усиления в спектральной области от 0,9 до 1,6 мкм.

Работа выполнена в лаборатории контактных явлений в полупроводниках ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР и лаборатории квантовой электроники ФТИ им.С.У.Умарова АН Таджикской ССР.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Основы волоконно-оптической связи, пер. с англ_ под ред. Е.М.Дианова, М., Сов. радио, 1975, 230.

2. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квант, электроника, 1976, 3, 7, I38I1393.

3. Андреев Б.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М., Сов. радио, 1975; 328.

4. Богатев А.П., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г. Излучательные характеристики лазерных гетероструктур на основе 1975, 9, 10, I956-I96I.

5. Арсентьев И.Н. Получение и исследование твердых растворов Б системе $a-In-/fs-P град, 1976.

6. Долгинов Л.М., Ильин М.А,, Мильвидский М.Г., Шхайлова Н.Г., Рашевская Е.П., Соловьева Е.В., Чупахина В.М. Электрические и оптические свойства твердых растворов аЛп, 1пР jln&a/fsP ФТЕ, и создание инжекционных источников света на их основе. Кандидатская диссертация, ФТИ, ЛенинЯв, ,,Ри /-Л 1-у i/ легированных теллуром, оловом и германием. ФТП, 1978, 12_, 2, 343-346.

7. Тибилов В.К. Разработка методики получения и исследования свойств твердых растворов InSaflsP изопериодических с 1пР

8. Мишурный В.А. Получение и исследование твердых растворов в системах фосфид галлия фосфид индия и фосфид галлия фосфид алюминия. Кандидатская диссертация, ФТИ, Ленинград, 1974.

9. Воронков В.В., Долгинов Л.М., Лапшин А.Н., Ь/1ш1Ьвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раствора. Кристаллография, 1977, 22, 2, 375-378.

10. Груздев Ю.А., Тихоненко О.Я., Металлографическое исследование полупроводниковых слоев Ifi-yxz-yy sP" щенных методом газотранспортных реакций. У Респ. конф. молодых ученых. Тез.докл.. Шнек, 1978, 117.

11. Гуляев Ю.В., Дворянкина Г.Г., Дворянкин В.Ф., Черевацкий Н.Я. Молекулярно-пучковая эпитаксия перспективный метод получения интегрально-оптических устройств. I. Инфекционные лазеры (обзор). Квант.электроника, 1979, 6, 1,5-24.

12. Долгинов Л.М., Ибрахшлов Н., Мильвидский М.Г., Рогулин В.Ю., Шевченко Е.Г. Высокоэффективная электролюминесценция в BoijIn,_/iSi_Py ФТП, 1975, 9, 7, I3I9-I323.

13. Колесник Л.И., Лошинский A.M., Рогулин В.Ю., Долгинов Л.М., Чупахина В.М. Фотолюминесцвнтные свойства эпитаксиальных слоев пб-alfi/fsP фТП, 1979, 13, 6, II5I-II55.

14. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника, 1980, 21., 3-II5.

15. Богатев А.П., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В*, Елисеев П.Г.,

16. Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Копьев П С ИЧдивани Б.Н., Тибилов В.К. Низкопороговые лазеры на основе гетероструктур в системе Ih&aflsP, II69-II7I.

17. Алтынбаев Р., Исмаилов И., Ли Г., Цидулко И., Шохуджаев Н. Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе In&afisP электроника, 1979, 6, II, 2436-2439.

18. Гитченс В.Р., Голоньяк Н.Н., Ли М.Х., Кэмпбелл Д.И./>; /тд/? (/-0,63) желтый инжекционный лазер Л 5900 Я, 77 К) полученный методом жидкостной эпитаксии. ФТП, 1974, 8, 12, 2418-2424.

19. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д. Красные инжекционные гетеролазеры в системе Письма в ЖТФ, 1975, I, 9, 406-408.

20. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З,, Конников Г., Румянцев В.Д. Генерация когерентного излучения в гетеро6-о.-1п-Й5-Р. ZP/ излучающих в диапазоне 1,0 1,2 мкм. Квант. Письма в ЖСФ, 1977, 3, 22, структурах psa.sf-pxo.ssKyo.ipHif-sV Письма в ЖТФ, 1975, I, 7, 305-310.

21. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д., Улин В.П. Инжекционный гетеролазер на основе системы &alnflsP работающий при 300 К на длине волны 637 нм. Письма в ЖГФ, 1976, 2, 6, 241-244.

22. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д., Улин В.П. О предельном значении энергии генерации инжекци23. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Ру?.1янцев В.Д. Структура энергетических зон твердых растворов баЪП/.Р и еа),1и,_,й$,.у1ру, ФТП, 1977, П 12, 23302

24. Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Орлов В.П., Пантелеев Ю.К., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г., Бердникова Т.В. Высокоэффективные светодиоды на основе Квант.электроника, 1978, 5, II, 2488-2

25. Ермаков О.Н., Игнаткина, Сушков В.П. Светоизлучающие диоды на основе твердых растворов Тп,,о.р1_:/1$ излучающие в желтой и оранжевой областях света. Письма в 1ТФ, 1977, 3, 21, II09-IIII. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н. Чупахина В.М., Шевченко Е.Г. Фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе четырехкомпонентного раствора InBahP с высокой квантовой эффективностью на длине волны 1060 юл.Письма в 1.ТФ, 1976, 2, 14, 631-

26. Абрамов А.В., Мишурный В.А., Никитин В.Г., Третьяков Д.Н. Способ определения температуры. Автор.свид. 1е 574632, БИ, 1977,

27. Абрамов А.В., Арсентьев И.Н., Мишурный В.А., Румянцев В.Д. и Третьяков Д.Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов ва1п,_Р Письма в ЖТФ, 1976, 2, 5, 204-207.

28. Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Конников Г., Уманский В.Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широко расходящегося пучка рентгеновских лучей. ФТП, 1980, 14, I, 96-100.

29. Келдыш Л.В., Константинов С В Перель Б.И. Эффекты поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле. ФТП, 1969, 3, 7, I042-I053.

30. Епюхин В.А., Кочарян Б.Р., Портной Е.Л., Рывкин B.C. Особенности генерации когерентного излучения в гетеролазерах с плавным волноводным слоем. Письма в ЖТФ, 1980, 6, 4, 244-246.

31. Алферов Ж.И., Гуревич А., Клепикова Н.В., Шзеров М.Н., Портной Е.Л., Райх М.Э., Рывкин B.C. Определение параметров пленочных волноводов с помощью ввода и вывода света через дифракционную решет1су. ЖТФ, 1976, 46, 3, 558-562.

32. Алферов Ж.И,, Гореленок А.Т., Колышкин В.И., Копьев П С Тарасов И.О., 1\1цивани В.Н,, Тибилов В,К., Усиков А.С. йнаекционные гетеролазеры в системе InGa/fsP 22, I329-I333.

33. Гарбузов Д.З., Гореленок А.Т., Трукан М.К., Усиков А С Чалый В.П. Эффективность и кинетика электролюглинесценции двойных InS-a/lsP гетероструктур. ШП, I98I, 15, с длиной волны излучения 1,3 1,5 мкм. Письма в Ж Ф 1978, 4, 3, 504-511.

34. Гарбузов Д.З., Чалый В.П., Гореленок А.Т., Агаев В.В.,

35. Алферов Ж.И., Гуревич А., Клепикова Н.В., Кучинский В.И., Озеров М.Н., Портной Е.Л. Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью во втором порядке. Письма в 1ТФ, 1975, I, 14, 645-651.

36. Карпов С Ю Кучинский В.Н., Портной Е.Л. О предельной выходной мощности полупроводникового лазера с дифракционным выводом излучения. Письма в ЖТФ, 1980, 6, 6, 361-365.

37. Алферов Ж.И., Беловалов М.И., Гореленок А.Т., Гурьянов А.Н., Девятых Г.Г., Дианов Е.М,, Карасик А.Я., Колышкин В.И., Копьев П.С., Прохоров A.M., Юшин А.С. Волокно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм. Квант.электроника, 1978, 5, II, 2486-2488.

38. Островски Д.В., Севен Ж. Лазеры с распределенной структурой. 320-348. В кн. Фотоника. Под ред. М.Балански и Л.Лемана, "1\1ир", М., 1978.

39. Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Лукьянов В.Н., Ьйльвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г., Якубович Д. Гетероструктуры на основе ваХпЛзР оптические свойства, лазеры и элементы интегральной оптики в ИК диапазоне. Тез.докл. П Всесоюзн., конф. "Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах". Ашхабад: Ыяым, 1978, 2, II4-II5.

40. Жингарев М.З., Корольков В.И., Михайлова М.И., Сазонов В.В., Третьяков Д.И. Лавинное умножение и коэффициенты ударной ионизации в гомо р-п и гетеропереходах на основе 6ra.SS и

41. Алферов Ж.И., Ахмедов Ф.А., Корольков В.И., Никитин В.Г. Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе fltflS ФТП, 1973, 7, 6, II59-II63. Рд6Ве_»Safls

42. Чащин С П Аверьянов И.О., Барышев Н.С. Вынужденное рекомбинационное излучение из диодов 4, 9, I794-I795.

43. Сирота Н.Н., Болванович Э.И., Маковецкая Л.А., Розов В.В., Шипило В.В., Осинскии В.И., Шиенок Г.Г. Оптические и электрические свойства квазибинарных твердых растворов некоторых соединений А В". Труды IX Международ, конф. по физике полупроводников. Л., Наука, 1969, 2, I287-I292.

44. Осинскии В.И., Сирота Н.Н., Шиенок Г.Г. Вольт-аглперные характеристики р-п-переходов твердых растворов фосфид индияарсенид галлия В сб. "Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов", М., Наука, 1969, 177181.

45. Сирота Н.Н., Осинскии В.И, Излучение р-п-переходов на кристаллах твердых растворов фосфида индия арсенид галлия. Докл. АН СССР, сер.физ. 1966, 171, 2, 317-319.

46. Осинскии В.И., Кацапов Ф.М., Тихоненко О.Я,, Вигдорович Е.Н., Ппавич Л.В. Излзгчательная рекомбинация в эпитаксиальных структурах б-айз -6u,_ltijfASf_yPy с плавным переходным слоем. Тез. докл. П Всесоюз. конф. "Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах". Ашхабад: Ылым, 1978, I, 45-46.

47. Осинскии В.И., Кацапов Ф.М., Тихоненко О.Я. Об интенсивноФТП, 1970,

48. Тихоненко О.Я., Манего А., Осинский В.И. Влияние флуктуации гетерогенного потенциала на спектры краевой фотолюминесценции соединений 229-231.

49. Осинский В.И., Кацапов Ф.М., Груздев Ю.А. Термодинамический расчет условий эпитаксиального роста в системе Bret-In ЛзН-РНзНОР-Нрукописи (естественные и точные науки, техника)", 1980, Ш 4 (102), Ч.1, 3-5, \Ь 155-80 Деп.

50. Шефталь Н.Н., Смородина Т.А. Условия совершенного роста эпитаксиальных слоев и структурно морфологические дефекты.Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники, (физ.хим. сер.), эпитаксия П, вып.XX, М., 1975, 43-60.

51. Осинский В.Н., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск, I98I, 208.

52. Алекперова Э.Э., Гуревич А., Клепикова Н.В., Конников С,Г., Лосева Л.И., Портной Е.Л. Способ определения пара1летров полупроводниковых гетероструктур в системе fliy&a,/ls, 6-CLS ба/_//7/4-у 1Ъ1, 34» 5, Библ.указат. ВИНИТИ "Депонированные Автор.свид. 1Ь 641825 от 14 сент. 1978 г.

53. Конников Г., Корольков В.И., Никитин В.Г., Соболев М.М., Тот Б. Особенности поведения тока индуцированного электронным зондом в высоковольтных р-п-структурах. ФТП, 1978, 12, 5, 982-985.

54. Берт Н.А., Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Конников Г., Попова Т.Б., Тарасов И.О., Тибилов В.К. Твердые растворы

55. Годлинник Т.Б., Гунько Н.А., Конников Г., Тропп Э.А. Определение локальности микрорентгеноспектрального анализа полупроводниковых соединений А В методом Монте-Карло.- В кн.: Материалы 7-й Междунар. конф. по оптике рентгеновских лучей и микроанализу., Москва Киев, 1974, Л., Машиностроение, 1976.

56. Интегральная оптика. Под ред. Т.Тамира. Мир, М. 1978,344.

57. Hiroski К. Current status on optical fiber transmission technology in Japan.- Int.Comput.Conf,, Capri, 1976, New York, N.Y., 1976, 38.

58. Abbott S.M., Muska IT.M., Lee T.P., Dentai A.G., Burrus C.A, 1.1 Gh/s pseudo-random pulse-code modulation of 1.27/Ш1 wavelength C.W. InGaAsP/InP DH Lasers. Blectron.Lett., 1978, H 41. 349-350.

59. Yamada J., Saruv/atari M., Asatani K., Tsuchiya H., Kawana A,, Sugigama K. and Kumura T. High-Speed Optical Pulse Transmission at 1.29ушп Wavelength Using Low-Loss Single-Mode Fibers. IEEE J.Quant.Electron., 1978, QE14,11, 791-800. 63» Antypas G.A,, Moon R,L,, James L.W., Edgecumbe J. and Beel R.L. Gallium arsenide and related compounds. Conf. Series, 1 I?I*S» London, 1973, 48-54. j»

60. Moon R.L., Antypas G.A. and James L.W. Bandgap and Lattice Constant of GalnAsP as a Function of Alloy Composition. J.Electron.Materials, 1974, 2, 3, 635-644. 65. ITahory R.E., Pollack M.A., Johnston W.D., B a m s R.L. Band gap versus composition and demonstration of Vegards law изопериодические с ItiP -Автометрия,

61. Mukai S., Matsuzaki M., Shimada J. ЬРЕ Growth, and Liminescence of In Ga P As on (100) GaAs with Band-Gap 1.893 eV. Jap.J. Energy in the Region of 1.569 Q Appl.Phys., 1980, 1, 9, L505-L5088

62. Sankaran R., Antypas G.A., Moon R.b,, Escher L.S., James L.W. Growth and characterization of InGaAsP-InP latticematched heterogunctions. J.Vac.Sci.Technol., 1976, 13» 4, 932-937.

63. Littlejohn M.W., Hauser J.R., Glisson Т.Н. Yelocity-field characteristics of Ga_ In P- s quaternary alloys. Appl.Phys.Lett., 1977, 0 5, 242-244.

64. Nakayima K., Kusunoki Т., Akita K. and Kotani T. Phase Diagram of the In-Ga-As-P Quaternary System and ЬРЕ Growth Conditions for Lattice Matching on InP suhstrates. J. Electrochem.Soc, 1978, 2 1, 123-127.

65. Antypas G.A. and Edqecumhe J. Distribution coefficients of Ga, As and P during growth of InGaAsP layers by liquidphase epitaxy. J.Cryst.Grov/th, 1976, i» Ч» 132-135.

66. Sankaran R., Moon R.L. and Antypas G.A. Liquid Phase Epitaxial Growth of InGaAs on InP. J.Cryst.Growth, 1976, 2, 271-280.

67. Pollack M.A., Kahory R.E., De Winter J.C. and Ballman A.A. Liquid phase epitaxial -i_3rs, As P<100> lattice matched to InP over the complete wavelength range 0.92.Л 1.65/Ш

69. Coleman J.J. Arsenide and gallium distribution coeffici-

70. Zytkiewicz Z.R. and Kalinski Z. Ga In As P yGaAs Structure: liquid Phase Epitaxial GroY/th and Analysis of Lattice Constants Matching Conditions. Phys.Stat.Sol., a, 1980, 52. 489-497.

71. Rezek E.A., Holonyak H., Vojak B.A., Stillman G.E,, Rossi J.A., KeuneD.L,, Pairing J,D, LPE In GaP- „As„ (x 0.12, z rs 0.26) DH Laser with multiple thin-layer (v-500 S) active region. Appl.Phys.Lett., 1977, 21» 4, 288-290.

72. Peng M,, Tashima M.M,, Windhom Т.Н., and Stillman G.E. Composition dependence of the influence of lattice mismatch on surface morfology in LPE growth of InGaAsP on (100)- InP. Appl.Phys.Lett., 1978, 21* 6, 533-536.

73. Antypas G.A., Houng Y.M., Hyder S.B., Escher J.S., and Gregory P.E. The incorporation of Ge doping LPE growth of ЗлоззСар, .yAs on (111) В and (100) InP substrates. Appl.Phys.Lett., 1 9 7 8 5, 463-465.

74. Peng M., Windhom Т.Н., Tashima M.M. and Stillman G.E. Liquid-phase epitaxial growth of lattice-matched InGaAsP on (100) for the 1.15-1.31yura spectral region. Appl. Phys.Lett., 1978, J, 11, 758-761.

75. Takeda Y, and Sasaki A. Composition Latching Phenomenon

76. Holonyak H"., Chin E., Coleman J.J,, Keune D.L,, Groves W,

77. Limitations of the direct-indirect transition on In _Ga_P _As_ heteroounctions, J.Appl,Phys., 1977» i8, 2, 635-638.

78. Sakai K., Matsushima Y.,AKiba S. and Yamamoto T. Growth of In.-- Ga- As on (100) oriented InP from supercooled solution. Jap.J.Appl.Phys., 1978, J, 5, 10091010.

79. Wakao K,, Morita H,, Kamhayashi T. and Iga K. Relaxation and Delay in oscillations of GalnAsP/InP DH-lasers. Jap, J.Appl.Phys., 1977, Л 11, 2075-2076.

80. Stringfellow G.B. The importance of lattice mismatch in the growth of Ga_In- _P epitaxial crystals, J.Appl,Phys,, 1972, i:, 8, 3455-3460.

81. Hsieh J.J,, Finn M,C,, Rossi J,A, 1976 Symposium on GaAs and related compounds. London, Inst.Phys., 1977, chap.I, 37-44.

82. Antypas G.A,, Shen L.Y. 1976 Symposium on GaAs and related compounds. London, Inst.Phys., 1977, chap,II, 96-104» 87. Oe K., Sugiyama K. Orientation effect in the LPE growth of the GalnAsP quaternary alloys, Appl.Phys,Lett,, 1978, il, 5, 449-451.

83. Felson R.J. Hear equilibrium LPE growth of low threshold current density чхо-д/зР (Л 1.35 yum) DH Lasers.- Appl.Phys.Lett., 1979, 9, 654-656,

84. Wright P.D., Rezek E.A., Holonyak N., Stillman G.E.,

85. Peng M., Tashima M.M,, Cook L.W., Stillraan G.E. The Influence of growth-solution dopants on distribution coefficients in the LPE growth of InGaAsP. Appl.Phys.bett., 1979, ii» 1» 91-93.

86. Takahei K., Nagai H. and Kawaguchi H. Low temperature liquid phase epitaxy growth for room-temperature CV/ operation of 1.557ШП InGaAsP/InP double-heterostructure laser.Appl.Phys.Lett., 1980, 4, 309-310.

87. Sugiyama K,, Kojima H., Endo H., Skibata b Vapour-phase t. epitaxial growth and characterization of GS-I_YYA.S. P quaternary alloys. Jap.J.Appl.Phys., 1977, I6, 12, 21972199.

88. Olsen G.H., Zamerowski T.J. Vapour-phase Growth (In, Ga) (As,P) Quaternary Alloys. IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17, 2, 128-138.

89. Huder S.B., Saxena R.R., Hooper C.C. Vapour-phase epitaxial growth of quatemaiy I4_xe.s P in the 0.75-1.35 eV band-gap range. Appl.Phys.bett., 1979, 9, 584-586. 95. Ban V.S. Mass-spectromjetric studies of vapour-phase crystal growth. J.Electrochera S o c 1971, 118, 9, 1473-1478,

90. Millin J.B., Hurle D.I. Epitaxy of mixed III-V compounds.J.Luminescence, 1973, 1, 176-191.

91. Bleicher M. Termochemical calctilation of the system AsH-PHo-HCl-Ga-H for GaAsP vapour-grov/th. Phys.Stat. Sol., (a), 1973, II, 109-114.

92. Miller B.I., McPee J,H, Growth of Ga In_s/InP Heterostructures Ъу Molecular Beam Epitaxy, J,Electrochem, S o c 1978, 125, 8, 1310-1317.

93. Hsieh J, J, Room-temperature operation of GalhAsP/InP double heterostructure diode lasers emitting at 1,1 yum, Appl, Phys,bett,, 1976, 28, 5, 283-285. 106, Itaya Y., Suematsu Y., Katayama S., Kishino K,, Arai S. Low-threshold current density (100) GalnAsP/InP double heterostructure lasers for wavelength 1,3 yum. Jap.J, Appl.Phys., 1979, 18, 9, 1795-1805.

94. Kishino K,, Suematsu Y,, Itaya Y, Meza-structura buried-

95. Melugailis I. Lasers at 1.0-1.3 yum for optical fiber communications. 1977, Int.Conf«Integrated Opt. and Optical Commun.Tecli.Dig., Paper B2-1, Tokyo, Japan, 1977» 109* Arai S«, Suematsu Y. and Itaya Y, 1.67 j n G B Q /ylnQ c-As/ ui InP DH Lasers Double Claded with InP by LPE Technique. Jap.J.Appl.Phys., 1979, 18, 3, 709-710. 96. Itaya Y., Katayama S., Suematsu Y. Uarrovz-beam divergence of the emission from low-threshold GalnAsP/InP doublehe teros true ture lasers. Electron.Le11., 1979, J 5 4, L, 123-124.

97. Hsieh J.J., Rossi J.A. and Donnely J.R. Room-temperature C¥/ operation of GalnAsP/InP double heterostructure diode lasers emitting at 1.1 yum. Appl.Phys.Lett., 1976, 2, 12, 709-711.

98. Thompson G.H.B., Henshall G.D. Nonradiative carrier loss and temperature sensitivity of threshold in 1.27 tm

99. Yamada J., Macbida S., Mukai Т., Капо Н., Sugiyama К., Modulation characteristics of 1.3 yum Buried-stripe InGaAsP Lasers up to 2 Gbit/s Data Rates. Eleotron.Lett.i 1979» II, 19, 596-597.

100. Chen P.O., Yu K.L., Margalit S. and Yariv A. A New GaInA.sP/ InP T-Lasers at 1.2jura Fabricated on Semi-Insulating Substrate. Jap.J.Appl.Phys., 1980, 1, 12, L775-L776.

101. Bull D.J., Patel U.B., Prince P.O. and Nanniohi Y. Oxide Defined TJS Lasers in InGaAsP/InP DH Structures. IEEE J.Quant.Electron., 1979, QE-15. 8, 710-713. 119. Oe K., Ando S. and Sugiyama K, GalnAsP/InP planar stripe lasers prepared by using sputtered SiOp films as a Zndiffusion mask, J.Appl.Phys,, 1980, 1, 43-49.

102. Walpole J.IT,, Lind T.A., Hsieh J.J, and Donnelly J, P. Gain Spectra in InGaAsP/InP Proton-Bombarded Stripe-Geometry DH Lasers. IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17« 2, 186-193. 103. Renner D. and Henshall G, Narrow-Stripe Injection Lasers in GalnAsP/InP. IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17, 2, 199-202. 122. M s h i H., Yano M., ITishitani Y., Akita Y., Takasagawa M. Self-aligned structure GalnAsP/InP DH Lasers. Appl.Phys. Lett., 1979, i5.» 3, 232-234.

104. Botes D. InGaAsP/InP Double-Hetегоstructure Lasers: Simple Expressions for Wave Confinement, Beam Width and Threshold Current over Wide Ranges in ?/avelength (1,1-1,65 yum). IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17, 2, 178-186.

105. Arai S., Suematsu У., Itaya Y. 1,1-1,67jum (100) GalnAsP/

106. Imai H., Ishikawa H,, Tanahashi Т., Takusagawa M. InGaAsP/ InP Separated Multiclad Layer Stripe Geometry Lasers Emitting at 1.5 ят. Electron.Lett., 1981, 12, 1, 17-19.

107. Adams A.R., Asada l U Suematsu Y. and Arai S. The Temperature Dependence of the Efficiency and Threshold Current of In лGa Л. уPI уLasers Related to Intervalence Band AhAs I sorption. Jap.J.Appl.Phys., 1980, Г, 10, L621-L624.

108. Hsieh J.J. High-temperature CW operation of GalnAsP/InP lasers emitting at 1.5 yum. Appl.Phys.Lett,, 1980, 1, 25-27.

109. Noda Y., Sakai K,, Matsushima Y. and Akiba S, 10.000-Hour Continuous CW operation of InGaAsP/InP Hetегоstructure Lasers with a Buffer Layer at Room Temperature. Jap.J.Appl< Phys., 1981, 20, 5, 997-998,

110. Akiba S,, Sakai K., Matsushima Y., Yamamoto T. Effects of Double-Cladding Structure on LPE-Grown InGaAsP/InP Lasers in the 1,5 yum Range. Jap.Appl.Phys,, 1980, IJ1, 2, L79L82,

111. Tokunaga M., Hakano Y,, Takahei K,, Noguchi Y., Nagai H,, Nawata K. Effect of Cavity Length on 1,55 yum Buried-Heterostructure DH Laser Characteristics. Electron.Lett,, 1981, 11, 6, 234-236,

112. Matsuoka T, Takahei K,, Noguchi Y. ITagai H, 1,5 yum Region InP/InGaAsP Buried Heterostructure Lasers on semi-

113. Suzuki Y., Noguchi Y., Takahei K., Nagai H. and Iwane G. 1.5 yum Region БН Laser Array. Jap.J.Appl.Phys., 1981, 20, 3, L229-L232.

114. Arai S., Asada M., Suematsu Y., Itaya Y., Tanbun -Ek Т., Kishino K. Eew 1.6 yum Wavelength GalnAsP/InP Buried Heterostructure Laser. Electron.Lett., 1980, Д, 10, 349-350.

115. Kawanishi H., Sueiraatsu Y,, Itaya Y., Arai S. Ga In -Л P InP Injection Laser Partially Loaded with Distri- buted Bragg Reflector. Jap.J.Appl.Phys., 1978, V7, 8, 1439-1440.

116. Itoh K., 6190 5 emission at 77 К Ga_JLls double heterostructure lasers. Appl.Phys.Lett,, 1974, 3, 127129.

117. Nuese C.J,, Sigai A.G., Gannon J.J. Orange Laser Emission and Bright Electroluminescence from In- _Ga P Vapor-Grown p-n Junction. -Appl.Phys.Lett., 1972, 20, 11, 43I-434.

118. Itoh K., Inoue M., Teramoto I. New heteroisolation stripe geometry visible-light-emitting lasers. IEEE J,Quant, Electron,, 1975, QE-11, 4, 421-426.

119. Chin P., Holonyak H.J., ShichJ-jo H., Groves W.O., Keune D.L, and Rossi J.A. GaAs P heterojiuiction lasers. J.Appl, Phys,, 1977, 18, 9, 3991-3993.

120. Hitchens W,R,, Holonyak H,, Y/right P,D,, Coleman J, J, Lowthreshold LPE In GaP-, „As„ In,, GaP- „As„/In- Ga 1-3C X 1-Z Z 1-х X 1-Z Z 1-х X 1 ,,As„. yellow double-heterojunction lasers diodes I ""Z Z (310 A/cm, Л 5850 5, 77 К Appl,Phys.Lett., 1975, 22, 4, 245-247.

121. Coleman J.J., Holonyak H.J,, Ludowise M.J,, Y/right P,D, Yellow I S r iYG-i2s double-heterojunction lasers. J.Appl.Phys,, 1976, 5, 2015-2019,

122. Coleman J.J., Holonyak H., Ludowise M.J., Wright P.D.,

123. Kressel H,, Wuese C.J., Olsen G.H. Red-emitting Ga (As,P)/ (In, Ga)P heterojunction lasers. J.Appl.Phys., 1978,49« 6, 3140-3149. 124. Pearsall T.P., Miller Б.1., Capik R.J., Bachman K.J. Efficient lattice-matched double-heterostructure LEDs at 1,1 yum from GaIn_s P 9, 499-501. 151. ITagai H., IToguchi J. InP-Ga Ins P douhle-hetero. Appl.Phys.Lett., 1976, 28, structure for 1.5 A»n wavelength. Appl.Phys.Lett., 1978, Д2, 4, 234-236. 152. ITagai H., Noguchi J. LPE of GaAs Sh P continuously graded composition. J.Appl.Phys., 1976, 12, 54845486.

125. Yamakoshi S., Abe M., Wada 0., Komiya S. and Sakurai T. Reliability of High Radiance InGaAsP/InP LEDs Operating in the 1.2 1.3 ДДт Wavelength, IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17, 2, 167-174.

126. Wada 0., Yamakoshi S., Abe M., Mshitani Y., and Sakurai T. High Radiance InGaAsP/InP Lensed LEDs for Optical Communication Systems at 1,2 1,3 yum. IEEE J.Quant.Electron., 1981, QE-17, 2, 174-178. 155. Lee T.P., Burrus C.A,, Dentai A.G. Dual Wavelength Surface Emitting InGaAsP LEDs. Electron.Lett., 1980, 16, 22, 845-846.

127. Wieder H.H., Clawson A.R. and McWilliams G.E.

128. Clawson A.R. Lunn V/.Y. McWilliams G.E. and Wieder H.H. Quaternary alloy InGa_As P photodetectors. Appl. Phys.Lett., 1978, Д2, 9, 549-551.

129. Campbell J.C., Lee T.P., Dentai A.G., Burrus G.A, Dualwavelength demultiplying InGaAsP photodiode. Appl.Phys. Lett., 1979, li» 6, 401-402.

130. Yeats R., Chiao S.H. Long-wavelength InGaAsP avalanche photodiodes. Appl.Phys.Lett., 1979, 2i» 9, 581-583. 160. Lee a?.P. Burrus G.A., Dentai A.G. InGaAsP/InP photodiodes: Microplasma-Lemeted Avalanche Multiplication at 1,0-1,3 yum Wavelength. IEEE J.Quant.Electron., 1979, QE-15.. 1, 30- 35.

131. Hirwitz C.E., Hsieh J.J. GalnAsP/InP avalanche photodiodes. Appl.Phys.Lett., 1978, 8, 487-489.

132. Capasso P., Logan R.A., Hitchinson A., Manchon D.A. InGaAsP/InGaAs/ (InGaAs heterojunction p-i-n detectors with low dark current and small capacitance for 1,3-1,6 jum fibre optic systems. Electron.Lett., 1980, [6, 23, 1893894.

133. Sakai S., Aoki 3?., Tobe M., Umeno M. Simplified Dual Channel Optical Transmission Using Integrated Light Emitters and Photodetectors. Jap.J.Appl.Phys., 1981, £0, 3, L205L207.

134. Pearsall T.P. Ga AJQ C3AS: A temaiy semiconductor for Photodetector Applications. IEEE J.Quant.Electron.,1980, QE16. 7, 709-720.

135. Tobe M., Amemiya Y., Sakai S., Umeno M, High-sensitivity

136. Pritzshe D., Kuphal E,, Aulbach R. Fast Response InP/ InGaAsP heterojunction phototransistors. Electron.Lett,, 1981, J2, 5, 178-180.

137. Sasaki A. and Kuzuhara M, InGaAsP-InP Heterogunction Phototransistors and Light Amplifiers. Jap.J.Appl.Phys., 1981, 20, 4, L283-L284.

138. Wright P.D., Kelson R.J., Cella T. High-gain InGaAsP InP heterojunction phototransistors. Appl.Phys.Lett», 1980, 2, 192-194.

139. Umeno M., Amemiya Y. InGaAsP/InP double-heterostrueture photodiodes. Jap.J.Appl.Phys., 1978, 21» 9, 1701-1702.

140. Antypas G.A. Prevention of InP surface decomposition in liquid phase epitasdLal growth. Appl.Phys.Lett,, 1980, 2L, 1, 64-66.

141. Bloom G.M, The In-Ga-P Ternary Phase Diagram and Its Application to Liquid Phase Epitaxial Growth. J.Electrochem. Soc, 1971, 118, 11, 1835-1839.

142. Rozgoyi G.A., Petroff P.M., Panish M.B* Control of lattice parameters and dislocations in the system Ga-_J\.lJ\.sGaAs. J.Cryst.Growth, 1974, 22, 1, 106-117.

143. Yamamoto Т., Sakai K., Akiha S, lO.OOOh-continuous CW operation of InG a s P -InP DH lasers at room temperaPy ture. IEEE J. Quant.Electron., 1979, QE-15, 8,684-687.

144. Kressel H., Butler J.K. Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs, Academic press, IT.-Y., S.-F,, London, 1977. 175. Oe K., Shiroda Y,, Sugiyama K, Lattice deformation and

145. Patel N.B«, Ripper J.E,, Bresson P. Behavior of threshold current and polarization of stimullated emission of GaAs injection lasers imder uniaxial stress, IEEE J.Quant, Electron., 1973, QE-9« 2, 338-341. 146. Ripper J., Patel H.B., Brosson P. Effect of uniaxial pressure on the threshold current of douhle-heterestnicture GaAs lasers, Appl.Phys.Lett,, 1972, 21, 4, 124-125.

147. Petit G.D,, a?umer W,J, Refractive Index of InP, J.Appl, Phys., 1965, 2i» 6, 2081-2085.

148. Mija T,, a?erunuma Y,, Hosaka Т., Miyashita T. TJlimate lowloss single-mode fibre at 1,55/дт, Electron.Lett,, 1979, 1, 2, 106-108.

149. Horikoshi Y., Furukawa Y, Temperature sensitive threshold current of InGaAsP-InP double heterestrueture lasers, Jap,J,Appl.Phys,, 1979, 18, 4, 809-815.

150. Yano M., Nishi H,, Takusagawa M. Temperature characteristics of threshold current in InGaAsP/InP double heterostructure lasers. J.Appl.Phys., 1980, 8, 4022-4028.

151. Sugimura A, Band-to-band Auger Recombination Effect on InGaAsP Laser Threshold, IEEE J,Quant,Electron., 1981, QE-17, 5, 627-635.

152. Zory P. Laser Oscillation: leaky corrygated waveguides.Appl.Phys.Lett., 1973, 22, 2, 125-127.

153. Kawanichi H,, Suematsu Y., Utaka K., Itaya Y,, Arai S. xl-xVl-/"" infection lasers partially loaded with first-order distributed Bragg reflector. IEEE J. Quant.Electron., 1979, QE-15, 701-706,

154. Butler J.P., Calawa A.R., Harman T.C. Diode Lasers of РЪ Sn.Se and Pb_SnTe, Phys.Rev,bett., 1966, 16,26 1193-1196.

155. Hubner K. Kovalente tetraedrische Radien Rimpfradient and Gitteranpassuny. Krist. und OJechnik, 1974, 9, V865-871.

156. Hurtz J.P., Razeghi M., barivain J.P., Hersee S., Duchemin J.P. Low a?hreshold GalnAsP/InP Lasers with Temperature Dependence Grown by Low Pressure MOVPE. Electron.Lett., 1981, 12, 3, 113-114.

157. Oomura E., Mirotani Т., Ishii M., Susaki W. Refractive inde: of 1По840.1б0.4б0.54 Oscillating Wavelength of 1.2 yum. Jap.J.Appl.Phys., 1979,18,4,855-856.

158. Hensahll G.D., Greene P.D., Thompson G.H.B. and Selway P.R. Dielectric constant step on InP/In_GaASyP_У d.h.lasers.Electron. Lett., 1978, 1, 24, 796-797. 191. IJahory R.E., Pollack M.A. Threshold dependence on active layer thickness in InGaAsP/InP DH lasers. Electron.Lett., 1978, 11. 23, 727-729.

159. Chandra P., Coldren L.A., Strege K.E. Refractive Index data from Ga In_ As P 1, 6-7.

160. Olsen G.H., Nuese C.J., Smith R.T. The effect of elastic strain on energy band gap and lattice parameter in III-V compounds. J.Appl.Phys., 1978, 12» H» 5523-5529.

161. Yoshino J., Iwamoto T. and Kukimoto H. Organometallic vapor Phase Epitaxial Growth of In. _Ga P (x 0.5) on GaAs.Jap.J.Appl.Phys., 1981, 20, 4, L290-L292. films. Electron.Lett., 1981, 17,

162. Долгинов Л.М., Жукова Л,А., Малькова Н.В., Югова Т.Г. Влияние термообработки в парах фосфора на морфологию и структуру поверхности подложек фосфида индия. Электронная техника, серия б. Материалы, I98I, 10, 27-29.