Рентгенографические методы диагностики нарушенных слоев толстых кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

|М а ^ "

- 8 МАЙ

ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ ПРОБЛЕМ ЖИКИ ---------НАН РЕСПУБЛИКИ"АРМЕНИЯ----------------

На правах рукописи

ТУМАСЯН АРМЕН САРГИСОВИЧ

РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ НАРУШЕННЫХ СЛОЕВ ТОЛСТЫХ КРИСТАЛЛОВ

Специальность 01.04.07 - физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Ереван - 1995

Работа выполнена в Государственном инженерном универси -тете Армении.

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математическго наук, А.О.Абоян

доктор физико-математическго наук, профессор Я.М.Погосян

доктор физико-математическго наук,профессор М.Х.Минасянц

Ереванский физический инстит

Защита диссертации состоится "_/£_'

»/(Г«

_1995 г. в !0

К 005.20.01 по

часов на заседании Специализированного Совета присуждению ученой степени кандидата физико-математических наук при Институте прикладных проблем физики HAH Республики Армения по адресу : S750I4 , г.Ереван - 14 , ул.Гр.Нерсисяна2Е С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института прикладных проблем физики HAH РА .

Автореферат разослан

" О у 1995 г.

Ученый секретарь Oiic^,.—1^зрфованного совета кандидат физ.-мат. наук

М.А.Саркисян

"общая характеристика работл

Актуальность темы диссертации. Физика поверхности - одна из наиболее молодых и интенсивно развивающихся областей современной физики. Ее бурное развитие было предопределено созданием уникальных научных приборов , позволяющих изучать тончайшие явления , происходящие на поверхности. С другой стороны, интерес стимулировался большим значением поверхностных слоев в

важнейших отпчелях современной пр«£1Щ8Щос'.£й , таких, к«* микроэлектроника , тапнслптельная техника , атомная энергетика. Изучение реальных поверхностей и поверхностных слоев важно в научном аспекте для понимания физических процессов , в которых поверхность является рабочим объектом : катализа, эпитаксии, электролиза и коррозии.

Важнейшей проблемой поверхностных исследований является определение структуры поверхностей н поверхностных слоев. Среди методов, применяющихся для решения этой проблемы , весьма перспективны рентгеновские методы, основными достоинствами которых являются неразрушавдий характер , высокая чувствительность к малым изменениям степени совершенства кристаллической решетки.

Важным фактором является также простота и доступность приборов для .рентгеновских исследований. Благодаря относительной простоте подготовки образцов и возможности измерений на воздухе , а также из-за высокой прецизионности в определении параметров кристаллической структуры , рентгеновские методы такие, как рентгеновская топография и интерферометрия, асимметричная брэгговская дифракция и трехкристальная рентгеновская дифрактометрия и т.д., широко распространены , а в некоторых областях незаменимы.

Интенсивное изучение структуры приповерхностных слоев совершенных кристаллов стимулирует широкие экспериментальные и теоретические исследования особенностей дифракции рентгеновских лучей в них. Обнаруженные в ходе этих исследований физические явления создают предпосылки для развития новых методов анализа кристаллической структуры поверхностных слоев таких совершенных кристаллов , а также способствуют дальнейшему совершенствованию существующих методов и теорий.

Целью работы является теоретическая разработка и экспериментальное осуществление рентгенографических методов исследования структуры приповерхностных слоев , нарушенных в результате диффузии и механической обработки; экспериментальные и теоре-

тические исследования рентгеноинтерфероглетрических изображений дефектов в кристаллах , возникающих при ионной имплантации.

Научная новизна. Разработана методика определения толщины приповерхностных деформированных слоев толстых совершенных кристаллов, подвергнутых механической обработке и диффузии.

Показано , что только при наличии расходимости первичного пучка на секционных топограммах , полученных от кристаллов , подвергнутых механической обработке и диффузии , приповерхностные деформированные слои проявляются в виде тонких интенсивных боковых линий.

Показано, что характер секционных топограмм , полученных от кристаллов , подвергнутых механической обработке и диффузии, определяется спектральным составом падающего излучения, а именно, наличием в спектре второй гармоники используемого характеристического излучения.

Теоретически исследован характер рентгеноинтерферометри-ческих картин, получающихся от кристаллов, подвергнутых конной имплантацин.Получено выражение для периода интерференционной картины в зависимости от формы аморфного, слоя и его ориентации в пространстве относительно отражающих плоскостей кристалла.

Экспериментально и теоретически исследованы деформации и напряжения в кристалле, подвергнутом имплантации низкоэнергетическими ионами, в зависимости от дозы имплантируемых ионов.

Практическая ценность. Результаты диссертационной работы могут быть использованы для решения широкого круга задач физики твердого тела, кристаллографии , микроэлектроники и материаловедения.

Разработанный метод неразрушавдего контроля толщины на -рушенного при диффузии и механической обработке слоя толстого совершенного кристалла, позволяет определить глубину залегания р - п перехода на стадии создания полупроводниковых приборов.

Теоретически разработанная и экспериментально осуществленная методика определения напряжений и деформаций в кристалле при ионной имплантации может быть использована в производстве полупроводниковых приборов.

Предложенный метод определения параметров образующегося в кристалле при ионной имплантации аморфного слоя может быть использован как при производстве полупроводниковых приборов, так и в научных исследованиях.

--------------"Основные"подоженйя"~. выносимые на защиту. I. Методика оп -

ределения толщины нарушенного слоя непосредственным измерением ширины тонкой боковой кинематической компоненты на топограмме.

2. .Методика определения напряжений в кристалле , вызванных имп -лантацией низкоэнергетических ионов с малыми дозами облучения.

3. Классификация рентгеноинтерференционных картин, получающихся от кристаллов , нарушенных в ходе имплантации ионами с различной энергией и дозой облучения,

•1. Савлс^мость высокой интенсивности тонких кинематических ком -понент на топограмме , полученной от толстых кристаллов с нарушенными при диффузии и механической обработке поверхностными слоями, от расходимости и спектрального состава падающего из -лучения , а именно, от присутствия в спектре второй гармоники соответствующего характеристического излучения.

Апробация результатов работы. Основные результаты исследований , докладывались и обсуждались на совещаниях и конферен -циях :

1. II Совещание по Всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген" , Черновцы , 1987 .

2. III Совещание по Всесоюзной межвузовской комплексной прог -раше "Рентген" , Черновцы , IS89 .

5. У Зсесогозное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом , Алушта , 1990 .

Результаты исследований докладывались также на Научно -технических конференциях профессорско-преподавательского состава , научных работников и аспирантов ЕрПИ в 1985 , 1987 ,1588 , 1989 г.г. .

Публикации и личный вклад. Основные результаты проведенных исследований опубликованы в восьми работах. В работах, напя -санных в соавторстве , автору диссертации принадлежат результаты и выводы , изложенные в диссертационной работе и приведенные в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения , четырех глав , заключения и списка используемых источников.

Она содержит ISO страниц машинописного текста , включающего 50 рисунков , 4 таблицы, список использованных источников из 103 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАЕОТЫ

Во введении обсуждается актуальность исследуемых проблем, сформулирована цель работы и описаны основные результаты , по -лученные автором , их научная новизна и практическая ценность.

В первой главе приведены элементы динамической теории рассеяния рентгеновских лучей в идеальных кристаллах, описаны явления , возникающие при дифракции рентгеновских лучей как в геометрии Лауэ , так и в геометрии Брэгга ; рассмотрены принципы формирования интерференционных картин в рентгеновских интерферометрах.

Особое внимание уделено рассмотрению нарушений , возникающих в кристаллах , подвергнутых различным воздействиям , в частности , механической обработке , диффузии и ионной имплантации , а также анализу традиционных рентгеновских методов исследования нарушенных слоев совершенных кристаллов', таких , как рентгеновская топография , интерферометрия и т.д. .

Поскольку на всех стадиях создания полупроводниковых приборов и новых материалов необходим контроль структуры и состава полупроводниковых кристаллов , постольку весьма актуальна проблема развития и совершенствования неразрушающих рентгеновских диагностических методов.

Во второй главе дается теоретический анализ рентгеноинтер-Ферометрических картин от кристаллов , подвергнутых ионной имп -лантации ; теоретически и экспериментально исследуются поля деформаций , возникающие в кристалле-анализаторе трехкристаль-ного интерферометра , подвергнутом ионной имплантации , в за -висимости от дозы облучения , от направления падения на интер -ферометр первичного пучка.

Для теоретического анализа влияния ионной имплантации на кристалл удобно рассматривать модели , описывающие различные нарушения кристаллической структуры и соответствующие этим моделям рентгеноинтерферометрические картины.

Так,можно принять,что кристалл разбивается на две части,имеющие одинаковые межплоскостные расстояния и разделенные недиф-рагирующей аморфной зоной , причем этот аморфный слой возникает на глубине проникновения имплантированных ионов в кристалл. Такая модель на эксперименте может соответствовать случаю кана -лирования ионов , проникающих в кристалл на глубину , превышающую на порядок глубину проникновения при отсутствии каналирова-

ния . При этом в гораздо меньшей степени нарушается структура кристалла.

Лругая модель предполагает разбиение кристалла на две части с различными мезшлоскостными расстояниями без разделяющего их аморфного слоя. Экспериментально этот случай можно осуществить при малых дозах облучения , отсутствии каналирования и достижении однородной ступенчатой концентрации ионов.

Эти модели соответствуют двум типам бикристаллов - двух-кристалт-нчх т??ер$срС1£5Арйа;

1. двухтфясталышЗ интерферометр, отражающие плоскости кристаллов которого параллельны друг другу и имеют одинаковые межшюскост-ные расстояния.Между кристаллами имеется узкая недифрагирующая зона.

2. двухкристальный интерферометр , отражающие плоскости кристаллов которого параллельны друг другу , но межплоскостные расстояния различаются , а ширина недифрагирующей зоны между ними равна нулю.

В плосковолновом приближении от интерферометра первого типа как с толстыми , так и с тонкими кристаллами, не получается интерференционная картина , т.е. не возникает периодическое распределение интенсивности дифрагированных волн. Наблюдаемое на эксперименте периодическое изменение интенсивности дифрагировавших от такого интерферометра волн (полосы смещения^объясняется наличием расходимости падающего рентгеновского цучка.

От интерферометра второго типа как с толстыми , так и тонкими кристаллами, в плосковолновом приближении интерференционная картина получается. В случае тонких кристаллов , при пренебрежении поглощением, интерференционная картина осложняется тем, что амплитуда волн, падающих на второй кристалл интерферометра, зависят от толщины первого кристалла.Кроме того , волна, падающая на первый кристалл под точным углом Брэгга, относительно отражающих плоскостей второго кристалла ориентирована под углом, отличающимся от точного угла Брэгга. В результате получается, что контраст интерференционной картины зависит от толщины и разори-ентавдга кристаллов интерферометра.

Рентгеновская интерферометрия может быть использована для изучения поперечных деформаций и напряжений , вызванных ионной бомбардировкой полупроводниковых кристаллов.

При ионной имплантации кристаллов кремния низкоэнергети -

ческими ионами объемные изменения , имеющие место в имплантированной области , приводят к напряженным состояниям , эквивалентным термическому расширению поврежденного слоя вглубь кристалла, и эти напряжения должны расти с увеличением концентрации имплантированных ионов.

Предполагая , что при имплантации возникает одномерное напряженное состояние , и используя закон Гука , получено , что поперечная относительная деформация кристалла £ с глубиной г изменяется линейно

(О

.где -2> - доза облучения , выраженная в единицах 'энергии на единицу площади,

Zc - толщина подвергнутого имплантации кристалла, _|2> - решеточный коэффициент расширения.

Учитывая , что относительная поперечная деформация <5 связана с периодом муаровых полос _Л_ и межплоскостным расстоянием кристалла с( соотношением , для результирующего интегрального напряжения получено выражение:

I»)

где Е и V - соответствующие компоненты модуля Юнга и коэффициента Пуассона.

Поскольку при имплантации возникает относительная деформация и в направлении нормали 2 к поверхности кристалла , то это приводит к изменению его толщины. Соответственно, для вспухания поверхности кристалла получено выражение:

г^ (7-^ (3)

Полученные формулы были применены для исследования полей деформаций , возникающих в одном из блоков трехщжстального интерферометра,изготовленного из совершенного кристалла кремния и подвергнутого поэтапно имплантации ионами Ах с энергией 200 кэВ с дозами , возрастающими от Ю^ион/см2 до 1015 ион/см2. После каждого акта облучения производилась съемка, регистрирующая изменение периода дилатационного муара. Исходя из полученных с помощью топограмм микрофотометрических кривых , вычислены относительные деформации и интегральные напряжения, показывающие линейную зависимость последних от дозы имплантированных ионов.

В третьей главе теоретически в плосковолнозом приближении исследованы интерференционные картины от бикристалла - интерферометра первого типа с недифрагирущей зоной ^аморфным слоем _) , произвольно ориентированной относительно входной и выходной поверхностей и отражающих плоскостей бикристалла. Образование такого аморфного слоя в кристалле возможно при имплантации неоднородного по энергиям и концентрациям пучка ионов. В этом случае аморфный слой может иметь переменяу« »олгзпс. прсиг^о.'знуд} ¿/¿ому и • оряентзяза'з пространстве,его мсшю рассматривать как систему призм , аналогично оптической линзе.

Расчитан период рентгеновской интерференционной картины в зависимости от угла клиновидности аморфного слоя, когда ребро клина параллельно системе отражающих плоскостей,и: нижняя граница аморфного слоя параллельна входной и выходной поверхностям бикристалла. Получено, в частности, что в случае плоскопараллельного аморфного слоя, что соответствует О , интерференционная картина не будет регистрироваться.

Как показывают расчеты, интерференционная картина не будет наблюдаться и в случае бикристалла с аморфным слоем градиент толщины которого параллелен отражающим плоскостям.

В общем случае ориентацию аморфного слоя внутри кристалла кроме угла у? можно характеризовать углом , который составляет градиент толщины аморфного слоя с системой отражающих плоскостей бикристалла. Тогда, с учетом поглощения падающего рентгеновского излучения в обеих частях бикристалла , период интерференционной картины в направлении, перпендикулярном вол-зовым векторам в вакууме , будет определяться выражением:

д _ л^гд+ Г/* ^¿У + (А}

где Л - длина волны падающего излучения,

9 - угол Брэгга, 'Х Ц- ~ Фурье-компоненты поляризуемости.

Если непосредственно из топограммы измерить период А и ггол "У ~ Угол между нормалью к муаровой картине и ребром фотопленки , установленной так, чтобы ребро было бы параллельно отражающим плоскостям бикристалла , то можно расчитать, используя формулу (4) , угол (р .

При имплантации ионами малых энергий из-за малой длины пробега толщина второй части бикристалла оказывается малой , и поэтому поглощением в ней можно пренебречь.

Если рассматривать аморфный слой плоскопараллельным , но наклоненным к входной и выходной поверхностям бикристалла под углом у? , так , что плоскость этого утла перпендикулярна отражающим плоскостям бикристалла , то для периода интерференционной картины получается выражение:

а _ л (с- 5-,гге ±9ч>) (с.\

р д - лГТХ-к» (5)

Расчеты показывают , что дая монокристаллов кремния, излучения , 220 отражения период Л меняется от 3 мм до 0,03 мм при изменении утла </? от. 0,1° до 10° , что реально можно измерить на эксперименте.

В четвертой главе рассмотрены вопросы влияния деформаций вызванных диффузией и механической обработкой монокристаллов, на рентгенотопографические картины и интерпретации этих картин с целью получения количественной информации о деформированных слоях.

Представлены результаты рентгенотопографических исследований толстых совершенных кристаллов с приповерхностными слоями, деформированными при:., механической.шлифовке и в результате диффузии различных примесей в кристалл. После введения деформаций в кристалл на топограмме возникают тонкие интенсивные линии, сопровождающие слева и справа основной рефлекс. Экспериментально показано, что тонкие линии на секционных топограммах - ре зультат кинематического рассеяния рентгеновских лучей в приповерхностных деформированных слоях, а основной рефлекс обусловлен динамическим рассеянием в совершенной части кристалла.

В случае симметричного отражения по Лауэ тонкие линии имеют одинаковую интенсивность и равноудалены от основного рефлекса. Деформации в приповерхностных слоях кристалла проявляются также в виде контраста на основном рефлексе.

Исследование влияния асимметричности отражения на характер секционных топограмм показало, что в этом случае основной рефлекс на топограмме сдвигается относительно тонких боковых компонент, а сами компоненты имеют различную интенсивность.

Наличие поверхностных деформированных слоев в кристалле-необходимое , но не достаточное условие для образования тонких боковых линий на секционной топограмме . Интенсивность этих линий оказывается гораздо выше ожидаемой , несмотря на то ,что коэффициент поглощения кинематических компонент намного больше аномально малого коэффициента поглощения при динамическом рассеянии. Поставленные эксперименты с использованием различных "СЯСлрСИйЮрОВ 2 ДОЛЛйаахоров с длаг.рягмями покя?н.ти , что форщфования тонких боковых линий , обусловленных приповерхностными нарушенными слоями , необходимым условием является расходимость первичного пучка.

Исследована роль спектрального состава первичного пучка в формировании тонких боковых линий на топограмме. Спектральная интенсивность характеристического излучения велика по сравнению с интенсивностью тормозного излучения , но, с другой стороны , нормальный коэффициент поглощения для коротковолновой ■ части непрерывного спектра намного меньше коэффициента поглощения соответствующего характеристическому излучению. Поэтому здесь существенную роль играет коротковолновая часть непрерывного спектра рентгеновской трубки с длиной волны , удовлетворяющей условию Зульфа- Брэгга во втором порядке отражения 2сА5'тд:

Разработана методика определения толщины приповерхностных слоев , нарушенных при диффузии или в результате механической обработки , непосредственно из полученных на эксперименте секционных топогр&чм. Из экспериментальных исследований следует , что толщина тонкой линии на топограмме »зависящая от таких параметров эксперимента , как ширина диафрагмы , длина коллиматора , расстояние от образца до фотопленки и т.п. , определяется также толщиной самого нарушенного слоя при прочих неизменных условиях эксперимента.

Для определения толщины нарушенного слоя исследуемого кристалла предложено использовать эталонный образец - кристалл, из того же материала , поверхность которого подвергнута аналогичной обработке , причем толщина его нарушенного слоя определяется заранее каким-либо другим методом.Измеряя ширины тонких боковых линий на топограммах , отснятых от исследуемого кристалла и эталонного образца, для толщины нарушенного слоя получено еле-

дующее выражение:

$ Х-Х„ , о й + (в)

где ОС и Ха - ширина боковой линии на топограмме , отснятой от образца и эталонного кристалла соответственно,

толщина нарушенного слоя эталонного кристалла, 9 - угол Брэгга. Можно обойтись и без эталонного образца , если при помощи кривых дифракционного отражения измерить расходимость дифрагировавшего на деформированном слое пучка. В этом случае для толщины нарушенного слоя исследуемого кристалла получено выражение:

а _ х- сС - Lsin.ZiP , 4

где с1 - ширина диафрагмы , перпендикулярной первичному пучку и расположенной непосредственно перед образцом,

/. - расстояние от входной поверхности до фотопленки вдоль отраженного пучка,

2<р- расходимость падающего излучения.

В заключении приведены основные результаты и выводы диссертационной работы.

Основные результаты и выводы.

1.Теоретически исследован характер рентгеноинтерферометрических картин, получающихся от кристаллов, подвергнутых ионной имплантации. Если при ионной имплантации образуется бикристалл с одинаковыми межплоскостными расстояниями обеих частей , между которыми тлеется узкая недифрагирующая зона , то от такого бикрис-талла как с учетом поглощения , так и без учета поглощения муаровое распределение интенсивности не получается.

2. Если при ионной имплантации образуется бикристалл без недиф-рагируицей зоны с частями, отличающимися межплоскостными расстояниями , то за би1фисталлом получается муаровая картина , контраст которой зависит от толщины его частей.

3.Для бикристалла с аморфным слоем переменной толщины , произ -вольной формы и ориентации в пространстве , образующимся при имплантации неоднородного по энергиям и концентрациям пучка ионов расчитан период интерференционной картины в зависимости от

(

утла клиновидности >./> аморфного слоя и угла -^- . характеризую------------

и'его ориентацию аморфного слоя относительно отражающих плоскостей бикристалла. Показано , что за бикристаллом всегда будет регистрироваться интерференционная картина , если угол клино -видности (fi отличен от нуля.

4. Показано, что непосредственным измерением на топограмме периода интерференционной картины и угла , можно рассчитать угол у> наклона аморфного слоя к входной и выходной поверхностям бикристалла.

б.Рентгеноинтерферометрическим методом исследованы деформации, вызванные ионной имплантацией в кристалле, в зависимости от дозы имплантируемых ионов.Теоретической обработкой экспериментальных данных показано, что в слое, поврежденном в результате имплантации ионами аргона с энергией 200 кэВ , интегральное напряжение линейно возрастает при изменении дозы от 10* ион/см^до ТО^ион/см?'

6. Рентгенотопографические исследования толстых совершенных кристаллов, нарушенных в процессе диффузии или механической обработки , показали появление на секционной топограмме тонких интенсивных боковых линий , обусловленных кинематическим рассеянием приповерхностных деформированных слоев кристалла, при наличии расходимости первичного пучка.

7. Показано, что при слабом поглощении данного характеристического излучения в кристалле , как динамическая , так и кинематическая компоненты могут быть обусловлены излучением одной и той же длины волны , а при сильном помещении динамическая компонента образуется характеристическим излучением ,а кинематическая компонента - второй гармоникой дифрагируемого характеристического излучения из непрерывного спектра.

8. Разработана прямая методика для определения толщины приповерхностных деформированных слоев толстых совершенных кристаллов, подвергнутых механической обработке и диффузии.

Основное содержание диссертационной работы опубликовано в следующих работах: I. Абоян А.О., Тумасян A.C. Исследование поверхностных нарушений в толстых кристаллах методом рентгеновской дифракции.Тезисы докладов II Совещания по Всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген" , Черновцы , 1987 , с. 109.

2. Безирганян П.А., Мартиросян A.A., Абоян А.О., Тумасян A.C., Григорян А.П. Дифракция рентгеновских лучей в толстых совершенных кристаллах с сильнодеформированными слоямг.Деп. в АРмНИИНТИ, №3 — Ар 89 , 15 стр.

3.Абоян АО., Тумасян A.C. Рентгеноинтерферометрические исследования структурных искажений , возникающих в кристалле кремния при ионной имплантации. Межвузовский сборник научных трудов, изд-во ШУ , Физика , 1992 , * I , в.1 , с.44- 45 .

4.Безирганян П.А., Абоян А.О., Тумасян A.C. Рентгеногр.фические исследования структурно несовершенств поверхностных слоев кристаллов , возникающих в результате ионной имплантации . Тезисы докладов III Всесоюзного совещания по межвузовской программе "Рентген" , Черновцы , 1989 , стр. 108.

5. Абоян А.О., Безирганян П.А., Тумасян A.C. Рентгеноинтерферометрические исследования структуры ионноимплантированных кристаллов кремния . Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по когерентному взаимодействию излучения с веществом. Симферополь, 1990

6. ße-zLtganyan RH.} Авоуап. А.О., Ти.т a sy an J?. S. Х-flay dlj$*za.crtion Ln Thick Perfect Ciystais wllh Zefotmecf Su ^ иг face layers, fry st. Лег .ТесАп°е.; (988, v. Zbt р.89Ъ-8ЭЗ .

Дво^ап J}. О., Tu.ma.syan A. S. Х-Яау Topographic, S-tuoty of sut face Layers of P&t^eai ûzys-éaCs Su ejected éo diffusion. Cbysrt. 4es.7ecbn0e., /990, v.25,p. К10-К1Ч. 8* Aéoyan Л.О., ße-2itßantfan P. /},,~7цтащ^н А. Я. ei с. S^iuctutaf blmpe~zfec^ton of C-zysta^s as g Result 'of «=¿on clmp€ania.-iioi^. Cyst. Res. TecÂnoâ., /99Оf M05T-1W8..

г.шв P3f№rW)trri j»uj»S4ü& ntrswh ^мттвъадяъ пътшйгшил irwHiw--------

(»пмгашйъ urirvb штанин

Umh1iB¡»nuni.pjnL'l)p fc Sbub p jntp bqtibp [i (ГЦиаЪ^ЦвЦаЪ 1Г2ВЦ-

iTali, r){i$nt,q(iajl> L (inlimjti^ {n/m^mlraeigtimjti IbnltelipniJ fatumijab Jral^b-pUnipmjtilj 2 bfi m bp [i типиГЬтфрт^шЪр nbtaiq Ь1ш{1ЪшЬрЗ>ЬрВ£вфмЦшЪ Ii nbtaqbliaabqaqpattali JbpnqTjbpmJ, ajq ЪцаавЦ^Ъ íianainn if ЬИи-И;«-^ 1|напЬ^ищпрМпЬс L. Imp iíÚín^iHjih ^rpqaqifaljp«

rlM2nmiBl^nlPj'"^ bli ЪЬрЦв^адЦпиГ Ibrnkja^ ^[иГЬаЦвЪ qpni. jptibpc*

1* mjtffifBrçbu nb^nqblijeli mbq«qp[» ||рм щвюЦЬрЦвЬ Ц[>\|ЫГвиф1{ ршршЦ paqBqp{i¿[) iHj^nLfijtrii ¿aiftifali iTt>¿tigni{ •ГЬ{ииЪ(|ЦаЦш>1°)Г2вк^п^> *L r)ti$m.qtimji> |иа(|>вфа?> if«l{bph.nißBjtri> jbpebpf) ímumnt-

ßja'b npi^dmlj iTbßnqt 2* 8иЬр t^bpq{iejni| Il фпрр qnqajnil {inüejjito ämnteqtojßiTalj '¡ЫлЬ.шЪ-

pnij pjntpbqlibpnii/ шпм^шдюЬ ^epnLiTbbpt1 npr^Unrti ifbpnqi 3a linliajfilj [иГици1ллшд|1и_)(1 ЬЪ^арЦфаЬ pjnLp bqVbp (ig uucugi{nr\ пЬЪт-

q ЬЪв^ЪпЬрФЬр ЬЪд|шЪ щшт1{ЬрЪЬр цшишЦшр^пиГí 4» *>t)3>nLq|iBj(> к ■/Ь^ив^ЦвЦв'Ь ^вЦкГиЛ) IboilieVpntl {тфи^вй pjmpbq-^ibpjig utnagi(t*ö inbqisqpbp{i *1ра рврвЦ Ц^ЬкГппя^Ц prnqaqp^ papdp ti\jmb'bu[ii|niPj'e1j Цт^пиГр Üann>qajßifoi\) iDBptmifimn l-

lijig b. ищЬЦтрвц pmr|nr(pni.fíjmlifig, ajufrtiplj oq»»qnpbi[nq рЪп».-[iwqpMj(i\i Qmnaqmjpd'artj bplyinpq «nl^Bjrn.pjnL^^g

iM{bl(npniirt

Un b\in4»n un LßjnLlinLiT рЬрфяй epqjntljp^bpp Цврпг} bli oqmaqnpbilbi l (una S bmaqnaimlialj ^арпрвмпр^аЪЬрпиГ, прпЪр qpBqt|nitT bli «([Hiq iÍBpiTb(i i>tk\f1k0,jb» pjntpbumql'mni.pjbli, if[it(pnt |_bl|bpnb{iliaj|i к lijnlßmqtmnl-2jb1j SuipgbpmJ, ^¿щЬи L Цшрпг) bli Ц[1рвп>|Ь^ 4t>uaSio^npq¿uj[i1j ишр-jbpfi apmaqpnLßja\i plifiagpn Lif nptqbu pjnLpbqíibpfi ЦаппLgt|abpfi i[bpm-КиЦпцт^вЪ ¿ßBJpBjnq ЬцвЪвЦ»