Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРЦЦА ЦИНКА И ФОШЦЦА

ИНДИЯ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ /.

1.1. Физико-химические и электрические свойства теллурида цинка и фосфида индия, их растворимость и фазовое взаимодействие

1.2. Получение и исследование свойств гетеропереходов гпТе

1.3. Получение и исследование свойств гетеропереходов

А^1 - ШР . ,.

ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЯ.

ГЛАВА ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ТЕЛЛУРВД

ЦИНКА - ШВДЦ ИНДИЯ

2.1. Выращивание исходных монокристаллов теллурида цинка и подготовка подложек фосфида индия.

2.2. Изготовление гетеропереходов гпТе - 1пР методом осаждения из газовой фазы в открытой проточной системе

2.3. Изготовление гетеропереходов гпТе - 1пР методом осаждения из газовой фазы в квазизамкнутом объеме.

ВЫВОДЫ ПО ВТОРОЙ ГЛАВЕ.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe - 1пР

3.1. Методика проведения электрических измерений.

3.2. Емкостные характеристики и зонные диаграммы гетеропереходов гпТе - 1пР.

3.3. Вольтамперные характеристики и механизм токопрохожде-ния в гетеропереходах гпТе - 1пР

ВЫВОДЫ ПО ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ.

ГЛАВА 4. ЭЯЕКГРОЛШИНЕСШНЦШ И ЯВЛЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В

ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ ТЕЛЛУРВД ЦИНКА - ФОСФЦЦ ИНДИЯ

4.1. Методика исследования электролюминесцентных характеристик и переключения.

4.2. Здектролюминесцентные свойства гетеропереходов гпТе - 1пР.

4.3. Явление переключения в гетеропереходах гпТе - 1пР. вывода 1Ю ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ.

Перспектива создания новых, а также расширения функциональных возможностей существующих полупроводниковых приборов электронной техники неотъемлемо связана с разработкой технологии изготовления и исследованием гетеропереходов, которые позволяют сочетать как свойства двух материалов одновременно, так и использовать особенности контактных явлении на границе раздела £1 ,2]. Особый интерес к исследованию гетеропереходов возник после создания в 1966-1970 гг. под руководством академика Ж.И.Алферова эффективно инжектирующих структур в системе алюминий-галл ий-мы-шьяк и новых приборов на их основе: лазеров, светодиодов, селективных фотоприемников и др. ,4]. Эти исследования явились основой не только для создания и дальнейшего технического совершенствования самых различных дискретных полупроводниковых приборов, но и для оптоэлектроники и интегральной оптики. Совершенствование эпитаксиальной технологии привело к реализации уникальных свойств гетеропереходов и изготовлению на их основе новых многофункциональных устройств с малой потребляемой мощностью [] 5 , 6 ]].

Одним из актуальных направлений современной опто электроники является создание источников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра, что связано с необходимостью их использования в индикаторах визуального отображения информации и в системах оптической коммуникации £7 , 8]. Разработка источников электролюминесцентного излучения в заданном спектральном диапазоне идет по пути изготовления гетеропереходов на базе широкого класса известных полупроводниковых соединений с различной шириной запрещенной зоны С 9 ,10 3 .

Особое место в этой проблеме занимают структуры на основе соединений аЩ^. Эти широкозонные материалы и их твердые растворы обладают высокими люминесцентными свойствами во всем видимом диапазоне спектра [11 - 14]. Исследования электрофизических свойств соединений аЩ^, и в частности теллурида цинка, показали перспективность его применения в микроэлектронике для создания нелинейных оптических фильтров, лазерных экранов, детекторов ядерного излучения и др.[15 - 18] . Однако монополярная проводимость затрудняет получение эффективно излучающих гайопереходов на основе гпТе , ограничивает выбор пар контактирующих материалов среди соединений аЧв^* и препятствует широкому использованию теллурида цинка в оптоэлектронике [ 19 - 22]. Поэтому перспектива создания инжекционных источников света на основе широкозонного гпТе (Её =2,26 эВ при 300 К) связана с изготовлением гетеропереходов между ним и соединениями Для реализации этой задачи подходящим материалом является фосфид индия. Возросший в последние годы интерес к 1пР обусловлен превде всего уникальными свойствами этого соединения, совершенствованием технологии его получения и созданием идеальных гетеропереходов в системе индий-галлий-мышьяк-фосфор. Ширина запрещенной зоны 1пР (Еб =1,35 эВ при 300 К) позволяет изготовлять на его основе источники излучения в спектральном диапазоне, где потери в световолокне являются минимальными С 23 ] .

Незначительное различие в физико-химических параметрах делает пару материалов теллурвд цинка-фосфвд индия перспективной для создания гетероперехода и реализации излучательных свойств контактирующих соединений в единой приборной структуре. Кроме то-V го, исследование гетеропереходов гпТе - 1пР позволит ¡расширить понимание физических процессов и явлений, происходящих на границе двух разнородных контактирующих полупроводников. Этим определяется актуальность и целесообразность данного исследования.

Цель настоящей работы заключается в получении гетероперехода гпТе-1аР и комплексном исследовании его электрических и элёктролюминесцентных свойств для определения условий осуществления эффективной инжекции неравновесных носителей заряда и оценки перспектив использования данного гетероперехода при создании светоизлучающих диодов.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые получен гетеропереход гпТе-1пР и исследованы протекающие в нем физические процессы. Изучены физико-химические закономерности и; особенности роста эпитаксиальных слоев теллурвда цинка на подложках фосфида индия в широком интервале температур. Определены области кубического и смешанного (кубического и гексагонального) фазового состава слоев гпТе , Показано, что при определенных температурах на полупроводниковых подложках 1пР происходит химическое взаимодействие компонент конденсата с материалом подложки с образованием ограниченной области твердого раствора контактирующих соединений. Проведено комплексное исследование электрических и электролюминесцентных свойств гетероперехода гпТе - 1пр и установлена зависимость параметров полученных ге-теродиодов от технологических режимов их изготовления. Показано, что методом осавдения из газовой фазы в квазизамкнутом объеме можно получить гетеропереход гпТе - 1пР с плотностью поверхтп —9 у —т ностных состояний на границе 5 »10 см аВ . На основе полученных экспериментальных данных выявлены доминирующие механизмы прохождения тока при различных условиях и построена зонно-энер-гетическая модель исследуемого гетероперехода. Впервые среди гетеропереходов гпТе - аЩ^ в гетеродиоде гпТе - 1пР обнаружено электолюминесцентное излучение в зеленой области спектра, обусловленное квазшежзонной рекомбинацией носителей, инжектированных из материала подложки inp . В исследуемом гетеропереходе обнаружен эффект переключения с памятью, установлена природа этого явления.

Практическая значимость результатов работы обусловлена тем, что разработана технология получения гетеропереходов ZnTe - inP и выявлена корреляция между технологическими условиями осадцения эпитаксиальных слоев ZnTe и электрофизическими свойствами полученных гетеропереходов. Это позволяет прогнозировать создание структур с заданными характеристиками. Установлена возможность изготовления и разработан способ получения электролюминесцентного гетеродиода ZnTe - InP с малой плотное-, тью поверхностных состояний на границе раздела, излучающего в зеленой и ближней ИК-областях спектра. Внешний квантовый выход Я электролюминесценции структуры достигает 2-10 . Обнаружение эффекта переключения с памятью позволяет рекомендовать гетеро-диод ZnTe - InP в. качестве активного элемента в переключающих и триггерных устройствах.

Полученные в процессе работы структуры и результаты проведенных исследований переданы и внедрены на одном из предприятий МЭП ( см. Приложение).

Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав, общих выводов, списка литературы и приложения.

Основные результаты изложены в следующих работах:

1. Цуркан А.Е., Верлан В.И., Ребров С.А. и др. Получение и исследование электрических свойств гетеропереходов на основе znTe - I11P . - В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с.127-131.

2. Цуркан А.Е., Радауцан С.И., Ребров С.А. и др. Фоточувствительные излучатели света на основе гетеропереходов теллу-рид цинка - фосфид индия. Резюме докл. У Мевд. совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна ( Болгария ), 1976, с.26.

3. Верлан В.И., Ребров С.А., Руссу Э.В. Электролюминесценция гетеропереходов p-ZnTe - n-1пР . В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев: Штиинца, 1976, с.81-86.

4. Ребров С.А., Цуркан А.Е., Бореймогорская JI.A. Влияние образования сложных фаз на неустойчивость тока в р-п гетеропереходах ZnTe - inP . - В кн.: Тройные полупроводники и их применение. Тез. докл. Всес. конф. Кишинев: Штиинца, 1979, с.208.

5. Ребров С.А. Физические процессы в резких гетеропереходах ZnTe - InP. - В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с.44-56.

6. Цуркан А.Е., Бужор Л.В., Ребров С.А. и др. Получение и исследование сложных оптоэлектронных приборных структур на основе теллурццов и оксидов цинка. - В кн.: Материалы для оптоэлектроники. Тез. докл. Всес. конф. Ужгород, 1980, с.44

7. Цуркан А.Е., Верлан В.И., Ребров С.А. и др. Исследование гетеропереходов р - ZnTe - n - InP , полученных эпита

- 175 ксией из газовой фазы в квазизамкнутом объеме. - В кн.: Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинев: Штиинца, 1980, с.129-138.

8. Цуркан А.Е., Ребров С.А. Поверхностные состояния границы m у

раздела ZnTe - inP . - В кн.: Физика соединений A B . Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с.48-49.

9. Ребров С.А. Разработка приборных структур ZnTe - InP для микроэлектроники. Тез. докл. I Респ. научно-практич. конф. Кишинев, 198I, с.34.

10. Ребров С.А., Цуркан А.Е. Механизм излучательной рекомбинации в гетеропереходах ZnTe - InP. - В кн. : Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах. Тез. докл. Ш Всес. конф.,т.П. Одееса, 1982, с.48-49.

11. Радауцан С.И., Ребров С.А., Цуркан А.Е. Влияние поверхностных состояний на границе на электрические и люминесцентные свойства гетероперехода р - ZnTe - n - InP . - В кн.:

П УТ

Физика и техническое применение полупроводников AB. Тез. докл. У Всес. совещания, т.П. Вильнюс, 1983, с.123-124.

12. Radautsan S.I., Rebrov S.A., Tsurkan А.Е. Some properties of ZnTe-InP heterojunctions. - Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v.84, № 2, p. K169-K171.

В заключение считаю своим долгом выразить благодарность: -руководителю работы, доктору технических наук, профессору Сергею Ивановичу Радауцану за предложенную тему и подцержку при выполнении работы; к.ф.-м.н. Цуркану А.Е. за постоянное внимание и помощь в ходе проведения работы, а также всему коллективу лаборатории полупроводниковых соединений, где проводилась работа,

- 172 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОБЩИЕ ШВОДО

1. Алферов Ж.И, Гетеропереходы в полупроводниковой электронике, - В кн,: Физика сегодня и завтра, - Л,: Наука, 1973, с.61-89,и *

2. Прохоров A.M. Физика твердого тела и её роль в науке и практике. УФН, 1976, т.118, вып.2, с. 193-198.

3. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры ( Обзор ). -ФТП, 1977, T.II, вып.II, с. 2072-2083.

4. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках. В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях АПВ71. Кишинев: Штиинца, 1974, с. 3-5.

5. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Тонкие пленки полупроводниковых соединений ( Обзор ). Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1969, т.5, №5, с. 822-852.

6. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971, - 480 с.

7. Адирович Э.И. Основные идеи и перспективы оптоэлектроники

8. С Обзор ). Изв. ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1968, т.II, к 7, с. 679-694.

9. Гончаренко A.M. Некоторые итоги и проблемы развития интегральной оптики. Журнал прикладной спектроскопии, 1982, т.37, вып.6, с. 965-971.

10. Коган Л.М. Светоизлучающие диоды. Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 3(138), с. 100-III.

11. Ю.Сушков В.П. Многоэлементные полупроводниковые индикаторы для отображения информации. Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 3(138), с. 3-30.1. ТТ УТ

12. Георгобиани А.Н. Широкозонные полупроводники АЧ5 и перспективы их применения ( Обзор ). УФН, 1974, т.13, № I,-г* 'с. 129-155.

13. Hartman Н., Mash К., Sell В. Wide gap II-VI compounds as electronic material. Curr. Top. Mater. Sci., И982, v.9, p. 1-414.

14. Радауцан С.И., Цуркан А.Е. Теллурид цинка. Кишинев: Шти-инца, 1972, - 203 с.

15. Лукашевич П.Г., Грибковский В.П., Иванов В.А. Стимулированное излучение нелегированного теллурида цинка при однофо-тонном оптическом возбуждении. Журнал прикладной спектроскопии, 1980, т.32, вып.6, с. 1073-1078.

16. Грибковский В.П., Зимин Л.Г., Иванов В.А. и др. Теллурид цинка перспективный полупроводниковый материал для опто-электроники. - Минск, 1979, - 4 с.

17. Сенокосов Э.А., Стойкова В.Г., Усатый А.Н. Экситонная люминесценция в слоях ZnTe на сапфире. Изв. АН МССР, сер. физ.-техн. и матем. наук, вып.1, 1983, с. 63-65.

18. Калинкин И.Н., Алесковский В.Б., СимаШкевич А.В. Эпитакси-альные пленки соединений А^В^1. Л.: изд-во ЛГУ, 1978,- 311 с.

19. Новоселова А.В. Проблемы химии полупроводников. Вестник АН СССР, 1983, вып.З, с. 9-16.

20. Физика и химия соединений А^В3^/ пер. с англ. под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970, - 624 с.

21. Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений А%У1. Кишинев: Штиинца, 1980, - 155 с.

22. Лазеры на гетероструктурах, т.2 / Под ред. П.Г.Елисеева -М.: Мир, 1981, 364 с.

23. Carides G., Fisher A.G. The phase diagram of zinc telluride. Solid State Comm., 1964, v.2, №8, p. 217-218.

24. Radautsan S.I., Tsurkan A.E., Maksimova O.G. The phase diagram of ZnxCd1-xTe solid solution. Phys. Stat. Sol., 1970, v.37, F>1, p. K9-K11.

25. Kroger F.A. The P-T-Z phase diagram of the system Zink -Tellurium. J. Phys. Chem., 1965, v.69, №10, p.3367-3369.

26. Чеснокова Д.Б., Ормонт Б.Ф., Дне дрова В.Г. и др. Выращивание монокристаллов теллурида цинка в термохимически контролируемых условиях. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1976, т.12, № 5, с. 822-825.

27. Чеснокова Д.Б., Ормонт Б.Ф., Шистер С.С. и др. Исследование ширины области гомогенности теллурида цинка. Известия ЛЭТИ, 1972, вып.16, с. 30-37.

28. Brebrick R.F. Partial pressure in the Cd-Te and Zn-Te systems. J. Electrochem. Soc., 1971, v. 118, №2, p.2014-2020.

29. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and GdTe. Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, p. 307-312.

30. Курик М.В., Савицкий Ав В. Оптические свойства теллурида цинка. Оптика и спектроскопия, 1966, т.20, № 2, с.297-301.

31. Marine J., Rodot H. P-n junction formation in ion-implanted ZnTe. Appl. Phys. Lett., 1970, v.17, U°8, p. 352-354.

32. Fisher A.G., Carides J.N., Dresner J. Preparation and properties of n-type ZnTe. Solid State Comm., 1964, v.2,1, p. 157-159.

33. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник./ Под общ.ред. А.В.Новосёловой. М.: Наука, 1979,- 339 с.

34. Марина Л.И., Пашельский А.Я., Колесник Л.И. Полупроводникош увые фосфиды АпВ и твердые растворы на их основе. М.:1. Металлургия, 1974, 231 с;t *

35. Угай Я.А., Битюцкая Л.А., Попова А.Д. 0 кристаллизации фосфида индия из расплава. Изв. АН СССР,Неорганические материалы, 1967, т.З, № II, с. 1988-1993.

36. Угай Я.А., Гончаров Е.Г., Битюцкая Л.А. Равновесное давление пара над расплавом твердого раствора фосфида и арсенида индия. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т.З, № 9, с. 1555-1560.

37. Полупроводниковые соединения aV / Под ред. В.Н.Вигдоро-вича и А.Я.Нашельского. М.: Металлургия, 1967, - 727 с.

38. Uorris M.Т., Stanley C.R. Substrate temperature limits for epitaxy of InP by MBE. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, № 8, p. 617-620.- 180

39. Mahajan S., Bonner W.A., Chin А.К. The haracterization of highly-zinc-doped InP crystals. Appl. Phys., Lett., 1973, v. 35, № 2, p. 165-168.

40. Shinojama S., Uemura c., Yamamoto A. Growth of dislocation -free undoped InP crystals. Jap. J. Appl. Phys., 1980,v.19» No 6, p. L331-L334.

41. Ando H., Susa П., Kanbe H. Carrier density profiles in Zn and Cd diffused InP. Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20,3, P.L197-L200.

42. Autac S., Schlachetzki A. Shallow and selective diffusion of Zn in indium phosphide. Solid State Electron., 1981, v.24, No 1, p. 57-60.

43. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak P.H. Electroreflectance at a semiconductor electrolyte interface. - Phys. Rev., 1967, v.15, № 3, p. 696-720.

44. Jim W.M. Solid solutions in the psevdobinary (III-V) -(II-VI) systems and their optical and energy gaps.

45. J. Appl. Phys., 1969, v.40, № 6, p. 2617-2623.

46. Глазов B.M., Крестовников A.H., Нагиев В.А. и др. Исследование фазового равновесия в квазибинарных системах inP-znTe и inP-CdTe. Электронная техника, сер. 6. Материалы, 1972, вып. 4, с. 127-129.

47. Глазов В.М., Нагиев В.Н., Крестовников А.Н. и др. Фазовые равновесия В КВазИбИНарНЫХ СИСТемаХ InP-ZnTe И InP-CdTe. -Изв. АН СССР. Неорганические материалы , 1973, т.9, № II, с. II83-II89.

48. Tamura Т., Moriizumi Т., Takahashi К. ZnTe-InAs heterojunc-tions prepared by LPE. Jap, J. Appl. Phys., 1972, ▼♦11 f № 7, p. 1024-Ю31.

49. Moriizumi Т., Takahashi K. Epitaxial vapor growth of ZnTe on InAs. Jap. J. Appl. Phys., 1970, v.9, № 7, p.849-850.

50. Ota Т., Kanamori A., Takahashi K. Heterodiodes ZnTe thin films on GaAs, InAs, GaP single crystals prepared by vacuum -deposition epitaxy. Phys. Stat. Sol., 1973, v.17A, № 1, p. K5-K7.

51. Mitsuhiro N., Kazuo Т., Hiroshi 0. Chemical vapor growth of ZnTe on GaAs by the closed-tube method. Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.18, № 10, p. 1909-1914.

52. Mitsuhiro N., Hiroshi 0., Eiichi J. Vapor growth of zinc telluride by close-tube method. Jap. J. Appl. Phys., 1978, v.17, № 3, p. 571-572.

53. Магомедов H.H., Шефталь H.H. Получение монокристаллических пленок теллурида цинка из газовой фазы. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, т.8, № 3, с. 421-423.

54. Шефталь Н.Н., Магомедов Н.Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов znTe-GaAs • В кн.: Физические процессы в гетеропереходах: Тез. докл. Всес. конф. Кишинев, 1974, с. 52.

55. Муравьева К.К., Калинкин И.П., Сергеева Л.А. и др. Исследование роста и структуры монокристаллических пленок халь-когенидов кадмия и цинка. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1970, т.6, № 3, с. 434-440.

56. Калинкин И.П., Воронцов М.Д., Муравьева К.К. и др. Эпитак-сиальный рост пленок ZnTe в квазизамкнутом объеме. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1974, т.10, № 12,с. 2210-2213.

57. Калинкин И.П. Процессы вакуумной конденсации и свойства1. ТТ УТэпитаксиальных пленок соединений А^В .: Автореф. дисс. доктора хим. наук. Ленинград: Технологический ин-т, 1977,- 42 с.

58. Монастырский Л.С. Кристаллографические особенности осаждения теллуридов кадмия и цинка на арсенид и фосфид галлия.- Физич. электроника, 1977, вып.15, с. 86-90.

59. Бубнов Ю.З. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Советское радио, 1975, - 236 с.

60. Александров А.Н. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск; Наука, СО АН СССР, 1972, - 44 с.

61. Sçjcafumi J. Epitaxy of single crystal thin films ZnTe by MBE method. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v.15, № 6,p. 1001-1007.79.

62. Takafumi J., Shigeru M. Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe growth by МВБ . Jap. J. Appl. Phys., 1977, v.16, № 2, p. 369-370.

63. Kitagama P., Mishima Т., Takahashi K. MBR growth of ZnTe and ZnSe. J. Electrochem. Soc., 1980, v.127, № 4,p. 937-943.

64. Sreedhar А.К., Sharma B.L., Purohit R.K. Efficiency calculations for some p-n and p-p heterojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1970, v.3, № 3, p. K217-K221.

65. Wagner S., Shay J.L., Bachmann K.J. et all. p-InP-n-CdS solar cells and photovoltaic detectors. Appl. Phys. Lett.,1975, v.26, № 5, p. 229-230.

66. Shay J.L., Bachmann K.J., Bettini M. et all. Preparation and properties of InP-CdS solar cells. J. Appl. Phys.,1976, v.47, № 2, p. 614-618.

67. Coutts Т»J., Lowson K.J. p-InP-n-CdS heterojunctions solar cells. IEEE J. Solid state Electron Dev., 1978, № 2, spec, issue, p. 67-68.

68. InP CdS фотодиод. Патент США Jfc 672878 MKM Н OIL 31/04, публ. 2.04.76.

69. Shay J.L., Wagner S., Phillips J.C. HetегоJunction banddiscontinuities. Appl. Phys. Lett., 1976, v.28, № 1, p. 31-33.

70. Wagner S., Shay J.L«, Bachmann K.J. et all. Electroluminescent p-InP-n-CdS heterodiodes. Appl. Phys. Lett., 1976, v.29, № 7, p. 431-432.

71. Отжиг полупроводников Ш-Увн^ » улучшающий осавденяе Qds при изготовлении гетеропереходов. Патент США tè 718386 МКМ ( Н 01 L 21/205, H 01 L 21/302 ), дубЛ. 2.08.77.

72. Bettini M., Bachmann K.J., Shay J.L. Preparation of CdS-InP solar cells by chemical vapor deposition of CdS. -J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 4, p. 1603-1606.

73. Bettini M., Bachmann K.J., Shay J.L. CdS-InP and CdS-GaAs heterojunctions by chemical vapor deposition of CdS.

74. J. Appl. Phys., 1978, v.49» № 2, p. 865-870.97* Shay J.L., Wagner S., Bachmann K.J. et all. InP-CdS solar cells. IEEE Trans. Electron. Dev., 1977, v.24, № 4, p. 483-486.

75. Kaminov Y.P., Stulz L.W., Stanley B.I). Sputtering of poly- 186 crystalline InP on GdS and other substrates. J. Vac. Science and Technol., 1977, v.14, № 4, p. 1029-1031.

76. Yoshikawa A., Sakai Y. High efficiency n-CdS/p-InP solar cells prepared by close-spaced technique. Sol. State Electron., 1977, v.20, 2, p. 133-137.

77. Bachmann K.J., Shay J.L. Polycrystalline thin-films InP -CdS solar cells. Appl. Phys. Lett., 1976, v.29, № 2, p. 121-123.

78. Wagner S., Bachmann K.J., Bettini M. Chemistry and preparation of InP-CdS solar cells. J.Cryst. Growth, 1977, v.39, № 1, p. 128-136.

79. Горчак Л.В., Руссу Э.В., Киторача Л.Д. и др. Солнечные элементы на основе гетеропереходов с р+-п-р+ структурой. ЖТФ, 1983, т.53, » I, с. 199-201.

80. Ю5. Горчак Л.В., Гилан Э.В., Руссу Э.В. и др. InP-CdS гетеро-фотоцреобразователи и их температурные характеристики под АМО. Гелиотехника, 1983, вып.4, с. 10-13.

81. Ю6. Мехтиев АД., Бадалов А.З., Гусейнов И.А. Фотоцреобразо-ватель на основе Gds-inp гетероструктуры. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 3, с. 170-173.

82. Soc., 1963, v.110, p. 53-56. 109. Oldham W.G., Milnes A.G. Interface states in abrupt semiconductor hetero;Junctions . Solid State Electron., 1964, v.7, № 2, p. 153-165.

83. Hartmann H. Vapor phase epitaxy of II-VI compounds:a Review. J. Cryst. Growth, 1975, v.31, p. 323-322.

84. Радауцан С.И., Цуркан А.Е. Получение и исследование люминесцентных свойств фоточувствительннх гетеропереходов на основе теллурида цинка. В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с.31-40.

85. Цуркан А.Е., Верлан В.И., Ребров С.А. и др. Получение И' исследование электрических свойств гетеропереходов на основе ZnTe и inp . В кн.: Физика и химия сложных полуцроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с. I27-I3I.

86. Ребров С.А. Физические цроцессы в резких1 гетеропереходахznTe-inP. В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с. 44-58.

87. Певзнер В.В. Прецизионные регуляторы температуры. М.: Энергия, 1973, - 136 с.

88. Радауцан С.И,, Руссу Э.В. Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия. В кн.: Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. Кишинев: Штиинца, 1982, с. 75-85.

89. Радауцан Г.И., Попова Т.О., Руссу Э.В. и др. Химические полирующие травители для фосфида индия. Изв. АН МССР, сер. физ.-техн. и матем. наук, 1983, выпЛ, с. 65-67.

90. Цуркан А.Е., Ребров С.А. Поверхностные состояния границы раздела znTe-inP . В кн.: Физика соединений А%у: Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с. 48-49.

91. Цуркан А.Е., Бужор Л.В., Ребров С.А. а др. Получение и исследование сложных оптоэлектронвых приборных структур на основе теллуридов и оксидов. В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Тез. докл. Всес. конф. Ужгород,1980,с.44.

92. Aven М., Segall В. Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. Phys. Rev., 1963, v.130, № 1, p. 81-91.

93. Miksis M.G., Mandel G., Morehead P.P. Injection EL in p-type ZnTe. Phys. Lett., 1964, v.11, № 2, p. 202-203.

94. Watanabe N., Usui S., Kanai Y. Injection luminescence in ZnTe diodes. Jap. J. Appl. Phys., 1964, v.3, № 5,p. 427-428.

95. Crowder B,L., Hammer W.H. Shallow acceptor states in ZnTe a nd CdTe. Phys. Rev., 1966, v.150, 2, p. 541-545.

96. Кэй Дж., Лэби Т.Л. Таблицы физических и-химических постоянных. М.: Изд. Физ.-матем.литература, 1962, - 242 с.

97. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Нау-кова думка, 1970, - 145 с.- 189

98. Шик А.Я. Вольтамперная и вольтфарадная характеристики реальных гетеропереходов. ФТП, 1980, т.14, вып.9, с. 1728-1737.

99. Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions. -Solid State Electron., 1962, v.5, № 2, p. 341-348.

100. Donelly J.P., Milnes A.G. The capacitance of p-n heterojun-ctions including the effects of interface states. IEEE Trans. Electron. Dev.,.1967, v.ED-14, №2, p. 63-68.

101. Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. 0 влиянии состояний на границе раздела на свойства гетеропереходов. ФТП, 1980, т. 14, вып. 9, с. 1724-1727.

102. Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. Физические явления в неидеальныхгетеропереходах A%y- si . В кн.: Физика соединений1. Ш У ~

103. АШВ'; Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с. 20-21.

104. Shik A.Y., Shmartsev Y.V. On the theory of non-ideal hete*-rojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.64, № 2,p. 723-734.

105. Ruyven L.Y., Papenhuijren Y.M.P., Verhoeven A.C.Y. Optical phenomena in Ge-GaP heterojunctions. Solid State Elect» . ron., 1965, v.8, № 8, p. 631-640.

106. Куликова O.B. Получение и исследование электрофизических свойств гетеропереходов zn Cd1 Te-insb(inAs). : Автореф.jC I Jtдисс. . канд.физ.-шт.наук. Кишинев: Ин-т прикладной физики АН MCGP, 1984, - 16 с.

107. Андриеш A.M., Сенокосов Э.А. Электропроводность пленок znse в сильных электрических полях. В кн.: Материалы докл. У1 научно-яехнич.конф. политехнич. ин-та: Кишинев, 1970, с. 63.- 190

108. Hovel H.J., Milnes A.G. Electrical characteristics of n-ZnSe-p-Ge heterojunctions. Int. J. Electron., 1968,v.25, № 2, p. 201-208.

109. Popov A.S., Trifonova E.P. N-p heterojunctions CdSnAs2 -InP. Phys. Stat. Sol.(a), 1980, v.58, № 2, p. 679-684.

110. Rihen A.R., Feught D.L. Electrical transport in nGe -pGaAs heterojunctions. Int. J. Electronics, 1966, v.20, № 6, p. 583-589.

111. Nathan M.J., Morgan Т.К., Bruns G. High energy emission in GaAs electroluminescent diodes. Phys. Rev., 1966, v,146, 2, p. 570-574.

112. Фок M.B. Развитие представлений о механизме электролюминесценции. -Изв. АН СССР, сер. физическая, 1981, т.45, № 2, с. 376-379.

113. Верлан В.И., Ребров С.А., Руссу Э.В. Электролюминесценция гетеропереходов znTe-inp . В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев; Штиинца, 1976,с. 81-86.

114. Радауцан С.И., Цуркан А.Е., Ребров С.А. Фоточувствительные излучатели света на основе гетеропереходов теллурид цинка фосфид индия. - В кн.: Резюме докл. 5 Мевд.совещ. по фотоэлектрич. и оптич. явлениям в твердом теле. Варна (Болгария), 1976, с. 26.

115. Ребров С.А., Цуркан А.Е. Механизм излучательной рекомбинации в гетеропереходах znTe-inP . В кн.: Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах, ч.П: Тез. докл. III Веес. конф. Одесса, 1982, с. 48-49. „

116. Radautsan S.I., Rebrov S.A., Tsurkan A.E. Some properties of ZnTe-InP heterojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1984,2, p. K169-K171.

117. Ребров O.A., Цуркан A.E., Бореймогорская I.A. Влияние образования сложных фаз на неустойчивость тока в р-п гетеропереходах ZnTe-InP . В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всес. конф. Кишинев, 1979, с. 208.

118. Ребров O.A. Разработка приборных структур ZnTe-InP для микроэлектроники. В кн.: Тез. докл. I Респ. науч.-цракта ч. конф. Кишинев, 1981, с. 24.

119. Геда Н.Ф. Измерение параметров приборов оптоэлектроники. -М.: Радио и связь, 1981, 365 с.

120. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1961, - 431 с.

121. Верещагин И,К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974, - 280 с.

122. Красников Н.И., Федченко А.Н., Цыркунов Ю.А. Исследование влияния толщины электролюминесцентных пленок на некоторые их характеристики. Журнал прикладной спектроскопии, 1981, т.35, вып.2, с. 292-298.

123. Айвазов A.A., Глазов В.М., Белоусов П.С. Неупорядоченные сплавы на основе селена и явления переключения в них. -Обзоры по электронной технике, сер.6, Материалы. М.: ЦНИИ Электроника, 1979, вып.3,(626), - 56 с.