Поляризация горячей фотолюминесценции в магнитном поле в кристаллах арсенида галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. СПЕКТР И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

§ I.I. Оптические методы изучения горячих носителей тока в полупроводниках

§ 1.2. Спектр и поляризация горячей фотолюминесценции

ГФЛ) в кристаллах p-Gafis.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ГФЛ.

§ П.1. Методика и техника эксперимента

§ П.2. Поляризационные измерения. Ошибки измерений.

ГЛАВА Ш. СПЕКТР И ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГШ В

УМЕРЕННО ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ р-Gafls.

§ Ш.1. Зонная структура полупроводников типа Ga-As

§ Ш.2. Фононные осцилляции в спектре интенсивности ГФЛ умеренно легированных образцов р

А/ц £ (3*4)-Ю17 см

§ Ш.З. Поляризационные характеристики ГФЛ в умеренно легированных образцах

§ П1.4. Влияние спин-отщеплённой зоны на поляризационные характеристики ГФЛ.

ГЛАВА 1У.ЯВЛЕНИЕ МАГНИТНОЙ ДЕПОЛЯРИЗАЦИИ ГФЛ В р~£аâs

§ 1У.1. Поведение поляризационных характеристик ГФЛ во внешнем магнитном поле

§ 1У.2. Влияние гофрировки валентной зоны на деполяризацию ГФЛ в магнитном поле.

§ 1У.З. Спектральная зависимость эффекта магнитной деполяризации ГФЛ

§ 1У.4. Разрушение корреляции глевду спином и импульсом в продольном магнитном поле. Прецессионный механизм спиновой деполяризаций

ГЛАВА У. ВРЕМЕНА РЕЛАКСАЦИИ ГОРЯЧИХ Ф0Т0В03БУДДЁННЫХ

ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ p-GoJs.

§ УЛ. механизмы релаксации горячих электронов в образцах p-GoL^s при низких температурах

§ У.2. Определение вероятности рассеяния горячих электронов на нейтральных акцепторах в р - 6¡cl ßs III

§ У.З. Определение вероятности испускания внутридолин-ных и мецдолинных оптических а: он он ов горячими электронами.

ГЛАВА УI.ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДЫРОК НА АКЦЕПТОРЕ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

§ У1.1. Применение метода ГФЛ для изучения ориентации равновесных дырок на акцепторе во внешнем магнитном поле. Методика эксперимента

§ У1.2. Поляризационные характеристики ГФЛ в условиях сильной поляризации дырок на акцепторе Мл. во внешнем магнитном поле

§ У1.3. Циркулярная поляризация ГШ в условиях оптической ориентации и спин зависящая рекомбинация в daßs • Мц.

Впервые интерес к физике горячих электронов в полупроводниках возник с появлением работ Шокли и Райдера, исследовавших в 1951 году характеристики полупроводников в электрических полях. Эти исследования позволили проследить изменение поведения, электронов при увеличении их средней энергии, то есть при отклонении системы электронов от состояния термодинамического равновесия с решёткой. Именно такие носители тока в полупроводниках, средняя энергия которых превышает равновесную, то есть соответствующую температуре решётки, и были названы Шокли и Райдером - горячими электронами. Процессы с участием сильно неравновесных носителей тока имеют значительный практический интерес, поскольку они используются в полупроводниковой электронике для создания усилителей и генераторов в области СВЧ, например, генераторов Ганна.

Горячие электроны в полупроводниках создаются и исследуются разнообразными методами - сильные электрические поля, иняек-ция носителей через контакт и др. В последнее время приобретают развитие наиболее тонкие - оптические методы исследования горячих электронов. Исследуется люминесценция [I] и поглощение света [2] в системе носителей тока, разогретых электрическим полем. По спектру интенсивности люминесценции была определена температура электронов, разогретых интенсивным возбуждающим светом [з, 4].

Исследование характеристик фотовозбукдённых электронов методами горячей люминесценции позволяет получить интересную информацию о возбуздённом состоянии и о процессах их релаксации к равновесному состоянию. Впервые слабые линии горячей люминесценции наблюдались в щелочио-галоидных кристаллах, активированных молекулярным! ионами N0^ и были интерпретированы как излучателъные переходы электронов в локальных центрах из неравновесных относительно колебательной релаксации состоянии [б]. Сейчас горячая люминесценция применяется при исследований процессов релаксации в таких люминесцирукщих системах как ионные и молекулярные кристаллы, полупроводники и примесные центры в них. В полупроводниках наблюдалась и была исследована люминесценция горячих экситонов [б,7].

Недавно горячая, фотолюминесценция (ГФЛ) была исследована Захарченей, Земским и ¡Дирлиным в кристаллах с&аб , 1пР и твёрдых растворах на основе СлЯб [8,5]. В ходе исследований ГФЛ были обнаружены необычные поляризационные эффекты: линейная поляризация рекомбинационного излучения при возбуждении линейно поляризованным светом, и аномально большие значения степени циркулярной поляризации при возбуждении циркулярыо поляризованным светом. В работе Дымникова, Дьяконова и Переля [Ю]было показано, что эти необычные поляризационные явления обусловлены тем, что при межзонном поглощении света в полупроводниках с зонной структурой распределение фотовозбуждённых электронов по квазиимлульсам оказывается анизотропным. Было показано [ю] , что спектральная зависимость интенсивности и поляризаций ГФЛ содержит информацию о процессах релаксации горячих электронов по энергии, импульсу, а также о спиновой релаксации.

Настоящая диссертация посвящена исследованию поведения поляризационных характеристик ГФЛ во внешнем магнитном поле в кристаллах р-СаЯв

В результате исследований было обнаружено и подробно изучено новое явление - деполяризация ГФЛ в магнитном поле. Это явление обусловлено поворотом анизотропной части функции распределения электронов по квазиимпульсам под действием силы Лоренца и проявляется в изменении поляризационных характеристик

ГФЛ. Изучение поведения линейной поляризации ГФЛ в магнитном поле позволило получить ценную информацию о кинетике горячих электронов. Таким путем, в частности, были экспериментально определены вероятности различных механизмов рассеяния горячих электронов, а именно, механизма ударной ионизации нейтральных акцепторов, испускания ¿0 -фононов, а также междолинных переходов.

Механизм рассеяния горячих электронов на ¿0 -фононах в данной диссертации исследован наиболее подробно. Как оказалось, определяющим в процессе энергетической и импульсной релаксации этот механизм становится в образцах с малой концентрацией акцепторов. Исследование таких образцов позволило наблюдать осцилляции в спектре ГФЛ, обусловленные последовательным испусканием горячими электронами ¿0 -фононов. В этих условиях по спектральной зависимости линейной поляризации была определена скорость изотропизации импульсного распределения при испускании ¿0 -фонона в зависимости от начальной энергии электронов.

В диссертации приводятся результаты экспериментального исследования зависимости степени циркулярной поляризации ГФЛ от энергии возбуждения и поведения её в продольном магнитном поле. Наблюдаемое в эксперименте уменьшение степени циркулярной поляризации при увеличении энергии возбуждения интерпретировано,как результат деполяризации спинов рождающихся электронов в эффективном поле, связанном с отсутствием центра инверсии в кристаллах типа С а.Йв . Приводятся экспериментальные результаты свидетельствующие в пользу такой интерпретации. В ходе исследований было обнаружено влияние продольного магнитного поля на циркулярную поляризацию ГФЛ. Этот эффект связан с изменением взаимной ориентации скоррелированных при фотовозбуждений шпуль-сов и спинов горячих электронов.

Метод ГФЛ был распространён на исследование эффектов намагничивания дырок, локализованных на глубоком парамагнитном акцепторе И п. в сильном магнитном поле. В результате сделан вывод о сильном обменном (антиферромагнитном) взаимодействии между дыркой на акцепторном уровне и электронами 3<1 оболочки иона Ми .

Диссертация состоит из шести глав. Предваряет основное содержание данной работы первая - обзорная глава, которая суммирует результаты работ по горячей фотолюминесценции.

Во второй главе излагается методика экспериментальных исследований поведения ГФЛ в сильных магнитных полях.

Третья глава посвящена обсузденио результатов экспериментального изучения спектра и поляризационных характеристик ГФЛ в слабо легированных образцах р-ба-Лг (Зт4),Ю^ см"3).

В четвёртой главе приводятся результаты экспериментального изучения эффекта деполяризации ГФЛ во внешнем магнитном поле.

В пятой главе излагаются результаты измерения времён релаксации горячих электронов с помощью эффекта магнитной деполяризации ГФЛ для различных механизмов рассеяния.

Шестая глава посвящена изучению эффекта намагничивания дырок, локализованных на парамагнитном акцепторе Мп. , во внешнем магнитном поле.

Основные результаты данной диссертации опубликованы в работах [41,42,43,45,48,49,50,53,66]. Ссылки на эти работы приводятся в конце соответствующих им параграфов.

Основные результаты экспериментального исследования характеристик ГФЛ, выполненного в данной работе могут быть сформулированы следующим образом:

1. Изучены спектр и поляризация ГФЛ в образцах p-fafls с умеренто о ной степенью легирования $ 3е 10х см"43) при низких температурах. В спектре ГФЛ обнаружены осцилляции интенсивности, обусловленные рассеянием горячих электронов на L0 -фононах.

2. Исследование спектральной зависимости поляризационных характеристик ГФЛ в этих образцах позволило определить скорость изотропизации функции распределения электронов по импульсам (при различных значениях начальной энергии).

3. Экспериментально исследованы поляризационные характеристики рекомбинационной люминесценции, обусловленной переходами типа ЬК—с —-Я и A t в зависимости от энергии рождающихся электронов. Экспериментальные результаты находятся в качественном согласии со значениями поляризаций, вычисленных с учётом ослабления спин-орбитального взаимодействия при больших квазиимпульсах электронов.

4. Наблюдался и экспериментально изучен эффект магнитной деполяризации ГФЛ, обусловленный поворотом функции распределения электронов по импульсам в продольном магнитном поле под действием силы Лоренца. Исследована ориентационная и спектральная зависимость эффекта деполяризации ГФЛ во внешнем магнитном поле.

5. Наблюдался и экспериментально изучен эффект уменьшения циркулярной поляризации в продольном магнитном поле, обусловленный разрушением корреляции между спином и импульсом,имеющей место в момент рождения.

7. Исследован механизм уменьшения степени циркулярной поляризации при увеличении начальной энергии горячих электронов.Приводятся экспериментальные результаты.свидетельствующие о том, что данный механизм обусловлен деполяризацией спинов рождающихся электронов в эффективном поле, связанном с отсутствием центра инверсии в кристаллах типа Са.Й£ .

8. Эффект магнитной деполяризации ЩЯ использовался для измерения времен жизни горячих электронов. Экспериментально были измерены: а) вероятность рассеяния горячих электронов на нейтральных о акцепторах. Для электронов с У — 10 см/сек сечение рассеяния на акцепторах с ¿й = 30 мэВ оказалось равным 6" = (0,9 + 0,3)-Ю"13 см2; б) вероятность испускания длинноволнового ¿0 -фонона

Т"* = (0,84 + 0,06)-ТО33 с"1; в) вероятность испускания междолинного Г—Ь фонона с

5Г/а. электронами с энергией £0 = 0,39 эВ, =

ТЧ -Т (0,50 + 0Д6)*Ю с , что позволило оценить константу междолиннного взаимодействия = (0,8+0 ,2) «10® эВ/ /см"*; г) суммарная вероятность перехода в боковые X и I долины электронов с энергией В0 = 0,56 эВ ^"^=(0,25+0,1) •

9. Исследование спектральной зависимости эффекта магнитной деполяризации ГФЛ в образцах с большой концентрацией акцепто

-- . ТО о ров - 1,5* Ю см"°) позволило определить время энергетической релаксации горячих электронов при потерях энергии на ионизацию и возбуждение нейтральных акцепторов = 5,6-Ю"13 с (при £0 = 0,39 эВ).

10.Методом ГФЛ изучены эффекты, связанные с намагничиванием дырок на акцепторах для случая парамагнитного акцептора Мп.

Сделан вывод о сильном обменном взаимодействии между дыркой на акцепторном уровне и электронами Зо( оболочки Ми . Экспериментальные результаты удовлетворительно описываются в рамках модели, учитывающей обменное (антиферромагнитное) взаимодействие, расщепление акцепторных уровней в хаотических электрических полях и отступление от обычных правил отбора для горячих электронов. Определена величина ^ -фактора дырки на Мп ^ = -2,3.

Таким образом, в заключении можно сказать, что исследование ГФЛ в магнитном поле является эффективным методом изучения как возбужденных состояний полупроводников, так и эффектов релаксации носителей тока при различных механизмах рассеяния.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность своему научному руководителю Д.Н.Мирлину за предложенную тему и руководство работой, заведующему лабораторией Б.П.Захарчене за внимание и интерес к работе.

Автор признателен Л.П.Никитину, И.И.Ретиной, И.Я.Карлику за неоценимую помощь при выполнении работы и В.В.Шейной за помощь в приготовлении образцов и в оформлении работы.

Автор благодарен теоретикам В.И.Перелю, В.Д.Дымникову, И.А.Меркулову, Д.Г.Полякову, М.А.Алексееву за многократные полезные обсуждения вопросов, затронутых в диссертации и помощь в интерпретации экспериментальных результатов.

Автор благодарит всех сотрудников лаборатории электро- и магнитооптических явлений в полупроводниках за теплую и деловую атмосферу, способствовавшую выполнению работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. urbrich R.G. Low density photoexcitation phenomena in semiconductors: aspects of theory and experiment1. - Sol. State Electron., 1978, v.21, pp.51-59»

2. Васильева M.A., Воробьёв Л.Е., Стафеев В.И. Анизотропия поглощения и рекомбинационного излучения горячих носителей тока в n-In Sb . ФТП, 1969, т.З, в.9, с.1374-1377.

3. Shah J., Leite R.C.C. Radiative recombination from pho-toexcited hot carriers in GaAs. Phys.Rev.Lett., 1969, v.22,1. Ко.24, p.1304-1306.

4. Meneses E.A., Jannuzzi N., Leite R.C.C. Dependence of hot carriers temperature on lattice temperatures in CdS.~ Solid State Commun., 1973, v.13, N0.3, p.245-248.

5. Saari P., Rebane K. Hot luminescence lines in the secondary radiation spectrum of KCl-NO^ and EBr-NO^ crystals. Solid State Commun., 1969, v.7» Ho.12, p.887-890.

6. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е., Такунов Л.В. Выстраивание и ориентация горячих экситонов в полупроводниках. ФТТ, 1978, т.20, в.9, с.2598-2609.

7. Permogorov"S. Hot excitons in semiconductors. Phys. stat.sol(b), 1975, v.68, No.l, p.9-42.

8. Земский В.И., Захарченя Б.П., Мирлин Д.Н. Поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа Gas , Письма в ЖЭТФ, 1976, т.24, в.2, с.96-99.

9. Захарченя Б.П., Земский В.И., Мирлин Д.Н. Поляризационные зависимости в спектре горячей фотолюминесценции в полуцро-водниках типа GaAs и их связь с процессами импульсной и спиновой релаксации. ФТТ, 1977, т.19, в.6,0.1725-1732.- 145

10. Дымников В.Д., Дьяконов М.И., Перель В.И. Анизотропия импульсного распределения фотовозбундённых электронов и поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6, с.2373-2380.

11. Воробьёв Л.Е., Стафеев В.И., Ушаков А.Ю., Штурбин А.В. Исследования оптических свойств горячих носителей тока в полупроводниках. Труды IX Международной конференции по физике полу-цроводников. Москва, 1968, Л.: Наука, 1969, т.2, с.809-814.

12. Наследов Д.Н., Царенков Б.В. Излучательная рекомбинация в GaAs . Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. -Москва, 1968, Л.: Наука, 1969, т.1; с.504-509.

13. Алфёров Ж.И., Гарбузов Д.З., Морозов Е.П., Портной Е.Л. Диагональное туннелирование и поляризация излучения в гетеропереходах AlxGa1-x:As-GaAs и p-n переходах в GaAs . -ФТП, 1969, т.З, в.7, с. 1054-1059.

14. Zakharchenya В.P. Magnetization of charge carriers and excitons in semiconductors by polyrised light. In: Proc. 11 Int.Conf.Physics of Semicond. Warsawa, 1972: Polish Sci. Publ., 1972, p.1J12-1526.

15. Lampel G. Optical pumping in semiconductors. In: Proc. 12 Int.Conf.Physics of Semicond. Ed.M.Pilkuhn Stuttgart: Teubler, 1974, P.743-750.

16. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М.: физматгиз, 1959.

17. Дьяконов М.И., Перель В.И. 0 спиновой ориентации электронов цри межзонном поглощении света в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1971, т.60, в.5, с.1954-1965.

18. Дьяконов М.И., Перель В.И. Влияние электрического поля и деформации на оптическую ориентацию в полупроводниках. -ФТП, 1973, т.7, в.12, с.2335-2339.

19. Kleiner W.H., Both L.M. Deformation potential in germanium from optical absorption lines for exciton formation.-Phys.Kev.Lett., 1959, v.2, No.8, p.334-336.

20. Келдыш Л.В., Константинов O.B., Перель В.И. Эффект поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле. ФТП, 1969, т.З, в.7, с.1042-1053.

21. Багаев B.C., Берозашвили Ю.Н., Келдыш Л.В. Анизотропия поглощения поляризованного света в кристаллах арсенида галлия и теллурида кадмия, возникающая под действием сильного электрического поля. Письма в КЭТФ, 1969, т.9, в.З, с. 185-188.

22. Дымыиков В.Д. Поляризация горячей фотолюминесценции в полупроводниках. Дис.канд.физ.-мат.наук, ФТЙ АН СССР, Ленинград, 1980.

23. Mitchel A., Semansky М. Resonance radiation and excited atoms«- Cambridge University Press, 1934, 338 p.

24. Бир Г.Л., Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Выстраивание и ориентация горячих экситонов и поляризованная люминесценция. Изв. АН СССР (сер.физическая), 1976, т.40, в.9, с.1866-1871.

25. Дымников В.Д. 0 линейной поляризации горячей люминесценции в полуцроводниках с зонной структурой арсенида галлия. -ФТП, 1977, т.II, в.8, с. 1478-1486.

26. Мирлин Д.Н., Ретина И.И. Анизотропия поляризации горячей фотолюминесценции в кристаллах арсенида галлия. ЖЭТФ, 1977, т.73, в.З, с.859-864.

27. Дымников В.Д., Мирлин Д.Н., Перель В.И., Ретина И.И. 0 линейной поляризации фотолюминесценции в кристаллах арсенида галлия. ФТТ, 1978, т.20, в.7, с.2165-2172.

28. Дьяконов М.И./ Перель В.И., Яссиевич И.Н. Эффективный механизм энергетической релаксации горячих электронов в полупроводниках Р -типа. ФТП, 1977, т.II, в.7, с.1364-1370.

29. Разбирин Б.С., Мушинский В.П., Караман М.И., Старухин А.Н., Гамарц Е.М. Оптическое выстраивание экситонов в GaSe . Изв. АН СССР (сер.физическая), 1976, т.40, в.9, с.1872-1875.к »

30. Гасанли Ш.М., Емельяненко О.В., Ергаков В.К., Кесаман-лы Ф.П., Лагунова Т.С., Наследов Д.Н. Определение концентрации примесей по эффекту Холла и подвижности дырок в кристаллах ар-сенида галлия, легированных цинком. ФТП, 1971, т.5, в. 10,с. 1888-18 92.

31. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М.: Наука, 1973, 504 с.

32. Борн М., Вольф Е. Основы оптики. М.: Наука, 1970, 855 с.

33. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, 584 с.

34. Капе Е.О. Band structure in indium antimonide J.Phys.Chem.Sd., 1957, v.l, No.4, p.249-262.

35. Kane Б.О. Energy band structure in p-type germanium and silicon. J.Phys.Chem.Sol., 1956, v.l, No.2, p.82-89.

36. Comvell E.M., Vassel M.O. High-field transport in n-type GaAs. Phys.Rev., 1968, v.166, No.5, p.797-821.

37. Aspnes D.E. GaAs lower conduction-band minima* Ordering and properties. Phys.Rev.B., 1976, v.14, No.12, p.5331--5343.

38. Skolnik M.S., Jain A.K., Stradling R.A., Leotin J., Ousset J.C., Askenazy S. An investigation of the anisotropy of the valance band of GaAs by cyclotron resonance. J.Phys. C.; Solid State Phys., 1976, v.9, No.14, p.2809-2821.

39. Bebb B.H., Williams E.W. Photoluminescence II: Gallium Arsenide. In: Semiconductors and Semimetals. N.Y.: Acad.Press, 1972, v.8, p.321-392.

40. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978, 328 с.

41. Eakharchenya В.Р., Dymnikov V.D., Karlick I.Та», Merlin D.N., Nikitin L.P., Perel* V.I., Reshina X.X., Sapega V.F. Spectrum and polarization of hot luminescence in GaAs crystals-Proc.l5th Int.Conf.Physics of semiconductors, Kyoto, 1980,

42. J.Phys.Soc.Japan,-1980, v.49, Suppl. A, p.575*576.

43. Mirlin D.N., Karlik I.Ya., Nikitin P., Reshina I.I.,

44. Sapega 7.P. Hot electron photoluminescence in GaAs crystals. -Solid State Commun., 1981, v.37, n0.9, pp.757-760.

45. Mooradian A. and Wright G.B. First order Raman effect in compounds. Solid State Comm., 1966, v.4, N0.9, p.431-434.

46. Мирлин Д.Н., Карлик И.Я., Никитин Л.П., Решина И.И., Сапега В.Ф. фотолюминесценция арсенида галлия при накачке через1.-долину. Спектр и фононные осцилляции. Письма в ЖЭТФ,1980, т.32, в.1, с.34-37.

47. Захарченя Б.П., Мирлин Д.Н., Перель В.И., Решина И.И. Спектр и поляризация горячих электронов в полупроводниках. -УФН, 1982, т.136, в.З, с.439-499.

48. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука*," 1978, 616 с.

49. Дымников В.Д., Решина И.И., Сапега В.Ф. Роль отщеплённой подзоны в поляризации горячей фотолюминесценции в полупроводниках типа GaAs . ФТТ, т.23, в.З, с.731-738.

50. Мирлин Д.Н., Никитин Л.П., Ретина И.И., Сапега В.Ф. Деполяризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, в.7, с.419-422.

51. Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф. Магнитная деполяризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs . Изв.АН СССР (сер. физическая), 1982, т.46, в.З, с.517-521.

52. Дымников В.Д. Магнитные осцилляции распределения по импульсам горячих фотовозбувденных электронов в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1979, т.77, в.З, С.П07-П23.

53. Чайка М.П. Интерференция вырожденных атомных состояний. Л.: ЛГУ, 1975, 192 с.

54. Карлик И.Я., Мирлин Д.Н., Никитин Л.П., Поляков Д.Г., Сапега В.Ф. Разрушение магнитным полем корреляций мевду спинами и импульсами фотовозбуждённых электронов в кристаллах GaAs • -Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, в.5, с.155-157.

55. Дымников В.Д., Перель В.И., Полупанов А.Ф. Вероятностьмоптических переходов зона проводимости акцептор в арсениде галлия. - ФТП, 1982, т.16, в.2, с.235-239.

56. Weisbuch С», Hermann С. Optical detection of conduction-electron spin resonance in GaAs, Ga2„xIll3jrAs» an(i ^i-x^x As. Phys.Rev., b, 1977, v.15, No.2, p.816-821.

57. Дымников В.Д. О циркулярной поляризации горячей люминесценции в полупроводниках с зонной структурой арсенида галлия. ФТП, 1977, т.II, в.9, с. 1850-1853.

58. Дьяконов М.И., Перель В.И. Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии. -ФТТ, 1971, т.13, в.12, с.3581-3585.

59. Аронов А.Г., Пикус Г.Е., Титков А.Н. Спиновая релаксация электронов проводимости в соединениях А^В^ р-типа. ЖЭТФ, 1983, т.84, в.З, C.II70-II84.

60. Ивченко E.JL Спиновая релаксация свободных носителей в полупроводниках без центра инверсии в цродольном магнитном поле. -ФТТ, 1973, т.15, в.5, с.1566-1570.

61. Левинсон И.Б., Левинский Б.Н. Температура горячих фотовозбуждённых электронов. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.1, с.300-309.

62. Конуэлл Э. Кинетические свойства полуцроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970, 218 с.

63. Favjcetfc W., Boardman A.D., Swain S.J. Monte-Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide. J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, No.9, p.1963-1990.

64. Левинштейн M.E. Новые результаты в исследовании мевдо-линного перехода горячих электронов. ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1249-1268.

65. Waugh J.L.T., Dolling G. Crystal dynamics of gallium arsenide. Phys.Rev., 1963, v.132, No.6, p.2410-2412.

66. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. Нерялити-вистская теория. М.: Наука, 1974, 752 с.

67. Карлик И.Я., Меркулов И.А., Мирлин Д.Н., Никитин Л.П., Перель В.й., Сапега В.ф. Намагничивание дырок на акцепторах и поляризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs-Mn . -ФТТ, 1982, т.24, в.12, с.3550-3557.

68. Ребане Ю.Т. Энергетическая и импульсная релаксация горячих электронов при рассеянии на нейтральных акцепторах в кубических полупроводниках. ФТП, 1981, т.15, в.II, с.2179-2185.

69. Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson Т.Н. Velocity -filed characteristics of GaAs with Ig Lg -Xg conduction-band ordering. - J.Appl.Phys., 1977, v.48, No.11, p.4587-4590.

70. Posela J. and Reklaitis A. Diffusion coefficient of hot electrons in GaAs. Solid State Commun, v.27, No.11,p.1073-1077.

71. Дьяконов М.И., Перель В.И. 0 циркулярной поляризации рекомбинационного излучения полупроводников в слабом магнитном поле. ФТТ, 1972, т.14, в.5, с.1452-1459.

72. Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Флейшер В.Г. Исследование парамагнетизма полупроводников по поляризации люминесценции в слабом магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.5, с.244--247.

73. Title R.S. EPR study of Lithium-diffused, Mn-doped GaAs, J-rAppl.Phys., 1969, v.40, No.12, p.4902-4910.

74. Ilegems M., Dingle R., Rupp Ir.L.W. Optical and electrical "properties of Mn-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy. J.Appl.Phys., 1975, v.46, n0.7, Р.3059-ЗО65.

75. Komorov A.K., Ryabchenko S.M., Terletskii O.V. Giant spin splitting of exciton states in 5taSe with Mn and Fe impurities. Phys.stat.sol.(b), 1980, v.102, No.2, p.603-609.75.

76. Eohn W. Shalow impurity states in silicon and germanium in Solid State Physics, 1957, v.5, p.257-320.76.

77. Feher G., Hensel J.C., Gere E.A. Paramagnetic resonance absorption from acceptors in selicon. Phys.Rev.Letters, I960, v.5, N0.7, p.309-311.

78. Bur G.L., Butikov E.I., Pikus E. Spin and combined resonance on acceptor centres in Ge and Si type crystals II. The effect of the electrical field and relaxation time. JL.Phys. Chem.Solids, 1963, v.24, No.12, p. 1475-1486.

79. Поляков Д.Г. Правила отбора для горячей люминесценциипри переходах зона проводимости акцептор. - ФТТ, 1982, т.24, в.12, с.3542-3549.

80. Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. 6 -фактор акцепторов в полупроводниках со структурой алмаза. ФТП, т.7, в. 10, с.2013-2016.