Эволюция реальной структуры кристаллов карбида кремния в процессах роста, пластической деформации и фазовых превращений тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Структура карбида кремния

1.2. Структурные исследования карбида кремния

1.2.1. Методы исследований

1.2.2. Ростовые дефекты

1.2.3. Структурные особенности фазовых превращений в карбиде кремния .••••«.

1.2.4. Пластическая деформация в

1.3. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИХ

ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Препарирование образцов керамических материалов для исследования методами просвечивающей электронной микроскопии

2.2. Методики исследования структурных дефектов

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РОСТОВЫХ ДЕФЕКТОВ В З/С

3.1. Дефекты в эпитаксиальных монокристаллических слоях , выращенных из паровой фазы

3.1.1. Дефекты на границе подложка - эпитаксиальный слой

3.1.2. Дефекты в объеме эпитаксиальных слоев

3.1.3. Особенности распределения дефектов в эпитаксиальных слоях З/С . ЮО

3.2, Особенности реальной структуры монокристаллов, выращенных методами Лели и разложением метилтрихлорсилана

3.3. Выводы к главе 3.

ГЛАВА ИЗМЕНЕНИЯ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ

КРИСТАЛЛОВ ПРИ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЯХ

4.1. Твердотельный фазовый переход

ЗС - 6Н S¡С

4.2. Фазовое превращение 6Н - ЗС S¡C

4.3. Фазовое превращение в ZnS

4.3.1. Исследование структуры кристаллов ZnS » выращенных из расплава и паровой фазы

4.3.2. Перестройка реальной структуры кристаллов природного ZnS при твердотельном фазовом превращении

4.4. Механизмы фазовых превращений

4.5. Выводы к главе

ГЛАВА 5. ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ

S¡C И т ПОСЛЕ ПЛАСТИЧЕСКОЙ

ДЕФОРМАЦИИ

5.1. Высокотемпературная пластическая деформация 8¡C

5.2. Проявление микропластичности в d SfC

И. if вблизи концентраторов напряжений

5.3. Движение дислокаций в S/C , активируемое электронным облучением

5.3.1. Атермический характер процесса

5.3.2. Особенности движения дислокаций

5.4. Структурные изменения в AQM при трении

5.5. Выводы к главе

ВЫВОДЫ

Интенсивное развитие новых областей техники требует создания новых материалов, способных работать в условиях воздействия высоких или низких температур, глубокого вакуума или при высоких давлениях, при радиационных воздействиях, в химически активных средах, а в ряде случаев - при действии совокупности экстремальных условий. Поэтому не удивителен возрастающий интерес к исследованию керамических материалов с целью их более широкого использования по таким качествам, как термостойкость, химическая инертность, твердость.

Карбид кремния среди других тугоплавких керамических соединений выделяется интересным комплексом свойств. Высокая твердость позволяет использовать его как абразив, жаростойкость и химическая инертность определяют его применение в качестве огнеупорного конструкционного материала. Высокие прочностные качества 3/С привели к созданию целой серии композиционных материалов на основе поликристаллического карбида кремния, которые уже сейчас широко используются в различных областях промышленности [I].

Уникальные полупроводниковые свойства послужили основой для создания на базе Я/С различных типов электронных приборов: диодов, транзисторов, детекторов заряженных частиц, ультрафиолетовых приемников, светодиодов и др. [1,2] . Однако как полупроводниковый материал карбид кремния еще далеко не исчерпал свои возможности, прежде всего как высокотемпературный, химически инертный полупроводник с высокой радиационной стойкостью. Но этот комплекс свойств сочетается с другим удивительным качеством: различные кристаллические модификации (политипы) S/C имеют различную ширину запрещенной зоны (от 2,3 эВ у кубического S¡C до 3,3 эВ у гексагонального 2Н политипа). Таким образом, карбид кремния может послужить основой для создания целого набора полупроводниковых материалов с близкими (или практически одинаковыми) физико-химическими свойствами. Однако, несмотря на то, что искусственно S¡C был синтезирован очень давно, до настоящего времени не решена задача воспроизводимого выращивания монокристаллических слоев заданного политипа. Как отмечается в ряде работ [1-3], монокристаллы ¿¡С , выращенные различными методами ( например, наиболее распространенными методами Лели и Ачесона) могут значительно отличаться друг от друга как по дефектности, так и по наличию прослоек разных политипов. Новые методы выращивания монокристаллов 3/С , например "сэндвич метод", позволяют получать воспроизводимо политипы 6Н, ЗС, 4Н и несомненно представляют существенный шаг в решении практических задач [4]. Однако требования к полупроводниковым материалам не ограничив ваются только заданием добиться воспроизводимости политипной структуры, но заключаются и в необходимости выращивать бездефектные или малодефектные кристаллы. Решить последнюю задачу невозможно без проведения комплекса структурных исследований. В связи с этим можно отметить, что именно огромный объем работ по исследованию реальной структуры кристаллов Si способствовал превращению кремния в основной материал современной полупроводниковой техники.

Структурные исследования S¡C ведутся давно, причем в центре внимания исследователей находится вопрос о механизмах появления различных политипов. Е до сих пор в проблеме политипизма много нерешенных вопросов. Вместе с тем,в последние два десятилетия задачи выяснения общих закономерностей роста и превращения политипов все теснее связываются с задачами разработки новых технологических методов воспроизводимого выращивания бездефектных кристаллов. Интерес к структурным исследованиям дефектов, политипизма и фазовых превращений в Я/С увеличился не только из-за возникновения потребностей в новом материале. Карбид кремния относится к классу кристаллических веществ с тетраэдрической координацией атомов, в который входят соединения А^В^, а также £е , 3/ , алмаз, у многих из них обнаружены политипные модификации, политипизм обнаружен и у других классов металлических и неметаллических веществ и соединений [5,6]. Поэтому исследование структуры в/С должно способствовать выяснению общих закономерностей и особенностей столь широко представленного у кристаллических тел явления.

К проблемам, изучаемым методами структурных исследований, относится и проблема пластической деформации 3/С , выяснение условий зарождения, размножения и движения дислокаций. Эта проблема представляет несомненный интерес с разных точек зрения. Во-первых, она непосредственно связана с задачами выращивания бездефектных кристаллов З/С . Во-вторых, она имеет ряд точек соприкосновения с проблемой фазовых превращений, поскольку в настоящее время достаточно убедительно показано, что особенности образования и размножения дефектов структуры могут играть важную роль в твердофазных перестройках структуры при фазовых превращениях в 2пЗ , ЗА/ , металлах [7-9]. Наконец, изучение особенностей пластической деформации в керамических материалах, в том числе и в 31С , представляет интерес с точки зрения выяснения поведения дислокаций в структурах с высоким рельефом Пайерлса. Последнее связано с практическими задачами создания конструкционных керамических материалов, предназначенных для работы в условиях значительных тепловых и механических нагрузок.

Таким образом, дальнейшая разработка широкого круга прикладных и фундаментальных вопросов физики твердого тела, а также ряд конкретных задач практического использования карбида кремния вызывают необходимость исследования реальной структуры этого материала. Вместе с тем,до последнего времени реальная структура £/С прямыми методами изучалась только на малодефектных кристаллах.

С учетом вышеизложенного была определена научная задача настоящей диссертационной работы, в которую входило следующее.

1. Разработка методики исследования реальной структуры кристаллов карбида кремния с высокой плотностью дефектов на основе применения методов электронной микроскопии.

2. Изучение закономерностей формирования реальной структуры при выращивании эпитаксиальных слоев в/С ,

3. Исследование структурных изменений в кристаллах 57<? при твердотельных фазовых превращениях в условиях,близких к условиям выращивания монокристаллов.

Изучение особенностей дефектообразования при пластической деформации кристаллов карбида кремния.

При решении поставленных задач получены новые научные ре зул ьтаты.

I. Разработана и опробована на широком круге материалов методика подготовки керамических образцов к исследованию их методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЗМ).

2. Методами электронной микроскопии проведена идентификация дефектов, образующихся при выращивании эпитаксиальных слоев карбида кремния сублимационными методами, исследованы особенности распределения дефектов по объему монокристаллических слоев, выяснены причины появления основных типов дефектов в эпитаксиальных слоях.

3. Прямыми исследованиями реальной структуры показано, что основной причиной двухфазности эпитаксиальных слоев,выросших при низкотемпературной эпитаксии, является зарождение и рост разных политипов из газовой фазы, а при высокотемпературi ной эпитаксии одной из основных причин двухфазности и высокой дефектности слоев является твердотельное фазовое превращение.

Впервые методами ПЭМ установлено, что перестройка структуры кристаллов кубического S¡C при твердотельном фазовом превращении ^а d 3¡C происходит с участием дефектов упаковки, ограниченных скользящими частичными дислокациями Шокли, обнаружена возможность поперечного скольжения этих дислокаций в jsSíC , рассмотрены механизмы их размножения.

5. Впервые обнаружено появление на границах фаз и на многослойных дефектах упаковки в S¡C дефектов кластерного типа, и на основе этого предложена схема превращения с концентрационными изменениями в области зарождения новой фазы.

6. Методами ПЭМ исследованы этапы фазового превращения ЗС-2Н в ZnS , обнаружена возможность стабилизации высокотемпературной фазы примесями.

7. Проведена идентификация дислокаций в кристаллах dS¡C после пластической деформации, установлено, что пластическое течение связано с зарождением и движением частичных дислокаций Шокли и широко расщепленных полных дислокаций.

8, По экспериментальным данным проведена оценка энергии дефектов упаковки в карбиде кремния.

9. Впервые обнаружено существенное различие в микропластичности приповерхностных слоев на полярно противоположных

3/ и С гранях оС Б/С , в условиях Т 300 К.

10, Впервые обнаружена активация движения частичных дислокаций Шокли в в/С электронным облучением, установлен атермический характер процесса.

11. Исследованы особенности структурных изменений в АРЫ в условиях тепловых и механических воздействий при трении.

Научное значение настоящей работы состоит в том, что полученные результаты существенно расширяют имеющиеся представления о дефектах структуры в карбиде кремния. Уточнены условия и механизмы образования и размножения дефектов как при выращивании кристаллов, так и при тепловых и механических воздействиях. Получены экспериментальные свидетельства о процессах дефектообразования, протекающих при твердотельных фазовых превращениях, выявлен ряд общих закономерностей, присущих политипным перестройкам структуры в соединениях с тетраэдри-ческой координацией атомов. Обнаружен эффект атермической активации движения дислокаций в в/С , являющийся проявлением особенностей взаимодействия электронов средних энергий с дефектами кристаллической решетки.

Практическая ценность работы заключается в выяснении ряда причин дефектообразования в эпитаксиальных слоях Я/С при сублимационных методах наращивания, что, несомненно, может использоваться при технологических разработках.

Практическое значение имеет и разработка ряда методических вопросов, связанных с исследованием структуры эпитаксиальных слоев и поверхностных повреждений тугоплавких керамических материалов.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Уровень дефектности эпитаксиальных слоев Я/С , выращенных сублимационными методами, в основном определяется дефектообразованием на границе подложка-эпитаксиальный слой и прорастанием дефектов с границы в объем эпитаксиального слоя. В объеме растущего слоя также протекают процессы образования дефектов. В ¿з,-с одной из основных причин появления дефектов в объеме кристалла является действие источников, испускающих скользящие базисные дислокации. В условиях нестабильного роста оСЗ/С , сопровождающегося сменой роста политипов 6Н-ЗС, образование дефектов связано с диффузионными процессами двумерного зарождения дислокационных петель. В - резкое повышение дефектности и появление областей о[ £/С связано с начальными стадиями твердотельного фазового превращения, происходящего при выращивании эпитаксиального слоя.

2. Структурные перестройки при твердотельных фазовых превращениях в З/С и его структурных аналогах - ^пв , А2М , связаны с процессами размножения скользящих частичных дислокаций Шокли. Фазовое превращение сопровождается диффузионными процессами образования кластерных дефектов, связанных с концентрационными изменениями в области зарождения новой фазы.

3. Пластическая деформация кристаллов с(3/С изгибом происходит базисным скольжением частичных дислокаций Шокли и широко расщепленных полных дислокаций. Процессы пластичности при росте эпитаксиальных слоев связаны как с базисным скольжением частичных дислокаций, так и с переползанием полных дислокаций в призматических плоскостях.

Микропластичность поверхностных слоев осв/с при Т ^ 300 К существенно различается для полярно противоположных граней кристалла.

В карбиде кремния при воздействии на кристалл потока электронов с энергиями 100-200 кэВ возможна атермическая активация движения частичных дислокаций Шокли. Движущиеся дислокации соответствуют скользящему набору дислокаций.

ВЫВОДЫ

1. Разработана методика подготовки керамических образцов для исследований структуры методами просвечивающей электронной микроскопии, основанная на двухстороннем ионном распылении объектов.

Методика опробована на широком круге материалов. Показана эффективность ее применения к ряду тугоплавких соединений, а также возможность препарирования мелкодисперсных, поликристаллических, монокристаллических и гетерофазных объектов. Выявлены основные виды артефактов, вносимых в керамические материалы в процессе препарирования.

Разработаны частные методики подготовки образцов: методика утонения края косого шлифа, позволяющая гарантированно получать тонкие участки в области границы подложка-эпитаксиальный слой, методика подготовки к исследованию поверхностных и приповерхностных слоев, в том числе слоев, сформировавшихся при трении.

2. Впервые методами ПЗМ исследованы дефекты на границе между подложкой и эпитаксиальным слоем карбида кремния. Проведена идентификация основных типов дефектов на границе. Обнаружено, что реальная структура пограничных дислокационных скоплений значительно отличается от идеального случая граничных сеток дислокаций несоответствия как болеем высокой плотностью дислокаций, так и беспорядочной их ориентацией. Возможные причины, определяющие эти различия, связаны с загрязнениями поверхности подложки. Установлено, что одним из основных механизмов появления дислокаций на границе подложка-эпитаксиальный слой является испускание дислокаций с механических повреждений подложки.

Обнаружено, что на границах между политипными слоями в объеме эпитаксиальных слоев ЗЮ (ив Ш ) формируются сетки дислокаций, близкие к случав дислокаций несоответствия.

3, Основной причиной, определяющей высокий уровень дефектности объема эпитаксиальных слоев SiC , являются процессы прорастания дефектов с границы в объем. Проведена идентификация прорастающих дефектов. Выявлено три механизма прорастания. ВdSiC прорастание дислокаций связано с механизмом роста слоя вокруг винтовых дислокаций и с переползанием дислокаций в призматических плоскостях. В pSiC прорастание дефектов в объем прежде всего объясняется скольжением частичных дислокаций по системе плоскостей fill] , расположенных наклонно к подложке.

Изучение распределения дефектов по толщине эпитаксиальных слоев показало, что в зависимости от типа переходной области, формирующейся на начальных этапах роста» может существенно изменяться и плотность дефектов, прорастающих в объем.

4. Установлено, что в эпитаксиальных слоях S/C , кроме процессов прорастания дефектов с границы, на уровень дефектности влияют процессы зарождения и размножения дислокаций в объеме кристалла. В ¿¡С одним из основных механизмов размножения дислокаций в объеме является действие источников, испускающих скользящие базисные дислокации. Обычно такие источники образуются на конфигурациях, сформированных из прорастающих дефектов.

Впервые экспериментально обнаружено, что в условиях нестабильного роста «б фазы (перед сменой роста политипа 6Н на поли-тип ЗС) в объеме эпитаксиального слоя протекают диффузионные процессы двумерного зарождения сидячих дислокационных петель, связанные с коагуляцией вакансий,

В кристаллах fiSiC при высоких температурах выращивания (Тг2300 К) наблюдается резкое увеличение дефектности, обусловленное процессами размножения ДУ и ЧДШ. Формирующаяся при этом реальная структура подобна структуре,характерной для начальных стадий твердотельного фазового превращения ß-+<iSiC .

5. Изучение реальной структуры двухфазных эпитаксиальных слоев SiC показало, что основной причиной двухфазности при низкотемпературной эпитаксии (Т<2100 К) являются процессы зарождения разных политипов на растущей поверхности или смена роста одного политипа другим. При высоких температурах наращивания ЗС появление <L фазы в слоях ßSiC обусловлено процессом твердотельного фазового превращения. В двухфазных образцах S/C твердотельные фазовые переходы, протекающие в процессе выращивания слоев, могут приводить к образованию однофазного кристалла 6Н SiC , однако структура слоев, сформированная при фазовом превращении, всегда более дефектна, чем структура роста,

6. Впервые исследованы дислокационные структуры, сформированные в кристаллах S/C в результате протекания твердотельного фазового превращения ß-^vtS/C . Проведена идентификация основных типов дефектов, образующихся при фазовом превращении. Установлено, что твердотельное фазовое превращение связано с процессами массового образования ДУ, ограниченных скользящими частичными дислокациями Шокли. Исследование начальных этапов превращения показало, что появление зародышей ы. фазы не связано с двумерным зарождением дислокационных петель на кластерах вакансий, как это предполагалось в ряде моделей, а определяется процессами размножения дефектов исходной структуры и формирования многослойных ДУ.

7. Впервые обнаружено появление в В/С в ходе превращения на зародышах А фазы и на границах фаз дефектов кластерного типа. Выдвинуто предположение о том, что появление этих дефектов связано с концентрационными изменениями в области зарождения. Предложена модель фазового превращения в карбиде кремния, согласно которой превращение представляет совокупность процессов размножения скользящих дислокаций, формирования многослойных ДУ, удаления ростовых дефектов и диффузионных процессов изменения состава ( отношения в/'/С или примесей ).

8. Установлено, что при твердотельных фазовых превращениях в ^пЗ и политипных перестройках структуры в А0Л/ происходят процессы размножения ЧДШ и образования многослойных ДУ, аналогичные процессам в ^¡С . Обнаружено, что в кристаллах ЖпВ , различающихся примесным составом, превращение происходит не одинаково. Высокотемпературная фаза 2Н Кп5 может стабилизироваться примесями. Обнаружено, что в ¿пЗ характер упорядочения однослойных ДУ в многослойные изменяется при Т=1300 К.

9. Методами ПЭМ исследованы дислокационные структуры, формирующиеся при пластической деформации в монокристаллах ¿в/С в температурном интервале 800-2300 К. Обнаружено, что пластическая деформация изгибом связана с размножением и движением ЧДШ и широко расщепленных полных дислокаций, что соответствует двум типам сдвигов в базисных плоскостях: (1100) и (1120). В б/С ярко выражена тенденция к расщеплению базисных дислокаций при пластической деформации, которая обнаружена и у других полупроводников.

10. Впервые обнаружено, что в кристаллах ыв/С микропластичность поверхностных слоев, прилегающих к полярно противоположным базисным граням, существенно различается. Предполагается, что различия в микропластичности связаны с различиями в подвижности двух типов полных дислокаций в дислокаций). Обнаружено также, что в при Т>300 К подвижность винтовых и краевых полных базисных дислокаций различна,

11. Обнаружено, что повышение температуры от 300 К до 800 К приводит к смене системы скольжения вблизи концентраторов напряжений: (1120) {0001} - (1010) {0001} , т.е. основную роль в пластической деформации начинают играть частичные дислокации Шокли.

12. На кристаллах с поверхностными повреждениями показано, что формирование плоских скоплений базисных дислокаций, подобных скоплениям дислокаций на границе подложка-эпитаксиальный слой 3/С , может начинаться при сравнительно низких температурах ( Т ~ 1300 К ) и происходить при низких уровнях механических напряжений.

13. Экспериментально проведена оценка энергии дефектов упаковки в карбиде кремния. Полученные значения энергии ДУ не о р превосходят величины 2-10 Дж/м , Такие низкие значения энергии ДУ вполне согласуются с фактами преимущественного участия частичных дислокаций Шокли в процессах пластической деформации и фазовых превращений в З/С ,

14. Впервые обнаружена атермическая активация движения частичных дислокаций Шокли в карбиде кремния электронами средних энергий. Установлено, что характер такого движения ЧДШ значительно отличается от характера движения при термической активации. Обнаружены различия в движении ЧДШ разной ориентации, эти различия объяснены на основе рассмотрения структуры ядер дислокаций. Особенности поведения ЧДШ разной ориентации при облучении кристалла электронами позволили отнести движущиеся дислокации к скользящему набору дислокаций.

15. Исследование дислокационной структуры нитрида алюминия показало, что пластическая деформация в этом материале связана с появлением полных базисных дислокаций, идентичных тем, которые образуются в карбиде кремния при Т~300 К. Однако в АМ расщепления полных дислокаций, образующихся при пластической деформации, не происходит до температур порядка 1500 К, тогда как в З/С , начиная с 800 К, основную роль в процессах пластического течения начинают играть ЧДШ.

В заключение автор сердечно благодарит сотрудников ИПМ АН УССР и КНКИРТМ - В.А.Кравец, С.И.Власкину, Н.Ф.Островскую, Г.С.Олейник, В.М.Верещака, Л.Р.Шагиняна за большую помощь при выполнении работы и ее оформлении.

1. Карбид кремния / И.Н.Францевич, Г.Г.Гнесин, С.М.Зубкова и др.- Киев : Наук, думка, 1975,- 84 с.

2. Райан Ч.З. Перспективность карбида кремния. В кн.: Карбид кремния, М.: Мир, 1972, с, 9-22.

3. Галайтли Дж.П., Воден Л,Дж. Некоторые аспекты разупорядоче-ния в карбиде кремния.- В кн.: Карбид кремния, М.: Мир, 1972, с. 328-338.

4. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах.-М. : Мир, 1969, 274 с.

5. Trigunayat G.С., Terma A.R. Polytypism and stacking Faults in crystals with Layer Structure.- In : Crystallography and Crystal Chemistry of Materials with layered structures, Dordrecht: D.Reldel Publ.Comp., 1976, p. 269-340.

6. Курдюмов A.B., Пилянкевич A.H. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора,- Киев : Наук, думка, 1975.- 188 с.

7. Соловьев В.А. Механизмы образования новой фазы на дефектах упаковки, кинетические типы их действия,- ФММ, 1976, т.41, № 5, с. 942-950.

8. Вишняков Я.Д., Файнштейн Г.С, Превращения в металлах с различной энергией дефектов упаковки.- М.: Металлургия,1. X98I, 136 с.

9. Хюбнер К., Кюн Г. Определяемые полярностью структурные эффекты в тетраэдрически координационных полупроводниках.-В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. В 2-х т. Новосибирск : Наука, 1975» т.2,с. 7-12.

10. Gottshalk Н., Patzer G., Alexander Н. Stakcing Eault Energy ahd Ionicity of Cubic 3-5 Compound.

11. Fhys. status solidi, 1978, v.45, I, p. 207-217.

12. Caveney R.I. Chemical Bonding and Structure of the

13. Semiconductor Compounds.- Hiil. Mag., 1968, v.17, 149, p. 943-949.

14. Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Чернов М.А. Исследование кристаллохимических свойств политипов карбида кремния. Кристаллография, 1983, т.28, №5, с. 910-914.

15. Дженнингс В.Дж. Травление карбида кремния.- В кн. : Карбид кремния. М. : Мир, 1972, с. 279-289.

16. Yodakov Yu.A., Mokhov E.N., Roenkov A.D., et. al. Effect of Crystallographic Orientation on the Polytype Stabilization and Transformation of Silicon Carbide.

17. Phys.status solidi (a), 1979, v.59, I, p. 209-214.

18. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций,- М. : Атомиздат, 1972.- 600 с.

19. Bergheran А., Fourdeux A., Amelinckx S. Transmission Electron Microscopy Studies of dislocations and Stacking Faults in a hexagonal metal Zink.- Acta.Met., 1961, v.9, 5, p. 464-480.

20. Шаскольская М.П. Кристаллография.- M.: Высшая школа, 1976,- 392 с.

21. Хольт Д.В. Дефекты в структуре сфалерита.- В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников. М. : Мир, 1969, с. I00-II9*

22. Фридель Ж. Дислокации.- М. : Мир, 1967,- 644 с.

23. Хорнстра Дж. Дислокации в решетке алмаза,- В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников. М. : Мир, 1969, с. 15-37.

24. Осипьян Ю.А. Дислокации и физические свойства полупроводников.- В кн. : Несовершенства кристаллического строения и мартенситные превращения. М.: Наука, 1972, с, 115-135»

25. Hirsch Р.В. The structure and electrical Properties of Dislocations in Semiconductors.- journ. of Microscopy,1980, v. 118, I, p. 3-12.

26. Alexander H. Models of the Dislocation structure.- Journ.1.hysique, Г979, col.6, n.6, t.40, p.1-6.

27. Амелинкс С.А. Методы прямого наблюдения дислокаций,

28. М. : Мир, 1968,- 440 с. 26« Mendelson S. Dislocation Dissociations and Dislocation

29. Mobility in Diamond lattice Cristals.- J.Appl.Phys.,1972,v.43, 5, pt.I, p. 2102-2113.

30. Olsen A., Spens I.C.H. Distinguishing dissociated glide and shaffle set dislocations by high resolution Electron Microscopy.- Phil.Mag., 1981, v.43,(a), 4, p. 945-965.

31. Hirsch Р.Б. Resent result on the structure of dislocations in tetrahedrally coordinated semicondactors.- Journ.de Physique, 1979, col.6, n.6, t.40, p. 1-27.

32. Gatos H.C. Dangling Bonds in III-V Compounds.j.Appl.Phys., 1961, v.32, 7, p. 58-60.

33. Iones K.A. Mismatch dislocation dangling bond distribution at zink blende and wurtzite interfaces.- J.Vac.Science and Теchnol., 1981, v.19, 3, p. 578-583.

34. Хольт Д.Б. Дислокации несоответствия в полупроводниках.-В кн. : Дефекты в кристаллах полупроводников.

35. М. : Мир, 1969, с. 140-163.

36. Ерофеева С.А., Осипьян Ю.А. Подвижность дислокаций в полупроводниковых кристаллах типа А^В^.- В кн.: Динамика дислокаций, Киев : Наук, думка, 1975, с. 26-30.

37. Никитенко В,И, Подвижность дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса.- В кн. Динамика дислокаций, Киев : Наук, думка, 1975, с. 7-26.

38. Кириченко Л.Г., Петренко В.Ф., Уймин Г.В. Оприроде дислокационного заряда в ZnSe 1ЭТФ, 1978, т.74, № 2,с. 742-752.

39. Зарецкий А.В., Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф., Струкова Г.К. Экспериментальное определение дислокационных зарядов в

40. CafS ФТТ, 1977, т.19, №2, с. 418-423.

41. Зарецкий А.В., Осипьян Ю.А., Петренко ВЖ Механизм электропластического эффекта в ZnSe атт, 1978, т.20, №5, с, 1442-1450.

42. Осипьян Ю.А*, Петренко В.Ф, 0 природе фотопластического эффекта,- ЖЗТФ, 1972, т.63, №5, с. 1735-1744.

43. Westbrook I.H., Gilman J.J. An Electromechanical Effect in

44. Semiconductors.- J.Appl.Bays., 1962, v.33, 7, p.2360-2369.

45. Современная кристаллография: В 4-х т./Под ред. Б.К.Ван-штейна, А.А.Чернова, Л.А.Шувалова.- М.: Наука, 1980, т.З,- 408 с.

46. Society of London, 1980, v. 369, 1739, p.425-575-43» Pandey D. X-Ray diffraction study of solid state transformation in close-paced structures.- Proc.Indian nation. Science Acad., 1981, v.47 (A), suppl.I, p. 78-99.

47. Францевич И.Н., Кравец В.А., Назаренко K.B., Смушкевич В.З. Изучение структуры деформации монокристаллов S/C

48. Порошковая металлургия, 1973, №8, с. 63-72.f5. Amelinckx S. , Strumane G. , Webb W.W. Dislocations in Silicon Carbide.- J.Appl.Phys., I960, v.31, 8, p.1359-1370.

49. Smith D.J., Jepps N.W. , Page T.F. Observation of Silicon Carbide by High Resolution Transmission Electron Microscopy.- J.Microscopy, 1978, v.114, pt.I, p. I-I2.

50. Jepps N.W., Smith D.J., Page T.F. The Direct Identification of stacking sequences in Silicon Carbide Polytypes by

51. High Resolution Electron Microscopy.- Acta.cryst., 1979, v.35,(A), pt.6, p. 916-923.

52. Singh S.R., Singh G. lattice-Imaging Stadies an Inter-growth of Silicon Carbide.- Acta.cryst., 1980, v.36,(A), pt.5, p. 779-784.

53. Sato H., Shinozaki S., Jessik M. Direct observation and Identification of Long Period Structures of SiC by Transmission Electron Microscopy.- In: Proc.Inter.Conf. on SiC, (Columbia, 1973), Columbia: S. C. 1974, p. 230-237.

54. Sinozaki S., Sato H. Microstructure of SiC Prepared by Chemical Vapor Deposition.- J.Amer.Ceramic Society, Г978, v. 6Г, 9/10, p. 425-429.

55. Gibbon D.L. Electron Diffraction Effects in Silicon Carbide- J.Appl.Cryst., I97I, v.4, I, p. 95-103.

56. Пилянкевич A,H., Олейник Г.С. Травление карбида кремния.

57. В кн.: Карбиды и сплавы на их основе.- Киев : Наук, думка, 1976, с. 179-185.

58. Trickett Е.А., Griffiths L.B. Decoration of Dislocationsin SiC by Copper.- J.Appl.Phys., I964, v.35, 12, p. 3618.

59. Трегубова A.C., Шульпина И.JI. Дефекты роста в полупроводниковых кристаллах карбида кремния.- ФТТ, 1972, т.14, №9, с. 2670-2671.

60. Кютт Р.Н., Мохов E.H., Трегубова А.С, Деформация решетки и совершенство слоев карбида кремния, легированных алюминием и бором.- ФТТ, 1981, т.23, №11, с.3496-3499.

61. Алексеев Ю.А., Футергендлер С.И, Рентгенографическое изучение анизотропных прослоек в двойниковых швах кубического карбида кремния.- Кристаллография, 1980, т,25, №1, с.193.

62. Левчук Б.И. Дислокационная структура монокристаллических слитков карбида кремния,- Изв.ЛЭТИ, 1983, №322, с.61-64.

63. Францевич И.Н., Кравец В.А. Методы дифракционной микрорентгенографии.- Киев : Наук, думка, 1977,- 74 с.

64. Францевич I.M., Кравець В,А. Топограф;чне вивчення монокристалл карбзду кремнло,- Допов)д АН УРСР, 1967, сер)я А, НО, с. 944-948.

65. Кравец В,А, Политипизм и дефекты в монокристаллах технического карбида кремния : Автореферат диссерт. канд, техн. наук, Киев, 1968,- 23 с.

66. Власкина С.И,, Сергеев О.Т., Смирнов В.П. Кинетика роста эпитаксиальных пленок кубического карбида кремния.-Порошковая металлургия, I960, НО, с, 66-69.

67. Rai R.S., Singh S.R. , Singh G. On the Origin of Lagre Spiral steps on Si С Growth Paces.- Phys.status solidi.-1976, v.36 (A), p.699.

68. J.Van-Torne. Twinning in £ -silicon Carbide.- Phys.status solidi, 1966, v.14, 2, k.I2 3.

69. Пилянкевич A.H., Олейник Г,С. Применение электронной фрак-тографии по репликам к исследованию хрупких материалов,-Порошковая металлургия, 1977, №2, с. 83-87.

70. Drum С.М. intersecting faults on basal and prismatic planes in Aluminium Nitride.- Pil.Iflag. , 1965, v.II,IIO, p.313-319.

71. Faults in ZnS.- Phil.Mag., 1963, v.8, 85, p.167-173.

72. Моргулис JI.M., Мильвидский М.Г. Применение электронноймикроскопии для изучения дефектов в гетероэпитаксиальных структурах и приборах на их основе.- В кн.: Современная электронная микроскопия в исследовании вещества. М.: Наука, 1982, с. II5-I26.

73. Финг Р., Квейссер X., Томас Г., Уошберн Дж. Структура и происхождение дефектов упаковки в эпитаксиальном кремнии.-В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников. М.:Мир, 1969, с. 207-231.

74. Букер Г.Р. Кристаллические несовершенства в кремнии.--В кн. : Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969, с. 297-322.

75. Шеффер П.Т. Некоторые проблемы развития карбида кремния как полупроводникового материала.- В кн. : Карбид кремния, М. : Мир, 1972, с. 23-32.

76. Смилтенз Дж. Выращивание кристаллов з,с из пара методом Бриджмена-Стокбаргера.- В кн.: Карбид кремния. М.: Мир, 1972, с. 58-71.

77. Ягодзинский X. Переход от кубического S/C к гексагональному как реакция в твердом состоянии.- Кристаллография, 1971, т.16, №6, с. 1235-1252.

78. Sebastian M.T., Krishna P. X-Ray Diffraction from a SiC Crystal Undergoing the 3C-6H Solid state Transformation by Non-Random Micrоtwinning.- Phys. status solidi (a), 1984, v.84, 2, p. 401-410.

79. Haver A.H. , Pryburg G.A. , Oqbuji b.U. , et.al.

80. Transformation in Polycrystalline SiC. Microstructural

81. Aspects.- J.Amer.Ceramic Society, 1978, v.6l, 9/Ю, p. 406-412

82. Powell A., Will H.A. Low Temperature solid-state Phase

83. Transformation in 2H Silicon Carbide.- J.Appl.Phys., 1972,v.43, 4, p.1400-1408.

84. Лакин Е.Б., Куколь B.B., Сысоев А.А. Мартенситные и диффузионные превращения в монокристаллах ZnS Изв.АН СССР, Неорг.материалы, 1980, т.16, №3, с. 1175-1178,

85. Sebastian М.Т., Pandey D. , Krishna P. X-Ra.y Diffraction Study of the 2H to 3C Solid state transformation in Single Crystals of ZnS.- Phys. stat. solidi (a), 1982, v. 71,p. 633-640.85# Secco D'Aragona P., Delavignette P., Amelinckx S. Direct

86. Evidence for the Mehaanism of the Phase Transition Wurtzite Sphalerite.- Phys.stat.solidi, 1966, v.I4, 2, k.II5 86. Ballman W. On the Phase Transformation of cobalt.-Acta.Met., 1961, v.9, 10, p. 972-975

87. Mahajan S. , Green M.L. , Brasen D. A Model for the FCC-HCP transformation, Its Applications and Experimental Evidence.- Metal.Transact., 1977, v. 8(A), 2, p. 283-293.88, MahajanS., Brasen D., Wakiyama T. Transformation-Induced

88. Microstructures in Cobalt-Iron Alloys.- Metal Transact., 1978, V.9(A), 12, p. 1817-1824.

89. Fujita H. , Ueda S. Stacking Faults and FCC (jp) HCP (e) transformation in 18/8 type stainless steel.- Acta.Met.,1972, v.20, 5, P. 759-767.90, Horswell A., Ralph В., Howell P.R. An Inter granular Mechanism for the FCC-HCP Martensitic Transformation.

90. Fhys. status solidi (a), 1975, v.29, 2, p. 587-594.91, Singh J., Ranganathan S. On the Mehanism of FCC-HCP transformation.- Phys.stat.sol., 1982, v.73, I, p.243-246.

91. Милевский JI.С., Смольский ИЛ. Подвижность дислокаций, образованных внутренними источниками,в кристаллах с высоким рельефом Пайерлса.- В кн.: Динамика дислокаций,

92. Киев : Наук.думка, 1975, с. 30-36.

93. Францевич И.Н., Кравеи В.А., Назаренко К.В. Исследование пластических свойств S;C рентгеновскими методами.-ДАН СССР. т.215, №3» с. 581-583.

94. Францевич И.Н., Кравец В.А», Назаренко К.В. Исследование пластической деформации S/C ПорошкоЕая металлургия, 1975, №8, с. 89-93.

95. Чугунова С.И, Влияние температуры и структурных факторов на механизм деформации и разрушения ковалентных кристаллов. Автореферат дис. канд. физ.-мат.наук,-Киев, 1981, 23 с.

96. К вопросу о фазовом переходе под давлением в карбиде кремния./В.И.Трефилов, В.А.Борисенко, Г.Г.Гнесин и др.

97. Diamond cubic structure.- Acta.Met., 1978, v.26, p. 963-971107, Данилин Б.С,, Киреев В.Ю, Конное травление микроструктур.-МЕИ Электроника, вып. 21, М.: Советское радио, 1979, 104 с.

98. Barber D.J. Thin Foil of Non-Metals made for Electron

99. San Frans. Press Inc., 1969, p. 375-380.

100. Holland I., Hurley R.E., Laurenson L. The operation of aglow discharge ют gun used for specimen thinning.- j.Phys.

101. E,Scientific Instr., 1971, v.4, 3, p. 198-200.113. j» Beam Techniques for specimen preparation.

102. Microscope, 1977, v.25, 4, p. 227-235114. Franks J. Ion techniques to prepare specimens for electron microscopy.- In: Developments in Electron Microscopy and Analysis, Proc. Inst.Physics Electron Microsc. and

103. Analysis Group Conf., Glasgow, 1977, p. 57-60. 115« Утевский JI.M. Дифракционная электронная микроскопия вметалловедении.- М. : Металлургия. 1973,- 584 с.

104. Kestenbach H.I. Electron diffraction analysis of thin twin or HOP plates in FCC matrix.- Metallography, 1977, v. 10, 2, p. 189-199.

105. Гасилова F.B. Исследование кристаллов карбида кремния полихроматическим методом.- Труды института кристаллографии, 1956, вып.12, о. 41-43.

106. Электронная микроскапия тонких кристаллов / П.Хирш, А.Хови, Р.Николсон и др.- К.: Мир, 1968.- 576 с.

107. Электронно-микроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки/ Под ред. Б.М.Косевича, Л.С.Палатника.-М. : Наука, 1976,- 224 с.

108. Gallagher P.C.I. , Wa.sh.burg J., Tomas G. Anomalous contrast from Shockly Partials.- Phys. status solidi, 1966, v. 15, 2, k. 93.

109. Type of Stacking Faults in Face Centered Cubic Alloys by Means of Contrast Effects in the Electron Microscope.-Phys. status solidi, 1963, v.3, 2, p. 697-711

110. Вишняков Я.Л. Современные методы исследования структуры деформированных кристаллов,- М.: Металлургия,1975,- 480 с.

111. Ham R.K. The Détermination of Dislocation Densities inthin Films.- Phil.Mag., 1961, v.6, 69, p. И8 3-1ЛВ4.

112. Ham R.K. , Sharpe N.G. A Systematic Error in the Determination of Dislocation Densities in thin Films.

113. Phil.Mag.,1961, v.6, 69, p. II93-II94.

114. Рост монокристаллических слоев карбида кремния сублимационным "сэндвич методом" /Ю.А.Водаков, Е.Н.Мохов, М.Г.Рамм, А.Д.Роенков,- Там же* т.1, с.

115. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. , RammM.G., Roenkov A.D. Epitaxial Growth, of Silicon Carbide Layers by Sublimation Sandwich-method.- Krist. und Tecbn.,1979, v.14, p.729-735.

116. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Роль g¡ в массопереносе S¡C при выращивании кристаллов из газовой фазы.- Изв.АН СССР, Неорг. материалы, 1977, т.13, №9, С.1606-16П,

117. Исследование процесса выращивания монокристаллических слитков üiC из газовой фазы/ В.И.Левин, Ю.М.Таиров, М.Г.Траваджян и др.- Изв. АН СССР, Неогр. материалы, 1978, т.14, №б, с. 1062-1066.

118. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетеро-эпитаксиальных системах,-Киев : Наук.думка, 1983,- 304 с.

119. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.- М.: Металлургия, 1984, 256 с.

120. Iwanaga Н. Stacking faults on basal and prismatic planes in zinc oxide.- Phil.Mag., 1976, v 34, 2, p. 291-298.

121. Применение высокоразрешающей электронной микроокопии для исследования двумерных дефектов в арсениде галлия / С.С.Рувимов, JI,М.Сорокин, М.Пазиман и др.- ФТТ, 1982,т.24, №5, с. 1519-1522.

122. Таиров Ю»М., Цветков В.Ф,, Чернов Н.А. Структурные исследования монокристаллов карбида кремния и fi модификаций,- Кристаллография, 1979, т.24, №4, с. 772-777.

123. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F., Chernov M.A., et.al. Investigation of Phase Transformations and Polytype stability of

124. SiC.- Phys.stat.solidi (a), 1977, v.43, 2, p. 36 3-369.

125. Brooks J.M., Loretto M.H., Smallman R.E. Direct observation of Martensite Nuclei in stainless steel.- Acta.Met.,1979, v.27, 12, p. 1839-1847.

126. Структура межкристаллитных и межфазных границ /В.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.Федоренко.- М, : Металлургия,1980,- 256 с.

127. Х42. Marukawa К. A new method of Burgers vector identification from electron microscope images.- Phil.Mag., 1979, v.40,3, pt.I, p. 303-312. 143 Moller H.I., Htoald H., Haasen D. Cross slip of Single

128. Dissociated Screw Dislocations in Silicon and Germanium.-Phys. status solidi (a), 1979, v.55, 2, p. 469-478.

129. Твердофазный переход 6Н-ЗС SíC /С.И.Власкина, В.А.Кравец, К.В.Назаренко и др.- ДАН УССР, серия А, 1981, №3, с. 50-53.

130. Шалимова К.В., Дмитриев В,А. Условия образования стабильных и метастабильных структур в тонких пленках соединений А^В^ на аморфных подложках.- Изв. вузов, физика, 1972, №11, с. 82-86.

131. Шеффер П.Т.Б* Карбид кремния кубической модификации,- В кн. : Карбид кремния. М. : Мир, 1972, с. 72-79.

132. Фазовая устойчивость карбида кремния в тройной системе

133. Si С - А/ /А.Р.Киффер, П.Эттмайер,В.Гугель и др.- В кн. : Карбид кремния. М. : Мир, 1972, с. I29-I4I.

134. Многослойные политипы и дефекты упаковки в нитриде алюминия /А.В.Курдюмов, Г.С.Олейник, Н.Ф.Островская и др,-Кристаллография, 1981, т.62, №4, с. 850-851.

135. Hong J.D., Davis R.F. Self-Diffusion of Carbon-14 in High Purity and N-Doped SiC Single Crystals.- j.Amer Ceramic

136. Society, 1980, v.63, 9/IO, p. 546-552.

137. Mendelson S. Glide Band Formation in Silicon.- J.Appl.

138. Phys., 1972, v.43,5,pt.I, p., 2113-2122 .

139. Амелинкс С., Делавиньет П. Дислокации в слоистых структурах.- В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах.- М.: Мир, 1965, с. 138-183.

140. Сверхтвердые материалы /И.Н.Францевич, Г.Г.Гнесин,

141. A.В.Курдюмов и др.- Киев : Наук.думка, 1980296 с.

142. Griffiths L.B. Defect structure and Polytypism. in Silicon Carbide.- J.Phys.Chem.Solids, 1966, v.27, p.257-266

143. Stevens R. Defects in Silicon Carbide.- Journ.Mater. Sciense, 1972, v.7, 5, p. 517-521.

144. Zaretski A.V., Osipyan Yu.A., Petrenko V.F. , et.al. Theisolated partial and dissociated total dislocations in deformed ZnS crystals.- Phil Mag. (A),1983» v.48, p.279-284.

145. Архангельский Г.В., Фок M.B., Якушина H.A, Структурные изменения в кристаллах сульфида цинка при пластической деформации.- В сб.: Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1980, №3, с. 8-13.

146. Структурные изменения при одноосном сжатии полисинтетических кристаллов сфалерита ZnS /В.Ш.Шехтман, И.М.Шмытько,

147. B.В.Аристов и др.- ФТТ, 1976, т,18, №5, с.I358-1361.

148. Kulakov М.Р., Shmurak S.Z. Structural changes in ZnS crystals on account of partial dislocation movement.-Phys. status solidi (a), 1980, v.59, I, p. 147-153.

149. Энциклопедия неорганических материалов. В 2-х т.- Киев : Главная редакция Украинской Советской энциклопедии.-1977, т.2, с. 487-488.

150. Самсонов Г.В., Виницкий Тугоплавкие соединения.-М. : Металлургия, 1977, 560 с.

151. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии.- М. : Мир, 1966, 472 с,

152. Сычев В.В., Ткаченко Ю.Г., Ковальченко М.С. Высокотемпературная установка для исследования процессов трения иизноса в вакууме и газовых средах,- ФХММ, 1971, №5, с« 77-78«

153. Спекание нитрида алюминия в низкотемпературной плазме/ М.А.Кузенкова, П.С.Кислый, Г.Н.Макаренко и др,~ Порошковая металлургия, 1978, М, с. 25-29.