Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЖТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe - CdSe.

1.1. Основные механизмы переноса заряда через гетеропереходы.

1.2. Получение и электрические свойства гетеропереходов ZnTe - CdSe.

1.3. Электрон-вольтаический эффект в р-п гсмо- и гетеропереходах.

Актуальность темы. Развитие полупроводниковой техники и, в особенности, оптоэлектроники требует поиска новых материалов и создания новых полупроводниковых структур, чувствительных к различного рода излучениям - световому и корпускулярному. Особый интерес для этих целей представляют полупроводниковые гетеропереходы (ГП), то есть контакт двух полупроводников, отличающихся своими физико-химическими и электрофизическими параметрами. Важнейшими из указанных параметров, с технологической точки зрения, при создании "идеальных" ГП, являются тип и величина постоянных кристаллических решеток контактирующих полупроводников. Большие успехи в этом направлении достигнуты при использовании для создания указанных типов приборов гетероструктур в системе GaAs - AlAs [I].

Весьма перспективными в отношении создания эффективных и относительно дешевых приборов, чувствительных к волновому и корпу

П УТ окулярному излучениям, являются соединения А В , образованные широко распространенными в природе элементами, обладающие рядом ценных свойств таких как: высокая чувствительность к указанным излучениям, большая вероятность излучательной рекомбинации, прямые оптические переходы, относительно высокая подвижность носителей заряда. Однако, существенным недостатком большинства соединений этого класса является их монополярная проводимость, затрудняющая изготовление р-п переходов. Поэтому в тал случае, когда принцип действия полупроводниковых приборов определяется

П УТ процессами в р-п переходах, использование соединений А В х

П УТ возможно только при создании ГП. В случае соединений А В х наиболее подходящей с точки зрения совпадения параметров кристаллаческих решеток является пара ZnTe - cdSe [2]. Физические процессы в ГП ZnTe - CdSe и возможности его практического применения исследованы различными авторами [3 - 9]. В этих работах показано, что данный ГП перспективен как с точки зрения использования его электролшинесцентных свойств [5 - ?], так и, особенно, с точки зрения его црименения в качестве детектора излучений и солнечного элемента [8, 9]. Вместе с тем, результаты, полученные различными авторами, неоднозначны, что обусловлено разными способами изготовления ГП ZnTe - CdSe и, следовательно, изменением состояния границы раздела.

Одной из важных задач полупроводникового приборостроения является разработка новых детекторов электронных потоков. С этой точки зрения ГП ZnTe - CdSe также представляет интерес, так как он образован материалами, чувствительными к электронному облучению. Поэтому задача исследования влияния состояния гетеро-границы на электрические и фотоэлектрические свойства ГП ZnTe -- CdSe и изучение электрон-вольтаического эффекта в этих ГП является актуальной.

Цель работы заключалась в комплексном исследовании состояния поверхности раздела ГП ZnTe - cdSe в зависимости от метода и условий их изготовления, а также в установлении связи между этими технологическими факторами и электрическими и фотоэлектрическими свойствами изучаемых ГП для выяснения возможности их практического использования, в частности, в качестве детекторов электронных потоков. Конкретные задачи, которые было необходимо решить для достижения этой цели, сформулированы в заключении к первой главе.

Научная новизна работы.

I. Установлено ориентирующее влияние подложки на структуру эпитаксиальных слоев cdSe . При одних и тех же температурных условиях конденсации использование подложек из теллурида цинка позволяет получать слои CdSe устойчивой кубической модификации, ориентация которых совпадает с ориентацией подложки, в то время как при выращивании на других подложках (стекло, слюда), в зависимости от температуры последних, растут моно- или поликристаллические слои гексагональной модификации, либо двухфазные, содержащие кубическую и гексагональную модификации.

2. Впервые цроведено комплексное исследование границы раздела ГП ZnTe - CdSe в зависимости от способа их изготовления с использованием различных структурных методов - электрон ©графического и рентгеноструктурного анализов, растровой электронной ми1фоскопии, ми1форентгеноспеигрального анализа, наведенного электронным лучом тока через ГП.

3. Установлены общие закономерности вольтамперных характеристик (ВАХ) в зависимости от состояния гетерсграницы: а) при прямых смещениях в ГП, полученных осаждением слоев CdSe открытым вакуумным напылением, механизм токоцрохождения определяется рекомбинацией в области объемного заряда; б) в случае ГП, полученных эпитаксией слоя CdSe из паровой фазы, наблюдается надбарьерная диффузия при прямых смещениях кТ/е <: V < ОД В и рекомбинация в области объемного заряда при 0,1 В < V < Vd; в) в ГП ZnTe - CdSe, полученных эпитаксией из газовой фазы в потоке водорода, ток обусловлен двойной инжекцией в i -слой, образовавшийся в результате диффузии атомов cd в ZnTe. При напряжении 16 - 18 В на прямой ветви ВАХ наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

4.Исследовано влияние условий получения на форму спектров

- 10 фоточувствительности ГП ZnTe - CdSe .

5. Впервые в ГП ZnTe - CdSe изучено влияние переизлучения на величину длины диффузии при оцределении последней электрон-зондовыми методами. Показано, что поглощение излучения, возникающего вследствие электронной бомбардировки, приводит к увеличению измеряемой длины диффузии в 4 - 6 раз.

6. Впервые на ГП ZnTe - CdSe исследован электрон-вольтаи-ческий эффект. При ускоряющем потенциале в 40 кВ-: и 300 К значение эдс достигает 1,2 В, коэффициент усиления тока равен

1,5 - 2,2)-1С?, к.п.д. цреобразования энергии электронного пучка в электрическую составляет 2 %.

Практическое значение работы.

1. Показана возможность использования ГП ZnTe CdSe в качестве датчиков электронных потоков с вольтовой чувствительностью 10^ В/Вт и коэффициентом усиления тока ~ 10? и преобразователей энергии электронного пучка в электрическую с к.п.д. 2 %.

2. Определены значения диффузионной длины неосновных носителей заряда Ln и Lp в компонентах ГП. В селениде кадаия значение Lp составляет 0,71 - 0,05 мкм, в теллуриде цинка 1»п равно 1,14 - 0,07 мкм.

3. Установлены технологические режимы, позволяющие изготовить на основе ГП znTe - CdSe в зависимости от состояния границы раздела фотоприемники с управляемой спектральной характеристикой в области длин волн 0,56 - 0,80 мкм.

Основные научные положения, выносимые на- защиту,

I. При эпитаксии слоев CdSe на кристаллы-подложки ZnTe растут монокристаллические слои кубической модификации, направление роста которых совпадает с направлением скола подложки.

2. Результаты электронно-микрозондовых исследований (распределение элементов компонент, ин,Будированный ток) показали, что ГП ZnTe- CdSe, полученные из паровой фазы, являются резкими, а металлургическая граница совпадает с положением р-п перехода; в ГП ZnTe - CdSe, полученных эпитаксией из газовой фазы в потоке водорода, на границе раздела формируется высокоомный слой твердых растворов ZnxCd-|xTe за счет диффузии атомов

Cd по вакансиям Zn в подложку ZnTe , а на границе i -слой -ZnTe образуется переход типа р+-р.

3. БАХ ГП ZnTe -CdSe , полученных различными методами, характеризуются при прямых смещениях следующими закономерностями: а) Прямые ветви БАХ ГП ZnTe -CdSe , изготовленных методом открытого вакуумного испарения и эпитаксией из паровой фазы, могут быть феноменологически описаны соотношением

I- I0exp(eV/jb кТ) б) В случае ГП, полученных методом открытого вакуумного напыления значение диодного фактора определяется температурой подложки. При низких температурах (20 - 50°С) jS ~ 10 и стремится к 2 при росте Тп (температуры подложки) до 360°С. в) На прямых ветвях ВАХ ГП, полученных эпитаксией слоев CdSe из паровой фазы, наблюдаются два экспоненциальных участка. При небольших смещениях (kT/e<v< 0,1В) диодный фактор j3~I. Рост напряжения приводит к появлению второго экспоненциального участка, для которого J3 при низких температурах порядка 8. С ростом температуры J3 уменьшается и стремится к 2 при температуре выше комнатной. г) В случае ГП, полученных из газовой фазы в потоке водорода, механизм прохождения тока определяется наличием высокосмного i -слоя на поверхности раздела. Наблюдается степенная зависимость тока от приложенного напряжения и участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

4. В ГП ZnTe- CdSe пере поглощение катодолшинесцентного излучения приводит к увеличению диффузионной длины неосновных носителей заряда в 4 - 6 раз по сравнению с истинной диффузионной длиной, определенной при отсутствии эффекта переизлучения.

5. Исследование электрон-вольтаического эффекта в ГП ZnTe-cdSe показало, что при ускоряющем напряжении в 40 кВ: а) коэффициент усиления тока достигает 2 -1С?; б) вольтовая чувствительность составляет 10^ В/Вт; в) коэффициент полезного действия преобразования энергии электронного потока в электрическую достигает 2 % при Т = 300 К.

Структура работы. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы и приложения.

В первой главе приводится обзор литературы по изготовлению и результатам исследования гетеропереходов ZnTe -- CdSe. Анализ публикаций использован для обоснования постановки задачи диссертации.

Вторая глава содержит способы получения слоев ZnTe и CdSe и результаты исследования их структуры в зависимости от используемого метода, вида подложки, условий роста.

Третья глава посвящена изложению результатов элек-тронно-зондового исследования поверхности раздела гетеропереходов ZnTe - CdSe , изготовленных различными методами.

В четвертой главе приведены результаты исследования электрических свойств гетеропереходов ZnTe - CdSe f полученных различными методами. Описываются и обсуждаются вольтамперные и вольт-фарадные характеристики гетеропереходов.

В пятой главе содержатся результаты исследования фотовольтаического и электрон-вольтаического эффектов в гетеропереходах ZnTe - CdSe , а также цриводятся результаты измерения диффузионной душны неосновных носителей заряда в данных гетеропереходах.

В заключении приводится сводка основных результатов и выводов, полученных в данной работе.

Приложение содержит копии документов об использовании полученных в работе результатов.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Влияние структуры слоев селенида кадаия на электрические свойства гетеропереходов ZnTe-CdSe . - Материалы научной конференции профессорско-преподавательского состава КГУ им. В.И.Ленина. Кишинев: изд-во КГУ, 1970, с. 73 - 74.

2. Дьякон И.А., Леондарь В,В., Симашкевич А.В. Структура слоев селенида кадмия и электрические свойства гетеропереходов ZnTe-CdSe . - В сб. "Труды по физике полупроводников", Кишинев: изд-во КГУ, 1971, вып. 3, с. 117 - 123.

3. Андроник И.Я., Гашин П.А., Леондарь В.В., Муравьева К.К. Влияние условий получения слоев селенида кадаия на свойства гетеропереходов znTe-cdSe. - В сб. "Всесоюзная конференция "Физические процессы в гетеропереходах", Кишинев, изд-во КГУ, 1974, с. 34 - 35.

4. Гашин П.А., Леондарь В.В., Симашкевич А.В., Циуля-ну Р.Л. Тонкопленочные гетеропереходы на основе селенида кадмия. - В сб. "Всесоюзнаякшференция"Физические процессы в гетеропереходах", тезисы докладов, Кишинев, изд-во КГУ, 1974, с. 35 - 36.

5. Bochkaryova L.V., Gashin P.А., Leondar V.V., Simashkevich A.V., Sobolevskaya R.L., Influence of preperation conditions on the structure and properties of CdSe, ZnTe and ZnSe Layers. - Int.Conf. on Crystal Growth, Tokyo,1974,P.291-292.

6. Gashin P.A., beondar V.V., Simashkevich A.V., Tsiulyanu R.L., Sherban D.a. Thin Film Heterojunctions on the Basis 2 6

А В Compounds. - Collected abstracts of Third Conf. on Thin Films, Budapest, 1975.

7. Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Тонкопленочные гетеропереходы теллурид цинка - селенид кадмия. - В сб. "Физика, химия и техническое применение полупроводников А%У1", тезисы докладов, Киев: "Наукова думка", 1976, с. 129.

8. Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Исследование тонкопленочных гетеропереходов znTe-CdSe ж в сб. "физика полупроводников и диэлектриков", Кишинев: Штиинца, 1978, с. 65 - 74.

9. Заставнецкий М.В., Гашин П.А., Коваль А.В., Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Влияние условий получения на свойства эпитаксиальных гетеропереходов ZnTe-CdSe . - В сб. "П Всесоюзная конференция "Физические цроцессы в полупроводниковых гетероструктурах", т. I, тезисы докладов, Ашхабад: Ылым, 1978, с. 162 - 164.

10. Гашин П.А., Грипентрог М., Заставнецкий М.В., Коваль А.В., Леондарь В.В., Паскал П.С. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnTe-CdSe. - В сб. "Тройные полупроводники и их применение", тезисы докладов, Кишинев; Штиинца, 1979, с. 181.

11. Гашин П.А., Заставнецкий М.В., Коваль А.В., Леондарь В.В. Свойства гетеропереходов ZnTe-CdSe в зависимости от условий получения. - В сб. "Фотоэлектрические свойства гетеропереходов", Кишинев: Штиинца, 1980, с. 147 - 151.

- 219

12. Гагара Л.С., Гашин П.А., Дворник Г.Г., Леондарь В.В., Паскал П.С., Симашкевич А.В. Влияние ориентации подложки на рост гетероэпитаксиальных слоев селенида кадмия и теллурида цинка. - В сб. "71 Международная конференция по росту кристаллов", тезисы докладов, М., 1980, с. 209 - 211.

13. Гашин П.А., Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Электрон-вольтаический эффект в гетеропереходах ZnTe-cdSe. - Письма в ЭТО, Л.; Наука, 1981, т. 7, с. 229 - 233.

14. Гагара Л.С., Гашин П.А., Коваль А.В., Леондарь В.В., Симашкевич А.В., Шербан Д.А. Фотовольтаические преобразователи солнечной энергии на основе гетеропереходов .ZnTe-CdSe и ZnSe - ZnTe. - В сб. "Пути использования солнечной энергии", тезисы докладов, Черноголовка, 1981, с. 20 - 21.

15. Бойко М.П., Гашин П.А., Леондарь В.В., Симашкевич А.В., Фокша А.Я. Электронно-зондовые исследования гетеропереходов ZnTe - CdSe. - В сб. "Тезисы докладов Ш Всесоюзного симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел "РЭМ-81", М., 1981, с. 181 - 182.

16. Gagara L.S., Gashin P.A., Dvornik G.G., Leondar V.V., Paskal P.S., Simashkevich A.V. structural Characterisation of Heteroepitaxial Films of CdSe and ZnTe. - Crystal Rev. & Technol., 1982, v. 17, U 3, P. 345 - 351.

17. Гашин П.А., Дворник Г.Г., Леондарь В.В., Симашкевич А.В., Фокша А.Я. Электрон-вольтаический эффект в гетеропереходах, образованных соединениями кЧ1. - В сб. "Ш Всесоюзная конференция по физическим явлениям в полупроводниковых гетеро-структурах", тезисы докладов, I, Одесса, 1982, с. 233 - 235.

18. Гашин П.А., Коваль А.В., Леондарь В.В., Симашкевич А.В. Определение диффузионной длины неосновных носителей в гетеропереходах ZnTe - CdSe. - В сб. "Ш Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах", тезисы докладов, I, Одесса, 1982, с. 240 - 242.

19. Гашин П.А., Леондарь В.В., Симащкевич А.В., Трепке X. Определение длины диффузионного смещения неосновных носителей в эпитаксиальных слоях селенида кадаия. - В сб. "Физика полупроводников и диэлектриков", Кишинев: И1тиинца,1982,с.67-72.

20 . Гашин П.А., Леондарь В.В., Симашкевич А.В., Фокша А.Я. Электронно-зондовые исследования гетеропереходов ZnTe - CdSe . Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, т. 2, вып. I, с. 90 - 94.

В заключение приношу глубокую благодарность научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору Симаш-кевичу А.В. и доценту Гашину П.А. за постоянное внимание и помощь при выполнении диссертационной работы.

Искренне благодарен Ковалю А.В., Соболевской Р.Л., Шерба-ну Д.А., Фокше А.Я. за содействие в проведении части экспериментальных измерений, Дворнику Г .Г., Кушнаревой И.В., Плешке В.Н., Сушкевичу К.Д. за полезные дискуссии и советы при обсуждении результатов исследований и оформление работы.

Благодарен всему коллективу кафедры и лаборатории физики полупроводников за помощь и полезные дискуссии, значительно способствующие выполнению данной работы.

1. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. - В кн.: Наука и человечество, М.: Наука, 1976, с. 276 - 289.

2. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные р-п гетеропере хода pZnTe nCdSe. - Изв. АН СССР, не орган, матер., 1968,т. 4, в. 10, с. 1803.

3. Arnold Н., Kaufmaim Т., Mach R. Praparation und electriaheuntersuchungen du Heteroubergangen pZnTe-nCdSe. Phys. Stat. Sol., (a) 1970, v. 1, n 1, p. K5 - KB.

4. Gashin P.A., Simashkevich A.V. ZnTe CdSe Heterojuncti-ons. 1. Electrical Properties. - Phya. Stat. Sol. (a),1973, v. 19, n 1, p. 379 386.

5. Ванюков А.В., Ковалев A.H., Кондауров H.M., Супалов В,А.,

6. Федотов Я.А. Люминесцентный диод на гетеропереходе pZnTe--nCdSe. ФТП, 1970, т. 4, в. 7, с. 1365 - 1366.

7. Gashin Р.А., Sherban D.A., Simashkevich A.V. Radiactive recombination in ZnTe-CdSe hetегоjunctions. Journal of Luminescence, 1977, v. 15, n 1, p. 109 - 113,

8. Федотов Я.А., Супалов B.A., Семенюк И.П., Ванюков А.В., Кондауров Н.М. Электролшинесценция гетеропереходов pZnTe -nCdSxSe1--x И pZnTe— nCdSe. ФТП, 1971, т.5, в.3,с.390 -395.

9. Gashin Р.А., Simashkevich A.V. ZnTe-CdSe Heterojuntions. II. Protoelectric and Luminescent Properties. Phys.Stat. Sol. (a), 1973, v. 19, n 2, p. 615 - 623.

10. Buch P., Fahrenbruch A.L., Bube R. Photovoltaic properties of CdSe- ZnTe heterojuntions, Journ. Appl.Phys.Letters,1976, v. 28, N 10, p. 593 595.

11. Милнз А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /Под ред. В.С.Вавилова (пер. с англ.). М.:Мир, 1975, с. 432.

12. Климов Б.Н., Цукерман Н.И. Гетеропереходы в полупроводниках (учебно-методическое пособие). Саратов, изд-во Саратовского ун-та, 1976, 178 с.

13. Шарма БД., Пурохит П.К. Полупроводниковые гетеропереходы (пер. с англ.). -М.: Радио, 1979, 232 с.

14. Симашкевич А.В. Электрические свойства и электролюминесценция гетероструктур на основе соединений В кн.: Электролюминесцирующие пленки. Тарту, 1972,с. 195 - 256.

15. Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединении- Кишинев: Штиинца, 1980, 155 с.

16. Клименко А.П., Матвеева А.А., Тхорик Ю.А. Полуггроводнико-вые гетеропереходы. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев: Наукова лумка, 1972, в. 10,с.90-115.

17. Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs Heterojunctions. -Sol. State. Electronics, 1962,v.5,N9-10, p. 341 351.

18. Perlman S.S., Feucht D.L. p-n Heterojunctions.- Sol.State . Electronics, 1964,v. 7, n 12, p. 911 932.

19. Rediker R.H., Stopek S., Ward I H.R. Interface-alloy epitaxial heterojunction. Sol. State Electronics, 1964,v. 7, N 8, p. 621 629.

20. Dolega V. Theorie p-n Kontaktes Zwishen Halbleitern mit verschiedenen Kristallgittern. Z. Naturf orsch, 1963» v. 18a, N 5, p. 653 - 666.

21. Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. О влиянии состояний на границе раздела на свойства гетероперехода. ФТП, 1980, т. 14, в. 9, с. 1724 - 1727.

22. Shik А. Уа., Shmartsev Yu. V. On the Theory of Non-Ideal Heterojunctions. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 64,p. 723 734.

23. Шик А.Я. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах. -ФТП, 1983, т. 17, в. 7, с. 1295 1299.

24. Макарова Т.Л., Шаронова Л.В., Шмарцев Ю.В. Электрические свойства неидеальных гетеропереходов n-GaP /р-Si и п-GaAs/ p-Si . ФТП, 1984, т. 18, в. 9, с. 1588 - 1592.

25. Cardona М., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectance at a Semiconductor-electrolyte interface. Phys. Rev., v. 154, N 3, 1967, p; 696 - 720.

26. Dimmock J.O., Wheeler P.G. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. J. of Appl. Phys., 1961,v. 33? N 10, p. 2271 2277.

27. Nahory P.E., Pan H.Y. Optical properties of Zinc Telluride. Phys. Rev., 1967, v. 156, N 3, p. 825 - 833.

28. Wheeler P.G., Dimmodk J.O. Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. Phys. Rev., 1962, v. 125, U 6, p. 1805 - 1815.

29. Berlincourt D. et al. Electroelastic Properties of the Sulfides, Selenides and Tellurides of Zinc and Cadmium.-Phys. Rev., 1963, v. 129, N 3, p. 1009 1017.

30. Canali С., Nava P., Ottaviani G. Hole and electron drift velocity in CdSe at room temperature. Sol. Stat. Comm.f 1972, v. 11, p. 105 - 107.

31. Marple D;T;F; Refractive index of ZnSe, SnTe and CdTe. -J. of Appl. Phys., 1964, v. 35, N 3, p. 539 542.

32. Eckelt P. Energy Band Structures of Cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe. Phys. Stat. Sol., 1967, v. 23,N1,p. 307 - 312.

33. Чистяков Ю.Д., Кручеану E. К вопросу о кристаллической структуре теллурида цинка. Revue de Physique, 1961, v. 1,1. N 2, p. 211 217.

34. Демиденко А.Ф., Мальцев А.К. Теплоемкость теллурида цинкав интервале 56 300 К. Энтропия и энтальпия ZnTe , Cds, CdSe , CdTQ - Изв. АН СССР, сер. Не орган, матер., 1969, т. 5, № I, с. 158 - 160.

35. Физика и химия соединений А%У1. (пер. с англ.). (под ред. Медведева С.А.). -М.: Мир, 1970, с. 103 104.

36. Bube R.H. Temperature Dependence of the Width of the Bond GaP in Several PhotoconductorsrPhys.Rev.,1955,v.98,p431-433.

37. Абрикосов H.X. и др. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. -М.: Наука, 1967, с. 13, 24, 25.

38. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. -М.: Воениздат, 1982, с. 36.40# Aven М. Mobility of Holes and interaction between acceptor defects in ZnTe. J. Appl. Phys., 1967, v. 38, H 11,p. 4421 4430.

39. Swank R.K. Surface Properties of II YI Compounds. - Phys. Rev., 1967, v. 153, U- 3.

40. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. -M.: ИЛ,1961, с. 232.

41. Aven М. and Segall В. Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. Phys. Rev., 1963, v. 130,1. Ы 1, p. 81 91.

42. Suzuki H. Electron affinity of CdSe semiconductor compounds. Jap. J. Appl. Phys., 1966, v. 5, N 12,p.1253-1258.

43. Бочкарева Л.В., Гашин П.А., Симашкевич А.В. Исследование механизма токопрохождения в гетеропереходах ZnTe-CdSeи ZnTe-ZnSe . В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с. 95 - 107.

44. Ванюков А.В., Киреев П.С., Фигуровский Е.Н., Коровин А.П., Вишнякова 3.1. О свойствах гетеропереходов nCdSe-pZnTe .-ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1552 1554.

45. Федотов Я.А., Супалов В.А., Мануйлова Т.П., Ванюков А.В., Кондауров Н.М. Краевое излучение теллурида цинка при возбуждении электролюминесценции в системе

46. ФТП, 1971, т.5, в. 5, с. 852 857.

47. Федотов Я.А., Супалов В.А., Мануйлова Т.П., Ванюков А.В., Кондауров Н.М. Фотоэлектрические характеристики гетеропереходов p-ZnTe n-CdSe , CdS , Cd S x Se-,^.-ФТП,1971, т. 5, в. 8, c. 1602 1604.

48. Федотов Я.А., Супалов В.А., Мануйлова Т.П., Ванюков А.В., Кондауров Н.М. Отрицательное сопротивление гетеропереходов p-ZnTe- n-CdS, p-Zn-fe-nCdS^Se^ . -ФТП, 1971, т. 5, в. 9, с. 1754 1759.

49. Федотов Я.А., Конников С.Г., Супалов В.А., Кондауров Н.М., Ковалев А.Н., Ванюков А.В. Гетеропереходы теллурид цинка -халькогенид кадмия. Изв. АН СССР, сер. неорган, матер., 1975, т. II, № 12, с. 2148 - 2153.- 226

50. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Эпитаксиальный рост слоев селе-нида кадаия и их электрические свойства. В кн.: Проблемы физики соединений Вильнюс, 1972, т. Г, с. 289

51. Simashkevich A.V., Tsiulyanu R.L. Liquid-phase epitaxy of CdSe, ZnTe and ZnZe layers. J. of Crystal Growth, 1976, v. 35, p. 269 - 272.

52. Симашкевич A'iB., ЦиулянуР.Л., БочкаревВ.В. Жидкостная эпитаксия селенида кадмия и цинка и теллурида цинка. В кн.: Физические процессы в полупроводниках. Кишинев: Шти-инца, 1977, с. 106 - 113.

53. Соболевская Р.Л., СтауджВ.Р. Гетеропереходы pZnTe nCdSe полученные из расплавов солей. - В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях , Кишинев: Штиинца, 1974, с. 17 -23.

54. Шемякова Т.Д. Тонкопленочный гетеропереход CdSe- ZnTe .В кн.: Теоретические и экспериментальные исследования сложных п/п-вых соединений. Кишинев: Штиинца,1978,с. 136-144.

55. Цуркан А.Е., Шемякова Т.Д. Переключающаяся фоточувствительная ячейка на основе теллурида цинка. В сб.: Полупроводниковые материалы, Кишинев: Штиинца, 1976, с. 93 - 97.

56. Радауцан С.И., Цуркан А.Е., Шемякова Т.Д. Морфология поверхности слоев соединений выращенных из газовой фазы в замкнутая объеме. В сб.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1977, с. 176 - 183.

57. Сенокосов Э.А., Усатый А.Н. Моно1фисталлические пленочные гетеропереходы ZnTe CdSe. - ФТП,1978,т.12,в.5,с.973-977.

58. СпивакГ.В., СапаринГ.В., Быков М.В., Седов Н.Н., Комоло-ва Л.Ф. Об определении глубины залегания р-п-перехода с- 227 помощью растрового электронного микроскопа. ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1559 - 1563.

59. Gale R.W., Glew R.Y/., Bryant P.J. The electron-voltaic effect in CdS-C^S het его junctions. Sol. St. Electron., 1975, v. 18, N 10, p. 839 - 844.

60. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Структура и электрические свойства гетеропереходов pZnTe- nCdS& В кн.: Труды по физике полупроводников, Кишинев, изд-во КГУ,1969,в.2,с. 120-124.

61. Гашин П.А., Симашкевич А.В. Фотоэлектрические свойства ГП pZnTe nCdSe. - В кн.: Труды по физике полупроводников. Кишинев: изд-во КГУ, 1969, в. 2, с. 125 - 128.

62. Tarricons L., Gombia Е. Measurement of minority carrier diffusion length in heterijunction solar cells. Solar Energy Materials, 1979, v. 2, И , p. 45 - 52.

63. Stokes E.D., Chu T.L. Diffusion lengths in solar cells from chart-circuit current measurement. Appl. Phys. Letters, 1977, v. 30, N 8, p. 425 - 426.

64. Pay Э.И., Сасов А.Ю., СпивакГ.В. Определение локальных характеристик р-п перехода методом наведенного потенциала в стробоскопическом режиме. Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, т. 144, № 10, с. 2138 - 2144.

65. Панова В.Г., ФедорусГ.А., ФурсенкоВ.Д. Усиление электронного тока при облучении кристаллов и пленок быстрыми электронами. В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова-думка, 1971, в. 6, с. 76 - 80.

66. Палатник Л.С., Папиров И.М. Ориентированная кристаллизация. -М.: Металлургия, 1964, 408 с.

67. Кручеану Е. Рентгенографическое исследование плоскости расслоения монокристаллов pZnTe. Revue de Physique, 1961, v. 6, N 2, p. 207 - 209.

68. Goldfinger P., Jeunehomme M. Mass spectrometric and Knud-sen-cell vaporisation studies of II YI compounds. -Trans. Faraday Soc., 1963» v. 59, N 12, p. 2851 - 2868.

69. Пашинкин А.С., Саламатин Б.А. К вопросу о диссоциации халькогенидов подгрупп цинка в газовой фазе. Изв. АН СССР, неорг. матери., 1969, т. 5, № 2, с. 256 - 259.

70. Боев Э.И., Бендерский Л.А., Минаева И.В., Бунин A.M. Термическая диссоциация халькогенидов подгруппы цинка П. Термическая диссоциация сульфида и селенида кадмия. Ж.физ. хим., 1X9, 43, с. 2234 - 2237.- 229

71. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники /Под ред. Б.П.Беринга/. М.: М, 1950.

72. Пленочная микроэлектроника /Под ред. Л.Холлэнда. М.: Мир, 1968, 366 с.

73. Технология тонких пленок (Справочник) /Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга (пер. с англ.). -М.: Сов. радио, 1977,т.I, 662 с.

74. Калинкин И.П., Алесковская В.Б., Симашкевич А.Б. Эпитакси-альные пленки соединений Л., изд-во ЛГУ,1978, ЗПс.

75. Муравьева К.К. Относительное пересыщение при вакуумной сублимации. Изв.вуз., Физика, 1978 , 7, с. 58 - 65.

76. Юнге Г., Гюнтер К. Процессы сорбции и конденсации при наличии многокомпонентной смеси паров. В кн.: Сорбционные процессы в вакууме /Под ред.К.Н.Мызникова (пер. с англ.).-М.: Атомиздат, 1966, с. 125 - 134.

77. Харш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов/Под ред. Л.М.Утевского (пер. с англ.). -М.: Мир, 1968, 574 с.

78. Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электр он ограммы и их интерпретация /Под ред. Л.Г.Орлова (пер. с англ.). М.: Мир, 1971, 256 с.

79. ПикусГЛ., ТальноваГ.Н. Особенности испарения монокристаллов сульфида кадмия в вакууме. ФТТ, 1970, т. 12, № 5, с. 1354 - 1362.

80. ПикусГЛ., Тетеря В.П., ТальноваГ.Н., Тычина С.В. Кинети- 230 ка испарения CdSe и Cds в вакууме и ее связь с электронными процессами в кристалле. В кн.: Проблемы физики соединении . Вильнюс, изд-во Вильнюсского ун-та, 1972, т. I, с. 260 - 265.

81. Пикус Г.Я., Тетеря В.П. Влияние освещения на кинетику термического разложения и составов кристаллов Cds в вакууме. ФТТ, 1973, т. 15, № 7, с. 2098 - 2103.

82. Somorjai G.A., Jepsen D.W. evaporation Mechanism of CdS Single Cristals. I. Sureface Concentration and Temperature Dependence of the Evaporation Rate. J. Chen.Phys., 1964, v. 41, N 5, p. 1389 - 1393.

83. Ванюков А.В., Андреев B.M., Мензелинцев Б.И. Изучение скорости испарения сульфида кадмия с помощью термомикроскопа-г В кн.: Халькогениды цинка, кадмия и ртути /Под ред. А.В. Ванюкова, Т.В. Инденбаума. М.: Металлургия, 1973, в. 73, с. 68 71.

84. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов /Под ред.О.М.Пол-торака. -М.: Мир, 1969, 654 с.

85. Устюгов Г.П., Вигдорович Е.П. Термическая устойчивость се-леноводорода и теллуроводорода. Изв. АН СССР, неорган, матер., 1969, т. 5, № I, с. 163 - 165.

86. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и цриборов. М.: Энергия, 1978, 136 с.

87. Седов Н.Н., СпивакГ.В., Иванов Р.Д. Электронно-оптическое излучение р-п перехода у германия и кремния. Изв. АН СССР, сер.физич., 1962, т. 26, № II, с. 1332 - 1338.

88. СпивакГ.В., СапаринГ.В., Переверзев Н.А. Распределение потенциала в р-п переходе, получаемое при помощи растровойэлектронной оптики. Изв. АН СССР, сер. физич., 1962, т. 26, с. 1339 - 1342.

89. Иевлев В.М., Трусов Л.И. Рост пленок: Учебное пособие. -Воронеж: ВШ, 1982, 98 с.

90. СпивакГ.В., Дубинина Е.М., ДюковВ.Т., Лукьянов А.Е., Седов Н.М., Петров В.И., Павлеченко О.П., СапаринГ.В., Невзоров А.Н. Стробоскопическая электронная микроскопия.-Изв. АН СССР, сер.физич.,1968,т.32,№7, с. 1098 III0,

91. Дищлан С.А., Куприянова Т.А., Кулаева Т.В. Проникновение электронов в объект и распределение рентгеновского излучения при электронно-зондовом возбуждении. Йзв.АН СССР, Физика. 1968, т. 32, № 7, с. II3I - 1133.

92. Алферов М.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Стремин В.И.

93. Исследование высоковольтных р-п переходов в GaAs и

94. Ai Ga As методом регистрации тока, индуцированного эле-х 1-хктронным зондом. ФТП, 1970, т. 4, в. 7, с. I3II - 1315.

95. Селезнева М.А., Филиппов С.С. Решение стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зондо-вого метода исследования полупроводников.-М.; 1975. 51с. /Препринт ИПМ АН СССР: № 38/.

96. Свечников С.В., Александров В.Т. Некоторые фотоэлектрические свойства CdSe и CdTe монокристаллов. КТФ, 1957, т.27, в. 5, с. 918 920.

97. Bube R.H., Barton Ъ. Some aspects of photoconductivity in- 232 cadmium selenide crystals. J. Chem. Phys., 1958, v. 29, p. 128 - 137.

98. Смынтына Б.А. Хемосорбционно-диффузионная и окислительно-восстановительное взаимодействие тонких слоев селенида кадмия с кислородом: Автореф. дис. канд.физ.-мат.наук. -Одесса, 1977. 16 с.

99. Heinz D.M., Banks P. Growth and some properties of a large single crystals of cadmium selenide. J.Chem. Phys., 1956, v. 24, N 2, p. 391 - 398.

100. Hauffe K., Flint H. Uber die elektriashe plitfahigkeit von cadmium selenid. Ann. J. Phys., 1954, v. 15, N 3-4, p. 141 - 148.

101. Tubuota H., Suzuki H., Hirakava K. Conductivity mechanism of CdSe. -J. Phys. Soc. Japan.,1960, v.15, p. 1701-1708.

102. Bube R.H. Oxigen sorption phenomena on cadmium selenidecrystals. J.Chem. Phys.,1957, v. 27, N 2, p. 496 - 500. Ю8.АдароБИЧ Э.И., Каратеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю.

103. Токи двойной инжекции в полупроводниках /Под ред. Е.И.

104. Гальперина. -М.: Сов. радио, 1978. 320 с.

105. Woodberry Н.Н., Hall R.B. Diffusion of the Chalcogens in the II YI Compounds. -Phys.Rev.,1967,v.157» N 3, p. 641 - 655.

106. V/ittry D.B., Kyser D.F. Measurement of diffusion lengthsin direct GaP semiconductors by electron-beam excitation* J. Appl. Phys., 1967, v. 38, p. 375 - 382.

107. Ормонт А.Б. Определение диффузионной длины неосновных носителей тока в полупроводниках с помощью электронного микрозонда. ПТЭ, 1976, № 2, с. 199 - 201.

108. Goucher F.S. Measurement of Hole diffusion in n-type germanium. Phys. Rev., 1951, v. 81, N 3, p. 475.

109. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов Дчебное пособие для вузов специальность "Полупроводниковые приборы". М.: Высшая школа, 1975. - 206 с.

110. Петрусевич В.А., Субалиев В.К., Морозов Г.П. Исследование германия фотоэлектрическими методами. ФТТ, 1961, т. 3, с. 1505 - 1514.

111. Тягай В.А., Колбасов Г.Д., Лукьянчикова Н.Б. и др. Изучение фоточувствительности и шумов запорных контактов полупроводник-электролит. ФТП, 1972, т. 6, с. 248 - 253.

112. Мосс Т., Баррел Т., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлект-роника /Под ред. С.А.Медведева. -М.: Мир, 1976, 431 с.

113. Дидаан С.А., Селезнева М.А., Филиппов С.С. Об определении некоторых параметров полупроводниковых материалов и приборов электронно-зондовым методом. Изв. АН СССР, физич.,1977,т. 41, № 5, с. 942 950.

114. Plat A., Milnes A.G., Interpretation of scanning electronmicroscope measurement of minory carrier diffusion length in semiconductors. -Int. Js Electron., 1978, v.

115. Алферов ж.И., Андреев Б.M., МурыгинВ.И., СтреминВ.И., Исследование ГП и р-п переходов в системе aias GaAs с помощью электронного микроскопа-микроанализатора. -ФТП, 1969, т. 3, в. 10, с. 1470 - 14-77.

116. Oakes J.J., Greenfield I.G., Partain L.D. Diffusion length determination in thin-film CuxS/CdS solar cell by scanning electron microscopy. J. Appl. Phys., 1977,v. 48, N 6, p. 2548.

117. Кот Б.М., Панасюк JI.M., Симашкевич А.В., Шербан Д.А. Продольные фотопроводимости и фотоэдс в кристаллах и тонких слоях некоторых соединений В кн.: Труды по физике полупроводников.Кишинев,изд-во КГУ,1969,в.2,с.64-71.- 235

118. Wittry D.B., Kyser D.P. Catodoluminescence of p-n junctions in GaAs. J. Appl. Phys., 1965, v. 36, N 4,p. 1387 1389.

119. Селезнева М.А., Филиппов С.С. Формирование сигнала наведенного тока при исследовании в РЭМ материалов с высоким квантовым выходом и реабсорбции рекомбинационного излучения. -Изв. АН СССР, сер. физика, 1977, т. 41, № 5, с. 951 954.

120. Holt D.B., Chase B.D. Scanning electron microscope studies of electroluminescent diodes of GaAs and GaP. Phys. St. Sol. (a), 1973, v. 20, N 1, p. 135 - 144.