Сегнетоэлектрические свойства монокристаллов ниобата бария-стронция с примесями редкоземельных металлов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

1.1. Кристаллическая структура кристаллов SBN.

1.2. Свойства кристаллов SBN.

1.2.1 Основные свойства сегнетоэлектриков - релаксоров.

1.2.2. Сегнетоэлектрический фазовый переход и диэлектрические свойства SBN.

1.2.3. Петли диэлектрического гистерезиса и сегнетоэлектрическое переключение кристаллов SBN.

1.3. Общие закономерности импульсного переключения сегнетоэлектриков.

1.4. Постановка задачи.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Описание экспериментальных установок, методик исследований и погрешностей измерений.

2.1.1. Измерение диэлектрической проницаемости.

2.1.2. Квазистатический метод измерения пирокоэффициента.

2.1.3. Определение пьезокоэффициентов методом резонанса-антирезонанса

2.1.4. Установка для исследования процессов переключения по методике Мерца.

2.1.5. Методика исследования петель пироэлектрического тока методом динамического пироэффекта.

2.1.6. Методика поляризации исследуемых образцов.

2.2. Объекты исследования.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ

НА ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ SBN.

3.1. Влияние легирования редкоземельными элементами на фазовый переход в кристаллах SBN.

3.2. Особенности действия электрического поля на диэлектрические свойства в кристаллах SBN в районе фазового перехода.

3.3. Обсуждение экспериментальных результатов.

ГЛАВА 4. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ SBN:0.61 С ПРИМЕСЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ МЕТАЛЛАМИ.

4.1. Пироэлектрические свойства кристаллов SBN.

4.1. Влияние легирования редкоземельными примесями на пьезоэлектрические свойства кристаллов SBN:0.61.

ГЛАВА 5. ПРОЦЕССЫ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ

В КРИСТАЛЛАХ SBN.

5.1. Характеристики импульсного переключения кристаллов SBN.

5.2. Особенности переключения кристаллов SBN.

5.3. Обсуждение процессов переключения SBN.

ВЫВОДЫ.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ.

Актуальность темы. Физика сегнетоэлектриков является одним из важных и практически значимых разделов физики твердого тела. Практическое применение сегнетоэлектриков в разных областях техники обусловлено их основными свойствами: высоким значением диэлектрической проницаемости, большой пьезоэлектрической активностью, диэлектрической и оптической нелинейностью, наличием спонтанной поляризации и связанного с ней пироэлектрического эффекта. Физические свойства сегнетоэлектриков определяются доменной структурой, которая может быть реориентирована внешним воздействием.

В конце 50-х гг. [1] было положено начало исследованиям новой группы сегнетоэлектриков, названных позже сегнетоэлектриками-релаксорами (РСЭ). Эти кристаллы характеризуются широким размытием фазового перехода (ФП), значительной частотной дисперсией диэлектрической проницаемости в области ФП и, как следствие, значительной нелинейностью свойств. Природа и феноменология РСЭ до сих пор является предметом дискуссий. В области размытого фазового перехода РСЭ, наряду с обычными сегнетоэлектрическими свойствами проявляют особенности, характерные для стеклообразного состояния. Благодаря размытию фазового перехода некоторые практически важные параметры РСЭ (диэлектрическая проницаемость, пироэлектрический коэффициент, пьезоэлектрические коэффициенты) имеют большие и слабо зависящие от температуры значения. Для применения РСЭ интересно использовать возможность сдвига размытого фазового перехода в область комнатных температур.

Ниобат бария-стронция (8В1ч[) относится к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Высокие электрооптические коэффициенты (превышающие электрооптические коэффициенты кристаллов группы дигидрофосфата калия и ниобата лития), высокие пиро- и пьезоэлектрические коэффициенты и т.д. выдвигают БВИ в число весьма перспективных материалов для различных применений. Большие потенциальные возможности присущи кристаллам БВК с некоторыми примесями (Се, Сг и Со) при использовании их в качестве среды для оптической памяти и динамической голографии. БЕШ обладает потенциальными возможностями для создания регулярной доменной структуры РСЭ, используемой в устройствах умножения частот лазерного излучения. В связи с этим исследования доменной структуры и процессов переключения кристаллов 8В1Ч, в частности, по методике Мерца, является актуальной научной задачей.

Температура ФП, релаксорные свойства и практически важные параметры БВЫ контролируются соотношением концентраций [8г]/[Ва]. При увеличении этого соотношения температура ФП снижается, релаксорные характеристики усиливаются, а ФП размывается. Это позволяет в широких пределах варьировать величины различных параметров кристаллов БВМ. В литературе есть предварительные данные, свидетельствующие о том, что подобный эффект оказывает легирование SBN некоторыми примесями редкоземельных металлов (ЯЕ), например, Ьа и ТЬ. Однако, систематического исследования влияния ЫЕ на сегнетоэлектрические свойства кристаллов ЭВИ, несмотря на их потенциальные возможности, не проводилось. Кроме того, в литературе вообще не имеется работ по исследованию импульсного переключения кристаллов ЭВМ, чистых и легированных, что представляется важным с точки зрения создания РДС. Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы явилось комплексное исследование сегнетоэлектрических свойств чистых и с примесями ЛЕ монокристаллов 8ВМ в широком интервале температур. В соответствии с данной целью были поставлены следующие задачи:

- изучить влияние примесей редкоземельных металлов на фазовый переход и релаксорные свойства кристаллов БВМ.О.б!;

- исследовать влияние ЫЕ на пьезо- и пироэлектрические свойства кристаллов БВ]Ч:0.61;

- исследовать процессы импульсной переполяризации и квазистатические петли гистерезиса кристаллов 8В1Ч, чистых и легированных ЯЕ, в широком интервале температур.

Объекты исследования. Изучались кристаллы 8ВК:0.75, 8В1Ч:0.61 и 8В№0.61-КЕ, где ЫЕ = Се, Ьа, Ьа+Се, Тш, УЬ. Кристаллы 8В№0.61-Се, 8В№0.61-Ьа, 8В№0.61-Тт и 8В№0.61-УЬ выращены методом Чохральского; профилированные кристаллы 8ВМ и кристаллы с двойным легированием 8В№0.61-(Ьа+Се), выращены методом Степанова [19]. При легировании в расплав вводились оксиды соответствующих редкоземельных элементов. Все составы, кроме 8В№0.61-Се, выращены в НЦЛМиТ ИОФРАН; кристаллы 8В1Ч:0.61-Се выращены на физическом факультете Университета г.Оснабрюка (ФРГ). Приводимые ниже весовые концентрации означают концентрации оксидов в расплаве; соответствующие молярные и атомные концентрации означают концентрации в кристалле, определенные на микроанализаторе СатеЬах. Коэффициенты вхождения различных 11Е в 8В]ЧГ-0.61 приведены в [88]. На поверхность кристалла были нанесены серебряные или золотые электроды.

Научная новизна. Установлена общность характера влияния примесей ЕЕ на ФП кристаллов 8В№0.61. Показано, что легирование всеми выше указанными примесями ИЕ приводит к резкому снижению Тфп и увеличению размытия ФП. Причем для ЫЕ=Се, Тш, Ьа величина смещения Тфп составляет ~20°С на 1 ат. % примеси в кристалле.

В результате введения примесей ЯЕ на ФП происходит увеличение диэлектрической проницаемости е33 при нормальных условиях и, как следствие, увеличение ряда важных параметров. На примере 8В№0.61-Се и 8В1Ч:0.61-УЬ продемонстрировано значительное увеличение пьезокоэффициентов с133.

В кристаллах 8В>1, чистых и легированных ЯЕ, обнаружен ряд принципиальных особенностей сегнетоэлектрического переключения, не характерных для модельных сегнетоэлектриков:

• существование переключаемой поляризации (РГФ0), определенной по методике Мерца, при температурах значительно выше Тфп, в предварительно поляризованных кристаллах;

• уменьшение переключаемой поляризации Рг после приложения внешних полей;

• специфическая "униполярность" квазистатических пироэлектрических петель гистерезиса, заключающаяся в сохранении направления Р при коммутации внешнего поля.

Эти особенности объяснены существованием случайно распределенного внутреннего поля Е{, специфичного для сегнетоэлектриков-релаксоров. Практическая ценность. Показано значительное увеличение е33 в кристаллах 8В1Ч:0.61 при легировании всеми ЯЕ. При двойном легировании этих кристаллов (Ьа и Се) величина 833 слабо зависит от температуры в интервале 10-60°С. Установлено, что легирование кристаллов 8В1ч[:0.61 примесями Се и УЬ приводит к значительному (-40%) увеличению их пьезокоэффициентов й?33.

Основные положения, выносимые на защиту.

Легирование кристаллов 8В1Ч:0.61 примесями редкоземельных металлов приводит к значительному снижению температуры фазового перехода, увеличению его размытия и усилению релаксорных свойств. Это воздействие гораздо эффективнее, чем изменение состава ЭВК путем увеличения соотношения концентраций [8г]/[Ва]. Тем самым, легирование редкоземельными металлами является способом контроля и оптимизации свойств 8В1Ч:0.61 для практических применений.

Наблюдаемые в 8В1М, чистых и легированных ЯЕ, особенности сегнетоэлектрического переключения (зависимость величины переключаемой поляризации Рг от воздействия внешнего поля; высокие величины пороговых полей начала переключения, специфическая униполярность петель гистерезиса, существование ненулевых значений Рг, определенных по методике Мерца, выше температуры фазового перехода) обусловлены релаксорной природой кристаллов и связаны с существованием в объеме случайного распределения внутреннего поля Et. Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались на:

XV Всероссийской конференции по сегнетоэлектрикам (15-18 сентября 1999 г., г. Ростов-на-Дону),

The Joint International Conferences, International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAP XI 1998) (August 24-27, 1998, Montreux, Switzerland), The Second International Seminar on ferroelectrics (June 23-26, 1998, Dubna), 7-м международном семинаре по физике сегнетоэлектриков-полупроводников (24-27 сентября 1996 г., г. Ростов-на-Дону), Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков "Диэлектрики-97" (24-27 июня 1997 г., г. Санкт-Петербург ), Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П. Шаскольской (17-19 ноября 1998 г., г. Москва), Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (18-21 октября 1999 г., г. Воронеж),

3-й международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение" (20-24 октября 1997 г., г. Александров), 3-й международной научной конференции "Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, динамики, управления в конденсированных системах и других средах" (29 июня-3 июля 1998 г., г. Тверь),

III научной конференции молодых ученых и специалистов (15-19 февраля 1999 г., г. Дубна) (доклад признан победителем конкурса "Научных докладов"),

Тверской городской конференции молодых ученых 1999 г. Публикации и вклад автора. Основные результаты исследований отражены в 10 работах, написанных в соавторстве. Автором получены все основные экспериментальные результаты, выполнены расчёты физических параметров, проведена интерпретация экспериментальных данных.

Диссертационная работа выполнена в рамках исследований, проводимых на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ и ИК РАН, в соответствии с координационными планами РАН и Головного совета по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков по проблеме "Физика твердого тела" (разделы 1.З.9.2.; 1.3.9.5.; 1.З.9.6.; 1.3.10.2.). В 1998 и 2000 работа поддерживалась Российским фондом фундаментальных исследований, проекты № 98-02-16624 и № 00-02-16384.

Квазистатические пироэлектрические петли гистерезиса получены на установке, собранной под руководством д.ф.-м.н., проф. Богомолова A.A., а измерения пьезомодулей - при участии к.ф.-м.н., доц. Педько Б.Б. Для получения температурной зависимости АР, упрощения расчетов пирокоэффициентов и времен переключения при обработке результатов экспериментов, кроме стандартных компьютерных программ использовалась программа Calculus, написанная в соавторстве с Хитровым A.A. на языке Delphi 3.01.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, библиографии и приложения, содержит 56 рисунков, 6 таблиц. Библиография включает 103 наименований. Общий объём диссертации 133 страница.

выводы

1. Легирование кристаллов 8В1Ч:0.61 примесями редкоземельных металлов приводит к значительному снижению температуры фазового перехода, увеличению размытия фазового перехода и усилению релаксорных свойств. Величина смещения температуры фазового перехода на 1 ат.% примеси в кристалле составляет около 20°С для Ьа, Се, Тш и менее 10°С для УЪ.

2. Легирование редкоземельными примесями 8В1Ч:0.61, благодаря уменьшению температуры ФП, сопровождается увеличением ряда важных параметров, в частности, значений диэлектрической проницаемости, пьезо- и пирокоэффициентов. На примере 8ВИ с примесями Се и УЬ продемонстрировано значительное возрастание пьезокоэффициентов ё33. Тем самым, легирование редкоземельными металлами является способом оптимизации свойств 8ВЫ для практических применений.

3. Сегнетоэлектрическое переключение чистых и легированных КЕ кристаллов 8ВК в импульсных полях подчиняется общим закономерностям, характерным для модельных сегнетоэлектриков. Кинетические характеристики кристаллов SBN в импульсных полях, соответствующие выходу переключаемой поляризации на насыщение, описываются активационной зависимостью ^ = ^ ехр(-а/ Е). Значения поля активации а и времени переключения г5 при приближении к температуре фазового перехода уменьшаются. Введение примесей ИЕ в кристаллы 8В№0.61 вызывает увеличение ^ и уменьшение а.

4. Процессы переполяризации БВЫ, чистых и легированных ЯЕ, обнаруживают ряд особенностей, которые связаны с релаксорной природой кристаллов:

4.1. В поляризованных кристаллах при температурах, значительно превышающих температуру фазового перехода, наблюдаются ненулевые значения пирокоэффициентов и токов переключения.

4.2. Переключение неполяризованных и поляризованных внешним полем кристаллов резко различается. В поляризованных кристаллах максимальная величина переключаемой поляризации Рг, ниже значения поляризации, полученного из пироэлектрических измерений, и величины Рг в термически деполяризованных (неполяризованных) кристаллах.

4.3. Квазистатические пироэлектрические петли гистерезиса, полученные динамическим методом, обнаруживают униполярность, заключающуюся в сохранений направления Р при коммутации внешнего поля; при повторных циклах переключения форма петли не воспроизводится.

4.4. Для всех исследованных кристаллов характерно высокое (>2кВ/см) пороговое поле начала переключения.

4.5. Известная из литературы невоспроизводимость параметров 8ВИ при повторных внешних воздействиях в значительной степени обусловлена обнаруженными в работе особенностями переключения.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. В.В. Иванов, В.Ю. Салобутин, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Исследование процессов переполяризации монокристаллов SBN различных составов с примесями//Конференция "Диэлектрики-97", С.-Петербург, 1997. Тезисы докладов. С. 155-156.

2. В.Ю. Салобутин, В.В. Иванов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Исследование диэлектрических свойств кристаллов ниобата бария-стронция различных составов вблизи фазового перехода // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь. ТвГУ, 1998. С. 16-24.

3. В.Ю. Салобутин, В.В. Иванов, А.А. Хитров, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Исследование влияния примеси церия на диэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция вблизи фазового перехода // Ученые записки ТвГУ. Изд-во ТвГУ, 1998. Т. 4. С. 39-42.

4. Т. Volk, V. Salobutin, Th. Woike, H. Schmitz, R. Pankrath, M. Woehlecke Ferroelectric switching and relaxor properties of S^Ba^Nl^Oe crystals doped with rare-earth elements // ABSTRACT BOOK, The Joint International Conferenes. Montreux. 1998. P. 149.

5. В.Ю. Салобутин, В.В. Иванов, Л.В. Иванова, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Исследование процессов импульсной переполяризации кристаллов ниобата бария-стронция с примесью церия // Материалы электронной техники. №1, 1999. С. 38-41.

6. V.Yu. Salobutin, V.V. Ivanov, А.А. Khitrov, T.R. Volk, L.I. Ivleva, R.

Pankrath Influence of Cerium Impurity on Ferroelectric Properties of th

Strontium-Barium Niobate Crystals // Abstracts of 9 European Meeting of Ferroelectricity. Praha. 1999. P.236.

7. Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, В.Ю. Салобутин, П.В. Богодаев, Р. Панкрат Влияние примесей редкоземельных металлов на сегнетоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция. // Тезисы XV

Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Ростов-на-Дону. 1999. С.288.

8. A.A. Богомолов, Т.Р. Волк, В.В. Иванов, Л.И. Ивлева, Р. Панкрат, В.Ю.Салобутин Релаксация пироэлектрического отклика в кристаллах ниобата бария стронция // Тезисы докладов международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах". Воронеж, 1999. С. 249-250.

9. В.Ю. Салобутин, В.В. Иванов, A.A. Хитров, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, Исследование влияния термической и электрической предыстории на переключение кристаллов ниобата бария-стронция // Ученые записки. Тверь, ТвГУ, 1999, Т. 5. С. 82-86.

10. В. Ю. Салобутин, Т. Р. Волк, Б. Б. Педько, Л. И. Ивлева и В. В. Иванов Влияние примесей редкоземельных элементов на фазовый переход и пьезоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция // Изв. РАН, сер.физ. 2000. Т.64, № 6, С. 1154-1158.

1. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Соколов А.И., Юшин Н.К Физика сегнетоэлектрических явлений. JL: Наука, 1985, 396 с.

2. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур А.С., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971.

3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981,736 с.

4. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 400 с.

5. Cross L.E. "Relaxor ferroelectrics: an overview". // Ferroelectrics. 1994. V.151. P.305-320.

6. Jamieson P.B., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Ferroelectric Tungsten BronzeType Crystal Structures. I Barium Strontium Niobate Bao.25Sro.75Nb5O5.7s // J. Chem. Phys. 1968. V.48. P.5048.

7. Андрейчук A.E., Дорожкин. Jl.M., Кузьминов Ю.С. и д.р. Квадратичная оптическая восприимчивость и структура кристаллов BaxSrixNb206 // Кристаллография. 1984. Т. 20. №6. С. 1094.

8. Черная Т.С., Максимов Б.А., Верин И.В., Ивлева Л.И., Симонов В.И. Кристаллическая структура монокристаллов Ba0.39Sr0.6iNb2O6 // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 3, С. 421 -426.

9. Черная Т.С., Максимов Б.А., Верин И.В., Ивлева Л.И., Симонов В.И. Уточнение кристаллическая структуры монокристаллов Sr0.6iBa0.39Nb2O6:Ce // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 3, С. 421-426.

10. Trubelja M. P., Ryba E., Smith D. K. A study of positional disorder in strontium barium niobate. // J. Mater. Sci., 1996,31, 6, P. 1435-1443

11. Woike Th., Weckwerth G., Palme H., Pankrath R. Instrumental Neutron Activation Analysis and Absorption Spectroscopy of Photorefractive

12. Sro.6iBao.39Nb206:Ce) Single Crystals Doped with Cerium // Solit State Commun. 1997,102, 10, P. 743.

13. Neurgaonkar R.R., Oliver J.R., Cory W.K., Cross L.E. and Viehland D. Piezoelectricity in Tungsten Bronze Crystals. // Ferroelectrics. 1994. V.160. P.265-276.

14. Смоленский Г.А., Исупов B.A., Аграновская А.И., Попов С.Н. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом // ФТТ, 1960, Т. 2, №11,2906-2918.

15. Боков В.А., Мыльникова И.Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом // ФТТ, 1961, ТЗ, С. 841-853.

16. Viehland D., Jang S.J., Cross L.E., Wuttig M. Deviation from Curie-Weiss behavior in relaxor ferroelectrics // Phys. Rev. B. 1992. V.46(13). P.8003-8006.

17. Burns G. and Dacol F. H. Ferroelectrics with a glassy polarization phase // Ferroelectrics, 1990, V. 104, P. 25-35.

18. Viehland D., Wuttig M. and Cross L.E. The Glassy behavior of relaxor ferroelectrics //Ferroelectrics. 1991. V.120. P.71-77.

19. Huang W.H., Viehland D., and Neurgaonkar R.R. Anisotropic glasslike characteristics of strontium barium niobate relaxors // J. Appl. Phys. 1994. V.76(l). P.490-496.

20. Смоленский Г.А., Исупов B.A., Аграновская А.И., Попов С.Н. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом // ФТТ, 1960, Т. 2, №11,2906-2918.

21. Исупов В.А. К вопросу о причинах размытия фазового перехода и релаксационного характера диэлектрической поляризации в некоторых сегнетоэлектриках // ФТТ, 1963, Т. 5, С. 187-193.

22. Cross L.E. Relaxor Ferroelectrics // Ferroelectrics. 1987. V.76. P.241-267

23. Viehland D., Xu Z. and Huang W.-H. Structure-property relationships in strontium barium niobate. I. Needle-like nanopolar domains and the metastably-locked incommensurate structure // Philos. Mag. A. 1995. V.71(2). P.205-217.

24. Kleemann W. Dynamics of nanodomains in relaxor ferroelectrics. // J. Korean Phys. Soc., 1998, 32,, Pt 3, P. S939-S941.

25. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. Tutorial IV. The 9th International Meeting on Ferroelectricity. Seoul, 1997.

26. Scehneck J, Denoyer F. Incommensurate phases in barium sodium niobate // Phys. Rev., 1981, Y.B23, P. 383-388.

27. Prokert F., Balagurov A.M., Savenko B.N. Investigation on theincommensurate modulated structure of Sro.7Bao.3Nb206 by neutron diffraction // Ferroelectrics, 1988, V. 79, P. 307-309

28. Savenko B.N. Sangaa D., Prokert F. Neutron diffraction studies on SrxBab xNb206 single crystals with x=0.75, 0.70, 0.61, 0.50 and 0.46 // Ferroelectrics, 1990, V. 107, P. 207-212.

29. Wittler N., Greten G., Kapphan S., Pankrath R., and Seglins J. Dielectric Measurements on SBN:Ce. //Phys. Stat. Sol. (B). 1995. V.189. P.K37-K40.

30. Glass A.M. Investigation of the Electrical Properties of SrixBaxNb06 with Special Reference to Pyroelectric Detection // J. Appl. Phys. 1968. V.40. P.4699-4713

31. Povoa J. M., Moreira E. N„ Garcia D., Spinola D. U. P., Do Carmo C. G. V., Eiras J. A. Phase transition and dielectric characteristics of tungsten bronze relaxors. // J. Korean Phys. Soc., 1998, 32, febr., Pt 3, Suppl. P. S1046-S1047.

32. Oliver J.R., Neurgaonkar R.R., and Cross L.E. A thermodynamicphenomenology for ferroelectric tungsten bronze Sr0.6Ba0.4Nb2O6 (SBN:60). // J. Appl. Phys. 1988. V.64(l). P.37-47.

33. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука. Физматлит, 1995. 304 с.

34. Шильников А.В., Бурханов А.И., Узаков Р.Э Доменные процессы в кристалле SrxBaixNb2C>6B широком интервале амплитуд низко- и инфранизких частотных полей // Изв. АН СССР, Сер. Физ., Т. 59, № 9, С. 65-67.

35. Бурханов А.И., Шильников А.В., Узаков Р.Э. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6 // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 6, С.1069-1075.

36. Balagurov A.M, Savenko B.N., Prokert F. Neutron diffraction studies on phase transition effects on a single crystal of Sro^Ba^NbaCV/ Ferroelectrics, 1988, V. 79, P. 153-156.

37. Прокерт Ф, Савенко Б.Н., Сангаа Д. Нейтро-дифракционное излучение SrxBabxM^C^ монокристаллов // Сооб. ОИЯИ, Дубна, 1989.

38. Прокерт Ф, Балагуров A.M., Бескровный А.И., Савенко Б.Н., Сангаа Д. Исследование размытого фазового перехода в кристаллах SrxBa^xNbiOe с помощью рассеяния нейтронов // Сооб. ОИЯИ, Дубна, 1990.

39. Дубовик М.Ф., Дрогайцев Е.А., Теплицкая Т.С. Монокристаллы и техника // Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1975, 86 с.

40. Елинсон М.И., Захаров Л.Ю., Морозов Н.А и др. // Микроэлектроника, 1974, Т. 3, Вып. 5 С. 459.

41. Буш А.А., Чечкин В.В., Лейченко А.И. и др. Исследование монокристаллов барий стронциевых ниобатов // Изв. АН СССР: Сер. Неорган, материалы, 1997, Т. 13, № 12, С. 2214-2219.

42. Фурухата Й. Оценка и контроль оптических дефектов в ниобате бария-стронция // Изв. АН СССР: Сер. физ. 1977. Т.41. №3. С. 573-560.

43. Uzakov R.H., Burkhanov A.I., Shilnikov A.V. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN. // J. Korean Phys. Soc., 1998, 32, P. S1016-S1018.

44. Landolt-Bornstein. Numerical Data and functional relationships in Science Technology.// New Series, Group III: Crystal and related Substances, Subvolume a : Oxides. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg.-N.-Y.,1981,vol/16/28a. P.149.

45. Neurgaonkar R.R. and Cory W.K. Progress in photorefractive tungsten bronze crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 1986. Vol.3. No.2. P.274-282.

46. Neurgaongar R.R., Cory W.K., Oliver., Khoshnevisan M. Ferroelectrics tungsten bronze crystals and their photorefractive applications // Ferroelectrics, 1990, V.102, P. 3-12.

47. Сеглинып Я. А. Фотоиндуцированные процессы при записи элементарных голографических решеток в фоторефрактивных сегнетоэлектриках НБС:Се и керамике ЦТСЛ. // Канд. Дис. Рига, НИИФТТ, 1986.

48. Yolk Т., Woike Th„ Doerfler U., Pankrath R., Ivleva L. and Woehlecke M. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements. // Ferroelectrics. 1997. V.203. P.457-470.

49. Zhang P.L., Zhong W.L., Song Y.Y., Chen H.C. Tb-Doped SBN Single Crystals//Ferroelectrics. 1993. V. 142. P. 115-119.

50. Воронов В.В., Десяткова С.М., Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С. и др. Электрические и электрооптические свойства стехиометрических кристаллов ниобата бария стронция // ФТТ. 1973. Т. 15. С.2198-2200.

51. Воронов В.В., Десяткова С.М., Ивлева Л.И., Кузьминов Ю.С. и др. Электрические свойства монокристаллов ниобата бария стронция выращенных из стехиометрического расплава состава ниобата бария стронция // Кристаллография. 1974. Т. 19. С.401-402.

52. Крайник H.H., Камзина Л.С. О процессах переполяризации в магнониобате свинца сегнетоэлектрике с размытым фазовым переходом //ФТТ, Т. 34, С. 999-1006.

53. Дж.Барфут Введение в физику сегнетоэлктрических явлений, М.: Мир, 1970. 352 с.

54. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, 1986. 244 с.

55. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968. 463 с.

56. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965.

57. Синяков Е.В., Дубник Е.Ф., Тиханчик С.И. Процессы переполяризации монокристаллов ВаТЮ3 в слабом переменном поле.// Кристаллография. 1968. Т.13. С.533.

58. Синяков Е.В., Дубник Е.Ф., Тиханчик С.И. Частичные процессы переполяризации монокристаллов ВаТЮ3 на прямоугольных биполярных импульсах.//ФТТ. 1968. Т. 10. С.288-290.

59. Струков Б.А., Минаева К.А. Некоторые особенности импульсной переполяризации естественно униполярных кристаллов триглицинсульфата// ФТТ. 1965. Т.7. С.3579-3581.

60. Камышева Л.Н., Дрождин С.Н., Косарева O.A. Особенности импульсной переполяризации в униполярных кристаллах триглицинсульфата // ФТТ. 1993. Т.35. №3. С.854-856.

61. Камышева JI.H., Косарева O.A., Дрождин С.Н., Голицына О.М. Импульсная переполяризация в дефектных кристаллах триглицинсульфата//Кристаллография, 1995. Т.40. №1. С.93-96.

62. Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Золототрубов Ю.С., Косарева O.A., Импульсная переполяризация сегнетоэлектрического кристалла CDP // Изв. АН., Сер. Физ., 1995. Т.59. №9. С.81-84.

63. Камышева JI.H., Голицына О.М., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата.// ФТТ. 1998. Т.40. №7. С. 13211323.

64. Шур В.Я., Летучев В.В., Румянцев Е.Л. Полевая зависимость параметров переполяризации и форма доменов в германате свинца // ФТТ. 1984. Т.26. С.2510 2512.

65. Шур В .Я., Летучев В.В., Попов Ю.А., Сарапулов В.И. Изменение доменной структуры германате свинца при его переполяризации // Кристаллография. 1985. Т.ЗО. С.945-949.

66. Шур В.Я., Груверман А.Л., Пономарев Н.Ю., Румянцев Е.Л., Тонкачева H.A. Кинетика доменной структуры при сверхбыстром переключении поляризации в германате свинца // Письма ЖЭТФ. 1991. Т.53. С. 591-594.

67. Шур В.Я.,, Макаров С.Д. "Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров". // ФТТ. 1995. Т.37. №6. С.1687-1692.

68. Шур В.Я., Макаров С.Д., Пономарев Н.Ю., Волегов В.В., Тонкачева H.A., Суслов Л.А., Салащенко H.H., Клюенков Е.Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата титаната свинца.// ФТТ. 1996. Т.38. №6. С. 1889-1895.

69. Шур В.Я., Пономарев H.A., Тонкачева H.A. и др. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца // ФТТ. 1997. Т.39. №4. С.694-696.

70. Bezanova A.I., Silverstrov V.I., Zeinalova T.A. and Volk T.R. Domain Dinamics of crystals in low-frequency electric fields // Ferroelectrics. 1990. V.lll. P.l-7.

71. Крайник H.H., Попов С.А., Флерова С.А. Электролюминесцентное исследование процессов изменения поляризации в кристаллах магнониобата свинца в импульсном электрическом поле //

72. Шур В.Я., Ломакин Г.Г., Куминов В.П. и др. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной PLZT-керамике // ФТТ. 1999. Т.41. №3. С.505-509.

73. Camliblel I., J. Appl. Phys. Spontaneous Polarization Measurements in Several Ferroelectric Oxides Using a Pulsed-Field Method // 1969, V. 40, P. 16901693.

74. Рудяк B.M., Богомолов A.A., Иванов B.B. Практикум по физике сегнетоэлектриков. Калинин, 1984. 80 с.

75. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. -М.: Атомиздат, 1971.

76. Новик В.К., Падо Г.С., Карякина Н.Ф. и др. Пироэлектрический эффект в пьезоэлектрических кристаллах (методы измерений и результаты исследований) // М. Госстандарт СССР. ВНИИФТРИ. Сер. «Государственная служба стандартных данных». 1976. С. 36.

77. Физика твердого тела: Спецпрактикум. М., 1983.

78. Богомолов А.А., Иванов В.В. Практикум по физике пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков. -Калинин, 1987. 85 с.

79. Мезон У. Пьезоэлектрические кристаллы и их применения в ультраакустике. -М., 1952.

80. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М., 1974.

81. Рудяк В.М. Физика пьезоэлектриков. Калинин, 1986.

82. Гориш А.В., Дудкевич В.П., Куприянов М.Ф. и др. Пьезоэлектрическое приборостроение. Т.1., Физика сегнетоэлектрической керамики , М., 1999

83. Переломова Н.В., Тагиева М.М. Задачник по кристаллафизике. М.: Наука. 1982. С. 288.

84. Дабижа Т.А. Нелинейные пироэлектрические явления в кристаллах группы триглицинсульфата. Канд. Дис. Калинин: КГУ, 1987.

85. Солнышкин А.В. Пироэлектрические свойства кристаллов дейтерированного триглицинсульфата в условиях температурного градиента. Канд. Дис. Тверь: ТвГУ, 1998.88.1vleva L.I., Bogodaev N.V., Polozkov N.M., Osiko V.V. // Optical Materials, V. 4, P. 168.

86. Giles N.C., Wolford J.L., Edwards G.J., Uhrin R. Optical and magnetic resonance study of impurity ions in undoped and cerium-doped Sr0.6iBa0.39Nb2O6// J.Appl.Phys. 1995. V. 77. № 3. P. 976-980.

87. Niemann R., Buse K., Pankrath R., Neumann M. // Solid State Comm. 1996. V. 98, P. 209.

88. Jin B.M. Ruyan Guo, Bhalla A.S. Piezoelectric Properties and Equivalent Circuits of Ferroelectric Relaxor Single Crystals // Ferroelectrics, 1997, V. 195, P. 73-76.

89. M. Houe, P. D. Townsend, J. Phys. D: Appl. Phys. 28, 1747, (1995).

90. Гладкий B.B., Кириков B.A., Нехлюдов C.B., Волк Т.Р, Ивлева Л.И. Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора // Письма ЖЭТФ. 2000. Т.71. Вып. 1. С.38-41.

91. Бездетный Н.М., Зейналлы А.Х., Хуторский В.Е. "Исследование распределения поляризации в сегнетоэлектриках методом динамического пироэффекта". // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1984. Т.48. №1. С.200-203.

92. Зейналлы А.Х., Хуторский В.Е. "Распределение поляризации типавстречного домена в тонких кристаллах ниобата бария-стронция". // ФТТ. 1985. Т.27. №9. С.2849-2851.

93. Агеев Г.У., Бежанова А. И., Зейналлы А.Х., Сильвестров В.Г. Униполярность и фотодоменный эффект в кристаллах с размытым фазовым переходом // Изв. ВУЗов. Сер. Физ., 1987.

94. Cline T.W., Cross L.E. J. Appl. Phys. Dielectric behavior of strontium barium niobate (Sro.sBaasNbîOô)111978' v- 49' R 4298-4300.

95. Прокерт Ф, Балагуров A.M., Савенко Б.Н., Сангаа Д. Нейтронографическое исследование влияния электрического поля на кристаллы SrxBaixNb206 // Сооб. ОИЯИ, Дубна, 1990.

96. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов C.B., Иванова Е.С. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояния доменной структуры и поверхности // ФТТ. 1997. Т.39. №11. С.2046-2052.

97. Каллаев С.Н., Глушков В.Ф. Медленная стадия эволюции несоразмерной сверхстуктуры сегнетоэлектрика.// ФТТ. 1998. Т.40. №11. С. 2101-2102.

98. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях. // ФТТ. 1997. Т.39. №2. С.353-357.

99. Гладкий ВВ., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов C.B. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле. // ФТТ. 1999. Т.41. №3. С.499-504