Роль поверхностных фаз в формировании межфазовых границ на кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

1. Экспериментальные методы исследования и аппаратура.

1.1. Введение.

1.2. Дифракция медленных электронов

1.3. Электронная оже-спектроскопия.

1.4. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами

1.5. Экспериментальное оборудование.

1.6. Приготовление образцов и получение атомарно-чистой поверхности.

2. Формирование межфазовых границ металл - кремний

2.1. Введение

2.2. Свойства чистой поверхности 81(111)

2.3. Поверхностные фазы Аи на 81(111).

2.3.1. Взаимодействие тонких слоев золота с кремнием при комнатной температуре.

2.3.2. Взаимодействие тонких слоев золота с кремнием при высокой температуре

2.4. Поверхностные фазы Ag на 81(111).

2.4.1. Взаимодействие тонких слоев серебра с кремнием при комнатной температуре.

2.4.2. Взаимодействие тонких слоев серебра с кремнием при высокой температуре.

2.5. Поверхностные фазы 1п на 81(111).

2.5.1. Взаимодействие тонких слоев индия с кремнием при комнатной температуре.

2.5.2. Взаимодействие тонких слоев индия с кремнием при высокой температуре

2.6. Выводы.

3. Формирование межфазовых границ в процессе роста эпитаксиальных пленок Ре и Мп на кремнии.

3.1. Введение.

3.2. Поверхностные фазы Бе на 81(111)

3.2.1. Взаимодействие тонких слоев железа с кремнием при комнатной температуре.

3.2.2. Поведение системы Ре-81(111) при высокой температуре.

3.3. Поверхностные фазы Мп на 81(111).

3.3.1. Взаимодействие тонких слоев марганца с кремнием при комнатной температуре.

3.3.2. Поведение системы Мп-81(111) при высокой температуре.

3.4. Выводы.

4. Формирование межфазовых границ в процессах диффузии и десорбции

4.1. Введение.

4.2. Гетеродиффузия золота на поверхности кремния.

4.3. Гетеродиффузия индия на поверхности кремния.

4.4. Изотермическая десорбция индия с поверхности кремния.

4.5. Двумерная эпитаксия.

4.6. Выводы.

5. Формирование межфазовых границ в процессах совместной адсорбции на кремнии атомов двух типов.

5.1. Введение.

5.2. Формирование поверхностных фаз в системе 81(111)-(АиДп).

5.2.1. Совместная адсорбция атомов Аи и 1п на 81(111) при комнатной температуре.

5.2.2. Совместная адсорбция атомов Аи и 1п на 81(111) при высокой температуре

5.3. Формирование поверхностных фаз в системе 81(111)-(Аи,

§).

5.3.1. Совместная адсорбция атомов Аи и Ag на 81(111) при комнатной температуре.

5.3.2. Совместная адсорбция атомов Аи и

§ на 81(111) при высокой температуре

5.4. Формирование поверхностных фаз в системе 81(111)-(

§,1п).

5.4.1. Совместная адсорбция атомов Ag и 1п на 81(111) при комнатной температуре.

5.4.2. Совместная адсорбция атомов Ag и 1п на 81(111) при высокой температуре

5.5. Выводы.

Основные результаты работы.

Примечание.

Актуальность темы

Стимулирующим фактором развития исследований полупроводниковых поверхностей и границ раздела является общая тенденция к миниатюризации полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. В ряде случаев геометрические размеры рабочих элементов таковы, что структура поверхности и границ раздела играет определяющую роль в работе соответствующих устройств. Одной из основных задач фундаментальных исследований атомной и электронной структуры поверхностей, а также атомных и электронных процессов на поверхности является обнаружение явлений и эффектов, которые могут быть использованы для создания принципиально новых полупроводниковых приборов. Уже в настоящее время решение задачи уменьшения размеров полупроводниковых приборов привело к появлению таких направлений, как нанотехнология и наноэлектроника. Современное развитие физики поверхности полупроводников тесно связано с успехами полупроводниковых технологий, использующих сверхвысокий вакуум и позволяющих получать атомарно-чистые гладкие поверхности и атомарно-резкие границы раздела. Достижения в этой области определяются и появлением новых методов исследования, таких, как дифракция медленных электронов, оже-электронная спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, фото- и рентгеновская эмиссионная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронами и т.д., которые успешно сочетаются с традиционными электрофизическими и оптическими методами.

Хотя в ряде случаев влиянием поверхности на объем в первом приближении можно пренебречь, что и оправдывает использование представления о безграничном твердом теле, во многих других ситуациях сами объемные свойства существенно определяются поверхностью. Особенно это относится к полупроводникам. В многообразных технологических применениях твердых тел часто используются именно поверхностные свойства - механические свойства металлических конструкций, электрические свойства в электронике, химические в процессах катализа, оптические в приборостроении и т.д. Здесь объем образца играет лишь роль подложки, которую можно заменить на какую-либо иную. В тех же случаях, когда выбор материала определяется его объемными свойствами, часто оказывается, что свойства естественной поверхности не пригодны и возникает необходимость модификации ее или создания искусственной поверхности с требуемыми свойствами. По этим причинам было разработано множество способов обработки поверхности, такие как ионная бомбардировка, лазерное облучение или покрытие слоем чужеродного материала.

Поверхность в микроскопическом смысле слова, т.е. атомарно-чистую гладкую поверхность можно представить себе, как резкий переход от объема кристалла к идеальному вакууму. Если прилегающей средой является не вакуум, а другое твердое тело, то мы имеем границу раздела. Переход между двумя твердыми телами может быть резким и тогда мы имеем резкую границу раздела. Если переход оказывается нерезким, получается размытая граница или переходная область. Подобная переходная область получила термин «интерфейс». Во всех реальных ситуациях мы имеем «покрытые» поверхности вместо чистых и интерфейсы вместо резких границ раздела. Вытекающий отсюда важный вывод состоит в том, что основной целью исследований поверхности твердого тела должно быть установление закономерностей, которым подчиняются свойства покрытых поверхностей и нерезких границ раздела. Возможность успеха в этом деле основана на радикальном упрощении сложных реальных систем, изучении возникающих при этом моделей с последующим поэтапным введением в рассмотрение отброшенных ранее осложняющих элементов, пока не будет достигнута требуемая степень приближения к реальной задаче. Модели, используемые в современной науке о поверхности, в первую очередь относятся к атомарно-чистым поверхностям и резким границам раздела. Реальные поверхности и границы раздела существенно отличаются от модельных представлений. По этой причине, а также потому, что свойства границ раздела в значительной мере формируются на начальной стадии ее образования, именно эта начальная стадия является чрезвычайно важной для исследований.

На поверхности, как и в объеме твердого тела, процессы протекают в сторону установления термодинамического равновесия, при котором направленное перемещение атомов отсутствует, то есть в сторону образования фазы, в данном случае поверхностной, находящейся в состоянии равновесия с объемной фазой. Поверхностная фаза это тонкий слой, порядка атомных размеров, в состоянии термодинамической устойчивости, который обладает своей электронной и кристаллической структурой и свойствами. На атомарно чистой поверхности монокристалла формируется поверхностная фаза из собственных атомов (например, 81(111)-7х7). При осаждении инородных атомов в пределах монослоя в равновесных условиях образуется поверхностная фаза - новое вещество, в состав которого входят как собственные атомы, так и атомы примеси. Поверхностной фазе, как и объемной присущи области температурной и концентрационной устойчивости. Для формирования конкретной поверхностной фазы необходимо определенное количество примесных атомов. При этом следует различать атомы входящие в состав поверхностной фазы и атомы избыточные, находящиеся в состоянии адсорбции на поверхности фазы. Это различие определяет природу всех поверхностных процессов и явлений. Среди других свойств геометрическая структура поверхностных фаз является важнейшей характеристикой, позволяющей их идентифицировать.

Бурное развитие физики поверхности твердых тел привело к тому, что из традиционного материаловедения выделилось самостоятельное направление - двумерное материаловедение. Здесь, также как и в объемном материаловедении, можно говорить об образовании двумерных соединений, сплавов, твердых растворов, их фазовой диаграмме и структуре. На начальном этапе предметом исследования были чистые поверхности и формирующиеся на них поверхностные фазы. Исследование субмонослойных пленок при адсорбции инородных атомов и образующихся при этом двухкомпонентных поверхностных фаз стало логическим продолжением. В настоящее время появляется все больше работ, в которых изучаются процессы, происходящие при адсорбции двух и даже трех сортов атомов. Это направление получило название - коадсорбция.

Для создания и исследования чистых поверхностей твердых тел необходимо выполнение двух условий. С одной стороны, необходимы методы приготовления поверхностей, которые позволили бы улучшить их чистоту и структурное совершенство, приблизив их к идеальной атомарно-чистой до такой степени, чтобы любые последующие усовершенствования методов исследования приводили лишь к незначительным изменениям измеряемых параметров поверхности. Очевидно, что требуемой чистоты можно достичь только в условиях сверхвысокого вакуума (10"10-10"11 Тор). С другой стороны, необходимы методы анализа химического состава и структуры на атомарном уровне. Эти методы должны быть совместимы со сверхвысоким вакуумом, иметь достаточно высокую чувствительность и не изменять состояние самой поверхности.

Основные представления о поверхностных фазах

На атомарно-чистой поверхности монокристалла атомы имеют меньшее число соседей, чем в объеме. Валентные связи в верхнем слое не насыщены, и оказываются энергетически выгодными перестроенные структуры, в которых поверхностные атомы сдвинуты со своих мест. При этом перестройка имеет периодический характер и возникают двумерные сверхструктуры (или сверхрешетки) с периодом, отличающимся от объемного. Примером может служить грань (111) кремния, полученная сколом в вакууме. На такой грани формируется сверхрешетка (2x1). Размеры элементарных векторов сверхрешетки указаны по отношению к их значению в плоскости (111) объема. Такая структура не стабильна и нагрев до 300°С приводит к необратимой перестройке в структуру (7x7) [1] с периодом в семь раз больше, чем период атомной плоскости Si(l 11) в объеме. Известно, что эта структура проявляет металлические свойства, тогда как массивный кремний является классическим полупроводником.

При адсорбции различных атомов также наблюдается перестройка поверхности, причем большинство из исследованных веществ образует структурно упорядоченные слои на начальных стадиях адсорбции [2]. Например, при осаждении атомов золота на поверхности (111) кремния в равновесных условиях последовательно формируются сверхрешетки (5x1), (V3xV3) и (6x6) [3].

В обоих случаях тонкая приповерхностная область твердого тела обладает не только особой кристаллографической структурой, но и другими физическими и химическими характеристиками, такими как энергетический спектр, электронные свойства, работа выхода, термодинамика и т.д., отличающимися от объемных свойств подложки и вещества адсорбата, а также их объемных соединений [4]. Такую приповерхностную область, находящуюся в равновесном состоянии с кристаллической подложкой, принято называть поверхностной фазой (ПФ). Каждой упорядоченной ПФ соответствует определенный состав, т.е. определенная концентрация адсорбата. Однако конкретная ПФ может существовать в некотором диапазоне концентраций (область гомогенности ПФ), что обусловлено наличием таких структурных дефектов, как вакансии или адатомы. За пределами области гомогенности в термодинамически равновесных условиях происходит фазовый переход в менее плотную или более плотную фазу [5-7].

Для описания двумерных решеток обычно используют два метода. Первый из них предложен Парком и Мадденом [8] и состоит в определении матрицы, которая устанавливает связь между примитивными векторами трансляций сверхрешетки и исходной (нереконструированной) решетки. Если а и Ь векторы трансляций исходной решетки, а а5 и Ь3 векторы трансляций поверхностной фазы (сверхрешетки), то связь между ними может быть выражена в виде а3 = Сп а + С[2Ъ

Ъ^С1Хъ + С22Ъ (0.1) где четыре коэффициента Сц образуют требуемую матрицу =

0.2)

С21 с22

Второй метод для описания двумерных решеток был предложен Вудом [9]. Этот метод широко используется в настоящее время, хотя он и менее строгий по сравнению с матричным обозначением. В описании Вуда приводится отношение периодов реконструированной и нереконструированной поверхностей и угол поворота решеток друг относительно друга. Например, если адсорбат А приводит к реконструкции поверхности (ИкГ) с формированием сверхрешетки с векторами трансляций а3 = та, Ь3 = пЪ и углом поворота ф, то такая структура обозначается, как Б\(ЬкГ)т х п-Яф°-А. В случае если ячейка центрированная обозначение будет с(т х п). Следует отметить, что обозначение Вуда хорошо описывает случай, когда угол поворота один и тот же для обоих векторов трансляций. Если это не так, то только матричное обозначение дает корректное описание суперструктуры. Тем не менее, в литературе и для таких структур используют обозначение Вуда. В этом случае его обычно дополняют соответствующим комментарием, а обозначение структуры заключают в кавычки, например "т х п".

В качестве примера рассмотрим поверхностную фазу, образованную при адсорбции 1/3 монослоя В1 на поверхности 81(111) [2,10] Атомное строение этой фазы показано схематически на рис.1,а. Здесь светлые кружочки соответствуют верхним атомам 81 плоскости 81(111), а темные атомам Вт Решетка этой поверхностной структуры в реальном пространстве показана на рис.1,Ь. В матричной форме эта структура обозначается, как

81(111)

2 1 -1 V

-В1, а в форме Вуда 81(111)л/3 х л/З-ЮТ-Вь

Рис.0.1. (а) Модель строения ПФ. (Ь) Решетка ПФ в реальном пространстве, (с) Картина дифракции медленных электронов от ПФ.

При формировании поверхностной фазы атомы подложки играют существенную роль. С одной стороны, упорядочение атомов адсорбата происходит в потенциальном рельефе подложки. В результате периодичность ПФ в большинстве случаев кратна периодичности подложки. С другой стороны, атомы подложки неизбежно участвуют в формировании ПФ, так как, даже когда самый верхний слой атомов не содержит атомов подложки, должна происходить перестройка (или релаксация) нескольких ниже лежащих слоев подложки. Таким образом, процесс формирования, структура и свойства ПФ определяются взаимодействием атомов адсорбата друг с другом, взаимодействием атомов адсорбата с подложкой и взаимодействием между собой приповерхностных атомов подложки.

Сверхрешетки на поверхности образуют домены с различной ориентацией в плоскости подложки, что аналогично двойникованию в объеме. Формирование ПФ при увеличении концентрации адатомов происходит одновременно в различных точках поверхности. Зародыши ПФ разрастаются вдоль плоскости подложки, пока границы отдельных доменов не соприкоснуться. Поэтому, при анализе структуры, например с помощью дифракции медленных электронов, симметрия электронограммы не всегда однозначно связана с симметрией ячейки поверхностной суперструктуры. Скажем, если на поверхности с осью симметрии четвертого порядка располагается сверхрешетка с осью второго порядка, на поверхности существуют домены, повернутые на 90°. Сложение дифракционных картин от доменов различной ориентации дает суммарную картину с четверной симметрией.

Как уже отмечалось, каждая поверхностная фаза существует в определенном температурном диапазоне и определенном интервале концентраций адсорбата. Если изменение состава или температуры превышает некий предел стабильности данной фазы, происходит фазовый переход. На начальном этапе адсорбции, когда количество адатомов мало, они хаотично расположены на поверхности и образуют как бы двумерный газ. При этом исходная структура поверхности подложки сохраняется. По мере увеличения концентрации адатомов, при достижении некоторой критической плотности, адатомы начинают взаимодействовать между собой и возникают зародыши ПФ, которые постепенно разрастаются и полностью заполняют поверхность. Дальнейшее увеличение концентрации приводит к накоплению адатомов, которые находятся в состоянии адсорбции на ПФ («двумерный газ»). При некоторой критической плотности этих атомов в отдельных местах поверхности происходит формирование зародышей новой, более плотной ПФ. В итоге, вся поверхность будет покрыта этой новой ПФ [11].

Наиболее удобной формой представления данных об условиях формирования и области стабильности поверхностных фаз является фазовая диаграмма, построенная в координатах «покрытие - температура». Для построения фазовой диаграммы производится последовательное осаждение адсорбата на подложку при фиксированной температуре. Одновременно контролируется структура поверхности (например, с помощью дифракции медленных электронов или дифракции быстрых электронов на отражение). Повторяя этот процесс при различных температурах, определяют области существования различных фаз. Другой способ состоит в том, что адсорбат осаждается на подложку при комнатной температуре и затем образец отжигается при возрастающей температуре. На каждом этапе повышения температуры наблюдают за изменением структуры. Серия экспериментов с различными порциями адсорбата позволяет построить фазовую диаграмму. Еще один способ состоит в наблюдении структурных изменений на поверхности в процессе десорбции адсорбата, предварительно осажденного на подложку в достаточно большом количестве.

Все выше сказанное относится к двухкомпонентным ПФ, состоящим из атомов адсорбата и атомов подложки. Добавление второго адсорбата может существенным образом изменить характер взаимодействия атомов на поверхности. Если для одного адсорбата направление процесса определяется энергией взаимодействия адсорбат -адсорбат, подложка - подложка и адсорбат - подложка, то при осаждении двух веществ дополнительно имеет место взаимодействие атомов второго адсорбата с подложкой, друг с другом и с атомами первого адсорбата. При этом важное значение приобретает соотношение энергий взаимодействия атомов адсорбатов с подложкой и друг с другом.

Если на поверхности П находится достаточное количество атомов типа А и атомов типа Б и энергия связи в поверхностной фазе П-А больше, чем П-Б, атомы типа Б будут находится в состоянии адсорбции на фазе П-А. Поведение атомов Б может быть различным. Они могут образовать «двумерный газ», собраться в островки (кластеры) или десорбировать с поверхности. Иными словами адсорбат А вытесняет адсорбат Б. Например, если предварительно сформированную ПФ 81(111)^Зхл/3-А§ подвергнуть экспозиции в водороде, образуется структура 81(111)1х1-Н(А§) [12,13], а вытесненные атомы Ag агломерируют, образуя островки.

Если энергия взаимодействия А-Б велика, а П-А и П-Б существенно меньше, образуется химическое соединение А-Б. В этом случае, если адсорбат А сам образует химическое соединение с подложкой, то добавление адсорбата Б может привести к замещению атомов подложки в этом соединении атомами Б. Примером может служить взаимодействие алюминия с пленками нитрида кремния [14,15]. При осаждении А1 на ПФ 81(111)8х8-Ы и отжиге при Т=700-800°С, атомы А1 вытесняют кремний из связи БШ и образуют структуру 81(111)7х7-(А1,М), которая соответствует сжатой на 4% плоскости (0001) объемного нитрида алюминия. Эта субмонослойная пленка практически не связана с кремнием и может быть легко десорбирована с поверхности.

Если оба адсорбата имеют близкие энергии взаимодействия с подложкой, а между собой не образуют химического соединения, то при совместной адсорбции может происходить формирование трехкомпонентных ПФ или двумерных сплавов. При коадсорбции алюминия и золота на кремнии происходит формирование упорядоченного двумерного сплава переменного состава А1хАи с 0,5< х <2,0. Этот сплав имеет структуру 81(111)2х2-(А1,Аи) [16]. По отдельности ни алюминий, ни золото на кремнии подобной структуры не образуют. Встречаются также ситуации, когда атомы А образуют двумерную решетку на поверхности фазы, сформированной на подложке атомами Б. В той же системе А1-Аи-81(1 И) атомы А1 образуют сверхрешетку (3x3) на ниже лежащей ПФ 81(111)л/Зхл/3-Аи [16].

Химическое соединение АБ при адсорбции на подложке может дисоциировать и образовать как совместную трехкомпонентную ПФ, так и фазы отдельных адсорбатов. Так при термическом взаимодействии аммиака с поверхностью кремния происходит формирование нитрида кремния со структурой 81(111)8х8-К [17].

Поверхностные фазы проявляют себя в различных процессах на поверхности, таких как начальные стадии роста пленок, поверхностная диффузия, десорбция, поверхностная проводимость и т.д. Изучение роли поверхностных фаз и процессов, сопровождающих их формирование, является актуальной задачей современной физики поверхности монокристаллов.

Цель работы

Цель работы состояла в исследовании начальных стадий формирования межфазовых границ металл-кремний в термодинамически равновесных и неравновесных условиях и изучении той роли, которую играют поверхностные фазы в этих процессах. Для решения поставленной задачи предполагалось:

-развитие методов экспериментального исследования поверхностных процессов; -исследование закономерностей формирования поверхностных фаз металл-кремний при молекулярно лучевой и твердофазной эпитаксии;

-исследование закономерностей формирования межфазовых границ при адсорбции атомов двух типов (коадсорбция);

-сравнение процессов формирования межфазовых границ при различных способах доставки адсорбата на поверхность (адсорбция, коадсорбция, поверхностная диффузия); -исследование изменений, происходящих на межфазовой границе при уменьшении концентрации адатомов металла в результате десорбции.

С другой стороны в работе предполагалось получение конкретной количественной информации о происходящих при формировании межфазовых границ процессах: -построение фазовых диаграмм двухкомпонентных систем Ме-Би -построение фазовых диаграмм трехкомпонентных систем Ме]-Ме2-81;

-определение кинетических характеристик поверхностной диффузии и десорбции;

Для решения этих задач были выбраны такие адсорбаты, как золото, серебро, индий, железо и марганец, представляющие значительный интерес для практических приложений, как в области существующих технологий полупроводниковых приборов, так и перспективных.

Научная новизна

Работа содержит новые экспериментальные и методические результаты, наиболее важные из которых следующие:

-исследованы закономерности формирования межфазовых границ при выращивании тонких пленок золота, индия, серебра на 81(111) при комнатной и высокой температуре; -определены условий формирования эпитаксиальных слоев железа, марганца и их силицидов на 81(111) при комнатной и высокой температуре;

-исследованы закономерности формирования межфазовых границ при совместном осаждении атомов Аи и Ag, Аи и 1п, Ag и 1п на 81(111) при комнатной и высокой температуре;

-определены условия формирования трехкомпонентных поверхностных фаз в системе (Аи,А§)-81(111), (Аи,1п)-81(111) и (Ag,In)-Si(l 11) и построены их фазовые диаграммы; -предложена методика анализа распределения диффундирующих вдоль поверхности атомов при совместном использовании методов ЭОС, ДМЭ и ХПЭЭ; -введены представления о формировании монокристаллических и поликристаллических поверхностных фаз и предложен способ формирования однодоменной Г1Ф; -определены константы, характеризующие поверхностную гетеродиффузию золота и индия на 81(111);

-определены константы, характеризующие десорбцию индия с поверхности 81(111);

Краткое содержание работы

В первой главе дано описание экспериментальных методов исследования, использованных в данной работе, а также экспериментального оборудования и методик проведения экспериментов и обработки полученных данных. В главе рассматриваются физические основы методов Электронной оже-спектроскопии (ЭОС), Дифракции медленных электронов (ДМЭ) и Спектроскопии характеристических потерь энергии электронами (ХПЭЭ), обосновывается применение этих методов для решения конкретных задач данной работы, при этом особое внимание уделено количественному анализу.

Во второй главе представлены результаты исследования поверхностных фаз (ПФ), формирующихся при адсорбции атомов золота (Аи), серебра (Ag) и индия (1п) на монокристаллической поверхности (111) кремния. В первом разделе главы исследованы свойства чистой поверхности 81(111). Оже-спектры кремния и системы золото-кремний, а также данные по ХПЭЭ сравнивались с литературными данными, полученными методами фотоэлектронной спектроскопии (ФЭС) и рентгеновской электронной спектроскопии (РЭС) и расчетами плотности электронных состояний в наружной энергетической полосе. Показано, что при комнатной температуре (ЯТ) пленка золота растет по механизму квази-Странски-Крастанова, т.е. после формирования «монослоя» начинают расти трехмерные островки. Роль «монослоя» в этом случае играет двумерный силицид АщЗь При осаждении атомов Аи на 81(111) при Т=400-ь900°С или в результате последующего отжига в зависимости от количества золота формируются ПФ: 81(111)5x1-Аи; 81(111)^Зх^З-1130о-Аи; 81(111)бх6-Аи. Атомы Аи, избыточные по отношению к наиболее плотной фазе, собираются в трехмерные полусферические островки, представляющие собой эвтектический сплав золото-кремний. При Т>850°С становится заметной десорбция атомов Аи и происходит трансформация более плотной ПФ в менее плотную, т.е. (6x6) с островками в (6x6) без островков, затем в (л/3хл/3)11300 и (5x1) и, наконец, в (7x7).

Как и в случае с золотом, осаждение атомов Ад на 81(111) при К.Т в широком диапазоне покрытий не приводит к образованию упорядоченных структур. По мере увеличения концентрации атомов Ag формируются двумерные кластеры, которые разрастаясь смыкаются между собой, образуя домены. Атомы внутри доменов упорядочены, а сами домены ориентированы относительно подложки. Плотность атомов в кластерах выше, чем плотность атомов 81 в поверхностном слое, и заполнение поверхности происходит при 0д8~1,4 МЬ. Формируется сплошной двумерный поликристалл. Дальнейшее увеличение покрытия приводит к образованию плоских трехмерных островков серебра на поверхности двумерных кластеров. В отличие от золота не происходит перемешивание атомов и 81 на границе раздела и не образуется силицид. Отжиг образца с предварительно напыленной пленкой при Т=250ч-550°С приводит к формированию ПФ 81(111)3x1 -Ад; при 0Аё=1/3 МЬ или 81(11 1)л/Зхл/3-Я30о^ при Эд§=1 МЬ. При больших покрытиях на поверхности фазы 81(111)л/Зх^З-КЗО°-Ад формируются эпитаксиально ориентированные микрокристаллы серебра, дающие ДМЭ картину Ag(l 11)1x1.

При осаждении атомов 1п на 81(111) при 11Т на поверхности образуются микрокристаллы, примерно одинаковые по величине (5ч-8 мкм) и занимающие -7% площади поверхности (при 0=10 МЬ). Пространство между микрокристаллами покрыто атомами Ag с толщиной меньше монослоя. Анализ ХПЭЭ спектров показывает, что формируется ПФ, близкая по локальному атомному расположению и составу к 81(111)1х1-К30°-1п, но неупорядоченная. Эта ПФ играет роль «монослоя» в механизме роста пленки индия по квази-Странски-Крастанову. Отжиг такой пленки приводит к установлению дальнего порядка и появлению ДМЭ картина (1x1)1130°. Сь при этом не изменяется. Осаждение индия на горячую (300-н600°С) поверхность или отжиг предварительно напыленной пленки приводит в зависимости от количества индия к формированию ПФ 81(111)7х7-1п, 81(111)^3x^3-К30°-1п, 81(111)л/31хл/31-К9°-1п, 81(111)4x1-1п, 81(111)^7x^3 -1п и 81(111)1х1-1130о-1п. В работе проведен анализ различных структурных моделей для ПФ, формирующихся на поверхности кремния (111) с участием атомов Аи, Ag и 1п.

Третья глава посвящена исследованию поведения атомов Ье и Мп на 81(111). На самом начальном этапе осаждения атомов Ье при ЯТ образуется ПФ 81(111)7х7-Ье. При дальнейшем увеличении покрытия атомы Ье постепенно заполняют всю поверхность, образуя сплошной монослой. При этом ПФ 81(111)7х7-Ье разрушается, а монослой железа повторяет объемную структуру кремния, т.е. является эпитаксиальным. В дальнейшем растет послойно эпитаксиальная пленка (механизм Франка - Ван дер Мерве). При больших толщинах вследствие несоизмеримости решеток в пленке возникают латеральные напряжения, приводящие к тому, что пленка начинает расти в виде отдельных блоков, одинаково ориентированных в азимутальной плоскости. При высокой температуре (400-600°С), в зависимости от количества железа, образуются три различные поверхностные структуры. Если 0ге<1 МЬ, формируется поверхностная фаза 81(111)2х2-Ре. Если 1МЬ<0ре<2 МЬ, образуется двумерный силицид Ре81 со структурой

81(111)л/3х'^3-11300-ре. Если количество железа больше, чем 2 МЬ, растет объемный дисилицид Ре81г со структурой 81(111)1x1-Ре.

Характер взаимодействия атомов Мп с поверхностью 81(111) при ЯТ определяется кинетической энергией поступающих атомов. Ниже некоторого порогового значения имеет место упорядоченная адсорбция с формированием фазы 81(111)7х7-Мп. Атомы, избыточные по отношению к фазе, собираются в трехмерные островки (механизм Странски - Крастанова). Выше порога происходит разрушение ПФ 81(111)7x7, и атомы Мп заполняют поверхность, образуя сплошной упорядоченный слой со структурой 81(111)1x1-Мп. Дальнейшее осаждение приводит к послойному росту эпитаксиальной пленки (механизм Франка-Ван дер Мерве). При еще большей величине кинетической энергии поступающих атомов Мп происходит перемешивание атомов 81 и Мп, и начинает расти неупорядоченный силицид. Отжиг (Т=350°С) предварительно напыленной пленки в зависимости от количества марганца приводит к формированию поверхностных фаз 81(111)7х7-Мп (0Мп«О,2 МЬ) или 81(111)1х1-Мп (0Мп«1,О МЬ). Увеличение покрытия (0мп>1 МЬ) приводит к послойному росту эпитаксиальной пленки со структурой (1x1). Если же при комнатной температуре произошло перемешивание атомов 81 и Мп и образовался объемный силицид, отжиг приводит к формированию эпитаксиального силицида со структурой 81(111)^Зхл/3-Мп. При осаждении Мп на горячую поверхность (Т=350°С), не зависимо от скорости осаждения, происходит формирование фазы 81(111)7х7-Мп. Все избыточные атомы Мп собираются в трехмерные микрокристаллы.

Описанные в четвертой главе результаты экспериментального исследования поверхностной гетеродиффузии и изотермической десорбции призваны продемонстрировать роль поверхностных фаз и фазовых переходов, происходящих при изменении концентрации адатомов, в поведении адатомов и процессах формирования межфазовых границ. Изменение двумерной структуры субмонослойных пленок при увеличении концентрации адатомов приводит к изменению свойств поверхности и, соответственно, кинетических характеристик адсорбции. Меняется в связи с этим и поведение адатомов. Фазовые переходы реализуются не только в процессе осаждения атомов на поверхность в термодинамически равновесных условиях или при десорбции, но могут также происходить локально при наличие потока адатомов вдоль поверхности вследствие градиента химического потенциала.

При экспериментальном изучении закономерностей поверхностной диффузии необходимо знать распределение концентрации диффундирующих атомов вдоль поверхности на разных этапах изотермического отжига. Через щелевую маску в центре образца напылялась полоска Ме шириной -1,0 мм и толщиной 10-20 МЬ. Полоска должна была служить источником диффундирующих атомов, моделируя «источник бесконечной мощности», т.е. количество Ме в полоске на всех этапах процесса должно быть много больше количества диффундирующего Ме.

В первой части главы представлены результаты исследования гетеродиффузии золота. Распространение золота за пределы полоски становится заметным начиная с Т=650°С. Кривые распределения концентрации САи, полученные при разных температурах отжига не являются монотонными, а состоят из отдельных участков, имеющих различный наклон. Характер распределения меняется с возрастанием температуры. На кривых выделяются три участка, где поверхность полностью покрыта: ПФ 81(111^3-Аи; ПФ 81(111)5х1-Аи; является собственно кремниевой. Диффузионный поток вдоль этих участков определяется градиентом концентрации «надфазных» атомов. Диффузия происходит путем броуновского блуждания этих адатомов, образующих двумерный газ, в то время как атомы Аи, образующие решетку (5x1) или (л/Зхл/З), остаются относительно неподвижными. Распределение «надфазной» концентрации в пределах каждого участка определяется обычным уравнением диффузии. Анализ кривых распределения и решение соответствующих уравнений позволили найти температурную зависимость коэффициентов диффузии.

Из данных по изотермической десорбции следует, что энергия связи адатома на фазе 81(111)л/3-Аи меньше, чем на фазе 81(111)5х1-Аи, которая в свою очередь меньше, чем на чистой 81(111). При Т>800°С становится заметным испарение адатомов с фазы 81(111)^3-Аи. Кривые распределения, соответствующие этой фазе, со временем стабилизируются и при дальнейшем отжиге не изменяются. Их анализ позволил оценить значение длины пробега адатома до испарения и наити энергию связи адатомов на ПФ 81(111)л/3-Аи. Поскольку адатомы, диффундируя по поверхности фазы и достигая ее границы, пристраиваются, продолжая ее формирование, образуется однодоменная ПФ. Этот процесс можно классифицировать, как двумерную эпитаксию.

Во второй части представлены результаты экспериментов, демонстрирующих влияние фазового состояния пленки индия на 81(111) на процесс поверхностной диффузии атомов 1п. Как и в случае с золотом, при отжиге атомы 1п распространяются за пределы полоски, однако в отличие от золота «надфазные» атомы 1п не регистрируются поскольку они значительно слабее связаны с поверхностью и под воздействием электронного пучка оже-спектрометра легко десорбируют. Специально проведенные в работе исследования демонстрируют этот эффект. На начальном этапе процесса диффузии, когда скорость движения границ фаз пропорциональна Xх12 (отсутствует граничная кинетика и незначительна десорбция адатомов), коэффициенты диффузии вычислялись по скорости движения фронта фазы. По температурной зависимости коэффициентов диффузии определены энергии активации процесса.

По мере продвижения диффузионного фронта увеличивается путь миграции атомов от границы полоски до границы фазы. Увеличивается вероятность десорбции, особенно при высоких температурах. Движение границ фаз замедляется. Это нарушает у линейный ход зависимости X (1).

Далее приведены результаты исследования процессов изотермической десорбции индия с поверхности 81(111). Испарение индия становится заметным при Т>400°С. Если на поверхность напылить пленку индия толщиной 10-20 МЬ, то при отжиге формируется ПФ 81(111)1х1-1130оТп с С1п=0,55, а остальные атомы 1п собираются в микрокристаллы. Изменение С^ происходит в основном за счет «надфазных» атомов, как наименее связанных с поверхностью. На первом этапе их источником служат микрокристаллы. Пока они существуют величина С^ остается постоянной. С момента их полного исчезновения начинается десорбция атомов, входящих в состав фазы 81(111)1x1-1п. При этом С[П изменяется по закону

С = С0 ехр(-1/т1), где Т1=Х1° ехр (Н[/к'Г) - время жизни атома в фазе 81(111)1х1-1п; Н1 - энергия активации десорбции. Растет число вакансий (дефектов) в фазе, однако геометрия решетки не меняется. При концентрации С[п«0,38 количество дефектов достигает критического значения и происходит фазовый переход в структуру (4x1). Атомы, оказавшиеся избыточными по отношению к данной фазе, составляют «надфазную» концентрацию. Их быстрому испарению соответствует резкий спад С^. Далее С^ уменьшается за счет появления вакансий в фазе 81(111)4x1-1п по закону

С = С0 ехр (4/т2), где Т2=Х2°ехр(Н2/кТ) - время жизни атома в фазе Si(l 11)4x1-In. Затем, таким же образом происходит десорбция атомов, образующих фазы Si(l 1 l)V31-In и

Из анализа десорбционных экспериментов при разных температурах найдены величины т0 и Н, характеризующие испарение атомов из различных фаз:

Таким образом, как и при исследовании поверхностной гетеродиффузии, процессы изотермической десорбции наглядно демонстрируют роль поверхностных фаз в формировании межфазовых границ раздела и объясняются наличием двух типов ад-атомов, входящих в состав поверхностной фазы и адсорбированных на поверхностной фазе.

В пятой главе описаны механизмы совместной адсорбции (Au-In), (Au-Ag) и (Ag-In) на поверхности Si(l 11)7x7 при комнатной температуре, процессы формирования ПФ в системах Si(lll)-(Au,Ag), Si(l 1 l)-(Ag,In) и Si(l 1 l)-(Au,In) в термодинамически равновесных условиях и построены фазовые диаграммы для этих трехкомпонентных систем.

Показано, что при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются, однако порядок заполнения поверхности атомами зависит от очередности осаждения элементов. При совместном осаждении атомов Аи и In золото выполняет роль сурфактанта, т.е. равномерно распределяются по всей поверхности, а сверху послойно растет сплошная пленка индия. При осаждении атомов Аи и Ag атомы Ag «всплывают», постоянно оставаясь сверху, а под ними растет сплошная пленка золота (механизм «floating atom growth»). При совместном осаждении атомов Ag и In на Si(l 11) происходит формирование двумерных кластеров серебра и доменов неупорядоченной ПФ Si(l 1 l)lxl-R30°-In. Все избыточные атомы Ag и In собираются в трехмерные островки.

Осаждение при комнатной температуре атомов одного сорта на предварительно сформированные атомами другого сорта поверхностные фазы приводит в некоторых случаях к упорядоченной адсорбции. Так атомы Аи на

Si(lll)V3xV3-R30°-Ag в диапазоне покрытий 1/3ML<9au<2/3ML формируют сверхрешетку (V7xV7)R19,l° из атомов Аи на решетке

V3xV3)R30°. При осаждении атомов Ag на ПФ Si(lll)V3xV3-R30°-In, Si(lll)V31xV31 -In и Si(l 11 )4х 1 -In происходит формирование суперструктур Si(l 11)3x1-In(Ag), Si(l 1 l)-V3xV3-In(Ag) и Si(l 1 l)V7xV7-R19,l°-In(Ag) соответственно.

При высокой температуре коадсорбция приводит к формированию трехкомпонентных поверхностных фаз, которые не реализуются в двухкомпонентных системах. Так при Сди>0,20 и С1П=0,20н-0,45 образуется фаза 81(111)Зх1-(Аи,1п). Если при совместном осаждении атомов Аи и Ад на 81(111) имеется избыток атомов Ад (>2/3 МЬ), формируются два типа трехкомпонентных структур. Когда Сди<0,11, образуется твердый раствор атомов Аи в суперрешетке 81(111)-^/Зх^З-1130о-Ад, а когда САи>0,11 трехкомпонентная ПФ 81(1 11) ^21 1 -Ю 0,9°-(Аи, Ад).

На защиту выносятся следующие положения

1. В термодинамически равновесных условиях поступающие на монокристаллическую поверхность кремния атомы металлов совместно с атомами кремния, не зависимо от способа доставки, формируют поверхностные фазы, определяющие характер таких поверхностных процессов, как формирование межфазовых границ, адсорбция и десорбция, поверхностная диффузия, эпитаксия.

2. На начальных стадиях формирования межфазовых границ морфология роста (островковый или послойный характер) определяется формированием поверхностных фаз и переходом в объемную фазу.

3. При анализе различных физических процессов на поверхности, в которых участвуют поверхностные фазы, следует различать атомы, входящие в состав поверхностной фазы (атомы «в фазе») и атомы, избыточные по отношению к стехиометричес-кому составу поверхностной фазы и находящиеся в состоянии адсорбции на фазе («надфазные» атомы).

4. При осаждении атомов металлов на 81(111) при комнатной температуре формирование межфазовых границ определяется механизмом роста «квази»-Странски-Крастанова, т.е. после формирования «монослоя» начинают расти трехмерные островки. Роль «монослоя» в случае золота играет двумерный силицид Ащ81, в случае индия неупорядоченная ПФ, которая имеет локальное атомное расположение и состав, подобные упорядоченной ПФ 81(111)1х1-1130о-1п, в случае серебра двумерный серебряный поликристалл.

5. Процесс формирование межфазовых границ при коадсорбции атомов двух типов в термодинамически равновесных условиях определяется образованием поверхностных фаз, двухкомпонентных или трехкомпонентных.

6. Формирование и кристаллическая структура межфазовых границ при коад-сорбции в неравновесных условиях определяется энергией взаимодействия атомов адсорбатов с подложкой и между собой, порядком осаждения адсорбатов и условиями адсорбции.

Все исследования, проведенные в данной работе, выполнены в рамках программы «Изыскание физических принципов создания трехмерных интегральных схем», включенной в программу исследований по важнейшим фундаментальным проблемам на период 1981-1995 г. (Основные физические проблемы твердотельной электроники. Изыскание новых принципов создания твердотельных электронных приборов) утвержденной Распоряжением Президиума РАН (№10103-1246 от 8 августа 1976 года) и в соответствии с темой «Формирование микроэлектронных структур на кремнии и исследование электрофизических характеристик» (Гос.рег. №01.99.0005771), а также согласно Гранту РФФИ 99-02-16833 «Поверхностные фазы в системе металл-кремний: формирование, структура и свойства». Полученные результаты носят фундаментальный характер.

Основные результаты работы

В работе систематически исследованы процессы формирования межфазовых границ при адсорбции атомов различных металлов в термодинамически равновесных и неравновесных условиях и атомные процессы, сопровождающие адсорбцию. Во всех случаях формирование поверхностных фаз является определяющим процессом [242,243].

На основе изложенных в работе результатов можно сделать следующие выводы:

1. Исследованы процессы роста тонких пленок золота, серебра и индия на поверхности кремния в равновесных и неравновесных условиях. Изучены механизмы формирования межфазовых границ. При комнатной температуре пленка металла растет в соответствии с моделью Странски-Крастанова, т.е. после формирования «монослоя» начинают расти трехмерные островки. Роль «монослоя» в случае золота играет двумерный силицид А1148!, в случае индия неупорядоченная поверхностная фаза, которая имеет локальное атомное расположение и состав, подобные 81(111)1х1-1130о-1п, в случае серебра сплошной монослой атомов

2. Определены условия формирования поверхностных фаз в системе Аи-81(111), А§-81(111) и 1п-81(111) при высокой температуре. Изучены свойства и исследована электронная структура наружной энергетической полосы этих поверхностных фаз.

3. Исследованы процессы роста тонких пленок железа и марганца на поверхности кремния в равновесных и неравновесных условиях. Показана роль поверхностных фаз в процессе формирования эпитаксиальных пленок железа и марганца на 81(111) при комнатной температуре. Обнаружено, что характер взаимодействия атомов Мп с поверхностью 81(111) определяется кинетической энергией поступающих атомов.

4. При высокой температуре, в зависимости от количества железа, образуются три различные поверхностные структуры. Если ©ре<1 МЬ, формируется поверхностная фаза 81(111)2х2-Ре. Если 1МЬ<0ре<2 МЬ, образуется двумерный силицид Ре81 со структурой 81(111)л/3хл/3-11300-ре. Если количество железа больше, чем 2 МЬ, растет объемный дисилицид Ре81з со структурой 81(111)1x1-Ре.

5. Отжиг предварительно напыленной пленки марганца в зависимости от его количества приводит к формированию поверхностных фаз 81(111)7х7-Мп (©мп«0,2 МЬ) или 81(111)1х1-Мп (0Мп«1,О МЬ). Увеличение покрытия (©мп^ МЬ) приводит к послойному росту эпитаксиальной пленки со структурой (1x1). Если же при комнатной температуре произошло перемешивание атомов 81 и Мп и образовался объемный силицид, отжиг приводит к формированию эпитаксиального силицида со структурой 81(11 1)л/Зха/3-Мп.

6. На примере физических процессов, таких как поверхностная гетеродиффузия и изотермическая десорбция, показано, что принципиальным при анализе процессов на поверхности является то обстоятельство, что при формировании поверхностных фаз следует различать атомы, входящие в состав ПФ (атомы «в фазе») и атомы, избыточные по отношению к стехиометрическому составу ПФ и находящиеся в состоянии адсорбции на ПФ («надфазные» атомы). Изменение двумерной структуры пленок при увеличении концентрации адсорбированных атомов приводит к изменению свойств поверхности и, соответственно, атомных кинетических характеристик.

7. Установлено, что фазовые переходы реализуются не только в процессе осаждения атомов на поверхность в термодинамически равновесных условиях или при десорбции атомов, но могут также происходить локально при наличии потока адатомов вдоль поверхности в следствие градиента химического потенциала.

8. Впервые предложен метод исследования гетеродиффузии на монокристаллической поверхности с помощью сканирующей электронной оже-спектроскопии. Проведенные исследования показали перспективность применения совокупности методов оже- спектроскопии и дифракции медленных электронов для количественного анализа распределения диффундирующих атомов, концентрация которых изменяется в пределах монослоя.

9. Исследования поверхностной диффузии атомов Аи и атомов In на Si(lll) позволили установить связь между изменением диффузионных параметров и фазовыми превращениями в пленке. Диффузионный поток определяется градиентом концентрации неупорядоченных атомов, находящихся в состоянии адсорбции на поверхностных фазах («надфазные» атомы). Найдены коэффициенты диффузии адатомов по поверхности различных фаз и соответствующие энергии активации.

10. Показано, что при изотермической десорбции атомов индия с поверхности Si(lll) происходит последовательный ряд структурных фазовых переходов: Si(l 1 l)lxl-R30°-In Si(lll)4xl-In Si(lll)V31xV31-In -» Si(l 1 l)V3xV3-In. Переход из более плотной ПФ в менее плотную ПФ сопровождается переходом части атомов In в число «надфазных», которые испаряются очень быстро. Энергия связи атомов в фазе выше и время жизни их до испарения соответственно больше. Определена температурная зависимость времени жизни атомов, входящих в состав разных фаз и энергии активации испарения.

11. Исследованы процессы, происходящие на поверхности кремния при адсорбции атомов двух типов (коадсорбция) в равновесных и неравновесных условиях. На примере систем (Au,Ag)-Si(l 11), (Au,In)-Si(l 11) и (Ag,In)-Si(l 11) показано, что при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются, однако порядок заполнения поверхности атомами зависит от очередности осаждения элементов. При совместном осаждении атомов Аи и In золото выполняет роль сурфактанта, т.е. равномерно распределяются по всей поверхности, а сверху послойно растет сплошная пленка индия. При осаждении атомов Аи и Ag атомы Ag «всплывают», постоянно оставаясь сверху, а под ними растет сплошная пленка золота (механизм «floating atom growth»). При совместном осаждении атомов Ag и In на Si(lll) происходит формирование двумерных кластеров серебра и доменов неупорядоченной ПФ Si(l 11)1x1 -R30°-In. Все избыточные атомы Ag и In собираются в трехмерные островки.

12. Осаждение при комнатной температуре атомов одного сорта на предварительно сформированные атомами другого сорта ПФ приводит в некоторых случаях к упорядоченной адсорбции. Так атомы Аи на в диапазоне покрытий 1 /3 МЬ<0Аи<2/3 МЬ формируют сверхрешетку (>/7x^7)1119,1° из атомов Аи на решетке При осаждении атомов Ag на ПФ 81(111)л/3хл/3-11300-1п, 81(111)л/31хл/31 -1п и 81(111)4х1-1п происходит формирование суперструктур 81(111)3x1-1п^), 81(111)--\/Зхл/3-Тп(А^) и 81(111)^7x^7-1119,1°-1п^) соответственно.

13. При высокой температуре коадсорбция приводит к формированию трех-компонентных поверхностных фаз, которые не реализуются в двухкомпонентных системах. Так при САи^0,20 и 0^=0,20+0,45 образуется фаза 81(111)Зх1-(Аи,1п). Если при совместном осаждении атомов Аи и Ag на 81(111) имеется избыток атомов Ag (>2/3 МЕ), формируются два типа трехкомпонентных структур. Когда САи<0,11, образуется твердый раствор атомов Аи в суперрешетке Si(lll)VЗxл/3-R30o-Ag, а когда Сац>0,11 трехкомпонентная ПФ 81(111)л/21хУ21-Ш0,9°-(Аи^).

1. Lander J.J. Low-energy electron diffraction and surface structural chemistry. 11 Progress in Solid State Chemistry. -1965. -2. -P.26-116.

2. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. -Chichester: John Wiley & Sons, 1994. -454 p.

3. Le Lay G. Physics and electronics of the noble-metal / elemental-semiconductor interface formation: a status report. // Surface Science. -1983. -132, -Nl/3. -P. 169-204.

4. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния. -Москва: Наука, 1985. -200 с.

5. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на поверхности кремния. // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1989. -С.5-43.

6. Люксютов И.Ф., Наумовец Ф.Г., Покровский В.Л. Двумерные кристаллы. -Киев: Наукова думка, 1988. -219 с.

7. Нестеренко Б.А., Ляпин В.Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках. -Киев: Наукова думка, 1990. -156 с.

8. Park R.L., Madden Н.Н. Annealing changes on the (100) surface of palladium and their effect on CO adsorption. // Surface Science. -1968. -11, -N2, -P.188-202.

9. Wood E.A. Vocabulary of surface crystallography. // Journal of Applied Physics. -1964. -35, -N4. -P.1306-1312.

10. Kawazu A., Saito Y., Ogiwara N., Otsuki Т., Tominaga G. Kinetices of Deposition of Bismuth film by a molecular beam method. // Surface Science. -1979. -86. -P. 108-119.

11. Lifshits Y.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavrilyuk Y.L. The role of Surface phases in processes on silicon surfaces. // Surface Science. -1989. -222, -Nl. -P.21-30.

12. Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G. Interaction of atomic hydrogen with Si(l 1 l)V3xV3-Ag and Si(l 1 l)V3xV3-Al surfaces: LEED and AES results. // Phys. Low-Dim. Structures. -1994. -6. -P.55-68.

13. Williams B.R., Mason B.F., McComb D.W., Moffatt D.J., Hackett P.A. A scanning tunneling microscopy investigation of the reaction of hydrogen atoms with Ag/Si(lll)-(л/Зхл/З). // Surface Science. -1994. -313, -Nl/2. -P.L790-L796.

14. Khramtsova E.A., Saranin A.A., Lifshits V.G. Chemical and structural transformations in the Al/Si(l 11)8x8-N system. // Surface Science. -1993. -295, -N3. -P.319-324.

15. Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А. Химические и структурные превращения в системе Al/Si(l 11)8x8-N. // Письма в ЖТФ. -1991.-17,-N22. -С.45-50.

16. Khramtsova Е.А., Saranin А.А., Chub А.В., Lifshits V.G. A1 and Au binary surface phases on the Si(lll) surface. // Surface Science. -1995. -331/333, -Nl. -P.594-599.

17. Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А. Формирование поверхностной структуры Si(l 11)8x8-N при взаимодействии Si(l 11)7x7 с аммиаком. // Письма в ЖТФ. -1990. -16, -N24. -С.51-54.

18. Зандерна А. Методы анализа поверхности. -Москва: Мир, 1979. -582 с.

19. Иоши А., Дэвис П., Палмберг П. Электронная оже-спектроскопия. // Методы анализа поверхностей. -Москва: Мир, 1979. -С.200-275.

20. Еаллон Т. Актуальные вопросы электронной оже-спектроскопии. // Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. -Москва: Мир, 1981. -С.236-280.

21. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. -Москва: Мир, 1989. -342 с.

22. Chang С.С. Auger electron spectroscopy. // Surface Science. -1971. -25. -P.53-79.

23. Bauer E. Methods of surface studies depending on inelastic scattering of electrons. // Vacuum. -1972, -22, -Nil. -P.539-552.

24. Linsmeier C. Auger electron spectroscopy. //Vacuum. -1994. -45, -N6/7. -P.673-690.

25. Карлсон Т.А. Фотоэлектронная и оже спектроскопия. -Ленинград: Машиностроение, 1981. -294 с.

26. Кораблев В.В. Электронная оже-спектроскопия. -Ленинград: ЛПИ, 1973. -61 с.

27. Лифшиц В.Г. Оже-спектроскопия метод исследования поверхностных процессов. -Владивосток: ПАПУ, 1981. -74 с.

28. Козлов ИТ. Современные проблемы электронной спектроскопии. -Москва: Атомиздат, 1978. -248 с.

29. Palmberg P.W. Electron spectroscopy. -Amsterdam: North-Holland, 1970. -835 p.

30. Lander J.J. Low energy electron diffraction and surface structural chemistry. // Progress in Solid State Chemistry, V2. -Oxford, 1965. -P.26-116.

31. May J.W. Discovery of surface phases by low energy electron diffraction. // Advances in Catalysis, Y21. -N.Y.: Acad. Press, 1970. -P.151-279.

32. Наумовец А.Г. Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов. // УФЖ. -1978. -Т23, -N10. -С.1585-1607.

33. Наумовец А.Г. Дифракция медленных электронов // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. -Москва: Наука, 1985.-С.161-221.

34. Трейси Д.К., Баркстренд Д.М. Успехи в исследовании поверхности методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии. // Новое в исследовании поверхности твердых тел. -Москва: Мир, 1977. -С.83-103.

35. Хенцлер М. Электронная дифракция и дефекты поверхности. // Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. -Рига: Зинатне, 1980. -195 с.

36. Pendry J.В. LEED and the crystallography of surfaces. // Surface Science. -1994. -19, -N3/6. -P.87-98.

37. Tong S.Y. Electron-diffraction for surface studies the first 30 years. // Surface Science. -1994. -299/300, -Nl/2. -P.358-374.

38. Van Hove M.A. Surface crystallography with low-energy electron diffraction. // Prog. R.Soc. Long. A.-1993.-442. -P.61-72.

39. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -Москва: Мир, 1989.-568 с.

40. Shlier R.E., Farnsworth Н.Е. Low energy electron diffraction study of silicon surface. // Journal of .Chemical Physics. -1959, -30. -P.917-920.

41. Somorjai G.A. LEED and AES studies of the structure of adsorbed gases on solid surfaces. // Surface Science. -1973. -34, -Nl. -P.156-176.

42. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. -Москва: Мир. 1965. -339 с.

43. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердых тел. -Москва: Наука, 1977. -551 с.

44. Recep Avci. Energy loss spectroscopy studies. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1986.-A4(3).-P.1400.

45. Harris L.A. Secondary electron spectroscopy. // Industr. Res. -1968. -10, -N2. -P.53-56.

46. Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю.А. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. -Москва: Наука, 1985. -288 с.

47. Ekelund S., Leygraf C. A low energy electron diffraction technique for accurate absolute determination of surface lattice constants. // Vacuum. -1972. -22, -N10. -P.489-491.

48. Castner D.G., Somorjai G.A. Surface structures of adsorbed gases on solid surfaces. A tabulation of data reported by low-energy electron diffraction studies. // Chemical Reviews. -1979. -79, -N3. -P.233-252.

49. Aberdam D., Baudoing R., Gauthier Y.,Hoffstein V. Surface crystallography by LEED. // Surface Science. -1977. -62. -P.567-588.

50. Hansen N.R., Heneman D. Interpretation of low energy electron diffraction data to predict surface atom arrangements. // Physical Review. -1961. -121. -P.1093-1109.

51. Mark P., Levine J.D., McFarlaue S.H. Atomic structure of the Si(l 11)7x7 surface. // Physical Review Letters. -1977. -38, -N24. -P. 1408-1411.

52. Большов Jl.А., Напартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Субмонослойные пленки на поверхности металлов.//УФН. -1977. -122,-N1. -С.125-158.

53. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на поверхности кремния. // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1989. -С.5-43.

54. Van Hove М.А., Somorjai G.A. Adsorption and adsorbate-induced restructuring: a LEED perspective. // Surface Science. -1994. -299/300, -Nl/2. -P.487-501.

55. Plummer E., Gustafson T. Geometry of adsorbates on solid surfaces. // Science. -1977. -N4313. -P.165-170.

56. Bauer E. Multiple scattering versus superstructures in low energy electron diffraction. // Surface Science. -1967. -7, -N3. -P351-164.

57. Pendry J.B. Low energy electron diffraction. -London: Acad. Press, 1974. -407 p.

58. Van Hove M.A., Tong S.Y. Surface crystallography by LEED. Berlin: Springer-Verl., 1979. -234 p.

59. Heinz K. Is there a future for LEED intensities? // Applied .Physics. -1986. -A41. -P.3-19.

60. Jepsen D.W., Marcus P.M., Jona F. LEED spectra from (001) surfaces of face-centered cubic metals. // Physical Review B. -1972. -5, -N10. -P.3933-3952.

61. Duke C.B., Laramore G.E. Effect of lattice vibrations in multiple-scattering discription of low-energy electron diffraction. // Physical Review B. -1970. -2, -N12. -P.4765-4782.

62. Pendry J.B. Ion core scattering and low energy electron diffraction. // J.Phys.C.: Solid State Physics. -1971. -4, -N16. -P.2501-2523.

63. Ngoc T.C., Lagally M.G., Webb M.B. A method to obtain kinematic intensities from LEED data. // Surface Science. -1973. -35, -Nl. -P.l 17-144.

64. Duce C.B., Smith D.L. Kinematic low-energy electron diffraction intensities from averaged data. // Physical Review B. -1972. -5, -N12. -P.4730-4742.

65. Duce C.B., Landman U. Measurement of the dispersion of electronic surface exitations via analysis of inelastic LEED. // Physical Review B. -1973. -7, -N4. -P.1368-1383.

66. Хейденрайх P. Основы просвечивающей электронной микроскопии. -Москва: Мир, 1966. -239 с.

67. Иоши А., Дэвис Л., Палмберг П. Электронная оже-спектроскопия. // Методы анализа поверхности. -Москва: Мир, 1979. -С.200-275.

68. Palmberg P.W. Quantitative Auger electron spectroscopy using elemental sensitivity factors. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1976. -13, -Nl. -P.214-218.

69. Горелик В.А. Количественная оже-спектроскопия. // Электронная промышленность. -1972. -12. -С.47-49.

70. Davis L.E., MacDonald N.C., Palmberg P.W., Piach G.E., Weber R.E. Handdbook of Auger electron spectroscopy. -Eden Prairie, Minnesota: Physical Electronic Industries Inc., -1976. -252 p.

71. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. -Москва: Наука, 1978. -792 с.

72. Ibach Н., Mills D.L. Electron energy loss spectroscopy and surface vibrations. -London: Acad.press., 1982. -366 p.

73. Ritchie R. Plasma losses by fast electrons in thin films. // Physical Review. -1957. -106. -P.874-881.

74. Акилов В.Б., Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Тонкие пленки In на поверхности Si(l 11). // Поверхность. -1986. -N6. С.54-60.

75. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov В.К., Gavriljuk Y.L., Zavodinskii V.G. The formation of In-Si surface phase. // Solid State Comm. -1985. -55, -N8. -P.717-720.

76. Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Сашина Е.А. Способ измерения толщины тонких пленок на подложках. // Авт.Свид. N 1245042, 31 июля 1984.

77. Иванов-Есипович Н.К. Технология микросхем. -Москва: Высш. школа, 1972. -256 с

78. Моряков О.С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве. -Москва: Высшая школа, 1974. -141 с.

79. Farnsworth Н.Е. The structures of clean crystal surfaces. // Journal of Applied Physics. -1958. -29. -P.1150-1154.

80. Gobeli G.W., Allen F.G. Possible structures for clean annealed surface of germanium and silicon. // Journal of Phys. Chem. Solids. -1960. -14. -P.23-31.

81. Heneman D.J. Interpretation of LEED data to predict surface atom arrangements. // Journal of Phys. Chem. Solids. -1960. -14. -P.162-167.

82. Farnsworth H.E. The solid-gas interface. -New York, 1967. -548 p.

83. Roberts R.W. Generation of clean surface in high vacuum. // British Journal of Applied Physics. -1963. -14, -N9. -P.537-543.

84. Французов А.А. Получение, структура и химическая активность атомарно-чистой поверхности германия и кремния. // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1975. -С.49-65.

85. Mehl W., Coutts M.D. Decoration of imperfections on cleaved germanium. // Journal of Applied Physics -1963. -34, -N7. -P.2120-2121.

86. Lander J.J., Morrison J. Structure of clean surfaces of Ge and Si. // Journal of Applied Physics -1963. -34, -N5. -P. 1963-1971.

87. Lander J.J. Leed of silicon surface structure. // Surface Science. -1964. -1,-N1 .-P.125-142

88. Noble W., Henish H. Microscopic evidence of plastic deformation on cleaved germanium surfaces. // Journal of Applied Physics -1967. -38, -N6. -P.2472-2477.

89. Фарнсворс Г. Приготовление атомарно-чистых поверхностей твердых тел и методы оценки их качества. // Межфазная граница газ твердое тело. -Москва: Мир, 1970. -С.359-377.

90. Henderson R.C., Helm R.F. Silicon homoepitaxial thin films via silane pyrolyses. // Surface Science. -1972. -30, -N2. -P.310-334.

91. Боонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния. -Москва: Мир, 1970.-176 с.

92. Олынанецкий Б.З., Ржанов А.В., Шкляев А.А. Полупроводниковая структура. // Авт. Свид. № 710086. -БИ. -1980. -Т.2. -С.215.

93. Henderson R.C., Marcus R.B., Polito W.J. Carbide contamination of silicon surface. // Journal of Applied Physics -1971. -42, -N3. -P.1208-1215.

94. Joyce B.A., Neave J.H., Watts B.E. The influence of substrate surface conditions on the nucleation and growth of epitaxial silicon films. // Surface Science. -1969. -15, -Nl. -P.1-13.

95. Charig J.M., Skinner D.K. Auger electron spectroscopy of nickel deposits on the silicon (111) surface. // Surface Science. -1970. -19, -N2. -P.283-290.

96. Gullis A.G., Booker G.R. The epitaxial growth of silicon films on (111) silicon surface. // Journal of Crystal Growth. -1971. -9, -N5. -P.132-138.

97. Chang C.C. Contaminants on chemically etched silicon surfaces. // Surface Science. -1970. -23.-P.283-298.

98. Лифшиц В.Г., Гаврилюк ЮЛ., Саранин А.А. L2:3VV оже-спектры Si(lll): Рукопись депонир. ВИНИТИ, -№1853-81. -1981.-8. -б/о 386.

99. Lifshits V.G., Akilov V.B., Gavriljuk Y.L. Interaction of thin gold films with silicon. // Solid State Communication. -1981. -40, -N4. -P.429-432.

100. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. -Киев: Наукова думка, 1976. -335 с.

101. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г., Панченко М.Т., Нагорный В.Я. Исследование рентгеновских эмиссионных спектров кремния для расчета плотности состояний. // ДАН СССР. -1973. -210, -N3. -С.581-583.

102. Pendey К.С., Phillips J.С. Atomic densities of state near Si(lll) surface. // Physical Review B. -1976. -13, -N2. -P.750-760.

103. Chung M., Jenkins L. Auger electron energies of the other shell electrons. // Surface Science. -1970. -22, -N2. -P.479-485.

104. Bhom D., Pines D. Elementary excitations in solids. // Phys.Rev. -1953. -92. -P.609-626.

105. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Акилов В.Б. Электронные структуры поверхностных фаз золото-кремний. // Процессы на поверхности кремния при вакуумном методе эпитаксии. -Владивосток: Изд.ДВНЦ, 1981. -С.33-43.

106. Abbati I., Braicovich L., Franciosi A. Ultraviolet investigation of Si(lll)/Au interface at high temperature. // Solid State Communication. -1980. -33. -N8. -P.881-884.

107. LeLay G., Quentel G., Faurie J.P., Masson A. Epitaxy of noble metals and surface superstructures of silicon and germanium. Part 1: Study at room temperature. // Thin Solid Films. -1976. -35. -P.273-287.

108. LeLay G., Faurie J.P. AES study of the very first stages of condensation of gold films on silicon (111) surface. // Surface Science. -1977. -69. -P.295-300.

109. LeLay G. The Au/Si(lll) interface: growth, mode, energetics, structural and electronic properties. // Journal of Crystal Growth. -1981. -54. -P551-557.

110. Green A.K., Bauer E. Formation, structure and orientation of gold silicide on gold surface. // Journal of Applied Physics -1976. -47, -N4. -P.1248-1291.

111. Kuisl M., Sasse E. Gold on silicon surfaces. // Surface Science. -1980. -92. -P.681-692.

112. Houzay F., Guichar G.M., Cros A., Salvan F., Pinchaux R., Derrien J. Angle-resolved photoemission of the initial stages of Au growth on Si(l 11)7x7. // Journal of Physics, C. -1982.-15. -P.7065-7072.

113. Cros A., Salvan F., Commandre M., Derrien J. Enhancement of the room temperature oxidation of silicon by very thin predeposited gold layers. // Surface Science. -1981. 103. -P.L109-L114.

114. Salvan F., Cros A., Derrien J. Electron energy loss measurement on the gold-silicon interface. // Journal of Physics. -1980. -41. -P.L337-340.

115. Taleb-Ibrahimi A., Sebenne C.A., Bolmont D. Electronic properties of cleaved Si(lll) upon room-temperature deposition of Au. // Surface Science. -1984. -146. -P.229-240.

116. Nicholls J.M., Salvan F., Reihl B. Surface states of ordered Au, Ag and Cu overlayers on Si(lll) studied by inverse photoemission. // Physical Review B. -1986. -34, -N4. -P.2945-2948.

117. Okuno K., Ito T., Iwami M., Hiraki A. Presence of critical Au-film thickness for room temperature interface reaction between Au (film) and Si (crystal substrate). // Solid State Commumication. -1980. -34. -P.493-497.

118. Yabuuchi Y., Shoji F., Oura K., Hanawa T. Surface structure of the Si(l 1 l)-5xl-Au studied by low-energy ion scattering spectroscopy. // Surface Science. -1983. -131, -N2/3. -P.L412-L418.

119. Bauer E., Poppa H. Recent advances in epitaxy. // Thin Solid Films. -1972. -12, -Nl. -P.167-185.

120. Osakabe N., Tanishiro Y., Yagi K., Honjo G. Reflection electron microscopy of clean and gold deposited (111) silicon surfaces. // Surface Science. -1980. -97. -P.393-408.

121. Tanishiro Y., Yagi K., Takayanagi K. Gold adsorption processes on Si(l 11) studied by in-situ reflection electron microscopy. // Surface Science. -1990. -234. -P.37-42.

122. Berman L.E., Batterman B.W., Blakely J.M. Structure of submonolayer gold on silicon (111) from x-ray standing triangulation. // Physical Review B. -1988. -38, -N8. -P.5397-5405.

123. Huang J.H., Williams R.S. Surface structure of Si(l 1 l)-5xl-Au characterized by impact collision ion scattering spectroscopy. // Surface Science. -1988. -204. -P.445-454.

124. Durbin S.M., Berman L.E., Butterman B.W. X-ray studing-wave determination of surface structure: Au on Si(l 11). // Physical Review B. -1986 -33, -N6. -P.4402-4405.

125. Williams R.S., Daley R.S., Huang J.H., Charatan R.M. Initial stages of metal / semiconductor interface formation: Au and Ag on Si(l 11).// Applied Surface Science. -1989. -41/42. -P.70-74.

126. Schamper Ch., Moritz W., Schulz H. Static lattice distortion and the structure of Au /Si(l 1 l)-5xl: An x-ray-diffraction study. // Physical Review B. -1991. -43, -N14. -P.12130-12133.

127. Lipson H., Singer K.E. Disorder in a film of gold deposited on silicon: investigation by low-energy electron diffraction. // Journal of Physics, C. -1974. -7. P. -12-14.

128. Taleb-Ibrahimi A., Sebenne C.A., Proix F. Effect of annealing on the structural and electronic properties of Au covered Si(lll) surfaces. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1986. -A 4(5). -P.2331-2335.

129. Huang J.H., Williams R.S. The atomic structures of the Si(lll)-V3xV3- and -6x6-Au surfaces studied by low-energy ion scattering. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1988. -A 6(3). -P.689-691.

130. Oura K., Katayama M., Shoji F., Hanava T. Real-space determination of atomic structure of the Si(lll)V3xV3-R30°-Au surface by low -energy alkali-ion scattering. // Physical Review Letters. -1985. -55, -N14. -1486-1489.

131. Nogami J., Baski A.A., Quate C.F. V3xV3->6x6 phase transition on the Au/Si(l 11) surface. // Physical Review Letters. -1990. -65, -N13. -P. 1611-1614.

132. Salvan F., Fuchs H., Baratoff A., Binnig G. Au/Si(lll) overlayer: Characterization by tunneling microscopy and spectroscopy. // Surface Science. -1985. -163. -P.634-639.

133. Karlsson C.J., Landemark E., Johansson L.S.O., Uhrberg R.I.G. Experimental surface- state band structure of the Si(l 1 l)-(V3xV3)-Au surface. // Physical Review B. -1990. -42, -N15. -P.9546-9551.

134. Hasegawa T., Takata K., Hosaka S., Hosoki S. Au-induced reconstructions of Si(lll) surface. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1990. -A 8(1). -P.241-244.

135. Baratoff A., Binnig G., Fuchs H., Salvan F., Stoll E. Tunneling microscopy and spectroscopy of semiconductor surfaces and interfaces. // Surface Science. -1986. -168. -P.734-743.

136. Huang J.H., Williams R.S. Surface-structure analysis of Au overlayers on Si by impact-collision ion-scattering spectroscopy: V3xV3 and 6x6 Si(l 11)/Au. // Physical Review B. -1988. -38, -N6. -P.4022-4032.

137. Takahashi S., Tanishiro Y., Takayanagi K. Short range orders of an adsorbed layer: gold on the Si(l 11)7x7 surface. // Surface Science. -1991. -242. -P.73-80.

138. Tanishiro Y., Takayanagi K. Dynamic observation of gold adsorption on Si(l 11)7x7 surface by high-resolution reflection microscopy. // Ultramicroscopy. -1989. -31. -P.20-28.

139. Hagashiyama K., Kono S., Sagawa T. Structural disorder of Si(l 1 1)V3xa/3-Au surface studied by LEED. // Japan Journal of Applied Physics. -1986. -25, -N2. -P.LI 17-L120.

140. Chester M., Guftafsson T. Structural study of the Si(l 1 l)-(V3xV3)R30°-Au surface using medium-energy ion scattering. // Physical Review B. -1990. -42, -N14. -P.9233-9236.

141. Chester M., Gustafsson T. Geometric structure of the Si(l 1 l)-(V3xV3)R30°-Au surface. // Surface Science. -1991. -256. -P. 135-146.

142. Ding Y.G., Chan C.T., Ho K.M. Theoretical investigation of the structure of the (V3xV3)R30°-Au/Si(lll) surface. // Surface Science. -1992. -275. -P.L691-696.

143. Quinn J., Jona F„ Marcus P.M. Atomic structure of Si(l 1 l)-(V3xV3)R30°-Au. // Physical Review B. -1992. -46, -N11. -P.7288-7291.

144. Feidenhans'l R., Grey F., Nielsen M., Johnson R.L. Structure and ordering of metal overlayers on Si(l 11) and Ge(l 11) surface. // Kinetics of ordering and growth at surface. New York: Plenum Press, 1990. -P. 189-207.

145. Rocca M. Low-energy EELS investigation of surface electronic excitations on metals. // Surface Science Reports. -1995. -22, -Nl/2. -P.l-71.

146. Бартон В.К., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. // Элементарные процессы роста кристаллов. -Москва: ИИЛ, 1959.-Р.11-109.

147. Meyer G., Rieder К.Н. Low-temperature scanning tunneling microscopy study of nucleation, percolation, and growth of ultrathin Ag films on Si(l 11)7x7. // Applied Physics Letters. -1994. -64, -N26. -P.3560-3562.

148. Hikayama H., Okamoto H., Takayanagi K. Growth of high-density small Ag islands on Si(l 11)7x7 surface with adatom defects. // Physical Review B. -1999. -60, -N20. -P.14260-14264.

149. Saitoh M., Shoji F., Oura K., Hanawa T. Initial growth process and surface structure of Ag on Si(lll) studied by low-energy ion-scattering spectroscopy (ISS) and LEED-AES. // Surface Science. -1981. -112, -N3. -P.306-324.

150. Hasegawa S., Daimon H., Ino S. A study of adsorption and desorption processes of Ag on Si(l 11) surface by means of RHEED-TRAXS. // Surface Sci. -1987. -186. -P.138-162.

151. Wehking F., Beckermann H., Niedermayer R. Investigation of the initial stages of growth of Ag films on Si(l 11)7x7 by a combination of LEED, AES and UPS. // Surface Science. -1978. -71, -N2. -P.364-374.

152. Tsukada M., Hoshino T. Electronic structure of the Ag/Si interface. // Intern. Journal of Quantum Chemistry. -1981. -15. -P.445-453.

153. Chan C.T., Ho K.M. First principles total energy calculations for the Honeycomb model of the (V3xV3)Ag/Si(l 11) surface. // Surface Science. -1989. -217, -Nl/2. -P.403-412.

154. Tanishiro Y., Takayanagi K., Yagi K. Density of silicon atoms in the Si(lll)V3xV3-Ag structure studied by in situ UHV reflection electron microscopy. // Surface Science. -1991. -258, -N2. -P.L687-L690.

155. Kono S., Higashiyama K., Sagawa T. X-ray photoelectron diffraction study of the atomic geometry of the Si(lll)(V3xV3)-Ag surface. // Surface Science. -1986. -165, -N1. -P.21-36.

156. Daley R.S., Charatan R.M., Williams R.S. An investigation of the Si(l 1 l)(V3xV3)R30°-Ag surface by Li+ impact collision ion scattering spectroscopy. // Surface Science. -1990. -240, -N1/3. -P.136-152.

157. Van Loenen E.J., Demuth J.E. Tromp R.M., Hamers R.J. Local electron states and surface geometry of Si(l 1 l)(V3xV3)-Ag. // Physical Review Letters. -1987. -58, -N4. -P.373-375.

158. Kohmoto S., Ichimiya A. Adsorption and desorption of Ag on the Si(lll) surface. // Applied Surface Science. -1988. -33-34, -P.45-50.

159. Horio Y., Ichimiya A. RHEED intensity analysis of Si(l 11)7x7 and Si(l 1 l)V3xV3-Ag surfaces. // Surface Science. -1983. -133, -Nl/2. -P.393-398.

160. Takahashi T., Nakatani S., Okamoto N., Ishikawa T. A study of the Si(l 1 l)(V3xV3)-Ag surface by transmission X-ray diffraction and X-ray diffraction topography. // Surface Science. -1991. -242, -N2. -P.54-58.

161. Vieg E., Fontes E.F., Patel J.R. Structure analysis of Si(l 1 l)(V3xV3)r30°/Ag using X-ray standing waves. // Physical Review B. -1991. -43, -N9. -P.7185-7193.

162. LeLay G., Chauvet A., Manneville M., Kern R. The structural and electronic properties of cleaved silicon (111) surfaces following adsorption of silver. // Applied Surface Science. -1981.-9. -P.190-198.

163. Kono S., Abukawa Т., Nakamura N., Anno K. Reinvestigation of the structure of Si(l 1 l)V3xV3-Ag surface. // Japan Journal of Applied Physics. -1989. -29. -P.L1278-L1283.

164. Takahashi Т., Nakatani S. Refinement of the Si(l 1 l)V3xV3-Ag structure by surface X-ray. // Surface Science. -1993. -282, -Nl/2. -P.17-32.

165. Copel M., Tromp R.M. Noble-metal adsorption on Si(l 11): Medium-energy-ion-scattering results for the Ag(V3xV3)R30° reconstruction. // Physical Review B. -1989. -39, -N17. -P.12688-12693.

166. Watanabe S., Aono M., Tsukada M. First principles study of the effect of tip shape on scanning tunneling microscopy images. // Japan Journal of Applied Physics. -1993. -32, -P.2911-2913.

167. Ding Y.G., Chan C.T., Ho K.M. Structure of the (V3xV3)R30°Ag/Si(l 11) surface from first-principles calculations. // Physical Review Letters. -1991. -67, -Nil. -P.1454-1457.

168. LeLay G. Physical and electronics of the noble-metal / elemental semiconductor interface formation: a status report. // Surface Science. -1983. -132, -Nl/3. -P. 169-204.

169. Ohnishi H., Yamamoto Y., Katayama I., Ohba Y., Oura K. Scanning tunneling microscopy observations of Si(l 1 l)3xl-Ag and 6xl-Ag structures. // Applied Surface Science. -1994. -82-83, -Nl/4. -P.444-448.

170. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L., Zavodinskii V.G. The formation of InSi surface phase. // Solid State Commun. -1985. -55, -N8. -P.717-720.

171. Немошкаленко В.В., Алешин B.F. Электронная спектроскопия кристаллов. -Киев: Наукова думка, 1976. -334 с.

172. Ofner Н., Surnev S.L., Shapira Y., Netzer F.P. In overlayers on Si(l 11)7x7: Growth and evolution of the electronic structure. // Physical Review B. -1993. -48, -N15. -P. 10940-10949.

173. Бехтерева О.В., Раврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Р., Чурусов Б.К. Формирование поверхностных фаз и их проявление в процессах диффузии и десорбции в системе InSi. // Поверхность. -1988. -8. -С.54-60.

174. Nagami J., Park S., Quate C.F. Behavior of indium on the Si(l 11)7x7 surface at low-metal coverage. // J.Vac.Sci.Technol. -1988. -B6. -P.1479-1482.

175. Izumi K., Takahashi Т., Kikuta S. Structural investigation of Si(l 11)л/3хл/3-1п by low-energy ion-scattering spectroscopy. // Japan Journal of Applied Physics. -1989. -28, -N10. -P. 1742-1745.

176. Cornelison D.M., Worthington M.S., Tsong I.S.T. Si(l 1 l)-(4xl)In surface recon-struction studied by impactcollision ion-scattering spectroscopy. // Physical Review B. -1991. -43, -N5. -P.4051-4056.

177. Nicholls J.M., Martensson P., Hansson G., Northrup J. Surface states on Si(lll)V3xV3-In: Experiment and theory. // Physical Review B. -1985. -32, -N2. -P.1333-1335.

178. Park S., Nogami J., Quite C.F. Metal-induced reconstruction of silicon (111) surface. // Journal of Microscopy. -1988. -152. -P.727-734.

179. Nogami J., Park S., Quait C. Indium-induced reconstruction of the Si(lll) surface studied by scanning tunneling microscopy. //Physical Review B. -1987. -36, -Nil. -P.6221-6224.

180. Nakamura N., Anno K., Kono S. Structure analysis of the single-domain Si(l 1 l)4xl-In surface by |.i-probe Auger electron diffraction and ц-probe reflection high energy electron diffraction. // Surface Science. -1991. -256. -P. 129-134.

181. Ofner H., Surnev S.L., Shapira Y., Netxer F.P. Spectroscopy of interface states of indium-Si(l 1 l)(4xl) and (lxl)R30° surfaces.// Surface Science. -1994. -307-309, N1. -P.315-320.

182. Urano Т., Kanaji T. Structure of Iron films deposited on Si(l 11)7x7 surface studied by LEED. //Applied Surface Science. -1988. -33/34. -P.69-74.

183. Гаврилюк Ю.Л., Качанова Л.Ю., Лифшиц В.Г. Тонкие пленки железа на Si(lll) и структура V3xV3-R30°. // Письма в ЖТФ. -1991. -17, -вып.16. -С.61-65.

184. Urano Т., Ogawa Т., Kanaji Т. Angel resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy study of ultrathin iron films on Si(lll) surface. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1987. -A5(4). -P.2046-2050.

185. Gavriljuk Y.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G. Thin iron films on Si(l 11) and formation of a (V3xV3)R30° structure. // Surface Science. -1991. -256. -P.L589-L592.

186. Derrien J., Chevrier J., Le Thanh V., Mahan J.E. Epitaxial growth of P-FeSi2 on silicon (111): a real-time RHEED analysis. // Applied Surface Science. -1992. -56-58. -P.438-443.

187. Chevier J., Le Thanh V., Nitshe, Derrien J. Semiconducting siliside-silicon het его structure: growth, propertis and application. // Applied Surface Science. -1992. -56-58. -P.382-387.

188. Lian Y.C., Chen L.J. Localized epitaxial growth of MnSii;7 on silicon. // Applied Phys. Letters. -1986. -48. -P.359-365.

189. Лифшиц B.L., Заводинский В.Г., Плюснин Н.И. Формирование поверхностных фаз хрома и эпитаксия CrSi2 на Si(l 11). // Поверхность. -1983. -3. -С.82-89.

190. Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Lobachev S.A. Formation of interfaces and templates in the Si(l 11)-Cr system. // Surface Rev. and Letters. -1995. -5, -N4. -P.439-449.

191. Kawamoto S., Kusaka M., Hirai M., Iwami M. Nonmetal to metal phase transition in the Mn/Si(ll 1)7x7 system. // Surface Science. -1991.-242. -P.331-334.

192. Shivaprasad S.M., Anandan C., Azatyan S.G., Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G. The formation of Mn/Si(lll) interface at room and high temperatures. // Surface Science. -1997. -382. -P.258-265.

193. Lifshits V.G., Akilov V.B., Gavriljuk Y.L. Interection of thin gold films with silicon. // Solid State Commun. -1981. -40. -P.429-432.

194. Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г. Влияние поверхностных фаз на диффузию золота на кремнии. // Поверхность. -1983. -4. -С.82-89.

195. Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г. Диффузия золота на поверхности (111) кремния. // Физика поверхности твердых тел. -Киев: Наукова думка, 1983. -С.89-97.

196. Гаврилюк Ю.Л. Исследование процессов самодиффузии кремния и гетеро-диффузии золота на поверхности монокристаллического кремния: Диссертация канд. физ.-мат. наук. Владивосток, 1983. -148 с.

197. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Акилов В.Б. Островковые пленки золота и диффузия на поверхности кремния. // Ультрадисперсные частицы и их ансамбли. -Киев: Наукова думка, 1982. -С.79-83.

198. Шоу Д. Атомная диффузия в полупроводниках. -Москва: Мир, 1975. -684 с.

199. Вол А.Е., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем. Т 3. -Москва: Наука, 1976. -814 с.

200. Болыпов Л.А. Термодинамика моноатомных адсорбированных пленок. // Физика твердого тела. -1971.-13, -N6. -С. 1679-1684.

201. LeLay G., Manneville М., Kern R. Isothermal desorption spectroscopy for the study of two-dimensional condensed phases. // Surface Science. -1977. -65, -Nl. -P.261-276.

202. Grank J. The mathematics of diffusion. -Oxford, -1956. -347 p.

203. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. -Москва: Металлургия, 1966. -196 с.

204. Бартон В.К., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей. // Элементарные процессы роста кристаллов. -Москва: Изд. ИЛ, 1959. -С.11-109.

205. Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С. Диффузионный перенос массы в островковых пленках. //УФН. -1978. -125, -N3. -С.489-525.

206. Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Формирование поверхностных фаз и их прявление в процессах диффузии и десорбции в системе In-Si. // Поверхность. -1988. -8. -С.54-60.

207. Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Проявление двумерной структуры адсорбированных пленок индия при диффузии по поверхности (111) кремния. // XIX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. -Ташкент, 1984. -С. 101.

208. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov В.К., Gavriljuk Y.L., Zavodinskii V.G. The formation of InSi surface phase. // Solid State Commun. -1985. -55, -N8. -P.717-720.

209. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. -Москва: Наука, 1979. -343 с.

210. Акилов В.Б., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Электронная структура поверхностных фаз и процессы поверхностной диффузии и десорбции в системе Si(lll)-In. // Тез. доклада Всесоюзной конференции «Диагностика поверхности». -Каунас,-1986. -С.89.

211. Lifshits V.G., Saranin А.А., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. -Chichester: -John Wiley & Sons, 1994.-454 p.

212. Margrave J. The Characterization of High Temperature Vapors. -New York: John Willey & Sons, 1967. -P.92.

213. Copel M., Reuter M.C., Efthimios Kaxiras, Tromp R.M. Surfactants in epitaxial growth. // Physical Review Letters. -1989. -63, -N6. -P.632-635.

214. Вол A.E., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем. Том Ш. -Москва: Наука, 1976. -814 с.

215. Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Формирование поверхностных фаз и их проявление в процессах диффузии и десорбции в системе InSi. // Поверхность. -1988. -8. -С.54-60.

216. Gavriljuk Y.L., Churusov В.К., Lifshits V.G., Enebish N. Three-component surface phases in (Au,In)/Si(l 11) and (Au,Ag)/Si(l 11) systems. // Physics of Low-Dimensional Structures. -1994.-4/5.-P. 157-166.

217. Cros A., Salvan F., Derrien J. A study of the Si-Au-Ag interface by surface technique. // Journal of Applied Physics. -1981. -52, -N7. -P.4757-4764.

218. Ito Т., Gibson W.M. Noble metal / Si(lll) interface studied by MeV ion scattering. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1984. -A2, -Nl. -P.561-565.

219. Takahashi Т., Nakatani S., Okamoto N., Ishikawa Т., Kikuta S. A study of the Si(l 11)-Ag surface by transmission X-ray diffraction and X-ray diffraction topography. // Surface Science.-1991.-242.-P.54-58.

220. Yamanaka Т., Endo A., Ino S. Atomic depth distribution analysis of Ag and Au on Si(l 11) during epitaxial growth by total reflection angle X-ray spectroscopy. // Surface Science. -1993.-294. -P.53-66.

221. Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Enebish N. Coadsorption of Au and Ag atoms on the Si(l 11) surface. // Surface Science. -1993. -297. -P.345-352.

222. Higashiyama K., Kono S., Sagawa T. Structural disorder of Sifl 1 l)V3xV3-Au surface studied by LEED. // Japan Journal of Applied Physics. -1986. -25, -N2. -P.LI 17-L120.

223. Saitoh V., Shoji F., Oura K., Hanawa T. Initial growth process and surface structure of Ag on Si(lll) studied by low-energy ion-scattering spectroscopy and LEED-AES. // Surface Science. -1981. -112, -N3. -P.306-324.

224. Raynerd G., Doust T.N., Venables J.A. Competing processes and controlling energies at the Ag/Si(l 11) interface. // Surface Science. -1992. -261. -P.251-266.

225. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L. The role of surface phases in processes on silicon surfaces. // Surface Science. -1989. -222. -P.21-30.

226. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на поверхности кремния. // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. -Новосибирск: Наука, СОАН, -1988. -С.5-43.

227. Гаврилюк Ю.Л., Лифщиц В.Г. Влияние поверхностных фаз на диффузию золота на кремнии. // Поверхность. -1983. -4. -С.82-89.

228. Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Энэбиш Н. Субмонослойные пленки Au-Ag на поверхности Si(l 11). // Поверхность. -1994. -5. -С.42-49.

229. Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Азатьян С.Г., Энэбиш Н. Процессы совместной адсорбции атомов Ag и In на поверхности Si(l 11). // Поверхность. -1996. -10. -С.6-15.

230. Endo A., Ino S. Observation of the Ag/Si(l 11) system using a high-resolution ultra-high vacuum scanning electron microscope. // Surface Science. -1993. -293, -N3. -P. 165-182.

231. LeLay G., Chauvet A., Manneville M., Kern R. The structural and electronic properties of cleaved silicon (111) surfaces following adsorption of silver. // Applied Surface Science. -1981.-9. -P. 190-202.

232. Акилов В.Б., Заводинский В.Г., Лифший В.Г., Чурусов Б.К. Тонкие пленки In на поверхности Si(l 11). // Поверхность. -1986. -6. -С.54-60.

233. Аристов В.Ю., Болотин И.Л., Гражулис В.А., Жилин В.М. Исследование системы Si(l 1 l)2xl-Ag в интервале 8-300 К при 0=0-20 монослоев методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии. // ЖТЭФ. -1986. -91, -N4. -С.1411-1426.

234. Uhrberg R.I.G., Hansson G.V., Nicholls J.M., Flodstrom S.A. Experimental surface state bands of the Si(l 11) 2x1 reconstruction. // Surface Science. -1982. -117. -P.394-404.

235. Nagami j., Wan K.J., Lin X.F. Au adatom superstructure on the Ag/Si(lll) surface. // Surface Science. -1994. -306, -Nl-2. -P.81-86.

236. Hanbucken M., Futamoto M., Venables J.A. Nucleation, growth and the intermediate layer in Ag/Si(100) and Ag/Si(l 11). // Surface Science. -1984. -147. -P.433-450.

237. Вол A.E., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем. Том Ш. -Москва: Наука, 1976. -814 с.

238. Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Формирование поверхностных фаз и их проявление в процессах диффузии и десорбции в системе 1п-Si. // Поверхность. -1988. -8. -С.54-60.

239. Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Bekhtereva O.V., Azatyan S.G., Enebish N. Coadsorption of Ag and In atoms on Si(l 11) surface. // Surface Science. -1997. -373. -P.173-180.

240. Лифшиц B.L., Гаврилюк Ю.Л., Саранин А.А., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Поверхностные фазы на кремнии. // Успехи физических наук. -2000. -Т. 170, -N5. -С.569-571.

241. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л., Азатьян С.Г., Саранин А.А., Луняков Ю.В., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Двумерные структуры на поверхности кремния. // Известия Академии наук. Серия физическая. -2001. -Т.65, -N2. -С. 176-179.