Разработка и применение новых рентгено-дифракционных прецизионных методов исследований несовершенств кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

¡31 0*9«

АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ АРМЕНИЯ ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНЫХ ПРОБЛЕМ ФИЗИКИ

На правах рукописи

АБОЯН АРСЕН ОГАНЕСОВИЧ

РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ НОВЫХ РЕНТГЕНО-ДИФРАКЦИОННЫХ ПРЕЦИЗИОННЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЙ НЕСОВЕРШЕНСТВ КРИСТАЛЛОВ

Специальность 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ереван - 1992

Работа выполнена в государственном инженерном университете Армении.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук, профессор, член-корреспондент АН РА АРУШМН В.М.

доктор физико-математических наук, профессор СУВОРОВ Э.В.

доктор физико-математических наук, профессор ТРУБИ К.Г.

Ведущая организация: Черновицкий государственный

университет

¿¿-¿г _ г

^авдиа^состоится "_" 1992г. в_ час.

на (зас&ц!шпуспециализированного совета ^ 005.20.01 при Институте прикладных проблем физики АН РА по адресу: 375014, Ереван - 14, ул. Гр. Нерсисяна, 25.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института прикладных проблем физики АН РА.

Автореферат разослан " / / " (¿,у 2/ ¿X 1992г.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физ.-мат. наук

САРКИСЯН М.А.

г О V«».-••.. — О —

'"^У Л А РОТ

зла; 1 'Л о "¿.г.: ОБЩАЯ ХАРЛКЕПИСТША РАБОТЫ

л!

'лгоблрия обусловлена том, что:

"" Бо-перзкх, одной из основных проблем физики твердого тела ябляотся создание материалов с заранее заданными свойствен, а на пути резснпя этой проблош одним из ва'гноЁззх вопросов яв-ляотся нссл0дсвшп19 заглскмостп фззнпбских свойств г,атг:1т^алов от плотности к распределения дефектов их кристалличоотсг. река-ток, что влечет за г.обой необходимость исследования несовершенств кристаллов;

- во-вторкх, в производство полупроводниковых приборов в случаях, когда предварительные исследования совершенства (годности) исходных кристаллических материалов на проводятся, отзывается, что брак готоеых приборов в основном обусловлен браком примененных кристаллов, поэтому, с точки зрения экономичности и рентабельности производства, целесообразно до изготовления прибора отделять негодные кристаллы во избегание брака прибора, для чего крайне необходимо предварительное исследование совершенства применяемых кристаллических материалов;

- в-третьих, полупроводниковые приборы часто работают в условиях радиации и постоянных электрических и магнитных полей, поэтому исследование несовершенств, возникающих в полупроводниковых кристаллах под влиянием внешних воздействий, часто выводящих приборы из строя, также неотложная задача;

- в-четвертых, в технологических процессах изготовления полупроводниковых приборов (элементов) часто пользуются ионной имплантацией и диффузией, под действием которых тагасе возникали: структурные несовершенства в кристаллах, исследование которых имеет черезвычайно важное значение для упорядочения этих процессов;

- в-пятых, для эффективности применений рентгеновской дифракционной диагностики необходимо увеличить ее чувствительность, разрешение и информативность, а для однозначной интерпретации изображений несовершенств необходимо их регистрировать с большим разрешением и без искажения.

Поэтому, вопросы, рассмотренные в диссертации, весьма актуарны с точки зрения развития техники рентгенодифракционных диагностических исследований, для научных целей и производства

полупроводниковых приборов.

Цель работы - разработка метода получения рентгеновских проекционных топограмм несовершенств кристаллов с большим разрешением и иг регистрация без искажения; теоретическая разработка и экспериментальное осуществление методов исследования и определения толщины поверхностных деформированных слоев толстых совершенных кристаллов; разработка рентгеновской дифракционной более полной стереометрической топографии несовершенств монокристаллов с применением кратных интерферометров; графическое и экспериментальное исследование зависимости изображения несовершенств кристаллов от направления падения первичного пучка; теоретическая разработка обобщенных признаков возникновения и наблюдения рентгеновских муаровых картин в кристаллических системах; теоретическое и экспериментальное исследование зависимости периодов рентгеновских муаровых картш от длины волны; экспериментальное исследование видимости интерференционных картин в зависимости от разности иктенсивностей супернозируадих волн с применением полиинтерферометров; обнаружение и исследование структурных нарушений (искажений) полупроводниковых кристаллов, вызванных внешними воздействиями (в частности, когда полупроводниковый кристалл подвергается действию постоянного электрического или магнитного поля и когда эти поля действуют одновременно); разработка методики исследования структурных искажений и определения плотности точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах в зависимости от различных видов облучения (жесткие рентгеновские, у -лучи с энергией 1,25 МэВ, электронное облучение), а также развитие экспериментальных и теоретических исследований рентгеноинтер^ерометрическнх изображений дефектов в кристаллических системах, возникащих при ионной имплантации и диффузии.

Научна^ новизна. В диссертационной работе впервые предложен метод получения рентгеновских дифракционных изображений несовершенств кристаллов с большим разрешением и без искажений, основанный на принципе шагового сканирования. Впервые показано, что рентгенографическое дифракционное изображение приповерхностных деформированных слоев толстых совершенных кристаллов можно получить раздельно от картины основного объема и, что в толстых кристаллах волны, дифрагированные в приповерхностных слоях,

очень интенсивны и проходят через совершенный кристалл, несмотря на большое поглощение. Показано, что аномально большая интенсивность тонких линий, обусловленная приповерхностными дв-форыированными слоями, результат не только расходимости первичного пучка, но и его сложного спектрального состава - второй гармоникой излучения МоКЛ. Основная линия получена динамическим рассеянием МоК^ излучения, а сопровождающие тонкие линии - кинематическим рассеянием Л ИоК^/2 излучения.

Впервые проведены стереометрические исследования несовершенств кристаллов с применением кратных интерферометров. Показано, что одним и тем же двухкратным интерферометром молено обнаружить и линии сегрегации, и полосы смещения, и муаровые картины различных несовершенств.

Впервые изображение несовершенств кристаллов было последовало экспериментально и графически в зависимости от направления падения первичного пучка- Показано, что в двухнристалышх интерферометрах, коцда межплоскостные расстояния отражающих плоо-костей первого и второго кристаллов отличаются друг от друга, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго кристалла. В трехкристаль-ных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первых двух (первого и второго) или последних двух (второго и третьего) кристаллов одинаковы, но отличаются от межплоскостных расстояний оставшегося (третьего или первого) кристалла, период муаровых картин зависит от того, падает первичная волна со стороны первого или третьего кристалла.

Впервые исследованы видимости дифракционных картин с применением полиинтерферометров в зависимости от разностей интен-сивностей налагаемых волн.

Впервые установлены основные кристаллографические ситуации возникновения рентгеновских муаровых картин, согласно которым для получения муаровых картин необходимо облучать отражающие плоскости последнего кристалла системы с обеих сторон в угловой области отражешш под углами, отличающимися от точного угла Брэгга.

Показано, что муаровое распределение интенсивности дифрагированных волн в двух и грехкристалъных интерферометрах получается даже тогда, когда межплоскостные расстояния и направле-

шхя отражающих плоскостей строго одинаковы, но определенные поверхности кристаллов наклонены относительно остальных поверхностей кристаллической системы - открыт новый мехашггм возникновения муаровых картин.

Впервые найдены зависимости периодов наблздаелшк муаровых картин от длины волны.

Впервые проведено исследование влияния постоянного электрического поля на полупроводниковые кристаллы крзынпя методом рентгенодифракциошюго муара и обнаружены структурные изменения в них. В частности, впервые показано, что постоянное электрической поле приводит к изменению муаровой варкшн, полученной от ронтгеновского интерферометра, т.о. в кристалле происходит деформация.

Впервые проведено исследование влияния постояшюго магкаг-'ного поля на полупроводниковые кристаллы кромнил и обнаружены структурные искажения'в них. Показано, что постоянное магнитное поле приводит к изменению муаровой картины, полученной от ронтгеновского интерферометра, а с увеличение;,i индукции магнитного поля муароьая картина исчезает (кристаллы сильно деформируются).

■'.' Впервые проведено дотальноз экспериментальное исследованиэ влияния- облучения (жесткого рентгеновского, U -лучей с энергией'1,25 МэВ и электронного облучения) на кристаллы кремния методом рентгеьгодафракционного муара и обнаружены структурные искажения в них. Показано, что облучения приводят но только к изменение .периодов муаровых картин,■ но и к изменении видимости и смещению отдельных дислокаций. Разработана методика для определения плотности точечных дефектов, возникающих под действием -.радиации..

• . Теоретически и экспериментально исследованы вопросы формирования интерференционных явлений в двухкристальных и трехкрис-;,т{ш>ннх системах-в результате, ионной имплантации. Определены относительные деформации, интегральные напряжения в зависимости от дозы облучения.

Впервые проведено исследование влияния диффузии на рентге-ноинтерферометрическуи.муаровую картину.

Совокупность полученных в диссертации результатов можно классифицировать как экспериментальную основу нового перспективного направления при исследовании полупроводниковых моно-

кристаллов.

Практическая значимость полученных результатов состоит в том, что разработанные методы исследования структуры монокристаллов находят свое применение в решении ряда задач полупроводникового материаловедения и микроэлектроники.

Разработанный способ получения рентгеновских проекционных топограмм (шаговое сканирование) может успешно использоваться в рентгеновских проекционно-топографических и интерферометричес-ких исследованиях несовершенств кристаллов с целью получения топограмм с большим разрешением, на что получено авторское свидетельство.

Разработанный метод исследования и определения толвдшн приповерхностных деформированных слоев может использоваться в производстве полупроводниковых приборов для исследования деформированных и легированных слоев после различных технологических процессов.

Разработанный рентгеноинтерферометрический способ исследования дилатационных несовершенств монокристаллов может быть использован для определения дилатационных искажений в почти совершенных кристаллах, на который также получено авторское свидетельство, имеет важное пршенение в экспериментальной технике и производстве полупроводниковых приборов.

Разработанный способ определения пространственной ориентации и объемного распределения полей деформации в кристаллах с применением кратных интерферометров может быть использован для исследования полей деформаций взаимно перпендикулярных направлений в кристаллах, вызванных несовершенством их структуры, на что также получено авторское свидетельство.

Установление обобщенного признака возникновения рентгеновских муаровых картин имеет важное научное и практическое значение. В теории возникновения муаровых картин этот привнак дает возможность предсказывать все новые и новые причины возникновения рентгеновских муаровых картин, а в экспериментальных исследованиях обобщенный признак предостерегает от ошибочных интерпретаций полученных интерференционных картин и облегчает однозначную расшифровку этих картин. Предсказании! новы! механням вотажновеиш муаровых картин, с одной стороны помогает однозначной интерпретации сложных картин, а с другой сторона дает

возможность определять степень параллельности поверхностей кристаллических плстин с большой точностью. Установленная связь между периодом муаровых полос и длиной волны весьма важна для точного определения величин несовершенств кристаллов с помощью этих картин.

Практическая значимость работы заключается и в том, что все приборы, созданные на полупроводниковых кристаллах кремния, часто работают и в условиях наличия постоянных электрических и магнитных полей, а также в условиях проникающего излучения. Поэтому изучение надежности работы этих приборов при наличии искажений, возникающих в полупроводниковых кристаллах под действием того или иного внешнего фактора имеет большое практическое. значение.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Способ получения рентгеновских дифракционных изображений несовершенств кристаллов с большим разрешением, их регистрация без искажения и однозначная интерпретация.

2. Результаты исследования структуры Лауэ-пяген, полученных от толстых кристаллов; секционных топограмм, полученных от толстых совершенных кристаллов, приповерхностные слои которых сильно деформированы (на поверхности имеют локальные дефекты) и разработанный метод исследования и определения толщины приповерхностных деформированных слоев. .

,3. Исследование рентгенодифракционных изображений несовершенств кристаллов кратными интерферометрами и полиинтерферометрами.

4. Исследование видимости ренггеноинтерферометрическкх 'картин в зависимости от разностей амплитуд интерферирующих волк

5. Установленные общие признаки возникновения и наблюдения рентгеновских муаровых картин.

6. Зависимость периодов наблюдаемых муаровых партии от 'дины рентгеновской волны.

7. Методика и результаты исследования полупроводниковых кристаллических' систем, подвергнутых действию постояншх электрических или магнитных полей.

8. Методика и результаты исследования интерференционных-явлений в трехкристалъных интерферометрах, подвергнутых дейскээ проникающего излучения (жесткого рентгеновского, у -лучей и .

электронного облучения). Разработка методики определения плотности точечных дефектов, возникающих под действием радиации.

9. Результаты теоретических и экспериментальных исследований интерференционных явлений в двухблочных и трехблочнкх кристаллических системах, возникающих при ионной имплантации и диффузии.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на УП Всесоюзной конференции по физике прочности и пластичности металлов и сплавов (Куйбышев, 1973), ХУШ научной конференции профессорско-преподавательского состава втузов закавказских республик (Ереван, 1975), Всесоюзном сэ-минарэ, посвященном вопросам по тема "Разработка и исследование монокристаллического кремния для силовых полупроводниковых приборов и взаимосвязь параметров кремния и приборов" (Ереван, 1976), Всесоюзном межвузовском совещании по многоволновому рассеянию рентгеновских лучей (Ереван, 1977), Всесоюзном совещании по проблемам рентгеновской диагностики несовершенства кристаллов (Ереван, 1985), Юбилейной научной сессии, посвященной 30-летию кафедры ФТТ ЕрГУ (Ереван, 1986), Республиканском семинаре по теме "Рентгенодифракционные исследования объемных искажений в кристаллах" (Одесса, 1986), I Всесоюзной научно-технической конференции по теме "Прикладная рентгенография металлов" (Ленинград, 1986), П совещании по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген" (Черновцы, 1987), 1У Всесоюзном совещании по когерентному взаимодействию излучения с веществом (Юрмала, 1988), Ш совещании по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген" (Черновцы, 1989), У Всесоюзном совещании по когерентному взаимодействию излучения с веществом (Алушта, 1990), П Межреспубликанском семинаре по современным методам и аппаратуре рентгеновских дифрактометрическпх исследований материалов в особых условиях (Киев, 1991), International Conference on Advanced Methods in X-Ray and Heutron Structure Analysis of Materials (Praha, Czechoalovakia, 1990).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 42 работы. Основные результаты диссертации опубликованы в работах, списог которых приведен в конце автореферата.

:• -'ртктура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, основных результатов и выводов,

галогенных на 336 страницах, каючая 147 рисунков и 6 таблиц, списка литературы из 259 наименований и приложения.

КРАТКОЕ СОДЕШНИЗ РАБОТЫ

Во ввэланшт обсуздозн актуальность проблемы, цель работы, научная новизна, практическая значимость. Приведены основнкэ научные пояснения, шносшые на зсциту.

В диссертации сделано отступление от традиционного представления первой главы в виде литературного обзора. Диссертация Емоат общее введение, и какдая глава снабжена своим обзо-рса.

В петаой главе исследованы вопросы получения рентгеновских дифракционных изображений несовершенств кристаллов с большим разрешением, их регистрации без искажения и однозначной интерпретации, С згой целью исследовано распределение интенсивности дифрагированных волн внутри и вне тонких и толстит кристаллов при первичных плоских и сферических, волнах. Детально исследована такае дифракция рентгеновских плоских и сферических волн в шторфэрометрических системах. В частности показано, т;то при исследовании интенсивности дифрагировать« волн внутри кристалла, раздельное рассмотрение интерференции волн, распространяэ-цзхся в направлении падения и волн, распространяющееся в направлении отражения, допустимо только в *.'о;л случае, котда в кристалле происходит кинематическое рассеяние. В совершенном щпсталле одновременная интерференция всох блоховсквх воли, возбужденных одной и той не первичной волной, приводит к однородному распределешш энергии общего поля, а при выходе блохов-склх еолн из кристалла образуется наблзодаемое периодическое распределение энергии (маятниковые полосы). В первой главе очень подробно исследован метод получения рентгеновских проек-ционпых х-опограым с большим разрешением. Показан, что метод Лапга, исшедший широкое применение в исследованиях несовершенств кристаллов, при всех своих преимуществах обладает существенным недостатком: когда линии изображения дислокаций пли интерференционных полос, полученные от интерферометров, перпендикулярны направлеггш сканирования и имеют большую плотность, то изображения этих полос при сканировании на проекционной то-

исчезам,

В stcii: гларз, покатав кодсстаттс: п друпк: ютодсз,. автор дзеслргода щедлагаог исход скашрогашш, озо'Зодпгй от dtes подоптятглз. В предазхаегсм мэтодз реализована следугг^э :го.~г-ix:aivr.t охсепехжмэктр:

а) скаяяровапЕв образца, фотошгасгсгкз: согэтгатеоя з накр-лтспаж - грнотаяя пэрсмег-Еэтся параллельш сe'aoitj с?— Jd, а пластэта - порпаг^гшгуллрпо дайрага^ОЕЗЕНсуу (отрстэнло-.■гу) пучкг?

о) сканировал - полаговоо, прл омм пцргта пагоз spro-.:anr. -л пгвотшпа разине - сирина пата кр^сгпяа р-зг~д тэрвкчмого пяк*» " пщжна пластинка - пирино дт^рах^роггсг:^

пуз;'.'-'' v

F:». лредлссадпшЗ изтсд падения ронггеяовснз: sssSprrnnz:! :-:.j;or~jf-:--ho,rb кристаллов с большил разрзсзкгш солучснэ asrop-

спчдотельство»

''о -:тотх>й глагш есслодокзнц пргювзркносгкнэ д&^р'щюг'г:--:лз сг.'гл тодетт соверпэптв: ярястахтав. С это2 цоль:? п,;зл:т>--■»уц спрута урн рзнтгадавсязх лптз-ппгек з загзсг??осгя or- дгг»~ ••¡••ТГСасгз пртоверхкоспп^ олоэп тслстих согэрззеенх

£^сгг-зтгг':!К?аа,.г:э бздд послздоигла рзезягжгЕЯ zr^-zr:: "1 57 гчвжяг'оми от тогрястшиов з состоялся щшсг^г^ог.':-алко. Зтп исзладозапяя поглзаяз, чго волна, с.г.1 •::1Гогзргкзотпнк де-50р,2Р0*2ЯЕ£: слозэ, прз прздогдснгп тл&тэ

тологтз соварпзппуэ тассз крзсгаяга, етзпягоа лсчсспз Л'ли тоглощаться го-аа ?'|фох?а Бодала", но em с ptftz-•4-оч.ю скгьпоЗ кетенсшзностаьэ виксдгг; из зргетсллэз, ггггтг: ?ОЕ;ГГН7 15 гл.

Поасэ лазгэгра.г«шк псслэдовашй базп прэг-сдезет зксдбдогаппя дпйжашя рзггггеновсюх з годеязс еегзргг:з-шае хдктсгаякс: с скшюдсфорированзгаа лряюсэрагоигтпгя сз?.п= мз, Вплз получепи рзиггенедЕйращЕОннЕЭ кзртяпы по тсктэгря сп.-тотричного огргаояпя Лауэ от кркязюкзс голою; соззгсзеег; гсщсталгов, погоряюстз з:ода л Erxosa пстсгэг &tsi orrnrJasarS гш-азнш пороакси. На рно.1 показала дгВраюхпэлнм сэззЕГОшая •• -.г-пка, полуденная о?рзйэяез:л 220 дзлутаткзм МоКл. Кск пп-»о тл этого рисунка, рефлекс состоит зз цоняраяьпоЗ пирогой лапша к сопровождающее его слова л справа тонкпх лпнгЗ. Цзнтрэль-

Ж

щ 1 2

Рис.1. Схема эксперимента. Рис.2. Фотоснимок, получен-

ный по схеме, показанной на рис.1.

ная широкая линия обусловлена основным (недефорыированным) объемом кристалла (см.рис!,линия 2), а тонкие линии - приповерхностными деформированными слоями, причем, правая тонкая линия (см.рис.1,линия 3) обусловлена приповерхностным деформированиям слоем входной поверхности, а левая (а!.рис.1,линия I) - выходной поверхности.

На центральной широкой линии получены изображения несовершенств приповерхностных слоев - дефекты приповерхностных слоев входной поверхности изображены горизонтальными линиями, а входной поверхности - различными фигурными линиями меду горизонтальными линиями (см.рис.2).

Далее в этой главе исследованы: характер рассеяния компонентов рефлекса; участие непрерывного спектра в образовании структуры рефлекса; роль расходимости первичного пучка в образовании структуры рефлекса; характер увеличения интенсивностей компонентов кинематического рассеяния; наконец, проведено рент-генодифракционное исследование приповерхностных деформированных слоев толстых совершенных кристаллов. В результате этих иссле-

дований получаем следующие выводы:

1. Приповерхностные дефоротированные слои идеальных кристаллов из-за неизбшшой спектральной ширины и расходимости первичного падающего пучка, приводят к расщеплению лауэ-пятен, а секционные топограммы сопровождаются интенсивными тонкими линиями: широкая линия обусловлена динамическим рассеянием основного объема толстого кристалла, а тонкие линии - кинематическим рассеянием приповерхностными деформированными слоями.

2. Опыты показали, что аномально большая интенсивность тонких линий, обусловленная приповерхностными дефоргщрованшии слоями, результат не только расходимости первичного пучка, но и его спектрального состава. В частности, при молибденовом излучении и толстых кристаллах кремния основная линия получается динамическим рассеянием Л МоК^ излучения, а сопровоадащиа тонкие линии - кинематическим рассеянием ЛмоК«-/2 излучения.

3. При дифракции длинных волн (толстый кристалл, большое поглощение) динамическая компонента образуется характеристичво-кил излучением, а кинематические компоненты - -непрерывным спектром (второй гармоникой дифрагируемого характеристического излучения из непрерывного спектра).

4. При дифракции коротких волн (толстый кристалл, но очень малый коэффициент поглощения) как кинематические, так и динамические компоненты могут образоваться характеристическим излучением.

5. При дифракции излучений непрерывного спектра (малое поглощение) все компоненты могут образоваться излучением одной и той же длины волны, но тоста интенсивности кинематических компонентов будут гораздо больше, чем интенсивность динамического компонента.

6. На основании этого эффекта разработана прямая и эффективная методика для исследования приповерхностных деформированных слоев и определения их толщины.

7. Появление ямок и фигур травления на поверхности кварцевых кристаллов зависит от скорости травления:

- при скоростном травлении (высокотемпературное травление) на поверхности кристаллов кварца не образуются ни ямок, ни фигур "давления - поверхность получается гладкой, и расщепление лауэ-пятен исчезает;

- при медленном тразлепип (травление при комнатной температура) на поверхности совершенного кристалла образуются фигуры гравдения, а на поверхности дислокационного кристалла образуются и яяш травления, поатоиу расцепление лауэ-пяген не полно-стьзэ исчезает.

Глава тротья посвящена исследованию несовершенств кристаллов краттыа интерферометрам и полипнтерферометрами. С цольэ поышоппя эффективности пнтсрфэрометрическпх исследований Езсовэрпенсгв кристаллов (разработки новых методов, облегчающих расецррокку ДЕфракционЕИх картин; получения легче поддащиэся раекЕуфОЕЕО дифракционные изображения) в этой главе диссертацга гзорлыо проведены отероомэтричесхсие исследования несовершенств кристаллов пртенониаы кратных интерферометров. Впервыз с при-сзношеы шдашнтерфороглатров исследованы видимости дифракционных картин, в зависимости от интенсивно стой сунорпозирушцк волы. Проводены также исследования тторферометричегасих картин в зависимости от направления падения первичного пучка и от длины волны.

На рис.3 показаны двухкристальный и трехкристальный двух-дратдыо интерферометра, а на рис.4 - двухкристальный и трахкри-стальЕНй трехкратные интерферометры.

Результаты исследований, проведенных в третьей главе, приводят к следующим основным выводам:

1. Показаны недостатки обычных рантганодЕфракцгонных и рангтеноинторфаромотричаских методов исследований несовериенств кристаллов. Прадогаксн более совершенный метод рентгеновской 'стереометрической топографии дефектов. Задача резана с помощью сзашзтрачно экЕивалентша семейств отражающих плоскостей в крахшх интерферометрах.

2. Показано, что двухкратными интерферометрами можно обна-руаатъ и линии сегрегации, и полосы смещения, и муаровые картина различных несовершенств.

3. Изображения несовершенств кристаллов были исследованы 82шершантально и графически в зависимости от направления падения первичного пучка. Показано, что в двухкристальных и трех-кристальных интерферометрах период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго (ели третьего) кристалла.

Рис.3. Двухкратна кнтврфароызтра: а) двущпсталь-ннй интерферометр; ó) трсхнрзстальнкй истэрфоро!:этр.

m

(Olí) (ÍQi) (Oïl)

(НО)

б

Pue.4. Трехкратные зй^орТзрсмзтри: а) двзхкраесаяь-иктзрЗорс-вгр; б) трэзЕПюталз.тпЗ гштару-зрсс'О'хр.

4. Показано, что периоды наблюдаемых муаровых картин зависят от длины волны: с увеличением длины волны, при данной разности межплоскосгных расстояний, периоды муаровых картин в вакууме уменьшаются.

5. С применением полиинтерферометров исследованы видимости дифракционных картин в зависимости от разностей интенсивнос-тей налагаемых волн. Показано, что с уменьшением разности ин-тенсивностей (или амплитуд) интерферирующих волн видимость интерференционных картин увеличивается. Каждая из волн, фигурирующих в интерферометре, содержит определенную информацию от тех участков кристаллических блоков интерферометров, через которые она проходит. Реальная набладаемая видимость всегда меньше единицы.

В четвертой главе проведены рентгеноинтерферометрические исследования структурных искажений, возникающих в полупроводниковых кристаллах под действием постоянных электрических и магнитных полей. Такие исследования являются одной из актуальных задач физики полупроводников и производства полупроводниковых приборов. Действительно, с одной стороны, с точки зрения физики полупроводников очень интересно выяснить какие изменения происходят в структуре полупроводниковых кристаллов, помещенных в электрических и магнитных полях, с другой стороны, для производства полупроводниковых приборов очень важно исследовать надежность приборов при наличии нарушений в применяемых кристаллах. Влияние электрического и магнитного полей на структуру полярных кристаллов, в частности, на пьезоэлектрические и сегне-¡гоэлектрические кристаллы, давно хорошо изучено. Однако, насколько нам известно, до сих пор не обнаружены структурные нарушения в неполярных, в частности, в полупроводниковых кристаллах под действием электрического и магнитного полей. Видимо это связано с малой чувствительностью и недостаточным разрешением применяемых методов исследования структурных искажений кристаллов. В этой главе предварительно исследовано влияние электрического поля на интенсивность рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах, обладающие пьезоэлектрическими свойствами. Затем исследованы: структурные искажения, возникающие под действием постоянных электрического и магнитного полей в кристаллах кремния; структурные искажения в зависимости от направления векто-

ров Е и В . Наконец, после теоретических толкований экспериментальных результатов был предложен метод оценки относительной дефоргации в различных кристаллографических направлениях?

Из этих исследований в четвертой глава получены следующие основные выводы:

1. Впервые рентгеноинтерферометрическим методом в неполярных кристаллах, в частности, в полупроводниковых кристаллах кремния обнаружены структурные искажения, вызванные действием постоянных электрических и магнитных полей.

2. Показано, что с увеличением напряженности как электрического, так и магнитного полей период муаровых картин уменьшается - доТ-рчация кристаллов возрастает. Пра определенных значениях напряженности электрического и шцукции магнитного полей муаровая картина исчезает (деформация настолько увеличивается с ростом напряженности электрического поля п магнитной индукции, что нарушается услоше динамического рассеяния рентгеновских лучей).

3. Показано, что деформация кристаллов зависит от направления векторов Е и В по отнопешпэ к отранаадщ плоскостям

(в рассматриваемом случае отражающими плоскостями являются (ПО)). При одних и тех же значениях напряженности электрического поля и магнитной шщукщш, наибольшая деформация наблюдается в направлении [ПО].

4. Определяя относительную деформацию в направлении [lio], можно теоретически оценить деформацию в любом кристаллографическом направлении.

5. При одновременном действии электрического и магнитного полей муаровые картины_не зависят от того, параллельны или ан-типараллельны векторы Е и В .

В пятой главе изложены рентгеноинтерферомвтрические исследования несовершенств кристаллов кремния, возникающих под действием радиации. Вначале данной главы дается литературный обзор по томе исследований структурных несовершенств, возникающих в кристаллах под действием радиации. Далее описываются рентгеновские муаровые методы исследований этих радиационных структурных нарушений кристаллов. Так как эти структурные нарушения в основном тлеют характер точечных дефектов, в среднем равномерно распределенных по облученному объему кристалла, то их очень

трудно обнаружить обычнЕзш рвипзнотопогрзфичвскаш методами. Поэтов, для исследовглня этих дефектов выбран кэтод рентгеновского муара, облэдащего большой чувствительностью и разрешение«. В связи с этил исслодовакн основные кристаллографичес-131в ситуации возникновения рентгеновских муаровых картин. Далее описали проведешшэ экспериментальные исследования дефектов, возникающих в кристаллах кремния под дейсмлои облучения. Кристаллы были облучены аосткгы реыгеясЕскха Езлучонаоы, У -квантами и электронами. В конца этей главы ошсаи предяокзшый рантгеиоинтерфорометричаскЕй ¿¡огод определения плотности радиационных (точечных) дсХзпов в кристаллах.

Из ЕССЛОДОБЕШЙ, ПрОЗЗДОЕНЫХ Б ШГ10Ё ГЛСШС, ОДОЛШШ СЛО-дующже выводы:

1. Проведен достаточно подробный обзор научной литературы о структурных несовершенствах, возникающих в кристаллах под действием радиации. Показано, что облучения кристаллов жестким рентгеновским излучение«, у -квантами и электрона&ш высокой внартш в основном приводят к образованию точечных дефектов.

2. Исходя из литературного обзора обоснована теыа исследовательски работ пятой главы - необходимость провэдонпя ронтго-ноЕЕтерфероштрнческих исследований; несоворшэнств кристаллов кремния, воонекевдих под действием радиации, т.к. самим чуъс-твитслышу тестом для определения плотности точечных дефектов является рентгеновская муаровая картина.

3. Развита теория образования рентгеновских муаровых кар-нш в интерферометрах. Выявлены недостатки существующей теории. Показано, что не всякие дилатациояные и ротационные искажения приводят к образованию муаровых картин. С другой стороны пока- • завы случал, г.огда, при отсутствии дилатоциошш и ротационных ЕасоБзрдаксга, возникают муаровыэ картины. Выявлен обобщенный цргзнак, однозначно определяющий ситуации возникновения реш-гзяовезшз иуароик картин.

4. Разработана роаггеноЕНтерферометричес:'.; I светосильная цзгодшй! для экспериментального исследования £'лшск.юси1 пэряо-дев Еет&й-зрзнцгояяых карчин 01' дозы облучения, а такие от сквргиа каангоь елзктроно^.

5. Разработана методика определения плотности точечных де-Фохжов в сакасгости от дозы облучения и глубины проникновения

радиации. Показано, тго с уголягеенном дозн облучения шгзмгость точочнш: дсфзктоз увеличивается, п с уволггтокцем глубины проникновения электронов - уменьшается.

6. Показано, что ебщзе вдяпшэ при сблучэшк зрисгагяа сттерферомэтра явскскз роитгепогекгях дучеди болъшо, теа при ¡3 -облучении из-за малости гссй'лциогка поглощения У -луче:!!, зслодстви чого ояи проходят чорсо еопсогйо (гоизао »расхаяла), вызывая сравнительно нзбоягшЕЭ львуг.'.-гння,

Деотая таова посвящена рснгте^сзптер}2рв150трггтасж7! исслз-доганип' структурных песоворгепсгв кристаллов, еозншсгг'лцзз з резульчг;" - ;гплаитадш и т^й&узш.

Обзор лм-зр.тгуры, лэлбгешпгЗ в лорзоч раздела этоЗ глага, показывает, что с.':гю проведено болхиое колгастаэ нсслвдошЕпа тонких ЕЮпантироЕаннк: сяосз ^гяггзкодяфрж^еншт (нэгетвр-'?9ро:,«о'хр:тч9с:®Г;1) .'.'сюда?,я, однако, гтенно заплатить, что эгз зо-следозашя проводялясь с обраецо.'я, облученными ионами с знор-гаямп, првнгааякелки I НэВ. При облучояип но пешжя с ппззпаи энергшш и оообгкне в случае магкх доз, необходимо пользоваться рентгенотговкзрс.кзтричзстает метода?^, чузетгатвж&ноогь л разрапениа яототлЖ кверзгпе&го гог-хия. Поэто'лу, в разделах 6.2 - 6.5 зтей главы щаведатея »»еороигаеезиз и экеторпкятаяь-1Ш9 ронтгеноинторфврометрпчеекзо исследования несовершенств кристаллов, возникающие в результате ионней гшкантещл пшгя дозами ионов с низкими энергоии.

В вопросе, к каг,г" структурным нарушениям приводи™ ионная имплантация в кристалле, существует нзкотор.ая неопределенность. В некоторых работах предположено, что на расстоянии проникновения имплантированных ионов в кристалле образуете.^ недпфратарув-щая эона - крист-алл разбивается на две части, с одинаковыми межплоскосгакки расстояниями, а з других работах предположено, что в таких условиях кристалл разбивается на две части, отличающимися межплоскостнши расстояниями, без недифрагирущой зоны. В связи с этим, в шестой главе диссертации с помощи) теоретических и экспериментальных исследований выяснено, когда и какое из этих предположений справедливо. Исследована дгфракция рентгеновских волн в различных интерферометрах в плосковолновом приближении в случаях, кохда можно пренебречь поглощением и, когда кристаллы сильно поглощают. Проведены также рентгонозн- .

герферометрические исследования деформаций в ионно-имплантиро-ванном кремнии.

В последних двух разделах згой главы (6.6 и 6.7) исследованы структурные несовершенства, возникающие под действием диффузии, в частности, влияние диффузии бора на рентгеновские муаровые картины.

Результаты исследований, проведенных в шестой главе, привели к следунщш основным выводам:

1. В первом интерферометре, как с учетом, так и без учета поглощения, в вакууме (как между кристаллами, так и за интерферометром) муарового распределения интенсивности не получается: наблвдается однородное распределение интенсивности, величина которой зависит от толщины кристаллов.

2. Во втором интерферометре, как с учетом, так и без учета поглощения, между кристаллами (в вакууме) муарового распределения не получается, а за вторым кристаллом (за интерферометром) - получается. Контраст этого муарового распределения сильно зависит от толисины кристаллов интерферометра. Из-за разности межплоскостных расстояний первого и второго кристаллов угловой параметр отличается от нуля, что, в свою очередь, приведет к уменьшению видимости интерференционных полос.

3. В результата детального исследования дифракции рентгеновских лучей в двухкристальных интерферометрах впервые показано, что разрешение двухкристальных интерферометров гораздо меньше, чем разрешение трехкристальных интерферометров.

4. Рентгеновская интерферометрия может быть использована для изучения поперечных напряжений, вызванных ионной бомбардировкой кристаллов кремния. Если энергия ионов лежит в диапазоне КэВ, го кристалл следует рассматривать как идеальный, покрытый тонким поврежденным слоем. Наблвдаемые на топограммах дила-тационные муаровые картины определяются поперечными напряжениями, возникающими на имплантируемой поверхности.

5. Показано, что интегральное напряжение, действующее в поврежденном слое, для ионов аргона.с энергией 200 КэВ линейно возрастает при изменений дозы от 1013 ион/а,? до Ю15 иоц/см2. Максимальное локальное напряжение составляет примерно 8,5 х

х Ю7 Н/м2.

6. Впервые методом рентгенодифракционного муара обнаруже-

:ш и исследованы относительные повороты и поло деформаций, соз-даваемк диффузией бора в кристалле анализаторе рентгеновского интерферометра.

7. Показано, что напряжения, возникающие в процессе диффузии бора в кремний, при малых концентрациях имеют бездкело-кационный характер, а при больсих концентрациях появляются дислокации.

В заключении подитозены основные результаты проведанных исследований и сформулированы основные глтодн;

1. Исследованы обычные методы получения проекционных то-погр,"!.-:ч г доказано, что при сканировании видимость дифракционных карт'.' ..оссоггепств кристаллов часто падает до нуля, когда направление сканирования перпендикулярно интерференционным полосам, период которых нал, и на проекционных топограммах они становятся невидимыми. Продлот.он и применен метод получения рентгеновских дифракционных изображений несовершенств кристаллов с большим разрешением, на что получено авторское сеидэтоль-стео.

2. Впервые детально исследованы структуры лауз-пятен и секционных топограмч, полученных от толстых совершенных кристаллов с приповерхностными сильно деформированными слоями.

Впервые окончательно и однозначно установлено происхождение отдельных компонент этих структур. Показано,.что из-за зтих деформированных слоев лауэ-пятна расщепляются, а секционные топограммы сопровождаются тонкими интенсивны;® линиями, причем широкая линия обусловлена динамическим рассеянием основного объема толстого кристалла, а тонкие линии - кинематическим рассеянием приповерхностными деформированными слоями при наличии расходимости первичного пучка. Причем, при слабом поглощении данного характеристического излучения в кристалла, как динамическая, гак и кинематические компоненты могут быть обусловлены одним и тем же излучением (длиной волны), а при сильном поглощении динамическая компонента образуется характеристическим излучением, а кинематические компоненты с непрерывным спектром - второй гармошкой дифрагируемого характеристического излучения из непрерывного спектра.

В результате этих исследований разработана прямая и эффективная методика для изучения приповерхностных деформированных

слоов к определения ех годаран, ксхорая представлена для получения авторского СЕщеюньствл.

3. С целью увзличенля информативно ст л рекггикотторф'-'ро-метрпчвскпх псследованхЗ несовершенств кргс.талкоь, ^работаю кратные и-полш - зантврфоройетр-' для прозаденг;! стерзо-штраческах исследований нбооввргансг'в крдогатаов (др.сж&д-цпй), л вздаааостп рвш.токознтерферсд«етрич:ес1СЕГ картая (ыгсор-фбрешцгоЕЕкх вообще п уувровнх в часгпостж), на что ьолучдпо аа^орскоо сэдеталъстзэ.

Нровздокк каагэ иселедоашкя засссжгости корхода куаровк. кам^: ог нацравяепия аздония первичного пужа па итгерф«!»-кэгр. Впоржз показано, что пзрпэд наблвдаьмж куарог.яс карги::, полученных от двуякристалзгш: и тровдрпеггаяьшя: интс^брочзт-рэв, ьаыкда* о!1 того, падаэт лс первхгтаая волна со с -орэвд тор-1;Огс> ваз второго (шш 1'ротьего) 1фиста"1да. Разработ&ча ызгода-га дал определензя .моста расвсгшевкя пэсовзрлссств в пктотц'б-роаот-ру, на что такса пожуадно ахторахоо екдвкохве.-ьо.

Далее показано, что периоды набвдаекас иувдож: кар-.-.к зависят от длина кшл:.

4. Разработана роктг&но;шторйэроштр;зя*искй!.; методика и взорвав ь гоиоляршв: кристаллах (годупроЕОдншсо-йа: обньрз^инн структурные искажения, вызванные дсйстеиз:.; поеюдл-к;ч ¿••леха-ретеокшс и катнгоша полей. Показано, что:

а) с увелэтеиизи как напряженности олзктрхлчгклго, гак :* иагкягЕого полой, дб^оришеш кдасяишш эозраотазх (порзоды ¡¿уаровых картин у&эякга'Л'ея) ?

6} д<фродкдо1 крзогаялоь зависит от каштана клок, еос-гав&сяшс: взкгораип к&дрдгенности эло:й?2ч-эского поля и «¿гкк-г»2 индукции с отраасщггв; атоашыа плоскости кристалла -фориацЕй пришагает макоагшльное значзьле, кох'дг. эти вектоу и перпендикулярны отрапандол плоскостям;

в) определяя относитзльную деформацию в направленна гир-г.адп отраааюцих плоскостей, ыо&но теоретически оценить деформации в любом 1фисталлограйзческод1 направлен".;:.

5. Для обоснования актуальности те;-;ы ронтгеноиктерферомот-рических исследований несовершенств полупроводниковых кристаллов, возншсаЕдик под действием радиации, был проведен достаточно подробный обзор научной литературы по этой теме. Убедившись

.гз -

в том, -»то облучение кристаллов жестким рентгоновакзм нзлучвнк-оч, ^ -квантам и электронами высокой энергии в основном приводит к образования точечных депонтов, мы пришли к выводу, что зссследовашш необходимо проводить рентгонсннтерфорометричосюы методом, т.к. сааш чувствительном тестом для определения плотности точечных дефектов является рентгеновская куаровая картина:

а) о целью однозначной интерпретации полученных результатов рл?;:./л<а теория образования рентгеновских муарознх карт;ш в ютгерфбромегрзх. Выявлены нбдостаткг оупэствущвй теории - но всегда дилатациокнно и ротационные искажения приводят1 к образованию муаровых картин, с другой стороны, показаны случаи, кэдда при отсутствии дяла?етя;5ШЫ2 я рогсцпонних несовершенств возникаю? картины, подобные муаровым. Разработали обобщенные признаки, одкознатаю определяющие ситуации зознакновонгя муаровых картин;

б) разработана рептгеноинтврферометрическая светосильная методика для эксперимангального исследования зависимости периодов муаронк картин от доз» с&гтеаия, а такае от энергия квантов и электронов;

в) разработана методика и определена плотность точечных дефоктоэ в занииа'ости от дозы облутегпи п глубины пронкгсновз-ш'я радиации. Показано, что с увеличением дозы облучения плотность точечных дефектов увеличивается, а с увеличением глубины проникновения электронов - уменьшается;

г) показано, что общее влияние при облучении кристалла интерферометра яееткими рентгековскили лучами больше, чвч при

^ --облучении, из-за маю ста коэффициента поглощения у -дутай, вследствие чего они проходят черзз вьпгстео (тэнкиз кристаллы), епзншя сравнительно небольшие карупгния.

6. Обзор -научной литературы показывает, что существуют два подхода в вопроса образования дефектов при конкой пашанта^а: одни авторы предполагают, что при донной зпиангвцкя в кристалле образуется двухкряотальяка звторферометр с одлнановакя плоскостнша расстояниям, мезду кристаллами которого плеется узкая шгоскопаратлелъная кеднфрагпрущцая зона, а другие предполагает, что образуется двухнристалышЗ интерферометр, /:&~ешос-кост1П!8 расстояния кристаллов которого отличаются друг от дру-

га, а между ними не имеется недифрагнрующой зоны.

Поэтому теоретически была исследована дифракция рентгеновских лучей в подобных (вышеуказанных) интерферометрах. В результате этих исследований показано, что:

а) в двухкристальном интерферометре с недзфрагирующей зоной и с одинаковыми мекплоскостными расстояниями, в вакууме (за интерферометром) муарового распределения интенсивности на получается;

б) в двухщшстальном интерферометре без недифрагирующей зоной, но с разными межплоскостными расстояниями отражающих плоскостей в вакууме (за интерферометром) получается муаровое распределение интенсивности;

в) исследование дифракции рентгеновских лучей в двухкрис-тальных и трехкристальных интерферометрах показывает, что разрешение двухкристальных интерферометров гораздо меньше, чем разрешение трехкристальных интерферометров.

7. Ренггеноинтерферометрическим методом исследованы деформации, вызванные ионной имплантацией, в зависимости от дозы имплантируемых ионов; теоретической обработкой экспериментальных данных показано, что интегральное напряжение, действующее в по-

"вреэденном слое, для ионов аргона с энергией 200 КэВ линейно возрастает при изменении дозы от Ю-^еон/см2 до Ю^ион/см2. Максимальное локальное напряжение составляет примерно 8,5 х х Ю7 Н/м2.

8. Рентгеноингерферометрическим методом исследованы структурные несовершенства кристаллов, вызванные диффузией бора, в зависимости от концентрации и глубины проникновения диффузанта. Показано, что:

а) впервые методом рентгенодифракционного муара обнаружены и исследованы относительные повороты и поле деформаций, создаваемых диффузией в кристалле-анализаторе рентгеновского интерферометра;

б) напряжения, возникающие в процессе диффузии бора в кремний, при малых концентрациях имеют бездислокационный характер, а при больших концентрациях появляются дислокации.

ОСНОВНЫЕ РАБОТЫ, ОПУБЛИКОВАННЫЕ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Абоян А.О., Эйрамджян Ф.О., Безирганян П.А. Зависимость видяости рентгеновских интерференционных картин от интен-сивностей интерферирующих волн.// Изв. АН Арл. ССР, Физика, 1974, т.9, с.381-388.

2. Абоян А.О., Эйрамджян Ф.О. Влияние облучения на рентгено-интерферометрическую муаровую картину.// Ученые записки ЕГУ, Физика, 1976, в.2, с.54-59.

3. Абоян А.О. Влияние ]f -облучения на рентгеноинтерферомет-рическую муаровую картину.// Тезисы докладов ХУШ научной конференции проф.-препод, состава ВТУЗ-ов Закавказских республик, Ереван, 1975, с.19.

4. Абоян А.О., Эйрамджян Ф.О. Влияние диффузии бора на рент-генокнтерферометрическую муаровую картину.// Изв. АН Арм. ССР, Физика, 1978, г.13, с.221-224.

5. Хзарцжян A.A., Безирганян С.Е., Абоян А.О. Зависимость ширины пучков рентгеновских волн, дифрагированных по Лауэ, от толщины кристаллов.// Межвузовский сборник научных трудов, Изд.-во ЕГУ, Физика, 1984, №3, с.161-167.

6. Абоян А.О., Безирганян П.А., АсланянВ.Г., Адамян С.А. Структуры рентгеновских рефлексов, обусловленных эффектами динамического рассеяния рентгеновских лучей и несовершенств кристаллов.// Межвузовский сборник научных трудов, Физика, Изд-во ЕГУ, 1984, №3, с.6-23.

7. Аршакян Э.З., Абоян А.О., Безирганян П.А. Структурные искажения, возникающие в полупроводниковых кристаллах под действием постоянных электрических и магнитных полей.// Межвузовский сборник научных трудов, Изд-во ЕГУ, Физика, 1987; в.8-9, с.81-85.

8. Абояя А.О. Некоторые рентгеноинтерферометрические исследования.// Межвузовский сборник научных трудов,ЕГУ, Физика, 1987, в.8-9, с.190-197.

9. Бвзяргаяян П.А., Абоян А.О., Аршакян Э.З. Структурные ис-кааиняя полупроводниковых кристаллов, вызванные действием постоянного электрического поля.// Кристаллография, 1989, т.34, с.257-259.

10. Абоян А.О., Тумасян A.C. Исследование поверхностных нарушений в толстых кристаллах методом рентгеновской дифракции.// Тезисы докладов П совещания по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген", Черновцы, 1987,

с.109.

11. Абоян А.О., Безирганян П.А., Хзарджян A.A. Исследование муаровых картин, полученных от одного и того же интерферометра, но разными семействами отражающих плоскостей.// Тезисы докладов П совещания по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген", Черновцы, 1987, с.155.

12. Arshakyan E.Z., Aboyan А.0., Bezirganyan P.A. X-Eay In-terferometric Investigations of Structural Diatertiono in Semiconductor Crystals Caused by Constant.Electric.and Magnetic Fields.// Phys. Stat. Sol. (a), 1988, v. 106,

p.41-47.

13. Безирганян П.А., Мартиросян A.A., Абоян А.О., Тумасян A.C., Григорян П.А. Дифракция рентгеновских лучей в толстых совершенных кристаллах с силънодеформнрованными приповерхностными слоями.// Деп. в АрмШИИГИ, Je 3-Ар89, 1989, 15 с.

14. Абоян А.О., Аршакян Э.З. Исследование структурных нарушений полупроводниковых кристаллов, возникающих под дейст- ■ вием потоков У -квантов (1,25 МэВ) и релятивистских электронов (50 МэВ).// Тезисы докладов Ш совещания по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Рентген", Черновцы, 1989, с.104.

15. Абоян А.О., Аршакян Э.З. Рентгеноинтерферометричесяое исследование облученных кристаллов в постоянных электрических и магнитных полях.// Тезисы докладов Ш совещания по всесоюзной межвузовской комплексной программе "Ректгвм", Черновцы, 1989, с.105.

16. Aboyan А.-О. , Tuina syan A.S. X-Ray Topographie Study of Surface Layers of Perfect Single Crystals Cubjekted to Diffusion.//Cryst. Res. Technol., 1990. v.25, p. K10-K14.

17. Абоян A.O., Хзарджян A.A., Сарафян M.А. Кратные интерферометры.// Тезисы докладов Ш совещания по всесоюзной межвузовской комплексной программа "Рентген", Черновцы, IS89,

с.106.

10. ЛЪсузл A.Q., 3ezirganyan Г.H., ICh^ardshycra Л.Д. Forraaticn of lîigh Ecoolutioa 2-Hay Diffraction Pictures of Crystal inperfsoticna, their Dictortionleca Detection and Unique Interpretation.// Cryot. Ren. Technol., 1990, v.25, 10, p. 1169-11.32.

19. Besirssnyan P.А., Atoyan Л.0.,. Khzarrtshyan А.А. Stereows-irical Z-Ilay Diffraction Topography of Cryntal Irepsrfec-tienn.// Annals'] Univoraitatio lîariao Cui'ie - S^lodc-vaira, Lublin - Polcnia, ï.ZLIII/ZbK, 3, ocction AAA, 1903/1989, p.21-30.

20. Acv.-.-i ' .0., Хзард-кян А.А. Исслодотанпе видимости реятге-norc. л-. : -pixi трзястатшл четафзхкрастаяъннм интерХеро-метроч.// Тозисн дожладо Ш совещания по всесоюзной штву-soBcitcil кемшгзкспса прографи "Рентген", Черновцы, IS89,

с.101-102.

21. Bozirganyan P. H., Aftoyan Д. А., Тшааиуап А.З.. Х-Нау Diffraction in Thick Porfect Crystals with Deforced Subsurface Layers.//Cryst. Кез. Tachnol., 1990, v.23, p.893-899.

22. Абоян A.O., Хзардкяя А.А. Способ исследования пространст-вашюго распределения поля деформации металлов кратными ингсрфарсмэтрачя.// Изз. Ж Арк. ССР, Физика, 1990, т.25, с.222-227.

23. Абоян А.О., Безирганян П.А., Хзардяян А.А. Метод получения рентгеновских проекционных топограш с большим разретоки--ем.// Тезисы докладов Ш совещания по всесоюзной можвузов-ской комплексной программе "Рентген", Черновцы, 1989,

с.103.

24. Безирганян П.А., Безирганян С.Е., Абоян А.0., Хзардяян А.А. Рентгеноинтерферометрический способ исследования ди-латационных несовершенств монокристаллов, Авторское свидетельство й I6793I3, 1991.

25. АЪоуап А.0., Pezirganyan P.A., Khzardzhyan. А.А. Study of X-Ray Diffraction Pictures of Crystal Imperfections by Means of a Triple Interferometer.// Phys. Stat. Sol. (a), 1990, v.118, p.21-27.

26. Aboyan A.A., Khzardzhyan A.A. , Bezirganyan P.A., Bezirgan-yen S.E. X-Ray Interferorr.etric Pictures of Dislocations.// Phys. Stat. Sol. (a), 1990, v.118, p.11-20.

27. Arshakyan E.Z., Aboyan A.O. Investigation of Internal Stresses in Silicon Semiconductor Crystals in Constant Electric and Magnetic Fields by Means of the Method of X-Ray Diffraction Moire.// Phys. Stat. Sol. (a), 1990, v. 122, p.43-50.

28. Bezirganyan P.A., Aboyan A.O., Khzardzhyan A.A. Investigation of the Visibility of X-Ray Patterns by Means of a Triple Pour-Crystal Interferometer.// International Conference on Advanced Methods in X-Ray and Neutron Structure Analysis of Materials, Praha, 1990, p. A40.

29. Aboyan A.O., Bezirganyan P.A., Bezirganyan S.E., Grigor-yan A.M., Ttunasyan A.S. Structural Imperfections of Crystals as a Result of Ion Implantation.// Cryst. Res. Tech-nol., 1990, v.25, p.1405-1418.

30. Aboyan A.O., Bezirganyan P.A., Khzardzhyan A.A. Investigation of Visibility of X-Ray Interferometrie Pictures Depending on the Difference of Amplitudes of Interfering Waves and the Quality of Interferometer Crystals.// Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v.127, p.9-21.

31. Bezirganyan P.A., Bezirganyan S.E., Aboyan A.O. Main Crys-tallographic Situation for the Formation of X-Ray Moire Patterns.// Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v.126, p.41-47.

32. АбоянА.О., Безирганян П.А., Хзарджян A.A. Рентгеноинтер-ферометрический способ исследования кристаллов.// Авторское свидетельство Ji 1673933, 1991.

33. Абоян А.О., Безирганян П.А., Хзарджян А.А. Способ получения рентгеновских проекционных топограмм.// Заявка на авторское сввдетельстю № 4835458/25 с приоритетом от 07.06.90. Положительное решение от 19.04.1991.

34. АбоянА.О., Тумасян А.С. Рентгеноинтерферометрические исследования структурных искажений, возникающих в кристалле кремния при ионной имплантации.// Межвузовский сборник научных трудов, Изд-во ЕГУ, Физика, 1992, Ji I, в.1,

с.44-45.

35. Абоян А.О. Дифракция рентгеновских лучей в двухкристаль-ных интерферометрах.// Межвузовский сборник научных трудов, Изд-во ЕГУ, Физика, 1992, JS I, с.112-117.

36. АршакянЭ.З., Абоян А.О..Рентганоинтерферометричэское исследование структурных нарушений, возникающих в полупроводниковых кристаллах под действием быстрых электронов.// Межвузовский сборник научных трудов, Изд-во ЕГУ, 1992, в.1, с.52-61.