Халькогениды элементов четвертой группы тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

РАЗРАБОТКА МЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ ОГРАНЕННЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ

1.1. Анализ причин деградации инжекционных лазеров на основе соединений и твердых растворов АЧВ6.

1.2. Природа образования преципитатов в процессе термоцикли-рования.

1.3. Выращивание монокристаллов соединений и твердых растворов А4В6.

1.4. Влияние механических операций обработки на структурное качество кристаллов.

1.5. Новый способ получения управляемого количества монокристаллов малых размеров с естественной огранкой.

1.5.1. Конструкция реактора.

1.5.2. Синтез исходной загрузки.

1.5.3. Подготовка шихты для выращивания кристаллов из паровой фазы.

1.5.4. Моделирование массопереноса в запаянной ампуле.

1.5.5. Кристаллизация РЬ1х8пхТе из паровой фазы методом двухкамерного реактора.

1.5.6. Рост ограненных монокристаллов РЬТе, легированных таллием и галлием в процессе роста.

1.5.7. Математическая модель расчета для прогнозирования числа выращиваемых кристаллов в зависимости от условий роста.

Выводы.

2. АНАЛИЗ СТРУКТУРНОГО СОВЕШЕНСТВА ОГРАНЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ А4Вб.

2.1. Исследование структурного совершенства монокристаллов РЬ1.х8пх8е рентгендифракционными методами.

2.2. Результаты анализа по методу 8/29 - сканирования.

2.3. Исследование совершенства выращенных монокристаллов в режиме ©-сканирования.

2.4. Определение количественных параметров, характеризующих структурное совершенство.

2.5. Электронно-зондовые исследования структурного совершенства кристаллов методом псевдокосселя.

2.6. Анализ плотности дислокаций методом электролитического травления.

2.7. Атомно-силовая микроскопия монокристаллов

РЬьхЭпхБе.

2.8. Достоинства и недостатки термозондового метода.

2.9. Разработка нестационарного термозондового метода.

2.10. Разработка программы расчета зависимости коэффициента термоЭДС от концентрации носителей заряда.

2.10.1. Описание программы.

2.10.2. Программа расчета зависимости коэффициента термоЭДС от концентрации носителей заряда в Кейновском приближении.

2.10.3. Учет смешаного механизма рассеяния.

2.10.4. Программа расчета зависимости коэффициента термоЭДС от концентрации носителей заряда в приближении Диммока.

2.11. Изучение однородности твердых растворов (РЬ1.х8пх)1.у8еу методом внутреннего трения.

2.12. Оценка состава поверхности монокристаллов халькогенидов свинца-олова.

Выводы.

3. АНАЛИЗ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ.ИЗ

3.1. Диффузия примесей в теллуриде свинца.

3.2. Диффузия Бп в РЪТе.

3.3. Диффузия германия, сурьмы и таллия в РЬ1х8пхТе.

3.4. Диффузия кадмия, цинка и серебра в халькогенидах свинца-олова.

3.5. Диффузия свинца в теллурид олова.

3.6. Свойства легированных твердых растворов теллуридов свинца-олова.

3.7. Диффузия примесей в твердый раствор РЦ^БподТе.

3.7.1. Диффузия Сё, Ъп в РЪоЛдТе.

3.7.2. Зависимость диффузионных параметров 1п в РЬо^ПодТе от концентрации собственных электрически активных дефектов исходных кристаллов.

3.8. Диффузия гремания в РЬо^подТе.

Выводы.

4. СВОЙСТВА ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ И ИХ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ.

4.1. Исследование фотолюминесценции в ограненных монокристаллах.

4.2. Механическая подготовка поверхности монокристалла.

4.3. Электрохимическая обработка поверхности и ее анализ.

4.4. Инжекционные лазеры на РЬ^^е.

4.5. Инжекционные лазеры на РЬю^БподТе.

Выводы.

5. ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СЕНСОРЫ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ

ЭЛЕМЕНТОВ ЧЕТВЕРТОЙ ГРУППЫ.

5.1.Физико-химические свойства и кристаллографические характеристики Sn02.

5.2. Кинетика окисления пленок олова на воздухе.

5.3. Получение пленок Sn02 в контролируемой атмосфере кислорода и кинетика их окисления.203.

5.4. Атомно-силовая микроскопия слоев диоксида олова как метод контроля технологических режимов

5.5. Разработка способа анализа субмикровыделений в поликристаллических слоях диоксида олова.

5.6. Установка для контроля чувствительности газочувствительных слоев диоксида олова по отношению к парам органических соединений и продуктам их сгорания.

5.7. Анализ свойств газочувствительных слоев для датчиков контроля паров толуола в атмосфере, содержащий угарный газ.

5.8. Деградация газочувствительных слоев.

5.9. Датчики токсичных и взрывоопасных газов и паров на основе полупроводникового диоксида олова.

5.10. Устройство для измерения дымности отработавших газов дизелей.

Выводы.

Актуальность темы. Современная наука и техника испытывают острую потребность в источниках когерентного излучения на область спектра до 32 мкм для создания спектрометров ультравысокого разрешения. Ультравысокая спектроскопия газовых сред необходима в медицинской диагностике для анализа в составе выдоха человека СО и СО2 с заданным содержанием

1 Л 1 -э нерадиоактивных изотопов Си С; экологического мониторинга; контроля технологических газовых сред; анализа адсорбции газов на поверхности датчиков; для целей современной физики при анализе взаимодействий, приводящих к смещению энергетических уровней колебательно-вращательных спектров.

Решение всех этих важнейших научных и технических проблем требует создания инжекционных лазеров на узкозонных полупроводниках, работающих в импульсном режиме с плавно меняющейся частотой. Принципиально эта задача может быть решена только на основе соединений и л гтвердых растворов А В . Однако, все существующие методы получения

4 6 полупроводников А В как в объемном, так и в пленочном исполнении не обеспечивают работоспособности приборов в необходимых условиях жесткого термоциклирования. Недостаточно изучены вопросы физики узкозонных полупроводников в области взаимодействий собственных дефектов и примесей, приводящих к выделению преципитатов второй фазы в процессе получения или термической обработки. Проведение длительных гомогенизирующих отжигов приводит к ухудшению структурных характеристик материала.

Поэтому развитие комплексных представлений о деградационных процессах в узкозонных полупроводниках и новых способах роста кристаллов структурно устойчивых к условиям термоциклирования является актуальной задачей как с научной, так и с практической точек зрения.

Цель работы заключалась в выявлении физико-технологических закономерностей, сопровождающих получение монокристаллов халькогенидов элементов 4-ой группы и особенностей формирования диффузионных р-п-переходов при легировании из паровой фазы для создания сканирующих инжекционных лазеров ультравысокого разрешения.

Задачи, вытекающие из поставленной пели: 1). Разработка комплексных методик локального анализа для контроля однородности химического состава образцов и состава микро- и нановыделений. 2). Исследование природы возникновения преципитатов. 3). Разработка методов выращивания высококачественных ограненных монокристаллов. 4). Анализ диффузионных процессов. 5). Создание инжекционных лазеров и их техническое применение. 6). Использование разработанных методик для оптимизации свойств газочувствительных сенсоров на основе оксидов элементов 4-ой группы.

Структура диссертационной работы представлена на рис. 1. Объекты, методы получения и исследования. Исследования проводились на соединениях, выращенных нами: теллуриде свинца, теллуриде олова и диоксиде олова; твердых растворах теллурида свинца - теллурида олова, селенида свинца -селенида олова, теллурида свинца - теллурида германия, а также, впервые полученных твердых растворах теллурида свинца - теллурида таллия и теллурида свинца - теллурида галлия. Халькогениды выращивались статическим методом сублимации в запаянных кварцевых реакторах специальной конструкции, предварительно откачанных до соответствующего вакуума или заполненных инертным газом, предложенным в работе новым способом. Свойства кристаллов, выращенных новым способом, сопоставлялись с аналогичными свойствами материалов, синтезируемых по традиционным технологиям (метод Бриджмена -Стокбаргера, метод Чохральского, метод выращивания из паровой фазы). Слои диоксида олова были получены методом окисления пленок в контролируемой атмосфере кислорода, предложенным в диссертации способом

Р1)1Л.Япх7с; П11К8п^с; РЬ, хСехТе; РЬ, хТ1хТе )

ОЧИСТКА ИСХОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ

СИНТЕЗ

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ИЗ РАСПЛАВА АС. №1287644

УПРАВЛЕНИЕ СОСТАВОМ ЗАГРУЗКИ А.С. №1365752, ЛИ 70)069

РОСТ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ОГРАНЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ А С. №1365752

КОН 1 РОЛЬ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛОВ гттг:::

СОЗДАНИЕ ПНЖЕКИИОННЫХ ДИОДОВ АС. №1659536, №1701069

ТЕ(ТИ1Ч)ВАННЕ МАКЕТОВ ПРИБОРОВ

РОСТ НА «ВРЕМЕННОЙ. ПОДНОЖКЕ

-1

ВЫБОР ПРИМЕСЕЙ

Рис. 1 Ff К ОГЫ SnO, изготовления из шихты, предварительно легированной легколетучими примесями.

Для анализа совершенства кристаллической структуры, однородности химического состава и электрофизических свойств проводились комплексные исследования с использованием современных физических методов изучения твердых тел, включая: рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), атомно-силовую микроскопию (АСМ), электронную микроскопию, рентгеновскую топографию и дифрактометрию, метод внутреннего трения (ВТ), метод выявления м икронеоднородностей при электрохимическом травлении, нестационарный термозондовый метод, оже - электронный микроанализ. При этом для получения необходимой информации по концентрации носителей заряда в микрообъемах были проведены методические разработки по нестационарному термозондовому методу.

Научная новизна работы заключается в решении материаловедческих задач по получению халькогенидов и оксидов элементов 4-ой группы, и установлении взаимосвязи между параметрами полупроводниковых структур и технологическими режимами. Конкретная формулировка приводится в научных положениях, отвечающих требованию новизны.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Выращивание монокристаллов халькогенидов элементов четвертой группы и твердых растворов на их основе из паровой фазы в закрытой системе, разделенной диафрагмой на камеры роста и источника, обеспечивает управление количеством выращиваемых кристаллов с естественной огранкой путем выбора расположения диафрагмы в зоне градиента температур и поддержания постоянства температур вдоль камер роста и источника. Воспроизведение процессов роста достигается при условиях, близких к конгруэнтной сублимации.

2. Оптимальные значения концентрации носителей заряда для эффективной работы инжекционных лазеров на основе халькогенидов четвертой группы,

17 3 соответствуют диапазону (1.5)-10 см". Повышение концентрации приводит к повышению вероятности образования преципитатов, а снижение - к нарушению условий возникновения лазерного излучения.

3. Механизмы роста грани зависят от процессов релаксации упругой энергии. В результате релаксационных сдвигов, одна из граней приобретает спиральный механизм роста. При этом скорость роста в данном направлении резко возрастает. При создании лазерных диодов, предпочтительно проведение диффузионных процессов со стороны медленно растущей грани.

4. При легировании халькогенидов четвертой группы металлами с низкими значениями собственных парциальных давлений (1п, Оа, Бп, Ое) массоперенос осуществляется с участием паров молекул халькогенов, находящихся в паровой фазе, путем образования халькогенидов металлов (БпТе, ОеТе, 1пТе, ОагТе), имеющих значительно более высокую упругость паров, чем чистые элементы. При отжиге с чистыми металлами это приводит к образованию на поверхности кристаллов либо слоев халькогенидов металлов примесей, либо твердых растворов замещения в результате взаимодиффузии.

5. Наблюдаемое и отмечаемое многими авторами резкое изменение концентрационного профиля носителей заряда в кристаллах р-типа в процессе диффузионных насыщающих отжигов в парах с избытком металла вызвано не ускорением диффузии, а выделением преципитатов халькогена во всем объеме кристаллов, которое может приводить к сквозному легированию независимо от размеров образца.

6. Легирование исходной загрузки олова теллуром и йодом в виде 8пТе<1> в процессе отжига в контролируемой атмосфере кислорода обеспечивает возможность управления размерами зерен и рельефом поверхности, что приводит к появлению принципиально новых свойств - чувствительности к слабополярным молекулам толуола.

7. Разработанная методика на основе внутреннего трения позволяет контролировать сегрегацию легкоплавких субмикровыделений на границе зерен в процессе обработки и эксплуатации.

Практическая ценность работы.

В работе предложен новый способ выращивания из газовой фазы ограненных монокристаллов халькогенидов металлов и твердых растворов А4В6 и реактор для его осуществления, позволяющий воспроизводимо получать материалы с заранее заданными физическими свойствами.

Создано программное обеспечение для выбора оптимальных технологических режимов и прогнозирования результатов экспериментов по выращиванию качественных монокристаллов.

Разработан новый способ выращивания, впервые позволивший получить монокристаллы с высоким содержанием легирующей примеси, а также вырастить монокристаллы твердых растворов РЬьЛУГе, РЬь/хаДе. Предложено устройство для выращивания кристаллов методом Чохральского, исключающее попадание загрязнений в расплав. Кроме того, обеспечивается проведение многократных вытягиваний из расплава без вскрытия рабочей камеры после каждого вытягивания, что обычно необходимо делать в базовом устройстве для очистки штока.

Разработан способ получения однородных полупроводниковых кристаллов из расплава соединении А4Вб по методу Чохральского, исключающий разложение исходной синтезированной полупроводниковой шихты при нагревании до температуры плавления.

Собрано устройство для измерения задымленности отработанных газов дизелей, с покрытием оптически прозрачными пластинами диоксидом олова, служащим электрическим нагревательным элементом и позволяющим существенно уменьшить рабочую оптическую длину между источником света и фотоэлементом.

12

Предложен способ формирования р-и-переходов на основе соединений А4В6 и управления концентрацией носителей заряда, позволяющий избавиться от термического отжига кристаллов, который требует больших временных затрат и приводит к ухудшению качества р-и-переходов, что в итоге отрицательно влияет на основные характеристики лазерных диодов.

Разработан способ определения температуры инверсии электропроводдносш на границе области гомогенности соединений А4В6, позволяющий сократить время определения температуры изменения типа проводимости и исключающий наличие калибровочных кривых, которые устанавливают корреляционную зависимость между коэффициентом термоЭДС. и концентрацией собственных дефектов, что приводит к существенному уменьшению времяемкости (построение калибровочных кривых, как правило, требует нескольких месяцев лабораторных исследований).

Изготовлены лазеры, которые были использованы для создания лазерного спектрометра сверхвысокого разрешения. Новизна и эффективность практической реализации научно-технических решений, предложенных в работе, защищена авторскими свидетельствами СССР.

1. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ

ОГРАНЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

В первой главе проводится сравнительный анализ методов выращивания кристаллов А4В6 из расплавов и из паровой фазы. Предлагается способ подготовки шихты, и рассматриваются особенности нового метода выращивания монокристаллов из газовой фазы.

Из теоретического анализа и обзора экспериментальных данных, приводимых в мировой литературе, следует, что к моменту начала диссертационной работы отсутствовали методы, обеспечивающие изготовление инжекционных лазеров для спектроскопии ультравысокого разрешения, характеризующиеся способностью эффективно работать в течение длительного периода.

Прежде всего, условия термоциклирования, возникающие из требований эксплуатации в импульсном режиме, резко ужесточают требования к качеству исходных монокристаллов. Ни один из существовавших методов не удовлетворял предъявляемым требованиям. В работе был предложен и реализован новый способ выращивания монокристаллов, основные физико-технологические этапы которого рассмотрены в данной главе.

Известно, что наиболее перспективным методом выращивания монокристаллов с высоким структурным совершенством является метод выращивания из паровой фазы. Однако методы получения объемных монокристаллов с выходами граней естественной огранки содержит несколько крупных блоков. При этом для изготовления инжекционных лазеров необходимы операции механической обработки (резка, шлифовка и т.п.), сопровождающиеся внесением в исходный материал структурных дефектов, в результате которых значительно увеличивается безызлучательная рекомбинация.

Использование монокристаллов малых размеров, случайно возникающих как побочный продукт на стенках реактора, также сопровождается значительными деградационными процессами и характеризуется невоспроизводимостью электрофизических свойств от образца к образцу. Анализ этих свойств локальными методами, например термозондом, также сопровождается механическими нарушениями.

Поэтому важнейшей проблемой является управление количеством зародышей с обеспечением возможности воспроизведения электрофизических свойств, анализа их локальными методами и изучение природы образования преципитатов в процессе эксплуатации.

При выполнении этих требований и получении управляемого количества малых монокристаллов метод может стать технологичным, а механические операции изготовления резонаторов будут сводиться к скалыванию по плоскостям спайности (100).

Также острая проблема при получении объемных монокристаллов возникает при необходимости перехода к новым материалам. Составляющими этой общей задачи являются исследования физико-технологических закономерностей, связанных с получением и обработкой исходной шихты, управление зародышеобразованием и создание аппаратного оснащения, позволяющего на практике реализовать развиваемые представления о росте кристаллов.

Выводы

1. Экспериментально методом рентгеновской дифрактометрии изучены фазовые превращения, протекающие в слоях олова в процессе окисляющего отжига. Твердофазные превращения происходят по схеме: Зп—>$пО —>Зп304—>3п02 (аморфный)— ->8п02 (кристаллический). Установлено, что после 30 часов отжига при температуре Т=690. 800К кристаллиты представляют фазу касситерита.

2. На основе теоретических расчетов и экспериментов по кинетике окисления, обоснован выбор условий окисления слоев металлического олова в два этапа. Первый этап осуществлялся при температурах на 10 градусов ниже температуры плавления олова, что исключало образование жидких капель с последующей неконтролируемой агломерацией, и Р0 = 0.35 атм., второй этап при Т=600-800 К и Р0.=0.35 атм. Оценены времена проведения отжигов. 1-ый этап-6 часов, 2-ой этап-ЗОч.

3. Предложен способ окисления пленок олова в контролируемой атмосфере кислорода с введением легколетучих примесей (теллур, йод, а так же совместно теллур и йод) в исходную шихту. Способ позволяет активно влиять на структурные характеристики (пористость, микрорельеф, размер зерен), определяющие газочувствительные свойства пленок. Показано, что способ обеспечивает повышение газочувствительности к парам толуола в 5.6 раз.

4. Разработан новый способ анализа кинетики и состава микровыделений на основе снятия температурных зависимостей внутреннего трения. Впервые изучена кинетика выделения преципитатов Те на поверхности зерен. Обнаружено, что количество выделений снижается в процессе длительной термообработки.

5. Проведены исследования влияния условий отжига слоев диоксида олова в динамическом вакууме (~10~4 Па) на их газочувствительность. (Для значения температуры отжига Т0тж=773 К газочувствительность повышается более чем в 3 раза).Обнаружено, что повышение газочувствительности не сохраняется в процессе хранения практически исчезает в течение двух недель.

6. Создано аппаратурное обеспечение для контроля полноты сгорания в озонаторе паров органических соединений. С помощью макета испытательного стенда показана перспективность использования датчиков на основе диоксида олова^ полученных по разработанному в работе способу, для газоанализаторов в устройствах уничтожения выбросов токсичных газов (паров толуола и формальдегида).

7. Собрано устройство для измерения задымленности отработавших газов дизелей, с покрытием оптически прозрачных пластин диоксидом олова, служащим электрическим нагревательным элементом и позволяющим существенно уменьшить рабочую оптическую длину между источником света и фотоэлементом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе работы были получены малые ограненные кристаллы различных составов и различных твердых растворов и бинарных соединений, в том числе РЬ].х8пхТе, РЬ1х8пх8е, РЬьхОехТе, РЬихТУГе, по предложенной в диссертационной работе методике выращивания ограненных монокристаллов из паровой фазы. Если такие кристаллы, как РЬ1хОехТе, превосходят по качеству монокристаллы, полученные другими методами (по данным ГОИ), то монокристаллы РЬьхТУГе были получены впервые. Эти кристаллы имеют интерес для изучения природы возникновения явления сверхпроводимости, обнаруженного в образцах, получаемых металлокерамическим способом.

Экспериментально установлено и теоретически доказано, что качество инжекционных лазеров, особенно деградационные свойства, существенно зависят от выделения преципитатов (следовательно, от концентрации носителей заряда и плотности дислокаций). Это объясняет сущность эмпирически сформулированного в ГОИ, на основе испытания наших кристаллов, отбора монокристаллов (с концентрацией носителей заряда в

17 3 диапаозне (1.5М0 см" и плотностью дислокаций, определенной по ямкам травления менее, чем 104см Для этой цели в работе предложен способ оценки концентрации носителей заряда в локальных областях и отбора монокристаллов, удовлетворяющих требованиям для работы в условиях импульсной накачки.

В реальных системах возможно изменение отклонения от стехиометрии из-за радиального распределения температуры или срывах на технологических этапах, поэтому после роста необходима оценка электрофизических свойств в кристаллах малых размеров. Для этой цели разработан количественный термозондовый метод, связанный с возможностью оценки концентрации носителей заряда по значениям коэффициента термоЭДС. Учет зонной структуры в Кейновском приближении позволяет по значениям коэффициента а определять нестационарным методом концентрацию носителей заряда при знании состава х.

В данной работе впервые были проведены комплексные исследования по изучению природы образования преципитатов и сопоставлении их с деградационными свойствами. Сама природа образования преципитатов 2-ой фазы обусловлена ретроградным ходом кривой солидуса и условиями эксплуатации в режиме импульсного термоциклирования.

Был предложен способ интегрального определения преципитатов на основе метода внутреннего трения. Эта методика была использована при анализе аномально быстрой диффузии при легировании кристаллов.

Структурное качество поверхности играет существенную роль при проведении процессов диффузии для формирования р-п переходов. Экспериментально установлено, что процессы диффузии могут протекать различным образом в зависимости от совершенства структуры кристалла. При создании больших поверхностных концентраций на поверхности может образоваться слоистая структура, в других случаях это приводит к существенному искажению плоскостной картины фронта диффузии.

Был проведен комплекс исследований диффузионных процессов с целью выбора оптимальной легирующей примеси для создания р-п переходов в инжекционных лазерах. Исследовались примеси: РЬ, 8п, 1п, Оа, ¿п, Сс1, Бе, Те. Итоги исследований сводятся к следующему: процессы массопереноса через газовую фазу при отжиге с 1п, 8п, Оа и др. материалами с малым давлением паров определяются не давлением этого элемента, а давлением продуктов взаимодействия халькогенов с чистыми элементами с образованием соединений.

1. Следы этого взаимодействия обнаруживаются в источнике.

2. Особенности переноса вещества через паровую фазу в виде молекул халькогена предопределяют образование твердых растворов на поверхности отжигаемых кристаллов с последующей взаимодиффузией.

3. При легировании элементами 1л\, Сё, Т1 более термодинамически выгодным является реакция замещения ими металла в образцах халькогенидов с выделением металла в виде второй фазы.

В последнем случае на гранях высококачественных кристаллов образуется слоистая структура.

В данной работе благодаря впервые разработанным методикам объяснен эффект «быстрой диффузии», который наблюдался при исследовании изменения профиля концентрации носителей заряда вглубь образца при проведении диффузионных отжигов. Аномальность наблюдаемого многими авторами явления заключалась в том, что происходило сквозное легирование вплоть до смены знака термоЭДС далее на образцах, превышающих размер 5 мм и более. Попытки расчета эффективного коэффициента диффузии превышали значение диффузионных параметров даже для жидкой фазы ~(1СГ см2/с).

Проведенные исследования по методу ВТ показали, что скачок знака концентрации носителей заряда связан с выделением преципитатов при изотермическом отжиге.

На основании проведенных исследований для создания инжекционных лазеров на исходных монокристаллах р-типа был выбран 8Ь, а в качестве диффузанта для п- типа использовался Те (для РЬ8п8е имеющего п-тип).

Разработанные методики и способы были использованы для выработки научно-обоснованных рекомендации по легированию слоев 8пиг с получением развитой поверхности с целью увеличения газочувствительности к слабополярным молекулам.

1. Мошников В.А., Томаев В.В. Электрохимическая обработка кристаллов на основе селенида и теллурида свинца и олова. // Электрохимия. 1991. №2. С.769-772.

2. Андреев Ю.Н., Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Ярославцев Н.П. Методика исследований субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31. № 7. С. 81-83.

3. Harman Т.С. Control of imperfections in crystals of Pbi.xSnxTe, Pbi„xSnxSe, PbSi.Äc. // J. Nonmetals. 1973. V.l. № 3. P.183.

4. Calawa A.R., Harman T.C., Finn M., Youtz P. Crystal growth, annealing and diffusion of lead tin chalcogenides. // Trans. Met. Sos. AIME. 1968. V.242. №3. P. 374-383.

5. Соколов A.M., Соколов Е.Б. Технология получения монокристаллов PbixSnxTe, PbbxSnxSe /У Зарубежн. Электрон. Техника. 1978. Т 14. № 184. С.3-36.

6. Дедегкаев Т.Т., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б., Яськов Д.А. Исследование включений металлического характера в твердых растворах теллурида свинца теллурида олова, выращенных из расплава //Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. Вып. 17. С.1030-1033.

7. Современная кристаллография. Под редакцией Вайнтшейна В.М., Чернова A.A., Шувалова Л.А. Т.З. образование кристаллов. М.: Наука. 1980. С.408.

8. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа 1983. 271 С.

9. Гаськов A.M., Матвеев О.В., Зломанов В.П. и др. Исследование теллурида свинца. //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1969. Т.5. № 11. С. 1889.

10. Марков Е.В., Давыдов А.А. Сублимация кристаллов CdS. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1971. Т.7. № 4. С. 573-579.

11. Саунина Т.В., Чеснокова Д.Б., Яськов Д.А. Исследование условий роста кристаллов твердого раствора PbixSnxTe из газовой фазы. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1982. В.3(163). С.41-44.

12. Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Лазерные материалы на основе халькогенидов свинца олова для сенсорики ИК-диапазона // Оптический журнал. 1997. Т.64. №3. С. 116-119.

13. Butler J.F., Harman Т.С. Long-wavelenght infrared PbixSnxTe diode lasers. // Appl. Phys. Letters. 1968. V.12. №10. P.347-349.

14. Harman T.C., McVittie J.P. Horizontal unseeded vapor growth of IV-VI compounds and alloys.// J. Electron. Mater. 1974. V.3. №4. P.843-854.

15. Галченко И.Е., Гирич Б.Г., Левин O.B. Выращивание кристаллов Pbi.xSnxTe из паровой фазы. // Научн. труды научн.-исслед и проект, ин-та редкомет. пром-ти. 1980. Т. 103. С. 106-109.

16. Parker S.G., Pinnel J.E., Johnson R.E. Growth of large crystals of (Pb, Ge)Te and (Pb,Sn)Te . //Electron. Mater. 1974. V. 3. № 4. P.731-376.

17. Ohtsuki O., Shinohara, Ryuzan O. The Vapor Growth of PbixSnxTe Single Crystals. // Japan. J.Appl. Phys. 1971. V.10. № 4. P.515-516.

18. Mateika D. Ein isothermes schmeltztropfen-verfahren zur herstellung von grossen schrreinen und homogenen blei-zinn-tellurid-einkrist-allen der dampfphase. //J.Crystal Groeth. 1971. Bd.9. S.249-254.

19. Kinoshita K., Miyazawa S. Large homogeneous PbixSnxTe single crystal growth by vapor-melt-solid mechanism. //J.Crystal Growth. 1982. V.57. № 1. P.141-144.

20. Golacki Z., Furmamk Z., Gorska M., Szcrerbakow A., Zahorowski W. Vapour phase growth of large crystals of PbTe. // .Crystal Growth. 1982. V.60. № 1. P.150-152.

21. Андрющенко Е.Д., Данильчук Т.Н., Зломанов В.П., Новоселова A.B., Тананаева О.И. Скрость роста кристаллов PbixSnxTe по механизму пар-жидкость-кристалл. // Изв. АН СССР. Сер.Неорг.материалы. 1979. Т. 15, № 9.С.1573-1575.

22. Андрющеко Е.Д. Варламова Л.М., Зломанов В.П., Новоселова A.B., Тананаева О.И. Изучение роста кристаллов Pbi.xSnxTe по механизму пар-жидкость-кристалл. // Изв. АН СССР. Сер.Неорг.материалы. 1979. Т. 15, № 9.С.1569-1572.

23. Саунина Т.В., Чеснокова Д.Б., Яськов Д.А. Исследование лимитирующих стадий роста кристаллов (Pbi-xSnx)iyTey из газовой фазы . /У Электрон, техника. Сер. Материалы. 1983. Вып.4 (177). С.34-37.

24. Саунина Т.В., Чеснокова Д.Б., Яськов Д.А. Исследование условий роста кристаллов твердого раствора Pbi.xSnxTe из газовой фазы . // Электрон, техника. Сер. Материалы. 1982. Вып.З (164). С.41-44.

25. Осинова Е.В., Гук В.Г., Фролов A.A., Шепатковский О.П., Папушина Т.И. Исследование нарушенных слоев на поверхности монокристаллов теллурида свинца при различных способах резки. // Неорг. материалы 1991. Т.27. №6. С.1200-1203.

26. Штанов В.И., Усанов А.Г., Зломанов В.П., Комов A.A. Состав и стуктура кристаллов PbixSnxTe, выращенных из паровой фазы на затравку. // Неорг. материалы. 1983. Т.24. №11. С. 1796-1798.

27. Мизецкая Н.Б., Олейник Г.С., Буденная Л.Д., Томашик В.Н., Олейник Н.Д. Физико-химические основы синтеза монокристаллов полупроводниковых твердых растворов соединений АЪ . //Киев: Наукова Думка. 1986. 160 с.

28. Бестаев М.В., Газданов Ю.У., Сиукаев Н.В. 01.10.1986.

29. Дерновский В.И. Рост кристаллов из газовой фазы: к вопросам переноса массы в закрытой системе. Черноголовка. 1988. Деп.ВИНИТИ. № 2619-В-88. 30 С.

30. Калдис Э. Принципы выращивания монокристаллов из паровой фазы. // В кн.: Рост кристаллов. М.: Мир. 1977. С.75-243.

31. Faktor M.V., Garet I. //J. Crystal Growth. 1971. V. 9. № 1. P.l-15.

32. Зломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-х диаграммы состояний систем металл-халькоген. М.: Наука. 1987. 208 С.

33. М.В.Бестаев, А.И.Горелик. Управление зародышеобразованием при выращивании монокристаллов Pbi-xSnxTe из газовой фазы. Изв. ТЭТУ. Вып.495. С.-Петербург. 1996. С.50-53.

34. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа А1УВШ // УФН. 1985. Т.145. Вып.1. С.51-86.

35. Дерновский В.И. Рост кристаллов из газовой фазы: влияние параметров процесса на условия переноса в закрытой системе // Деп. в ВИНИТИ 06.04.88,- №2620-В88.

36. Дерновский В.И. Рост кристаллов из газовой фазы: кинетика и критерии роста монокристалла в закрытой системе // Деп. в ВИНИТИ 06.04.88,-№2621-В88.

37. Гундырев B.M., Белова H.B., Есин В.О. Способ получения рентгеновских дифракционных топограмм монокристаллов. // Выращивание монокристаллов тугоплавких и редких металлов: Сб. статей. М. 1973. С.121-127.

38. Шулаков Е.В., Аристов В.В. Анализ топографического разрешения в методе углового сканирования. //Аппаратура и методы рентгеновского анализа: Сб.статей. Л.: Машиностроение. 1978. Вып.21. С. 151-161.

39. Aristov V.V., Shulakov E.V. determination of angles between blocks from topograms obteained by the Shultz method. //Appl. Crystallography. 1975. ¥.8. N4. P.445-451.

40. Долотов Н.И. Разработка рентгеновских методик и исследование дефектов структуры в монокристаллах карбида кремния. /Дис.к.ф.-м.н. Л.: ЛЭТИ. 1987. 186 с.

41. Bowen R.F. X-Ray Topography Sefiection Geometry. In: Caracterization of crystal growth defects by x-ray methods. / ed. B.K.Tannet, D.K.Bowen // NATO Aol. shidy inst. series. ser.B. Physics. V.63. New York: Plenum Press. 1980. P.346-388.

42. Долотов Н.И., Мошников В.А., Томаев В.В. Анализ структурного совершенства монокристаллов PbixSnxSe, выращенных из паровой фазы. // Высокочистые вещества. 1990. № 2. С.237-239.

43. Аверюшин А.С., Александров О.В., Киселева и др. Исследование рентгеноструктурных и люминесцентных свойств эпитаксиальных пленок селенида свинца. // Изв. АН СССР. Ноерган. Материалы. 1979. Т. 15, № 3. С.380-385.

44. Горин Е.А., Бережная И.А., Генералова Д.А. и др. Влияние лазерного облучения на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца. // ФТП. 1982. Т. 16. № 9. С. 1687-1690.

45. Calawa A.R., Harman Т.С. Finn М. Youts P. Crystal Growth, annealing and diffusion of lead- tin chaleogenides. //Trans. Met. Soc. AIME. 1968. V.242. № 3. P.374-383.

46. Абрамишвили А.Д., Ильин Ю.Л., Мошников B.A., Томаев В.В., Яськов Д.А. Кристаллизация твердых растворов PbixSnxTe из паровой фазы. // В сб. 13 Всесоюзн. научн-техн. конф. по микроэлектронике. Тбилиси. 1987. С.9-10.

47. Norr М.К. An electrolytic Polish and Etch for Lead Tellurid. //J. Electrochem. Soc. 1962. V.109. № 5. P.433.

48. Bestaev M, Moshnikov V, Tairov Yu. New method of growing compound semiconductor solid solutions. // Abs. of the V Int. Conf. Of Material Science and Material Properties for IR-optoel. 1998. Uzhgorod. Ukraine. P. 170.

49. Дедегкаев T.T., Мокроусов H.E., Мошников B.A., Яськов Д.А. Исследование кристаллов теллурида олова, выращенных из расплава методом зонной плавки / // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. № 8. С.42-44.

50. Мошников В.А. Локальные энергетические воздействия в исследовании и получении полупроводниковых твердых растворов. Автореферат дис. д-ра. ф.-м. н. СПб.: СПГТУ. 1996.

51. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. М.: Наука. 1969

52. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Сиукаев Н.В., Слонова З.С., Хачирова Н.А. Структурное совершенство кристаллов РЬТе и Pbi^SnJe. // Известия СКНЦВШ. Естественные науки. 1988. № 4. С.88-90.

53. Dimmock J.O.: in "Physics of semimetals and narrow gap semiconductors 7/ eds. D.L.Carter and R.T.Bate (Oxford: Pergamon Press. 1971). P.363.

54. Schfiter M. Martinez G., Cohen M.L. Pressure and temperature dependence of bands in PbSe, РЬТе // Phys.Rev.B. 1975. V.12. №2. P.650-658.

55. Брандт Н.Б., Белоусова O.H., Зломанов В.П. и др. Перестройка энергетического спектра у Pbi.xSnxSe при инверсии зон под давлением // ЖЭТФ. 1978. Т.74. Вып.2. С.646-657.

56. Pasher H.,Grisar R., Bauer G., Burkhard H. Observation of optical Shubnikov de Haas' effect in photoconductivity // Solid Stat. Commun. 1981. V.38. № 8. P.723-729.

57. Фараджиев Ф.Э. Параметры зонного спектра электронов в PbSe // ФТП,-1983. Т.17. Вып.9. С. 1596-2001.

58. Bange К., Liebegall A., Lorentz В. Interband magnetoselectivity at Pbi.xSnxSe single crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. V. 112. №2. P.543-547.

59. Измерение коэффициента анизотропии поверхности Ферми в полупроводниках Pbi.xSnxSe / Вяткин К.В., Кучеренко И.В., Моисеенко В.Н., Шотов А.П. // ФТП. 1977. Т.П. Вып.9. С.1831-1834.

60. Моисеенко В.Н., Кучеренко И.В., Шотов А.П. Влияние гидростатического давления на зонную структуру и кинетические явления в полупроводниках Pbi.xSnxSe // ФТП. 1978 Т. 12. Вып.12. С.2332-2337.

61. Кучеренко И.В., Свистов А.Е., Шотов А.П. Энергетические уровни собственных дефектов в кристаллах PbixSnxSe п-типа // ФТП. 1981. Т. 15. Вып.5. С.890-896.

62. Кучеренко И.В., Свистов А.Е., Шотов А.П. Исследование формы поверхности Ферми по угловой зависимости эффекта Шубникова де

63. Гааза в кристаллах PbixSnxSe (х>0.3) // ФТП. 1981. Т.15. Вып.П. С.2111-2115.

64. Проверка зонда-термопары в рабочих условиях / Дедегкаев Т.Т., Крюков И.И., Милославов С.Л., Мошников В.А. // Заводская лаборатория. 1978. Т.44. № 10. С.1229-1230.

65. Assenov R., Moshnikov V.A., Yaskov D.A. Micro nonhomogeneity studies in tin telluride synthesized by a low temperature iodide method// Cryst.Res.Technol. 1986. V.21. P.1553-1558.

66. Бестаев M.B., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Исследование полупроводниковых материалов методом внутреннего трения. //Всерос. Научно-технич. конф. Физика и техника ультразвука. Тез.докл. СПб, 1997. С.216-2Г7.

67. Салтыков С.А. Стереометрическая металлография. М.: Металлург. Издат. 1958. 448 С.

68. Болтакс Б.И, Мохов Ю.Н. Диффузия свинца в теллуриетом свинце. /У ЖТФ. 1956. Т.26. N 11. С.2448-2450.

69. Болтакс Б.И, Мохов Ю.Н. Самодиффузия и диффузия прмесей в теллуриде и селениде свинца. // ЖТФ. 195. Т.2. N 5. С. 1046-1050.

70. Leute V., Schmidtke Н. Untersuchungenzum Diffusions mechanismus in den quasibinauren Halbleiter legierungen (Pb, Sn)Te und (Pb, Sn)Se. -Ber. Bunsengenges. phys. Chem. 1975. Bd.79. N. 11. S. 1134-1140.

71. Bicknell R.W. Electrical and metallurgicalexaination of PbixSnxTe/PbTe heterojunctions. /7 J.Vac.Svi and Techn. 1977. V.14. N 4. P.1012-1015.

72. Стефеев В.И., Банин E.C., Терехович Т.Ф., Миронова O.A., Пелевин О.В., Гирич Б.Г., Моховая Т.Г., Николаев М.И. Исследование р-п-гетеропереходов Pbo.8Sno.2Te/PbТе, содержащих варизонную область. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 9. С. 1723-1729.

73. Siehe D., Ermisch W. Investigations for Sn Diffusion in PbixSnxTe and PbTe. //Kristall und Technik. 190. V.15. N 9. P.1043-01049.

74. Саунина T.B. Исследование условий образования дефектов в кристаллахтвердых растворов теллурида свинца теллурида олова. // Автор, дис. насоиск. уч. ст. к.ф.-м.н. JL: ЛЭТИ. 1982. 16 С.

75. Симирский Ю.Н., Фирсова Л.Н., Зломанов В.П., Гаськов A.M., академик

76. Новоселова A.B. Исследование само диффузии олова в твердом рстворе (Pbi.xSnx)i.yTey. //Докл. АН СССР. 1978. Т.242. С.1371-1377.

77. Tang H.G., Lurn В., Shaw D. Self-diffusion of Sn and Те in Pbo.8Sno.2Te at a temperature of 600°C. //J. Mat. Sei. 1981, V.16. P.3508-3510.

78. Rodot H., Henoc J. Diffusin dl'e'tat solide entre des mate'ridux semiconducteurs. //C.R. Acad. Sei. Paris. 1963. V.256. P.1954-1961.

79. Silberg E., Sternberg Y., Yellin N. Cd diffusion into PbTe. // J. Solid State Chem. 1981. V.39. N 1. P. 100-105.

80. Silberg E., Zemel A. A study of Cd diffusion into PbTe and PbixSnxTe crystals using Hall-effect conductivity and Cd solibility measurements. /7 Appl. Phys. Lett. 1977. V.31. N 12. P.807-809.

81. Yydyanath H.R. Defect structure of Cd-doped PbTe. // J. Appl. Phys. 1976. V.47. N 11. P.4993-5002.

82. Yydyanath H.R. Defect structure of Zn-doped PbTe. // J. Appl. Phys. 1976. V.47. N 11. P.5010-5015.

83. Engel A., Berger H., Roesler H.J. Structural charcterization of cut and polished PbTe surfaces. // Cryst. Res. and Technol. 1982. V.17.N 7. P.857-864.

84. Breschi R., Camanzi A., Fano V. Defects in PbTe single crystals. // Crystal Growth. 1982. V.58. N2. P.399-408.

85. Berger H., Mizera E., Auleytner J. X-ray study of the defect structure of PbTe single crystals. // Cryst. Res. and Technol. 1984. V.19. N 1. P.43-48.

86. Гарцман К.Г., Дедегкаев Т.Т., Крюков И.И. Нестационарный метод локального определения коэффициента термоЭДС. //Зав.лаб. 1978. N 5. С.561-562.

87. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Мопшиков В.А. Диффузия олова в РЬТе при легировании из газовой фазы // ФТТ 1984. Т.26. Вып. 7. С.2200-2202.

88. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Кочиев Г.Г., Мошников В.А., Сиукаев Н.В., Томаев В.В. Исследование диффузии олова в кристаллах теллурида свинца. Тез.докл. VI Всесоз.конф. по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Тбилиси, 1983. С.40.

89. Дедегкаев Т.Т., Мошников В.А. Исследование неоднородностей полупроводниковых материалов методом локального зондирования. /УИз.ЛЭТИ. 1980. Вып.263. С.100-105.

90. Бакин А.С., Дедегкаев Т.Т., Иванов Д.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б.

91. Исследование диффузии индия в кристаллах Pb0.gSn0.2Te методом ретгеноспектрального микроанализа. //ФТТ. 1983. Т.25. N 5. С.1515-1516.

92. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л. Полупроводниковые материалы на основесоединений А4В6. // М.: Наука. 1975. 196 С.

93. Мошников В.А., Милославов С.Л. Исследование неоднородностей в тведых растворах РЬ1х8пхТе методом термоэлектрического зонда. //Тез. конф. Получение и свойства полупроводн.соед. типа А2В6 и А В и твердых астворов на их основе. М.: МИСиС. 1977. С.310-311.

94. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. //Л.: Наука. 1972. 384 С.

95. Hohnke D.K., Hollowoy H., Kaiser S. Phase reactions and transformations inthe system PbTe-GeTe. // J.Phys. Chem. Solids. 1972. V.33. N 11. P.2053-2063 .

96. Wooley J.C., Nikolic P. Some properties of GeTe-PbTe Alloys. //J. Electrochem. Soc. 1965. V.112. N. 1. P.82-84.

97. Бестаев M.B. Дедегкаев T.T., Жукова Т.Б., Мошников В.А., Сиукаев Н.В. Получение твердых растворов РЬ1хОехТе путем взаимодействия теллурида свинца с германием через газовую фазу. //Тез.докл. 1 Уральской конференции, Свердловск, 1984 г. С.96.

98. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Жукова Т.Б., Сиукаев Н.В. Легирование монокристаллов РЬТе из газовой фазы. // Всесоюзный семинар полупроводниковых материалов для термоэлектрических преобразователей. Тез. докл. Ленинград, ФТИ, 1985 г. С.77.

99. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Жукова Т.Б., Мошников В.А., Сиукаев Н.В. Взаимодействие газообразных цинка, кадмия и таллия с монокристаллами теллурида свинца. //ФТТ. 1986 Т.28 Вып.9. С.2865-2867.

100. Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Еремина А.Ф., Иванов-Омский В.И., Кундухов P.M. Получение пленок PbixSnxTe в потоке водорода. // В сборнике"Физика полупроводниковых и магнитных материалов". Орджоникидзе, 1977 г. С.8-12.

101. Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Назаров Н.П., Парфенов H.A., Степаненкол ^

102. О.Ф. Выращивание толстых слоев твердых растворов соединений AB//

103. В сб. «Исследование полупроводниковых соединений сложного состава и />-?2-переходов на их основе». Элиста. Калмыцкий Университет. 1980. С.27-32.

104. Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Иванов-Омский В.И., Жидкостная эпитаксия Pbi.xSnxTe в градиенте температуры. Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Тез. докл., Новосибирск, 1978 г. С.43.

105. Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Иванов-Омский В.И., Получение и свойства эпитаксиальных слоев Pbi.xSnxTe на изолирующих подложках. Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Тез. докл., Новосибирск, 1978 г. С.25.

106. A.c. СССР № 1659536 С30В19/00, 2946. Способ получения1. А. Сполупроводниковых структур на основе соединений А В . Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Томаев В.В. 30.06.91.

107. Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В. А., Таиров Ю.М. Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов РЬТе и Pbo.gSno.2Te. // ФТП. 1997. Вып. 31. №8. С.980-982.

108. Бестаев M.B., Дедегкаев Т.Т., Мошников В.А., Сиукаев Н.В., Томаев

109. B.В. Исследование монокристаллов теллурида свинца, подвергнутого термообаботке в парах олова. // Рук. Деп в ВИНИТИ. 01.07.85. № 468585. Деп. 15 С.

110. Chikara Hirayama / J. Chem. Eng. Data, 1964. V.9 № 65. P.113-115.

111. Kelley K.K., King E.G. Contribution to the data on theoretical metallurgy. / XIV Entropies of the elements and inorganic compounds. // Bur. Mines Bull., Wash. 1961. P.592.

112. Термические константы веществ. Справочник, в.П, под ред. Глушко В.П. и др., ВИНИТИ АН СССР. 1965. 630 С.

113. Васильев В.П., Золотарев Е.К., Яцимрский К.Б. Энтропия газообразных одноатомных ионов. // Ж. Физ. Химии. 1959. Т.33. № 2. С.561-562.

114. Weibke F., Kubacshewski О. Thermochemie der Legierungen. //Berlin, Springer, 1943. S.241.

115. Hultgren R., Orr R.L., Anderson P.D., Kelley K.K. Selected values of thermodynamic properties of metals and alloys. //Berkley, Dept. of Mineral Technology of California. 1963/ P.290.

116. Бестаев M.B., Дедегкаев T.T., Слонова 3.C., Фатеев В.И. Диффузия свинца в теллуриде олова. // Изв. СК НЦВШ. Естеств.науки. 1990. N 1.1. C.65-66.

117. Гаськов А.М., Лисина Н.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Исследование неоднородностей в кристаллах PbixSnxTe (х=0.00 и х=0.20), легированных Ga, Cd и Zn методом Оже-электронной спектроскоии. //Докл. АН СССР. Химия. 1981. Т.261. N 1. С.95-98.

118. Alexander R.Y., Dorenbusch W.E., Lo W. Ion chonneling and Auger electronspectroscopy study of Sb-diffused Pbi„xSnxTe crystals. //J. Appl. Phys. 1981. V.52. N 7. P.4593-4599.

119. Кондратенко М.М., Оманчуковская И.В., Орлецкий В.Б. Диффузия кадмия, германия и сурьмы в монокристаллах тввердого раствора РЬь xSnxTeio // Рукопись деп. в ВИНИТИ. 1980. N 2534-80 Деп. 9 С.

120. Silberg Е., Zemel A. Cadmium diffusion studies of РЬТе and PbixSnxTe crystals. IlJ. Electron Mater. 1979. V.8. N 2. P.99-109.

121. Vydyanath H.R. Defect structure of Cd-doped Pbo.8Sno.2Te. // J. Appl. Phys. 1976. V.47. N 11. P.5003-5009.

122. Заитов Ф.А., Горшков A.B., Шаляпина T.M., Сусов Е.В., Терехович Т.Ф. Диффузия в PbixSnxTe. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. Т. 15. N 11. С.2077-2078.

123. Маклаков С.А., Тананаева О.И., Зломанов В.П. Изучение кинетики роста кристаллов теллурида свинца из пара. // Электрон, техника, сер. Материалы. 1983. Вып. 11 (84). С.36-38.

124. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке РЬТе и других халькогенидов. // В сб.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. Наука. 1977. С.280-283.

125. Ерофеев P.C. Кристаллохимический анализ поведения In в РЬТе. //Изв. АН СССР. Сер.Неорган. материалы. 1980. Т.16. N 5. С.800-803.

126. Аверкин A.A., Кайданов В.И., Мельник Р.П. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. // ФТП. 1971. Т.5. N 1. С.91-95.

127. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., Мойжес Б.Я. Электрические свойства PbixSnxTe с примесью индия. //ФТП. 1975. Т.9. Вып.Ю. С.173-1878.

128. Бестаев М.В., Дедегкаев Т.Т., Мошников В.А. Влияние концентрации собственных дефектов на диффузию индия в Pb| .^пДе. // ФТП. 1985. Т.27.Вып.6. С.1868-1870.

129. Зломанов В.П., Гаськов A.M. Собственные и примесные дефекты в соединениях группы А4Вб. /7В сб.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 194. С.116-133.

130. Саунина Т.В., Яськов Д.А. Исследование услвий равновесий кристалл -пар твердых растворов (Pbi.xSnx)iyTey. //Изв.ЛЭТИ. 1982. Вып.302. С.74-77.

131. Гаськов А.М., Матвеев О.В., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Исследование теллурида свинца. //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1969. Т.5. N 11. С.1889-1894.

132. Курбатов А. Л. Перестраиваемые инжекционные лазеры на халькогенидах свинца-олова. // Автореф. дис. к.ф.-м.н. Л.: ГОИ. 1985. 16 С.

133. Калюжная Г.А., Киселева К.В. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В ". // Труды ФИАН им.П.Н.Лебедев. М.: Наука. 1987. Т.77. С.5-84.

134. Юнович А.Э. Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленне примесями в полупроводниковых соединениях типа AJB5 и А4В6. / Дис. д.ф.-м.н. М.: МГУ. 1989. 440 С.

135. Галески Ф., Дрозд И.А., Лебедева Л.Я. и др. Вынужденное излучение тонких пленок PbSe при комнатной температуре. // ФТП. 1977. Т. 11. N 3. С.56-570.

136. Золотов С.И., Юнович А.Э. Методика исследования мощности квантового выхода фотолюминесценции в узкозонных полупроводниках. // ПТЭ. 195. N 6. С.185-187.

137. Tomm J.W., Herrman K.N., Yunovich A.E. Infrared Photolumunescence in

138. Narrow-Gap semiconductors. //Phys. Stat. Sol. 1990. V.122. N 11. P. 12-42.

139. Бестаев Б.И., Бестаев M.B. Использование датчиков на основе SnCb для медикобиологических исследований // В сб. «Перспективные материалы и приборы оптоэлектроники и сенсорики». Известия ГЭТУ. 1998. Вып.517. С.17-19.

140. Grisar R., Riedl W.J., Preier Н.М. Properties of diffused PbixSnxTe homojunction diode lasers. // IEEE Journ. of Quantum Electr. 1981. QE 17. N 5. P.586-592.

141. Cd-diffused Lead Salt Diode Lasers and heir Application in Multicomponent

142. Gas Analysis Systems. //Proc. of SPIE. V. 8. P.10-16.

143. Олеск A.O., Дийков Л.К. Новые неохлаждаемые фотоприемники на онове селенида свинца. // Электрон, промыли. 1990. N 4. Вып.6. С.41-44.

144. Балашов Е.И., Бритов А.Д., Караваев С.М., Курбатов А.Л., Шубин М.В.

145. Применение перестраиваемых инжекционных лазеров в ИК-спектроскопии. // Оптико-механическая промышл. 1982. N 4. С. 12-15.

146. Гирич Б.П., Гуреев Д.И., Засавицкий И.И., Кропоткина Т.И., Кулпина

147. Е.П. и др. Лазерные гетероструктуры на основе твердого раствора Pbi. xSnxTe. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып.1. С.124-128.

148. Алексеева Г.Т., Ефимова Б.А., Логачев Ю.А. Теплопроводность псевдобинарных сплавов на основе n-РЬТе в интервале температур 80300 К. // ФТП. 1975. Т.9. N 1. С.128-130.

149. Бестаев М.В., Жуков Н.Р., Еремина А.Ф. Теплопроводность твердогораствора PbixSnxTe. // Тез. докл. конф. СОГУ. 1980. С. 12.

150. Баранова Н.Н., Бестаев М.В., Вейденбах Л.В., Курбатов А.Л., Полчкова

151. Н.Д., Шубин М.В. Лазерные диоды на Pbi^Sn^Te с полосковой структурой. //ЖТФ. 1982. Т.52. Вып.4. С.781-782.

152. Курбатов А.Л., Полякова H.Д., Романов О.Г., Шубин М.В., Бестаев М.В.

153. Временная задержка стимулированного излучения в лазерах на основе PbixSnxTe. // ФТП.1982. Т.16. Вып.2. С.356-357.

154. A.c. СССР № 1701069 H01L 21/34. Способ формирования р-и-переходовна основе PbiJSn^Se. Бестаев М.В., Курбатов A.A., Мошников В.А., Томаев В.В. 22.08.91.

155. A.c. СССР №1827693 HolL 21/66. Способ определения температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений А4В6. Бестаев М.В., Мошников В.А., Томаев В.В. 15.07.93.

156. Бестаев М.В., Горелик А.И., Гречко A.B., Яськов Д.А. Исследование твердых растворов теллурида свинца теллурида олова количественным термозондовым методом с учетом сложного механизма рассеяния. // Известия СП6ГЭТУ.1995 Вып. 488. С.57-63.

157. Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Лазерные материалы на основе халькогенидов свинца-олова для сенсорики ИК-диапазона. //Оптический журнал. 1997. Т.64. №3. С. 116-119.

158. Вайнштейн В.М., Фистуль В.И. Широкозонные окисные полупроводники.//Итоги науки и техники. Серия: Электроника и ее применения. 1973. Т.4. С.108-152.

159. Левинский Ю. В. Р-Т-х-диаграммы состояния двойных металлических систем. М.: Металлургия, 1990.

160. Хансен М., Андерко Р. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1962.

161. Бурбулевичус Л.И., Вайнштейн В.М. Исследование структурных, электрических и оптических свойств пленок Snö2 и |п20| • // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1969. Т.5 № 3. С.551-554.

162. Куликов И.С. Термодинамика оксидов. -М.: Металлургия, 1986.

163. Димитров Д.Ц., Луцкая О.Ф. Физикохимический анализ равновесныхточечных дефектов в диоксиде олова. // В сб.: Современные материалы и методы исследования в микроэлектронике и оптоэлектронике. Изв. ГЭТУ. 1996. Вып.495. С.59-64.

164. Nagasawa М. et al. Vapor Reaction Growth of Sn02i Single Crystals and their properties. Jap. J. Appl. Phys. 1965, V.4. N 3. P.195-199.

165. Fonsted C.F., Redacar R.H. Electrical Properties of High-Quality Stannic Oxide Crystals. // J. Appl. Phys. 1971. V.42. № 7. P.2981.

166. Краткий справочник физико-химических величин. / под. ред. К.П. Мищенко, A.A. Равделя. М.: Наука.

167. Чайковский И. А. Гетерогенные толстопленочные резисторы. // Микроэлектроника, 1988. Т. 17. Вып. 4. С.291-304.

168. Кузнецов А. Я. Полупроводниковая двуокись олова // ФТТ. 1960. Т.Н. №.1. С.35-40.

169. Gopel W. Solid -state chemical sensors : atomistic models and research trends // Sensors and Actuators. 1989. V.16. P.167-197.

170. Assenov R., Moshnikov V.A.> Yaskov D.A., Andreev A.P. Diffusion of Iodine in Lead Telluride. // Crystal. Res. Techn. 1987. V.22. N 9. P.l 159-1163.

171. Суркова Т. П. Природа проводимости и оптические свойства легированных пленок двуокиси олова // Дис. к.ф.-м. н. Свердловск. Ин-т физ. мет. АН СССР 1977. 187 С.

172. Rohatci A., Viverito T.R. Optical and Electrical Properties of Tin Oxide Films // J. Amer. Ceram. Soc. 1974. V.57. P.278-283.

173. Ляшенко С. П., Милославский В. К. Исследование оптических свойств тонких пленок Sn02 в видимой и УФ- областях спектра // Оптика и спектроскопия. 1965. Т. 19. В.1 С. 108-114.

174. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников М., Высш. Школа. 1973.,655 с.

175. Милославский В.К., Ляшенко С. П. Оптические и электрические свойства тонких слоев Sn02 Н Оптика и спектроскопия. 1960. Т.8. № 6. С.186-192.

176. Поликристаллические полупроводники. Под ред. Г. Хербеке. Пер. с англ.: М.: Мир,1989, 344 с.

177. Verfahren Zur Herstelling eines Halbleiter Cassensors // Заявка 3529820, ФРГ, МКИ HOI C7 / OO -Опубл. 18.12.86.

178. Szklarski Z., Zakrzewska K. Thin oxide films as gas sensors // Thin Solid Films. 1989. V.174. P.269-275.

179. Суйковская H. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия. 1971. 200 С.

180. Koch Н. Zurn optischen Verhalten halbleitender Zinndioxydschichen im nahen ultrarot bei Zimmertemperatur.//' Phys. Stat. Sol. 1963. N 3. P.1619-1622.

181. Spillover effects in the detection of H* and CH4 by sputtered 5 ti Oz films with Pd and PbO deposits// Huck R., Bottger V., Kohl D., Heiland G. // Sensors and Actuators. 1989. V.17. P.355-359.

182. Winidischmann H., Mark P. A model for the Operation of a Thin Film StlOg, Conductance Modulation Carbon Monoxide Sensor // J. Electrochem. Soc. 1979. V.126. N. 4 P.627-629.

183. Ogawa H., Nishida M., Abe A. Hall measurement studies and an electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films // J. Appl. Phys. -1982. -V.53. -P.4448-4455.

184. Groth R. Untersuchungen an halbleitenden Indiumoxydschichichten. // Phys. Stat. Sol. 1966, V. 14. N 1. P. 69-73.

185. Патент на изобретение № 2112960 «Устройство для измерения дымности отработавших газов дизелей». Бестаев М.В., Гацоев К.А., Томаев В.В., Тотров Б.Н., Шотаев А.Н. 10.06.98.

186. Панкратьев Е.М. и др. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова. М.: Энергия, 56 с.

187. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Крюков И.И., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф. Атомно-силовая микроскопия слоев диоксида олова для газовых сенсоров.// Известия академии наук. Серия физическая. 1998. Т.62. №3. С.549-551.

188. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Мошников В.А., Трэгер Ф., Штиц Ф. Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией. // ФТП. 1998. Т.32. №6. С.654-657.

189. Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Ильин А.Ю., Луцкая О.Ф., Мошников В.А., Таиров Ю.М. // Тез. Докл. Всерос. Симп. С участием ученых из стран СНГ. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. СПб. 1998. С. 141.

190. Давыдов С.Ю., Мошников В. А., Томаев В.В. Полупроводниковые адсорбционные датчики. // Изд.СОГУ. Владикавказ. 1998. 117 С.266

191. Абрамишвили А.Д., Мошников В.А., Яськов Д.А., Ильин Ю.Л. Автоматизированная установка для выращивания полупроводниковых кристаллов из паровой фазы. // ПТЭ. 1990. № 6. С.186-188.

192. Давыдов С.Ю., Мошников В.А., Томаев В.В. Адсорбционные явления в поликристаллических полупроводниковых сенсорах. // Изд. СПбГЭТУ. СПб. 1998. 56 С.

193. Адлер А.И., Зильберман А.Б., Ильин ЮЛ, Мошников В.А. Газочувствительные элементы на основе SnC>2. ПА Всесоюзн. совещ. Физика и технол. широкозон. полупроводников. Махачкала. 1993. С.70.

194. Долотов Н.И., Зильберман А.Б., Ильин Ю.Л., Махин А.В., Мошников

195. В.А., Яськов Д.А. Фазовый анализ тонких пленок олова при окислении на воздухе. //Неорган, материалы. 1994. Т.30. N 1. С.83-84.

196. Dimitrov D., Lutskaya O.F., Moshnikov V.A. Tin dioxid gas-sensors with controling nanostructure. // Electronica-98, Botevgrad, Bulgaria, 1998, P. 160166.

197. Dimitrov D., Lutskaya O.F., Moshnikov V.A. The control of defects in the gas-sensitive tin dioxide layers. //In.: Internal. Seminar on Semicond. Gas Sensors SGS'98. Poland. 1998. P.55.