Равновесные и неравновесные электронные процессы в полупроводниках АIIIBVI и твердых растворах CdxHg1-xTe (0,23 < или равно Х < или равно 0,65) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

г -

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ИМ. Г. М. АБДУЛЛАЕВА АН АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ

«ч^"' На правах рукописи

УДК 621.315.502

ИСМАЙЛОВ ФИКРЕТ ИСМАИЛ оглы

РАВНОВЕСНЫЕ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А^В^ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ СДОк/.хГе

(0,23<Х<0,65)

01.04.10 — Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

БАКУ — 1095

1

т

Работа выполнена в Институте Фотоэлектроники АН Азербайджанской Республики

Официальные оппоненты:

—член корреспондент АН Азерб. Республики, доктор физико-математических наук, профессор Пашаев А. М.

—доктор физико-математических наук, профессор Искендер-заде 3. А.

—доктор физико-математических наук, профессор Бекиров М. Я.

Ведущая организация: Бакинский Государственный Университет им. М. Э. Расулзаде

О {)

Защита состоится <$0 » ию#я 1995 года в ]0 часов на заседании Специализированного одноразового совета Б/Д 004.04.04 при Институте Физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азерб. Республики по адресу: 370143, Баку-143, улица Г. Джа-вида.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института Физики им. Г. М. Абдуллаева АН Азерб. Республики.

Автореферат разослан « 29 » мая 1995 г. *

Ученый Секретарь Специализированного одноразового Совета Б/Д 004.04.04 доктор физико-

математических наук, профессор КЕРИМОВА Т. Г.

авдя харашривша работы.

Актуальность теш.- В последние годы достигнуты значительные успеха в области--создания фотаггрлешгпсов как видимого, так и инфрокрасного диапазона спектра. •. Эти успехи достигнуты в результате разработка новых слоелнх полупроводниковых соединений и твердых растворов. Б качестве перспективных материалов в этой области вагное место занимают узкозонные твердые растворы в системе Сс/Те -Ну /е и широкозоннке полупроводники класса да И ИХ твердые растворы. '

К настоящему времени в полупроводниках ТпЗб и 9а ¿в , а твердых растгсрах£#^.^?/.Апроведены. фундаментальные исследования в области вблизи края собственного.поглощения при умеренных и высотах уроЕняуоптачесЕого возбуждения в широком интервале температур и еэпитлюс полей. Эти исследования- поввогззш установить основные характеристики зонного спектра и характер электронных переходов к соответствующие дм времена релаксации. Однако, исследования влияния различных факторов: - прошпсавдей радиации, термоудара, СШ электрического поля, .из их электронные свойства, структурные дейзктообразоЕакзя.а спектры локальных енергетячес-• ких уровней, обусловленшх ■ ®ер!яческта з радаавдоншгл! дефекта-13 отсутствует. А процессы э^иезаетш дягфугпз' прзмесеЗ в полу- . проводниках А^В7* до настоящего вргкена не рассматривалась.

Увзаальниа свойства-твердых растворов Сй{х {/$/-х7е -инверсия зонной структуры,. кзлое Ъг.а.чегяе дазлектрнческоЗ проницаемости, высокое сначе:пе;подппяостз носителей заряда и, соответственно, полое глттеяяе е£$зкЕзглоЗ кассы электронов, а также возтяность перегрпгхя всего 'ддЕпззоза хэкна прозрачности, атмосферы на.основе одного твердого раствора рекомендуют его в"качестве перспективного затерзала для ияйрокрасной техника.

К настоящему времени твердые растворы Со/х Нд^Тв состава х^О, 16+0,23 исследованы обширно я на пх основе созданы высокочувствительные фотопряеетикя. ' .

Однако, ¡¿зютесоте своЗстга кокоЕрястаялов твердых раст- • воров 0с/хНу,.хТ9 состава 2 0,23 (дая создания фотоприемников якасазоЕа 1,5:8 иа) дсследоггпн недостаточно, а ямеэдзеся данязе щкотсорЕчзга.

В сляг:-с гссрслутпгз пробзсчрля, установление механизма птяг'зс?!' э гфзст&жх шяатевяе законоыефюс-53 шакавЕзя эдшвро^з^есезг ггггкзгроз з .Еозокрнстаявах ,

■Gà$e* твердых vacTBQvax.GaÛàet-x zCcbfy,_xTe от состава, влияние 'сального СШ электрического поля, проникающей радиации, а такае различного рода обработки на электронные процессы в них является актуальной задачей.

Целью дассертаыдонной работы являлось выявление особенностей и установление механизма процессов диффузии прикесей, переноса электрического заряда в зависимости от температуры, состава, различного рода и дозы облучения, СШ электрического поля в слоистых кристаллах Gage Jnèe и твердых растворах ,

Odx^Je (х=0,23*0,65), разработки физических основ технологии создания на основе указанных полупроводниках высокотемпературных и радаапионностойких преобразователей энергии видимого и инфрокрасного диапазонов спектра. ...

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие, задачи: .

- разработать технологию выращивания совершенных по структуре и однородных по составу монокристаллов А JnÉe

GaTe И твердых растворов Câx fy-xTe (0,23 X

¿Г 0,65); _

- изучить температурную зависимость коэффициента диффузии, определить энергию активации и пределы растворимости диаду зонтов iln , fiq ,Ccf t Te t&ft ) в полупроводниках GaSe ,

Тпбеж V-aTe i

- комплексно изучить электроф13дческае/оптические, фотоэлектрические свойства, характер.' термических дефектов, а также механизм анизотропии прбводимости в кристаллах Gû&S 2 Ii)Se ;

- изучить влияние проникающей радиации ( ¿Г- квантов, электронов с энергией 6 2 25 МэВ и У - нейтронов) в широком интервале доз на механизм рассеяния носителей заряда, на характер де-фектообразования, трансмутационного действия в кристаллах &Q&6, . JnSe и ва&кЪе,-*

- установить механизм рекомбанавди, изучить механизм рассеяния носителей заряда в слабых и сильных греющих СШ электрических полях в твердых растворах Cdttyi-xTe (0,23^. 0,65);

- изучить влияние включения второй фазы теллура на характеристические параметры фотоприемников, а также электрофизические свойства твердого раствора Odx Те ;

- - выявить новые возможности практического применения ыоно-

- ■ з -

кристаллов твердых растворов и Сс/ХМу^Те

в качестве детекторов проникающей- радиации и приемников икфро-красного'излучения, соответственно. ^

Объектом исследования.явились монокристаллы О^^х/Ов^х (О х<-1), р-тнпа,. п-ткпа проводимости, по-

лученные методом медленного охлаждения при постоянном градиенте тсштератур (Т.ЮПГТ) и твердые растворы Со'х г!$1-х Те ■ ц- и р-типа проводимости состава- (0,23 х^с 0,65), полученных гле— к>дш1 (М011ГТ), твердотельной рекристаллизацией, зонной плавки я Еридзмена. - .' о

Ко след о?ахгия

- для зсяучешя структурно совершенных, однородные по составу !~"0Е0кргскшюз Сила применены' унифицированные варианты методе:: зкралззаЕПш кристаллов: метод медленного охлаждения при яоехояннем !ррагаеяте температур. (ЖПГТ), метод.твердотельной рекрассажкгапи (ТТ?),' метод Бркдамева и -зонной плавки. Рентгеновским методом контролировались параметры'кристаллической рехогка и соЕзр-енсгвэ полученных •кристаллов. -

- при исследования диффузии щимесеЗ в слопетнх кристаллах б;.'.ти непелъзогакн радяохашчеекпй метод диффузии из постоянного источника. При расчете крзффзшента даф&зиз использованы метод ' последовательного снятия .слое^в и'метод наложения стандартной кривой. ' ч * • • \ " „ . '

-.при определении" кинетических параметров применен комплекс экеяергнленталышх' Методов для игмерення злектропроводнос-еа, 'зде Холла* при слабых н- ерлышх электрических полях, фото.. проводимости и глнетзкн фотопроводимости при низких и высоких уровней'оптического возбузэдешя, времени еизни в условиях сильного электрического паяя.

Научная новизна заключается в о.1: едущем: •

- впервые представлен метод медленного охлаждения при постоянном градиенте температур (КОПГТ) с Математически.! моделированием процесса красталлазащш,

Ен.чвлены механизмы дапйузид в слон-стих полупроводника;: типа параллельном направлена!! осп "С";

- установлено, что рассеяние носителей заряда в и Тп^-3 ниже 20СК происходит на ионах примеси, а ксе 2С-фС

на неподярных оптических фононах и акустических колебаниях ре-•летки; ..

- выявлены мехенагм .анизстрошш проводимости, а "также мег-

слойный энергетический барьер, приводящий.к прыкковому механизму проводимости вдоль главной оптической оси "С";

- установлено энергетическое расположение квази локальных энергетических уровней в и 1п£е , обусловленных радиационным»! дефектами;

- выявлен молярный коЕшгицаент шрищ запрещенной зоны для твердого раствора

- выявлено влияние'включения второй фазы теллура на параметры фотоприемников на основе Сс!% Нд.^Тв и методы извлечения это- • рой фазы - .теллура из материала;

- выявлено изменение электропроводности под действием СЙЧ электрического поля в Сс/хИ^-х 7~в , к Тп&О и установлена особенность этих изменений;

- выявлено, что в монокристаллах Сс^х^З-хТе при кшзкпх... температурах механизм рекомбинации является Шокла-Ридовскам, а ери высоких температурах -Оге-иалучательыой рзкамйангциеи;

- в монокристаллах Ос(х %Ъ-х обааругскэ явление экс-клюзяи неравновесных носителей тока и показано, что с поаощья явления эксклазиц. коаао управлять иыердаошюстао фо-хощаемнгкоз на основе этих кристаллов.

Научная и практическая ценность- работы.

Подученные з диссертация результаты позволяет использовать их при решении научных и прикладных задач;

, - предаоаеннке технологические методы позволяют штедати-ческн моделировать процесс краеггаялазадза и получать одаородяае по составу, совершенные по структуре ыонокрл стаза сложных полупроводниковых соединений;

- результаты по дайру вил щаагесей-з' елолегах крлсгаслаг гз* бить аспользоганы при реианлг теоретических задач по изучена? ::э::аетз^:а дефектоейразоьаьля и слолслгх крлс-га^..^:

гЪзулыата днссертацас по доздейстнш СЕЧ,

-:а равновесные' и нарошювес1ше глехздюинне процесса в сг'<£а>с л твердых растворах Сихполезны длгг развизкх оугг-зсгвузсаей тесрац гльргетаческого спектра глс»кярожш ь на:;, с. ?;лг~с для белее глубокого яоиаг^паг процесса разегреха коса-.&леа лт.г.да слоиста:: "деодпореддах" сатугтрок'ди.игг; сг'Л/;.? .;;саческах узкозокнкх тззрдах расягорид С^-^-т "Л? .

Результаты по воздействии проникающей радиации на кристаллы 9оВе , Тл£е И твердые растворы ёг^^е,..* и извлечение теллурового включения из твердого раствора Сс!г Нд^хГб позволяет усовершенствовать технологии по изготовлению радиационко стойких, высокочувствительных преобразователей энергии дая видимой и ин-. фрокрасной области спектра.

Основные научные положения выносимые на задиту: .

1. Способы выращивания совершенных по структуре, однородных по составу слошшх полупроводниковых монокристаллов типа

и твердых растворов Сбх Те с математическим моделированием процесса кристаллизация.

2. Особенности механизма диффузии примесей в слоистых полупроводниках &в$е .1п$е к (Ра Те . При рассмотрении процесса диффузии в слоистых полупроводниках необходимо учитывать два основных фактора: I.Наличие межсловного потенциального барьера, возможность скопления -примесей мевду слоями. 2. Диффузия в самом слое.

3. Инверсия энергетической зонной структуры и.молярного коэффициента шрннн запрещенной'-зоны в твердых растворах

4. Пркдкозкй" глеханазм^ провсщшлости вдоль оси "С" в крнс-. -таллах 6о,$в и , обусловленный кегслойнш 'энергетическим барьере:,?.

5. Природа "геваззлокаяьных- энергетических уровней в крас-. теллах п 1п&е. , ..-обусловленных термическина дефекта:®.

6. Особенности разогрева носителей заряда в слоистых "неоднородных"•полупроводниках типа А^В^и твердых растворах

Со'х%н*7~'ё . Механизм" разогрева носителей заряда а влияние разогрева носителей заряда на фотоэлектрические свойства твердого раствора .

7. Мехакиш образования радиационных дефектов, влияние дефектов на электрофизические свойства,, механизм рассеяния в

&й$е и 2/? ¿е , инверсия знака проводимости в кристаллах ТпВв , о&тгучеккнх $- нейтронш.®, алектронаки с энергией 6 и 25 НэВ, влияние изохронного отжига на радиационные дефекты.

8. Инверсия зкпг'а проводимости э твердых растворах Р-С&Ий^Те (0,23 £ х 0,65). з зависимости от

температуры.

9. Энергетический спектр примесных состояний в твердых растворах Са'хМд,-хТе (0,23 х ^ 0,65).

10. Рекоибияяционные процессы в твердых растворам Cdxlh^JQ обусловленные механизмом Шокли-Рида при низких температурам и Оле-излучательнси рекомбинацией при тейпературах Т—I20ÏÏ.

II. Влияние включения второй фазы-теллура на характеристические параметры фотояриемников на основе твердых растворов «.

CdxH^xTe и способ извлечения второй фазы-теллура из состава материала.

Совокупность приведенных научных положений монно рассматривать как развитие перспективного направления связанного с усовершенствованием технологии получения совершенных кристаллов сложных полупроводниковых соединений, установлением особенностей механизма диффузии примесей, электрических, фотоэлектрических явлений в слоистшншрокозонных и кубических узкозоняых О Qx Но,.„7е полупроводниках при воздействии проникающей радиации и СШ влектрического поля и разработкой ра-диационно стойких высокочувствительных преобразователей энергии для видимой и инфракрасной области спектра.

Аггосбадпя работы. За комплекс работ по разработке элементов и устройств ИК-техники з составе авторского коллектива присуждена Государственная премия Азерб.ССР IS82 года.

Основные результаты работы докладывались на УП-ХП Всесоюзных научно-технических совещаниях по фотоэлектрическим и тенло-еым приемникам излучения (Москва: IS76, 1978, 1980, 1982, 1984, 1987гг.), 17, У Всесоюзных симпозиумах по. полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллом (Львов; 1975,1981), Всесоюзной конференции по физике узкозонных полупроводников (Москва IS85), Ш, 1У Всесоюзных совещаниях ио глубокой. очистке и прецизионному анализу материалов высокой чистоты применяемое з электронной технике (Казань: 1986, 1987 гг.), Всесоюзном семинаре "Еопросы обеспечения РС,?ЗЯ, ЭРИ-и материалы к воздействии" (Москва 1984г.), Всесоюзном совещании по узкозошшм полупроводникам (Светловодск 1979г.).

Сбъе.'.! н структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, десяти глав, зааянчения и цитируемой литературы (318 наименований). Общий объем диссертации составляет 335 страниц, из них 232 страницы машинописного текста, рисунков -146,, тайлкц 9.

Во введении обоснована актуальность тем диссертации, формируется основная цель работы, научная практическая ценность и основные'положения, которые выносятся на защиту.' Приведена краткая аннотация отдельных глав диссертации.

В первой главе диссертации представлены предложения технологии синтеза слояша полупроводниковых соединений с легкодо-тучтст хомпонектамл (, ЭаТд, Тп£в и т.п.)'и тверд!::: растворов Св* //а,_хТе • , а такге шраэдвалия структурно с'овершенннх, однородный по составу монокристаллов.

При синтезе сложных полупроводниковых соединс-кпй типа

, &&Те, 1п£в и тп.) с легкалетучими компо-аелтамз длл предотврг^е.щя взрыва при достижении тгг-лературы до определенного значения верхнии (в не внутри нагревателя) часть агщулы, охлогдглз скатим воздухом, для' конденсации паров компонента внутри ампулы с'целью управьёипя дазаенЕЯ паров.

С уменьшением количества паров ампула постепенно погружалась внутри дечгп и окончатедыпй синтез проводился в исотсрмичес-•ксм регзыле. При синтезе твердых растворов СохУ?!-*^ ^ Пря_ . кевен ггротЕзодавлешсл! в специальной камере. В качестве противодавления бил применен предварительно отег^аай обрасиЕНКй ка-тзриал 157; МЮ. .

Метод .Медленного охладдения прх постоянном градиенте температуры (.\'СПГТ) с. гатемаическтм моделированием процесса кристаллизации по формуле - |

1/ - ■ ^ (I)

■ ч-рис. ' .¿Т ■

где"\/крис. ~ скорость кристаллизации.V озл« - скорость охлаэденая йТ- градиент температуры вдаль расплава - дает воз-мощность вырвдивэть совершенные кристаллы из класса полупроводников и твердых растворов 0ахп^хТб . Преимущество этого метода заключается в тем, что в процессе кристаллизации -ни расплав,- ни нагреватель «е соверг^аз? механического двипе-аекая. Срснт кристалли^ашп! перемешается заранее програмка-рзванной скоростыэ - V криц, согласно формуле (I). Отсутствие механического двлдэния сиособстзует исключении вибрации (дрожания) расплава во время форглгрования кристаллическая, структуры.

Применение эвтектического сплава в методе Ерэдзиека в ка-

честве тешгаотвода способствует получению большого градиента температур до 180*200 на фронте кристаллизации, исклю-

чению трублентного потока тепла от границы раздела, расплав-кристалл, образованию нескольких центров кристаллизации, искривлении фронта кристаллизации и управлении зародшпеобразова-ния по•определенной ориентации.

В данном способе ампула с кристаллизуемым веществом из области высокой температурой т.е. на 50+70 градусов выше температуры плавления кристаллизуемого вещества - точка ликвидуса (72 ) перемещается в область кристаллизации т.е. на 50*70 градусов ниае температуры затвердевания - точка солидуса () путем непосредственного погружения ампулы в расплавленный эвтектический сплав. При этом .температура плавления эвтетического сплава должна быть на 50-70 градусов ниже, чем температура затвердевания - точка ссишдуса () кристаллизуемого вещества.

■ Для выращивания однородных по составу монокристаллов твер-г . дых растворов Сс/Х fy-x эффективны;.: является метод зон-

ной плавки.

Устройство нагревательного элемента отличается от своих прототипов простотой конструкции, удобством в эксплуатации и 'меньшим энергопотреблением.

Нагревательны! элемент' выполнен из нихромовой ленты в форме спирали Архимеда и позволяет достичь узкого фронта распространения теплового потока на границе контейнера с кристаллизуемым веществом. В результате ширина зоны расплава оказывается равной •

ттттт>лг*тто tJTT,VT"(/">M/"\T5rvifr тг<агт*г»гт ( mm. . »л*^ тяп тт<э"И/"\№г\т>т»отт ттотта__

ша. рлли-щ/ 1 ША^/ utuv^vM . \ ^ w иш; | v> *ьч/J» wy v-*4 «^viv^^ii

ватель, а градиент температуры на границе раздела достигает 220+ 260 — . Диаметр поликристаллического слитка не превышал

14 мм. Ограничение диаметра слитка обусловлено тем, что выше

мм при охлаждении поверхности ампулы скорость охлаждения • ( Уохл ) в радиальном направлении и скорости кристаллизации (Vif pik) вдоль слитка по времени не согласовываются, нарушается тепловой баланс и в результате, происходит искривление фронта кристаллизация. J и -Г Процесс твердотельной рекристаллизации О их Нд,-х /с

проводился по следующей технологии, заранее изготовленный однородней по составу полукристаллических слиток заданного состава изготовленный капельным методом, с кварцевой ампулой вставляется в

дополнительную наружную ампулу. С целью создания хорошего теплового контакта мезду кристаллизуемым веществом и нагревателем и, следовательно, всестороннего равномерного изотермического нагрева в наружную ампулу заливается расплавленное олово до полного погружения внутренней (основной) ампулы с веществом в олове. Затем, наружная ампула с оловом откачивается до 10-3мм.рт.ст. и отпаивается. Затем ампула с рекристаллизуемым веществом подвеивается в изотермической зоне печи.

3 зависимости от состава,-рекристаллизация проводилась в различных температурных реяимах (690-820°С). Время вддеряки составляет от 200 до -700 часов, затем система охлаждалась со скоростью 25-40 до комнатной температуры. Перекристаллизо-раяные слитки были крупноблочными монокристаллами, В зависимости о? давления пароз ртути полученные кристаллы имели как р- так и п-тяяа проводимости. Из результатов опыта проведенных экспериментов установлено, что'качество полученных кристаллов во многом зависят от чистоты исходных компонентов, однородности псллкрис-талличеокой енхты, от разновесного-давления паров ртути, а так яэ от температур! проведения процесса-рекристаллизации.

Из. проведенных анализов по составу установлено, что флукта-ция состава X не превшает .0,003 мол.% для составов 0,20^ х ' ^0,35, а для составов х> 0,-35, флуктация составляет 0,002 мол.*

Во-второй тт.а^е диссертации изложены, физические основы радиационного дефектосбразования, техника облучения кристаллов прошкаидами радиацията:^- квантами, электронами с энергией С; 25 МэВ и быстрыми <Г- нейтронами.

Излогену техника и методы проведения экспериментов по проведена» 'днсйузлп примесей и определения диффузионных параметров. Дкфйугия примесей проводилась методом постоянного источника. 1Ле— ■годом вакуумного напдаешя дяф^угангы наносились на свеяесксло-тую.поверхность. Продолжительность дкф£узнойного отжига составляет 25*100 часов.

При расчете кс9$шяевта дггф^усиа бил аспользозан метод яалозекия станд:зэгл-:с;: кривой; яря с?см пр^г-хмсдссь, что граничные условия соогЕзтсггузт ди^'еил из постоянного источника.

йрл&рояяе ;:оэй::с;скта Холла л слокгрспрсводяостл в моно-кспст?пйх с м?лсЛ яодг.~яностьо н Еусстгя сг;:рзги?ленпе-м, таких как ,.проводилось м??одсм пергможого тска.' По-

точником тока с частотой; 50*80 Гц служил ламповый генератор.

Чувствительность измерения эдс Холла не меньше 10 мкВ при соотношении сигнала к шуму'1:1, соответствующая чувствительность по подеикности 5-Ю-^ м^/Б-сек.

Применяемый метод измерения сопротивления основываемся на сравнении измеряемого сопротивления с эталонным с помощью усилителя, охваченного глубокой обратной связью.

Измерение эдс Холла и электропроводности для низкоомных образцов проводились компенсационным методом з постоянных магнитных и электрических полях.

Регистрация сигнала при -снятии спектральных характеристик иирокозонных образцов

) производилась

по стандартной методике. В качестве аттестованного приемника с известной спектральной характеристикой использовался кремневый фотодиод (<2Д-28КП).

Исследования спектрального распределения фоточувствительности в НК области спектра проводились на базе монохромсторе фирмы "ШЙС"(5й^-2 позволяющие проводить измерения в области длин волн от 0,2 до 50 мкм. Частота модуляции при измерениях составляла 1200 Гц. Формирование прямоугольного импульса излучения с длиной волны .Д =3,39 мкм производилось электрооптическим модулятором Ж-4 работающем в режиме бегущей волны. Длительность импульса определялась длиной каоксиальной линии и изменялось в диапазоне 1-10~^т8-10~'сек. При этом фронт нарастания и спада импульсов составляла'4-10~9с. Поскольку собственное вреда нарастания и спада прямоугольного импульса света на несколько порядков меньше, чем собственное время визни носителей заряда в исследуемых образцах ( ~c.„S ¿G ) установка позволяет наблзо-

cnifi

дать релаксационные кривые фотопроводимости на экране осциллографа.

Использования СЕЧ установка позволяет получить импульсы СВЧ электрического поля длительностью 0,5-2 мке напряженностью поля порядка ICf^B/см. Длина применяемых. СВЧ поля составляла Зсм с частотой 10А°ГЦ. Измерения проводились в режиме стоячих воли, чго оозсггоч'лалссь применением специального порпня.

'.MijAOQ поле сбеспечивалось с помощью импульсного генератора. с ::елью исключения д:коулевого нагрела, частота следования :: детальность тяпуцего ноля были не больсе 5 Га ;; : мкс соответ-

ственно. С такими зке паузами подавались и СШ импульсы.

В случае измерения термоэдс горячих носителей заряда образец частично, - до двух третьих части - установился в .волноводе. Разность потенциалов менду областями- измерялось при помощи осциллографа С8-11.

При измерении термофотоэдс горячих носителей заряда образец помечался в волновод танам образом, чтобы оба контакта на торцах образца находились вне воздействия СВЧ электрического поля, а часть образца находящегося в волноводе, освещалась фотоактивным светом, для этой цеди использовалась лампа с мощностью 4СЮВт.

Гзегья глава диссертации посвящена исследованию-диффузии и растворимости примесей в "слоистых кристаллах &а$е , 6а Те и 1п0е.

Диффузия проводилась методом постоянного источника, нанесенного методом вакуумного' напыления с последовательным-снятием тонких длоскодараялельных слоев толщиной 2+20 шкрон.

Исследована температурная зависимость коэйфщиента^ди^тзии и раствориыостей примесей: , • и/7 » ^¿л » /£>.

, принадлежащих к 1,2,3,4 и-6 группам периодической системы. Выбор каядой из указанных примесей в кристаллах боёв, 9аТеж7/?$е основывается на их электронных состояниях: донорное^ акцепторное и взоэлектронное, которые представлены в таблице:

Электронные состояния примесей . Таблица I

^-^¡гсимесь ! ,по вещество • но- ПЬ/. 114, | лп ! | 12Ъъ

■ акпеп. • акпеп. 1 изоэлек. дсног> I'

акцеп*. ' акцеп. ОСНОВ- донор 01^011. НОЙ КОГ.'Н пан. > 1

во Те . акаеп. акцеп. изоэлек. донор 1 основ-1 ноП кс: пан.

Экспериментальные даяние находятся в хорошем соглас-пи с уравнениям! £ика,.а экспоненсиальная зависимость коэффициента диффузии от температуры выражаются по закону Лрренуса:

3-1 е*К- тг) (2)

Результаты проведенных1 исследований, коэффициенты- диффузии для бесконечно высокой температуры и энергии активации различных диффузантов в изученных кристаллах представлены в таблице" 2:

Диффузантше параметры примесей Таблица 2

—дк4фузанты кристаллы" ---- 114 1п ПО, ¿9 1 125__ Те

1п$е Но 6.3-Ю"2 6.3.Ю-6 1.45-Ю"6 2-Ю-6 _

й£ 0,9 0,57 0,27 0,46 -

Л 2 ЛО"3 1,6*10-а _ ^ 25-10"^

й£ о,? . 0,14 - 1,03 1,08

ОоТе Л 4«10~а 1-НГь 0,5-Ю-0 4-ТГГ6 аЗ-10"а

аЕ 0.23 0,45 1,44 0.7 ' СГ, 55 '

Атомный радиус А0 1,66 1,44 1,56 1,7 1,58

Ионный радиус | 1,3 1,13 0,99 2,1 0,67

Следует отметить, что процессы диффузий проходили в направлении перпендикулярном слоям. Это означает-, что полная вероятность миграции диффузанта должна определиться суммой двух механизмов: а) миграция в самих слоях, б) прохождение через потенциальный барьер существующий мегду слоями - '"проме^утххгл".

Таким образом при рассмотрении процесса диффузии в-слоистых кристаллах необходимо учитывать два основных фактора: наличие мекслойных потенциальных барьеров и возможность скопления примесей мезду слояьи. " .

Четвертая глава диссертации 'посвящена исследованию механизма проводимости слоистих кристаллов , Т/7&& и твердых растворов 6"£7 ¿^/-к

Исследована температурная зависимость электропроводности и козфпцхеята Холла, монокристаллов 7п$в . Из отих зависи-

:;ссте": длл каздены значения ширины запрещенной зоны 1,98 эВ,

находятся з хорошем согласии со значеншаи получеяньш из края оптического поглощения .(2,05 эВ). Глубина залегания примесных уровней б низкотемпературной области составляет 0,2Й 0,02 эВ для

- 13 -

низкоощых'и (0,344-0,40)^0,ОЗэВ для знсовоомных образцов. А для Ifl$e лВ =1,12эВ, глубина залегания донорного уровня 0,2эВ.

Подобные колебания энергии активации примесных уровней обусловлены степенью компенсации образцов. ''

Установлено, что температурная зависимость подвижности подчиняется законуу}/~ ТП и рассеяние носителей заряда ник200К в

основном происходит на ионах примесей 11=2,1*2,2, а вше Т> 200К превалирует рассеянию на акустических колебаниях решетки и неполярных оптических фонсках (п=1,6*1,8).

С ростом концентрации дырок в 6а!зв подвижность увелдчнва-ется. Это обусловлено тем, что-примеси участвующие в проводимости экранирую? рассез1зающае центры. ■ ' '

Определено отношение подвлжкостей электронов и дырок для

Ga$e b=ff„/ffPzim. '

Определена энергия активация примесей для составов-x=0,I-î-0, 6, значения изменяются от 0,4 до 0,9эВ в зависимости от состава.

При этом для сост'авоз х > 0,6 энергия активации примесного уровня от состава не з4висит. -

Исследована анизотропия электропроводности и коэффициента Холла монокристаллов <pû103 и Тп2>в. .Коэффициент анизотропии электропроводности для Trt$3 ' составляет 2,5+12 и 2*4, ■

соответственно, а для коэффициента Холла составляет всего нес- • колько процентов (20+500- •;.-.-

Больное значение коэффициента анизотропия электропроводности в (рО/$е и Inès связано-'с анизотропией подвижности носителей заряда вдоль ж перпендикулярном направлении главной оптической оси "С". В отличии 'от других полупроЕодааковцх кристаллов в слоистых кристаллахGaée zixn^e с увеличением концентрации, коэффициент, анизотропии увеличивается. Такая аномалия объясняется на основе кристаллической структуры, которая приводит к направленности распределения примесей и дефектов вдоль и перпендикулярно слоев.

Установлено, что вдоль оси "С" температурная зависимость поднкаюсти. носят экспоненциальный характер: = (!• &~гг .

Зто свидетельствует о том, что з izmipnвлезши оси "С" мезду слоягз существует энергетический барьер высотой Е. Значение этого барьера дгя sTfi&Q составляет 0,09 а 0,ПэВ, соответственно. ..

• Адалаз зксперзиснгольних данных показывает, что электропроводность и погф&ялант Холла в области собственной проводи-

- 14 - .

.мости имеет два'наклона, из которых для ширины запрещенной зоны, получаются, различные значения в пределах-1,4+1,6эВ, тогда как оптическое значение ширины запрещенной зоны'составляет 1,18эВ.

Выявлено, что термические дефекты в кристаллах Т/]£ё создают дополнительную проводимость, приводящую к указанной аномалии. . *

Установлено, что в направлении нагрева на. темпера-

турной зависимости (Ги Ц* примесной области имеются два наклона с энергией активации - 0,12 и 0,25эВ, а в направлении охлаждения имеется лишь один наклон с энергией'активации 0,ЗЗэВ. Исчезнове-~ние наклона кривой с энергией активации 0,12эВ объясняется эффектом с&мокомпенсаиии, т.е. излечение термодефектов в процессе нагрева. Для подтверждения полученных результатов образец с исходным сопротивлением 43 ом.см. подвергался отжигу и установлено, что насыщение значения удельного сопротивления при отжиге 550К наступает после 80 часового отжига, при 800К наступает после 40 часов, а при 850К после 30 часового отжига.. Следует отметить, что этот процесс является обратимым процессом. Эти факты свидетельствуют о том, что в процессе получения монокристаллов О О , Тп$е при нарушении температурного режима образование термических дефектов не псклшено.

3 пятой главе .диссертации изложены результаты исследования электропроводности, эффекта термоэдс в монокристаллах 6£¡¿2 п1п£е под действием сильного СШ п 'электрического поля.

Исследования проводились при напряженкостях полк до 10%/см.

тл

частота длительности "импульса составляла 10хиГц и 1-1,5мкс соответственно, измерения проводились в интервале температур 80+300к.

Исследованные кристаллы имели параметры: р=10^+10^ом-см; р =10^;см ~3, ^'/-=60200слГг/Б-сек - хяяо&^в ; р =40*150ом*см; п ;-10:4+Ю15см"3, =400*600 см^/В-сек. - двяТв^е •

Изучена зависимость Л (¡У от напряженности. СШ поля при •¿лкспроващщх температурах в области 80-к300к ядяТлЗё .Установлено, что б пределах температур 80-140К с ростам СШ поля (при слабых полях) показатель степени для имеет значенияЛ^.!,7+1,2,

а пр:: сильных полях £> Ю°В/с:л /^=0,5+0,6, в зависимости от темпетатуры. Пгг дальнейшем росте температуры Т > 150 зависимость й(Г/Зо~ имеет один наклон с показателем Л=1,1.

Ьаг^сп,мость й(Г/& от СШ поля для исследована в

области температур Т=140-270К и выявлено, что при температурах Т=(140; 170К) с ростом напряженности СВЧ поля относительное изменение электропроводности образцов уменьшается по закону йС/01 До значешя Е=4. К^З/сы170К и 2 ^ 103Б/м

квадтратичпая зависимость нарушается лО^/О^— В т.е. становится линейной.

Установлено, что с ростом удельного сопротивления кристаллов . и ТП& степень, разогрева уменьшается и увешивается йркихтоское значение греющего СВЧ поля.

Лсслздовала термоэдс горячих носителей заряда ( (Ут ) в кристаллах ■ пТлВе в диапазоне температур • 77*300К.

Экспериментально установлено, что з зависимости С/т от па-нряцзнкостк СБЧ поля при температурах Т=(77:85:Ю5К) можно выделить три области, характеризующиеся следующими показателями. При этих температурах с ростом йапряяепноста поля (/т растет по степенному сакону ¿!г~ с* л £ шест значешя от 1,8 до 1,3, соответственно, со значением греющего поля от ГС^В/м до 3*103В/м в зависимости ¿6 от Е наступает насыщение, а при В З-ИГ^В/см наблюдается тенденция у. спаду Цт по закону Щ ~ и при этом абсолютное значение*"//^ / с ростом фиксированной температуры от-77К до 1051С достигает значений от 1,0 до 2,5. При'температурах Т > 140 во всем изученном диапазоне напряженности СБЧ поля в.зависимости иг от Е имеется чодпн' наклон с показателем. ■

Термоздс горячи;:-носителей тока от напряженности СВЧ поля в О (У имеет не сдоккый' характер ео всех изученных температурах. С ростом напряженности йоля до кЯв/см, Цт растет по закону ¿^Е2, а при Е .> 1С3В/см игп;эт место линейный характер зависимости.

Пси фксированном Е с ростом температуры Цт растет и при Е-2-103В/см Т=ЗС0К ¿С -800мВ, а при Т=150К ¿¿=20СиВ.

/ 1 / 1-у

Исходя из .структурной особенности кристаллов типа ко"ло эздешч»ш», что эта прястзяян .«гаютатся "неоднородюак", точнее она в целом ссстач? из кигсэоггдай-'ЧНО) матрицы и высоко-смной (ВО) междусясйяях аро?и.туткоз - вкянеяпй. В(Е0) матрице подг:.чкость носителей заряда (у'я ) ззысстя, а в (ЕО) - прослойках - малая (у'Ь )♦ Спредоггстл псдгадгость. носителей в этих кристаллах есть усрздкеппгя 1огг.овсгдя подпзгзость -^х • '

В таксу случае» з о~тосл~аи-но' сзсистнх крае-

таллах, разогрев носителей заряда должен■проявляться относительно сильнее, чем в высокоомных кристаллах..

При упругом рассеягши носителей заряда, псдвияность про-порционагана времени релаксации т.е.0"~£Л; { . •

Тогда при рассеянии на ионах 'примесей зависшлоств относительного изменения электропроводности от СЕЧ поля мозно записать й(Г/(Г~Ъг .

Установлено, что для 1п$в в интервале температур 77-12СК при низких полях (Е < 10^3/см) значение Г" не согласуется'с теоретическими и составляетГ=: -(1,2+1,7), а в области высоких-полей (Е^- 103Б/см) составляет Г"=-(0,5+0,6), а при Т>150К имеется один наклон =-1,1-

Для (га&в при. температурах 140:170К имеется' зависимость в виде Е~2, а при температурах Т > 170К Е.

Эти факты свидетельствует о влиянии "неоднородностей" структуры кристаллов на электронные процессы в кристаллах, т.е. при относительно низких температурах (для 1п¿6 Т4- ИСК; а -МяОййв Т^- 170К) с ростом СШ поля вероятность захвата свободных носителей- заряда увеличивается и оно превалирует преимущество над другими эффектами. Поэтому электропроводность резко уменьшается в пределах температур 8041^ 120К для Тпйв . Результаты по£о$е сводятся к следующему. При температурах 77^. Т 110К электропроводность от поля не зависит. Это обусловлено тем, что при Т< и£Ж подвижность носителей заряда незначительная Юсм^/в* сек) и не зависит, от поля. С ростом-температур Т > ИОК она растет экспоненшольно, обеспечивается разогрев носителей заряда и подвижность от поля выражается в виде- ' -

Экспериментальные результаты подтверждают о том, что при температурах Т ;> 17(Ж относительное изменение электропроводности, тлеется зависимость а ;при высоких полях имеет место относительно слабая зависимость. '

Езстзя глава диссертации посвящена исследовании влияния псо:!иказацеи радиации на электронные процессы в полупгюводниках

" 0 целью бкяскэ1£1я природы дефектов и энергетического рас-

положения гоазялскальнкх примесных уровней в (твВе nJhJ>3 , обусловленных радиационтяли: дефектами, были исследованы температурная 'зависимость кинетических параметров: козфйяшент Холла, электропроводность и халловекая подвижность носителей заряда, а такие изучено влияние изохронного отжига на эти параметры.

Влияние ¿f-облучения на кристаллы п-типа: QcsBe

р-кша исследовалось в области доз ,10^+10%, и температуре 80*300К.

Установлено, что до дозы 10'Р (f -облучения на Jn^Q существенно не влияет на злектродавические параметры. Из температурной загкслмости постоянной Холла установлено, что в°крас-' тагтасуществует. по крайней мера два донорных уровня, один из шг. проявляется в области температур 120*ЗС0К с энергией октясаша В ~(0,2н0,25) эВ, а другой'мелкий - при температуре Т < I20K.. Существованию мелкого уровня свидетельствует лишь переход к насыщению яостояннбй Холла. Также установлено, что в области темпзрату? Т < 120 облучение дозой приводит к яоня-геншо подяявшостя., С яовшенаем дозн она растет и при дозе 10% оказывается з два раза визе исходного. Последнее обстоятельство говорит о тел, что при -сблучеяин происходит радиационный стгз:г дефектов, а резкое уменшенне подагкоста при повышении температуры тесно связано с: увеличением сечеяия рассеивакщих. центров носителей заряда - дефектам при ях яокизахет.

Jy-я монокристаллов Вя£е дарактеряо наличие акцепторного 3'род.ня с энергией якггпазацяя .0,35*0,4 эЗ. Сблучеше дозой Ю5?' супествекяо кз влияет на злектрсдлсяческис паршзтргл,- а при дозах наблгагаотся значительнее уменьшение , что связано с образованием акцепторного квазилогальиого уровня, с ;-кс-ргией' активации il Б 0,2эВ. С ростом дозы -квантов ' ( JL-> 10%) значение стремится к ясхсдгто^у..

Анализ температурной савнсамости яодаазностп носителей заряда в до а после облучевгя /-кзактамд показали, что

хгратеср ■г^'тергтугнсЛ зашшзостя не .меняемся а . При

гсгягерятургаг ?*> i50k 1,8, т< isi&ä^,!.

0бдучеяпя ятзястятдов nJ-I^O ^лекгронглд: с гнер-

■ .с' ".?Э ГТССЯ8ГГ.Т£"ЛСЬ ПТ31 ДСЗХ"

•Ьг o6rr^vsi:j}?:?i> допей белгго JO^e/^об-каруягна пягер-

■" " ■ , 7

-- ........г- уг^^-^р, обдг'ея^й до ео-'скс; лс''-"'.'■ п2ягв»7э к

(Т< ИСК) и смещена» точек'инверсии в сторону, высоких теыпера-тур. .

Облучения $о$ё потоков от Ю^з/и? до Г31оэ/:.52 приводит к линейному,повышению концезтрацаи носителей заряда с потоком, т.е. 4 ( Л^ _ Лд Свгрп пся:слс1г;:ъ мсл-ого ак-

цепторного уровня с энергией активации Е+0^15&Б.

Дальнейшее повышение дозы ^^ъ/аг приводит х: уменьшения) кокцентрации дырок, в основном, в области назких температур.

При облучении потока;."! Ю^т-Ю оДг меняется наклон температурной зависимости подвижности .в области низких температур и имеет место зависимость/'* ~ Т^'

При облучения Ов'йе- рлектронзкз с онорхгеД 2ЕаэЗ интегральна:« потоками 10—Ю^э/м^ г. существенно,.^' изменению не пси-вода? по относених электронов с энергией б

исследовано влияние /^-нейтронного. сблу-хекля на алектроап-зические- свойства аоноярлстаыюв ъТп&В . Сйлученпе прово-

дилось при дозах Ю^+М^н/см^.

Облучение при доза Ю^п/см^ привозит к появлении

квазилокального донорлого уровня сгэнергией актпгацки Зо-0,2эВ. Облучение при доза:; больше существенно влияет на ход

температурной заысямостя /]х 2 О . В области тешератур 170~200К, как и з случае электронного облучения с скергией ШоВ: прсисхо--дгг инверсия нсза&япеита 1сгла Зго свидетельствует о тел, ято # ~ нейтронное ейлучек:::^ с дезой '> Ю^и/см-5 щшво-

:: взоцаниз гесектов а:х4пто:жсго типа с о^р-

активации

че:::е -г:с-.:тг;е:-:а:.:н мског.ристггхоз с.'-не приводит т'дьстзеннс;::/ ^рахтера. тьмнёгатугпо.: сгв;:с:;::ссгл

у:.- е. !?' « иг;:

■ Х^^^/с.-'С ; }:.:онь;£аетсл, при да^а:: ■ Ю^'н/с-;'

1;" - : :;.у\ъу.ле суцс-стзе;:;::; на

: ;; и..,::.-::; ¿.г;, г: подлинности., г.огд.затглв етелйни

г. -.:•.....сноп. оОласг:* достигает

с:---':игн эго:- г^оцвн:">:с'.:ть ^начителвне;

(10~&с-/гг) л </ - ке2трст«.з (10 исследовался прсаесс

изохронного отаага (т.е. процесса азлеченяе радиационных дефектов. ' . .

Лродоллкгйльшсть Езохрснного оттяга составляла 30 икнут в области температур 300*525К, кагдая фаза отжга отличалась от

яреднзупей ка 2С'>г50 С; после касдого цикла измерялись п Г лгу. кс.-лгатпо;: тега .зратуре. ^

-г V

Определена энергия активатор. дефоктонгдля0,4эВ злек-трсн-?,»лд с энергией 5'!зЗ; 0,265.-3 ( -кгант&'5!) п 0,29 (¿^-веЗ-тгонг.-.?;). >

Резу.'гьт-гш изохронного стглга по ОаЯ-Э показали, что гкергля активации дзехропдого отзага радщщпсяяых дефектов сос-тг^лпт: 0,5эЗ -(мектронаьа 6"эВ), 0,6эВ ( ^-нейтронам) л 0,4зВ ( ~ квантагл:}, а дефекты созданные электрокар с энергией 25МсЗ имеэт онергйз акхизоцип 0,7эВ.

С дедьо гшхсЕрппя механизма гоздзйствая проникающей радиации ла кристаллу слгамались коктсольвая дзйрахтотрас.г.а на до

тг о

л после облу'-;с:гля электрона.-,^ с .энергией 2Е!эВ потоком 10 э/с?-г. Установлено, что зря стол траасмутсдаскгке а структурные вревра-гдешя не вродегодят. В облучеглпх крастадлгх оокарудязаетея только яхазхдгя^альзкй ояерге^дч&ехз^ уровень» сбусдозяэкшй радаацаон-

Н5Ш ДС$ОДТД!Я.. ,

Исходя п'з гга;.-згг^генногр, мехаизгя ярогодта;оста з слоистых кристаллах кспю. ебьяспзть атедуасал образе:.". ОЗлучензе нязиш л средшти дозгап ссадаёт в селенидах кидая и гагшш дефзктн типа акцепторных урогч^й с неоднородней,, дороятнез всего, слоистым рас-пределеше-н, но, щхпщзау. А.Я.Гдга, гарахтеглзуемам жшчлем по краЙнеЗ иере 4-х групп лоезтогзй заряда, участдуеддх э фордированпк злектронрозоднос'да а эффекта лодяа: череду:и:;:хся васокооиные (ВО) п кгзкоо«н:гз (КО) слои с ра^гнкз^л соотнопзн2л»я «езду концентра-цият.'Д й подвагюстьз адектроноз л дырок, которые коано, запарал-ладлв доллоЕскаэ а токоьнз контакта", дгя-упроцекйоа интерпретации перечислить з два ййрглдйтьгсс сспротхАтекяя. При этом эде Хаяла слоистого "неоднородного" подупрогодьийэ щяиеняя уравнение Кирхгофа в нетсде токоз зетгзЗ колю сбор^улзродать:

г/.-ЖгМ- ; (3)

где и ■ С" - щюводаыостн слоистой системы,

Цх" п (Л„ • - генераторы холловской здс в каздса из слоев,

В справедливости изложенной модели нас обеадшвт данные по температурной зависимости, хсторпе следует из формального умножения константы Холла на проводимость в области первого изменения знака.

3 седьмой главе диссертации изложены результаты -исследова.-ния оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов ( 0^ I) до и после облучения проникающей радиации• различного рода. :

Спектральные характеристики исследованы на установке ЗМР-З со стеклянной оптикой, энергия-падающих квантов составляла 0,8+3,0эВ. •

Исследовано спектральное распределение края оптического поглощения в дрд различных температурах Т=28&г-530К и определен температурный коэффициент ширини запрещенной зоны, который составляет 8"Ю~^эВ/град. В низкотемпературном, интервале этот коэффициент получается заниженным, что обусловлено ростом времени яизни дырок, а возрастание времени лизни связано с механизмом рекомбинации с одним типом ловушек, т.е.-с повышением температуры уровень химического потенциала, смещаясь к середине запрещенной зоны, приводит к возрастанию времени гизни неравновесных носителей заряда.

Установленочто с увеличением содержания в твердых растворах имеется тенденция к спаду фоточувстнительности. Характер изменения фототока от интенсивности света подчиняется закону 1ф~ > гДе =0,5.

В зависимости илрины запрещенной зоны от состава в тверды;; раствора:-, имеется излом. Цс-лярный коэффициент шрины запрещенной зоны' от состава до 40$ составляет С=7,5'10~°оЗ/мол;2, а вкгэ 40??

В системе

образуется непрерывней гид сс.створоэ с гексагональной реибтко;;. Край основного

•" обусловлен не г:г-я>.-:цм, а £¿¡53 прямым глекзопульн:":.;

О'ГГГЛ

£Лом в за^йслглоотц ьдрдои закрещенной зоны

что скогссть пчреме'ц^гстя лхч:;?,чем скорость поргмздашя К-*" • Уси.Ч -КВаДТОБ и г'лбк'гп-олсв с окзс-гдой

распределение фотопроводимости исследовано в области'спектра

0,36^ А 0,66мки.

Выявлено, что ^-квант с дозой Ю^Р на спектральную характеристику низкоошшх ( 200ом«см) образдовй^^сущестЕен-но не влияет, а у высокоомных образцов'( Ю^ом-см) наблюдается значительное (до 50%) изменение фоточувствительности.

Б облученных образцах потоками Ю14э/см2 фоточувствительность в максимуме спектральной зависимости увеличивается на 30*40$. С ростом потока до Ю"^э/см^ собственный максимум, опускается ниже исходного значения, одновременно наблщцается "рост фоточувстштельности в коротковолновой области спектра. Следует отметить, что подобное поведение наблюдается и при воздействии электронами с энергией 25МзВ. В отличие от низкооыных образцов, ' в- высокоомных ( 10^'ом-см) образцах облученных электрона!,щ с энергией 25МэЗ потоком Ю^э/см^в максимуме спектральной характеристики

(Л.

=0,58 и.®;) наблвдается рост фоточувствительности,

ДШ^ ТС . ^

а дальнейший рост потока до 10 °э/м приводит к исходному состоянию чувствительности.

Влияние электроной с энергией 6 и 25МэВ на твердые растворы аналогично ах^влиянню на селенвд галлия. Облучение электронами в обоих, случаях потоками Фд '>. 10х4 э/см^ пригодит к появлению максимума чувствительности в коротковолновой области спектра. В случае облучения этих образцов электронами с энергией 6 и 25&В потоком Ю^э/см2 приводит к уменьшении их чувствительности. . '

С цельЕ? выявления стойкости в области больших энергий и мощностей доз исследованы изменения тежового сопротивления в процессе облучения электронами и -квантами в твердых растворах &С*$х£е1„к состава (0^x^0,25). Обнаружено максимальное изменение и быстрое восстановление темпового сопротивления 'за 4-6с для состава £О$ -о .г' , при этом облучение мощностью потока электронов 10х^5*10 э/сг/'.сск. с энергией 5 л 2КзВ и «/-цглучепля с энертаой 1+4;.''эЗ - 102+8»1С^?/сек не Енп.чгает з' шх кгаякя*.: нзобратчмцх пклгнент'Г ч теко-овсе ссгтрогпв-пвмзцг.ется четчре* порядка вапзчют;.

?э зртедартюЕга посге^снг5. леецгедогаиию яале-1С-Л лзгзг'.оп^ л гв-зп'"" ^стглрзг >С (0,23^. п 0.с5)

г. т--1.т,-ч чг--'" ч п сллую: азкассгее«?:::.поет:.

Исследованы температурная зависимость■электропроводности {<Г), коэффициента Холла ( Их ) и Голдовской подвижности

(Г-Rx / в монокристаллах, твердых растворах P-Cdxijß^Js для составов 0,30 < х <- 0,65, области температур 77+42СК. Из проведенных1 исследований установлено, что для исследования образцов коэффициент Холла с ростом температуры сначала уменьшается во всех образцах- при Т I5QK коэффициент Холла имеет положительный знак, с ростом температуры в области температур * 280 .<- Т^ 380К происходит инверсия знака коэффициента Холла. . Температура,, при которой происходит 'инверсия"знака Я* зависит от состава исследуемого кристалла. С ростом состава X точка инверсии знака коэффициента Холла Нх смещается в сторону более высоких температур. ' -

В твердых растворах [)-CdxHt}i„K~Te исследования кинетичер-ках параметров проводились для состава 0,23 ^-х ^ 8,65.

3 отличие от р-типа, в кристаллах п-типа коэффициент Холла во всех исследованных диапазонах"температур отрицателен; установлено, что для состава х=0,23 ниже T^rllQK с повышением температуры от 77К сначала значение коэффициента Холла.увеличивается, а затем резко уменьшается с температурой

Эти результаты хорошо объясняются в рамках существующих представлений об электронных свойствах монокристаллов твердых растворов п— и р-типов проводимости. При этом

инверсия коэффициента Холла р-типа образцов характерна для кристаллов со смещенной'проводимостью и подвижность которых резко отличается друг от друга, и - Ь -s. J^njfla~ 100. '■

В области низких температур, где преобладает примесная проводимость и выполняется условие -¿s I коэффициент Холла определяется концентрацией нескомпенсированных акцепторов ¡^-МЦ где С=п/р. С увеличением температуры, где выполняется, соотношение —I коэффициент Холла уменьшается и происходит инверсия его знака. Дальнейший рост температуры приводит к увеличению коэффициента Холла, где выполняется соотношение тогда коэффициент Холла имеет отрицательный знак. При температуре выше точки инверсии знака коэффициента Холла, благодаря большой под-гл™-чости электронов, основную роль в проводимости играют электроны. С.этой точки зрения хорошо объясняется температурная зависимость Хслловской подвшюстп JHx^j^nl' & для р-типа образцов. Спредолена сирина запрещенной зонн составов; х=(0,23; 0,27;

0,30;, 0,40; 0,54; 0,60; 0,65), для которой получены значения Е=(0,16; 0,18; 0,28; 0,50; 0,69; 0,74; 0,76)эВ соответственно. • ■ , - '

■ Для составов .Хг=(0,23; 0,65) в области температур 77 ¿ Т^120К с ростом температуры подвижность растет по 'законуу*<— Т"06, а при Т > КОК с повышением.температуры для всех образцов, подвижность уменьшается по законудня которого харак-.. терно рассеяние носителей- заряда на колебаниях решетки. Резкий спад в области температур Т>120К обусловлен резким ростом концентрации дырок и проявлением рассеяния электронов на дырках.

Исследовано влияние проникающей радиации ' У-кгантов с дозой Ю^р, электронов с энергией 25МэВ и ^- нейтронов потоками Ю^-^э/см и ТО^н/см^ соответственно, на электрофизические свойства монокристаллов твердого раствора П-О^^х^Йо^^Гв . Установлено, что численные значения (У и 1{х заметно изменяются лишь в -области низких температур. (77^-Т^ 160К). Делается заключение, что радиационные дефекты в монокристаллах твердых растворов

П-С^Йд^е создают примесный уровень донорного характера. Увеличение электропроводности в случае облучения электронами и ^-квантами в основном связано с ростом концентрации донорных уровней. А уменьшение электропроводности.в случае облучения

^-нейтронами связано, в основном, с уменьшением подвизности носителей заряда, которая обусловлена рассеянием, электронов на разупорядоченных областях .(микровключения ртути и вакансионные комплексы ( )о помимо искажения матричной кристаллической решетки, вызывают локальную неоднородность в распределении заряженных дефектов, являясь эффективными центрами"рассеяния и сказывается на величине подвазтостз носителей заряда).

. В девятой главе диссертации рассмотрены явления переноса • з твердых растворах ■ Но,.. Те в сильных СШ электрических полях. г

Исследование проводилось в диапазоне температур 80 ^ !<■ ¿ЗОСК, -при наполненностях Е= 2« 10^-54 •1(ГБ/с.м на монокристаллах А? (0,24< х 0,65) п- и р-типа проводимости. Экспериментально исследоЕака оавис::;:.ссть где {Л0'=0'-и0 ,

а Он электропроводность в сильном и слабом полях,' соответственно) от напряженности СБЧ поля при различных температурах репеткп (То) и от состава X. Из прозеденшх исследовали:' установлено, что при относительно слабых патах Е ¿.10°3/с:л с рос-

том поля электропроводность увеличивается по закону

где /3>0, а при больших полях, наблвдается линейная зависимость Л ¿Г/также выявлено, что в образцах п-типа проводимости при одинаковых условиях, критическое значе-ше СШЧ поля меньше, чем в кристаллах р-типа. Максимальный уровень разогрева носителей заряда достигается при Е=10^В/см в образцах состава Х-0,24, для которых при <1=8СЖ. а при Т=180К дО'/б'д—С ростом X уменьшается степень разогрева носителей заряда ггри одинаковых Е й Т0.

3 рассмотренных наш условиях существующие в запрещенных зонах Р-Сс(хЙ^»Те примесные уровни (Е^ =0,01-г0,02эВ) иояизиро- ' ваны, а прикладываемые поля недостаточны для осуществления мек-зонного электрического пробоя. Это позволяет сказать, что обнаруженная в эксперименте зависимость С от Е непосредственно обусловлена изменением еодбияности носителей заряда в следствии их разогрева электрическим полем.

В монокристаллах ■ р- Сс1х Йд^^Те не исключается возможность зависимости 0" от Е, вследстваи:зависимости концентрация носителей заряда от напряженности поля, т.е. зависимости темпа генера-цяояяо-рексмбиягцйоНЕЫх процессов, изменения сечеяяй захвата и ионизации примеснкж центров под действием апектрического поля. Кроме этого в области слабых палей носители заряда являются теплил® а ях подбияность с няпряг.енностъэ меняется по', закону' !■

= (1+уз Е2), где Д - показатель механизма рассеяния Сяри рассеяния яя ионах примесей> о).

Бри дальнейшей росте напряженности поля, б связи с переходом б область горячкх носителей и осуществления ¡улещенного механизма рассеяния (на ионах примесей и колебаниях решетки) зава си- • мость С ст Е ослабляется. В частности, при относительно низкое Т0 к Е с ростом поля одновременно увеличивается^/ и П . Поэтому Д(? увеличивается Солее быстрее, чем в случае доминирования хшь -одной эазззсямостк ^я/ (Е), а пра более высоких значениях Е (а та-гге Т0) роль понцектрадаокного эффекта ослабляется я завасп-кость <Г от Б подчиняется, закону. Я?'1*. 06 аток спиде- '

яелье^зуег ъ'ст аж?. 'его с россов Тс ко^щэдтрадаоы^'я нелинейность оов-айлло^ся, а еря > Я001С ксчзгаз'.*. В этого' прадкигс^«-

52» лсяно объяскайенелко газесиггоати 0' (2) яри те У я 70»

Установлено, что.зависимость термоэдс горячих носителей заряда от напряженности гревщего электрического поля подчиняется степенному, загону Б . В области слабых пелен (Е ^ 5-10^3/см) с-ростом поля увеличивается более быстро, (/"ЗгЗ), а в области сильных полей 3 У 5.10%/см имеет место линейная занзеимо-ств ( Л=1). Следует отметить, что гахоя зависимость ст состава (X) не зависит. С ростом состава-ст 0,24 до 0,65 дидъ уменьшается абсолютное значение / ¿/а /, а значение грезэдого доля увеличивается, при этом всегда ¿4>0. Подученщ-'с; хорссо согласуется, с теорией (Ю.К.По^ела, К.К.Репи^аса). При малых значениях 3, когда < I зависимость 11 г (3) должна подчиняться хтаэдратичному закону 11 г?, а при бсльдих 3, когда I линейному закону Е. Зто объясняется тем, что в кристаллах р- Сс/?разогреваются неосновные носи-. тели заряда (электроны), их подвижность значительно преЕшгает подвижность дырок и/при низких температурах (То) л небслъхях Е доминирующи является рассеяние неосновных носителей заряда (алектронов) на основных дырках и на ионах примесей. С ростом •температуры и поля начинает преобладать рассеяние на афотических и неполярных оптических фонолах.

Определены значения температуры (То) горячих носителе! заряда. Сказалось, что в зависимости от состава зтот параметр васирует в диапазоне 4СО*5СОК при 300К, а при Т0=77К, То достигается до 5>10%.

Отклонения экспериментальной зависимости ¿4(3) в образцах /?_ С'^Ш^ Те от теоретической при относительно ¿одвгпх полях обусловлено следующим; За счет роста концентрации в горячем контакте и эффективней температуры возникает нести градиент концентрации свободных носителей заряда, а результате начинается их диффузия с горячего контакта к холодное концу и воядихает дополнительная зде, состоящая из двух состаатяхщдх: обусловленной //(3) алд (градиента температуры носителей) и П (3) (градиоп-;:о:щзг.тра15П1), соответственно.

мленысение значения езтмезде с ростом температуры (ерх -знаковых 3 и X) мощно сбеленить ум.енъцэгдем подвххдеедд д с сотом кст-где^тг-аехх во ц.се:л сбвеме, а умекз.мзх::! ¿/„о "остсм :сстава (гтгг; схгма-ссгых 7. и Со) - л

&отэгдс возглхкЕЗ'ю цц'дсктакте штал- C&tfy^~tc п- к р-тппа кротодакосзк .три температурах 77; НО; I4GK к раздичгпз Ентеи-епьыостях света дай твердого раствора tyc ^ п- в

р—ттхпа.

нсточыпхм сьзта для освещения служила- лампа наглжзашш моакостыз 4.00Вт. Измерены заБиепксстк ^качения териофотоэдс () от напрккедаостк грслцего поля (Б) прг риелдчних ле-т^лйкиьостлх есдсгзтпи ($) i: тех-яератури реленс (Т0).

Установлено, что при всех рассмотренных температурах в за-ьпси;лости ¿¿гф от 2 ори Е < В Ш'В/см алеет mscto квэдражге-кая ааалсаг.:оать U Е4, а вуз 2 8»1£гВ/сг: - косит лпней-

KrJ: драгстер uasatiicjasovOT типа гооводишсж. Пси ото;.; гавсси-от ккгенсдвносш сг.эта 1"'.;еет линейны*

г^рактер к с ростам пслн Л* ¿¡¿екьшется от едикшы до 0,2 кзк г-ж п-, так я для р-кша кргстадлоз.

С ростом тсмпоратуры при сооаакоацх значениях паля (Е) аб-' салатное значение / &<тъ! уменьшается к значение шярягаккосга пеля, состггтса'вуггд-гй дерзходу от квадратичного - ¿/ггф ^ Е4 и .sutafiacuy ■ UЪг загону ескоду растет. Ер:; олчтздъшл: условиях: (То=77К; Б=11ГЕ/см и дте р~ и г- типа кристаллов г.бсолишая хгяпчнна / достстис?, знания 0,5В к 0,4В, 'соответственно. .Еггявлеяэ, что величина термсфотоэдс горячих носи- . талей' щкшорчдоваоьпа концентрации избыточных носителей заряда.

Подученные результата покагади, что с оовшизкаем 'СБ? ноля от 6*10^В/сы до г-ю^з/см пг.'л т=7?1£ д U«ИЕВ. фотоэде узе-лгчпЕается в 60 раз.. А ого позволяет на основе монокристаллов

о&'х 7& -kosho создать внескачустгителыгае фотоарвеглнгя! от гсдюого до далекого ИК диапазона спектра.

7гесятая глгегд „гпссвртгшпи посгяцеаг. исследованию фото-едгктпцчеекзе свойств' монокристаллов -твердых растворов

Те п- и р-кша в слабых s сляыаа СШ электргяеешре

полях.

Иссдедоваяпя йрогодаась -в области аемператур 80 Т • ЗОСК и. детах волш: .1,5 ¿г .Л lO.fcssi. Из. зависимости фотосгпида от■ {.-.огзостн вздучепля хгрп S=SSK при длпае волны .А =1,19 и/, =3,39 KHii и азесепая U -0,8В для п-тцпа храсгаядэз проверено выполнение низкого уровня возбугдеявя.

Для составов 0,-23 4 0,65 определен температурный коэффициент ширины запрещенной зоны, который составляет 5* IC?**!, 2* Ю~2оВ/град соответственно. В отяпчае ст обрасгоэ состава X-á 0,50 .Для составов 2 >'С.10 в г^гтст^осет от температуры основной качтаиугл сменяется область спектра, что свидетельствует о тем. vv. •гггчтегз'турынЛ госфеи-пзант щряны сапрещеппой гсяа чглес-? отрицатель:^!. ?„з.

< о!

3 образцах п- л р-тппа для составов О,--"

наяряаенлз смещения н длины голы; ,-t =/( иг:: огно-

сительно низках температурах (20 Т^ I2CX; Остаток - нэ зависит от температуры, а при I > I2GK с увеличением температуры - резко уменьшается.

Дея 'составов 0,60; 0,S5) у-типа образцов при

SCS. з длинноволновой области спектра =(3,65; 3,2; 2,йякм) "слвляется делелнательшй ??анслг*ум примесного уровня. При тегяхе-гатурах T»ISO>ISCX для указанны:: составов депелнительнне гзхед-s^ra аечегазк.

Исследованы рег.ембинациьыхке прсцеесн «ссхсдроваг^осся дл^ я-и р-тнга образцов состава (С,23 ^ ::.-< 0,65). Из криви:: релах-сащш фстстска' определялось времч гглетп ноелтэлзн .заряд::., np:i ::з-- утенляк -3,33 мк-: для составов. г^(С,£3-:-Сг¿5} л -sil для

;ъ лздучоппя выблроласв з предела:: -'хенгнпл тлвкого v-'i-nr. ге^буглде':::;;. грс:*я для г-типа

осзхава 0,с2; 0,с»; 0,60; 0,65) лз:л:рлдссв з ддггасспе

.-г-лг-рату? Г ¿^ZZZZ. 2 сатастл тз'.:сес£тур I-íC-:-25GK, oro •:гачсше проходит через ::аксл;^:; л í5*=IG'"'-i6-IQ~'3

//-состава г=(0,23; 0,Я?; 0?£-U G.50; :"гз~! носителей .'.аг.ддг. в идтзрвало T=£0?2CG1{ с '

•■c-.av.ypcil а в еи::асг:л ^емперат--- SCCiSCC« -

фотоариемшк ИК излучения. При измерении параметров йотбприсмни— ков облучение образца осуществлялось от источника абсолютного черного тела с »сегжературой полости T=50ŒC с частотой модуляция излучения 1200Гц.

• Установлено s что в зависимости от напряжения сыещэния^могзю оптимизировать параметры; обнаруптаельной способности {]Jj ) к вольтваттно! чувствительности (/5V.J йатощжемников. Оптималь-

»' ТР Т Т/9

вое значение Бт «см "Гц ' обеспечивается при

Z/C:_:-0,I-î-Q,2E в области температур 85fI85K, а для вальтваттнсй чувствительности $j =3- IO^B/Bt достигается при Т=140К и

у / __ '

ПсследовзЕЫ завгсшкостд фотоответа и врепенг релаксации фото сыпала от напряжения ешцзния при температуре 80л и при двух значениях дш-ны водан }\ =0,63мхи и /1 =3,39ь5ки. Установлено, что ь обоих случаях зависимость фотосягяаяа от напрягеняя сагещешя вв-ходцт на наскщй^с. Больше значения сяэргия фотонов соответству-. хт большим значения:.: фотоотзета к с ростов знергпи фотона насыцэ-нхе фотсответа,наступает прд 'кеныпдх значениях напряжения смещения. Таксе установлено, что с увеличение:,:- нгирякэшя саэшешгд Bpsix рзлаксацдЕ уменьшается. Эти стацгонгрно-данашческзе характеристики фотопроводноотц доказывают наличие эффекта " ьксклазий" кеозновпдг нзргшювзснкх кооителей заряда в твердых; раствора::

Ct/x/Zf^H1. ' - : '

Однл:: zs судзотвеншс: ¿акторов, вянязхзэс m хзроктерхсгпкя кристаллов и пгрс^гтрн фотопряемахковявляется зклпчение второ:: CBZn -теллура,; в к'ояокрастадяах i^fèr/ï^ 7е .

Применением метода злектро^иглгческоп сбработ":. кг тззрдзго раствора С(лхУ$,-хТ£ извлечены тедлуровно зклвче^я.

Из пссхсдовандя кинетических параметров исходного образца

С^оъНЗр^Тя и фогорзгпсторак.установлено,.что после извге-чзяия теллурового вкхтзнхя подлинность носитехзй заряда п яз.р&-?.:отр:ч гзторзнксторов значительно увзетвавтея. С спектральное рас- ' предалецик §отосрсг.одх:оах2 пик Ej;( А «7,Сгякл) снесется в длзн-zobJtzaoSjS-о-Зазст:-. свс-кхрх. т.е. /» =0,яр:: зте:,: полоьека* оинс-здсгз еххо^г.^--- - .Л «n.SnrUî кг г:2»яйтся.

С... Î увеяпквзатс« i -¿-ь! разе, зелвтвзгтагл чувз^вхтолвлзств С ) - ь 3*3 pas-до сравкенхдо с с-:.:'--; о/':. "¿акоз иабд>-

у 7-2.-СВ к-—- ;ro-jo."" о:.; :• ¿^к/-. -

раш.-Однако, следует отметать,-что в фотоприемникахс высокими ^сходными параметрами (7}j ^ 2-1010.Вт-^• с!,Г^-Гц ' и 3*5*IG4-В/Вт).эффективность обработка незначительна. и*а'Изменение параметров образца и фотоцриемников значиталь-но зависит от толщины исследуемых образцов;-'т.е. чем меньше толщина образцов или элементов, тем сильнее проявляется.эффект. Зто свидетельствует-о том, что теллуровые включения извлекаются из' определенной глубины (¿/~Шлкм) и эффект является "обьешшн" эффектом. -

Результаты исследований фотоэлектрически:-: сиоис^з твердых растворов Cd г. H$i-x 71=' сводятся в тому, что общей характерной чертой спектральной зависимости фотопроводности является то, что форма кривых спектральной зависимости, особенно в коротковолновой области спектра, цри переходе от Хф(к <: указывает на хорошее состояние поверхности и отсутствия каких-либо поверхностных эффектов.

Из анализа полученных результатов установлено, что так как примесная фотопроводимость в рассматриваемом случае моно-полярна, а собственная - биополярна, для расчета фотопроводимости за краем собственного поглощения использовалась дебаезская длина, а в собственной части спектра5 амбипатярной диффузии. На основании вышеизлокенного молно заключить, что-обнаруженный за краем собственного поглощения дополнительный максимум фотопроводимости связан с примесным поглощением акцепторного уровня -зоны проводимости в .р-типе-материалах^

Из температурной 'зависимости ^-/(1/2) установлено,что при низких температурах-механизм рекомбинации соответствует -Щекли-Рида". Ддя ц-типа кристаллов. Cdxtyt-x71? состава х=(0,40*0,45) при. низких температурах наблюдается смешанный механизм рекомбинации Одэ и Шекли-Рида. На основе приведенных исследований mozho заключить, что з монокристаллах Odst G (0,25 х ¿0,65) п- и р-типа проводимости, механизм рекомбина-ща неосновных носителей заряда при высоких температурах з ос-:iobhg:j является -Озэ - излучательпая, а при низких температурах действует только механизм-оекомбинаши Пекла-Рцда.

Лз зависимости времени назна ( iT ) от напряжения с:.се-щения установлено» что есла прилаженное к образсу гпещнее электрическое полз достаточно высокое :х зкяаггяатся условий

неосновные носители заряда за время пролета ё ^ ¿¿лт£ви?ят:ва-ются из образца'; через контакты, а зге сопровогдается уменьшением времени релаксации и проводимости, осуществляется "эксглазяя" неосновных носителей заряда. Вследствие этого вдоль образца образуется неоднородное распределение носителей заряда 6П{ С> ).

Распределение неравновесных носителей заряда определяется из решения уровнеяия непрерывности яри условии, что генерация неравновесных носитачей. заряда светом происходит по всему объему равномерно, изменения концентрации происходят только вдоль электрического цояя Е, т.е. вдоль длины образца ( Ь ). В таких условиях фототок яря ыагсгос электрических полях возрастает пропорционально прилогзнному пола (Е)Следует отметить, что яри стационарных условиях фотсток определяется: <? {IТаким об-

разом йототок при малых электрических полях возрастает пропорционально пралсЕеняоьзу пола я при достаточно сильных ачектраческих полях достигает насыщения.

Такие рассмотрены дянайнчеекке характеристики фототока в твердом растворе - О^^'Ууо^Те ■. Установлено, что при слабых полях. релаксация фототока определяется только рекомбинацией носителей заряда ы подчиняется экспоноцаальновду закону, а в'случае сального поля определяется по формуле: £ ) С (1+Ь)

у>ф&- ' ±г,рУг - ^ о ^

В результате проведенных исследований по явлению зкеклюзик установлено, что если к освещенному образцу с длиной пряло-асть льщульсное электрическое поле, в первый моибш; через образец потечет фотсток) -г- •

Если приложенное к образцу капрягение будет обеспечивать условие ¿1(3 СГ, тогда неосновные носители заряда начнут вытягиваться из образца я будут участвовать в проводимости в тече-' ше временя пролета, яря этой фототок начнет уманьшгъся и через время будет определяться. соотвотгнаек Т^г $■ ($<•)0£1 . т.е. цшоток вз будзт зависеть от приложенного напряжения.

.в связи с теу, что неосновные носители заряда вытягквз-втея из образца, с постоянной скоростью, переход.от к Х^р происходит по линейно^ закону. При этой для равномерно• освёщек-кого образца угхпъиение фототока за врегят ¿¿пропорпдокалько количеству носителей заряда, выиедсих из образца в начальна: момент.

Установлено, что быстродействие присщщяа определяется

временем пролета неосновных неравновесных носителей заряда меа-ду токовыми контактами. При этом скорость накопления сигнала в промежутках мезду импульсами определяется временем еизни неосновных носителей заряда. Для получения максимальной чувствительности мепщу временем низни и временем сканирования необходимо существование соотношения * л котором за этот момент

электрод соберет необходимое количество носителей 'заряда. Для Бремени сканирования получено значение ~ ПГ^сек.

Малое значение емкости таких фотоприе?яшко.о обусловлено разводом токовых электродов на большие расстояния, а малое значение емкости обеспечивает быстродействия фотоприемникав. Разрешающая способность фотоприемников определяется длиной диффузии носителей заряда за промежуток времени, равный зизни из освещенной части' во все стороны.

' ОСНОЕШЕ ЕЫЕОДЫ. •

I. Впервые разработана технология Еыргщивазшя монокристал-. лов "методом медленного охлалдения при постолзшсм градиенте температур? с математическим моделированием процесса кристаллизации-. Предложена оригенальные варианты метода Еридхмена, зонной плавка и твердотельной кристаллизации. Зтдмз иетодаш получены совершенные по структуре и однородные по составу монокристаллы.

2. ¿первые определены коэффициенты диффузии, растворимости и энергии активации диффузантоз 2"п , , Сс! , Т<3 , .$/; з кристаллах 6£ и", £>.у71? и Тл£<? „ Установлено, что полная миграция диффузантов через кристалла з направлении главкой оптической оси "С определяется двумя механизмам - миграцией через основной матричный слой и через меадуслоЗннД яотенцдалзнкЗ барьер с учетом скопления диффузантоз в меддуплойнсм пространстве. '

3. Епервые установлено, что в слоистых кристаллах типа Л^1 в направлении оси "С" существует мехдуслопныЗ энергетический барьер, равный 0,09 и 0,1эЗ дач ¡Яя^'и ¿л соответственно

VI проводимость в направлении оси. "С" обусловлена прыхховым меха-

■ Установлено, что в направлении перпендикулярно•оси "С" механизм рассеяния,носителей, заряда влнэ 2С0К обусловлен рассеянием на донах примеси,, а внге 2ЙК - на акустачосЕзх дслс^а^ях.

решетки ж на полярных оптических фононах.

4. ВпервыеОстановлено, что для кристаллов Ой и 1л $6 характерны квазилокальные прим'есные уроБни с энергией активации 0,12эВ, обусяовяекнке термическими-дефектами.

5. Впервые установлено, что электроны с энергией 6 и 25ЫзВ, 6 - нейтроны в кристаллах (?<25£ , и твердых растворах

&&не вызывают трансмутационных реакций^. Под действием указанных проникавдзх радиаций в кристаллах 6си5в и 1л$в создаются квазилокальные акцессорные уровни,с энергией активации 0,53зВ, вследстЕШ. чего в кристаллах Тл5€ ц-типа проводимости происходит инверсия знака-коэффициента Холла. Проникающая радиа-сильно влияет на механизм рассеяния носителей заряда 7""°" (оС=5*10), обусловленный неоднородным скоплением радиационных де.фектов типа Френкеля.

6. Впервые определены молярные коэффициенты ширины запрещенной зоны в твердых 'растворах ОО/Ьх^б/^у • Установлено, что Д2Я составов х < 0,4 иол% этот-коэффициент равен С=7, 5*10 эЗ/ыол£, а X > 0,4 мсш#.С=4'10~^зВ/мол$. • •

Излои в зашсикости шрины запрещенной зоны от состава обусловлен различием -формы энергетической, зонной структуры ксмпо-нентов. .

7. Выявлена высокая чувствительность к проникающей радиации твердых растворов

Впервые установлено," что максимальная'чуВстЕительность (проводимость меняется ка четыре порядка) и быстрое восстановление (за 3+4) сек.) темпового сопротивления характерны для состава ' ^ основе состава когно создать детекторы ионизирующего излучения, позволяющие репхстриро- ' 'вать ^-кванты мощностью до 800 Р/сек и электронов интенсивно-стьв до

Ю^Э/см2 сек.

Установлено, что изменение фотоэлектрических характеристик под действием проникающих радиацией обусловлено пзые>-ненгем релаксационных процессов носителей, заряда.

• . ■ ' Б. йз температурной зависимости коэффициента Холла выявлена инверсия 'знака проводимости для кристаллов Р~ Сй/х 1С -(0,24^x^:0,65).

* •

Установлено, что точка инверсии с.ростом состава (х) смещается в область высоких температур, а.проявление инверсии обусловлено изменением относительного вклада электронов и дырок в электропроводимость,••'..

Установлено, что при слабых-нолях в твердых растворах Сб/х ь области температур Т < 12(Ж рассеяние носителей

заряда преимущественно происходи т на ионах примеси, а при Т 12® - на акустических колебаниях решетки и на псляранх оптических фононах.

8. Выявлено, что изменением электропроводности.и возникновение термоэдс на образцах ОЛ* (0,24 ^ х-^0,65). п- и р-типа проводимости под воздействием СВЧ электрического по. ля обусловлено разогревом носителей заряда. Уменьшение степени разогрева от -Л=2 до /"=1 при высоких температурах 140К - и значениях СШ поля Е > 1СрВ/см связано концентрационным эффектом и уменьшением подвижности носителей заряда..

10. Из сравнения экспериментальных данных зависимости с теоретическими установлено, что при еизких темпе- ратурах (Т < 140) для исследованных образцов Сих Тс

(0,23 ¿г х < 0,65) п- и р-типа проводимости превалирует механизм рекомбинации Шекли-Рада, а при высоких температурах собственная, зона - зона.Олсэ - иатучательная рекомбинация.

11. Установлено, что фотоэлектрические свойства монокристаллов Сс!х п- я р-типа проводимости чувствительны к возникновению СБЧ электрического поля. Возникновение термофотоэдс на. образце обусловлено разогревом носителей заряда и гмеет квадратичную зависимость ^тф"4' Е2. Этот эффект открывает перспективы повышения чу ветви т елън о с та фотопрнемниноз ¡Я-аадученая на основе твердых растворов С^хпри малых значениях СШ . электрического паля.

12. Впервые установлено, что извлечение теллуровых включений методом электрохимической обработки существенно улучшает электрофизические параметры монокристаллов Сах

и характеристические пасаметры (обнарузительцуз способность (Л) всльтватнуа чувствительность ) 'рсхсрезасторов на их основе.

Эффективность этого метода существенна для монокристаллов вира-

ценных методами зонной плавки и твердотельной рекристаллизации.

13. Установлено, что в отличии от "однородно" кубических кристаллах Ос/л {¿¡¡-¡¡Те зависимость электропроводности от на- " пряненности СБЧ электрического поля б "неоднородно" стоистых кристаллах Go $6 и In £>6 ■ с малой проводимостью, с ростом эффективной температуры горячих носителей заряда (Те) вероятности захвата носителей заряда ьзекслойным потенциальным барьером растет ж имеет характер . Дальнейшим повышением напря-

женности СИ поля Е> IO^B/ы вероятность преодоления носителей зарядов потенциальных барьеров - центров захвата растет, зависимость от напряженности поля (Е) ослабляется - преобретает линейный характер.

Основное содержание диссертации'опубликовано в следующих работах:

1. Иадайлов й.И., Гусейнова Э.С., Ахундов Г.А. 0 крае оптического поглощения монокристаллов GüÜü и Ga£, OTT, IS63,

т.25, Л 5, С3620-3622.

2. Ismail F.I., fikhundov fJ- anaemic* li9ation oj Eieciric-aB Ccndüc-ilvcb an с/ Нов. Etfec*

¿n GoZe-Striae Cn-sUiS- 17. i: 237.

- 3. Псмайлов О.И., Ахундов, Г.А., Гасумов Г.М. ' Фотслши-несцегщия монокристаллов ßßZxSe^x . Оптика к спектроскопия. 1232, т.26, is 4, с.642-643. ••'-'.-

4. Исмайлов С.И., Ахундов Г.А. Анизотропия электрических-свойств селешда галлия. Изв.АН Азерб.ССР, сер.$из.-мат.наук, IS7I, !> 4, с.68-72.

5. Сала ев Э.В., Кскайлов 5.Л., Алиев Э.й. £аячев Е.Я., Псглайдоз И.К. Распределение состава в кристалла?: Си j_yTc Бпращенных методом медленного охлаждения при постоянной градиенте температур. Научно-технический сборник ВОТ, 1977, сер.XI, в.51 - .

6. ИсьаЁлов О.И., Ашров Д.Г., Аскеров К'.А., Шаляпина Т.П., Ьантов -i.A. Исследование дичали серебра в кристаллах ß'e , J Г: ¿в Ii Sa Те. Пзв.АН Азерб.ССР, сер4лз-:.:аг.й тех. наук, IS7£, £ 4, с.80-84.

7. Исмайлов Ф.И., Ликеров К.А., Горшков A.B., Амнров Д.Г., Заитов sS.A. Исследование диффузии олова'в .Изв.АН Азерб. GCP, сер.физ.тех. и мат.наук. IS79, й 4 с.77-79.

8. Абдуллаев Г.Б., Салаев Э.Ю., исмайлов Ф.И., Байтов Ф.А., Горшков A.B., Аскеров К.А. Влияние гамма а электронного облучения на электрофизические свойства селенпда гаскя. Док.ЛИ Азерб. сср, isso, т.36, a i. с. .

9. Исмайлов Ф.И., сайтов 5.А., Горшков А.2., Асхсвоз К.А., • Акаров Д.Г. Исследования диффузии индия в' системе Ga¿> , tyaSó. док.АН Азерб.ССР, IS77,-т.ЗЗ, í 6, с.16-18.

10. Исмайлов -5.И., Гадал ев S.T., Исмайдов И.-К., Гусейнов Э.К., Алиев Э.И. Влияние .длительного отетга Cd* "Т& . Бюллетень, поступл.литературы в спецфонд UJ33I информации, J5 10, IS7S. Свид.й 300.

11. Салаев Э.Ю., Исмайлов Ф.И., Зацтов i.A., кадров Д.Г., Аскеров К.А. Влияние ионизирующего излучения на электрофизические свойства селеяида индия, ы'лтериалн докладов Всесоюзного семинара , Радиационные .эффекты в полупроводниках-и полупроводниковых приборах~80. Баку, 1980. с.126-128.

12. Исмайлов -<Э.И., Салаев Э.Ю., Заитов O.A., Аскеров К.А., Няфхадиев A.C., Новрузова o.a. Радиационные эффекты в селекхде галлия.-.Материалы докладов Всесоюзного семинара "Радиационные эффекты ь полупроводниках и полупроводниковых приборах-ЗО". Баку. IS80. с.129-131. '

13. Салаев Э.Ю., Исмайлов <5.11., Исмайлов U.K., Абдинов

А.И. Электроотра.т.ение и неоднородность по составу в монокристаллах Cdxfy^rTe . Док.АН Азерб.ССР. IS8I.'t.37, ."«3, с.15-18.

14. Исмайлов Ф.П., Амнров Д.Г., Аскеров К.А., Падяллна Г.П., Сайтов v.A., Абдинов А.П. Исследование диффузии индия и теллура а монокристаллах Гп &в и GoTe . Док.АН Азерб.СС?,1ССЗ.-

,(-1 г* II* о — Г,

'wüo, ■■■ ±<J,

15. Исмайлов О.П., Салаев Э.Ю., Абднноз Д.П'., "омайлс-г-П.К., Новрузова 4i.ll.-, Новрузов A.A., Абдиноз A.Li. Термоздс горячих носителей тска в Cdxty-xTe ссздябзс-мых azzb&zzt зле-;:-

трическиш полями СШ в монокристаллах Р- Odx • д0к.АН

Азегб.СОР, 1981, т.37, В 4, с.30-33.

1

16. Салаев Э.Ю., йсмайлов Абдинов Д.Ш., йсмайлов К.К.

Нозрузова Ф.И., Абдинов А.Ш. Зависимость электропроводности монокристаллов твердых растворов Р- Cdxfyi-к >6 от напряженности сильного. электрического поля СШ. СШ1. IS8I, т. 15. в. 5, . с.897-900. • ■

17. Салаев Э.К., Абдинов Д.Ш., йсмайлов Ф.И., йсмайлов-II.K. Новрузова Ф.И., Абдинов.А.Ш. Электро4изические своёства монокристаллов п- CdxHjjt-tTe . (0,24 х 0,4). Док.АН Азерб.ССР, ISB2, т.38, Jé 9, с.26-29.

18. Салаев Э.Ю., ЙсмаЕлов Ф.И., Абдинов Д.Ш., Йсмайлов И.К. Нс-Ерузога &.И., Абдинов А.Ш. Горячие электрокя создаваемые силь-mzs. СШ • электрическим полегл в монокристаллах п- Cdx Нф-хТе IiSB./Л Азерб.СС?, cop.fcs.Tex. к мат.каук, I9B3, й 4, с.41-44.

19. Кадяар Ч.О., Махмудов Ю.А., Салаев-Э.Ю.', Йсмайлов

, Рзаеь Д.А., Эшнов й.Э. Программный температурный регулятор для ькра15т.зания монокристаллов. Изв.АН Азерб.СС?, сер.флз. тех. и мат.наук, IS32, В I, с.116-124.

20. Йсмайлов Ф.И., Абдинов Д.Ш., Измайлов И.К., Еоврузо-ьа , Абдинов А.П. Термоэлектрический аффект горячих носителей тока в монокристаллах р- Cdos Идп/Те .йзв.АК Азерб.ССР, сер.йнз.тех. я мат.наук, 1283, 6, с.41-44.

21. Салаев Э.Ю., Йсмайлов $.Ц., Атаккза'ев С,И. Дефектная проводимость ъТп2ё. Ш, IS84, т.18, в.8, C.I4S2-I4S4.

22. йсмаГлсв ©.П., Исыайяов Й.К., Салаев Э.Ю., Секдли Т.О. Влитые ETopoii базы теллура на фотоэлектрические параметры -фотоприемников из ОЗкНд^^Гв . Ыат.,ХП Воес.совеи;.по фотоэл.

полупровод. и тешюЕнм приемникам излучения, ГЛ., IS87, с.167-170.

23. Антонов З.Б., Гусейнов Э.Е., Йсмайлов / Назкев w.H., Салаев Э.Е., Сскдда Г.С. Исследование кинетики фототека t. в Cd/ Не,. -Тс . LIax-ер.И! науч.-тех.сове:ц. по фотоэлектрическим и тепловым вряемякхаа излучения, Ыоскыл, IS76, с.117-121.

2*1. Измайлов &.Н., Антонов Е.В., /оиев 0.!Д., Гусе£ноь З.К., Казиев £.К., йсмайлов й.К. G некоторых свойствах монокристаллов CdxfyJTe полученных методом медленного охяа-женая

при постоянном градиенте /температуры, Матер.Ш научн. тех. совет, по фотоэлектрическим и тепловым приемникам излучения, Москва, 1976, с.80-83. : . _ , '

25. Исмайлов Ф.Й., Салаев Э.Ю., Исаев Ф.К.,'Аскеров К.А. Исследование диффузии примесей в слоистых полупроводниках типа А^1. Изз.АН СССР, Heopir.материалы, 1989, т.25, Г? 9, с.1556-1558. ■ _

26. АбдуллаевТ.Б., Аскеров К.А., Аскеров Г.И.. Бабаев Р.

A., Исмайлов Ф.И., Салаев Э.Ю.,. Сеидли Г.С. Автор.сзпд.й I852I0 от 04.03.1983.

27. Ахундов Г.А., Казиев Ф.Н., Исмайлов Ф.Н. Фотопроводимость монокристаллов 6Ct& . Док.АН Азерб.ССР, IS65, т.21, 't II, с.42. , _ ■ -

28. Ахундов Г.А., Исмайлов Ф.И. Электропроводность постоянная Холла и термоэдс монокристаллов Gaäe и 9а& . Тезисы док. Всесоюзн. конференции по физ.свойствам полупроводников Ii А^1, Баку. 1957. ' •

29. Исмайлов Ф.Й., Белозоров А.Ф., Салаев'Э.Ю., Зиновьев

B.C., Аверянов И.С., Черкасов А.Е., Исмайлов й.К., Абзлмасова Г.С. Сардаров 1П.Ф. Методика изготовления ампулы для выращивания кристаллов в условиях невесомости. Научно-технический сборник EOT, 1973, сер.XI, в.65, о.43-45.

•30. Исмайлов Ф.И., Байтов Ф.А., Алиев Э.1Л., Аскеров К.А.," Аишров Д.Г., Исаев Ф.К. Радиационное дефектообразование в селеяа-де галлия. Изв.АН Азерб.ССР. сер.физ.-тех. и мат.наук,■IS86, JS 7, с.28-32.

/

31. Абдуллаев Г.Б., Аскеров К.А., Аскеров Г.IL,- Бабаев P.A., Заитов Ф.А., Исмайлов Ф.И., Салаев Э.Б. Авт.свид. ¡1 135343, от

4 октября 1979г. '

32. Абдуллаев Г.Б., Аскеров К.А., Аскеров V.U., Бабаев P.A.,. Исмайлов О.И., Салаев Э.2. Авт.свид..¡'s I87I82 от 3 мая ISS3 г.

33. Черкасов А.П., Абалмасова Г.С., Аверяков И.С., Белозоров А.Ф., Салаев*. Э.Ю., Исмайлов Ф.И., Ахмедов A.M., Исмайлов ЛЛ., Зиновьев B.C., Авт.свид. is 204420 от 25 иная IS84 года.

. 34. Ахмедов A.M., Ахмедов В.И., Есмайлов Ф.И., ИсыаЁлов К. К., Салаев Э.Ц. Авт.свдд.£ 242262 от I сентября-1286 г.

35. Ахмедов B.IL, Данчев 'В.Я., Исзлайлов Ф.И., Исмайлов И.К. Авт.сеид. £> 277578 от I кищя I9S3 года.

35. Азлзова F.U.. Аскеров К.А., Исмайлов Ф.И., Сеидли Г.С.

Авт.свид.й 2SCQS9 от I марта 1989г.

■ ' i

37.. Исмайлов Ф.И., Ккрзоева Н.Г., Новрузова Ф.И., Ахмедов-В.'Л. Авт.СЕИД. К 332615 от I ноября 1291г.

33. Псмайлов &.Й.Псмаилов И.Г. Влияние проникашей радиана электрофизические свойства П-Щ^Ид Je, Материалы конференции "£ззлка~93п, 1993., ."

39. Абдуллаев Г.Б., 'Аскеров К.А., Аскеров Г.М., Бабаев P.A., Ле;:аЕлс£ -5.U., Салаев З.Ю. 'Авт.свзд. Д 2290715 от 17 октября 1950г. .

40. йсмайлов &.И. авт.свух.й 000143 от 14 октября 1991г.

41. Салаев З.Ю,, Абдинов Д.П., Аскеров К.А.. Сеидла Г.С. Ьлоктрнчссщхе свойства облученных быстрыми электронами' монокристаллов Cd, И ¿„Je . ДАН Азерб.ССР, 1934, т.40, jä С, -с.2&-31.

42. Исглайлов £.11., Абдиноз Д.Ш., Исмайлов И.К., Новрузова w.ü., Абдзнов А.П. Термоэлектрический эффект'горячих носителей тегл в монокристаллах Д- CQo,$ H$oj7s . Изв.АН Азерб.ССР, . csp.iii2.Tex, л мат.науг, I&B3, ß £, с.41-44.

43. Пс:лл;1"0Е С.К,, сайтов O.A., Данчев В.Я., Исаев Аскаров ¡i.A. Особенности радиационного дефектеобразования в селен-оде галлия, Кзв.АН Азерб.ССР, сер.фаз.тех. и мат.наук,1989,. }' 2, с.36-40.

„/<? (.0,23. & х < 0,65). бэта -«гЬлул-зэ.

" ^аршжечттртлилэрдэ" 7зраз зз го^ря-тараг еяектро» 'просеълзря^гетвсусундапн допторлуг

х т а а с а си

- йядэ тэкмил - С• •• -г^стял-

ларынан'алынма"'технолокя^асы иалэкмяя, ктчлу, Зу*?сзк тезлипли( ) елвктриа саЬасишш,• ьппсгзлпф-к«в" йтазузедита' '.луаларш, еп!.гэл етмэ усулунун~вэ тэркибдзн" асылы оларзтг Ьэмия' яристалларда"елвятрон просеслзр!тиэ' ,?э"сири,ашгарларцн дягпгузифасынкн мехянизгят муэз-

¿энлзшдирилмгсдир; ■ , .....

Хветэрилмгппдир-яи;зэ ••»дзнохргсталла-рыяда гшгарларш" пс"-"аху "ястига!лзтиндэ~.таграси3ася яяи~1гехгниз» узрэ: эсас тзбэгздэ клграси;]а зэ зсас тэбэгзлэр араси тазадан кечмэ долу илэ бал верятг.—------------• -.............. " ..... •—-

........-9а$в ,--Тп&е~

' кристалзарыада- ашгарларпн~ээ- тер;,гак детект-лэрян ^аратдыгы сэви^¿аларин"аятавжиалэ екер^япл,тадаган олуямусг золагкн ени ( ^) "С"' оху"истигамэтяндэ~потгнсяах чэггзрин Ьундур-зэ 1укдааызычвларкн' сэпттпг маханизия нуэ^эн едял?гьПЕ!гр. ' бэрзг ггеЬлулдарында-"-■■ £д -нин тзрнябдэя (х) асм-

.т-глыга м?э1;рнлэщднрилмии зэ Щ-нин «ол^ар эмсажяан" (О У х'^0,4 тзркиблэри таги (7 = 7,5* ГО^В/Четл^-"х>0;4 тэркпблэр

т-ггл исэ О - 4*10"^ эВ/моал-олдзпуазятар -вдягзяшсф.—!------------

..... && зэ ^ГлВв- ■ котояртстаяязркпда а.чактрпк ■ яечярпгптли-

чъътеНг- .....из*твраоФотоеЛ»*- -------сссзктпшпг ЗУхсзтг тезлик-

ля (ТТ) кучзгг'злектряг-сзЬэспндзн асвякгыгы тадгяг олунмуз зэ

дэгяи асалЕсшгкн-гяханяг'Я!' зерляз.яявдар; ----- --------------- - • ■ •

ст- квак™йарьтн, б вэ 25 33 енаряяля елеятроняаран зэ о - не^трэиларкн-

зэ (тОсх ¡лнокрястзлларшда

электрон просвслзрэтю тэ"спря; бу гэ"сярдзн ¿аранлет сэзл^эгэ- . рич паракетряэря" зэ • "яэохрон" т&рмяюг ггазэчэ" бу де&еятлэрзн ара-

дая "зтурулхтзст-тяэ- 'тзпс1три агяар здпзметдяр.

*' КзстэркяпдафХза, Л - вэ - ■ Р--ТИ1Г - (0,23^гГ^0,65,

о'зр:с мзЬлузларда. Т~<120 &-ДО"сявняга, ■ эс.гсзн~агяар■ яонгаратдан ""/>120 К-дз*1!аэ гг(?эста акуст:-га зэ гтгс'—ситах рэгслз-глндзн с*аа зеряр.

p- Cd к nr}H~fg кристалларда ^пссэк тезликли кучлу електрик саЬзсинин тэ"сир1гилз елеЕтристгечирг^шгидтдаг вг термое^" ~-нкн артмасн"ге^рк"гсас ^укдашы^ычьягаран'гызмасы илз~элагэдардыр вэ бунларш сзпммэси исэ эсасэн аз ;)уруклуклу эсас ¿укдашызнчы-лардан - дешяклэрязн" вг-ашкар ионларшдан бапг верир. ■■ П - тип

С dt Hg,_xTQ монокристалларшда исэ електрик'саЬзсичин чик гиЗюттаркндз ашар- ионтаркден, - еаЬэнин бв^яг гыздьтрпчы ' гй^эттаршздэ."исэ_гэфэсин"акуст1пс~р9гслэринд9н вэ ашкар ионла-

рыздан -сэшл»вл»",~таршаг мзхакизнэ маликдир;....... " .....

•• П - вг р-бэрг \»Ь*улларкк тгхтзлиф vev.-пературвацдЕГ "фотоЬгссасяигш - спектрадг -асгклыга- "вэ - гедрл'тараэ * З^щазал^ычшаршг рекомбинаотда'просеси" clpsHW-nn ~вэ мyзjJgнлэE-дкр;таг,тщдкр~кпг'£^п^-тета^атурларда-рекомбинасиза эсасэн 2окли-Рпд ~ыехани2;.!и, 'Бухары температурларда исэ - Оже сталанма

■рекЬкбии&сн^аси кж» мгвДЗэйл^яяйриякв.— : .............. ■

-C&é-rTe бэрк~етЬлухларЕгшн ел^ктрофизики хассэлэрпвэ ~ва * онлар асаскнда" Ьазыржаниапг ■фотогэбулгдичихэ&тяти' фаза-теллу-рун Ti"cïtpîî 'c^psiïtîÂwn; вз " ыкг] J:ït едилкигдир m, икинии фаза-1«елхурун ватериал^ан чшсарылмасы ёотогзб^дсдичилзрин -нппгаретк» габквтЗЗэгини [JjjÇnxc*)'"Вэ Воетватт ( Ьэссеслыгынв

гун олараг 3-4 дзфз артирнр.

Abstract.

The 1 аяз of chcngs of fundamental olectr.ic parameters from composition in raonocrystals ft S ( Ga Se, Ir.Ge, GaTs, GaS Ss? ) and solid solutions Crt,ИдмТс» , sffoct of Strang nierowave alactric finld, penetrating rr.distirrn of fjiffтзгг-nt kinds sr.d treatment cn their equilibrium . arid ncn^nuilibriu!» 'electron processes wera revealed in th;? когк. •

The? processes of diffusion and colutiility of iipuriisps along main optical axis "C" of fonocrysfcals GaSa, Ir.^™ end G.iTe изге investigated. It »as shown, that di f f u'sarst;* nirr-Люл in dsre-rtion of axis "C" in these crystals, takt» р1гсй as ibrcu<jli salf layer, as through int??r layer potential harrier.

In tKo crystal1o^raphic directions кегг investigated tsspcra-tur« dependences of electrical conduction, Hall coefficient and charts carriers mobility in EonccryKtals GaSe ami InSa. Thr? valuss of activation energe of io-.purity l«vt?ls end energ? nap deter—

..-.г r.-ti. It was found, that ртуая barrier in GaS;» and 1пП~ along ~.ain optical axis "C* is 0,1 and 0,07 sV,correspondingly; iepurity *, v 1-, taking part, in conduction, dur? to thcrml rinfeca ¿»re also -.'.•¡¿•raci&rizcd irr thoso crystals.

From optical £.nd photoelectrical .-5easurcrK?r:t3 in solid solu— GaSt&r?;_,. иаз dcfin-3d the licpsncieica of епегдг tjep cr> ccrrpo— (x) and revealed -roll coefficient £a> of snorgo gap: fcr •v••■••=r.i*.'icn o,4, a- 7,5 10J <sV/roll2,fcr я>0,4 4.'1р"'©У/яоИ%

'гзгя.м-сЬ5 of 2f.f ect of fluxs of ■ penetrating radiation.

i/'

■ '".un, -jl«ctfina "i-th wn1! h r.nd 23 :taV and л — nsutrens to ••«•>Iii*ri«.-» i-'-n-pqui 1 aleetrcn nrccoss-ia fcr motion в*- i«-

•.ч.-jtv 13V!3sч snd -з-f f "set of iccehronic rnnaal infj to radiaticn do—

-.-.ti art "cRccrv'stKlз Si ггй Cn it w*o shewn, that.

; " :::rr:n ..'"— mutrrn vc*. r-n ~О. Г.З Л1ijlo^^n't

-, vs ~-.;n-si-ui-.t.icn rricilBCT, ~ns iecefcrenie/ .-rr>«?nl Ing ra-

.. ..„_,. ... • , _ ;.ltJ„r, c-i'- Ы . —ir^ L'Ei i cn , -.i 1 cc-

;"r'~ -nd chrrc.2 - .----..--•• -cbi lily it:: d If! cnlia so !u-

4 T-- Ч .' '.! v< 0.2Л: ■3 or r> — .r !i p- typ riducticn. It

. ' <- t; ch --- •• T : -

ri.y --- OVT

Г3.1-Г ici 1 1 - .

Effect trf microwavc electric -field to electron processes in solid solutions CdxHg(_xTe was studied.. It was studied temperature dependence of elcctrocunducti on, thermoelectromotive force (thsrir.ci —emf 1 and therfacphoto—«Miif at definite values of microwave field. It las foundcdi that increatc of values of these parameters in crystals p—Cet, Hg^Tt' is caused by minority charge carriers heating up, scattering of which, ruainly ,takc pi see on low—mobility iti^jori — ty . charge carriers.— holes and impurity ions. In crystals n—type Cri, Je at small values of aicrowavc field the charge .carriers

scattering occurs on impurity ions, and at large? values of heating fii--ld- occurs thr* ciixed «¡c-chanism: sctiering take place on acoustic iEttice oscillations and impurity ions.

It was shoitn, that in solid solutions p-and p-Cd^ Hg t .^Tg (0,23 £ 0,£>5) at low tespcraturss predominates the- r.!ich3iniof L-:-,c>kly-Rid recoenbinetioft, and in high temperature region- Auyer -r^dicitive- recombination.

It was shown, that cxtricticn of Te-sccond phare in BonocryE-t.ils Cd.Hq Te contributes, te increase in 3 - 4 timcc tho chsrùcte- ' rictic parameters of solid solution and pho tcocei ver i> op its base