Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ гпЗе-СсиЗе И КАСКАДНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ. II

1.1. Зонные диаграммы и механизм прохождения тока в гетеропереходах. II

1.2. Получение гетеропереходов рйпТе -псаБе

1.3. Электрические свойства гетеропереходов гпТе

- СаБе

1.4. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов гпТе

- Сс13е

1.5. Каскадные фот оцре образ ователи. 33:>

1.6. Выводы по обзору и постановка задачи.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ ГЕТЕР ОСТРУКТУР

НА ОСНОВЕ ЭШТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ саБе

2.1. Методика изготовления кристаллов ЯпТе легированных Р и А в и их электрические свойства.

2.1.1. Получение кристаллов гпТе легированных р

2.1.2. Электрические свойства кристаллов гпТе Р , Аа ).

2.1.3. Люминесцентные свойства кристаллов гпТе Р , Аа ).

2.2. Методика изготовления и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев саБе

2.2.1. Получение слоев саБе и их структурные исследования.

2.2.2. Электрические, фотоэлектрические и лкминесцен-тные свойства слоев саБе

2.3. Изготовление гетеропереходов гпТе - саБе и исследование их структур.

2.3.1. Гетеропереходы гпТе - саБе типа кристашлслой.

2.3.2. Тонкопленочные гетеропереходы ZnTe

- CdSe

2.4. Выводы по второй главе.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe - CdSe

3.1. Методика исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетеропереходов ZnTe CdSe

3.2. Вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетеропереходов ZnSe - CdSe

3.3. Вольт-амперные характеристики гетеропереходов

ZnSe - CdSe типа кристалл-слой.

3.4. Вольтфарадные характеристики гетеропереходов

ZnTe - CdSe

3.5. Интегральные характеристики гетеропереходов

ZnTe - CdSe

3.5.1. Интегральные характеристики тонкопленочных гетеропереходов ZnTe - CdSe

3.5.2. Интегральные характеристики гетеропереходов

ZnTe - CdSe типа кристалл-слой.

3.6. Спектральные характеристики гетеропереходов

ZnTe - CdSe

3.6.1. Расчет спектральной чувствительности тока короткого замыкания и коэффициента собирания.

3.6.2. Экспериментальные результаты.

3.7. Определение диффузионной длины неосновных носителей в гетеропереходах ZnTe - CdSe

3.8. Выводы по третьей главе.

ГЛАВА 4. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРЕХСЛОЙНЫХ КАСКАДНЫХ СТРУКТУР ZnSe - ZnTe - CdSe

4.1. Методика изготовления и структурные исследования трехслойных каскадных фотопреобразователей

ZnSe - ZnTe - CdSe

4.2. Электрические свойства каскадных трехслойных структур ZnSe - ZnTe - CdSe . I

4.3. Фотоэлектрические свойства каскадной структуры

ZnSe - ЪпТе - СаБе

4.4. Выводы по четвертой главе.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДА.

Актуальность проблемы. В последние годы в связи с бурным развитием микроэлектроники, вычислительной, телевизионной, а также космической техники ведутся интенсивные поиски создания новых полупроводниковых приборов, в частности более эффективных, долговечных и экономичных преобразователей световой энергии в электрическую.

Одним из способов преобразования солнечной энергии в электрическую является разделение неравновесных носителей на р-п переходе, что в настоящее время считается наиболее перспективным, поскольку при этом не загрязняется окружающая среда и не нарушается энергетический баланс планеты. Хотя в данном случае источник энергии - Солнце - практически неисчерпаем, использование фотоэлектрического метода для крупномасштабного производства электроэнергии сдерживается высокой стоимостью фотоэлементов.

В настоящее время хорошо разработаны преобразователи на монокристаллических кремниевых фотоэлементах, но КПД их не более 15 % [I]. Проводимые работы в этой области связаны с дорогостоящей технологией получения. Снижение стоимости электроэнергии, получаемой при помощи фотопреобразователей, может происходить двумя путями: повышением КПД и использованием широкораспространенных дешевых материалов.

Наибольшие успехи в разработке новых приборов для полупроводниковой электроники на базе гетеропереходов (ГП) достигнуты в Ленинградском физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе» На основе монокристаллических гетеропереходов с идеальной границей раздела в системе ОаА.в - &аА.1Ав получен ряд эффективных приборов, таких как лазеры [2] , светодиоды [3], фотоэлементы [4], динисторы [5], каскадные солнечные фотопреобразотели [6] . Однако в системе ЪеАа - йаМАв галлий является довольно редко распространенным элементом и поэтому в полуцроводнико-вой электронике и, в частности, в солнечной энергетике для наземного црименения ведется поиск новых материалов и технологий, позволяющих повысить экономичность устройств на их основе.

При этом большое внимание уделяется полупроводниковым соединениям класса 17 - 8], которые характеризуются высокой фоточувствительностью, относительно высокой подвижностью и образованы широко распространенными в природе элементами. Однако характерная для них монополярность цроводимости затрудняет получение р-п гомопереходов. Поэтому для изготовления ряда элементов оптоэлектроники на основе широкозонных соединений необходимо создать гетеропереходы, которые позволяют существенно увеличить область максимальной спектральной чувствительности по сравнению с р-п переходами, а следовательно, и эффективность фотопреобразователей.

Увеличение КЦЦ солнечных элементов можно осуществить пу-" тем использования многослойных каскадных структур, а также за счет уменьшения потерь на последовательнсм сопротивлении гете-роструктур. Последнее можно достигнуть увеличением уровня легирования компонент и уменьшением толщины базовой области, то есть изготовлением тонкопленочных структур.

Одним из наиболее перспективных гетеропереходов, образованных соединениями является гпТе -СйБе 19], который до настоящего времени получался в основном в виде структуры кристалл-эпитаксиальный слой. Более чувствительным в коротковолновой части видимой области спектра является гетеропереход гпБе - гпТе [Ю]. Получение этих гетеропереходов в тонкопленочном исполнении, а также изготовление на их основе монолитной каскадной структуры цредставляется, исходя из вышеизложенного, весьма актуальной задачей.

Цель работы. Получить тонкопленочные эпитаксиальные гете-роструктуры 2пТе - саБе 9 монокристаллические каскадные структуры гпБе гпте - СйЗе 9 исследовать их электрические и фотоэлектрические свойства. Изготовить лабораторные макеты солнечных элементов, определить их характеристики и параметры.

Научная новизна. Получены кристаллы теллурида цинка, ле

Т7 то 'з гированные Р и Ав , с концентрацией дырок 10х - 10х см , подвижностью 90 - 100 ем^/В«с цри 300 К, на основе которых изготовлены эпитаксиальные гетеропереходы гпТе - СйБе

Исследована зависимость электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств кристаллов гпТе и слоев сйБе от технологических условий их изготовления.

Впервые изготовлены тонкопленочные эпитаксиальные гетеропереходы гпТе - саБе .

Впервые изготовлены монолитные каскадные структуры на основе кристаллов гпБе и эпитаксиальных слоев саБе и гпТе

Проведено комплексное исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетеропереходов гпТе - Cd.se типа кристалл-слой, изготовленных на основе легированных кристаллов теллурида цинка, а также этих же гетеропереходов в тонкопленочном исполнении.

На монолитных каскадных структурах ЯпБе - ZnTe - сйБе исследованы электрические и фотоэлектрические свойства как всей структуры в целом, так и каждого из составляющих ее гетеропереходов в отдельности.

Практическое значение работы.

1. Определены оптимальные условия изготовления эпитакси-ального слоя саБе дам: получения фоточувствительных гетерост-руктур.

2. Созданы лабораторные макеты фотоэлементов на основе гетеропереходов гпТе -СйБе , чувствительные в спектральном диапазоне от 0,56 до 0,86 мкм, со следующими параметрами при падающей мощности 54 мВт/см2 и 300 К: а) гетеропереход типа кристалл-слой

ЭДС холостого хода V = 0,82 В, ток короткого замыкания 1КЗ = 9,5 мА/см2, коэффициент заполнения = 0,5, коэффициент полезного действия = 7,2 %; б) тонкопленочный эпитаксиальный гетеропереход Л/*^ = 0,84 В; 1КЗ = 10,3 мА/см2; $$ = 0,37 - 0,42; КПД = 6,7 %.

3. Созданы лабораторные макеты трехслойных каскадных фотоэлементов гпБе -гпТе - СйБе в монолитном исполнении, чувствительные в спектральном диапазоне от 0,47 до 0,88 мкм, обладающие следующими параметрами при падающей мощности в 54 мВт/см?:

- При раздельном включении каждого составляющего гетероперехода во внешнюю цепь: а) гетеропереход гпБе -гпТе

Ухх = 0,84 В; 1кз = 5 мк/см2; 55 = 0,57; КПД = 4,4 %; б) гетеропереход

У^ = 0,71 В; 1кз = 10,2 мА/см2; = 0,45; КПД = 6,0 %.

- Для каскадной структуры в целом: У^ = 1,55 В; КПД = = 10,4 %.

4. Разработаны рекомендации по оптимизации параметров каскадной структуры.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Разработка методики изготовления тонкопленочных эш-таксиальных гетеропереходов гпТе ' - с<13й , результаты исследования их электрических и фотоэлектрических свойств.

2. Разработка методики изготовления монолитных трехслойных каскадных гетероструктур ЯпБе - гпТе -саБе

3. Результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств каскадной гетероструктуры ЯпБе - япТе саБе в целом, а также составляющих ее гетеропереходов 2пЭе г*ате и гпТе-С<13е в отдельности.

Структура работы. Работа состоит из введения, четырех глав, основных выводов, списка цитированной литературы и приложения.

Первая глава носит обзорный характер. В ней рассмотрены зонные модели и механизм прохождения тока в гетеропереходах, а также современное состояние исследования каскадных фотоэлектрических цреобразователен. Анализ публикаций использован для обоснования постановки задачи.

Во второй главе рассмотрены вопросы изготовления монокристаллов гпТе легированных Р и Ав , эштаксиальных слоев саБе , а также гетеропереходов 2пТе - саБе На их основе. Приводятся результаты структурных исследований гетеропереходов гпТе - саэе и электрофизические свойства кристаллов 2пТе и слоев саБе .

В третьей главе изложены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств тонкопленочных гетеропереходов япТе - саБе и переходов со структурой кристалл-слой.

Четвертая глава посвящена разработке методики изготовления и исследованию электрических и фотоэлектрических свойств трехслойной каскадной структуры zn.se - гпТе - саБе .

В приложении приведены копии документов об использовании полученных в работе результатов.

Основные результаты, приведенные в данной диссертационной работе, доложены и обсуждены на двух республиканских, пяти всесоюзных и двух международных конференциях по различным воцросам физики полуцроводников и опубликованы в 15 научных работах.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. Бойко М.П., Гашин П.А., Леондарь В.В., Симашкевич A.B., Фокша А.Я, Электронно-зондовые исследования гетеропереходов

ZnTe CdSe , Тезисы докладов Ш Всесоюзного симпозиума по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Москва, декабрь, 1981, с. 181 - 182,

2. Дворник Г.Г., Паскал П.С., Фокша А.Я. Свойства гетеропереходов образованных соединениями А^З^ при электронном облучении. - Тезисы докладов республиканской школы молодых ученых и специалистов. Актуальные проблемы физики полупроводников, Фергана, июнь, 1982, с. 106 - 107.

3. Гагара Л.С., Гашин П.А., Дворник Г.Г., Каган М.Б., Коваль A.B., Любашевская Т.Л., Симашкевич A.B., Фокша АЛ. Каскадные фотопреобразователи на основе широкозонных соединений &?1. - Тез. докладов Ш Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Одесса, июнь, 1982, т. I, с. 44 - 46.

4. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Леондарь В.В., Паскал П.С., Симащкевич A.B., Фокша А.Я. Электрон-вольтаический эффект в гетеропереходах, образованных соединениями AgBg. - Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Одесса, 1982, т. I, с. 233 - 235.

5. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Каган М.Б., Любашевская Т.Л., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Каскадные гетерофотоэлементы на основе широкозонных соединений A£Bg. - Письма в ЖТФ, т. 8, вып. 15, с. 930 - 933, август, 1982.

6. Дворник Г.Г., Фокша А.Я. Фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе теллурида цинка. - Тезисы докладов конференции молодых ученых АН МССР, Кишинев, Штиинца, 1982, с.229.

7. Гашин П.А., Леондарь Б.В., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Электронно-зондовые исследования гетеропереходов ZnTe - CdSe r -ПОВЕРШОСТЬ. Физика, химия, механика. Москва, АН СССР, 1983, с. 90 - 94.

8. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Кушнарева И.В., Фокша А.Я. Фотопреобразователи на основе тонкопленочных эпитаксиальных ге-тероструктур znTe - CdSe . - Тезисы докладов 1У Всесоюзной конференции. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев, июнь, 1983, с. 248.

9. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Каган М.Б., Любашевская Т.Л., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Каскадные фотопреобразователи ZnSe -ZnTe -CdSe . - Тезисы докладов У Всесоюзного совещания. Физика и техническое применение полупроводников Вильнюс, декабрь, 1983, т. III, с. 33 - 34.

10. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Тонкопленочные солнечные элементы на основе гетероструктур

ZnTe - CdSe . - Тезисы докладов У Всесоюзного совещания. Физика и техническое применение полупроводников Вильнюс, декабрь, 1983, т. III, с. 35.

11. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Каган М.Б., Любашевская Т.Л., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Каскадные фотопреобразователи Znse^* - znTe - CdSe . - Тезисы докладов УП Международного совещания по фотоэлектрическим явлениям в твердом теле. Варна, май, 1983, с. 22.

12. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Симашкевич A.B., Фокша А.Я. Тонкопленочные фотопреобразователи на основе гетеропереходов

ZnTe-CdSe . - Тезисы докладов УП Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле, Варна, май, 1983, с. 23.

13. Gagara L.S., Gashin P.A., Dvornik G.G., Simashkevich А.У. If.Adeeb, Foksha A.Ya., Sherban D.A. II - VI Heteroepitaxial thin films: structures, electrophysical properties and their application for solar cells. - Proceedings of the ninth international vacuum congres and fifth international conference on solid surface, Spain, Madrid, 1983» p.153.

14. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Фокша А.Я. Эпитаксиальные слои ZnTe и CdSe : исследование условий роста и применение.-Тезисы докладов П Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск, 1984, часть П, с. 276.

15. Гашин П.А., Симашкевич А.В., Фокша А.Я, Исследование фотовольтаического эффекта в тонкопленочных гетеропереходах

ZnTe - CdSe . - Photovoltaic and optoelectronic processes, Bucharest, 1984, CIP-AP, v.5, p.27-29.

В цриложении к работе цриводятся копии актов внедрения, полученных от предцриятия п/я A-I8I3 и ВНИИТ (Москва), использующих результаты разработки каскадных фотопреобразователей на основе гетеропереходов образованных соединениями и фотовольтаических преобразователей солнечной энергии на основе ге-тероструктур из этих же соединений, в которых активное участие и принимал автор данной диссертации.

Автор выражает большую благодарность научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору Симашке-вичу A.B. за постоянное внимание, требовательность и помощь в выполнении диссертационной работы.

Искренне благодарен кандидату физико-математических наук, доценту Гашину П.А. за неоценимую помощь в ее выполнении.

Приношу также благодарность мл. научному сотруднику Ле-ондарю В .В. за помощь в структурных исследованиях, аспиранту Дворнику Г.Г. за предоставление слоев теллурида цинка, кандидату физико-математических наук Ковалю A.B., мл. научному сотруднику Кушнаревой И.В., ст. инженеру Антонюку К.И. за содействие и помощь в проведении части экспериментальных исследований.

Признателен кандидатам физико-математических наук, Неде-огло Д.Д., Никорич В.З., Шербан Д.А., аспиранту Плешка В.Н. за полезные дискуссии и советы при обсуждении результатов исследований.

Благодарен всему коллективу кафедры и ШИЛ физики полупроводников Кишиневского государственного университета, который способствовал выполнению данной работы.

1. Лидоренко Н.С., Евдокимов В.М. Состояние и перспективы развития фотоэлектрического метода преобразования. - В кн.: Преобразование солнечной энергии, Черноголовка, 1981,с.20-27.

2. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs . ФТП, 1968, т.2, в.10, с.1545-1547.

3. Ал феров Ж.И., Аццреев В.М., Корольков В.И., Портной Е.Л., Яковенко А.А. Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs . ФТП, 1969, т.З, в.6, с.930-933.

4. Алферов Ж.И., Аццреев В.М., Каган М.Б., Протасов И.И., Трофим В.Г., Солнечные батареи преобразователи на основе гетеропереходов pAlxGa1-xAs nGaAs. - ВД1, 1970, т.4, в.12, с.2378-2379.

5. Алферов Ж.И., Корольков В.И., Никитин В.Г., Яковенко А.А. р-п-р-п структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGa1-xAs. ФТП, 1970, т.4, в.З, с.578-581.

6. Алферов Ж.И., Аццреев В.М., Зимогорова Н.С., Ивентьева 0.0., Мырзин В.И. Двухэлементный фотопреобразователь в системе Al-Gai-As . Письма в ЖТШ, 1981, 7, с.833.

7. Алферов Ж.И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего. В кн: Физика сегодня и завтра, изд."Наука" Ленинград, 1973, с.61-89.

8. Георгабиани А.Н. Широкозонные полупроводники А11/1 и перспективы их применения. УВД, 1974, т.ИЗ, в.1, с. 129.

9. Gashin Р.А., Simashkevich A.V., ZnTe-CdSe Hetегоjunctions, I. Electrical Properties. «* Phys.Stat.Sol.,(a), 1973, v.19, N 1, p.379-386.- 196

10. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитакси-альные пленки соединений Ленинград, изд.ЛГУ, 1978, с.310.

11. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (пер. с англ.). М.,изд."Мир", 1975 , 430с.

12. Шарма Б.Л., Пурохит П.К. Полупроводниковые гетеропереходы (пер. с англ.). М., радио, 1979, 232с.

13. Климов Б.Н., Цукерман Н.И. Гетеропереходы в полупроводниках (учебно-методическое пособие). изд. Саратовского университета, 1976, 178с.

14. Perlman S.S., Feucht D.I. P-n Heterojunctions. Sol.State Electron, 1964, 7, p.911.15« Oldham W.G., Milns A.G. Interface States in abrupt Semiconductor Heterojunctions. Sol.State Electron, 1964» 7, p.153*

15. Anderson R.L. Experiments on Ge*-GaAs Heterojunctions. Sol. State Electroh, 1962, N 9-10, p.341-351.

16. Van Puyven b.J., Papenhuijzen J.M.P., Verhoeven A»C.J. Optical Phenomena in Ge*»GaP Heterojunctions. Sol .State Electron, 1965, 8, p.631.

17. Гашин П.А. Получение и исследование гетеропереходов, образованных теллуридом цинка и селенидом кадмия: Дис. .кавд.физ.-мат.наук. Кишинев, 1974, 149с.

18. Riben A.R., Peucht D.L. Electrical Transport in nGe-pGaAs Hetero;Junctions. Int.I.Electron, 1966, v.20, N 6, p.583.

19. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at a Semiconductor-electrolyte interface, Phys.Rev., v. 154, N 3, 1967, p.696-720.24« Dimmock J.O., Wheclev R.G. Exciton Structure and Zeeman

20. Effects in Cadmium Selenide. J. of Appl. Phys., 1961, v.33, N 10, p.2271-2277. 25. Nahory P.E., Pan Н.У. Optical properties of Zinc Telluride.

21. Phys.Rev., 1967, v.156, N 3, p.825-833. 26« Wheeler P.G., Dimmoch J.O. Exciton Structure and Zeeman

22. Effects in Cadmium Selenide. Phys.Rev., 1962, v.125, N 6, p.1805-1815«

23. Berlincourt D. et al. Electroelastic Properties of The Sulfides, Selenides and Tellurides of Zinc and Cadmium. Phys.Rev., 1963, v.129, N 3, P}1009-1017.

24. Canali C., Nava P., OTTaviani G. Hole and electron drift velocity in CdSe at room temperature. Sol.Stat,Comm,; 1972, v. 11, p.105-Ю7.

25. Marple D.T.P. Refractive index of ZHSe, ZnTe and CdTe. J. of Appl.Phys., 1964, v.35, И 3, p.539-542.

26. Eckelt P. Energy Band structures of Cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe. Phys.Stat.Sol., 1967, v.23, N 1, p.307-312.

27. Чистяков Ю.Д., Кручеану E. К вопросу о кристаллической структуре теллурвда цинка. Revue de Physique, 1961, v.1, N 2,p.211-217.- 198

28. Демиденко А.Ф., Мальцев А.К. Теплоемкость теллурида цинкав интервале 56-300 К. Энтропия и энтальпия ZnTe, Cds , CdSe,

29. CdTe . Изв. АН СССР, сер.Неорганические материалы, 1969, т.5, №1 с.158-160.

30. Физика и химия соединений (пер. с англ.). (Под ред. Медведева С.А.). М., изд.Мир, 1970, с.103-104.34» Bube R.H. Temperature Depenence of the Width of the Bond GaP in Several Photoconductors. Phys.Rev., 1955» v.98, p.431-433.

31. Абрикосов H.X. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. М., изд.Наука, 1967, с.13, 24, 25,

32. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М., изд.Воениздад, 1982, с.36.

33. Aven М. Mobility of Holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. J.Appl.Phys., 1967,v.38tN11,p.4421-4430.

34. Swank R.K. Surface Properties of II VI Compounds. - Phys. Rev., 1967, v. 153, И 3t p.623-628.

35. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. M., изд.ИЛ, 1961, с.232.

36. Aven М. and Segall В. Carrier mobility and Shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. Phys.Rev.,1963,v.130,N1,p.8191.

37. Suzuki H. Electron affinity of CdSe semiconductor compound. -Jstp.J.Appl.Phys., 1966, v.51 N 12, p.1253-1258.

38. Федотов А.Я., Ступало в B.A., Мануйлова Т.Т., Ванюков А.В., Коццауров Н.М. Отрицательное сопротивление гетеропереходов pZnTe-nCdSe , pZnTe nCdS . - ФТП, 1971, т.5, в.9,с.1754-1759.

39. Ванюков А.В., Ковалев А.Н., Коццауров Н.М., Фгупалов В.А.- 199

40. Федотов Я.А. Люминесцентный диод на гетеропереходе pZnTe-nCdSe . ФТП, 1970, т.4, в.7, с.1365-1366.

41. Arnold Н., Kaufman I., Meoh R. Präparations und electrishe Unter Buchungen an Heteroubergangen pZnTe-nCdSe. Phys. Stat.Sol. (a), 1970, v.1, N 1, p.k5-k8.

42. Гашин П.А., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные р-п гетеропереходы pZnTe-nCdSe . Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1968, т.4, в.10, с.1803.

43. Гашин П.А., Симашкевич A.B. Структура и электрические свойства гетеропереходов pZnTe-nCdSe . Труды по физике полупроводников, изд.Кишиневского госуниверситета, 1969, в.2, с.120-124.

44. Гашин П.А., Симашкевич A.B. Эпитаксиальный рост слоев селенида кадмия и их электрофизические свойства, В сб. Проблемы физики соединений кЧ1. Вильнюс, 1972, т*1, с.289.

45. Симашкевич A.B., Циуляну Р.Л., Бочкарева Л.В. Жидкостная эпи-таксия селенида кадмия и цинка и теллурида цинка. В сб. Физические процессы в полупроводниках, изд.Штиинца, Кишинев, 1977, с.106-113.

46. Гашин П. А., Симашкевич A.B. Р-п гетеропереходы ZnTe-CdSe . -В сб. Проблемы физики соединений кЧ1, Вильнюс, т.2, 1972, с.389.

47. Леондарь В.В., Симашкевич A.B. Исследование тонкопленочных гетеропереходов pZnTe-nCdSe . В сб. Физика полупроводников и диэлектриков, изд.Штиинца, Кишинев, 1978, с.65-74.

48. Леондарь В.В., Симашкевич A.B. Тонкопленочные гетеропереходы теллурида цинка селенида кадмия. - Тезисы докладов 1У Всесоюзного совещания по физике, химии и техническому применению- 200 полупроводников А1^1, Киев, 1976, с.129.

49. ЦурканА.Е., Шемякова Т.Д. Переключающаяся фоточувствительная ячейка на основе теллурида цинка. В сб. Полупроводниковые материалы, Кишинев, иэд.Штиинца, 1976, с.93-97.

50. Радауцан С.И., Цуркан А.Е., Шемякова Т.Д. Морфология поверхр сности слоев соединений AB, выращенных из газовой фазы в замкнутом объеме. В сб. Рост и легирование полупроводниковых 1фИсталлов и пленок, г.Новосибирск, 1977, с.176-183.

51. Сенокосов Э.А., Усатый А.Н. Монокристаллические пленочные гетеропереходы ZnTe-CdSe. ФТП, 1978, т.12, в.5, с.973-977.

52. Усатый А.Н. Получение и исследование толстых монокристаллических слоев теллурида цинка и пленочных гетеропереходов. -Дисс.кацц.физ.-мат.наук, Кишинев, 1980, 177 с.

53. Бочкарева Л.В., Гашин П.А., Симашкевич A.B. Исследование механизма токопрохождения в гетеропереходах ZnTe-CdSe и ZnTe-ZnSe . В сб. Физика ихимия сложных полупроводников, Кишинев иэд.Штиинца, 1975, с.95-107.

54. Дьякон И.А., Леовдарь В.В., Симашкевич A.B. Структура слоев селенвда кадмия и электрические свойства гетеропереходов

55. ZnTe-CdSe . Труды по физике полупроводников, изд.Кишиневского госуниверситета, 1971, в.З, с.117-123.

56. Гашин П.А. Влияние температуры на фотоэлектрические свойства гетеропереходов pZnTe-nCdSe. В сб. Физические процессы в ге1. О с.тероструктурах некоторых соединений It В , Кишинев, изд.Штиин-ца, 1974, с.12-17.

57. Gashin Р.А., Simashkevich A.V. ZnTe-CdSe Hetero;junctions. II Photoelectric and luminescent properties. Phys.Stat. Sol. (a), v. 19, 1973, N 2, p.615-623.

58. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов pZnTe^nCdSe.- Труды по физике полупроводников, Кишиневский университет, 1969, в.2, с.125-128.

59. Pahrenbruch A.L., Vasilchenko V., Buch P., Mitchell К., Bube R.H. II VI photovoltaic heterojunctions for solar energy confersion. Appl.Phys.Lett., 1974» v.25, N10, p.605-608.

60. Mosden G.W., Backus C.E.Increased Photovoltaic conversion efficiency through use of spectrum splitting and multiple cells. Conf.Record 13 IEEE Phot.Spec.Conf., Washington,D.C., June 5-8, 1978, N 4, p.853.

61. Cape J.A., Harris T.S., Sahai R. Spectrally split tandem cell converter studies. Conf. Record 13 IEEE Phot. Spec. Conf. Washington, D.C., June 5-8, 1978, p.881, IT.Y.

62. Bennet A., Oesen L.S. Analysis of multiples ell concentrator , photovoltaic systems. Conf. Record 13 IEEE Phot.Spec.Conf. Washington, D.C., June 5-8, 1978, p.868, N.Y.- 202

63. Bedair S.H., Phatak S.B., Timons H., Simovs H. Recent progress in the development of the cascade solar cell 14th IEEE Photovolt.Conf., San.Diego,Calif., 1980, N.Y.,p.721-726.

64. Lamorte M.F., Abbott D. Analysis of A1GaAs-GalnAs cascade solar cell under AM0-AM5 spectra. Sol.St.Electron, 1979, 22, P.467-471.

65. Froos L.M., Khechtli R.C. Design of high efficiency modithic stacked multifunction solar cells. Conf.Rec. 13th IEEE Pho-tovolt.Spec.Conf., Washington,D.C., 1978, N.Y.,p.886-889.

66. Lamorte M.P., Abbott D. Computer modeling of a two-function monolitic cascade solar cell. IEEE Trans, on Electron. Dev., ED-27, 1980, p.231-234.

67. Bedair S.M., Lamorte M.P. A two-function cascade solar cell structure. Appl.Phys.Lett., 1979» p.38-42.

68. Bedair S.M.f Phatak S.B., Hauser I.R. Materials and devices Considerations for cascade solar cell. IEEE iErans.Electron Divices, 1980, p.822-824.

69. Алферов Ж.И., Андреев В.M., Зимогорова Н.С. Двухэлементный каскадный солнечный фотопреобразователь в системе Ai-Ga-As. -Письма в ЖТФ, 1981, 7, с.833-837.

70. Антоненко B.C., Каган М.Б., Любашевская Т.Л. Каскадные солнечные элементы на основе п-р-п структуры в системе Ga1-xAlxAs -GaAs . Письма в ЖТФ, 1982 , 8, c.I-II.

71. Moon R.L., Games L.W., Vanderpas H.A. Multigap solar cell requirement and the performance of AlGaAs and Si cells in concentrated sunlight. G.Chai.Proc. 13th Photovoltaic Spec. Conf., Washington,D.C., 1978, N.Y., p.859-863.

72. Lamorte M.P., Abbott D. Cascade solar-cell design for high-temperature operation. IEEE, Trans.Electron.Devices,1980, 21, p.831-838.- 203

73. Bedair S.M., Lamorte M.F., Hauser I.R. Growth and characterization of a two**j unction stacked sollar cells. Interna^ tional Electron Devices Meeting, 1978, p.250.

74. Алферов Ж.И., Авдреев B.M., Зимогорова Н.С. Исследование каскадных солнечных фотоэлементов в системе Al-Ga-As • -МП, 1982, 16, с.982.

75. Hovel H.J. Sollar cells. Semiconductors and semimetals,v.11. Beer A.C. and Wilardson R.K. eds. Academic Press.Inc. NevYork, 1976, ch 3.

76. Loferski J.G. Theoretical Considerations Governing the choice of the Optimum Semiconductor for Photovoltaic Solar Energy-Conversion. J.Appl.Phys., 1956, v.27, N 7, p.777.

77. Соболевская P.Л., Стаудж B.P. Гетеропереходы pZnTe-nCdSe , полученные из расплавов солей. В сб. Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединений Кишинев, изд. Штиинца, 1974, с.17-23.

78. Гашин П.А., Симашкевич А.В., Шербан Д.А. Фоточувствительные эпитаксиальные гетеропереходы znSe-ZnTe . ФТП, 1978, т.12, в.1, с.180-182.

79. Михалаш П.Г. Получение монокристаллов теллурида цинка зонной перекристаллизацией из раствор-расплава и изучение ихсвойств. Дисс. каад.физ.-мат.наук, Кишинев, 1973, 204с.

80. Радауцан С.И., Цуркан А.Е. Теллурид цинка. Кишинев,

81. Штиинца, 1975, с.59-88. 88« Aven М., Shelgall К* Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. « Phys.Rev., 1963« 130, p.81.

82. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках.

83. М., Мир, 1964, с.143, 90» Яблонский Г.П., Грибковский В.П. Фотолюминесценция ZnTe прилазерном возбулздении.-ЖПС,1973,т.18,в.2,с.313-315. 91« Radantsan S.I., Тенгеan А.Е», Maksimova O.G. The Phase

84. Diagram of Zn Cd Те Solid Solution. Phys.Stat.Sol., 1970, ¿It K9.

85. Levy R.f Grun J.B. Optical properties of clangly excited Band gap Materials. ~ Phys.Stat.Sol.(a), 1974, 22» p.83-87«

86. Klinoshirn C.T., Honerlege W.M.B., Hartmut Haus, Herhan W. Koch. Quantitative, investigation of recombination involving particle scattering processes in higly exited blend tupe

87. VI Сотр. - Solid State Electron, 1978, 21, p.1357. 94« Opanowicz A., Marinova K., Liebing W. Luminescence of higly exited ZnTe Crystals. «* Phys.Stat.Sol.(b),1976, 75» p.471.

88. Aven M., Segall B. Carries Mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe* Phys.Rev. 1963.130.p.81-91.

89. Aven M. Mobility of holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. Appl.Phys., 1967, 38, p.4421.

90. Nahory R.E., Pan H.Y. Oscilatory photoconductivity and energy band parameters of ZnTe. Phys.Rev.1966.17.p.251-253.

91. Narite S., Harada H., Nagasake K. Optical Properties of Zinc Telluride in the infrared. «* Japan J.Phys.Soc., 1967, 22. p.1176««1182#- 205

92. Симашкевич A.B. Гетеропереходы на основе соединений ¿V1. -Кишинев, Штиинца, 1980, 154 с.

93. Алексавдров JI.H. Образование и свойства переходных слоев в эпитаксиальных пленках. В кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, изд.Наука,1977,с.5.

94. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок, Новосибирск, 1978, с.248.

95. Сердюк B.B., Смынтына B.A. Влияние отжига на воздухе на структуру, химический состав и электрические свойства тонких слоев селенида кадмия. В кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, изд.Наукова Думка, Киев, 1976, в.22, с.22.

96. Гросс Е.Ф., Соболев В.В. Тонкая Структура края основного поглощения монокристаллов селенида кадмия. ФТТ,I960,2,с.406.

97. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Ковдауров Й.М. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эпитаксиальных cyionxcdse.-Изв.ВУЗов Физика, 1975, 3, с.61.

98. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Ковдауров Н.М. Фотоэлектрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных сдоев селе-нида кадмия. В кн. Полупроводниковые материалы и их применение, Кишинев, Штиинца, 1976, с.29.

99. НО. Егоров B.C., Зайцева А.К., Муркина М.В., Шулыпейстер Л.Ф. Автоматическое определение последовательного сопротивления фотоэлектрического преобразователя в рабочей области вольт-амперной характеристики. Электротехника, 1971, 5, с.47.

100. Физика твердого тела.(Спецпрактикум под ред.Б.А.Струкова). -М., изд.МГУ, 1983, 296 с.

101. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. -M., изд.Сов.радио, 1971, с.178.

102. Пысов В.Ф. Практикум по физике полупроводников. М., Просвещение, 1976, 205с.

103. Т^ззолино А., Хаббард Е., Перкинс М., Фан К. Фотоэффект в кремниевых поверхностно-барьерных диодах. В кн. Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения, М., изд.Мир, 1965, с.121-139.

104. Лоферский Дж., Высоцкий Дж. Спектральная чувствительность фотовольтаических элементов. В сб. Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения, М., изд.Мир, 1965,с.284-302.- 207

105. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. Изд.Сов-радио, 1970, 176с.

106. Киреев П.С. Физика полупроводников. М., изд.Высшая школа, 1975, 583 с.

107. Аццроник И.К., Михалаш П.Г. Некоторые электрические свойства кристаллов теллурида цинка. Труды по физике полупроводников, Кишинев, 1971, в.З, с.72-77.

108. Конников С.Г., Сидоров А.О. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. М., Энергия, 1978, 136 с.

109. Алферов Ж.И., Аццреев В.М., Корольков В.И., Стремин В.И. Исследование высоковольтных р-п переходов в GaAs и AlxGa1-xAs методом регистрации тока, иццуцированного электронным зоццом.-ФТП, 1970, т.4, в.7, c.I3II-I3I5.

110. Комащенко В.Н., Федорус Г.А., Фурсенко В.Д. Усиление электронных потоков в пленочном гетеропереходе peu Se nCdSe . -В кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, изд.Наукова думка, 1975, в.19, с.42-46.

111. Кот М.В., Панасюк Л.М., Симашкевич A.B., Шербан Д.А. Продольные фотопроводимости и фотоэдс в кристаллах и тонких слоях некоторых соединений ьЧ1. - В кн. Труды по физике полупроводников, Кишинев, изд.КРУ, 1969, в.2, с.64-71.

112. Тягай В.А., Колбасов Г.Д., Лукьянчикова Н.Б. и др. Изучение фоточувствительностр и шумов запорных контактов полупроводник-электролит. ФТП, 1972, т.6, с.248-253.

113. Flores С. Fabrication process and performance of a new type of GaAs-»GaAlAs cascade solar cell. «» 16 th IEEE Photovoltaic Spec.Conf. San Diego» Calif.t 1983» Conf.Rec. New York N.Y. p.563-573.

114. Коваленко П.А., Панасюк Л.М. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых структур (гетеропереход-гомопереход). -Труды по физике полупроводников, Кишинев, 1969, в.2,с.142-148.

115. LoferskL Ioseph J. Tandem photovoltaic solar cells and increased solar energy conversion efficiency. 12 th IEEE Photovoltaic Spec.Conf., Baton Rouge, L.A., November 15-18, 1976, p.957-961.