Рентгеноспектральный микроанализ пленочных ВТСП материалов на основе Y-Ba-Cu-O тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Г Б ОД

2 ШОН

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им .А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

ТРЕТЬЯКОВ ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ

РЕНТГЕНОСПЕК'ГРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ ПЛЕНОЧНЫХ ВТСП МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ У-Ва-Си-О

(специальность 01.04.10-фичикаполупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соисхание ученой стенени кандидата физико-математических наук

С. -Петербург 1997

Работа выполнена в Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор С.Г.Конников.

Официальные от ненты: доктор физико-математических наук, профессор В.Ф. Мастеров, -ДОктор: физико-математических наук. А. Б. Шермая.

Ведущее на* -шое учреждение ~ ВНЦ ГОИ им. Вавилова.

Защита состоится " 12 " 1997 г.

в ¿-¿'часов на заседании диссертационного совета К 003.23.02 при Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021, С.-Петербург, Политехническая ул., 26.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Физико-технического лнстнгута им. А.Ф.Иоффе РАН.

Автореферат разослан ". 4Г" си^ш 1997г. Ученый секретарь специализированного совета Си?^с кандидат физико-математических наук Бахолдин С.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы исследования. Композиционный состав, распределение основных и легирующих компонент состава по глубине и площал" являюгся важными параметрами эпитаксиальных гетерослолных структур и приборов твердотельной микроэлектроники на их основе. Для локального определения состава твердых тел в настоящее время традиционно применяется рентгеноспектраяькый микроанализ (РСМА, Однако присущее методу наличие распределения генерируемого рентгеновского излучения (РИ) по глубине не позволяет определять состав в таких объектах с толщинами,меньшими Глубины генерации РИ.Развитие методики для такого рода объектов позволило бы значительно расшир гь аналитические возможности метода. Задача заключается в исследовании законов генерации РИ в слоистых материалах с разными рассеивающими свойствами. В качестве исходной модели может быть взята модель для однородного материала, для которой имеются аналитические .представления в виде функции генерации рентгеновского излучения <р(рг), котор ле основаны на полученных путем оптимизации параметров теоретических представлений на базе экспериментальных данных для максимально возможных экспериментальных условии измерений. Наиболее оптимальным является представление <р(рг) как числа ионизации на один падающий электрон в зависимости от ускоряющего напряжения, среднего рассеивающего атомного номера и потенциала возбуждения анализируемой рентгеновской линии.

Определение состава в тонких пленках может оказаться эффективным для изучения свойств для оксидных сверхпроводников на основе меди. Открытие нового класса сверхпроводящих материалов стимулировало большое количество работ по развитию приборов на их основе, хак тех, где требуется один слой сверхпроводника: -межсоединения, инфракрасные приемники, пассивные микроволновые приборы, так и многослойные: - СКВИДов. Для создания Приборов требуются однородные по составу пленки высокого структурного совершенства, однако известно, что высокотемпературные оксиднью сверхпроводники могу быть гетерогенны ка! по площади, так и ко толщине. Изучение неоднородностей позволяет понять процесгь:

формирования структуры, разработан, и оптимизовать режимы роста пленок с необходимыми для приборной реслазации характеристиками. Цепъ данной работ состоял?, из-.

1. Исследования основных закономерностей генерации рентгеновского излучения в слоистых материалах и разработки комплекса аналитических методик рег/пенослектрального микроанализа (РСМА), включающего:

- методику одновременного определения состава и толщины тонких пленок на подложках.

- методику определения состава в системе У-Ва-Си-0 и п тонких пленках на ее оснойе. оцгьки неоднородности состава по толщине пленки.

2. Изучение механизмов дефектообразования в области гомогенности 'ЛВагС'лСЬ для кленок, используемых в приборах ВГСГТ микроэлектроники.

3. Изучения условий формирования пленок '/-Ва-Си О на кремневых подложках с буферным" подмоем 2гОг.

Научная новизна рабогы заключается з то«, чго:

- предложена новая модель фунхцви генерации рентуековсксгс излучения для элемента пленки двухслойных систем типа 'пленка на подложке',

- рчзра5отан метод одновременного определения толщины и состава методом РСМА,

- установлены законы изменения функции геяергции рентгеновского, излучения для элемента подложки,

- нрОБедгн: " поиск корреляции для ВТСП пленок между локальными значениями температуры перехода к состава, определен.' механизмы дефсктосбра.'оиаьия,

- изучеи,. усповкл формирования слоев УВаСиО на $! с разделительным буферным подслоем 2гС>2,подученных методами магьетроькс-го напыления и молекуллрно-лучгвого испарения.

Пракгическая значимость работы лаключается в то;,г, что:

- на основе разработанной методики одновременного определения состава .". тслщ'мны тонких плокок создала программа, которая может применяться для обработки даьнчх широк« о круга двухслойных материале«,

- разработаннзя методика измеренчя состава ВТСП материалов н оценки степглк неоднородности его по толщина и площади для пленок методом РСМД позволила изучить механизмы дефектообразоБ.'ния в пленках,

- на основании проведенных исследований по формированию пленок YBaC'^O на Si с разделительным буферным подслоем ZrCb получены пленки с температурой перехода 84-89 К. Основные положения, выносимые па защиту:

1.Метол одновременного определения состава и толщины л.чемск ля подложках,основанный на учете эффективного атомного номера системы 'пленка подложка'.

2. Для нормированной на изолированный елей <f/(pz) тнек^ше атомного номера элемента пленки ведет к понижению значений <i>fpz) подложки чо сравнению с гомогенным обрмцоьс независимо от соотношения атомных номеров пленки и подложки.

3. Квазибинарныг разрезы фазовой диаграммы (YOi.s - BaQ - СиО) (123)-»(П0) и (!23)-*(Ю5) соответствуют максимальным значениями Тс, разрезы (123) —> (202) н (123) ~> (011) соответствуют минимальным значениям Тс.

4. Буферные слои ZrCh на Si с минимальной плотностью дефектов могут быть получены мегодом электронно-лучевого испаречия при ~7С0С,

скорости потока Zv =0.16 А/с и давлении кислорода 0.6 101 'Гор.

5. Отжиг фтора в пленках, содержащих фгор, не сопгтатаст с режимом насыщения YBaCuO пленки кислородом я должен быть осуществлен предварительно при давлении 3* 10 2 Тор. и температуре 720 С. Апробация работы.

Ргбота докладывалась и обсуждалась на 1 Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники ( Леничгргд, (989), 11 международной конференции по аналитической атомной спектроскопии (Москва,!990), 13 международной конференции по рентгеновской оптике и микроанализу (Манчестер, 1991), на совещаниях секции "Диагностика полупроводниковых материалов и полупроводниковых структур" (Нальчик, 1990, Саратов, 1991), а также на специализированных научных семинарах лаборатории диагностики полупроводников материалов и приборов ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Публикации. По материалам диссертации онубликоьано 17 научных работ, список которых приведен б конце автореферата.

б

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения , четырех глаз и заключения , а также спискз литературы , включающего 57 наименований. Работа содержит 104 страницы машинописного текста, ¡8 рисунков и 19 таблиц.

Содержание работы В первой главе на основе- обзора литературы даны физические основы введения поправок для расчета состава методом РСМА с использованием функции генерации рентгеновского излучения по глубине <р(рг). Подробно описана используемая в данной работе аналитическая модель (¡¡(рг). Проведен анализ выражения для массовых потерь, используемого в модели. На основании сравнений аппроксимаций теоретической модели с экспериментальными данными в области малых ускоряющих напряжений сделан анализ основных достоинств и недостатко: модели. Рассмотрены физические механизмы изменения функции генерации рентгеновского излучения в двухслойных системах, сделан вывод о возможности единого аналитического представления <р(рг) дня массивных и двухслойных систем. Заключительная часть главы посвяшена литературному обзору аналитических представлений коэффициента обратного рассеяния для . моделей однократного рассеяния, диффузионного, подробно рассмотрена комбинированная модель Нидрига.

Вторая глава содержит реализацию возможности единого аналитического представления <р{рг) для массивных и двухслойных систем. Изменение числа иошзаций в двухслойной системе по сравнению с однородным образцом для той же толщины связано с перераспределением в таких системах обратно рассеянных электронов по сравнению с гомогенным образцом. По мере увеличения атомного номер подложки для ф(р/.) элемента пленки вследствие увеличения коэффициента обратного рассеяния максимум <р(рл) смещается к поверхности и растет значение поверхностной ионизации <¡>(0), таким образом,<р(рг; становится подобной <р(рг) элемента с большим атомным номером. Характер изменения параметров ф(рг) определяется соотношением атомных номеров пленки и подложки, поэто> - систему в целом можно охарактеризовать определенным значением атомного номера, который может служить

интегральным парам4тром q>(pz) пленки. Было предложено находить эффективный атомный номер двухслойной системы из условия равенства коэффициента обратного рассеяния массивной мишени с эффективным атомным номером Zat и коэффициента обратного рассеяния электронов двухслойной системы, что можно выразить в следующем виде:

nk(Z,a,y = 0.5)=4(qMq„y=pD/R0(Z,[r))> (!) где Çi= fli +kj , а представляет собой коэффициент Эверхарда, численно равный

tiZVN, Z1 '

а = —-- = 0.0024—» 0.012Z.

(Zîts^'mjGA А

к - коэффициент диффузии электронов, переменные с индексом f относятся к пленке, а с индексом s-к подложке. Выражение для коэффициента обратного рассеяния электронов в системе 'пленка-подложка' было получено в рамках развития комбинированной модели Нидрига на основе закона Томаса-Вкаденктона, который связывает наиболее вероятную скорость эяехтрона с глубиной проникновения и плотностью твердого тела. Дшг системы 'пленка на подложке' это уравнение для нормального падения электронного пучка было записано в следующем виде:

v(t)4-rj ¿-GfoD-p.t), (2)

где v(r) - скорость электрона на глубине D+t, D - линейная толщина пленки, t - линейная глубина проникновения электрона в подложку, рг, р, -плотности материала пленки и подложки. Интегрирование выражения (2) дало следующее выражснт- для коэффициента обратного рассеяния электронов в системе 'пленка-подложка':

n(y«.4i.q.)-ni(: q,)+n,(y<„qf.4.), (3)

r,[(yo ,qt) представляет собой коэффициент обратного рассеяния от изолированной тонкой пленки: (4)

1,(Уо.Ч(> = а, —-V------

a, tk,Xaf +k, + 1)

+ к _[l-il-Z^^i—V XI-V

»l (j'o ,ч< ,q> ) представляет вклад от подложки он равен:

П.(Уо.Чг-Ч.) = (1-Уо),:",'['1,(У=-5.Ч.)-Л,(Уо.У,)]. (5)

Определение композиционного состава пленки начинается с оценки толщины пленки, и производится оценка этого состава на основе итерационной процедуры по методу Вегштейна. Далеее вычисляется Т|ь по формуле Нидрига для массивного тела, г) по формуле (3) и эффективный атомный номер среды (итерационно,- по достижению заданной точности). Определенный таким образом ХС1Х (у) является непрерывной и монотонной функцией во всем диапазоне толщин- пленки . рО и ускоряющих напряжений Ео, приближаясь к 2г при р Й -> 1{о(2с.'г,Ео )/2 и к 1% при рй -» 0. Схема расчета повторяется для каждого нового приближения толщины. Итерационный процесс по толщине проводится на основе метода последовательных приближений для зависимости суммы концентраций в пленке от толщины. За расчетную толщину пленки принимается значение, при котором сумма компонент пленки 100%-о. где 5 - погрешность расчета (0.01). Для - одного

компонента в пленке вводится дополнительное условие, равенства расчетных и экспериментальных к-отнош'.лий при сохранении прежнего условия по сумме.

Таблица 1

Параметры ФГРИ по глубине А1 ка, рассчитанные по модели ЗЕИР для

пленок А! на подложках различными атомными номерами.

Пленка Подложка кэВ Параметры Ф*л1(рг) й», 11хВ м^сш1

Символ Ат. ном. Толщина Символ Ат. ном. ч<°> ■

А1 13 81. Аи 79 5 13 17.2 1.20 1.81 102

13 81 Аи 79 10 45 41.7 1.76 1 3.13 377

А1 13 81 Аи 79 15 61 82.3 1.94 3.49 785

А1 13 81 Аи 79 20 67 135.4 2.02 3.69 1282

А1 13 81 Аи 79 . 25 71 197.5 2.06 3.83 1848

А1 13 27 Аи 79 10 68 39.4 3.92 3.30 413

А1 13 81 Аи 79 10 45 41.7 1.76 3.13 377

А1 13 135 Аи 79 10 24.5 52.3 1.52 2.75 349

А1 13 мае. 10 13 67.3 1.30 2.26 316

А1 13 81 Аи • 79 10 45 ■ 41.7 1.76 3.13 377

А1 13 81 А* 47 10 28 47. 1.58 2.85 337

А1 13 «1 Си 29 -10 20 53.7 1.45 2.59 321

А1 13 81 А! 13 10 13 67.3 1.30 2.26 316

А1 13 81 С б 10 10 71.5 1.23 2.09 314

В таблице ,1 приведены изменения ф(рл) Al ka для различных соотношений атомных номеров пленки и подложки при изменении толщины пленки Al на подложке Аи. С возрастанием толщины пленгч величины поверхностной ионнзцин ф(0) и tp(Rp) уменьшаются, а положение глубины максимума ионизации R,, рентгеновского излучения смещается вглубь мишени, глубина предельной ионизации R, уменьшается. Увеличение атомного номера подложки при фиксированной толщине пленки ведет к увеличению значений ср(0) и и смещению положения Ви к поверхности пленки. Необходимо тметить, что для элементов подложки закономерности изменения tp(pz) другие. Изучение принципов изменения параметров функции <p(pz) для элемента подложки было проведено с помощью метода Монте Карло. Вычисления показали, что увеличение атомного номера элемента пленки ведет к понижению значений <р(рг) подложки по сравнению с гомогенным образцом. Кроме того, на границе 'пленка-подложка' наблюдается локальный пик, более высокий для больших атомных номеров пленки. Было показано, что с ростом атомного номера пленки, количество электронов, прошедших в пленку, уменьшается по сравнению с гомогенном образцом, а их средняя энергия увеличивается. В целом это приводит к уменьшению числа ионизации в подложке. Пик на границе вызван увеличением числа электронов, отражающихся от пленки в подложку. При обратном соотношении атомных номеров пленки и подложки в подложку поступает увеличенное число электронов при одновременном уменьшении средней энергии электрона, причем, эти процессы примерно компенсируют друг друга. Рост толщины пленки с малым атомным номером приводит к уменьшению числ. электроноз, отраженных из пленки в подложку. Результатом этого является понижение уровня <p(pz), происходит как бы 'высвечивание' электронов через пленку с малым атомным номером. Таким образом, в обоих случаях происходит понижение уровня <р(рг), в то время как значения ФГРИ для элемента подложки, согласно методу ZEFF, будут больше, чем для массивной мишени. Разработка специальной модели для элементов подложки станет возможной по мере накопления эксперимента и проведение моделирования. Следует подчеркнуть, что рассмотренные механизмы велики лишь при

большой развице в атомных номерах ( 50 ), что достаточно редко встречается на практике.

Проведенное сравнение расчетов по модели ZEF'í: к-отношений для двухслойных образною с экспериментальными литературными данными показало хорошее совпадение; таким образом,предаагаемая модель гЕРИ обеспечивает сравнительно простую и быструю в шслительную процедуру одновременного определения массовой толщины и состава пленки, нанесенной на подложку известного состава. Можно также отметить, что данная методика может быть использована для расчета параметров буферных и захороненных слоев при условии их малой (до » 0.2йо) толщикы. Даниьш метод был развит для скстем на основе А3В5 и А2В5, при наличии одинаковых элементов в пленке в подложке, приведены результаты анализа таких систем. Определены метрологические характеристики метода. Ошибка определения состава и толщины составляет меньше 10% относительных, нижний предел определения толщины пленки достигает 20А, верхний до 2 микрон. В третьей главе разработана методика определения состава ВТСП материалов на основе У-Ва-Си-О, с этой целью были проведены исследования правильности определения состава в зависимости от ускоряющего напряжения (данные приведены в таблице 2), и определение продольной локальности метода по глубине выхода РИ с учетом поглощения. Анализ показывает ^удовлетворительный расчет поправки в диапазоне ускоряющих напряжений от 5 до 16 кзВ по линии Си Ьа, расхождение составляет от !8 до 26%. Причиной таких расхождений может быть либо систематическая ошибка в данных измерений, либо в некорректной расчетной модели. Наиболее вероятно, что некорректность модели связана с неправильным расчетом поправки на поглощение вследствие либо неадекватного представления р(рг) по глубине, либо использования неправильных значений коэффициентов массового поглощения Си Ьи, известных в этой области с малой точностью. Исследование правильности поведения по глубине, используемой в работе ср(рх), свидетельствует о достаточно хорошем соответствии Си 1м. модельным представлениям. Попытка подбора значений коэффициентов массового поглощения на основе оптимизации для разных ускоряющих

напряжениях оказалась безуспешной, согласование данных для разных составов оказывается возможным лишь при одновременном изменении и поправки на атомный номер. Тахим образом,данная проблема может быть решена лишь на основе получения новых достоверных экспериментальных данных. 3 настоящее время проблема расчет» состава при !0 и 5кэВ может быть достигнута при использовании в качестве зталоьа кристаллов 123. Показана возможность прямыми измерениями определять концентрацию кислорода не хуже, чем х-.25, что позволяет определять наличие сверхпроводящей' фазы. Проведена оценка погрешности измерений, связанных с окислением поверхности эталона.

Таблица 2

Сравнение расчетных и экспериментальных к-отиошений в зависимости от

ускоряющего напряжения.

ПАП гдн Дог*.Интервал Эксперимент Кр/Кэ

93% разные дни

20 кэВ

УЬ 0.0873 0.085 0.082-0.092 1.06 0.95

Ва!. 0.3605 0.3575 ■ 0.377-0.385 0.95 0.93

СиК 0.2794 0.2804 0.275-0.276 1.02 1.01

¡5 кэВ

УЬ 0.0975 0.0943 0.093-0.096 0.092-0.101 1.06 0.96

ВаЬ 0.3489 0.3576 0.35- 0.356 0.35-035 0.99 0.95

СиК 0.2877 0.2979 0.281-0.288 0.28-0.296 1.01 1.03

СиЬ П. 123 0.138 0.093-0.096 0.092-0.102 1.33 0.83

ОК 0.0924 0.086-0.089 0.085-0.096 1.07 0.96

10 кэВ

УЬ 0.1085 0.107 0.103 0.107 0.102 0.118 1.06 0.92

СиК 0.302 0.2979 0.33- 0.337 0.32 0.335 0.940.91

СиЬ 0.1673 0.1769 0.13-0.133 0.132 0.147 1.27 1.14

ОК 0.1304 0.0803 0.224 0.126 0.1 -0.130 1.3 0.99

5 кэВ

УЬ 0.1171 0.1180-Л23 0.109-0.13 1.07 0.90

Си Ь 0.2359 0.201-0.213 0.195-0.22 1.2С 1.07

ОК 0.1942 0.189 -0.194 0,18-0.20 1.08 0.97

Изучение продольной локальности анализа показано, что при 15 кэВ зависимости доли выхода рентгеновского излучения для У Ьа и Си Ка практически совпадают, достигая 0.99 на глубине 0.8 микрон. Зависимость доли выхода Ва 1а имеет меньшие значения по сравнению с V Со. и Си Ка до толщины в 6000А. Это означает уменьшение относительной доли В.! 1«.

расчет без учега этого эффекта приводит к нахождению состава пленок как бы обедненных Ва. Кривая О Ка достигает максимума на глубине 6000Á, при 5000Í имеет значение 0.9S. На глубине 5000Á сумма К-отношений составляет 0.72 от массивной, при 6000Á составляет 0.85. При более низких ускоряющих напряжениях характер поведения кривы* насыщения различных элементов относительно друг друга меняется. Разработанная методика измерения состава была использована для определения профиля распределения состава по глубине отожженных при разном давлении кислорода обогащенных медью ВТСП пленок. Было показано, что в резуль*ате происходит термическая диссоциация ВТСП фазы с выделением окислов на основе СиО в поверхностной области пленок. Оценка профиля распределения состава была проведена на основании измерений для 3 ускоряющих напряжений. Было проведено исследование дефектообразования в области гомогенности YiBajCujOj.i для ВТСП пленок, предназначенных для приборов ВТСП микроэлектроники , Основная идея изучения дефектообразования заключалась в поиске корреляций между локальными значениями температуры перехода и состава в сопоставимых пространственных масштабах. Полученные данные свидетельствуют о том, что отчетливо прослеживаются два разреза с максимальными значениями Тс (хребты) - это (143)-»(110) и (123)-» (105). Два разреза с минимальными значениями Тс (ущелья) соответствуют (123) ->(202) и (123)—>(011). Проведенные исследования позволили провести анализ дефектообразования в ВТСП пленках.

Глава четвертая посвящена исследованию YBaCuO пленок на Si с разделительным подслоем Zr02, полученных разными технологиями. Первая часть главы посвящена исследованию пленок, полученных магнетронным напылением, буферные слои ZrOj были получены методом реактивного магнетронного распыления металлического циркония,а также электронно-лучевого испарения керамики состава (Y¡Oj)u.<»(ZiO.¡)o.8i. Было показано, что буферные слои ZrO¡ , полученные методом магнетронного распыления,обладают дефектами, по которым при нанесении ВТСП слоя происходит диффузия Si, с разрушением ВТСП материала в результате химического взаимодействия. Буферные слои ZrO¡ , полученные

электронно-лучевым испарением , позволили получить пленки, содепжащие включения купрата бария, с Т,. =89 К" и Тс 80 К".

Во второй части главы были исследованы пленки, полученные методом молекулярно-лучевого испарения. В качестве независимых источников использовали У, ВаИг, Си и кислородную плазму. Были получены слои ZrOs на 51(100» в зависимости от температуры подложки и давления кислорода, произведен анализ структуры (методом рентгеновской дифрак-тометрии), состава Хт/О и толщины (РСМД), поверхностной морфологии . (методом сканирующей микроскопии) и электропроводимости. Были найдены и оптимизированы режимы роста, изучены условия формирования УВаСиО пленок на таких подложках. Показано, .что при использовании ВаРг в качестве источника Ва пленки без специальной послерос-товой обработки содержат фтор, имеют большое поверхностное сопротивление и не обладают ВТСП свойствами. Проведенное экспериментальное исследтлание позволило определить режимы удаления фтора в отдельной камере с последующим насыщением пленки кислородом. В Заключении сформулированы основные результаты:

1. На основе предложенной модели функции генерации рентгеновского излучения создан метод одновременного определения состава и толщин тонких пленок методом РСМА, определены метрологические характеристики метода. На основе предложенного метода создана программа.

2. Изучен принцип изменения функции генерации рентгеновского излучения <р(рг) для элементов подложки.

3. Разработана методика РСМА измерения состава, оценки степени неоднородности состава по толщине пленки для ВТСП материалов на основе системы УВаСиО.

4. Выявлена ошибка введения поправок по линии Си Ьа для ВТСП материалов на основе УВаСиО. Получены экспериментальные к-отношения по линии Си 1хх для УВагСизО?., с учетом влияния пленки собственного окисла на поверхности эталона меди при малых ускоряющих напряжениях.

5. Показана возможность определения неоднородности состава по толщине, возникшей в результате термической диссоциации при отжиге в атмосфере

кислорода нестехиомегричкой по Си ВТСП пленки на основе YBaCuO на подложке SrTiOj (110).

6. Произведен поиск корреляций для ВТСП пленок между локальными значениями температуры перехода и состава в . сопоставимых пространственных масштабах. Полученные данные показывают наличие двух разрезов с максимальными значениями Тс (хребты) - (123)-+(1Ю) и (123)-» (105). Два разреза с минимальными значениями Тс (ущелья) соответствуют (Ш)->(202) и (123)->(011).

7. На основе анализа буферных слоев 2гОг на кремнии исследованы режимы роста методом молекулярко-лучевого испарения в зависимости от давления и температуры подложки и выбраны условия роста буферных слоев с минимальным количеством дефектов.

8. Изучены условия формирования пленок на основе YBaCuO ка кремнии с подслоем ZrOi методом магнетрочного распыления и молекулярно-лучевого испарения. В оптимальных условиях роста получены пленки с температурой перехода Тс=84-89 К.

Основные работы диссертации следующие:

1. И.В.Грехов, Л.А.Делимова, М.Л.Кожух, О.К.Семчинова, В.й>.Тргтьяков. Толстые пленки в системе Y-Ba-Cu-O на подложках BaF . Письма в ЖТФ, 1989, т.15, вьга 8, стр.77-80. •

2. Н.А.Берт, В.Ю.Даьыдов, В.К.Еремин, В.В.Третьяков. Диагностика ВТСП материалов и структур. Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции п' физическим оснозам твердотельной электроники. Л.,1989, т.В.стр 3-4.

3. С.В.Казакоз, В.В.Третьяков. Определение состава и толщины эпит&ксиальных сдоев методом рситгеноспектрального микроанализа. Тгзисы докладов 1 Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники. Л., 1989, т В. сгр ! 39-140.

4. S.\ .Kazakov, S.G.Kcnnikov .V.V.Treiyakov. Electron probe microanalysis of thin films on substrate. Abstracts 11th Conference on Analytical Atomic Spectroscopy, M, Ax' USSR, 1990, p.425.

5. И.В.Грехсь, В.Ю.Даеыдов, Л.А Делимова, И .А.Линийчук, О.К С'емчянова, В.В.Третьяков В.П.Улин, Л.Г.Хоха. О некоторых

особенностях роста пленок YBa Си О , получаемых лазерным напь еннем на подложку MgO [100]. СФХТ, тЗ, N10, ч2,1990,стр.2277-2484.

6. Ю.И.Далуда, В.В.Емцев, М.И.Клингер, В.В.Третьяков. Наблюдение 'подпорогового' образования дефекточ в монокристаллическнх пленках

Y Ва Си О.Письма в ЖЭТФ, т^2, вып.10, 1990, стр 1154-1156.

7. S.V.Kazakov, S.G.Konnikov .V.V.Tretyakov. Electron backscattering coefficient for the 'film-substrate' solid system. X-ray Spectrometry, v.19, p.269-274, 1990.

8. В.В.Афросиыов, Г.О.Дзюба, Р.Н.Ильин, М.Е.Лещенко, М.Н.Панов, В.И.Сахаров, И.Т.Серекков, А.В.Суворов, В.В.Третьяков. Исследование поведения тонких пленок системы Bi-Sr-Ca-O на подложках из Si, SiC, MgO при различных температурах отжига. СФХТ, т.4, N9, 1991, стр.1767-1777.

9. С.В.Казаков, С.Г.Конников, В.В.Третьяков. Одновременное определение состава и толщины пленок на подложках методом рентгеноспектрального микроанализа. Изв.' Н СССР, сер физическая, т. 55Д°8, стр. 1621-1631, 199!.

10. V.V.Tretyakov, Electron Probe Microanalysis of Films on Substrate. Abstract of ICXOM13, Manchester, p. 13, 1992.

11. О.В.Смольский, А.Л.Шмаев, Д.В.Синявский, В.Н.Васильеч, Д.В.Денисов, В.В.Третьяков. Формирование Y-Ba-Cu-0 ВТСП пленок на Si методом молекулярно-лучевой эпитаксией. Письма в ЖТФ, 1992, т.18, N10, стр.684-685.

12. М.А.Зеликман, А.С.Катков, В.И.Кржимовскнй, С.В.Козырев,

B.В.Третьяков. Особенности эффекта Джозефсона в мостике из Y-Ba-Cu-O в магнитном и СВЧ полях. СФХТ, 1993, т.7, N1, с.82-90.

13. Л.Г.Сахаров, А.А.Иванов, В.В.Третьяков, С.И.Гояощапов, К.Ф.Ескин, Д.В.Деписов. Формирование пленок YBa Cu О на подложках Si с буферным подслоем ZrO. СФХТ, 1993, тб, N8, стр. 1695-1701.

14. Б-Я.Бер, С.В.Быстров, Д.А.Зушинский, О.В.Корнякова, Ле Туан,

C.В.Новиков, И.Г.Савельев, В.В.Третьяков, В.В.Чалдышев, Ю.В.Шмарцев. О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев InAIAs методом жидкофазной эпитаксии при низких температурах ( 650 С). ФТП, 1993, т27, N 9, стр. 1480-1483.

15. В.В.Третьяков, С.Г.Конников, О.В.Корнякова. Определение состава, толщины и оценка неоднородности состава по толшнне субмнкронных

пленок «а основе Y Вг Си О методом рентгсноспектралького макроанализа. ЖТФ, 1993, хбЗ, в.11, стр.176-181.

16. Y.V.Marautm, N.F.Kartenko, S.'i.Goloschapov, V.V.Tretyafcov, and: P.S.Kop ev. Low te-riperaiure molecular beam epitaxial growth of DyBaCuO superconducting thin films. Appl.Phys.Lett., т64,№15, I994,p. 2031-2033.

17. L.A.Bakaleinikov, V.V.Tretyakov. The influence of elastic and ionization crvss sections approximations on the result of Monte Carlo calculations. Scantling, vl 7, 1995,243- 249.

Отпечатано в типографии ПИЯФ

Зак. 127, тир. 100, уч.-изд. л. 0,8; 25/Ш-1997 г. Бесплатно