Разработка активных сред для АП-конверсионных твердотельных лазеров видимого и ультрафиолетового диапазонов спектра с диодной накачкой тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

□□3483876

Пушкарь Александр Александрович

РАЗРАБОТКА АКТИВНЫХ СРЕД ДЛЯ АП-КОНВЕРСИОННЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ ВИДИМОГО И УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНОВ СПЕКТРА С ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ

01.04.21 - Лазерная физика

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

1 9 НОЛ ?пг

Москва - 2009

003483876

Работа выполнена в Институте общей физики им. A.M. Прохорова РАН

Научный руководитель:

кандидат технических наук, старший научный сотрудник Уварова Татьяна Владимировна

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН Багдасаров Хачатур Сааковнч, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН

кандидат физико-математических наук

Державин Сергей Игоревич, Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН

Ведущая организация: Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха.

Защита диссертации состоится «30» ноября 2009 года в 15.00 на заседании диссертационного совета Д002.063.02 при Институте общей физики им. A.M. Прохорова РАН по адресу 119991, ГСП-1, Москва, ул. Вавилова, 38, корпус 1, конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института общей физики им. A.M. Прохорова РАН

Автореферат разослан « и» октября 2009 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Макаров В.П. тел. +7 (499) 503-83-94

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. На фоне многообразия разработанных лазеров инфракрасного (ИК) диапазона спектра, выбор твердотельных лазеров, излучающих в видимой, ультрафиолетовой (УФ) и вакуумной ультрафиолетовой (ВУФ) областях весьма ограничен.

В настоящий момент получение монохроматичного, когерентного лазерного излучения в видимом и УФ диапазонах спектра практически осуществляется:

- при использовании газовых лазеров, лазеров на красителях и парах металлов, которые представляют собой громоздкие приборы с ограниченным сроком службы, имеющие относительно большие размеры и вес;

- при использовании полупроводниковых лазерных диодов, обладающих рядом серьезных недостатков, ограничивающих их область применения, среди которых: невысокие выходные оптические мощности генерации, необходимость их термостатирования;

- при использовании нелинейного преобразования в гармоники излучения твердотельных ИК лазеров, что значительно снижает КПД и надежность такого прибора, а главное, ограничивает выбор длин волн генерации.

Создание компактных твердотельных лазеров видимого и УФ диапазонов спектра позволит решить целый ряд задач в различных областях науки и техники, таких как: медицина, химические технологии, экология, микроэлектроника, оптоэлектроника, нанотехнологии, оптические измерения, лазерная спектроскопия, системы хранения и передачи данных, поскольку они обладают рядом потенциальных достоинств, к важнейшим из которых можно отнести: возможность достижения высоких удельных оптических мощностей и энергий, экологическая чистота, компактность, технологичность. Поэтому, даже далеко не полный перечень возможных применений такого рода излучателей указывает на актуальность работ, связанных с поиском, получением и исследованием эффективных ап-конверсионных лазерных сред.

В настоящее время, основными проблемами в разработке компактных полностью твердотельных лазеров видимого и УФ диапазонов спектра, являются:

1) Ограниченный выбор твердотельных источников накачки для возбуждения лазерной генерации на М и М переходах редкоземельных ионов (РЗИ) в активных матрицах;

2) Процессы соляризации, возникающие при возбуждении активных сред фотонами высокой энергии и приводящие к образованию центров окраски (ЦО).

Использование ап-конверсионных механизмов накачки активных сред решает обе эти проблемы - позволяет использовать удобные твердотельные источники накачки, такие, как компактные лазерные диоды, и значительно снизить индуцированную фотоионизацией деградацию активных матриц.

Известное в настоящее время количество пригодных для использования в видимом, УФ, а, особенно, в ВУФ диапазонах спектра материалов весьма ограничено. К наиболее подходящим из них можно отнести неорганические

фториды, поскольку данные кристаллы имеют наиболее коротковолновые границы собственного пропускания в сравнении с оксидами и наибольшую химическую стойкость в сравнении с другими классами соединений. Большое значение, также, имеет изоморфизм матричных кристаллов (матрицы) по отношению к РЗИ и изовалентное замещение активным ионом компонента матрицы. Из известных фторидных материалов одной из перспективных матриц для лазеров видимого, УФ и ВУФ диапазонов спектра являются кристаллы с моноклинной структурой BaY2F8. В данной структуре позиции катионов разделены с высокой разностью координационных чисел, что указывает на высокую стойкость матрицы при высокоэнергетическом облучении. Кроме того, коротковолновая граница собственного пропускания монокристалла BaY2F8 расположена на длине волны 125 нм, и он обладает 100% изоморфной емкостью по отношению к РЗИ иттриевой подгруппы [1].

Однако, указанные возможности реализуются только на монокристаллах высокого качества: с низким содержанием фоновых примесей, стойких к высокоэнергетичному коротковолновому излучению и т.д., поэтому вопросы практического применения лазерных матриц лежат также в области разработки технологии их выращивания, позволяющей получать высококачественные ориентированные кристаллы, легированные заданными концентрациями активатора/ов.

Фундаментальное свойство РЗИ в диэлектрических кристаллах -энергетическая многоуровневость и связанные с ней разнообразные люминесцентные и абсорбционные каналы открывает широкие перспективы для использования разнообразных ап-конверсионных схем накачки активных лазерных сред. Однако, несмотря на то, что к настоящему времени в литературных источниках представлено множество ап-конверсионных механизмов, существует лишь несколько работ, в которых была получена лазерная генерация видимого диапазона спектра при диодной накачке кристаллических активных сред. Основной объем исследований в области изучения ап-конверсии проводится с использованием в качестве источников накачки лазеров на Y3Al5012'.Nd3+, Al203:Ti и красителях, поскольку они обладают возможностью получения высоких плотностей мощности накачки и плавной перестройки длины волны генерации, что позволяет исследовать различные механизмы возбуждения [2-4].

В связи со значительным прогрессом в последнее время в исследовании полупроводниковых лазеров открываются большие перспективы для создания разнообразных ап-конверсионных твердотельных лазерных сред для получения генерации в широком диапазоне длин волн от дальней ИК до УФ областей спектра.

Цель работы состоит в разработке активных сред для ап-конверсионных твердотельных лазеров видимого и УФ диапазонов спектра с диодной накачкой.

Основные задачи работы:

1. Разработать ап-конверсионные схемы возбуждения эффективной многополосной люминесценции видимого и УФ диапазонов спектра при использовании в качестве источников накачки серийных лазерных диодов.

2. Определить критерии отбора и обосновать выбор матрицы для практической реализации разработанных ап-конверсионных схем.

3. Разработать технологию выращивания активированных монокристаллов и получить образцы для исследований.

4. Провести комплексные исследования спектрально-люминесцентных свойств полученных образцов при использовании одно- и многоволновой диодной накачки.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Разработаны и реализованы новые ап-конверсионные схемы возбуждения эффективной многополосной люминесценции на длинах волн 450-500, 510-560 и 570-650 нм по механизмам ступенчатой сенсибилизации и поглощению с возбужденного состояния при использовании в качестве источников накачки серийных ИК лазерных диодов.

2. Разработаны новые ап-конверсионные схемы возбуждения люминесценции в УФ диапазоне спектра на длинах волн 312-357 нм и 225-236 нм в активной среде ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+,Се3+ при использовании в качестве источников накачки лазерных диодов с длинами волн генерации на 960, 840, 810-808 и 405 нм.

3. Проанализированы ап-конверсионные механизмы возбуждения многополосной люминесценции с высоколежащих 4Р- состояний иона Рг3+ в матрице ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+ и показано, что применение многоволновой накачки позволяет получать десятикратный рост интенсивности отдельных полос люминесценции видимого диапазона спектра по сравнению с одноволновой накачкой при суммарной оптической мощности возбуждающих пучков до 5 Вт.

4. Исследована анизотропия коэффициента поглощения монокристалла ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+. Максимальная величина коэффициента поглощения выявлена вдоль направления кристаллографической оси Ь, что позволит повысить эффективность поглощения пучков накачки при уменьшении геометрических размеров активной среды.

5. Комплексно исследованы и решены основные технологические проблемы, возникающие при выращивании моноклинных монокристаллов ВаУ2Р'8, такие как: образование непрозрачной фазы в виде полосчатых включений в объеме или в виде шапки, сокращающей полезную длину кристалла; отсутствие затравливания и образование полностью непрозрачной були в результате массовой кристаллизации в объеме расплава; непредсказуемые напряжения и трещины. Решение указанных проблем, сконструированный тепловой блок и графитовый тигель позволили разработать технологию выращивания ориентированных монокристаллов ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+ и ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+,Се3+, позволившую получать образцы с концентрацией неизоморфных активаторов до 0,83% (ат.), длиной до 50 мм и диаметром до 25 мм со стабильным выходом годных кристаллов около 70%.

6. Исследовано влияние кристаллографической ориентации затравки на качество и скорость роста моноклинных кристаллов BaY2Fg. Выявлено направление преимущественного роста [111], позволившее увеличить скорость роста с 2,88 до 11 мм/ч без ухудшения качества выращенных монокристаллов.

7. Высказано и доказано предположение о кластерном вхождении РЗИ в матрицу BaYiFg, что является необходимым условием для действия механизма ступенчатой сенсибилизации. Показано, что при концентрации иона Yb3+ в матрице BaY2F8, равной сумме концентраций ионов Рг3+ и Се3+, возможно получение бездефектных кристаллов с высокой концентрацией неизоморфных активаторов порядка 0,83% (ат.).

Практическая значимость работы состоит в том, что результаты проведенных исследований являются основой для создания компактных полностью твердотельных лазеров с диодной накачкой, генерирующих излучение в значительной части видимого и части УФ диапазонов спектра. Использование разработанных ап-конверсионных схем накачки кристаллических активных сред BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+ позволяет осуществить транспорт поглощенной энергии от ИК и видимого диапазона спектра к возбуждению генерации в видимой и УФ области, что решит проблемы связанные с соляризацией активных сред и отсутствием выбора удобных твердотельных источников накачки. Разработанная технология выращивания монокристаллов BaY2F8 методом Бриджмена позволит получать высококачественные ориентированные кристаллы с заданными концентрациями активаторов РЗИ, что является критической стадией для внедрения данных активных сред в практику, а выявленное направления преимущественного роста [111] значительно повысит качество и скорость роста кристаллов. Полученные образцы активных сред BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+ позволяют проводить исследования по получению генерации в видимой и УФ областях спектра.

Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) №07-02-01157-а.

Личный вклад автора

В изложенных в диссертационной работе исследованиях автору принадлежит разработка ап-конверсионных схем накачки активных сред, получение опытных образцов и проведение их спектроскопических исследований, а также участие в анализе полученных результатов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Достижение интенсивной многополосной люминесценции на длинах волн 570-650, 510-560 и 450-500 нм в активной среде BaY2Fg:Yb3+,Pr3+ с высоколежащих 3Pi + 'l6; 3Р0 - состояний иона Рг3+ реализовано по ап-конверсионному механизму ступенчатой сенсибилизации и поглощению с возбужденного состояния при использовании одно- или многоволновой накачки серийными лазерными диодами ИК диапазона спектра.

2. Разработанная технология выращивания ориентированных кристаллов BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+ позволяет получать образцы с концентрацией неизоморфных активаторов до 0,83% (ат.), длиной до 50 мм и диаметром до 25 мм со стабильным выходом годных кристаллов около 70%.

3. Редкоземельные ионы входят в кристаллическую структуру матрицы BaY2F8 в виде кластеров, что позволяет соблюсти условия для осуществления ион-ионного взаимодействия между ионами-активаторами.

4. Ориентация моноклинного кристалла BaY2F8:Yb3+,Pr3+ значительно влияет на величину коэффициента поглощения активаторов, на качество и скорость их роста. Максимальные величины коэффициентов поглощения ионов Yb и Рг3+ в матрице BaY2F8 получены вдоль кристаллографической оси Ь, а найденное направление преимущественного роста [111] позволяет увеличить скорость роста совершенных монокристаллов с 2,88 до 11 мм/ч.

5. Использование многоволновой диодной накачки (на 960, 840, 808-810 нм) активной среды BaY2F8:Yb3+,Pr3+ по механизмам ступенчатой сенсибилизации и поглощению с возбужденного состояния позволяет получать десятикратный рост интенсивности отдельных полос люминесценции видимого диапазона спектра по сравнению с одноволновой накачкой (на 960 нм) при суммарной оптической мощности возбуждающих пучков до 5 Вт.

6. Достижение люминесценции в УФ области спектра на длинах волн 312 -357 нм и 225-236 нм в активной матрице BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+ возможно при использовании ап-конверсионного механизма ступенчатой сенсибилизации и одно-или двухфотонного поглощения с высоколежащего состояния 3Р0 иона Рг3+ при накачке серийными лазерными диодами ИК и видимого диапазонов спектра.

Апробация работы

Основные результаты и материалы работы докладывались на второй международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской, МИСиС, Москва 2003; XIII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ion, Irkytsk 2007; XII Conference on Laser Optics, St.Petersburg 2006.

Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в 12 работах (4 статьи в ведущих рецензируемых журналах, 6 тезисов докладов). Список публикаций по теме диссертации приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы. Материал изложен на У Я/ страницах, содержит 37 рисунков, 1 ^таблиц и список литературы из 90 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулирована цель и задачи исследования.

В Главе 1 представлены основные требования, предъявляемые к материалам, используемым в качестве активной матрицы в лазерах видимого, УФ и ВУФ диапазонов спектра. К ним относятся: расположение коротковолновой границы собственного пропускания матриц в ВУФ диапазоне спектра, высокая изоморфная емкость по отношению к РЗИ, высокая стойкость к коротковолновому излучению и к влиянию внешней среды.

Рассмотрены основные оптические свойства наиболее распространенных материалов, используемых в качестве матриц для лазеров видимого и УФ диапазонов спектра. Показаны факторы, влияющие на их прозрачность в этих областях, основными из которых являются отсутствие "паразитных" примесей, дающих селективные полосы поглощения в диапазоне длин волн спектра 120 - 170 нм, а также радиационная стойкость матриц по отношению к коротковолновому излучению при оптической накачке. Показаны преимущества и недостатки использования фторидных кристаллов в качестве лазерных матриц видимого и УФ диапазонов спектра.

Рассмотрены основные проблемы, сдерживающие разработку компактных полностью твердотельных лазеров видимого и УФ диапазонов спектра, к которым относятся: ограниченный выбор твердотельных источников накачки для возбуждения лазерной генерации на М и Ы переходах РЗИ в кристаллических матрицах; процессы соляризации с образованием ЦО, возникающие при накачке матриц, легированных РЗИ фотонами высокой энергии. Показано, что эффективным решением обеих проблем является использование ап-конверсионных схем накачки твердотельных лазерных сред, позволяющих значительно снизить или исключить индуцированную фотоионизацией деградацию активных сред, а также, применять в качестве источников накачки серийные лазерные диоды.

Обоснован выбор моноклинного монокристалла ВаУ2Р8 в качестве перспективной матрицы для создания лазеров, генерирующих в видимом, УФ и ВУФ диапазонах спектра. Он удовлетворяет всему представленному выше комплексу требований: коротковолновая граница собственного пропускания

расположена на 125 нм, обладает 100% изоморфной емкостью по отношению к РЗИ иттриевой подгруппы, а изовалентное замещение активатором позиций иона Y в структуре (при этом позиции катионов разделены) снижает вероятность возникновения точечных дефектов, являющихся основой для образования центров окраски, повышая стойкость монокристаллов к высокоэнергетическому облучению.

Во второй части главы классифицировано множество ап-конверсионных процессов, представленных в литературных источниках, с указанием их собственных спектроскопических характеристик, позволяющих отличить их друг от друга. Подробно рассмотрены процессы поглощения с возбужденного состояния (ESA), ап-конверсионной передачи энергии (ETU) и фотонной лавины (РА), представленные на (рис. 1). Проведен сравнительный анализ преимуществ каждого из ап-конверсионных механизмов в плане их практической реализации.

-й;

ETU с последующим ESA Ступенчат«« еенснбклтация

зп£

Крое с-релаксационная ал-конверсня

Кооперативная люминесценция

ион! вон 2 нонз Кооперативная сенеивилюацкя

ИОН I ИОН2

Фотонная лавина

Рис. 1. Принципиальные схемы ап-конверсионных механизмов ESA (а), ETU (б,в,г,д,е) и РА (ж)

Представлен анализ имеющихся в литературе данных и современное положение дел в области исследования ап-конверсионных механизмов в монокристаллах фторидов и стеклах, легированных РЗИ иттриевой (Ег3+, Er3++Yb3+, Tm3+, Tm3++Yb3+, Но3+, Ho3++Yb3+) и цериевой (Nd3+, Pr3+, Pr3++Yb3+, Pr3++Ce3+) подгрупп. Показано, что, несмотря на то, что в литературе представлено множество ап-конверсионных механизмов, основной объем их исследований проводится с использованием в качестве источников накачки лазеров на основе Al203:Ti3+, Y3Al50i2:Nd3+ или красителях. Однако, значительный прогресс в последние годы в

области исследования и разработки мощных лазерных диодов делает реальным создание an-конверсионных лазеров с генерацией в видимом и УФ диапазонах спектра с диодными источниками накачки.

Показаны перспективы использования иона Рг3+ в качестве иона-активатора кристаллической матрицы BaY2F8, имеющего значительное количество полос поглощения и генерационных каналов на 4Г-конфигурации, что указывает на возможность получения многополосной люминесценции в видимой области спектра. В качества иона-сенсибилизатора предложено использовать ион Yb3+, поскольку известная [5] межионная передача энергии 2Fs/2 Yb3+ -> 'G4 Pr3+, позволяет добиваться высокой населенности промежуточного состояния 'G4 иона Рг3+ по сравнению с его прямым возбуждением. Представлены данные работы [6], показывающие успешную межионную передачу энергии между 5d- состояниями иона Рг3+ и Се3+ в монокристалле LiLuF4:Pr3+:Ce3+, что указывает на перспективы получения УФ эмиссии на длинах волн 312-357 нм в активной среде BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+.

Во второй главе проанализированы литературные данные по спектроскопии ионов Рг3+ и Yb3+ внедренных в матрицу BaY2F8, с целью изучения структуры их энергетических уровней и генерационных каналов для разработки ап-конверсионных схем накачки. Показано, что эффективное население г5/2- уровня иона Yb3+ осуществляется при поглощении пучка накачки с длиной волны 9601000 нм, а значительное количество метастабильных состояний 4Г- конфигурации иона Рг3+ позволит реализовать различные an-конверсионные схемы возбуждения активных матриц на основе монокристаллов BaY2F8, легированных данными ионами.

Рассмотрена возможность населения высоколежащих 4f- состояний иона Рг3+ в активной среде BaY2F8:Yb3+,Pr3+ по механизмам фотонной лавины (РА) и ступенчатой сенсибилизации (APTE). Показано, что механизм APTE в сравнении с РА, обладает рядом преимуществ, среди которых:

1) отсутствие необходимости введения высокой концентрации активаторов РЗИ в матрицу BaY2Fg;

2) наибольшая относительная эффективность среди последовательных ап-конверсионных механизмов возбуждения кристаллических лазерных сред [7];

3) использование в качестве источников накачки серийных лазерных диодов с длиной волны 960 нм и оптической мощностью единицы Вт.

Однако необходимым условием действия механизма ступенчатой сенсибилизации является близкое расположение активаторов в кристаллической структуре для осуществления межионной передачи энергии от иона-сенсибилизатора к иону-активатору. В связи с этим, изучение характера вхождения РЗИ в матрицу BaY2F8 представляется важнейшей задачей, определяющей возможность использования данного механизма для населения высоколежащих 4f-состояний иона Рг3+.

Подробно представлена разработанная ап-конверсионная схема накачки активной среды BaY2F8:Yb3+,Pr3+ по механизму APTE. Возбуждение многополосной люминесценции в видимом диапазоне спектра с 3Р0 - уровня Рг3+ с использованием одноволновой накачки 960 нм лазерным диодом включает две ступени межионной an-конверсионной передачи энергии. Ион-сенсибилизатор Yb3+, поглощая поток фотонов, энергия которых резонансна переходу из его основного состояния 2F7/2 на возбужденное 2F5/2, по первой ступени ETU переводит ион-активатор в возбужденное состояние 'G4 Рг3+, а по второй - в высоковозбужденное состояние 3Р0. Отмечено, что 960 нм возбуждающий пучок не является строго резонансным для перехода 'G4 -> 3Р0 иона Рг3+, но зато попадает в максимум полосы поглощения Yb3+.

В целях повышения населенности высоколежащих 4f- состояний ионов Рг3т в матрице BaY2F8 предложено использовать дополнительные пучки накачки: в диапазоне длин волн 840 нм, при поглощении которых часть ионов Рг находящихся в промежуточном состоянии 'G4 совершит переход на 3Р1+116, 3Ро уровень по механизму ESA или в диапазоне 808 - 810 нм для населения 3Р2,3Pi+'l6, 3Р0 состояний иона Рг3+ аналогичным образом. Разработанные . схемы ап-конверсионного возбуждения активной среды BaY2Fg:Yb3+,Pr3+ при одноволновой и многоволновой диодной накачке представлены на (рис. 2).

4 (И ............. .........................................-Г".................•• rsr= rrrrqsrrr

зо

Рис.2. Принципиальные схемы механизма APTE в кристалле BaYzFgiYb^Pr3* при использовании одноволновой (а) и двухволновой накачки (б,в)

Рассмотрены ограничения использования РЗИ цериевой подгруппы в качестве активаторов матрицы BaY2Fg, связанные со сложностью получения монокристаллов лазерного качества с их концентрациями более 1% (ат.). Поэтому разработка технологии выращивания высококачественных активированных монокристаллов BaY2F8, удовлетворяющих всем требованиям, предъявляемым к прозрачным материалам, является критически важной задачей, определяющей возможность внедрение данных активных сред на практике.

Третья глава посвящена разработке технологии получения ориентированных монокристаллов ВаУЛ, легированных РЗИ заданных концентраций, как критической стадии практического внедрения активных сред. Показано преимущество метода Бриджмена для выращивания моноклинных соединений типа Ва112Р8 (где Я = УЬ3+, Ег3+, Но3+, У3\ Тт3+) по сравнению с другими расплавными методами. Сформулированы основные технологические проблемы, возникающие при получении моноклинных кристаллов ВаУ2Р8 и их аналогов, такие как: образование непрозрачной фазы в виде полосчатых включений в объеме или в виде шапки, сокращающей длину кристаллов; непредсказуемое отсутствие затравливания и образование полностью непрозрачной були в результате массовой кристаллизации в объеме расплава; непредсказуемые напряжения и трещины. Показано, что образование непрозрачной фазы в виде полосчатых включений в объеме кристаллов или в виде шапки, сокращающей полезную длину, можно связать с нарушением стехиометрии или с содержанием примеси кислорода в количестве, превышающем его растворимость в данной структуре. Для этого была экспериментально определена предельная растворимость компонентов расплава ВаР2, УРз по уравнению Галливера-Пфанна:

С8=Кэф-Со(1-ё)Кэф-1, (1)

где СЕ - концентрация примеси в кристалле, С0 - исходная концентрация примеси, £ - доля закристаллизовавшегося вещества, КЭф - эффективный коэффициент распределения примеси, рассчитанный по представленной в работе методике по уравнению:

1В(С0,/С02)

где С01,С02 - концентрация примеси в двух кристаллах, выращенных в одной серии.

При расчете были приняты следующие допущения:

а) Кэф не зависит от концентрации примеси в пределах изучаемого диапазона (от 0,11 до 1,43% (массовых));

б) поскольку серия из шести кристаллов выращивалась в одном эксперименте, Кэф одинаков для всех кристаллов этой серии;

в) по результатам взвешивания кристаллов считаем, что система консервативна;

г) исходные бездефектные кристаллы имеют строго стехиометрический состав.

Показано, что средняя растворимость ВаР2 в ВаУ2Р8 составляет 0,96% (массовых), а УР3 в ВаУ2Р8 - 0,31% (массовых). Проведена оценка влияния примеси кислорода на возникновение дефектов в монокристаллах ВаУ2Р8, показавшая, что кристаллы, выращенные из сырья чистотой 99,995% (массовые) в атмосфере, содержащей примеси кислорода и влаги не более 110"5% (объемных) и

1% (объемных) СР4, имеют диапазон прозрачности в пределах от 135 нм до 10 мкм. Кроме того, изученная в работе [8] термическая устойчивость компонентов расплава исходной шихты указывает на то, что при большом перегреве расплава ВаИг-КРз (более 300 С) фазовый состав испаренного вещества не изменялся и состав пара был молекулярным.

Представлены данные работы [8], где показано, что непредсказуемое отсутствие затравливания и образование полностью непрозрачной були в результате массовой кристаллизации связано со склонностью расплавов ВаИ2-ЯР3 (где Я = УЬ3+, Ег3+) к переохлаждению до 110°С. Для решения данной проблемы была разработана конструкция тигля, основной особенностью которого является затравочный канал, адаптированный к длине ростовой зоны и конусность ростовой ячейки, адаптированная к поперечному градиенту теплового поля.

Представлена разработанная технология выращивания монокристаллов ВаУ2Р8 методом Бриджмена, определяемая четырьмя параметрами: контролем и управлением качеством исходного сырья; контролем за атмосферой выращивания; управлением тепловым режимом выращивания; конструкцией тигля и конструкционными материалами теплового блока. Приведено описание ростовой установки, тигля и теплового блока, обеспечивающего температурное поле с трехзонным профилем (рис.3) по данным градуировки [9]:

- с практически безградиентной зоной в центральной части;

- зоной кристаллизации длиной 5 см, с резким (порядка 50 °С/см - 60 °С/см) градиентом в нижней части нагревателя и под ним;

- с низкоградиентной зоной охлаждения (порядка 5 °С/см - 20 °С/см).

Полученные по разработанной технологии монокристаллы ВаУ2Р8 не

содержали трещин, включений, напряжений и блочности, имели диаметр 25 мм и длину порядка 50 мм (рис. 4).

Показана взаимосвязь между ориентацией затравки и качеством выращенных монокристаллов, а также скоростью их роста. Выявлено направления преимущественного роста [111], позволившее получать прозрачные були, не содержащие трещин и включений при увеличении скоростей роста с 2,8 до 11 мм/ч. Определена "весьма совершенная" (100) и "совершенная" плоскость спаянности с координатами (001).

1 — водоохлаждаемый корпус

2 - нагреватель

3-4 - система экранов

5 — графитовый тигель

6 — шток

Рис. 3. Температурный профиль теплового блока экспериментальной ростовой установки

( 11 ' У1Й1§ ¡111

. '.■■к:* I ' ' йз «'Р-'ЦНЩП^ИЧВД 1 1 '1

Рис. 4. Выращенные ориентированные монокристаллические булн ВаУгРв

Рассмотрены особенности вхождения активаторов цериевой и иттриевой подгруппы в моноклинную матрицу ВаУ2Р8. По данным работы [10], произведен расчет эффективных коэффициентов распределения (КЭф) ионов-активаторов Рг3+ и Се3^ в монокристалле ВаУ2Р8 по формуле, полученной путем преобразования уравнения Галливера-Пфанна (1) для кристаллов, выращенных в одной серии:

(3)

где Кпогл - коэффициент поглощения, см"1

Полученные результаты расчета и экспериментальные данные позволили определить предельное вхождение ионов-активаторов Рг3+ и Се3+ (Спр) в решетку ВаУ2Р8, которое составляет 0,67% (ат.) для Рг3+ и 0,596% (ат.) для Се3+.

Высказано предположение о кластерном вхождении РЗИ в структуру данной матрицы. Ион УЬ3+, обладая меньшим ионным радиусом, чем ион У, образует полиэдр меньшего размера, освобождая пространство соседнего полиэдра, в который может внедриться ион Рг3+ или Се3+. Проведенная серия экспериментов по выращиванию монокристаллов ВаУ2Р8 при тройной активации ионами УЬ3+,Рг3+,Се3+ подтверждает предположение о кластерном вхождении РЗИ, поскольку при концентрации ионов УЬ3+, равной сумме концентраций ионов Рг3+ и Се3+, предельная входимость Се3+ и Рг3+ превышала таковую без УЬ3+. Доказательством этого может служить тот факт, что увеличение концентрации ионов УЬ3+ в матрице сдвигает порог выпадения примеси в сторону большей бездефектности, несмотря на то, что ионный радиус УЬ3+ меньше ионного радиуса У3+, а, следовательно, со-легирование матрицы ВаУ2Р8 ионом УЬ3+ должно было уменьшить входимость ионов Рг3+ и Се3+ при усредненных параметрах решетки.

Разработанная технология выращивания ориентированных монокристаллов ВаУ21'8, позволила получить образцы с концентрацией неизоморфных активаторов до 0,83% (ат.), длиной до 50 мм и диаметром до 25 мм со стабильным выходом годных кристаллов около 70 %.

В четвертой главе представлены результаты исследований спектрально-люминесцентных свойств активной среды ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+ и рассмотрены перспективы ее использования для достижения эмиссии в видимой и УФ областях спектра. Приведено описание экспериментального образца (рис.5): его формы, ориентации, концентрации РЗИ активаторов.

Представлены результаты исследования поглощения активной среды ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+ в диапазоне длин волн 400-1100 нм в различных направлениях, рассчитаны коэффициенты поглощения с учетом отражения на обеих поверхностях образца и в пренебрежении вторичными и последующими отражениями, по закону Бугера - Ламберта:

1 = 10(1-К)2еЛ (4)

где 10 — интенсивность исходного светового потока, падающего на образец, I -интенсивность светового потока прошедшего через образец, а - коэффициент

поглощения, см"1, X - толщина образца, см, К - отражающая способность при нормальном падении зондирующего пучка, определяемая выражением:

где п - показатель преломления, равный 1,51 [11].

ось [Ь]

[1] [а]

Рис. 5. Монокристаллический образец BaY2F8:Yb3+(0,427% ат.), Рг3+(0,386% ат.) для спектрально-люминесцентных исследований

Показано, что полосы поглощения, представленные на (рис. 6-7), в диапазоне длин волн 420 - 480 нм относятся к внутриконфигурационным f-f переходам с основного состояния 3Н4 иона Рг3+ на 3Р2, 3Р| + 3Р0 мультиплеты; в диапазоне 580 - 600 нм связаны с f-f переходом с 3Н4 на 'D2 мультиплет иона Рг3+, а другому ff переходу с основного состояния Н4 на 'G4 мультиплет иона Рг3+ соответствует поглощение на длине волны около 1000 нм, однако данная полоса маскируется краем полосы поглощения иона Yb3+, соответствующей переходу 2F5/2 -> 2F7/2 иона Yb3+ (1030 нм - 915 нм). Отмечено, что узость полос поглощения 4f- состояний иона Рг3+ в активной среде BaY2Fs:Yb3+,Pr3+ указывает на необходимость точной подстройки длин волн возбуждающих пучков под максимумы полос поглощения. Изучена анизотропия коэффициента поглощения, найдено оптимальное направление для накачки (кристаллографическая ось Ь) с целью уменьшения геометрических размеров монокристаллической активной среды.

__Длина волны, нм_

| -Направпяии« |1) —-—-Напрамвиив р) —— Направленна р) Нмрввлвии» ¡4) |

Рис. 6. Спектр поглощения кристалла ВаУ2Г8:\'Ь3+(0,427% атО.Рг^ОЗбУо ат.) в диапазоне длин волн 400-700 нм в неполяризованном свете (при Т=300 К)

| Направлен«» |Л| .... Напра»н«ш*в |1] ...........На правда ни« |2| - - - •Направление |3| |

Рис. 7. Спектр поглощения кристалла Ва¥2р8:¥Ь^(0,427% ат.)Д'г3+(0,386% ат.) в диапазоне длин волн 860-1100 нм в неполяризованном свете (при Т=300 К)

Приведено описание экспериментальной установки для проведения спектрально-люминесцентных исследований в диапазоне длин волн 400-1100 нм, состоящей из: источников возбуждения, фокусирующей системы и системы регистрации (рис. 8).

Источниками возбуждения служили полупроводниковые лазерные диоды с системой термостабилизации, реализованной на основе элементов Пельтье:

диодный модуль PLD-9 (с длиной волны генерации 960-975 нм), лазерный диод Spectra physics 12ASHV1 (с длиной волны 808-810 нм) и диодный модуль с длиной волны излучения 840 нм, изготовленный в ФГУП НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха.

Лаэериым дисл Лажрсы* л*аД Лазерный диоц МО - 975 им »Мим

ЕЗф* Н

Рис. 8. Схема установка для спектрально-люминесцентных исследований в диапазоне 400-1100 нм: волокно, фокусирующая система, кристаллический образец, зеркало, собирающая линза, щель монохроматора МДР-4

Система регистрации интенсивностей световых потоков состояла из: монохроматора МДР-4 с решетками 600, 1200 штрихов/мм, обеспечивающими изменение длины волны зондирования в диапазоне 350-700 нм и 800-1100 нм со спектральным разрешением на уровне 1 нм, соответственно, на выходной щели которого размещался фотоэлектронный умножитель (ФЭУ); усилителя (У) и самописца КСП-4 для вывода графических изображений регистрируемых спектров. Для снижения фоновой засветки применялся фильтр СЗС-32. Для измерения световых потоков в спектральной области 400-1200 нм использовался фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62, для спектральной области 160-850 нм фотоэлектронный умножитель ФЭУ-100.

Представлены результаты измерения параметров источников возбуждения, зависимости выходной оптической мощности лазерных диодов от подаваемой на них силы тока и данные по калибровке системы регистрации интенсивностей световых потоков.

Представлена методика и результаты исследования люминесцентных свойств активной среды ВаУ2Р8:УЬ3+,Рг3+ в видимом диапазоне длин волн спектра при одно- (пучок 960 нм), двух- (пучки 960, 840 или 960, 808-810 нм) и трехволновой (пучки 960, 840, 808-810 нм) диодной накачке. Изучена зависимость интенсивности полос люминесценции от оптической мощности возбуждающих пучков.

Показано, что при одноволновом возбуждении лазерным диодом с длиной волны 960 нм (рис. 9, 10) активной среды ВаУ2Р8:УЬ3\Рг3+, многополосная люминесценция в диапазоне длин волн 570 - 700 нм представляет собой группу перекрывающихся полос эмиссии иона-активатора Рг3+ с максимумами: при 638

нм, соответствующему переходу 3Р0 -> 3Р2, при 606-608 нм, соответствующему переходу 3Р0 -> 3Н6 и небольшую полосу при 585 - 587 нм, соответствующую переходу 3Р0 ->3Н6 иона Рг3+.

Рис. 9. Люминесценция образца под действием одноволнового возбуждения на 960 нм от серийного лазерного диода

Спектры люминесценции в диапазоне длин волн 510 — 570 нм представляют собой три перекрывающиеся полосы, соответствующие переходу Р0 -> Н5 иона Рг3+ с максимумами: при 551-552 нм, 538 нм и 522 нм, а полосы эмиссии в диапазоне 400 - 510 нм соответствуют переходам 3Р1+'1б, 3Ро -> 3Н4 иона Рг3т и представляют собой две полосы с максимумами при 491 - 494 нм и 476 - 478 нм.

Рис. 10. Спектры люминесценции монокристалла BaYiFs^r^Yb^ в диапазоне длин волн от 400 до 700 нм при оптическом возбуждении на длине волны 960 нм по ап-конверсионному механизму APTE (при Т=300 К)

Показана линейная зависимость интенсивности полосы люминесценции с максимумом на 607 нм от оптической мощности 960 нм возбуждающего пучка.

Представлены результаты исследования спектрально-люминесцентных свойств активной среды BaY2F8:Pr3+,Yb3+ в видимой области спектра при двух- и трехволновой диодной накачке на длинах волн 960 нм, 840 и 808 нм (рис. 11).

+

400 420 440 460 «0 500 520 540 560 500 600 620 640 680 6В0 700

Длина волны, нм

----X = 960 нм(5Вт) ---Xя960 нм{3,5 Вт) и 808нм (1,5 Вт) %= '«> нм р,3 Вт)и 840 нм(1,5 Вт)

- >.= 960 hm OJ Вт), 840 нм (1,5 Вт) и 808 нм (1.5 Вт)

Рис. 11. Спектры люминесценции монокристалла BaY^srPr^Yb3* в диапазоне длин волн от 400 до 700 нм при оптическом диодном одно- и многоволновом возбуждении на длине волны 960 нм; 960 и 840 нм; 960 нм и 808 нм; 960 нм, 840 нм и 808 им по ап-конверсионному механизму APTE и ESA (при Т=300 К)

Показан десятикратный рост интенсивности отдельных полос люминесценции при двух- и трехволновой диодной накачке по сравнению с одноволновым возбуждением активной среды BaY2F8:Yb3+,Pr3+ при суммарной оптической мощности возбуждающего/их пучка/ов, равной 5 Вт. Обнаружено появление новой полосы люминесценции с максимумом при 466 нм и превалирование в видимой области спектра доли полос люминесценции красно-оранжевого (570-650 нм) и сине-голубого (450-500 нм) диапазонов по отношению к зеленой области (510-560 нм) при использовании режима двух и трехволновой накачки, в то время, как при применении одноволновой накачки доля полос люминесценции каждой группы приблизительно одинаковая.

Порог люминесценции в видимом диапазоне спектра, полученный при плавном изменении оптической мощности 960 нм пучка накачки от 0 до 3,5 Вт, составлял порядка 360 мВт, а при подаче дополнительных возбуждающих пучков на 840 и 808-810 нм снижался до 166 мВт.

В последнем разделе главы 4 рассмотрены перспективы применения активной среды BaY2F8:Yb3+,Pr3+ для получения генерации в трех различных областях видимого диапазона: на 650-570 нм, 560-510 нм и 500-450 нм по

классической трех- и четырехуровневой схеме, а также на длине волны 225-236 нм по an-конверсионному механизму двухфотонного поглощения (2РЕА 2-photon Absorption Excitation) или ESA с высоколежащего 3Р0 состояния иона Рг3+. Действие механизма 2РЕА состоит в одновременном поглощении двух фотонов возбуждающего 795-810 нм пучка, а механизма ESA в поглощении 400-405 нм возбуждающего пучка накачки на высоколежащем уровне 3Р0 с последующим населением нижайшей 5d- полосы иона Рг3+. Разработанные к настоящему моменту 405 нм лазерные диоды имеют низкую выходную оптическую мощность до 210 мВт, однако использование их в коммерческой технологии blu-ray, а также пресс-релизы некоторых фирм-производителей позволяют надеяться на значительный рост выходных мощностей и улучшения эксплуатационных характеристик указанных диодов в самое ближайшее время.

Показано, что получение эмиссии на длинах волн 320 и 345 нм возможно путем со-активировации матрицы BaY2F8:Yb3+,Pr3+ ионом-активатором Се3+, что позволяет сделать разработанная в данной работе технология выращивания легированных РЗИ матриц. Перекрытие нижайшей 5d- полосы иона Рг3+ с 5d-полосой иона Се3+ в BaY2F8 открывает возможность осуществления межионной передачи энергии благодаря кластерному вхождению РЗИ в данную матрицу (рис. 12).

В заключении сформулированы основные результаты диссертации.

Рис.12. Принципиальная схема населения нижайшего 5d состояния иона Се3* в активной среде BaY2F8:Yb , Рг3+ ,Се по an-конверсионному механизму APTE с двух-(а) и однофотонному поглощению с возбужденного состояния (б)

Основные выводы:

1. Разработаны новые an-конверсионные схемы возбуждения эффективной люминесценции в кристаллах BaY2F8:Yb3+,Pr3+ на длинах волн 570-650 нм (красно-оранжевой), 510-560 нм (зеленой) и 450 - 500 нм (сине-голубой) при использовании в качестве источников накачки лазерных диодов ИК-диапазона спектра.

2. Обоснован выбор матрицы BaY2F8 активированной РЗИ в качестве активной среды an-конверсионных лазеров видимого и УФ диапазонов спектра, разработана технология выращивания ориентированных монокристаллов BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и BaY2F8:Yb3+,Pr3+,Ce3+, позволившая получать образцы с концентрацией неизоморфных активаторов до 0,83% (ат.), длиной до 50 мм и диаметром до 25 мм со стабильным выходом годных кристаллов около 70 %.

3. Изучена анизотропия поглощения активаторов Yb3+ и Рг3+ в моноклинной матрице BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и найдено оптимальное кристаллографическое направление для накачки (вдоль оси Ь) и выращивания данных монокристаллов [11 1].

4. Проанализированы an-конверсионные механизмы возбуждения люминесценции с высоколежащих 4f- состояний иона Рг3+ в матрице BaY2F8:Yb3+,Pr3+ и показано, что применение многоволновой накачки позволяет получать в десять раз более интенсивные полосы люминесценции видимого диапазона спектра по сравнению с одноволновой накачкой при суммарной оптической мощности возбуждающих пучков до 5 Вт.

5. Разработаны an-конверсионные схемы возбуждения люминесценции в УФ диапазоне спектра на длинах волн 312-357 нм и 225-236 нм в активной среде BaY2F8:Yb3+,Pr3\Ce3f при использовании в качестве источников накачки лазерных диодов ИК- и видимого диапазонов спектра и выращены образцы монокристаллов.

Список цитируемых работ:

1. Apollonov V.V., Chernov S.P., Ouvarova T.V. Fluoride-single crystals for lasers of VUV and UV regions of spectrum // Proceedings of the SPIE - Volume 6610 Lasir Optics 2006:Solid State Lasers and Nonlinear Frequency Conversion 2007, Vladimir I. Ustyugov, Editors, 661001 D01:10.1117/12.739948 (March 30,2007).

2. Антипенко Б.М., Мак A.A., Раба О.Б., Сейронян К.Б., Уварова Т.В. Новые лазерные переходы в Тт3+ ионе // Квантовая электроника, 10, N4, 1983, с. 889.

3. Антипенко Б.М., Мак A.A., Синицын Б.В., О.Б.Раба О.Б., Уварова Т.В. Новые схемы возбуждения лазерных переходов // Журнал технической физики, 3, 1982, с. 521.

4. Osiac Е., Kuck S, Heumann Е. et al. Spectroscopic characterization of the upconversion avalanche mechanism in Pr3+, Yb3+:BaY2F8 // Optical Materials, 24, 2003, p. 537.

5. Kuck S., Diening A., Huber G. Avalanche up-conversion processes in Pr,Yb-doped materials // J. of Alloys & Compounds, 65,2000, p. 300.

6. Nicolas S., Descroix E., Joubert M.F. et al. Potentiality of Pr3+- and Pr3++Ce3+-doped crystals for tunable UV upconversion lasers // Optical Materials, 22, 2003, p. 139.

7. Auzel F. Upconversion and Anti-Stokes Processes with f and d ions in solids // Chem. Rev., 104, 2004, p.139.

8. Уварова T.B., Пушкарь A.A., Молчанов В. Н. Разработка технологии выращивания монокристаллов BaR2F8 методом вертикальной направленной кристаллизации // Изв. вузов. Материалы электронной техники, 4, 2004, с. 34.

9. Уварова Т.В., Станишевский Г.Я., Севостьянов Б.К. и др. // А.С. 1610941, СССР, 22.01.1990.

10. Иванова О.Н., рук. Михайлин В.В., Чернов С.П.. / «Высокоэнергетические состояния трезкратных ионов редких земель в широкозонных кристаллах» - Диссертация, представленная на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, отделение экспериментальной и теоретической физики, 1985 г.

11. DeLoach L.D., Payne S.A., Chase L.L. et al. Evaluation of Absorption and Emission Properties of Yb3+ Doped Crystals for Laser Applications // IEEE Journal of quantum electronics, V29, No. 4, 1993, p. 1179.

Список опубликованных no теме диссертации работ:

1. Уварова Т.В., Пушкарь А.А., Молчанов В.Н. Разработка технологии выращивания монокристаллов BaR2F8 методом вертикальной направленной кристаллизации // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 4,2004, с. 34.

2. Пушкарь А.А., Уварова Т.В. Ап-конверсионные среды для лазеров УФ- и ВУФ- диапазонов на основе монокристалла BaY2F8 // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 4, 2006, с. 34.

3. Аполлонов В.В., Пушкарь А.А., Уварова Т.В., Чернов С.П. Поглощение ионов Dy3+ и Nd3+ в монокристаллах BaR2F8 // Физика твердого тела, том 50, 9, 2008, с. 1596.

4. Пушкарь А.А., Уварова Т.В., Молчанов В.Н. Монокристаллы BaY2F8 легированные редкоземельными ионами, как перспективные ап-конверсионные среды для лазеров УФ и ВУФ диапазонов спектра // Квантовая электроника, 38, N4, 2008, с. 333.

5. Pushkar A. A., Ouvarova Т. V., Molchanov V. N. Up-conversion media on basis single crystals BaY2F8 for UV and VUV solid state lasers // Proceedings of the SPIE - Volume 6610 Solid State Lasers and Nonlinear Frequency Conversion 2007, Vladimir I. Ustyugov, Editors, 66100K DOI: 10.1117/12.739951 (March 30, 2007).

6. Kyiko V.V., Pushkar A.A., Uvarova T.V., Egorov A. Investigation of absorption of Ce3+, Pr3+ and Yb3+ in single crystals of BaR2F8 // Phys. Status Solidi С 6, N SI, S195-197 DOI 10.1002, pssc.200881358, 2009

7. Пушкарь A.A., Уварова Т.В. Разработка технологии выращивания монокристаллов BaY2F8 методом вертикальной направленной кристаллизации //

Тезисы докладов второй международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященная памяти М.П. Шаскольской. -2003, МИСиС, Москва.

8. Pushkar А.А., Uvarova T.V. Development of BaY2F8 with doped Ce, Pr, Nd Bridgman single crystal technique // Abstracts, International Conference «CRYSTAL MATERIALS-2005» (ICCM'2005), Kharkov, Ukraine, p. 120.

9. Pushkar A.A., Uvarova T.V. Single crystal media for lasers of UV and VUV regions on the basis of BaY2F8 // Book of abstracts and program ICPLC-2005, 2nd International Conference on Physics of Laser Crystals. -2005, Big Yalta, p. 11.

10. Uvarova T.V., Molchanov V.N., Pushkar A.A. Up-conversion media on basis single crystals BaY2F8 for UV and VUV solid state lasers // Technical Program, XII Conference on Laser Optics. -2006., St.Petersburg, p. 39.

11. Pushkar A.A., Uvarova T.V. Multilevel up-conversion schemes in crystals BaY2F8 doped rare-earth elements // XIII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals doped by rare earth and transition metal ion. - 2007., Irkytsk.

12. Kyiko V.V., Pushkar A.A., Uvarova T.V. Spectroscopy of activators of rare-earth elements eerie and yttrium subgroups in monoclinic matrix BaY2F8 // Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMAO8). -2008, Edmonton Alberta, Canada.

Подписано в печать:

20.10.2009

Заказ № 2812 Тираж - 100 экз. Печать трафаретная. Типография «11-й ФОРМАТ» ИНН 7726330900 115230, Москва, Варшавское ш., 36 (499) 788-78-56 www.autoreferat.ru