Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

3 бдение.

ЛАВА I. ШИЯНИЕ ДЕФОРМАЩИ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ /.

1. Механические свойства полупроводниковых кристаллов.

2. Особенности структуры пластически деформированных кристаллов.

3. Влияние примесей и других точечных дефектов на деформационное упрочнение кристаллов.

4. Влияние пластической деформации на электрофизические и оптические свойства полупроводниковых материалов.

JIABA П. ШИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ /.

1. Радиационные эффекты в облученных электронами полупроводниковых материалах.

2. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями и другими несовершенствами решетки кристалла.

3. Механические свойства облученных материалов

4. Электрофизические и оптические свойства облученных полупроводников.

5. Особенности воздействия лазерного излучения на структуру и свойства полупроводниковых материалов

6. Постановка научной задачи

ЛАВА Ш. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ И ОБЛУЧЕНИЯ НА СОВЕРШЕНСТВО СТРУКТУРЫ КРЕТИН И ФОСФВДА ГАЛЛИЯ МЕТОДАМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ.

1. Описание образцов и способов их обработки

2. Методика эксперимента.

3. Влияние пластической деформации и облучения на совершенство структуры фосфида галлия.

4. Влияние пластической деформации и облучения на совершенство структуры кремния

Высокие требования, предъявляемые к качеству полупроводнико-,ых материалов и приборов, привели к необходимости всестороннего :зучения влияния на структурные и физические свойства полупровод-иков различных воздействий, испытываемых кристаллами в процессе юста и на различных этапах изготовления полупроводниковых прибо-юв. Важнейшими из них являются упругие напряжения, оказывающие !ущественное влияние на диффузионные процессы в полупроводниках, : пластическая деформация, обуславливающая значительный разброс в лектрических и оптических свойствах кристаллов.

Трудно переоценить значения применения облучения частицами вы-юких энергий на процесс технологии полупроводниковых материалов. !ак известно, все указанные В1щы воздействий не только генерируют азличные типы дефектов в полупроводниках, но и существенно влияют ta поведение собственных точечных дефектов /вакансий и межузель-[ых атомов/ и атомов примесей. Эффект взаимодействия генерируемых [ собственных дефектов зависит от многих факторов, таких как тем-[ература, природа и распределение исходных дефектов и т.д. Несмотря на большое внимание, которое уделяется в настоящее время выяв-:ению механизмов образования и взаимодействия различного вида де-)ектов в условиях внешних воздействий, этот вопрос выяснен далеко :е достаточно и нуждается в дальнейших исследованиях. Наименее изу-:ены процессы дефектообразования и взаимодействия генерируемых и :сходных дефектов в полупроводниковых соединениях, хотя они являют-я одними из основных материалов опто- и квантовой электроники. !оэтому в данной работе была поставлена задача выяснения особенности цроцессов дефектообразования и взаимодействия генерируемых и обственных дефектов в монокристаллах фосфида галлия, являющегося ерспективным материалом оптоэлектроники, в процессе пластической

- б - — еформации и облучения. Для сравнения подобные исследования были роведены на монокристаллах бездислокационного кремния, что позво-яло исключить влияние ростовых дислокащй на генерацию и поведе-ение дефектов при указанных видах воздействий.

Научная новизна работы. Впервые проведены исследования влияния ольших степеней пластической деформации на структуру и свойства онокристаллов фосфида галлия и построена модель, объясняющая наб-кщаемые в экспериментах закономерности. Обнаружено возникновение лоистого распределения примесей при облучении кристаллов фосфида аллия электронами с энергией I МэВ и дана интерпретация этого эф-екта. Изучены изменения структуры под действием лазерного излуче-ш кристаллов фосфида галлия, предварительно облученных электрона-и. Обнаружено улучшение совершенства структуры в периферийных по тношению к месту воздействия участках кристалла.

Обнаружено периодическое распределение плотности дислокации по эверхности кристаллов кремния, облученных импульсным лазерным изучением. Впервые обнаружено образование новых центров излучатель-эй рекомбинации в облученных электронам кристаллах фосфида галлия, зучено влияние пластической деформации на спектры катодолюминес-знции фосфида галлия.

Практическая ценность работы. Полученные в работе результаты )гут быть применены для разработки приемов, направленных на улучшив совершенства структуры монокристаллов кремния и фосфида гал-ш. Эти данные следует учитывать цри производстве светодиодов с )льшим квантовым выходом излучения.

Полученные результаты нужно принять во внимание при выборе тех->логических режимов лазерного скрайбирования кремниевых пластин.

ВЫВОДЫ

1. Пластическая деформация и облучение генерируют различные типы дефектов. Цри пластической деформации повышается плотность дислокаций и образуются участки, разориентированные по отношению к основному кристаллу. Облучение импульсным лазерным излучением микросекундного диапазона приводит к генерации в кристалле дефектов упаковки и малых дислокационных петель. Указанные различия обусловлены особенностями механизмов дефектообразования. При пластической деформации размножение дислокаций происходит путем развития скольжения одновременно по трем плоскостям {ill}» В случае облучения источниками генерации дислокаций служат скопления. примесей с участием собственных точечных дефектов, образующихся в процессе облучения. Цри использовании импульсов микросекундной длительности на цроцесс дефектообразования оказывают влияние напряжения, возникающие при расцространении ударной волны.

2. Оба вида воздействия приводят к распаду пересыщенного твердого раствора на основе фосфида галлия, причем облучение электронами и дополнительно лазерным излучением в большей степени обуславливает развитие процессов распада.

3. В процессе пластической деформации и облучения электронами в кристаллах фосфида галлия образуется субструктура П порядка,

4. Дополнительное облучение кристаллов фосфида галлия, предварительно облученных электронами, импульсным лазерным излучением, приводит к улучшению совершенства структуры в периферийных по отношению к месту воздействия областях. Механизмом таких превращений является вращение блоков мозаики. Не исключена также возможность цроцесса аннигиляции дислокащй разных знаков. Движение дислокаций к субграницам было обнаружено микроструктурными исследованиями.

5. Обнаруженные изменения спектров КЛ в результате пластической деформации и облучения электронами обусловлены интенсивным комплексообразованием на начальных стадиях распада пересыщенных твердых растворов. Основную роль при этом играют точечные дефекты, генерируемые в процессе обработки и их взаимодействие с дислокациями и атомами примеси. Более интенсивная генерация точечных дефектов в процессе облучения обуславливает значительные изменения спектров КЛ.

6. Введение регулярным образом расположенных дислокаций в приповерхностные слои фосфида галлия приводит к развитию фрагментарной структуры, ответственной за полное тушение спектров КЛ. Образования фрагментарной структуры объясняется механизмом развития в кристаллах дисклинационных мод пластической деформации.

7. Импульсное лазфное облучение /X - 1.06 мкм / мшфосе-хундного диапазона приводит к периодическому распределению плот-зости дислокаций по пластине моновристаллического кремния. При этом максимальная плотность дислокаций, наблвдающаяся на значительных расстояниях от места воздействия, составляет ~ Ю4 см~~2.

8. Пластическая деформация вызывает перераспределение интенсивности полос в спектрах КЛ исходных кристаллов. Это дает возможность повысить интенсивность, а, следовательно, квантовый вы-сод излучения в определенной области спектра.

1. Трефилов Б.И., Мильман Ю.Б. Особенности пластической деформаций кристаллов с ковалентными связями. - ДАН СССР, 1963,153, J£ 4, с. 824-827.

2. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полугцэоводни-ков и металловедение. М.: Металлургия, 1973, 496 с.

3. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 302 с.

4. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Г.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982, 238с.

5. Миркин Л.И. Физические основы прочности и пластичности. МГУ.1968, 537с.

6. Рыбин В.В., Белозерский Г.Н., Малышевский В.А., Сосенуш-кин Е.М., Семичева Т.Г. Влияние дислокаций на механизм вторичного твердения. ФММ. 1982, т.54, вып. 5, с.990-999.

7. ХоникомбР. Пластическая деформация металлов. М.: Мир, 1872, 408с.

8. Бернер Р., Кронмкшлер Г. Пластическая деформация монокристаллов. М.: М^ф, 1969, 225с.

9. Полухин П.И., Горелик С.С., Воронцов В.К. физические основы пластической деформации. М.: Металлургия, 1982, 586с.

10. U. Урусовская А.А. Механические свойства кристаллов. В кн.:

11. Современная кристаллография, т.4, М.: Наука, 1881, с.47-152.

12. Надам А. Пластичность и разрушение твердых тел. М.: Мир,1969, 868с.

13. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука, 1981, 235с.

14. Тхорик Ю.А., Хазан Ji.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983, 103с.

15. Ж.Фридель. Дислокации. М.: Мир, 1967, 643с.

16. Мак-Лин Д. Механические свойства. М.: Металлургия, 1965, 215с.

17. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984, 256с.

18. Классен М.В.-Неклюдова. Механическое двойникование кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, I960, 261с.

19. Инденбом В.Л. Строение реальных кристаллов. В кн.: Современная кристаллография, т.2, Гл.: Наука, 1979, с. 297-349.

20. Kohra К., Yoshimatsu М. X-ray observations of lattice defects in particular, stacking faults in the neighbourhood of a twin boundary in silicon single crystals. "J. ^ys. Soc. Japan", 1962, 17,N6, Ю41-Ю52.

21. Хирт Дш., Лоте И. Теория дислокаций. Пер. с анг. /Под ред. Э.М.Надгорного и Ю.А.Осипьяна/ -М.: Атомиздат, 1972, 599с.

22. Sylwestrowicz W.D. Mechanical properties of single crystals of silicon.

23. Philos. Mag." 1962, 7, N83, pp.1825-1845.

24. Виртман Дж, Виртман Дж Г. Механические свойства, несущественно зависящие от температуры. В кн.: Физическое металловедение. Под ред. Кана Р. т.З, М.: Мир, 1968, с.149-215.

25. Kaiser W., Keck Р.Н., Lange C.F. Infrared absorption and oxygen content in silicon and germanium. "Phys. Rev." 1956, 101, N4, pp.1264-1268.24.

26. Alexander H., Haasen P. Dislocations in nonmetals. Ann. Rev., Mater. Science, 1972, N2, p.291-312.

27. Alexander H., Haasen P. Dislocations in diamond structure. Sol. St. Phys., 1968, v.22, p.27-152.

28. Золоторевский Н.Ю., Жуковсюш И.М., Рыбин В.В. Природа образования и геометрические характеристики слабо разориентированной ячеистой структуры. ФММ, 1982,т.54,вып.6, с.1070-1079.

29. Говорков В.Г., Инденбом В.Л., Папков B.C., Регель В.Р. 0дислокационной теории начальной стадии деформирования монокристаллов германия. ФТТ, 1964, т.6, вып.4, с.1039-1047.

30. Никитенко В.И. Дислокации и механические свойства полупроводников. В кн.: Дислокации и физические свойства полупроводников. Л.: Наука, 1967, с.30-65.

31. Мак-Лин Д. Механические свойства металлов. М.: Металлургия, 1965, 215с.30» Kuleman Wiesdorf D. A new theory of work hardening. Trans. Met. Soc. AIME, 1962, v.224, N5, p.1047-1061.

32. Дж. Haii. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц. М.: Мир, 1967, 395с.

33. Келли А., Гровс Г. Кристаллография и деаекты в кристаллах. М.: №р, 1974, 310с.

34. Шифрин С.С., Марков А.В., Мильвидский М.Г. и др. -Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т. 44.

35. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлургия, 1968, 370с.

36. Johnston W.G., Gilman J.J. Dislocation velocities, dislocation densities, ^g and plastic flow in lithum. J. Appl. Phys., v.29, p.1378-1379» 1958.

37. Hopkins R.L. Dislocation in silicon. J. Appl. Phys., v.29, p.1378, 1958.

38. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мьф, 1984 , 475с.

39. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах, т.1 и 2, М.: Мир, 1978, с.569, 354.

40. Горелик С.С., Лозинский М.Г., Клейнфельд Ю.С., Литвинов Ю.М. Изучение движения дислокаций в германии при высокотемпературном нагружении. -Изв. АН СССР, Сер. Неорг. матер., 1968, т.5, гё 6, с.984-985.

41. George A., Escavarage S., Schroter W., Champier G. X-ray topographic observation of single dislocation mobility in silicon. Cryst. Latt. Def., 1973» v.4, N1, p.29-36.

42. Choi S.K., Mihara М., Ninomiya Т. Dislocation velocities in InAs and GaSb. Jap. J. Appl. Phys., 1978, v.17, N2, p.329-333.

43. Никитенко В.И. Подвижность дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса. В кн.: Динамика дислокаций. Киев, Наукова думка, 1975, с.7-26.

44. Инденбом B.JI. Подвижность дислокации. В кн.: Элементарные процессы пластической деформации кристаллов. Киев, Наукова думка, 1978, с.7-16.

45. Гийо П.Дорн Дж. Критический обзор пайерловского механизма деформации. В кн.: Актуальные вопросы теории дислокаций. М.: Мир, 1968, с.270.

46. Ерофеев В.Н., Никитенко В.И. Подвижность дислокаций в кремнии, содержащим примеси замещения и внедрения. ФТТ, 1971, 13, В I, с.146-151.

47. Бондаренко И.Е., ££офеев Б.И., Никитенко Б.И. Влияние электрически активных примесей на подвижность индивидуальных дислокаций в германии. ЖЗТФ, 1973, 64, №6, с.2197-2209.

48. Мат аре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974, с.464.

49. Ю. Освенский В.Б., Холодный Л.П. Подвижность индивидуальных дислокаций в арсениде галлия.- ФТТ, 1972, 14, J£ II, с.3330-3336.- 141

50. Choi, S.K., Mihara M., Ninomiya J. Dislocation velocities in GaAs. Jap.

51. J. Appl. Phys. 1977, 16, N5, p.737-745.

52. Казанцев А.П., Поповский Б.Л. Подвижность дислокаций в решетке с большими барьерами Пайерлса. ЖЭТФ, 1970, 58, J£ I, с.677-683.

53. Петухов Б.Б., Поповский Б.Л. Квантовое и классическое движение дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса. ЖЗТФ, 1972, 63, J£2, с.634-637.

54. Бондаренок И.Е., Никитенко Б.И. 0 роли точечных дефектов в формировании закономерностей движения дислокаций в потенциальном рельефе кристаллической решетки. Б кн.: Проблемы прочности и пластичности твердых тел. Л.: Наука, 1979,с.244-256.

55. Patel J.R., Testardi L.R. Electronic effects of dislocation velocities in heavily doped germanium. Appl. Phys. Letts, 1977» v.30, N1, p«3-5*

56. Kulkarni S.B., Williams W.S. Dislocation velocities and eiectronic doping in silicon. J.Appl. Phys., 1976, v.47, N10, p.4318-4324*

57. Patel J.R., Pestardi L.R., Preeland P.E. Electronic effects on dislocationvelocities in heavily doped silicon. J. Phys. Rev.B, 197^, 13» N8, p»3548-3557.

58. Беляцкая H.C., Гришина С.П., Мильвидский М.Г. и др. Кристаллография, 1972, гё 17, с.158.9. йвернева И.Б., Канцельсон А.А., ФММ, 1965,т.19, вып.З, с.349-353.

59. Еременко В.Т., Никитенко В.И., Якимов Е.Б., фыкин Н.А. Донор-ное действие дислокащй в монокристаллах n-Si . ФТП, 1978, 12, № 2, с.273-279.

60. Ильчишин В.А., Степченко В.Н. Примесные неоднородности и структурное совершенство монокристаллов SX . Электронная техника. Сер. Материалы, 1932, вып.9, с.3-10.

61. Малыгин Н.А. Точечные дефекты и эффективный активационный параметр движения дислокаций в Ge и Si, при низких напряжениях. ФТТ, 1982, 24, № 9, с.2757-2762.

62. Концевой Ю.А., Фаттахов Э.А., Андреева Л.В. Прочность полупроводниковых материалов. -Электронная техника. Сер. 14, Материалы, 1971, вып.1, с.73-74.

63. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974, 391с.

64. Mullin J.B., Stranghan B.W., Briscoll C.M.H. e.a. Lattice superdilation phenomena in doped GaAs. J. Appl. Phys. 1976, 47» N6 p.2584-2587.

65. Milvidski M.G., Bockarev E.P. Creation of defects during the growth of semiconductor single crystals and films. J. Cryst. Growth. 1978, v.44t N1, p.61-74.

66. De Kock A., Roksnoer J.R., Boonen P.G.T. The introduction of dislocation during the growth of float-zone silicon crystals as results of point defect condensation. J. Crys. Growth., 1975» v.30, N2, p.279-294»

67. Бондаренко И.Е., Никитенко В.И. В кн.: Цроблемы прочности и пластичности твердых тел. Л.: Наука, 1979, с.244-256.

68. Освенский В.Б., Шифрин С.С., Мильвидский М.Г. В кн.: Динамика дислокаций. Киев: Наукова думка, 1975, с.362-366.

69. Никитенко В.И., Якимов Е.Б. Роль взаимодействия точечных де-фетов с дислокациями в формировании электрических свойств полупроводников. В кн.: Материалы электронной техники. М.: Наука, 1983, с.62-79.

70. Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов Е.Б. Зависимость электрических свойств кремния от температуры пластической деформации и отжига. ЖЭТФ, 1977, 73, гё 3, с.1129-1139.

71. Кяяцкая И.В., Кожух IvI.Ji., Рыбкин С.М. и др. О механизме проводимости по дислокациям в пластически деформированном германии. ФТП, 1979, 13, № 6, с.1089-1094.

72. Milistein S.KH., Yakobi B.G. Dislocation- induced shift of the absorption edge in silicon. Phys. Lett. A., 1975, 54» N6, p.465-467.

73. Negryi V.D., Osipyan Yu.A. Dislocation emission in CdS. Phys. Stat. Solid, A, 1978, 55, N2, p.583-588.

74. Вовненко В.И., Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Изменение цри пластической деформации QglAs внутренней квантовой эффективности излучения люминесценции. -ФТП, 1979, 13, $9,с.1829-183.

75. Esquivel A.I., Lin W.N., Wittry D.W. Cathodoluminescence stady of plasti-caiiy deformed GaAs. Appl. Phys. Letts. 1973, v.22, N8, p.414-416.

76. Ravi K.V., Varker C.J., Volk C.E. Elektrically active stacking fauts in silicon. J. Electrochem. Soc., 1973, v.120, N4, p.533-541.

77. Карелин H.M., Кусакин С.И., Литвинов Ю.М. и др. Исследование электрически активных дефектов в пластинах вдемния с помощью РЭМ. Мшфоэлектроника, 1980, т.9, № I, с.48-53.

78. Никитенко В.И., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Фотоэлектретный эффект на дислокациях в кремнии. Письма в ЖЗТФ, 1978, т.28,8, с.548-551.

79. Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А., Никитенко В.И. Исследование фото-электретного состояния в кристаллах кремния с высокой плотностью дислокаций. -фТП, IS80, т.14, вып.2, с.295-301.

80. Милевский JI.C. В кн.: Дислокации и физические свойства полупроводников /Под ред. Регеля А.Р./ Л.: Наука, 1967, с.5-29.

81. Осипьян Ю.А., Тимофеев В.Б., Штейнман Э.А. Рассеяние экситонов на дислокациях в кристаллах CdSe . -ЖЭТФ, 1972, т.62, вып.1, с.272-279.

82. Сальков Е.А., Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Новые полосы поглощения CdS , пластически деформированного при низкой температуре. -ФТТ, 1980, т.22, вып.4, c.IIIO-ШЗ.1. QQ

83. Glinchuk K.D. Prokhorovich K.I., Zayats N.S. Comparison of Irradiation and

84. Annealing induced Changes of the Intrisic Emission Intensity in Electron

85. Bombarded Undeformed and Plastically Deformed GaAs-» . . <; " Phys. Stat. Sol. (a) 73, 1979, K267-K270.

86. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат,1969, 311с.

87. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы офазования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981, 368с.

88. Э2. Физические цроцессы в облученных полупроводниках. /Под ред.

89. Ji.С.Смирнова/ Новосибирск. Наука, СО, 1977, 265с.

90. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981, 248с.

91. Винещий B.JI., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев, Наукова думка, IS79.

92. Марчук Н.Д. Исследование радиационных дефектов в фосфиде галлия и твердых растворах GrCiAsi-x Рх . Автореферат канд. дисс. Одесса, 1979, с.17.

93. Витовский Н.А., Мустафакулов Д., Чекмарев А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках, -ФТП, 1977, т.II, вып.9, с.1747-1753.

94. Berttolotti М., Vitali G. Laser annealing of semiconductors from "Current Topies in materials Seiens", v. 8, ed. by E. Kaldis, 1982, Amsterdam e. a., Ch. 2.

95. Смирнов Л.С. О проблемах радиационной физики полупроводников. В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах. Киев, Наукова думка, 1977, с.5-11.

96. Радиационные эффекты в монокристаллах. Издат. ФАН. Ташкент, УзССР, 1973, 197с.

97. DO. Машовец Т.В. Точечные дефекты в германии и антимониде индия. В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах. Киев, Наукова думка, 1977, Но.

98. Я. Хановская В.В., Смирнов Л.С. Взаимодействие радиационных дефектов с дислокациями в германии. -ФТП, 1968, т.10, вып.6, с.1549-1550.

99. Машовец Т.В., Рыбкин С.М., Хансеваров Р.Ю. 0 влиянии термодефектов на радиационную стойкость германия. -ФТТ, 1967, т.9, вып.2, с.535-538.

100. ЮЗ. Панов В.И., Смирнов Л.С., Тишковскии Е.Г. 0 взаимодействии термо- и радиационных дефектов в кремнии. -ФТП, 1975, т.9,вып.8, с.1580-1583.

101. Дриго Э.Д., Сафронов JI.H., Сшфнов Л.С. Роль примесных атмосфер в излучательной рекомбинации на дислокациях. -ФТП, 1972, т.6, вып.12, с.1787-1790.

102. Kazakevich L.A., Lugakov P.P. The Effect of Dislocations on the Radiation

103. Defect Annealing Processes in Silicon. Phys.Stat. Sol. (a), 74» 1982, p.113.

104. Колонцова E.B. Возможные типы радиационно-индуцированных струг турных состояний в неметаллических кристаллах. В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах. Киев,Наукова думка, 1977, 102с.

105. Саакян В.А. Влияние электронного облучения на теплопроводность кремния п-типа. В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах. Киев, Наукова думка, 1977, с.125-130.

106. Димитриев В.М. Радиационное повреждение S.I частицами высоких энергий. -ФТП, т. 16, J£9, 1982, с.1642-1644.

107. Уваров Е.Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соео сдинений А°В , облученных быстрыми электронами и неитронами. Обзоры по электронной технике. М.: 1979, вып.9/657/, 68с.

108. ПО. Брэндовский Е.Ю., Осташко Н.И., Тартачник В.П., Шаховцов В.И. Влияние точечных радиационных дефектов на околокраевое оптичес кое поглощение кристаллов Grfl.P . УФЖ, 1981, т.26,с.973-977.

109. Yutaka Tokuda, Masatoshi Oda and Akira Vsami. Electrical Properities of 1,7 -meV- Electron Irradiated Sulfur-Doped GaP. IEEE Transactions on Nuclear Science, v. NS-25, N 4, August 1978, p. 1055-1060.

110. Шемаев Б.В. Изменение электрофизических характеристик п-крем-ния при облучении протонами с энергией '6.3 МэВ. -ФТП, 1984, т.18, вып.2, с.229-233.

111. Доманевский Д.С., Либов Л.Д. и др. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, Наукова думка, 1971,т.З, ч.2, с.50-53.

112. Глинчук К.Д., Заяц Н.С., Прохорович А.В. Увеличение времени жизни неосновных носителей тока в GrdAs при радиационно-термическом воздействии. -Ш1, 1982, т. 16, вып. 12, с.2214-2216.

113. Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Попов А.И. Дефектообразование в приповерхностных областях кремния при лазерном воздействии. ФТП, 1982, т.16, вып.6, с.1078-1082.

114. Алферов Ж.И., Абакумов В.Н., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В. и др. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников. ФТП, IS83, т.17, вып.2, с.235-240.

115. Копаев В.В., Копаев Ю.В., Плотников С.Н. Нетепловои механизм лазерного отжига полупроводников и образование сверхструктуры. -Микроэлектроника, 1963, т.12, вып.6, с.499-511.

116. Baumgart Н., Phillipp P. and. Leamy H.J. Defect foemation in CW C02 Laser Annealed Silicon. Laser and Electronheam Interactions with Solid. Proc. Mat. Res. Soc., 1981, p. 355-360.

117. Белоусова Ю.Е., Сльховникова Т.И., Хашимов Ф.Р. Структурное совершенство монокристаллов фосфида галлия. Обзоры по электронной технике. М.: IS77, 38с.

118. Пронина Л.Н., Шмытько И.М., Ариетов В.В. Исследование структуры деформированных прекаткей монокристаллов Мо в расходящемсяпучке рентгеновских лучей. -ФТТ, 1978, т.20,вып.II,с.3397-3401.

119. Резник Б.И., Челюшкин А.Г., Ротнер Ю.Ы., Евтушенко Н.Г., Црес-нов В.А. Изменение субструктуры синтетических алмазов под действием высоковольтного импульсного разряда. Физика и техника высоких давлении. Киев, Наукова думка, 1984, вып.16,с.96-98.

120. Ровинский Б.М., Лютиду В.Г., Ханонкин А.А. Рентгенографические методы исследования структурных несовершенств и дефектов решетки в кристаллических материалах. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Л.: 1971, вып.9, с.3-35.

121. Уманский Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982, 632с.

122. Костюкова Е.П. Рентгенографическое определение типа малоугловых границ. Кристаллография, 1970, т.15, вып.4, с.769-775.

123. Бублик В.Т., Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978, 272с.

124. Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах:. Киев, Наукова думка, 1983, 147с.

125. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: МГУ, 1972, 242с.

126. Црокопенко И.В., Даценко Л.И. Рассеяние рентгеновских лучей монокристаллами кремния с механически поврежденным поверхностным слоем. -УЕФ, 1982, т.27, k I, с.50-54.

127. Кривоглаз М.А. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах. Киев, Наукова думка, 1984, 287с.

128. Хрупа В.И., Осадчая Н.В., Даценко Л.И. Влияние дислокащй на интегральные интенсивности лауэ-дифрагированных пучков в случае цромежуточных толщин кристаллов /I <10/, УФЖ, 1983, т.28, & 6, с.944-945.

129. Иванов А.Н., Климанек П.И., Скаков Ю.А. Применение эффекта экстинкции для анализа дислокационной структуры кристаллов. Кристаллография, 1983, т.28, вып.1, с.109-114.

130. Даценко Л.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И. Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-краев поглощения в тонких монокристаллах бинарных полупроводников. Кристаллография,т.29, выл.6,с.1066-1070.

131. Даценко Л.И., Кисловский Е.Н., Прокопенко И.В. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей кристаллами, упруго изогнутыми односторонним окислением. -УФЖ, 1977, т.22,вып.3, с.513-515.

132. Boris W. Batterman. X-ray Integrated Intensity of Germanium Effect of Dislocations and Chemical Impurities. J. of Appl. Phys., 1959, v. 30, N 4, P. 508-513.

133. Piotrowska A., Kaminska E., Kaminska A.M. Methods of Surface Preparation for some Semiconductor Compounds. Electron Technology, v. 14,p. 3-23» Institute of Electron Technology, Warszawa, 1983.

134. Li j.c.M. Posihility of Subgrain Rotation during Recrystallization. J. Appl. Phys., 1962, v. 33» N 10, p. 2958-2965.

135. Савицкий Г.В., Кияк С.Г., Гафинчук В.В., Нарольский А.Ф. Кинетика процессов нагрева полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения. УФЖ, 1985, т.30, вып.2,с.160-16С

136. Глазов В.М., Вигдорович В.Н. Микротвердость металлов. М.: Металлургия, 1969, 247с.

137. Вальковская М.И., Пушкаш Б.М., Марончук З.Е. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. Кишинев, ШТИИНЦА, 1984, 107с.

138. Сб. Деформирование кристаллов при действии сосредоточенной нагрузки. Издат. ШТИИНЦА., 1978.

139. Юнович А.З. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия. В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: Наука, 1972, с.224-304.

140. А.Берг, П.Дин. Светодиоды. М.: Мир, 1979, 686с.

141. Василенко Н.Д., Евтушенко Н.Г., Лю Сын Нам, Чукичев М.В. Дефек-тообразование в фосфиде галлия при механических и радиационных воздействиях. 1У Всесоюзное совещание "Дефекты структуры в полупроводниках", Тезисы докладов, Новосибирск,1984, ч.1, 45с.о с:

142. Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях А°В . В сб.: Точечные дефекты в твердых телах. Новости ФТТ, М.: Мир, 1979,вып.9, с.187-220.

143. Негрий В.Д., Осипьян Ю.А. Особенности люминесценции сульфида кадмия, деформированного при низких температурах. ФТТ, 1982, 24, с.344-347.

144. Сальков Е.А., Тарбаев Н.И., Шейнкман М.К., Шепельский Г.А. Излучательная и безылучательная рекомбинация сульфида кадмия цри низкотемпературной пластической деформации. ФТП, 1983, т. 17, вып.10, с.1835-1840.

145. Вострова А.Р., Добрынина Е.С., Петров В.И. Кинетика люминесценции в фосфиде галлия п-типа, легированном азотом. -ФТП, 1984, т.18, вып.2, с.275-278.

146. Хабибулаев П.К., Юнусов М.С., Махкамов Б.Л. и др. Влияние иони-31фуйщего излучения на распад твердых растворов. -ФТП, 1984, т.18, вып.5, с.915-918.