Спектроскопия и вынужденное излучение новых активных сред для твердотельных перестраиваемых лазеров ультрафиолетового диапазона спектра тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

дц

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Г 8 Оз-

■ у '¡¿^ На правах рукописи

СЕМАШКО Вадим Владимирович

УДК 535.343.2+535. 374. :621. 375.826

СПЕКТРОСКОПИЯ И ВЫНУЖДЕННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ НОВЫХ АКТИВНЫХ СРЕД ДЛЯ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ ЛАЗЕРОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА

01.04.07 - физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

КАЗАНЬ - 1993

Работа выполнена на физическом факультете Казанского государственного университета имени В.И.Ульянова-Ленина

Научный руководитель: кандидат физико-математических

наук Дубинский М.А.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических

наук, профессор Самарцев В.В.

кандидат физико-математических наук Прялкин В.И.

Ведущая организация: Институт радиотехники и электроники Российской Академии наук, г.Мэсква

Защита диссертации состоится января 1994 г. в

14.30 на заседании специализированного Совета Д053.29.02 при Казанском государственном университете имени В.И.Ульянова-Ленина С420008, г.Казань, ул.Ленина, 18)

С диссертацией можно ознакомиться в Научной библиотеке университета

Автореферат разослан "¡О" декабря 1993 г.

Ученый секретарь Совета, профессор

Еремин М.В.

Общая характеристика работы

Актуальность проблемы. Особое место среди лазерных сред анимагат диэлектрические активированные кристаллы, имеющие екордные, по сравнению с другими лазерными материалами, зк-плуатационные характеристики. Однако область спектра, в эторой работает абсолютное большинство твердотельных лазе-эв, ограничена длинами волн 0.4-4.0 мкм, а ультрафиолетовый УФ) и средний ИК диапазоны остаются практически неосвоенны-а. Получение когерентного излучения в этих областях спек-за осуществляется с помощью сложной и дорогостоящей техни-1 нелинейного преобразования частоты излучения существую-IX лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов.

Особый научный Сс точки зрения реализации новых кана-)в лазерной генерации и изучения сопутствующих интенсивной &-накачке явлений) и практический (для применений в различ-ах областях науки и техники: фотохимии, спектроскопии, био->гии, медицине и т.п.) интерес представляет проблема созда-1Я перестраиваемых по частоте ультрафиолетовых лазерных пенников. Одним из перспективных способов получения пересеваемого ^-излучения является осуществление лазерной ге-!рации на разрешенных межконфигурационных переходах ионов штаноидов в широкозонных диэлектрических кристаллах. Одна-I подавляющее большинство попыток реализовать эти каналы изерной генерации привели к отрицательным результатам и до лучения представляемых в настоящей диссертации результа-|В было известно только три таких лазерных материала: крис-шлы ПУР^Се^, ЬаРз'. Се^ и ЬаРз". МсР"1". Причиной низкого оцента успеха поисковых исследований оказались различные [разитные явления (поглощение из возбужденных состояний, тохимические превращения в матрице-основе и т.п.возни-ющие при высокоинтенсивной УФ-накачке и затрудняющие полу-ние вынужденного излучения.

Целью диссертационной работы являлся поиск новых активных сред для твердотельных перестраивамых лазеров ультрафиолетового диапазона спектра и их исследование методами лазерной спектроскопии.

Научная новизна.

В работе впервые исследованы спектрально-кинетические характеристики кристаллов Ь11лР4:Сеу+ (Ш^Се). Показано, что кристалл ИР: Се по сравнению с кристаллом Ш^Се фотохимически более стабилен по отношению к излучению накачки на длине волны 248 нм.

Впервые получено вынужденное излучение на межконфигурационных переходах иона Се3+ в кристалле Ш\ Показано, чтс лазер, созданный на этом кристалле, обладает лучшими эксплуатационными характеристиками среди существующим лазеро! данного типа, пригодных для накачки излучением эксимерноп КгР-лазера.

Впервые исследованы спектрально-кинетические характеристики кристаллов кольквирита, LJ.CaA.lF6, активированных ионами Се^"*" (1лСАР:Се). Показано, что активация этих кристал лов ионами Сеу+ приводит к образованию до трех типов примес ных центров.

Предложен и реализован новый метод анализа сложны спектров люминесценции многоцентровых систем и с его по мощью определен вид индивидуальных спектров люминесценци каждого из трех типов цериевых центров в кристаллах ЫСАР.

Получена перестраиваемая УФ-генерация на кристалд ЫСАР:Се при его накачке излучением четвертой гармоники лг зера на и, таким образом, впервые создан цельнотве{

дотельный (твердотельный источник накачки и твердотельнг активная среда) перестраиваемый лазер УФ-диапазона спектр? Определен его диапазон перестройки и показано, что дальне! шее улучшение его характеристик возможно за счет создан! условий выращивания кристаллов ЫСАР:Се, благоприятствуют

лучшению их оптического качества и образованию в них преи-ущественно одного типа активаторного центра.

Практическая ценность

Созданы два новых перестраиваемых твердотельных лазера Ф-диапазона спектра, превосходящих по параметрам сущэствую-ие лазеры данного типа. Один из них - лазер на ЫСАР: Се -вляется первым цельнотвердотельным перестраиваемым УФ-лазе-эм и не имеет аналогов в мировой практике. Необходимо отме-ить также, что лазер на кристалле ЫСАР:Се, в отличие от азеров на У1Р:Се и Ш^Се, накачиваемых зксимерными лазе'ра-л, является безопасным в экологическом отношении и, поэто-у, имеет более широкий диапазон возможных применений.

На защиту выносятся:

1. Результаты сравнительных исследований спек-эально-кинетических характеристик кристаллов У1Р и ИР, актированных ионами Се*5* и результаты исследования их фото-шической устойчивости по отношению к УФ-излучению накачки.

2. Результаты сравнительных исследований кристаллов Л7: Се и ИР:Се в режиме лазерной генерации и вывод о том, го благодаря лучшей фотохимической устойчивости и из-за щое более высокого квантового выхода люминесценции ионов

в кристалле ИР по сравнению с Ш\ лазер на основе Р:Се более эффективен и имеет лучшие эксплуатационные ха-«теристики: более низкий порог генерации, вдвое более вы-исий КПД и позволяет без снижения эффективности работать в жиме с частотой повторения импульсов излучения до 5 Гц.

3. Результаты исследований примесных цериевых центров в металлах ЫСАР и новый метод разделения сложных спектров минесценции кристаллов, имеющих несколько типов излучаю-х центров, на индивидуальные спектры.

4. Результаты исследований усилительных характеристик металла ЫСАР:Се и его фотохимической устойчивости по от-шению к излучению возбуждения на длине волны 266 нм.

5. Результаты исследований кристалла LiCAF:Ce в режиме лазерной генерации, анализ причин отличий реально полученного и расчетного КПД преобразования излучения накачки в УФ-излучение лазера на LlCAF:Ce и вывод о том, что дальнейшее повышение энергетических характеристик этого лазера возможно за счет снижения пассивных потерь и потерь инверсной населенности на усиление радиационного шума, а также изменения условий выращивания этих кристаллов с целью полученш образцов, содержащих преимущественно один тип активаторногс центра.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на следующих конференциях: OSA Advanced Solld-Statt Lasers (Santa Fe, NM, USA, Feb. 1992), 18-th Internationa. Quantum Electronics Conference (Vienna, Austria, June 1992) International Conference on Láser Advanced Material: Processing (Nagaoka, Japan, June 1992); 4-th Internationa Conference on Laser Applications In Life Science (Jyvaskyla, Finland, Sept. 1992); OSA Advanced Solld-Stat Lasers (New Orleans, LA, USA, Feb. 1993); Международная кон ференция Оптика Лазеров '93 (С.-Петербург, Россия, ишь 199 г),' International Conference on Luminescence (ICL'93 (Storrs, CT, USA, August 1993); Interdisciplinary Lase Science Conference (ILS-IX) (Toronto, Ontario, Canada October 1993).

Публикации. Основное содержание диссертации отражено 16 научных публикациях.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введе ния, четырех глав, заключения и списка литературы. Полн! объем работы составляет 189 страниц, включая 4 таблицы, -рисунков и список литературы из 103 наименований.

Содержание работы

Во введении дано обоснование актуальности проблем

¡формулированы задачи и цель исследования, приведены основ-[ые положения работы, вынесенные на зашиту.

В первой главе дается обоснование перспективности ис-юльзования в качестве возможных каналов лазерной генерации ©«конфигурационных переходов ионов лантаноидов. Показано, 1То на их основе может быть получено перестраиваемое по час-•оте вынужденное излучение в видимом, УФ и ВУФ диапазонах пектра. Особое внимание уделено обзору результатов спек-рально-кинетических и лазерно-спектроскопических исследова-ий церий-активированных диэлектрических кристаллов. Отмече-о, что реальная оценка перспективности применения того или ного кристалла в качестве активной среды УФ-лазера возмож-а только либо путем проведения прямых лазерных эксперимен-ов, либо путем исследования изменения его пропускания в об-асти с1—Г люминесценции ионов Се3"1" под действием излучения акачки. Необходимость таких исследований диктуется многооб-азием паразитных процессов, препятствующих осуществлению 3>-лазерной генерации. Обзор имеет своей целью показать ложность поставленной задачи и выявить наиболее характерце из этих паразитных явлений. Кроме того, обращается вни-эние на многообразие применяемых экспериментальных методик моделей физических процессов, протекаицих в исследуемых зразцах при их высокоинтенсивном УФ-возбувдении. В заключе-{е сформулированы основные принципы, следуя которым, по шнию автора, можно наиболее плодотворно осуществлять поиск >вых УФ-активных сред на основе разрешенных межконфигура-юнных переходов ионов редких земель.

Вторая глава посвящена описанию применяемых в диссерта-гонной работе экспериментальных.методик и используемой при : реализации аппаратуры.

Спектрально-кинетические исследования осуществлялись с мощью разработанного в лаборатории универсального автома-зированного спектрального комплекса, который позволяет:

- проводить исследования спектров поглощения (отражения), люминесценции и возбуждения в диапазоне частот 2000 -50000 см-1 со спектральным разрешением 0.1-1 см-1;

- исследовать кинетики затухания люминесценции в диапазоне характерных времен 10-^-10-^ с;

- регистрировать спектры люминесценции с временным разрешением (мгновенные спектры люминесценции);

- проводить эксперименты с возбужденными образцами (типа экспериментов по наблюдению оптического усиления или поглощения из возбужденных состояний);

- осуществлять спектрально-кинетические исследования в широком диапазоне температур:

- представлять результаты исследований в цифровой и графической форме.

Для возбуждения люминесценции, накачки лазерных элементов и проведения зондирующих экспериментов применялись следующие лазерные источники: лазер на YAG:с модуляциег добротности, перестраивамый лазер на красителе, накачиваемый излучением его второй гармоники и зксимерный KrF-лазер.

Кристаллы для исследований были выращены в лаборатории роста кристаллов Казанского госуниверситета.

Третья глава посвящена лазерно-спектроскопическим ис следованиям нового лазерного материала - кристалла LLF:Ce.

Этот кристалл был выбран для исследований, поскольку о является структурным и химическим аналогом известной УФ-ак тивной среды - кристалла YLF:Ce. По этой причине анали свойств кристалла LLF:Ce проводился в сравнении с соответ ствуюшими свойствами кристалла YLF:Ce.

Исследования LLF:Ce показали, что его спектрально-кине тические характеристики, обусловленные межконфигурационныь Г-d переходами, близки к соответствующим характеристике кристалла YLF:Ce. При переходе от YLF:Ce к LLF:Ce полос поглощения и люминесценции смещаются в сторону меньших boj

ювых чисел (примерно на 340 см-1}, увеличивается кристаллическое расщепление (примерно на 10 см-1) и Стоксов сдвиг (в сристаллах Ш^Се он составляет 1560 см-1, а в кристаллах (1Р:Се - 1470 см-1). Кроме того, квантовый выход люминесценции ионов Се^ в кристаллу Ш7 при возбуждении на длине волга 266 нм примерно в два раза выше, чем в УЬР.

Проведены сравнительные исследования фотохимической ^устойчивости (склонности к образованию короткоживущх и ггабильных центров окраски) кристаллов Ш^Се и Ш^Се по >тношению к интенсивной УФ-накачке на длине волны 248 нм. )ни показали, что фотохимические превращения в кристалле 2Р:Се, как и в кристалле УЬЕ:Се, наблюдаются только при их возбуждении в области полос поглощения ионов то есть

)бразование центров окраски под действием мошного УФ-излуче- ' шя накачки в обоих кристаллах однозначно связано с их акти-¡ацией ионами Се^+. При этом кристалл Ш^Се обладает луч-юй фотохимической устойчивостью, чем Ш^Се. Предполагает-:я, что это обусловлено различием в степени химического род-:тва ионов Се^4", и Показано, что образование цен-

зов окраски в кристаллах Ш^Се под действием излучения эк-:имерных КгР- и ХеС1-лазеров, объясняемое ранее индуцирован-[ыми накачкой переходами из возбужденных 5с1-состояний ионов !е3н" в зону проводимости, в действительности имеет более :ложную природу.

Проведены исследования кристаллов ИР: Се в режиме лазерной генерации при поперечной накачке излучением зксимер-юго КгР-лазера. Причем, в отличие от ситуации с кристаллом 1Р:Се, вынужденное излучение, в зависимости от условий эк-:перимента, в силу малости различия в степенях поляризации :юминесценции в двух пиках, могло быть возбуждено на этах ¡линах волн одновременно. Обнаружено, что порог возбуждения азерной генерации в области коротковолнового пика люминес-;енции в неселективном резонаторе для кристаллов Ш^Се ни-

же, чем для кристаллов Ш^Се, а дифференциальный КПД -вдвое выше. Кроме того, лазер на кристалле Ш^Се без ухудшения параметров может работать с частотой следования импульсов генерации до 5 Гц, тогда как генерация лазера на Уи:Се из-за накопления в объеме активных элементов центров окраски срывалась при частоте следования импульсов 1 Гц. Отличия объясняются вышеупомянутым различием в квантовых выходах люминесценции кристаллов 11Р:Се и УЫ^Се и их разной фотохимической устойчивостью по отношению к излучению накачки.

В четвертой главе приводятся результаты лазерно-спек-троскопических исследований кристаллов ■ кольквирита (ЫСаА1Еб), активированных ионами СеУн\ накачка которых,' в отличие от других церий-активированных материалов, может осуществляться излучением четвертой гармоники, твердотельных лазеров на ионах

Показано, что хотя указанные кристаллы не имеют естественной катионной позиции для трехвалентного редкоземельного иона, концентрация ионов Се^+ в исследуемых образцах достаточна для исследования и практического использования его межконфигурационных переходов. В результате исследования оптических спектров кристаллов ЫСАР:Се было обнаружено, что при активации ионами Сеу+ образуется до трех структурно-неэквивалентных центров, обменивающихся друг с другое энергией возбуждения и отличающихся временем жизни возбужденных 5с1-состояний и спектрами люминесценции.

Предложен новый метод разделения сложных спектров люминесценции, представляющих собой сумму широких перекрывающихся полос, принадлежащих разным типам активаторных центров, у с его помощью определены индивидуальные спектры люминесценции каждого из трех типов цериевых центров в кристалла;-ЫС/Уч Определены параметры полос этих спектров люминесценции и оценены веса каждого активаторного центра в интег-

- и -

альном спектре люминесценции. Показано, что относительная онцентрация разных типов цериевых центров зависит от усло-ий выращивания кристаллов ЫСАР:Се и химической чистоты ис-ользуемой шихты. Измерен интегральный квантовый выход люми-эсценции кристалла Ь1САР:Се при возбуждении на длине волны 56 нм и определена доля энергии возбуждения, осуществляемо-э на длине волны 266 нм, приходящаяся на каждый из актива-эрных центров.

Визуальный контроль и зондирующие эксперименты в диапа-эне длин волн 350-700 нм показали, что кристалл Ь1САР:Се «еет уникальную фотохимическую устойчивость к излучению на-ачки. При проведении зондирующих экспериментов в области люминесценции кристаллов ЫСАР:Се было обнаружено значи-эльное однопроходное дифференциальное усиление пробного изучения. Его величина не зависела от частоты следования им-/льсов накачки и не уменьшалась с увеличением времени эк-юзиции. Спектральная зависимость коэффициента усиления звторяла зависимость сечения вынужденного излучения от дли-1 волны,рассчитанную по данным люминесцентных измерений, а 'о кинетика - кинетику затухания люминесценции. Из зависи->стей измеренного дифференциального коэффициента усиления в ¡ласти длины волны главного пика люминесценции С л=288 нм) ? плотности энергии зондирующего излучения были определены ¡чения вынужденных переходов и параметр насыщения. При, [енках этих параметров учитывалось распределение энергии исачки между активаторными центрами разных типов и их вклад величину коэффициента усиления на заданной длине волны.

Лазерные эксперименты на кристаллах ЫСАР:Се осущес-лялись по квазипродольной схеме. Активные элемента были готовлены из неориентированных кристаллов ЫСАР:Се длиной мм. Концентрация активатора составляла около 0.9 %. Поро-вая плотность энергии накачки на длине волны 266 нм в не-лективном резонаторе с зеркалами, имеющими коэффициент от-

ражения >99% в области 278-296 нм, составила менее 32 мДж/см^. Вынужденное излучение имело длину волны 288 нм и длительность импульса около 3.5 не. Максимальный полученный дифференциальный КПД генерации лазера на LiCAF:Ce - около 10%. В слабоселективном резонаторе, образованном двумя глухими зеркалами и кварцевой 60° призмой, диапазон перестройки лазера на LiCAF:Ce составил 2000 см-1 С281 - 297 нм).

Проведен детальный анализ причин отличия полученных и рассчитанных на основе спектроскопических данных лазерных характеристик. Показано, что отличие обусловлено многоцентровой активацией кристаллов L1CAF ионами ибо генерирующим является только один, имеющий наибольшую концентрацию в объеме активного элемента, тип активаторного центра. Указан путь повышения эффективности лазера на LiCAF:Ce.

В заключении сформулированы основные результаты работы.

Основные результаты диссертационной работы следующие:

1. Проведены спектрально-кинетические исследования кристалла LLP:Се, являющегося структурным аналогом известной УФ-активной среды - кристалла YLF:Ce. Показано значительное сходство спектрально-кинетических характеристик эти* кристаллов. Существенным отличием, является вдвое болыпир квантовый выход люминесценции иона Се'-5"1" в кристалле LLF пс сравнению с кристаллом YLF.

2. Впервые получено вынужденное излучение на 5d-4f переходах иона Сеа+ в кристаллах LLF. Накачка кристапло! LLF:Ce осуществлялась излучением эксимерного KrF-лазера. t неселективном резонаторе генерация получена вблизи двух пиков люминесценции, обусловленных переходами на мультиплеп zF5/г и у-Т?/2 основной конфигурации. Показано, что лазер н< кристалле LLF:Ce обладает более низким значением порогово! энергии накачки и вдвое большим дифференциальным КПД генерации, чем лазер на YLF:Ce.

3. Проведены сравнительные исследования фотохимической устойчивости кристаллов УЫ^Се и Ш7: Се по отношению к высо-соинтенсивному ультрафиолетовому излучения накачки на длине 50лны 248 нм. Показано, что кристалл 11Р:Се обладает значительно более высокой фотохимической устойчивостью, чем кристалл У1Р:Се.

4. Исследованы спектрально-люминесцентные характеристи-си кристалла ЫСАР:Се. Показано, что активация данного кристалла ионами Сеа+ приводит к образованию до трех типов при-лесных центров, обменивающихся друг с другом энергией воз-5уждения и отличающихся временем жизни 5й-состояний и спектрами люминесценции.

5. Предложен и реализован новый метод анализа сложных ;пектров люминесценции, представляющих собой сумму сильно юрекрываюшихся широких полос, принадлежащих разным типам асгиваторных центров, и с его помощью определены индиви-(уальные спектры люминесценции каждого из трех типов церие-(ых центров в кристаллах ЫСАР:Се.

6. При использовании кристалла Ь1САР:Се в качестве активной среды впервые осуществлен твердотельный перестраивавши УФ-лазер с незксимерной накачкой. Достигнут 10% диффе->енциальный КПД преобразования излучения четвертой гармони-■м лазера на в излучение с длиной волны 288 нм С в не-:елективном резонаторе). Диапазон перестройки этого первого [ельнотвердотельного УФ-лазера составил 2000 см-1. Оценен редельный диапазон перестройки лазера на основе кристаллов ,1САЕ:Се.

7. Проведен анализ причин различия достигнутого и пре-ельно возможного КПД генерации лазера на кристаллах ,1САР:Се. Показано, что дальнейшее повышение энергетических арактеристик этого лазера возможно при улучшении оптическо-о качества активных элементов за счет снижения пассивных отерь и потерь инверсной населенности на усиление радиации

шума, а также путем создания условий роста, которые способствовали бы образованию преимущественно одного типа актива-то рных центров.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. ЭПР и оптические свойства ионов в кристаллах KMgF3 / Дубинский М.А., Ибрагимов И.Р., Семашко В.В., Фалин М.Л // Труды КФТИ КНЦ АН СССР (Казань) - 1990. -с.110-113.

2. Efficient LaF3:Nd^-based vacuum-ultraviolet laser at 172 nm / Dublnskii M.A., Cefalas A.C., Sarantopoulou E., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L., Semashko V.V. // J.Opt.Soc.Am.B.- 1991. - v.9. - N6. - pp.1148-1150.

3. On the interconflgurational 4fi;5d-4f^ VUV and UV fluorescence features of in L1YF4 (YLF) single crystals under Fs> laser pumping / Dublnskii M.A., Cefalas A.C., Sarantopoulou E., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L., Naumov A.K., Semashko V.V. // Opt.Comm. - 1992. - v.94. - N1-3. - pp.115-118.

4. On some restrictions in obtaining UV-lasing from high-lying 4f^-levels of Nd^*- in crystals / Dublnskii M., Abdulsabirov R., Korableva S., Naumov A., Semashko V. // OSA Advanced Solid-State Lasers, Santa Fe, New Mexico, USA, Feb.17-19, 1992: Tech.Digest. - Santa Fe, New Mexico, USA, 1992. - TuA5-l/139-TuA5-4/142.

5. On the possibility of ultraviolet lasing on f-f transitions in Nd^ ion. / Dublnskii M.A., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L., Naumov A.K., Semashko V.V. // Laser Physics. - 1992. - v.2. - N3. - pp. 239-240.

6. New solid-state active medium for tunable ultraviolet lasers / Dublnskii M.A., Abdulsabirov R.Yu., Korableva

S.L., Naumov A.K., Semashko V.V. // 18-th Internat. Quant. Electr. Conf., Vienna (Austria), June 14-19, 1992: Dig. of Tech. Papers. - Vienna (Austria). - 1992. - p.548-550, FrL2.

Efficient Tunable VUV LaF3:Ndy-'- Laser / Dublnskil M.A., Abdulsabirov R.Yu., Korableva 5.L., Naumov A.K., Semashko V.V., A.C.Cefalas, E.Sarantopoulou // 18-th Internat. Quant. Electr. Conf., Vienna (Austria), June 14-19, 1992: Dig. of Tech. Papers. - Vienna (Austria). -1992. - p.388-390, ThLl.

New exlmer-pumped solid-state UV-laser / Dublnskil M.A., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L., Naumov A.K., Semashko V.V. // International Conference on Laser Advanced Materials Processing, Nagaoka, Nllgata, Japan, June 7-12, 1992: Adv. Prog. - Nagaoka, Nllgata, Japan, 1992, p.5.

New tunable solid-state UV laser sources for envlromental sensing / Dublnskil M.A., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L., Naumov A.K., Semashko V.V. // 4-th Inter. Conf. on Laser Applications In Life Sciences., Jyvaskyla, Flngland Sept.7-11, 1992: Prog, and Abstr. - Jyvaskyla, Flngland, 1992, pp.194-195. Ce^-doped colqulrlite a new concept of all-solid-state tunable ultraviolet laser / Dublnskil M.A., Semashko V.V., Naumov A.K., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L. // J.Mod.Opt. - 1993. - v.40. - N1.- pp.1-5. Active Msdium for All-SolId-State Tunable UV Laser / Dublnskil M.A., Semashko V.V., Naumov A.K., Abdulsabirov R.Yu., Korableva S.L. // OSA Advanced Solid-State Lasers and Compact Blue-Green Lasers, New Orleans, Louisiana, USA, Feb. 1-4, 1993: Technical Digest - New Orleans, Louisiana, USA, 1993, Vol.2, pp. 159-161. of America, Washington, DC 1993). - v.15. - pp.195-198.

12. Spectroscopy of a new active medium of a solid-state U laser with broadband single-pass gain / Dublnskll M.A. Semashko V.V., Naumov A.K., Abdulsablrov R.Yu. Korableva S.L. // Laser Physics - 1993. - v.3. - N1. pp.216-217.

13. Active Medium for All-SolId-State Tunable UV Laser Dublnskll M.A., Abdulsablrov R.Yu., Korableva S.L. Naumov A.K., Semashko V.V. // OSA Proc. on Advance Solid-State Lasers, New Orleans, Louisiana, US/ Feb.1-4, 1993 / A.Pinto and T.Fan, eds. (Optical Societ

14. Спектрально-кинетические, усилительные и генерационнъ характеристики новой активной среды перестраиваемого ле зера УФ-диапазона спектра / Дубинский М-А., Семаш В.В., Наумов А.К., Абдулсабиров Р.Ю., Кораблева C.J1. / Оптика лазеров '93, С.-Петербург, 21-25 июня 1993: Тез сы докладов. - С.-Петербург, 1993, с. 30.

15. Spectral-Kinetic Characteristics, Amplification ar Laser Performance of New Active Medium for Tunab] UV-Laser / Dublnskll M.A., Semashko V.V., Naumov A.K. Abdulsablrov R.Yu., Korableva S.L. // Internatlon< Conference on Luminescence (ICL'93), Storrs, CT, USj August 1993: Tech. Dig. - Univ. of Connecticut, Stom a, USA, 1993, p.Tu4-98.

16. Spectroscopic studies of multlslte activation LlCAF:Ce single crystals / Semashko V.V., Dubinsk: M.A., Naumov A.K., Abdulsablrov R.Yu., Korableva S.L. -Bulletin of the American Physical Society, Lasi Science. - 1993. - v.38. - N8. - p.1760.

Сдано в набор 3.12.93 г. Подписано в печать 2.12.93 г. Форм.бум. 60 х 84 1/16. Печ.л.1. Тирах 100. Заказ 513.

Лаборатория оперативной полиграфии КГУ 420008 Казань.Ленина, 4/5