Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Новиков Владимир Александрович

РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В БИНАРНЫХ (1пР, СаР) И ТРОЙНЫХ (СйвпРг, гпСеР2) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОСФИДАХ

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников

003161649

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Томск- 2007

Работа выполнена в ГОУ ВПО "Томский государственный ) ниверситет" и ОСП "Сибирский физико-технический институт Томского государственного

\ ниверситета"

На\ чный р\ ководитель доктор физико-математических нау к,

профессор Брудный Валентин Натанович

Официальные оппоненты доктор физико-математических нау к,

профессор Коханенко Андрей Павлович, ГОУ ВПО "Томский государственный \ ниверситет"

доктор технических наук, профессор Ремнев Геннадий Ефимович, ГОУ ВПО Томский политехнический > ниверситет НИИ высоких напряжений

Вед\ щая организация Институт мониторинга климатических и

экологических систем СО РАН (г Томск)

Защита диссертации состоится " 14 " ноября 2007 г. в "16" час 00 мин на заседании диссертационного совета Д212 26902 при ГОУ ВПО "Томский политехнический \ ниверситет" 634050, г Томск, пр. Ленина, 30

С диссертацией можно ознакомиться в Научно-технической библиотеке Томского политехнического \ниверситета (634034, г. Томск, ул. Белинского, 55)

Автореферат разослан". 40 ." октября 2007 г

Ученый секретарь диссертационного совета Д212 269 02

доктор физико-математических наук й/// МВ Коровкин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Полупроводниковые фосфиды 1пР, ОаР используются в производстве приборов опто- и микроэлектроники, а их прямые изоэлектронные аналоги СёБпРг и ХпСеР2 находят применение в качестве материалов СВЧ-техники и оптических излучателей (СёБпРг), параметрических преобразователей и смесителей оптического излучения (гпСеР2) Это предъявляет высокие требования к структурному совершенству материала и отсутствию в полупроводнике собственных дефектов решетки (СДР) Для сложных соединений характерно наличие высокой концентрации СДР вследствие отклонения состава расплава от стехиометрического при выращивании Это влияет на свойства материала, а в случае соединений группы П-1У-У2 СДР зачастую определяют его параметры Поэтому исследование СДР в соединениях является одним из важнейших направлений материаловедения полупроводников При этом бомбардировка полупроводников высокоэнергетическими частицами - наиболее простой и эффективный метод формирования СДР с целью их последующего исследования Это также открывает возможности управления параметрами материала - концентрацией свободных носителей заряда, удельным электросопротивлением, типом проводимости, оптической прозрачностью и т.п, что используется в радиационной технологии, включая ионное и трансмутационное легирование Кроме того, использование полупроводников в условиях высокоэнергетических воздействий также предъявляет особые требования к их радиационной устойчивости, что является предметом самостоятельных исследований

Выбор "родственных" соединений и их облучение высокоэнергетическими частицами в идентичных условиях позволяют проанализировать общие закономерности радиационного модифицирования группы "родственных" материалов и прогнозировать характер изменения параметров тройных соединений на основе исследований их более простых бинарных аналогов

К началу выполнения данной работы объем исследований радиационных дефектов (РД) в 1пР и СаР насчитывал десятки публикаций При этом выполненные работы относились к условиям невысоких доз облучения, когда плотность РД была сравнима с уровнем легирования материала примесями Отсутствовали экспериментальные данные по "предельным" характеристикам 1пР и СаР, облученных высокими интегральными потоками частиц, когда свойства материала полностью определяются РД Для тройных соединений СёБпРз и гпвеРг такие исследования были единичны По этой причине проблема изучения РД в данных соединениях остается актуальной.

Цель работы. Целью работы является экспериментальное исследование, анализ и выявление общих закономерностей изменения свойств полупроводниковых фосфидов - изоэлектронных аналогов групп III-V (1пР, СаР) и Н-1У-У2 (СёБпРз, гпОеР2) в условиях высокодозового облучения электронами, протонами и нейтронами и последующего изохронного отжига.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи'

• Исследование электрофизических свойств 1пР, ОаР, Сс18пР2 и 2пОеР2

при облучении электронами, ионами Н и нейтронами в широком интервале интегральных потоков частиц, определение "предельных" электрофизических характеристик облученных материалов;

• Оценка параметров РД и численный анализ дозовых зависимостей электрофизических характеристик материалов на основе использования уравнения электронейтральности, экспериментально наблюдаемого спектра уровней РД и литературных данных,

• Исследование спектров оптического поглощения фосфидов, выявление природы "примесного" поглощения в исходных и облученных материалах, сопоставление полученных данных с результатами изучения электрофизических характеристик материалов,

• Исследование электрофизических свойств кристаллов в условиях всестороннего сжатия в зависимости от положения уровня Ферми в

запрещенной зоне облученного материала, оценка барических коэффициентов изотермического сдвига уровней РД, • Исследование термической стабильности РД в бинарных (1пР, ваР) и тройных (СёБаРг, ХпОеР2) фосфидах в зависимости от вида облучения и величины интегрального потока высокоэнергетических частиц Объект и методы исследований. Объектом исследований являются объемные кристаллы 1пР и СаР п, р, 1- типа проводимости, выращенные методом Чохральского, п-СсйпРг и р-гпОеР2, выращенные методом Бриджмена, облученные электронами интегральными потоками до 1019 см"2,

ионами Н+ - до 1,7х1016 см"2 и быстрыми нейтронами - до 1019 см"2 В качестве методов исследования использовались, измерение электрофизических свойств и спектров оптического пропускания; метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ), измерение удельного сопротивления образцов при всестороннем сжатии; измерение углового распределения аннигиляционных гамма - квантов, изохронный отжиг Научная новизна работы.

• Оценены "предельные" электрофизические параметры и "предельное" положение уровня Ферми Рит в облученных 1пР, ваР, Сс18пР2, ХпСеРг

• Выявлено подобие в изменении электрофизических свойств бинарных (1пР, ваР) и тройных (СйБпРг, гпОеР2) аналогов при высокоэнергетическом радиационном воздействии и последующем изохронном отжиге

• Показано, что асимметрия в скоростях удаления свободных носителей заряда в п- и р-1пР и "закрепление" уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны при облучении обусловлены образованием состояний радиационных дефектов в области разрешенных энергий зоны проводимости 1пР

• Из измерения спектров оптического поглощения выявлена высокая скорость образования "глубоких" радиационных дефектов в

запрещенной зоне облученного ОаР

• Предложена модель оптического "просветления" кристаллов р-гпОеР2 при облучении и последующем отжиге

• Установлены области высокой и низкой чувствительности электросопротивления к всестороннему сжатию в облученных соединениях 1пР, ОаР, Сс18пР2 и гпОеР2

• Определены температурные интервалы восстановления параметров сильнооблученных электронами, протонами и нейтронами 1пР, ОаР, Сё5пР2, гпОеР2 и обнаружено образование вакансионных кластеров при отжиге облученных 1пР и 2пОеР2

Практическая значимость работы. Результаты, использованные при написании диссертации, получены при выполнении г/б НИР по заказ-нарядам Министерства образования РФ, хоздоговоров с предприятиями Министерства химической промышленности, грантов Министерства образования РФ (Фундаментальные исследования в области ядерной техники и физики пучков ионизирующих излучений "Ионные пучки и научно-технологические основы их применения", 1994-1995, 1996-1997 гг), программы "Университеты России" (1995-1996 гг), проекта МНТЦ №1630 "Высокостабильные радиационно-сгойкие полупроводники", 2003-2005 гг)

Совокупность экспериментальных данных позволяют прогнозировать и целенаправленно изменять тип проводимости, номинал удельного сопротивления, оптическую прозрачность, чувствительность к давлению 1пР, ОаР, Сс18пР2, 2пОеР2 путем высокоэнергетического облучения и последующего огжига, что может найти применение в радиационной технологии и оценках радиационной устойчивости данных соединений

Исследование электрофизических свойств облученного 1пР в условиях гидростатического сжатия показало, что кристаллы с "предельными" электрофизическими параметрами обладают высокой чувствительностью к давлению, что позволило предложить техническое решение на способ

изготовления полупроводниковых датчиков давления (А/С № 1127467(СССР) -1984)

Эффект оптического "просветления" кристаллов р^пСеРг в области "примесного" поглощения при высокоэнергетическом облучении и выявленная зависимость величины этого эффекта от дозы и температуры последующего отжига позволили предложить техническое решение на способ оптического "просветления" р-ггЮеР, (А/С № 1304665(СССР), (доп к А/С № 1032937).-

1986)

Научные положения, выносимые на защиту.

1 Значения "предельных" электрофизических параметров щ,т, рит и положение уровня Ферми Рит в облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами соединениях 1пР, ОаР, Сс18пР2, 2пОеР2 не зависят от предыстории материала и условий облучения Смещение Р!т из верхней половины запрещенной зоны для 1пР, Сс18пР2 в середину запрещенной зоны для ОаР, обусловлены особенностями электронных спектров данных соединений.

2 Модель оптического "просветления" кристаллов р-2гК}еР2 в "примесной" области спектра при высокоэнергетическом облучении и последующем изохронном отжиге, основанная на перезарядке основного по концентрации ростового дефекта материала (Е„+(0,5-0,6) эВ), за счет движения уровня Ферми при введении радиационных дефектов и их отжиге

3 Высокая чувствительность электросопротивления к всестороннему сжатию (0,6-3,2)х10"4 бар"1 облученных фосфидов с уровнем Ферми, расположенным в области {ЕС>Р>ЕЯ12), и низкая - (0,1-0,4)х104 бар"1 в области {Е$!2>Р>Е^) в данных материалах обусловлены "закреплением" энергетических уровней локализованных состояний радиационных дефектов относительно потолка валентной зоны

4 Температурные интервалы восстановления электрофизических и

оптических свойств сильнооблученных электронами и протонами кристаллов InP, CdSnP2 - до (500-600) °С и GaP, ZnGeP2 - до (600700) °С при изохронном отжиге и эффект кластеризации радиационных дефектов при температурах (100-450)°С в InP и ZnGeP2 Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на IX и XII Республиканских семинарах "Радиационная физика твердого тела" (Киев 1983,1986 гг), XI,XII,XIII,XIV Всесоюзных семинарах "Радиационная физика полупроводников" (Новосибирск 1984,1985,1987,1989,1991 гг), 34 Всесоюзном Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (Алма-Ата 1984 г), Международной конференции "Физико-химичесхие процессы в неорганических материалах" (Кемерово 1998 г), 8-й Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (Томск 2002 г)

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 14 работах, в том числе 11 статей в рецензируемых журналах, 2 авторских свидетельства на изобретения

Личный вклад автора. Диссертационная работа является результатом многолетних исследований автора, проводившихся совместно с сотрудниками отдела физики полупроводников СФТИ им В.Д Кузнецова Томского государственного университета Участие в работе сотрудников отражено в совместных публикациях, докладах и научно-технических отчетах Автором совместно с научным руководителем обсуждались цели работы и пути их достижения Личный вклад автора включает выбор методов решения задач, подготовку образцов, их измерение, проведение численных расчетов, анализ и интерпретацию полученных данных Автору принадлежит существенная часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, которые касаются анализа и выводов

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы Объем работы составляет 135

страниц машинописного текста, включая 45 рисунков и список литературы из 175 наименований

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ. Во введении обоснована актуальность работы, показана научная новизна и практическая значимость работы, сформулированы научные положения, выносимые на защиту

Первая глава посвящена анализу литературных данных по исследованию влияния высокоэнергетического облучения на электрофизические и оптические свойства исследуемых материалов Проанализированы результаты экспериментальных исследований характеристик РД, полученных из измерений нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ), термостимулированных токов (ТСТ) и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), проведено сопоставление полученных разными авторами данных в зависимости от предыстории материала и условий облучения Представлены данные по термической стабильности РД, главным образом в образцах, облученных малыми потоками высокоэнергетических частиц На основе проведенного анализа литературы можно отметить следующее

спектр РД в InP и GaP плохо воспроизводим в работах разных авторов и сильно зависит от параметров исходного материала и условий облучения Наблюдается малая суммарная скорость введения РД, которая не обеспечивает экспериментально наблюдаемых изменений свойств данных материалов при облучении. Не выявлена причина значительной асимметрии в скоростях удаления носителей заряда при облучении п- и р-InP При этом данные по исследованию РД в тройных фосфидах крайне ограничены и представлены в единичных работах,

отсутствуют количественные оценки "предельных" электрофизических параметров и "предельного" положения уровня Ферми F|im в бинарных и тройных фосфидах в условиях высокодозового облучения Не выявлены особенности отжига РД в бинарных и тройных фосфидах, облученных

большими интегральными потоками электронов, протонов и нейтронов, что важно для успешного применения методов радиационной технологии для управления параметрами материалов и приборов на их основе Отсутствуют данные по проблеме сравнительного исследования радиационных нарушений в "родственных" полупроводниках в идентичных условиях облучения и последующего отжига,

ограниченными являются данные по исследованию оптических свойств облученных фосфидов, не выявлено соответствия между спектрами оптического поглощения облученных кристаллов и спектром уровней РД Недостаточно данных о природе оптического поглощения в "примесной" области спектра исходных кристаллов p-ZnGeP2 и эффекту оптического "просветления" данного материала при облучении,

отсутствуют данные по исследованию влияния всестороннего сжатия на параметры облученных материалов, которые позволяют получить информацию об особенностях формирования локализованных состояний РД

В заключение главы сформулированы цель работы и основные решаемые задачи

Во второй главе изложены результаты исследования электрофизических, оптических, тензоэлектрических свойств и аннигиляции позитронов в кристаллах InP (Те, Sn, Zn, Си, Fe) n, р, i-типа проводимости (по=(2х1016-4х1018, 1016-1 х 10i8> см1 - при облучении электронами (fei, 2,2 МэВ), ионами Н+ (Ев5, 10 МэВ)-(Го6,=300 К), быстрыми нейтронами (£>0,1 МэВ, Гой1=70°С) и последующем отжиге Особое внимание уделено изучению "предельных" электрофизических параметров облученных материалов

Показано, что при всех видах облучения во всех исследованных образцах InP при больших интегральных потоках частиц всегда достигаются "предельные" значения электрофизических параметров, соответствующие материалу n-типа проводимости- |Äw|/,ms(l,5-2,5)xl06 см3/А с, ps(3-4)xl03 Ом см

(ЗООК), что соответствует

"закреплению" уровня Ферми вблизи

„,=£„+1,04 эВ В исходных образцах

р-1пР наблюдается р-п-конверсия типа

проводимости Характерные

зависимости |ЯН| в облученных

протонами и быстрыми нейтронами

кристаллах 1пР приведены на рис 1,2

Установлено, что скорости

Рис 1 Изменение постоянной Холла Щн\ в 1пР удаления свободных носителей заряда при облучении ионами Н+ (£=5 МэВ)

7=300 К по 1-2\1016 см \ 2-5\1016 см\ (у) при увеличении энергии

3-3x10" см1 ро 4-5\10п см \ 5-К10" см '

6-1-1пР(Ре),Ой=ЗхЮ7 (Ом см)' Сплошные электронов ОТ 1 МэВ до 2,2 МэВ кривые- расчет на основе уравнения электронейтрапьности

1013 Ю14 1015 Ю16 Д см"2

возрастают от (0,14-0,2) см"1 до (0,40,8) см"1 Для образцов р-типа проводимости значения V более чем на порядок превышают соответствующие

значения для п-1пР, при этом облучение

+

ионами Н в (500-1000) раз более эффективно по сравнению с электронным Значение холловской подвижности (//я=|/?н|х0) в

Ю16 10" 1018 10» Рис 2 Дозовые зависимости постоянной сильнооблученных электронами и Холла в п-1пР при облучении быстрыми

нейтронами (£>0,1 МэВ) Г=300 к протонами образцах составляет (300-

1-пв=(2-4)\1016 см \ 2-пв=4ч1017 см3, 2/0 п

3-П(?=7\10'7 см \ 4- П0=(3-3,9)\Ю'8 см1 500) см/В с Показано, что

концентрация центров рассеяния в сильнооблученных электронами образцах достигает ДО/=(1-1,5)х1018 см"3, что соответствует скоростям введения РД (0,10,15) см*1, близким значениям у для свободных носителей заряда

В облученных быстрыми нейтронами образцах 1пР выявлены области

"аномального" уменьшения |ЛИ| с ростом £) (рис 2), по сравнению с |#я|тах, и при £Ы019 см"2 достигнуты значения |/?я|=1,4х104 см3/А с и /зе7х102 Ом см, что обусловлено возникновением "прыжковой" проводимости по локальным состояниям РД Высокая плотность состояний РД в запрещенной зоне 1пР, облученного большими потоками нейтронов (1)=1х1019 см'2), подтверждается измерениями спектров оптического поглощения Величина коэффициента поглощения в таких кристаллах превышает десятки обратных сантиметров при энергиях фотонов 0,1 эВ</1 кЕя, а спектральные зависимости а(Аи) не имеют каких-либо особенностей, обусловленных фотоионизацией глубоких уровней РД, и характерны для неупорядоченных полупроводников

Анализ температурных зависимостей электрофизических параметров облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами образцов 1пР выявил образование в запрещенной зоне уровней РД: Ес-(0,14-0,17) эВ, £>(0,33-0,4) эВ, Е„+0,3 эВ Исследование спектров НЕСГУ показало, что после облучения электронами в запрещенной зоне 1пР обнаруживаются ловушки. Е1 (£с-0,2 эВ), Е2(£с-0,19эВ), ЕЗ (£>0,32 эВ), Е5 (£>0,62 эВ), Е6 (£>0,7 эВ), скорости введения которых составляют (0,02-0,03) см"1 для Е1; 0,005 см'1 для Е2,0,02 см"1 для ЕЗ, 0,04 см"1 для Е5,0,01 см"1 для Е6

Численное описание зависимостей Лд(0) в кристаллах 1пР, облученных

+

электронами и ионами Н , было выполнено с использованием уравнения электронейтральности и спектра уровней РД, основанного на результатах измерений электрофизических свойств, спектров НЕСГУ и литературных данных Модель включала следующие уровни. £>0,09 эВ; £>0,16 эВ, Ес-0,22 эВ, £>0,36 эВ; £>0,7 эВ; ¿>0,82 эВ; £>0,98 эВ, £>1,03 эВ, £>1,23 эВ.

Проведенный анализ (пример расчетных зависимостей #я(£>) в облученных +

ионами Н образцах 1пР приведен на рис 1) показал, что часть основных по концентрации уровней РД донорного типа попадает в область разрешенных энергий зоны проводимости. Такое предположение позволяет объяснить

большую асимметрию в значениях V при облучении п- и р-1пР и описать изменение ЯН(Р) в этих материалах в рамках единого спекгра уровней РД. Более того, малые скорости введения РД, сильная зависимость спектра дефектов от условий облучения и примесного состава материала указывают на то, что большинство наблюдаемых в запрещенной зоне 1пР РД относятся к так называемым вторичным дефектам типа РД - примесь, либо малые кластеры РД.

Отмечено, что "предельное" значение =£„+1,04 эВ в 1пР после облучения близко положению уровня Ферми на поверхности 1пР (£.+(0,9-1,0) эВ) и на границе раздела металлЛпР (£,+(0,95±0,05) эВ) [1], что указывает, на общую природу закрепления уровня Ферми в объемных дефектных кристаллах 1пР и на границах раздела. Это позволяет отождествить положение

Рис. 3. Зависимость барического коэффициента удельного сопротивления (ар) от положения уровня Ферми в запрещенной зоне облученных электронами (2,2 МэВ) (а, в) и ионами Н+(5 МэВ) (б) кристаллов 1лР, СаЭпРг, СаР, гпСеР2. Г=300 К. 1пР (а, б): 1- По=2х1016 см 2- Ио=5х1016 см"3; 3- лв=3х10'7 см"'; 4- ро=1х1018 см\ СаЭпРг (б): 5- по= (1-2)хЮ17 см"\ Кривые на рис. (б)-расчетные зависимости.

ваР (в): 1-по=3,ЗхЮ17 см'; 2- р0 =1,5x10'" см\ гпОеРг (в):3- (2-5)х10'7 (Ом см)'.

0.2 0.4 0.6 0.8 р, отн.ед.

Рцт в облученном 1пР с уровнем зарядовой

? нейтральности, модели которого были

§

X развиты в ряде работ [2-4].

-2

,0 В облученных электронами и

протонами кристаллах 1пР обнаружены области высокой чувствительности (£.<£<£8/2) - арт,и= 3,2x10 4 бар 1 и области низкой чувствительности (Ел,/2>/г>£1) - а^<3х10~5 бар ' электросопротивления к всестороннему сжатию (рис.3). Анализ полученных результатов проводился на основе выражения

. _Гп/кТ { Гр'кТ ^

Р 1+р1пЬ 1+пЫр'

с учетом расчетной зависимости |/?я|Ф) в рамках единой модели уровней РД. Здесь- уп=<1(Ес-Р)(1Р, Ур =<1{Р—Еу )1йР, Р-давление

Полученные данные указывают на то, что РД являются "глубокими" уровнями, в формировании которых участвуют энергетические состояния всей зоны Бриллюэна кристалла, "закрепленными" относительно вершины валентной зоны

Выявлены температурные интервалы восстановления электрофизических свойств в облученных электронами, протонами и нейтронами кристаллах 1пР-(1)-(80-160) °С - отжиг дефектов вакансионного типа; 2-(270-450) °С - наряду с отжигом РД наблюдается формирование вторичных РД - вакансионных кластеров, эффективных центров захвата позитронов, 3-(430-600) °С - отжиг дефектных кластеров Для полного восстановления исходных свойств облученных большими потоками электронов и ионов Н+ кристаллов 1пР необходимы Готж>(500-600) °С, а в облученных нейтронами образцах -7-0^(700-800) °С

В третьей главе изложены результаты исследования электрофизических, оптических и тензоэлектрических свойств в кристаллов ваР (Те, 2п, Сг) п, р, 1-

типа проводимости (ио=3,Зх1017, ро=1,5х1018) см"3 при облучении электронами

+

(£=2,2 МэВ), ионами Н (£=5 МэВ)-(То6,а300 К) и последующем изохронном отжиге. Особое внимание уделено изучению "предельных" электрофизических параметров облученного материала.

Показано, что облучение приводит к увеличению р во всех кристаллах ваР независимо от типа проводимости исходного материала и условий облучения, и при больших £) величина р достигает максимального значения ртаЛ( 1-1,5)х1013 Ом см (при 300К) (рис.4), а уровень Ферми достигает положения £с-£ >0,9 эВ для п-и 1-ОаР и >0,9 эВ для р-ОаР. При дальнейшем облучении уровень Ферми продолжает смещаться к своему "предельному" положению 2 для всех исследованных кристаллов, что подтверждается измерениями

спектров оптического поглощения облученных образцов п, р и ьваР Значение V при электронном облучении (7-8) см'1 для р-ОаР превышает

соответствующую величину для п-СаР

, + (3-5) см", а облучение ионами Н в (200400) раз эффективнее электронного Холловская подвижность свободных носителей заряда (//н=|/гн|ха) в облученных кристаллах ваР уменьшается до значений 10-20) см2/В с при 300 К

Наблюдающиеся на зависимостях р(0) участки "аномального" уменьшения р, по сравнению с уОтаг£1,5хЮ13 Ом см, в

Рис 4 Электрофизические параметры ваР области больших интегральных потоков при облучении электронами (£=2,2 МэВ) (а)

и ионами н+ (£=5МэВ) (б) тиш=зоо к 1,2,6- частиц обусловлены "прыжковой" ОаР(Те), Лй=3,3х1017 см'1, 3,4,7-ОаР(2п),

Ро=1,5хЮ'8 СМ3, 5-1-ОаР(Сг), 2,4- расчетные проводимостью носителей заряда по кривые

локализованным состояниям РД в

запрещенной зоне

Предложен спектр уровней РД, основанный на литературных данных и включающий следующие уровни Ес-0,19 эВ; £с-0,23 эВ, £>0,31 эВ; £с-0,52 эВ, Ес-0,6 эВ, £с-0,68 эВ; £с-0,81 эВ, £с-1,24 эВ; £с-1,74 эВ, который описывает зависимости /?нФ) в облученных кристаллах ваР При этом расчетное значение соответствует -£у+1,1 эВ. Таким образом, уровень Ферми в ваР при облучении смещается вглубь запрещенной зоны в положение /г(„п=£8/2 независимо от предыстории материала и вида облучения Как и в 1пР стабилизация уровня Ферми при облучении ОаР наблюдается вблизи уровня зарядовой нейтральности Ев (£„+1,1 эВ) [4]

Д см"2

10" 10" 1014 10» 10'« А см2

В облученных электронами кристаллах СаР обнаружены области высокой чувствительности электросопротивления (.</г<£^/2) к всестороннему сжатию (Ов)вк«=|-6х 1 0"5| бар 1 и области низкой чувствительностиСЕ^^хЕ^) -«¿<|-1х10"5| бар 1 (рис.3), что имеет место и в 1пР. Таким образом, уровни РД в облученных кристаллах СаР, как и в 1пР, являются "глубокими" состояниями, "закрепленными" относительно потолка валентной зоны.

Экспериментально обнаружена развитая структура кривых а(1гу) и изменение их спектральной формы по мере движения уровня Ферми к РПт в результате облучения электронами (рис.5, 6), что указывает на наличие локальных состояний РД в запрещенной зоне СаР. Выявлен ряд полос оптического поглощения и оценены скорости введения РД, ответственных за эти полосы при электронном облучении: к ита< =(1,0-1,2) эВ - (2-3) см"1; к утси =(1,3-1,5) эВ - (1-2) см"1; ИIV, =(2,1-2,3) эВ - (2-4) см"1. Эти данные показывают, что в СаР при облучении вводятся глубокие уровни, суммарная скорость введения которых составляет (5-9) см"1, что хорошо согласуется с результатами

1.0 1.5 2.0 /¡V, эВ

Рис.5. Спектры оптического поглощения облученного электронами (£=2,2 МэВ) п-СаР(Те). Г„„,= 100К. О, см ': 1-0; 2- КЮ1"; З-ЗхЮ16; 4-5x10'*; 5- 1x10"; 6-2x10"; 7-4x10"; 8- 8x1017; 9- 3x1018.

1.0 1.5 2.0

/IV, эВ

Рис.6. Спектры оптического поглощения облученного электронами (£=2,2 МэВ) р-СаРКп). 7„„,= 100 К. О, см"2: 1-0, 1х1016; 2- ЗхЮ16; 3- 5х10'6; 4- 1\1017; 5-2x10"; 6-4x10"; 7- 8x10"; 8- ЗхЮ18.

исследования электрофизических свойств Показана идентичность спектров a(h v) для всех сильнооблученных образцов GaP, что указывает на достижение уровнем Ферми своего "предельного" положения Fhm.

Определены температурные интервалы восстановления электрофизических (200-450) °С, (300-450) °С, (550-650) °С и оптических (140-180) °С, (230-280) °С, (300-400) °С, (550-650) °С свойств в облученных электронами и ионами Н+ образцах GaP Радиационные дефекты, проявляемые как "ступеньки" поглощения вблизи (1,3-1,4) эВ, (1,7-1,8) эВ, (1,9-2,1) эВ "удерживают" уровень Ферми вблизи Eg/2 в сильнооблученных кристаллах GaP вплоть до Готжа(500-600) °С. Для полного устранения РД в сильнооблученном электронами и ионами Н+ GaP необходимы Тотж> 700 °С

В четвертой главе изложены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических, тензоэлектрических свойств и аннигиляции позитронов в кристаллах CdSnP2 (n<j=(l-2)xl017 см"3) и ZnGeP2 (ро=(5-Ю)хЮ10 см'3) при облучении электронами (£=2,2 МэВ) и ионами Н+ (£=5 МэВ) (ГОЙ1=300К) интегральными потоками частиц до D=lxl019 см 2 и D=l,7xl016 см*2 соответственно, и последующем отжиге. В начале данного раздела рассматриваются исходные электрофизические и оптические свойства кристаллов ZnGeP2 и анализируются имеющиеся литературные данные.

Численный анализ температурных зависимостей проводимости исходных кристаллов p-ZnGeP2, исследованных в работе, а также литературных данных показал, что электрофизические свойства исходного p-ZnGeP2 хорошо описываются с учетом одного акцепторного уровня с глубиной залегания Ev+(0,5-0,6) эВ и концентрацией (4х10п-1х1019) см"3.

Анализ спектральных зависимостей oihV) в исходном материале на основе модели Копылова- Пихтина [5] показал, что характерное для ZnGeP2 "примесное" поглощение в области hv=0,6 эВ связано с электронными переходами валентная зона- глубокий уровень ростового дефекта с оптической

энергией ионизации 0,66 эВ

Показано, что облучение кристаллов СёБпРг и электронами и

ионами Н+ (рис 7) приводит к компенсации исходной проводимости образцов, что обусловлено образованием в запрещенной зоне уровней РД донорного и акцепторного типов, а при больших интегральных потоках частиц параметры СЖпРг достигают "предельных" значений и/пп=2,3х1012 см"3, р&{ 1-2)х104 Ом см и £,„„=£,+0,87 эВ, близкому к £/,„, =£„+1,04 эВ для 1пР В кристаллах гпСеР2 удельное сопротивление возрастает до максимального значения ртах={0,5-1)х1012 Ом см, а уровень Ферми достигает значения £„„„>£„+0,8 эВ, близкому к соответствующей величине £/(Ш в ОаР Характер изменения р(Р), Р(О) и Яц(Р) в образцах CdSпP2 и 2пОеР2 подобен соответствующим кривым для 1пР и ваР (рис 1, 4) При этом положение £/,т в сильнооблученных кристаллах Сс18пР2 и 7.пОеР2 оказывается близким к расчетным значениям уровня зарядовой нейтральности £в=£,+ 0,96 эВ и £в=£,+0,8 эВ материалов соответственно [4]

10"

10«

10» "г

Рис 7 Изменения удельного сопротивления (р) и

постоянной Холла (Дн) в п-СдБпРз и р-гпвеРг при

+

обл\чении электронами (£=2,2МэВ) и ионами Н (£=5МэВ) Г„а„=300 К 1,2,6-электроны, 3,4,5-ионы ЫфхЮ1), 1,2,3-гпСеР2 ДОхЮ"6,4,5,6-Сс15пР2, 2,5-расчетные зависимости

1№>

102

1011 10|„ 10" Ю18 О,см 2

В облученных большими потоками электронов и ионов Н+ кристаллах гпСеР2, как и в случае облученного ОаР, обнаружено "аномальное" уменьшение удельного сопротивления образцов с ростом Б до /2=109 Ом см, что обусловлено "прыжковой" проводимостью по состояниям радиационных дефектов.

Из исследований температурных зависимостей электрофизических параметров облученных образцов выявлены уровни РД в С(18пР2 (£с-0,07 эВ, £,-0,21 эВ, £,-0,5 эВ) и гпСеР2 (£„+1,2 эВ), на основе которых проведено

описание дозовых зависимостей Д£>) и /?#(£)) (рис 7)

Обнаружено, что при облучении р-2пСеР2 электронами наблюдается уменьшение оптического поглощения в области спектра (0,6-1,6) эВ (эффект "просветления") и увеличение поглощения в околокраевой области (рис 8) При этом эффект оптического "просветления" при облучении наблюдается только в определенном интервале потоков электронов

Полученные результаты указывают на то, что оптическое "просветление" кристаллов в "примесной" области спектра при облучении обусловлено заполнением ростового акцепторного центра (N1) и уменьшением интенсивности оптических переходов валентная зона-»!^ по мере смещения уровня Ферми в направление Ее/2 Показана обратимость эффекта оптического "просветления" при последующем отжиге (рис 9)

Обнаружена аналогия в изменении электрических свойств в условиях гидростатического сжатия (яг СО) облученных кристаллов Сс15пР2 - 1пР, гпСеР2 - ваР соответственно В облученных кристаллах п-С68пР2 выявлена высокая

Рис 8 Оптическое поглощение в р-гпСеРг при электронном (£=2,2 МэВ) обл>чении 300 К Длина волны Л, мкм 1-0,69,2-1,06,3-1,6

Т,°С

Рис 9 Изменение коэффициента оптического поглощения в облученном электронами (£=2,2 МэВ, £>=6,3\1018 см2) р-гпОеР2 от температуры изохронного отжига (/1<=10мин) Г„„,=300 К Я, мкм 1-0,69,2-1,06,3-1,6

чувствительность электросопротивления к всестороннему сжатию (^р)шял=2,8х10 4 бар4, близкая к соответствующему значению в 1пР, а в р-гпОеР2 - низкая чувствительность о^(4-5)х10"5 бар"1 (рис 3) и ее независимость о г О, характерная для облученных фосфидов р-типа проводимости.

Выявлены температурные интервалы восстановления исходных электрических и оптических свойств облученных кристаллов СёБпРг - (100150) "С, (200-280) °С, (350-400) °С и гпОеР2 - (130-160) °С, (210-280) °С, (280500) НС, близкие соответствующим интервалам восстановления свойств облученных 1пР и СаР соответственно В облученных электронами образцах

I 20

1 15

1 10

1 05

1 00

Рис 10 Зависимость скорости счета аннигиляционных у-квантов в обл)ченном электронами (£=2,2 МэВ) р-ггЮеРг от температ\ры изохронного (/1(=10мин) отжига 1-£>=1х1018 см2,2-0=1x10" см2

р-Хт\ОеР2 при температурах отжига (100350) °С выявлено образование вакансионных кластеров - эффективных центров захвата позитронов (рис 10), стабильных до Готж>(300-600) °С Для полного отжига РД в облученных большими потоками частиц кристаллах СёБпР2 и 2пСеР2 необходимы температуры Тот.«>(300-450) °С и ГО№к>(500-700) °С соответственно

В заключение сформулированы основные результаты, полученные в диссертации

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1 Определены значения "предельных" электрофизических параметров (при 7=300К) облученных электронами, протонами и нейтронами материалов (1пР -п-тип проводимости, п,1тв(2 5-4)х1012 см"3, 1,04 эВ, Сс15пР2 - п-тип

проводимости, и/щ=2,5х1012 см"3, £,„„=£,,+0,87 эВ, СаР

полуизолятор,

р,„,„=1,5x1013 Ом см, £/,„=£,/2, 2пвеР2 - полуизолятор, ртах=\0'2 Ом см, £,„„=£„/2) и выявлена независимость этих параметров от предыстории

материала и условий облучения Отмечено, что с ростом Ек в ряду СёБпРгТпР-2пОеР2-ОаР наблюдается смещение положения Р1ип из верхней половины запрещенной зоны в сторону середины запрещенной зоны

2. При больших потоках электронов, протонов и нейтронов в 1пР, ваР, гпОеР2 обнаружено "аномальное" уменьшение р с ростом интегрального потока частиц, обусловленное возникновением "прыжковой" проводимости носителей заряда по локализованным состояниям "глубоких" радиационных дефектов, расположенных вблизи высокая плотность которых выявлена также из измерений спектров оптического поглощения облученных материалов.

3 Численный анализ дозовых зависимостей электрофизических параметров, значительная асимметрия скоростей удаления электронов и дырок при облучении кристаллов п- и р-1пР и закрепление уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны указывают на формирование состояний радиационных дефектов донорного типа в области разрешенных энергий зоны проводимости 1пР.

4. Выявленные полосы оптического поглощения (1-1,2) эВ, (1,3-1,5) эВ, (2,12,3) эВ в облученном электронами (£=2,2 МэВ) ваР обусловлены формированием в запрещенной зоне ваР "глубоких" радиационных дефектов с суммарной скоростью введения (5-9) см"1 Идентичность спектров поглощения в образцах п-ОаР(Те), р-ОаР(гп), 1-ОаР(Сг), облученных большими потоками электронов (£>>3х1018 см"2), подтверждает достижение уровнем Ферми своего "предельного" положения Р!т в ваР

5 Предложена модель оптического "просветления" р-ХпСеР2 в области АкЕ8 при облучении, основанная на перезарядке ростового дефекта с энергетическим уровнем вблизи (£„+(0,5-0,6) эВ) за счет смещения уровня Ферми в направлении Ен/2 при облучении Обнаружена обратимость данного эффекта (1) исходный оптический спектр—> "просветление" при облучении-» рост поглощения при дальнейшем облучении; (2) оптическое "просветление"—»восстановление исходного спектра при последующем отжиге

материала Проведенные исследования послужили основой для разработки способа изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (А/С N 1304665)

6 Исследования электрофизических свойств облученных бинарных (1пР, ОаР) и тройных (СёБпРг, 2пОеР2) фосфидов при всестороннем сжатии выявили области высокой чувствительности электросопротивления (3,2х104 бар"1 в 1пР, -6,0x10"^ бар"1 в ОаР, 2,8x10 4 бар"1 в СёЭпРг) в кристаллах п-типа проводимости (Е,>Е>ЕХ!2) и низкой чувствительности электросопротивления (менее Зх 10"5 бар 1 в 1пР, около -1х10"5 бар"1 в ОаР, (4-5)х105 бар"1 в гпОеР2) в кристаллах р-типа проводимости (Е^2>Р>ЕУ) к давлению Показано, что в условиях всестороннего сжатия уровни радиационных дефектов в исследованных материалах "следят" за положением {=<ЕС>12) и " закреплены" относительно потолка валентной зоны Результаты исследований послужили основой для разработки способа изготовления датчика давления на основе облученного 1пР (А/С N 1127467).

7 Для полного восстановления электрических и оптических свойств облученных большими интегральными потоками электронов и протонов кристаллов необходимы Тотж>(500-600) °С для 1пР-Сё8пР2 и Тотж>(600-700) °С для ОаР^пОеР2 Из исследования угловых кривых аннигиляционных ^квантов показано, что при нагреве облученных 1пР и 2,пСеР2 в интервале температур (100-450) "С происходит формирование кластеров радиационных дефектов вакансионного типа- эффективных центров захвата позитронов, стабильных до

«>(300-600) °С

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1 Брудный В Н, Колин Н Г, Меркурисов Д И, Новиков В.А. Электрофизические и оптические свойства 1пР, облученного большими интегральными потоками нейтронов// Физика и Техника Полупроводников. -2005 -Т 39, В 5 -С. 528-534

2 Брудный В H, Новиков В.А. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP // Материалы восьмой Российской конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V». - Томск, 1-4 октября 2002 -Томск Томский госуниверситет, 2002. - С 241-243

3 Брудный В.Н, Новиков В.А. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP //Известия вузов. Физика -1998 -Т 41, №6 - С 124-126

4 Новиков В.А. Электрические, оптические свойства и стабилизация уровня

+

Ферми в кристаллах GaP, облученных электронами и ионами H // Известия вузов Физика - 1994 - Т 37, №12 - С 37-42.

5 Brudnyi V N , Kolin N G , Novikov V.A., Transmutation doping and fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP// Physica Status Sohdi (a) - 1992 - V 132, №1 - P 35-42

6 Брудный B.H, Новиков B.A. Электрические свойства облученного ионами

Н+p-ZnGeP2//Известия вузов Физика.-1991 -Т34,№10 - С 91-93.

7 Брудный В H, Дробот П.Н , Новиков В.А. Исследование радиационных

дефектов в облученных ионами H фосфидах InP, CdSnP2// Известия вузов Физика - Томск, 1987 -Деп в ВИНИТИ N6854 - В87 -24С

8 А/С 1304665(СССР) Способ изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (доп к А/С 1032937)/ Брудный В H , Новиков В.А. - 1986

9 Брудный В.Н., Новиков В.А., Попова Е.А Электрические и оптические свойства ZnGeP2, облученного электронами// Известия вузов Физика -1986 - Т 29, №8 - С 122-130

10 Brudnyi V.N., Charchenko V A., Kolin N G , Novikov V.A., Pogrebnyak A D , and Ruzimov Sh M Electrical properties and positron annihilation m neutron-irradiated n-InP// Physica Status Solidi (a). - 1986 - V 93, №1 - P 195-200

11 Брудный В H , Новиков В.А. "Предельные" электрические параметры GaP, облученного электронами// Физика и Техника Полупроводников - 1985 -Т 19, №4 - С 747-749

12 Brudnyi V N, Pogrebnyak A D, Novikov V.A., Surov Yu P Positron annihilation m electron irradiated p-ZnGeP2 compounds// Physica Status Sohdi (a) - 1984 - V 83, №1 - К 35-K38

13 Брудный B.H , Новиков В.А. О "предельных" электрических параметрах облученного InP// Физика и Техника Полупроводников - 1982 - Т 16, №10-С 1880-1882

14 А/С 1127467(СССР) Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления/ Брудный В H , Гаман В И., Новиков В.А. - 1984

Список цитируемой литературы

1 Sugamo Т InP MISFETS technology// Symp.Defects and Quai Semicond , Tokyo, 1984/ Ed by Chikawa J, Summo K, and Wada К - KTK Sci Publishers, Tokio, 1987 - ISBN 90 - 277 - 2352- 4JP - P. 99-110

2. Tersoff J Recent models of Schottky barrier formation// J Vac.Sci Techn В -1985 - V3, №4 -P. 1157-1161

3 Brudnyi V N , Grinyaev S N , Stepanov V E. Local neutrality conception Fermi level pinning in defective semiconductors// Physica В Condens Matter - 1995 - V212 -P 429-435

4 Брудный В H Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава - Томск, 1993 - 40с (Автореферат докт дисс )

5 Копылов А А, Пихтин А H Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в фосфиде галлия)// Физика и Техника Полупроводников -1974 - Т 8, №12 - С 2398-2404

Подписано в печать 05 10.2007 г Формат 60\84/16. Бумага офсетная Печать плоская. Усл. печ л 1,0. Уч-изд 1,1 Тираж 100 экземпляров Отпечатано ООО "СПБ Графике". Заказ № 55 Адрес 634034, г. Томск, >л Усова, 4а-150, т (38-22)224-789

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА СЛОЖНЫХ ФОСФИДОВ ГРУПП III-V (InP, GaP) ИII-IV-V2 (CdSnP2, ZnGeP2) (Литературный обзор).

1.1. Фосфид индия (InP).

1.1.1. Электрофизические свойства.

1.1.2. Уровни радиационных дефектов.

1.1.3. Оптические свойства

1.1.4. Термическая стабильность радиационных дефектов.

1.2. Фосфид галлия (GaP)

1.2.1. Электрофизические свойства.

1.2.2. Уровни радиационных дефектов.

1.2.3. Оптические свойства.

1.2.4. Термическая стабильность радиационных дефектов.

1.3. Дифосфиды: кадмий-олова (CdSnP2) и цинка германия (ZnGeP2).

1.4. В ы в о д ы.

ГЛАВА 2. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ФОСФИДЕ ИНДИЯ (InP).

2.1. Электрофизические свойства облученного InP.

2.1.1. Электроны.

2.1.2. Ионы Н+.

2.1.3. Быстрые нейтроны.

2.1.4. Температурные зависимости электрофизических свойств и спектры НЕСГУ.

2.1.5. Анализ дозовых зависимостей постоянной Холла.

2.2. Радиационные дефекты в InP в условиях гидростатического сжатия.

2.3. Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами InP.

2.4. Термическая стабильность радиационных дефектов

2.5. Выводы.

ГЛАВА 3. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ (GaP)

3.1. Электрофизические свойства GaP, облученного частицами высоких энергий

3.1.1. Электроны.

3.1.2. Ионы Н+.

3.1.3. Дозовые зависимости электрофизических свойств GaP.

3.2. Радиационные дефекты в GaP в условиях гидростатического сжатия.

3.3. Термическая стабильность радиационных дефектов

3.4. Оптические свойства облученного электронами GaP

3.4.1. Спектры оптического поглощения GaP.

3.4.2. Восстановление спектров поглощения при изохронном отжиге.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИФОСФИДЕ КАДМИЯ

ОЛОВА (CdSnP2) И ДИФОСФИДЕ ЦИНКА ГЕРМАНИЯ (ZnGeP2).

4.1. Электрические и оптические свойства исходных кристаллов ZnGeP2.

4.1.1. Электрические свойства.

4.1.2. Оптические свойства

4.2. Свойства CdSnP2 и ZnGeP2, облученных электронами и ионами Н+.

4.2.1. Электрофизические свойства.

4.2.2. Температурные и дозовые зависимости электрофизических свойств облученных CdSnP2 и ZnGeP2.

4.2.3. Оптические свойства облученного электронами ZnGeP

4.2.4. Аннигиляция позитронов в облученном электронами ZnGeP2.

4.3. Радиационные дефекты в CdSnP2 и ZnGeP2 в условиях гидростатического сжатия

4.4. Термическая стабильность радиационных дефектов в CdSnP2 и ZnGeP

4.6. Выводы.

Актуальность работы. Полупроводниковые фосфиды группы III-V (InP,GaP) находят широкое применение в производстве приборов различного назначения: в СВЧ-технике, в производстве приборов оптоэлектроники (фотодиоды, фотокатоды, светодиоды, элементы интегральной оптики) [1]. Их прямые изоэлектронные тройные аналоги группы II-IV-V2 (CdSnP2, ZnGeP2) также относятся к перспективным материалам опто- и микроэлектроники. Так, CdSnP2 может найти применение в производстве приборов СВЧ-техники и ОКГ, a ZnGeP2, в силу характерной для него анизотропии оптических свойств, применяется в нелинейной оптике в качестве материала для изготовления параметрических преобразователей и смесителей оптического излучения ИК-диапазона [2,3]. Использование полупроводников для производства приборов предъявляет особые требования к структурному совершенству материала и отсутствию в полупроводнике собственных дефектов решетки (СДР). Для сложных соединений, вследствие отклонения их состава от стехиометрического при выращивании, характерно наличие высокой концентраций СДР, которые значительно влияют на свойства материалов, а в случае тройных соединений группы II-IV-V2 зачастую и определяют параметры кристаллов. Поэтому исследование влияния СДР на свойства материалов является одним из важнейших направлений материаловедения полупроводников.

Бомбардировка полупроводников высокоэнергетическими частицами наиболее простой и эффективный метод формирования СДР с целью их последующего исследования. Это также открывает возможности управления важнейшими параметрами материалов - концентрацией и подвижностью свободных носителей заряда, удельным электросопротивлением и типом проводимости, оптической прозрачностью и т.д., что широко используется в радиационной технологии, включая ионное и трансмутационное легирование, применение которых невозможно без знания физической природы радиационных дефектов и их влияния на свойства материалов. Широкое использование полупроводниковых материалов и приборов на их основе в условиях высокоэнергетичеких воздействий предъявляет особые требования к их радиационной устойчивости, что также является предметом самостоятельных исследований.

Выбор "родственных" полупроводников и их облучение высокоэнергетическими частицами в идентичных условиях позволяют проанализировать общие закономерности радиационного модифицирования группы "родственных" материалов и прогнозировать характер изменения параметров тройных соединений на основе исследований их более простых бинарных аналогов.

К началу выполнения данной работы (1981 г.) исследования радиационных дефектов (РД) в InP и GaP насчитывали несколько десятков публикаций. Что касается тройных фосфидов CdSnP2 и ZnGeP2, то данные по РД в них были крайне ограничены и получены преимущественно в отделе физики полупроводников СФТИ им. В.Д. Кузнецова (г. Томск). В последние годы достигнут определенный успех в изучении РД в полупроводниках. Это обусловлено, в первую очередь, применением дополнительных к традиционным методам (эффект Холла, исследования электропроводности, оптической прозрачности и фотопроводимости) методик, таких как нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (НЕСГУ), методов электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и аннигиляции позитронов. Однако, существенное влияние примесного состава и типа исходного материала, а также условий облучения (тип высокоэнергетических частиц, их энергия и температура облучения) на процессы дефектообразования приводят к значительным различиям результатов исследований разных авторов как по спектру уровней РД, так и по параметрам облученных материалов. При этом выполненные работы относились к условиям невысоких доз облучения, когда плотность РД была сравнима с уровнем легирования материала примесями. Отсутствовали экспериментальные данные по "предельным" характеристикам InP, GaP, CdSnP2 и ZnGeP2, облученных высокими интегральными потоками частиц, когда свойства материала полностью определяются РД. Все это затрудняет понимание природы РД и их влияния на свойства полупроводников. Имеющиеся данные не позволяют объяснить наблюдаемые экспериментально изменения электрофизических и оптических свойств этих материалов при облучении, и проблема изучения РД в данных соединениях остается актуальной.

Объект и методы исследований. Объектом исследований являются объемные кристаллы InP и GaP n, р, i- типа проводимости, выращенные методом Чохральского, n-CdSnP2 и p-ZnGeP2, выращенные методом Бриджмена, облученные электронами интегральными потоками до 1019 см'2, ионами Н - до 1,7х1016 см"2 и быстрыми нейтронами - до 1019 см"2. В качестве методов исследования использовались: измерение электрофизических свойств и спектров оптического пропускания; метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ); измерение удельного сопротивления образцов при всестороннем сжатии; измерение углового распределения аннигиляционных гамма - квантов; изохронный отжиг.

Научная новизна работы.

• Оценены "предельные" электрофизические параметры и "предельное" положение уровня Ферми FUm в облученных InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2.

• Выявлено подобие в изменении электрофизических свойств бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) аналогов при высокоэнергетическом радиационном воздействии и последующем изохронном отжиге.

• Показано, что асимметрия в скоростях удаления свободных носителей заряда в п- и р-InP и "закрепление" уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны при облучении обусловлены образованием состояний радиационных дефектов в области разрешенных энергий зоны проводимости InP.

• Из измерения спектров оптического поглощения выявлена высокая скорость образования "глубоких" радиационных дефектов в запрещенной зоне облученного GaP.

• Предложена модель оптического "просветления" кристаллов p-ZnGeP2 при облучении и последующем отжиге.

• Установлены области высокой и низкой чувствительности электросопротивления к всестороннему сжатию в облученных соединениях InP, GaP, CdSnP2 и ZnGeP2.

• Определены температурные интервалы восстановления параметров сильнооблученных электронами, протонами и нейтронами InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 и обнаружено образование вакансионных кластеров при отжиге облученных InP и ZnGeP2.

Практическая значимость работы. Результаты, использованные при написании диссертации, получены при выполнении г/б НИР по заказ-нарядам Минобразования РФ, хоздоговоров с предприятиями Минхимпрома (ГНЦ РФ "ФНИФХИ им. Л.Я. Карпова", г. Обнинск), грантов Министерства образования РФ (Фундаментальные исследования в области ядерной техники и физики пучков ионизирующих излучений "Ионные пучки и научно-технологические основы их применения", 1994-1995, 1996-1997 гг.), программы "Университеты России" (19951996 гг.), программы МНТЦ (проект №1630 "Высокостабильные радиационно-стойкие полупроводники", 2003-2005 гг.).

Совокупность экспериментальных данных позволяют прогнозировать и целенаправленно изменять тип проводимости, номинал удельного сопротивления, оптическую прозрачность, чувствительность к давлению InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 путем высокоэнергетического облучения и последующего отжига, что может найти применение в радиационной технологии и оценках радиационной устойчивости данных соединений.

Исследование электрофизических свойств облученного InP в условиях гидростатического сжатия показало, что кристаллы с "предельными" электрофизическими параметрами (n-тип проводимости, F/imxEc-0,31эВ) обладают высокой чувствительностью к давлению и не изменяют своих свойств при последующем облучении. Это позволило предложить техническое решение на способ изготовления полупроводникового датчика давления на основе облученного InP (А/С N 1127467(СССР).-1984).

Показано, что оптическое "просветление" кристаллов p-ZnGeP2 при облучении в области "примесного" поглощения обусловлено перезарядкой глубокого исходного дефекта решетки. Определен оптимальный интервал потоков частиц и температур отжига, при которых этот эффект имеет максимальное значение, что позволяет целенаправленно изменять оптическую прозрачность кристаллов ZnGeP2 в области "примесного" поглощения. По результатам исследования предложено техническое решение на способ оптического "просветления" кристаллов ZnGeP2 (А/С № 1304665(СССР), (доп. к А/С 1032937).-1986).

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Значения "предельных" электрофизических параметров пцт, рПт и положение уровня Ферми Film в облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами соединениях InP, GaP, CdSnP2, ZnGeP2 не зависят от предыстории материала и условий облучения. Смещение Fnm из верхней половины запрещенной зоны для InP, CdSnP2 в середину запрещенной зоны для GaP, ZnGeP2 обусловлены особенностями электронных спектров данных соединений.

2. Модель оптического "просветления" кристаллов p-ZnGeP2 в "примесной" области спектра при высокоэнергетическом облучении и последующем изохронном отжиге, основанная на перезарядке основного по концентрации ростового дефекта материала(£'у+(0,5-0,6) эВ), за счет движения -уровня Ферми при введении радиационных дефектов и их отжиге.

3. Высокая чувствительность электросопротивления к всестороннему сжатию (0,6-3,2)х10"4 бар'1 облученных фосфидов с уровнем Ферми, расположенным в области (Ec>F>Eg/2), и низкая - (0,1-0,4)х10"4 бар'1 в области (ES/2>F>EV) в данных материалах обусловлены "закреплением" энергетических уровней локализованных состояний радиационных дефектов относительно потолка валентной зоны.

4. Температурные интервалы восстановления электрофизических и оптических свойств сильнооблученных электронами и протонами кристаллов InP, CdSnP2 - до (500-600) °С и GaP, ZnGeP2 - до (600-700) °С при изохронном отжиге и эффект кластеризации радиационных дефектов при температурах (100-450)°С в InP и ZnGeP2.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы доложены на 34 Всесоюзном Совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (Алма-Ата, 1984 г.), IX и XII Республиканских семинарах по "Радиационной физике твердого тела" (Киев, 1983, 1986 гг.), XI, XII, XIII, XIV Всесоюзных семинарах по "Радиационной физике полупроводников" (Новосибирск, 1984, 1985, 1987, 1989, 1991 гг.), Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 1998 г.), восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (Томск, 2002 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 статей в центральной и зарубежной печати, 2 тезисов докладов и 1 труды на научных конференциях, 2 отчета по НИР, получено 2 авторских свидетельства на изобретения.

Личный вклад автора. Диссертационная работа является результатом многолетних исследований автора, проводившихся совместно с сотрудниками отдела полупроводников ОСП "СФТИ Томского государственного университета". Участие в работе сотрудников отражено в совместных публикациях, докладах и научно-технических отчетах. Автором совместно с научным руководителем обсуждались цели работы и пути их достижения. Личный вклад автора включает выбор методов решения задач, подготовку образцов, их измерение, проведение численных расчетов, анализ и интерпретацию полученных данных. Автору принадлежит существенная часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, которые касаются анализа и выводов.

Автор благодарит научного руководителя и соавторов за помощь в исследованиях, а также коллективы: ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе (г. С-Петербург) за предоставление образцов ZnGeP2 и CdSnP2 для исследований, ИФ НАН Украины (г. Киев) за предоставление возможности облучения образцов большими интегральными потоками электронов, Филиал ФГУП "ФНИФХИ им. Л.Я. Карпова" (г. Обнинск) за облучение образцов электронами и нейтронами и других.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Объем работы составляет 135 страниц машинописного текста, включая 45 рисунков и список литературы из 175 наименований.

6. Результаты исследования электрофизических свойств облученных бинарных

InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) фосфидов при всестороннем сжатии в зависимости от положения уровня Ферми в запрещенной зоне кристаллов выявили области высокой чувствительности электросопротивления (3,2x10'4 бар'1 в InP, -6,0х10'5 бар'1 в GaP, 2,8х10'4 бар"1 в CdSnP2) в кристаллах n-типа проводимости {E^>F>E^2) и низкой чувствительности электросопротивления (менее ЗхЮ"5 бар"1 в InP, около -1x10"5 бар'1 в GaP, (4-5)хЮ'5 бар'1 в ZnGeP2) для образцов р-типа проводимости (Eg/2>F>EV) к давлению. Показано, что в условиях всестороннего сжатия уровни РД в исследованных материалах "следят" за положением Flim (=<Ес>/2) и "закреплены" относительно потолка валентной зоны. Результаты исследований послужили основой для разработки способа изготовления датчика давления на основе облученного InP (А/С N 1127467).

7. Для полного восстановления электрических и оптических свойств облученных большими интегральными потоками электронов и протонов кристаллов необходимы roOT.^>(500-600) °С для InP-CdSnP2 и Гоше>(600-700) °С для GaP-ZnGeP2. Из исследования угловых кривых аннигиляционных ^-квантов показано, что при нагреве облученных InP и ZnGeP2 в интервале температур (100-450) °С происходит формирование кластеров радиационных дефектов вакансионного типа-эффективных центров захвата позитронов, стабильных до Тотж>(300-600) °С.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе проведены исследования радиационных эффектов (электрофизические свойства, оптические свойства, тензоэлектрические свойства, аннигиляция позитронов, восстановление исходных свойств при отжиге) в кристаллах бинарных (InP, GaP) фосфидов и их тройных аналогов (CdSnP2, ZnGeP2) при идентичных условиях облучения электронами, протонами, нейтронами и последующем отжиге. Особое внимание уделено определению "предельных" электрофизических параметров облученных материалов, выявлению соответствия между изменением свойств бинарных и тройных аналогов при облучении, изучению ростовых дефектов в тройных полупроводниках, исследованию термической стабильности РД в сильнооблученных материалах, выявлению возможности применения методов радиационных технологий для улучшения параметров материалов и структур на их основе. Совокупность полученных данных позволяет сформулировать основные выводы работы следующим образом.

1. Из исследования электрофизических свойств бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидов при облучении большими интегральными потоками электронов, протонов и нейтронов определены значения "предельных" электрофизических параметров облученных материалов при Г=300К (InP - n-тип проводимости, п/;т=(2.5-4)х1012 см'3; F//m^£'v+l,04 эВ; CdSnP2 - п-тип проводимости, я//ет^2,5х1012 см"3; Fnm^Ev+0,87эВ; GaP - полуизолятор,

13 12 ртах= 1,5x10 Ом см, Fiin^Eg/2; ZnGeP2 - полуизолятор, ртах= Ю Ом см; Ftm=Egl2). Выявлена независимость этих параметров от предыстории материала и условий облучения. Это указывает на то, что значение Fum является фундаментальным параметром самого материала, а не спектра вводимых при облучении дефектов. Отмечено, что с ростом Eg в ряду бинарных и тройных CdSnP2-InP-ZnGeP2-GaP фосфидов наблюдается смещение положения Flim из верхней половины запрещенной зоны в сторону середины запрещенной зоны.

2. При больших потоках электронов, ионов Н+ и нейтронов в InP, GaP, ZnGeP2 обнаружено "аномальное" уменьшение р с ростом интегрального потока частиц по сравнению со значениями ртах обусловленное возникновением "прыжковой" проводимости носителей заряда по локализованным состояниям "глубоких" РД, высокая плотность которых выявлена также из измерений спектров оптического поглощения облученных материалов.

3. Численный анализ дозовых зависимостей электрофизических параметров, значительная асимметрия скоростей удаления электронов и дырок при облучении кристаллов п- и р-InP и закрепление уровня Ферми в верхней половине запрещенной зоны указывают на формирование состояний РД донорного типа в области разрешенных энергий зоны проводимости InP.

4. Спектры оптического поглощения в "примесной" области в облученном электронами (Е=2,2 МэВ) GaP и изменения их формы при облучении и отжиге, а также выявленные полосы оптического поглощения в области (1-1,2) эВ, (1,31,5) эВ, (2,1-2,3) эВ обусловлены формированием в запрещенной зоне GaP "глубоких" РД с суммарной скоростью введения (5-9) см'1 и процессами перезарядки обнаруженных РД при движении уровня Ферми в результате облучения и последующего отжига. Идентичность спектров поглощения в образцах n-GaP(Te), p-GaP(Zn), i-GaP(Cr), облученных большими потоками электронов (D>

1 О Л

3x10 см"), подтверждает достижение уровнем Ферми своего "предельного" положения Fiim в GaP.

5. Установлено, что основным по концентрации ростовым дефектом, определяющим исходные электрофизические и оптические свойства p-ZnGeP2 в "примесной" области спектра является состояние с энергетическим уровнем вблизи (£„+(0,5-0,6)эВ). Предложена модель оптического "просветления" p-ZnGeP2 в области hv<Eg при облучении, основанная на перезарядке данного ростового дефекта за счет движения уровня Ферми в направлении E^J2 при облучении. Обнаружена обратимость данного эффекта: (1) исходный оптический спектр-» оптическое "просветление"-> рост а в области hv<Eg при облучении; (2)оптическое "просветление"—^восстановление исходного спектра a(hv) при последующем отжиге облученного материала. Проведенные исследования послужили основой для разработки способа изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (А/С N 1304665).

1. Bachmann К .J. Properties, preparation, and device applications of indium phosphide// Annu.Rev.Mater.Sci.Vol.il. Palo Alto, Calif., 1981. - P. 441-484.

2. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Перспективы практического применения полупроводников А2В4С52// Физика и техника полупроводников. 1978. -Т. 12,1. B.2. С. 209-233.

3. Андреева Н.П., Андреев С.А., Матвеев И.Н., Пшеничников С.М., Устинов Н.Д. Параметрическое преобразование излучения ПК-диапазона в цинк-германиевом дифосфиде// Квантовая электроника. 1979. - Т.6, N2. - С. 357-359.

4. Donnelly J.P. and Hurwitz. Proton bombardment in InP// Solid State Electronics. -1977.- V.20.N8.-P. 727-730.

5. Брайловский Е.Ю., Долголенко А.П., Карапетян Ф.К. Радиационные дефекты в кристаллах n-InP, облученных высокоэнергетическими протонами. Киев, 1982.

6. C. 4-8. (Препринт/ Институт ядерн. исслед. АН УССР; N14).

7. Thompson Р.Е., Binari S.C. and Dietrich H.B. Damaged-induced isolation in n-type InP by light-ion implantation// Solid State Electronics. 1983. - V.26, N8,- P. 805-810.

8. Loualiche S., Rojo P., Guillot G., Nouailhat A. Etude des centres a electrons crees par irradiation de proton dans InP:n// Rev.Phys.Appl. 1984. - V. 19, N3. - P. 241-244.

9. Aukerman L.W. Radiation effects// Semiconductor and semimetals/ Ed.by R.K.Willardson and A.C.Bear.-N-Y:Academic Press, 1968. V.4. - P. 343-409.

10. Aukerman L.W. Radiation-produced energy levels in compouns semiconductors// J. Appl.Phys. 1959. - V.30, N8. - P. 1239-1243.

11. Goltzene A., Meyer В., Schwab C. Fast neutron-induced defects in undoped and iron-doped indium phosphide// J.Appl.Phys. 1987. - V.62, N11. - P. 4406-4412.

12. Kekelidze N.P. and Kekelidze G.P. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions// Rad. effects in semicond., Dubrovnik, 1976. Bristol-London: Inst. phys. conf. ser. N31, 1977. - P. 387-394.

13. Leloup J., Djerassi H., Albany H.J. Electrical properties and energy levels in electron-irradiated n-type InP// Lattice defects semicond., Freiburg, 1974. Bristol-London: Inst.phys.conf.ser.N23, 1975. - P. 367-372.

14. Leloup J., Derdouri M. and Djerassi H. Room-temperature electron irradiation of n-type InP// Rad.effects in semicond.,Dubrovnic, 1976. Bristol-London: Inst.phys.conf.ser. N31,1977. - P. 372-378.

15. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A. and Tsoi A.A. Positron annihilation and Hall effect in electron irradiated n-InP crystals // Appl.Phys.A. 1982. - V.29, N4. - P. 219-223.

16. Brailovskii E.Yu., Karapetyan F.K., Megela I.G., Tartachnik V.P. Radiation defects in electron-irradiated InP crystals// Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.71, N2. - P. 563-568.

17. Кирсон Я.Э., Клотыньш Э.Э., Улманис У.А. Энергетический спектр и предельное значение электропроводности при облучении InP электронами// Изв.АН ЛатвССР, Сер. физ. и техн. н. 1990. -N1. - С. 14-18.

18. Levinson М., Benton J.L., Temkin Н., Kimerling L.C. Defect states in electron bombarded n-InP// Appl.Phys.Lett. 1982. - V.40, N11. - P. 990-992.

19. Tapster P.R., Dean P.J., Skolnick M.S. Deep levels introduced by electron irradiation of InP//J.Phys.C .-Solid State Phys. 1982. - V.15, N28. - P. L1007-L1012.

20. Suski J., Bourgoin J.C., Lim H. Defects induced by electron irradiation in InP//J.Appl.Phys. 1983. - V.54, N5. - P. 2852-2854.

21. Tapster P.R. A DLTS study of electron irradiated InP// J.Ciyst.Growth. 1983. -V.64, Nl.-P. 200-205.

22. Sibille A., Bourgoin J.C. Electron irradiation induced deep levels in n-InP //Appl.Phys.Lett. 1982. - V.41, N10. - P. 956-958.

23. Sibille A., Rao E.V.K. Electron irradiation defects in InP// J.Cryst.Growth. 1983. -V.64, N1. - P. 194-199.

24. Suski J., Sibille A., Bourgoin J. Defects in low temperature electron irradiated InP// Solis State Commun. 1984. - V.49, N9. - P. 875-878.

25. Sibille A., Suski J., LeRoux G. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced defects in InP //Phys. Rev. B. :Condens. Matter. 1984. -V.30, N2.-P. 1119-1121.

26. Massarani В., Bourgoin J.C. Threshold energy for atomic displacement in InP//Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1986. - V.34, N4. - P. 2470-2474.

27. Sibille A., Suski J. Defect reactions on the phosphorus subluttice in low-temperature electron-irradiated InP// Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1985. - V.31, N8. - P. 55515553.

28. Sibille A. Origin of the maain deep electron trap in electron irradiated InP// Appl.Phys.Lett. 1986. - V.48, N9. - P. 593-595.

29. Sibille A., Suski J., Gilleron M. A model of deep centers formation and reactions in electron irradiated InP// J.Appl.Phys. 1986. - V.60, N2. - P. 595-601.

30. Sibille A. Electric field dependence of local-defect reactions in semiconductors// Phys.Rev.Lett. 1996.-V.56, N5. - P. 476-479.

31. Bretagnon Т., Bastide G., Rouzeyre M. Hole-capture properties of the electron-irradiation-induced deep level H5 in p-type InP: a charge-controlled bistable model// Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1989. - V.40, N6. - P. 3749-3755.

32. Benton J.L., Levinson M., Macrander A.T., Temkin H.,Kimerling L.C. Recombination enchanced defect annealimg in n-Inp// Appl.Phys.Lett. 1984. - V.45, N5.-P. 566-568.

33. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Impurity (Si) concentration effects on radiation-induced deep traps in n-InP// J.Appl.Phys. 1984. - V.55, N12. - P. 4444-4446.

34. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Thermal transformation of the electron-irradiation-induced defect H4 in p-type InP // Mater.Sci.Forum. 1986. - V.10-12, N3.-P. 1033-1038.

35. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Annealing study of the electron-irradiation-induced defects H4 and Ell in InP:defect transformation (H4-E11)-->H47/ Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1990 - V.41, N2. - P. 1028-1037.

36. Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of defects in electron-irradiated InP:Fe // Defects and radiat. eff. semicond.,Oiso, 1980. Bristol-London, 1981. - P. 257-262.

37. Brailovskii E.Yu., Megela I.G., Pambuchchyan N.M. EPR study of electron-irradiated InP:Fe // Phys.stat.sol. (a). 1982. - V.72,N1. - P. K109-K111.

38. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance identification of the phosphorus antisite in electron-irradiated InP // Appl.Phys.Lett. 1984. - V.44, N11. -P. 1089-1091.

39. Kana-ah A., Deiri M., Cavenett B.C., Wilsey N.D., Kennedy T.A. Anti-site centres in e-irradiated InP:Zn//J.Phys.C.: Sol.St.Phys. 1985. - V.18, N20. - P. L619-L623.

40. Cavenett B.C., Kana-ah A., Deiri M., Kennedy T.A., Wilsey N.D., On the prospect of as-grown semi-insulating InP: ODMR of the Pin antisite // J.Phys.C. :Sol.State Phys. -1985.-V.18, N16.-P. 473-476.

41. Jeon D.Y., Gislason H.P., Donegan J.F., Watkins G.D. Determination of the PIn antisite structure in InP by optically detected electron-nuclear double resonance // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1987. - V.36, N2. - P. 1324-1327.

42. Gislason H.P., Rong F., Watkins G.D. Different configurations of the Pin antisite in n-and p-type InP// Acta phys.pol.A. 1990. - V.77, N1. - P. 59-62.

43. Von Bardeleben H.J. Identification of the phosphor vacancy defect in electron irradiated p-type InP// Sol.State Commun. 1986. - V.57, N2. - P. 137-139.

44. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Образование электронных ловушек в n-InP при облучении у-квантами // Физика и техника полупроводников. 1987. -Т.21, В.6. - С. 1075-1078.

45. Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP single crystals and solar cells //J.Appl.Phys. 1984.- V.55, N6, Pt.l.-P. 1429-1436.

46. Koyama J., Shirafuji J., Inuishi Y. Annealing behaviour of gamma-ray induced electron traps in LEC n-InP//Electron. Lett. 1983. - V. 19, N16. - P. 609-611.

47. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Nonradiative recombination-enchanced defect-structure transformation in low-temperature y-ray-irradiated InP //

48. Phys.Rev.B.'.Condens.Matter. 1986. - V.34, N4. - P. 3041-3044.

49. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз С.Е. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении // Физика и техника полупроводников, 1988.-Т.22,N7.-С. 1311-1313.

50. Кекелидзе Н.П., Кекелидзе Г.П., Ерицян Г.Н., Овчаренко К.О., Гогашвили Т.М., Мелконян Р.А., Григорян Н.Е. Оптическое поглощение в кристаллах фосфида индия, облученных быстрыми электронами// Изв. АН АрмССР, Физика. 1975. -Т.10, N4. - С. 300-304.

51. Брайловский Е.Ю., Григорян Н.Е., Ерицян Г.Н. Околокраевое поглощение в кристаллах InP, облученных электронами //Физика и техника полупроводников. 1981. - Т.15, N3. - С. 591-593.

52. Brailovski E.Yu., Eritsyan G.N., Grigoryan N.E. Optical absorption in InP crystals with point radiation defects// Phys.stat.sol.(a). 1983. - V.78, N2. - P. К113-K115.

53. Григорян Н.Е. Исследование оптических свойств широкозонных соединений А3В5, облученных быстрыми электронами. Аштарак, 1982.16С.(Автореф.канд.Дисс.).

54. Bayaa D., Bastide G., Rouzeyre М., Sibille A. Optical properties of electron irradiation induced defects in InP// Solid State Commun. 1984. - V.51, N6. - P. 359363.

55. Bastide G., Bayaa D., Rouzeyre M. Lattice coupling strength of electron-induced-irradiated defects in InP// Solid State Commun. 1986. - V.51, N6. - P. 431-435.

56. Leonberger F.J., Walpole J.N., and Donnelly J.P. Optical properties of proton bombarded InP and GalnAsP// IEEE Journ. of Quantum Electron. 1981. - V.QE-17, N6. - P. 830-832.

57. Morrison S.R., Newman R.C., Thompson F. A radiation damage centre in gallium phosphide containing boron// J.Phys.C.:Sol.State Phys. 1972. - V.5, N6. - P. L46-L49.

58. Woodhead J., Newman R.C. Radiation induced interstitial boron defects in gallium phosphide and gallium arsenide // J.Phys.C.: Sol.State Phys. 1981. - V.14, N11. - P. L345-L348.

59. Lang D.V. Rewiew of radiation-induced defects in III-V compounds.//Rad.Eff.

60. Semicond., Dubrovnik, 1976. Bristol-London, 1977. - P. 70-94.

61. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defects annealing in GaP// Appl.Phys.Lett. 1976. - V.28, N5. - P. 248-250.

62. Tokuda Yutaka, Oda Masatoshi, Usami Akira. Electrical properties of electron-damaged and annealed n-type GaP// Proc. 12th Int. Symp. Space Technol.and Sci., Tokio, 1977. Tokio, 1977. - P. 203-210.

63. Tokuda Yutaka, Oda Masatoshi. Electrical properties of 1.7 MeV electron-irradiated sulfur-doped GaP// IEEE Trans, on Nucl.Sci. 1978. - V.NS-25, N4. - P. 1055-1060.

64. Пивоваров В.Я. Дефекты структуры в монокристаллах фосфида галлия. -Минск, 1975. -12С. (Автореф.канд.дисс.).

65. Тартачник В.П. Влияние проникающего излучения на монокристаллы фосфида галлия и р-п-структуры на его основе. Одесса, 1976. 16С. (Автореф.канд.дисс.).

66. Брайловский Е.Ю., Конозенко И.Д., Тартачник В.П. Дефекты в GaP, облученном электронами// Физика и техника полупроводников.- 1975. Т.9, В.4. -С. 769-771.

67. Брайловский Е.Ю., Ерицян Т.Н., Тартачник В.П. Радиационные дефекты в GaP при облучении электронами с энергией 50 МэВ// Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9, В.9. - С. 1805-1807.

68. Брайловский Е.Ю., Григорян Н.Е., Марчук Н.Д., Памбухчан Н.Х., Тартачник В.П. Влияние радиационных дефектов на свойства GaP и твердых растворов•5 с

69. GaAsi.xPx// Физика соединений А В , Материалы всесоюзн. конф. JI:, 1979. - С. 74-78.

70. Марчук Н.Д. Исследование радиационных дефектов в фосфиде галлия и твердых растворах GaAsi.xPx. Одесса, 1979. - 17С. (Автореф. канд. дисс.).

71. Айрапетян С.А., Никогосян С.К., Саакян В.А. Изучение состояний неконтролируемых примесей путем облучения монокристаллов n-GaP // Тр.4-й

72. Конф. молод.учен., Ереван. Физ. ин-та, Норамберд, 1979. Ереван, 1980. - С. 186-190.

73. Волков В.В., Опилат В.Я., Тартачник В.П., Тычина И.И. Глубокие уровни в исходном и облученном электронами фосфиде галлия // Высокочистые вещества. 1989. - N2. - С. 60-63.

74. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A., Tsoi A.D., Shachovtsov V.I. Positron annihilation in electron irradiated n-type GaP crystals// Rad.Effects. 1983,- V.79, N3-4,- P.123-130.

75. Коваль B.C., Кудин А.П., Мегела И.Г., Тартачник В.П., Тычина И.И. Аннигиляция позитронов в облученном фосфиде галлия // Физика и техника полупроводников. 1983. - Т.17, В. 11. - С. 2102-2103.

76. Шлихтов С.Н. Исследование глубоких центров в фосфиде галлия методами емкостной спектроскопии -JL, 1984. 16С. (Афтореф. канд. дис.).

77. Гринсон А.А., Гуткин А.А., Мргильницкая Ю.М., Сидоров В.Г., Шлихтов С.Н. Радиационные дефекты в красных светодиодах n-GaP<Te>-p-GaP<Zn,0>// Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1984. - Т.192, В.7. - С. 40-43.

78. Endo Т., Hirosaki Y., Uchida Е., Miyake Н., Sugiyama К. Deep levels in electron-irradiated GaP at 10 MeV//JapJ.Appl.Phys.Pt. 1. 1989. - V.28, N10. - P. 1864-1870.

79. Papaioannou G.J., Euthymiou P.C., Carabatos C., Lepley В., Bath A. On the electron-irradiation induced defects in GaP:Zn// Phys.stat.sol.(a). 1986. - V.98, N2. - P. K125-K127.

80. Shubing Yu, Huang Qisheng. Глубокие уровни, введенные в GaP, при электронном облучении//.!. Xiamen. Univ. Nat.Sci. 1983. - V.22, N1. - P. 10-19.

81. Mooney P.M., Kennedy T.A., Small M.B. Correlated DLTS and EPR measurements of defects in as-grown and electron irradiated p-type GaP// Physica. 1983. -V.BC116,Nl-3.-P. 431-435.

82. Mooney P.M., Kennedy T.A. Correlation between DLTS and EPR measurements of the Ga vacancy in GaP // J.Phys.C.:Solid State Phys. 1984. - V.17, N34. - P. 62776285.

83. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Identification of the isolated Ga vacancy in electron-irradiated GaP through EPR//Phys.Rev.Lett.-1978.-V.41,N14.-P.977-980. \

84. Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of antisite-impurity defects in electron-irradiated

85. GaP// Defects and Radiat. Eff.Semicond., Invit. and Contrib. Pap. Int. Conf., Nice, 1978. Bristol-London, 1979. - P. 375-378.

86. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance of electron-irradiated GaP //Phys. Rev. В.: Condens. Matter. 1981. - V.23, N12. - P. 6585-6591.

87. Killoran N., Cavenett B.C., Godlevski M., Kennedy T.A., Wilsey N.D. ODMR investigation of the PGa antisite defect in GaP // J.Phys.C.: Solid State Phys. 1982. -V.15, N22. - P. L723-L728.

88. Killoran N., Cavenett B.C., Godlevski M., Kennedy T.A., Wilsey N.D. Spin dependent formation and decay of the triplet antisitee centre in GaP // Physica. 1983. - V.BC116,Nl-3.-P. 425-430.

89. Kaufmann U., Shneider J. Point defects in GaP, GaAs, and InP // Adv.Electron. and Electron Phys., V.58. New York, 1982. - P. 81-141.

90. Крайчинский A.H., Макаренко В.Г., Осташко Н.И. ЭПР облученного электронами GaP(Fe) // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т. 16, В.5. -С.914-916.

91. Kennedy Т.A., Wilsey N.D. Antisite production by electron irradiation of InP and GaP // 13th Int.Conf.Defects Semicond.,Coronado, 1984. Warrendale, Pa, 1985. -P.929-935.

92. Beall R.B., Newman R.C., Whitehouse J.E., Woodhead J. The production and structure of the P-P3 anti-site defect in electron-irradiated n-type GaP // J.Phys.C.:Solid State Phys. 1984. - V.17, N36. - P. L963-L968.

93. Huang Qisheng, Grimmeis H.G., Samuelson L. Configuration coordinate diagram for the E4 defect in electron-irradiated GaP // J.Appl.Phys. 1985. - V.58, N8. - P. 30683071.

94. Spitzer S.M., North J.C. Electrical and optical properties of proton-bombarded gallium phosphide//J.Appl.Phys. 1973. - V.44, N1. - P. 214-219.

95. Titley D.J. and Brown G. TSC measurements on proton implantated GaP // Sol.State Electron. 1979. - V.22, N11. - P. 915-919.

96. Voronina T.I., Goldberg Yu.A., Lvova T.V. Electrical properties of GaP crystals bombarded with high energy protons // Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.70, N2. - P.K121-K124.

97. Desnica U.V., Etlinger В., Urli N.B. TSCAP and admittance spectroscopy of defects induced by gamma rays in GaP // Rad.Eff.Semicond., Int. Conf., Dubrovnik, 1976. -Bristol-London, 1977. P. 402-408.

98. Fujino Takahiro, Kitagawa Michiharu. Dose dependence of deep electron trap densities in gamma-ray irradiated GaP // Annu.Rept. radiat. Cent. Osaka Prefect. -1983.-V.24.-P. 35-37.

99. Endo Т., Nakanishi Y., Wada T. Optical absorption and modification of band edges in irradiated GaP //Jap.J.Appl.Phys. 1982. - Pt.l, V.l, N11. - P. 1619-1627.

100. Pankey T.Jr. and Davey J.E. Effects of neutron irradiation on the optical properties of thin films and bulk GaAs and GaP // Journ. Appl.Phys. 1970. - V.41, N2. -P.697-702.

101. Endo Т., Nakanishi Y., Wada T. Effects of radiation defects on the conduction band minimum of n-GaP // Defects and Radiat. Eff.Semicond., 11 Int.Conf., Oiso, 1980. -Bristol-London, 1981. P. 299-304.

102. Брайловский Е.Ю., Григорян H.E., Ерицян Г.Н., Манжара B.C., Тартачник В.П. Оптическое поглощение в облученных кристаллах фосфида галлия.-Киев, 1976. С. 22-23. - (Препринт/КИЯИ,№2).

103. Брайловский Е.Ю., Осташко Н.И., Тартачник В.П., Шаховцов В.И. Влияние точечных радиационных дефектов на околокраевое оптическое поглощение кристаллов GaP // Укр. физ. журн. 1981. - Т.26, N6. - С. 973-977.

104. Брайловский Е.Ю., Демиденко З.А., Григорян Н.Е., Ерцян Г.Н.Поглощение света свободными носителями в облученных кристаллах n-GaP // Изв. АН АрмССР. Физ. 1983. - Т.18, N1. - С. 19-25.

105. Kolb А.А., Megela I.G., Buturlakin А.Р., Goyer D.B. Low-temperature annealing of radiation defects in electron-irradiated gallium phoaphide // Phys.stat.sol.(a). -1990. V.l 18, N1. - P. K9-K11.

106. Dlubek G., Brummer O., Polity A. Vacanct defects in as-grown and n°-irradiated GaP and GaAsi.xPx srudied by positrons // Wiss. Beitr. M.-Luther-Univ. Halle-Wittenberg. 1987. - N23/2, Pt.2. - P. 113/1-113/8.

107. Dlubek G., Ascheron C., Krause R., Erhard H., Kijmm D. Positron srudy of vacancy defects in proton and neutron irradiated GaP, InP, and Si // Phys.stat.sol.(a). 1988. - V.106,N1.-P. 81-88.

108. Sen Gupta A., Moser P., Corbel C., Hautojarvi P., Sen P. Annealing of electron irradiated GaP studied by positron lifetime technique // Wiss. Beitr. M.-Luther-Univ. Halle-Wittenberg. 1987. - Reihe 0, N23/2, Pt.2. - P. 18/1-18/6.

109. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Сов. Радио, 1968.-267с.

110. Прочухан В.Д. Полупроводниковые материалы типа А2В4С52 //Материалы шестой зимней школы по физике полупроводников.- Л.:ЛИЯФ, 1974. С. 280334.

111. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Масагутова Р.В., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Компенсация проводимости фосфидов А2В4С52 электронным облучением // Письма в ЖТФ. 1978. - Т4, N1. - С. 41-46.

112. Brudnyi V.N., Budnitskii D.L., Krivov М.А., Masagutova R.V., Prochukhan V.D., Rud Yu.V. The electrical and optical properties of 2,0 MeV electron-irradiaated ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1978. - V.50, N2. - P. 379-384.

113. Манжара B.C., Мегела И.Г., Откаленко H.O., Петрусенко C.K., Тартачник В.П. Радиационные дефекты в ZnGeP2 // 4 Всесоюзн. конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев:Штиинца, 1983. - С.73.

114. Брудный В.Н., Новиков В.А. О "предельных" электрических параметрах облученного InP // Физика и техника полупроводников. 1982. - Т. 16, N10. -С.1880-1882.

115. Исследование свойств полупроводников сложного состава (А3В5, А2В4С52) и приборных структур на их основе: Отчет / СФТИ; Рук.НИР Вяткин А.П., Гаман В.И. №ГР 01860127969. - Томск, 1990. - 114с.

116. Stavola М., Levinson М.,Benton J.L., Kimerling L.C. Extrinsic self-trapping and negative U in semiconductors. A metestable center in InP // Phys.Rex.B.: Condens.Matter. 1984. - V.30, N2. - P. 832-839.

117. Мороз C.E. Образование дефектов с глубокими уровнями в фосфиде индия и их свойства. Минск, БГУ, 1991. - 18С. (Автореф.канд.дис.).

118. Wager J.F., Van Vechten J.A. Atomic model for the M center in InP // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1985. - V.32, N8. - P. 5251-5258.

119. Брудный B.H., Дробот П.Н., Новиков B.A. Исследование радиационных дефектов в облученных ионами Н+ фосфидах: InP, CdSnP2 // Изв.вузов.Физика. Томск, 1987. - Деп. в ВИНИТИ N6854-B87. - 24С.

120. Brudnyi V.N., Kolin N.G., Novikov V.A., Transmutation doping and fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP // Phys.stat.sol.(a). 1992. - V.132, N1. -P.35-42.

121. Брудный B.H., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Новиков В.А. Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов // Физика и техника полупроводников. -2005. Т.39, В.5. - С. 528-534.

122. Coates R. and Mitchell E.W.J. The optical and electrical effects of defects in irradiated crystalline gallium arsenide // Adv.Physics. 1975. - V.24, N5. - P. 593644.

123. Кольчеико Т.И., Мороз C.E. О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия // Физика и техника полупроводников. 1989. - Т.23, N3. - С. 546-548.

124. Брудный В.Н. Радиационные дефекты в полупроводниковых соединениях II-IV-V2 // Изв.вузов.Физика. 1986. - Т.29, N8. - С. 84-97.

125. Брудный В.Н., Диамант В.М. Электрические и тензоэлектрические исследования радиационных дефектов в GaAs // Изв.вузов.Физика. 1986. -T.29,N10.-C. 81-87.

126. Sugamo Т. InP MISFETS technology //Symp.Defects and Qual.Semicond.,Tokyo,1984/ Ed.by Cnikawa J., Sumino K., and Wada K.-KTK Sci.Publishers,Tokio, 1987. ISBN 90-277-2352-4 JP. - P. 99-110.

127. Lancefield D., Adams A.R., Gunney B.J. Investigation of ionized impurity scattering in GaAs and InP using hydrostatic pressure // Appl. Phys. Lett. 1984. -V.45, N10. - P. 1121-1123.

128. Muller H., Trommer R., and Cardona M. Pressure dependence of the direct absorption edges in InP // Phys.Rev.B. 1980. - V.21, N10. - P. 4879-4883.

129. Брудный B.H. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава. Томск, 1993. - 40С. (Автореферат докт. дисс.).

130. Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физика и техника полупроводников. 1999. -Т.ЗЗ,В.11.-С. 1290-1294.

131. А/С 1127467(СССР). Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления / Брудный В.Н., Гаман В.И., Новиков В.А. 1984.

132. Brudnyi V.N., Charchenko V.A., Kolin N.G., Novikov V.A., Pogrebnyak A.D., and Ruzimov Sh.M. Electrucal properties and positron annihilation in neutron-irradiated n-InP // Phys.stat.sol.(a). 1986. - V.93, N1. - P. 195-200.

133. Попов E.B., Гришкова Ж.В. Изучение дефектности кристаллов методом аннигиляции позитронов // Изв.вузов.Физика. Томск, 1986. - Деп.в ВИНИТИ N6325-B86. - 32С.

134. Puska M.J., Jepsen О., Gunnarson О., Nieminen R.M. Electronic structure and positron states at vacancies in Si and GaAs // Phys.Rev.B.: Condens.Matter. 1986.- V.34, N4. P. 2695-2705.

135. Кольченко Т.И., Ломако В.М., Мороз С.Е. Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP // Физика и техника полупроводников. 1990. -Т.24, В.11.-С. 1963-1968.

136. Брудный В.Н., Новиков В.А. "Предельные" электрические параметры GaP, облученного электронами // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19, №4. - С. 747-749.

137. Новиков В.А. Электрические, оптические свойства и стабилизация уровня Ферми в кристаллах GaP, облученных электронами и ионами Н // Изв. вузов. Физика. 1994. - Т.37, N12. - С. 37-42.

138. Pons D., Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs// J.Phys.C.: Sol.state phys. 1985. - V.18, N20. - P. 3839-3874.

139. Немец О.Ф., Волков B.B., Литовченко П.Г., Макаренко В.Г., Опилат В .Я., Тартачник В.П., Тычина И.И. Радиационные дефекты в фосфиде галлия // Докл. АН УССР. 1988. - А, N5. - С. 45-48.

140. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер П., Миронов А.Г., Андерлейн П., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М.: Наука, 1981.- 383 с.

141. Numerical data and functional relationships in science and technology / Ed.by O.Madelung.-Springer-Verlag: Berlin, Heidelberg, N-Y, London, Paris, Tokyo, 1987. V.22, Semiconductors. - 451P.

142. Eremets M.I., Krasnovskii O.A., Struzhkim V.V., Shirokov A.M. Bound excitons in GaP under pressure of up to 10 GPa // Semicond.Sci. and Technol. 1989. - V.4, N4. - P. 267-268.

143. Брудный B.H., Новиков В.А. Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP // Изв. вузов.Физика. -1998. Т.41, №6. - С. 124-126.

144. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях АЗВ5 //Физика и техника полупроводников. 1978. - Т.12, N4. - С. 625-652.

145. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors // Solid State Commun. 1965. - V.3, N2. - P. 299-302.

146. Копылов А.А., Пихтин A.H. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в фосфиде галлия) // Физика и техника полупроводников. 1974. - Т.8, N12. - С. 2398-2404.

147. Masumoto К., Isomura S., Goto W. The preparation and properties of ZnSiAs2, ZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds // J.Phys.Chem.Solids. 1966. -V.27, N11-12. - P. 1939-1947.

148. Springthorpe A.J. and Monk R.W. Some electrical properties of solution-grown crystals of n-ZnSiP2 and p-ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1970. - V.l, N3. - P. K9-K12.

149. Grigorieva V.S., Prochukhan V.D., Rud Yu.V., Yakovenko A.A.,Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals // Phys.stat.sol.(a). 1973. -V.17, N1. - P. K69-K74.

150. Somogui K. Electrical properties of ZnGeP2 at low temperatures // Phys.stat.sol.(a). 1973.-V.18,N2.-P. K95-K97.

151. Miller A., Clark W. Electrical properties of ZnGeP2 and CdGeP2 // J.Phys. 1975. -V.36, N9. - P. 73-75.

152. Bertoti J and Somogui K. Preparation and some properties of ZnGeP2 crystals // Phys.stat.sol.(a). -1971. V6, N2. - P. 439-443.

153. Somogui K., Bertoti J. Some electrical properties of single ZnGeP2 // Jap.J.Appl.Phys. 1972. - V11,N1. - P. 103-106.

154. Брудный B.H., Новиков B.A., Попова E.A. Электрические и оптические свойства ZnGeP2, облученного электронами // Изв. вузов. Физика. 1986. -Т.29, N8. - С. 122-130.

155. Isomura S., Masumoto К. Some optical properties of ZnGeP2 and CdSiP2 // Phys.stat.sol.(a). 1971. - V.6, N2. - P. K139-K141.

156. Bucchler E., Wernick J.H.,Willey J.D. The ZnGeP2-Ge-system and growth of singlecrystals of ZnGeP2 // J.Elect. Mater. 1973. - V.2, N3. - P. 445-454.

157. Рудь Ю.В., Масагутова P.B. Экспериментальное обнаружение эффекта просветления ZnGeP2 //Письма в ЖТФ. -1981. Т7, N3. - С. 167-171.

158. Boyd G.D., Buechler С., Stolz G.F., Wernic J.H. Linear and nonlinear optical properties of ternary А"В1УСУИ chalcopyrite semiconductors // J.Quantum Electron. 1972. - V.QE-8, N4. - P. 419-426.

159. Borshevskii A.S., Goryunova N.A., Kesamanly F.P., Nasledov D.N. Semiconducting AnBIVCVn compounds // Phys.stat.sol.(a). 1967. - V.21, N1. - P. 955.

160. Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Морозов A.H., Минич Г .Я. Оптимизация технологии получения и свойства монокристаллов дифосфида цинка-германия // Всесоюзн.конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев: Штиинца, 1983.-С. 18.

161. Brown W.J., Blakemore J.S. Transport and photoelectrical properties of gallium arsenide containing deep acceptors // J.Appl.Phys. 1972. - V.43, N5. - P. 22422246.

162. Sodeika A., Silevicius Z., Januskevicius Z., Sakalas A. The influence of intrinsic defects on electrical properties of single crystals of CdSiP2 and ZnGeP2 // Phys.stat.sol.(a). 1982. - V.69, N2. - P. 491-495.

163. Брудный B.H., Новиков B.A. Электрические свойства облученного ионами Н p-ZnGeP2 //Изв.вузов.Физика. 1991. - Т.34, N10. - С. 91-93.

164. Брудный В.Н., Воеводин В.Г., Гриняев С.Н. Глубокие уровни собственных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения ZnGeP2// Физика твердого тела. 2006. - Т.48, B.l 1. - С. 1949-1961.

165. Kaufmann U., Schneider J., and Rauber A. ESR detection of antisite lattice defects in GaP, CdSiP2, and ZnGeP2 //Appl.Phys.Lett. 1976. - V.29, N5. - P. 312-313.

166. Brudnyi V.N., Novikov V.A., Pogrebnyak A.D., Surov Yu.V. Positron annihilationin electron-irradiated p-ZnGeP2 compound // Phys.stat.sol.(a). 1984. - V.83, N1. -P. K35-K38.

167. Брудный B.H., Новиков B.A., Погребняк А.Д. и др. Аннигиляция позитронов в ZnGeP2, облученном электронами // Тез. докл. XXXIV Совещ. по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра, 17-20 апреля 1984 г. Алма-Ата: АН СССР, 1984.-С.574.

168. Брудный В.Н., Цой А.А. Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках AiriBv // Физика и техника полупроводников. -1986. Т.20, №3. - С. 511-514.

169. Шилейка А. Многодолинные полупроводники/ Под. ред. Ю. Пожелы. -Вильнюс: Мокслас, 1978. С. 143-197.

170. А/С 1304665(СССР). Способ изготовления параметрического преобразователя оптического излучения (доп. к А/С 1032937) /Брудный В.Н., Новиков В.А. -1986.