Процеси формування тонких дiелектричных та приповерхневих напiвпровiдникових шарiв у кремнiевих структурах при нерiвноважних впливах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ргб о*

АКАДЕМШ НАУК УКРА1НИ _ 3 ДиЬнСТИТУТ Ф13ИКИ НАП1ВПРОВ1ДНИК1В

На правах рукописц

НАЗАРОВ Олексш Миколайович

ПРОЦЕСИ ФОРМУВАННЯ ТОНКИХ Д1ЕЛЕКТРИЧ НИХ ТА ПРИПОВЕРХНЕВИХ НАП1ВПРОВ1ДНИКОВИХ ШАР1В У КРЕМН16ВИХ СТРУКТУРАХ ПРИ НЕР1ВНОВАЖНИХ ВПЛИВАХ

(01.04.10 — фЬика нап!впров1Дник1в та д|'електрик!в)

АВТОРЕФЕРАТ дисергацН на здобуття вченого ступеня доктора ф1зико-математичннх наук

КиТв— 1993

Роботу виконано в 1нститут1 ф1*зикн нашвпровщнию'в АН УкраТни

Офщ1й1н опоненти: член-кореспоидеит АН УкраТни

доктор ф1зико-математичних наук, професор Литовченко В. Г.

доктор ф1зико-математичннх наук, професор Жарких Ю. С.

доктор ф1зико-математнчних наук Дякш В. В.

Провидца установа: 1нститут физики АН УкраТни

3ахнет вщбудеться 24 вересня 1993 р. о 14 годиш на за-аданш спещал1зованоТ науковоТ ради Д 016.25.01. при 1нсти-тут1 ф1зики натвпровшишв АН УкраТни за адресою:

252650, КиТв-28, проспект Науки, 45

3 днеертащею можна озиайомитнсь у б1блютец1 1нституту ф1зикн нагпвпровиниюв АН УкраТни

Автореферат роз1слаио « ^ » _ 1993 р.

Вчеиий секретар ради доктор ф13.-мат. наук

С. С. 1щенко

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИК РОБОТИ

. Актуальн1сть теми- Сучасна технолог!я виготовленя великих 1л-гегральних-схем (1С) в основному базуеться на"багатошзрових крем-. HieBM -структурах .типу ггетал-д!електрик-натвпров!дник (МДН). Створення на ц!а основ! нових тигйв прилад1в та схем (таких, як 7-МОН транзистори, ■ cxeiui пам'ят! з УФ чи електричнш етираняям) та nepexia до субм1крошо! технолог!!- гоет!йно збШкзуе вгаоги яо електроф!зйчшк.властшостей: тонких прйповерхневих capiB наайзпро-в!дннка, а також стаб!льност1-д1електричного покреття. Разом з цим и!н1атюр1зац1я приладХв та 1С ;призвойить до потреби розробкя нових технойоПй. як! дозволять б!льш..гнучко керувати процесами. форму-вавня тонких актавних вап!впров1дниковж£ , шар±в' та дхелехгричних iffllBOK« Одним з таких. широко використовуваних у даниз час засобАв е Юняо легування, яке В поеднзян i - з нср1впова!кшай1 -методами э1д-палу. кзтер'1ал!в (фоТонним, електрошгий,- плaз^wвиr0^: даб' мо}шт1сть форчувати TDHKi нагйвпров1днНгсов1 та д!едектр:гш! сари з ун!каль~ нкми ?.гаклетостя.".л. .

У багатьех вгаздкзх im".! перЬмювг^пг/х В1дпалах значну. роль у перетворенн! ф!зичяих шкгстаостея в-йШ-раятъ процос-л рздЬтлко! стлчуляци та г1дроген1зац11> Введения водню в матёр!ал п!д час. глдрогайзацН пр-.пзвэд;ггь до -зя!ви його фуэдачеяталыстс $isimnx влаетивостеа: шйр!ти .заборонено!' зони . i. пбложеннй.;глкбоюй piBHis дефекПв; у зэборонёнХа; зон! нлгт1Епрсг>.1дя;:к1з; процес1в утворехтя. i в!дяалу дефекгг!в' в гатер 1ал L; терлзпольозо 1 та. .paiiauiiffiol erra-öiribfiöcTi матерХалу. Розвшж ф1зяки взаешдп воднзо з дефектами та домш*аш. у. йапйязройАлияках та дЛеяектр-лках даз змогу зрозун!-тина HispopiBBl прячйШ!: зи1пеаня ф!зитшх властавостеа матер1ал 1в I у- наз час i?p;t3Bi3 до ствсре-тя нового•нзпрямку в ф1зщ1 аморфнлх та. 1фист ал1чннх. Tin, а- тако»; у технолог!! створення. нових иатёрЛэ-л!в та пр'/ладАз. •• . .-- i

Впдятау роль у лроцссзх г!дрогел!зац!1 матер!алт в!д1грало застосуваннл та розвштас плаз.'.ю-х1ч1ч1г:а продес1а, як! в д!вчиа час вжористовукггься у нап!впровЛдшйюв!а технологи на yeix ета-пах. йиготовлення пр;кад!в. "Вгзчення та розробка ф!зичпих: основ ззас.:одИ ппазаи з аморфнили та крпсталАчшми речовинааи дали'зао-. су розвинута вгхливдз новкй тсхйолоПчния ■ няпртюк - плазмово-

водневу .модиф!кац1ю матер1ал1в, яка сумюиа з методами плазмо-х!мачно1 технолог!! та дае змогу при низьких температурах впоряд-ковувати структуру аморфниг та кристал1чних матер!ал1в, активувати 1мпяантован1легуюч! док!дпш в нагпвпровшшку, Ыдпалювати заряди в д1електрвду та на иеж1 под!лу нетал-д1електрик та: метэл-наа!£пров1дник.

Згадан! цер1вноваяш1 впгадаа одночасно зм1иоють елекгроф!зичн1 властивосп ус!х комповент!в багатошарово! структура ДН: припо-верхневоГ: облает!. нап!впров1дника; меж! под!лу та переходного шару д1електрик-нап1впров1дник; тонкого щару д!елекгрику. в зв-язку з ним виникэе необхщисть розвитку веруануючих метод 1в контролю, я;:1 селектишю-чутлив! до р!зних шар!в цих структур.

На час початку робота хенували яше окрем! спроби визчити ф1-зичн1 процеси, як! ядуть при нер1вноважншс-в1дпалах у багатошаро-вих системах ДН, що широко' використовуюгься у м11фоелекгрон1ц1; процеси взаемодП водню з материалами у багатьох випадках були не~ з'ясован! 1 знаходились на р!зн! початкових досл!джень; електроф1~ зичн! нетоди досл1дження багатошарових структур у багатьох випадках давали незрозум1л1 результата 1 не дозволяли з едино! методо-логхчно! позади анал!зуватк ус! головн! облает! таких систем ! врахоэувати взаемния вшшв електронлих та 1онних процес!в, як! адуть у цих областях. [ .

Метою роботи е комплексне даслЛцження пргфоди ф!зичних про-цес1в, як1 вШЗувэяться п!д час кодиф!кац!1 тонких приповерхневих кремн!евих та д1елекгричша шар1в за допомогою 1оано1 имппантацИ та плазмово-воднево! обробки, а такоа при керуванн! властивостям? кремн!евих структур д 1електрик-нашвпров1цник за допомогою р!звш Еер1зновамних в!дпал!в.

У зв'язку з ним головнями науковши вавданнями прац1 були :

1,Розробка ! розвиток комплексу метод1в дослЛдйеяня, побудо-ваних на принцип! терлоакгиваЩйно! реяаксацП заряду, як! дозволять з одн1е! неггодолог1чно1 позицП анал!зувата головн!. власти-вост! багатошароР1« структур: енергетичн! спектри говерхневге елекгрошжх стан1в ! глибоких р!вн!в в облает! просгорового заряд; нап!впров!дника; наявнХсть 1 параметри приповерхневих потенц1аль них бар* ер1в; процеси переносу тз накопиченяя заряду, а д!електри КУ. .

г

2.Бивчення особливостей утворення та в Шпалу дефекг1в 1ошзо1 1мплантацИ в тонких приповерхневих шарах кремн!ю в структурах

3.Виявлення та вивчепия природи нетерм!чних процес!в, як! " проявляться при вплив!. нер1вновакних в!дпал1в на багатоиэров1 струкгури д 1електрик-нап1впров1лник.

4'.3адопомогою комплексу метод1в вивченпя низькотемпературних пррцес!в чггрукгурних та фазових перетворень, як1 йдуть у сильно порукених 1 аморфшх кремн1евих пзрзх при плазмових в!дпзлах.

б.Розробка нових ф!зичних уявлень! моделей процес!в в1дпалу дефект!в у кремя!я та двоокису кремн!ю при плазмово-водневих об-робках, ш1 несуперечло пояснюкггь всю сукупнХсть результат!в, що сгостер!гаотъся, 1 прогнозують нов! явшца.

НАУКОВА НОВИЗНА робота пол яга е у сл!дуючому:

Л.Вперше була з'ясована природа, прискоренного в!дпалу рад1а-лШШих дефект 1в 1 прискорено! актщззцИ 1мплантованих легукних"до-молок у приповерхневому шар! - кремн1ю при ВЧ плазнов!а обробц! структур БЮ^-Б!. Показана визначальна роль водно у цих процесах 1 запропонована нова ф!зичпа модель, яка зв'язала процеси в1дпалу вакансИших: дефестХв та прискоренного впровадяення легуючо! дом1ш-ки у вузли кристально! гратки нап!впров!дяика, а також пояснила ряд ваяливих для ф!зш<и нап1впров1дник1в ефеггг1в.

З.Вперие були выявлен! 1 з'ясован1: пряма кореллц1я концеп-трацП елекгрично активних роз!рванкх зв'"язк!в у кремнИ з змея-шенням середньостатистичного розкиду кут!в зв'язку кремн!евого те-траедру та внутр1иньо! потендгйно! енерг11 в аморфнХа фаз! кремн!ю при ВЧ плазмов!я обробц!. Застосування нового п!дходу до ВЧ плаз-мового вппиву, як до методу введения атомарного водшо з одночасноп рад1ац!йно-терм!чною обробкою, ягам призводигь до релаксацИ на-пружених зв*язк!в у-матер!ал1, дозволило запропонувати 1 розвинути нов! иеггодн утворення тергяо- та рад!ац1йност!йких багатошарових структур.

З.Встановлен! законом1рност! терм!чного, фотонного х.плазмо-вого вЩпалу р!зних дефект!в у кремнП , на кен! йод1лу БЮ^-Б! та у двоокису кремн!о, що надало ножлив!сть вперше запропонувати ! досл!дити нов! ко;й!лован1 обробки багатошарових структур, як! по-еднуить терм!чниа, фотоннии 1з наступним ВЧ ппазмовим в!дпалом 1

з

б!льш.ефективно зменшують позитивней заряд у дХелектрику, концев-траШю поворхневих елекгронних стан!в на меж! под!лу S102-Si, гли-Соких piBHiB б облает! просторового заряду (ОГСЗ) кремндю, а також б1льш ефективно: активують !кпладтовану легуючу домгаку у яап!впро-вшвику, н1ж коша обробкэ зокрема.

4.Встановлено, що !шлантац1я йзнами середн!х мае розно! xi-a!j чно! природа дас однаковиа . енергетичний спектр глибоких piBHiB у кремнП по близу.мея! под1лу Si02-Si. Вперше вивченi I з'ясован1 процеси генезису ем!с1йякх параметров. глибоких: р!вн!в, при накопи-ченн!:аморфних включень у приповерхнев!й облает! кремпЛю при 1он-híb ХмщантацИ.

5.Вперше отриман! ! з'ясопан! еильн! терм!чи! та частота! за-лежностЛ- емност! i ировШюст!' хмплзнтованих ВДН-структур. Збудо-вана феномеволог!чна "теор1я цих процёс!в, що.-врзхову€ нанвнХсть в таких системах приповерхневого потенвдальярго бар; еру; i Boro иун-тування дифуздйно-дрейфовкм електрич11и.1 струком. ; Выявлений ефект дав змогу запрожшувати; вобий принцип д!агностування; приповерхне-вих иа()1Б iianiBripoDiaintHc! МДН-стру;-стур i вовий принцип, створення сенсор1в температуря. v

ПРАКТИЧНЕ ЗНАЧЕНИЯ РОБОТИ : '; .

ДисертшЦйна рсбота пера за все мае практкчну цйпЦсть в облает! розрктку пгодклэдних питаяь (Мзики нап1впров]дт!к1» та нап1впров1дникових приладив . яка мЛстать в соб1 слЛдуюче:

■.1.Розвинут! ф!зичн1 оснопи нового технологЛчного напрямку -ппазмово-воднезо! модифйсацП матер!ал!в.

2.Розвинута фепоменолог!чла Teopifi с;лност! та пров!дност!.широко використовуваних на практвд! структур метал-д 1електрж-нап1впров'Ддник з приповерхневщи потедаХальними бэр-ерам*, цо створшгься як легуючою дом1шкою, так i дефектами.

3.Розширена i розвинута теоргя процес!в термоактавацйшого збудження заряду з глибоких píbhíb у 'приповерхневому mapi нап!в-проводника та поверхневих електронних ct3Híb на меж! под1лу д!-електрик-напхвпрог Шник в МДН-струкгурах, як1 щироко застосовукггь-ся для практичнкх Шлей. .

, Значку uiHHicTb результата npaui маоть для практичного ззстосуванвя в технолог!! . яка полягае: '

1 .в розробц! i опткм1заЩ1 нового нгоькотемперзтурного проце-

Л

су в!дпалу багатошарових структур за допомогою ВЧ плаздаво! оброб-ки. •

" 2.в розробц! ! олтам1зац11 новях низъкотемпературних 1 еисо-коефективних процес!в вХдпзлу багатошарових структур за допомогою комплект« обробок, '¡до поеднуютьтерм!чний, фотонниа. 1з сл1дуючвк за ними ВЧ плззмовим вДлпалом,, ■ i ■ < '■ ' .

• З.В разробц! i оггпойззц!! нових котроткочасних технолог !чних процес!в в1дпалу. !оннолегованих систем 5!0г-51, таких як фотонниЛ i електронний в lina ли.

В облает! розвитку метод!в д!агностики еяектроф!зичних пара-метр!а нап1впров1дникових припад1в практична ц!нн1сть роботи поля-гае: . . ..

1.В розробц! i створбНЕ.1 комплексу неруануючих нетодЛв контролю електроф1зичних параметр!в багатошарових МДН-струетур, за-снованих на процесах термоактивац1йно1 релаксацП: заряду 1 дозволяющих анал1зувати вс! головн! област1 таких об'екПв (приповерх-невий шар нап!впров!дника, межу под iny дХелектрик- нап1впров1днкх i пар д1електркку)..

2.В розробц! нових метод 1лз визначення пзракетр!в. ?ЛДН-струкгур з приповерхневими р-n переходами i ноеих. конструкц!я емностштх сенсор1в текпературиу як1 махлъ зм!ш! д!апазони вим!рювання.

= НА ЗАХИСТ. ВКСУВАЮТЬСЯ : 1.Результата когяшексних досл1дкень природм нетерм1чних про-цес!в, як! найть н!сце при ВЧ плазмозЛа обробц! 1мплаытованих р!з-нкли донами структур a1-S!0Z-S1 ! св!дчать про вплив водшо нэ зни-ження температуря в!дпалу взканс!аних дефект!в у приповерхнев!а облает! нэп!впров1Д1шкз 1 температуря акпгоацП !нппантовано1 ле-. гушох домшки^у; цей; teap. y-i::"---.:

2.Ф!зична коделъ в!дпзлу вяканс!яних дефекг!в 1 эктивацП ле-гуючо! дом!даки у приповерхвевому шар! кремн1ю за участю атомарного водню, яка попягас в захоплен! атомарного водню о(Нрваними зв'яз-ками ваканс!хшого дефекту, оо сприяе значн1й релзксацИ крмстап1ч-7 но! гратки. в област1 дефекту та зняженн» величини потенц1ального бар'сру у раз! взаемодИ дефекта' та Шявузловинного атому кремн!я чи легуючо1 noriicni. П1сля впровздаення и!даузловшного атому у вузол кркстал1чно! гратки водень залиаае н!сце, де йшов процес.

3;Механ!з:га та законов!рност! в!дпалу позэтивного заряду у

Ь"

Б10г та поверхневих електронних стан1в на меж! под!лу ВЮ^Э! п1д час ВЧ_ плазмово! обробки, як! полягахлъ у впорядкуванн1 структури аморфно! с1тки двоокису кремн1ю чи перех!дного шару дхелеюрика на меж! под!пу БК^-Б! за участю водня, як катал!затора процеса упо-рядкування.

4.Ефекг повно! иехан!чно1 релаксацП аморфно! фази* 1фемн!ю при плазмовому вплив!, що вперше опостер!гався, та взаемозв*язок цього ефекту з нейтрал!защею роз!рваних кремнаевих зз*язк!в, що проходить в цеа час. Цея.ефеет е прямим доказом впорядкування на-тер1апу при ВЧ в!дпал! дефект!в ! дае змогу прогнозувати шях утворення аморфних матер!ал!в з :п!двщенною терюстаб1льн!стю.

5.Результата досл!джень ! законом!рност1 формування енерге-тичного спектру, глибоких р1вн1в , що спостер!гаються п!д час !он-но! . шплантац!! у при поверхнев1 шари лремн!ю структур 5!02-Б1 свхдчуть: 1)лро утворення однакового спектру глибоких р1вя!в у за-бороненай зон! нал!впров!дяиха п!д час !ьшгзггац1! структур .малши дозами !он1в р!зниг х!м!чних дом!шок; 2)про пол1пшення ефективнос-т1 утворення глибоких р1вн!в.без зм!ди !х енергетачних паранетрш п!д час !мплантац!1 !он!в на межу под!лу 5!02-5!; 3)про зб1лывенвя перер1зу захоплення глибоких р!вн!в ! порядку кдлетаки ем!сП з них. нос!1в V заряду при 'утворенн! у пркповерхневоку сэр! ;.кремн1ю аморфних кпастер!в, як1 перекриваиться при зб!льшених дозах !м-. плаетацН, що монна пояснити значиим зб1льшенням .локально!. концен-тред!! дефект!в ! перекриттям 1х тютенц!альшх ям при гетеруванн! дефект 1в на перефсрИ аморфних кластерных-вкл2счень.

в.Запрапоковаиа Л разроблена феноменолог!чна теор1я адм!тансу (/^-структур, яка вперше враховуе присуписть у нап1впров1диику приповерхневих штенц!альних бар'ер!в, ян! шувтукггься дифуз1йно-дрейфовими ■ струмами; Теор!я е спХльною для р1зша багатошарових систем з д!елегаричиши шарами 1 дае зкогу пояснит и температура! та частота! залежноет!. вид!лига вппив дефекг!в ! легуючих домИпок на ггриповерхнев! потенц!альн! бар* ери ! знаяти 1х головн! параметри. "

. 7.Розроблен1 коиплексн!; методи термоакгивац!2ного аналДзу

МДН-структур, що використовують одночасн!, температурн1 1 часов! • зиАни властивостеа системи при заданому. характер! зм!ви температуря, як! ■ дозволяоть з елмно1нетодолог1чао1 позиЩ! аяал1зувати

складн! процеси перебудови дефект!в в тонких приповерхневих шарах паП1впровШник1в, енергетичн! спектри поверхневих електронних ста-HlB ва меж! подЛпу д!електрик-нап1впров!дник i процеси перенесения заряду в д!електричних шарах.

В результат! робота автора був розробления новия актуальная дапрямок у ф!зиц1. нап1впров1дник!в та д!електрик!в - ф!зика плаз-(йово-воднево! иодиф!кацПматер!ал!в I прилад!в 1 зроблено значний внесок у розвиток ф!зичнюс основ формування п!д час нер!вновзжни1 вппив!в тонких нап!впров!дникових та д1електричних шар!в з новими дНзичними властивостями. .

ПУБД1КАЩ1 Головн! матер!али прац! в!дображен1 у 46 науко-эих роботах автора, надрукованих у центральних в1тчизняних i м!ж-народних видэннях, у. тому числ! 3 авторсысих св!дотствах i уза-Гальнен!. у к!лькох оглядах. Перел1к основних робít подано у к1дц1 автореферату.

АПРОБАЩЯ РОБОТИ Осяовн! результат! робота допов!пались i рбговорювались на: ■ , ;

1» Всесоюзному ■ симпоз!ум! з ф!зики систем нап1впров!дник-пл!вка двоокису кремн!ю {м.Рига, 1974р.).

• 2. Об'едванВ} ви!здн1Я вауков1я ceclí наукових рад по проблемам РФТТ А ФТТ АН СРСР ;(м.Севастополь, 1976р. ), ■ - 3. 6^9 Всесоюзных нарядах (симпозЛумах) по елекгрснккм проце-гам на ловерхн!, i в тонких шарах нап!впров!дник!в (1977,. 1984рр. *.Ки1в; 1980, Í983pp.. М.НовоаШрск).

4. 3-4 Всесоюзных жарадах "Дефекта структура в нап!впров!дни-сах" <1978, 1934рр., м.Новосиб!рск). : • . ■ ,

5. РБспубл1канських сеа!нарах 'ЧИзичн! принципи НОН 1втег-зально! електроники" Oí.KhIb, 1£Г78р.; н.Севастополь, 1980р.).

Всесовзиих взрадах-сем!ларах "Матеиатичне коделгвання i жсперагаентальнi. досл1джевня «лектрично!. релаксац!! -в елементах штегральниг схем" (и.Гурзуф, 1981, 1982р.; и.Ояеса, 1985р.).

¡ 7. 4, 5, 9 Всесоюзних конференцях по взаеиодП частинок з гверяка "т1лсу (н.Харк1в, 1978р.; и.Н!нськ, 1978р.; м.Москва, 089р.).

. 8* Всесоюзна конференцИ "0!зичн! методи досл!пження по-jepXHi 1 д!апюстика матер1ап!в та еле!еят!в обчиопхвано! технЛки" [М.Ккзен!в, 188Вр, >.

г

9. ЕсесошнШ конференцИ "Ф1зичн1 i ф!зико-х1м1чн1 основи -икроелектрон1ки" (м.ВольнюЬ, 1987р. >. :

]0. Всесоюзному ceMiuapi "АморфШ нашвпровхдники 1 дХелек-тртси нз основ! кре.мн1й в елекгрониц!" (м.Одеса, 1989р.). ;

11. ¡Шкародвих робочих нарядах по ioHiiia iMrmairrauil в на-плв1фов1двики.'та. 1нш!.: мате£!али: (м.Прага, ЧСР, 1981р.; м.Вьпышс,. 1983р.; м.БалатошигаУНР. 1885р.; M.EneHiTe, НРБ, '1990р.).

. 12. 26 та 29 м1жйародши: ■ колокв!умах - (м.Ельменау, ВДР, 1881, . iBoiipp.). v.С'/л; . У

13. МИшародних конференциях "Energy pulse and particle Ьеаш codification OX materials" (м.Дрезден, НДР, 1987, 1989pp.).

14. 7 М1жн:-гроди!й кокферениИ по м1кроелектровиц! "^СКОЕТхСЛВШСЗ' SO" (M.HiHCbK, 1990р.).

15. ММшррдних конференц1ях "Insulating films on seiaiconduc- • tors" (м.Мюнхен, OPH, 1989р.; м.Л!верпуль, Англ!я, 1991р.).

- СТРУКТУРА ТА ОБ' ем ДИСЕРТДЦИ : : Дисергац!я , складаегъся !з вступу/, шести глав !. закпюченая. Бона викладенз из 380 стор!нках друковзного тексту, включаючи 124 малинки, 14 таблиць та бдбл1огр;!ф1ю is 319 кггмеиувзкъ. С;'vV.::^; .'УЧ^У..

, - 3.MICT РОБОТИ

. У вступ!: • обгрунтовуеться зйггуальв1сть вибрано! теми, форму-лакться мета i задач! досл.1джеяь, положения, висунут! на захист, II кшжзна i нрэктечяз цхн.ч!сть. У:-.:'-- у/:.-1 ■ '■ :'•,,*''•-■■.

, Пермз -таава;;- дисергац!!:присвячена ■ розробд! метод iB термоак-тквагЦйно! спектроскоп! i глибоких р1вн!в з. метою" ix ззстосувзшя до, МД(1-спруктур, як] широко ьмюристовувались п!д час. ус lei робота. У глав1 а;!.ул1зувться pJ3Hi методи визпаченвя пзрзметр1в глибоких piBHiB в .ОГВ..нэн1впров!дгапса .1 поверхневих електронних crania (П.ЕС) ка' »;e»i под jj;y д!елекфЖ-нап!впровШик. Пропонуються опти-мзлыи метол и, як1 дають кожляю1сть,: не звакаючи на порядок к1не-тики' ем icii заряду, - визначати енергетичну глибину залягання пастки та концентрац1:о глибоких piBHiB. ..;••■■'.

Ошсан! оригШальн! комплексн1 методи, як! об- еднукггь термо-актквацШш анализ i нер1вноважн1 низькочастотн! або кваз!статич-!iJ больт-ф.-1родк.1 характеристики, вгайряи! при р1зних температурах, i даюггь змогу под!лити yci види енергетичного 1 просторового роз-

под!лу piBHiB в приповергаевому mapi нап1впров1дника ! на меж! по-д1пу д1електрик-яап1впров1дник в МЩ-структур!. Запропойован! нов! засоби визначення розпод!лу глибоких piBHiB у приповерхневому шар! нап1впров1дника, првдатн! для проф1лювання поодиноких та близько розташованих по еяергН. р!вн!в для випадку р!зких зм!н 1х концентрата.. Розглянут! методи обробки кваз!неперервних..спектр!в ПЕС, коли вим!рювання МДН-структур проводиться за допомогою метода тер-мозктавац!йного. зв!льнення заряду (TS3) та запропоновзния метод фрзгаияного польового розчицення спектру, який дае можлив!сть в!д~ д!лити енергетичний розпод!л концентрэц!! поверхнеЕМ стан!в в1д енергетично! залежност! 1х перер!зу зэхоплення. . •

В глав! анал!зуеться вплив.•зм!ни емност!.ОГО 'нап!впров!дника ! напруженост! електричного голя в ОГО н8п1впров1цника на головн! /параметри глибоких р!вн!в, розм!щеких на меж! под!лу ДН, як! виз-начэються 'методом. ТВЗ. Показано. ш.о при легуванн! нап!впровШш-ково 1 п1дкд адки, яке, широко використозуеться в мiKpoeлектрсн ini, найб!льший вплив €мн1еть ОПЗ.виявляе довеличини концектргцП г;:и; богах р1вн!в, яка визначаеться. з амлИтуди сигналу ТЗЗ, Лропону-клъся методи врахування помилок>; як! в подальшому пост!яно викори-стовухтгься в робот!. Кр!м того в глзв1 вивчзеться. ьтаив. ефекпв сильного електричного поля па ферму та положения niKiB струму ТВЗ. Пор1вня1шя експернментальних даних ! теорП. дало, змогу вляпита закон впливу сильного електричного поля на енерПю актквэцН глибоких .piBHiB та 1х перер!зу захоотення, при 1х появ1 у випадку 1м-' плантацП !он!в Аз+ на межу под!лу ■ ДН. РоздШ демонструе широк! можливост! метод!в термоактивзц!яно! спектроскоп!I глибоких piBHiB у МДН-структурах, що п1ддавались р!зним вшивам i р!зним технологиям обробкам.

Глава друга присвячена результатам досл!шкень впливу IohhoI 1мплантац1! тонких приловерхпевих иар!в кремн!ю .на електроф!зичн! властивост! структур Ai-SiO^-Si та керування !х температурними та частотами запежностями. а таком розробц! метод1в визначення пара-метр!в таких приговерхпевих нап1впров1дникових шар!в..

.: Виерте проведено детальней анал1з зм!ни форми вольт-фэрадних. характеристик (ВФХ) МДН-структур, одного з самих поширених метод!в д!агностики багатокарових систем, в залежност! в!д параметр1в при-шверхневого потенц!ального бар*еру. Лей бар* ер виникае при !м-

¿*

плантэдП ДН-струтури 1опами, як1 легують приповерхневиа шар на-1 швпровлдника протилежним типом пор1вияно з нап!впров!дниковой п!дкладкои. За .допопда експериметальщк - дослИзаень ! розроблево! феноменолот1чно! теор!1 емност! МДК-структури з приповерхвевим по-тетиэльним бар'ером бупо показно, що форма БФХ в ззлежлост1 в!д параметра приповерхневого !мллантованого вара може-мзти сллдуючиа вигляд:

1.Форма БФХ не змХнюеться, якщо напругою на метаневому елек-трод 1 можна повяхстю зм1спгги приповерхневиа бар*ер (чи р-п переход) у прямому налрямку, до початку реал1зацИ на поверхн! умови сильно! 1нверс!1 по в1дношенню до основних нос11в приповерхневого ш-зру; V: : ;"

г.Значения максимально!, емност! ВФХ знижусться пор!вняно й геометркчноп емнЮТю дхелекгрика, якщо приповерхневий йотенц!аль-ниа бар'ер (р-п перех!д) не моягна повн!сти-зм1ст1гги у прямову на-: прямку, але моша зовн!шим"елекгричним полем знизити йога величину; ! .

3.ВФХ слабо 'модулюеться напругою елекгричного поля або вона приймае форму, характерну для протилежного типу легування пор!вня-ео. з нзшвлроБишиковою' л1дклэдкою, якщо яриповерхлевиа р-п пере-Х1д но можна• знизити зовнИпним епекгричшш:полем;-■л^-'.-с^-г.--:' ^ •

. Виерще показано, до .структура з приповерхневим . потенгЦальним бар* ером виявляюггь сильну темперзтурну запежн!сть. Теоретичне та експерикентальне вивчення ф!зичних, процес!в ,як!.- в1 дпов 1давть дат ному ■ яаищу, показали,- що у випадку' зшйеяих штенгйальних: бэр- ер!в температурка та . частотна залежн1сть емност1 або пров!дност!; НДН-структури иов'язан! з шунтуванням потенгЦальяого бар* еру дифуз1а-ио-дрейфовим струмом; причому пров!дн!сть шунтуючого страда експо-неггцШю зв* язана з величиною пршоверхневого потешд1ального бар-еру.

На основ! вивчсного ефекту та розроблено! теорП. були запро-лонован! нов! иетоЯи д!агностики наяввдст! у МДН-структурах приповерхневого тотешиалыюго бартеру у ЕаШ-ВпровШнику 1 визначехш його велшшш. товщшм'легованого приповерхневого шару, аого ефек-тивно!. концешрацИ, а також запропонован!козструкц!1 ешосниз сенсор!в температури. Детальн! досл!Дження частотних та температурит залехшостея ВФХ ЛЩЛ-структур, як! канть приповерхнев! р-1

переходи значно! товщепш (d>xdiriax+l, де - р!вноважна глибииа шару збЛднення р~п переходу, -яка поширюеться у приповерхневий шар), дрли можливАсть розробити- простая метод. проф1лювзння пегую-чих :дом1шок-у. приповерхневому ишпантованоиу'Шар!.

Вперше проведен! досл1дження i теоретична розрахунки впливу рад!ац!йних дефект!в у приповерхневому шар! нап!впров!дникз на форму, температурну та частотну залежн1сть ВФХ 1|ЩН-структур. Показано, що глибок! пастки акцепторной природи або н1лк1 акцепторн! легуюч! дом!шки зб!льшують в окреглих випадках крутЮть ВФХ. При значних концентрац!ях дефект!в, що компенсушъ головн! легуюч! донники у приповерхневому нап1впров!дшковому mapi МДН-структури, вкнихае сильна- текпературна залежн!сть величини максимально! ем-ност! структура, яка-мае чггко вирзжену частотну дисперс!ю. Така частотна дисперс!я не вкникае у випадку утворення приповерхлевого р-n переходу. ■'■'.■".'.. ' , ■

У трет!я глав! представлен! досл!дження ГфоцесХв накопичення . та в!дпалу. дефект IB ioimol -шплавтащ! в тонких приповерхневих шарах окиененого кремнХю, проведен! за допомогою метод!в термоакти-взцШюго звХльяення заряду, темпёрзтурних; залежностой емност! та пров!дност! ШН-структур та в окремих випадках доповнених методами HIP та дпфракцИ ивщкиг електровХв на вЛдбиття.

Проведен! експертментальн! дослХпшення впливу: ме>н! под1лу S102-S! на утворення !. параметра глибоких piBHis у приповерхневому шэр! 1феия!ю; типу та.чдаси 1мшазгованих Iohib на спектр глибоких р!вн1в в ОПЗ взп!впров!дникэ. Вперше показано, до незалежно в!д типу ioaiB для 1ов1з середн!х нас у приповерхневому шар! нагйвпро-в1дника при !снн!я !мплантац!1 утворюсться однаковиа спектр глибоких plBHte, до може бута пояснено виникнензям структурних дефектов у кревдП, в склад яких входять дом!шки, ио спочатку !снують у на-п1впроз!дшзу• ; "

Блпзк!сть кея! под!лу S10l-Si призводить до полегиення утво-регшя, глибоких piBHlB без сн!ни !х еяергетачлих характеристик. Проведене детальне вквченвя в!дпалу глибоких р!вн1в, локал1зовзнкх лоблгзу меха под!лу, визначена !х енергетечна тлибина ззлягэння, а тзкож анал1з л!терзтурш^ даних дали можлив!сть передбачсти природу 'рйу- дефекгАв,' що утворяються в - вапшу. випадку;при !ош1а to-плантацП. Передбачаеться, ко ряд дефзкг!в лов1 пзан! з р!знгаи вз

if

кансозними дефектами в кремвП та 1х комплексами.

Вперше були проведен! комплексно.. досл!дження вппиву гетеро-генно! -аморфизацП приповерхневого шару кремн!ю в ЬЩН-струкгурах на .процеси ем!сП заряоу з глкбоких р1вн!в, локал!зозанйх в ц!й облает!. Використовуючи переваги методу терноактивац!йвого зв!ль-нення заряду при застосуванно гого до сильно порушенное шаров на-швпроводника ВДН-струкгур було показано, що у випадку утворення аморфних кластер!в значних розм1р!в, що перекриваються, збЛльшу-еться перер1з захоплення глибоких р!вн!в • б1пьш- н!к на 2 порядки, збольшуеться концентрацоя б!пьш молких ровн!в о.зм!нюеться конета-ка емоси з них'носИв заряду. Цей ефект шясшоеться гетеруванням вториявих дефектов оонноо !мгшантац!о крупними. аморфними включениями та значним.зростанням ох локально! концентрацН.

Застосування метода температурю! залежност! пров!дяост! до МДН-структур' з сильно порушениш приповерхневкш. тарами дало мо-жлжпсть за допомогою неруануючого методу провести оц!нку ступени аморфизад1! припрверхневого. шару, яка вшшкае при 1чплантацИ кремн1я Донами фосфора.

Четверга глава присвячена вивченни ф!зичших процес!в, що 11рот!каютк в широко використовуваяих в м!кроелектрон!ц! структурах 3102-31, М-БЮ^Б! та А!-пол 1Б1-5!02-Бо при ох обробц! в ВЧ плаз-мовому розряд!, а такой процесам. кодкф!кад!1 властквостея доелек-трика та меж! под!лу д!електрда~нап!впров!дник ! :• метал-нап!впро-водник таких структур при гшазковха сброо'д!.

На початку глави приведений деталыпш аналоз'аснуючих на те-перошноа час в наукозЫ л!тератур! даних про ■ рад!ац!йно-терм!чн! та шззмов!'вотдаи на кремн.12 та-припади! структура на 1х/основ!,' а також роль водаю в цих процесах. Розглянут! дослАдкенн! на тепе-рдшШ час процеси взаемодН. водна з дефектами о дом!шкг;,щ в крем-нН 1 на ыёж1 под!лу 510г-5!та ВйШленна великий клас-явищ, в яких водень вЛаЗйрае роль посередника 1 природа якого до останньо-; го часу була не ясна. - • - .

3 глав1 представлен! ново результата по низькотемпературному ВЧ ппазмовому в!дпалу заряду в двоокису кремн.1я> та ПЕС на меж! подолу БЮ^Зо: 1)методом ЕПР продемонстровзно бЛпьш ефективне змен-шення концентрац!! кисневих вакансЛй в ЗШ2 (Е'-ценгри), н!ж при терм!чному в!дпал1 при температур! 450°С; 2)додавання водню в ат-

мосферу пяазмового розряду прислорюе вХдпал позитивного заряду в 3102; 3Остановлено, що залеяшсть зм!ни сумзрно! концентрацП ПЕС на меж! БЮ -3!, так само як 1 залежнхсть зм!ни ф^ксовакого позитивного заряду в БШ2, в!д часу ВЧ плазмово! обробки мае мШмум 1 схожа з такою ж заленшстю при терм!чному в!апал1 в атмосфер! вод-ню. .

В глав! вперие приведен! деталья! досл1дження впливу р1знома-н!тних факторХв, що проявлякггься при ВЧ плазмовому розряд1, на д1-елекгричвий шар 1 мету подалу багагошарово! МДН-етруктури.

1.3а допомогою метод 1в Оие-спектроскопП та ел!псометрйчного анал!зу, поеднаного з пошаровим■ х!м1чним травлениям, показано, но ризькоенергетичне бомбардування !онами та елекгронами значно моди-флкуе вШфиггиа приповерхневиа шар двоокису кремн!ю: приповерхневиа шар стае б!льш "рихлиа", що збхльшуе його швитасть травления; в приповерхневиа шар з атмосфера плазмового.розряду вводиться азот та алкМндд, що зб!лыпуе його коеф1ц!ент. залоилення. При пШвищен-них потукностях ВЧ плазмово! обробки вддбуваеться деяке зростання коефлЦента залоилення по вей товщин! окису без введения туди до-даткових дом!шок, що пояснено з точки зору згущення двоокису крем-н!ю п!д впливом ультраф!олетового та м'якого рентген!вського ви-промШеакя.

- 2.Проведен! теоретичн! оц!нки температуря та И вии!рованнн при ВЧ плазмов!й обробц! за допомогою термочутливих барвник!в дали можливЮТь встановити, що температура об'екту при самих форсованзч режимах впливу не перевищувала 450°С. Кал!бровка температури пластин при р!зних питомих потукностях ВЧ плазмово! обробки показала р!двщену ефективн!сть вод палу структур А1-Б!0г-51 поргвняно з теря!чним нагр!воя. .

З.СпШьний вплив температури та наведеного електричного по-тенц!алу на метал! ЩЩ-струкгури п!д час ВЧ плазмового впливу було вперше вквчено за допомогою методу термостимульованга Юнних стру-м!в. Було показано, що п!д час ВЧ плазмово! обробки проходить змщення рухливого позитивного заряду в 5!0г до иен! под!лу метал-д!електрлк у вкладку рргм!Щсння стру1пурл ггсталевим електродом до розряду, цо св!дчить про наведения на металевому електрод! негативного електричного потешд!алу. Пря обробц! структури А1-Б!0г-Б! в пезнихч рентах проходить ефективне гетерування !он!в На+ на меа|

А1-5Юг, ш,о було пояснено шдиф!кац!ею тег меж! внасл!док низько-енергетичного бомбардування металу !онами та електронами та 1нтея-.сивними шкекц1йнши проносами, що прот!кашъ при ВЧ плазмовхй об-робц!. : ' Ч. '■■,.: :

. 4.Методой термодесорбцгйво! мас-спектроскоп!! водню та вш1-рювання проф!л1в концентрац!! в1льниг нос Ив в приповерхневому шар!. кремн!ю, легованого бором, ,було установлено,, що при обробц! структура 5102-Б1 ВЧ плазмовим розрядом в атмосфер! азоту в при-поверхневу область нап!впров!дника структур М-БК^-Б! поступав водень в атомарн1й форм!, який при низькотемпературних режимах ВЧ обробки пасивуе'бор. У випадку розьЯщення об'екта тил'ьною стороною до. плазми (крешаева п!дкладка звернена до плазмового розряду) атомарний водень не проникае в приповерхневиа шар кремйю.пхд зат-ворний д!електрик.

Застосування метод!в термоактивацШюго зв!льнення заряду в облает! крюгенних температур (вхд 4 до 25К) та кваз!статичних вольт-фарадних характеристик для вивчення спектр!в м!лких пасток в переходному шар! Б!02 та спектр!в ПЕС на мен! под!лу Б!02~Б1, вха-пов1дно, Шсля ВЧ плазмових обробок. вперше Дало можлкв!сть спосте-р!гати повну корелящю сумарно! концентращ! ПЕС з сумарною концентрате» м!лких р!Ен!в, пов* язанвх з Иапруженими та об1рваними зв'язками в. перех1дноку шзр! 5!02. На основ!. них досл!джень, був зроблениа висновок про впорядкування стругсгури;перех!дного шару при ВЧ ппазков!й. обробц!, . . ■

Досл!д!кення накогшеНня заряду в структурах Б10г-5! при впли-Ы на них у-квант!впоказали зменшення ступеня-утворення ф!ксова-ного позитивного заряду в 5!0г та ПЕС . на меж! под!лу Б!0г-Б1 п!сля ВЧ плазмово! обробки структур» що е п!дтвердженням -структурного впорядкувапня аморфно! . с!тки дсоокксу кре.мн!я та меж!. под!лу ЭК^-Б! при ппазмовому вппив!; - . . . ' -'.'

. На основ! отриманих. даних' пропопуеться нова модель' впорядкування струкхури Б!0г при участ! водхю та електрично! ■ перезарядки напружених та об!рваних зв'язкШ в двоокису кремн!я.: Модель поля-тае в захопленн!. водню на один з напружених зв* язкгв у ландокку .Б1-о-Б! ! його розриву з настугшою релаксаЩею аморфно! сггки д вщцоапеннш Б!-0-Б! ланщика,. але вжо з м1н.шальною внутршшьох енергхекк Водень в цьоиу процес! грае роль посерэдншса 1 п!сл*

встаяовлеяня зв'язку перезахоплюеться на сус1дн1й або об!рвани2 зв'язок, або об'еднуеться в молекулу Н2.:

В глав! визначен! опгимальн! режши ВЧ плазмового в!дпалу структур S102-Si та виявлен! детрадзц1йн1 явща, яда вишкашъ при неправильному вибор! режиму обробки.

В глав! п'ят1й скстематизуються проведен!. автором дослХджен-нл по, перетвореншо та вШпалу сильно дарушених, та аморфизованих ioHHoa !мплантац!ею пршоверхневих окиснених nrapiB nia час ВЧ плазмово! обробки. .

. АяалхзуютБся результата вперше запропонованого автором низь-котскпературного плазмового в!дпалу дефект!в шплантац!! в шарах кремнХю. Застосування: методiB термоактивзцШюго зв1льнення заряду для анал!зу спектр1в глибогок piBHiB, нергввоважзого емносного профьлювання концентрацН вдльних hocIIb в ОЮ нап1впровШшса, а такой розробленого за участю автора метода проф1лвваяяя концентра--Uli глибоких piBHiB для шрХввялвних досл!джеаь'П1сля термхчшй та плазмовпх обрсбок ]нгшаятовзних р1зя:з<и .¡.онзми структур Àl-SiOa-Si,: дало мокшивлсть ' внявши сутгев! BiHMiHHocTi в протесах водпалу глибоких piBHiB. ВШл1нност1 шлягають: в зменшенн! б!льш Hia на 200°С тешкратури в1дпалу глкйоких piBHiB п!д час плазмово! обробки» шр!вняно з тера!чном; ефек-гавний отазновиа вддпал глибо-■ кях 'piBHiB у вузьк!2 приповерхневй облает! кремн!ю, тим часом ж при TepMi4Eia обробц! rnKöoKi р!вн! скупчукггья б in я мени под!лу Si02-Si; спостереаеяня процес!в_ збхльаення залииково! концентрацИ , глибоких. piBHiB при великХя тризалост! плазмово! обробки.

. 8 глав!; подан! результата експериментхв по в!дпалу глибоких piBHiB та активад!! ХшлантованоГ легуючо! дом.!ики в мплзнтовавих структурах A!-Si02-Sl, сбраблених. в плазм!' з лицево! та тнльно! сгорай, як! дають одвозначне пЗдтвердглезня суттевого вкладу, нетер-Мчдах факгорЛв у. йроцёси плазмозого в!дпалу основякх дефекПв 1м-плантац!! та впровадження 1м1и1антовано1 дс;л!шки в вузлл кристалХч-.. но! гратки креннХю. Експершенти : проводилися як вказанними вице методом:!, так ! кетодом низькотешературяо! фотолю?л1я1сценцп ек-сшш-домХшкових когяшекс!в, якиа дае можлкв!сть сц1нити ступХнь впровад:хепня конкретно! домШки в вузол кристал1чко! гратки нап!в-пров!дника.

Ко[шлекск! доел 1дження сильно, порушенйх !онноя !мплантац!ею

структур за допомогою метода ЕПР, термоактивацШюго зв1льненнзг заряду та оберненого резерфордовського розс!яння 1он1в Не+ показали, що одночасно оз зменпенвям концентрац!! електрично-активних дефектов, як1 можна в!днести до .дефект!в вакансШно'о природи, при ВЧ плазмов!й обробц! проходить ефективне впорядкування струкгури приповерхневого шару нап!впроводника.

Проанал1зован1 можлив! нетерм!чн1 механ1зми вЛдпалу дефектов в кремнП та показано, що результата, як! спостер!гаються, немож-■ ливо'поясните без залучення участа в цьому процес1 г 1м очно-активно! частишш, якою е водень.

Для несуперечного пояснення вс!е! сукупносП результатов, вод-палу освовних глибоких робнЛв та активац11 !шл'антовано! легуючоо . дом1шки в робото пропонуеться модель лрискореного водпалу дефектов ваканс!£во!природи в^кремнН при участо бодею, яка шлягзе в ре-лаксацИ гратки в област1 вакансШного дефекта при захоплен! на нього атомарного водню та зкеншешо при цьому величина потенпоаль-вого бар-еру, якии.необх!дно здолзта для акту ак1г1лнц11 м!нвузло-винного атому та ваканс!йяого дефекту. Якщо м!жвузловданим атомом виступае легуюча дояАшка, то кр1м в!дпалу дефекта сшстерХгаеться ще 1 активацоя легуючо! дом!шки. Передбачаеться, що водень висту-пае каталХзаторон реакцо! в!дпалу дефекта I п!сля II проходження залишае мосце реакц!! та переходить на сус1дн12 об1рваниа зв'язок або в молекулярну форыу.

• Систематичве доел Щкення юведовки р!зних глибоких р!вндв при ВЧ шазмов1£ обробц! 1 п!сля не1 дали ножлив!сть роздолити ровн!, що сшстер1гаються, на три класи: Пглибоко р!вв! (Ее -0.18; Ес -0.22; Ее -0.38; Е_ -0.44еВ), яко. ефективно зменшують свою концен-трац!ю при обробц1 1 не вШновлшгь II п1слк прогр!в!в у вакуумо до 450°С; 2)гли5ок! ровн1 <наприклад Ес -О.БбеВ), як! ефсктивно змекщують свою електричну активн!сть при обробдо та частково б1д-вовлшхъ II я!сля теры!чних прогр!в1в у вакуум!; 3)р!вно» для вДд-палу яких необхАдн! висок! темперзтури нагрову <Х-центр з енергоею головно! лШ! 1.0^99еВ). Перша клас глибоких р!вн!в воднесешш в робото до дефекту ванэвс!йного типу. який при плазмов!2 обробп! ноже прискореш волпалсзатась; друпз клас - до неконтрольоваяих дсщ1шж тецу Ре абэ.Са, СР кштролшгь час кихтя неосновних нос!1в крекниз.кк! пасивусться аггонзрнии воднем з наступша вХяЕОВлезшт

гб

свое! елегарично! активност! при прогрХвах; трет!а клзс - до дефектов, в склад так входить м!жвузловшша крекя!я i введения водто в його оточення здатно зб1льшити його термi4Hy стаболъяняъ.

В роздал! розглянен! результата дослйтаень методом оберненого резерфордовського розе!яняя, ЕПР та кокб1нац12ного розс!яния св1т-ла иодифгкац!! властквостея тонких припсЕерохлевих raapiB кретга!я, аморфизованих Iohhom 1жтактац1еэ, при вплив! на них ВЧ плазмово! обробки. Показано, шр так® вплив призводить: !)до значно! незтра-л1зац!1 об!рваних зв* язклв кре:.га!ю в аморфн!3 сблзст!; 2)до сутте-вого зростання дол! кркстал!чяо! фази в цьо?лу napi поравняно з терм!чним в1дпалои при 450°С; 3)до повно! релаксацП . внутрхшн!х механмних напрут в аморфн!а фаз1 кремн!я без прот!каяпя фазового преходу в кристал1чния стан. Спостер1гаеться повна кореляц!я змен-шення числа об!рваних зв'япк!з> що спостерХгаються методом ЕПР» при ВЧ плазмоЕоглу вплга1 та змеяшеяням серэдньоквадратичного роз-киду icyriB в кре.чн!евому тетраедр! аяорфно! фазй, яка пояснюеться введеннжз атомарного воднюв приповерхневия шар кремп!ю, його за-хопленвям на сбХрваяГ зв'язга та нейтрал1за1еа при цьсму Iz елек-тричяо! активность а такой зняття механХчша лапруг тз релзксацИ напрузених зв'язк!в у В22блкйчо!лу оточеня! кремн!евого тетрзедра,

йостз' глава шжсвячена дослЗдкепннм втакву р!зних Hepisso-: вакних в!дпал!в {лазерного, електроикого, фотонного) та когаШовэ-. них обробок- з застосуванням ВЧ тшазмйво! ■ сбрсбкм на властавост! багатгошарових структур Si02-Si. •

:Вгарше показано, шр влшзл структур S10_.~S! Злазульсом pydiao-вого лазеру тришл ierro порядка 50нс призводить до Екнккненнл до-датковхк глкбоких р1вн1в в пркпоЕерхяевоиу шар! кре.мз!я та дезнач-iroí ггстазацП йшлаятоваяо! домЛлетя i вХдпалу дефзкПв Лггпланта-ц!1 в двоокис1 1фе!ЛН1ю. Запропонована кодель упгорзштл яе£ект1з за рэгунок HepíBHOBaKSoro гарггування кремяЛя п!сля 1ипульсяого впливу" при значноиу. сбуджеян! сдсэтрспно-дирочних гпр. ' . Фотокниа в!дпал галогенЕимп ла.мпа-я тр;гзал!ст:з о!д 0.1 до 1 Осек структур SlOj.-SI, до п1ддавалися ioHnla ЬттсптзцН кит яком призводкв до в1дпалу глкбоких р!вн!в £Яльа н1я ю порядок величина i активацП легуючо! дошики, проте з -утвореикял зпа'шо! (Ю"с?Гг) концентрат! ПЕО на меж! шдхлу SJ02-Si. Ззстйсувзнля подальшого ВЧ плазмового в Шпалу дало змогу в!палита пмнг':-аач1 при

фотонному ,вплив! ПЕС та танизнти час фотонно! обробки для отриман-ня высокого ступени аетивацН омтантовако! димАакк. В робот] пе-редбачэеться, що утвсрейня поверхневих станАв, при фотонному вАдпа-лА пов'яззяо з рАзними коефАцАевтами термАчного розиирення кргмнХю та йАОг та утворенням зсувних потокАв в БАОя при короткочзсному • нагров! структури.

Методами термоактивадганого звопьнення заряду та екносного профолювання концентрацН вАльних'носПв в приповерхневому шар! кремн!я, а також фотолюмов!сцентноо спектроскоп!! глибоких ровнАв та низькотемлературно! фоталшХнАсценцП екситон-домшкових комплекс !в показана пАдвизеда сфекгивнХсть эктизацА! легуячо! дом!кки при малих !втенсивностях гшэзмово! обробки та. хороша ефекгивн!сть терочного вХдпалу ряда . глибких. рАкаАв, при температурах порядка 450°С. Вперше продемонстровааа висока ефективнАсть комб!вовано! обробки (термочний низькотемпературний в Шпал та ВЧ ппазмовиа в!д-пал), яка дае мошшвость досягга . зктивац!! легуючо! домАласи миш* яка до 80% при нагрАвах сб'екта не больше 450°С.

Доел Адиено вплив сфокуеовааого електронного пучка на вАдпал дефект Ав 1кгтантац.и та: активзцАю легуючо! домАшки -в окисненому кремлИ. Показано, що використання режиму Оагатокадрового скану-вавня електронного пучка по пластин! дае можливостъ досягти повно! акгавацА! легуячо! домшки в. кремноо та вАдлалу глибоких рАвнов до 10*°см~г по всАЯ ширин! заборонено! зони. ДослАдкепня природк вАд-. паду дефекгХв АмплантацП показали, що в дзному вшадку реалАзу-еться чистиа термАчвиа вАдпал без внеску будь-кких ветер;,йчих прочее Хв. ■...■;.

На закЛнчення дисертац!! приведен! основн! висновки робота.

оснсвю висновки

1.Розроблена теор!я ыетоду: тертоствдульованого зШьнення заряду з врахувавням вгошву емност! сяЗласт! просторового! заряду, елекгричного шля в ОГВ на процеей ем!с!1. Запропонован! та засто-сован! нов! кетоди розчистки та обробки складнях стектрАв струмАв ТЗЗ, ко виникають в ВДН-структурах, як! дашь змогу роздАлют об' емн! та' поверхнев! стани,. визначют евергетичн! розподАли кон-центрацА! поверхневих станов та 1х перерАз захоплення; визначиги розшдАл кожного глибокого рАвня по облает! просторового заряду

нап!впров1дника.

З.Виявлеаия ефекг тсшерзтурно! та частотноI залежпостеа максимально! величини емяост1 !мгтантованих МДН-струкчур. Вперше проведен! всеб!чн! досл"1лження цього ефеету 1 побудована феноменоло-г1чнз теор!я калосигналъЕо1пров1дност1 ВДН-отрукгур- з приповерх-невим датенц1зльким бар'ером, якиа иунтуеться дифузШю-дреяфовими струмами. Запропонован! нов! методи визначепня параметра тонких 1мплантованих нап!впров!дникових шар1в в НДН^структур з приповерх-невими р-п переходами: та дефёктнкми шарамйТ як! дають змогу розд!-лиги дефекта! та бездефекгн1 пршоверхнев! шари, оцИаовзти величи-ни приповерхневого потещЦального бар* еру та товщину шару з проти-леяшим типом пров1дпост!» визначати проф1ль легуотоГ дом!шки в таких приповерхневих шарахоцШгозти сгупШь аморфизацН приповерхневого нап!впроа!дникового шару.^ ■ ■

. З.Застосування метод!в термоактивац!йно! спектроскоп!1.глибо-ких; р1вн!в до структур 5!0г-51, !мппантованих !онами р!зних Х1м1ч-них дом1шок, надало можлив!сть визначити енергетичз! спектри глибоких р1вн!в в приповерхневому шар! кремп1ю; Доказано, ■ що: .1 )для !он!в середп!х мае в незалекност! 01д 1х типу утворюсться однако^; вид спектр глибоких р!вн!в, шр . ноже бути пов* пзако. з утворенням однакового виду структурних поруиень; 2)межз под!лу ЗЮ^-Б! не впливае'на.енергетичне положення глибоких р1вн!в дефект!в, однак зб1льиуе ефектизн!сть -IX: утворення. пор!вняно з об'еном кремв!ю; ЗУгермйнии в!дпал,. глибоких: р!вн!в-<Ес -0.38 та Е, -0.44еВ), лока-л!зованих поблизу меж! :под1лу аде з генерации б1лкц м!лких р1в-н!в, вд приводить до частково1.стаб!л!зац!1 концентрацИ цих р!в-н!в !з збШъпевням температуря.

■ 4;Вючено. вгагав ступеяю аморфизацН приповерхневого кремн!е-вого пару на еаергетичния спектр та ем1с!ану. здатн1сть глибоких р1вя!з, локал!зова1па у цьому аар!. Виявлено сфекГзначного зб1ль~ щення исрер!зу захопленпя та зм!шг к1нетики ем!с!Г яос!1в заряду !з ОДсток при вдаккненн! в облает! 1з локал!зац11 2'юрфгшх зсласте-рхв, що перекркватъея. Ззлрсшповано кехан!зм, вд з* ясовуе даниа ефекг, який пов'язашй з гетерувайням точкових дефект!в у пол! ке-хзц1чпих напрут амерфних вклйчень, як! мзять знача! розм!ря.

5.Вкзчено вплиа нерШюважних. 1?,шульсю£х вгошв!з на структура 510Я-В1, до. складу яких входять !кпульсн& лазерне випром!исння*

коротком а рний вгоню випротненням галогенних ламп та потужит електронним пучком.

Встановлено, що вплив на структури БЮг-Б! потужнього лазерного випромАнення Ампульсаш тривалАстю порядку дек1пькох десятк!в наносекунд призводить до утворення значно! концентрацН глибоких р!вн1в у приповерхневому шар! кремн1ю» як! мають ту ж саму енерге-тичну локал!зац!ю, що А р!вн! П1сля!онно! шплавтацП. При !нтен-сшностях випром!нення, як! не викликають руйнуванля дАелектрично-го шару, сдастерАгаеться. невисока ступАнь акгавацАА !мплантовано!

лбгуючо! донашки. " : _ ,

Показано,. що потужния 1мпульсний вплив векогерентного випро-м!нення галогенних ламп тривал!стю порядку секунди дае можливкггь ефекгивзо вХдпалювати глибок! ровнА у приповерхкезоку шзр! та ак-тивувати хмплантовану легуючу дом!шку, проте створное значну (порядку 10^см~2) концентрацию поверхневих'електронних стан1в на мехи под!лу Б!02-Б! та вводить в окис значниг позитивний. фйссованиа заряд. Застосування подалкао! ВЧ плазмово! обробки дае змогу ство-ркги тонк! приповерхнев! шари в кремнП без "розгошвання" легуючэ!, домшки. з нкзькою густиною поверхневих елеетронких стан!в на меж!; под!лу даелегПрик-наипяровьпЕик та гаибоких стан!в в облает! лро-сторового заряду .вапАвпровАдншса...Встановлено,, що, сканування/по-. ■ тукним сфокусованим електронким пучком у багатокадровому режим! дае можлив!сть повя!стю активувати Амплантовану легуючу домАшку та В!дпалювзти залишков! дефекта !кплантац!! без погчраення власти-востей д1електрика та "розапиванню" профхлю легуючо! донЛшки; при цьому реал1зусться чисто термхчниг механизм вАдлзлу.

б.Вивчено вплив низькотемперзтурво! ВЧ ппазново! обробки на фасований та рухпивий заряд в токих шарах БШг, а також на го-верхнев! електронн! стани та м!лк! рхвн! в переходному шар! д1-електрику поблизу меж! шдАлу ЗАСг-Б! структур метал-д!елетрик-напАвпровАдник. Показано, що при плазмовому вшшв! вАдбуваеться впорядкування стрзюури аморфно! с1тхи дюлекгрикэ та перехАдяого шару у меж! Б!02-Б!, яке зб!пьшуе радаацАйну "стшасть систени. Запровоновано механАзм низькотемлературного вАдпалу заряду в дА-електрику за участю атомарного воднв та електрично! перезарядки дефктАв та напружены зв"язк!в. Пояснено ефекг змекшення концентрат! рухливих !он1в в Б!02 шсля ВЧ плазмового впливу. Запрело-

го

новзно. метод створення шар1в Б!02 з! зб!льшенною ст1йк1ста до !онтауючого вшром!нення. . . . . \

■ ... 7.Виявлен1 та вшчен! ефекти в1дпалу радшШних дефект!в !онноГ !мплантац!1 та активацИ !мплзнтовано1 легуючо! дом!шки в. пришверхневому шар! нап1впров1Дника . п1д " час плазмово! обробки стругаур 510.,-Б!. Показано, що гц процеси поз'язанх з прискореним ёйорядкуванням структура пржоверхневсго шару. нап!впров!дника та введениям, у цей шар атомарного, во дню. Запропонована нова модель, : яка дае; змогу. шпсниги з едино! точки зору .зниження температуря в1дпалу взкансШих дефект1в та актизац!» 1мплантовано1 домазки. Модель • включав у себе процеси релаксацП кристал!чно! гратки по-близу вакансШюго дефекту. при захолленнГ на об.1рван! зв'язки атомарного водню, щ,о призводить; до знгекеннп потенциального бар* еру при взаемодП дефекту та мпквузловинного атому.

. 8.3а допоиогоо комплексу методов,, що поеднугатьв.соб! спектря оберненого резерфордовського розс!яння,. комбшагЦйного розс!яння св!тла та ег.е-сгрошюго парамагнитного резонансу, Еивчено вплив низьхотемпературяоI БЧ глззчово! сбробки нз аморфизован! 1онною , 1мшантац!ею кремн!ёв1 шаря, покркт! д!електри:сом. Виявлено ефекгг. повно! релаксацП внутр1шя!х мехсш!чяих папруг аморфно! фази, якиа ксрелюе з" ефектом 7 неятрал!зац!1. .■'■: електрично" активних сшрззних зв>язя1з кренн!». Показано значне збЬчьзе.чня рсзм!р!в, м!крокриста-. л!т!в в акорфязсвангсс • !онно:о {»»плантацию тарах кремн1ю " п!сля вплгазу ВЧ плазмозо! обробки, а також -в!дсутн!сть при цьому р!зкого переходу аморфно! фази в кристал!чну. Запропоновано метод сгворен-■ ня механАчнО; в!дрелзксовяних акорфних шэр!в кретиНи.

9.Методами терксзктивац!йяоI спектроскоп!! глкбохих р!вн!в, фотолтШсценцШта электронного парамагнитного резонансу зд!й-снено анал!з:в1дпалу р!зяих тип!в дефект!в у■■ приповерхневому шар! кремн1ю п!д час ВЧ гтазмовоГ модиф!кац!!. Встанозлен! основн! типи дефект!в,: як!• маять р!зну повед!лку при: плазмовому вплив!: 1 )де-. фекти, . як! ; в!дпалшгься . при б1льш • низьк!я-температур1,. н!ж при терм!чному ,в!дпал1 (ймов!рно, ваканс1йного походження); 2)дефекти, як! ефективно пасгоуються атомаряим воднем, эле не в!дпалшться при цьому (ймов!рно, м&квузловинн! атоми дом!шок, й© не коятролю-кггься); 3)дефекта» для вШалу яких необХ1Дшш значний Терм!чни2 нагр1в.. <ймов1рао,: .дефекта;: як! вклхязэть мЬквузловинниа кремн!й та

lEffli мДжвузловинн! домшки) v На пШстав! проведение досл!джевь за-пропонован1 комбХнован! низькотемпературн! ефективн! методи упо-рядкування 1мплавтованих приповерхневих нап1впров1дниковиг шар1в в структурах. S102-Si, як! дашь змогу домагатася високого ступени активацН легуючо! дом!шки в цих шарах.

ОСНОЫД ПШ1ГКАЩ1

Т.Дубчак А.П., Лысенко B.C.» Назаров А.Н., Атаманенко В.Т., Локшин М.М., Попицук. Ю.Я. Исследование границы раздела диэлеетрик-полупроводник . ;; методом. - терностимулированного освобождения заряда после внедрения ионов ионов В+ // Уфй. -1976. - Т.21. - N.7. - С.1187-1201.

2.Lysenkob V.S., Saciienko A.V., Dubchak А.Р., Nazarov A.N., Atamaneriko V.T., Lotehin M.M., Polishuk Уи.Уа. Properties of «OS structures after B+ ion Doobarriaent // Phys. Stat. Sol.(a). -1976. - V.38.--N1. -JP.131-138. - -

3. Лысенко B.C., Назаров A.H., Касчиева С.Б. Влияние лазерного облучения на электрофизические свойства границы раздела

> ЦДЛ-структур» имплантированных ионами В+ // ФГО. - 1977. - Т.Н.

- ВЫЛ.11. - С.2254-2257.

4.Лысенко B.C., Назаров А.Н., Касчиева С.Б., Локшин М.М., Полвдук О.Я., Устилко В.В. Энергетический спектр радиационных дефектов в МОП-структурах. имплантированных ионами бора различных энергий // УФЖ. - 1978. - Т.23. - N8. - С. 1379-1382."

5.iyser&o V.S., Яагагог A.N. Efiect of laser beam irradiation on the electropJiysical properties , of interface in boron ion implanted HIS structures // Phys. Stat. Sol.<a), -1ЭТ8. -У.Л9.

- N2. - P.405-411.

6.Лысенко B.C.,Назаров А.Н.. Касчиева С.Б., Локшин М.М. Влияние легирования ионами бора на вид вольт-фзрадных характеристик МОП-структур // Болт. физ. яурнал. . 1978. - Т.5, - HI.

С.57-62.

7.Лысеико" B.C., Назаров А.Н. 'Радиационные дефекты и активация примеси в МОП-структурах» йыгогантщюванных ионами борз У/ Микроэлектроника. - 1879. - Т.8. - Кв. - С.526-533.

8.tysenki> V.S.. Hazarov А.Н. foraation and anneal iijg of radiation dae^e in boron -ion implanted HQS etructures // Ptoys. Stat.

ZZ

Sol. (а). - 1979, - 7.52. - N1. - ?.211-216.

Э.Лысенко B.C., Назаров A.H., : Турчаников В.И. Электрофизические свойства МОП-структур, имплантированных ионами бора // В кн.; Проблемы физики поверхности полупроводников / Под ред. О.В.Снитко. - Киев: Наукова думка./- 1981. - С.127-152.

10.Лысенко B.C.-, Назаров , А.Н., Локшин М.М. Активация легирующей ..примеси с ;.помощыо лазерного облучения з тонких приповерхностных слоях: окисленного кремния, имплантированного ионами бора // Микроэлектроника. - 1982. - Т.Н. -' N1. - С.74-77.

11.LysenXo 7.S., Litovskll R.fi., "azarov A.N., KulichkoV V.p. Temperature depenence of capacitance-voltage characteristics in implanted MOS structures // Phys. Stat. Sol.<a). - 1982. -7.70. - Ji2. - P.719-728. ' .

12.Яысенко B.C., Назаров "' A.H. Радиационные / дефекты / . в приповерхностаом слое окисленного кремния» иятлантированного конаки раапячных химических пржесе'й // Поверхность. Физика,

• химия, механика. - 1982. - Т.1. - N5. - С.31-85.

13.Litovskii" Я..'J., lycenko 4.S., fiazarov A.N., -Rudenko Т.Е., Kaschieva S.B., Nedev N.H. The influence of defect surfacc -layers on the capacitive properties, of MGS.structures // Phys. Stat, Sol.(a)»- - 1983. - V.77. - N2. - P.699-707. "

14.Щербакова : М.Ф., Лысенко B._C., Назаров A.H., Ляшепко А.Ф., : ЛокшИн Н. М i, Товмач Е.С Способ..' изготовления. запоминающих элементов, - а.с. N1074312 от 15.10.1933.

15.Лысенко:. B.C., .Локпля. М.И., Назаров А.Н., "Руденко Т.Е., Ткаченко А. С. Еысокочзстотныа отжиг д ефектов в имплантированных МДП-структурзх // Письма в ШО. -1983. - вып. 13. - С.796-799.

16.йгсенко B.C.,■■:■• Назаров: А.Н.» Руденко Т.Е., Маяысовэ Л.Н., Федулоз 1 В.В. Исследование :■ емкостных характеристик '/¿Ш-взракторов с исшго-легкровзннъш приповерхностным р-п переходом // Никроэлекгроника. - 1984. - Т.13. - КЗ. -С.252-259. ■ ■■■У.

17.Шсенко B.C.. Назаров А.Н. Термосгпмулировашое .освобождение заряда из ловушек приповерхностного слоя окисленного кремния, нарушенного имплантацией ионов ньзьякз // УФ;Н. - 1986. - Т.31. - Гй. - С.428-434.

18.Лысенко B.C.., Назаров А.Н., Руденко Т.Е., ЯчненОз С.Н.,

Локкэд -М.К, Электронно-лучевой отаиг имплантированных слоёв кремния в структурах Si02-Si // УФЖ. - 1S86. - Т.31. г N3. ~ С. 434-438.

19.Щербакова М.Ф., Лисенко B.C., Литовский- Р. Н., Локаик М.Ы., Назаров1 А.Н. Полупроводниковая датчик температуры. - а. с.

. KU9175G от 15.07.1э85г. •• - ::.

20.Цгаепко V.S., Lokshin М.М.» Nazaror A.N.... Rudenko Т.Е. RF plasffla annealing of implanted MIS structures // Phys. Stat. Sol.(a). - 1985. - 7.88. - N8. - P.705-712.

Pl.I^senlio 7.S., Nazarov A.N., Rudenko Т.Е. Simple method lor the determination of the doping profile in MIS structures with implanted shallow p-п junction // Phys. Stat. Sol.(a). -1385. - 7.91. - II?.. - P.K173-K17S.

гг.гирш В. А., Куницкш И.Э., Лысенко B.C., Назаров А.Н., Иаховцов • В.И. Радиационные процессы в системах металл-диэлектрик- полупроводник // Препринт N10, И<5 АН УССР. -19S8.; - 52С. V ■? \' - ,': v';.: . ■"

23.Xysenko 7.S., Sytenko T.fJ., . Snitko 0.7., Zimenko 7.1., Naz.aroy A.N., 03iyuk I.N., Rudenko Т.Е., Tyagulskil I.P. Interrelation between • surface states: and transition layer defects in Si-SiOa structures // Sol. St. Соиаип. - 1986. - 7.57. - N3. - P.171-174.

24.Лысенко B.C., Назаров A.H., Руденко Т.Е., Ткаченко A.C., Березку,и В.В. Проявление нетермических факторов при ВЧ отшг< прклозорхиосткого имплантированного слоя окисленного кремния /, УФЖ. - 1937. -Т.32. - N7. -С.1066-1070. .

25.Лысенко B.C., Литовский Р.Н., Назаров А.Н., Гуленяо Т.Е. Cnocoi определения эффективней концентрации легирующей примеси приповерхностном полулроводншгавом . слое с противоположны относительно подложки типом проводимости и. ' глубин металлургического р-п перехода в ВДП-струкгуре V/ а.с. N130801 от 03.01.1887.

26.Локшш М.Ы., Jbjcemco B.C., Назаров А.Н.» Рудеико Т.Е. Ткаченко А.С., Ярапдкн В. А. способ отаига кремаиевь полущюьодникоЕш: ЕаяЗзроа е ЕЕГЕгралъных схеи // а.с. Н1345Ж от. -l5.Ga.S33'« ' " ' . '"-"-.;

Т.Е., Садовничий. А.А., Назаров А.Н., Лысенко В.(

Аномальная : генерация носителей-' заряда в кремниевых МДП-структурах, '.'.подвергнутых' различным воздействиям // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1986. - Кб. - с.61-63.

28.Езлиев С. А., Лысенко B.C., Назаров А.Н., Руденко Т.Е. Особенности . ВЧ ; отжига приповерхностного имплантированного полупроводникового слоя в. ВДП-структурах //■ Поверхность. Физика, химия,''механика. - 1338. - N12. - С.50-54.

29.Лысенко B.C.,. Назаров А.Н., Руденко Т.Е. Метод профилирования' глубоких уровней в полупроводнике МДП-структур // Микроэлектроника. - 1889. -Т.18. - N6. - С.515-522.

30.Лысенко B.C.,,'.-'.. Назаров. - :V А.Н., . Турчаников , В.И. ' Методы термостшулированного' освобождения; заряда для исследования элементов интегральных, схем. У/ Электронная проетленность. -1089. - ?,т2. - С.3-14. ;_'.:'

31 .Lysenko У,5.,, Nazarov 'A.N., OsiyuK I.N., Turchanikov ул. Traosformatlon .': of Si-Si02~Al structures^ under RF plasca treatment // Appi. Surf. Scion. - 19-39. - V.39. - N2. P.3S3-391. ;

32.Lysenko V.S., Nazarov A.N., Valier S.A., •ZaritsRii I.M., Rudenko Т.Е., Tkachenko A.S. EPR and TSCR . Investigations of Implanted Al-si02-Si system treated with KF plasma discharge // Ihys. Stat. Sol.(a). - 1989. - V.113. - N2. - ?.653-664. ■

33.Валиев С. А. .Лысенко B.C.', Назаров A. H., Ткаченко А.С. ВЧ-отжиг структур Al-SlOj-Si, к.уа']а}гп<|х)вз1пплх ионами фосфора // Оптоэлектоника и полупроводниковая техника. - 1939. - вып.15. -

- С.85-89. •-.

34.Lysenko V.S., Nazarov A.N.» Naumovets G.A,, Popov V.B., TkachenKo . AfS. Manifestation of hydrogen in Al-SiOz-Si

. structures subjected to a HF plasma annealing // Phys. Stat. Sol.(a). - 1989. - V.112. - N1. - P.K9-K12.

ЗБ.ГчУзепко. V.S., Nazarov A.N.. Zaritskii I.M., Serfozo G., Battisting G., Gyulai J., Dozsa L. Rf plasma modification of heavily destroyed ion Implanted subsurface silicon layers // - Phys. Stat. Sol.(a). - 1989. - V.115. - N1. - P.75-S0.

!6.Valakh M.Ya., tysenko V.S.. Nazarov A.N., Rudko G.Yu., Diachehko A.S., ShakhraychuJc N.I. Enhanced activation of toplanted:phosporu3 in silicon under RF plasaa treatment //

. NUCl. Instruia. Meth. Phys. Res.(B). - 1989. - V.44. - N3. -P.146-148.

37.НазаровA.H., Лысенко. B.C., .Ткаченко A.C., Гаврилки И.В...

. Городыски? М.И.,' Михайлов С.Н., Скрьшевскии В.А.. Модификация

планок SiOz структур SiOa-Si при плазменной обработке //

• Материалы 9 Всесоюзной конф. "Взаимодействие .частиц q твёрдым телом". - Москва, 1989. - С.44-46.

38.Лысенко B.C., Назаров А.Н. Процессы при ВЧ плазменном отжиге сильнонарушенных и . аморфиз1фованныг лфиповерхностных слоев кремния в - МДП-струкгурах // В сб. "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике" / . под ред. Н.П. Коваленко. - 1989. - 0.272-288. '

39.Artamonov V.V., lysento V.S., NazaroY A.N., Nechlporuk B.D., Strelehuk V.V., Yalakh U.Ya. Radio-Xrequency plasma treatment and theraal annealing In implaned Si. Raman study //Phya. Stat; Sol. - 1990. - V. 120. - N2V- P.475-484.

40.Аг1ашшоу T.V*, Valakh И.Уа/, lysenko V.S., Kazarov A.N., Strelehuk -V.V. Raman scattering in ion-implanted silicon exposed to RF plasma treatment // Appl. Phys. A. - 1990. —

^ V.51. -No. -P.434-436.

41 .Nazarev A.N., Lysenko V.S., Valley S.A., Lokshin M.M., Tkachenko A.S., Kunitskli I.A.' Flash lamp annealing and RF plasma . aTmealing of Al-SiGa-Si structures // Phys. Stat. SOl.(a). - 1990. - V.120. -B2. - P.447-456.

42.Artamonov V.V.. Lysenko V.S., fiazarov A.N., 'Strelehuk V;V., Valakh M.Ya., Zaritskli I.M. Relaxation of amorphous structure of inplanted Si under I?F plasma treatasent; Raaan and EPR study //Semicorid. Sci. Technol. - 1991". - V.6. - RK - P.1-4.

43.Назаров А.Н., Лысенко B.C., Валиев . c.A.. Куницюш И.Э., Зарицкий" И.М., Михайлов С.Н. Влияние частичной амортизации приповерхностного слоя ■ кремния С ; на - термостикулированное освобождение заряда в структурах Al-SlO^-Si II Поверхность. Физика, тоаш, механика..- 1931. - Н4;-С.102-109..

44.Iysenko V.S., Nazarov А.Н.. Valakh М;¥а. Annealing and ordering of Si ion-implanted surface layers by a FF plasma discharge // Proc. o' Intemect. Conf. "Ion implantation and ion beai equipment / ed. by D.S. Karpuzo?, I,V. Katardjiev, S.S.

Todoroy. - World Sel. Singapure. - 1991. - P.216-230.

45.Vala№ M.Ya., Lysenko 7.5.. Nazarov A.N., - Rudko G.Yu., Shakhraychuk N.I. Activation .of the implanted impurity and transformâtion of radiation defects in oxidized silicon under RF plasma treatment // Phys. Stat. Sol.(a). - 1992. - V.130. -N1. - P.45-51.

46.Лысенко B.C., Назаров A.H., Ткаченко A.C.X ВЧ плазменная, обработка. кремниевых, многослойных, структур // Вестник ноу-хау.

- 1992. - BOT.1.. - С.35-38.