Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Обзор литературы

§ 1.Х. Электрические и гальваномагнитные свойства Сс^хН^^х I^

0.2^x^0.3).

§ 1.2. Спектры фоточувствительности

§ 1.3. Исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в

§ 1.3.1* Межзонная рекомбинация

§ 1.3.2. Рекомбинация через локальные центры

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

ГЛАВА П. Методика измерений.

§ 2.1. Общая характеристика исследованных образцов

§ 2.2. Контакты к Сс1уН^/х ¡е.

§ 2.3. Измерение коэффициента Холла и проводимость

§ 2.4. Измерение спектров фотопроводимости

§ 2.5. Измерение релаксации фотопроводимости

§ 2.6. Измерение спектров шума.

§ 2.7. Погрешности измерений.

§ 2.8. Связь фотопроводимости с данными эксперимента

§ 2«8.1. Учет эффекта вытягивания неосновных носителей заряда

ГЛАВА Ш. Электрические и фотоэлектрические свойства исследованных кристаллов

§ 3.1. Злектрическме свойства.

§ 3.1.1. Оценка степени компенсации

§ 3.2. Спектры фоточувствительности.

§ 3.2.1. Область собственного поглощения

§ 3.2.2. Область примесного поглощения

§ 3.2.3. Изменение параметров образцов во времени

§ 3*3. Релаксация фотопроводимости ••••••

§ 3.3.1. Температурная зависимость времени релаксации ФП в компенсированных фисталлах.

§ 3.3.2. Температурная зависимость времени релаксации ФП в фисталлах с низкой степенью компенсации ••••••

ГЛАВА 1У. Фотопроводимость и рекомбинация неравновесных носителей заряда в

0.2с х< 0.3).

§ 4.1. Основные уравнения рекомбинационной модели, включющей 2 рекомбинационных уровня.

§ 4.2. Излучательная рекомбинация.

§ 4.3. Межзонная оже-рекомбинация

§ 4.4. Время релаксации в случае межзонной рекомбинации

§ 4.5. Время релаксации при рекомбинации через локальные центры.

- 4

§ 4.5.I. Случай кристаллов п-типа.

§ 4.5.2. Случай кристаллов р-типа • • • • •

§ 4.6. Кинетика неравновесных носителей заряда при рекомбинации через локальные центры.

§ 4.7. Релаксация ФП в случае сильного уровня возбувдения.

§ 4.8. Межзонная рекомбинация ё Cd^Hg^yJe

§ 4.8.1. Случай кристаллов /7-типа

§ 4.8.2. Случай |фисталлов р-типа.

§ 4.9. Рекомбинация через локальные центры

§ 4.9.1. Случай кристаллов /7-типа . . . . П

§ 4.9.2. Случай кристаллов р-типа

§ 4.Х0. Совместный анализ температурной зависимости времени релаксации

§П и генерационно-рекомбинационного шума.

§ 4.II. Редаксация ЗП при низких температурах

§ 4.12. Электрические и фотоэлектрические свойства дырочных кристаллов КРТ вблизи гелиевых температур

§ 4.13. Сравнительный анализ результатов, полученных различными авторами • •

§ 4.14. Центры рекомбинации в КРТ

В последние годы изучению твердых растворов CdxHty-x Те (КРТ) уделяется большое внимание. Научный и практический интерес к ним обусловлен характером изменения энергетического спектра с составом. Теллуриды кадмия и ртути растворимы друг в друге в любых пропорциях, в результате чего образуется ряд твердых растворов с запрещенной зоной, ширина которой от нуля до 1.6 эВ. В настоящее время фотодиоды и фоторезисторы, изготовленные из сплавов КРТ широко используются в современной технике ¡13], Материал перспективен также для создания ИК видеконов с полупроводниковыми мишенями, а также ИК лазеров на стимулированном комбинационном рассеянии с переворотом спина, датчиков ядерного излучения и солнечных элементов.

Важным параметром, который необходимо учитывать при создании фотоэлектрических приборов, является величина времени жизни неравновесных носителей заряда. Она определяется механизмами рекомбинации в полупроводнике. Поскольку наличие примесей и дефектов в материале влияет на величину времени жизни неравновесных носителей заряда, то последняя является важной характеристикой степени совершенства кристалла. Методы, основанные на измерении времени жизни могут быть использованы в целях диагностики материала.

Кроме того, изучение механизмов рекомбинации в CclxHghx~Ie (0.2 ¿х ¿0.3) представляет также и большой научный интерес, так как эти твердые растворы являются узкощелевыми полупроводниками и, следовательно, в них удельный вес механизмов рекомбинации зона-зона больше, чем в классических полупроводниках, что делает их подходящим объектом для изучения межзонных процессов.

Основной задачей данной работы являлось исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в КРТ (0.2^x^0.3) и определение параметров рекомбинационных центров.

Научная новизна. В работе/получены следующие новые результаты:

1. Установлено, что в узкощелевых кристаллах КРТ (0.2^x^0.3) с низкой степенью компенсации межзонные механизмы рекомбинации являются преобладающими в широком диапазоне температур (15 <г Т< 300 К), причем в кристаллах электронного типа проводимости при Т<30 К межзонная рекомбинация сопровоящается прилипанием неравновесных носителей заряда на мелкий уровень (6 мэВ нод потолком валентной зоны) акцепторного типа.

2. Показано, что в сплавах КРТ с высокой степенью компенсации, наряду с межзонными механизмами рекомбинации, имеет место рекомбинация через локальные центры, лежащие на глубине ~70 мэВ и -17 мэВ над потолком валентной зоны. Рост времени жизни неравновесных носителей заряда с уменьшением температуры при Т< 50 К связан в кристаллах п - типа - с прилипанием неравновесныхдырок на уровень, расположенный на глубине ~б мэВ над потолком валентной зоны, а в кристаллах р-типа - с "вымораживанием" основных носителей на мелкие акцепторы, которые определяют темновую проводимость.

3. Показано, что резкое возрастание времени релаксации фотопроводимости с понижением температуры в сплавах КРТ дырочного типа проводимости вблизи аномальной инверсии знака коэффициента Холла может быть связано с протеканием тока по каналам с электронной проводимостью.

На основании проведенного комплексного исследования кинетики фотопроводимости и спектральных зависимостей г.ене-рационно-рекомбинационного шума определены величины сечений захвата на уровни, расположенные на глубине 17 и 70 мэВ над потолком валентной зоны. Полученные электронные сечения характерны для захвата на нейтральные центры. Сечение захвата дырок на уровень ~ 70 мэВ обусловлено захватом на притягивающий центр.

Практическое значение. В результате проведенной работы показано, что наличие локальных центров сильно влияет на величину времени жизни в КРТ (0.2 х ^ 0.3), которая в конечном итоге определяет параметры большинства фотоэлектрических приборов на основе этих сплавов. В кристаллах с низкой концентрацией таких центров время жизни неравновесных носителей заряда определяется межзонными механизмами рекомбинации, и его величина, в этом случае, является предельным параметром для оценки свойств фотоэлектрических приборов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на:

- У Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллами (Львов, 1980 г.);

- Совещании по физике узкозонных полупроводников (Москва, 1981 г.);

- У1 Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам (Львов, 1983 г.).

Материалы диссертации опубликованы в 8 печатных работах.

По своей структуре диссертация состоит из введения и четырех глав.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Экспериментально исследованы стационарная фотопроводимость, кинетика фотопроводимости, а также спектры токовых шумов в сплавах КРТ электронного и дырочного типа проводимости состава 0,24!х^0,3. Проведены расчеты времени жизни неравновесных носителей заряда при рекомбинации их через локальные центры и при межзонной рекомбинации. При этом в качестве межзонных механизмов рекомбинации рассмотрены излуча-тельный и оже-процессы с учетом конкретного энергетического спектра электронов и дырок. Полученные результаты позволяет сформулировать следующие выводы:

1, Показано, что характерной особенностью рекомбинации в узкощелевых сплавах КРТ с низкой степенью компенсации является преобладание межзонных механизмов рекомбинации вплоть до низких температур, В материале дырочного типа проводимости межзонный механизм рекомбинации наблюдался в температурном интервале 250*15 К. В материале электронного типа проводимости межзонный механизм рекомбинации наблюдался вплоть до гелиевых температур. При этом ниже 30 К в кристаллах У) -типа межзонная рекомбинация сопровождается прилипанием неравновесных носителей заряда на мелкий уровень акцепторного типа,

2, На основании расчетов вероятности межзонной излуча-тельной и оже-рекомбинации в КРТ дан анализ относительной эффективности этих механизмов в зависимости от состава сплава и темновой концентрации носителей заряда. Расчет оже-рекомбинации выполнен на основании последовательной теории с использованием известных параметров энергетического спектра без подгоночных параметров.

3. Установлено, что в сплавах КРТ электронного типа проводимости с высокой степенью компенсации время жизни неравновесных носителей заряда определяется рекомбинацией через локальные центры, причем вблизи азотных температур в рекомбинации участвует уровень акцепторного типа, расположенный на глубине 70 мэВ над потолком валентной зоны, а при Т<50 К температурный ход времени жизни обусловлен прилипанием неравновесных дырок на мелкий уровень, расположенный на глуби-не~6 мэВ над потолком валентной зоны.

В сплавах КРТ дырочного типа проводимости вблизи азотных температур рекомбинация неравновесных носителей заряда происходит через уровни акцепторного типа, лежащие на глубине 70 и 17 мэВ над потолком валентной зоны. Рост времени жизни неравновесных носителей заряда при Т<50 К связан с "вымораживанием" основных носителей на мелкие акцепторы.

4. Показано, что резкое возрастание времени релаксации ФП с понижением температуры в сплавах КРТ дырочного типа проводимости вблизи аномальной инверсии знака коэффициента Холла может быть связано с протеканием тока по каналам с электронной проводимостью.

5. На основании проведенного комплексного исследования кинетики ФП и спектральных зависимостей генерационно-реком-бинационного шума в рамках выбранной рекомбинационной модели получены следующие величины сечений захвата на уровни Е^^б мэВ, Еа2^Г7 мэВ, Еаз^-70 мэВ: электронов

- 150

O.I+I.5-IO~i7cm2, 2+8«I0~17 см2, б^3= 1+8.Ю~16 см2; дырок - = 0.2+2-КГ17 см2, = 1.2+3.7»10""^ см2. Полученные электронные сечения характерны для захвата на нейтральные центры. Сечение зах-вата дырок на уровень 70 мэВ обусловлено захватом на притягивающий центр.

На основнии вышеизложенного можно считать, что модель, описывающая рекомбинацию неравновесных носителей заряда в сплавах КРТ состава 0.2^x^0.3 в широкой области температур и концентраций примесей, должна включать в себя 3 уровня акцепторного типа (Eaj~6 мэВ, Е^^? и Еаз^70 мэВ) и учитывать межзонные механизмы рекомбинации. Причем, б качестве межзонных механизмов рекомбинации наряду с излуча-тельным процессом выступают в кристаллах /7 -типа оже-про-цесс с участием двух электронов и дырки, а в 1фисталлах р-типа - оже-процесс с участием электрона и двух тяжелых дырок с переходом тяжелой дырки в легкую.

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах :

1. Баженов Н.Л., Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. Примесная фотопроводимость в твердых растворах ю

ФТП, 1980, т.14, вып.Ю, с.2056-2057.

2. Гельмонт БД., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И«, Малькова A.A., Огородников В.К. Механизмы рекомбинации в сплавах ^аг^аг ^ * " Cö,: "П^УПР020^11101 с Узк°й запрещенной зоной и полуметаллы" (Материалы У Всесоюзного Симпозиума), Львов, 1980, с.105-107.

3. Андрухив М.Г., Баженов Н.Л., Елизаров А.И., Курба-нов K.P., Огородников В.К. Время жизни и генерационно-ре-комбинационный шум в кристаллах ¿-Ь^- к Тс. » п0~ лученных методом твердотельной рекристаллизации. В сб.: "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Материалы У Всесоюзного Симпозиума), Львов, 1980, с.И4-118.

Гельмонт Б.Л., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Малькова А.А», Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. Рекомбинация неравновеоннх носителей в кристаллах Cd% Те.

0.2^x^0.3). В кн.: Тезисы докладов на совещании по физике узкозонных полупроводников, Москва, 1981 - М., Физический институт им.П.Н.Лебедева, 1981, с,24.

5. Баженов Н.Л., Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Малькова A.A., Огородников В.К., Тотиева Т»Ц. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в И - Сб/Х (0.2^x^0.3). - ФТП, 1982, т.16, вып.1, с.109-112.

6. Андрухив М.Г., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И.,

- 152

Курбанов K.P., Огородников B.K. Время жизни и генерационно-рекомбинационный шум в л?- ^ * "" 1982, т.16, вып.6» C.III9-II22.

7. Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Константинова H.H., Огородников В.К. Межзонная рекомбинация неравновесных носителей заряда в (х~0.25). - ФТП, 1982, т.16, вып.12, с.2202-2204.

8. Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Огородников К.К. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в P'^^^/^J^ (0.2^-х^0.3). - В сб.: "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полеметаллы" (Материалы У1 Всесоюзного Симпозиума), Львов, 1983, с.68-69.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить благодарность профессору В.И.Иванову-Омскому за научное руководство.

1. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. - ФТП, 1978, т.12, вып.1, с.3-32.

2. Александров А.Н., Никитин В.А. О выборе нормалей и методах градуировки гфизменных инфракрасных спектраметров. -УФН, 1955, т.56, вып.1, с.3-53.

3. Алмазов А.Б., Куликова Е.В., Рыжков И.В. Определение сопротивления контакта металл-полупроводник. ФТН, 1969, т.З, вып.5, с.754-757.

4. Андрухив М.Г. Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg/wm^le (х=0,21). Автореферат кандидатской диссер-■ тации, Черновицы, I98X, 18 с.

5. Андрухив М.Г., Иванов-Омский В.И., Малькова A.A., Огородников В.К. Механизмы рекомбинации в кристалла

6. В сб. "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Материалы IУ Всесоюзного Симпозиума), Львов, 1975, часть 5, с.51-54.

7. Андрухив М.Г., Иванов-Омский В.И., Огородников В.К. Природа "избыточного" шума в . ФТП, 1980, т.14, вып.З, 573-576.

8. Андрухив М.Г., Мальцева В.А., Иванов-Омский В.И., Огородников В. К., Тоз!иева Т.Ц. Ре комбинационные уровни в П-С^Уу^Те . ФТП, 1979, т.13, вып.2, с.362-364.

9. Арапов Ю.Г., Поникаров Б.Б., Цидильковский И.М., Несме-лова И.М. Акцепторные состояния и гальваномагнитные эффекты в Му^хСс!^ Те- • П Полупроводниковая фаза. ФТП,- 155 1979, т.13, вып.4, с.695-700.

10. Арапов Ю.Г., Поникаров Б.Б., Цидильковский K.M., Шелушини-на Н.Г. Акцепторные состояния и гальваномагнитные эффекты в 7ё . I Полуметаллическая фаза (х<0.1б).

11. ФТП, 1979, т.13, вып.4, с.684-694.

12. Ю.Арапов Ю.Г., Поникаров Б.Б., Цидильковский И.М., Шелушини-на Н.Т. Об аномалии температурной зависимости коэффициента Холла в CdxHß^xTe * ФТП, 1979, т.13, вып.Ю,с.1932-1940.

13. Баженов Н.Л., Огородников В.К., Тотиева Т.Д. Примесная фотопроводимость в твердых растворах ^ ' ФТП, 1980, т.14, вып.Ю, с.2056-2057.

14. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.

15. Берченко H.H., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М.: Воениздат, 1982, 208 с.

16. Блатт §, Физика электронной проводимости в твердых телах•-М.: Мир, 197I, 470 с.

17. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964, 392 с.

18. Бовина JI.A., Савченко КЫЬ, Стафеев В.И. Гальваномагнитные явления в узкозонном ¿^^/-x^ß при гелиевых температурах. ФТП, 1975, т.9, вып.1, с.26-31.

19. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. M.s Наука, 1977, 672 с.

20. Вдовкина Е.Е., Барышев Н.С., Волкова Д.П., Черкасов А.П.,- 156

21. Щетинин М.П., АЕерьянов И.С. Время жизни неравновесных носителей тока в монокристаллах Сс/х. Изв.» АН СССР, 1973, сер.неорг.мат., т.9, вып.1, с.130-131.

22. Власенко А.И., Гаврилгок Ю.Н., Любченко A.B., Сальков Е.А. Рекомбинация носителей в кристаллах Сс/х Ну¡-х 7е в области примесной проводимости. ФТП, 1979, т.13, вып.II, с.2180-2185.

23. Войцеховский A.B., Лиленко Ю.В. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в (х = 0.195). -ФТП, 1981, т.15, вып.8, с.1457-1461.

24. Воронков В.В., Соловьева Е.В., Иглицын М.И., Пивоваров М.И. Аномальный эффект Холла в арсениде индия. ФТП, 1968, т.2, вып.12, с.1800-1808.

25. Гельмонт Б.Л. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках. ФТП, 1980, т.вып.Ю, с.1913-1917.

26. Гельмонт Б.Л. Оже-рекомбинация в узкощелевых полупроводниках р-типа. ФТП, 1981, т.15,вып.7, с.1316-1319.

27. Гельмонт Б.Л. Трехзонная модель Кейна и оже-рекомбинация. 1ЭТФ, 1978, т.75, вып.2(8), с.536-544.

28. Гельмонт Б.Л. Дьяконов М.И. Примесные состояния в полупроводнике с нулевой запрещенной зоной. 1ЭТФ, 1972, т.62, вып.2, с.713-724.

29. Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т., Огородников В.К., Смекалова К.П. Особенность рассеяния электронов заряженными центрами в Cd^H^/^ Те . -ФТП, 1971, т.5, вып.2, с.266-269.

30. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Корнияш A.A., Петря-ков В.Л. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в ^/-х Те при низких температурах. ФТП, 1984, т.18, вып.2, с.201-205.

31. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Курбанов K.P. Оценка степени компенсации в кристаллах Cd%Те . -Письма в ЖТФ, 1979, т.5, вып.17, с.1043-1046.

32. Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Курбанов K.P. Размерный эффект в кристаллах Те • Письма в ЖТФ, 1981, т.7, вып.18, с.1089-1092.

33. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т., Малькова A.A. Оптические и фотоэлектрические свойства ТТдТИ и его сплаловс Cd Те . ФТТ, 1964, т.б, вып.5, с.1457-1461.

34. Иванов-Омский В.И., Огородников В.К., Сидорчук П.Г., Коломиец Б.Т. Способ нахождения объема заданного составав полупроводниковых материалах. Авт. свид. СССР Ш 481087, Бюлл. № 30, 1975.

35. Иванов-Омский В.И., Огородников В.К., Тотиева Т.Ц. Фотоэлектрические свойства П-Нд^ Те, при 78К. -ФТП, 1980, т.14, вып.4, с.699-702.

36. Милне. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -M.s Мир, 1977, 562 с.

37. Милне А., Фойхт Т. Гетеропереходы и переходы металл-проводник. М.: Мир, 1975, 432 с.

38. Мосс Т., Баррел Г., Зллис Б. Полупроводниковая октоэлект-роника. М.: Мир, 1976, 431 с.

39. Па псковский М.В., Соколов Е.Б., Берченко H.H., Соколов А. М. Cc/xtyz-x новый материал электронной техники. - Зарубежная электронная техника, 1974, вып.12(84), с.3-55.

40. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Наука, 1963, 496 с.

41. Соболев Д.В., Бовина Л.А., Стафеев В.И. Исследование кинетики фотопроводимости в Л- CdJ? jHjo.? . В сб. "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Материалы У1 Всесоюзного Симпозиума), Львов, 1983,с.64-65.

42. Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. Акцеторные уровни в

43. Cdx Tt » обусловленные локальным примесны потенциалом. ФТП, 1978, т.12, вып.З, с.431-437.

44. ALlegre J., Calas J., Ji'au G. Analyse de la decxoissance du photo -co urant danB H^^Cd^ entre 4.2 et 300 K.-Infrared Phys., 1982, v. 22, N 2, pp.65-75.

45. Andrukhiv M. G., Ivanov-Omskii V.I. , 0®)rodni<cov V.K. Generation recombination noise in 0dQ# 2iH^).79;I!e# " Infrared Phys., 1980, v. 20, H 6, p. 373-377.

46. Ayache J. C., Jffarfaing Deteemination of mean life timeand recombination mechanism in n-t.jp e C<3q 23H£t>*77^* C. R. Acad. Sci., PaxLs, 19 67, V.B256, M9, p. 568,

47. Baker I.M. , Capocei P. A., Charlton D. E., Vfibtherspoon iT.<C. M, Recombination in cadmium mercury telluiide photodetec-tors. Solid State ELectronies, 1978, v. 21, li II/I2,p.I475-1480.

48. Beattie-A.R. Quantum efficiency in InSb. J. Phys. Ghem. Solids, 19 62, v.23, August, p.1049-1056.

49. Beattie A»!?., Landsberg R.I. Auger effects in semiconductorsr Pro<e. ito.y.a>c., 1959, V. A249, N 1256, p.l629.

50. Cslas J., <ALlegre J., Fau 0. Recombination Processes in 3-5ytcm HgiJdTe.-Phys.Stat.Sol. B, 1981, v. 107, HI,p. 275~Z82.

51. Casselman 2?.U. Calculation of the Auger lifetime in p-type Hgj-^Cd^Te. J.APPl. Phys. ,1981, t.52, U 2 p. 848854.

52. De CarvaLho ja.ia.Gr., Pau C., Averous M. Energy-gap dependence of the acceptor ionization energy induced by Ixyd-iostatic pressure at low temperature, near the SM-SC transition on Hgj^Gd^Te. Physica, 1983, V.II7B-II8B, p. 431-434.

53. Lomhaus R., Happ H., Muller K-H., IBLmtz G., Schlabitz

54. Dziuba Z. Effect of dopihg with Ill-rd group atoms on the eLectiic properties of HgTe. Acta Physica Poloniea, 1964, v. 25, fi 5, p. 757-759.

55. ELliott C.2., Melngailis I., Haiman T.'S., Foyt A.G. Carrier freeze-out and acceptor energies in p-typ«

56. Hgj* C<y?e. J. Phys. Gheau Solids, 1972, v. 33, p.1527-1531.

57. ELliott 0,3!,, Melngailis J., Haiman T, C., Kafalas J.A., Kernan W. C. Pressure dependence of the carrier concentrations in p-type alloys of Hg-j-^Gd^« at 4.2 and 77°K.-Phys. Rev.B, 1972, v. 5, N8, p. 2985-2997.

58. ELliott C. t,, Spain I.L. ELectrcal transport properties of semiconducting Cd^gj-^Te alloys. Solid State Cbm-mun., 1970, ir.8, N 24, p. 2063-20 66,

59. Geihardts R.R., Dorahaus R., Ifimtz G. lEhe Auger effect in Hgj^Gd^Te. - Sol. St. ELectroru, 1978, v. 21, If Il/l2, p. 1467-1470.

60. Jones®. E,, Nair V., Poll a D.L. Generafcion-recombi tfatio n centers in p-type Hgj^Cd^Te. --Appl. Phys. Lett. ,1981, v. 39, N 3, p. 248-250.

61. Kinch M. A. ELectronic properties of HgCdTe. J. Vac.,Sci. and Technol., X982, ir, 21, n I, p. 215-219.

62. KLnch M. A., Brau M.J. , Simmons A. Recombination mechanismus in 8-14yu. HgGcLTe. J. Appl• Pkys. , 1973, v. 44 N 4, p.l649~ 1663.

63. Kblodzied czak J. Transport of carilent ceniers in n-tipe indium antimonide at low temperatures. Acta Piiys.Polon, 19 61, v.20, n 4, p. 289-302.

64. Kolodziejczak J., Sosnowskri L. leimo electromotive force and nernstettinshausen effect in IriSb. Acfcfe Ph^rs.Polozu, 1962, v. 21, 3J 4, p. 399-413.

65. Lin J. W. Identification and investigation of impurities in undoped Hg-j-^Cd^e. J. Sal.-State Ghem., 1975, v. 15, If I, p.96-101.

66. Long D. Ool'culation of io ni zed-impuri ty sc at taxing mobili-ti of electrons in Hg^Cd-^Te. Ph.ys. Rev., 1968, v,I76, n 3, p. 923-9 27.

67. Long D., Schmit J.L. Mercury cadmium teLluiide and <ixLosery related allocs. Semico nd. ®nd Semimetals., Acad. Press, N-Y, 1970, v. 5, p.175-255.

68. Mauger A., Priedel J. Acceptor resonances in zero-gap and small-gap semiconductors. Phys. Rev.B, 1975, v. 12. .J 6, p. 2412-2423.

69. Pawlicowski J.M. Shematic energy band diagram of metal. -Cd^Hgi-x^-e contacts. Piiys, Stat. Sol. A, 1977, v.40,.1. N 2, p. 6E3-6BO.

70. Pines M.-Y., Genoud R.H., Bratt P.H., Effects of sweep-out on HgCdTe detectors under higji bias conditions, IEEE, Pros. Intern. ELectron devices Meeting, Washington, 1974, p.196-198.

71. Pine's M.Y., Stafsudd O.jjfl. Recombination processes inintiinsis semicondutors using impact ionization capture ©ioев section in Indium Antimonixie and Mereuiy Cadmium 'Del-lurtde. Infrared Phys.,1980, v.20, N 2, p.73-91.

72. Polla D.b.,jAggarwal R.L,, Helson D. A., ShariLey J.F, Heine

73. M.B. Hg vacancy related lifetime in Hg Cd by opti6« 68 0. id.caL modulation spectroscory. Jtepl. Phys. Lett., 1983, v. 43, N10, p. 9 41-943.

74. Poll a D.L., Jones C. E, Deep losvel studies of Hg^^^Cd^Te,. I. Uarrowband-gap-spacercharge spectroscopy. J. Appl. Phys,, 1981, v. 52, U 8, 5II8-5I3I.

75. Polla D.L., Jones С. E. Deep level transient spectroscopy in HSE-xGdxTe* " 30114 S*«Oommun.,I980, v. 36, n 9, p. 809-812.

76. Reynolds l^A., Jbberts C. D., Chapman K.A., В ebb H.B.

77. Pho to со nduc ti vi ty processes in 0.09 eV band-gap HgCdle. ~ Proc. of ths 3 Inter.Conf. on Photoconductivity, St anbard, 1971, p. 217.f

78. Schmit J.b. Intrinsic carrier consent ration of Cd^Hgj^Ce as a function of x and T using k*p calculations. J.^Appl. Phys., 1970, v. 41, N7, p,2876-2879.

79. Schmit J.L., SteLzer E.L. IFempe:ratu:re and alloy comprosi-tionaL dependences of the energy gap of Hgj^Cd^Te. J,toi. Phys., 1969, v. 40, Kl 12, p. 48 65-48 69.

80. Scott W. ELectrical mobility in Hg-j-^Cd^äte. J.APPl* Phys., 1972, v. 43, ff s, p. 10 55-10 62.

81. Scott W., Hager R,J. Anomalous elect ileal properties of p-type Hg^Od^Te. J.Appl. Phys., I97I,v.42, H 2,p.803-808.

82. Scott W., Stelzer E.L., Hager R.J. ELectaical and far-rln-frared optical properties of p-tjpe Hgj-^Cd^Te. J.Appl. Phys., 1976, v.47, H 4, p.1408-1414.

83. Tsidilkowski I.M.On impurity states of gapless semiconductors. Proc. of the Summer School on Narrow Gap SC, 1979, HLmes, Edited by Spiinger Verlag, p. 324-336.

84. T.yssen Ü, Ämiz G. Par infrared recombination radiation from n-type Hg^OcL^Ie. Appl. Optics, 1977, v,l6, H II, p. 29 57-29

85. Van Jbosbro eöc W., Shocley W. Photon-radiative recombina-tiom of electrons and holes in genaanium. Phys, Rev., 1954, v.94, N 6, p.1558-1560.

86. Van VLiet K.M., Blok J. Electronic noise photoconducting insuLators, Physica, 1956, v. 32, N 6, p. 525-540.

87. Wertheim G.K. Transient recombination of excess carriers in semiconductors. Phys.Rev. (Second »Series), 1958,v. 109, N 4, p.1086-1091.1. СОДЕРЖАНИЕ

88. Титульный лист . • • • I стр.2. Оглавление.3 стр.3. Рисунки.45 стр.4. Таблицы.2 стр.5. Литература.10 стр.

89. Текстовая часть. . . . 102 стр.