Явления переноса и дефектообразование в CdxHg1-xTe при высокой температуре тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукопису

МАЛИК Орест Петрович

ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ І ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В С(іхН&_хТе ПРИ ВИСОКІЙ ТЕМПЕРАТУРІ

01.04.10 — фізика напівпровідників і діелектриків

Автореферат дисертації на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук

ЛЬВІВ— 1995

Дисертацією е. рукопис. .

Роботу виконано иа кафедрі напівпровідникової електроніки Державного університету “Львівська політехніка".

Наукові керівники: доктор фізико-математичних наук,

професор БУДЖАК Я.С.

доктор фіаико-матеьіатийних наук,

. професор БВРЧЕНКО М.іг!.

Офіційні опоненти: доктор фізнко-матеиатичних наук,

. професор ІІАШКОВСЬКИЙ М. В.

доктор фізика-натематичних наук,

професор, РАРЕНКО І.іі.

Провіяна організація - НДО "КАРАТ” /и. Львів /. •

Захист дисертації відбудеться с-Р 1&?5

о год, на засіданні спеціалізованої Рада Д 04.04.06

при Львівському державному університеті ім. 1. Франка /290005, Львів, вул. Кирила і Мефодія, Й, Велика фізична аудиторія/.

З дисертаціє» можна ознайомитися в науковій бібліотеці Львівського державного університету /вул. Драгоманова, 5/.

Зідгуки на автореферат у вдох примірниках, завірені печаткою, просимо надсилати за адресою: 290005, и. Львів, вул. Кирила і Нефодія, 8, фізичний факультет, вченому секретар».

Антореферат розіслано "_______"____________1995 р.

іічениа секретар ’ *;-че:и«наоавж>ї Рмк А 04>.(К.08 .

по*><>р фіз.-«ат. наук, процесор БлаадзвськиЗ Л.О.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми. .Опним з важливих матеріалів електронної техніки е гверзиЯ розчин телуриду ртуті з телуридом кадмію -TV* Перспективність цього матеріалу пов"язана з його ун:г?>»ьними фізичними властивостями: високою рухливістю електронів та можливість плавно змінювати ширину забороненої зони від 0 до 1,6 еВ . Поєднання цих властивостей, а також ниаька діелектрична проникність, дозволяють створювати різноманітні прилади оптоелектроніки, ямі характеризуються високою чутливістю і твипкодйю, зокрема, приймачі ІЧ - випромінювання ■ області спектру 10 мкм, по співпадає з діапазоном прозорості атмосфери.

Виходячи з цього, дослідження фундаментальних характеристик цього матеріалу, а також вивчення структурних дефектів Ccfx Те, які визначапть якість приладів, е актуальною приклапною задачею.

З .другої сторони, вивчення твердого розчину Сс/Х 7* становить значний інтерес в плані фундаментальних: досліджень фі-; зики твердого тіла. Одні*;» з особливостей ?'е 3 низь-

ка температурна стабільність матеріалу, яка приводить до інтенсивного цефектоутворення у діапазоні відносно низьких температур /.?І00°С/. Так як такі процеси можуть фактично визначати електрофізичні властивості матеріалу, ста-5 надзвичайно важливим їх вивчення, причому ¿7 sita , а,не після охолопдення, як не проводилось в усіх попередніх роботах. Крім того, слід врахувати, ще? внаслідок малого значення ширини забороненої зони при цих температурах власна концентрація вільних носіїв заря.яу стаз спіпмірною :* концентрацією електрично активних дефектів, що сильно впливач lia їх термояинамічно рівноважну концентрацію, для розрахунку якої кеобхідно точно знати параметри зонної структури саме при високих температурах. .

Тому розв'язок вищезгаданих та інших проблем, які виникають при дослідженні структури дефектів, з актуальною фізичною задачею.

Метою роботи було вивчення кінетичних ефектів і структури вчасних точкових дефектів в tfj(_xTe при високих температурах. При цьому основні напрямки та завдання теперішнього аослідженнл включали в себе наступне:

’ - теслі ^сення ефекту Холла та питомої електропровідності в

н2і-х Те / х = 0; 0,2/ в інтервалі температур *■ 600 К;

- визначення параметрів зонної структури Те 8 !Н~

терімі температур 236 * 600 К і встановлення їх залезінос-ті від складу та температури;

- дослідження механізмів розсіювання електронів і важких дірок в Н#і,ж'г'е / х «0; 0,2/ в інтервалі температур

296 + 600 К; ; . .

- визначення ступеня іонізації власних точкових дефектів ак. пепторного "типу в tyi-jc Т* / к » 0,2/ в інтервалі

296+ 600 К; . • ' V • •/. -

досліиженнл процесів утворення акпепторних дефектів в стехіометричних кристалах Cdx Те / х =0; 0,2/ при во-роткочасніН термообробці. »

Для розв'язку поставлених задач проведені розрахунки температурних та польових залежностей ефекте Холла і питомої елеітро-провідності в широкому інтервалі температур та магнітних поліс. Отримані результати порівняться з даними експериментальних дос-дівжень вказаних ефектів. ,

Наукова новизна роботи полягаа в наступному: .

-- вперше дослідаені температурні залежності коефіцієнту Холла та питомої провідності в / х.*»0; 0,2/ в

інтервалі температур &>6 + 600 К;

- вперше встановлені основні механізми розсіювання електронів та важких дірок в iXxtytxT* / х *»0; 0,2/ в інтервалі температур 296 * 600 К;

-вперше встановлено, що в інтервалі температур 296 * 600 К температурна залежність ширини забороненої зони tyt-xTe відрізнявться від лінійної, справедливої при Т*296 К, і по мірі зростання температури відбувається зменшення величини йЄа/СкТ ; •

- для СахНці.рТе / х »0; 0,2/ в інтервалі температур 296 «- 600 К вперше встанозлені лінійні залежності енергетич-лого еквівалента матричного елементу та маси важких дірок від температури;

- ? аналізу температурних залежностей #(Т} і В~(Т) для р- С&х Те / х »0,2/ встановлено, що власні точкові кефеяти акпепторногс типу в інтервалі температур 296 *

600 К 9 двічі іонізовані;

- встановлена аномальна кінетика процесів дефектоутворення

v о нелегованісс кристалах С<ґ# / * *0; 0,2/ при ко-

^отксчасліа термообробці.

Практична значення результатів.

І. Результати дослідження можуть бути використані в технології виготовлення кристалів р- Ccfx Т*г з заданою концентраціє» акцепторів. '

■ 2. Отримана додаткова інформація .іро параметри зонно? структури Cafxtyt-x 7* при високій температурі.

' 3. Розроблена експериментальна методика високотемпературних

гальваномагнітних вимірювань, яка може бути використана для вивчення ітих вузьхгаонних напівпровідників.

Положення, які виносяться на загі;ст.

1. Експериментальна методика вимірювань електрофізичних па-

раметрів £dxfy(.x 75* в інтервалі температур 296 *■ 600 К яка дозволяє досліджувати Of situ процеси дефектоутворення і зонну структуру матеріалу. . ■_

2. При температурах вище 450 К температурна залехніст'ь ии-

рини забороненої зони / х * 0; 0,2/ відрізняється

від лінійної і по мірі зростання температури відбувається зменшення величини ¿Fp/&T , ио здійснш вплив на концентрацію власних екцепторних дефектів, в той же час основні механізми розсіювання електронів і вадких дірок в інтервалі температур 296 +■ 600 К залишаються такими» як і при 296 К.. '

3. Вл,..,ШІ ТОЧКОВІ дефекТИ аКЦвПТОрНОГО ТИПу В Wjf-jr Те

/ % я 0,2/ в двічі іонізованими в інтервалі температур 296 +

600 К. • _

4. При короткочасній термообробці нелегов*.них зразків п-

Те /* 3 0! 0.2/ спостерігаються- аномально явидкиЯ процес; утворення ашіепторюіх дефектів, що відбувається по всьому об"в-мі кристалу, і який не може бути пояснений аут-дифузізю ртуті.

На основі цього процесу запропоновано спосіб отримання кристалів р- Ctf# з заданою концентрацією акцепторів.

Апробація роботи.

Основні результати дисертаційної роботи доповідались на Ш ‘Республіканській школі по актуальних проблемах фізики капів-металів і Dyy. козонних напівпрозідаиків /м.Тирасполь, Ш7 р./, j Республіканській конференції Фізика і хімія поверхні і гра-

ниць розділу вузькозонних напівпровідників" /м.Львів, 1990 р./, •

I і II Міжвузівських конфвренціях"Матеріалознавство і фізика напівпровідникових фаз змінного складу" /м. Ніжин, 19Э1 і KW3 р. р./, НІ Всесоюзній конференції "Матеріалознаветво халькогенід-них напівпровідників" /м. Чернівці, 1991 р,/, щорічних наукових конференціях викладачів та співробітників Державного університету "Львівська Політехніка” /І9Ь7 - 1993 p.p./.

Публікації. ' , .

Питання, розглянуті в дисертаційній роботі, викладені у

II друкованих працях.

Структура та об"ем дисертації.

Дисертація складається з вступу, чотирьох розділів, висновку та списку літератури. Містить 136 сторінок машинописного тексту а 40 рисунками та ? таблицями. Бібліографія включав 163 найменування.

ОСНОВНИЙ ЗІіІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтовується актуальність виконаної роботи. Сформульовані мета та задачі дисертації, положения, які виносяться на захист, наукова новизна отриманихрезультатів, а також їх практичне значення. Викладаються короткий зміст роботи по розділам.

У першому розділі проведено огляд літературних джерел, які присвячені експериментальним і теоретичним дослідженням зонної структури, кінетичних явищ та структури власних точкових дефектів в Cdx^i>.

Дається стислий опис зонної структури твердого розчину телуриду ртуті з телуридом кадмію та її перебудова зі зміною складу і температури. Представлено дані по виміряв ані do таких парам ет-рів зонної структури як матричний елемент взаємодії та маса важких лірок в 7* в інтервалі температур 4,2 *• 300 К .

• Відзначаться, що сильний розкид експериментальних значень цих величин свідчить про їх можливу залежність від складу і температури, хоча, як правило, припускається постійність цих величин.

Роглядаються експериментальні дійі ас дослідженню температури;« , концентраційних та молярних залежностей рухливості носії» .заряду в Ccfx Те . Обговорюються вклад різних механізмі з

іюаляня в рухливість електронів. Віздначено, що при Т> 300 К

практично відсутні експериментальні дані по дослідженню явищ переносу.

Обговорюються експериментальні і теоретичні дані по вивчення діаграми фазової рівноваги / Р ~ Т - X діаграмл/С</х/(рг_х Те на основі моделі регулярного асоційованого твердого розчину. Коротко р?.'вгдянутий метод квазі:сімічних реакцій для опису рівноважного стану власних точкових дефектів у складних напівпровідниках. Зіг.знача<гться суперечливість літературних даних про ступінь іонізації акиепторнук дефектів у широкому інтервалі температур. Представлено тео^^тичні та експериментальні дані по дослідженню кінетики встановлення рівноважного стану дефектів при відпалі в динамічному вакуумі та в парах ртуті.

На основі аналізу літературних лани* формулюється постановка задачі дисертації.

Б другому розділі міститься опис експериментальних установок для вимірювання ефекту Холла та питомої електропровідності при низьких /?7 * 300 К/ та високих /300 <■ 600 К/ температурах. . Зроблено розрахунок товщий порушеного шару, який утворяться при високотемпературних Екмгрюсаннях, і проведена оцінка його впливу на точність вимірювання.

З третьому розділі описані основні результати і проводиться обговорення експериментального дослідження кінетичних явищ у власному СЛХ ^ / х * 0; 0,2/ в інтервалі температур £)6 «•

600 К. •

З \ . ьхзої-. ’ юделі КеЯна зроблено розрахунок тем»

пвратурних залежностей концентрація електронів Г) та вадких дірок р . У співвідношення яля п і р в якості параметрів входять наступні величкни: ширина забороненої зони , рівень Йгрмі Ер ■* маса валких дірок гпиіі і матричний елемент взаємодії р о Ці параметри зонної структури рикористовузались як підго-ночні при розв’язку рівняння електронейтраяьності:

. П- р ~ Пе / 1 /

де г>£ - ексгериментальне значення концентрації електронів Г)е _ ^ /еЯ'% а точність виконання умови /І/ складам 1 £.

‘ Окрім рівності /І/ на сукупність параметрів

? накладалась додаткова умова: розраховане на основі №ї пз-

Pnc,J. Залежність ширини забороненої зони С</хТг від температури. 1,2 - х • 0,198; 3,4 - х • 0.

ІО

ІО

ІО

~zrm " sj ^ -

' ч Ч. ч

f ' > ^ 0 0 ’ V. N ч

О ^ °С * V. •ii

■ М,сн*/Вс 40*

і О

40

ІО

<т~ *- O' ч 4 ’-V *4

'х- . а- ^ . •v. ’ \ ч Р» чс -ж Г'. ч х. *1 Ч > Ч s

О О о о ^ f o'4-

■ *

ЧОр 500 600 300 400 500 600

• т.х б Г,4ґ

РкС,2; Залежність РУКЛМЕОСТІ електроні;: від температура ь С4Х г’Ле . » - s ■ 0; б - в * 0,J3U. Пунктирні аічії вішовівшгь різним иесмізиам розсіювання: 1 - АК;

Z . fflOj 3 , САК; -і . Е£; 5 - ПО; б - НП.

рамегрів теоретичне лначення питомої електропровідності £* по-' винко відрізнятися від експериментального значення небільяе, ніж не 10 55 . . ' ; , ■

Розрахунок величини £ проводився в наближенні часу релаксації, при цьому приймались до увагі такі механізми розсіювання електронів [і,2]: розсіювання на полярник /ПО/ і неполярних /НПО/ оптичних фоноНаїг, розсіювання на акустичних /АН/ та п”'Гзоякусткчних’ /І1АК/ фононах1 розсіювання невпорядкованості /Ші/ та електрон - діркове розсіювання /ЕД/, розсіювання на іонізованих домішках /ІД/,

Шляхом порівняння теоретичних та експеримеї. альних даних по дослідженню ¡ефекту Холла і питомої електропрові ямост і з &£Ну(-зг 'Г* асгановлеко, що як для безщілинного, так і для вузькощіликного напівпровідника характерне зменшення нахилу кривої ¿у (Т) по відноївенкю по осі температур /кии.рис.І/ та відхилення вів емпіричної лінійної залежності [3], справедливої при низьких температур« / на рис. І ці залежності зображені прямими . лініями/. Із знайдено? температурної залежності рівня Фермі встановлено, що у всьому дослідженому інтервалі температур електронний газ в телуриді ртуті в частково вироджений з постійним ступенем виродясння. Для СЫХ Те / х ш 0,138./ в розглянутому інтервалі температур також характерне часткова виродження, однак, по мірі зростання температури ступінь виродження газу зростало , , ' ’

• 3 аналізу експериментальних результатів встановлено, що

найкраще узгодження між теорівю та експериментом може біти отримано. в припущенні,- іцо енергетичний еквівалент матричного элементу = 2/*. РУЛ* Гмаса важких дірок з функціями складу та температури. Таке припущення дозволяв пояснити існуючий в літературі сильний розкид експериментальних значень ірх величин. Для напівпровідника фіксованого склепу припускалась лінійна залежать величин Єр та від температури [4] . З використанням »етолу найменших квадратів буяй отримані наступні температурні »алежності енергетичного еквіваленту млтркчниго елемента та маси аядких чгрок/ точність визначення величин Ер і складач 10 *■ 15 % /:

* д мі х « О ,

ІЬ, І - 6,8 ІО"3! , /Г), . /то ш 0,60 + 2,1 І0“^Т , ■

г * / 2 /

, дди х « 0,196

£„« 23,6 - 2,7 10*% , ткк//п, - 0,49 + 7,3 ІсНт

На основі отриманих залежностей величин Ер , £е , Р , тч1< від температури досліджена температурна залежність рухливості електронів та визначені оскозні механізми розсіювання носіїв заряду а Сс/Х Те різного складу /див. рис.2/. Встановлено, що в інтервалі 296 *■ 600 К як для складу х » 0, так і для х »

0,198 основний механізмом розсіювання електронів о розсіювання на полярних оптичних фононах. Вклад розсіювання електрон - важка дірки і розсіювання невпорядкованості / дяя х* 0/ менш суттовий, але не ч знехтувано малий. Вкладом розсіювання ка неполярних оптичних, акустичних та п"чіоакустичних фононах можна знехтувати.

Четвертий роаділ присвячений вивчення структури власних точкових п ефект і а акцепторього типу в <~ах Те при високих температурах.

Розглядається питання про ступінь іонізації власних акцеп-торнкх дефектів в ¿V*- Нрі-хТе , відносно якого в літературі існугть суперечливі дані [5-'/] . Ця проблема вирішується шляхом порівняння експериментальних і теоретичних температурних залежностей коефіцієнту Холла та питсмої електропровідності в р-Ну*.* Те / х « 0,2/ в інтервалі 296 *■ 600 К . Теоретичні залежності 8(Т) і б'С'іУ визначались із співвідношень:

£ ._________5/г*6~Л_________________#

' /з/

V - С (о) * 6 (о/,

’ »є С®' а, - кінетичні інтеграли для електронів і вадких ді-

Г . рок віалоаіяно,

*■ Кр ‘зі І і 2 /диз. рис.З/ розраховані, виходячи з припущена: г,{ч. ар сх кратну іонізацію акцепт орного дефекту, тобто, відпо-йіучугь рівнякнм електронейграяьнссті р ~п 2* 8,7 ІО*6

Й,(м*/Кл

б, Ом'їс**

Рис.Я. Залежність коефіцієнта Холла /а/ і питомої електропровідності /б/ в і д. температури в р- Са^г * Теоретичні крмьі

віяповідавть різним зарядовим станам акцептор.чого д»3екта.

Хк

Рис.4,. Залежніс-’’1-. рухливості вч*"’« пірок віл температура а р- Сс/ці НрррТе . Супі• ча лінія вііповіялч зиіааисау ие<а-нізуу розставання, сгріїтсаі ліні? - різним кі<*к:якам розсіювання: І -ЛАК; 2 -ІД; З -РГ.О; 4 -Ш:; 5 -Г. . ; С -АК. . '

ем“ /*• а криві І і '¿' розраховані, виходячи в припущення'про однократну іонізацію дефекте: р-п~^ „ При розв'язку рівняннк

влєктронайтральності, а. гак * при розрахунку кінетичних інтегралів використовувались нелінійна залежність Ва(Т) і співвідношення /2/, - . Г

З рис.Зк видно, що криві 2-і 2' при Т » 296 *■ 450 К ®дна-ково чобрв співпадають з експериментальними даними. Нри Т>450 К крива 2 краще узгоджуються а експериментом і однак а цих температурних залежностей не иожял зробити однозначного висновку про ступінь іонізації «ефес«?«

1»аа картина спост*;рігазться при. порівнянні теоретичні« та експериментальнихтемлоратурних залежностей електропровідності« Винно* що у всьому. дослідженому інтервалі температур крива

1 / г - г/ віярізнясться від експериментальної Залежності в маках 10 *■ 20 &. В той же час, крива І / г «■ І/ в інтервалі £У6 «■ 550 К відрізняються вія експериментальної залежності в 2 «■ 2,5 рази, і-лик* при Т;» 550 К вона наближаються до кривої І, так як в цьому інтервалі температур зразок р- (V, / * - 0.2/

починав переходити в стан з власно» провідністю.

З врахуванням ступеню іонізації акцепторного дефекту зроблено розрахунок температурної залежності рухливості важких дірок /дав. рис 4/. Встановлено, що у всьому дослідженому інтервалі температур основним механізмом розсіювання важких.дірок я розсіювання на полярних оптичних фононах. Вклад розсіювання невпорядкованості та розсіювання на акустичних фононах значно менший« але не в знехтувано малий. Регата механізмів розсіювання - розсіювання На іонізованих домішках, розсіювання на неполярних оптичних та пиезоакустичних фононах - в діапазоні 236 *■ 600 К вносять знехтувано малий вклад.

Проведено дослідження процесів дефектоутворення в нелего-ваних зразках п- ¿V* ^і-х / х *.0{ 0,2/ при короткочасній термообробці. Дослідження велося двома способами: а/ методом імпульсного відпалу світловим пучком в динамічному вакуумі /тривалість відпалу >4100 с/; <5/ методом віяпалу в насичених Парах ртуті /тривалість відпалу10 * II хвилин/. Після термообробки вимірювалась залежність Ц(8) при 77 К, потім двічі проводилось зняття поверхневого шару товщино«} 200 * 250 мкм та вимірювання польової залежності коефіцієнту Кодла. З аналізу цих залежностей

встановлено, що всі зразки мають p-тип провідності тя однорідні по оіб"чму фімичні властивості. З порівняння теоретичних та експериментальних залежностей Я(8) встановлено, що всі зразки, які прой>алк термообробку, мають властивості, цо відповідають ртутній границі області гомогенності, На основі цього запропоновано спосіб отримання кристалів С</х Те р-тиііу з задажяо кокценгт'і'^о акцепторів із иелегованих зразків.п-типу шляхом ко~ рокочасиої термообробки в насичених плрах ртуті.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ РОБОТИ i ШСНОЗКИ . .

1. Вперше досліджено температурні залежності коефіцієнту

Холла і електропровідності у власному різного скл*-

жу а інтервалі температур 2У6 f 600 К. Розроблена мето пика низ-и*ченнл параметрів зонної структури а вимірювань коефіцічк/у Холла та елект^опрові^лості, .

2. Вперше встановлено, що при температурах вюцв 450 К температурна залежність ширини забороненої лшл Се/Х fig(г}с Те / х *

0; 0,2/ »ікрізнясться »ід лінійної і по мірі звільнення тімпвра-тури відбуваються зменшення величиниЛ£а/лТ\ ОД 3,-.ійснв<5 ВПЛИВ на концентрацію власних акцепторних дефектів,

3. Для Cd? Ну/.* Те. різного складу в інтервалі темі ератур

25*6 * 600 К вперше встановлено лінійні залежності енергетичного еквіваленту матричного елемента і маси валких дірок від температури. ' ' . ■ - ' •

4. Вперше досліджено температурні залежності коефіціінту

Холла і влвктропровт »!^^1 .. г ^ * інтервалі темпе-

ратур 2У6 *• 600 К. З аналізу залежностей ACT) І (T(Tj віітанов-леио, що власні точкові дефекти акцегіторного типу в hyot 7V е двічі іонізованими в розглянутому інтервалі температур,

5. Досліджена аномальна кінетика процесів дефектсутеоренля в нелеговаиих кристалах £с/?е Те прк короткочасній териосб-робиі. На основі проведених експериментів запропоновано спосіб отримання кристалів р-ткпу з заданою концентрацією акіівпторі* з нелеговаиих зразків п-тнпу„

6. Зперше встановлено, ідо. в інтервалі температур 296* 609 К основним механізмом розсіювання електроніс в ¿St7* е ро»-сіювеиня на полярних оптичних- фонон«, ¿»лад розсіювання електрон-важка дірка і розсіювання невпорядкованості/для х*0/ иеня суттчг

вий, ял« не -V знехтувано калий. Вклад розсіювання на неполярних оптичних, акустичних та п"езоакустечних фононах в знехтувано малий. ' . > ’ ’

7. Вперше ьстаносленг що в інтервалі температур 296-«■ '

600 К основним механізмом розсіювання важких дірок в С(/Р ¿ Нрду Те я розсіювання на полярних оптичних фононах. Зклад розсіювання кеьпорлдкоізан'зсті і розсіювання на акустичних фононах значно мен-щиÍ!, але не с знехтувгло малий. Реіста механізмів розсіювання -розсіювання на іокіаоаанюс домішкам, розсіювання на неполярних оптичних та Гі"єзоакусткчнкх фононах - вносять знехтувано ммий вклад. • • . •

Основні результати дисертації опубліковані в наступних роботі*: . .

1. MsjUk O.Ü. Рассеяние электронов' в ^і.хVe при высоких температурах. // УМ.-ЕНЮ.-Т.35, J» 9.-С. 1374-1376.

2. Малик 0.11., Будхак й.С. Розсіювання валких дірок в '

Сс/Х Те / x - 0,2/ при високій температурі. // УіЖ.~ 1994.-

T.3j, с.*і77-‘іоо. •

3. їерчеНко Н,Н,, Ыалык O.Ií. Ширина ’апреіденноЯ зоны .

Ссґ.,¿ Uyog Те -при ьисокой температуре. // Физическая олектрони-ка/-1У0Э.-Т.38,-C.72-76,

4. ліальж 0.11. Подзикность носителей в теллуриде ртути при

высоксГ; температуре. // угизическал электроника.-1Э30.-Т.40.-С. 102-105.' .

Ь.Нздкк O.U., ДобрянскиЯ O.A. Ііодвияность носителей в ' Cdo.i fffe,sTe !1РИ высокой температуре, // физическая электроника. ->*Ю.-Т.41.-C. II2-1I0. ' . ; .

6. Бувдак Н. С., Малы к 0.11. Собственная концентрация носите-леП в узксщелевых полупроводниках при высокой температуре.// III Респ. шк’сла по актуальним вопросам физики полуметаллов и узкозок-tííúx полупроводников: Тез. докл.-Тирасполь., I9ü7.-C.3ö-3'J.

’ 7. ¿1а.*1к O.lí., Курбанов K.P. О степени ионлэапии собственных -п.пфектов акцепторного типа в С</аг tyo,s Те при знсокой тем-перлтуре. // I Респ. к-ция "¿’изикп-и химия поверхности и границ раялела'уашцелеБЫх полупрокоякнков": Тез. докл.-Львов.>1330.—

С.211-21^. . . ' '

і;. Бу.сдау /І.С., Малы к О.П.¡¡¡крнбало D.M. 0 приропе акцепторных дефектов в■ Cetai Те . // I ¡/.ечсауз.' к-ция "Материало-аеч.ение и физика полупроводниковых фаз переменного’ состава":Тез.

- ІЗ -

докл.-Нехин., 1931.-С.32. .

9. Малык О.П;, Шкрыбало D.M. Дефектообразование в HgTe

при кратковременной,термообработке. // III Всесояэн. к-цкя"Маге-риаловеяени* халькогенйдНых полупроводников": Тез. докл.-Черновцы., ііш.-т.І.-С.2Ю. ; ■; • ; ' . '

10. Малых О.П., Бучхак Я.С. Явища переносу в V- &ецМрси>Т<!

при високій температурі. // її Укр. к-ція "Матеріалознавство і фізика напівпровідникових фаз змінного складу": Тез. доп.-Ніхин. 1993.-С. 306-308. ' ■ ’ ‘ '

11. Малик О.П., Бутеак Я.С. Інверсія типу провідності в :

ПРИ короткочасній термообробці. // II Укр. к-ція "Матеріалознавство-і фізика напівпровідникових фаз змінного складу" S Тез. non.-Ніжин., І993.-С.23Ь-240. ■ . . ,

12» Буїхак Й.С., Берченко Ы.М., Малик О.П. іУкливість валких дірок в Ccfxtfft.xTe при високій температурі. // І Міжнародна к-ція "Матеріалознавство хмькогенідних і алмазоподібних на- ; півпровінників": Тез. non*-Чернівці., І994.-Т.2.,-С.В7. ■“

ЛІТЕРАТУРА

1. Szyaanska М., Dietl T. electron scattering and transport phenoaena in snall-gap xinc-blende aeaiconductora.//J.Phye Chea. Solida.-197e.-V.39. H 10.-P.102S-1040.

2. Dubovaki J.,Dietl T.< Szyaanaka S*. at al. electron scattering in Cd^ag^ ^Te.// J. Phys. Chen. Solids.-19S1.-V.42.-P.351-362.

3. Hansen G.L.i Schnit J.L., Caaselaan Т.Н. Energy gap versus

alloy composition and teaperature in Hg1_RCdeTe.// J. APPL. .

Phys.-198S.-V.53, N 10.-i>.7099-7101.

4. Madarasz F.L., Szaulovics P., McBath J.R. Intrinsic carrier concentration and effective aasaee in Hg^ Cd^Te. // J. Appl.

Phys.-1985.-V.58,-P.361-365. ”

5. Vydyanath H.R. Defect structure of undoped and copper doped Ч9о,8саО,2Тв- H л- Blectrochea. Soc.-19Bl.-V.128.-P.2609-2619.

6. Заитов 46.А., Исаев «.К., ГорлкЬв A.d. Дефектообразование н

яифузионные процессы в некоторых полупроводниковых твер.шх растворах.-Баку.: Азерневр. 1984. 1984.-211 С. ' '

7. Елизаров А.Й., Богобоящий ВІЗ., Верченко Н.Н. О степени иони~’ ■

эации собственных «.е^ектов в кристаллах Сс/Х ь Широком

интеряале температур. [/ ФТП.-І990.-Т..-4, Я 3.-С.446-450, '

•маїуіс О.P. Transport phenomena and formation of. the defects

in Cd Hq 1c at high tempezature.

. к 1-х

Tlio thedia for obtaining the dejree of Candidate of physical

and mathematical sciences on f-he speciality 01.04.10 - Fhysic.of

semiconductors and insulators. Lviv State University. Lviv. 1S35*

Twelve scientific vorks> sontaining results of experimental

research, of kinetic effects in Со Уд Те at tJie interval 296 *

' ' ■ ■ • r, 1-е

. 600 К and the structure of che native point defects ere defended.

The tempciature dependences of con« structure parameters and the scattering mechanisms of char?» carries are determined. The ionization degree of the native acceptor defect is established. The anomalous quick process of defect formation during the rapid annealing has been revealed.

Мл лык 0.11 ¡Явления переноса и пефектообраээванив в fye x Те ПРИ высокой температуре. .

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04,І0 - физика полупроводников и диэлектриков, Львовский государственны!! университет, Львов, Ъ)ЭЬ. . ‘ '' . ■ • , •. " •

Зачищается 12 научных работ, которые содержат результаты экспериментального исследования кинетических эффектов a Ccfx ^е,хТе в интервале 296 + 60G К, а такяе структуры собственных точечных дефектов. Опрецелень: температурные зависимости параметров зонной структуры, а такяе механизмы рассеяния носителей заряда. Установлена степень ионизации собственного акцепторного дефекта. Обнаружено аномально быстрый процесс образования акцепторных дефектов в ходе кратковременной термообработки.

Ключові слова:

явища переносу, структура дефектів, твердий розчин кавдій-ртуть-телур. ,