Проводимость ионных кристаллов при возбуждении импульсами электронов пикосекундной длительности тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1. Подвижность зонных носителей заряда.

1.2. Время жизни электронов проводимости, эффективное сечение рекомбинации и захвата.

1.3. Неравновесная проводимость ионных кристаллов при возбуждении электронными и рентгеновскими пучками наносекундной длительности.

1.4. Неравновесная проводимость щелочно-галоидных кристаллов при возбуждении плотными пучками электронов пикосекундной длительности.

1.5. Постановка задачи.

ГЛАВА 2. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Экспериментальная установкудлЯ исследования нестационарной проводимости твердых тел 'гф'й/облзгч^цйтг импульсами электронов пикосекундной длительности.!.

2.1.1. Функциональная схема установки.

2.1.2. Синхронизация элементов установки.

2.2. Ускоритель электронов с разрядником-обострителем.

Измерение импульсов пикосекундной длительности.

2.3. Экспериментальные ячейки.

2.3.1. Ячейка для плотностных измерений.

2.3.2. Ячейка для температурных измерений.

2.4. Калибровка измерительной схемы.

2.4.1. Калибровка осциллографов.

2.4.2. Калибровка плотности тока пучка.

2.4.3. Калибровка температуры.

2.5. Методика измерения импульсной проводимости.

2.6. Обработка осциллограмм.

2.7. Характеристики исследуемых объектов. Подготовка образцов.

2.8. Параметры установки.

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И

ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА.

3.1. Вольтамперные характеристики.

3.2. Временная спектроскопия.

3.2.1. Кристаллы с решеткой типа NaCl.

3.2.2. Кристаллы Csl и Csl-Tl.

3.2.3. Кристаллы CsBr.

3.2.4. Кристаллы а-А1203.

3.3. Влияние плотности возбуждения на амплитуду проводимости.

3.3.1. Кристаллы с решеткой типа NaCl.

3.3.2. Кристаллы с решеткой типа CsCl.

3.3.3. Кристаллы а-АЬОз.

3.4. Влияние температуры на амплитуду проводимости.

3.4.1. Кристаллы с решеткой типа NaCl.

3.4.2. Кристаллы с решеткой типа CsCl.

3.4.3. Кристаллы а-А1203.

3.5. Основные результаты главы 3.

ГЛАВА 4. ОБРАБОТКА И ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.

4.1. Конкретизация модели разделения генетических электронно-дырочных пар для интерпретации результатов измерения проводимости ионных кристаллов.

4.2. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов с решеткой типа NaCl.

4.3. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов Csl.Ill

4.4. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов CsBr.

4.5. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А120з.

4.6. Основные результаты главы 4.

Актуальность темы и состояние проблемы.

Поведение диэлектрических материалов в мощных радиационных полях уже на протяжении нескольких десятилетий является предметом изучения радиационной физико-химии твердого тела. Это связано прежде всего с развитием космической и ядерной техники. Оказалось, что в условиях облучения диэлектрики резко меняют многие свойства, в частности, электрическое сопротивление, и уже не могут выполнять функции диэлектрического материала.

Потребности техники вызвали активизацию фундаментальных исследований в области изучения электронных возбуждений и первичных радиационных дефектов, т.к. без понимания природы первичных процессов весьма сложно идентифицировать радиационно-химические реакции на последующих стадиях, приводящие к изменению свойств материалов. Исследование У радиационно-стимулированной проводимости является перспективным методом изучения первичных процессов, поскольку несет информацию о генерации и последующей релаксации зонных носителей заряда. Однако оказалось, что в условиях стационарного облучения сколько-нибудь значительного прогресса в понимании проблемы достичь не удалось, поскольку в этом случае регистрируется интегральный эффект и нет информации о микромеханизмах актуальных процессов, приводящих к деградации материала.

Экспериментальные исследования радиационно-стимулированных процессов вышли на новый качественный уровень в конце 60х годов после создания сильноточных электронных ускорителей с наносекундной длительностью импульса и разработки соответствующих методик измерения. В этом случае появляется возможность с помощью оптических и электрофизических методик проследить за релаксацией зонных носителей заряда и созданием первичных радиационных дефектов их последующими превращениями, приводящими к изменению свойств диэлектриков, т.е. изучать микромеханизмы исследуемых явлений [1].

Радиационно-индуцированная проводимость изучалась в ряде работ советских и зарубежных исследователей (например, [2, 3]). Был достигнут значительный прогресс в понимании явления, разработаны модели процессов релаксации зонных носителей заряда (например, [3]). Однако оказалось, что в широкозонных диэлектриках при наносекундном облучении во многих случаях реализуется так называемый квазистационарный режим, т.е. реализуется временное разрешение много большее времени протекания процессов миграции и захвата зонных носителей заряда. Поэтому остро назрела актуальная задача: повышение временного разрешения электрофизических измерений и выполнение импульсных измерений за пределами квазистационарного режима.

Это стало возможно после разработки ускорителей с пикосекундной длительностью импульса [4] и создания методики измерения с временным разрешением -10"10 с [5]. Первые систематические исследования проводимости щелочно-галоидных кристаллов с пикосекундным временным разрешением были выполнены в лаборатории физико-химии быстропротекающих процессов с участием автора и обобщены в докторской диссертации Б.П. Адуева [6]. В частности было показано, что наблюдаемая в условиях эксперимента электропроводность связана с термализованными электронами зоны проводимости, время жизни которых ограничено захватом на структурные, стабильные и короткоживущие радиационные дефекты, а на характер температурной зависимости проводимости существенное влияние оказывает рекомбинация в генетических электронно-дырочных парах.

Настоящая работа является продолжением и развитием результатов работ, обобщенных в [6].

Цель работы.

Провести исследование проводимости ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов с временным разрешением Ю~10 с в интервале плотностей возбуждения 0,1-^10 кА/см и температурном интервале 12^-300 К для выяснения механизма проводимости.

Научная новизна.

1. Разработана методика измерения и компьютерной обработки результатов измерения импульсной неравновесной проводимости диэлектриков при воздействии пикосекундными электронными пучками с временным разрешением <10"10 с.

2. Впервые с пикосекундным временным разрешением проведено экспериментальное исследование импульсной электронной проводимости ЩГК и а-АЬОз в интервале температур 12-г300 К и интервале плотностей возбуждения электронным пучком 0,1-^10 кА/см , получены экспериментальные оценки времени жизни зонных носителей заряда.

3. Впервые показано, что в ЩГК более 90% электронов и дырок, созданных импульсом возбуждения, термализуются в генетических парах. Для КС1, Csl, CsBr впервые получены количественные оценки энергии активации разделения генетических пар и эффективного сечения e-Vk рекомбинации.

4. Впервые показано, что генерация электронов зоны проводимости в кристалле CsBr в значительной мере осуществляется за счет Оже-ионизации электронов валентной зоны при рекомбинации электрона валентной зоны и дырки первой остовной зоны.

5. Впервые показано, что в а-А120з наблюдаемая кинетика и зависимость амплитуды проводимости от плотности возбуждения при 300 К связаны с захватом зонных носителей заряда на неглубокие (~к,Т) ловушки, создаваемые дефектами, генерируемыми в момент импульса возбуждения.

Практическая значимость.

Получены экспериментальные данные о проводимости ионных кристаллов при возбуждении пучками электронов пикосекундной длительности. Результаты могут быть использованы при разработке быстродействующих диэлектрических коммутаторов на базе ЩГК, разработке электрической изоляции приборов и устройств, работающих в интенсивных радиационных полях, а также в фундаментальных исследованиях радиационно-индуцированной проводимости.

Защищаемые положения.

1. Разработанная компьютеризированная методика измерения импульсной проводимости диэлектриков при воздействии пикосекундными пучками электронов с временным разрешением <10"10 с

2. Экспериментальные результаты по измерению временных и амплитудных характеристик импульсной электронной проводимости кристаллов КС1, KBr, NaCl, Csl, CsBr, а-А12Оз в интервале температур 12^300 К и интервале плотностей возбуждения 0,1-^-10 кА/см2.

3. Оценки эффективных сечений рекомбинации и термической энергии разделения генетических электронно-дырочных пар в кристаллах КС1, Csl, CsBr и экспериментально обоснованные модели импульсной электронной проводимости в кристаллах CsBr и а-А1203.

Апробация работы.

Материалы диссертации доложены на VI Международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (г. Кемерово, 1995), на I Всероссийском симпозиуме ТТД-97 (г. Екатеринбург, 1997), на VII Международной конференции «Радиохимические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 1998), на IV и V Всероссийской школе-семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления» (г. Иркутск, 1998, 1999), на IX Международном совещании «Радиационная физика твердого тела» (г. Москва, 1999), на Международной конференции SCINT99 (г. Москва, 1999), на Уральском семинаре «Сцинтиляционные материалы и их применение» (г. Екатеринбург, 2000), на 2й Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (г. Томск, 2000), на 11ой Международной конференции по радиационной физике и химии в конденсированных средах (г. Томск, 2000).

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, раздела "Основные результаты и выводы" и списка литературы из 118 наименований.

Основные результаты и выводы.

1. Разработана компьютеризированная методика измерения импульсной проводимости диэлектриков при воздействии пикосекундными пучками электронов в интервале температур 12-300 К и интервале плотностей возбуждения 0,1-10 к А/см2.

2. Установлено, что в условиях эксперимента время жизни зонных электронов в ЩГК с решеткой типа NaCl т< 20 пс, в Csl - т~\ не при 300 К и уменьшается с уменьшением температуры, в CsBr минимальное т «5'0 пс, в а-А1203 время жизни зонных носителей заряда значительно превышает длительность импульса возбуждения, а кинетика спада импульса имеет три компонента с резко отличающимися константами скорости.

3. Показано, что в ЩГК подавляющее большинство носителей заряда терма-лизуются в генетических парах (>90%). Для кристалла КС1 определена энергия активации разделения генетических пар Е = 0,06 эВ при

J < 300 А/см2, которая снижается при увеличении плотности возбуждения, а также температурная зависимость эффективного сечения e-Vk рекомбинации S= 5,77Т0"4Г"3'5 см2. Для кристаллов Csl и CsBr определены энергии активации разделения генетических пар Е = 0,07 эВ и Е = 0,1 эВ соответственно, и температурные зависимости эффективных сечений e-Vk рекомбинаций S= 1,1-10"8F2 см2 и S= 4,3 7-10"8Т2 см2 соответственно. Для кристалла Csl-Tl определено эффективное сечение захвата электрона на ТГ-центр при 300 К S = 7-10"16 см2.

4. Показано, что существенный вклад в генерацию электронов зоны проводимости в кристалле CsBr вносит Оже-рекомбинация электронов валентной зоны и дырок первой остовной зоны.

Диссертация Швайко В.Н. - Основные результаты и выводы 133

5. В кристаллах а-АЬОз наблюдаемая кинетика и зависимость амплитуды проводимости от плотности возбуждения при 300 К связаны с захватом зонных носителей заряда на неглубокие (~кТ) ловушки, создаваемые дефектами генерируемыми в момент импульса возбуждения, с последующим перераспределением их по глубоким ловушкам и рекомбинацией. Характер температурной зависимости амплитуды импульса проводимости позволяет связать ее с рекомбинацией носителей в генетических парах и уменьшением дрейфовой подвижности jLlc\ носителей заряда.

1. Э.Д. Алукер, В.В. Гаврилов, Р.Г. Дейч, С.А. Чернов. Быстропротекаю-щие радиационно-стимулированные процессы в щелочногалоидных кристаллах. Зинатне. Рига. (1987), 183 с.

2. R.C. Hughes. Generation, transport and trapping of excess charge carriers in czochralski-grown sapphire. Phys. Rev. (B), V.19, p. 5319-5328 (1979).

3. Высокоэнергетическая электроника твердого тела, под ред. Д.И. Вайс-бурда. Наука. Новосибирск. (1982), 227 с.

4. Б.М. Ковальчук, Г.А. Месяц, В.Г. Шпак. Генератор высоковольтных суб-наносекундных электронных пучков. ПТЭ. № 6, с. 73-76 (1976).

5. Б.П. Адуев. Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном возбуждении. Ав-то.реф. док. дисс. физ.-мат. наук. Кемерово. (1999), 48 с.

6. П.В. Мейкляр. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. Наука, М. (1972), 399 с.

7. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука. М. (1977), 672 с.

8. R.C. Ahrenkiel, F.C. Brown. Electron Hall mobility in the alkali halides. Phys. Rev. V.136, p.223-231 (1964).

9. M. Mikkor, K. Kanazawa, F.C. Brown. Cyclotron resonance of polarons in KBr. Phys. Rev. V.162, p. 848-854 (1962).

10. R.S. Crandall. Electron capture by a and F-centers in KBr. Phys. Rev. V.138, p. 1242-1246 (1965).

11. H.J. Hoffmann. Photoconductivity of KC1 and KBr with F-center. Phys. Stat. Sol. (B), V.57, p. 123-134 (1973).

12. J.R. Mac'Donald, J.E. Robinson. AC Hall and magnetostrictive effects in photoconducting alkali halides. Phys. Rev. V.95, p. 44-50 (1954).

13. F. Nakazawa, H. Kanzaki. Low temperature Hall mobility and magnetoresic-tance in KC1 at high electric field. J. Phys. Soc. Jap. V.27, p. 1184-1192 (1969).

14. A.G. Redfield. Electronic Hall effect in the alkali halides. Phys. Rev. V.94, p. 537-540 (1954).

15. C.H. Seager, D. Emin. High-temperature measurement of the electron Hall mobility in the alkali halides. Phys. Rev. B. V.2, p. 3421-3431 (1970).

16. F.C. Brown, N. Inchauspe. Photoelectric Hall effect in KC1 at low temperature. Phys. Rev. V.121, p. 1303-1305 (1961).

17. M. Onuki, H. Ohkura. Pulse and steady photoconductivities of colored alkali halides. J. Phys. Chem. Sol. V.22, p. 317-322 (1961).

18. K. Mostl. Conduction electrons in KBr at field close to breakdown. Phys. Stat. Sol. (A), V.21, p. 123-133 (1974).

19. Y. Kondo, M. Hirai, M. Ueta. Transient Formation of Color Centres in KBr Crystals under the Pnlsed Elektron Beam. J. Phys. Soc. Jap. V.33, № 1,p. 151-159 (1972).

20. Y.N. Bradford, R.T. Williams, W.L. Faust. Short-pulse studies of exciton relaxation and F-center formation in KC1, NaCl and NaBr. Phys. Rev. (B), V.18, p. 7038-7057(1978).

21. J. D'Hertoghe, G. Jacobs. Self-trapped exsiton and F-center formation by picosecond laser pulses in alkali bromides and iodides. Phys. Stat. Sol. (B), V.95, p. 291-300(1979).

22. R.T. Williams, Liu Hanli, G.P. Williams. Picosecond and subpicosecond optical spectroscopy for the study of F-center formation in KBr and RbBr at 296K. Rev. of Sol. State Science. V.4, p. 445-458 (1990).

23. J.M. Ortega. Study of the self-trapped exciton and F-center formation on a picosecond time scale in KBr. Phys. Rev. (B), V.19, p. 3222-3229 (1979).

24. Y. Suzuki, M. Okumura, M. Hirai. J. Phys. Soc. Jap. V.47, p. 184-192 (1979).

25. Э.Д. Алукер, Р.Г. Дейч, Г.С. Думбадзе. Кинетика создания F-центров в Csl при возбуждении пикосекундными импульсами электронов. Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук. № 4, с. 17-20 (1987).

26. Э.Д. Алукер, Р.Г. Дейч, Г.С. Думбадзе. Кинетика люминесценции ще-лочно-галоидных сцинтилляторов при возбуждении субнаносекундными импульсами электронов. Письма в ЖТФ. т. 14, вып.23, с. 2132-2136 (1988).

27. A.M. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах. Мир. М. (1978), 320 с.

28. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН. т. 122, с. 223-2511977).

29. M.N. Kabler, R.T. Williams. Vacancy-interstitial pair production via electron-hole recombination in halide crystals. Phys. Rev. (B), V.18, p. 1948-19601978).

30. B.M. Лисицын, Г.Н. Серикова. Температурная зависимость кинетики релаксации первичных структурных дефектов в кристалле после импульсного облучения. Изв. ВУЗов, Физика. № 9, с. 107 (1979).

31. Т. Yoshinari, Н. Iwano, М. Hirai. Luminescence and color center formation by the optical conversion of STE in KBr and NaCl. J. Phys. Soc. Jap.V.45, p. 1926-1932(1978).

32. N. Itoh, A.M. Stoneham, А.Н. Harker. The initial production of defects in alkali: F and H-center production by non-radiative decay of the self- trapped ex-siton. J. Phys. (C), V.10, p. 4197-4209 (1977).

33. Y. Kondo, M. Hirai, T. Yoshinari, M. Ueta. F-center formation in KC1 by a pulsed electron beam at 10 K. J. Phys. Soc. Jap. V.26, p. 1553 (1969).

34. T. Karasawa, M. Hirai. Formation yield of self-trapped excitons in NaCl between 10K and 130K. J. Phys. Soc. Jap. V.34, p. 276 (1973).

35. C.A. Чернов. О температурной зависимости эффективности генерации Френкелевских дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ. т.22, с. 1888-1890 (1980).

36. Е.А. Котомин, С.А. Чернов. К температурной зависимости накопления F-центров в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ. т.22, с. 1515-1517 (1980).

37. N. Inchauspe. Photoconduction in KBr and KI containing F-center. Phys. Rev. V.106, p. 898-903 (1957).

38. С.И. Пекар Исследования по электронной теории кристаллов. Гостехиз-дат. М.-Л. (1951), 353 с.

39. М. Zelm. Uder Electronendriftbeweglichkeit und stobionisierung in KBr-Kristallen bei hohen electrischen Feldsturken. Zeitschrift fur Physik. V.201. p. 75-78 (1967).

40. F.C. Brown. Conduction by polarons in ionic crystals. In: Point defects in solids. Nev-York-London: Plenum Presse, p. 491-549 (1972).

41. Г.М. Захаров. Г.И. Никитинская Г.В. Ягов. Рентгенопроводимость КВг при импульсном возбуждении. ФТТ. т.25, вып.5, с. 1544-1545 (1983).

42. W. Kanzig. Elektronik spin resonance V-centers. Phys. Rev. V.99, p. 18901891 (1955).

43. Э.Д. Алукер, В.В. Гаврилов, Р.А. Гадонас, Р.Г. Дейч, В.В. Карасусакас, А.С. Пискаскас. Переходное поглощение в кристаллах Csl в пикосе-кундном диапазоне. ФТТ. т.29, вып.5, с. 1600 (1987).

44. S. Iwai, T. Tokizaki, A. Nakamura, T. Shibata, K. Tanimura, A. Shluger, N. Itoh. Femtosecond spectroscopic of self-trapping processes of holes and excitons in alkali halides. J. of Luminescence. V.60&61, p. 720-722 (1994).

45. M. Lax. Cascade capture of electrons in solids. Phys. Rev. V.l 19, № 3, p. 1502-1523 (1960).

46. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. ФТП. т. 12, вып.1, с. 3-32 (1978).

47. В.Н. Абакумов, JI.H. Крещук, И.Н. Яссиевич. Термическая ионизация примеси в сильных электрических полях. ЖЭТФ. т.74, с. 1017-1025 (1978).

48. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуждении. ЖЭТФ. т.72, с. 674-686 (1977).

49. В.В. Антонов-Романовский. Введение в кинетику люминесценции кри-сталлофосфоров. Наука. М. (1966), 324 с.

50. Ю.Х. Калнинь. Некоторые вопросы кинетики рекомбинационных процессов в кристоллофосфорах. В кн.: Радиационная физика VII. Зинатне. Рига, с. 115-142 (1978).

51. R.K. Swank, F.C. Brown. Lifetime of the excited F-center. Phys. Rev. V.130, p. 34-41 (1963).

52. К. Weaver, J.K. Shultis, R.E. Faw. Analytic solutions of a model for radiation-induced conductivity in insulators. J. Appl. Phys. V.48, p. 2762-2770 (1977).

53. H. Moot, P. Генри. Электронные процессы в ионных кристаллах. Пер. с англ. ИЛ. М. (1960), 304 с.

54. Alvares Rivas J. L. Electron capture cross section of a negative ion vacancy in NaCl an room temperature. J. Phys. Soc. Japan. V.28, № 4, p. 997-1000 (1970).

55. Д.И. Вайсбурд, И.Н. Балычев. Применение мощных электронных пучков для исследования сверхплотных кооперативных возбуждений в твердых телах. В кн.: Мощные наносекундные импульсные источники ускоренных электронов. Наука. Новосибирск. (1974), с. 147-152.

56. Д.И. Вайсбурд, Э.Г. Таванов. Пикосекундный компонент проводимости ионных кристаллов при облучении электронными пучками большой плотности. Письма в ЖТФ. т.1, вып.11, с. 531-534 (1975).

57. Д.И. Вайсбурд, Э.Г. Таванов. Измерение распределения плотности ионизации по глубине диэлектрика при импульсном облучении электронным пучком. ПТЭ. № 1, с. 215-217 (1976).

58. Д.И. Вайсбурд, Б.Н. Сёмин, Э.Г. Таванов, В.Т. Шкатов. Свечение и проводимость неидеальной вырожденной электронно-дырочной плазы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении. Изв. АН СССР. Сер. Физика, т.40, № 11, с. 2404-2409 (1976).

59. Д.И. Вайсбурд, Г.А. Месяц, В.Л. Наминов, Э.Г. Таванов. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронами и рентгеновскими пучками средней плотности. ДАН СССР, т.265, № 5, с. 1113-1116(1982).

60. Д.И. Вайсбурд. Ионизационно-пассивные высокоэнергетические электроны и дырки при импульсном облучении электронными пучками высокой плотности. Изв. ВУЗов, Физика. № 11, с. 109-119 (1996).

61. Д.И. Вайсбурд. Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации. Авто.реф. док. дисс. физ.-мат. наук. Москва. (1984), 49 с.

62. В.В. Будков. Механизм проводимости ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов. Дисс. . канд. физ.-мат. наук. Томск. (1987), 133 с.

63. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.Н. Швайко. Проводимость ЩГК при возбуждении пикосекундными импульсами электронов. Тез. докл. VI межд. конф. "Радиационные гетерогенные процессы", Кемерово, ч.1, с.52 (1995).

64. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.Н. Швайко. Исследование нестационарной электронной проводимости ЩГК. Тез. докл. 9-ой межд. конф. "Радиационная физика и химия неорганических материалов", Томск, с. 6 (1996).

65. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, А.В. Иголинский, В.Н. Швайко. Время жизни и подвижность электронов зоны проводимости в Csl. SCINTMAT96, Ekaterinburg, Russia, с. 4 (1996).

66. В.Р. Aduev, E.D. Aluker, V.N. Shvayko. Nonequilibrium conductivity of a-Al203 exited by electron pulses. LUMDETR'97, Ustron, Poland, p. 7 (1997).

67. Б.П. Адуев, В.Н. Швайко. Релаксация проводимости Csl-Tl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов. Тез. докл. Первый Всероссийский симпозиум "Твердотельные детекторы ионизирующих излучений", ТТД-97, Екатеринбург, с. 9 (1997).

68. Б.П. Адуев, Г.М. Белокуров, В.Н. Швайко. Экспериментальные оценки некоторых эффективных сечений рекомбинации и захвата в ЩГК. Тез. докл. VII межд. конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах", Кемерово, ч.1, с. 91-92 (1998).

69. Б.П. Адуев, Г.М. Белокуров, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Радиацион-но-индуцированная импульсная электронная проводимость кристаллов с решеткой типа NaCl. IV Всероссийская школа-семинар "Люминесценция и сопутствующие явления", Иркутск, с. 14-15 (1998).

70. Б.П. Адуев, В.Н. Швайко. Проводимость ионных кристаллов при облу— чении пикосекундными пучками электронов. ФТТ. т.41, вып.7, с. 12001203 (1999).

71. В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Температурная зависимость импульсной радиационно-стимулированной проводимости Csl. Тез. докл. 10-ой межд. конф. "Радиационная физика и химия неорганических материалов", Томск, с. 332 (1999).

72. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, Г.М. Белокуров, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Радиационно-индуцированная импульсная электронная проводимость щелочно-галоидных кристаллов. Тез. докл. 3-ей Баховской конференции по радиационной химии, Москва, с. 5 (2000).

73. Б.П. Адуев, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Влияние температуры на импульсную проводимость кристалла КС1 при возбуждении пикосекунд-ными пучками электронов. ФТТ. т.41, вып.З, с. 429-430 (1999).

74. Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. Зинатне. Рига (1979), 251 с.

75. Б.П. Адуев, В.Г. Шпак. Ускоритель электронов с регулируемыми энергией и длительностью импульса. ПТЭ. № 2, с. 49-50 (1990).

76. Н.И. Белоусов, А.Е. Саакян, А.И. Яковлева. Электрические кабели, провода и шнуры. Справочник. Энергоатомиздат. М. (1987), 536 с.

77. B.C. Савченко, А.В. Мельников, В.И. Карнишин. Соединители радиочастотные коаксиальные. Советское радио. М. (1977), 46 с.

78. Физика быстрых процессов, под ред. А.Н. Златина. Мир. М. (1971), т.1, 519 с.

79. Б.П. Адуев, Г.М. Белокуров, В.Н. Швайко. Релаксация проводимости Csl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов. ФТТ. т.37, вып.8, с. 2537-2539 (1995).

80. Б.П. Адуев, А.В. Иголинский, В.Н. Швайко. Кинетика импульсной проводимости Csl. Тез. докл. VI межд. конф. "Радиационные гетерогенные процессы", Кемерово, ч.1, с. 55 (1995).

81. Б.П. Адуев, А.В. Иголинский, В.Н. Швайко. Кинетика импульсной проводимости Csl при облучении плотными пучками электронов. ФТТ. т.38, вып.З, с. 947-950 (1996).

82. Б.П. Адуев, В.Н. Швайко. Неравновесная проводимость кристаллов а-А1203 при возбуждении импульсами электронов. Тез. докл. Первый Всероссийский симпозиум "Твердотельные детекторы ионизирующих излучений", ТТД-97, Екатеринбург, с. 15-16(1997).

83. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.Н. Швайко. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А1203. ФТТ. т.39, вып.11, с. 1995-1996 (1997).

84. Б.П. Адуев, В.Н. Швайко. Релаксация проводимости Csl-Tl после возбуждения субнаносекундными импульсами электронов. ФТТ. т.40, вып. 1, с. 66-67(1998).

85. В.Р. Aduev, E.D. Aluker, G.M. Belokurov, V.N. Shvayko. Radiation-Stimulated Conductivity of Some Alkali Halides Induced by 50 ps Electron Pulse Irradiation. Phys. Stat. Sol. (B), V.208, p. 137-143 (1998).

86. В.Р. Aduev, E.D. Aluker, V.N. Shvayko. The pulse conductivity of Csl and Csl-Tl scintillation crystals. SCINT'99, Moscow, Russia, p. 116 (1999).

87. Б.П. Адуев, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Пикосекундная радиационно-индуцированная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа NaCl. Известия Томского политехнического университета, т.ЗОЗ, вып.2, с. 26-34 (2000).

88. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Радиационно-стимулированная импульсная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа NaCl. ФТТ. т.43, вып.2, с. 246-247 (2001).

89. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. Температурная зависимость радиационно-индуцированной проводимости кристаллов Csl при возбуждении пикосекундными пучками электронов. ФТТ. т.43, вып.7, с. 1185-1188 (2001).

90. Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, В.Н. Швайко. Радиационно-индуцированная импульсная проводимость кристаллов CsBr. ФТТ. т.43, вып.11, с. 19881990 (2001).

91. Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982), 558 с.

92. Р.А. Кинк, Г.Г. Лийдья, Ч.Б. Лущик, Т.А. Соовик. Экситонные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР. вып.36, с. 3-561969).

93. Л.А. Пунг, Ю.Ю. Халдре. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и ре-комбинационной люминесценции. Тр. ИФА АН ЭССР. вып.38, с. 50-841970).

94. Ю.Ю. Халдре. Захват дырок примесными центрами рекомбинационная люминесценция кристаллов NaCl Си и NaCl - Си, Ag. Изв. АН СССР. Сер. физ. т.31, вып. 12, с. 1970-1972 (1967).

95. W.B. Hadley, S. Polick, R.G. Kaufman, H.N. Hersh. Energy storage and luminescence in KC1-T1 at low temperatures. J. Chem. Phys. V.45, № 6,p. 2040-2048 (1966).

96. Ч.Б. Лущик, E.A. Васильченко, H.E. Лущик, Л.А. Пунг. Релаксирован-ные и нералаксированные возбуждения в кристаллах типа NaCl. Тр. ИФА АН ЭССР. вып.39, с. 3-46 (1972).

97. Э.Д. Алукер, С.А. Чернов. Миграция дырок в щелочно-галоидных кристаллах. Радиац. физика. Рига. вып.7, с. 9-59 (1973).

98. V.N. Kadchenko, М.А. Elango. Diffusion parameters of hot holes created by ionizing radiation in NaCl-(Ag), Phys. Stat. Sol. (A). V.46. № 1, p. 315-3191978).

99. Л.А. Пунг. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР. вып.50, с. 7-231979).

100. С.М. Рыбкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. ФИЗ-МАТГИЗ. М. (1963), 494 с.

101. В.И. Барышников, Е.Ф. Мартынович. Возбуждение люминесценции FT-центров в А120з плотными пучками электронов. Тез. докл. "Совещание по люминесценции", Ровно, с. 128 (1984).

102. В.И. Барышников, Е.Ф. Мартынович. Влияние температуры на выход радиолюминесценции Р+-центров А1203. Тез. докл. 5-го всес. симп. "Люминесцентные приемники и преобразователи ионизирующего излучения", Талин, с. 105-106 (1985).

103. В.И. Барышников, Е.Ф. Мартынович. Люминесценция центров окраски в А1203, возбуждаемая рентгеновскими и электронными импульсами. Тез. докл. "Синтез, свойства, исследования и применение люминофоров", Ставрополь, с. 58 (1985).

104. В.И. Барышников, Т.А. Колесникова, Е.Ф. Мартынович, и др. Динамика преобразования спектров оптического поглощения монокристаллов А1203 с центрами окраски. Оптика и спектроскопия, т.66, вып.4, с. 930-932(1989).

105. В.И. Барышников. Малоинерционная люминесценция, возбуждение и преобразование дефектов диэлектрических кристаллов в интенсивных радиационных полях. Авто.реф. док. дисс. физ.-мат. наук. Иркутск. (1997), 48 с.

106. В.Т. Громов, В.П. Шукайло. Радиационно-наведенная электропроводность кристаллов кварца и сапфира при высоком уровне облучения. Тез. докл. 10-ой межд. конф. "Радиационная физика и химия неорганических материалов", Томск, с. 137 (1999).