Тонкие пленки Cd x Zn1-x S: получение, свойства, реакции заряженных частиц тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Обозначения и сокращения.

Введение.

Актуальность работы.

Научная новизна.

Защищаемые положения.

Практическая значимость результатов диссертации.

Личный вклад автора.

Апробация.

Структура диссертации.

Глава 1. Свойства системы CdS-ZnS и фотохимические процессы (обзор литературы).

1.1 Способы синтеза полупроводниковых пленок на основе соединений AnBVI.

1.2 Физико-химические свойства сульфидов кадмия и цинка.

1.2. 1. Химические свойства.

1. 2. 2. Свойства твердых растворов CdxZn j.xS.

1. 2. 3. Структура соединений системы CdS-ZnS.

1.3 Спектральные, фотоэлектрические, люминесцентные свойства соединений системы CdS-ZnS.

1. 3. 1. Люминесцентные свойства.

1. 3. 2. Центры люминесценции в сульфиде кадмия.

1. 3. 3. Центры люминесценции в сульфиде цинка.

1. 3. 4. Центры люминесценции в твердых растворах CdxZn ixS.

Механизмы фотолюминесценции в пленках CdxZnixS.

1. 3. 5. Электропроводность.

1.4 Физико-химические процессы, протекающие в сульфидах кадмия и цинка под действием света.

1. 4. 1. Фотолиз.

1. 4. 2. Фотостимулированная миграция атомов.

Постановка задачи.

Глава 2. Методы исследования, получение пленок CcLZnuvS, и их свойства.

2.1 Схема синтеза.

2. 1. 1. Комплексообразование.

2. 1. 2. Термодеструкция комплексов.

2.2 Основные методы исследования.

2.2. 1. СВЧ-фотопроводимостъ.

2. 2. 2. Люминесценция.

2. 2. 3. Методика совместных измерений люминесценции и отражения тонких пленок.

2. 2. 4. Методика для измерения коэффициента поглощения в сильно поглощающих средах.

2.3 Дополнительная обработка пленок.

2. 3. 1. Исследование влияния адсорбции на реакции дефектов. 62 2. 3. 2. Влияние примесей на свойства СВЧ-фотопроводимости. 62 2. 3. 3. Дополнительная термообработка.

2.4 Влияние условий синтеза на структуру пленок CdxZrii.xS.

2.5 Твердые растворы CdS-ZnS.

2. 5. 1. Влияние состава и пргшесей на ширину запрещенной зоны пленок системы.

2. 5. 2. Квазистационарная электропроводность.

2. 5. 3. Стационарная фотопроводимость.

2.6 Обсуждение.

Диссертация посвящена исследованию взаимосвязи химического состава, структуры, дефектности и др. свойств тонких слоев на основе полу А Пт-> VI проводниковых соединении А В и их чувствительности к воздействию света. Основное внимание в работе уделено исследованию влияния условий направленного синтеза соединений смешанного состава CdxZni.xS на особенности протекания инициируемых светом реакций с участием заряженных частиц и дефектов и природу центров люминесценции.

Актуальность работы

Широкое применение халькогенидов металлов (светочувствительные тонкопленочные материалы, люминесцентные материалы, фотоэлементы, термоэлементы, сенсорные материалы, - в целом, устройства, основанные на чувствительности к фото-, радиационному и химическому воздействиям) существенно опередило понимание механизма физико-химических процессов, определяющих их чувствительность.

Однако, в настоящее время, дальнейшее совершенствование и материалов и сенсоров на их основе уже в значительной степени сдерживается недостатком ряда данных. В частности, практически отсутствуют количественные данные по характеристикам элементарных стадий реакций, протекающих с участием заряженных частиц (хотя известно, что такие реакции могут приводить к формированию металлосодержащих кластеров -«скрытому изображению» в фотографических слоях). Мало данных об особенностях центров люминесценции в различных структурах, их свойствах и взаимосвязи люминесцентных характеристик таких структур (тонких пленок, микродисперсных порошков и др.) с условиями синтеза соединений и материалов на их основе. Нет достаточной ясности в вопросе, насколько данные по фотопроцессам, полученные для монокристаллов, можно использовать для прогнозирования свойств микродисперсных структур, например, в тонкопленочных технологиях полупроводниковых материалов. Также не выяснен вопрос о предельных характеристиках слоев на основе халькогенидов металлов как сред для записи оптической информации. Отсутствуют ответы и на ряд других актуальных вопросов.

По-видимому, во многих отношениях такой недостаток данных обусловлен двумя причинами: ограниченностью возможностей известных способов синтеза и ограниченностью применявшихся ранее методов исследования, не всегда одинаково применимых для монокристаллов и микродисперсных структур. Для решения такого вопроса необходим комплексный подход, который должен обеспечить синтез широкого набора структур с изменяемыми свойствами и комплекс методов, позволяющий проводить детальные исследования элементарных стадий реакций с участием заряженных частиц и дефектов, - методов пригодных для исследований как объемных, так и микродисперсных образцов.

Среди методов направленного синтеза в настоящее время выделяется метод пиролиза аэрозолей. Используя в данной работе для получения пленок CdxZni.xS метод пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевин-ных координационных соединений (ТКС) кадмия и цинка, оказалось возможным уже при синтезе контролировать дефектную и кристаллическую структуру пленок, так как метод включает в себя стадию образования комплекса из солей кадмия или цинка и тиомочевины, протекающую в растворе. Это дало возможность направленно влиять на образование тех или иных дефектов решетки.

Среди методов, позволяющих исследовать кинетику реакций с участием заряженных частиц, особое место занимает метод СВЧ (или «микроволновой») фотопроводимости, также примененный в данной работе. Одинаковая пригодность этого метода для исследований и массивных и микродисперсных образцов обеспечивается малым дрейфовым смещением зарядов в используемых СВЧ-полях.

Именно этот подход, это сочетание основных методов, стало главным в данной работе при исследованиях системы CdS-ZnS.

Научная новизна

Впервые проведены комплексные исследования импульсной и стационарной фотопроводимости в диапазоне частот электрического поля 036 ГГц, стационарной электропроводности, люминесценции, оптического поглощения на одних и тех же образцах пленок твердых растворов CdS-ZnS, получаемых методом пиролиза аэрозоля тиомочевинных координационных соединений (ТКС). Исследования кинетики СВЧ-фотопроводимости пленок, влияния на нее акцепторов электрона, зависимости СВЧ-фотопроводимости от дефектной структуры пленок дали возможность выделить вклады в фотоотклик свободного и захваченного в ловушку электрона и изучить их реакции.

На основании совместных исследований кинетики СВЧ-фотопроводимости и спектральных зависимостей рекомбинационной люминесценции разделены процессы гибели фотоэлектрона, связанные с его захватом акцепторами, рекомбинацией и реакциями с дефектами, а также уточнена природа центров люминесценции. Полученные результаты вместе с данными по стационарной электропроводности, оптическому поглощению и рентгеновскими, позволили более детально рассмотреть механизм дефектообразования в пленках системы CdS-ZnS с учетом особенностей твердофазных превращений, механизма термодеструкции исходных ТКС и влияния дополнительных обработок. В результате выявлена взаимосвязь между структурой исходных ТКС, условиями синтеза и кристаллической и дефектной структурой пленок. Предложена схема элементарных реакций с участием заряженных частиц, включающая излучательные и безызлучательные процессы рекомбинации и процессы, ведущие к образованию и разрушению металлосодержащих кластеров.

Защищаемые положения

На защиту выносятся:

1. Механизм формирования дефектов в пленках системы CdS-ZnS, полученных при термодеструкции ТКС, определяется природой используемых ТКС. В зависимости от условий синтеза осаждаются пленки с различной кристаллической и дефектной структурой. Механизм осаждения сульфида металла при пиролизе ТКС определяет кинетику реакций с участием заряженных частиц, инициируемых светом. Продемонстрирована функциональная взаимосвязь условий получения и фоточувствительности пленок.

2. Основными центрами люминесценции пленок системы CdS-ZnS, полученных методом пиролиза аэрозоля ТКС координационных соединений, являются комплексы дефектов кристаллической структуры. Обнаруженные полосы люминесценции отнесены к комплексам: [VcdHals] , [VcdVs], [VcdOs], [VCdCdi], [CdjCls], образующимся при термо деструкции ТКС.

3. Схема элементарных химических реакций, протекающих в пленках CdxZnixS под действием света, включающая конкуренцию процессов захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинацию свободных электронов и дырок. Судьба захваченных электронов и дырок определяется конкуренцией процессов термического выхода из ловушек и рекомбинации с дефектами решетки, в т.ч., межузельными ионами.

4. Результаты сопоставления диаграмм «состав-свойство» пленок системы CdS-ZnS для структуры дефектов, свойств СВЧ-фотоотклика, стационарной электропроводности, ширины запрещенной зоны.

Переход структуры вюрцита в сфалерит в системе CdS-ZnS происходит при переходе от состава Cdo.3Zno.7S к составу Cd0)4Zn0,6S. 5. Альтернативный механизм явления фотоутомляемости люминесценции (снижение интенсивности рекомбинационной фотолюминесценции при экспонировании), основанный на фильтрующем действии растущего металлосодержащего слоя.

Практическая значимость результатов диссертации

Установленные закономерности и предложенные подходы к описанию и исследованию физико-химических процессов могут быть использованы широким кругом физиков и химиков при исследованиях свойств различных микродисперсных систем. Продемонстрированные результаты по воздействию предварительного освещения на оптическое поглощение и люминесценцию могут быть использованы при разработке систем оптической записи и считывания информации, а также для создания люминесцентных и фоточувствительных материалов с заданными свойствами.

Личный вклад автора

Работа начиналась в Воронежском государственном университете на кафедре общей химии и продолжилась в Институте проблем химической физики РАН в г. Черноголовка, где входила в план работ лаборатории фотодинамических процессов. Все представленные в работе экспериментальные результаты получены лично автором или при его непосредственном участии. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с руководителями.Результаты, включенные в работу, частично были получены в рамках проектов, поддержанных различными фондами: проект РФФИ № 99-03-32397, РФФИ-БРФФИ № 00-03-81200 Бел2000а, РФФИ MAC №01-03-06206.

Выражаю особую признательность и благодарность за постоянное внимание и действенную помощь своим научным руководителям - дфмн

Новикову Г.Ф. и кхн Семенову В.Н., а также дфмн Клюеву В.Г., кфмн Кустову А.И., Егорову В.А., кхн Тихониной Н.А., всему коллективу лаборатории фотодинамических процессов ИПХФ РАН и коллективам кафедры общей химии и кафедры оптики и спектроскопии ВГУ за помощь в проведении экспериментов. Искреннюю признательность выражаю всем соавторам статей, вошедших в перечень научных публикаций, составляющих основу диссертационной работы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях в рецензируемых журналах:

1) Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. О корреляции фотопроцесса на поверхности кадмий-цинк сульфидных пленок и «фотоутомляемости» люминесценции // Конденсированные среды и межфазные границы, 2002, т. 4,№ 1, с. 17-21.

2) Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. Фотоутомляемость пленок сульфидов кадмия и цинка // Физическая химия, 2002, т. 76, № 7.

3) Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. и Смерек С.А. Люминесцентные свойства дефектов в поликристаллических пленках CdxZnixS, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Неорганические материалы, 2001, т. 37, № 12, с. 1435-1438.

4) Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева H.JI., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZni.xS //Химическая физика, 2001, т. 20, №7, с. 30-32.

5) Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева H.JI., Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика, 2001, т. 20, №9, с. 39-45.

6) Наумов А.В., Метелева Ю.В., Сермакашева H.JI., Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. Люминесценция и СВЧ-фотопроводимость сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Журн. прикладной спектроскопии, 2002, т. 69, № 1, с. 104-108.

7) Метелева Ю.В., Клюев В.Г., Семенов В.Н., Коробкина Н.А. Обратимый фотостимулированный процесс в пленках Cdo^Zno^S // Журнал Научной и Прикладной Фотографии, 2001, Т. 46, №5, с. 59-64.

8) Клюев В.Г., Коробкина Н.А., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Особенности протекания фотохимических процессов в пленках Cdo^Zno^S // Журн. научн. и прикл. фотографии, 2001, Т. 46, №5, с. 65-67.

9) Левин М.Н., Семенов В.Н., Метелева Ю.В. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cdo^Zno^S // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 10, с. 37-42.

Результаты опубликованы также в 2 сборниках научных статей молодых ученых ВГУ:

1) Метелева Ю.В. Структура центров фотолюминесценции тонких пленок состава Cdo^Zno^S // Сборник научных статей молодых ученых, аспирантов и студентов химического факультета «Химия: теория и технология», Воронеж, ВГУ, вып. 1, 1999, с. 77-80.

2) Метелева Ю.В. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cdo5Znot5S II Труды молодых ученых ВГУ, 1999, Воронеж, выпуск 1,с. 139-141.

Апробация

Результаты работ обсуждались на 11 международных конференциях1 (EMRS, 1999 г. в Strasbourg (France) [1], конференции «Оптика полупро

1 За лучший доклад были получены дипломы и грамоты на Ш Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии», Саратов, СГУ, 3-5 сентября 2001,2-й международной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки», Самара, СамГТУ, 11-13 сентября 2001, 15-й международная конференция молодых ученых по химии и водников» (OS-98) и (OS-2000), 1998 [2] и 2000 г. [3, 4] в Ульяновске, конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах», 1998 [5] и 2001 г. [6] в Кемерово, конференции по фотохимии (ICP-XX), 2001 г. в Москве [7], Юбилейной конференции по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения С.И. Вавилова, 2001 г. в Москве [8], 2-й международной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки», 2001 г. в Самаре [9], 15-й международной конференция молодых ученых по химии и химической технологии (МКХТ-2001) «Успехи химии и химической технологии», 2001 г. в Москве [10], международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2002», 2002 г. в Москве [11], научной конференции по неорганической химии и радиохимии, посвященной 100-летию со дня рождения академика В.И. Спицына, 2002 г. в Москве [12]), 2 региональных конференциях (VI и VII конференции «Проблемы химии и химической технологии», 1998 [13] и 2000 г. [14] в Воронеже), 2 всероссийских конференциях (XI студенческой научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии», 2001 г. в Екатеринбурге [15] и III Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии», 2001 г. в Саратове [16]), 2 всероссийских семинарах («Наночастицы и нанохимия», 2000 г. в Черноголовке [17] и II Всероссийском семинаре «Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии», 2001 г. в Саратове [18]), на конференции «Научные исследования в наукоградах Московской области. Новые материалы и технологии. Инновации XXI века» [19, 20] и междунахимической технологии "МКХТ-2001" «Успехи химии и химической технологии», 20-21 декабря 2001, Москва, РХТУ и международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2002», 9-12 апреля 2002 г., Москва, химфак МГУ. родном симпозиуме «Фотография в XXI веке», 2002 г. в Санкт-Петербурге [21,22].

Структура диссертации

Диссертация состоит из 6 глав, содержание работы изложено на 164 страницах. Диссертация включает 64 рисунка, 9 таблиц, библиографию из 161 наименований.

Содержание глав.

ВЫВОДЫ

1. Разработан комплексный подход к исследованию элементарных химических реакций с участием заряженных частиц в твердых микродисперсных полупроводниках AnBVI. Подход основан на сочетании химических и физических методов. Химические методы включали получение тонкопленочных структур методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений (ТКС), позволяющим варьировать в широких пределах дефектную и кристаллическую структуру пленок и вводить донорно-акцепторные примеси. Основные физические методы включали стационарные и импульсные измерения электропроводности и фотопроводимости в диапазоне частот электрического поля 0-36 ГГц, рекомбинационной люминесценции. Экспериментально продемонстрирована высокая эффективность подхода на тонкопленочных твердых растворах CdxZnixS.

2. Варьированием природы акцепторных примесей путем синтеза различных (галогенидных, ацетатных, нитратных, сульфатных) ТКС и условиями синтеза на основании данных СВЧ-фотопроводимости и результатов действия предварительного освещения разделены реакции свободного и захваченного электрона, охарактеризованы уровни захвата электрона, создаваемые собственными дефектами. Установлено, что в ряду примесей O-Cl-Br-I глубина уровней увеличивается. Показано, что процессы фотолиза, приводящие к почернению слоев, обусловлены реакциями захваченного электрона с межузельными ионами.

3. Идентифицирована природа центров люминесценции пленок CdxZni.xS и охарактеризован механизм их формирования и преобразования, определяющийся условиями синтеза.

4. Показано, что в зависимости от условий синтеза осаждаются пленки с различной кристаллической и дефектной структурой, что проявляется в закономерностях протекания фотохимических реакций. Установлены закономерности формирования дефектов, составлена диаграмма состав - тип преобладающих дефектов. Независимо подтверждено, что механизм формирования кристаллической и дефектной структуры сульфидных пленок определяется природой используемых ТКС.

5. На основании электрических и оптических измерений, рентгенострук-турного анализа на пленках, синтезированных при разных условиях, подтверждено, что в системе CdS-ZnS образуется непрерывный ряд твердых растворов. Показано, что переход структуры вюрцита в сфалерит в системе CdS-ZnS происходит при переходе от состава Cdo.3Zno.7S к составу Cdo^Zno^S, на что указывает наибольшее разупорядочение структуры пленки при этом составе. Изменение физико-химических свойств в системе CdS-ZnS подчиняется законам Курнакова.

6. Впервые количественно охарактеризован фотопроцесс (возникновение почернения верхнего слоя пленки под действием УФ-света) на пленках Cdo^Zno^S и показано, что известный эффект фотоутомляемости (снижение интенсивности рекомбинационной фотолюминесценции при экспонировании) может полностью компенсироваться «эффектом фильтра». В целом, результат действия света на свойства пленок определяется конкуренцией двух процессов: формированием малоатомных центров, ответственных за рекомбинационные процессы, и кластеров металлов - зародышей новой металлической фазы.

7. Предложена схема элементарных химических реакций, протекающих в CdxZni.xS под действием света. Первичные процессы включают конкуренцию процессов захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры, образующихся как при термодеструкции ТКС, так и при последующих обработках, и рекомбинацию свободных электронов и дырок. Вторичные процессы, или судьба захваченных электронов и дырок, также определяется конкуренцией процессов термического выхода из ловушек и рекомбинации с дефектами решетки (межузельные ионы). Показано, что в механизм формирования кластеров металла в сульфидных пленках может вносить существенный вклад гетерогенная нуклеация атомов металла, образующихся при термодеструкции ТКС при низких температурах.

1. Klyuev V.G., Latyshev A.N., Semenov V.N., Meteleva Yu.V., Kustov A.I. Formation instability of metal clusters on the surface of CdxZni.xS thin films under UV-Laser irradiation // EMRS, 1999, Strasbourg (France), A-V/P37.

2. Семенов B.H., Клюев В.Г., Метелева Ю.В. Оптические свойства полупроводниковых пленок CdxZnjxS, полученных из координационных соединений // Тезисы международной конференции "Оптика полупроводников", 1998, Ульяновск, с.13-14.

3. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Влияние лигандов тиомочевинных координационных соединений на центры люминесценции в пленках CdxZnixS // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", 2000, Ульяновск, доп. том, с.8.

4. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Фотостимулированное формирование центров рекомбинации в пленках CdxZni.xS // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", 2000, Ульяновск, доп. том, с.9.

5. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Абрамова Е.А. Поликристаллические пленки ZnxCdixS с управляемой люминесценцией // Тезисы международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах", 1998, Кемерово, часть II, с. 150.

6. Метелева Ю.В., Старов И.П., Новиков Г.Ф. О природе фотопроцесса и механизме рекомбинационной люминесценции в пленках CdxZnixS //

7. Тезисы докладов 2-й международной конференции молодых ученых и студентов "Актуальные проблемы современной науки", часть 3 "Химия. Агробиохимия", Самара, 11-13 сентября 2001, с. 78.

8. Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Клюев В.Г. Получение и свойства пленок системы CdS-Ag2S // Труды VI региональной конференции "Проблемы химии и химической технологии", 1998, Воронеж, т.2, с. 210-215.

9. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г., Леонова Л.Ю., Коробкина

10. H.И. Особенности протекания фотохимических процессов на поверхности пленок CdxZni.xS // Труды VII Региональной конференции «Проблемы химии и химической технологии», 2000, Воронеж, т.2, с. 210-215.

11. Метелева Ю.В., Коробкина Н.И., Клюев В.Г., Семенов В.Н. Фотолюминесценция пленок Cdo^Zno^S, легированных галогенами // Тезисы II Всероссийского семинара "Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии", 19-20 июня 2001 г., Саратов, с. 49.

12. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Новый подход к исследованию механизма начальных стадий фотолиза пленок на основе сульфидов кадмия и цинка // Тезисы докладов международного симпозиума «Фотография в XXI веке», Санкт-Петербург, 13-14 июня 2002 г., с. 201-203.

13. Франкомб М.Х., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. В кн. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. V., М.: Мир, 1972, с. 140244.

14. Вавилов B.C. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений // Успехи физических наук. 1994. Т. 164. № з. С. 287-295.

15. Алфимов М.В. Будущее регистрации, хранения и представления информации // Журн. научн. и прикл. фотогр.- 1994.- Т.39, №3.- С.81-82.

16. Weimer Р.К. в кн. Физика тонких пленок, т. 2, изд-во «Мир», 1967, с. 83.

17. Альберс В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С.А. Медведева.- М., 1970.-С. 135-177.

18. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М: Наука. 1986. 367 с.

19. Новиков Г.Ф. Начальные стадии фото- и радиационностимулирован-ных процессов в твердых средах. Диссертация доктора физико-математических наук, 1997, Черноголовка.

20. Новиков Г.Ф. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1977. Т.42. С. Novikov G.F. // Sci. Appl. Photo, 1998. V.39, P.513.

21. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. / в кн. Точечные дефекты в полупроводниках. Под ред. Болтакса Б.И., Машовец Т.В., Орлова А.Н., М.: Мир, 1979.

22. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990.

23. Физика и химия соединений AnBVI. Пер. с англ. Ред. Медведев С.А. Москва: Мир. 1970.

24. Сакалас А., Янушкявичус 3. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях. Вильнюс, Москлас, 1988. С.155.

25. Кузано Д.А. // Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С.А. Медведева.- М., 1970.- С.537-581.

26. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975, С. 43.

27. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М., 1975, С. 174-181.

28. Угай Я. А., Семенов В. Н., Авербах Е. М. Получение пленок CdS-ZnS методом пульверизации // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1978. Т. 14, №8. С 1529-1530

29. Риттер Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений // Физика тонких пленок / Под. ред. Г.Хасса, М.Франкомба.-М., 1975.-Т. 8.-С. 44-46

30. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. Неорганические люминофоры Л., 1975.- 191С.

31. Stein A.M. // J. Electrochem. Soc., 115,401 (1964).

32. Фрицше К. Получение полупроводников. М. Мир. 1964.

33. Залюбинская Л.Н., Мак В.Т., Манжара B.C. Люминесцентный анализ зависимости состава поликристаллических пленок CdS от условий их синтеза // Журнал прикл. спектроскопии, 1988, Т. 48, №1.- С.54-59.

34. Девятых Г.Г., Моисеев А.Н., Котков А.П. и др. Осаждение эпитаксиальных слоев ZnTe и CdiyZnyTe из паров металлоорганических соединений на подложках из арсенида галлия // Неорг. материалы. 2002. Т. 38. № 2. С. 143-150.

35. Chamberlin R.R., Skarman J.S. // J. Electrochem. Soc. 1966. V.l 13. P.86.

36. Семенов B.H. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук. Воронеж. ВГУ. 2002.

37. Керм К.В. Фазовый состав пленок CdS и CdSe, полученных химическим распылением. Тр. Таллинского политехнического ин-та. Таллин, Изд-во ТПИ, 1972. С. 39 -43.

38. Воробьев-Десятовский Н.В., Кукушкин Ю.Н., Сибирская В. В. Соединения тиомочевины и ее комплексов с солями металлов. // Координационная химия. 1985. Т. 11. № 10. С. 1299 1328.

39. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. и др. Исследование взаимодействия солей кадмия с тиомочевиной при получении пленок сульфида кадмия. // Ж. прикладной химии. 1988. № 11. С. 2409 2414.

40. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М. // Ж. Неорган, матер., 1978, т. 14, №8, с. 1529.

41. Семенов В. Н., Наумов А. В. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. № 2. С. 50 -55.

42. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. и Смерек С.А. Люминесцентные свойства дефектов в поликристаллических пленках CdxZni.xS, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Неорган. материалы, 2001, т. 37, № 12, с. 1435-1438.

43. Семенов В.Н., Сушкова Т.П., Клюев В.Г., Кушнир М.А., Марков А.В. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированных медью, полученных распылением растворов на нагретую подложку // Неорган, матер. 1993. Т. 29. № 3. С. 323-326.

44. Семенов В.Н., Авербах М.С. О люминесценции пленок CdS-ZnS в спектральном интервале 400-1200 нм // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж, 1981.- С. 99-104.

45. Семенов В.Н., Авербах Е.М., Погуляева И.В. Взаимодействие сульфида метала с поверхностью кварцевой подложки // Физико-химические процессы в гетерогенных структурах. Воронеж: изд-во ВГУ, 1985. С. 114-118.

46. Угай Я.А., Семенов В.Н., Авербах Е.М., Шамшеева И.Л. Исследование термического разложения дихлородитиомочевинакадмий (II) // Журн. общ. химии. 1986. Т. 56. Вып. 9. С. 1945-1950.

47. Yan Li, Fuzhi Huang, Qungmin Zhang, Zhennan Gu. Solvothermal synthesis of nanocrystalline cadmium sulfide // Jounal of material science, 2000, V.35, p. 5933-5937.

48. Толстой В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания // Успехи химии, 62(3) 1993.

49. Nikolau V.F., Menard J.C. // J. Colloid. And Interface Sci., 148(2), 551(1992).

50. Маслов B.H., Мурадов B.H., Клечковская В.В. В кн. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Наука, Новосибирск, 1988. С. 89.

51. Марковский Л.Я., Перкман P.M., Петошина JI.H. Люминофоры.- М., 1966.- С. 178-183.

52. Риттер Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений // Физика тонких пленок / Под. ред. Г. Хасса, М. Франкомба. -М., 1975.-Т. 8.- С. 44-46.

53. Витриховский Н.И., Мизецкая И.Б. Смешанные монокристаллы ZnS*CdS и некоторые их характеристики // Физика твердого тела. -М., I960.- Т.2, вып. 10.- С.2579-2584.

54. О возможности получения смешанных соединений халькогенидов металлов химическим способом / Китаев Г.А., Двойнин А.Б., Урицкая А.А. и др. // Химия и физика халькогенидов.- Киев, 1977.- С. 107-109.

55. Гавриленко В.И., Грехов A.M. и др. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев. Наукова думка. 1987. с. 243.

56. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.- М., 1982.-376 С.

57. Бродин М.С., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Шаблий И.Ю. // УФЖ. 1979. Т. 24. № 10. С. 1539-1544.

58. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шаблий И.Ю., Шейнкман М.К. // ФТП. 1981. Т. 15. № 2. С. 279-282

59. Келле Х.И., Кире Я.Я., Тулва Л.Т. К вопросу о происхождении оранжевой и красной люминесценции CdS // Проблемы физики соединений AIIBVI.- Вильнюс, 1972.- С.85-89.

60. Бродин М.С., Городецкий И .Я., Корсунская М.Е. и др. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства кристаллов CdS // Укр. Физ. Журнал.-1979, Т.24, №10.- С.1539-1544.

61. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.П., Пекарь Г.С., Шейкман М.К. // Укр. физ. журнал, 18, 732(1973).

62. Коганович Э.Б., Сукач Г.А., Свечников С.В. Исследование спектров фотолюминесценции фотопроводящих пленок CdS:Cu:Cl // Укр. Физ. Журн. 1984. Т. 31. № 12. С. 1794-1800.

63. Эмиров Ю.Ю., Остапенко С.С., Ризаханов МА., Шейнкман М.К. // ФТП. 1982. Т. 16. № 8. С. 1371-1376.

64. Kulp В.А. // Phys.rev. 1962. V. 125. № 6. Р. 1865-1869.

65. Шейкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Механизмы излучательных и безызлучательных переходов в соединениях AnBVI и природа центров свечения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. № п. с. 2290-2297.

66. Залюбинская JI.H., Мак В.Т., Манжара B.C. Люминесцентный анализ зависимости состава поликристаллических пленок CdS от условий их синтеза // Журнал прикл. спектроскопии, 1988, Т. 48, №1.- С.54-59.

67. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. Неорганические люминофоры.- Л., 1975.- 191С.

68. Парфианович И.А., Саломатов В.Н. Люминесценция кристаллических веществ.-Иркутск, 1977.-4.1.- 166С.

69. Голубева Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS // Журн. прикл. спектроскопии, 1972.- Т. 17, №2.-С.261-268.

70. Н.А. Власенко, И.Б. Ермолович, Ф.Ф. Коджеспиров, Н.К. Коновец, Л.А. Можаровский и М.К. Шейнкман. Люминесцентные свойства смешанных монокристаллов ZnxCdjxS // Изв. АН СССР, 1971, т. 35, №7, с. 1433-1435.

71. Boer K.W., Borchardt W., Oberlander S. Z. Phys. Chem., 1959, Bd. 210, S. 218.

72. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел.- M., 1962.- С. 127.

73. Девлин С.С. Свойства переноса // Физика и химия соединений AnBVI. Под ред.С.А. Медведева.- М., 1970.- С.418-461.

74. Hartmann Н., Mach R., Selle В. Wige gap И-VI compounds as elektronic materials // Curr. Top. Mater. Sci.,- Amsterdam, 1982, V.9,- P.414.

75. Cardona M., Harbeke G. // Phys. Rev. 1965. V. A137. P. 1467.

76. Baubinas R., Kietis B.P., Reksnys R. et al. Bepollar photoconductivity and acoustoelectric current in CdTe, CdS and CdSe // Phys. Stat. Sol. 1978. V. A50. P.K63.

77. Ray В. II-VI Compounds: Lectures in Electronics Queen's College. N.Y. Pergamon Press, 1969.

78. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. под. ред. Алферова Ж.И. и Вавилова B.C. М.: Мир, 1973.

79. Морхед Ф.Ф. Электролюминесценция // Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С.А.Медведева.- М., 1970.- С.465-496.

80. Бьюб Р.Х. Фотопроводимость // Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С.А. Медведева.- М., 1970.- С.499-535.

81. Boer K.W., Borchardt W. Forstchr. Phys., 1953, Bd. 1, S.184.

82. Boer K.W., Borchardt W., Oberlander S. Z. Phys. Chem., 1959, Bd. 210, S. 218.

83. Borchardt W. // Phys.Stat. Sol, 1962, v.2, p. 1575.

84. Marlor J.A, Woods J. Brit. J. Appl. Phys.,1965, v. 16, p. 1449.

85. Корсунская H.E, Маркевич И.В, Шейнкман M.K. ФТТ, 1981, т. 10, с. 522.

86. Нешева Д., Ватева Е. Болг. Физ. Журн, 1979, т. 6, с. 552.

87. Корсунская Н.Е., Королевец Н.М, Маркевич И.В. и др. ФТП, 1973, т. 7, с. 275.

88. Korsunskaya N.E, Markevich J.V, Sheinkman M.K. Phys. Stat. Sol, 1966, v. 13, p. 25.

89. Gowell T.A.T, Woods J. Phys. Stat. Sol, 1967, v. 24, p. K37.

90. Корсунская H.E, Маркевич И.В, Торчинская T.B. и др. Укр. Физ. журн. т.22, с. 363.

91. Woods J, Nicolas К.Н. Brit. J. Appl. Phys, 1964, v.15, p. 1361.

92. Albers C. Phys. Stat. Sol, 1962, v. 2, p. 1268.

93. Albers C, Genzow В.- Phys. Stat. Sol, 1963, v. 3, p. 866.

94. Корсунская H.E, Маркевич И.В, Шейнкман M.K. Укр. физ. журн,1973, т. 18, с. 1678.

95. Lang D.V, Petroff P.M., Logan R.A. // Phys. Rev. Lett, 1979, v. 42, p. 1353.

96. Dean P.J, Choyke W.J. Adv. Phys, 1977, v. 26, p. 1.

97. Lang D.V, Kimerling L.C. Phys. Rev. Lett, 1974, v. 33, p. 489.

98. Lang D.V, Kimerling L.C, Leung S.J. J. Appl. Phys, 1976, v. 47, p. 3587.

99. Lang D.V, Kimerling L.C. Appl. Phys. Lett, 1976, v. 28, p. 248.

100. Копаранова H.C, Цветкова К.Б, Кынев C.K. Докл. Болг. АН, 1975, т. 28, С. 1601.

101. Корсунская Н.Е, Маркевич И.В, Шейнкман М.К. В сб.: Способы записи информации на бессеребрянных носителях. - Киев: Вища шк,1974, вып. 5, с. 19.

102. Кынев С.К., Копаранова Н.С., Георгиев М. и др. -Квантовая электрон., 1972, т. 4, с. 857.

103. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. УФН, 1977, т. 122, с. 223.

104. Латышев А.Н. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимического процесса в галогенидах серебра: Дис. докт. физ.-мат. наук Воронеж, 1983. - 313 с.

105. Kluev V.G., Kustov A.I., Latyshev A.N., Malaya L.Ya., Semenov V.N. Mechanism of Fotostimulated Transformation of Adsorbed Metallic Centers and Luminescent Read-Out // EMRS, 1998

106. Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы // УФН, 1997, Т. 167, №4, с. 407-412.

107. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М.: Наука, 1981).

108. Семенов В.Н., Власенко Н.В. Процессы комплексообразования в системах тиомочевина кадмиевая соль кислородсодержащей кислоты. Ж. неорганической химии. 1992. Т. 37. № 4. С. 929 - 933.

109. Семенов В.Н., Горбунова Е.И., Шамшеева И.Л. Изучение процессов комплексообразования в системе CdHal2 N2H4CS - Н20 с учетом неидеального поведения комплексных ионов. Воронеж, 1989. Деп. в ОНИИТЭХИМ 27. 10. 89. № 965-хп89. 41с.

110. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений. Дисс. доктора химич. наук, ВГУ, Воронеж, 2002г., 355с

111. Кукушкин Ю.Н., Ходжаев О.Ф., Буданова В.Ф., Парпиев Н.А. Термолиз координационных соединений, 1986, Ташкент, изд-во «Фан» Узбекской ССР, с. 102-110.

112. Наумов А.В. Формирование пленок сульфидов кадмия и меди термической деструкцией тиомочевинных координационных соединений. Автореферат дис. канд. хим. наук, 2001, Воронеж, ВГУ.

113. Новиков Г. Ф., Голованов Б. И., Чукалин А. В., Тихонина Н. А. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1997. Т.42. № 4. C.I Novikov G. F., Golovanov В. I., Chukalin A.V., Tikhonina N. А. // Sci. Appl. Photo. 1998. V.39.No. 4. P.313.

114. Грабчак С. Ю., Новиков Г. Ф., Моисеева Л. С., Любовский М. Р., Алфимов М. В. // Журн. научн. и прикл. фотогр. 1990. Т.35. № 2. С.134.

115. Кушнир M.A. Автоматический спектрофотометр для исследования слабых световых потоков // Тр. Всесоюзн. конф. «Приборы и методы спектроскопии». Новосибирск: Изд-во Института автоматики и электрометрии. 1979. С. 122.

116. N.Razik, J.Mater.Sci.Lett., 1987, v.6, p. 1443

117. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. С. 210с.

118. Кустов А.И. Люминесцентные свойства примесных поверхностных состояний ионно-ковалентных кристаллов. Автореферат дис. канд. физ.-мат. наук, Воронеж, ВГУ, 1999.

119. Мелвин-Хьюз Э.А. Физическая Химия. Книга 1. Изд-во иностр. литры. Москва. 1962. С. 31.

120. Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика, 2001, т. 20, №9, с. 39-45.

121. Метелева Ю.В. Структура центров фотолюминесценции тонких пленок состава Cdo,sZn0,5S // Сборник научных статей молодых ученых, аспирантов и студентов химического факультета "Химия: теория и технология", Воронеж, ВГУ, вып. 1, 1999, с. 77-80.

122. Семенов В. Н., Клюев В. Г., Кушнир М. А. и др. Спектрально-люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворастворов тиомочевинных комплексов кадмия на нагретую подложку // Журн. прикл. спектроскопии. 1993. Т. 59. № 1 2. С. 114 - 119.

123. Морозова Н. К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука. 1987. 200с.

124. Dutault F., Lahaye J. Formation de sulfure de cadmium a partir d'lme solution aqueuse de thiouree et de chlorure de cadmium // Bull. Soc. Chim. Fr. 1980. Т. 1. No. 5 6. P. 236 - 240.

125. Скорняков JI. Г., Китаев Г. А., Дроздова Т. А. // Журн. прикл. спектроскопии. 1978. Т. 29. Вып. С. 358 360.

126. Келле X. Й, Кире Я. Я., Тулва Л. Т. // Проблемы физики соединений AnBVI. Материалы III Всесоюзного Совещания 18-20 июля 1972. Том II. Вильнюс. 1972. С. 85 89.

127. Kluev V.G., Latyshev A.N. Identical Properties of the Surface Process Proceeding under UV-Radiation for AgHal, ZnS and CdS // J. Inf. Recording. 1996. V. 23. P. 295-300.

128. Семенов B.H., Шамшеева И.А., Сушкова Т.П. Тезисы докладов VI Всесоюзного совещания «Физика, химия и технология люминофоров».-Ставрополь, 11-13 окт. 1989.- Ч.2.-С.21.

129. Мелвин-Хьюз Э.А. Физическая химия, книга 1, изд-во иностр. лит-ры. Москва. 1963 г. С. 31.

130. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZnixS // Химическая физика, 2001, т. 20, №7, с. 30-32.

131. Новиков Г.Ф., Неманов С.Г., Алфимов М.В. // Оптика и спектроскопия. 1993. Т.75. № 6. С. 1244.

132. Шейкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Механизмы оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции в монокристаллах CdS и параметры соответствующих центров свечения // Физика твердого тела, 1968, Т. 10, вып. 9, с. 2628-2637.

133. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: "Наукова думка", 1981. с. 181.

134. Deri R.J., Spoonhower J.P. Drift mobility, electron trapping and diffusion -limited kinetics in sulfur sensitized AgBr microcrystals // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. No. 8. P. 2806.

135. Новиков Г.Ф. Фото- и радиационно- стимулированные процессы в твердых телах. Диссертация доктора физ.-мат. наук. 1998. Черноголовка.

136. Клюев В.Г., Коробкина Н.А., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Особенности протекания фотохимических процессов в пленках Cdo^Zno^S // Журнал Научной и Прикладной Фотографии, 2001, Т. 46, №5, с. 65-67.

137. Метелева Ю.В., Клюев В.Г., Семенов В.Н., Коробкина Н.А. Обратимый фотостимулированный процесс в пленках Cdo^Zno^S // Журнал Научной и Прикладной Фотографии, 2001, Т. 46, №5, с. 59-64.

138. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. «Фотоутомляемость пленок сульфидов кадмия и цинка» // Физическая химия, 2002, т. 76, № 7.

139. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. «О корреляции фотопроцесса на поверхности кадмий-цинк сульфидных пленок и «фотоутомляемости» люминесценции» // Конденсированные среды и межфазные границы, 2002, т. 4, № 1, с. 17-20.

140. Физика соединений AnBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнк-манаМ.: Мир, 1989. 109-145 с.

141. Korsunskaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R., Borkovskaya L.V., Sheinkman М.К. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 42-46.

142. Wu F., Zhang J.Z., Kho R., Mehra R.K. Radiative and nonradiative lifetimes of band edge states and deep trap states of CdS nanoparticles de-teminined by time-correlated single photon counting. // Chem. Phys. Lett. 2000, V. 330, pp.237-242.

143. Клюев В.Г. Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников. Дисс. доктора физ-мат. наук, 1998, Воронеж, ВГУ.

144. Kluev V.G., Latyshev A.N. // J. Inf. Recording. 1996. V. 23. P. 295.1. На правах рукописи1. Метелёва Юлия Валерьевна1. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ Cd^n^S:

145. ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА, РЕАКЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ0200.04 физическая химия

146. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук1. Черноголовка 2002

147. Институт проблем химической физики РАН, 20021. Метелева Ю.В., 20021. ВВЕДЕНИЕ1. Актуальность работы

148. Именно этот подход, это сочетание основных методов стало главным в данной работе при исследованиях системы CdS-ZnS.1. Научная новизна

149. Практическое значение работы

150. На защиту выносятся следующие положения:

151. Альтернативный механизм явления фотоутомляемости люминесценции (снижение интенсивности рекомбинационной фотолюминесценции при экспонировании), основанный на фильтрующем действии растущего ме-таллосодержащего слоя.1. Апробация работы

152. Основное содержание работы изложено в 9-ти статьях в рецензируемых научных журналах, 2-х статьях в Трудах ВГУ и 22-х тезисах докладов.

153. Диссертация состоит из введения, шести глав и выводов. Работа изложена на 164 страницах, включает 64 рисунка и 9 таблиц. Библиография содержит 161 наименование.

154. КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ОСНОВНЫХ ГЛАВ

155. Глава 1. Свойства системы CdS-ZnS и фотохимические процессы (обзор литературы).

156. В обзоре также собраны сведения о физико-химических свойствах соединений на основе сульфидов кадмия и цинка, необходимые для анализа полученных экспериментальных данных. Дана постановка задачи.

157. Глава 2. Методы исследования, получение пленок CdxZn1 XS и их свойства.

158. Для исследований применен комплексный подход, включающий сочетание метода получения пленок из аэрозоля водных растворов ТКС кадмия и цинка и стационарных и кинетических методов исследования.

159. Рис. 2. Темновая электропроводность пленок системы CdS-ZnS

160. Глава 3. Природа центров люминесценции пленок системы CdS-ZnS, полученных из тиомочевинных координационных соединений.

161. В спектре пленок Cd^Zn^yS, полученных из ацетатных ТКС, независимо от состава имеются только две полосы люминесценции 810-820 и 830-840 нм,что доказывает природу этих полос комплексы дефектов VCdVs. и [VCdOs]", соответственно.

162. Глава 4. Формирование дефектной структуры пленок системы CdS-ZnS в процессе термодеструкции тиомочевинных координационных соединений.

163. Методом пиролиза водных растворов ТКС можно получать пленки с различной кристаллической и дефектной структурой. Диаграмма "состав тип дефекта" показана на рис. 3.

164. Рис. 3. Формирование дефектной структуры пленок системы CdS-ZnS

165. Глава 5. Свойства носителей тока в пленках Cd^n^S.

166. ZnS Cdg.3Zno.7S Cd0.4Zn0.eS1. CdS

167. В области низких Тс время жизни электрона ниже временного разрешения установки (-50 не), и скорость спада быстрой компоненты фотоотклика определяется в основном кон1. ns4002001. CdS из Cd((NH2)2CS)2CI2.

168. CdS из Cd((NH2)2CS)2Br2. о CdS из [Cd((NH2)2CS)2l2]

169. CdS из Cd((NH2)2CS)2(CH3COO)2.300400500синтеза' ^

170. Изменение структуры пленки, отмеченное ранее, отражается на свойствах электрона (рис. 5): время полуспада быстрой компоненты резко 0 2о 40 бо изменяется при переходе от е .состава Cd0,4Zn06S к ZnS XBC^Zn^S

171. Cd Zn S Рис. 5. Свойства электрона пленок0 3 0,7 ' системы CdS-ZnS

172. Глава 6. Фотохимические процессы в пленках CdxZn1xS.

173. На основании обсуждения данных совместных исследований люминесценции и СВЧ-фотопроводимости предложена схема ключевых элементарных реакций с участием заряженных частиц и дефектов в пленках Cd^n^S (см. таблицу).1. ВЫВОДЫ

174. Идентифицирована природа центров люминесценции пленок Cd^Zn^S и охарактеризован механизм их формирования и преобразования, определяющийся условиями синтеза.

175. Основное содержание работы изложено в следующих публикациях:

176. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. О корреляции фотопроцесса на поверхности кад-мийцинк сульфидных пленок и "фотоутомляемости" люминесценции. II Конденсированные среды и межфазные границы, 2002, 4, № 1, с. 17-20.

177. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. Фотоутомляемость пленок сульфидов кадмия и цинка. // Физическая химия, 2002, т. 76, № 7.

178. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. и Смерек С.А. Люминесцентные свойства дефектов в поликристаллических пленках CdxZn1 xS, полученных из тиомочевинных координационных соединений. II Неорган, материалы, 2001, т. 37, № 12, с. 1435-1438.

179. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н. СВЧ-фотопрово-димость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках Cd^Zn^S. // Химическая физика, 2001, т. 20, №7, С; 30-32.

180. Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений. II Химическая физика, 2001, т. 20, №9, с. 39-45.

181. Наумов А.В., Метелева Ю.В., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. Люминесценция и СВЧ-фотопроводимость сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений. //Журн. прикл. спектроскопии, 2002, т. 69, № 1, с. 104-108.

182. Метелева Ю.В., Клюев В.Г., Семенов В.Н., Коробкина Н.А. Обратимый фотости-мулированный процесс в пленках Cd05Zn05S. // Журн. научн. и прикл. фотогр., 2001, Т. 46, №5, с. 59-64.

183. Клюев В.Г., Коробкина Н.А., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Особенности протекания фотохимических процессов в пленках Cd0 5Zn0 5S. // Журн. научн. и прикл. фотогр., 2001, Т. 46, №5, с. 65-67.

184. Левин М.Н., Семенов В.Н., Метелева Ю.В. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cd05Zn05S. // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 10, с. 37-42.

185. Klyuev V.G., Latyshev A.N., Semenov V.N., Meteleva Yu.V., Kustov A.I. Formation instability of metal clusters on the surface of Cd^n,^S thin films under UV-Laser irradiation // EMRS, 1999, Strasbourg (France), A-V/P37.

186. Семенов B.H., Клюев В.Г., Метелева Ю.В. Оптические свойства полупроводниковых пленок Cd^n, XS, полученных из координационных соединений // Тезисы международной конференции "Оптика полупроводников", 1998, Ульяновск, с.13-14.

187. Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Клюев В.Г. Получение и свойства пленок системы CdS-Ag2S. // Труды VI региональной конференции "Проблемы химии и химической технологии", 1998, Воронеж, т.2, с. 210-215.

188. Клюев В.Г., Семенов В.Н., Метелева Ю.В., Абрамова Е.А. Поликристаллические пленки ZnxCd,,S с управляемой люминесценцией. //Тезисы международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах", 1998, Кемерово, часть II, с. 150.

189. Метелева Ю.В. Структура центров фотолюминесценции тонких пленок состава Cd05Zn05S. // Сборник научных статей молодых ученых, аспирантов и студентов химического факультета "Химия: теория и технология", Воронеж, ВГУ, вып. 1, 1999, с. 77-80.

190. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Влияние лйгандов тиомочевинных координационных соединений на центры люминесценции в пленках Cd^Zn, ^S. // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", 2000, Ульяновск, доп. том, с.8.

191. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. Фотостимулированное формирование центров рекомбинации в пленках Cd^Zn^S. //. Труды международной конференции "Оптика полупроводников", 2000, Ульяновск, доп. том, с. 9.

192. Метелева Ю.В. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cd06Zn05S. // Труды молодых ученых ВГУ, 1999, Воронеж, выпуск 1, с. 139-141.

193. Ю.В. Метелева, Н.И. Коробкина, В.Г. Клюев, В.Н. Семенов Фотолюминесценция пленок Cd05Zn05S, легированных галогенами. // Тезисы II Всероссийского семинара "Проблемы и достижения люминесцентной спектроскопии", 19-20 июня 2001 г., Саратов, с. 49.

194. ТОНКИЕ ПЛЕНКИ Cd^Zn^S: ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА, РЕАКЦИИ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ1. Автореферат

195. Сдано в набор 20.08.2002 г. Подписано в печать 21.08.2002 г. Формат 60x90 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная Гарнитура «Ариал». Объем 1 п. л. Зак. 371. Тир. 100.

196. Оригинал-макет изготовлен в редакционно-издательском отделе ИПХФ РАН Изд. лиц. № 03894 от 30 января 2001 г.142432, г. Черноголовка, Московская обл., Институтский пр-т, 18

197. Отпечатано в типографии ИПХФ РАН