Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

На правах рукописи

УДК 541.183:621.315.592.4

Земцов Александр Евгеньевич

СОЗДАНИЕ НОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ GaAs-CdS И ИЗУЧЕНИЕ ЕЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

02.00.04. - Физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

<ШЪ

УДК 541.183:621.315.592.4

Земцов Александр Евгеньевич

СОЗДАНИЕ НОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ GaAs-CdS И ИЗУЧЕНИЕ ЕЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

02.00.04. - Физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Some

Работа выполнена на кафедре физической химии Омского государственного технического университета

Научный руководитель: Заслуженный деятель науки и техники РФ,

доктор химических наук, профессор И.А. Кировская

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

К.Н. Полещенко

кандидат химических наук, ведущий научный сотрудник Г.И. Раздьяконова

Ведущая организация - Омский научно-исследовательский институт

приборостроения

Защита диссертации состоится 9 декабря 2004 г. в 15 часов на заседании Совета по защите диссертаций К 212.178.04 при Омском государственном техническом университете по адресу: 644050, г. Омск, пр. Мира,11..

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Омского государственного технического университета.

Автореферат разослан «_» ноября 2004 г.

Ученый секретарь Совета К 212.178.04 кандидат химических наук, доцент

Д>

А.В. Юрьева

РОС. НАЦИОНАЛЬНАЯ 6ИБЛИОТЕКА CJ

ОЛ Ш'

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов. Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим достижения современной техники.

В настоящее время имеется повышенный интерес к многокомпонентным полупроводникам. Так, перспективным является создание твердых растворов на основе достаточно изученных бинарных полупроводниковых соединений типа

AI'ItjV A I'DVI

А В , АВ , так как позволяет прогнозировать и регулировать макро- и микроскопические свойства материалов, в том числе кристаллохимические, электрофизические, оптические, адсорбционные. При этом сохраняются основные закономерности физико-химических процессов, протекающих на бинарных полупроводниках, и проявляются новые особенности, характерные для более сложных систем [1].

Среди востребованных практикой и с достаточно хорошо изученными объемными свойствами являются бинарные полупроводниковые соединения GaAs и CdS. Данные материалы уже нашли применение в таких областях, как микро- и оптоэлектроника, полупроводниковый газовый анализ, гетерогенный катализ [2, 3, 4, 5]. Не менее перспективными в названных областях должны быть и их твердые растворы. При определенной изученности соединений GaAs и CdS, твердые растворы до сих пор не исследовались. Известна лишь одна работа [6], в которой сказано о получении твердых растворов (GaAs)x(CdS)|., ( х- составляет 90 и 95 мол. % GaAs).

Одним из новых перспективных направлений применения полупроводниковых материалов на основе GaAs и CdS является их использование в сенсорах-датчиках для анализа газов в экологических и медицинских целях. Здесь важно не только определение следовых количеств токсичных газов в воздухе, но и анализ микропримесей выдыхаемого газа, проведение медицинской диагностики по его составу. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания или даже в начальной стадии эндогенной интоксикации, когда выраженные симптомы заболевания еще отсутствуют. Таким образом, медицинская диагностика по составу выдыхаемого газа может найти применение не только в лечебной практике, но и в повседневной жизни и служить средством

для предупреждения заболевания. Использование простого в обращении сенсорного устройства открывает перспективы развития домашней диагностики.

Можно считать, что в настоящее время возможности практического использования бинарных компонентов и, тем более, твердых растворов системы GaAs-CdS еще далеко неисчерпаны из-за недостаточности сведений о структуре, химическом составе и адсорбционных свойствах их поверхности.

Из вышесказанного следует, что создание твердых растворов с

регулируемыми свойствами, исследование природы активной поверхности, ее адсорбционного взаимодействия с газами - токсичными примесями окружающей и технологических сред - и ответственными за определенные заболевания (аммиаком, оксидом углерода и другими, входящими в состав выдыхаемого воздуха) является несомненно актуальным.

Диссертационная работа выполнена в соответствии с Государственными программами, Координационными планами важнейших научно-исследовательских работ РАН, научным направлением кафедры, развиваемым с 60-х годов И А. Кировской и ее учениками и посвященным созданию единого подхода к исследованию поверхности алмазоподобных полупроводников, управлению ее свойствами и получению новых материалов и катализаторов.

Цель работы. Получить новые материалы - твердые растворы системы GaAs-CdS с регулируемыми свойствами; исследовать природу ее активной поверхности и адсорбционного взаимодействия с газами -токсичными примесями окружающей, технологических сред и компонентами выдыхаемого воздуха; установить закономерности «свойство-состав»; разработать метод компьютерного моделирования и прогнозирования поверхностных свойств изученного типа систем.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Получить и идентифицировать твердые растворы системы GaAs-CdS на основе методов рентгенографического анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния.

2. Исследовать химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы GaAs-CdS.

3. Установить природу активных центров, механизм и закономерности адсорбционного взаимодействия изученных адсорбентов с аммиаком и оксидом углерода.

4. Найти взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы ОаЛ8-С(С8.

5. Разработать метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов.

6. Определить возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа ](АП1ВУХА11ВУ1) и создания новых материалов.

7. Сделать заключение о примененимости полученных новых материалов в сенсорах-датчиках для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

Научная новизна работы

1. Впервые получены твердые растворы системы ОаЛ8-С(С8 в форме порошков и пленок. Показано, что они имеют структуру вюрцита и сфалерита.

2. Впервые с использованием современных экспериментальных и квантово-химических методов исследованы поверхностные физико-химические свойства системы ОаЛз-СсК (химический состав, кислотно-основные, адсорбционные свойства по отношению к ИНз и СО).

3. Проведен квантово-химический расчет энергии адсорбции газов О2, СО, С02, Ш3 на ОаЛ8, (СаА5)*(С(18)1.л

4. Разработан метод компьютерного моделирования поверхности ОаЛв, С(С8,

и адсорбционных взаимодействий с ней молекул

5. Впервые выполнено компьютерное моделирование адсорбционных процессов на бинарных соединениях ОаЛ8, С(С8 и их твердых растворах с использованием программы ЫурегСИеш.

6. Получены диаграммы состояния «поверхностная характеристика-состав».

7. Разработан метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа

Защищаемые положения

1. Результаты получения и идентификации твердых растворов

2. Результаты исследования химического состава, кислотно-основных и адсорбционных свойств поверхности полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы ОаЛ8-С(С8: природа активных центров, механизмы и закономерности взаимодействия поверхности с аммиаком и оксидом углерода.

3. Взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств компонентов системы ОаА8-Сс18 и закономерности их изменения с составом. Диаграммы состояния «свойство-состав».

4. Результаты квантово-химических расчетов энергии адсорбции газов Ог, СО, СО2, N11} на поверхности кристаллических кластеров ОаАз, С(С8,

((ЗаЛвЫС«»^.

5. Метод компьютерного моделирования поверхности ОаАз, С(С8,

и ее адсорбционного взаимодействия с молекул

6. Метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа (АШВУ)Х(АПВУ1)1.Х.

7. Результаты испытаний полученных материалов в качестве чувствительных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси аммиака.

Практическая значимость работы

1. Показаны возможности использования диаграмм состояния «свойство-состав», квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования для прогнозирования оптимальных составов и поверхностной чувствительности новых материалов.

2. Создан новый материал - твердый раствор состава с повышенной адсорбционной активностью по отношению к N113.

3. Предложен и испытан датчик на его основе на микропримеси аммиака в выдыхаемом газе.

4. Найдены стандартные режимы термообработки бинарных компонентов и твердых растворов системы Оа^-Сё8.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях: Региональная научно-практическая конференция «Химическая и химико-фармацевтическая промышленность в современных условиях» (г. Новосибирск, 1999г.), IV Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин», посвященная 60-летию ОмГТУ (г. Омск, 2002г.), ХЫ Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, НГУ, 2003г.), VII Международная научная школа-конференция студентов и молодых ученых (г. Абакан, Хакасский государственный университет, 2003г.), IV Всероссийская школа-семинар «Новые материалы. Создание,

структура, свойства - 2004» (г. Томск, 2004г.), VII Конференция «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2004г.), V Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2004г.).

Результаты проведенных исследований опубликованы в 8 работах.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы.

Краткое содержание работы

Во введении дано обоснование актуальности темы диссертационной работы, сформулированы ее цель и задачи, приведены основные положения выносимые на защиту, отмечены научная новизна работы и ее практическая значимость.

В первой главе приводится обзор и анализ литературных данных по объемным и поверхностным свойствам бинарных компонентов GaAs и CdS. Обобщены сведения об известных методах получения порошков и пленок,

А1ПтзУ д ППУ1

полупроводниковых систем их кристаллохимических,

электрофизических, оптических, термодинамических, химических, кислотно-основных, адсорбционных свойствах и применении GaAs и CdS в газовых сенсорах. Сделан обзор квантово-химических методов расчета, используемых в компьютерной программе HypeгChem и существующих методов моделирования адсорбции газов на твердых поверхностях. Приводятся литературные данные по анализу, составу и применению выдыхаемого газа в медицинской диагностике.

Во второй главе описаны методы получения и идентификации твердых растворов системы GaAs - CdS в виде порошков и пленок, а также методы исследования поверхностных свойств: кислотно-основных, адсорбционных, термодесорбционных, ИК-спектроскопических.

В качестве объектов исследований использовали:

1. Порошки бинарных компонентов GaAs, CdS.

2. Порошки твердых растворов полученные методом изотермической диффузии в вакууме, при значениях х, равных 0,95; 0,90; 0,60; 0,50; 0,10; 0,05.

3. Пленки CdS, GaAs и их твердые растворы, полученные методом дискретного вакуумного испарения на подложки разного типа (стекло, ситалл, кварц, керамика).

Твердые растворы идентифицировали методами рентгенографического анализа с использованием дифрактометра Дрон - 3 и спектроскопии комбинационного рассеяния с регистрацией спектров на Фурье-спектрометре RFS - 1000 (разрешение 1 см"1). Спектры возбуждались излучением лазера на иттрий-алюминиевом гранате с неодимом ( X 1064 нм).

Химический состав поверхности определяли методами масс-спектрометрии и ИК-спектроскопии поглощения; кислотно-основное состояние поверхности для образцов, хранившихся на воздухе и выдержанных в атмосфере СО и NH3, выполняли с использованием методов гидролитической адсорбции из растворов солей (определение рН-изосостояния), механохимии и ИК-спектроскопии поглощения. Инфракрасные спектры поглощения регистрировали на спектрофотометре Specord IR-75 в области волновых чисел 400-4000 см-1.

Прямые адсорбционные измерения выполняли методом пьезокварцевого микровзвешивания (чувствительность 1,23- 10"" г/см2Гц) в области давлений 1-10 Па и в интервале температур 253 - 393 К. Изучали адсорбцию газов NH3 и СО на пленках CdS и (GaAs)x(CdS)|.v Пленки наносили на электродные площадки пьезокварцевого резонатора.

Термодесорбционные исследования проводили на порошкообразных образцах в режиме программированного нагрева в интервале температур 298-673 К с регистрацией десорбционной фазы на масс-спектрометре МИ-1201.

Воспроизводимость и точность экспериментальных данных проверяли по результатам параллельных измерений с использованием методов математической статистики и обработки результатов количественного анализа. Статистическую обработку полученных численных значений, расчет погрешностей измерения, построение и обработку графических зависимостей проводили с использованием компьютерных программ Stat 2, Microsoft Excel и Origin.

В третьей главе описаны методы квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования. Для проведения квантово-химических расчетов исследуемых систем «адсорбент-адсорбат» были использованы полуэмпирические методы: РМХ (расширенный метод Хюккеля), INDO (Intermediate Neglect of Differential Overlap), MNDO (Modified INDO), РМЗ (является улучшенной версией метода MNDO) и неэмпирический метод Хартри-Фока в базисе STO - 3G. Квантово-химические расчеты выполняли с использованием компьютерной программы HyperChem v.6.03 на компьютере Pentium.

Для компьютерного моделирования адсорбции использовали методы построения кристаллических решеток ОаЛв, С(С8 и (СаЛ^^Сёв)).* в графической среде программы ЫурегСИеш. Построение кристаллических решеток выполняли для кристаллических кластеров с разным числом элементарных ячеек. Условия адсорбции моделировали с использованием квантово-химического расчета энергии адсорбции для комплекса адсорбат - адсорбент при различных расстояниях между ними. Величина адсорбции характеризовалась энергией адсорбции, которая принимала разные значения в зависимости от расстояния между адсорбатом и адсорбентом, направленности адсорбционной связи, типа атомов, вступающих в адсорбционное взаимодействие и их положения относительно друг друга.

В четвертой главе представлены результаты получения и идентификации твердых растворов системы ОаЛ8-С(С8, исследования кислотно-основных, адсорбционных свойств поверхности ОаЛв, С(С8 и их твердых растворов с интерпретацией полученных данных.

Получение и идентификация твердых растворов системы GaAs-CdS

Твердые растворы (СаА5)х(Сс18)|.х (х - мольная доля ОаЛ8) получади двумя методами: изотермической диффузии (порошки) и дискретного вакуумного испарения (пленки). Порошки и тонкие пленки являются наиболее интересными при изучении поверхностных свойств, так как в таких случаях влияние объемной фазы практически отсутствует.

Рентгенографический анализ показал, что порошки и пленки исходных компонентов и полученных образцов имеют структуру сфалерита или вюрцита в зависимости от состава. В области концентраций ОаЛ 95 и 90 мол. % полученые порошки и пленки имеют структуру сфалерита, а при содержании ОаЛ 40,10 и 5 мол. % структуру вюрцита, в интервале концентраций 50 мол. % ОаЛ структуру сфалерита и вюрцита, при этом наблюдается взаимное растворение решеток ОаЛ в С(С8 и наоборот. Это подтверждается тем, что для твердого раствора данной концентрации наблюдается сдвиг рентгеноструктурных показателей относительно решетки С(С8 и относительно решетки ОаЛв. Для С(С8 наблюдается уменьшение с^и на 1,5 %, а для решетки ОаЛ увеличение значений с^ц на 1,0 %.

Отсутствие на рентгенограммах дополнительных линий, соответствующих непрореагировавшим бинарным компонентам, подтверждают полное завершение синтеза и образование твердых растворов. Линии на рентгенограммах

исследуемых систем сдвинуты относительно бинарных компонентов при постоянном их числе. Зависимости рассчитанных значений параметров решеток, межплоскостных расстояний и рентгенографической плотности от состава являются линейными (рис. 1).

Рис. 1. Зависимость изменения параметров кристаллической решетки от состава компонентов системы GaAs-CclS:a, с - параметры кристаллической решетки; W - вюрцит; 8 - сфалерит.

Таким образом, на основании результатов рентгенографического анализа можно сделать вывод об образовании твердых растворов замещения в исследованных областях концентраций. Это же подтверждают спектры

комбинационного рассеяния: при увеличении концентрации GaAs в исследованных образцах наблюдается смещение максимума антистоксовского излучения в сторону меньших частот, свидетельствующее об изменении ширины запрещенной зоны при образовании твердых растворов.

Химический состав и кислотно-основное состояние поверхности

Методами определения рН-изоэлектрического состояния, механохимии, ИК-спектроскопии были оценены кислотно-основные характеристики поверхности компонентов системы GaAs-CdS.

Найденные значения рН-изоэлектрического состояния для всех образцов отвечают кислой области и имеют значения для CdS (ОаАБ^^Сс^Х)^, (СтаАв^ДСс^о^, (СаАз)019(С<18)о,1, (СаАв^деСС'ОДдо, GaAs соответственно 6,45; 6,2; 5,9; 5,3; 4,9; 6,23. Значения рН- изоэлектрического состояния для твердых растворов находятся в более кислой области, чем для бинарных соединений. Наибольшей силой кислотных центров обладает поверхность твердого раствора для которого рН-изосостояния равно 4,9.

На основе механохимических исследований доказано присутствие на свежеобразованной поверхности исследованных образцов молекул Н2О и групп ОН. Это же подтверждают ИК спектры поглощения, которые свидетельствуют о различных по силе кислотных поверхностных центров: центров Льюиса, за которые отвечают координационно-ненасыщенные атомы и центров Бренстеда, ответственными за которые являются адсорбированные молекулы и

группы ОН. При увеличении содержания GaAs в твердом растворе наблюдается смещение значений рН в более кислую область.

Адсорбционные свойства компонентов системы GaAs-CdS

Для компонентов данной системы были проведены прямые адсорбционные измерения адсорбционного взаимодействия и СО методом пьезокварцевого микровзвешивания. Адсорбционное взаимодействие и СО при температурах выше 293 К имеет химическую природу, на исследуемых поверхностях протекает необратимая химическая адсорбция, которая характеризуется теплотой 3-ЮкДж/моль и энергией активации 30-60 кДж/моль. Величины адсорбции в интервале температур 293 - 313 К имеют порядок 10*4— 10"3 М0ль/М2для N113 и 10"6 моль/м2 для СО и увеличиваются с ростом температуры и давления газов. С заполнением поверхности теплота адсорбции уменьшается, а энергия активации

адсорбции увеличивается, что подтверждает равномерно-неоднородный характер поверхности и присутствии на ней различных по силе кислотных центров.

На основе выполненных исследований кислотно-основных и адсорбционных свойств компонентов системы следует, что в роли первичных активных центров по отношению к изучаемым газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы поверхности. Различная координационная ненасыщенность поверхностных атомов зависит от координационного окружения в структуре твердого раствора и способствует образованию нескольких типов связей с молекулами адсорбатов. Эти связи отличаются разной степенью делокализации электрона в адсорбционном комплексе и соответственно прочностью, которая тем выше, чем больше эффективный заряд поверхностного атома. Адсорбция КЫ3 на поверхности (СаА8)х(С(18)|_х происходит как на кислотных центрах Льюиса, так и на центрах Бренстеда. Адсорбция СО протекает на одном из атомов системы GaAs-СС8, с наиболее выраженными металлическими свойствами ^а, Ш) с образованием соединений типа карбонилов с линейной структурой, что подтверждает механизм адсорбционного взаимодействия на бинарных соединениях GaAs и СсС8 [2,4].

Основные закономерности изменения кислотно-основных и адсорбционных свойств от состава

Проведенные исследования позволили сопоставить свойства бинарных компонентов и твердых растворов на их основе, выделить сходство и различие в их поведении. Внешний вид опытных зависимостей, порядок адсорбционных, термодинамических и кинетических характеристик, указывающих на единство природы активных центров и механизма поверхностных процессов, свидетельствуют об общности свойств. В то же время наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав» указывает на специфические проявления твердых растворов как многокомпонентных систем. При образовании твердых растворов происходит изменение степени упорядоченности и дефектности структуры исходных бинарных компонентов под влиянием атомов-заместителей. Изменение дефектности ведет к изменению координационного окружения и ненасыщенности поверхностных атомов. Это несомненно сказывается на количестве активных центров и прочности их связи с адсорбатом.

Анализ зависимостей - «кислотно-основные свойства-состав», «адсорбционные свойства-состав» (рис. 2). позволил установить частные

функциональные зависимости между ними. А это, в свою очередь дает возможность прогнозировать адсорбционные свойства новых материалов по другим поверхностным свойствам, а также целенаправленно их изменять. На основе анализа зависимостей «поверхностное свойство-состав» и корреляций между ними выявлен наиболее активный в адсорбционном отношении компонент (ОаА8)о>()5(Сс18)о,95 (величина адсорбции 5,8-Ю"4 моль/м2), который предложен в качестве материала для сенсоров-датчиков на микропримеси аммиака.

В пятой главе описаны результаты квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования адсорбции газов О2, СО, СО2, КЫ3 на поверхности кристаллических кластеров ОаАз, С(С8, (ОаА8)„(С<18)1_х

а*«"*,моль/м2 РНиз° 6.5-1

О 2 4 6 8 10

МБ ваАа, иол.% йаАв

Рис. 2. Зависимости величины адсорбции КНз(1), РН-изосостояния (2) от состава компонентов системы ОаАз-СсК.

Квантово-химический анализ и компьютерное моделирование адсорбции Исследуемую поверхность моделировали кристаллическими кластерами, которые строились с одновременным расчетом кристаллических характеристик в компьютерной программе ЫурегСИеш. Количество атомов в кластере было разным. В качестве кластера, моделирующего поверхность твердого раствора, использовалась кристаллическая структура из 80 атомов, фрагмент которого представлен на рис. 3.

Правильность моделирования и его точность оценивалась сравнением известных из эксперимента значений теплот образования бинарных соединений с рассчитанными квантово-химическими методами в программе ЫурегСИеш. Полученное таким образом значение составило 5% (по энтальпии образования С(С8). Основой моделирования адсорбционного взаимодействия является расчет энергии адсорбции, в соответствии с формулой

ДЕя,

: Е(адсорбцион. комплекс) - [Е(исходн. адсорбат)+Е(адсорбент)],

где Е(адсорбцион. комплекс) - энергия адсорбционного комплекса кластер -молекула адсорбата; Е(исходн. адсорбат) - энергия молекулы адсорбата; Е(адсорбент) - энергия кластера.

Рис. 3. Фрагмент кристаллического кластера твердого раствора (СаА5)о25(С<15)о75, с адсорбированной на его поверхности молекулой кислорода в окне программы ЫурегСИеш: 1-атом кадмия; 2-атом серы; 3-атом галлия; 4-атом мышьяка; 5-атом кислорода.

Правильность моделирования и его точность оценивалась сравнением известных из эксперимента значений теплот образования бинарных соединений с рассчитанными квантово-химическими методами в программе ЫурегСИеш. Полученное таким образом значение составило 5% (по энтальпии образования СЖ). Основой моделирования адсорбционного взаимодействия является расчет энергии адсорбции, в соответствии с формулой

ДЕШС = Е(адсорбцион. комплекс) - [Е(исходн. адсорбат)+Е(адсорбент)],

где Е(адсорбцион комплекс) - энергия адсорбционного комплекса кластер -молекула адсорбата; Е(исходн. адсорбат) - энергия молекулы адсорбата; Е(адсорбент) - энергия кластера

Расчет энергии адсорбции выполняли для следующих адсорбционных систем: атом кислорода - кристаллический кластер, молекула кислорода

кристаллический кластер, молекула №1з - кристаллический кластер, молекула СО - кристаллический кластер, молекула СОг - кристаллический кластер. Для выполнения моделирования проводили квантово-химический расчет энергии адсорбции при варьировании расстояния между молекулой адсорбата и поверхностью кластера. Данные параметры характеризуют длину адсорбционной связи, энергию начала адсорбционного захвата, энергию адсорбционного взаимодействия на различных расстояниях. Расстояние между поверхностью кластера и молекулой адсорбата варьировалось в интервале от о,о5 до 10 нм. Полученные результаты квантово-химического расчета энергии адсорбции поверхностью твердого раствора различных газовых молекул

представлен на рис. 4.

Квантово-химический расчет для исследуемых материалов дает значения энергии адсорбции, равные 25 - 60 кДж/моль и равновесные расстояния адсорбционных взаимодействий 0,4-0,6 нм, что согласуется с размерами адсорбированных молекул и межатомными расстояниями в бинарных соединениях и твердых растворах Результаты квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования адсорбции подтверждают экспериментальные значения, полученные для энергии активации адсорбции и ее химическую природу.

ДЕШс> кДж/моль

300

1,5 2,5 3,5 4,5 5,5 6,5 7,5 8,5 9,5 ю,5 11,5 12,5 13,5 14,5

Рис. 4. Зависимость энергии адсорбции молекул 02(1), КНз(2), СО(3), от расстояния до поверхности твердого раствора

Квантово-химический расчет для исследуемых материалов дает значения энергии адсорбции, равные 25 - 60 кДж/моль и равновесные расстояния адсорбционных взаимодействий 0,4-0,6 нм, что согласуется с размерами адсорбированных молекул и межатомными расстояниями в бинарных соединениях и твердых растворах Результаты квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования адсорбции подтверждают экспериментальные значения, полученные для энергии активации адсорбции и ее химическую природу.

Полученные результаты свидетельствуют о том, что данный метод можно использовать не только для компьютерного моделирования поверхности GaAs, ИЗ, (СаАз),(С(!8)1., и ее адсорбционного взаимодействия с молекулами О2, СО, но и для прогнозирования оптимального состава и адсорбционной активности новых материалов.

В заключении суммируются наиболее важные выводы, сделанные на основе проведенных исследований, даны рекомендации по практическому использованию полученных результатов, сделано заключение о возможности использования твердого раствора состава в сенсорах-датчиках микропримесей

аммиака в выдыхаемом газе.

Выводы

1. Получены и идентифицированы твердые растворы в системе GaAs-CdS.

Показано, что они имеют структуру вюрцита (при содержании 50, 40, 10 и 5

мол. % GaAs) и сфалерита (при содержании 95,90 и 50 мол. % GaAs).

2. Исследован химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы GaAs-CdS. Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами. На поверхности присутствуют два типа кислотных центров льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы Н2О и группы ОН").

3. Установлены природа активных центров изученной поверхности и закономерности ее адсорбционного взаимодействия с аммиаком и оксидом улерода (П). В качестве активных центров по отношению к изученным газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы. Установлены температурные области протекания химической необратимой адсорбции СО и ЫНз на компонентах системы GaAs-CdS, которые находятся при температурах выше 293 К и характеризуются теплотами адсорбции 3-10 кДж/моль и энергиями активации 30-60 кДж/моль.

4. Найдена взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы ОаА8-Сс18. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство (одинаковая природа активных центров) и различие (наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав») в их поведении.

5. Разработан метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов. Квантово-химический анализ и компьютерное моделирование адсорбции СО и на поверхности ОаАз, С(С8 и их твердых растворов подтверждают выводы о механизме адсорбции, полученные по результатам эксперимента. Рассчитанные значения энергии адсорбции составляют 25-60 кДж/моль.

6. Определены возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа и создания новых материалов на основе установленных закономерностей «поверхностное свойство-состав» и метода компьютерного моделирования.

7. Твердый раствор состава (СаА5)оо5(С(18)о95 рекомендован в качестве материала сенсора-датчика для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

Библиографический список

1. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. - Томск: Томск, унив-т, 1984.- 133с.

2. Кировская ИА. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. - Иркутск: Издат-во Иркут. унив-та, 1984. - 167с.

3. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. - Иркутск:Изд-во Иркут. унив-та, 1988. - 170с.

4. Кировская ИА. Поверхностные явления: Монография. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. -174с.

5. Пак В.Н. Фотокаталитическое окисление фенола в водных дисперсиях сульфида кадмия закрепленного на кремнеземных носителях. / В.Н. Пак, С. Харанги//ЖФХ.- 1996.-T.70. -№9.-с. 1696-1701.

6. Войцеховский А.В. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа AIIBVI / А.В. Войцеховский, А.Д. Пашун, В.К. Митюрев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. - 1970. - т.6 - №2. - с.379 - 380.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Суровикин В.Ф. Применение углеродного гемосорбента ВНИИТУ - 1 для детоксикации организма как медицинского сорбента нового поколения / В.Ф. Суровикин, П.И.Червяков, Л.Г. Пьянова, А.Е. Земцов, Л.С. Лузянина //Материалы Региональной научно-практической конференции «Химическая и химико-фармацевтическая промышленность в современных условиях». - Новосибирск, 1999.-с. 52-53.

2. Кировская И.А. Сорбционная система пробоотбора для масс-спектрометрического анализа микропримесей в воздухе / И.А Кировская, Е.Д. Скутин, А.Е. Земцов, Т.Н. Котуненко //Материалы IV Международной научно-практической конференции, посвященной 60-летию ОмГТУ «Динамика систем, механизмов и машин». - Омск, 2002. - с.296 - 298.

3. Земцов А.Е. Получение адсорбента и первичного преобразователя -тонкопленочного сульфида кадмия / А.Е. Земцов, Д.В. Логинов //Материалы XLI Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». - Новосибирск, 2003. - с. 105-106.

4.3емцов А.Е. Масс-спектрометрический анализ микропримесей токсичных газов / А.Е. Земцов, В.В. Рыбин //Материалы VII Международной научной школы-конференции студентов и молодых ученых. - Абакан, 2003. - С.58 - 59.

5. Земцов А.Е. Получение нового материала М8-ОаА и его идентификация / А.Е. Земцов, ИА. Кировская //Труды IV Всероссийской школы-семинара «Новые материалы. Создание, структура, свойства-2004». - Томск, 2004. - с. 225 - 226.

6. Кировская И.А. Анализ выдыхаемого газа с использованием сенсорных датчиков / И.А Кировская, А.Е. Земцов //Материалы VII конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока». - Новосибирск, 2004. - с. 44.

7. Кировская ИА. Исследование активности поверхности (ОаА8)х(С<18)1-х по отношению к токсичным компонентам выдыхаемого газа / И.А. Кировская, А.Е. Земцов, Ж.В. Гладилова //Материалы V Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин».- Омск, 2004.

8. Кировская И.А. Синтез и адсорбционные свойства твердых растворов (С}аАз)х(Сс1$)|.х / ИА. Кировская, А.Е. Земцов //ЖФХ, 2004 (в печати).

Отпечатано с оригинала-макета, предоставленного автором

ИД №06039 от 12.10.2001

Подписано к печати 05.11.2004. Бумага офсетная. Формат 60x84 1/16 Отпечатано на дупликаторе. Усл. печ. л. 1,25. Уч.-изд. л. 1,25. Тираж 100 экз. Заказ 591.

Издательство ОмГТУ. 644050, г. Омск, пр-т. Мира, 11 Типография ОмГТУ

122173

РНБ Русский фонд

2005-4 19213

л Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Основные физико-химические свойства ваАэ, СёБ.

1.1.1. Кристаллохимические свойства.

1.1.2. Электрофизические и оптические свойства.

1.1.3. Получение СаАэ и Сс18.

1.2. Поверхностные свойства ваАэ, Сс18.

1.2.1. Структура и химический состав поверхности.

1.2.2. Адсорбционные свойства поверхности.

1.3. Твердые растворы типа АШВУ-АПВУ1. Система ОаАз-СсШ.

1.4. Применение ОаАэ, СсШ в сенсорах газов. Сенсоры на аммиак.

1.5. Методы квантово-химических расчетов.

1.5.1. Метод Хюккеля (МОХ).

1.5.2. Расширенный метод Хюккеля (РМХ).

1.5.3. Метод ССП-Х„.

1.5.4. Основные квантово-химические расчетные методы, используемые в программе НурегСЬет.

1.6. Моделирование адсорбции газов на твердой поверхности.

1.7. Выдыхаемый газ: состав, анализ, медицинская диагностика.

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1. Исследуемые объекты и их получение.

2.1.1. Синтез твердых растворов системы ОаАэ-СёЗ в виде порошков.

2.1.2. Получение тонких пленок на основе соединений ваАэ, Сё8.

2.2. Идентификация твердых растворов.

2.2.1. Рентгенографический анализ.

2.2.2. Метод спектроскопии комбинационного рассеяния.

2.3. Исследование кислотно-основных свойств в жидких средах.

2.3.1. Определение рН-изоэлектрического состояния.

2.3.2. Исследование кислотно-основных свойств методом механохимии.

2.4. Измерение адсорбции методом пьезокварцевого микровзвешивания.

2.5. Термодесорбционные измерения масс-спектрометрическим метод ом.

2.6. Метод ИК-спектроскопии.

Глава 3. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет.72 3.1. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет кристаллических решеток ваАэ, СёБ и (ОаАз)х(Сс18)1.х.

3.1.1. Построение кристаллической решетки сульфида кадмия и расчет ее характеристик с использованием программы НурегСЬет.

3.1.2. Построение кристаллической решетки арсенида галлия и квантово-химический расчет ее характеристик с использованием компьютерной программы НурегСЬеш.

3.1.3. Построение кристаллической решетки твердого раствора (ОаАз)х(Сс18)1.х в компьютерной программе НурегСЬеш.

3.2. Квантово-химический расчет энергетических характеристик молекул СО, С02, ЫНз и кристаллических кластеров ваАэ, Сс18, (СаАз)0,25( Сс18)о,75

3.3. Компьютерное моделирование адсорбции молекул О2, СО, СО2,

NN3 на поверхности кластеров ваАБ, Сс18, (ОаА5)х(Сс18)1.х.

Глава 4. Результаты эксперимента и их обсуждение.

4.1. Идентификация твердых растворов.

4.1.1. Кристаллографические свойства системы (СаА5)х(Сс18)1-х.

4.1.2. КР спектроскопия системы ОаАэ-СёЗ.

4.2. Кислотно-основные свойства компонентов системы ОаАэ-Сс^.

4.3. Адсорбционные свойства компонентов системы ОаАз-С<18.

4.3.1. Адсорбция ЫН3 и СО на СсШ и (СаАзХССаЗ)^.

4.3.2. Основные закономерности изменения физико-химических свойств ваАэ, С(18 и твердых растворов на их основе в результате

4 адсорбцииЫНз иСО.

Глава 5. Результаты компьютерного моделирования и их обсуждение.

5.1. Результаты построения кристаллических решеток ваАэ, СёБ и (СаАзМСс^.х.

5.2. Результаты квантово-химических расчетов энергетических уровней молекул О2, СО, СОг,1МНз и кластеров с кристаллическими решетками ваАБ, Сс18, (ОаАзМСс^),.*.

5.3. Результаты компьютерного моделирования адсорбции Ог, СО,

СОг, КГНз на поверхности кристаллических кластеров ваАэ, Сс18,

ОаА8)о,25( СавЬб.

Выводы.

Актуальность темы. Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов. Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим достижения современной техники.

В настоящее время имеется повышенный интерес к многокомпонентным полупроводникам. Так, перспективным является создание твердых растворов на основе достаточно изученных бинарных полупроводниковых соединений типа АШВУ, АИВУ1, так как позволяет прогнозировать и регулировать макро- и микроскопические свойства материалов, в том числе кристаллохимические, электрофизические, оптические, адсорбционные. При этом сохраняются основные закономерности физико-химических процессов, протекающих на бинарных полупроводниках, и проявляются новые особенности, характерные для более сложных систем [1].

Среди востребованных практикой и с достаточно хорошо изученными объемными свойствами являются бинарные полупроводниковые соединения ваАэ и СёБ. Данные материалы уже нашли применение в таких областях, как микро- и оптоэлектроника, полупроводниковый газовый анализ, гетерогенный катализ [2, 3, 4, 5]. Не менее перспективными в названных областях должны быть и их твердые растворы. При определенной изученности соединений ваАБ и СёБ, твердые растворы до сих пор не исследовались. Известна лишь одна работа [6], в которой сказано о получении твердых растворов (СаАз)х(Сс18)1.х ( х-составляет 90 и 95 мол. % ваАз).

Одним из новых перспективных направлений применения полупроводниковых материалов на основе СаАБ и СёБ является их использование в сенсорах-датчиках для анализа газов в экологических и медицинских целях. Здесь важно не только определение следовых количеств 41 токсичных газов в воздухе, но и анализ микропримесей выдыхаемого газа, проведение медицинской диагностики по его составу. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания или даже в начальной стадии эндогенной интоксикации, когда выраженные симптомы заболевания еще отсутствуют. Таким образом, медицинская диагностика по составу выдыхаемого газа может найти применение не только в лечебной практике, но и в повседневной жизни и служить средством для предупреждения заболевания. Использование простого в обращении сенсорного устройства открывает перспективы развития домашней диагностики.

Можно считать, что в настоящее время возможности практического использования бинарных компонентов и, тем более, твердых растворов системы ваАБ-Сс^ еще далеко неисчерпаны из-за недостаточности сведений о структуре, химическом составе и адсорбционных свойствах их поверхности.

Из вышесказанного следует, что создание твердых растворов (ОаАз)х(Сс18)1.х с регулируемыми свойствами, исследование природы активной поверхности, ее адсорбционного взаимодействия с газами -токсичными примесями окружающей и технологических сред и ответственными за определенные заболевания (аммиаком, оксидом углерода и другими, входящими в состав выдыхаемого воздуха) является несомненно актуальным.

Диссертационная работа выполнена в соответствии с * Государственными программами, Координационными планами важнейших научно-исследовательских работ РАН, научным направлением кафедры, развиваемым с 60-х годов И.А. Кировской и ее учениками и посвященным созданию единого подхода к исследованию поверхности алмазоподобных полупроводников, управлению ее свойствами и получению новых ф материалов и катализаторов.

Цель работы. Получить новые материалы — твердые растворы системы ваАз-СсШ с регулируемыми свойствами; исследовать природу ее активной поверхности и адсорбционного взаимодействия с газами -токсичными примесями окружающей, технологических сред и компонентами выдыхаемого воздуха; установить закономерности «свойство-состав»; разработать метод компьютерного моделирования и прогнозирования поверхностных свойств изученного типа систем.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Получить и идентифицировать твердые растворы системы ОаАз-СёБ на основе методов рентгенографического анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния.

2. Исследовать химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы ОаАБ-СёЗ.

3. Установить природу активных центров, механизм и закономерности адсорбционного взаимодействия изученных адсорбентов с аммиаком и оксидом углерода.

4. Найти взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы СаАБ-СсШ.

5. Разработать метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов.

6. Определить возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа (АШВУ)(АПВУ1) и создания новых материалов.

7. Сделать заключение о применимости полученных новых материалов в сенсорах-датчиках для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

Научная новизна работы

1. Впервые получены твердые растворы системы ОаАз-Сс18 в форме порошков и пленок. Показано, что они имеют структуру вюрцита и сфалерита.

2. Впервые с использованием современных экспериментальных и квантово-химических методов исследованы поверхностные физико-химические свойства системы ваАз-СёЗ (химический состав, кислотно-основные, адсорбционные свойства по отношению к ИН3 и СО).

3. Проведен квантово-химический расчет энергии адсорбции газов О2, СО, С02, ИНз на ваАБ, СсЮ, (ОаАз)х(Сё8)1.х.

4. Разработан метод компьютерного моделирования поверхности ваАэ, Сс18, (ОаАз)х (Сс18)1.х и адсорбционных взаимодействий с ней молекул 02, СО, С02, ЫНз.

5. Впервые выполнено компьютерное моделирование адсорбционных процессов на бинарных соединениях ОаАэ, СсШ и их твердых растворах с использованием программы НурегСЬеш.

6. Получены диаграммы состояния «поверхностная характеристика-состав».

7. Разработан метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа (АШВУ)Х(АПВУ1)1.Х.

Защищаемые положения

1. Результаты получения и идентификации твердых растворов (ОаА$)х (Сёв),.*.

2. Результаты исследования химического состава, кислотно-основных и адсорбционных свойств поверхности полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы ОаАз-СёБ: природа активных центров, механизмы и закономерности взаимодействия поверхности с аммиаком и оксидом углерода.

3. Взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств компонентов системы ваАз-Сс^ и закономерности их изменения с составом. Диаграммы состояния «свойство-состав».

4. Результаты квантово-химических расчетов энергии адсорбции газов О2, СО, СО2, ИН3 на поверхности кристаллических кластеров ваАэ, СаБ, (ОаА8)0,25(Са8)0,75.

5. Метод компьютерного моделирования поверхности ваАз, Сс18, (ОаАз)х(Сс18)1.х и ее адсорбционного взаимодействия с молекулами о2, со, со2, т3.

6. Метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа (АШВУ)Х(АПВУ1)|Х.

7. Результаты испытаний полученных материалов в качестве чувствительных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси аммиака.

Практическая значимость работы

1. Показаны возможности использования диаграмм состояния «свойство-состав», квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования для прогнозирования оптимальных составов и поверхностной чувствительности новых материалов.

2. Создан новый материал - твердый раствор состава (ОаАз)о,о5(Сс18)о,95 с повышенной адсорбционной активностью по отношению к 1чГН3.

3. Предложен и испытан датчик на его основе на микропримеси аммиака в выдыхаемом газе.

4. Найдены стандартные режимы термообработки бинарных компонентов и твердых растворов системы ваАз-СёЗ.

Апробация работы. Основные положения и результаты ф диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях: Региональная научно-практическая конференция «Химическая и химико-фармацевтическая промышленность в современных условиях» (г. Новосибирск, 1999г.), IV Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин», посвященная 60-летию ОмГТУ (г. Омск, 2002г.), ХЫ Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, НГУ, 2003г.), VII 4

Международная научная школа-конференция студентов и молодых ученых (г. Абакан, Хакасский государственный университет, 2003г.), IV Всероссийская школа-семинар «Новые материалы. Создание, структура, свойства - 2004» (г. Томск, 2004г.), VII Конференция «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2004г.), V Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2004г.).

Результаты проведенных исследований опубликованы в 8 работах.

Выводы.

1. Получены и идентифицированы твердые растворы в системе СаАБ

Показано, что они имеют структуру вюрцита (при содержании 50, 40, 10 и 5 мол. % ваАз) и сфалерита (при содержании 95, 90 и 50 мол. % ваАБ).

2. Исследован химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы СаАз-Сс^. Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами. На поверхности присутствуют два типа кислотных центров льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы НгО и группы ОН").

3. Установлены природа активных центров изученной поверхности и закономерности ее адсорбционного взаимодействия с аммиаком и оксидом улерода (И). В качестве активных центров по отношению к изученным газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы. Установлены температурные области протекания химической необратимой адсорбции СО и №1з на компонентах системы ОаАз-СёБ, которые находятся при температурах выше 293 К и характеризуются теплотами адсорбции 3-10 кДж/моль и энергиями активации 30-60 кДж/моль.

3. Найдена взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы СаАБ-Сё8. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство (одинаковая природа активных центров) и различие (наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав») в их поведении.

5. Разработан метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов. Квантово-химический анализ и компьютерное моделирование адсорбции

СО и ЫНз на поверхности ваАБ, Сс18 и их твердых растворов подтверждают выводы о механизме адсорбции, полученные по результатам эксперимента. Рассчитанные значения энергии адсорбции составляют 25-60 кДж/моль.

6. Определены возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа (АШВУ)(АПВУ1) и создания новых материалов на основе установленных закономерностей «поверхностное свойство-состав» и метода компьютерного моделирования.

7. Твердый раствор состава (СаАз)о,о5(С(18)о,95 рекомендован в качестве материала сенсора-датчика для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

1. Кировская, И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. - 176 с.

2. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1995.-304с.

3. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1984. - 141 с.

4. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск : Изд-во Иркут. ун-та, 1988. - 170 с.

5. Пак, В.Н. Фотокаталитическое окисление фенола в водных дисперсиях сульфида кадмия закрепленного на кремнеземных носителях /В.Н. Пак, С. Харанги //ЖФХ. 1996. - т. 70. - № 9. - с. 1696 - 1701.

6. Войцеховский, A.B. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа AnBVI / A.B. Войцеховский, А.Д. Пашун, В.К. Митюрев // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1970. -Т. 6. - № 2. - с. 379 - 380.

7. Полупроводники /Под ред. Н.Б. Хеннея: пер. с англ. под ред. Б.Ф. Ормонта. М.: Изд-во иностранной литературы, 1962. - 668 с.

8. Угай,Я.А. Введение в химию полупроводников. М. : Высшая школа, 1975.-302 с.

9. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела / Под ред. Б. Серафина: пер. с англ. М.: Энергоиздат, 1982. - 320 с.

10. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников. М. : Наука, 1978.-616 с.

11. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердого тела: пер. с англ. под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. - 488 с.

12. Блейкмор, Дж. Физика твердого тела: пер. с англ. М. : Мир, 1988. -608 с. - ISBN 5-03-001256-7.

13. Китель, Ч. Квантовая теория твердых тел: пер. с англ. A.A. Гусева. — М. : Наука, 1967.-492 с.

14. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М. : Изд-во стандартов, 1973.- 208 с.

15. Берченко, H.H. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: справочные таблицы / H.H. Берченко, B.C. Кревс, В.Г. Средин. М.: Воениздат, 1982. - 208 с.

16. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова и др.; под. ред. Б.Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. - 136 с.

17. Фистуль, В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов»: В 2-х т. Т.1. М. : Металлургия, 1995. -480 е.- ISBN 5 -229-01194-7.

18. Рот, В.Л. Кристаллография // Физика и химия соединений А11 BVI: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - с. 97-134.

19. Фистуль, В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов». В 2-х т. Т.2. М. : Металлургия, 1995. - 320 е.- ISBN 5 -229-01195-5.

20. Yan, Z.W. Effect of electron-phonon interaction on surface states of polar crystals / Z.W. Yan, X.Y. Liang // Solid State Communications.- 1999. N. 110.-p. 451 -456.

21. Пасынков, B.B. Материалы электронной техники / B.B. Пасынков, B.C. Сорокин. СПБ : Изд-во "Лань", 2001. - 368 с.

22. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М. : Мир, 1976. - 432 с.

23. Горюнова, H.A. Химия алмазоподобных полупрводников. JI. : ЛГУ. -1963.-222 с.

24. Лакинов, В.М. Диаграмма состояния системы GaAs ZnSe /В.М. Лакинов, М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. - 1975.-том 11. -№7.-с. 1311-1312.

25. Ткачук, П.Н. Механизмы рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости в твердых растворах (ZnSe)ix(GaAs)x / П.Н. Ткачук, В.И. Чепелев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1989.-том 25. №3. - с. 511-512.

26. Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках. М. : Физматгиз, 1961. -464. с.

27. Постников, B.C. Физика и химия твердого состояния. М. : Металлургия, 1978. - 544 с.

28. Слэтер, Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. : Мир, 1978. - 664 с.

29. Brust, D. The Band Structure of GaAs from a Self-consistent Pseudopotential Approach // Solid State Commun. 1970. - v.8. - p. 1225 - 1226.

30. Тамм, И. E. Основы теории электричества: учеб. пособие для ун-тов по специальности «Физика». 10-е изд. - М. : Наука, 1989. - 504 с. - ISBN 5-02-014244- 1.

31. Хатсон, У. Полупроводниковые свойства некоторых оксидов и сульфидов // Полупроводники / Под ред. Н.Б. Хеннея: пер. с англ. под ред. Б.Ф. Ормонта. М. : Изд-во иностранной литературы, 1962. -Глава 13.-с. 466-514.

32. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая и др.. М. : Наука, 1975. -216 с.

33. Физика и химия соединений А11 BVI: пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - 624 с.

34. Дитина, 3.3. Парамагниные центры на поверхности сульфида кадмия / 3.3. Дитина, Б.А. Казенков, Л.П. Страхов // Физика и техника полупроводников.- 1967.-том 1. -№11.-с. 1730- 1731.

35. Сегал, Б. Собственное экситонное поглощение // Физика и химия соединении AnBVI / Б. Сегал, Д. Мэрпл ; под ред. М. Авен и Дж. С. Пренер. М. : Мир, 1970. - Гл. 7. - с.246 - 295.

36. Халстед, Р.Е. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения // Физика и химия соединений АИВ1У: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М. : Мир, 1970. - с. 296 - 333.

37. Кюри, Д. Люминесценция, связанная с глубокими уровнями // Физика и химия соединений АПВ1У /Д. Кюри, Д.С. Пренер: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М. : Мир, 1970. - с. 334 - 371.

38. Сущинский, М.М. Резонансное неупругое рассеяние света в кристаллах // УФН. 1988. - том 154. - вып. 3. - с. 353 - 379.

39. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ. М. : Мир, 1991.-632 с.

40. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф.П. Кесаманды, Д.Н. Наследова. М.: Наука, 1973. - 471 с.

41. Eastman, L.F. Semi-insulating GaAs substrates for integrated circuit devices: promises and problems // J.Vac. Sci. Technol. 1979. - vol. 16. -№6.-p. 2050-2052.

42. Balk, P. Deposition of III V compounds by MD-CVD and in halogen transport systems. A critical comparison / P. Balk, E. Venhoff // J. Crystal Growth.-1981.-vol. 55.-№ 1.- 35-41.

43. Исследование электрической неоднородности пленок GaAs и AlGaAs, выращенных методом MDCVD / Г.Н. Панин, В.В. Валяев, B.JI. Гуртовой, A.J1. Тарахонский // Изв. РАН. сер. физика. 1998. - том 62. -№ 3. - с. 523-527.

44. Drummond, T.J. Dependence of electron mobility on spatial separation of electrons and donors in Alx Gan.xAs/ GaAs heterostructures / T.J. Drummond, H. Morkoc, A.Y. Cho // J. Appl. Phys. 1981. - vol. 52. - № 3. -p. 1380-1386.

45. Ultra low resistance ohmic contacts to n GaAs /R. Stall, C.E.C. Wood, K. Board, L.F. Eastman // Electron. Lett. - 1979. - vol. 15. - p. 800-801.

46. Panish, M.G. Molecular beam epitaxy / M.G. Panish, A.Y. Cho // Spectrum. 1980. - vol. 17. -№ 4. - p. 18.

47. GaJnAs — AlInAs heterostructures for optical devices grown by MBE / D.F. Welch, G.W. Wicks, D.W. Woodward, L.F. Eastman // J. Vac. Sci. Technol. В. 1983.-vol. 1. - № 2. - p. 202-204.

48. Лоренц, M.P. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кристаллов // Физика и химия соединений А11 BVI. : пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - с. 65 - 96.

49. Каменкин, Н.П. Эпитаксиальные пленки соединений А11 BVI. - J1. : Изд-во ЛГУ, 1978.-312 с.

50. Минайчев, В.Е. Нанесение пленок в вакууме. М. : Высшая школа, 1989.- 110 с.

51. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под общей редакцией Г. Хасса, Р.Э. Туна; том 3: пер. с англ. -М. : Мир, 1968.-332 с.

52. Технология тонких пленок (справочник) / Под ред. JL Майссела, Р. Гленга: пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко; том 2. М. : Сов. радио, 1977. - 768 с.

53. Твердофазное взаимодействие в тонких пленках системы CdS Bi2S3 / В.Н. Семенов, О.В. Остапенко, А.Н. Лукин, Е.И. Завалишин, А.Ю. Завражнов И Неорг. материалы. - 2000. - том 36. - № 12.-е. 1424 -1427.

54. Наумов, A.B. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевиной / A.B. Наумов, В.Н. Семенов, Е.Г. Гончаров // Неорг. материалы. 2001. - том 37. - № 6. - с. 647 - 652.

55. Вехт, А. Методы активации и рекристаллизации пленок соединений А11 BVI // Физика тонких пленок. Том 3. - М. : Мир, 1965. - с. 173 - 224.

56. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск : Изд-во Томск, ун-та, 1984.- 116 с.

57. Зелёва, Г.М. Адсорбционные и некоторые физические свойства системы GaAs-ZnSe: Диссертация .кандидата хим. наук. Томск: ТГУ, 1973.-217 с.

58. Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности: пер. с англ. / Д. Вудраф, Т. Делчар. М. : Мир, 1989. - 564 с.

59. Киселев, В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. М. : Наука, 1978.-256 с.

60. Рогинский, С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях. -М.: Изв. АН СССР, 1948. 643 с.

61. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1988. - 238 с.

62. Харрисон, У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: пер. с англ. М. : Мир, 1983. -Т.1.-381 с.

63. Schlier, R.E. Structure and adsorption characteristics of clean surfaces of Ge and Si / R.E. Schlier, H.E. Farnsworth // J.Chem. Phys. 1959. - vol. 30. -p. 917-918.

64. Haneman, D. Surface structures and properties of diamond structure semiconductors//Phys. Rev. - 1961.-vol. 121.-p. 1093- 1095.

65. Thornton, J.M.C. Surface reconstructions and phase transitions on the GaAs (111) В surface / J.M.C. Thornton, D.A. Woolf , P. Weightman // Surface Sci. 1997. - vol. 380. № 2. - p. 548 - 555.

66. Van Laar, J. Influence of volume dope on Fermi level position at gallium arsenide surface / J. Van Laar, I.I. Scheer // Surface Sci. 1967. - vol. 8. - p. 342-356.

67. Кировская, И.А. Адсорбционные и электрофизические свойства легированного арсенида галлия / И.А. Кировская, Н.Н. Белоусова, Г.М. Зелева// Неорг. материалы. 1982. - Т. 18. - № 8. - с. 1383 - 1384.

68. Кировская, И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 // ЖФХ. 1998. - Т. 72. - № 5. - с. 912 - 917.

69. Кировская, И.А. Влияние окисной пленки на адсорбционные и электрофизические свойства GaAs / И.А. Кировская, Н.Н. Меркушева, В.В. Лимберова, В.А. Приедитис // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1977. Т. 3. - № 11.-с. 1953.

70. Юрьева, А.В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников: автореф. дисс. .канд. хим. наук. Свердловск: Изд-во УПИ, 1981. - 16 с.

71. Сергеева, JI.А. Механизм зарождения и роста окислов кадмия и цинка на химически активной подложке // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Часть II. Новосибирск: Наука, 1977.-с. 131-134.

72. Simov, S. Cubic forms in the surface morphology of CdS vaporated films // Thin Sol. Films. 1973. - v. 15. - p. 79 - 86.

73. Голованов, B.B. Влияние "биографических" и сорбционных дефектов на токоперенос в поликристаллических пленках сульфида кадмия /В.В. Голованов, Г.Г. Чемересюк, A.M. Шмилевич // ЖФХ. 1992. - Т. 66. -вып. 4. - с. 1098 - 1100.

74. Голованов, Н.В. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал пленок сульфида кадмия /Н.В. Голованов, В .А. Смынтина, A.M. Шмилевич // ЖФХ. 1992. - Т. 66. - вып. 4. - с. 1073 - 1076.

75. Раевский, С.Д. Получение и исследование фотолюминесценции тонких слоев CdS на молибдене / С.Д. Раевский, A.B. Коваль //Неорг. материалы. 1996. - Т. 32. - № 12. - с. 1443 - 1445.

76. Кинетика адсорбции кислорода и зарядки поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова, М.А. Магомедов, М.А. Ризаханов, Р.Н. Гасанова, Х.А. Магомедов // Неорг. материалы. 2001. -Т. 37.-№ 1.-с. 21-23.

77. Кировская, И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа AnBVI // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1989. - Т. 25.-№9.-с. 1472- 1475.

78. Смынтина, В.А. Аномальная зависимость электропроводности пленок CdS / В.А. Смынтина, А.Е. Турецкий, Г.Г. Чемересюк // ЖФХ. 1985. -Т. LIX. - № 1. - с. 127-131.

79. Кировская, И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы гпБе-СёЗе / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. 2001. -Т. 75. -№ 10.-с. 1837- 1842.

80. Кировская, И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа АПВУ1 / И.А. Кировская, В.В. Данынина, Е.М. Емельянова // Неорг. материалы. 1989. - Т. 25. - № 3. - с. 379 - 381.

81. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки / И.А. Кировская, Л.Г. Майдановская, Э.И. Князева, Г.М. Мурзина, В.Н. Наговицкая // ЖФХ. 1970. - Т. 44. - № 5. - с. 1260 - 1266.

82. Кировская, И.А. Адсорбция смесей газов СО + 02 на ваАБ /И.А. Кировская, В.Д. Жукова // ЖФХ. 1970. - Т. 44. - № 1. - с. 158 - 159.

83. Кировская, И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений А3В5 индиевой группы // ЖФХ. 1998. - Т. 72. - № 6. - с. 1106 - 1110.

84. Кировская, И.А. Адсорбционные свойства компонентов системы ZnSe -Сс18е / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. 2002. - Т. 76. - № 7. - с. 1246- 1254.

85. Смирнов, Е.П. Квантово-химическое обоснование механизма адсорбции водорода и оксида углерода на теллуриде кадмия / Е.П. Смирнов, И.А. Кировская, В.В. Даныпина // ЖФХ. 1987. - Т. 61. - № 5. - с. 1385 -1387.

86. Голованов, В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия /В.В. Голованов, В.В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - № 5. - с. 35-42.

87. Ложникова, Т.В. Адсорбция моиоксида углерода на тонких пленках сульфида кадмия // Динамика систем механизмов и машин: Материалы III международной научно-практической конференции. Омск: Изд-во ОмГТУ, 1999.-с. 350-351.

88. Кировская, И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник. -2001.-Вып. 14.-с. 66-68.

89. Ахметов, Н.С. Общая и неорганическая химия. М. : Высшая школа, Изд. центр "Акадамия", 2001. - 743 с.

90. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, JI.B. Порецкая, Е.В. Скуднова, JI.E. Шелимова. -М. : Наука, 1967. 171 с.

91. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. М. : Наука, 1978.- 196 с.

92. Томашек, В.В. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AnBVI. Справочник / В.В. Томашек, В.И. Грицыв-Киев: Наукова думка, 1982. 168 с.

93. Войцеховский, А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x(ZnSe)n.x // Физика твердого тела / А.В. Войцеховский, А.Б. Панченко. Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. - с. 24 - 26.

94. Войцеховский, А.В. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP ZnS / А.В. Войцеховский, А.Б. Панченко // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. - 1977. - Т. 13. - № 1. - С. 160 - 161.

95. Yim, M.F. Solid solutions in the pseudobinari (III V) - (II - VI) systems and theire optical energy gap // J. Appl. Phys. - 1969. - 40. - № 6. - p. 2617 - 2623.

96. Уфимцева, Э.В. Фазовые равновесия в системе GaAs ZnTe / Э.В. Уфимцева, В.Н. Вигдорович, О.В. Пелевин // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. - 1973. - Т. 9. - № 4. - с. 587 - 591.

97. Анищенко, В.А. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe / В.А. Анищенко, A.B. Войцеховский, А.Д. Пашун // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1980. -Т. 16. - № 2. - с. 354-355.

98. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, Б. И. Подлепетский, А. Е. Ржанов и др. // Электроника. 1988. - С. 3 - 39.

99. Кировская, И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. -Новосибирск, 2000.-с. 164-165.

100. Арутюнян, В. М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания твердотельных сенсоров // Микроэлектроника. - 1991. - т. 20.- №4.- с. 331 -355.

101. Гаськов, А. М. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров / A.M. Гаськов, М.Н. Румянцева // Неорг. матер. 2000. - Т.36. - №3. - С. 369-378.

102. A.c. 1798672 Рос. Федерация. Датчик влажности газов / И.А. Кировская, Е.Д. Скутин, В.Г. Штабнов (Рос. Федерация). 1993, Бюл. № 8. - 86с.

103. Справочник по основам инфракрасной техники. М. : Сов. Радио, 1978. - 400 с.

104. Патент 2178559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик. / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова; заявитель Омский Государственный Технический Университет. N 99125143/28; заявлено 29.11.1999; опубликовано 20.01.2002, Бюл. №2. - 278с.

105. Патент 2088914. RU, G01N27/30. Сенсор для анализа газообразных веществ / С. А. Радин, О. М. Иванова, В. Г. Загарских, А. В. Высочанский. N 95111367/25; заявлено 03.07.1995; опубликовано 27.08.1997, Бюл. №24.-393с.

106. Патент 2038590. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / С. А. Крутоверцев, Я. А. Летучий, О. Ю. Антонова, С. И. Сорокин, В. Б. Кузнецов, С. А. Радин. N 5062964/25; заявлено 24.09.1992; опубликовано 27.06.1995, Бюл. №18. - 207с.

107. Патент 2029292. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / Л. П. Маслов, С. И. Сорокин, С. А. Крутоверцев. N 5058003/25; заявлено 07.08.1992; опубликовано 20.02.1995, Бюл. №5. - 179с.

108. Баранов В.В. Неинвазивное определение глюкозы в крови на основе анализа выдыхаемого воздуха // New Techologies for the 21st Century. -2001.-N. 6.-p. 36-39.

109. Дункен, X. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел /X. Дункен, В. Лыгин. М. : Мир, 1980. - 288 с.

110. Базилевский, М.В. Метод молекулярных орбит и реакционная способность органических молекул. М. : Химия, 1969. - 304 с.

111. Слетер, Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. : Мир, 1978. - 664 с.

112. Губанов, В.А. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии / В.А. Губанов, В.П. Жуков, А.О. Литинский. М. : Наука, 1976.-219 с.

113. Берсукер, И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений: Введение в теорию. 3-е изд. - Л. : Химия, 1986. - 288 с.

114. И8.Гурин, B.C. Электронная структура кластеров, построенных из фрагментов кристаллических решеток CdS и Agi. // Журнал неорганической химии. 1997. - Т. 42. - № 3. - с. 469 - 476.

115. Гагарин, С.Г. Орбитальные энергии ионов хрома в матрице у А1203 по результатам расчетов методом ССП Ха - PB //ЖФХ. — 1998. - т. 72. - № З.-с. 496-499.

116. Немошкаленко, B.B. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов / В.В. Немошкаленко, В.Н. Антонов. Киев: Наук, думка, 1985. - 408 с.

117. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М. : Наука, 1987. - 432 с.

118. Литинский, А.О. Модель ионно-встроенного ковалентно-циклического кластера в MNDO-расчетах межмолекулярных взаимодействий в гетерогенных системах / А.О. Литинский, Н.Г. Лебедев, И.В. Запороцкова // ЖФХ. 1995. - том 69. - № 1. - с. 189 - 192.

119. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. IV. Свойства поверхностных «мостиковых» ОН-групп в алюмосиликатах и цеолитах. Влияние отношения Si/Ai /

120. И.Д. Михейкин, А.И. Лумпов, Г.М. Жидомиров, В.Б. Казанский // Кинетика и катализ. 1978. - том 19. - вып. 4. - с. 1053 - 1057.

121. Квантово-химическое исследование льюисовских кислотных центров алюмосиликатов / А.Г. Пельменщиков, И.Н. Сенченя, Г.М. Жидомиров, В.Б. Казанский // Кинетика и катализ. 1983. - том 24. - вып. 1.-е. 233 -236.

122. Копылец, В.И. Квантовохимический расчет адсорбции лития на поверхности молибдена /В.И. Копылец, В.И. Похмурский, А.И. Валицкий // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. - № 10.-е. 157-158.

123. Михаленко, И.И. Статистико-термодинамический анализ изменения электронной плотности поверхности металла при адсорбции / И.И. Михаленко, В.Д. Ягодовский // ЖФХ. 2002. - том 76. - № 4. - с. 600 -607.

124. Valiulin, R. Levy walks of strong adsorbates on surfaces: computer simulation and spin-lattice relaxation / R. Valiulin, R. Kimmich, N. Fatkullin // Phys. Rev. E. 1997. - vol. 56. - N. 4. - P. 4371 - 4375.

125. Литинский, A.O. Расчеты взаимодействия молекул H20 и NH3 с поверхностью модифицированных алюмосиликатов и кристалла ZnO / A.O. Литинский, Н.Г. Лебедев // ЖФХ. 1995. - том 69. - № 1. - с. 138 -140.

126. Белов, A.A. Математическое моделирование и экспериментальное изучение четверных твердых растворов замещения системы Ini.xGaxPi. yAsy / А.А.Белов, В.И. Петров, Е.М. Степович // Поверхность.

127. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. - № 2.-с. 80-86.

128. Белащенко, Д.К. Компьютерное моделирование некристаллических оксидов системы Si02-Ca0-Fe0 с ионно-ковалентной связью / Д.К. Белащенко, О.И. Островский // Неорг. Материалы. 2002. - том 38. - № 8.-с. 958-963.

129. Моделирование вакансионного дефекта на поверхности Ge(100) /О.Ю. Ананьина, А.П.Котляров, C.B. Бабко, А.СЛновский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. - № 2.-с. 10-16.

130. Кларк, Т. Компьютерная химия: пер. с англ. М. : Мир, 1990. - 383 с. : ил.-ISBN 5-03-001325-3.

131. Наумов, Д.Ю. Программное обеспечение для локализации и визуализации «свободного пространства» в кристаллических структурах и супрамолекулярных ансамблях / Д.Ю. Наумов, Е.В. Болдырева // Ж. структур, химии. 1999. - том 40. - № 1. - с. 102 - 110.

132. Компьютерная порометрия монодисперсных силикагелей / В.П. Волошин, H.H. Медведев, В.Б. Фенелонов, В.Н. Пармон // Докл. РАН. -1999. том 364. - № 3. - с. 337 - 341.

133. Панина, Н. С. Квантово-химические расчеты электронной структуры, длины и частоты валентного колебания связи S О молекулы ДМСО / Н.С. Панина, Ю.Н. Кукушкин // Ж. неорг. химии. - 1997. -том 42. - № 3. -с. 466-468.

134. Ревинский, А.Ф. Квантово-механический расчет электронной 4< структуры полупроводниковых кристаллов при различных давлениях ихимическом составе // ЖФХ. 1998. - том 72. - № 6. - с. 1098- 1102.

135. Сакодынский, К.И. Полимерные сорбенты для молекулярнойФхроматографии / К.И. Сакодынский, Л.И. Панина. М. : Наука, 1977. -168 с.

136. Земцов, А.Е. Масс-спектрометрический анализ микропримесей токсичных газов // Материалы VII Международной научной школы-конференции студентов и молодых ученых / А.Е. Земцов, В.В. Рыбин. -Абакан, 2003. С.58 - 59.

137. A.B. Деменьтьева, В. А. Макаров, В. Н. Деменьтьев, Б. Н. Клочко. -Киров, 2001.-С. 101-103.

138. Общая химия. Биофизическая химия. Химия биогенных элементов: учеб. для вузов / Ю.А. Ершов, В.А. Попков, A.C. Берлянд и др.; подред. Ю.А. Ершова. М. : Высшая школа, 2000. - 560 с. - ISBN 5-06003626-Х.

139. Мусил, Я. Современная биохимия в схемах / Я. Мусил, О. Новакова, К. Кунц. М. : Мир, 1984.-216 с.

140. Филиппович, Ю.Б. Основы биохимии: учеб. для хим. и биол. спец. пед. ун-тов и ин-тов. 4-е изд. - М. : изд-во «Агар», 1999. - 507 с.

141. Горелик, С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ / С.С. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю.А. Скаков. М. : Металлургия, 1970. -366 с.

142. Гиллер, Я.Л. Таблицы межплоскостных расстояний. В 2-х т. Т. И. М. : Недра, 1966.-362 с.151.3евин, Л.С. Количественный рентгенографический фазовый анализ / Л.С. Зевин, Л.Л. Завьялова. М. : Недра, 1974. - 184 с.

143. Миркин, С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М. : Изд-во Гос физ.-мат. лит-ры, 1961. - 863 с.

144. Иоффе, И.И. Гетерогенный катализ: физико-химические основы / И.И. Иоффе, В.А. Решетов, A.M. Добротворский. Л. : Химия, 1985. - 224с.

145. Смит, Р. Полупроводники: пер. с англ. М. : Мир, 1982. - 560 с.

146. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казаков, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, H.H. Смирнова // Физика и техника полупроводников. 2000. - том 34. -вып. 6. - с. 757 - 761.

147. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций: Учеб. пособие.-Омск: Изд-во ОмГТУ, 1994. 96 с. - ISBN 5 - 230 - 13822 - X.

148. Кировская, И.А. Коллоидная химия. Поверхностные явления: учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 1998. - 176 с. - ISBN 5 - 8148 - 0086 -5.

149. Белоусова, Д.Н. Лабораторный практикум по курсу «Методы исследования адсорбентов и катализаторов» / Д.Н. Белоусова, Г.М. Зелева. Томск: Изд-во ТГУ, 1977. - 110с.

150. Кучменко, Т. А. Применение метода пьезокварцевого микровзвешивания в аналитической химии. Воронеж: Воронежская государственная технологическая академия, 2001. - 280 с. - ISBN 589448-119-8.

151. Рапорт, Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф.М. Рапорт, A.A. Ильинская. М. : Государственное научно-техническое изд-во химической литературы, 1963. - 514с.

152. Боровиков, В.П. Прогнозирование в системе STATISTICA в среде Windows. Основы теории и интенсивная практика на компьютере: учебн. пособие / В.П. Боровиков, Г.И. Ивченко. М. : Финансы и статистика, 2000.-384 с. - ISBN 5-279-01980-1.

153. Алексеев, Р.И. Руководство по вычислению и обработке результатов количественного анализа / Р.И. Алексеев, Ю.И. Коровин. М. : Атомиздат, 1972. - 72 с.

154. Гмурман, В.Е. Теория вероятностей и математическая статистика: учебн. Пособие для вузов. 8-е изд. М. :Высшая школа, 2002. - 479 с. -ISBN 5-06-004214-6.

155. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М. : Мир, 1962.-514с.

156. Киселёв, A.B. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / A.B. Киселёв A.B., В.И. Лыгин. М. : Наука, 1972. - 459с.

157. Давыдов, A.A. ИК спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, 1984. - 246с.

158. Смит, А. Прикладная ИК спектроскопия: пер. с англ. - М. : Мир, 1982.-328 с.

159. Левшин, Л.В. Оптические методы исследования молекулярных систем. Часть I. Молекулярная спектроскопия / Л.В. Левшин, A.M. Салецкий. -М. : Изд-во МГУ, 1994. 320 с.

160. Крылов, О.В. Адсорбция и катализ на поверхностных металлах и их оксидах / О.В. Крылов, В.Ф. Киселёв. М. : Химия, 1981. - 288с.

161. Физика соединений AnBIV / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. ШеЙнкмана. М. : Наука, 1986. - 320 с.

162. Карапетьянц, М.Х. Химическая термодинамика. М. : Химия, 1975. -584 с.

163. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Л.А. Пономарева, A.A. Равдель. Л. : Химия, 1983. - 271 с.

164. Энергии образования связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / Л.В. Гурвич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. М. : Наука, 1974.-351 с.