Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. Радиационно-физические процессы в InSb и InP, облученных различными видами ионизуриющего излучения; ядерное легирование (литературный обзор).

1.1. Радиационно-физические процессы в InSb и InP, облученных различными видами ионизуриющего излучения.

1.2. Ядерное легирование полупроводников.

2. Элементы технологии.

2.1. Характеристики исходного сырья.

2.2. Подготовка образцов к облучению.

2.3. Упаковка и загрузка образцов в облучательное устройство.

2.4. Облучение образцов в реакторе ВВР-ц.

2.5. Разампулировка блок-контейнеров и выгрузка образцов.

2.6. Дезактивация облученных образцов.

2.7. Дозиметрический контроль.

2.8. Подготовка облученных образцов к отжигу.

2.9. Отжиг.

2.10. Измерение электрофизических параметров.

3. Образование радиационных дефектов в InP и InSb при облучении в реакторе ВВР-ц.

3.1. Быстрые нейтроны.

3.2. Тепловые нейтроны.

3.3. Гамма-излучение реактора.

3.4. Полное число смещенных атомов.

4. Измерение полных сечений взаимодействия и самопоглощение в образцах. Энерговыделение и саморазогрев образцов в процессе облучения.

4.1. Измерение полных сечений взаимодействия и самопоглощение в образцах.

4.2. Энерговыделение и саморазогрев образцов в процессе облучения.

5. Зависимость электрофизических характеристик InSb и InP от флюенса нейтронов (дозовые зависимости).

5.1. Облучение InSb полным спектром реакторных нейтронов.

5.2. Облучение InSb быстрыми нейтронами реактора (в Cd-пенале).

5.3. Облучение InP полным спектром реакторных нейтронов.

5.4. Облучение InP быстрыми нейтронами реактора (в Cd-пенале).

6. Влияние термообработки на электрофизические характеристики облученных образцов.

6.1. Термообработка InSb, облученного полным спектром реакторных нейтронов.

6.2. Термообработка InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора.

6.3. Термообработка InP, облученного полным спектром реакторных нейтронов.

6.4. Термообработка InP, облученного быстрыми нейтронами реактора.

7. Качественные характеристики ядерно-легированных InSb и InP.

7.1. Антимонид индия.

7.2. Фосфид индия.

Бурное развитие производства полупроводников началось с пятидесятых годов, и если вначале методы легирования (в процессе выращивания, диффузионные) удовлетворяли поставленным задачам, то с развитием и усложнением полупроводниковых приборов, особенно при появлении интегральных схем, а также больших и сверхбольших интегральных схем (СБИС) и силовых вентилей большой мощности, выявились серьезные ограничения традиционных методов, связанные прежде всего с неоднородностью свойств материала, вызванной неравномерным распределением легирующих примесей и генетических дефектов, по объему кристалла [1-5].

Применение и развитие радиационных методов, в частности, ионной имплантации, открыло новые перспективы в создании сверхсложных систем полупроводниковой электроники, когда размеры отдельных активных и пассивных элементов стали исчисляться микронами. Успехи ионного легирования обусловлены высокой степенью управляемости процесса и относительно малой чувствительностью его к генетическим дефектам. Но и в этом методе исходные неоднородности кристаллов и слоев являются основной причиной брака и разброса параметров полупроводниковых приборов [4, 5]. В связи с решением указанных проблем внимание исследователей было обращено на метод легирования полупроводников с помощью ядерных превращений при облучении нейтронами, так как он позволяет получить однородно легированные кристаллы, даже без микрофлуктуаций, на больших глубинах - в случае нейтронов и однородно легированных по площади - в случае заряженных частиц [6-9].

В нашей стране практическую реализацию технология ядерного легирования кремния получила около 30 лет тому назад на базе реактора

ВВР-ц Филиала ФГУП РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" с последующим ее внедрением на ряде исследовательских и промышленных ядерных реакторов (Томск, Киев, Минск, ЛАЭС, ЧАЭС, САЭС и др.) [6, 10-18].

В отличие от кремния, технология ядерного легирования полупроводниковых соединений типа A'"BV , и, в частности, арсенида галлия получила практическую реализацию впервые в нашей стране на базе реактора ВВР-ц Филиала ФГУП РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова". Технология доведена до выпуска опытных партий пластин диаметром до 4 дюймов [19-31].

Развитие этой технологии требует решения ряда специфических задач, связанных с устранением комплекса радиационных дефектов [32], возникающих в материале при облучении, их трансформации при последующих термообработках, выяснением характера их влияния на свойства материала, а также ряда технологических задач, таких, как обеспечение однородности нейтронного потока в материале и эффективного охлаждения образцов в процессе облучения.

Целью настоящей работы являлось выявление радиационно-физических процессов, протекающих в InSb и InP при облучении реакторными нейтронами и последующих термообработках при разработке технологии ядерного легирования материалов.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

- экспериментально определить полное сечение взаимодействия тепловых нейтронов в монокристаллах антимонида и фосфида индия; оценить эффект самоэкранировки нейтронов данными материалами;

- провести теплофизический расчет и дать оценку саморазогрева монокристаллических пластин InSb и InP при облучении в реакторе на основе экспериментально измеренных значений энерговыделения;

- провести расчет количества смещенных атомов в InSb и InP при облучении в исследовательском ядерном реакторе с учетом вклада различных составляющих реакторного излучения (нейтроны, гамма-кванты, атомы отдачи);

- установить механизмы образования и отжига радиационных дефектов при ядерном легировании в образцах InSb и InP с использованием электрофизических методов исследования для чего:

- исследовать изменение электрофизических свойств образцов InSb и InP с различной исходной концентрацией носителей заряда при облучении полным спектром реакторных нейронов и преимущественно быстрыми (Е>0,1 МэВ) нейтронами реактора (облучение в Cd-пеналах) после облучения и последующих термообработок;

- определить раздельный вклад в дефетюбразование различных составляющих нейтронного спектра реактора в исследуемых материалах;

- провести оценку качества ядерно-легированных InSb и InP и возможности применения технологии для данных монокристаллов; разработать элементы технологии ядерного легирования InSb и InP.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании полученных в работе результатов можно сделать следующие основные выводы:

Проведен численный анализ количества первичных радиационных дефектов, создаваемых в InSb и InP, при облучении в реакторе ВВР-ц с учетом вклада от быстрых и тепловых нейтронов, гамма-излучения и атомов отдачи. Показано, что основной вклад (85+95%) в создание радиационных дефектов вносят быстрые нейтроны.

Экспериментально измерены полные сечения взаимодействия нейтронов в InSb и InP в диапазоне энергий от 1 мэВ до 1эВ. Определено распределение тепловых нейтронов по глубине монокристаллов при одностороннем и двухстороннем облучении. Показано, что при двухстороннем облучении пластин антимонида и фисфида индия толщиной порядка 2 мм эффект самоэкранировки для тепловых нейтронов составляет порядка 10% для InSb и 13% для InP.

Проведен теплофизический расчет для монокристаллов InSb и InP при различных условиях облучения. Показано, что при использовании в качестве среды охлаждения бидистиллированной воды температура облучаемых в вертикальных каналах реактора ВВР-ц пластин InSb и InP не превышает 100 °С при облучении в активной зоне и порядка 52 °С при облучении в периферийных каналах.

Экспериментально изучены зависимости электрофизических свойств от флюенса нейтронов в образцах InSb и InP с различной концентрацией носителей заряда в исходном состоянии. Предложены эмпирические зависимости концентрации носителей заряда и электросопротивления от флюенса нейтронов при облучении InSb и InP как полным спектром реакторных нейтронов, так и преимущественно быстрыми нейтронами. Сделано предположение о том, что разупорядоченные области в InSb и InP, облученных нейтронами, имеют преимущественно форму пластины.

Изучены зависимости электрофизических свойств облученных нейтронами образцов InSb и InP от температуры последующих термообработок. Для образцов InSb обнаружены две основные стадии отжига радиационных дефектов: 1 стадия - 100-г210 °С, 2 стадия - 250ч-420 °С, а для образцов InP - три стадии отжига: 1 стадия 100-г210 °С, 2 стадия - 300-650 °С, 3 стадия - 700-850 °С. Определено, что оптимальной температурой отжига для InSb является 450 °С, а для InP -850-900 °С.

Экспериментально показана возможность введения легирующей примеси (Sn) в широком диапазоне концентраций (1014-2-1018 см"3) для InSb и (5-1016-7-1019 см"3) для InP. Вплоть до значений 2-Ю18 см"3 для InSb и 2-1019 см"3 для InP практически вся вводимая примесь после отжига находится в электрически активном состоянии. Получена эмпирическая формула зависимости концентрации носителей заряда в ядерно-легированных ln-содержащих соединениях A'"BV от флюенса тепловых нейтронов: пял = 2,1 • Фт .

Впервые для реактора ВВР-ц определен раздельный вклад нейтронов различных энергий в процесс ядерного легирования InSb и InP. Показано, что отсечение тепловых нейтронов (облучение в Cd-пеналах) не приводит к полному устранению эффекта ядерного легирования. Вклад промежуточных нейтронов в общий уровень ядерного легирования ln-содержащих соединений A,,IBV определен экспериментально и составляет (с привязкой к флюенсу быстрых нейтронов): п = 0,2 • ФБ .

Проведен сравнительный анализ свойств ядерно-легированных и легированных в процессе выращивания монокристаллов антимонида и фосфида индия. Показано, что качество полученных ядернолегированных InSb и InP не уступает качеству традиционно выращенных материалов. Степень компенсации в ядерно-легированном InSb порядка 0,3 , а в ядерно-легированном InP » 0,45. Экспериментально установлено, что предельное значение концентрации носителей заряда, которое можно получить в InP методом ядерного легирования, составляет величину порядка 2-1019 см 3.

Наряду с Н.Г. Колиным и автором диссертации в выполнении некоторых разделов работы принимали участие: научный сотрудник Нойфех А.И., научный сотрудник Кухто О.Л., инженер I категории Видман А.Э., младший научный сотрудник Харитонова Т.Н., ведущий инженер Кутов А.С., к.ф.-м.н., с.н.с. Кузьмин И.И. и д.ф.-м.н., профессор Соловьев С.П. Считаю своим приятным долгом выразить им благодарность. Я признателен всем сотрудникам отдела радиационного и космического материаловедения неорганических материалов филиала ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" за полезные советы и содействие в работе и особенно научному руководителю, заведующему отделом к.ф.-м.н. Колину Н.Г. - за предложение темы, совместную экспериментальную и творческую работу при его постоянном внимании и поддержке диссертанта.

1. А.Я. Нашельский. Производство полупроводниковых материалов. Москва, "Металлургия", 1989 г. 271 с.

2. А.Я. Нашельский. Технология полупроводниковых материалов. Москва, "Металлургия", 1987 г. 335 с.

3. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Москва, "Металлугрия", 1988 г. 574 с.

4. Арсенид галлия в микроэлектронике. Под ред. Н. Айнспрука, У. Уис-смена. Москва, "Мир", 1988 г. 555 с.

5. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. Москва, "Мир", 1991 г. 632 с.

6. Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, "Наука",1981 г. 181 с.

7. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск, "Наука", 1980 г. 296 с.

8. Е.Ф. Уваров. В кн. "Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые приборы": Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках. Вып. 13, 1978 г., с. 584

9. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Новости физики твердого тела. Выпуск 11. Под редакцией Дж. Миза. Перевод с английского под редакцией В.Н. Мордковича. Москва, "Мир",1982 г. 264 с.

10. В.А. Харченко, С.П. Соловьев, И.Н. Воронов, И.И. Кузьмин, Б.В. Смирнов. Исследование методом травления дефектной структуры кремния, облученного быстрыми нейтронами. ФТП, т. 5, вып. 4, 730 (1971).

11. В.А. Харченко, С.П. Соловьев. Радиационное легирование кремния. Изв. АН СССР. Неорганич. матер., т. 7, № 12, 2137 (1971).

12. И.М. Греськов, О.Н. Ефимович, С.П. Соловьев, В.А. Харченко, В.Г. Шапиро. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами и быстрыми электронами. Физ. и химия обработки матер., № 5, 31 (1976).

13. В.Н. Мордкович, С.П. Соловьев, Э.М. Темпер, В.А. Харченко. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению и отжигу. ФТП, т. 8, вып. 1,210(1974).

14. И.М. Греськов, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. Влияние ростовых дефектов на изменение проводимости кремния, облученного нейтронами. ФТП, т. 11, вып. 8, 1598 (1977).

15. Г.М. Березина, Н.Ф. Каструбай, Н.Г. Колин, Л.И. Мурин, А.А. Стук. Дефекты в ядерно-легированном кремнии, облученном быстрыми электронами. Изв. Ан. СССР. Неорганические материалы, т. 24, №9, 1419(1988).

16. Н.Г. Колин, П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница, А.А. Стук. Образование и отжиг радиационных дефектов в ядерно-легированном Si (Ge). Изв. ВУЗов СССР, серия Физика, № 11, 98 (1990).

17. Н.Г. Колин, С.П. Соловьев, А.А. Стук. Легирование полупроводников в ядерных реакторах. Известия вузов. Ядерная энергетика, №2-3, 98(1994).

18. В.Н. Вигдорович, В.Б. Освенский, Н.Г. Колин, В.А. Харченко, Л.П. Холодный, Н.И. Ярмолюк. Свойства GaAs, легированного в процессе облучения реакторными нейтронами. ФТП, т. 15, вып. 3, 565 (1981).

19. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия при отжиге. ФТП, т. 18, вып. 12, 2187 (1984).

20. Н.Г. Колин, А.В. Марков, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. Дефекты структуры в облученных монокристаллах арсенида галлия. Физ. ХОМ, №1, 3 (1985).

21. Л.Н. Колесник, Н.Г. Колин, A.M. Лошинский, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции. ФТП, т. 19, вып. 7, 1211 (1985).

22. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко, С.М. Иевлев. Свойства арсенида галлия легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне реактора. ФТП, т. 19, вып. 9, 1558 (1985).

23. Н.Г. Колин, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Дефекто-образование в ядерно-легированном арсениде галлия. Физ. ХОМ, №3, 28(1987).

24. Н.Г. Колин, Т.Н. Колоченко, В.М. Ломако. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 21, вып. 2, 327(1987).

25. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Е.С. Юрова, И.М. Юрьева. О природе формирования неоднородности в ядерно-легированных образцах GaAs и InAs. Физ. ХОМ, № 4, 4 (1987).

26. Р.И. Глорнозова, Л.И. Колесник, Н.Г. Колин, В.Б. Освенский. Поведение глубоких центров в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 22, вып. 3, 507(1988).

27. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.В. Освенский. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах. ФТП, т. 22, вып. 6, 1025(1988).

28. Ф.П. Коршулов, Н.Г. Колин, Н.А. Соболев, Е.А. Кудрявцева, Т.А. Прохоренко. Импульсный отжиг ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 22, вып. 10, 1850 (1988).

29. Н.Г. Колин, И.А. Королева, А.В. Марков, В.В. Освенский. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 24, вып. 1, 187 (1990).

30. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.В. Пешев, В.А. Новиков, А.И. Нойфех. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. ФТП, т. 31, вып. 7, 811 (1997).

31. Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. Выпуск 9. Перевод с английского под редакцией Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова. Москва, "Мир", 1979 г. 379 с.

32. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III-V: границы раздела, радиационные эффекты. ФТП, т. 32, вып. 3, 315(1998).

33. Я.А. Федотов. Основы физики полупроводниковых приборов. Москва, "Советское радио", 1970 г.

34. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков. Полупроводниковые приборы. Москва, "Высшая школа", 1973 г.

35. А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. Москва, "Высшая школа", 1974 г.

36. F.H. Eisen. Stage-ll Recovery in Electron-Irradiated InSb. Phys. Rev., Vol. 148, No. 2, 828 (1966).

37. Вихлий Г.А., Конозенко И.Д., Оганесян О.В. Влияние электронов с энергиями 7 МэВ на электрические свойства InSb. ПРЕПРИНТ КИЯИ-76-22. Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, Институт ядерных исследований АН УССР, 1976 г. с. 50.

38. К. Matsui and Т. Shoji. Recoil damage in InSb and InP observed by perturbed angular correlation with 111Cd*. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, Chapter 5, 379(1977).

39. H.A. Витовский, T.B. Машовец, О.В. Оганесян, H.X. Памбухчян. Кинетика изменения концентрации носителей заряда в антимониде индия при облучении электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, т. 12, вып. 9, 1861 (1978).

40. S. Myhra. Defect Annealing and Transport Properties in High-Purity InSb Irradiated at 80 K. Phys. stat. sol. (a) 49, 285 (1978).

41. Г.А. Вихлий, А.Я. Карпенко, И. Г. Мегела, J1.И. Тараброва. Скорость образования радиационных дефектов в сильно легированном n-lnSb. Неорганические материалы, т. 21, № 8, 1279 (1985).

42. Е.П. Скипетров, В.В. Дмитриев, Ф.А. Заитов, Г.И. Кольцов, Е.А. Ладыгин. Электрофизические свойства антимонида индия n-типа, облученного быстрыми электронами. ФТП, т. 20, вып. 10, 1787 (1986).

43. S.D. Kouimtzi. А.С. Hopping Conductance in Electron-Irradiated InSb. Solid State Communications, Vol. 65, No. 11, 1435 (1988).

44. Дмитриев В.В., Скипетров Е.П. Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами. ФТП, т. 24, вып. 5, 897(1990).

45. В.Н. Брудный, Н.В. Каменская, Н.Г. Колин. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К. Изв. вузов, вып. 7, 99 (1991).

46. А.Б. Коршунов, Г.М. Кузнецов, А.Г. Макаров, В.В. Оленин, И.В. Постников. Исследование изохронного отжига p-lnSb, облученного ионами средних энергий. ФТП, т. 12, вып. 5, 938 (1978).

47. А.Н. Блаут-Блачев, Н.Н. Герасименко, Л.В. Лежейко, Е.В. Любопы-това, В.И. Ободников. О природе р-п-конверсии облученных ионами кристаллов InSb. ФТП, т. 14, вып. 2, 306 (1980).

48. Здобников А.Ю., Кисловский Л.Д., Кольцов Г.И., Тихонова О.В. Использование спектров инфракрасного отражения для исследования ионнолегированных слоев кристаллов InSb. Кристаллография, т. 28, вып. 5, 1039(1983).

49. И.П. Сошников, Н.А. Берт. Распыление А3В5 материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N2+ с энергией 214 кэВ. Ж. технической физики, т. 70, вып. 9, 114 (2000).

50. Т. R. Yang and G. Kuri. Far-infrared absorption and Raman scattering studies in MeV C+- and C2+-implanted inSb(111) crystals. Physica B: Condensed Matter, Vol. 291, Is. 3-4, 236 (2000).

51. В.А. Богатырев, Г.А. Качурин. Отжиг дефектов в антимониде индия после ионной бомбардировки. ФТП, т. 11, вып. 7, 1360 (1977).

52. Т.В. Машовец, Р.Ю. Хансеваров. Низкотемпературное у-облучение и отжиг сурьмянистого индия. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, "Наукова Думка", 1967 г. с. 200.

53. Н.А. Витовский, Г.А. Вихлий, В.В. Галаванов, Т.В. Машовец, Р.Ю. Хансеваров. Образование радиационных дефектов в антимониде индия при допороговых энергиях излучения. ФТП, т. 3, вып. 1, 132 (1969).

54. T.V. Mashovets, D. Mustafakulov, Yu. G. Morosov and N.A. Vitovskii. Variations of the energy spectra of the impurity atoms in InSb under 4,2 К gamma irradiation. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, Chapter 5, 368 (1977).

55. L. Fedorenko and A. Medvid'. Laser-induced donor centers in p-lnSb. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 3, No. 1, 31 (2000).

56. B.H. Брудный, H.B. Каменская, Н.Г. Колин. В сб. "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках": Электрические свойства сильнооб-лученного InSb. ч.2, Павлодар, Академия наук СССР, 140 (1989).

57. J.W. Cleland, J.H. Crawford, Jr. Neutron irradiation of indium anti-monide. Phys. Rev., Vol.95, No. 5, 1177 (1954).

58. Bertolotti M. et. al. J. Appl. Phys., 38, 2645 (1967)

59. Bertolotti M. Radiation Effects in semiconductors. Edited by F.L. Vook, N.Y., Plenum Press, 1968, p.311.

60. Н.И. Курдиани. Отжиг радиационных дефектов и подвижность электронов в антимониде индия, облученном быстрыми нейтронами. ФТП, т. 3, вып. 11, 1683(1969).

61. Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Москва, "Атомиздат", 1971 г. 176 с.

62. Н.А. Витовский, А.П. Долголенко, Т.В. Машовец, О.В. Оганесян. Дефекты в кристаллах антимонида индия, образующиеся под действием облучения быстрыми нейтронами. ФТП, т. 13, вып. 10, 1958 (1979).

63. Н. Gerstenberg. Transport Properties of Degenerate InSb and InAs after Fast Neutron Irradiation at Low Temperature. Phys. stat. sol. (a) 128, 483 (1991).

64. J.W. Cleland and J.H. Crawford, Jr. Radiation Effects in Indium Anti-monide. Phys. Rev. 93, 894 (1954).

65. Ш.М. Мирианашвили, Д.И. Нанобашвили, З.Г. Размадзе. О возможности трансмутационного легирования антимонида индия. ФТТ, т. 7, вып. 12, 3566(1965).

66. Л.К. Водопьянов, Н.И. Курдиани. Ядерное легирование и оптические свойства сурьмянистого индия. ФТТ, т. 8, вып. 1, 72 (1966).

67. W. Gilbert Clark and R.A. Isaacson. Preparation of Homogeneous n-Type InSb by Thermal-Neutron Irradiation. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 5, 2284 (1967).

68. B.C. Вавилов, Л.К. Водопьянов, Н.И. Курдиани. Оптические свойства сурьмянистого индия, облученного медленными нейтронами. В сб.:

69. Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, "Наукова Думка", 1967 г. с. 206.

70. F. Kuchar, Е. Fantner and К. Hess. Ionized impurity scattering in semiconductors: InSb doped by neutron irradiation. J. Phys. C: Solid State Phys., Vol. 9, 3165(1976).

71. H. Gerstenberg and W. Glaser. Transmutation Doping and Lattice Defects in Degenerate InSb. Phys. stat. sol. (a) 118, 241 (1990).

72. Козловский B.B., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-lnP. ФТП, т. 24, вып. 6, 1123 (1990).

73. R.J. Walters, G.P. Summers. Deep level transient spectroscopy study of proton irradiated p-type InP. J. Appl. Phys. 69 (9), 6488 (1991).

74. T.M. Галина, В.Г. Володько, Е.С. Демидов, О.В. Подчищаева. Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия. ФТП, т. 27, вып. 8, 1379 (1993).

75. R. Kumar, Ram Nath, М.В. Dutt, A, Dhaul, Y.P. Khosla and B.L. Sharma. Characterization of furnace-annealed Si-implanted lnP:Fe. Semi-cond Sci. Technol. 8, 1679 (1993).

76. Kin Man Yu, A.J. Moll, W. Walukiewicz, N. Derhacobian and C.Rossington. Amphoteric substitutional and lattice distortion of Ge in InP. Appl. Phys. Lett. 64 (12), 1543 (1994).

77. V. Sargunas, D.A. Thompson and J.G. Simmons. High Resistivity in n-Type InP by He+ Bombardment at 300 and 60 K. Solid-State Electronics, Vol.38, N0.1,75(1995).

78. V. Sargunas, D.A. Thompson, J.G. Simmons. Implantation isolation in n-type InP bombarded with He+ and B+. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 106, 294 (1995).

79. R.A. Hopfel, Ch. Teissl, K.F. Lamprecht, and L. Rota. Intraband inversion due to ultrashort carrier lifetimes in proton-bombarded InP. Phys. Rev. B, Vol. 53, No. 19, 12581 (1996).

80. J. Likonen, K. Vakevainen, T. Ahlgren, J. Raisanen, E. Rauhala, J. Kei-nonen. Annealing behaviour of high-dose-implanted nitrogen in InP. Appl. Phys. A 62, 463(1996).

81. E. Wendler, T. Opfermann, P.I. Gaiduk. Ion mass and temperature dependence of damage production in ion implanted InP. J. Appl. Phys. 82 (12), 5965(1997).

82. С. Pizzuto, G. Zollo, G. Vitali, D. Karpuzov, M. Kalitzova. Activation of electrical carriers in Zn-implanted InP by low-power pulsed-laser annealing, j. Appl. Phys. 82 (11), 5334 (1997).

83. П.И. Гайдук, B.C. Тишков, Ф.Ф. Комаров, В. Веш. Эволюция дефектов в кристаллическом InP при облучении ионами Хе сверхвысоких энергий. 3-я международная конференция "Взаимодействие излучений с твердым телом", 6-8 октября 1999 г., Минск, Беларусь, с. 39.

84. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. Образование электронных ловушек в n-lnP при облучении у-квантами. ФТП, т. 21, вып. 6, 1075 (1987).

85. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-lnP при облучении. ФТП, т.22, вып. 7, 1311 (1988).

86. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. О дефектах, возникающих в n-lnP при низкотемпературном облучении. ФТП, т. 22, вып. 4, 740 (1988).

87. Бакин Н.Н., Брудный В.Н., Пешев В.В., Смородинов С.В. Образование центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-lnP при электронном и у-облучениях. ФТП, т.23, вып. 5, 890(1989).

88. S.W.S. McKeever, R.J. Walters, S.R. Messenger, G.P. Summers, Deep level transient spectroscopy of irradiated p-type InP grown by metalorganic chemical vapor deposition. J. Appl. Phys. 69 (3), 1435 (1991).

89. J. Leloup, М. Derdouri and Н. Djerassi. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5, 3721977).

90. N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions. . Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5, 387 (1977).

91. M. Levinson, J.L. Benton, H. Temkin, and L.C. Kimerling. Defects states in electron bombarded n-lnP. Appl. Phys. Lett. 40 (11), 990 (1982).

92. M. Deiri, A. Kana-ah, B.C. Cavenett, T.A. Kennedy and N.D. Wilsey. Optical detection of the Pin antisite resonances in InP. J. Phys. C: Solid State Phys., 17, L793(1984).

93. J. Suski, A. Sibille and J. Bourgoin. Defects in low temperature electron irradiated InP. Solid State Communications, Vol. 49, No. 9, 875 (1984).

94. J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, and D. Stievenard. Irradiation Induced Defects in lll-V Semiconductor Compounds. Phys. stat. sol. (a) 102, 499(1987).

95. Саморуков Б.Е., Слободчиков C.B. Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного 3d-aneMeHTaMH. ФТП, т. 23, вып. 5, 921 (1989).

96. Коршунов Ф.П., Радауцан С .И., Соболев Н.А., Тигиняну И.М., Урса-ки В.В., Кудрявцева Е.А. Краевая фотолюминесценция кристаллов п-InP, облученных электронами с энергией 3,5+4 МэВ. ФТП, т. 23, вып. 9, 1581 (1989).

97. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. New Metastable W-Center in Electron-Irradiated n-Type InP. Phys. stat. sol. (a) 114, k139 (1989).

98. Пешев В.В., Смородинов C.B. Температурные зависимости накопления центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в n-lnP. ФТП, т. 24, вып. 5, 879 (1990).

99. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. Characterization of W Defects in Electron-Irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 128, 311 (1991).

100. H. Thomas and J.K. Luo. Admittance spectroscopy of defects in electron-irradiated indium phosphide. Semicond. Sci. Technol. 8, 608 (1993).

101. A.Polity and T. Engelbrecht. Defects in electron-irradiated InP studied by positron lifetime spectroscopy. Phys. Rev. B, Vol. 55, No. 16, 10480 (1997).

102. B. Massarani, F.G. Awad, M. Kaaka, and R. Darwich. Evidence for two distinct defects contributing to the H4 deep-level transient spectroscopypeak in electron-irradiated InP. Phys. Rev. B, Vol. 58, No. 23, 156141998).

103. L.W. Aukerman. ln:Semiconductors and Semimetals, Ed. by R.K. Wil-lardson, A.C. Bear (Academic Press, New York, 1968) Vol.4., p. 343.

104. N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Electrical and optical properties of InAs and InP compounds and their solid solutions of lnPxAs-|.x irradiated with fast neutrons and y-rays. Defects in Semiconductors: Session 8, 387 (1972).

105. V.N. Broudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak.and Sh.M. Ruzimov. Electrical Properties and Positron Annihilation in Neuron-Irradiated n-lnP. Phys. stat. sol. (a) 93, 195 (1986).

106. B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, and K.L. Hess. J. Appl. Phys. 62, 1129 (1987).

107. V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Transmutation doping and Fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 132, 35 (1992).

108. WEN Xiang-e, LI Shi-qing, Ma II, YAN He-ping, WANG Zhu, WANG Shao-jie. Defects in NTD InP Probed by Positron Annihilation Spectroscopy. Wuhan University Journal of Natural Sciences, Vol. 4, No. 3, 2901999).

109. K.H. Мухин. Введение в ядерную физику. Москва, "Атомиздат", 1965 г. 720 с.

110. Справочник по электротехническим материалам. Под ред-ей Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Третье, переработанное издание в трех томах. Ленинград, "Энергоатомиздат", 1988 г. т.З

111. Технические условия. Антимонид индия. ТУ 48-4-292-85, 1985 г.

112. Техническое решение на устройство для облучения образцов ар-сенида галлия в реакторе ВВР-ц. инв. №252, 1987 г. 7 с.

113. С. Зи. Омические контакты. в кн. : Физика полупроводниковых приборов. Москва, "Мир", 1984 г. с. 318.

114. А.Н.Пихтин, В.А. Попов, Д.А. Яськов. Получение омических контактов к полупроводникам. ПТЭ, №2, 238 (1970).

115. Р.С. Игнаткина, Л.Д. Либов, С.С. Мескин. Сплавные контакты к фосфиду индия. ПТЭ, №3, 242 (1965).

116. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск, "Наука", 1977. 256 с.

117. Д.Ж. Хьюдж, Р.Б. Шварц. Атлас нейтронных сечений. Изд-е 2-е, исправленное и дополненное, "Атомиздат", 1959 г. 373 с.

118. Дж. Дине, Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. Перевод с английского А.Х. Брегера под редакцией Г.С. Жданова. Москва, "Иностранная литература", 1960 г. 244 с.

119. Kinchin G.H., Pease R.S. The Displacement of Atoms in Solids by Radiation, Rep Progr. Phys., 18, 1 (1955) перевод: Усп. физич. наук, 60, 590(1956)].

120. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. Успехи физ. наук, т.99, вып.2, с. 247-296 (1969).

121. Т.М. Агаханян, Е.Р. Аствацатурьян, П.К. Скоробогатов. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. Москва, "Энергоатомиз-дат", 1989 г. 256 с.

122. К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Перевод с английского Г.И. Бабкина. Москва, "Атомиздат", 1979 г. 296 с.

123. М.А. Кумахов, Г. Ширмер. Атомные столкновения в кристаллах. Москва, "Атомиздат", 1980 г. 192 с.

124. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, B.C. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск, "Университетское", 1990 г. 320 с.

125. Tetsuya Kawakubo. Electrical and Optical Properties of Neutron Irradiated GaAs and GaP Crystals. Annu. Rep. Res. Reactor Inst., Kyoto Univ. Vol. 23, 97-123 (1990).

126. И.В. Меднис. Сечения ядерных реакций, применяемых в нейтрон-но-активационном анализе. Справочник, Рига, "Зинатне", 1991 г. 119 с.

127. Физические величины: Справочник/А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.; Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

128. У.А. Улманис. Радиационные явления в ферритах. Москва, "Энер-гоатомиздат", 1984 г. 160 с.

129. Varley F. Sears. Neutron scattering lengths and cross sections. Neutron News, Vol. 3, No. 3, 26(1992).

130. О.И. Лейпунский, Б.В. Новожилов, В.Н. Сахаров. Распределение гамма-квантов в веществе. М.: Государственное из-во физико-математической литературы. 1960 г. 207 с.

131. McKinly W.A., Feschbach H. Phys. Rev., Vol. 74, No. 12, 1759 (1948).

132. B.C. Вавилов, H.A. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, "Атомиздат", 1969 г. 312 с.

133. Kahn F. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 8, 1310 (1959).

134. И.И. Гуревич, Л.В. Тарасов. Физика нейтронов низких энергий. Москва, "Наука", 1965 г. 608 с.

135. В.Э. Комаров, О.Л. Кухто, С.П. Соловьев. Установка для исследования динамики конденсированных систем методом обратного фильтра. Приборы и техника эксперимента, №4, 29 (1970).

136. О.Н. Ефимович, С.П. Соловьев, Е.С. Старизный, А.А. Стук, В.В. Сумин, В.А. Харченко. Распределение медленных нейтронов в поли- и монокристаллических образцах кремния. Атомная энергия, т. 49, 189 (1980).

137. И.В. Гордеев, Д.А. Кардашев, А.В. Малышев. Ядерно-физические константы. Москва, Государственное из-во литературы по атомной науке и технике Государственного комитета по использованию атомной энергии СССР, 1963 г. 508 с.

138. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев, "Наукова Думка", 1975 г., 704 с.

139. Skyrme T.H.R. UKAEA-Report MS 91 (1944); reprinted, 1961.

140. Dalton G.R. Nucl. Sci. Eng., 13, 190 (1962).

141. Osborn R.K. Nucl. Sci. Eng., 15, 245 (1963).

142. К. Бекурц, К. Виртц. Нейтронная физика. Москва, "Атомиздат", 1968 г. 456 с.

143. Ritchie R.H., Eldridge H.B. Nucl. Sci. Eng., 8, 300 (1960).

144. P. Меррей. Физика ядерных реакторов. Москва, из-во Главного управления по использованию атомной энергии при Совете министров СССР, 1959 г. 292 с.

145. В.М. Коляда, B.C. Карасев. Калориметрия излучений ядерного реактора. Москва, "Атомиздат", 1974 г. 184 с.

146. X. Уонг. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. Москва, "Атомиздат", 1979 г. 212 с.

147. В.Г. Ерохин, М.Г. Маханько. Сборник задач по основам гидравлики и теплотехники. Москва, "Энергия", 1979 г. 240 с.

148. B.C. Чиркин. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. Москва, "Атомиздат", 1968 г. 484 с.

149. М.А. Михеев, И.М. Михеева. Краткий курс теплопередачи. Москва, "Госэнергоиздат", 1961 г. 208 с.

150. А.С. Охотин, А.С. Пушкарский, В.В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников. Москва, "Атомиздат", 1972 г. 200 с.

151. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия. ФТП, т. 33, вып. 7, 774(1999).

152. B.C. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. Москва, Государственное из-во физико-математической литературы, 1963 г., 264 с.

153. Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. Москва, "Атомиздат", 1975 г. 128 с.

154. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, "Наука и техника", 1986 г. 256 с.

155. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск, "Наука и техника", 1978 г. 231 с.

156. Stein H.J., Gereth R. Introduction Rates of Electrically Active Defects in n- and p-Type Silicon by Electron and Neutron Irradiation. J. Appl. Phys., 1968, vol. 39, N 6, p. 2890-2904.

157. B.H. Брудный, M.A. Кривов. Радиационные дефекты в арсениде галлия. В кн.: Тез. докл. 4-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs. Томск: Томский политехнический институт, 1978, с. 16-18.

158. А.П. Долголенко. В сб.: Радиационные повреждения в твердых телах, 47. Киев, "Наукова Думка", 1974 г.

159. N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, S.P. Solov'ev. Radiation effects on the electrical activation processes in InSb under influence of nuclear reactor neutrons. Physica В 307, 258 (2001).

160. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. Электрофизические свойства InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора. ФТП, т. 33, вып. 8, 927 (1999).

161. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного фосфида индия. ФТП, т. 34, вып. 2, 157 (2000).

162. W. Walukiewicz, J. lagowski, L. Jastrzebski, P. Rava, M. Lichtensteiger, C.H. Gatos and H.C. Gatos. Electron mobility and free-carrier absorption in InP; determination of the compensation ratio. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5, 2659(1980).

163. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора. ФТП, т. 34, вып. 2, 153 (2000).

164. Н.Г. Колин, А.Э. Видман, А.С. Кутов, Д.И. Меркурисов, Т.Н. Харитонова. Свидетельство об официальной регистрации базы данных

165. Ядерно-легированный антимонид индия (ЯЛИС)", №2000620086. Роспатент, зарегистрировано в Реестре баз данных г. Москва, 23 ноября 2000 г.

166. Соловьев С.П., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И. Ядерное легирование InSb и InP. IX Международное совещание "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 28 июня 3 июля 1999 г., тезисы, с.1236-1246

167. А. Дамаск, Дж. Дине. Точечные дефекты в металлах. Москва, "Мир", 1966 г. 292 с.

168. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Москва, "Высшая школа", 1984 г. 352 с.

169. В.М. Гусев, В.В. Титов. Исследование кинетики термического отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном методом ионной бомбардировки. ФТП, т. 3, вып. 1, 3 (1969).

170. Shiori Ishino, Fumiko Nakazawa and Ryukiti R. Hasiguti. Annealing of y-ray irradiated N-type Germanium. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 24, 1033 (1963).

171. Колин Н.Г., Кутов А.С., Меркурисов Д.И., Соловьев С.П. Ядерное легирование фосфида индия. V Межгосударственный семинар "Структурные основы модификации материалов нетрадиционными методами", Обнинск, ИАТЭ, 14-17 июнь 1999 г., тезисы, с. 77

172. Общества России «Исследовательские реакторы: наука и высокие технологии», г. Димитровград, 25-29 июня 2001 г., тезисы, с. 206

173. Д.И. Меркурисов, Н.Г. Колин, Т.Н. Харитонова. Ядерное легирование ln-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV. 1-ая Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению, 4-7 октября, 2001 г., г. Калуга, с.22.

174. D.L. Rode. Electron Mobility in Direct-Gap Polar Semiconductors. Phys. Rev., Vol. 2, No. 4,1012(1970).

175. D.L. Rode. Electron Transport in InSb, InAs, and InP. Phys. Rev., Vol. 3, No. 10, 3287(1971).

176. E. Litwin-Staszewska, W. Szymanska, and R. Piotrzkowski. The Electron Mobility and Thermoelectric Power in InSb at Atmospheric and hydrostatic Pressures. Phys. Stat. Sol. (b) 106, 551 (1981).

177. P. Асаускас, А. Кроткус. Численный расчет подвижности электронов в антимониде индия. ФТП, т. 15, вып. 12, 2327 (1981).

178. W. Szymanska and Т. Dietl. Electron Scattering and Transport Phenomena in Small-Gap Zinc-Blende Semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 39, No. 10, 1025(1978).

179. T. Dietl and W. Szymanska. Electron Scattering in HgSe. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 39, No. 10, 1041 (1978).

180. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Москва, "Наука", 1990 г. 688 с.

181. Landolt-Bornstein. New Series lll/22a.

182. В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники. Москва, "Наука", 1967 г. 415 с.