Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ. %

Положения, выносимые на защиту.

ГЛАВА I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СОЕДИНЕНИЯХ.

§ 1.1 Теория кристаллического поля

§1.2 Эффект Яна-Теллера в Е- и Т- состояниях. II

§1.3 Современные представления о природе возникновения глубоких центров в полупроводниковых соединениях типа А^5.

§1.4 Экспериментальные исследования поведения примесей Зс!-элементов в полупроводниковых соединениях типа

А%5 и А2Вб.

ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.

§2.1 Метод магнитной восприимчивости.

Измерение температурной зависимости магнитной восприимчивости.

Градуировка установки для измерения магнитной восприимчивости

Погрешность измерения магнитной восприимчивости.

§2.2 Дополнительные методики использованные в работе. 55 Метод электронного парамагнитного резонанса . 55 Измерение эффекта Холла и удельного сопротивления

Металлографический контроль

Методика приготовления образцов для измерения

ГЛАВА Ш. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

§3.1 Локальные искажения кристаллической решетки вокруг примесных ионов марганца в ареениде индия.

§ 3.2 Поведение примеси марганца в М$<Мп>

§3.3 Особенности поведения примеси марганца ъХпР<Нт.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИЙ.

содержащих в качестве примеси атомы -элементов, невозможно из-за отсутствия в настоящее время законченной теории глубоких центров. В частности, остаются неясными вопросы, связанные с локальными искажениями кристаллического окружения вокруг примесных центров и влияние подобных нарушений периодичности структуры на энергетический спектр примесных ионов. В свете этого исследование поведения примеси марганца в полупроводниковых соединениях представляются весьма актуальным.

Действительно, можно ожидать, что марганец, подобно другим примесям Зс1-элементов, в подобных полупроводниках будет находиться в двух и трехвалентном состояниях, обладающих,соответственно нулевым и ненулевым орбитальным моментом.

Симметрия кристаллического окружения таких центров ( Мп+г и Мл3 ) также может различаться, т.к. для зарядового состояния Мп возможен эффект Яна-Теллера.

Наличие подобного эффекта, согласно литературным данным, оказывает влияние на характер неравновесных процессов в электронной системе легированного полупроводника, положение энергетических состояний, скорость диффузии.

В литературе до настоящего времени отсутствует однозначная трактовка поведения примеси марганца в полупроводниковых соединениях типа А%^.При этом,предлагаются различные модели примесного центра марганца в соединениях этого типа.Согласно одной из них,ионы марганца при введении их в такой полупроводник захватываются катионной вакансией и на образование связей с окружением уходит 2 электрона с внешней -оболочки марганца. Связь, оставшаяся ненасыщенной и сформированная из зонных состояний исходной полупроводниковой матрицы,определяет акцепторные свойства комплекса вакансия+примесь.Симметрия кристаллического окружения таких комплексов совпадает с симметрией исходной полупроводниковой матрицы.

В соответствии с этим цель работы состояла в получении экспериментальных данных,позволяющих ответить на вопрос, каковы симметрия кристаллического окружения и энергетический спектр ионов марганца в полупроводниковых соединениях типа обладающих различной шириной запрещенной зоны.

Принимая во внимание,что ионы марганца,находящиеся в различных зарядовых состояниях,имеют различный магнитный момент,для решения поставленных задач мы использовали,в качестве основного метода исследования,метод магнитной восприимчивости.Использование этого метода позволяет анализировать энергетический спектр примесного центра марганца в таком диапазоне энергий,где применение традиционных оптических методов исследования затруднительно. Концентрация центров марганца,находящихся в различных зарядовых состояниях,степень компенсации,положение акцепторного уровня марганца относительно краев разрешенных зон определялись из измерений эффекта Холла, и удельного электрического сопротивления на образцах 1пД& < Мп>, £яД$ < Мп>, 1пР < Мп> . Концентрация центров Мп определялась из измерений спектров ЭПР.

Проведение такого комплексного исследования позволяет ответить также на вопрос о возможности возникновения магнитных межпримесных взаимодействий при высоких степенях легирования исходных полупроводников.

Положения, выносимые на защиту:

1. Показано, что ионы марганца в полупроводниковых соединениях 1пЙ£<Мп> , воЙв<Мп> , 1пР<Мп> находятся в двух зарядовых состояниях Мп*^ и . Центры в зарядовом состоянии Нп** в области температур »í возникают лишь за счет компенсации остаточными донорными примесями ( энергия активации акцепторного уровня).

2. Установлено, что симметрия кристаллического окружения примесных ионов марганца в <Мп>, баЙв >1пР<Мп>} находящихся в зарядовом состоянии Мп*3 , понижается под действием ян-теллеровских деформаций.

3. Определен энергетический спектр основного состояния ионов Мп** в 1пЙ$<Мп> , и магнитный момент, локализованный на подобном центре в 1пД$<Мю9 9ай$<Мп> , 1пР<Мл> .

4. Установлено, что при статистическом распределении примеси марганца по кристаллу, магнитные межпримесные взаимодействия отсутствуют до концентрации примеси ~ 10*® ионов/см^.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

1. Показано, что в соединениях примесь марганца в нейтральном состоянии проявляет валентность равную плюс три - зарядовое состояние Мп+3 . Такому зарядовое состоянию соответствует электронная конфигурация Зс/*

2. В результате изучения магнитной восприимчивости ансамбля примесных ионов в марганца в этих соединениях в широком интервале температур, установлено, что элементарные ячейки исходного полупроводника, содержащие примесный ион в зарядовом состоянии Мп+^, искажаются под действием ян-теллеровских деформаций тетрагональной симметрии. ,

3. Показано, что энергия ян-теллеровских деформаций 1пй$<Мп> и 1пР<Мп> больше чем в Ш&<Мп> . Качественно это можно объяснить различной степенью гибридизации волновых функций, характеризующих примесный центр Мп+3, с зонными состояниями кристалла.

4. Показано, что сигнал ЭПР в обусловлен центрами Мп+^, возникающих вследствие компенсации примесных ионов I марганца фоновыми донорными примесями, в то время как в

1пР<Мп> он связан с центрами Мп .

5. Получено количественное согласие между экспериментальными температурными зависимостями магнитной восприимчивости примесных ионов марганца и в

Ы$<Мп> ,0аЙв<Мп> } ТпР<Мп> I и расчетом. В результате чего, определен энергетический спектр ионов марганца, находящихся в зарядовом состоянии Мп+3, в

1Ь{1&<Мп> , и магнитный момент, локализованный на подобном центре в 9аЙв<Мп> и 1пР<Мп>

6. Установлено, что магнитные моменты, локализованные на ионах Мп+3 в 1пД$<Мп> , 9а/1в<^> , ЬР<Мп> не взаимодей ствугот друг с другом вплоть до концентраций легирующей примеси марганца в кристалле ^ 10*%/см3.

XXX

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую признательность моеьфг руководителю Андрианову Д.Г. за предоставленную тецу исследований и руководство настоящей работой, а также кандидату физико-математических наук Савельеву A.C. за обсувдение экспериментальных результатов и постоянное внимание.

Успешному выполнению работы также способствовала помощь сотрудников отдела физических исследований института "Гиред-мет" Лазаревой Г.В., Климонского С.О.

Я благодарен также ст.н. сотруднику ЛПИ им. М.И.Калинина к.ф.-м.н. Штельмаху К.Ф. за плодотворное сотрудничество.

1. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964. 360 с.

2. Береукер И.Б., По линтер В.З. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах. М.: Наука, 1983. 336 с.3# Goodenough G.B. Spin-orbit coopling effects in transition metal compounds. Phys.Rev.,1968,v.171,N 1, p.466~479.

3. Herzfeld Ch.M., Meijer P.H.E. Group theory and crystal field theory. Solid State Physics, 1961, v.12, p.2-91.

4. Trivedi P.O. On the nature of the crystal-field approximation IV. Generalization adn numerical results. Phys.Rev., 1970, v.(B1), N 2, p.522-533.

5. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У группы. М.: Мир, 1967. 478 с.

6. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 510 с.

7. Блейкмор Дж. Физика твердого состояния:. М.: Металлургия, 1972. 486 с.

8. Sugano S., ТапаЪе Y., Kamimura Н. Hultiplets of transition-metals ions in Crystals.New York,Academic Press,1970.487 p.

9. Леушкин A.M. Таблицы функций, преобразующихся по неприводимым представлениям кристаллографических точечных групп.1. М.: Наука, 1968. 115 с.

10. Ландау А.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. чД. М.: Наука, 1976. 552 с.

11. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1974. 752 с.

12. Лоу В. Парамагнитный резонанс в твердых телах. М.: ИЛ, 1962. 430 с.

13. Watson R.E., Blume M. Spin-spin interaction in parmagne-tic ions. Phys.Rev., 1965, v.139, N 4A, p.A1209~1211.

14. Jahn H.A., Teller E. Stability of poliatomic molecules in degenerate electronic states. Proc.Roy.Soc., Ser.A,1951, v.161, N 905, p.220-235.

15. Ham F.S. Dynamic Jahn-Teller effect in paramagnetic resonance spectra: orbital reduction factors and partial quenching of spin-orbit interactions. Hays.Rev., 1965, v.138, N 6A, p.A1727-1740.

16. Sturge M.D. The Jahn-Teller effects in solidis. Solid State Physics, 1967, v.20, p.92-210.

17. Берсукер И.Б. К вопросу о симметрии комплексных соединений. ДАН СССР, I960, т.132, }Ь 3, с.587-590.

18. Берсукер И.Б. Внутренняя асимметрия в комплексных соединениях. I Метод расчета и основные формулы в приближении теории кристаллического поля. - ЖСХ, 1961, т.2, № 3, с.350-360.

19. Берсукер И.Б. Внутренняя асимметрия в комплексных соединениях. П. Некоторые результаты и обсуждения. ЮХ, 1961, т.2, № 6, с.734-740.

20. Ham F.S. Effect of linear Jahn-Teller coupling on paramagpnetic resonance in a E state. Phys.Rev., 1968, v.166, N 2, p.307-325.

21. Boatner L.A., Reynolds R.W., Chen Y., Abraham M.M. Static, quasistatic and quasidynamic Jahn-Teller effect in the EPR spectra of Ag+2 in SrO, CaO, HgO. Phys.Rev., 1977, V.B16, N 1, p.86«106.

22. Берсукер И.Б. Строение и свойства координационных соединений. I.: Химия, 1971« 312 с.

23. Voillot F., Barrau I., Brousseau M., Brabant I.C. No-pho-non luminescence at 0,84 ev and GaAs:Cr. J.Phys.C, 1981, v.14, N 36, p.5725-5736,

24. Van Vleck J.H. Note on the gyromagnetic ratio of Co++ and on the Jahn-Eeller effect in Fe++. Physica, 1960, v.26, p.544-552.

25. Johnson K.H., Smith F.C. In Computational methods in band theory. New York, Plenum, 1971»

26. Ильин Н.П., Мастеров В.Ф. Модель двойного центра железо-термоакцептора в фосфиде галлия. ФТП, 1980, т.14, № 2, с.375-^377.

27. Holdene F.D.H., Anderson P.W. Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors. Phys.Bev., 1976, V.B13, К 5, p.2553-2559.

28. Flerov V.N., Kikoin K.A. On the theory of the deep levels of transition metal impurities in semiconductors. -J. Phys.C, 1976,v.9, N 9, p.1673-1684.

29. Kikoin K.A., Flerov V.N. Impurity levels of transition metal ions in the crystal field of semiconductors.-J. Phys.V, 1977, v.10, N 21, p.4295-4308.

30. Кикоин K.A., Флеров B.H. Электронная структура и функции распределения локализованных состояний в модели Андерсона. Диэлектрическая фаза. ЖЭТФ, 1979, т.77, № 3, с.1062-1080.

31. Anderson P.W. Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 1961, v.124, N 1, p.41-53.

32. Ham F.S., Slack G.A. Infrared absorbtion and luminescence2spectra of Fe in cubic ZnS: role of the Jahn-Teller coopling. Phys.Rev., 1971, v.B4, N 3, p.777-799.

33. Андрианов Д.Г., Савельев A.C. Об эффекте Яна-Тедлера для пршеоных ионов с электронной конфигурацией 3d21" в полупроводниковых соединениях типа ФТП, 1980, т.14, Ш 3, с.539-545.

34. Brumage W.H., Lin С.С. Magnetic sesceptibilities of trah2sition elements in host crystals. II. Ni in ZnO and OdS.- Phys.Rev., 1964-, v.134, N 4A, p.A950-A957.

35. Андрианов Д.Г., Каратаев В.В., Лазарева Г.В., Муравлев Ю.Б., Савельев А.С. 0 взаимодействии носителей заряда с локализованными магнитными моментами в inSb Нп и inAs Мп.- ФТП, 1977, т.И, № 7, сД252-1257.

36. Schulz H.J. Optical properties of 3d-transttion metals in II-VI compounds.-J.Cryst.Growth, 1982, v.59,N 1-2,p.65-80.

37. Kelley C.S., Williams F.E. Optical absorption spectra of Cromium Zinc sulfide crystals. Phyw.Rev., 1970, v.B2, N 1, p.3-7.

38. Allen J.W., Wray E.M. Crystal field spectra of 3dn impurities in Zinc selenide. J.Phys.C., 1971» v.4, N 4, p. 512-516.p

39. Slodowy P.A., Baranowski J.M. Absorbtion spectra of Ti(d ), V(d5) and Cr(d4) ions in CdTe. Phys.Stat.Solidi (b),1972f v.49, N 2, p.499-503.

40. Baranowski J.M., Allen J.W., Pearson G.L. Crystal-field spectra of 3dn impurities in II-VI and III-V compound semiconductors.-Phys.Rev., 1967, v.160, N 3, p.627-632.p

41. Slack G.A., O'Meara G.M. Infrared luminescence of Fe in ZnS. Phys.Rev., 1967, v.163, N 2, p.335~341.

42. Slack G.A., Ham P.S., Chrenko K.M. Optical absorption of tetrahedral Pe+2(3d6) in cubic ZnS, CdTe, MgAlgO^.-Phys. Rev., 1966, V.152, N 1, p.376-402•

43. Low W., Weger M. Paramagnetic resonance and optical spectra of divalent iron in cubic fields II. Experimnetal result s.-Phys.Rev., 1960, v.118, N 5, p.1130-1136.

44. Vallin I.T. Dynamic Jahn-Teller effect in orbital ^E state of Fe+2 in CdTe. Phys.Rev.,1970, v.B2, N 7,p.2390-2397.

45. Bonville P., Garcin C., Gerard A., Imbert P., Jehanno G.• +2

46. Mossbauer absorbtion and emission study of delute Feimpurities in cubic ZnS. Observation of metastable electronic levels. I. Relaxation measurements.-Phys.Rev., 1981, v.B23, N 9, p.4293-4-309.

47. Bonveille P., Garcin G. et al. Mossbauer absorpbtion and2emission study of delute Fe impurities in cubic ZnS. Observation of metastable electronic levels. II. Dynamic Jahn-Teller effect study. Phys.Rev., 1981, V.B23, N 9, p.4310-4323.

48. Slack G.A., Roberts S., Vallin J.T. Optical absorbtion of2

49. Fe in OdTe in the near and far infrared.-Phys.Rev., 1969, v.187, N 2, p.511-524.

50. Vogel Е.Б., Rivera-Iratchet J. Interpritation of the far2infrared spectrum of Fe in cubic OdTe and ZnS. Phys. Rev., 1980, v.B22, N 9, p.4511-4522.

51. De Wit И., Renenberg A.R., Holton W.C., Estle T.L. Electron2paramagnetic resonance of Cr in 4- and 8- coordinated crystals. Bull.Am.Phys.Soc.,1965» v.10, N 3, p.329.

52. Vallin J.T., Watkins G.D. EPR of Cr+2 in II-VI lattices.-Phys.Rev., 1974, v.B9, N 5, p.2051-2071.

53. Vallin J.T., Slack G.A., Roberts S., Hughes J. Infrared absorption in some II-VI compounds doped with Cr.-Phys. Rev., 1970, v.B2, N 11, p.4313-4333.

54. Tucker E.B. Spin-Lattice coopling of a Kramers foublet: CO*2 in MgO. -Phys.Rev;-, 1966, v. 143, И 1, p.264-274.

55. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, т.1. М.: Мир, 1973.

56. De Wit М., Estle T.L. Paramagnetic resonance of Fe and Ni in Gallium Arsenide. Bull.Am.Phys.Soc., 1962, v.7, N 7, P.449.

57. Bleekrode R., Dieleman J., Vegter H.J. Electron spin resonance of Fe in GaAs. Phil.Res.Rept., 1962, v.17, N 5, p.513-517.

58. Мастеров В.Ф., Попов Б.П. ЭПР обменно-связанных пар в кристаллах GaAs Fe. ФТП, 1978, т.12, № 2, с.404-405.-12263. De Wit И., Estle Т.Ь. Electron-paramagnetic resonance ofiron in Gallium arsenide.-Phys.Eev.,1963,v.132,N 1,p.195-201.

59. Баженов B.K., Преснов B.A., Федотов С.П. Парамагнитный резонанс в легированном железом арсениде галлия. ФТТ,1968, т.Ю, & I, с.268-270.

60. Баженов В.К., Баженова В.Н., Преснов В.А., Федотов С.П. Дефекты решетки в арсениде галлия. ФТТ, 1970, т.12,3, с.908-910.

61. Bashenov Т.К. Electron paramagnetic resonance in com-p ounds . -Phy s . St at. Solidi (a), 1971,v.10,N 1, p.10-42.

62. Мастеров В.Ф. Глубокие центры и их взаимодействие в соединениях А^В^. Дисс. на соиск. учен.степ.док.ф.-м. наук, Д.: ДЛИ, 1979.

63. Suto К., Nishizawa J.-Т. Photosensitive paramagnetic resonance in Fe-doped, Gallium Phosphide. J.Phys.Soc.Jap.,1969, v.27, N 4, p.924-929.

64. Stauss G.H., Krebs J.J., Henry E.L. EPE study of and Cr+2 in InP.-Phys.Eev.,1977» v.B16, N 3, p.974-977.

65. Estle T.L. Electron paramagnetic resonance of iron in indium arsenide. Phys.Eev.,1964,v.136,N 6A,p.A1702~A1704.

66. Fung G., Niholas R.J., Stradling R.A. A study of deep acceptor levels of iron in InP. J.Phys.C, 1979, v.12, N 25, p.51*5-5156.

67. Ганапольский E.M. Акустический парамагнитны! резонанс Fe+2 и Fe*5 в арсениде галлия. ФТТ, 1973, т.15, $ 2,с.368-375.

68. Ганапольский Е.М., Омеяьяновский ЭЛЛ., Первова Л.Я., Фис-туль В.И. О механизме компенсации в полуизолирующем арсениде галлия с примесью железа. ФТП, 1973, т.7, № 8, с.1643-1645.

69. Андрианов Д.Г., Савельев А.С., Фистуяь В.И. Магнитные свойотва ионов Fe+2 в арсениде галлия. ФТП, 1975, т.9, № I, с.136-138.

70. Krebs J.J., Stauss G.H. EPR of Cr(3d5) in GaAs evidence for strong Jahn-Teller effects. - Phys.Rev., 1977, v.B15, N 1, p.17-22•

71. Ганапольский E.M. 0 состоянии примесных атомов хрома в арсениде галлия. ФТТ, 1974, т.16, В 10, с.2886-2893.

72. Krebss J.J., Stauss G.H. Effect of uniaxial stress and2temperature variation on the Cr center in GaAs.-Phys. Rev., 1979, v.B20, N 2, p.795-800.

73. Hennel А.И., Szuszkiewicz W., Balkanski M., Hartiner G. Investigation of the absorption of Cr+2(3d4) in GaAs.-Phys. Re v. , 1981, V.B23, N 8, p.3933-39*3.

74. Krebs J.J., Stauss G.H. EPR of Cr*2(3d4) in gallium arsenide: Jaim-Teller distortion and photoinduced charge conversion.-Phys.Rev.,1977, v.B16, H 3, p.971~973.

75. Kaufmann U., Schreider. Chromium as a hole trape in GaP and GaAs. Appl.Phys.Lett., 1980,v.36, N 9 эР-74-7-743.

76. Stauss G.H., Krebs J.J., Lee S.H., Swiggard E.M. New EPR data and photoinduced in GaAs Or • Reinterpritation of the "second acceptor" state as Or • Phys.Rev., 1980, V.B22, N 7, p.3141-3143.

77. Narayanamurti V., Chin M.A., Logan R.A. Direct determination of symmetry of Or ions in semiinsulating GaAs substrates through anisotropic ballistic-phonon propagation and attenuation.-Appl.Phys.Lett.,1978,v.33,N 6,p.481-483.

78. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях А3В?. ФТП, 1978, ь.12, № 4, с.625-652.

79. Мастеров В.Ф., Мальцев Ю.В., Соболевский В.К. Об электронной структуре центра марганца в кристаллах inP. ФТП, 1981, т.15, Л II, с.2127-2131.

80. Андрианов Д.Г., Савельев А.С., Фистуль В.И. Магнитная восприимчивость арсенида галлия, сильно легированного теллуром. ФТП, 1972, т.6, J& 5, с.853-857.

81. Busch G., Menth A., Natterer В. Die magnetische suszepti-bilitat von InAs und InSb.-Zs.Haturforschung, 1964, Bd. 19A, N 5, S.542-548.

82. Андрианов Д.Г., Лазарева Г.В., Савельев А.С., Якубеня С.М. П Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках. Тезисы докладов. Поведение примеси марганца в полупроводниковых соединениях типа А3В?. Ташкент. Таш.Гу. 4.1. 1980, с.31.

83. Гельмонт БД., Иванов-Омский В.П., Коломиец Б.Т.,Мельник В.П. Магнитная восприимчивость дырок в HgTe, InSb, Ge.- ФТП, 1970, т.4, № 2, с.299-304.-12593, Калинников В.Т., Раки тин Ю.В. Введение в магнетохимию. -М.: Наука, 1980. 301 с.

84. Савельев A.C., Магнитная восприимчивость монокристаллического арсенида галлда. Дис. на соиск.учен.степ.канд. ф.-м.наук. М.: Гиредглет, 1974.

85. Ануфриев Б.Ф., Дохновский С.Б., ЗВуркин Б.Г., Копыловский Б.Д., Пенин H.A. Регулятор тока на полупроводниковых приборах, ПТЭ, 1962, № I, с.129-131.

86. Кижаев С.А., Усачев П.В., Юдин В.Н. Магнитная восприимчивость HgCo(CNS)4. ФТТ, 1971, т.13, № 9, с.2829-2830.

87. Ponlis J., Massen С .H., Thomas J .M. Longitudinal Knudsen forces. II. J.Seien.Inst., 1966, v.43, Ei 4, p.234-237.

88. Buch G.A. ,Kern B.Die mangetischen Eigenschaften der A^B^ Verbindungen. Helv.Phys.Acta, 1959, v.32, p.24-57.

89. Пул Ч. Техника ЭПР-спектроскопии. M.: Мир, 1970. 558 с.

90. Moлин Ю.Н., Чибрикин В.М., Шалабкин В.А., Шувалов В.Ф. Точность измерения концентрации парамагнитных частиц методом ЭПР. Зав. лаборатория, 1966, Ш 8, с.933-943.

91. Блеймор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964. 392 с.

92. Tuck В. Review the chemical polishing of semiconductors. -J.Mater.Science, 1975, v.10, N 6, p.321-329.

93. Андрианов Д.Г., Лазарева Г.В., Савельев A.C., Фистуль В.И. Аномалии эффекта Холла в inSb Мп . ФТП, 1976,т.Ю, & 3, с.568-570.

94. Коренблит И.Я., Шендер Е.Ф. Разбавленные ферромагнитные сплавы с дальнодействующим обменным взаимодействием. -ЖЭТФ, 1975, т.69, В 3, C.III2-II20.

95. Андрианов Д.Г., Савельев A.C., Якубеня С.М., Кабанова О.В. Ян-теллеровские искажения и магнитная восприимчивость ар-сенида индия, легированного марганцем. ФТП, 1982, т.16, № 8, с.1365-1370.

96. Prijce H.H.L. Spin-spin interaction within paramagnetic ions. Phys.Rev., 1950, v.80, N 6, p.1107-1108.

97. Segsa K.H., Speñke S. EPH of manganese-doped GaAs epitaxial Layers.-Phys.Stat.Sol.(A),1975,v.27,IT 1» p.129-134.

98. Kuhn G., Hein M., Wartewin S. Manganese-oxiden impurities in GaAw-Phys.Stat.Sol.(a), 1977,v.41,N 1, р.К13-К15.

99. Михрин С.Б., Попов Б.П., Штельмах К.Ф. ЭПР комплексов Мп-0 в кристаллах GaAs Мп . В сб.: Тезисы докладов У Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования п/п материалов. Москва, 1982,с.225.

100. НО. Андрианов Д.Г., Болыпова Ю.Н., Лазарева Г.В., Савельев A.C., Якубеня С.М. Эффект Яна-Теллера в системе GaAs Мп. В сб.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982, с.55-56.

101. Карлик И.Я., Меркулов Й.А., Мирлин Д.Н., Никитин Л.Н., Перель В.И., Сапега В.Ф. Намагничивание дырок на акцепторах и поляризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAsjMn. — ФТТ, 1982, т.24, № 12, с.3550-3557.

102. Яндрианов Д.Г., Большева Ю.Н., Лазарева Г.В., Савельев A.C., Якубеня С.М. Особенности поведения примеси марганца в GaAs+Mn. ФТП, 1983, T.I7, $ 5, C.8I0-8I3.

103. ПЗ. Мастеров В.Ф., Михрин С.Б., Саморуков Б.Е., Штельмах К.Ф. Исследование дефектов структуры в системе GaAs:Mn методом ЭПР. ФТП, 1983, т.17, № 7, с.1259-1264.

104. Андрианов Д.Г., Григорьев Ю.А., Климонский С.О., Савельев А.С., Якубеня С.М, К вопросу о зарядовом состоянии примеси марганца в GaAssMn. ФТП, 1984, т.18, № 2, с.262-265.

105. Blekerode Е., Dielman J., Vegter H.J. Electron spin resonance on Mn in GaAs.-Fhys.Lett.,1962,v.2,N 7,p.555-356.

106. Almeleh N., Coldstein B.Electron paramagnetic resonance of manganese in gallium arsenide. Phys.Rev., 1962, v.128, N 4, p.1568-1570.

107. Андрианов Д.Г., Павлов H.M., Савельев A.C., Фистуль В.И., Цискаришвили Г.П. Дальнодействующая обменная связь между ионами Мп+2в Pb^ibH^e. ФТП, 1980, т.14, № 6, с.1202-1212.

108. Андрианов Д.Г., Гимельфарб Ф.А., Кушнир П.И., Яадотинский И.Е., Пашковский М.В., Савельев А.С., Фистуль В.И. Магнитные свойства твердых растворов в системе Hgx№b1-xTe.

109. ФТП, 1976, т.Ю, $1, C.III-II5.

110. Piggs B.N., Lewis Р.Е., Webb G.A. The magnetic behaviory of cubic field "terms in lower symmetry. J.Chem. Soc.A., 196?, N 3, p .442-447.

111. La mann K., Schad Hp. Ultrasonic attenuation to the neutral acceptor Mn in GaAs. Sol.St.Comm., 1976, v.18, N 4, p.449-452.

112. Blekemore J.S., Brown W.J., Stass M.L., Woodbury D.A. et al.Thermal activation energy of manganese acceptors in galliume arsenide as a function of impurity spacing. -J.Appl.Phys., 1973, v.44, N 7, p.3352-335^.

113. Korlos P., Jansak L., Beno V. Preparetion and propetties of Mn-doped epitaxial gallium arsenide.-Soli.St.Electr., 1975, v.18, N 3, p.223-226.

114. Барбашов M.H., Маслов В.П., Мастеров В.Ф. Электронная и ядерная магнитные релаксации в кристаллах фосфида индия, активированных марганцем. ФТТ, 1983, т.25, № 4, с.1130-1134.

115. Еао E.V.K., Sibille A., Duhamel N. Investigation of process-inducede defects in InP. Physica, 1983, V.116B, p.449-455.

116. Захаренков Я.Ф.,Зыков A.M.»Романов В.В.,Саморуков Б.Е. Поведение марганца в фосфиде индия. Изв. АН СССР .Неорганические материалы. 1983, т.19, № 8, с .1245-1249.

117. Bachmann K.J., Buchler Е. et al.The current status of the preparation of single crystal, bicrystals and epitaxial layers of p-IriP and of polycrystallino p-InP films for photovoltaio applications. J.Crys.Growth, 1977, v.39, N 1, p.137-150.

118. Захаренков 1.Ф., Круковская 1.П., Саморуков Б.Е. Электр рические свойства кристаллов InP Мп ФТП, 1983, т.17, № 7, с.1327-1330*

119. Кузнецов В.П., Мессерер М.А.,Омельяновский Э.М. Прыжковая проводимость по глубоким примесным состояниям в InP:Hn, 1984, ФТП, т.18, № 3, с.395-399.