Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe

Сумьянова, Елена Владимировна

Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Сумьянова, Елена Владимировна АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Санкт-Петербург МЕСТО ЗАЩИТЫ

2006 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe»

Автореферат диссертации на тему "Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe"

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

СУМЬЯНОВА Елена Владимировна

ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ СёЯ И Сбве

01.04.07 - физика конденсированного состояния

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 2005

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета и на кафедре экспериментальной и общей физики факультета математики и физики Калмыцкого государственного университета.

Научный руководитель

доктор физико-математических, наук, профессор Новиков Борис Владимирович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических, наук Бенеманская Галина Вадимовна

доктор физико-математических, наук, профессор Барабан Александр Петрович

Ведущая организация Балтийский государственный

технический университет («Военмех»)

Защита диссертации состоится « »_2006 г. в_час.

На заседании диссертационного совета Д212.232.33 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора наук при Санкт-Петербургском государственном университете по адресу:

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Санкт-Петербургского госуниверситета. Отзывы просим присылать по адресу: 198504, С-Петербург, Ст. Петергоф, ул.Ульяновская 1, НИИФ, секретарю диссертационного совета.

Автореферат разослан « »_2005 г.

Ученый секретарь диссертационного совета л

доктор физико-математических наук, профессор , Лезов A.B.

шо

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Изучение влияния поверхности и приповерхностной области на оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых кристаллов представляет собой актуальную проблему. Актуальность этой проблемы связана, в первую очередь, с потребностями современной микро- и оптоэлектроники. Она связана также с необходимостью дальнейшего развития новых перспективных методов исследования поверхности и границ раздела в полупроводниках и полупроводниковых гомо- и гетерострукту-рах, играющих исключительно важную роль в современной науке и технике.

Особое место среди этих методов занимает оптическая и фотоэлектрическая экситонная спектроскопия поверхности и приповерхностной области полупроводника. Высокая чувствительность и неразрушающий характер метода, его информативность и экспрессность делают этот метод уникальным для научных и практических целей. Вместе с тем, широкое применение метода экситонной спектроскопии в научных и практических целях сдерживается все еще недостаточной разработкой фундаментальных вопросов о механизмах взаимодействия экситонов с поверхностью и приповерхностной областью полупроводника, а также вопросов, связанных с формированием особенностей в экситонных спектрах, обусловленных этими механизмами.

Все вышесказанное определяет актуальность настоящей диссертационной работы, посвященной исследованию влияния поверхностно-чувствительных воздействий на оптические спектры и спектры фотопроводимости (ФГТ) полупроводниковых кристаллов Сей и Сс!8е в области края поглощения.

Цель и задачи исследования. Цель работы - выявление физических механизмов влияния поверхности и приповерхностной области на формирование оптических и фотоэлектрических экситонных спектров монокристаллов СМБ и СсВе. Исходя из этой цели, были поставлены следующие задачи:

-исследование оптических экситонных спектров кристаллов Сей и Ссйе, подвергнутых при температуре Т=4.2 К поверхностно-чувствительному воздействию электронной бомбардировки (ЭБ) низкоэнергетическими (несколько кэВ) электронами, изменяющему зарядовое и дефектное состояние приповерхностной области полупроводника;

- изучение оптических экситонных спектров кристаллов Сс!8 и С(!8е, подвергнутых ЭБ низкоэнергетическими электронами при Т=4.2 К и последующему отжигу при комнатной температуре;

- исследование влияния внешнего поперечного электрического поля (ПЭП) и ЭБ низкоЭнергетическими электронами на спектры ФП кристаллов Сёв при Т=77К в спектральной области края собственного поглощения;

- исследование низкотемпературных оптических спектров и спектров ФП кристаллов Сей, подвергнутых облучению излучением Не-Сс! лазера в воде, изменяющему стехиометрию приповерхностного слоя полупроводника.

Научная новизна полученных результатов:

1. Впервые для изучения миграции и преобразования радиационных дефектов в кристаллах С<18 и Сейе использованы спектры связанных эксито-нов.

2. Впервые установлено, что устойчивость кристаллов СсК и Сейе к воздействию ЭБ определяется их исходным дефектным составом.

3. Впервые показано, что типом тонкой (экситонной) структуры (ТС) в спектрах низкотемпературной ФП кристаллов Сей можно управлять ПЭП.

4. Впервые установлено влияние межзонных фототермических переходов через уровни мелких доноров в приповерхностном слое на формирование спектра ФП и фоточувствительность (ФЧ) в области края поглощения кристаллов СеЙ.

5. Впервые изучены фотоэлектрические свойства кристаллов СёБ, подвергнутых облучению в воде излучением Не-С<1 лазера. '

Практическая ценность работы.

1. Предложен метод оценки радиационной стойкости кристаллов Сей и Сейе по спектрам экситонно-примесных комплексов (ЭПК).

2. Установлено, что ЭБ низкоэнергетическими электронами повышает ФЧ кристаллов СёБ.

3. Показано, что ТС спектральных кривых ФП кристалла Сей является чувствительным индикатором состояния приповерхностного слоя полупроводника и может быть использована для изучения его свойств.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Генерация и преобразование дефектов в кристаллах CdS и CdSe при ЭБ низкоэнергетическими электронами и последующем термическом отжиге определяются исходным набором дефектов.

2. Процесс радиационного дефектообразования в кристаллах CdS и CdSe можно контролировать по спектрам связанных экситонов.

3. Приповерхностное электрическое поле может определять тип ТС спектров ФП полупроводника.

4. ТС низкотемпературных спектров ФП является высокочувствительным инструментом исследования зарядово-дефектного состояния приповерхностного слоя полупроводниковых кристаллов типа CdS.

5. Облучение кристалла CdS в воде собственным светом приводит к «легированию» приповерхностного слоя дефектами структуры и формированию приповерхностного фпуктуационного потенциала.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы доложены и обсуждены: на Всесоюзной конференции по люминесценции(г. Москва, ФИАН, 1991.); оп 5* International Conference on hopping and related phenomena (Glasgow, Scotland, 1993); на Международной конференции «Optics of Excitons in condensed Matter» (St. Petersburg, 1997); на Международной конференции «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 1998); на Сев.-Кавказс-кой региональной научной конференции «Перспекгива-99» (г. Нальчик, 1999); на Международных конференциях «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (г. Ульяновск, 2002 и 2003 г.г); на Международных конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (г. Ульяновск-Сочи, 2004 г.)

Публикации: Основные результаты работы изложены в 15 публикациях, в том числе, в 5 статьях и материалах 10 конференций.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 178 страницах, из них 20 - список литературы из 155 наименований и 27 листов рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, кратко изложено содержание работы, перечислены основные защищаемые положения.

В первой главе представлен обзор работ по теме диссертации. Излагаются основные сведения об экситонах. Дан обзор экспериментальных работ по влиянию поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников. Рассмотрена роль приповерхностной области в формировании экситонных спектров полупроводниковых кристаллов. Сформулирована постановка задачи.

Во второй главе изложена техника и методика эксперимента. Рассмотрены использованные методы поверхностно-чувствительных воздействий: ЭБ низкоэнергетическими (1-4 кэВ) электронами, наложение на поверхность полупроводника электрического поля по методу эффекта поля, облучение лазерным излучением в воде. Описано устройство криостата для ЭБ образцов и измерений in situ их оптических и фотоэлектрических спектров. Приведено описание специальной конденсаторной ячейки оригинальной конструкции, позволяющей реализовать метод эффекта поля. Приведены блок-схемы экспериментальных установок для регистрации оптических и фотоэлектрических спектров исследуемых образцов.

В третьей главе, состоящей из 2-х параграфов, представлены результаты исследования экситонных спектров фотолюминесценции (ФЛ), отражения и пропускания кристаллов CdS и CdSe в зависимости от дозы ЭБ при Т=4.2 К.

В первом параграфе изложены результаты исследования трансформации экси-тонных спектров под воздействием ЭБ электронами с энергией 3.5 кэВ, а также под влиянием последующего отжига при комнатной температуре.

Изменения спектров ФЛ в исследованных кристаллах при малых дозах ЭБ (~10'6 эл/см2) заключаются в резком росте, а затем относительно слабом изменении интенсивностей наблюдаемых линий излучения, а также в исчезновении из спектров ФЛ линий поверхностного происхождения Is [1].

При больших дозах ЭБ (~1017 эл/см2 и более) характер трансформации спектров ФЛ в разных кристаллах существенно различается в зависимости от отсутствия (кристаллы группы А) или наличия (кристаллы группы Б) в их спектрах ФЛ линии ЭПКI, (ЭПК на нейтральном акцепторе - междоузель-ном атоме серы (S) или селена (Se)). В спектрах ФЛ кристаллов CdSe группы А наряду со значительным ростом интенсивности линии 12 (Х=6804.2А; ЭПК на нейтральном доноре - междоузельном кадмии (Cd)) на ее длинноволновом крыле наблюдается «возгорание» линии с максимумом при

1= 6805.5А (ЭПК на нейтральном доноре - вакансии селена(У8е)). В спектрах ФЛ кристаллов CdS группы А линия Г2В (к= 4869.1 А; ЭПК на Сё) значительно уширяется за счет роста протяженности ее длинноволнового крыла. В кристаллах СЖ и С<18е группы Б после больших доз ЭБ наблюдается превалирующий рост интенсивностей линий 12В и 12. В кристаллах этой группы при использованных максимальных дозах ЭБ (~1019 эл/см2) мы не наблюдали появления новых линий в спектре ФЛ.

Изменения в экситонных спектрах, наведенные ЭБ, устойчиво сохранялись при температуре облучения Т=4.2 К. Отжиг при комнатной температуре оказывал существенно разное влияние на кристаллы разных групп. В кристаллах Сбве группы А особенности в спектрах ФЛ, индуцированные ЭБ, после отжига сохранялись. Отжиг облученных электронами кристаллов СсК группы А вызывал радикальную перестройку спектров в области ЭПК на нейтральных донорах 12. Под влиянием отжига уширенные в результате ЭБ линии поглощения и излучения в области 12 трансформируются в четко выраженный дублет с компонентами А,=4869.1А (12В) и Х=4ШЛк (12С, ЭПК на V ).

В кристаллах С<18 и СёБе группы Б оптические экситонные спектры после термического отжига возвращались практически к исходному виду.

Таким образом, изменения экситонных спектров под воздействием ЭБ в кристаллах Сей и Сбве группы А носят необратимый, а в кристаллах группы Б - обратимый характер. Такое различие в радиационной стойкости кристаллов разных групп обусловлено различием в них условий миграции дефектов.

Действительно, наличие в спектрах ЭПК кристаллов группы Б линий 11 указывает на присутствие в них избыточных атомов серы и селена и, соответственно, на малую концентрацию вакансий, по которым эти атомы могут мигрировать. В этих условиях рост при ЭБ концентрации долгоживу-щих френкелевских пар типа и \^е-8е1 лимитируется их радиационно-стимулированным отжигом. В результате кристаллы Сс18 и Ссйе группы Б обладают повышенной по сравнению с кристаллами группы А радиационной стойкостью.

В кристаллах С(18 и Ссйе группы А, содержащих анионные вакансии достаточной концентрации, междоузельные анионы имеют возможность диффузионного ухода на стоки. Это приводит к значительному росту в них при

ЭБ концентрации долгоживущих вакансий аниона (У5, У8е) и, как следствие, необратимому изменению их оптических свойств.

Действие отжига на оптические спектры подвергнутых ЭБ кристаллов группы А связано с термостимулированной диффузией дефектов, которая экспоненциально возрастает с температурой. В кристаллах этой группы она способствует пространственному разделению компонент френкелевских пар и, таким образом, приводит к необратимым изменениям их свойств.

Второй параграф главы посвящен исследованию природы коротковолнового «хвоста» линии излучения в области ЭПК 12, индуцируемого ЭБ в кристаллах группы Б. Именно, при больших дозах ЭБ (~1017 эл/см2) в кристаллах группы Б наблюдается превалирующий рост (на порядок и более) ин-тенсивностей линий излучения 12В в СсЙ и 12 в СсКе. Одновременно эти линии значительно уширяются за счет роста протяженности их коротковолновых крыльев. После экстремально больших доз ЭБ (£10" эл/см2) линии излучения 12В и 12 в кристаллах группы Б приобретают четко выраженный коротковолновый «хвост».

Индуцируемые ЭБ «хвосты» линий 12В и 12 возникают вследствие неблагоприятных условий миграции радиационных дефектов в кристаллах группы Б. Действительно, подавление миграции дефектов в этих кристаллах приводит к тому, что под действием ЭБ низкоэнергетическими электронами в тонком слое (-10 нм) у поверхности этих кристаллов происходит накопление дефектов типа и Сё, которые являются мелкими центрами связывания экситонов.

Энергия связи таких центров, как и энергия связи экситонов, непрерывным образом изменяется от своего объемного значения до четверти от этого значения при перемещении центра из объема на поверхность [2]. Следовательно, энергия связи ЭПК на мелком доноре должна уменьшаться при его перемещении из объема на поверхность. Расстояние, на котором это происходит, составляет ~3 боровских радиуса центра (-9 нм для Сс18 и = 15 нм для СсКе.

Исходя из этих представлений, индуцируемый ЭБ коротковолновый «хвост» линий ЦСёБе) и 12В(Сс18), в кристаллах группы Б можно приписать экситонам, локализованным на приповерхностных донорных центрах, в разной степени возмущенных поверхностью. В пользу этого свидетельствует

наблюдаемый в предварительно подвергнутых ЭБ кристаллах СсЙе группы Б относительный рост интенсивности в спектре катодолюминесценции «хвоста» линии 12 с уменьшением энергии возбуждающих электронов.

В четвертой главе представлены результаты исследования влияния ПЭП и ЭБ электронами низких энергий (4 кэВ) на ФЧ и структуру спектров низкотемпературной (Т=77К) ФП кристаллов СсЙ в спектральной области края собственного поглощения полупроводника.

В первом параграфе изложены результаты спектров ФП кристаллов Сей в зависимости от величины и знака внешнего ПЭП, позволяющего обратимо и контролируемо изменять изгиб энергетических зон у поверхности полупроводника (метод эффекта поля). Исследовались кристаллы, в спектрах ФП которых на частотах возбуждения экситонов наблюдались максимумы или минимумы фототока - кристаллы 1-ой и 2-ой групп, характеризуемые ТС и спектрами ФП 1-го и 2-го типов, соответственно^]. В кристаллах обеих групп обнаружены характерные количественные и качественные изменения спектров ФП под влиянием ПЭП.

В основе механизма влияния ПЭП на ФЧ и форму ТС в спектре ФП полупроводника лежит зависимость эффективной скорости поверхностной рекомбинации, а, следовательно, и времени жизни неравновесных носителей заряда в приповерхностном слое от величины и знака приповерхностного изгиба зон.

Действительно, в монополярных полупроводниках типа Сей скорость поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда определяется скоростью подвода к поверхности неосновных носителей - дырок. В случае обогащающего приповерхностного изгиба зон, создающего потенциальный барьер для дырок, подвод последних к поверхности затруднен, что способствует уменьшению эффективной скорости поверхностной рекомбинации и, соответственно, увеличению ФЧ полупроводника по сравнению с ситуацией плоских зон. В случае обедняющего приповерхностного изгиба зон вблизи поверхности существует потенциальная яма для дырок - дырочный «карман», затягивающий неравновесные дырки на поверхность и приводящий к росту эффективной скорости поверхностной рекомбинации и, как следствие, уменьшению ФЧ полупроводника относительно ее значения при плоских зонах.

Таким образом, изменяя ПЭП изгиб зон у поверхности полупроводника, можно изменять ФЧ по контуру спектральной кривой ФП, при этом в силу больших значений коэффициента поглощения в экситонных линиях (~105см') наибольшие изменения ФЧ должны наблюдаться в спектральной области экситонных резонансов. Именно такая картина и наблюдается в эксперименте, когда спектр ФП 1-го (2-го) типа, соответствующий обогащающему (обедняющему) изгибу зон у поверхности, при увеличении обедняющего (обогащающего) ПЭП за счет превалирующего уменьшения (увеличения) ФЧ на частотах возбуждения экситонов трансформируется в спектр ФП2-го (1-го) типа, приобретая на промежуточных этапах трансформации бесструктурный вид, соответствующий нулевому значению эффективной скорости поверхностной рекомбинации.

Во втором параграфе главы представлены результаты исследования влияния ЭБ электронами энергий 4 кэВ на низкотемпературные (Т=77 К) спектры ФП кристаллов СсЙ 1-ой и 2-ой групп.

ЭБ кристаллов С<±3 приводит к радикальным количественным и качественным изменениям их спектров краевой ФП, а также к немонотонному увеличению темновой проводимости от и росту времени фотоответа т . Индуцируемые ЭБ спектральные изменения заключаются в неоднородных по спектру изменениях ФЧ, которые приводят к характерной трансформации ТС спектра с ростом дозы ЭБ.

Именно, в кристаллах обеих групп ТС в спектре ФП с ростом дозы ЭБ исчезает в области малых (0^2-1016эл/см2; кристаллы 1-ой группы) и умеренных (2-10|6^5 10|7эл/см2; кристаллы 2-ой группы) доз, а затем появляется в области умеренных доз и повторно исчезает в области больших (>5 • 1017 эл/см2) доз.

Индуцируемая малодозовой ЭБ трансформация спектров ФП С<38 обусловлена стимулированной ЭБ десорбцией с поверхности кристалла кислорода, создающего отрицательный поверхностный заряд, формирующий у поверхности потенциальную яму для дырок - приповерхностный дырочный «карман».

Действительно, наличие последнего приводит к сокращению времени жизни неравновесных электронов тп в приповерхностном слое по сравнению с его значением при плоских зонах в этом слое. Его уменьшение, а затем

исчезновение в результате малодозовой ЭБ вызывает рост тп вблизи поверхности. В случае кристаллов 1 -ой группы это приводит к преобладающему в спектре росту фотоактивного фона, формируемого фототермическими межзонными переходами через уровни избыточных Сё, свойственных приповерхностному слою кристаллов СсК 1-ой группы [3]. В результате на конечных этапах малодозовой ЭБ спектры ФП кристаллов СсК 1-ой группы приобретают гладкий вид.

В кристаллах СбБ 2-ой группы десорбция кислорода под действием малодозовой ЭБ приводит к уменьшению обедняющего изгиба зон у поверхности и, соответственно, к ослаблению ТС 2-го типа.

Изменения спектров ФП кристаллов СбБ 1-ой группы в области умеренных доз ЭБ обусловлены радиационным дефектообразованием, приводящим к росту концентрации мелких донорных центров типа Сс1 и V, а также ассоциацией этих дефектов при их взаимодействии друг с другом с образованием ловушек.

Рост концентрации С<! и у поверхности под действием среднедозовой ЭБ приводит к росту ФЧ как в фоновой (нерезонансной) области спектра, так и в области экситонных резонансов за счет соответствующего роста вероятности межзонных фототермических переходов через уровни Сс1 и V и увеличения приповерхностного обогащающего изгиба зон. Такие изменения ФЧ формируют спектр ФП со слабовыраженной ТС 1-го типа, наблюдаемой на начальных этапах среднедозовой ЭБ.

При достаточно большой концентрации Сс1 и У8 образуются парные дефекты - ловушки, обладающие более глубокими, чем точечные дефекты, уровнями, на которые «выпадают» электроны проводимости. Образование ловушек на промежуточных этапах среднедозовой ЭБ приводит к уменьшению концентрации мелких донорных центров и, соответственно, к уменьшению фоновой ФЧ и темновой проводимости, при этом время фотоответа существенно возрастает. С уменьшением фоновой составляющей ФЧ фо-тоток по спектру ФП значительно падает, при этом ТС заметно усиливается в спектре и проявляется в нем в виде доминирующих узких и резких максимумов фототока.

Трансформация спектров ФП кристаллов СёБ 1-ой группы на конечных этапах среднедозовой ЭБ обусловлена новым ростом концентрации собствен-

но-дефектных донорных центров, что снова приводит к ослаблению ТС за счет роста фоновой ФЧ, а также к росту темновой проводимости полупроводника.

В кристаллах Сей 2-ой группы дефектообразование при среднедозовой ЭБ приводит к образованию и росту вблизи поверхности обогащающего изгиба зон. При этом на начальных стадиях этого процесса происходит сглаживание спектра ФП, обусловленное падением эффективной скорости поверхностной рекомбинации до нулевого значения с ростом изгиба зон вблизи поверхности от исходно плоских зон в сторону обогащения. На конечных стадиях процесса, когда обогащающий изгиб зон у поверхности достигает достаточно больших значений, происходит формирование ТС, но уже 1-го типа. '»

Трансформация спектров ФП кристаллов Сей обеих групп в области больших доз ЭБ обусловлена ростом вблизи поверхности при большедозовой ЭБ концентрации в-центров быстрой рекомбинации - ассоциатов из 3-х и более дефектов типа Сс1 или V. Такие центры возникают в результате взаимодействия дефектов при большой их концентрации. Они вызывают падение ФЧ по спектру с преобладанием эф-фекта в области экситонных резонансов, что приводит к сглаживанию спектров ФП С(Й при дозе порядка 1018 эл/см2.

Таким образом, в кристаллах С<й обеих групп индуцируемая ЭБ трансформация спектров ФП в области малых доз обусловлена радиационно-сти-мулированной десорбцией с поверхности полупроводника кислорода, а в области умеренных и больших доз - ростом при ЭБ вблизи поверхности концентрации, соответственно, точечных дефектов типа С<1 и V и в-центров быстрой рекомбинации, являющихся ассоциатами последних.

Пятая пгава посвящена исследованию влияния облучения излучением Не-Сс1 лазера (А.=441 нм) в присутствии воды на спектры низкотемпературной ФП и ФЛ кристаллов Сей. Установлено, что в результате такого воздействия а) появляется новая полоса в спектрах ФЛ при Т=4.2К в области 485-510 нм (ЬБ^полоса); б) трансформируется ТС спектров ФП; в) возникает дополнительный спектральный максимум фототока ДМ2.

Проведено комплексное исследование1^5 - полосы ФЛ с измерением спектральных, поляризационных и кинетических характеристик полосы излучения, ее температурной зависимости, зависимости полосы от интенсив-

ности возбуждения и времени задержки между возбуждением и регистрацией, а также от внешнего ПЭП. Детальный анализ полученных экспериментальных данных позволяет сделать вывод, что в её формировании могут участвовать переходы между «хвостами» разрешенных зон, а также между донорными и акцепторными центрами приповерхностной области.

Действительно, известно [4], что облучение кристаллов С<18, погруженных в воду, излучением Не-С<1 лазера приводит к нарушению стехиометрии в приповерхностной области толщиной « 0.4мкм. В этой области возникают слои со значительным (до 60%) сверхстехиометрическим избытком С<1 и 8: приповерхностный слой с избытком Сё, следующий за ним слой с избытком в и переходный слой, в котором концентрация атомов 8 плавно уменьшается к значению, характерному для объема кристалла. Столь значительные изменения состава приповерхностной области кристалла СсЙ вызваны, на наш взгляд, образованием структурных дефектов решетки под действием лазерного облучения в воде, а также перераспределением примесей и дефектов в приповерхностной области полупроводника под влиянием поля поверхностного заряда.

Таким образом, облучение кристаллов Сс18 в воде излучением Не-С(1 лазера приводит к «легированию» приповерхностной области дефектами структуры и, как следствие, радикальным изменениям ее дефектного состояния. В результате приповерхностная область облученных в воде кристаллов Сей приобретает черты сильно легированного (разупорядоченного) полупроводника. В таких кристаллах зонный энергетический спектр в приповерхностной области характеризуется наличием флуктуаций краев разрешенных зон, приводящих к образованию «хвостов» плотности состояний, простирающихся в глубь запрещенной зоны. Эти «хвосты» обусловлены случайно распределенными заряженными примесями и дефектами, создающими хаотический приповерхностный потенциальный рельеф, в ямах которого возможна локализация носителей.

Лазерное «легирование» приповерхностного слоя кристаллов Сёв дефектами структуры проявляется и в соответствующих изменениях низкотемпературных спектров ФП этих кристаллов.

Воздействие лазерного облучения в воде на кристаллы 2-ой группы приводит на начальном этапе облучения к изменению типа ТС со 2-го на 1-ый.

Повторное про-должительное облучение приводит к обратному преобразованию ТС: 1 -ый тип переходит во 2-ой. В ряде кристаллов 1 -ой группы трансформация ТС во 2-ой тип в результате воздействия лазерного излучения в воде сопровождается появлением в спектре ФП структуры в виде слабо выраженной «ступеньки» в спектральной области, соответствующей максимумам ДМ, и ДМ2.

Трансформация спектра ФП 2-го типа в 1-ый под влиянием непродолжительного лазерного облучения в воде объясняется ростом концентрации Сё в приповерхностном слое и образованием вследствие этого обогащающего изгиба зон вблизи поверхности. Эта стадия лазерного «легирования» приповерхностного слоя СсВ обусловлена, главным образом, вытягиванием избыточного кадмия из объема полупроводника приповерхностным электрическим полем. Более длительное воздействие лазерного облучения в воде приводит к росту концентрации С<1 в приповерхностном слое также и за счет дефектообразующих механизмов такого воздействия. При достаточно больших концентрациях атомы Сс1 могут ассоциироваться и образовывать Б-цен-тры быстрой рекомбинации, что приводит к падению ФЧ приповерхностного слоя и трансформации ТС спектра ФП из 1-го типа во 2-ой.

Наряду с увеличением концентрации С<1 вблизи поверхности длительное облучение СсК в присутствии воды приводит к росту концентрации мелких («0.17эВ) акцепторных центров типа УС6 и на некотором удалении от поверхности полупроводника. Детальный анализ свойств спектрального максимума фототока ДМ2 позволяет заключить, что он обусловлен оптическими переходами электронов с уровней мелких центров типа V и/или в зону проводимости.

Основные результаты и выводы

I. В кристаллах СсК и Сёве исследовано влияние ЭБ низкоэнергетическими электронами при температуре Т=4.2К, а также последующего отжига кристалла при комнатной температуре на оптические спектры ЭПК. В результате:

1) обнаружены характерные изменения оптических спектров ЭПК на нейтральных донорах, обусловленные ростом концентрации собственно-дефектных донорных центров;

2) установлена четкая корреляция между устойчивостью (неустойчивостью) кристалла к воздействию ЭБ и наличием (отсутствием) в экситонных спектрах линии ЭПК на нейтральном акцепторе (Э^ Бе^, что позволяет использовать спектры ЭПК для оценки радиационной стойкости кристалла;

3) предложена модель, объясняющая различие в радиационной стойкости двух групп кристаллов различием в них условий миграции радиационных дефектов: подавление миграции последних приводит к повышению степени устойчивости кристалла к дефектообразующей радиации;

4)показано, что спектры ЭПК в кристаллах Сей и СсШе являются чувствительным инструментом для изучения процессов образования и миграции радиационных дефектов, а также эффектов перестройки энергетического спектра примесно-дефектных состояний вблизи поверхности полупроводника.

П. Исследовано влияние ПЭП и ЭБ электронами с энергией 4 кэВ на спектры низкотемпературной (77К) краевой ФП кристаллов С(!8. В результате:

1) впервые экспериментально доказана важная роль приповерхностного изгиба зон в формировании ТС в спектре ФП полупроводника;

2) показано, что эффекты приповерхностного изгиба зон в спектрах ФП обусловлены его влиянием на скорость поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда, а, следовательно, и на их время жизни;

3) установлено, что межзонные фототермические переходы через уровни приповерхностных собственно-дефектных донорных центров могут создавать фотоактивный фон, приводящий к сглаживанию ТС спектра ФП;

4) показано, что трансформация спектров ФП под воздействием ЭБ обусловлена эффектами радиационно-стимулированной десорбции и радиационного дефектообразования. ТС спектра ФП является чувствительным индикатором зарядово-дефектного состояния приповерхностного слоя полупроводника.

III. Исследованы низкотемпературные спектры ФП и ФЛ кристаллов СёБ, подвергнутых облучению в воде излучением Не-С<1 лазера. В результате:

1) установлено, что лазерное воздействие в присутствии воды приводит к радикальным изменениям спектров ФЛ и ФП, обусловленным эффектом

лазерного «легиро-вання» приповерхностного слоя полупроводника дефектами структуры;

2) показано, что приповерхностные структурные дефекты, возмущая энергетический спектр полупроводника, могут приводить к ярким спектральным особенностям в виде интенсивных краевых полос ФЛ и фототока.

Основные результаты изложены в следующих публикациях:

1.А.С.Батырев, Б.В.Новиков, Е.В.Сумьянова, А.Е.Чередниченко. Исследование радиационной стойкости кристаллов CdS и CdSe по спектрам связанных экситонов. - Тр. Всесоюзн. конференции по люминесценции, г. Москва, ФИАН, 1991, ч.1 с.13.

2.А.С.Батырев., Б.В.Новиков, Е.В.Сумьянова. Исследование радиационной стойкости кристаллов сульфида и селенида кадмия по спектрам связанных экситонов. - ЖПС, 1992,т.56, №2, с.264-267.

3. А.С.Батырев, Н.В.Карасенко, Б.В.Новиков, Е.В.Сумьянова. Особенности длинноволнового спада спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах CdS. - Вестник СпбГУ, 1992, сер.4, вып.4, №25, с.26-29.

4. A.S.Batyrev, S.R.Grigoriev,N.V.Karasenko, E.V.Sumyanova. The surface fluctuation luminescence of CdS crystals. -5lh International Conference on hopping and related phenomena, Glasgow, Scotland, 1993, p.48.

5. А.С.Батырев, Р.А.Бисенгалиев, С.Р.Григорьев,H.B. Карасенко, Б.В.Новиков, E.B. Сумьянова. Влияние лазерного «легирования» и приповерхностного электрического поля на спектры люминесценции и фотопроводимости монокристаллов CdS. - Вестник СПбГУ, 1996, сер.4, вып. 1, №4, с.125-126.

6. А.С.Батырев, Р.А.Бисенгалиев, С.Р.Григорьев, Н.В.Карасенко, Б.В.Новиков, Е.В. Сумьянова. Роль зарядово-дефектного состояния приповерхностной области в формировании спектров люминесценции и фотопроводимости монокристаллов CdS.- Деп. В ВИНИТИ, №2136 -В96. 26.06.96.

7.A.S.Batyrev, R.A.Bisengaliev, O.A.Botov, B.V.Novikov, N.V.Karasenko, E.V. Sumyanova. Investigation to exciton structure of photoconductivity crystals CdS. -«Optics of Excitons in condensed Matter» Int.Conf. Dedicated to 100й1 anniversary of prof. E.F.Gross. St.Peterburg, Sept. 14-18, 1997.

8. A.C. Батырев, P.A. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, H.B. Карасенко, Б.В. Но-

виков, E.B. Сумьянова. Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. - ФТТ, 1998, т.40, №5, с.941-943.

9. A.C. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Люминесценция эксито-нов, локализованных на приповерхностных центрах в кристаллах CdS и CdSe. -Тр. межд. Конф. «Оптика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.34-35.

10.A.C. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Влияние лазерного воздействия на спектры люминесценции кристаллов CdS. - Тр.межд.Конф.«Оп-тика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.53.

11 .А.С.Батырев, Р.А.Бисенгалиев, В.Качканов, Б.В.Новиков, Е.В.Сумья-нова. «Примесная» фотопроводимость кристаллов CdS, индуцированная Монополярной инжекцией. -Тр.Сев.-Кав. конф «Перспектива-99», г. Нальчик, 1999 г., с.351.

12.Б.С.Лиджиев, Е.В.Сумьянова, О.В.Чугунова. «Длинноволновые особенности в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSe». - Тр. Сев.-Кав. научн. конф. «Перспектива-99», г. Нальчик, 1999г., с.204.

13.А.С.Батырев, Р.А.Бисенгалиев, М.В.Бадмаев, Б.В.Новиков, Е.В.Сумьянова, Э.И. Читырев, Э.Г.Шарапов. Фотоиндуцированная «примесная» краевая фотопроводимость кристаллов CdS. - Тр. 4-ой межд. конф. «Оптика, оп-тоэлектроника и технологии», г. Ульяновск: УлГУ, 2002г. с.57.

14. A.C. Батырев, P.A. Бисенгалиев, Л.С. Лиджиев, Б.В. Новиков, В.М. Алжеев, Е.В.Сумьянова. Исследование эффекта зависимости спектрального распределения фотопроводимости в кристаллах CdS от направления сканирования. - Тр. 5-ой межд. конф.«Оптика, оптоэлектроника и технологи-и»,г. Ульяновск: УлГУ, 2003 г. с. 118.

15. А.С.Батырев, P.A. Бисенгалиев, Е.В. Сумьянова. Влияние электронного облучения на спектры низкотемпературной фотопроводимостиCdS-Тр.б-ой межд. конф. «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», г. Ульяновск: УлГУ, 2004г. с. 18.

Используемая литература

1. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников, СПб., Изд. СПбГУ, 2003, 244с.

2. S. Satpathy Eigenstates of Wannier excitons near a semiconductor surface. - J.Phys.Rev.B. 1983. V.28.N8.P.4585- 4591.

3. Bragagnolo J.A., Wright C., Boer K.W. Thermally Stimulated Desorption from Class 1 CdS Crystals and it's Effect on Their Electrical Properties. -Phys.Stat.Sol (a), 1974, v.24, p.147-158.

4. Игнатков В. Д., Камуз A.M., Орешко Е.В., Пендюр СЛ., Таленский О.Н. Изменение состава приповерхностной области монокристаллов CdS под действием слабоинтенсивного излучения He-Cd лазера - УФЖ, 1987, т.32, с. 95-97.

Изд-во Калмыцкого университета. Тираж 100 экз. Заказ № 422. 358000, г. Элиста, ул. Пушкина, 11

to - 18 6 0

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Сумьянова, Елена Владимировна

Введение

Глава 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

П.1 Оптические и фотоэлектрические свойства прямозонных полупроводников в области края фундаментального поглощения

П.2 Приповерхностные радиационные дефекты и оптические спектры экситонов в полупроводниках

П.З Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на фотоэлектрические спектры полупроводниковых кристаллов

П.4 Примесные максимумы фотопроводимости

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Глава 2 МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА П. 1 Экспериментальные установки

П.1.1 Экспериментальная установка измерения оптических спектров

П. 1.2 Экспериментальная установка для измерения спектров ФП

П.2 Особенности использованных методик

П.2.1 Электронная бомбардировка.

П.2.2 Эффект поля.

П.2.3 Лазерное облучение

Стр. 35 Стр.

Стр.48 Стр.

Стр. 53 Стр.65 Стр.

Глава 3 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ И ОТЖИГА

НА ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛОВ CdS И CdS п. 3.1.1 Влияние ЭБ на оптические экситонные спектры кристаллов CdSe и Сё8(экспериментальные результаты) Стр. п. 3.1.2. Радиационная стойкость и спектры связанных экситонов кристаллов CdS и CdSe (Обсуждение результатов) Стр. п. 3.2.1 Люминесценция связанных экситонов в кристаллах CdS и CdSe, подвергнутых высокодозовому облучению электронами. экспериментальные результаты) Стр. п. 3.2.2. Природа коротковолнового хвоста линии связанных экситонов, индуцированных электронной бомбардировкой (обсуждение результатов) Стр.

Введение диссертация по физике, на тему "Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe"

Изучение влияния поверхности и приповерхностной области на оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых кристаллов представляет собой актуальную проблему. Актуальность этой проблемы связана, в первую очередь, с потребностями современной микро- и оптоэлектроники. Она связана также с необходимостью дальнейшего развития новых перспективных методов исследования поверхности и границ раздела в полупроводниках и полупроводниковых гомо- и гетероструктурах, играющих исключительно важную роль в современной науке и технике.

Все вышесказанное определяет актуальность настоящей диссертационной работы, посвященной исследованию влияния поверхностно-чувствительных воздействий на оптические спектры и спектры фотопроводимости (ФП) полупроводниковых кристаллов CdS и CdSe в области края поглощения.

Основные положения, выносимые на защиту

3. Приповерхностное электрическое поле может определять тип ТС спектров ФП полупроводника.

5. Облучение кристалла CdS в воде собственным светом приводит к «легированию» приповерхностного слоя дефектами структуры и формированию приповерхностного флуктуационного потенциала.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изложенных на 178 страницах машинописного текста, из них 37 рисунков и 20- списка литературы из 155 наименований.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

Основные результаты и выводы

1. Исследовано влияние излучения He-Cd лазера на кристаллы CdS в присутствии воды. Показано, что в результате такого воздействия

A) изменяется тонкая структура спектров ФП;

B) возникает дополнительный максимум фототока (ДМ2) в спектральной области 525-530 нм;

C) Возникает новая полоса в спектрах ФЛ при Т=4.2 К в области 485-510 нм (LSj-полоса).

2. Проведены спектрально-временные, температурные исследования LSp полосы ФЛ, изучено влияние интенсивности возбуждения на ее проявление в спектре. Было обнаружено, что

1)полоса имеет асимметричную форму с протяженным длинноволновым хвостом,

2)излучение в полосе преимущественно поляризовано в плоскости ELC, при этом степень поляризации излучения монотонно уменьшается от 90% в коротковолновой области полосы до 15% - 20% в длинноволновой,

3) с повышением температуры от 4.2 К до 60 К полоса уменьшается по интенсивности, а её максимум смещается в длинноволновую сторону относительно линий 12 и 1з; при Т>60 К полоса в спектре ФЛ не наблюдается,

4) с увеличением интенсивности возбуждающего света максимум полосы смещается в коротковолновую сторону,

5) кинетика послесвечения в полосе существенно неэкспоненциальна,

6) с увеличением времени задержки т максимум полосы смещается в длинноволновую сторону,

7) для полосы характерен широкий интервал времен затухания послесвечения, простирающийся от нано - до миллисекунд,

8) полоса практически не чувствительна к внешнему поперечному электрическому полю

3. Изменение оптических и фотоэлектрических спектров носит локальный характер, т.е. проявляется только при возбуждении участка образца, подвергнутого облучению.

4. Предполагается, что облучение CdS в воде собственным светом приводит к заряжению поверхности и «легированию» приповерхностного слоя дефектами структуры. Этим может быть объяснено изменение типа ТС в спектре ФП.

5. Предложена модель, объясняющая свойства спектральных особенностей LSi и ДМ2. В рамках этой модели

- LSj- полоса ФЛ формируется, в основном, излучательными переходами между приповерхностными «хвостами» зон, возникающими в результате лазерного «легирования» приповерхностного слоя заряженными дефектами.

- максимум фототока ДМ2 обусловлен фотодеионизацией акцепторных состояний, возникающих при облучении кристалла He-Cd лазером в присутствии воды. В качестве акцепторов могут выступать собственные дефекты (атомы междоузельной серы и вакансии кадмия).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Основные результаты и выводы

I. В кристаллах CdS и CdSe исследовано влияние ЭБ низкоэнергетическими электронами при температуре Т=4.2К, а также последующего отжига кристалла при комнатной температуре на оптические спектры ЭПК. В результате:

2) установлена четкая корреляция между устойчивостью (неустойчивостью) кристалла к воздействию ЭБ и наличием (отсутствием) в экситонных спектрах линии ЭПК на нейтральном акцепторе (S;, Sej), что позволяет использовать спектры ЭПК для оценки радиационной стойкости кристалла;

4) показано, что спектры ЭПК в кристаллах CdS и CdSe являются чувствительным инструментом для изучения процессов образования и миграции радиационных дефектов, а также эффектов перестройки энергетического спектра примесно-дефектных состояний вблизи поверхности полупроводника.

II. Исследовано влияние ПЭП и ЭБ электронами с энергией 4 кэВ на спектры низкотемпературной(77К) краевой ФП кристаллов CdS. В результате:

III. Исследованы низкотемпературные спектры ФП и ФЛ кристаллов CdS, подвергнутых облучению в воде излучением He-Cd лазера. В результате:

1) установлено, что лазерное воздействие в присутствии воды приводит к радикальным изменениям спектров ФЛ и ФП, обусловленным эффектом лазерного «легирования» приповерхностного слоя полупроводника дефектами структуры;

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Сумьянова, Елена Владимировна, Санкт-Петербург

1. Френкель- .Phys.Rev., 51,191,(1937)

2. Mott N.F. Energy levels in real and ideal crystals.- Proc.Royal Soc., v. 167, №930,(1938), p.473-480/

3. Wannier G.H. The structure of electronic excitation levels in insoluting crystals- Phys.Rev., v.52, №3 (1937), p.191-197.

4. Криволапчук B.B., Пермогоров C.A., Травников B.B. Зависимость времени жизни и длины диффузии свободных экситонов от интенсивности возбуждающего света. ФТТ. 1981, т.23, №2, с.606-609.

5. Гросс Е.Ф., Каррыев Н.А. Поглощение света кристаллом закиси меди в инфракрасной и видимой части спектра -ДАН СССР, 1952, т.84, №2, с.261-266

6. Гросс Е.Ф., Якобсон М.А. Сложная структура края основного поглощения кристалла сернистого кадмия.- ДАН СССР, 1955, т. 102, с.485-490.

7. Thomas D.G. The exciton spectrum of ZnO. J. Phys.Chem.Solids, 1960, v.15, N1, p.86-96

8. Гросс Е.Ф., Соболев B.B. Спектры поглощения и излучения экситонов в кристалле селенистого кадмия- ЖТФ, 1956, т.26 с. 1622-1624

9. Гросс Е.Ф., Суслина Л.Г. Монокристаллы ZnS и спектр их края поглощения при низких температурах. Опт. и Спектр., 1959, т.6, с. 115-117

10. Ю.Агранович В.М. Теория экситонов. М., «Наука», 1968

11. П.Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Разбирин Б.С. Аннигиляция экситонов и экситон-фононное взаимодействие.- УФН, 1971, т. 103, с.431-446

12. Федосеев В.Г., Хижняков В.В. К теории непрямых переходов в экси-тонной люминесценции.- Изв.АН ЭССР, сер.физ-мат., 1970, т. 19, №1, с.34-43

13. Батырев А.С., Джамбинов В.В., Чередниченко А.Е. Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs ФТТ, 1997, т.39, №4, с.610-612

14. Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and Experimental Effects of Spatial Dispersion on the Optical Properties of Crystals. Phys.Rev. 1963, v. 132, p.563-572

15. Lambert M.A. Mobil and immobile effective-mass-particle complexes in non-metallic solids -Phys.Rev.Lett. 1958,v.l, p.450-453/

16. Hopfleld J.J. The quantum chemistry of bound exciton complexes Proc. Of 7th Int. Conf. On Phys. Of Semic.Paris.l964.P.725-734.

17. Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Резницкий A.H., Усаров Е.Н. Экситон-ные спектры сильно легированных монокристаллов CdS. -ФТП. 1973.Т.7, с.1255-1262.

18. Gross E.F., Razbirin B.S., Fedorov V.B. and Naumov Yu.P. Bound exciton complexes in CdSe crystals. Phys.Stat.Sol., 1968, v.30, p.485-494.

19. Рашба Э.И., Гургеншвили Г.Э. К теории краевого поглощения в полупроводниках. ФТТ , 1962, т.4, с. 1029-1031

20. Тимофеев В.Б., Яловец Т.Н. Аномальная интенсивность экситонно-примесного поглощения в кристаллах CdS.- ФТТ, 1972, т. 14, с.481-485

21. Гросс Е.Ф., Каплянский А.А., Новиков Б.В. Фотопроводимость, излучение и поглощение света в кристаллах CdS.- ЖТФ, 1956, т.26, с.697-700.

22. Voigt J. and Ost E. On the dynamical behavior of excitons in CdS single crystals. Phys.Stat.Sol., 33(1969), p.381-389

23. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел. M., Изд.ин.лит., 1962, 558с

24. Lashkarev V.E., Salkov Е.А. and Khvostov V.A.- Proc.3-rd Int.Conf.Photoconductivity, Stanford, 1969, p. 111-115

25. Батырев А.С., Чередниченко А.Е., Лиджиев Б.С. Спектральные кривые фотоотклика GaAs на границе с металлом в области экситонного поглощения света Вестник СпбГу, сер.4, 1999, вып.1 №4, стр.92-95

26. Бродин М.С., Страшникова М.И. Оптические характеристики монокристаллов CdS в глубине собственного поглощения и структура энергетических зон ФТТ, т.8, №3 (1966), с.684-687.

27. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников, СПб., Изд. СПбГУ, 2003, 244с.

28. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние приповерхностного слоя на аномалии в спектре экситонного отражения монокристаллов CdS при Т=4.2К. Письма ЖЭТФ, 1975, т.21,с.650-652.

29. Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние приповерхностного электрического поля на экситонные спектры отражения монокристаллов CdSe. ФТТ. 1981.Т.23, в. 10. с. 2989-2997.

30. Батырев А.С., Новиков Б.В., Селькин А.В. Формирование спектров экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами.- Письма в ЖЭТФ, 1995. том 61, вып. 10, стр.791-795

31. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Влияние состояния поверхности на аномалии в экситонных спектрах монокристаллов CdS при Т=4.2К- ФТТ. 1977. Т.19, вып.5. С.1389-1394.

32. Kiselev V.A., Novikov B.V., Batyrev A.S., Ubushiev E.A., Cherednichenko А.Е. Localization of excitons in space-charge-layer. -Phys.St.Sol.(b), 1986,vol.135, N2, p.597-604.

33. Киселев B.A., Новиков Б.В., Убушиев E.A., Утнасунов С.С., Чередниченко А.Е. Поверхностные экситоны с дыркой, локализованной вквантовом инверсионном слое. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, №8, с.371-374.

34. Киселев В.А., Новиков Б.В., Утнасунов С.С., Чередниченко А.Е. Приповерхностная флуктуация в твердых растворах Cd(Se, S) с малым содержанием серы и аномальные спектры экситонного отражения. ФТТ, 1986, т.28, №10, с.2946-2949.

35. Новиков Б.В., Роппишер Г., Талалаев В.Г. Управление толщиной без-экситонного приповерхностного слоя в кристаллах ZnSe. ФТТ, 1979, т.21,с.817-822.

36. Акопян И.Х., Разбирин Б.С. Спектры излучения, поглощения и отражения экситонов высокой плотности в кристаллах CdSe.- ФТТ, 1974, т.15, вып.1,с.1787-1791.

37. Lehery R.F. Shah J., Chiang G.C. Exciton contribution to the reflection spectrum at high excitation intensities in CdS Sol.Stat.Com., 1978, vol.25, N9, p.621-624.

38. Пермогоров C.A., Травников B.B., Селькин A.B. Эффекты пространственной дисперсии в спектрах отражения кристаллов при наклонном падении света на границу кристалла. ФТТ, 1972, т. 14, вып. 12, с.3642-3649.

39. Kiselev V.A., Novikov B.V., Cherednichenko А.Е., Ubushiev E.A. Effect of thin space-charge layers on exciton reflectance. Phys.Stat.Sol. (b), 1986, v 133, N2, p.573-581.

40. Бродин М.С., Крицкий А.В., Мясников Э.Н., Страшникова М.И., Шля-хова JLA. Влияние состояния поверхности на спектры отражения и люминесценции кристаллов CdS.- УФЖ, 1973, т. 18, №5, с.828-833.

41. Гросс Е.Ф., Разбирин Б.С. Спектр краевого поглощения кристаллов сульфида кадмия и его связь с поверхностью и деформациями кристаллов. ЖТФ, 1957, т.27, с.2173.2176.

42. Haynes J.R. Experimental proof of the existence of a new electronic complex in silicon. Phys. Rev. Lett., 1960, v.4, p.361-363.

43. Батырев A.C., Новиков Б.В., Чередниченко A.E. Влияние приповерхностного электрического поля на спектры экситонной люминесценции монокристаллов CdSe. ФТТ, 1981, т.23, вып. 10, с.2982-2988.

44. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Связанные эксито-ны в приповерхностной области монокристаллов CdS.- ФТТ, 1978, т.20, вып.6, с. 1803-1806.

45. Thomas D.J., Hopfield J.J. Optical properties of bound exciton complexes in CdS. Phys.Rev., 1962, vol.128, N5, p.2135-2148.

46. Лысенко В.Г., Тимофеев В.Б. Биэкситон в спектрах «ультрачистых» кристаллов CdS? Излучение экситонно-примесных комплексов. ФТТ, 1976, т. 18, вып.4.с.1030 -1033.

47. Травников В.В. Приповерхностное и объемное излучение экситонов в спектрах люминесценции кристаллов CdS. Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып. 12, с.3642-3649.

48. Батырев А.С. Взаимодействие экситонов с поверхностью в монокристаллах CdSe: Автореф.канд.дис. Л., 1980. 16с.

49. Зуев В.А., Корбутяк Д.В., Курик М.В., Литовченко В.Г., Рожко А.Х., Скубенко П.Н. Наблюдение экситонов в тонких приповерхностных слоях CdS. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, вып.6, с.459-461.

50. Травников В.В. Экситонные спектры чистых и окисленных поверхностей кристаллов CdS. Письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, вып.7, с. 1977-1985.

51. Новиков Б.В., Бенеманская Г.В., Вестхофф А., Чередниченко А.Е. Роль поверхности монокристаллов CdS в экситонных спектрах фотолюминесценции при Т=4.2 К. ФТТ, 1975, т.17, вып.7, с.2186-2188.

52. Gross E.F., Novikov BV. The fine structure of the spectral curves of photoconductivity. J.Phys.Chem.Sol. 1961. v.22. P. 87-100

53. Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. Влияние механической обработки поверхности на вид тонкой структуры спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах сернистого кадмия. ФТТ, 1959, т.1, вып. 12, с. 1882-1885.

54. Grigoriev R.V., Novikov B.V., Cherednichenko A.E. Influence of Oxygen Adsorption on the Fine Structure of the Spectral Distribution of Photoconductivity in CdS Crystals.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, p.K85-K88.

55. Weber E.H. Surface Photoconductivity in CdS Influenced by Chemisorption and Desorption of Oxygen. Phys.Stat.Sol., 1968, v.28, p.649-662.

56. Wright C., Boer K.W. Transition between class 1 and class 2 CdS crystals. -Phys.Stat.Sol., 1970, v.38, p.K51-K54.

57. Mark P. Photo-induced chemisorption on insulating CdS crystals. -J.Phys.Chem.Sol. 1964. Vol.25, N9. P.911-920.

58. Bragagnolo J.A., Wright C., Boer K.W. Thermally Stimulated Desorption from Class 1 CdS Crystals and it's Effect on Their Electrical Properties. -Phys.Stat.Sol (a), 1974, v.24, p.147-158.

59. Волькенштейн Ф.Ф., Карпенко И.В. О знаке фотоадсорбционного эффекта на полупроводниках при экситонном механизме поглощения света.- ФТТ, 9, 62, 403, 1967.

60. Colbow К., Imaeff A., Yuen К. Field effect and the role of excitons in the photoconductivity in CdS. -Canad.J.Phys., 1070, v.48, p.57-61.

61. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читыров Э.И. Фоторезистивный эффект поля и поверхностные электронные состояния в кристаллах CdS -Тр.межд.конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск (2002), с.56.

62. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читырев Э.И. Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS при низких температурах ФТТ, 2003, т.45, вып.11, с. 1961-1967.

63. Ильинский А.В., Новиков Б.В., Сутулова С.И. Роль г -центров в формировании экситонной структуры спектров фотопроводимости кристаллов CdS ФТТ, 1974, т. 16, №10, с.3029-3033.

64. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Батырев Э.Д., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. Влияние подсветки инфракрасным светом на спектры фототока кристаллов CdS- ФТТ. 1999,т.41, вып.7. С.1181-1184

65. Батырев А.С., Карасенко Н.В., Новиков Б.В. Влияние светового воздействия на спектральное распределение фототока кристаллов CdS. Вестник СпбГУ, сер.4, 1994, вып.1 (№4), с.28-33.

66. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2В6. В кн. Физика соединений А2В6. М., Наука, 1986, с.109-145.

67. Пуцейко Е.К. Фотоэлектрическая чувствительность и оптическое поглощение сернистого кадмия. Изв. АН СССР. 1951, т. 15, в.6, с 707711.

68. Gobrecht H., Bortschat A. Uberdie optischen und electrischen eigenfchaften von cadmium sulfid einkristallen. -Zs. F. Phys., 1953, Bd.136, 224-233.

69. Новиков Б.В., Чередниченко A.E., Шляхтенко П.Г. Спектральное исследование собственных и примесных уровней монокристаллов CdS методом автоэмиссии. ФТП. 1971, т.5, в.9, с.1747-1753.

70. Новиков Б.В., Убушиев Е.А., Чередниченко А.Е. Влияние засветки на формирование спектров фотопроводимости в монокристаллах CdS и роль мелких доноров в этом процессе. ФТП, 1985, т.19, в.4, с.753-756.

71. Reed С.Е., Scott C.G. The photoconductivity of CdS in the vicinity of the absorption edge. Brit. J. Appl. Phys. (d), 1968, vol.1, ser.2, p.l 125-1131.

72. Дякин B.B., Сальков E.A., Хвостов B.A Межпримесные дырочные переходы в сульфиде кадмия ФТП, 1975, т.9, в.9, с. 1812-1815.

73. Дякин В.В., Сальков Е.А., Хвостов В.А., Шейнкман М.К. Оже-механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА парами в сульфиде кадмия. ФТП, 1976, т. 10, в. 12, с.2288-2292.

74. Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара B.C. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов CdS, облученных электронами. ФТТ, 2002, т.44, №1, с.57-60

75. Uchida Ichizo Photoconductivity of pure cadmium sulfide single crystal near the band edge. J. Phys. Soc. Jap., 1967, v.22, N3, p.770-778.

76. Lashkarev V.E., Salkov E.A., Khvostov B.A. Proc. IX Intern. Conf. Phys.Sem. Moscow, 1968. Vol.2.P.1223.

77. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. Журн. Экспер. и теор. физ., 1972. Т.62, вып.З. С.1156-1165.

78. Wheeler R.G., Banish J.O. Exciton structure and Zeeman effects in cadmium selenide. Phys.Rev. 1962, v. 125, p. 1805-1815.

79. Voigt J., Spiegelberg F., Senoner M. Band parameters of CdS and CdSe single crystals determined from optical exciton spectra. Phys.Stat.Sol. (b), 1979, v.91, N1, p.189-199.

80. Григорьев C.P. Спектрально-временные характеристики оптических процессов в области контакта полупроводник- электролит кристаллов CdS при низких температурах. Канд. диссертация, СПб, 1993.

81. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела, М., «Наука», 1977, 551с.

82. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования имиграции дефектов в полупроводниках. М., «Наука», 1981, 368с

83. Bethe Н.А.- Handbuch der Physic. 1933, Bd.24, p.491.

84. Spencer L.V. The energy dissipation by fast electrons. Natl. Bur. Stan. Washington, 1959, p.l.

85. Anderson W.W. Electron Beam Excitation in Laser Crystals. Appl. Opt. 1966, v.5, N.l, p.167-168.

86. Роках А.Г., Смоляр В.А. Расчет тормозной способности сернистого кадмия для киловольттовых электронов в кн.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов, 1970, в.З, с.42.

87. Matsukawa Т., Shimizu R., Harada К., Kato Т. Investigation of kilovolt electron energy dissipation in solids. J. Appl. Phys., 1974, v.45, N2, p.733-740

88. Norris C.B., Barnes C.E. and W. Beezhold. Depth resolved cathodoluminescence in undamaged and ion -implanted GaAs, ZnS and CdS - J.Appl. Phys. 1974, v.44, N7, p.3209-3221.

89. Коваленко В.Ф. О расчете глубины проникновения электронов. -«Электронная техника, серия 1, Электроника СВЧ», 1972, в.1, с.З

90. Fassbender- Zs. Phys. 145, 30 (1956).

91. Стародубцев, Ниязова. Радиационные эффекты в CdS. Ташкент, ФАН, 1963.

92. Варли Д.В кн.: Центры окраски. ИЛ, М., 1958, с.305

93. Бродин М.С., Давыдова А.С., Шаблий И.Ю. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов CdS ФТП, 1976, в. 10, №4, с.625-630.

94. Seitz F. On the disordering of solids by the action of fast particles. Disc. Farad. Soc., 1949, N5, p.271-282.

95. Стародубцев C.B., Кив А.Е. Об ионизационном механизме возникновения структурных нарушений в кристаллах ДАН СССР, 1963, т.151, в.З, с.550-551

96. Канеев М.А., Ниязова О.Р., Ниязов Х.Р. в кн. «Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах.» Ташкент, ФАН, 1969, с.41-63.

97. Лидер К.Ф., Новиков Б.В., Пермогоров С.А., Разбирин Б.С. -Спектры связанных экситонов и радиационные дефекты в соединениях А2В6-ЖПС, 1969, т. 10, с 985-991.

98. Menzel D. Electron Stimulated Desorption: principles and recent developments. Surface Sci. 1975, v.47, N1, p.370-383.

99. Leek J.H., Stimpson B.P. Desorption from GaS covered surfaces by electron impact: a review of the Subject. J. Vac. Sci. Tech., 1972, v.9, N1, p. 293-30

100. Имаи E. Влияние электронной бомбардировки на пленку напыленной окиси бария. В кн.: Эффективные термокатоды. Вып.1, М., Госэнергоиздат, 1958, с. 196.

101. Бенеманская Г.В., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Криостат для облучения кристаллов электронами и оптических исследований.-ПТЭД976, т.2, с.216-217.

102. Гросс Е.Ф., Федоров Д.Д., Шехмаметьев Р.И. Влияние одноосной деформации на спектр поглощения кристаллов иодистого висмут. -ФТТ, 1972, т.14, с.3252-3255.

103. Schockley W., Pearson G.L. Modulation of conductance of thin films of Semi-Conductors by surface change- Phys.Rev., 1948, v.74, N2, p.232-233.

104. Лашкарев B.E., Ляшенко В.И., Сборник, поев. 70-летию ак. Иоффе А.Ф., 1950, с.535.

105. Тягай В.А., Бондаренко В.Н., Снитко О.В. Определение параметров поверхности монокристаллов CdS на измерениях эффекта поля- ФТТ, 1966, т.8, в.10, с.3114-3116.

106. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. ИЛ, М., 1961.

107. Garret C.G., Brattain W.H. Physical theory of semiconductors surfaces.-Phys. Rev., 1955, v.99, №2, p.367-387.

108. ИЗ. Пека Г.П. Инверсный слой на поверхности закиси меди- ФТТ, 1962, т.4, в.4, с.1058-1060.

109. Ермолович И.Б., Пека Г.П., Шейнкман М.К.- ФТТ, 1969, т. 11, в.10, с.3002-3005.

110. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Моин М.Д., Танатар М.А., Шаблий И.Ю. Образование дефектов решетки в кристаллах CdS поддействием излучения азотного лазера. ФТТ. 1982. т.24, в.11, с.3223-3228.

111. Игнатков В.Д., Камуз A.M., Орешко Е.В., Пендюр С.А., Таленский О.Н. Изменение состава приповерхностной области монокристаллов CdS под действием слабоинтенсивного излучения He-Cd лазера -УФЖ, 1987, т.32, с 95-97.

112. Камуз A.M., Олексенко П.Ф., Орешко Е.В. Изменение оптических характеристик приповерхностной области сульфида кадмия под действием излучения He-Cd лазера УФЖ, 1988, т.ЗЗ, №11, с.1640-1644.

113. Орешко Е.В. Влияние слабоинтенсивного лазерного излучения на экситонные спектры люминесценции сульфида кадмия. ФТТ, 1990, т.32, №4, с. 1222-1224.

114. Батырев А.С., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdS и CdSe// -ФТТ. 1992.Т.34. №6. С.1770-1777.

115. Батырев А.С., Чередниченко А.Е., Киселев В.А. Оптическое проявление связывания экситонов центрами приповерхностного дефектного слоя в кристаллах.-ФТТ. 1987.Т.29. №7.С.2126-2130.

116. Lieder K.F., Novikov B.V., Permogorov S.A. Application of bound-exc: optical spectra in the study of radiation damage in crystals.- Phys.Stat.Sol.19 V.18. P.K1-K4

117. Разбирин Б.С., Уральцев И.Н. Возбужденные состояния связанных экситонных комплексов в кристалле селениде кадмия. ФТТ, 1971, т. 13, с.605-607.

118. Handelman Е.Т., Thomas D.G. The effect of low temperature heat treatments on the conductivity and photoluminescence of CdS-J.Phys.Chem.Sol. 1965. V.26.P.1261-1267.

119. Калюжная Г.А., Киселева K.B. Проблемы стехиометрии полупроводниках переменного состава типа А2Вб и А3В5 -Тр.ФИАН.1987, т. 177, с.5-84.

120. Акимова И.В., Козловский В.И., Коростелин Ю.В. и др. Влияние стехиометрии в монокристаллических соединениях А2Вб на характеристики полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком Тр. ФИАН. 1987, т. 177, с. 142-171.

121. Атомная диффузия в полупроводниках под ред. Д. Шоу: Мир, 1975. 684с.; Абдуллаев Г.В., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980.280с.

122. Титов В.В. Тр. II сов. -амер. семинара по ионной имплантации. Пущино, 1979. С.319-334.

123. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. Т.2.М.: Мир, 1978. С.357.

124. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. -Тр. ФИАН. 1985. Т.163. С.39-100

125. S. Satpathy Eigenstates of Wannier excitons near a semiconductor surface. -J.Phys.Rev.B. 1983. V.28.N8.P.4585-4591.

126. Травников В.В. Поверхностная экситонная люминесценция кристаллов CdS.- Изв. АН СССР, сер.физ. 1988. Т.52. №4. С. 758- 764.

127. Рашба Э.И. Гигантские силы осцилляторов, связанные с экситонными комплексами ФТП. 1974. Т.8. В.7. С.1241-1256.

128. Lashkarev V.E., Salkov Е.А., Khvostov В.A. Proc. IX Intern. Conf. Phys. Sem. Moscow, 1968. Vol.33 P.381.

129. Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. Структура спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах сернистого кадмия -ФТТ, 1959, т.1, №3, с.357-362.

130. Boyn R. Optical absorption due to intrinsic defects in CdS single crystals. Phys.Stat.Sol (a), 1968, v.29. P.307-321.

131. Шкловский Б.И., A.JI. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука., М., 1979. с.416.

132. Насибов А.С., Печенов А.Н., Решетов В.И. Исследование деградации лазерных элементов, излучающих в видимой области. -Тр.ФИАН, т.202, (1991), с.68-88.

133. Holmstrom R.P., Lagowski, Н.С. Gatos. Electron beam stimulation and electrical properties of CdS surfaces.- Surf.Sci. 1980.v.100, L467-L471.

134. Эланго M.A. Элементарные неупругие радиационные процессы. Наука., М., 1988. с. 151.

135. Григорьев С.Р., Новиков Б.В. Спектрально-временные исследования поверхностной флуктуационной люминесценции в кристаллах CdS. -ФТТ, 1992, т.34, №2, с.433-439.

136. Григорьев Р.В., Григорьев С.Р., Калмыкова И.П., Новиков Б.В. Поверхностная флуктуационная люминесценция полупроводников -Оптика и спектроскопия, 1990, т.68, в.4, с.889-892.

137. Травников В.В. Поверхностная донорно-акцепторная люминесценция ФТТ, 1989, т.31, в.5, с. 173-186.

138. Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках. Физические основы полупроводниковой электроники.-Киев, Наук.Думка, 1985, с. 113-124.

139. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М., Мир, 1980,488с.

140. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений.- УФН, 1985, т. 147, вып.З, с.523-558.

141. Вавилов С.Е., Левандовский В.Г., Чайка Г.Е. Дефектообразование в неметаллических кристаллах, вызванное неравновесными экситонами. ФТТ, 1992, т.34, №9, с.2690-2693

142. Chaika G.E., Vinetckii V.L. New mechanism of electric field influence on defect creation in non-metallic crystals. Phys.Stat.Sol.(b), 1980, v.98, p.727-734.

143. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Теория рекомбинационно-стимулированных атомных скачков в неметаллических кристаллах -ФТТ, 1986, т.28, №11, с.3389-3395.

144. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Рекомбинационно-стимулированные атомные скачки в кристаллах. Случай Оже- рекомбинации. ФТТ, 1988, т.ЗО, №3, с.780-783.

145. Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинация носителей тока. ФТТ, 1982, т.24, №7, с.2170-2175.

146. Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. -УФН, 1981, т.133, в.З, с.427-477.

147. Бонч-Бруевич В.Д., Звягин И.П., Кайпер Р.и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М., «Наука», Гл. редакция физико-математической литературы, 1981. 384с.

148. Tsang С., Street R.A. Recombination in plasma deposited amorphous Si:H Luminescence decay.- Phys.Rev.B, 1979, v.19, N6, p.3127-3140.

149. В заключении хочу выразить глубокую признательность и благодарность моим научным руководителям:

150. Доктору физико-математических наук профессору Новикову Борису Владимировичу ' и кандидату физико-математических наук Батыреву Александру Сергеевичу.

151. Список опубликованных статей автора по теме диссертаций

152. Батырев А.С., Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова, А.Е. Чередниченко. Исследование радиационной стойкости кристаллов CdS и CdSe по спектрам связанных экситонов. Труды Всесоюзной конференции по люминесценции им. Вавилова, 1991, 4.1

153. Батырев А.С., Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Исследование радиационной стойкости кристаллов сульфида и селенида кадмия по спектрам связанных экситонов. ЖПС, 1992,т.56, №2, с.264-267.

154. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Исследование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. ФТТ, 1998, т.40, №5, с.941-943.

155. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Особенности длинноволнового спада спектральных кривых фотопроводимости в кристаллах CdS. Вестник СпбГУ, 1992, сер.4, вып.4, №25, с.26-29.

156. A.S. Batyrev, S.R. Grigoriev, N.V. Karasenko, E.V. Sumyanova. The surface fluctuation luminescence of CdS crystals. -5 International Conference on hopping and related phenomena, Glasgow, Scotland, 1993, p.48.

157. A.C. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Люминесценция экситонов, локализованных на приповерхностных центрах в кристаллах CdS и CdSe. Труды межд. Конференции «Оптика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.34-35

158. А.С. Батырев, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Влияние лазерного воздействия на спектры люминесценции кристаллов CdS. Труды межд. Конференции «Оптика полупроводников», г. Ульяновск, 1998г., с.53.

159. Лиджиев Б.С., Сумьянова, Е.В. Чугунова О. «Длинноволновые особенности в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSe». Труды Сев.-Кавказской региональной научной конференции «Перспектива -99», г. Нальчик, 1999г., с.204.