Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

На правах рукописи

Дорожкин Сергей Иванович РОСТ СЛИТКОВ а Э80ЖШЯ ПОР В КАРБИДЕ КРЕННИЯ

специальность: 01.04. 10 - Физика полупроводников,

и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации яа соискание ученой степени кандидата технических наук

Санкт-Петербург - 1993

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственной электротехническом университете.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Ронаненко В. Н. кандидат физико-математических наук Яременко И. Е.

Ведущая организация - Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД", г. Санкт-Петербург.

заседании специализированного совета к.063. 36. ю Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета пс адресу: 197376, Санкт-Петербург, ул. Про«. Попова. 5

с диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

30 /1

Автореферат разослан "_.„_"___-ГГ__1994 г.

Зашита состоится

Ученый секретарь специализированного совета

окунев ю. т.

- I -

ОБШАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность тепы. В настоящее время уже создан широкий класс полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Это обусловлено такими свойствами карбида кремния, как высокая теплопроводность, химическая, механическая и радиационная стойкость, одним из главных Факторов, сдерживающих широкое применение карбида кремния в этих областях электроники, является нехватка монокристаллов высокого структурного совершенства. больших размеров и с заданными электрофизическими свойствами, это тормозит использование современных средств автоматизации процесса изготовления приборов.

Применение" метода, разработанного в лзти, позволило получать слиточный материал карбида кремния, но размеры и качество получаемых монокристаллов неудовлетворительны. Только одна Фирма в мире (CREE "США") производит промышленный выпуск подложечного материала из карбида кремния и объем их выпуска не превышает 500 пластин в год диаметром зо мм. В России промышленное производства слитков карбида кремния отсутствует. По литературным данным наиболее перспективно использование приборов на основе карбида кремния в силовой электронике, где созданы сильноточные приборы, работающие при температурах до воо с. Но возможность создания силовых приборов на карбиде кренния зависит не только от микродефектов в подложках, таких как точечные дефекты и дислокации, но и от макродефектов - пор, присутствие которых наблюдается практически во всех получаемых слитках карбида кремния как в России, так и за рубежон. В то же время практически нет последовательных исследований в области как образования, так и эволюпии пор в процессе роста слитков, их зависимости от технологических параметров процесса роста и от свойств карбида кренния.

Карбид кремния является также материалом для изготовления керамики на его основе, которая широко используется при изготовлении различных конструкций, благодаря их высокой тер-

- г -

ностойкости и химическом устойчивости к кислородсодержащим газовым средам, полупроводниковые свойства позволяют применять карбидкремниевяо керамику и для создания электротехнических изделий, такик как электронагреватели.

Свойства керамики на основе карбида кремния - определяются ее микроструктурой, и в частности, процессами. Формирующими пористость получаемого материала, однако, до сих пор нет целенаправленных исследований процессов спекания карбидкремниево!" керамики, направленных на исследование связи технологически параметров спекания со структурой получаемой керамики. Несмотря на большое количество экспериментальных данных по получении различных типов керамики, нет модельных представлении о взаимосвязи процесса спекания с составом газовой Фазы в зоне спекания.

Цель диссертационной работы, исследование образования j эволюции макродефектов в процессе роста слитков карбида крем ния и спекания карбидкремниевой керамики с целью получения ма териалов с заданными характеристиками.

Основные задачи работы:

- исследование условий.разраыивания и роста слитков кар вида кремния больших размеров (диаметром до £5 мм);

- исследование эволюции пор при росте слитков карбид кремния и причин их образования;

- изучение влияния процессов спекания на структуру кар бидкремниевоя керамики.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- определены условия распределения температуры в ячею роста слитков карбида кремния для получения . монокристалл« больших размеров. Показано, что для разрашивания слитков неое ходимо преобладание температуры формообразователя над темпер. турой Фронта роста кристалла по всей полости роста слитка.

- показано, что получение пластин карбида кремния в ш линдрическон нагревателе требует радиального расположения пр< Филируемой поверхности пластин.

- установлены основные причины образования пор в моно

г1

ристаллах больших размеров. Показано, что технологическими причинами являются пористость используемого графита и неравномерность теплового поля в зоне роста, а ростовыми - торможение ступеней роста на примесях. срастание центров роста и пористость окружашего монокристалл поликристалла.

- изучены основные закономерности движения пор в нонок-ристаллах карбида кремния. Показано, что в градиенте температуры происходит изменение формы пор. который приводит к смене механизма движения пор в кристалле.

исследованы процессы сшшшрования и рекристаллизации карбидкремниевой керамики. Показано, что в процессе сшшшрования происходит смена состава газовой Фазы над источником паров.

Практическая' значимость работы:

- определены технологические факторы, обеспечивающие эффективное разрашвание объемных монокристаллов карбида крем--ния. Показано, что температура фронта роста слитка должна быть

меньше температуры стенок Формообразователя на всем протяжении роста слитка;

- получены монокристаллы карбида кремния диаметром до гь мм. длиной до го мм. политипов 4Н н бН. с плотностью дислокационных ямок травления менее 1сА на сн2 ,

- разработана конструкция ячейки роста и получены профилированные монокристаллы (пластины) карбида кремния плошалью до ^ см ;

- выявлены причины образования пор в монокристаллах карбида кремния и даны рекомендации по снижению их плотности;

- показана возможность снижения плотности сквозных пор в подложках, получаемых из слиточного материала, за счет дополнительного отжига слитков;

- определены оптимальные условия силишрования и рек-ристаллизапионного спекания карбидкремниевой керамики.

Основные научные положения, выносииые на защиту:

1. Технологическими причинами образования пор при росте слитков карбида кремния являются микрозазор под подложкой и

пористость графитового кристаллодержателя. Ростовыми причинами являются; прорастание пор из.поликристалла, окружающего монокристалл, торможение ступеней роста на примесях и срастание центров роста.

г. Разрашивание и рост монокристаллических слитков карбида кремния идет только при температуре фронта роста кристалла меньшей температуры любой точки ростовой полости.

Апробация работа:

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПБГЭТУ 1964-1992гг.: YIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький 1988г.); Ш Всесоюзном совещании по широкозон-нын полупроводникам (Махачкала 198бг.) конференции по Физике полупроводниковых приборов (Таллинн 1965г.): YIII Международной конференции по росту кристаллов (Харьков 1992г. )

Публикации по работе: По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, из которых 4 статьи в межвузовской издании, б тезисов докладов на всесоюзных и 2 международных научно-технических конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения, списка литературы, включавшего 9Т наименований, основная часть работы изложена на 86 страницах машинописного текста. Работа содержит 61 рисунок и 4 таблицы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность•выбранной темы. Формируется цель и основные задачи работы.

Первая глава является обзорной и содержит краткое описание Физико-химических и электрофизических свойств карбида кремния, методы вырашивакия монокристаллов и основные направления работ в этой области. Рассмотрены принципы образования и эволюции макродефектов в монокристаллических материалах. Также дается краткий обзор методов получения карбидкремниевой керамики.

Карбид кремния является единственным представителем полупроводниковых соединений типа А4В4 и отличается большой теплостойкостью, высокой химической стабильностью и стойкостью к Повышенной радиации, а также обладает большим количеством ло-литипных модификаций, существующих в широком диапазоне температур. В настоящее время существуют два метода получения монокристаллов карбида кремния: метод Лэли и метод ЛЭТИ, модификации которого используются во всем мире. Показаны преимущества метода зарождения на кристаллических подложках (ЛЭТИ) от метода'неконтролируемого зарождения (Лэли), которые позволяют получать кристаллы диаметром до 60 мм. Основными причинами, тормозящими внедрение карбида кремния в промышленное производство, являются трудности в получении кристаллов однородно-легированных, без включений других политипов и бездефектных.

В связи с отсутствием литературных данных по эволюции пор в карбиде кремния приведен краткий обзор эволюции пор в монокристаллах других соединений. Показано, что скорость движения обьемных включений в монокристаллах зависит от преобладания мех;; лизмов объемной "или поверхностной диффузии, внутри и вне включения- от наличия градиента сил. действующих на включение. Рассмотрены основные зависимости растворения "игольчатых" пор в монокристаллах, а .также изменение Формы при движении пор в кристаллах.

В последнем параграфе рассмотрены методы получения кар-бидкремниевой керамики. Я ним относятся:

- рекристаллизованная керамика, получаемая при высоких температурах (2470... 2670 к). уплотнения при этом практически не наблюдается.

- самосвязанный карбид кремния получаемый реакционным спеканием образца, содержащего помимо карбида кренния свободный углерод; который, взаимодействуя с поступающим из вне кремнием, образует вторичный карбид кремния, плотность такого материала составляет до \оо% от теоретического при температурах спекания 1970. ..?170 К. В керамике содержится до 1С% свободного кренния

- карбидкренниевая керамика получаемая при спекании микронных и субмикрониых порошков карбида кремния с добавками ряса легких элементов, температура обжига такой керамики г£70... г47о К. плотность при этом достигает 98 %

- горячепрессованкая керамика с использованием добавок в.. Ве. Al. Температура процесса составляет около гзто к. , давление £0... 50 НПа. Плотность керамики достигает 100% -

Несмотря на большое число эмпирических данных по получению карбидкремниевой керамики нет последовательного анализа влияния технологических параметров на спекание.

На основании проведенного анализа обосновываются задача исследования.

Вторая глава посвяшена исследованию закономерностей раз-рашивания и устойчивого роста монокристаллических слитко! большого размера, основных видов накродефектов, присутствуют« в них. а также возможности профилирования монокристаллов карбида кремния.

Сравнение методов выращивания монокристаллов карбид; кремния в среде аргона и в вакууне показывает преимуществ! первого метода за счет возможности контроля за скоростью рост «'уровнем легирования монокристаллов при помощи давления арго на в объеме печи при неизменных температуре роста и градиент температур в зоне роста. Показано, что наличие аргона в обьен печи предотвращает быструю диссоциацию источника паров карбид кремния и не требует применения высокоплотных графитов дл проведения длительных процессов. Поэтому все эксперименты г раэрашиванию и росту слитков проводились в среде аргона.

Приводится краткое описание технологической установки методики выражнвания монокристаллов. Эксперименты проводилис по методу /¡ЭГИ. температура роста не менялась и составля; £150'с. рассмотрен рост слитка в цилиндрическом Формообразов; теле, который в случае разрашивания разбивается на два этап; 1. Разрашивалие подлодки до стенок Формообразователя; г. Poi слитка с диаметром, равным диаметру Формообразователя. Измеж нне теплового поля в зоне роста слитка производилось за сч

- т -

установки тепловых экранов без изменения конфигурации формообразователя.

Установлено, что важнейшим Фактором разрашивания является температура Фронта роста монокристалла. На начальной стадии роста преобладание температуры кристалла над окружающей его областью кристаллодержателя приводит к интенсивному разрашива-нию кристалла, а в обратном случае скорость роста и пересыщение над поверхностью подложки малы по отношению к поликристаллу, что приводит к образованию вогнутого фронта роста и зарастанию подложки поликристаллическими блоками. Увеличение размеров кристалла приводит к влиянию на его рост температуры боковых • стенок формообразователя. При этом разрашивание кристалла идет "только до точки, з которой выравнивается температура фронта роста и температура окружающего кристалл поликристалла, охлаждаемого стенками Формообразователя.

Показано, что разрашивание слитка до размеров цилиндра Формообразователя идет только в случае меньшей температуры фронта роста относительно всей поверхности Формообразователя.

Изучены причинй возникновения блоков другой ориентации на границе монокристалл-Формообразователь. что связано с увеличением температуры Фронта роста кристалла, • по мере его роста в сторону более горячей области и возможностью образования поликристаллических образований в кавернах на боковых стенках формообразователя при сравнивании его температуры с температурой фронта роста кристалла.

Описаны макродефекты (поры) в слитках карбида кремния. Наиболее часто встречаются в кристаллах:

- поры, начинающиеся от подложки и расположенные вдоль направления роста слитка. Размер пор в этом направлении значительно превышает размеры поры в других направлениях.

- объемные поры, размеры которых сравнимы по всем направлениям и меняются от единиц до десятков мкм. Наблюдается огранение пор. существуют одиночные поры и ансамбли пор.

- "игольчатые" поры, вытянутые в направление, перпендикулярном направлению роста слитков.

Профилирование монокристаллов карбида кремния показало, чгс основным дефектом получаемых пластин являются поры, врастьшие в кристалл от места контакта пластина - граФит. Основной причиной появления пор является наличие микрозазора, между подложкой и направляющими Формообразователя, который перемешаясь

/

вдоль пластины под действием осевого градиента температурь врастает в кристалл, с образование системы пор из-за радиального градиента, существующего в цилиндрическом нагревателе. Разработана ячейка роста с радиальным расположением профилируемых поверхностей кристалла и получены пластины размером до 4 кв. см.

В третьей главе обсуждается причина образования пор и эволюция пор в процессе роста слитков карбида кремния.

Причины образования пор делятся на технологические и ростовые. К технологическим относятся:

- неплотная приклейка подложки к кристаллодержателю и пористость графита под подложкой! в результате незаполненный веществом объем двигается ь сторону более горячей области, прорастая через подложку в объем кристалла.

- неравномерность теплового поля в зоне роста, что приводит к <;нешенк» центра фронта роста от оси Формообразования и фдукту-апиян температуры на фронте роста кристалла.

К ростовым причинам относятся:

- прорастание пор в оеьем слитка из окружающего кристалл поликристалла. Это происходит только в случае разращиваемых слитков, когда разрешенная область слитка находится над полик-рнсталлическим осадком, образованном на начальной стадии раз-рашивания и имеющим пористость до нескольких процентов.

- торможение ступеней роста на примесях с образованием замкнутой незарастаюпей области.

- срастание островков роста, образующихся при флуктуациях на поверхностях слитков с образованием идеально ограненного углубления нежду ними, с ншшмальноя поверхностной энергией, это увеличивает энергию актаваиии процесса присоединения атомов в данной области и образует пору.

Разработана схема эксперимента, моделируюшая процессы эволюции пор при росте мококристалпических слитков карбида кремния. Исследовали монокристаллы а-$1С , полученные из газо--вой Фазы по методу /1ЭГИ. Из слитков вырезались образцы с плоскими гранями, которые тщательно полировались. Прозрачность используемых кристаллов позволяла наблюдать эволюцию .пор в объеме кристалла. Наблюдение пор осуществляли с помощью микроскопа Ро1ат Р-211.

Исследовано поведение пор различных размеров и Форм: игольчатых, объёмных, ограненных, неограненных и т. д. отжиг осуществляли при температурах гооо-гзоо°с как изотермически, так и в градиенте температур. ' отжиг эпизодически прерывался для того . чтобы на охлажденном образце определить размеры пор, их смешение, Форму и г. д.

значительную часть пор составляют "игольчатые" поры. игольчатые поры - поры, два линейных размера которых во много раз меньше третьего . Наблюдалось "растворение" игольчатых пор. Получена последовательность фотографий растворения игольчатых пор и временная зависимости изменения линейных размеров пор. Скорость растворения пор . расположенных в однородном температурном поле и в градиенте температуры отличается не более, чем в 1. 2 раза для игольчатых пор разного, сечения. Однако если-сравнивать и поры больших размеров то необходимо отметить, что градиент температуры ускорял процесс уменьшения крупных пор. Это вызвано влиянием тенперсгуры на коэффициент диффузии, а также, возможно, вследствие отличия поглошательной и испускательноя способности лобовой и тыльной поверхностей поры по отношению к вакансиям.

Движение пор исследовали по смешению границы поры и по смешению "центра тяжести" поры. Получены временные зависимости смешения пор при температурах гооо'с и г300сс. Для крупных пор происходила стабилизация размера (сечения) поры порядка 35 нкм и в дальнейшем изменялась лишь длина поры.

На основании полученных зависимостей изменения размеров пор. растворения игольчатых пор и с использованием моделей

- 10 -

l(t) = 1(01 -awDt/R KT , где lit) - длина поры, а - поверхностная энергия, t - вреия отжига, w - объем элементарной ячейки, получены значения эффективного коэффициента диффузии для разных температур: т = гооо'с d = г-10 е-9 смгсИ). Т = 2300сС D-" 5-ÍO Е-6 CM£c(-i).

Полученные коэффициенты диффузии превышали De и Dsi полученные для a-SlC при исследовании диффузии 14С и 30S1.

На основании этик даных определена энергия активации процесса. составляющая 95 ккал/моль, что свидетельствует о вкладе не только обьемной, но и поверхностной диффузии.

Это подтверждается экспериментальными временными зависимостями смешения "центра тяжести" поры и изменения ее поперечного сечения при отжиге лоры в градиенте температуры. Вследствие роста поперечного сечения поры относительная роль обьемной диффузии возрастает а механизма поверхностной диффу-эии-падает и . соответственно, скорость движения поры уменьшается от величины Т. 5 нм/с до о, 92 нм/с. Размер поры при которой наблюдали переход от преобладания одного механизма .к преобладанию другого составлял около 35 мкм. Расчеты соответству-' юшего критического размера поры дают значение ю-loo мкм.

Обнаружена интересная закономерность . отжига кристаллов S1C с порами, в результате отжига концентрация пор вблизи поверхности кристалла становилась на 1-3 порядка ниже чем в объеме кристалла.

В результате проведенных исследований изучено поведение пор в кристаллах a-SiC при термической обработке при температурах гооо-езоо9с , Исследовано поведение пор различных размеров и Формы, последовательные стадии преобразования Формы пор, проведены расчеты по разным моделям залечивания и движения пор и определены эффективный коэффициент диффузии и энергия активации процесса залечивания пор.

Четвертая глава посвяшена исследованию процессов спекания карбидкремниевои керамики.

Исследование процессов спекания керамики можно разбить на

две части: реакционное спекание и перекристаллизация, оптимизация процесса получения керамики требует раздельного изучения обеих стадий процесса, наиболее важными параметрами в который является температура спекания и изменение состава газовой Фазы в процессе спекания, г. к. в качестве источников используют в основной кварцевый песок с различными добавками, то при сили-иировании образцов происходит не только реакции взаимодействия углерода с парами кремния, но и с присутствующим в газовой Фазе кислородом.

. разработана схема эксперимента, моделируюшая процессы спекания в одномерном приближении. Исследовались три типа образцов керамики с различным составом масс, соотношение карбида кремния, свободного кремния и свободного углерода изменялось следующим образом (вес. проценты): образец А - Sic : Sl : С = 70 : 18 : 1г. В - 85 : 7 : 8» с - 92 : о : 8. В качестве источника кремния использовалась стандартная смесь из двуокиси кремния с углеродом в соотношении Т : 3. исследование процессов силипирования проводилось в диапазоне температур 1воо... гооо"с.

Получены экспериментальные зависимости скорости образования силицированного слоя от времени спекания и,состава керамики. Показано, что скорость образования в начальный момент времени и толщина силицированного слоя возрастает с увеличением температуры спекания, но с увеличением врлмени спекания скорость силицирования стренится к нулю тем быстрее, чем выше температура спекания, что приводит к снижению результирующей толщины силицированного слоя.

Показано, что увеличение скорости силипирования с увеличением содержания кремния в исходном образов связано с улучшением доступа паров кремния внутрь образца при плавлении исходного кремния в образце и уменьшением необходимого количества паров кремния, пришедших извне, для полного силипирования образцов.

разработана модель процесса силии,йроег*г»п* керамики на основе экспериментально полученных затхниыл^й скорости сили-

иирования от расстояния источник паров-образец в предположении что скорость изменения толщины силииированного слоя обратно пропорционально расстоянию до источника паров (диффузионная модель). Изменение расстояния источник - образец определяется скоростью отвода продуктов реакции цз зоны спекания, что можно описать решением следующего дифференциального уравнения: dh/dt = 4/h •

где h - толшина слоя сшншируюшей засыпки; & - коэффициент, связанный с давлением газообразных продуктов реакций, происходящих в силданруюшей засыпке, температурная зависимость которой может быть представлена в виде:

а = А * ехр(- Q /( R* [T-(h - hlnll). где Q - энергия активации химических реакции, R - универсальная газовая постоянная; п - градиент температуры; h - h -расстояние источник паров - образец; а - константа,

Численное решение показывает достаточно хорошее совпадение расчетных н экспериментальных зависимостей при Q = 200 кДж/моль; h = 5 см, «¡гаЛТ = 25 град/см.

Расчет скорости пропитки в зависимости от расстояния источник - образец (h - h ) в предположении, что Y = Z/(h - h) ;

где - Z коэффициент пропорциональности, показал, что с достаточной степенью точности эту зависимость можно аппроксимиро-' вать прямой линией, не учитывая малые времена спекания.

экспериментально установлено, что при увеличении температуры спекания происходит изменение состава газовой Фазы над источником из двуокиси кремния и углерода. При температурах порядка 1600°с образование карбида кремния идет преимуществен-. но по реакции

SlO ♦ 2С - SIC + СО , а при увеличении температуры до 1900 "Си выше по реакции Si ♦ с - Sac

Реакционно спеченные образцы требуют дальнейшей обработки при более высоких температурах, так как при темепературах до-

рядка 1900"с скорость массопереноса между зернами мала и не образуется прочных перешейков между зернами образца, а образованный реакционным спеканием вторичный карбид кремния в основном - модификации.

Процесс перекристаллизации при более высоких температурах позволяет ликвидировать все эти недостатки, диапазон исследуемых температур гюо - гзоо°с. спекание проводилось в атмосфере азота.

Найден оптимум температуры спекания (2200 сС). соответствующей минимуму пористости при рекристаллизации. Увеличение температуры с гюо до гзоорс приводит к резкому увеличению количества вторичного карбида кремния в образце с сокращением времени его образования более чем на порядок.

Исследовано изменение структуры пористости кераники при обжиге. Показано, что структурой пор в керамике можно управлять как с поиошью изменения температуры, так и времени обжига.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В итоге проделанной работы получены следующие-основные результаты;

1. Экспериментально исследованы условия раэрашивания слитков карбида кремния, показано, что для устойчивого разра-шивания и дальнейшего роста слитков температура фронта роста кристалла должна быть ниже температуры по всей полости роста.

2. Получены слитки карбида кремния диаметром до 25 мм и длиной до 20 мм. Плотность ямок травления в слитках не превышает 10 см .

3. Показано, что для получения качественных профилированных пластин карбида кремния необходимо располагать полость роста вдоль радиального градиента температуры.

4. Показано, что технологическими причинани образования пор в карбиде кремния являются наличие микрозазора под подложкой и пор в материале кристаллодержателя. а ростовыми - прорастание пор в монокристалл из поликристалла, срастание островков роста и торножение примесей на ступенях Роста.

5. Разработана схема эксперимента, моделируюшая процессы эволюции пор при росте слитков карбида кремния.

6. впервые исследовано движение объемных пор в монокристаллах карбида кремния. Показано, что при отжиге кристаллов происходит движение пор с размером, большим критического. Upij Т = гоооЙС критический размер поры составляет 35 мкм.

Т. экспериментально исследованы процессы залечивания одномерных "игольчатых" пор в монокристаллах карбида кремния. Показано, что уменьшение длины поры идет за счет испускания вакансий из вершины поры, энергия активации данного процесса составляет 95 ккал/моль.

в. Установлено, что при повышении температуры сияицирую-шего обжига керамики от ieoo°c до 1900"С происходит изменение состава' газовой Фазы над источником паров кремния (S102 + CV и реакция сшигаирования идет преимущественно по реакции S1 + С -Sic.

9. Исследовано изменение состава и структуры пористости карбидкремниевой керамики при рекристаллизации. Показано изменение структуры керамики от времени и температуры спекания. Оптимальными условиями являются: время спекания - 1 час, температура спекания - 2200ие..

СПИСОК РАБОТ ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Карбид кремния легированный алюминием в процессе роста /Дорожкин с. и. .Лаврентьев А. А. .Растегаев В. П.. цветков В. Ф. и Тез. докл. УШоВсесоюзной . конференции по нетодан получения и анализа высокочистых веществ. . 1986.»Горький. С. 225-226.

2. Дорожкин С. и. .Растегаев В. П. Спекание и свойства кон-позиционных керамик на основе карбида кремния. // Изв. ЛЭТИ: Сб. науч. тр. /ленингр. эдектротехн. ин-т им. в. И. Ульянова (Ленина) -Л. . 1991 - вып. 433, С. 76-82

3. Crystallization of sic from the ваз Phase and point defects. /BaKin A, s.. Doroshh'm S. I.. Tairov yu. H. . orlovH. Y. // "State of the art program on compound semiconductors" (SOTAPOCS XV). (160th Electrochemical Soslety Heetlne) Fhoenics. Arlsona. 1991.

4. crystallization of sic from the eas phase. / BaKln A. s., DoroshKin s. I. , orlov H. Y., Talrov Yu. K. .TsvetKov V. F. // "The International Conference on crystal Growth" ICCG-lO. san Diego, California, 1992.

5.-СамоФормирование политипных модификаций sic в процессе выращивания /Д. Д. Авров. с. И. Дорожкин и яр.// III Республиканский семинар "СамоФормирование. Теория и применение", 26-27 мая 1987., Вильнюс. -Вильнюс, 19в7. - с. 47.

6. Долотов Н. И. , Дорожкин с. и,. Таиров ю. м, Количественный рентгенотопографический анализ примесной неоднородности в эпитаксиальных структурах на основе карбида кремния //Тез. докл. VIII Всесоюзн. конф. "Методы получения и анализа высокочистых вешеств", 1998г., Горький, -Горький, 1988. -'с. юг-1 оз.

7. Объемные монокристаллы карбида кремния - перспективный материал микроэлектроники/ д. д. авров. с. И. Дорожкин и др. //Тез. докл. VII Всесоюзн. конФ>. по росту кристаллов, ноябрь 1988г.. Москва. - Носква. 1988. - С. 25-26.

8. Проблемы вырашиванйя однородных кристаллов карбида кремния большой плошали/ с. и. Дорожкин, Ю.М.Таиров и др.// Тез. докл. IV Всесоюзн. ■ совет. "Физика и технология широкозонных полупроводников". 21-23 сент. 1993., Махачкала. -Махачкала. 1993. - С. 3.

9. Дорожкин с, и.. казанцев и. А., Растегаев В. п. спекание керамики на основе карбида кремния.// Изв. /КЭТИ: Сб, науч. тр./Ленингр. электротехн. ин-т им. в. И. Ульянова (Ленина) - л.. -1991 - ВЫП. 420. С. 72-76.

10. авров Д. Д.. Дорожкин с. К., Левин В, И. .Исследование процессов массопереноса при спекании карбидкремниевоя керамики // изв. ЛЭТИ: Сб. науч. тр.' /У1енингр. электротехн. ин-т им. В. и. Ульянова (Ленина) - Л. , 1989 - Вып. 414. с. 45-49.

И. Дорожкин С. и., Левчук Б. И. Анализ структуры переходных областей затравка-слиток в монокристаллах карбида кремния, выращенных из паровой Фазы, // Изв. ЛЭТИ: Сб, науч. тр. /Ленингр. электротехн. ин-т им. В. й. Ульянова (Ленина) - л., - 1984 -Вып. 338, С. 8-12.

12. Анализ процессов спекания и электропроводность поликристаллического карбида кремния /д. д. авров. с. и. дорожкин. В. и. Колынина и др.//тез. докл. Всесоюзн. научн.-технич. совещания "Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов электронной техники". - Одесса. 1966. -с. 15.

Подп. к печ. 23.12. 93. формат 60 х l/te

Офсетная печать; печ. л. lio уч.-изд. л. 1.о. Тира* юо экз. Зак. ы 2%

Ротапринт ИГЛ "Поляком" 19Т376. с. -Петербург, уд. Проф. попова. 5