Исследование неоднородностей в ограненных монокристаллах халькогенидов свинца-олова, выращиваемых из паровой фазы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Р Г Б ОД

2 2 НЮН 1903

На правах рукописи

Горелик Александр Иосифович

ИССЛЕДОВАНИЕ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ОГРАНЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА - ОЛОВА, ВЫРАЩИВАЕМЫХ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ

Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ - 1998

Работа выполнена в Санкт-Петербургском Государственном электротехническом университете

Научные руководители:

Доктор технических наук, профессор Яськов Д.А. Доктор физико-математических наук, ст.н.с. Мошников В.А.

Официальные оппоненты:

Доктор физико-математических наук, ст.н.с. Давыдов С.Ю. Кандидат физико-математических наук Махин A.B.

Ведущая организации: НИИ "ГИРИКОНД"

Защита диссертации состоится "/?3 " июня 1998 г. в /Ц часов на заседании диссертационного совета К 063.36.10 Санкт-Петербургского Государственного электротехнического университета по адресу: 197376, Санкт-Петербург, ул.Проф.Попова, 5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

Автореферат разослан " ¡¿Я " мая 1998 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Семенов H.H.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы

Твердые растворы халькогенидов свинца - халькогенидов олова находят практическое применение в оптоэлектронике и термоэнергетике. На их основе изготавливаются излучатели," фотоприемники и термоэлектрические преобразователи. К настоящему времени проведены обширные исследования свойств этих материалов.

Эффективность работы приборов существенно зависит от структурного совершенства используемых кристаллов, их химической однородности, а также от распределения электрофизических свойств. Поэтому в центре внимания продолжают оставаться вопросы улучшения технологии выращивания монокристаллов, поиск путей снижения их дефектности и повышения структурного совершенства.

Для роста наиболее совершенных монокристаллов обычно используют методы выращивания из паровой фазы. Однако, необходимость последующих механических этапов (резки, шлифования и полировки) значительно ухудшает качество кристаллов из-за образования нарушенного слоя. Поэтому для приборных реализаций большое значение имеют разработки и исследования, направленные на развитие технологий получения материалов, не требующих последующей механической обработки. Наибольший интерес с этой точки зрения представляет развитие методов выращивания ограненных монокристаллов халькогенидов свинца - олова малых размеров, а также исследования особенностей массопереиоса с целью получения в едином цикле управляемого количества монокристаллов.

Параметры приборов на основе халькогенидов свинца - олова существенно зависят от концентрации электрически активных дефектов, в том числе и собственных, обусловленных отклонением от стехиометрии.

Использование легирующих примесей позволяет создавать р-п-переходы, менять тип проводимости, улучшать термоэлекгричесие свойства.

Диффузия примесей в халькогенидах свинца - олова исследовалась многими авторами. Как правило, диффузию изучали на образцах, подвергавшихся механической и химической обработке, и, безусловно, наличие нарушенного слоя искажает получаемую информацию и ухудшает воспроизводимость результатов измерений.

Таким образом, влияние поверхности на поведение примеси можно оценить при легировании монокристаллов с естественной огранкой, обладающих более высоким структурным совершенством.

Так как тип электропроводности и значения концентрации носителей заряда в халькогенидах свинца - олова значительно изменяются при отклонении состава от стехиометрии в пределах области гомогенности, для оценки однородности распределения электрофизических свойств в монокристаллах малых размеров необходимо разработать локальные методики.

С этой точки зрения перспективным является термозондовый метод. К моменту начала диссертационной работы этот метод позволял получать только качественные характеристики. Для количественных оценок необходимым являлось развитие представлений о взаимосвязи между значениями коэффициентов термо-ЭДС, определяемых термозондовым и стационарным интегральным методами, а также учет влияния строения зонной структуры на зависимость коэффициента термо-ЭДС от концентрации носителей заяда.

Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с развитием методов получения ограненных монокристаллов халькогенидов свинца -олова с высоким качеством выращенной грани, влиянием качества естественной грани на процессы диффузии примесей и с разработкой количественного термозондового метода как метода физико-химического анализа твердых растворов халькогенгидов свинца - халькогенгидов олова, является актуальной.

Целью работы являлось исследование режимов выращивания и получения ограненных монокристаллов халькогенидов элементов IV группы, а также анализ однородности и распределения электрофизических свойств для создания полупроводниковых оптоэлектронных приборов, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн.

Научная новизна работы состоит в следующем: ¡.Разработана методика выбора оптимальных технологических режимов и прогнозирования результатов экспериментов по выращиванию качественных монокристаллов соединений А4В6 методом двухкамерного реактора.

2. Проведен анализ качества растущих граней методом атомно-силовой микроскопии. Установлено, что степень шероховатости граней не только зависит от условий выращивания, но и отличается для различных граней одного и того же кристалла.

3. Проведены диффузионные отжиги ограненных монокристаллов РЬТе, обладающих высоким структурным совершенством, в парах цинка и кадмия. Установлено образование слоистой структуры типа 7пТе(С<Ле)/РЬ/РЬТе на атомно-гладких поверхностях, что может быть использовано для определения степени качества полученных кристаллов.

4. Разработан количественный термозондовый метод, позволяющий проводить измерение коэффициента термо-ЭДС с локальностью порядка 40...50 мкм и обеспечивать определение однородности электрофизических свойств, оценку отклонения от стехиометрии, а также концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях А4В6 и твердых растворах на их основе.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Создано программное обеспечение для выбора оптимальных технологических режимов и прогнозирования результатов экспериментов по выращиванию качественных монокристаллов соединений А4В6 методом двухкамерного реактора.

2. Выращены ограненные монокристаллы РЬТе, РЬ1.х8пхТе (х=0.175; 0.22), РЬ5е, РЬ1-х811х8е (х=0.06; 0.1), РЬТе <Т1>, пригодные для практического применения.

3. Создан пакет прикладных программ для расчета зависимостей кинетических коэффициентов в узкозонных полупроводниковых материалах класса А4Вб и твердых растворах на их основе от состава "х", положения уровня Ферми и изменения температуры в приближениях Диммока и Кейна с учетом смешанного механизма рассеяния.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Разработанный метод, использующий кварцевый контейнер с разделенными камерами, позволяет не только эффективно управлять массопереносом и регулировать количество возникающих зародышей, но и обеспечивает возможность получения ограненных легированных монокристаллов с саморегулируемым содержанием растворенной примеси.

2. Разработанные модельные представления и программное обеспечение по нестационарному термозондовому методу в рамках моделей Кейна и Диммока обеспечивают возможность определения концентрации носителей заряда в локальной области для халькогенидов свинца - олова, позволяют оценивать отклонение от стехиометрии в микрообъемах нелегированных образцов, а также анализировать перераспределение собственных

электрически активных дефектов в зависимости от термодинамических условий получения и обработки.

3. При взаимодействии паров Ъп и С<1 с атомно-гладкой поверхностью кристаллов халькогенидов свинца и твердых растворов на их основе процессы диффузии протекают по реактивному механизму с образованием поверхностного слоя 2пТе (С(1Те) и прослоек, обогащенных свинцом.

Апробация результатов

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

• Международной научно-технической конференции "Прикладная оптика" (Санкт-Петербург, 1996г.);

• Ш Международной конференции "Материаловедение и свойства материалов для инфракрасной оптоэлекгроники" (Ужгород, Украина, 1996);

• X Российском Симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка, 1997);

• 2-й Международной школе - конференции "Физические проблемы полупроводникового материаловедения" (Черновцы, Украина, 1997);

• Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ 1993-1998 гг.

Кроме того, тезисы докладов по диссертационной работе представлялись на:

• XI Международной конференции по росту кристаллов (Гаага, Голландия, 1995).

• V Европейской Конференции по развитию материалов, процессов и применению (Маастрихт, Голландия, 1997);

Публикации

По результатам диссертации опубликовано 11 печатных работ.

Структура и объем работы Диссертационная работа состоит из введения,

четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 157

наименований, и приложения. Основная работа изложена на 134 страницах

машинописного текста. Работа содержит 42 рисунка и 10 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы ее цель, научная новизна, практическая ценность и научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава диссертации носит характер литературного обзора. В ней рассматриваются основные физико-химические свойства соединений А4В6 и твердых растворов на их основе. Приводятся литературные данные о размерах области гомогенности (РЬ1.х8пх)1_уТеу и (РЬ^Пх^-уЗеу, об электрофизических и термодинамических параметрах изучаемых материалов. Показано влияние электрически активных собственных дефектов на свойства материала.

Анализируются работы, посвященные изучению зонной структуры халькогенидов свинца - олова. Отмечается существенная непараболичность зон, показаны области применения приближений Диммока и Кейна.

Рассматриваются вопросы поведения примесей в халькогенидах свинца - олова. Обобщаются сведения о взаимодействии диффузанта с кристаллами РЬ].х8пхТе и РЬ1_х8пх8е , а также собственных дефектов с примесными атомами, зависящем от технологических режимов получения и способным привести к эффекту самокомпенсации. При этом отмечается необходимость получения образцов, обладающих высоким структурным совершенством.

Обращается внимание на необходимость развития физических представлений и методик для анализа электрофизических свойств. Приводятся основные зависимости кинетических коэффициентов с учетом зонной структуры изучаемых легированных твердых растворов соединений А4В6.

На основании проведенного анализа конкретизируется постановка задач, решаемых в работе.

Во второй главе приведены данные по разработке и усовершенствованию способа выращивания ограненных монокристаллов соединений А4В6 из паровой фазы с использованием двухкамерного и трехкамерного реакторов. Для управляемого соотношения конвективного и диффузионного потоков реактор разделяли кварцевой диафрагмой с калиброванным отверстием на камеры сублимации и роста. Оптимальные размеры камер и диафрагмы подбирали эмпирически. Температурным

профилем печи обеспечиваются постоянство температурного режима вдоль камер и градиент на диафрагме. Такое расположение конструктивных элементов реактора позволяет регулировать пересыщение паровой фазы в зоне роста и достаточно эффективно управлять количеством центров зародышеобразования.

Описываются технологические режимы синтеза материалов, обработки шихты и роста ограненных монокристаллов. Обосновывается необходимость перед помещением в ампулу подвергать поликристаллическую загрузку изотермическому отжигу в условиях динамического вакуума с целью приведения состава к условию конгруэнтной сублимации, что способствует воспроизводимости условий массопереноса.

На базе двухкамерного реактора был разработан новый способ выращивания кристаллов, впервые позволивший получить монокристаллы с высоким содержанием легирующей примеси. Этот метод отличается от прототипа наличием дополнительной камеры между зоной сублимации и зоной роста.

Достоинством метода является самоорганизация в массопереносе вещества, заключающаяся в том, что потоки паров примеси и халькогенида свинца смешиваются, поступают в зону роста, и из пересыщенной паровой фазы образуется зародыш кристалла. При этом ограненные кристаллы растут свободно, насыщаясь при взаимодействии с окружающими парами. Иными словами, при высокой концентрации примеси в паровой фазе кристалл забирает ее ровно столько, сколько может взять. Движущей силой процесса является градиент температуры и химический потенциал.

Экспериментальная апробация метода проводилась на примере РЬТе<Т1>. Впервые получены монокристаллы, причем содержание таллия составляло »2 мол.%.

Для воспроизводимого зародышеобразования и управления количеством растущих кристаллов разработана математическая модель и составлено программное обеспечение. В основе разработки лежало предположение, что число растущих кристаллов должно зависеть от потока вещества в камеру роста и от некого параметра, представляющего собой интегральную характеристику процессов, протекающих при адсорбции молекул вещества на кварцевую подложку:

N =

где - поток вещества, Ба - площадь отверстия диафрагмы, А] -"единичный поток" - такой поток вещества через диафрагму, при котором при данных условиях наиболее вероятно образование лишь одного зародыша. Параметр А1 является подгоночным, но его приблизительные значения могут быть получены экспериментально путем реализации таких условий роста, при которых образуется единичный зародыш, и последующего расчета значения потока вещества Ъ по известным методикам [1]. Единичный поток не является неизменной величиной и необходимо определять его значения для различных температурных режимов, но экспериментально установлено, что при изменении температуры в зоне роста на 10 К (в любую сторону) и перепада температур на диафрагме на 5 К параметр А1 изменяется не более, чем на 5-10%, что практически не сказывается на точности вычислений, т.к. это изменение не превышает погрешности расчета значения потока вещества 1у.

На основе этой математической модели было разработано программное обеспечение для расчета среднего количества растущих монокристаллов в зависимости от условий эксперимента. Входными данными являются температуры в зонах роста и сублимации, масса загрузки, длина ампулы, длина камеры роста и степень откачки (или давление буферного газа, например, аргона). Затем, на основе этих данных рассчитывается значение потока вещества Л, и, путем варьирования диаметра диафрагмы, выбирается его значение, позволяющее получить в ходе роста количество выращиваемых кристаллов, соответствующее цели эксперимента.

Особое внимание уделяется экспериментальному изучению структурного качества граней растущих монокристаллов методами атомно-силовой микроскопии. Полученные результаты свидетельствуют о различном структурном совершенстве граней полученных монокристаллов (Рис.1). При этом наблюдается различие в длине и высоте ступеней на гранях 2 и 3, вызванном различным наклоном этих граней к плоскости подложки.

В третьей главе рассмотрены вопросы, связанные с развитием микротермозондового метода и разработкой специальных методик, обеспечивающих проведение количественных измерений концентрации носителей заряда в локальных областях.

Разработка методик проводилась с учетом физико-химических свойств анализируемых материалов и охватывает весь класс узкозонных полупроводников на основе халькогенидов свинца-олова.

Большое внимание уделялось созданию программного обеспечения термозондовых измерений. Приводится описание программ, написанных на

языке Pascal для ЭВМ, совместимых с ЮМ PC. Составленные программы обеспечивают определение концентрации носителей заряда по значениям коэффициента термо-Э.Д.С. а в рамках различных модельных

Рис.1. Данные атомно-силовой микроскопии по исследованию качества граней выращенных кристаллов, а - расположение исследованных граней, б,в - поверхность грани 1; г,д -поверхность грани 2; е,ж - поверхностьграни 3.

представлений, соответствующих приближениям параболической и кейновской моделей, а также модели Диммока. Предусмотрен учет как одного, так и нескольких механизмов рассеяния.

Составлено программное обеспечение, позволяющее проводить расчеты основных кинетических коэффициентов в твердых растворах халькогенидов свинца - олова во всем диапазоне составов (для материалов, не имеющих непрерывного ряда твердых растворов - в диапазоне их существования) для различных значений состава, температуры, положения уровня Ферми с учетом приближений Кейна и Диммока. Для этого были получены следующие выражения для интегралов Ферми, соответствующих различным моделям: в приближении Кейна:

0Д л) (1 + 2Ре)1 ■

для смешанного механизма рассеяния:

в приближении Диммока:

А1„{ц\Ц,Д) = / -

£о

де

е + Ре2

.(и-А^+А^)

-йе

2А, А,

1 + А ,Ре 1 +

для смешанного механизма рассеяния:

е + РЕ

N3/2

.(1 + А/У&)(1 + Д(^)

СО / /у >

к 1 1., ^ 2Д, , А,

*-1

а в

Ъ к \1 + А,р£ 1 + А ,р£.

к

\

г

Здесь Р =

Е .

т /и

V I" I г 11

параметры, характеризующие отклонение зон от параболичности и влияние дальних зон, т(е) - время релаксации.

Проведено тестирование расчетных результатов по различным взаимным соотношениям между кинетическими коэффициентами. Установлено хорошее согласие между расчетными и экспериментальными значениями коэффициента термо-ЭДС, собственной концентрации носителей заряда, подвижности носителей, ширины запрещенной зоны и т.п. в зависимости от положения уровня Ферми, концентрации носителей, температуры и состава твердых растворов в интервале температур 77...450 К. Разработанное программное обеспечение положено в основу термозондового метода. Созданный пакет прикладных программ позволяет проводить анализ концентрации носителей для образцов халькогенидов свинца - олова без предварительного построения калибровочных зависимостей.

В четвертой главе анализируется распределение компонентов материала в образце. Рассматривается методика проведения рентгеноспекгрального микроанализа.

Обсуждаются вопросы поведения примеси цинка и кадмия в монокристаллах халькогенидов свинца-олова и их взаимодействия с основным материалом. Приводится термодинамический расчет протекающих химических реакций. Показано, что при легировании теллурида свинца цинком или кадмием наиболее вероятно протекание следующих реакций:

Проведенные эксперименты по легированию РЬТе и РЬБпТе цинком и кадмием подтвердили полученные результаты.

Приводятся данные термозондовых и рентгеноспекгральных исследований монокристаллов халькогенидов свинца-олова, легированных цинком и кадмием, с различным качеством выращенной грани.

В результате проведенных с образцами РЬТе и РЬБпТе экспериментов делается вывод, что рельеф диффузионного профиля цинка и кадмия существенным образом зависит от качества выращенной грани (Рис.2,3). Исследования на образцах с высоким структурным совершенством, выращенных методом двухкамерного реактора позволили впервые

1п + РЬТе 2пТе + РЪ Сс1 + РЬТе -» Сс1Те + РЪ

обнаружить образование четко выраженной слоистой структуры с поверхностным слоем, содержащим теллурид цинка (кадмия) и с промежуточным слоем, практически лишенным теллура (Рис.2).

г.::цх i|||i «П!кш;а: iiiiii'i&iii;

ji'liiXH'Ui'!

¿¡ШГ

Шшшт®

I ^ - ^ -, tf 1

i,": г j

U ■!» ' -"J /

J

Рис.2. Распределение компонентов в образце РЬТе, легированном кадмием, с высоким качеством естественной грани

а - электронное изображение (100x100 мкм2); б - рентгеновское изображение в лучах Cd Ка; в - рентгеновское изображение в лучах Pb La; г - рентгеновское изображение в лучах Те La;

Рис.З. Распределение компонентов в образце РЬТе, легированном кадмием, с низким качеством естественной грани

а - электронное изображение (100x100 мкм2); б - рентгеновское изображение в лучах Сс1 Ка; в - рентгеновское изображение в лучах РЬ Ьа; г - рентгеновское изображение в лучах Те Ьа;

Это дает возможность использовать описанные выше диффузионные процессы для контроля качества грани. Наличие дефектной структуры на поверхности кристалла приводит к "размытию" диффузионного профиля, что можно успешно контролировать с помощью рентгеноспектрального микроанализа.

вьгаоды

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Предложен способ и создано аппаратурное оснащение для получения ограненных монокристаллов полупроводниковых твердых растворов А4Вб, легированных в процессе роста.

2. Выращены монокристаллы РЬТе, БпТе, РЬ2.х8пхТе (х=0.175...0.22), РЬТе <Т1>, РЬ^п^е (х=0.06...0.1).

3. Предложена математическая модель массопереноса компонентов в паровой фазе с учетом диафрагмы, разделяющей камеру сублимации и камеру роста.

4. Построены экспериментальные зависимостти количества монокристаллов, растущих в едином технологическом цикле, от технологических режимов роста, составов загрузки, доведенной до условий конгруентной сублимации, а также объемов камеры роста и камеры сублимации.

Экспериментально определено, что при температуре в зоне сублимации 1123 К и градиенте температуры 2 К максимальный диаметр диафрагмы, при котором монокристаллы РЬТе не срастаются в друзы, составляет 5мм при диаметре ампулы в зоне роста 30 мм.

5. Составлено программное обеспечение и проведено моделирование процессов зародышеобразования и роста малых ограненных кристаллов при вариации таких экспериментальных факторов, как значения температур в зонах роста и сублимации, массы загрузки и диаметра отверстия диафрагмы.

Созданные программы в принципе применимы для широкого класса полупроводников и позволяют осуществить выбор оптимальных технологических режимов. Результаты моделирования удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными по росту монокристаллов РЬТе.

6. Развит количественный нестационарный термозондовый метод. Составлено программное обеспечение и база данных, позволяющие определять концентрационные зависимости коэффициента термо-ЭДС, что обеспечивает определение концентрации носителей заряда в локальных областях с локальностью ~ 25 мкм и точностью в области собственной концентрациии ~1016 см'3.

7. Разработанное программное обеспечение учитывает строение энергетических зон и позволяет проводить расчеты в приближениях Кейна и Диммока в предположнении одного или нескольких механизмов рассеяния с возможностью учета второй валентной зоны.

Программы могут быть использованы для анализа зависимости и других кинетических коэффициентов от положения уровня Ферми.

8. На основе литературных данных и проведенных нами экспериментов получены экспериментальные зависимости коэффициента термо-ЭДС и концентрации носителей заряда для системы PbSnTe (х=0...0.4) и PbSnSe (х=0...0.1). Экспериментальные и расчетные зависимости удовлетворительно согласуются во всем диапазоне составов и интервале температур от 77 до 450 К.

9. Проведены диффузионные отжиги монокристаллов РЬТе в парах цинка и кадмия в интервале температур 500-700 °С. Процесс диффузии осуществлялся в направлении (100). Использовались кристаллы с естественной огранкой.

10. Рентгеноспекгральным микроанализом и количественным нестационарным термозондовым методом изучено перераспределение вещества на диффузионном фронте. Установлено, что на характер диффузионных процессов существенно влияет струюурное качество естественной огранки. На наиболее высококачественных гранях впервые обнаружено образование слоистой структуры типа ZnTe/Pb/PbTe и CdTe/Pb/PbTe.

Список цитируемой литературы

1. Дерновский В.И. Рост кристаллов из газовой фазы: влияние параметров процесса на условия переноса в закрытой системе // Деп. в ВИНИТИ 06.04.88.- №2620-В88.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Горелик А.И., Межва М., Мошников В.А. Количественный термозондовый анализ твердых растворов теллурида свинца - теллурида олова.// Изв.ГЭТУ,- 1994,- Вып.471,- С.26-34.

2. Бестаев М.В., Горелик А.И., Гречко A.B., Ясысов Д.А. Исследование твердых растворов теллурида свинца - теллурида олова количественным термозондовым методом с учетом сложного механизма рассеяния.// Изв.ГЭТУ,- 1995,- Вып.488,- С.57-64.

3. Бестаев М.В., Горелик А.И. Управление зародышеобразованием при выращивании монокристаллов Pbi.xSnxTe из газовой фазы.// Изв. ГЭТУ-1996,- Вып.495,- С.41-45.

4. Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Лазерные материалы на основе халькогенидов свинца-олова для сенсорики ИК-диапазона.// Оптический журнал.-1997.-Т.64,-N3,- С.116-119.

5. Gorelik A., Moshnikov V., Yaskov D. Local Method for Control of Intrinsic Electrical Active Defects in PbSnTe // Abs. of Xith International Conference on Crystal Growth, June 18-23 1995, Hague, Netherlands, 1995, P204C.31.

6. Бестаев M.B., Горелик А.И., Мошников B.A., Таиров Ю.М. Лазерные материалы на основе халькогенидов свинца-олова для сенсорики ИК-диапазона.// Тез. докл. Международной конференции "Прикладная Оптика'96", 17-20 сентября 1996 г., Санкт-Петербург, 1996, с.207.

7. Bestaev М., Gatsoev К„ Gorelik A., Moshnikov V. Influence of Growth Conditions on Structure Perfection of Lead-Tin Chalcogenides.// Abs. of Third International Conference "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics", 30 September - 2 October 1996, Uzhgorod, Ukraine, 1996, p.69.

8. Bestaev M., Gorelik A., Moshnikov V., Tairov Yu. Electrophysical Properties Local Diagnostic of Surfase Layers in Lead-Tin Chalcogenides.// Abs. of 5th European Conference on Advanced Materials, Processes and Applications, 21-23 April 1997, Maastricht, Netherlands, 1997, FP276.

9. Бестаев M.B., Горелик А.И., Крюков И.И., Мошников В.А. Применение рентгеноспекгрального микроанализа для исследования реактивной диффузии на поверхности монокристаллов халькогенидов свинца - олова // Тез. докл. X Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, июнь 1997 г., Черноголовка, 1997, с.54

10.Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Рентгеноспекгральный микроанализ легированных монокристаллов РЬТе и Pb0.sSn0.2Te// ФТТ1- 1997.-Вып.31,- №8,- С.980-982

11.Bestaev М., Gorelik A., Moshnikov V. Growth of lead-tin tellurides monocrystals from vapor phase with tellurides forming impurities / Abs. of 2nd International School - Conference "Physical problems in material science of semiconductors". 8Л-12Л of September, 1997, Chemovtsi, Ukraine, p.16.