Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Резонансно-туннельный диод (Обзор литературы).

Глава 2. Одномерное моделирование резонансно-туннельных диодов и экстракция параметров эквивалентной схемы РТД.

2.1. Введение.

2.2. Описание модели и программы моделирования.

2.3. Процедура вычислений.».

2.4. Эквивалентная схема РТД и экстракция его SPICE параметров из результатов расчётов.

2.5. Обобщённые граничные условия на гетероинтерфейсе в методе огибащих волновых функций.

2.6. Выводы.

Глава 3. Влияние двумерных эффектов связанных с протеканием тока в тонких контактных слоях на ВАХ РТД.

3.1. Введение.

3.2. Описание аналитической модели.

3.3. Сравнение аналитических расчетов с результатами численного моделирования.

3.4. Выводы.

Глава 4. Учет влияния крупных шероховатостей гетероинтерфейса на ВАХ резонансно-туннельных диодов.

4.1. Введение.

4.2. Моделирование шероховатостей гетероинтерфейса методом некогерентного усреднения.

4.3. Исследование применимости метода некогерентного усреднения путем решения двумерного уравнения Шрёдингера в волноводной модели.

4.4. Выводы.

Развитие микроэлектроники характеризуются всё возрастающей сложностью ИС, степень интеграции которых удваивается каждые 18 месяцев согласно закону Мура. Постоянное повышение степени интеграции ИС происходит благодаря успехам фотолитографии и масштабированию элементов схем (транзисторов). Так разрешение используемой в коммерческом производстве фотолитографии (минимальная длина затвора) достигло 11 нм, что соответствует длине канала полевого транзистора 5 нм. Есть все основания полагать, что в ближайшее десятилетие технология сможет обеспечить дальнейшее уменьшение размеров элементов ИС. Однако уже давно ведутся исследования альтернативной элементной базы электроники, прежде всего основанной на использовании квантовых эффектов. Эти работы важны потому, что традиционная микроэлектроника приближается к физическому пределу своих возможностей, связанному с неприменимостью классических представлений на малых размерах, сравнимых с длиной волны электрона. Как отмечается в [1], единственным квантовым прибором готовым на сегодняшний день к массовому использованию в электронике является резонансно-туннельный диод (РТД).

Работа РТД базируется на эффекте резонансного туннелирования носителей заряда через последовательно расположенные полупрозрачные потенциальные барьеры, разделенные квантовыми ямами. РТД сначала были | опробованы как детекторы излучений терагерцового диапазона [2], а затем как высокочастотные генераторы [3]. В работе [4] сообщается о достижении частоты генерации 712 ГГц. Был разработан и создан РТД, максимальная частота генерации которого оценивается в 2.2 ТГц [5]. Экспериментально (электрооптическим методом) наблюдалось переключение РТД из пикового состояния в долинное за 1.5 пс [6]. В настоящее время ведутся активные работы по созданию схем, содержащих РТД, для таких функциональных устройств дециметрового, сантиметрового и миллиметрового диапазонов, как генераторы фиксированной частоты, частотные модуляторы и смесители [7,8]. Необходимо отметить, что не только высокая предельная частота, но и другие характеристики РТД, такие как симметрия его N-образной ВАХ относительно начала координат и пониженный уровень шумов, могут быть практически важными для его применения в уже освоенных диапазонах частот.

Кроме того, в последнее время появилось большое число теоретических и экспериментальных работ, в которых предлагается использовать резонансно-туннельные структуры (РТС) в качестве логических элементов [9]. Монолитный синтез РТС с транзисторными структурами открывает большие возможности в создании приборов со сложными логическими функциями. Подобная интеграция в различных вариантах была осуществлена с полевым транзистором [10,11,12,13] и биполярным транзистором [14,15,16]. Монолитная (планарная или вертикальная) интеграция нескольких РТС позволяет формировать компактные ячейки многозначной логики и многозначной памяти, способные уже сейчас конкурировать с обычными транзисторными ячейками [17,18]. В работе [19] были интегрированы шесть РТД и транзистор с высокой подвижностью электронов на основе InGaAs (high electron mobility transistor -HEMT). В итоге были созданы аналого-цифровой преобразователь и 4-х значный инвертор.

Большие преимущества обещает использование РТД в цифровых интегральных схемах в качестве нелинейной нагрузки для полевых транзисторов. РТД переключаются быстрее, чем НЕМТ (т.е. не ограничивают быстродействия активного прибора), и вертикально интегрируются в сток активного транзистора, не занимая при этом дополнительного места [20]. В 1999 году корпорация Raytheon объявила о завершении разработки полного технологического процесса для создания схем высокой степени интеграции гигагерцового диапазона рабочих частот на основе монолитно-интегрированных РТД и полевых транзисторов - HEMT/RTD [21,22]. РТД позволяют улучшить свойства любых транзисторных электронных схем, поскольку схема, сочетающая в себе РТД и транзисторы, обычно имеет меньшее число элементов, меньшее энергопотребление и более высокое быстродействие, чем чисто транзисторная схема. Присущая РТД (с нагрузкой) бистабильность позволяет создавать триггерные схемы без использования обратной связи. Например, описанная в [21] HEMT/RTD схема имеет площадь в 6 раз, а энергопотребление в 3 раза меньше, чем аналогичные НЕМТ-схемы на частоте 25 ГГц. Благодаря меньшему числу элементов сокращаются также задержки на межсоединениях.

По HEMT/RTD технологии созданы ячейки статической оперативной памяти с нановатным потреблением [23], десятиразрядный сдвиговый регистр, работающий на частоте 2.5 ГГЦ, тактовый генератор на 6.5 ГГц [21], четырёхбитный АЦП на 2 ГГц [24] и другие устройства [25]. Эти примеры ф подтверждают высокую перспективность использования РТД в электронике.

Структуры с РТС (и специальным легированием контактных слоев) обладают свойством хранения информации при комнатной температуре и нулевом приложенном напряжении [26]. Данное явление заключается в наличии двух устойчивых состояний системы отличающихся профилем зоны проводимости из-за различия в распределении заряда и, соответственно, туннельной прозрачностью [27,28]. Каждому состоянию соответствует своя ветвь В АХ, переход между которыми происходит при повышении напряжения. Такие структуры могут быть использованы для изготовления быстродействующих энергонезависимых запоминающих устройств.

Долгое время серьёзным препятствием для применения РТД оставалась низкая воспроизводимость характеристик РТД, которую относили на счёт несовершенства МЛЭ. В последние годы требуемая высокая воспроизводимость была достигнута [1]. Сейчас основной причиной, по которой не происходит массовое внедрение РТД в электронику, является сложность и дороговизна технологии, а также отсутствие опыта разработки схем с РТД у схемотехников. Для упрощения технологии производства, прежде всего, желательно создать планарные РТС [1,29] и недавно произошёл существенный прорыв в данном направлении [30].

Другая проблема заключается в недостаточно высоких статических характеристиках получаемых РТД, вследствие чего они не во всех применениях могут конкурировать с традиционной элементной базой ИС [31]. Важнейшими характеристиками статической (низкочастотной) ВАХ РТД, имеющей Nобразный вид, являются плотность пикового тока Jp и отношение тока в пике 1р к току в долине Iv (отношение пик/долина) — у. Для использования РТД в качестве компонентов СВЧ устройств определяющим параметром является Jp, который определяет частоту и мощность генерации. В данном случае необходимо увеличение плотности пикового тока. Из имеющихся литературных данных

•J А интерес представляют РТД с Jp>\0 А/см . При использовании РТД в цифровых интегральных схемах плотность пикового тока определяется конкретным проектируемым устройством и зависит от размеров изготавливаемых элементов 0 и требуемых мощностных режимов. Принципиальным в данном случае является уменьшение долинного тока, так как /v определяет потребляемую мощность элемента в состоянии логического нуля. Минимизация /у автоматически увеличивает отношение пик/долина. При этом решается проблема надежности регистрации логических уровней в элементах ИС. Рост у также способствует улучшению других статических и динамических характеристик проектируемых устройств. Поэтому основная задача в области создания приборов с резонансным туннелированием заключается в получении воспроизводимым образом относительно больших пиковых плотностей тока (103- 105 А/см2) и отношений пик/долина более 10 при 300 К.

Наряду с экспериментальными исследованиями эффекта резонансного туннелирования возникает необходимость в моделях, которые позволили бы адекватно описать физические процессы, протекающие в структурах и анализировать зависимость электрофизических характеристик приборов от конструктивно-технологических параметров. Такие модели позволяют определить необходимые размеры, подобрать подходящие материалы на этапе разработки РТ приборов, спрогнозировать их итоговые характеристики. Физические модели опираются на экспериментальные данные и, обычно, оформляются в виде компьютерных программ - симуляторов. Полное описание поведения РТС возможно только на языке квантового кинетического уравнения (ККУ), т.к. необходимо учитывать процессы рассеяния. Однако, чрезвычайно высокие требования симуляторов на основе ККУ к вычислительной мощности, делают актуальным использование более простых моделей. Значительное их число основано на решении стационарного уравнения Шрёдингера в приближении однозонного метода эффективной массы. Хотя уже первые модели (Цу и Эсаки) [32] дают качественное совпадение расчетов с экспериментальными данными (наличие N-образной ВАХ), они не в состоянии дать точные количественные характеристики ВАХ РТД. Последние 30 лет ведется работа по улучшению моделей путем учета новых эффектов: самосогласованного накопления заряда в РТД, непараболичности электронного спектра, различных механизмов рассеяния.

Целью данной работы являлось исследование процессов протекающих в РТС и построение адекватных физических моделей туннельно-резонансного транспорта, предназначенных для расчета статических ВАХ РТД, а также его динамических характеристик путем нахождения параметров его спайс-модели. Для чего ставились задачи:

1) Исследование литературы посвящённой РТД, его функционированию и моделированию.

2) Описание взаимодействия РТС с классическим окружением в квазиодномерных структурах, прояснения влияния профиля легирования спейсерных и контактных областей РТД на его ВАХ;

3) Исследование эквивалентных схем РТД, экстракция параметров эквивалентной схемы из результатов физического моделирования и экспериментальных данных;

4) Исследование двумерных эффектов, связанных с растеканием тока в контактных слоях РТД и их влияние на ВАХ;

5) Изучение влияния крупных ступенчатых шероховатостей гетерограниц на ВАХ РТД.

4.4. Выводы

В данной главе рассмотрен метод некогерентного усреднения характреристик участков РТД, соответствующих крупным островкам на гетероинтерфесах РТС. Показано, что использовавшиеся ранее модели не позволяли корректно учитывать влияние крупных островков на характеристики РТД.

На основе представленного метода произведены расчёты характеристик нескольких GaAs/AlojGao^As ДБРТД и ТБРТД, для случая равномерно распределенных больших островков. Оказалось, что контрастность ВАХ, т.е. отношение пикового тока к долинному, уменьшилось всего в два раза в худшем из исследованных случаев. Вместе с тем, происходит значительное уменьшение отрицательной крутизны РТД.

Полученные результаты говорят о превосходстве ТБРТС над ДБРТС, как в случае ограничения суммарной толщины барьеров, так и при ограничении длины структуры в целом. Если величина флуктуаций положения гетерограниц не превышает ±1 м.с. для GaAs/Alo^GaojAs, то это превосходство сохраняется, несмотря на большую чувствительность ТБРТС к наличию островков на гетерограницах. Требуемый уровень качества гетерограниц может быть обеспечен современной эпитаксиальной технологией. Следует отметить, что данные результаты были получены без учета накопления заряда в РТС и зависимости прозрачности от перпендикулярной оси роста составляющей к, и рассеяния.

В разделе 4.3. исследовано влияние шероховатости гетероинтерфейса на туннельную прозрачность и ВАХ РТД путём решения двумерного уравнения

Шрёдингера в волноводе. Исследована зависимость отличия ВАХ РТД полученных методом некогерентного усреднения и прямого расчёта ВАХ для структуры с половинной ступенькой на интерфейсе от её величины. С увеличением ширины волновода, ВАХ структуры типа половинная ступенька приближается к ВАХ полученной методом некогерентного усреднения, но для долинного тока ДБРТД это происходит на порядок медленнее, чем для пикового. Так же существует зависимость от Ер-Ес. Таким образом, прямое сравнение некогерентного и когерентного подходов к учету влияния шероховатостей гетероинтерфейса на ВАХ РТД подтверждает применимость некогерентного подхода при вычислении токов в структурах Alo.3Gao.7As/GaAs с шероховатостями в виде крупных островков (с размерами больше (порядка) 1000

А).

Заключение

В диссертации получены следующие основные результаты:

1. Разработана квазиодномерная гибридная квантово-классическая модель для расчёта электрофизических характеристик РТД с учётом контактных слоев. Исследовано влияние положения границ квантовой и классических областей на ВАХ РТД. Показано, что положение границы квантовой области (ГКО) в эмиттере сильно влияет на расчётные характеристики РТД, а положение ГКО в коллекторной - слабо. Получен критерий выбора положения ГКО, что позволило значительно улучшить соответствие результатов расчёта и экспериментальных ВАХ. Сопоставление результатов расчёта с экспериментальными данными позволило уточнить параметры МЛЭ-роста гетероструктур.

2. Решена задача выбора эквивалентной схемы РТД для схемотехнического моделирования. Проведено исследование эквивалентных схем РТД для большого сигнала. В результате была выбрана эквивалентная схема с квантовой индуктивностью, поскольку она лучше других описывает динамические характеристики РТД. Эквивалентная схема РТД с квантовой индуктивностью для большого сигнала впервые была сформулирована в терминах зарядов и потоков, что позволило обойти трудности связанные с возникновением бесконечной индуктивности и уменьшить ошибки, возникающие в ходе численного решения. Описан метод экстракции параметров эквивалентной схемы РТД из результатов физического моделирования и экспериментальных ВАХ.

3. Показано, что обобщённые граничные условия в методе огибающей волновой функции могут приводить к появлению новых физических эффектов, не описываемых «стандартными» граничными условиями. Продемонстрировано подбарьерное резонансное туннелирование на одиночном прямоугольном барьере. В то же время, для таких гетероструктур как GaAs/AlGaAs, недиагональные элементы матрицы переноса малы по сравнению с диагональными, что оправдывает использование «стандартных» гранусловий при моделировании приборов.

4. Впервые построена аналитическая модель, описывающая эффект двумерного растекания тока в РТД с боковыми контактами. Показано, что ВАХ РТД может сильно изменяться из-за двумерных эффектов: происходит искажение формы ВАХ, уменьшается средняя плотность пикового и растёт средняя плотность долинного токов, по сравнению с квазиодномерной структурой. Выделены факторы и получены аналитические выражения, позволяющие провести быструю оценку влияния двумерных эффектов на ВАХ РТД.

5. Представлен и обоснован метод учёта влияния шероховатостей гетероинтерфейса в виде крупных островков на ВАХ РТД, путём некогерентного усреднения ВАХ однородных участков. Проведены расчеты РТД на основе GaAs/Alo.3Gao.7As, показавшие незначительное ухудшение контрастности ВАХ при значительном уменьшении модуля ОДП.

6. Изучено влияние шероховатостей гетероинтерфейсов на туннельные прозрачности и ВАХ одно и двухбарьерных РТС путём решения двумерного уравнения Шрёдингера. Результаты моделирования подтвердили применимость метода некогерентного усреднения ВАХ для учёта влияния шероховатостей в виде крупных островков.

В заключение, я хочу выразить благодарность людям, которые оказали мне наибольшую помощь при подготовке диссертации: моему научному руководителю - Александру Алексеевичу Горбацевичу; Вадиму Михайловичу Колтыженкову, с которым я тесно работал несколько лет и который написал практически весь код программы моделирования QDEV использованной мною для одномерного моделирования РТС; Владимиру Васильевичу Капаеву, который не жалел времени на обсуждение возникавших у меня вопросов и предоставившего программу решения двумерного уравнения Шрёдингера в волноводе; Павлу Игоревичу Бирюлину подтолкнувшего меня к работе над третьей главой диссертации; также я благодарен Сергею Сергеевичу Шмелёву за информацию по технологии А3В5 и помощь в получении экспериментальных данных.

1. European Commission 1ST programme Future and Emerging Technologies, Technology Roadmap for Nanoelectronics, Second Edition, November 2000.

2. Sollner T.C., Goodhue D.W., Tannenwald P.E., Parker C.D., Peck D.D. Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, p. 588.

3. Brown E.R., Sollner T.C., Tannenwald P.E., Goodhue D.W., Chen C.L. High speed resonant tunneling diodes Proc. SPIE 1989, v. 2, p. 943.

4. Brown E.R., Soderstrom J.R., Sollner T.C.G., Mahoney L.J., Molvar K.M., McGill T.C. Oscillations up to 712 GHz in InAs/AlSb resonant tunneling diodes. Appl. Phys. Lett. 1991, v. 58 (20), pp. 2291-2293.

5. Shimizu N., Nagatsuma Т., Waho Т., Shinagawa M., Yaita M., Yamamoto M. Ino.53Gao.47As/AlAs resonant tummeling diodes with switching time of 1.5 ps. Electronics Letters, 14 September 1995, Vol. 31, No. 19, pp. 1695-1697.

6. Bouregba R., Lippens D., Palmateer L., Bockenhoff E., Bogey M., Destombes J.L., Lecluse A. Frequency maltiplication using resonant tunneling diode with output at submillimetre wavelengths Electron. Lett. 1990, v. 26, p. 1804.

7. Brouwn E.R., Parker C.D, Resonant tunneling diodes as submillimetre wave sources Phil. Trans. Roy. Soc. London A. 1996, v. 354, p. 2365.

8. Yokoyama N., Imamura K., Muto S., Hiyamizu S., Nishi H. A new functional resonant tunneling hot electron transistor (RHET) Jpn. J. Appl. Phys., 1985, v. 24, p. L853.

9. Woodward Т.К., McGill T.C., Burnham R.D. Experimental realization of a resonant tunneling transistor Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50, p. 451.

10. Woodward Т.К., McGill T.C., Chung H.F., Burnham R.D. Integration of resonant tunneling structure with a metal-semiconductor field-effect transistor -Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 1542.

11. Chen K.J., Akkeyoshi Т., Maezawa K. Monolitic integration resonant tunneling diodes and FET's for monostable-bistable transition logic elements (MOBILE'S) IEEE Electron Dev. Lett., 1995, v. 16, p. 70.

12. Capasso F., Sen S., Cho A. Negative transconductance resonant tunneling field-effect transistor-Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51, p. 526.

13. Seabaugh A.C., Beam E.A., Taddiken A.H., Randall J.N., Kao Y.-C. Co-integration of resonant-tunneling and double heterojunction bipolar transistors on InP IEEE Electron Dev. Lett., 1993, Vol. 14, No. 10, pp. 472-474.

14. Moise Т., Kao Y.-C., Seabaugh A.C., Taddiken A.H. Integration of resonant-tunneling transistors and hot-electron transistors IEEE Electron Dev. Lett., 1994, v. 15, p. 254.

15. Raychaudhuri A., Deen M.J. New state storage scheme for analog signals using four-state resonant tunneling devices. Electron. Lett. 1993, Vol. 29, pp. 14351437.

16. Seabaugh A.C., Kao Y.C., Yuan H.T. Nine-state resonant tunneling diode memory IEEE Electron Dev. Lett. 1992, v. 13, p. 479.

17. Takao W., Chen K.J., Masafumi Y. A novel functional logic circuit using resonant-tunneling devices for multiple-valued logic applications Jpn. J. Appl. Phys. Pt.l, 1997, v. 36, p. 1818.

18. Robertson J., Ytterdal Т., Peatman W.C.B., Tsai R.S., Brown E.R., Shur M. RTD/2-D MESFET logic element for compact, ultra-low-power electronics -IEEE Electron Device Lett. 1997, v.44 (7), pp. 1033-1039.

19. Seabaugh A., Brar. В., Broekaert Т., Morris F., van der Wagt P., Frazier G. Resonant-tunneling mixed-signal circuit technology Solid-State Electronics 1999, v. 43, pp. 1355-1365.

20. Seabaugh A., Deng X., Brar. В., Broekaert Т., Morris F. and Frazier G. Transistors and Tunnel Diodes For Analog/Mixed-Signal Circuits and Embedded Memory (invited) IEDM, December 8, 1998, San Francisco.

21. Wagt J.P.A., Sebaugh A.C., Beam E.A. III. RTD/HFET Low Standby Power SRAM Gain Cell. IEEE Electron Device Letters, Vol. 19, No. 1, January 1998, pp. 7-9.

22. Broekaert Т. P. E., Brar В., Seabaugh A. C., Frazier G. Resonant tunneling technology for mixed signal and digital circuits in the multi-GHz domain. Proc. Ninth Great Lakes Symp. on VLSI, (1999).

23. Gullapalli K.K., Tsao A.J., Neirik D.P. Experimental observation of multiple current-voltage curves and zero-bias memory phenomena in quantum well diodes with n"-n+-n* spacer layers Appl.Phys. Lett. 1993, v. 62 (22), pp. 2856-2858.

24. Gullapalli K.K., Tsao A.J., Neirik D.P. Multiple self-consistent solutions at zero bias and multiple conduction curves in quantum tunneling diodes incorporating N'-Nf-N" spacer layers Appl.Phys. Lett. 1993, v. 62 (23), pp. 2971-2973.

25. Buot F.A., Rajagopal Binary information storage at zero bias in quantum-well diodes J. Appl. Phys. 1994, v. 76 (9), pp. 5552-5560.

26. Chen C.L., Mathews R.H., Mohoney L.J., Maki P.A., Molvar K.M., Sage J.P., Fitch G.L., Sollner T.C.L.G. New Self-Aligned Planar Resonant-Tunneling Diodes for Monolithic Circuits. IEEE Electron Device Letters, Vol. 18, No. 10, October 1997, pp. 489-491.

27. Shen J., Kramer G., Tehrani S., Goronkin H. Static random access memories based on resonant interband tunneling diodes in the InAs/GaSb/AlSb material system IEEE Electron Dev. Lett., 1995, v. 16, p. 178.

28. Tsu R., Esaki L. Tunneling in a finite superlattice Appl. Phys. Lett. 1973, v. 22 (11), pp. 562-564.

29. Долманов И.Н., Толстихин В.И., Еленский В.Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием Зарубежная Радиоэлектроника 1990, (7), стр. 66-89.

30. Ferry D.K., Grubin H.L. Modeling of Quantum Transport in Semiconductor Devices. Solid State Physics Volum 49, pp. 283-448, ISBN 0126077495, Hardback, 436 Pages, Academic Press, Published January 1996.

31. Einspruch N. G. and Frensley W. R., editors, Heterostructure and Quantum Devices, a volume of VLSI Electronics: Microstructure Science, Academic Press, San Diego, 1994.

32. Sun J.P., Haddad G.I., Mazumder P., Schulman J.N. Resonant Tunneling Diodes: Models and Properties. Proceedings of the IEEE, Vol. 86, No. 4, April 1998, pp. 641-661.

33. Chang L.L., Ludeke R. Molecular beam epitaxy. In: Epitaxial growth. / Ed. J.W. Matthews, 1975. - New York: Academic, pt. A, chapt. 2.2.

34. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галия М. Мир, 1991, 632 с.

35. Inosako К., Matsunaga К., Okamoto Y., Kuzuhara М. Highly efficient double-doped heterojunction FET's for battery-operated portable power applications -IEEE Electron Device Lett. 1994, v. 15, p. 248.

36. Wang Q., Wang Y., Longenbach K.F., Yang E.S., Wang W.I. AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with a two-dimensional electron gas emitter -Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, p. 2582.

37. Simmmons J.A., Blount М.А., Moon J.S., Lyo S.K., Baca W.E., Wendt J.R., Reno J.L., Hafich M.J. Planar quantum transistor based on 2D-2D tunneling in double quantum well heterostructures J. Appl. Phys. 1998 v.84, p. 5626.

38. Kawamura Y., Wakita K., Mikami O. InGaAs/InAlAs bistable quantum well lasers with large on/off using the resonant tunneling effect Appl. Phys. Lett., 1988, v. 53, p. 1462.

39. Kirstaedter N. Schmidt O.G., Ledentsov N.N., Bimberg D., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Maximov M.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, p. 1226.

40. Shen H., Wraback M., Pamulapati J., Dutta M., Newman P.G., Ballato A. Normal incidence high contrast multiple quantum well light modulator based on polarization rotation Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, p. 2908.

41. Levine B.F. Quantum well infrared photodetectors J. Appl. Phys. 1993, Vol. 74, No. 8, pp. R1-R81.

42. Шур M. Физика полупроводниковых приборов, том 2, М., «Мир», 1992.

43. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М. «Энергия», 1970, 320 е., стр. 9.

44. Chang L.L., Esaki L., Tsu R., Resonant tunneling in semiconductor double barriers Appl. Phys. Lett. 1974, v. 24, p. 593.

45. Macks L.D. et al. Resonant tunneling in double-quantum-well triple-barrier heterostructures Phys. Rev. B. 1996, v. 54, №7, pp. 4857-4862.

46. Cheng P., Harris J.S. Effect of doping in AlAs barrier layers of AlAs-GaAs-AlAs double-barrier resonant-tunneling diodes Appl. Phys. Lett. 1989, v. 55 (6), pp. 572-574.

47. Huang C.J., Paulus M.J., Bozada С.А., Dudle S.C., Evans K.R., Stutz C.E., Jones R.L., Cheney M.E. AlGaAs/GaAs double barrier diodes with hihg peak-to-valley current ratio Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51 (2), pp. 121-123.

48. Mehdi I., Haddad G. Lattice matched and pseudomorphic In0.53 Gao.47As/AlAs/InxAli.xAs resonant tunneling diodes with high current peak-to-valley ratio for millimeter-wave power generation, J. Appl. Phys. 1990, v. 67 (5), pp. 2643-2646.

49. Riechert H., Bernklau D., Reithmaier J.-P., Schnell R.D. MBE growth and post-qrowth annealing of GaAs-based resonant tunneling structures, viewed in relation to interface roughness. Journal of Crystal Growth 111 (1991), pp. 11001104.

50. Broekaert T.P.E., Lee W., Fonstad C.G. Pseudomorthic Ino.53Gao.47As/ALA.s7inAs resonant tunneling diodes with peak-to-valley current ratio as 30 at room temperature J. Appl. Phys. 1988, v. 53, p. 1545.

51. Smet J.H., Broekaert T.P.E., Fonstad C.G. Peak-to-valley current ratio as 50:1 at room temperature in pseudomorthic Ino.53Gao.47As/AlAs/InAs resonant tunneling diodes J. Appl. Phys. 1992, v. 71, p. 2475.

52. Moise T.S., Kao Y.-C., Katz A.J., Broekaert T.P.E. Celii F.G. Experimental sensitivity analysis of pseudomorphic InGaAs/AlAs resonant-tunneling diodes -J. Appl. Phys. 1995, v. 78 (10), pp. 6305-6317.

53. Tominaga K. et al. Valance band modulation in the InGaAs/InAlAs superlattices with tensilely strained wells grown on InGaAs substrate on GaAs Jpn. J. Appl. Phys. l.Regul. Rap. Short Notes 1996, Vol. 35, No. 2B, pp. 1209-13.

54. Frensley W. R. Boundary conditions for open quantum systems driven far from equilibrium Rev. Mod. Phys. 1990, v. 62, pp. 745-791.

55. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: «Зинатне», 1986.

56. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, ^ приборов и схем. Москва: Высшая школа, 1989.

57. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС, Москва: «Радио и связь», 1991.V

58. Кейн Е.О. Основные представления о туннелировании, в сборнике «Туннельные явления в твердых телах» под ред. Бурштейна Э. и Лундквиста С., М. Мир 1973, глава 1, стр. 9-19.

59. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. (серия: «Теоретическая физика» т.З), Квантовая механика. Нерелятивистская теория, М. Наука 1974, 754 с.

60. Ricco В., Azbel M.Ya. Physics of resonant tunneling. The one-dimensional bouble-barrier case. Phys. Rev. B, Vol. 29 (4), 15 February 1984, pp. 1970-1980.

61. Luryi S. Frequency limit of double-barrier resonant-tunneling oscillators, Appl. Phys. Lett., 1985, Vol. 47, No. 5, pp. 490-492.

62. Weil T, Vinter B. Equivalance between resonant tunneling and sequential tunneling in double-barrier diodes Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50, p.1281.

63. Hu Y., Stapleton S. Sequential tunneling versus resonant tunneling in a double-barrier diode J. Appl. Phys. 1993 v.73 (12), pp. 8633-8636.

64. V74<~ Zakharova A. and Gergel V. Resonant tunneling in type II heterostructures. Solid State Communications, Vol. 96, No. 4, pp. 209-213, 1995.

65. Цибизов А.Г. Расчет сложных резонансно-туннельных структур Тезисы докладов межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика - 96», М. МГИЭТ (ТУ) 1997, 272 е., стр. 29.

66. Bowen C.R., Klimeck G., Lake R.K., FrenslayW.R., Moise T. Quantitative simulation of resonant tunneling diode J. Appl. Phys. 1997, v.81 (7), pp.32073212.

67. Goldman V.J., Tsui D.C., Cunningham J.E. Resonant tunneling in magnetic fields: Evidence for space-charge buildup. Phys. Rev. В., vol. 35, no. 17, 15 June 1987-1, pp. 9387-9390.

68. Goldman V.J., Tsui D.C., Cunningham J.E. Observation of intrinsic bistability in resonant-tunneling structures Phys. Rev. Lett. 1987, v. 58 (12), pp.1256-1259.

69. Solner T.C.L.G. Comment on "Observation of intrinsic bistability in resonant-tunneling structures" and Reply of Goldman, Tsui and Cunningham Phys. Rev. Lett. 1987, v. 58 (14), pp.1622-1623.

70. Shred F.W., Toombs G.A. Space-charge buildup and bistability in resonant-tunneling double-barrier structures Appl. Phys. Lett. 1988, v.52 (15), pp. 12281230.

71. Luryi S. Quantum capacitance devices Appl. Phys. Lett. 1988, v. 52 (6), pp. 501-503.

72. Ohnishi H., Inata Т., Muto S., Yokoyama N., Shibatomi A. Self-consistent analysis of resonant tunneling current Appl. Phys. Lett. 1986, v. 49 (19), pp. 1248-1250.

73. Cahay M., McLennan M., Datta S., Lundstrom M.S. Importance of space-charge effects in resonant tunneling devices Appl. Phys. Lett. 1986, v. 50 (10), pp. 612-614.Щ

74. David Yuk Kei Ко, Inkson J.C. Matrix method for tunneling in heterostructures: resonant tunneling in multilayer systems Phys.Rev. B. 1988, v. 38 (14), pp. 9945-9951.

75. Ting D. Z.-Y., Yu E.T., McGill T.C. Multiband treatmant of quantum transport in interband tunnel devices Phys. Rev. B. 1992, v. 45 (7), pp.3583-3592.

76. Luo L.F., Beresford R., Wang W.I. Interband tunneling in polytype GaSb/AlSb/InAs heterostructures. Appl. Phys. Lett. 55 (19), 6 November 1989, pp. 2023-2025.

77. Sweeny M., Xu J. Resonant interband tunnel diodes Appl.Phys.Lett. 1989, v. 54 (6), p. 546-548.

78. Day D.J., Chung Y., Webb C., Ecksttein J.N., Xu J.M., Sweeny M. Double quantum well resonant tunnel diodes Appl. Phys. Lett. 1990, v. 57 (12), pp. 1260-1261.

79. Day D.J. Yang R.Q., Lu J., Xu J.M. Experimental demonstration of resonant interband tunneling diode with room temperature peak-to-valey current ratio over 100 - J. Appl. Phys. 1993, v. 73 (3), pp. 1542-1544.

80. Tsai H.H., Su Y.K., Lin H.H., Wang R.L., Lee T.L. P-N Double quantum well resonant interband tunneling diode with peak-to-valley current ratio of 144 at room temperature IEEE Electron Device Lett. 1994, v. 15 (9), pp. 357-359.

81. Ting D.Z.-Y., Collins D.A., Yu E.T., Chou D.H., McGill T.C. Large peak current densities in novel resonant interband tunneling heterostructures Appl. Phys. Lett. 1990, v. 57 (12), pp. 1257-1259.

82. Yang C.C., Huang K.-C., Su Y.-K. High peak-to valley current ratio GaAs/InGaAs/InAs double stepped quantum well resonant interbend tunneling diodes at room temperature Jpn. J. Appl. Phys. 1996, v. 35, pp. L535-L537.

83. Кейн E.O., Блаунт Е.И. Межзонное туннелирование, в сборнике «Туннельные явления в твердых телах» под ред. Бурштейна Э. и Лундквиста С., М. Мир 1973, глава 6, стр. 81-94.

84. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Издательство «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, М., 1972 г., 584 стр. с илл.

85. Ансельм А.И. Введение в терорию полупроводников М. Наука 1978, 616 с.

86. Bastard G., Brum J.A., Ferreira R. Electronic states in semiconductor heterostructures Solid State Physics 1991, v. 44, pp. 229-415.

87. Ryzhii V. and Zhakharova A. Tunneling processes in broken-gap heterostructures. Semicond. Sci. Technol. 7 (1992), pp. 980-984.

88. Ryzhii V. and Zhakharova A. Semiclassical theory of interband tunneling in semiconductor heterostuctures. Semicond. Sci. Technol. 8 (1993), pp. 377-382.

89. Zhakharova A., Ryzhii V. and Pesotskii V. Semiclassical interband tunneling probability in semiconductor heterostuctures. Semicond. Sci. Technol. 9 (1994), pp. 41-48.

90. Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V., Goronkin H., Tehrani S. Self consistent modeling of the current-voltage characteristics of resonant tunneling structures with type II heterojunctions J. Appl. Phys. 1997, v. 82 (5), pp. 2421-2426.

91. Enders P., Barwolff A., Woerner M., Suisky D. k-p theory of energy bands, wave functions, and optical selection rules in strained tetrahedral semiconductors. Phys. Rev. B, Vol. 51, No. 23, 15 June 1995-1, pp.l6695-16704.

92. Steir O., Bimberg D. Modeling of strained quantum wires using eight-band k*p theory. Phys. Rev. B, Vol. 55, No. 12,15 March 1997-11, pp.7726-7732.

93. Liu Y.X., Ting D.Z.-Y., McGill T.C. Efficient, numerically stable k-p treatment of quantum transport in semiconductor heterostructures. Phys. Rev. B, Vol. 54, No. 8, 15 August 1996-11, pp.5675-5683.

94. Герчиков JI.Г., Рожков Г.В., Субашиев А.В. Зонная структура сверхрешеток полупроводника с вырожденной валентной зоной ЖЭТФ 1992, т. 101, стр. 143-161.

95. Nelson D.F., MillerR.C., Kleinman D.A. Band nonparabolicity effects in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B, Vol. 35, No. 14, 15 May 1987-1, pp.7770-7773.

96. Mayer H., Rossler U. Spin splitting and anisotropy of cyclotron resonance in the conduction band of GaAs. Phys. Rev. B, Vol. 44, No. 16, 15 October 1991-11, pp. 9048-9051.

97. Winkler R., Rossler U. General approach to envelope-function approximation based on a quadrature method Phys. Rev. B. 1993, v. 48 (12), pp. 8918-8927.

98. Zhang C., Lerch M.L.F., Martin A.D., Simmonds P.E., Eaves L. Plasmon Assisted Resonant Tunneling in a Double Barrier Heterostructure. Phys. Rev. Lett., Vol. 72, No. 21, 23 May 1994, 3397-3400.

99. Roblin P., Liou W.-R. Three-dimensional scattering-assisted tunneling in resonant-tunneling diodes. Phys. Rev. В., Vol. 47, No. 4, 15 January 1993-11, pp. 2146-2161.

100. Chevior F., Vinter B. Scattering-assisted tunneling in double-barrier diodes: Scattering rates and valley current. Phys. Rev. В 47, Issue 12 15 March 1993, pp. 7260-7274.

101. Klimeck G., Lake R. and Blanks D.K. Role of interface roughness scattering in self-consistent resonant-tunneling-diode simulations, Phys. Rev. B, Vol. 58, No. 11, pp. 7279-7285.

102. Martin F., Garcia-Garcia J., Oriols X., Sune J., Coupling between the Liouville equation and a classical Monte Carlo solver for the simulation of electron transport in resonant tunneling diodes- Solid-State Electronics 1999, v. 43, pp. 315-323.

103. Jensen K.L., Buot F.A. The methodology of simulating particle trajectories through tunneling structures using a Wigner distribution approach IEEE Electron Devices 1991, v. 38 (10), pp. 2337-2347.

104. Горбацевич А.А., Колтыженков B.M., Цибизов А.Г. Расчет ВАХ РТД с учетом контактных областей Электроника и информатика - XXI век.

105. Третья Международная научно-технической конференция: Тезисы докладов. М. МИЭТ, 2000, 556 е., стр. 49-50.

106. Горбацевич А.А., Колтыженков В.М., Цибизов А.Г., Моделирование резонансно-туннельных структур с учетом классического окружения, Известия вузов. Электроника № 4, 2001, стр. 61-69.

107. Под ред. Айнспрука Н., Уиссмена У. Арсенид галия в микроэлектронике М. Мир, 1988, 555 с.

108. Mott N.F. The transition to the metallic state Philos. Mag. 1961, v. 6 (62), pp. 287-312.

109. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников М. Наука 1977, 672 е., глава XVII, стр. 567.

110. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников М. Наука 1977,672 е., глава V, стр. 170.

111. Pavesi L., Guzzi M. Photoluminescence of AlxGaixAs alloys J. Appl. Phys. 1994, v. 75 (10), pp. 4779-4842.

112. Fiig Т., Jauho A.P. Self-consistent model for two-dimensional accumulation layer states in resonant tunneling devices Appl. Phys. Lett. 1991, v. 59 (18), pp. 2245-2247.

113. Zhiping Yu, Robert W. Dutton, Richard A. Kiehl. Circuit/Device Modeling at the Quantum Level. IEEE Transactions on Electron Devices 2000; vol. 47 no 10, pp. 1819-1825.

114. Полторацкий Э.А., Рынков Г.С. Характер терагерцовых колебаний в резонансно-туннельных структурах. Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 23, стр. 84-89.

115. Baraff G.A. Model for the effect of finite phase-coherence length on resonant transmission and capture by quantum wells Phys.Rev. В 1998, v. 58 (20), pp. 13799-13810.

116. Becker P.C., Fragnito H.L., Brito Cruz C.H., Fork R.L., Cunnigham J.E., Henry J.E., Shank C.V. Femtosecond photon echoes from band-to band transitions in GaAs Phys. Rev. Lett. 1998, v. 61 (14), pp.1647-1649.

117. Carnahan R.E., Martin K.P., Higgins R.J., Park B.G., Wolak E., Lear K.L., Harris J.S Jr. Г-Х intervallay tunneling in GaAs/AlAs resonant tunneling diode under uniaxial stress Semicond. Sci. Technol. 1994, v. 9, pp. 500-503.

118. Finley J.J., Teissier R.J., Shcolnik M.S., Cockburn J.W., Roberts G.A., Gray R., Hill G., Pate M.A., Planel R. Role of the X minimum in transport through AlAs single-barrier structures Phys. Rev. B. 1998, v. 58 (16), pp. 10619-10628.

119. Tammaro D., Hess K., Capasso F. Г-Х phonon-assisted thermionic currents in the GaAs/AlxGai.xAs interface system J. Appl. Phys., v. 73 (12), pp.8536-8542.

120. Solner T.C.L.G., Brown E.R., Goodhue W.D., Le H.Q. Observation of millimeter-wave ascillations from resonant tunneling diodes and some theoretical considerations of ultimate frequency limits Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50 (6), pp. 332-334.

121. Brown E.R., Parker C.D., Solner T.C.L.G. Effect of quasibond-state lifetime on the oscillation power of resonant tunneling diodes Appl. Phys. Lett. 1989, v. 54 (10), pp. 934-936.

122. Woolard D.L., Buot F.A., Rhodes D.L., Lu X.J., Lux R.A., Perlman B.S. On the different roles of hysteresis and intrinsic oscillations in resonant tunneling structures J. Appl. Phys. 1996, v. 79 (3), pp. 1515-1525.

123. Wei Т., Stapleton S., Berolo E. Equivalent circuit and capacitance of double barrier resonant tunneling diode J. Appl. Phys. 1993, v. 73 (2), pp. 829-834.

124. Wei Т., Stapleton S., Berolo E. Scattering Parameter Mesurements of Resonant Tunneling Diodes Up to 40 GHz, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 42, no. 7, July 1995, pp. 1378-1380.

125. Wei Т., Stapleton S., Berolo O. Capacitance and hystaresis study of AlAs/GaAs resonant tunneling diode with asymmetric spacer layers J. Appl. Phys. 1995, v. 77 (8), pp. 4071-4076.

126. Genoe J., Van Hoof C., Van Roy W., Smet J.H., Fobelets K., Mertens R.P., Borghs G. Capacitances in Double-Barrier Tunneling Structures, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 38, no. 9, September 1991, pp. 2006-2011.

127. Liou W.-R., Roblin P., High frequency simulation of resonant tunneling diodes, IEEE Transactions on Electron Devices, 1994, vol. 41, No. 7, pp. 1098-1110.

128. Kindlihagen A., Mal'shukov A.G., Chao K.A., Wilander M. Intrinsic admittance of unipolar double-barrier resonant-tunneling structures, Phys. Rev. B, 15 October 1998-11, Vol. 58, No. 16, pp. 10602-10608.

129. Schulman J.N., De Los Santos H.J., Chow D.H. Physics-based RTD current-voltage equation, IEEE Electron Device Letters, May 1996, Volume 17, Issue 5, pp. 220-222.

130. Lake R., Yang J. A Physics Based Model for the RTD Quantum Capacitance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 50, NO. 3, MARCH 2003, pp. 785-789

131. Tsuchiya M., Matsusue Т., Sakaki H. Tunneling escape rate of electrons from quantum well in double-barrier heterostructures Phys. Rev. Lett. 1987, v. 59 (20), pp. 2356-2359.

132. Jackson M.K., Johnson M.B., Chow D.H., McGill T.C., Nieh C.W. Electron tunneling time measured by photoluminescence exitation correlation spectroscopy Appl. Phys. Lett. 1989, v. 54 (6), pp. 552-554.

133. Wei Т., Staplton S. Effect of spacer layers on capacitance of resonant tunneling diodes J. Appl. Phys. 1994, v. 76 (2), pp. 1287-1290.

134. Савельев И.В. Курс физики: Учеб.: В 3-х т. Т. 2: Электричество. Колебания и волны. Волновая оптика. -М. Наука. 1989, 464 е., стр. 85.

135. Елесин В.Ф. К теории когерентной генерации резонансно-туннельного диода. ЖЭТФ, т. 116, вып. 2 (8), стр. 704-716, (1999).

136. Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Подливаев А.И. Высокочастотный отклик и нелинейная теория когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия, ФТП, том. 36, вып. 9, стр. 1133-1137, (2002).

137. Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures, Wiley, New York, 1988.

138. Foreman B.A. Exact effective-mass theory for heterostructures, Phys. Rev. В., 1995, V. 52, pp. 12241-12259.

139. Тахтамиров Э.Е., Волков B.A. Обобщение метода эффективной массы для полупроводниковых структур с атомарно резкими гетеропереходами, ЖЭТФ, 1999, т. 116, №5(11), с. 1843.

140. Foreman B.A. Connection Rules versus Differential Equations for Envelope Functions in Abrupt Heterostructures, Phys. Rev. Lett., 1998, vol. 80, pp. 38233826.

141. Zhu Q.-G., Kroemer H. Interface connection rules for effective-mass wave functions at an abrupt heterojunction between two different semiconductors, Phys. Rev. В., 1983, vol. 27, pp. 3519-3527.

142. Ando Т., Mori S. Effective-mass theory of semiconductor heterojunctions and superlattices, Surf. Sci., 1982, vol. 113, pp. 124-130.

143. Горбацевич А.А., Токатлы И.В., Цибизов А.Г. Обобщенные граничные условия: интерфейсные состояния и подбарьерное туннелирование, (У Известия РАН. Серия Физическая, том. 66, № 2, с. 261-263, 2002 г.

144. Tokatly I.V., Tsibizov A.G., Gorbatsevich A.A. Interface electronic states and boundary conditions for envelope functions. Phys. Rev. B, Volume 65, Issue 16, \J 15 April 2002, 165328.

145. Balian R., Bessis D., Mezincescu G.A. Form of kinetic energy in effective-mass Hamiltonians for heterostructures, Phys. Rev. B, 1995, vol. 51, pp. 17624-17629.

146. Сурис P.A., ФТП, 1986, т. 20, с. 2008.

147. Горбацевич А.А., Токатлы И.В. Интерфейсные электронные состояния в полупроводниковых гетероструктурах. Письма в ЖЭТФ, 1998, т. 67, вып. 6, стр. 393-398.

148. Kroemer Н., Nguyen С., Brar В. Are there Tamm-state donors at the InAs-AlSb quantum well interface?, J. Vac. Sci. Technol. В., 1992, V. 10, No. 4, pp. 17691772.

149. Ando Т., Wakahara S. and Akera H. Connection of envelope functions at semiconductor heterointerfaces, Phys. Rev. B, 1989, V. 40, No. 17, pp. 11609

150. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. JL, 1986,

151. Рыжий В.И., Хмырова И.И. Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах, ФТП, т. 22, в. 7, 1988, стр. 1277-1282.

152. Рыжий В.И., Косатых О.В., Толстихин В.И., Хмырова И.И. О механизме неоднозначности вольтамперных характеристик транзисторов с резонансным туннелированием горячих электронов, Микроэлектроника, т. 18, вып. 2, 1989, стр. 147-152.11633.248 с.

153. Косатых О.В., Хмырова И.И. К теории эффекта вытеснения тока в гетеротранзисторах с горячими электронами, Микроэлектроника, т. 18, вып. 2, 1989, стр. 153-157.

154. Рыжий В.И., Хмырова И.И. Неоднозначность вольтамперных характеристик биполярных гетеротранзисторов с туннельно-резонансным эмиттером, ФТП, т. 25, в. 4,1991, стр. 637-643.

155. Biryulin P.I., Gorbatsevich A.A., Tsibizov A.G. Current spreading in contact layers and model for 2D numerical calculation of resonant-tunneling diode, Solid State Electronics, 2003, Vol. 47, No. 5, pp. 769-774.

156. Суханов А.А., Ткач Ю.Я. Уравнения для распределения поверхностного потенциала в двумерных слоистых системах, ФТП, т. 18, в. 7, 1984, стр. 1277-1279.

157. Chevior F., Vinter В. Scattering-assisted tunneling in double-barrier diodes: Scattering rates and valley current. Phys. Rev. В 47, 7260-7274, Issue 12-15 March 1993.

158. Hirakawa К., Noda Т., Sakaki H. Interface roughness in AlAs/GaAs quantum wells characterized by the mobility of two-dimensional electrons. Surface Science 196 (1988), pp. 365-366.

159. Sakaki H., Noda Т., Hirakawa К., Tanaka M., Matsusue T. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells. Appl. Phys. Lett. 51 (23), 7 December 1987, pp. 1934-1936.

160. Prange R.E., Tsu-Wei Nee, Quantum Spectroscopy of the Low-Field Oscillations in the Surface Impedance. Physical Review, Vol. 168, No. 3, 15 April 1968, pp. 779-786.

161. Ando Т., Fowler A.B., Stern F. Electronic properties of two-dimensional systems. Reviews of Modern Physics, Vol. 54, No. 2, April 1982, pp. 437-672.

162. Warwick C.A., Jan W.Y., Ourmazd A., Harris T.D. Does luminiscence show semicinductor interface to be atomically smooth? Appl. Phys. Latt. 56 (26), 25 June 1990, pp. 2666-2668.

163. Tanahashi K., Kawamura Y., Inoue N., Homma Y., Osaka O. Surface-roughening processes in GaAs MBE studied by in situ scanning electron microscopy. Journal of Crystal Growth 188 (1998), pp. 205-210.

164. Franke Т., Kreutzer P., Zacher Th., Naumann W., Anton R. In situ RHEED, AFM, and REM investigations of the surface recovery of MBE-grown GaAs(001)-layers during growth interruptions. Journal of Crystal Growth 193 (1998), pp. 451-459.

165. Nosho B. Z., Weinberg W. H., Zinck J. J., Shanabrook В. V., Bennett B. R. and Whitman L. J. Structure of InAs/AlSb/InAs resonant tunneling diode interfaces. J. Vac. Sci. Technol. В 16, No. 4, Jul/Aug 1998, pp.23 81-23 86.

166. Анискин Ю.П., Моисеева H.K. Методические указания для курсовых работ «Планирование многофакторных экспериментов» М. МИЭТ, 1981.

167. Горбацевич А.А., Капаев В.В., Колтыженков В.М., Цибизов А.Г. Многобарьерные резонансно-туннельные структуры. Известия вузов. Электроника № 3, 1998, стр. 39-47.

168. Stoica A., Klimeck G., Salazar-Lazaro С., Keymeulen D., Thakor A. Evolutionary Design of Electronic Devices and Circuits. Proceedings of the 1999 Congress on Evolutionary Computation, IEEE, CEC 99, Vol. 2, pp. 1271-1278.