Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II

§ I. Методы выращивания кристаллов ZaTe и их основные электрофизические свойства . II

§ 2. Примесная фотолюминесценция теллурида цинка и ее связь с преобладающими акцепторами . •

§ 3. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов, легированных донорами. Компенсация донорной примеси

§ 4. Свойства излучающих структур и электролюминесценция теллурида цинка

ГЛАВА П. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZriTe И МЕТОДИКА

ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ 5. Способы получения монокристаллов теллурида цинка.

§ 6. Методика исследований электрофизических и люминесцентных свойств кристаллов и диодных структур.

§ 7. Анализ структурных, электрических и люминесцентных характеристик кристаллов ZriTe , выращенных различными способами.

ГЛАВА Ш. УЗКОЛИНЕЙЧАТАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ДИСЛОКАЦИЯМИ

§ 8. Связь линейчатой люминесценции с макродефектами кристалла.

§ 9. Механизмы излучательных переходов, соответствующие линейчатым спектрам.

ГЛАВА 1У. ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ, ОБЛУЧЕНИЯ МОЩНЫМИ СВЕТОВЫМИ ПОТОКАМИ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ИЗЛУЧАТЕДЪНОЙ

РЕКОМБИНАЦИИ ТЕИУРИДА ЦИНКА.

§ 10. Трансформация широкополосной фотолюминесценции кристаллов после термообработки или мощного лазерного облучения

§ II. Влияние легирования на излучательную рекомбинацию носителей в кристаллах.

§ 12. Люминесценция кристаллов ЪiTe , легированных мелкими донорами.

ГЛАВА У. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И аШТРОЛШИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ДИОДНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ

БОРА ИЛИ ДИФФУЗИЕЙ АЛЮМИНИЯ.

§ 13. Свойства омических контактов к ZnTe , образующихся при электрохимическом осаждении металлов

§ 14. Влияние технологических условий получения на основные электрические характеристики диодов

§ 15. Электролюминесценция диодов на основе ZnTe

Бурное развитие в последнее время полупроводниковой электроники и, в частности, появление новых задач, связанных с созданием элементной базы и устройств для опто- и акустоэлектроники, все больше привлекают внимание специалистов к широкозонным со-JLJI п единениям А В . Значения ширины запрещенной зоны данных соединений и их твердых растворов охватывают области спектра от инфракрасной до ближней ультрафиолетовой. Это позволяет создавать на этих материалах источники и приемники излучения, работающие в широком спектральном диапазоне. Наличие прямых зон обуславливает высокую эффективность излучательной рекомбинации электронов и дырок и, что особенно важно, возможность получения генерации света в видимой области спектра. Большой интерес вызывает высокая фоточувствительность во всех соединениях этой группы полупроводников. Сильный пьезоэффект в отсутствие центра симметрии решетки как гексагональных, так и кубических кристаллов используется для создания различных акустоэлектрических приборов: тензодатчиков, усилителей ультразвука, линий задержек, детекторов и т.д.

Теллурид цинка - типичный представитель соединений группы П У1

А В , обладает большинством из описанных выше свойств. Относительно невысокая температура плавления, по сравнению с другими более широкозонными материалами данного класса, позволяет использовать для выращивания кристаллов стандартные технологические методы с применением в качестве тигля плавленного кварца. Указанное свойство, а также доступность и невысокая стоимость исходных компонентов способствовали проведению в последние 15 лет интенсивных исследований этого соединения как физического, так и прикладного характера.

Достаточно полно изучены термодинамические характеристики синтеза соединения и определена фазовая диаграмма системы Zri-Te . Изучены формы роста спонтанных центров кристаллизации и влияния избыточного давления пара исходных компонентов на направление роста кристаллов теллурида цинка. Разработан метод получения нелегированных кристаллов с малой степенью компенсации ~ 10 %. Введе ние примесей LL , С$ или Р позволило получать образцы с КОНЦеНТра

ТО О цией свободных носителей заряда до 3 10 см /I/.

Детально изучено экситонное излучение теллурида цинка в широком интервале температур от 1,6 /2/ до 77 К /3/. При высоких уровнях лазерного возбуждения в кристаллах обнаружено появление стим-мулированного излучения /4,5/. На примере теллурида цинка показаш принципиальная возможность создания в широкозонных соединениях р-И -переходов /I/. Используя инжекцию неосновных носителей в р-Г1 -переходе, получена эффективная электролюминесценция в желто-зеленой области спектра.

На основе теллурида цинка разработаны фоточувствительные диоды металл-полупроводник /6/. Длинноволновый край чувствительности этих структур варьируется от 0,52 до 0,93 эВ путем подбора металле с соответствующей работой выхода. Данные МП-структуры рассчитаны как на слабые, так и лазерные потоки.

Теллурид цинка- перспективный материал для создания просветляющихся оптических фильтров /7/. Нелинейное поглощение проявляется в интервале длин волн 528-544 нм. Оптическое пропускание образ2 цов толщиной 0,6 мм под действием мощного (^30 МВт/см ) лазерного излучения увеличивается более, чем в 10 тысяч раз.

Дальнейший прогресс в исследовании физических свойств ZflTe и использовании его в полупроводниковой технике связан с ростом требований к качеству кристаллов и установлении связи между технологическими особенностями его получения и основными параметрами материала. Необходимо выяснить влияние различных внешних воздействий, таких- как термообработка, облучение частицами и фотонами, легирование на дефектно-примесную структуру полупроводника. Понимание механизмов, происходящих в кристалле при легировании примесями и, в частности донорами, способствовало бы более успешному преодолению известных трудностей изменения типа проводимости ZriTe, разработке технологически простых методов получения р-П-переходов и созданию новых приборов и устройств. Отмеченная выше перспективность данного полупроводникового материала и недостаточная изученность его свойств обуславливает актуальность темы диссертации.

В настоящей работе поставлена цель: проанализировать основные свойства теллурида цинка, выращенного различными способами, на ос-вовании чего разработать методику получения совершенных монокриста лов; используя фотолюминесценцию как основной метод исследования, изучить тип и структуру рекомбинационных центров в кристаллах разлиного качества, а также влияние на них различных факторов; исследовать спктры излучения кристаллов, легированных широким набором акцепторных и донорных примесей и определить оптимальные режимы легирования для введения высоких концентраций мелких доноров; предложить метод создания р-н-перехода в теллуриде цинка и получения эффективной электролюминесценции в видимой части спектра.

Научная новизна. В диссертации впервые проведено сравнение основных структурных, электрофизических, люминесцентных свойств ЕпТв , выращенного различными методами и предложен технологический способ получения высококачественных монокристаллов, на которых получена генерация света при оптическом возбуждении. Установ-лоно, что основные центры излучательной рекомбинации носителей в чистом и специально легированном материале образуются с участием дислокаций и представляют собой ассоциаты собственных и примесных дефектов решетки. Впервые показано, что при низкотемпературной диффузии алюминия в теллуриде цинка создаются донор-ные центры, в результате чего можно получать р-п.-переходы, обеспечивающие возбуждение эффективной электролюминесценции в зеленой и красной областях спектра.

Практическая значимость. На основании исследования влияния различных способов выращивания на основные электрофизические свойства теллурида цинка разработана методика выращивания совершенных монокристаллов. Экспериментально установленная связь между преобладающими в полупроводнике мелкими электрически и оптически активными центрами рекомбинации и дислокациями может быть использована для дальнейшей оптимизации режимов роста и контролируемого управления дефектно-примесным составом кристаллов, в том числе и других широкозонных соединений группы А^В^1.

Обнаруженное влияние дислокаций на структуру энергетических состояний центров и механизмы излучательных переходов в специально легированных кристаллах может служить основой для выбора необходимой легирующей примеси и метода ее введения с целью изменения типа проводимости полупроводниковых соединений. Участие дислокаций в образовании мелких примесных центров при легировании кристаллов позволит на новом качественном уровне исследовать явление самокомпенсации примесей в широкозонных материалах.

Предложен метод создания к теллуриду цинка омических контактов, исключающий высокотемпературную обработку. Электрохимические медные контакты могут найти применение в диодных структурах, изготовление которых не требует обработки при высоких температурах, например, в случае ионной имплантации примесей.

Показана возможность получения в теллуриде цинка р-гъ -переходов путем термодинамически равновесной низкотемпературной диффузии примеси и разработки технологически простого метода создания излучающих в видимой области спектра светодиодов. На защиту выносятся основные положения:

- методика выращивания монокристаллов теллурида цинка из несте-хиометрического расплава зонной плавкой в градиенте температуры, обеспечивающая получение высококачественных кристаллов, на которых впервые зарегистрирована генерация света при оптическом возбуждении ;

- обнаруженная связь между центрами излучательной рекомбинации нелегированных кристаллов, ответственными за узколинейчатую люминесценцию, и дислокациями, возникающими при выращивании на границе между включениями избыточного теллура и матрицей кристалла или искусственно введенными при неупругих деформациях;

- усыновленное влияние дислокаций на формирование основных акцепторных и донорных центров нелегированных и специально легированных кристаллов йтТе, представляющих собой ассоциаты примесных и собственных точечных дефектов, локализованных около или на дислокациях;

- обнаружение мелких донорных центров в кристаллах теллурида цинка, легированных боров или алюминием, определяющих их спектры фотолюминесценции в области края собственного поглощения;

- способ создания путем низкотемпературной (500°С) диффузии алюминия в кристаллы р-fl - переходов, обеспечивающих при инжекции неосновных носителей возбуждение электролюминесценции в зеленой (2,20 эВ) и красной (1,92 эВ) областях спектра в широком интервале температур.

Диссертация содержит введение, пять глав, основные выводы, а также список литературы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на Ш Всесоюзном совещании "Дефекты структуры в полупроводниках" (Новосибирск, 1978г), ХХУП Всесоюзном совещании по люминесценции кристаллофосфоров (Рига, 1980г.), П Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980 г.), У Всесоюзном совещании по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1981 г.), У Всесоюзном совещании по

И УТ физике и техническому применению полупроводников А в (Вильнюс, 1983 г.), У Республиканской конференции молодых ученых по физике (Витебск, 1978 г.).

Содержание работы отражено в следующих публикациях:

1. Грибковский В.П., Запорожченко В.А., Иванов В.А., Качин-ский А.В., Паращук В.В., Яблонский Г.П. Генерация в монокристаллах InTe , In бе и CoLS при возбуждении пикосекундными импульсами рубинового лазера.-Квантовая электроника, 1979, т. 32, № 10, с. 2229-2232.

2. Лукашевич П.Г., Грибковский В.П., Иванов В.А. Стиммули-рованное излучение нелегированного теллурида цинка при однофотонном оптическом возбуждении. - ЖПС, 1980, т. 32, № 6, с. 10731078.

3. Иванов В.А., Грибковский В.П., Зубрицкий В.В., Кашина И.А. Паращук В.В., Яблонский Г.П. Люминесценция и некоторые электриче< кие свойства InTe , легированного ионами В+ . - ФТП, 1981, т. 15, № II, с. 2296.

4. Грибковский В.П., Беляева А.К., Зубрицкий В.В., Иванов

В.А., Кашина И.А. Омические контакты к ZriTe . - ПТЭ, 1981, № 2, с. 244- 245.

5. Беляева А.К., Грибковский В.П., Иванов В.А., Яблонский

Г.П. Люминесценция кристаллов Zn.Те:Л6 при лазерном возбуждении. - ЖПС, 1981, т. 35, № 5, с. 801-805.

6. Грибковский В.П., Иванов В.А., Межевич И.Д., Болтунов В.Н. Электро- и фотолюминесценция теллурида цинка, легированного донорами. - Вести АН БССР, сер. физ-мат. наук, 1982, № 6, с.80-85.

7. Иванов В.А., Грибковский В.П., Зюльков В.А., Павловский В.Н., Яблонский Г.П. Фотолюминесценция дефектов, образующихся в

ZnTe при облучении мощными импульсами лазера. - ЖПС, 1983, т.39, №6., с. I007-I0I0.

8. Иванов В.А., Яблонский Г.П., Грибковский В.П. Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка.- ФТТ, 1984, т. 26, Я 3, с. 754-757.

9. Борисенко В.Е., Грибковский В.П., Иванов В.А., Лабунов В.А. Образование островковых структур на поверхности полупроводниковых соединений в результате бомбардировки низкоэнергетическими ионами. - Тезисы докладов Ш Всесоюзного совещания "Дефекты структуры в полупроводниках". Новосибирск, 1978, с. 85.

10. Иванов В.А., Грибковский В.П., Кашина И.А., Яблонский Г.П« Влияние легирования бором на люминесценцию и электрические свойства кристаллов ZnTe Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980, ч.1, с. 158.

11. Лукашевич П.Г., Грибковский В.П., Иванов В.А. Излучатель-ная рекомбинация в теллуриде цинка в области края собственного поглощения.- Тезисы докладов ХХУП Всесоюзного совещания по люминесценции кристаллофосфоров. Рига, 1980, с. 203.

12. Беляева А.К., Грибковский В.П., Иванов В.А., Яблонский Г.П. Люминесценция специально не легированных и легированных /16 и 0 кристаллов НпЛе в зависимости от термообработки.-Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1981, ч. I, с. 65.

13. Иванов В.А., Грибковский В.П., Зюльков В.А., Кашина И.А., Павловский В.Н., Яблонский Г.П. Фотолюминесценция дефектов, образующихся в ZnTe при облучении мощными импульсами лазера. - Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Л., 1981, с. 47.

14. Иванов В.А., Грибковский В.П. Влияние структурных дефектов на люминесценцию кристаллов ZriTe . - Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по физике и техническому применению полупроводни

П У1 ков AT , Вильнюс, 1983, т. I, с. 52-53.

15. Иванов В.А., Грибковский В.П., Яблонский Г.П. Линейчатый спектр фотолюминесценции 2пТе в области Е^- 200 мэВ. - Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по физике и техническому приме

П У1 нению полупроводников А В . Вильнюс, 1983, т. 2, с. 39-40.

16. Иванов В.А., Кашина И.А., Лукашевич П.Г. Выращивание совершенных кристаллов ZnTe из нестехиометрического расплава. - Тезисы докладов У Республиканской конференции молодых ученых по физике. Витебск, 1978, с. 88.

Диссертационная работа отражает личный вклад автора в исследования, выполненные авторским коллективом. Автором разработаны и созданы установки для выращивания монокристаллов, а также систем питания и регулирования температуры в печах. Все эксперименты по выращиванию теллурида цинка с применением различных методик, измерению электрических, люминесцентных свойств кристаллов, и исследованию электрических и электролюминесцентных характеристик диодных структур, а также обработка экспериментальных результатов и интерпретация полученных данных выполнены самостоятельно.

Научному руководителю - члену-корреспонденту АН БССР, доктору физико-математических наук, лауреату Государственной премии БССР, профессору Грибковскому В.П. принадлежат общая постановка задачи исследований и участие в анализе и обсуждении полученных результатов; Яблонскому Г.П. /1,3,5,7,8,10,12-15/, Паращуку В.В. /1,3/-методическая помощь в исследованиях фотолюминесценции и генерации света в ?аТе и участие в обсуждении полученных результатов; Лукашевичу П.Г. /2,11,16/, Запорожченко В.А. и Качинскому А.В. /I/-создание установок для изучения генерации света в полупроводниках при оптическом возбуждении на основе азотного и пикосекундного рубинового лазеров; Беляевой А.К. /3,4,10,13,16/ и Зубрицкому В.В. /3,4/ - помощь в подготовке экспериментов по выращиванию монокристаллов, очистке исходных элементов и кварцевых ампул, синтезе соединения, а также получении омических контактов в ZaTe ; Меже-вичу И.Д. и Болтунову В.Н. /б/ - создание установки для возбуждения и изучения электролюминесцентных светодиодов; Борисенко В.Е. и Лобунову В.А. /9/ - проведение обработки пластин теллурида цинка низкоэнергетическими ионами аргона; Зюлькову В.А. и Павловскому В.Н. /7,13/ - облучение кристаллов мощными импульсами Мd -лазера.

В заключение хочу выразить искреннюю признательность научному руководителю члену-корреспонденту АН БССР, профессору Грибковскому В.П. за предоставленную интересную тему, постоянное внимание к работе, полезные советы и предложения.

Благодарю старших научных сотрудников лаборатории оптики полупроводников Кононенко В.К. и Яблонского Г.П. за ценные дискуссии при обсуждении диссертационной работы, а также всех сотрудников лаборатории, оказавшим помощь при ее выполнении.

1. Грибковский В,П., Иванов В.А., Патрин А.А. и др. Фотолюминесценция ZnTe при двухфотонном возбуждении. Ж. прикл. спектроскопии, 1976, т. 28, В. 5, с. 926-928.

2. Лукашевич П.Г., Иванов В.А. Краевое излучение сильно возбужденных кристаллов ZriTe . ж. прикл. спектроскопии, 1980, т. 32, В. I,с. 160-163.

3. Тупеневич П.А., Кононенко В.К. Фоточувствительность МП-структур на теллуриде цинка. Ж. прикл. спектроскопии, 1976, т.28, В. 5, с. 870-872.

4. Зимин Л.Г., Грибковский В.П., Радауцан С.И. и др. Насыщение поглощения в монокристаллах ZnTe , легированных элементами I группы. Ж. прикл. спектроскопии, 1978, т. 28, В. I, с. 157-159.

5. Ю. Физика и химия соединений А В / Под ред. С.А. Медведева М.:, Мир, 1970, - 624 с.

6. Nahory R.E., Fan H.Y. Optical properties of zinc telluride.-Phis. Rev., 1967, vol.156, p.825-853.

7. Kannedy D.I., Russ M.J. New electroluminescent spectrum in ZnTe resulting from oxygen incorporation.- J. Appl. Phys., 1967, vol.38, N11, p.4387-4-390.

8. Водопьянов Л.К. Исследование фононного спектра монокристаллов ZnTe В кн. Проблемы физики соединений А^В^, т. I, Вильнюс: Вильнюсский Госуниверситет, 1972,.с. 62-66.

9. Савицкий А.В., Курик М.В., Товстюк К.Д. Оптические свойства теллуристого цинка. I. Край собственного поглощения. Оптика и спектроскоп., 1965, т. 19, № I, с. II5-I20.

10. Гросс Е.Ф., Григорович Г.М., Поздняков И.В. и др. Экситонные спектры смешанных кристаллов ZnTe -CdTe, Физ. тверд, тела, 1970, т. 12, № 10, с. 2913-2917.

11. Бродин М.С., Курик М.В., Матлак В.М. и др. Параметры энергетической структуры кристаллов HnTe-CdTe и CdTe t фИз. и техн. полупровод., 1968, т. 2, № 5, с. 724-733.

12. Venghaus Н., Dean P.J.Shallow-acceptor, donor, free-exiton and bound-exciton states in high-purity zinc telluride.- Phys. Rev.,1980, vol.B21, N4, p.1596-1609.

13. Jordan A.S., Zuup R.R. Calculation of the minimum pressure, P-T diagrams, and solidus of ZnTe.- J. Electrochem. Soc. 1969» vol.116, n9, p.1264-1268.

14. Brehrick R.F., Partial pressure of Zn and Te2 over ZnTe up to 917°C.- J. Electrochem. Soc., 1969, vol.116, n9, p.1274-1279.

15. Kroger F.A. The P-T-x phase diagram of the system zinc-tellurium.- J. Phys. Chem., 1965, vol.69, N10, p.3367-3369.

16. Thomas D.G., Sadowski E.A. The high tenperature cohductivity of ZnTe in zinc vapor.- J. Phys. Chem. Solids, 1964, vol.25,1. N4, p.395-400.

17. Горюнова H.A., Федорова H.H. К вопросу об изоморфизме соединений с ковалентной связью. ДАН СССР, 1953, т. 90, № 6,с. I039-I04I.

18. Болтакс Б.И., Матвеев О.Н., Савинов В.Н. Электрические свойства теллурида цинка. Ж. техн. физ., 1955, т. 25, № 12, с. 2097-2103.

19. Aven М., Segall В. Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe.- Phys. Rev., 1963, vol.130, N1, p.81 -91.

20. Aven M. Mobility of holes and interaction between acceptor defects in ZnTe.- J. Appl. Phus., 1967, vol.38, N11, p.4421-4430.

21. Годау И., Ормонт Б.Ф., Кисс В. Выращивание монокристаллов теллурида цинка из газовой фазы и исследование некоторых его свойств. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1968, т. 4, № 10, с. 1798- 1800.

22. Годау И., Ормонт Б.Ф., Менерт 3. и др. Предварительное исследование некоторых оптических свойств легированных кристаллов теллурида цинка. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1969,т. № I, с. 155-157.

23. Albers W., Aten А.С. The preparation of single-phase crystals of zinc telluride.- Philips Res. Repts, I965, vol.20, N5,p.556-561.

24. SteinigerJ., England R.E. Growth of single cristals of ZnTe and ZnTe,, Se by temperature gradient solution zoning.- Trans.1.•"л X

25. Metallurg. Soc. AIME, 1968, vol.242, n3, p.444-447,

26. Андроник И.К., Андроник И.Я., Кулева З.П. и др. Травлениекристаллов CoLTe f ZnTe и 2n06Cd0lTe , полученных разными методами. В кн. Физ. процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях. Кишинев: Штинца, 1974, с. II5-I26.

27. Андроник И.К., Михаласи П.Г. Получение кристаллов ZnTe зонной перекристаллизацией из раствора в расплаве. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1974, т. 10, № 10, с. I890-I89I.

28. Triboulet R. Didier G. Growth of ZriRe by stoichiometric and off stoichiometric zone refining.- J. Crystal Growth, 1975» vol,28, N1, p.29-35.

29. Taguchi Т., Fujita S., Inushi Y. Growth of high-purity ZnTe single crystals by the sublimation trawelling heater method.-J. Crystal Growth, 1978, vol.45, N2, p.204-213.

30. Reynolds R.A., Stroud D.G., Stevenson D.A. Phase equilibriain the zinc-tellurium system.- J. Electrochem. Soc., 1967» N12, p.1281-1287.

31. Callister W.D., Larsen T.L., Varotto C.F. et. al. The high temperature electrical properties of ZnTe:Al; self-compensation model in ZnTe.- J. Phys. and Chem. Solids, 1973, vol.33» Ы7, p.1433- 1442.

32. Smith F.T.J. A high temperature study of native deffects in

33. Larsen T.L., Stevenson D.A. Electrical transport and defectin ZnTe crystals.- J. АрЦ. Phys., 1973, vol.44, N2, p.843-847.

34. Гросс Е.Ф., Суслина JI.Г. Зеркальная симметрия спектров поглощения и люминесценция кристаллов ZaTe . Физ. тверд, тела, 1964, т. 6, №12, с 3684-3690.

35. Соболев В.В. Низкотемпературная люминесценция селенида и теллурида цинка. Оптика и спектроскопия, 1965, т. 18, В. 4, с. 648-655.

36. Холстед Р.Е. Излучательная рекомбинация в области края поло1. П VTсы поглощения. В кн.: Физика и химия соединений А В ./ Под. ред. С.А. Медведева, М.: Мир, 1970, с. 317.

37. Поносян Ж.Р. Излучательная рекомбинация в кристаллах теллурида кадмия. Тр. физич. ин-та АН СССР, М.: Наука, 1973, т. 68,с. 147-202.

38. Маруани А., Нобланк И.П., Дурафу Ж. Люминесценция ZnTe и ее модуляция инфракрасным светом. Изв. АН СССР, Сер. физическая, 1973, т. 37, № 2, с. 435-439.

39. Wardzynski W., Pataj К. Bound exciton-neutral acceptor complex in ZnTe.- Phys. Stat. Sol., 1976, vol.B75, m » p.341-346.

40. Opanowicz A., Marinova K., LiebingH. et. al. Luminescence of highly excited ZnTe crystals.- Phys. Stat. Sol., 1976, vol.B75, N2, p.471-481.

41. Bryant F.J., Baker A.T.J., Hagston H.G. Interpretation of asymmetric band shapes in terms of bound exciton complexes.-J. Phys. C: Solid State Phys., 1973, vol.6, p.1316-1324.

42. Bryant P.J., Baker A.T.J. Double-acceptor cathodoluminescence in zinc-telluride.- Phys. Stat. Sol., 1972, vol.A11,N3, p.623-629

43. Kwietniak M.S. The luminescence measurements of ZnTe implanted by Li, 01, Al and In ions.- Electron Technol., 1977, vol.10, N2, p.79-90.

44. Woody W.R., Meese J.M. Photoluminescence of ZnTe.- J. Appl. Phys., 1976, vol.47, p.3640-3643.

45. Bryant P.J., Nahum J., Verity D. Cathodoluminescence and iso-hronal annealing investigations of edge-emission in ZnTe,-Solid State Comm., 1980, vol.36, N9, p.797-803.

46. Tanimizu S., Otomo Y. Annealing effects on the edge emission in melt-grown ZnTe.- Phys. Letters, 1967, vol.A25, N10, p,745-746.

47. Бродин M.C., Геер Д.Б.,№оцко М.Г. Спонтанная люминесценция кристаллов 2гц Cct^yTe . Укр. физ. ж., т. 17, № 8, с. 12641270.

48. Лукашевич П. Г., Грибковский В.П., Цуркан А.Е. Фотолюминесценция нелегированного теллурида цинка. Ж. прикл. спектроскопии, 1978, т. 29, В. 6, с. 1040-1043.

49. Meese J.M. Zn displacement threshold in ZnTe.- Appl. Phys. Lett., 1971, vol,19, N14, p.86-87.

50. Bryant P.J, Baker A.T.J. Threhold energy for tellurium displacement in zinc telluride.- J. Phys. C: Solid State Phys., * 1972,vol.5, p.2283-2288.

51. Magnea N., Pautrat J.L. Irradiation induced radiative centresin ZnTe.- Solid State Comm., 1980, vol,$4, N4, p.261-263.

52. Crowder B.L., Pettit G.D. Luminescence accociated with shallow acceptor centers in ZnTe.- Phys. Rev., 1969, vol.178, N3,p.1235-1240.

53. Akkad P. Pree-to-bound transitions in lithium- doped zinc tellurite.- Phys. Stat. Sol., 1976, vol.B76, HI, p.85-92.

54. Akkad P. Luminescence transitions and quantum efficiency associated with P and Li in ZnTe.- J. Electron. Mater., 1978, vol.7, N5, p.619-626.

55. Радауцан С.И., Цуркан А.Е., Верлан В.И. Фотолюминесценция кристаллов ZnTe t легированных примесями I группы. Изв. АН СССР, Сер. физическая, 1976, т.40, № II, С. 2302-2305.

56. Hammond N., Kohn A., Debrun J.L. et. al. Copper and native defects in zinc telluride.- J. Phys. and Chem. Sol., 1973, vol.3,4, N6, p.1069-1073.

57. Baker A.T.J., Bryant P.J., Lowther J.E. The visible luminescent of copper doped zinc telluride.- J. Phys. C: Solid State Phys., 1973, vol.6, N4, p.780-783.

58. Magnea N., Bensahel D., Pautrat J.L. et. al. Electrical and optical identification of the persistent acceptor as copper in ZnTe.- Solid State Comm., 1979, vol.30, N5, p.259-263.

59. Bensahel D., Magnea N., Dupuy M. Behaviour of copper in ZnTe; БЕМ-CLand PL.- Solid State Comm., 1979, vol.30, N7, p.467-472.

60. Bensahel D., Dupuy M. SEM and ТЕМ: diffusion of lithium in ZnTe.- Phys. Stat. Sol., 1979, vol.A55, N1, p.203-210.

61. Dean P.J. Copper, the dominant acceptor in refined undoped zinc telluride.- L. Lumines., 1979, vol.21, N1, p.75-83.

62. Bensahel D. Effects of zinc anneals in the (400-550> range onthe acceptor concentration in ZnTe.- J. Phys., 1979, vol.40, N11,p.1063-1066.

63. Bensahel D., Dupuy M., Pfister J.C. Electrical, SEM and ТЕМ studies in ZnTe. I. Impurity segregation during short annealing and quenching.- Phys. Stat. Sol., 1979, V0I.A55, N1, p.211-221.

64. Bensahel D., Dupuy M., Pfister J.C. Transmission electron microscopy observation of precipitates in ZnTe: shape of the tellurium solidus line.- J. Crystal Growth, 1979, vol.47, N5,6, p.727-732.

65. Fischer A.G., Carides J.N., Dresner J. Preparation and properties of n-type ZnTe.- Solid Stat. Comm., 1964, vol.2, N1, p.157-159.

66. Title R.S., Mandel G., Morehead F.F. Self- compensation limited conductivity in binary cemiconductors. 2. n-ZnTe.- Phys. Rev., 1964, vol.136, N1A, p.300-^02.

67. Larsen T.L., Varotto C.E., Stevenson D.A. Electrical transport and photoelectronic properties of ZnTe:Al grystals.- J. Appl. Phys., 1972, vol.43, N1, p.172-182.

68. Wold F.V. Self-compensation in CdTe and ZnTe crystals grown from indium solvents.- Phys. Stat. Sol., 1976, vol.A38, N1, p.253-259.

69. Бродин M.C., Геер Д.Б., Мацко М.Г. Ассоциации дефектов в ZnTe Физ. и техн. полупровод., 1973, т. 7, В. 5, с. 997-999.

70. Блашков B.C., Григорович Г.М. Спектры люминесценции и фотопроводимости ZnTe : In. tGa t А£ .- физ и техн. полупровод., 1974,т. 8, В. 8, с. 1602-1605.

71. Taguchi Т. Ionization energy of the complex acceptor in ZnTe.-Phys. Stat. Sol., 1979, V01.B96, N1, p.K33-K36.

72. Bensahel D., Tissot J.L., Revoil L. et. al. Low voitage led on ZnTe obtained by a simultaneos double diffusion procedure.-J. Lumines., 1980, vol.21, N1, p.259-268.

73. Курик М.В., Савицкий А.В. Оптические свойства ZnTe : II . Влияние примесей In ,Ga,Cu на край поглощения. Опт. и спектроскопия, 1966, т. 20, Я 2, с. 297-302.

74. Гнатенко Ю.П., Курик М.В., Макаренко В.В. Оптические свойства

75. ZnTe. Ш Действие примесей Р I на край поглощения.

76. Опт. и спектроскопия, 1971, т. 30, № I, с. II2-II4.

77. Hou S.L., Beck К., Marley J.A. Type conversion and p-n junction formation in ion-implanted ZnTe.- Appl. Phys. Lett., 1969, vol.14, N5, p.151-154.

78. Marine J., Rodot H. P-n junction formation in ion- implanted ZnUeAppl. Phys. Lett., 1970, vol.17, N8, p.352-354.

79. Pautrat J.L., Bensahel D., Katirciodlu B. et.al. Ion implantation in ZnTe: defect generation, migration and annealing,-Radiat. Effects., 1976, vol.30, N1, p.107-121.

80. Mandel G. Self-compensation limited conductivity in binary semiconductors. I. Theory.- Phys. Rev,, 1964, vol.134, N4A, p.1073-Ю79.

81. Sato H, Effects of impurity-vacancy complex on the degree of compensation in compound semiconductors,- J. Phys. Soc. Jap., 1966, vol.21, p.1481-1485.

82. ZnTe diodes.- Jap. J. Appl. Phys., 1965, vol.4, N5, p.343-347.95* Watanabe N. Forward and reverse biased electroluminescence in alloyed ZnTe diodes.- Jap. J. Appl. Phys., 1966, vol.6, N1, p.12-18.

83. Miksic M.G., Mandel G., morehead F.F. et. al. Injection electroluminescence in p-type ZnTe.- Phys. Lett., 1964, vol.11, N3, p.202-203.

84. Eastman P.O., Haering R.R., Barnes P.A. Injection electroluminescence in metal- semiconductor tunnel diodes.- Solid State Electron., 1964, vol.7, N12, p.879-885.

85. Crowder B.L., Morehead F.F., Wagner P.R. Efficient injection electroluminescence in ZnTe by avalanche breakdown.- Appl. Phys. Lett., 1966, vol.8, N6, p.148-149.

86. Morehead F.F., Crowder B.L. Photo-p-n-junction in ZnTe.- IBM J. Res. Rev., 1968, vol.12, N3, p.458-463.

87. Kennedy D.I., Russ M. The effect of anneling procedures on photoluminescence and electroluminescence in ZnTe.- J. Phys. and Chem. Sol., 1971, vol.32, N4, p.847-855.

88. Merz J.L. Isoelectronic oxygen trap in ZnTe.- Phys. Rev., 1968,vol.176, N3, p.961-968.

89. Donnelly J.P., Foyt A.G., Lindley W.T. et. al. M-i-S electroluminescent diodes in ZnTe.- Solid-State Electron., 1970, vol.13, N6, p.755-758.

90. Gu J., Totnomura K., Yoskhikawa N. et. al. MIS electroluminescent diodes in ZnTe prepared by Al diffusion.- J. Appl. Phys., 1973, vol.44, N10, p.4692-4695.

91. Saji M. Okada K., Inhiwari M. Al diffusion in ZnTe single crystals and ZnTe junctions.- Оё бццури., i98o, vol.49, n5, p.452-459.

92. Marine J., Pautrat J.L., Pfister J.C. et. al. L1implantation2 ^ionique dans les semiconducteurs А Б Acta, electron., 1976, vol.19, N2, p.161-168.

93. Кот M.B., Панасюк Л.М., Симашкевич А.В., Цуркан A.E. О собственном рекомбинационном излучении теллурида цинка. физ. тверд, тела, 1965, т. 7, В. 4, с. 1242-1243.

94. Кот М.В., Цуркан А.Е. Рекомбинационное излучение в p-ri переходах из£п.Те, легированного различными примесями. В кн. Полупроводниковые соедин. и их твердые р-ры. Кишинев, АН Молд. ССР, 1970, с. 10-16.

95. Тупеневич П.А., Кононенко B.K., Ляхович А.К. Получение низко-омных омических контактов к p-ZnTe. Приборы и техн. эксперимента, 1974, № 3, с. 214-215.

96. Бужор Л.В. Получение и электрофизические свойства гетеропереходов окись цинка теллурид цинка. - Автореф. Дис. канд. физмат. наук. Кишинев, 1983, - 16 с.

97. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972, 216 с.

98. ИЗ. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975, 276 с.

99. Малышев В.А. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов методом сопротивления растекания. М.: ЩИИ, Электроника, 1974, 84 с.

100. Грибковский В.П., Макрицкий Ю.В., Межевич И.Д. Установка с автоматической записью диаграммы направленности полупроводниковых излучателей. В кн. Ш Всесоюз. науч.-техн. конференция "Фотометрия и ее метролог-ое обеспеч-е", 1979, с. 139.

101. Кот М.В., Прилепанов В.Д., Цуркан А.Е. Электрические свойства легированного р-типа Z/гТе . В кн. Полупрово дн. со един, и их твердые растворы. Кишинев, АН Молд. ССР, 1970, с. 3-10.

102. Иванов В.А., Кашина И.А., Лукашевич П.Г. Выращивание совершенных кристаллов ZnTe из нестехиометрического расплава. Тез. докл. 5й Республиканской конференции молодых ученых по физике. Витебск, 1978, с. 88.

103. Грибковский В.П., Зимин Л.Г., Иванов В.А. и др. Теллурид цин-ка-перспектиБный полупроводниковый материал для оптоэлектроники. Минск, - 4 с. (Препринт/ Ин-т физики АН БССР).

104. Лукашевич П.Г., Грибковский В.П., Иванов В.А. Стиммулированное излучение нелегированного теллурида цинка при однофотонном оптическом возбувдении. Ж. прикл. спектроскопии, 1980, т. 32 № 6, с. 1073-1078.

105. Грибковский В.П., Запорожченко В.А., Иванов В.А. и др. Генерация в монокристаллах ZnTe , Znie и Cd$ при возбуждении пикосекундными импульсами рубинового лазера. Квант, электрон1979, т. 6, № 10, с. 2229-2232.

106. Иванов В.А., Грибковский В.П., Яблонский Г.П. Линейчатый спектр фотолюминесценции ZttTe в области Eg-200 мэВ. Тез.докл. У Всесоюзного совещания по физике и техническому примене1. П У1нию полупроводников А В . Вильнюс, 1983, т. 2, с. 39-40.

107. Иванов В.А., Грибковский В.П. Влияние структурных дефектов налюминесценцию кристаллов ZnTe. -Тез. докл. У Всесоюзного совещатт vtния по физике и техническому применению полупроводников А В ,

108. Вильнюс, 1983i т. I, с. 52-53.

109. Иванов В.А., Яблонский Г.П., Грибковский В.П. Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка. Физ. тверд, тела, 1984, т. 26, В. 3, с. 754-757.

110. Liliental 2., Mizera Е., Bartsch Н. Some remarks on the real structure investigation on ZnTe and CdTe crystals by transmission microscopy.- Phys. Stat. Sol., 1974, vol.A23, N2, P.K115-K116.

111. Magee T.J., Peng J. Microscopic defects and infrared absorption in cadmium telluride.- Phys. Stat. Sol., 1975, vol.A27, N2,p.557-564.

112. Auleytner J., Liliental Z., Mizera E. et. al. On X-ray and electron microscopic characterization of lattice deffects in A2B6 semiconductor compounds.- Phys. Stat. Sol., 1979, V0I.A55, N2, p.603-609.

113. Negryi V.D., Osipyan Yu.A. Dislocation emission in CdS.- Phys. Stat. Sol., 1979, V01.A55, N2, p.583-588.

114. Кириченко Л.Г., Петренко В.Ф. Исследование глубокого дислокационного уровня в методом фотостиммулированной проводимости.» Физ. тверд, тела, 1980, т. 22, В. 6, с. 1590-1594.

115. Aschy М.Е. Gelles S.H., Tanner L.E. The stress at which dislocations are generated at a particle-matrix interface,- Philos. Mag., 1969, vol.19, N160, p.757-771.

116. Kwietniak M., Oka Y., Kushida T. temperature dependence of Raman scattering and exciton luminescence spectra in ZnTe.- J. Phys. Бос. Jap., 1978, vol.44, N2, p.558-564.

117. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск; Наука и техника, 1975, с. 126.135* ^олле Э.П. Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения. Тр. физ. ин-та АН СССР, 1981, т. 128, с. 65-102.

118. Mysyrowicz A., Grun J.В., Bivas A. et. al. Variation de l'inten-site D'emission de raies d'excitons pieges dans CdS'a 4,2 Кen fonction de l'intensite d'excitation.- C.r. Acad. sci., 1968, vol.268, N10, p.620-622.

119. Багаев B.C., Падучих П.Н., Сахоненко Т.С. Люминесценция при высоких уровнях фотовозбуждения. Сб. Экситоны в полупроводниках, М.: Наука, 1971, с. 54-65.

120. Власов А.Н., Кабанов А.Н., Курбатов Л.Н. и др. Установка для измерения времени жизни неосновных носителей в полупроводниках.-Приборы и техн. эксперимента, 1970, № I, с. 222-223.

121. Read W.T. Theory of dislocations in germanium,- Philos. Mag., 1954, vol.45, N267, p.755-796.

122. Бонч-Бруевич В.Л., Гласко В.Б. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. I. Линейные дислокации. Физ. тверд, тела, 1961, Т.З, B.I, с.36-46.

123. Бонч-Бруевич В.Л. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. П. Винтовые дислокации. Физ. тверд, тела, 1961, т.З, B.I, с.47-52.

124. Гиппиус А. А. Излучательная рекомбинация на дислокациях в германии. В кн. Труды Физичес. ин-та АН СССР, 1966, т. 37,с.3-40.

125. Квидер В.В., Осипьян Ю.А. Исследование дислокаций в кремнии методом фото-ЗПР. Ж. экспер. и тех. физ., 1981, т.80, № 3, с.I206-I2I6.

126. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974, 181 с.14.5. Негрий В.Д., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на процессы излучат ел ьной рекомбинации в сульфиде кадмия. Физ. тверд, тела, 1978, т.20, В.З, с.744-752.

127. Loh Е., Newman R. The absorption edge of zinc telluride.-J. Phys. and Chem. Solids, 1961, vol.21, N^-4, p.324-327.

128. Иванов В.А., Грибковский В.П., Зюльков В.А. и др. Фотолюминесценция дефектов, образующихся в In Те при облучении мощными импульсами лазера. Ж. прикл. спектроскопии, 1983, т. 39, Л6, с.1007-1010.

129. Бродин М.С., Давыдова Н.А., Шаблий Н.Ю. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов CdS . Физ. и техн. полупроводников, 1976, т.10, В.4, с.625-630.

130. Бродин М.С., Городецкий И.Я», Корсунская Н.Е. и др. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллов Cd£. укр. физ. ж., 1979, т.24, № 10, с.1539-1544.

131. Selim F.A., Swaminathan V. Kroger F.A. Precipitation in pure and indium-doped CdTe as a function of stoichiometry.- Phys. Stat. Sol., 1975, vol.A29, N2, p.465-4-73.

132. Liliental Z., Bartsch H. The effect of diffusion of Ag on the real structure of ZnTe crystals.- Phys. Stat. Sol., 1976, vol.A34, N1, P.K5-k6.

133. Liliental Z., Pasemann M., Werner P. Electron microscopic ivestigations of precipitates in Cu- doped ZnTe.- Phys. Stat. Sol., 1979, V0I.a56, N2, p.679-685.

134. Фридель Ж. Дислокации. M.: Мир, 1967, 415 с.

135. Жмурко А.Н., Коротченков О.А., Курик М.В. Островский И.В. Акустолюминесценция кристаллов ?пТе. Физ. тверд, тела, 1983, т.25, В.7, с.2182-2184.

136. Беляева А.К., Грибковский В.П., Иванов В.А., Яблонский Г.П. Люминесценция кристаллов ZaTe при лазерном возбуждении. -Ж. прикл. спектроскопии, 1981, т.35, № 5, с.801-805.

137. Грибковский В.П., Иванов В.А., Межевич И.Д., Болтунов В.Н. Электро- и фотолюминесценция теллурида цинка, легированного донорами. Вести АН БССР, сер. физ.-мат. наук, 1982, 16 6, с.80-85.

138. Marine J. Etude et realisation de diodes electroluminescenter dans le tellurure de zinc par implantation ionique.- Rapp. CEA, 1972, N4515, 101 p.

139. Грибковский В.П., Беляева А.К., Зубрицкий В.В., Иванов В.А.и др. Омические контакты к ZnTe . Приборы и техн. эксперим., 1981, Л 2, с.244-245.

140. Shin К.К., Blum J.M. Contact resistances of Au- Ge-Ni, Au-Zn and Al to A^B^ compounds,- Solids-State Electron., 1972, vol.15; N11, p.1177-1180.

141. Молчанова С.А. Определение коэффициента диффузии меди и золота в арсениде галлия из количества примеси, перешедией в электролит в анодном процессе, Ж. физ* химми, 1972, т.46, № 9,с. 2373-2374.

142. Antula J. Electrolytical doping of silicon with lithium.-J. Appl. Phys., 1979, vol.50, N4, p.2721-2722.

143. Katircioglu B. Pautrat J.L. Electronic and optical parameters of an oxygen-related center in Zn-Te.- Solid. Stat. Comm., 1977, vol.21, N5, p.503-£o7.