Исследование процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических галогенидах и халькогенидах Ag,Cd,Zn методами СВЧ-фотопроводимости и диэлектрической спектрометрии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.17 ВАК РФ

На правах рукописи

иозоБзгоз Радычев Николай Александрович Ц р ФЕВ 2007

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ГЕНЕРАЦИИ И

ГИБЕЛИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ГАЛОГЕНИДАХ И ХАЛЬКОГЕНИДАХ А& С<1, Ъа МЕТОДАМИ СВЧ-ФОТОПРОВОДИМОСТИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ

01.04.17 химическая физика, в том числе физика горения и взрыва

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка - 2007

003053103

Работа выполнена в Институте проблем химической физики РАН.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор Новиков Г.Ф. Научный консультант кандидат химических наук

Метелева Ю.В.

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математических наук Смирнов В. А.

кандидат физико-математических наук Бабенко С.Д.

Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН

Защита состоится февраля 2007 года в /О — часов на заседании

диссертационного Совета Д 002.082.01 при Институте проблем химической физики РАН по адресу: 142432, Московская область, г. Черноголовка, пр. H.H. Семенова, д. 1, Институт проблем химической физики РАН, корпус 1/2.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института проблем химической физики РАН.

/О

Автореферат разослан « » января 2007 года.

Ученый секретарь диссертационного совета

кандидат физ.-мат. наук A.A. Юданов

О Радычев H.A. 2007 О Институт проблем химической физики РАН 2007

ВВЕДЕНИЕ

Диссертация посвящена исследованию процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических полупроводниковых халько-генидах и галогенидах Ag, С<3, 7л\, а также их твердых растворах, на основе двух связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта.

Актуальность работы

Поликристаллические полупроводники и А В в настоящее

время привлекают к себе все больше внимание исследователей из-за их потенциальных возможностей применения в разных областях науки и техники: в средствах записи информации, в микроэлектронике, в производстве дешевых тонкопленочных солнечных батарей, в химических датчиках и датчиках излучений и др. Однако ряд нерешенных вопросов в настоящее время существенно сдерживает прогресс в этой области. В частности, это острый недостаток количественных данных по элементарным процессам, происходящим в этих веществах под действием света. Отсутствие таких данных (времен жизни свободных электронов и дырок до захвата в ловушки, констант скоростей или сечений реакций электронов и дырок с ионами и между собой и др.) не позволяет корректно прогнозировать предельные характеристики проектируемых устройств, оценивать долговечность приборов и стабильность их характеристик, влияние на параметры приборов внешних воздействий и т.д. В связи с выше сказанным исследование двух важнейших связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта - в поликристаллических полупроводниковых соединениях, халькогенидах и галогенидах Ag, Сё, Zn (а также их твердых растворах) представляется актуальным.

Цель работы состояла в том, чтобы, путем разработки и применения современных методов исследования, комбинируя измерения на полупроводниковых веществах с разной шириной запрещенной зоны и разным коэффициентом поглощения света получить количественные данные о процессах электрон-дырочной рекомбинации, проследить связь константы скорости рекомбинации свободных зарядов с энергией запрещенной зоны и выявить влияние освещения на диэлектрические характеристики полупроводниковых соединений.

Научная новизна

1. Впервые проведены систематические исследования методом СВЧ-фотопроводимости (36 ГГц) кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях AgBr, Сс1Б, С(1х2п|.х5, СёБе,

Л Г

Сс1Те - в веществах с различной шириной запрещенной зоны. Выявлены особенности механизма в соединениях А§Вг, Сей, Сс^п^Б, CdSe, Сс1Те, проведено сопоставление экспериментальных результатов с результатами расчета кинетики. Предложена общая схема элементарных химических реакций, протекающих под действием света в соединениях А'ВУП и АпВУ1. Схема предполагает конкуренцию процессов захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры с процессами рекомбинации свободных электронов и дырок.

2. Впервые получены количественные данные по константам скоростей реакции рекомбинации свободных электронов и дырок, К,, в А§Вг, СсЙ, Сс^п^Б, С<38е, СёТе. Установлено, что К, существенно больше в веществах с меньшей энергией запрещенной зоны Ее, так что корреляционная зависимость Кг от £в оказалась близкой к экспоненциальной.

3. Впервые проведены измерения диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках Сей, Сс^п^Б, Ссйе в широком диапазоне частот электрического поля, температур и широком наборе длин волн возбуждающего света. Впервые на основании анализа формы спектров времен электрической дипольной релаксации в названных соединениях предложена модель для описания фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Практическое значение работы

Полученные экспериментальные данные, теоретические модели и разработанные методы исследования элементарных процессов в соединениях А'В™ и А В могут быть использованы при разработке сред записи и считывания информации, при разработке пассивных и активных лазерных сред, при конструировании дешевых тонкопленочных солнечных батарей, а так же для оценки чистоты веществ по интегральному содержанию примесей - акцепторов электрона.

Установленные закономерности и предложенные подходы к описанию и исследованию физико-химических процессов могут быть использованы широким кругом физиков и химиков при исследованиях свойств различных микродисперсных систем.

з

На защиту выносятся:

1. Экспериментальные результаты измерений методом СВЧ-фотопроводимости кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях А§Вг, СёБ, Сс1х2п].хБ, Сс15е, Сс1Те -веществах с различной шириной запрещенной зоны.

2. Кинетическая модель процессов, протекающих под действием света в соединениях А§Вг, Сс18, Сс^п^Б, СёБе, Сс1Те. Модель включает конкуренцию захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинации свободных электронов и дырок.

3. Количественные данные по константам скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в АдВг, Сс1Б, Сё^П].^, СёБе, СёТе, полученные на основании сравнения результатов .численного расчета предложенной модели с экспериментом. Установленная корреляционная зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от энергии запрещенной зоны полупроводника.

4. Результаты измерений диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках С<18, Сс1х2п].х8, Сс1Бе в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин возбуждающего света.

5. Результаты изучения влияния длины волны и интенсивности света на распределение времен диэлектрической релаксации в выше названных полупроводниковых соединениях. Предложенная модель для описания природы фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Апробация работы. Основное содержание диссертации отражено в 6-ти статьях и 9-ти тезисах докладов.

Результаты работ обсуждались и опубликованы в тезисах докладов на IV Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» в Саратове, 2003 г., XV симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2003 г., XXII Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике в пансионате «Клязьма», 2004, XVII Симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2005 г., XXIV Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», 2006, XVIII Всероссийском Симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2006 г.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, библиографии и списков рисунков и таблиц. Объем диссертации - 151 страница текста, включая 36 рисунков, 7 таблиц и библиографию из 192 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ОСНОВНЫХ ГЛАВ

Глава 1. Электрическая дипольная релаксация и электрон-ионные процессы, инициированные светом в полупроводниковых системах АИВУ1 и А1ВУН. (Обзор литературы)

В главе приведены необходимые для обсуждения результатов работы литературные данные по физико-химическим свойствам соединений А11В4'1 и А1ВУИ и их твердым растворам, приведены основные опто-электрические параметры (ширина запрещенной зоны Ер подвижность электронов и дырок цп, и и диэлектрические постоянные (статическая и оптическая) с5 и ех для исследованных халькогенидов кадмия. Обсуждаются вопросы природы релаксационных процессов и известные способы расчетов спектров времен диэлектрической релаксации. Обсуждаются противоречия в предложенных моделях для описания фотодиэлектрического эффекта в различных полупроводниковых соединениях, делается вывод, что в настоящее время для низкочастотной области электрических полей имеются лишь отрывочные сведения о природе фотодиэлектрического эффекта. В первую очередь, это связано с отсутствием серийно выпускаемых широкополосных приборов для исследований влияния света на диэлектрические параметры веществ и с не разработанностью методов обработки экспериментальных данных. Большей частью диэлектрические измерения были выполнены на ограниченном числе фиксированных частот в узком частотном диапазоне. Это сильно затрудняло разделение сквозной проводимости и электрической дипольной релаксации в диапазоне < 105 Гц и тем самым заметно снижало надежность интерпретации данных.

Как отмечено во введении, актуальной задачей является получение количественных данных по реакциям с участием заряженных частиц, генерированных светом в соединениях АПВ^ и А'ВУП. Сказанное относится, прежде всего, к реакциям захвата носителей тока ловушками и процессам рекомбинации. В связи с многообразием этих процессов в обзоре рассмотрены основы статистики электрон-дырочной рекомбинации: механизмы прямой рекомбинации, рекомбинации через примеси и дефекты, времена жизни при излучательной рекомбинации. Показано, что наиболее острый недостаток данных ощущается для микро- и наноразмерных объектов. Однако к началу выполнения диссертационной работы такие данные были известны лишь для монокристаллов. Анализ литературных данных показал, что наиболее перспективным методом для. микро- и нано объектов является метод СВЧ-фотопроводимости.

В конце главы изложена постановка задачи.

Глава 2. Экспериментальная часть

В данной главе Описаны примененные способы получения монокристаллов AgHal, поликристаллических пленок CdS, CdxZri|_xS, CdSe и образцов ipyinibi CdTe и необходимые для обсуждения результатов работы их физико-химические свойства.

Диэлектрические свойства образцов исследовали на автоматизированном широкополосном диэлектрическом спектрометре «Broadband Dielectric Spectrometi - concept eight» фирмы NOVOCONTROL. Спектрометр был дополнен системой освещения калиброванными потоками света с целью расширения возможностей прибора для намерений фотод «электрического эффекта. Измерения проводили в ячейке поверхностного типа с алюминиевыми электродами, типичный зазор между электродами составлял 0.2 мм. Электроды напыляли в вакууме (-10° торр). Далее образец с напыленными электродами помещался в специально изготовленный криостат с окном для освещения. л„

Схематически блок схема измерительной установки представлена на Рис. 1: диапазон частот 10 05 Гц, диапазон длин волн 350 + 2500 нм, диапазон температур от - 160"С до +400"С Температурная стабилизация поддерживалась с точностью до 0.1 "С криостатной системой «Quatro» (фирма NOVOCONTROL).

Разделение вкладов сквозной проводимости и электрической дм-Польной релаксации в ком плес ну го диэлектрическую проницаемость е*=с-jt; проводили двумя способами: на основании анализа диаграмм М (М) для комплексного электрического модуля потерь М*=М' -jM -1/s*1 и аппроксимацией зависимостей е* от частоты электрического поля «суммой функций Гаврильяка - Негами е учетом сквозной проводимости сгп:

K|4*.li iHilM

(Jualro

'jmpj

JH

Рис. 1. Ьлок схема установки фотоди-электричсской спектроскопии

е(й>)=4-У =£

AS:

- +

-

Etfii

(\Н]щ)а)

где N - экспоненциальный фактор наклона; As - разность между низко-

1 В области сквозной проводимости форма диаграммы - полуокружность с центром на оси М.

частотным е0 и высокочастотным пределами действительной части е'\ аир- параметры формы.

Распределения G(t) рассчитывались численно как обратная задача. Например, в случае Дебаевской релаксации G(т) определялись из соотношения:

м /-1 f \

£*(&) = £„+ (£0 ~ £к ) Í—'.

' 1 + 1й)Т

Рекомбинационные процессы в изучаемых образцах исследовали методом СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 8-мм и 3-см. Регистрировали изменение отраженной СВЧ-мощности (СВЧ-фотоотклик). АР = APQ + дР{ от резонатора с образцом, размещенным в пучности резонатора ТЕюг типа (где ДPq - вклад в фотоотклик изменения добротности резонатора, 8Pf — вклад в фотоотклик сдвига резонансной частоты^)- Блок схема установки представлена на Рис. 2.

СВЧ - фототклик регистрировали виртуальным осциллографом

Bordo 220 с чувствительностью 10 мВ и разрешающей способностью 10 не. Источником света служили лазеры ЛГИ 21 и ЛГИ 505 (с длительностью импульса 8 не и X = 337 нм) и комбинация эксимер-ный лазер LPX 100+ лазер на красителях FL-3000 (15 не и 440 нм). Интенсивность света (полная энергия света в импульсе) / измеряли термоэлементами, относительная ошибка измерений не превышала 10%. Применяли как однократный, так и периодический режим работы. В отсутствие влияния предварительной засветки на СВЧ - фотоотклик работа в периодическом режиме позволяла накапливать измерения сигнала, тем самым заметно повышая чувствительность методики.

циркулягор Рис. 2. Блок схема СВЧ установки

С, пФ

Глава 3. Исследование влияния освещения на диэлектрические свойства полупроводниковых пленок

Под действием света электрическая емкость образцов СёБ, Сс^п,.^ и СёБе возрастала в сторону низких частот электрического поля (Рис. 3). Наличие максимумов на зависимости и их смещение при различных энергиях возбуждающего света говорит о релаксационных процессах, происходящих на свету. Так как изменения диэлектрических параметров происходят под действием света (с энергией Иу » кТ, к - постоянная Больцмана), то естественно считать, что это изменение связано с рождением носителей тока, а, учитывая независимость tgд^f) от интенсивности света, можно предположить, что за изменение проводимости вещества и диэлектрической проницаемости ответственна одна и та же частица, в нашем случае - это электрон.

Анализ спектра времен релаксации С(т) для различных длин волн света показал, что положение максимумов зависело от Ьу и смещалось в сторону высоких времен релаксации с уменьшением энергии кванта. При этом обратные величины макси-

Гц

Рис. 3. Зависимость электрической емкости Сс18 1 - темновые измерения, 2 - 840 нм, 3 - 500 нм. Т=20С

мальных значении времен релаксации г'1 линейно зависели от интенсивности света. Характер зависимости г' от энергии кванта света показана на Рис. 4. Смещение в спектре б(т) и зависимость т1(Е) можно понять, полагая

г'=сг/, где а=/3я - сечение ионизации поглощающего центра, р -квантовый выход ионизации, 5 - сечение поглощения света, I - интенсивность света.

При понижении температуры от 20°С до -50°С происходили ярко выраженные изменения в спектре

(1/х )*ю4, отн. ед

25 е, эв

Рис. 4. Зависимость 1/г, для СсЗБ от энергии кванта падающего света Т=20°С

времен релаксации в диапазона длин 2.5-3 эВ. На зависимости обратных времен релаксации от энергии кванта света на фоне основной полосы возникал широкий максимум в области 2.5-3 эВ. При понижении температуры до значения 7=-100°С максимумы на зависимости обратных времен релаксации от £ в области 2.5-3 эВ трансформировались в узкие пики с ^•тах = 2.5 эВ. Учитывая связь г1 с сг, образование узких пиков и их термический распад может быть связан с образованием и развалом экситона. С целью разделения вкладов в изменения диэлектрических параметров фотопроводимости и дипольной релаксации анализировали форму диаграмм и М'(М) для всех полупроводниковых образцов в широком диапазоне температур. Характерным Оказалось, что при возбуждении светом с энергией больше Ее на диаграммах в области низких значений проницаемости наблюдается область полуокружности (см. Рис. 5, кривая 1), которая частично описывается диаграммой Коула-Коула. Можно предположить, что при происходит образо-

вание диполя в виде электрон-дырочной пары который дает вклад в электрическую дипольную релаксацию. При энергиях меньше эта область исчезает.

С другой стороны, как видно из Рис. 6 на диаграммах М\М) при всех длинах волн возбуждающего света наблюдалась полуокружность, свидетельствующая о том, что во всех случаях наблюдалась сквозная проводимость — фотопроводимость.

Глава 4. Исследование рекомбинационных процессов в полупроводниках методом СВЧ-фотопроводимости

Данная глава посвящена исследованию рекомбинационных процессов в полупроводниковых соединениях А'ВУП и АПВУ1, различающихся

Рис. 5. Зависимость ¿'(¿') для

са^гпоД т=-\оо°с.

1-Х =350 нм; 2-Х =600 нм

М"

м'

Рис. 6. Зависимость М"(М0 для образца Сс^гпозБ. Т=20°С. 1 - X =400нм; 2-Я =600 нм

шириной запрещенной зоны и коэффициентом поглощения света. Измерения проводились методом СВЧ-фотопроводимости на образцах монокристаллов (А£Вг, СсГГе), пленках (Сс^п^Б, СсВе) и микродисперстных поликристаллических образцах Сс1Те, легированных СсИ2. Практически для всех исследованных образцов форма зависимости СВЧ-фотоотклика от частоты электрического поля была симметричной относительно/= /о, что свидетельствовало о преимущественном вкладе в фотоотклик компоненты АР0 » БР(.

Пленки С^гпь^

Спады СВЧ-фотоотклика в образцах Сс^п^Б (0.2 < х < 1) состояли из двух компонент: быстрой и медленной. Наибольшую амплитуду быстрой компоненты показывали пленки состава близкого к СёБ, полученные пиролизом тиомочевинных комплексов при температуре подложки Т=500°С. С увеличением содержания Хп в слоях Сс^п^Б амплитуда уменьшалась. Для состава Сс10 {¿.щ и Сё0 з^По 78 при интенсивностях падающего света / < 510м фотон-см"2 за импульс наблюдали только процессы первого порядка, т.к. зависимость амплитуды фотоотклика от / была линейной. Отсутствие процессов второго порядка можно объяснить высокой концентрацией в пленках ловушек электрона с большим сечением захвата. Такими ловушками служат межузельные ионы кадмия и цинка, которые присутствуют в структуре пленки близкой к структуре сульфида цинка.

Для составов Сс1о 5%по 5$-С<18 при / < 5-10й фотон-см"2 за импульс наблюдались как процессы первого, так и второго порядков. Зависимость АР(1) была нелинейной, и время полуспада быстрой компоненты увеличивалось с уменьшением I. Появление рекомбинационных процессов, по-видимому, связано с тем, что в пленках, начиная с состава Сёс^п^Б, преобладающим типом дефектов являются вакансионно-кислородные дефекты, имеющие меньшее сечение захвата.

' Теоретический расчет. кинетики спадов отклика СВЧ-фотопроводимости при разных интенсивностях света (Рис. 7) позволил по-

Рис. 7. Спады СВЧ-фотоотклика пленки Сё0 5Б при интенсивностях: 1 - 4.410м, 2 - 4.4-10°, 3 - 1.7-10", 4 - 8Т012 фотон-см"2 за импульс. Точки эксперимент, кривые - расчет

лучить константу скорости рекомбинации свободных электронов и дырок: для пленок С^52п055 Кг = 6.7-10"12см3'с''.

Пленки CdSe

Для образцов СёБе соотношение амплитуд и временных характеристик быстрой и медленной компонент существенно зависело от /. Зависимость суммарной амплитуды фотоотклика от / была нелинейной (Рис. 8) за исключением области низких I < 1015-см"2-фотон за импульс (вставка рис. 8).

При изменении интенсивности света более чем на три порядка величины быстрая компонента присутствовала на всех спадах фотоотклика с практически неизменным

I сч ' «шп ш 1

Рис. 9. Зависимость Т\ц быстрой компоненты спада фотоотклика в Сс15е от плотности светового облучения.

/х10'\сл/ г-1ШП\"1ЬС 1

Рис. 8. Зависимость амплитуды фотоотклика от интенсивности падающего света в Сс18е для момента времени 30 не после начала импульса

временем полуспада тш = 15-20 не. Естественно предположить, что столь незначительные изменения характеристического времени спада быстрой компоненты фотоотклика при увеличении 1 при значительном росте амплитуды могут быть обусловлены процессом рекомбинации, протекающим за время, меньшее временного разрешения прибора. Действительно, для максимальной / = 4.1-1015 см"2-фотон за импульс теоретическая оценка времени полуспада дает Т]/2 ~ 0.05 не < гп, где г„ -временное разрешение прибора. Сделанное предположение подтвердилось при анализе зависимости интеграла фотоотклика от Г.

т., рекомбинация

п

т1 захват ...

Отношение АР/1 от 1 в (1) (Рис. 9) отражает изменение характеристического времени процесса при изменении интенсивности света. Из Рис. 9 можно видеть, что зависимость отношения ДР// от I в логарифмических координатах в области высоких интенсивностей представляет собой близкую к прямой линию с наклоном, равным единице, - это область связана с рекомбинацией свободных зарядов, где T\i2 < т„. При малых интенсив-ностях света Т\а практически не зависит от / - это область захвата свободных зарядов ловушками.

Параметры, определяющие временные характеристики фотоотклика, получали аппроксимацией спадов AP(t) при разных 1. Для того чтобы избежать неоднозначности при аппроксимации экспериментальных данных по кинетике спадов СВЧ-фотоотклика из-за большого числа варьируемых параметров: 9 констант скоростей и 3 концентрации, предварительно анализировали вклад различных процессов в кинетику спадов и определяли пределы изменения варьируемых параметров. Приведенные на Рис. 10 результаты для селени-да кадмия соответствуют величине Кх = (4-6) х 10"11 см3с"'.

Монокристаллы и порошки CdTe, легированные Cdl2

В нелегированном поликристаллическом CdTe СВЧ-фотоотклик был слишком мал для регистрации, но надежно регистрировался в образцах, содержащих CdL. Зависимость амплитуды фотоотклика от I была нелинейной. Форма спадов фотоотклика AP(t) при увеличении I практически не менялась, но зависела от концентрации введенного Cdl2. Было предположено, что при легировании происходит снижение общей концентрации электронных ловушек в образцах или появление «новых», константа скорости захвата электрона в которые меньше. Сделанное предположение согласуется с известным фактом, что в образцах CdTe, содержащих сверх-стехиометрический теллур, основными глубокими электронными ловушками являются вакансии кадмия VCd. Наличие большой концентрации ловушек может быть основной причиной быстрой гибели свободных электронов в исходном CdTe.

ЛР, отн ед

0 200 400 600 800

I нс

Рис. 10. Спады фотоотклика СВЧ-фотопроводимости в Сс15е при нескольких/: 1 -4 1 х 1015; 2 - 1.3 х 1014; 3-0.39 х 10м; 4 - 2 х Ю12 см"2 фотонов за импульс. (Маркеры - эксперимент, сплошные линии - расчет)

Предположение о влиянии сверхстехиометрического теллура на спады СВЧ-фотоотклика подтверждается также наблюдением фотоотклика в Сс1Те, отожженном в парах кадмия. При введении СсП2 в структуру Сс1Те по механизму самокомпенсации образуются ассоциаты [ Ус/'' яв-

ляющиеся мелкими ловушками. Анализ кинетики позволил подтвердить механизм влияния легирования йодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости Сс1Те и получить константу скорости рекомбинации свободных электронов и дырок: Кг = (3±1)х10"и см3с"'. Рассчитанные величины константы в поликристаллических образцах СсГГе, легированных СсП?, не зависели от уровня легирования.

Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводников

Анализ экспериментальных и литературных данных по полупроводникам с шириной запрещенной зоны в диапазоне от 3,2 эВ до 1,5 эВ (СсГГе)

позволил впервые установить корреляционную зависимость константы скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны. Представленная в полулогарифмических координатах зависимость близка к линейной (Рис. 11), поэтому формально эмпирическую зависимость Кг от Е8 можно записать в виде экспоненциальной функции:

л; = л;0 ехр{-«■£;}, где а=1,5 эВ' (2)

По-видимому, эта зависимость отражает снижение вероятности рекомбинации электронов и дырок при увеличении энергии запрещенной зоны в полупроводнике из-за необходимости размена все большей энергии, выделяющейся при рекомбинации.

Рис. 11. Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводника.

выводы

1. Разработана автоматизированная установка для измерения СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц при возбуждении короткими (8-15 не) импульсами лазеров, с регистрацией, накоплением и обработкой результатов эксперимента на компьютере. Разработанная экспериментальная методика приготовления образцов и проведения измерений позволила изучить процессы рождения и гибели электронов и дырок в наносекундном диапазоне времен в широком наборе порошкообразных и тонкопленочных полупроводников.

2. Впервые на базе серийного диэлектрического спектрометра разработана методика исследования влияния света на диэлектрические свойства полупроводниковых образцов - явления, называемого в литературе «фотодиэлектрическим эффектом» (ФДЭ). Параметры созданной установки позволяют исследовать ФДЭ в диапазоне частот электрического поля 10"3— I О5 Гц температур -160-300°С, длин волн света 320-2500 нм.

3. На основании изучения зависимостей распределения времен диэлектрической релаксации от длины волны и интенсивности света в полупроводниковых соединениях СёБ, Сс1х2п|_х8, СёБе установлено, что величина обратного времени релаксации пропорциональна произведению сечения ионизации на интенсивность света, что позволяет использовать ФДЭ для изучения особенностей процессов генерации носителей тока в разных полупроводниках. Предложена модель, позволяющая описать полученные и литературные данные по ФДЭ.

4. Исследована рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках с разной шириной запрещенной зоны: А§Вг 2,6 эВ), Сс^п^Б (2,4-3,2 эВ), СёБе (1,7 эВ), СсГГе (1.5 эВ). Впервые получены количественные данные по константам скоростей реакции рекомбинации свободных электронов и дырок, Кг, в перечисленных веществах. Установлено, что К, существенно больше в веществах с меньшей энергией запрещенной зоны Еъ, так что корре-

ляционная зависимость К, от Ее оказалась близкой к экспоненциальной. По-видимому, полученная зависимость отражает снижение вероятности рекомбинации электронов и дырок при увеличении энергии запрещенной зоны в полупроводнике из-за необходимости размена все большей энергии, выделяющейся при рекомбинации.

Основное содержание работы изложено в следующих публикациях:

1) Радычев H.A., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом серебра (лазерные среды). // Конденсированные среды и межфазные границы, 2004, т. 6, №2. С. 182-187.

2) Радычев H.A., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом. // Сб. статей 4-й Международной конференции молодых ученых и студентов. Естественные науки. 10-12 сентября, Самара, 2003г. Части 4-8. с. 30-32.

3) Радычев H.A., Новиков Г.Ф., Чернов И.А., Метелева Ю.В. Фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS в области энергий меньше ширины запрещенной зоны. // Физическая химия, 2005, т. 79, №11, с. 1867-1869.

4) Radychev N.A., Novikov G.F., Chernov I.A., Meteleva Yu.V. Photodielec-tric Effect in CdS Thin Films at Energies smaller than the Energy Gap. // Russian Journal of Physical Chemistry, 2005, V. 79, № 11, pp. 1867-1869.

5) Радычев H.A. Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // Известия Академии Наук, серия химическая, 2006, № 5, с.740.

6) Метелева Ю.В., Радычев H.A., Новиков Г.Ф. Получение пленок CdSe из координационных селеномочевинных соединений и их свойства. // Неорганические материалы, 2006, т.7.

7) Гапанович М.В, Рабенок Е.В., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия // Химия высоких энергий, 2006, т. 12.

8) Радычев H.A., Метелева Ю В., Чернов И.А, Новиков Г.Ф. Низкочастотный фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS. // И Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" "ФАГРАН-2004", 10-15 октября, 2004 г., Воронеж, Материалы конференции, т. 1, с. 291-292.

9) Гапанович М. В., Радычев H.A., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика гибели генерированных светом электронов в телуриде кадмия, легированного иодом // III Всероссийская кон-

ференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах "ФАГРАН-2006", 11-15 октября, 2006 г., Воронеж., Материалы конференции. 2006, с. 413-414.

10) Новиков Г.Ф., Радычев H.A. Экспериментальное определение зависимости константы скорости электрон-дырочной рекомбинации от энергии запрещенной зоны в полупроводниках типа AnBvl и A'Bv". // Известия Академии Наук, серия химическая, 2007 (в печати).

11) Радычев H.A., Волошина Т.В., Кавецкая И.В. «Люминесценция Ag2S кластеров в боратном пористом стекле» // III Национальная кристал- . лохимическая конференция, 19-23 мая, 2003, Черноголовка, Тезисы докладов, с. 214-215.

12) Радычев H.A., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. СВЧ фотопроводимость легированного йодом AgBr // «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» IV Всероссийской конференции молодых ученых, 23-25 июня 2003 г., Саратов, Тезисы докладов, с. 37.

13) Радычев H.A., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом // 4-ая международной конференции старшеклассников, студентов, молодых учёных, преподавателей, аспирантов и докторантов "актуальные пробле-

. мы современной науки", 10-12 сентября 2003 г., Самара. Тезисы докладов, с. 30-32.

14) Радычев H.A., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Электрон-ионные процессы в легированном йодом AgBr. Лазерные среды для среднего ИК-диапзона // XV симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2003 Туапсе, Тезисы докладов, с. 122.

15) Радычев H.A., Ткаченко Л.И., Чернов И.А., Новиков Г.Ф., Алдошин С.М. Фотопроводимость композитных пленок полифенилацетилен-спиропиран. // XVII Симпозиума «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2005 г., Туапсе, Тезисы докладов, с.212-213.

16) Рабенок Е.В., Радычев H.A., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В., Тихонина H.A. Особенности переноса фотогенерированных заряженных частиц и реакции в особочистых и легированных микродисперсных порошках и монокристаллах галогенидов серебра. // XXII Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 15-18 марта 2004, Программа и тезисы, с. 31.

17) Гапанович М.В., Радычев H.A., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом. // XXIV Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 2006, Программа и тезисы, с. 24.

18) Гапанович М. В., Радычев H.A., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с. 162.

19) Радычев H.A., Новиков Г.Ф. Кинетика рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с. 156.

Сдано в набор 17 01.07. Подписано в печать 18 01.07. Формат 60x90 1/16. Печать офсетная Гарнитура «Тайме». Объем 1 п.л. Заказ 5. Тираж 100.

Подготовлено и отпечатано в типографии ИПХФ РАН. 142432, г. Черноголовка, Моск. обл., пр-т академика Семенова, 5.

Введение.

Актуальность работы.

Цель работы.

Защищаемые положения.

Научная новизна.

Практическая значимость результатов диссертации.

Личный вклад автора.

Апробация.

Структура диссертации.

Глава 1. Электрическая дипольная релаксация и электрон-ионные процессы, инициированные светом в полупроводниковых системах aV и A Bvn. Собзор литературы).

1.1 Краткая справка по физико-химическим свойствам соединений АИВУ1 и А'В™ и их твердым растворам.

1. 1.1. Кристаллическая структура АпBVI. Твердые растворы.

1.1. 2. Опто-электрические свойства халькогенидов кадмия.

Сульфид кадмия.

Сульфид цинка.

Твердые растворы CdxZni.xS. Влияние состава и примесей на ширину запрещенной зоны пленок системы CdxZnj.xS.

Селенид кадмия.

Теллурид кадмия.

1.2 Особенности электрической дипольной релаксации в разных средах.

1.2.1. Качественное различие проводников и диэлектриков.

1. 2. 2. Релаксационные процессы. Время релаксации.

1. 2. 3. Методики расчета спектров времен диэлектрической релаксации.

1. 2. 4. Зависимости Коула-Коула.

1.3 Фотодиэлектрический эффект в полупроводниках.

1. 3.1. История обнаружения и предложенные модели.

1. 3. 2. Современные исследования ФДЭ.

1. 3. 3. Экспериментальные данные в СВЧ-диапазоне.

1.4 Статистика рекомбинации электронов и дырок.

1.4.1. Типы рекомбинации.

1.4. 2. Скорость рекомбинации зона-зона.

1. 4. 3. Время жизни при излучателъной рекомбинации.

1. 4. 4. Рекомбинация через примеси и дефекты.

1. 4. 5. Количественные данные по захвату электронов и дырок ионами и электрон-дырочной рекомбинации.

1.5 Постановка задачи.

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1 Вещества для исследований.

2.1.1. Монокристаллы AgHal.

2.1. 2. Пленки CdS и CdxZnj.xS.

2.1.3. Пленки CdSe.

Получение пленок CdSe.

Рентгеновский анализ пленок CdSe.

Спектры пропускания CdSe.

Спектры отражения CdSe.

2.1. 4. Синтез образцов группы CdTe.

2.2 Методика измерений диэлектрических параметров и проводимости в низкочастотном (10"3-105 Гц) диапазоне электрических полей.

2. 2.1. Широкополосный диэлектрический спектрометр.

2. 2. 2. Разделение вкладов сквозной проводимости и электрической дипольной релаксации.

2. 2. 3. Экспериметнальная установка для измерений диэлектрических параметров вещества при освещении.

2.3 Методика СВЧ-фотопроводимости.

2. 3.1. Принцип метода СВЧ-фотопроводимости.

2. 3. 2. Измерения в 8-мм диапазоне частот.

2. 3. 3. Расчет кинетики.

2. 3. 4. Учет переходной характеристики измерительного тракта.

2. 3. 5. Сравнение с экспериментом.

Глава 3. Исследование влияния освещения на диэлектрические свойства полупроводниковых пленок.

3.1 Измерение диэлектрических свойств пленок CdS, CdSe, Cdo.5Zno.5S в темноте.

3.1. 1. Влияние материла контактов.

3.1. 2. Темновые электрические характеристики CdS, CdSe, Cdo.5Zno.5S.

3.2 Влияние освещения на диэлектрические свойства CdS.

3. 2. 1. Влияние света на электрическую емкость и tgSобразцов. .95 3. 2. 2. Анализ форм диаграмм е"(е) и М"(М) при различных энергиях кванта света.

3. 2. 3. Фотопроводимость образцов.

3.3 Времена релаксации.

3.3. 1. Влияние света на спектр времен релаксации.

3. 3. 2. Температурная зависимость времен релаксации.

3.4 Обсуждение.

Глава 4. Иссследование рекомбинационных процессов в полупроводниках методом СВЧ-фотопроводимости.

4.1 Исследование кинетики гибели носителей тока в монокристаллах AgBr.

4.1.1. Анализ кинетики спада СВЧ-фотопроводимости монокристаллов AgBr.

4.2 Исследование кинетики гибели носителей тока в Cd^Zni^S.

4.3 Исследование кинетики гибели носителей тока в CdSe.

4. 3.1. Кинетика спадов СВЧ-фотоотклика пленок CdSe, полученных при разных температурах подложки.

4. 3. 2. Кинетика СВЧ-фотоотклика пленок CdSe, полученных при температуре 50(fC.

4. 3. 3. Кинетическая модель процессов.

4. 3. 4. Зависимость формы спада СВЧ-фотоотклика от интенсивности света.

4. 3. 5. Выбор параметров для расчета кинетики.

4. 3. б. Константа скорости рекомбинации свободных электронов и дырок в CdSe.

4.4 Исследование кинетики гибели носителей тока в CdTe.

4. 4.1. Константа рекомбинации.

4.5 Обсуждение.

4. 5.1. Общие закономерности процесса рекомбинации зарядов в исследованных полупроводниках.

4. 5. 2. Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводника.

Выводы.

Диссертация посвящена исследованию процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических полупроводниковых халькоге-нидах и галогенидах Ag, Cd, Zn, а также их твердых растворах, на основе двух связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта.

Актуальность работы

Поликристаллические полупроводники AIBvn и AnBVI в настоящее время привлекают к себе все больше внимание исследователей из-за их потенциальных возможностей применения в разных областях науки и техники: в средствах записи информации, в микроэлектронике, в производстве дешевых тонкопленочных солнечных батарей, в химических датчиках и датчиках излучений и др. Однако ряд нерешенных вопросов в настоящее время существенно сдерживает прогресс в этой области. В частности, это острый недостаток количественных данных по элементарным процессам, происходящих в этих веществах под действием света. Отсутствие таких данных (времен жизни свободных электронов и дырок до захвата в ловушки, констант скоростей или сечений реакций электронов и дырок с ионами и между собой и др.) не позволяет корректно прогнозировать предельные характеристики проектируемых устройств, оценивать долговечность приборов и стабильность их характеристик, влияние на параметры приборов внешних воздействий и т.д. В связи с выше сказанным исследование двух связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта - в поликристаллических полупроводниковых соединениях, халькогенидах и галогенидах Ag, Cd, Zn (а также их твердых растворах) представляется актуальным.

Цель работы

Цель работы состояла в том, чтобы, путем разработки и применения современных методов исследования, проводя измерения на полупроводниковых веществах с разной шириной запрещенной зоны и разным коэффициентом поглощения света, получить количественные данные о процессах электрон-дырочной рекомбинации, проследить связь константы скорости рекомбинации свободных зарядов с энергией запрещенной зоны и выявить влияние освещения на диэлектрические характеристики полупроводниковых соединений.

Предполагалось, что существенный вклад в достижение данной цели будет получен благодаря применению импульсного метода СВЧ-фотопроводимости (36 ГГц). Одинаковая пригодность этого метода для исследований и массивных, и микродисперсных образцов обеспечивается малым дрейфовым смещением зарядов в используемых СВЧ-полях. Предполагалось также, что в низкочастотной области (10"3 - 105 Гц) методом диэлектрической спектрометрии исследования будут дополнены изучением электрической дипольной релаксации, вызванной действием света. В результате реализации экспериментальных методик в данной работе именно сочетание этих двух методов стало главным при проведении исследований и позволило получить ответы на ряд актуальных вопросов.

Защищаемые положения На защиту выносятся:

1. Экспериментальные результаты измерений методом СВЧ-фотопроводимости кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях AgBr, CdS, CdxZn!xS, CdSe, CdTe - веществах с различной шириной запрещенной зоны.

2. Кинетическая модель процессов, протекающих под действием света в соединениях AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe. Модель включает конкуренцию захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинации свободных электронов и дырок.

3. Количественные данные по константам скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe, полученные на основании сравнения результатов численного расчета предложенной модели с экспериментом. Установленная корреляционная зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от энергии запрещенной зоны полупроводника.

4. Результаты измерений диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках CdS, CdxZni.xS, CdSe в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин возбуждающего света.

5. Результаты изучения влияния длины волны и интенсивности света на распределение времен диэлектрической релаксации в выше названных полупроводниковых соединениях. Предложенная модель для описания природы фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Научная новизна

1. Впервые проведены систематические исследования методом СВЧ-фотопроводимости (36 ГГц) кинетики гибели электронов и дырок и предложена кинетическая модель, протекающих под действием света процессов в полупроводниковых соединениях AgBr, CdS, CdxZn^S, CdSe, CdTe - в веществах с различной шириной запрещенной зоны.

2. Впервые на основании сравнения результатов численного расчета предложенной модели с экспериментом получены количественные данные по константам скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe.

3. Впервые установлена зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от энергии запрещенной зоны полупроводника.

4. Впервые проведены измерения диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках CdS, CdxZni.xS, CdSe в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин возбуждающего света

5. Впервые путем численного анализа и разделения вкладов сквозной проводимости и электрической дипольной релаксации в измеряемый импеданс получены спектры времен электрической дипольной релаксации в соединениях CdS, CdxZni.xS, CdSe и предложена новая модель для описания фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Практическая значимость результатов диссертации Полученные экспериментальные данные, теоретические оценки и разработанные методы исследования элементарных процессов в соединениях и А В могут быть использованы при разработке сред записи и считывания информации, при разработке пассивных и активных лазерных сред, при конструировании дешевых тонкопленочных солнечных батарей, а так же для оценки чистоты веществ по интегральному содержанию примесей - акцепторов электрона. Установленные закономерности и предложенные подходы к описанию и исследованию физико-химических процессов могут быть использованы широким кругом физиков и химиков при исследованиях свойств различных микродисперсных систем.

Личный вклад автора Автором создана новая автоматизированная установка для измерений СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц. На базе серийного широкополосного диэлектрического спектрометра автором создана новая установка для измерения диэлектрических характеристик образцов в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин волн света. Все представленные в работе экспериментальные результаты получены лично автором или при его непосредственном участии. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с руководителями. Результаты, включенные в работу, частично были получены в рамках нескольких проектов, поддержанных РФФИ Выражаю особую признательность и благодарность за помощь в выполнении работы руководителю профессору, д.ф.-м.н. Новикову Г.Ф. и научному консультанту к.х.н. Метелевой Ю.В. Автор глубоко признателен за помощь в проведении численных расчетов к.ф.-м.н. Рабенок Е.В. Выражаю благодарность за ценные советы при обсуждении научных результатов сотрудникам лаборатории фотодинамических процессов к.ф.-м.н. Чернову И.А., к.х.н. Тихониной Н.А., Егорову В.А., Сермакашевой H.JL, Войлову Д.Н., Гапановичу М.В.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях:

1) Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом. // Сб. статей 4-й Международной конференции молодых ученых и студентов. Естественные науки. 10-12 сентября, Самара, 2003г. Части 4-8. с. 30-32.

2) Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом серебра (лазерные среды). // Конденсированные среды и межфазные границы, 2004, т. 6, № 2. С. 182-187.

3) Радычев Н.А., Метелева Ю.В., Чернов И.А, Новиков Г.Ф. Низкочастотный фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS. // II Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" "ФАГРАН-2004", 10-15 октября, 2004 г., Воронеж, Материалы конференции, т. 1, с. 291-292.

4) Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Чернов И.А., Метелева Ю.В. Фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS в области энергий меньше ширины запрещенной зоны. // Журн. Физической химии, 2005, т. 79, №11, с. 1867-1869 [Russ. J. Phys. Chem. 2005, V. 79, № 11, pp. 1867-1869 (Engl. Transl.)].

5) Радычев H.A. Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // Известия Академии Наук, серия химическая, 2006, № 5, с.740 [Russ. Chem. Bull. 2006, №5, р.740].

6) Метелева Ю.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Получение пленок CdSe из координационных селеномочевинных соединений и их свойства. // Неорганические материалы, 2006, т.43 № 5.

7) Гапанович М. В., Радычев Н.А., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика гибели генерированных светом электронов в теллуриде кадмия, легированного иодом // III Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах "ФАГРАН-2006", 11-15 октября, 2006 г., Воронеж., Материалы конференции. 2006, с. 413-414.

8) Гапанович М.В, Рабенок Е.В., Радычев. Н.А., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия // Химия высоких энергий, 2007.

9) Новиков Г.Ф. Радычев Н.А. Экспериментальное определение зависимости константы скорости электрон-дырочной рекомбинации от энергии запрещенной зоны в полупроводниках типа AnBVI и АГВУИ // Известия

Академии Наук, серия химическая, 2007 №2.

Апробация

Результаты работ обсуждались и опубликованы в тезисах докладов на III Национальной кристаллохимической конференции в Черноголовке, IV Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» в Саратове, 2003 г., XV симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2003 г., 4-ой международной конференции старшеклассников, студентов, молодых учёных, преподавателей, аспирантов и докторантов "актуальные проблемы современной науки" в Самара, 2003 г., XXII Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике в пансионате «Клязьма», 2004, XVII Симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2005 г., XXIV Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», 2006, XVIII Всероссийском Симпозиуме "Современная химическая физика" в Туапсе, 2006г. Тезисы докладов:

1. Радычев Н.А., Волошина Т.В., Кавецкая И.В. «Люминесценция Ag2S кластеров в боратном пористом стекле» // III Национальная кристал-лохимическая конференция, 19-23 мая, 2003, Черноголовка, Тезисы докладов, с. 214-215.

2. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. СВЧ фотопроводимость легированного йодом AgBr // «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» IV Всероссийской конференции молодых ученых, 23-25 июня 2003 г., Саратов, Тезисы докладов, с. 37.

3. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом // 4-ая международной конференции старшеклассников, студентов, молодых учёных, преподавателей, аспирантов и докторантов "актуальные проблемы современной науки", 10-12 сентября 2003 г., Самара. Тезисы докладов, с. 30-32.

4. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Электрон-ионные процессы в легированном йодом AgBr. Лазерные среды для среднего ИК-диапзона // XV симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2003 Туапсе, Тезисы докладов, с. 122.

5. Радычев Н.А., Ткаченко Л.И., Чернов И.А., Новиков Г.Ф., Алдошин С.М. Фотопроводимость композитных пленок полифенилацетилен-спиропиран. // XVII Симпозиума «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2005 г., Туапсе, Тезисы докладов, с.212-213.

6. Рабенок Е.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Личкова Н,В., Тихонина Н.А. Особенности переноса фотогенерированных заряженных частиц и реакции в особо чистых и легированных микродисперсных порошках и монокристаллах галогенидов серебра. // XXII Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 15-18 марта 2004, Программа и тезисы, с. 31.

7. Гапанович М.В., Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом. // XXIV Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 2006, Программа и тезисы, с. 24.

8. Гапанович М. В., Радычев Н.А., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом // XVIII Всероссийский Симпозиум

Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с.162.

9. Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Кинетика рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с. 156.

Структура диссертации

Диссертация состоит из 4 глав, содержание работы изложено на 154 страницах. Диссертация включает 64 рисунка, 8 таблиц, библиографию из 184 наименований.

Содержание глав.

выводы

1. Разработана автоматизированная установка для измерения СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц. Применен резонаторный метод с регистрацией отраженной мощности от резонатора ТЕюртипа с образцом малого объема, размещаемым в пучности электрического поля. Используется возбуждение короткими (8-15 не) импульсами лазеров. Благодаря применению виртуального осциллографа установка позволяет регистровая, накапливать и проводить первичную обработку данных на компьютере непосредственно в ходе эксперимента. Отработанные методики приготовления образцов и проведения измерений, вместе с усовершенствованным программным обеспечением для расчета кинетики процессов, ответственных за фотоотклик, позволили изучать процессы рождения и гибели электронов и дырок в широком наборе порошкообразных и тонкопленочных полупроводников в наносекундном диапазоне времен.

2. Впервые реализована широкополосная методика для исследования влияния света на диэлектрические свойства полупроводниковых образцов - явления, называемого в литературе «фотодиэлектрическим эффектом» (ФДЭ). Методика создана на базе диэлектрического спектрометра BDS -SR 810 фирмы Novocontrol, предназначавшегося для темновых измерений. Параметры созданной установки позволяют исследовать ФДЭ в диапазоне частот электрического поля 10"3-105 Гц, температур от -160 до +300°С, в условиях стационарного освещения 320-2500 нм разной интенсивности. Методика обработки данных диэлектрических измерений адаптирована к исследованиям ФДЭ и позволяет изучать эволюцию спектров времен диэлектрической релаксации при изменении температуры и освещенности образцов. Для разделения вкладов фотопроводимости и электрической ди-польной релаксации в комплексную диэлектрическую проницаемость используется анализ формы диаграмм типа Коула-Коула и «модуль-модуль» для комплексного электрического модуля.

3. Исследования зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости от длины волны света и температуры в полупроводниковых соединениях CdS, CdxZni.xS, CdSe показали, что соотношения вкладов фотопроводимости и диэлектрической релаксации существенно различны при генерации носителей тока в результате межзонного перехода и переходов с участием состояний в запрещенной зоне полупроводника. Путем изучения влияния интенсивности и энергии кванта света на спектр времен диэлектрической релаксации установлено, что величина обратного времени релаксации пропорциональна произведению сечения ионизации на интенсивность света, что позволяет использовать ФДЭ для изучения особенностей процессов генерации носителей тока в разных полупроводниках. Предложена модель, позволяющая описать полученные и литературные данные.

4. На основе полученного экспериментального материала по изучению кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях типа AIIBVI и AIBVII методом СВЧ-фотопроводимости предложена кинетическая модель процессов, протекающих под действием света. Модель включает конкуренцию захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинации свободных электронов и дырок. Детально исследована рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках с разной шириной запрещенной зоны: AgBr (Eg= 2,6 эВ), CdxZn,.xS (2,4-3,2 эВ), CdSe (1,7 эВ), CdTe (1.5 эВ). Впервые получены количественные данные по константам скоростей реакции рекомбинации свободных электронов и дырок, кт, в перечисленных веществах. Установлено, что кх существенно больше в веществах с меньшей энергией запрещенной зоны Eg, так что корреляционная зависимость кх от Е% оказалась близкой к экспоненциальной. По-видимому, полученная зависимость отражает

135 ражает снижение вероятности рекомбинации электронов и дырок при увеличении энергии запрещенной зоны в полупроводнике из-за необходимости размена все большей энергии, выделяющейся при рекомбинации.

Гписок рисунков

Рис. 1. Зависимость ширины запрещенной зоны пленок CdxZni.xS от состава.28

Рис. 2. Зависимость ширины запрещенной зоны пленок CdxZnixS от состава.29

Рис. 3. Спектр поглощения для монокристаллов CdTe (♦); пленок, прокаленных при Т = 300° С в присутствии CdCb (♦); на воздухе (х); в атмосфере аргона (*); наплавленных на подложку (■) [20].31

Рис. 4. Зависимость электропроводности от температуры и уровня легирования для CdTe, легированного индием.32

Рис. 5 Фотопроводимость монокристаллов CdTe.33

Рис. 6 Влияние поля на электрическое поведение сред.34

Рис. 7 Схема методов электрических измерений с объединенным поведением диэлектрических параметров в/ и е// соответственно шкале частоты и типа поляризации.36

Рис. 8 Зависимости термостимулированного люминесцентного излучения (кривая 1), термостимулированного тока (кривая 2), изменения диэлектрической постоянной (кривая 3) и изменения потерь в диэлектрике (кривая 4) от температуры для порошка фосфора ZnS по [99].43

Рис. 9 Частотная зависимость (Т=15С) а) АС; б) AtgS для различных интенсивностей возбуждающего света: 1)100%, 2) 39%, 3) 2.8%.44

Рис. 10 Частотная зависимость AtgS для различных температур интенсивность падающего света 39%).45

Рис. 11 Диаграммы е'(Л) для образцов Cdi.xZnxTe, отличающихся

•у плотностью ростовых дефектов. Параметры измерений:/=10 Гц, Т 293 К, значения длин волн Я соответствуют различным значкам, как указано на рисунке.46

Рис. 12 (а) Спектральная зависимость эффективных значений действительной и мнимой Ae"ff частей комплексной диэлектрической проницаемости для кристалла Cdo.g6Zno.14Te при фотовозбуждении (Я =0.6-1.8 мкр), (Ь) после линейной аппроксимации экспериментальной кривой на рис (а).47

Рис. 13 Электронные переходы между двумя состояниями.50

Рис. 14 К определению эффективного сечения рекомбинации.52

Рис. 15 Четыре типа элементарных процессов при рекомбинации электронов и дырок через локальные уровни.56

Рис. 16. Схема разложения координационного соединения на нагретой подложке.65

Рис. 17. Рентгенограммы для пленок CdSe, полученных при Г пиролиза, °С: 1 - 300,2 - 350, 3 - 400,4 - 500,5 - 550, 6 - 600.68 Л

Рис. 18. Зависимость (ahv) от энергии кванта света для пленок CdSe, полученных при: 1 - 500°С, 2 - 550°С, 3 - 600°С (кривые / и 3 очень близки).69

Рис. 19. Спектры отражения пленок, полученных при: 1 - 300°С, 2 - 350°С,

3 - 400°С, 4 - 500°С, 5 - 550°С, 6 - 600°С.70

Рис. 20. Зависимость (ahv) из отражения от hvдля пленок CdSe, полученных при: 1 - 300°С, 2 - 350°С, 3 - 400°С, 4- 500°С, 5 - 550°С,

6-600°С.71

Рис. 21 Схема измерения.74

Рис. 22 Схема измерительной ячейки в криостате.79

Рис. 23 Блок схема установки фотодиэлектрической спектроскопии.80

Рис. 24. Частотная зависимость СВЧ-фотоотклика: разделение вкладов APq и 8Pjo.82

Рис. 25 Резонатор ТЕт типа (схема).83

Рис. 26 Блок схема СВЧ установки 8-мм диапазона частот.86

Рис. 27 Пояснение к модели (см. текст).90

Рис. 28 Темновая электрическая емкость пленки CdS с электродами из различных металлов.93

Рис. 29 Зависимость электрической емкости от частоты электрического поля. Т=20°С для образцов 1 - CdS, 2 - CdSe, 3 - Cdo.5Zno.5S.94

Рис. 30 Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от частоты электрического поля Т=20°С.94

Рис. 31 Зависимость электрической емкости 1 -темновые измерения, 2.95 Рис. 32 Зависимость tgS(f) 1 - темновые измерения, 2 Л = 840 нм, 3 Л=600 нм. 7Ь20°С.95

Рис. 33 Зависимость tgS(f) от интенсивности света Я = 500 нм. Т = 20°С.

96

Рис. 34 Зависимость s"(s) для CdS.97

Рис. 35 Зависимость s"(&f) для Cdo.5Zno.5S 1 -hv= 3.3 эВ, 2- hv=2.1 эВ,.97

Рис. 36 Зависимость для.97

Рис. 37 Зависимость М"(МГ) для образца Cdo.5Zno.5S. 1 - Х=400нм; 2 -Х=600 нм. Г=20°С.98

Рис. 38 Зависимость дипольной релаксации для 2=430 нм. На вставке подробное описание релаксационной кривой 3, Г=20 С.98

Рис. 39Спектр фотопроводимости CdS.99

Рис. 40 Зависимость 1/тх от энергии кванта падающего света. 7Ь20°С.Л00

Рис. 41 Зависимость 1/т2 от энергии падающего кванта света. Т= 20°С. .100

Рис. 42 Зависимость от интенсивности света 1/г, при Я = Шнм.100

Рис. 43 Распределение времен релаксации G(r).101

Рис. 44 Зависимость 1/т2 от энергии кванта света при Т= -50°С.102

Рис. 45 Зависимость Мтх от энергии кванта света при Т= -50°С.102

Рис. 46 1/тг от энергии кванта падающего света при Т=-100°С.102

Рис. 47 Зависимость Мтх от энергии кванта света при Т=-100°С.102

Рис. 48 Зависимость амплитуды СВЧ-фотоотклика AgBr от интенсивности падающего света.107

Рис. 49 Фотоотклик в монокристалле AgBr при разных Iq\ 1 -1.4-1015,2

1Я 1

2.8-10 квант-см" за импульс. Сплошные линии - теоретические расчеты.107

Рис. 50. Спад СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S, /о = 5-1014 фотон-см"2 за импульс и зависимость амплитуды фотоотклика от интенсивности света (вставка).111

Рис. 51. Спад СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^ZnojS, /о = 5-1014 фотон-см"2 за импульс и зависимость амплитуды фотоотклика от интенсивности света (вставка).112

Рис. 52. Приведенные спады СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S: 1 -/о=1,7-1013 фотон см"2 имп."1; 2 - при /о=4,4-1014 фотон см"2 имп.'1.

Зависимость амплитуды фотоотклика от/о (вставка).113

Рис. 53. Спады СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S при I0: 1 - 4.4-1014,2 -4.4-1013,3 - 1.7-1013,4 - 8-1012 фотон-см*2 за импульс. Маркеры эксперимент, кривые - расчет.114

Рис. 54. Спад СВЧ-фотоотклика пленки CdS и зависимость его амплитуды от/о (вставка).115

Рис. 55. Спады СВЧ-фотоотклика (8 мм) пленки CdS при /0: 1 - 3.9-1014,2

3.9-1013,3 - 9-Ю12,4 - 61011 фотон-см"2 за импульс. Точки-эксперимент, кривые - расчет.115

Рис. 56. Зависимость времени полуспада от состава пленок CdxZn^S.116

Рис. 57. Зависимость амплитуды фотоотклика (3 см) от/для пленок CdSe, полученных при Т, °С: 1 - 300,2 - 350,3 - 400,4 - 500,5 - 550,6 - 600

117

Рис. 58. Спад СВЧ-фотоотклика (3 см) пленки CdSe, Тшн= 400°С. На вставке показана зависимость амплитуды отклика от интенсивности света.118

Рис. 59. Спад фотоотклика пленки, полученной при 500°С, и зависимость кажущегося показателя степенной функции от интенсивности возбуждения (вставка).120

Рис. 60. Зависимость амплитуды фотооклика (в максимуме, t=30 не) от интенсивности падающего света в CdSe. На вставке показан линейный участок зависимости при низких интенсивностях излучения.121

Рис. 61. Зависимость времени полуспада быстрой компоненты спада фотоотклика в CdSe от плотности светового облучения.122

Рис. 62. Спады фотоотклика СВЧ-фотопроводимости в CdSe при /о: 1-4.1 х 1015; 2- 1.3 х 1014; 3-0.39 х 1014; 4-2 х 1012 см"2 фотонов за импульс. (Маркеры - эксперимент, сплошные линии - расчет).127

Рис. 63 Спады СВЧ-фотопроводимости CdTe + 0.250 мол.% Cdl2 для разных интенсивностей света: 1 - 4.0хЮ14,2 - 9.2хЮ13,3 - 4.4х1013,

I -У <у

1.6x10 квант-см* за импульс (маркеры - эксперимент, линии расчет).129

Рис. 64 Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводника. .133 сок таблиц

Табл. 1. Полупроводниковые параметры исследуемых веществ (300 К).21

Табл. 2 Время жизни электронно-дырочных пар.54

Табл. 3 Сечения захвата электронов и дырок ионами в AgBr.61

Табл. 4. Межплоскостные расстояния в пленках CdSe.67

Табл. 5. Размеры кристаллитов в пленках CdSe.68

Табл. б.Значения ширины запрещенной зоны зоны, рассчитанное из спектров пропускания и отражения пленок CdSe, полученных при различных температурах пиролиза Т.72

Табл. 7 Относительные величины и знаки изменений Sf0 и SQL для некоторых характерных состояний электрона [162].84

Табл. 8 Работа выхода металлов, применяемых в качестве электродов.94

1. Франкомб М.Х., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. В кн. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. V., М.: Мир, 1972, с. 140-244.

2. Вавилов B.C. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений // Успехи физических наук. 1994. Т. 164. № 3. С. 287-295.

3. Алфимов М.В. Будущее регистрации, хранения и представления информации // Журн. научн. и прикл. фотогр.-1994.- Т.39, №3С.81-82.

4. Weimer Р.К. Физика тонких пленок, т. 2, изд-во «Мир», 1967, с. 83.

5. Альберс В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений АПВУ1 /Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.-С.135-177.

6. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М: Наука. 1986. 367 с.

7. Новиков Г.Ф. Начальные стадии фото- и радиационностимулированных процессов в твердых средах. Дисс. д.ф.-м.н., 1997, Черноголовка.

8. Новиков Г.Ф. //Журн. научн. и прикл. фотогр. 1977. Т.42. С. Novikov G.F. //Sci. Appl. Photo, 1998. V.39, P.513.J

9. Кузано Д.A. // Физика и химия соединений AllBvl/Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.- С.537-581.

10. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975, С. 43.

11. Марковский Л.Я., Перкман P.M., Петошина JI.H. Люминофоры.- М., 1966.- С. 178-183.

12. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М., 1975, С. 174-181.

13. Угай Я.А., Семенов В. Н., Авербах Е. М. Получение пленок CdS-ZnS методом пульверизации // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1978. Т. 14, №8. С1529-1530.

14. Метелева Ю.В. Пленки CdxZnj.xS: получение, свойства и реакции заряженных частиц. Дисс. канд. хим. наук. 2002. - ИПХФ РАН. Черноголовка.

15. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ-фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe // Физика и техника полупроводников, 2006, т. 40, вып. 10, с. 1167-1174.

16. Пашинкин А.С., Тищенко Г.Н., Корнеева И.В., Рыженко Б.Н. // Кристаллография. 1960. Т.47. С. 131.

17. Hartmann Н., Mach R., Selle В. Wige gap II-VIcompounds as elektronic materials // Curr. Top. Mater. Sci.,- Amsterdam, 1982, V.9,-P.414.

18. Гавриленко В.И., Грехов A.M. и др. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев. Наукова думка. 1987. с. 243.

19. Mathew X., Sebastian Р J. Structural and opto-electronic properties of elec-trodeposited CdTe on steinless steil foil. // Solar Energy Materials & Solar Cells. 1999. № 59. P. 85-98.

20. Cardona M., Harbeke G. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and rutile//Phys. Rev. 1965. V. 137. № 5A. P. 1467-1476.

21. Baubinas R., Kietis B.P., Reksnys R. et al. Bepollar photoconductivity and acoustoelectric current in CdTe, CdS and CdSe // Phys. Stat. Sol. 1978. V. A50. P. K63.

22. Ray В. II-VI Compounds: Lectures in Electronics Queen's College. N.Y. Pergamon Press, 1969.

23. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. под. ред. Алферова Ж.И. и Вавилова B.C. М.: Мир, 1973.

24. Морхед Ф.Ф. Электролюминесценция // Физика и химия соединений AnBVI/Подред. С.А.Медведева.-М., 1970.- С.465-496.

25. Oduor А.О., Gould R.D. Space-charge limited conductivity in evaporated CdSe thin films // Thin solid films 1995.

26. R.M. Abdel-Latif Direct current conductivity of evaporated cadmium se-lenide thin films. //Physica В 270 (1999) 366-370.

27. D Nesheva, Z Levi and V Pamukchieva. Charge transport in CdSe nanocrys-talline sublayers of SiOx/CdSe multilayers and composite SiOx-CdSe thin films. //J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 3967-3974.

28. M.J. Lee, Shih-Chung Lee Extraction of the trap density and mobility in poly-CdSe thin films //Solid-State Electronics 43 (1999) 833-838.

29. Лашкарев B.E., Любченко A.B., Шейнкман M.K. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: «Наук, думка», 1981. - 264 с.

30. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.- М., 1982.- 376 С.

31. Залюбинская Л.Н., Мак В.Т., Манжара B.C. Люминесцентный анализ зависимости состава поликристаллических пленок CdS от условий их синтеза //Журнал прикл. спектроскопии, 1988, Т. 48, №1.- С.54-59.

32. Бродин М.С., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Шаблий И.Ю. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства кристаллов CdS // Укр. Физ. Журнал-1979, Т.24, №10.- С.1539-1544.

33. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шаблий И.Ю., Шейнкман М.К. // ФТП. 1981. Т. 15. № 2. С. 279-282.

34. Келле Х.И., Кире Я.Я., Тулва Л.Т. К вопросу о происхождении оранжевой и красной люминесценции CdS // Проблемы физики соединений АПВУ1.-Вильнюс, 1972.-С.85-89.

35. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.П., Пекарь Г.С., Шейкман М.К. // Укр. физ. журнал, 18, 732(1973).

36. Коганович Э.Б., Сукач Г.А., Свечников С.В. Исследование спектров фотолюминесценции фотопроводящих пленок CdS:Cu:Cl // Укр. Физ. Журн. 1984. Т. 31. № 12. С. 1794-1800.

37. Эмиров Ю.Ю., Остапенко С. С., Ризаханов МА., Шейнкман М.К. // ФТП. 1982. Т. 16. № 8. С. 1371-1376.

38. Kulp В.А. //Phys.rev. 1962. V. 125. № 6. Р. 1865-1869.

39. Шейкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Механизмы излучательных и безызлучательных переходов в соединенияхи природа центров свечения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. № 11. С. 2290-2297.

40. Семенов В.Н., Авербах М.С. О люминесценции пленок CdS-ZnS в спектральном интервале 400-1200 нм // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж, 1981.- С. 99-104.

41. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. «Фотоутомляемость пленок сульфидов кадмия и цинка»// Физическая химия, 2002, т. 76, № 7, с. 1708-1710.

42. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.-М., 1962.- С. 127.

43. Девлин С.С. Свойства переноса // Физика и химия соединений AUBVI. Подред.С.А. Медведева.-М., 1970.- С.418-461.

44. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. Неорганические люминофоры.-Л., 1975.-191С.

45. Парфианович И.А., Саломатов В.Н. Люминесценция кристаллических веществ.- Иркутск, 1977 Ч.1.- 166С.

46. Голубева Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS//Журн. прикл. спектроскопии, 1972.- Т. 17, №2.- С.261-268.

47. Бьюб Р.Х. Фотопроводимость // Физика и химия соединений AnBVI / Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.- С.499-535.

48. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. С. 210с.

49. Китаев Г.А., Двойнин А.Б., Урицкая А.А. и др. О возможности получения смешанных соединений халькогенидов металлов химическим способом //Химия и физика халькогенидов.-Киев, 1977.- С. 107-109.

50. Власенко Н.А., Ермолович И.Б., Коджеспиров Ф.Ф., Коновец Н.К., Мо-жаровский Л.А. и Шейнкман М.К. Люминесцентные свойства смешанных монокристаллов ZnxCdj.xS // Изв. АН СССР, 1971, т. 35, №7, с. 1433-1435.

51. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. и Смерек С.А. «Люминесцентные свойства дефектов в поликристаллических пленках CdxZnj.xS, полученных из тиомочевинных координационных соединений» // Неорганические материалы, 2001, т. 37, № 12, с. 1435-1438.

52. M E Rincon, О Gomez-Daza, С Corripio, Е A Vazquez-Martinez, J Ruiz-Garcia Morphology and photoelectrochemical behaviour of CdSe/ZnO composites obtained by the screen printing technique //Semicond. Sci. Technol. 14 (1999) 390-398.

53. Minoura H, Negoro T, Kitakata M, Ueno Y SolarEnergy Mater. 12 (1985) 335.

54. Hodes G, Manassen J, Cahen D J. Am. Chem. Soc. 102 (1980) 5962.

55. U. Pal, S. Munoz-Avila, L. Prado-Gonzalez, R. Silva-Gonzalez,J.M. Gracia-Jimenez Effect of laser annealing on the distribution of defect levels in CdSe films //Thin Solid Films 381 (2001) 155-159.

56. Ковалев А.А., Жвавый С.П.,. Зыков Г.Л Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия. // Физ. и. техн. полупроводников. 2005. Т. 39. вып. 11. С. 1345-1349.

57. Байдуллаева А., Буллах М.Б., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением. // Физ. и техн. полупроводников. 2004. Т. 38. вып. 1. С. 26 29.

58. Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхностных поликристаллических слоев CdTe. облученных импульсным лазерный излучением. // Физ. и техн.полупроводников. 2001. Т. 35. вып. 6. С. 745 748.

59. Матвеев О.А., Терентьев А.И. Антиструктурные дефекты Tea в кристаллах CdTe. //Письма вЖТФ. 1997. Т. 23. №4. С. 30 34.

60. Miller A.R., Searoy A.W. Defect structure of CdTe crystals. //J. Phys. Sol. 1965. V. 69. №11. P. 3826-3834.

61. Медведев C.A., Максимовский C.H. Высокотемпературная электропроводность теллурида кадмия. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1973. Т.9. №З.С. 356-361.

62. Stubbs M.F., Schufle I.A., Thompson A.I. Electroconductivity of CdTe crystals. // J.Amer. Chem. Soc. 1954. V. 76. №2. P. 341-345.

63. Mochizuki K. Growth of CdTe from Те excess solution and self-compensation of doped donor. //Journal of Crystal Growth. 2000. V. 215. P. 9-13.

64. Fischer F., Waag A., Worschech L., Ossau W., Scholl S., Landwehr G., Makinen J., Hautojarvi P., Corbel C. Self-compensation in halogen-doped CdTe growed by molecular beam epitaxy. // Jornal of Crystal Growth. 1996. V. 161 P. 214-218.

65. Ткачук П.Н., Ткачук В.И., Букивский П.Н., Курик М.В. Метастабилъ-ный Х-центр в монокристаллах теллурида кадмия. // Физ. те. тела. 2004. Т. 46. вып. 5. С. 804-810.

66. Ткачук П.Н. Спектр фундаментального отражения и электронная структура CdTe, легированного примесью хлора. // Физ. и техн. полупроводников. 2000. Т. 42. вып. 11. С. 1961 1963.

67. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойстваструктур окисел CdTe. // Физ. и техн. полупроводников. 2000. Т. 34. вып. 9. С.1099-1102.

68. Turkevych I., Grill R., Franc J., Belas E., Hoschl P., Moravec P. // Semicond. Sci. technol. 2002. № 17. P. 1064-1066.

69. Abd El-Mongy A., Belal A., El Shailkh H., El Amin A. A comparison of the physical properties of CdTe single crystal and thin film. // J. Phys D: Appl. Phys. 1997. № 30. P. 161 -165.

70. Дебай П. Полярные молекулы.-М.: Гостехиздат, 1931.1Ъ Черноуцан А.И. Физические свойства процесса стеклования. //Соросовский образ. Журн. Т. 7, №3, 2001,с. 104-109.

71. Cole K.S., Cole R.H. Dispersion and absorption in dielectric. 1/ Alternating currents characteristics//J. Chem. Phys.-l941.-Vol.9.N24.-p. 341-351.

72. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in glycerol, propylene, glycol and n-propanollllbid.-l951.-Vol. 19. №12.-p. 1484-1490.

73. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in glicirine//Ibid.-1950.-Vol. 18. №10.-p. 1417-1418.

74. Fuoss R.M., Kirkwood J.G. Electrical properties of solids// J. Amer. Chem. Soc.-1941.- Vol. 63. №6.-p. 385-394.

75. Havriliak S., Negami S. A complex plane representation of dielectric and mechanical relaxation process in some polymers// Polymer.-1967- Vol. 8. №4.-p. 161-310.

76. Lindsey C.P., Pattersonm G.D. Detailed comparison of the Williams-Watts and Cole-Davidson functions// J. Chem. Phys.-1980.-Vol.73.№7.-p. 33483357.

77. Williams G. Watts D.C. Non-symmetrical dielectric relaxation behaviour arising from a simple empirical decay function//Trans. Faradey Soc.-1970.-Vol.66, №l.-p.80-85.

78. Williams G. Watts D.C., Dev S.B., North A.M. Further considerations of non-symmetrical dielectric relaxation behaviour arising from a simple empirical decay function//lbid.-l 971.-Vol.67, №5.-p.l323-1335.

79. Губкин A.H. Релаксационная поляризация диэлектриков //Изв. вузов. Физика.-1979.-№1,с. 56-73.

80. Гулявцев В.Н., Сивергин Ю.М., Зеленев Ю.В., Берлин А.А. Процессы диэлектрической релаксации в трехмерных полимерах олигоэфиракрилатов// Высокомолекуляр. соединения. Сер. А.-1974,-т. 16№4.-с. 742748.

81. Оськина О.Ю., Усманов С.М., Сивергин Ю.М. Диэлектрическая релаксация в некоторых диацетиленовых производных// Журн. физ. химии-1990.-т.64, №8.- 2209-2215.

82. Усманов С.М. Применение метода регуляризации Тихонова при автоматизированной математической обработке данных диэлектрической спектроскопии//Изв. вузов. Физика.-199L-MlO.-c. 103-109.

83. Усманов С.М., Берлин А.А., Шашкова В.Т. и др. Процессы диэлектрической релаксации в олигоэфиракрилатах и полимерах на их основе/Бир-ский ГПИ.-Бирск, Збс.-Деп. в ВИНИТИ 19.08.76, №3170.

84. Электрические свойства полимеров/Под ред. Б.И. Сажина.-2-е изд.-JI.: Химия, 1977-192 с.

85. Bottcher С. J. F. and Bordewijk P. Theory of Electric Polarization, Vol. 2 Elsevier Scientific Publishing Company, Amsterdam. London New York, 1978.

86. Арсенин В.Я., Крянов A.B. Применение методов решения некорректных задач при автоматизированной математической обработке результатов физических экспериментов// Автоматизация научных исследований в экспериментальной физике.-М., 1987.-С. 3-18.

87. Нигматуллин P.P. Дробный интеграл и его физическая интерпретация //ТМФ., -1992, Т.90, -№3, -с.354-368.

88. Nigmatullin R.R. Dielectric relaxation of Cole-Cole type and self-similar process of relaxation //Izvestia VYZov «Physics»-1997, -№4, pp. 6-11.

89. Nigmatullin R.R. Ryabov Ya. E. Cole-Devidson dielectric relaxation as a self-similar process//Phys. Solid. State, -1997,-v.39, -pp.87-90.

90. Roux J., Journ. phys. et rad., 15,176 (1954).

91. Roux J., Compt. Rend., 236, 2492 (1953).

92. Roux J., Journ. phys. et rad., 813 (1956).

93. Kallmann, Kramer, Perlmutter, Phys. Rev., 89, 700 (1953).

94. Kallmann, Kramer, Mark, Phys. Rev., 1328 (1955).

95. Garlik G. F. J., Gibson A. F., Proc. Phys. Soc., A62, 731 (1949).

96. Garlik G. F. J., Gibson A. F., Proc. Roy., Soc., A188, 485 (1947).

97. Murphy E. J., Morgan S. 0., Bell. Syst. Techn. Journ., 18, 502 (1939).

98. Kronenberg S., Accardo C. A., Phys. Rev., 101, 989 (1956).

99. Garlik G. F. J., Britt Journ. Appl. Phys., Suppl., 4, S85 (1955).

100. Dropkin J. J., et al., ONR Rep., No. 6 onr-26312 (1952); No. 6 onr-26313 (1953).

101. Vergunas F.I., Skobeltsyna N.A Photodielectric Effect in CdS-Agphosphor //Russian Physics Journal Volume 14, No 5page 694-6961971.

102. Vergunas F. I. and Malkin G. M., Fiz. Tverd. Tela, 2, 2322 (1960).

103. Vergunas F. I. and Malkin G. M., Dokl. Akad. Nauk SSSR, 137. 560 (1961).

104. Borshchevskii A. S., Kunaev A. M., Kusainov S. G., Rud' Yu. V. Study of the band structure of complex semiconductors by using the photodielectric effect (PDE) //Russian Physics Journal Volume 18, No 4page 572-574 (1975).

105. Borshchevskii И.А., Комарь B.K., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cdi.xZnxTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2.

106. Клименко И.А., Комарь В .К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cdj.xZnxTe, выращенных из расплава // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4.

107. Мигаль В.П. Неаддетивная фотопроводимость и индуцированные состояния кристаллов селенида цинка // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10.

108. Кошаг V.K., Migal V.P., Chugai O.N., Puzikov V.M., Nalivaiko D. P. Investigation of localized states in cadmium zinc telluride crystals by scanning photodielectric spectroscopy // J. Appl. Phys. Lett. 81., 4195 (2002).

109. Deri R. J., Spoonhower J. P., Microwave photodielectric effect in AgCl // Phys. Rev. В 25, 2821 (1982).

110. Новиков Г.Ф., Грабчак С.Ю., Алфимов М.В. Вклад свободного электрона в СВЧ-поглощение, индуцированное импульсом света в плавленном бромиде серебра. // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1990, т. 35, № 1, с. 18-26.

111. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф. Быстрозатухающий фотодиэлектрический эффект в бромиде серебра // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1988, т. 33, № 5, с. 371-372.

112. Бонч-Бруевич В.Я., Калашников С.Г. Физика полупроводников М. 1977.

113. Platikanova V., Malinovski J. Capture cross section of impurity centres in silver bromide. // Commun. Dept. Chem. Bulg. Acad. Sci., 1974, V. 7, № 1, pp. 31-38.

114. Голованов Б.И. Исследования рекомбинационных процессов в микродисперсных галогенидах серебра методом СВЧ-фотопроводимости. // Дис. канд. физ.-мат. наук. Черноголовка, 2001.

115. Deri R.J., Spoonhower J.P. Cross section for photoelectron capture by IrBrt in AgBr//Appl. Phys. Let., 1983, V. 43, № 1, pp. 65-67.

116. Рабенок E.B. Исследование начальных стадий фотолиза галогенидов серебра: элементарные реакции фотогенерированных носителей тока. //Дис. канд. физ. мат. наук. - Черноголовка, 2005.

117. Радычев Н.А. Рабенок Е.В.,Новиков Г.Ф.,Личкова Н.В. СВЧ фотопроводимость легированного йодом AgBr. // IV Всероссийская конференциямолодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии», 23-25 июня 2003 г., Саратов, с. 37.

118. Радычев Н.А.,Рабенок Е.В.,Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Электрон-ионные процессы в легированном йодом AgBr. Лазерные среды для среднего ИК-диапзона // XV симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2003 г. Туапсе, С. 122.

119. Ткаченко Л.И.,Чернов И.А.,Новиков Г.Ф.,Алдошин С.М Фотопроводимость композитных пленок полифенилацетилен-спиропиран // XVII Симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2005 г., Туапсе, Сборник тезисов, с.212-213.

120. Гапанович М.В., Радычев Н.А., Войлов Д.И., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф., Кинетика СВЧ-фотопроводимости телурида кадмия, легированного иодом // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", 2006г., г. Туапсе.

121. Н.А. Радычев, Г.Ф. Новиков Кинетика рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", 2006г., г. Туапсе

122. Личкова Н.В., Загороднев В.Н. О получении моногалогенидов серебра и меди особой чистоты. //Высокочистые вещества, 1991, № 3, с. 19-38.

123. Ю.В. Метелева, А.В. Наумов, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов, Г.Ф. Новиков СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика. 2001. Т. 20. № 9. С. 39-45.

124. Семенов В.Н., Наумов А.В. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. N2 2. С. 50 55.

125. Кукушкин Ю.Н., Ходжаев О.Ф., Буданова В.Ф., Парпиев Н.А. Термолиз координационных соединений, 1986, Ташкент, изд-eo «Фан» Узбекской ССР, с. 102-110.

126. Hankare P.P., Bhuse V.M., Garadkar K.M., Delekar S.D., Mulla I.S. Chemical deposition of cubic CdSe and HgSe thin films and their characterization//Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. 70-75.

127. Garcia V.M., Nair M.T.S., Nair P.K and Zingaro R.A. Preparation of highly photosensitive CdSe thin films by a chemical bath deposition technique // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 427-432.

128. Hernandez Torres M.E., Silva-Gonzalez R., Havarro-Conteras H., Vidal M.A., Gracia-Jimenez J.M. Study of stochiometric and non-stochiometric CdSe thin films //Modern phys. letters B. 2001. V. 15. P. 741-744.

129. Lifshitz E., Dag I., Litvin I., Hodes G., Gorer S., Reisfeld R., Zelner M., Minti H. Optical properties of CdSe nanoparticle films prepared by chemical deposition and sol-gel methods // Chemical physics letters. 1998. V. 288. P. 188-196.

130. Lade S.J., Uplane M.D., Uplane M.M., Lokhande C.D. Structural, optical and photoelectrochemical properties of electrodeposited CdSe thin films // Journal of materials science: materials in electronics. 1998. V. 9. P. 477-482.

131. Swaminathan V., Subramanian V., Murali K.R. Characteristics of CdSe films electrodeposited with microprocessor based pulse plating unit // Thin solid films. 2000. V. 359. P. 113-117.

132. Perna G., Capozzi V., Pagliara S., Ambrico M. Reflectance andphotolumi-nescence characterization of CdS and CdSe heteroepitaxial films deposited by laser ablation technique// Thin solid films. 2001. V. 387. P. 208-211.

133. Grabtchak S., Cocivera M. Contactless microwave study of dispersive transport in thin film CdSe // Journal of Applied Physics. 1996. V. 79. P. 786793.

134. Pal U., Samanta D., Ghorai S., Samantaray B.K., Ghaudhuri A.K. Structural characterization of cadmium selenide thin films by X-ray diffraction and electron microscopy//J. Phys. D: Appl. phys. 1992. V. 25. № 10. P. 1488-1494.

135. Бьюб P.X. Физика и химия соединений AnBVI. Пер. с англ. Под ред. Медведева С.А. Москва. Мир. 1970. С. 159.

136. Kumar V. and Sharma Т.Р. Structural and optical properties of sintered CdSxSe!.xfilms //J. Phys. Chem. Solids. 1998. V. 59. № 8. P. 1321.

137. Sharma S.Kr., Kumar S., Kumar V., Sharma T.P. CdSe photovoltaic sintered films // Optical Materials. 1999. V. 13. P. 261.

138. J. Tauc. Amorphous and liquid semiconductors, in: J. Tauc (Ed.), New York, Plenum Press, 1974.

139. Sharma T.P., Sharma S.D. and Singh V. // C.S.I.O. Communication. 1992. V. 19. №3-4. P. 63-66.

140. Один И.Н., Чукичев M.B. Влияние иода на люминесцентные свойства кристаллов халькогенидов кадмия. // Неорган, материалы. 2003. Т. 39. №5. С. 534-537.

141. Novocontrol GmbH, Novocontrol broadband dielectric converter BDS, Owner's Manual, Germany, №5. 1996p. 40.

142. Johari G.P. Electrical properties of epoxy resins, in: Chemistry and Technology of Epoxy Resins / Ed. B. Ellis, Blackie and Sons. London. 1993. P. 175.

143. Гаврильяк С., Негами С. Анализ а-дисперсии в некоторых полимерных системах методами комплексных переменных// Переходы и релаксационные явления в полимерах / Под ред. Р. Бойера.-М.: Мир, 1968.-С. 118137.

144. Lane J.W., Seferies J.C. Polym Engng Sci 1986;26:346.

145. Koike T, Tanaka R. J Appl Polym Sci 1991; 44:1333.

146. Koike T. J Appl Polym Sci 1992; 42:679.

147. Havriliak S., Negami S. A complex plane representation of dielectric and mechanical relaxation process in some polymers// Polymer.-1967.~ Vol. 8. №4.-p. 161-310.

148. Novocontrol GmbH, WinFit 2.9, Owner's Manual, Germany, №12. 2000p. 137.

149. Баранов Э.В., Акимов И.К. Фотопроводимость фотографических слоев на частоте Ю10 Гц. //Докл. АН СССР. 1964. - Т. 154, N. 1. - С. 184.

150. Соколов Е.А., Бринкештейн В.Х., Бендерский В.А. Измерение фотопроводимости полупроводников в диапазоне с.в.ч. //ПТЭ. 1967. -N. 4. - С. 141-144.

151. Kel lo L.M. //Photogr. Sci. Eng. -1974. V. 18, .№4.- P. 378.

152. Deri R.J., Spoonhower J.P. Fast photoelectron kinetics in silver bromide emulsions //Photogr. Sci. and Eng. -1984. V. 28, No. 3. - P. 92-98.

153. Hasegawa A., Sakaguchi N. //J. Soc. Photogr. Sci. and Tech-nol. Japan. -1986.-V. 49, No. 5.-P. 388.

154. Spoonhower J.P. Microwave Photoconductive and Photodielectric Effects in Silver Halides. //Photogr. Sci. and Eng. -1980. V. 24, No. 3. - P. 130-132.

155. Chaplin K.S. and Krongard R.R. //IEEE Trans. Microwave Theory Tech. MTT-9. -1961. P. 545.

156. Arndt G.D., Hartwig W.H. and Stone J.L. Josephson and rf devices photodielectric detector using a superconducting cavi J. Appl. Phys. -1968. -V. 39., No. 5.-P. 2653-2656.

157. Hartwig W.H., Hinds J.J. Use of superconducting.resolve carrier trapping effects in CdS// J. Appl. Phys. 1969. - V. 40., No.5. -P. 2020-2027.

158. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZnl-xS//Химическая физика. 2001. Т. 20. № 7. С. 30-32.

159. J.Z. Zhang, R.H O'Neil, and T.W. Roberti, Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 1989.

160. Яковлев B.C., Новиков Г.Ф. Геминальные электрон-ионные пары, генерированные ионизирующим излучением в неполярных углеводородных стеклах: рекомбинация поляризация, разделение. // Успехи химии, 1994, т. 63, № 5, с. 402-418.

161. Рабенок Е. В., Радычев Н. А., Новиков Г. Ф., Личкова Н. В. Особенности электрон-ионных процессов в порошках, плавленных и монокристаллах галогенидов серебра (лазерные среды). // Конденсированные среды и межфазные границы, 2004, т. 6, № 2. С. 182-187.

162. Метелева Ю.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Получение пленок CdSe из координационных селеномочевинных соединений и их свойства // Неорган. материалы. 2006. (в печати).

163. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М.: Наука, 1972, 399 с.

164. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса: Пер. с англ. П.: Химия, 1980. - 672 с.

165. Георгобиани A.II. Широкозонные полупроводники AnBvl и перспективы их применения // Успехи физических наук. 1974. V. 113. № 1. Р. 129-155.

166. Татауров А.В., Метелева Ю.В., Сермакашева H.JL, Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdS//Изв. АН, Сер. хим. 2003. № 5. С. 1137-1139.

167. Novikov G.F., Golovanov B.I. Rate constant of free electron-hole recombination reaction in powdered silver bromide. 295°K. //J. Imaging Sci. 1995. V. 39. № 6. P. 520-524.

168. Новиков Г.Ф., Голованов Б.И., Тихонина H.A. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в хлориде серебра. 295 К. //Изв. АН, Сер. хим. 1996. № 9. С. 2234-2236.

169. Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Алфимов М.В. Исследование элементарных стадий фотолиза галогенидов серебра методом микроволновой фотопроводимости //Химия высоких энергий. 2005. Т. 39. № 3. С. 1-9.

170. Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева H.JL, Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика. 2001. V. 20. № 9. С. 39-45.

171. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева H.JI., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZni.xS//Химическая физика. 2001. Т. 20. № 7. С. 30-32.

172. Pejova В., Grozdanov I. Manifestations of three-dimensional confinement effects in the optical spectra of CdSe quantum dots in thin film form // Materials Letters. 2004. V. 58. P. 666-671.

173. Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, М.В. Алфимов. Константа скорости электрон-дырочной рекомбинации в бромиде серебра. 295°К // Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 6. С. 423-428.