Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ'.

ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

1.1. Гетероструктуры на основе твердых растворов полупроводников АШВУ и их применение.

1.1.1. Изопериодичее кие структуры (1пхСа| хАб1 уРу/1пР)

1.1.2. Квантовые структуры с напряженными решетками (¡ПхСа^^/СаАа)

1.2. Влияние условий эпитаксии на амфотерное поведение примеси кремния в СаАй.

1.3. Основные положения теории люминесценции сильно легированных полупроводников (СЛП).

1.3.1. Энергетический спектр электронных состояний

1.3.2. Излучательная рекомбинация в СЛП.

1.3.3. Состояние исследований фотолюминесценции (ФЛ) сильно легированных СаАБ и 1пхСа1 -хА^ -уРу.

1.4. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕХАНИЗМЫ МЕЖЗОННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В

СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОМ ХпСаАэР.

2.1. Методика измерения спектров ФЛ

2.2. Экспериментальные спектры краевой ФА слоев ¡п-^Са! хА51 - уРу в зависимости от температуры и плотности возбуждения.

2.3. Обсуждение механизмов рекомбинации.

2.4. Расчет спектров краевой люминесценции в

1пхСа1 хАб1 уРу и сопоставление с экспериментом.

2.4.1. ВТ—механизм рекомбинации.

2.4.2. ТВ—механизм рекомбинации.

2.5. Выводы к главе

ГЛАВА 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ СаАв, ВЫРАЩЕННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ПАРЦИАЛЬНЫХ ДАВЛЕНИЯХ МЫШЬЯКА.

3.1. Технологические параметры исследованных образцов.

3.2. Экспериментальные спектры ФЛ.

3.3. Расчет спектров краевой ФЛ для ВТ — переходов в п — ОаАв и сравнение с экспериментом.

3.4. Природа примесных полос ФЛ в 81— легированном СаАБ

3.5. Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ ДИАГНОСТИКА

ПСЕВДОМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР МаАБ/СаАз С ОДИНОЧНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ.

4.1. Расчет энергии переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и состава твердого раствора. В

4.2. Расчет ширины спектра экситонной ФЛ

4.2.1. Влияние флуктуаций состава твердого раствора.

4.2.2. Влияние разупорядочения гетерогранид.

4.3. Экспериментальные спектры экситонной ФА из одиночных квантовых ям в структурах InGaAs/GaAs.

4.3.1. Технологические параметры структур и методика эксперимента.

4.3.2. Анализ механизмов уширения экситонной линии

4.4. Температурные исследования ФЛ структур IaxGatxAs/GaAs с квантовыми ямами

4.4.1. Зависимости интенсивности ФЛ от температуры и плотности возбуждения.

4.4.2. Зависимость ширины запрещенной зоны InxGatxAs от температуры и содержания индия

4.5. Выводы к главе 4.

Актуальность и практическая значимость работы. Изучение спектров фотолюминесценции (ФЛ) позволяет получить информацию о многих фундаментальных свойствах материала, в том числе об особенностях энергетического спектра электронных состояний, связанных с неоднородностями легирования и состава твердого раствора. Известно, что флуктуации потенциала краев разрешенных зон, вызванные разупорядочением примесей или состава твердого раствора, могут сильно влиять на оптические и электрические свойства полупроводников. Примесные флуктуации наиболее существенны в сильно легированных полупроводниках (СЛП). Согласно теории люминесценции СЛП, картина межзонной рекомбинации в них значительно сложнее, чем в чистых полупроводниках, за счет участия носителей, локализованных во флуктуационных состояниях. Флуктуации состава, неизбежные в твердых растворах, могут заметно влиять на спектры люминесценции нелегированных слоев, особенно на экситонные спектры. В квантовых структурах флуктуации состава, наряду с флуктуациями ширины ямы ответственны за уширение экситонных линий.

Эшгтаксиальные слои СаАй, 1пхСа} -^-Аб, Ьз^Са^хАБ^уРу в различных вариантах легирования и состава широко используются в современной опто — и наноэлектронике. В данной работе исследовались слои СаАь, легированные кремнием, слои ЫхСа} хАб1 уРу, легированные оловом или цинком, и нелегированные квантовые структуры 1пхСа! хАБ/СаАв с напряженными решетками. Изопериодические структуры на основе твердого раствора 1пхОа! хАб} -уРу с составами на длины волн >1мкм являются основным материалом для создания приборов для волоконно-оптических линий 6 связи. Структуры с квантовыми ямами (КЯ—структуры) 1дхСа1 хАБ/СаА^. последнее время успешно конкурируют с изопериоди — ческими структурами при разработке быстродействующих транзисторов, модуляторов, лазерных диодов и т. д. Интерес к изучению 51— легированного СаА& в последнее время вырос в связи с появившейся идеей использовать зависимость амфотерных свойств кремния от условий выращивания (ориентации поверхности СаАэ, парциальных давлений мышьяка и галлия и др.) для получения слоев с различным типом проводимости и концентрацией свободных носителей в одном технологическом процессе.

Цели настоящей работы. Перечисленные предпосылки послужили основой для постановки следующих задач: исследовать спектры краевой ФА сильно легированных слоев 1пхСа1хАа1уРу (х=0.77, у=0.53} п— и р—типа в зависимости от температуры и плотности возбуждения; провести их анализ на основе теории люминесценции СЛП, учитывающей флуктуации концентрации примесей. исследовать спектры краевой ФА легированных слоев СаАа; изучить влияние условий выращивания (ориентации поверхности и давления мышьяка) на параметры флуктуационных состояний, вызванных неоднородным распределением примеси кремния в СаА&; выяснить влияние амфотерного поведения кремния на формирование спектров краевой и примесной ФЛ в —легированном СаАь. провести исследования спектров ФА псевдоморфных структур с квантовыми ямами (КЯ—структур) 1пхСа! хАа/СаАз; выяснить влияние флуктуаций состава твердого раствора и «островковых» флуктуации ширины ямы на спектры экситонной ФЛ. 7

Научная новизна.

Впервые исследована краевая ФА 1пхСа} хАб1 уРу, легированного оловом или цинком (№Ф1018см~3) с составом на длину волны >1мкм и показано, что флуктуации потенциала, вызванные случайным распределением примесей, существенно влияют на формирование спектров краевой полосы, их температурные зависимости и зависимость от плотности возбуждения.

В результате анализа спектров краевой ФЛ для серии образцов 81—легированного СаА&, выращенных методом МЛЭ при последовательном изменении парциального давления мышьяка, показано, что характерная амплитуда флуктуаций потенциала краев зон для всех образцов примерно вдвое меньше теоретического значения при случайном распределении примеси.

Получены выражения для коэффициентов, входящих в температурную зависимость и зависимость от состава ширины зоны твердого раствора Тп^Са^ ХА&.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Краевая ФЛ сильно легированного 1пхСа1зсА51уРу {х=0,77, у=0,53) при низких температурах Т<у (у—амплитуда флуктуаций потенциала, вызванных неоднородным распределением примеси) определяется рекомбинацией носителей, локализованных во флуктуационных состояниях. С этим связаны особенности ФЛ сильно легированного 1пхСа! -хАб^ уРу: уменьшение энергии максимума и уширение спектров по сравнению с аналогичными параметрами нелегированного ¡ПхСа! -хАБ} -уРу и смещение спектров в сторону более высоких энергий с ростом плотности возбуждения. Наиболее 8 ярко эти особенности проявляются в невырожденном материале р — типа, где преобладает рекомбинация локализованных электронов со свободными дырками (ТВ — механизм).

2. Увеличение парциального давления мышьяка в процессе роста Si—легированных слоев GaAs (NSift¡¡lG19CM~3} приводит к смещению краевой полосы ФА в сторону более высоких энергий вследствие амфотерного поведения кремния: увеличения доли донорных состояний SiGa и уменьшения доли акцепторных состояний SiAs. Характерная амплитуда флуктуаций потенциала краев зон в выращенных молекулярно—лучевой эпитаксией слоях Si— легированного GaAs независимо от ориентации поверхности и давления мышьяка в процессе роста примерно вдвое меньше теоретического значения при случайном распределении примеси.

3. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны ненапряженного твердого раствора Ino.13Gao.87As хорошо аппроксимируется функцией Баршни с коэффициентами Eg(0) = 1.321эВ, а=4.Ы0~4эВ/град, в = 139К. Получены выражения, позволяющие определить коэффициенты Варшни для ínxGatxAs с произвольным содержанием 1п.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из Введения, четырех Глав, Заключения и списка цитируемой литературы. Полный объем диссертации составляет 139 страниц, включая 29 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 77 наименований.

4.5. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

Таким образом, в данной главе приведены результаты исследования ФА псевдоморфной гетероструктуры 1пхСа! хАБ/СаАБ

125 х = 0,1310.01) с тремя одиночными квантовыми ямами. Проведен расчет полуширины экситонной линии для механизмов, связанных с флуктуациями состава твердого раствора и ширины ямы в КЯ структурах 1пхСа| хАБ/СаА& и показано, что доминирующим механизмом уширения линии ФА из квантовых ям с ширинами Ц>50А в этих структурах являются флуктуации состава. Анализ спектров экситонной ФЛ позволяет сделать вывод о высоком качестве квантовых ям с Ц, = 37А и 63А.

С помощью измерений фотолюминесценции КЯ — структуры 1п0дзвао^уЛБ/СаАб получена температурная зависимость ширины запрещенной зоны ненапряженного твердого раствора 1а013Са087А5 и показана возможность аппроксимации этой зависимости функцией Варшни. Это позволило провести расчеты параметров С(Т), а{х) и 0(х) ддя определения ширины запрещенной зоны 1пхСа| хАб произвольного состава в диапазоне температур Т = 0 — 300 К.

126

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Впервые исследованы спектры краевой ФА InxGaj xAs{ уРу (х = 0,77, у = 0,53) р— и п— типов с концентрацией примесей NatNd« 1 ■ 1018см ~ 3 в диапазоне температур 77— 30ÖK и плотностей возбуждения 10 — Ю3 Вт/см2.

Проведен расчет температурных зависимостей энергии максимума и полуширины спектров краевой ФЛ на основе теории люминесценции сильно легированных полупроводников (САП), учитывающей флуктуации потенциала краев зон вследствие неоднородного распределения примеси. Получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных кривых. Показано, что при низких температурах Т<у (у —амплитуда флуктуаций потенциала) краевая ФЛ, в основном, определяется рекомбинацией носителей, локализованных во флуктуационных состояниях. С этим связаны наблюдаемые на эксперименте особенности ФЛ сильно легированного In-^Gai xAs1 уРу: уменьшение энергии максимума и уширение спектров по сравнению с аналогичными параметрами нелегированного InxGa{ xAS|yPy и смещение максимума спектра в сторону более высоких энергий с ростом плотности возбуждения. Наиболее ярко эти особенности проявляются в невырожденном материале р—типа; в вырожденном материале п—типа уменьшение энергии максимума спектра, связанное с локализацией дырок, почти полностью компенсируется смещением уровня Ферми вглубь зоны проводимости.

Проведены исследования спектров ФЛ легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентациями (100), (111)А и (111)В при различных соотношениях

9Z

127 парциальных давлений мышьяка и галлия g = PAs/Pca (д = 14—77) и постоянной концентрации кремния (Nsí«1.2-í018cm-3). С ростом давления мышьяка наблюдалось смещение краевой полосы ФА в сторону более высоких энергий, которой объясняется амфотерным поведением кремния: увеличением доли донорных состояний SiGa и уменьшением доли акцепторных состояний SiAs.

Проведен анализ спектров краевой полосы ФЛ слоев Si — легированного п —GaAs в рамках теории люминесценции САП для ВТ —механизма рекомбинации. Показано, что характерная амплитуда флуктуации потенциала краев зон для всех образцов независимо от ориентации поверхности и давления мышьяка в процессе роста примерно вдвое меньше теоретического значения при случайном распределении примеси.

Проведен расчет энергии максимума краевой полосы в зависимости от концентрации свободных носителей, что позволило оценить концентрацию электронов и степень компенсации в образцах Si—легированного n—GaAs, выращенных при различных давлениях мышьяка.

Анализ поведения примесных полос в спектрах ФА Si — легированного GaAs в зависимости от давления мышьяка позволил сделать вывод о наличии в запрещенной зоне трех акцепторных (1а«30 мэВ, «70 мэВ; »100 мэВ) и одного донорного (Id«50 мэВ) уровней, которые приписываются соответственно состояниям SiAs, <VGa+GaAs), (VAs + SiAs) и (VGa + SiGa).

Исследованы спектры ФА КЯ— структур InxGa} xAs/GaAs (x=0,13±0,0i) в диапазоне температур (5 — 300К) и плотностей возбуждения (10 —103}Вт/см2. Проведен расчет энергии максимума и ширины экситонной линии ФА из КЯ—структур InxGa!xAs/GaAs с

128 напряженными решетками в зависимости от ширины ям и содержания 1п в твердом растворе. Расчет ширины экситонной линии проводился для механизмов уширения, связанных с флуктуациями состава твердого раствора и «островков ыми» флуктуациями ширины ямы. Полученные кривые использованы для контроля параметров квантовых ям, резкости гетерограниц и однородности состава твердого раствора в исследуемых структурах 1пхСа1 хАя/СаАа.

Получена температурная зависимость ширины запрещенной зоны ненапряженного твердого раствора In0.j3Gao.87As и показана возможность ее аппроксимации функцией Варшни с коэффициентами Ед(0) = 1.321 зВ, а=4.М0-4эВ/град, 6 = 139К. Получены выражения, позволяющие определить коэффициенты Варшни для 1пхСаг -хАб с произвольным содержанием 1п,

Расчитан коэффициент прогиба С(Т), позволяющий получить зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора 1пхСа|„ хАб от содержания 1п в диапазоне температур Т=0—300К. Ранее в литературе этот коффициент приводился только ддя трех температур (2К, 77К, 300К).

Определены энергии связи экситонов, которые составляют 8.4мэВ и 7.6мэВ для ям с ширинами 40А и 60А соответственно.

Автор глубоко благодарен своему научному руководителю в.н.с. Н.Г. Яременко за выбор направления исследований и неоценимую помощь в работе.

Автор искренне благодарен сотрудникам тем. группы 275 с.н.с. В.А. Страхову и инженеру Т.Н. Сизовой за постоянную помощь и поддержку в работе.

Автор выражает особенную благодарность за плодотворное сотрудничество члену — корреспонденту РАН В.Г. Мокерову и сотрудникам руководимого им отдела технологии микроэлектроники, в котором выращены исследованные в работе структуры.

129

1. A.M. Долгинов, П.Г. Елисеев, М.Г. Мильв идский. «Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах» (обзор). Квантовая электроника, 1976, т.З, №7, с. 1381 —1393.

2. Д. Ботез, Дж.Дж. Херсковиц. «Компоненты оптических систем связи». ТИИЭР, 1980, т.80, №6, с.57-107.

3. Ж.И. Алферов. «Полупроводниковые гетероструктуры» (обзор). ФТП, 1977, т,11, в, 11, с.2072 — 2083.

4. R.L. Moon, G.A Antypas, L.W. Jamts. "Bandgap and lannict constant of InGaAsP as a function of allow composition". J.Electron.Mater., 1974, v.3, N3, p.635 — 643.

5. А.П. Богатов, A.M. Долгинов, A.B. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.Н. Свердлов, Е.Г. Шевченко. «Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIntxAsyP|y и AlxGa| xSbyAsj у ». Квантовая электроника, 1974, т.1, №10, с.2294 2295.

6. C.J. Nuese, J.H. Olsen, M. Ettenberg, J.J. Gannon, I.J. Zamerowski. "Cw room temperature InxGaj xAs/InyGai yP 1.06 jum lasers". Appl.Phys.Lett., 1976, v.^9, N12, p.807 -809.

7. K. Oe, S. Ando, K. Suqiyama,"Surface emitting LEDs for the 1.2 — 1.3 fxm wavelength with GalnAsP/InP double heterostructures". Japan.J.Appl.Phys., 1977, v.16, N9, p.1693-1694.

8. T. Yamammoto, K. Sakai, S. Akiba. "10000—h continuous operation of Int xGaxASyP! y/InP DH lasers at room temperature". IEEE J.Quant.Electr., 1979, v.QE-15, N8, p.684 687.130

9. Ю.В. Гуляев, В.Ф. Дворянкин, Л.Г. Кяргинская, В.А. Страхов, A.A. Телегин, Л.Ф. Фишер, И.И. Чусов, Н.Г. Яременко. «Получение методом жидко фазной эпитаксии ДГС на основе InxGaj -.^ASyPj у

10. Я = 1.5мкм) и исследование их люминесцентных и фотоэлектрических свойств». ЖТФ, 1982, т.52, в.б, с. 1244 —1246.

11. И. М.В. Карачевцева, В.А Страхов, A.A. Телегин,. Л.Ф. Фишер, Н.Г. Яременко. «Исследование спектров фотоэдс двойных гетероструктур InGaAsP/InP». Тезисы доклада на III Всесоюзной конф. по физическим процессам в п/п гетероструктурах, Одесса, 1982.

12. В.И. Петров, В.А Прохоров, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Исследование инфракрасной катодолюминесценции в полупроводниковых соединениях типа А3В5 и твердых растворах на их основе». Изв.АН СССР, сер. физическая, 1984, т,48, №9, с. 1739 —1743.

13. В.А Страхов, Н.Г. Яременко, A.A. Телегин, В.А. Огаджанян, Карачевцева М.В., Михалева Л.Ф., Петров В.И., Прохоров В.А131

14. Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпихаксиальных слоев на люминесцентные свойства гетеро — структур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны Х = 1,5мкм». ФТП, 1985, т.19, в.4, с.601 -607.

15. В.И. Петров, В.Ф. Дворянкин, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, А А. Телегин, A.B. Шабалин, Н.Г. Яременко. «Катодолюмине— сцентные исследования гетероструктур InGaAsP/InP». Изв. АН СССР, сер. физическая, 1987, т.51, №3, с.447-451.

16. Ю.В. Гуляев, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, И.И. Чусов, Н.Г. Яременко. «Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InP/InGaAsP.» Тезисы доклада на III Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниках, г.Минск, 1985.

17. М.В. Карачевцева, В.А Страхов, Н.Г. Яременко. «Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP». ФТП, 1988,1.22, в.11, с. 1936 —1942.

18. М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Туннельно — рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP». ФТП, 1994, т.28, в.6, с. 1027-1031.132

19. Ю.В. Гуляев, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Торцевые InGaAsP/InP светодиоды на длину волны = 1,5мкм». ЖТФ, 1989, т.59, в.б, с.76-81.

20. М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко «Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGa! xAsj уРу

21. Я = 1,2мкм)». ФТП, 1999, т.ЗЗ, в.8, с.907 912.

22. Г.Б. Галиев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Фотолюминесцешные исследования амфотерного поведения кремния в арсениде галлия». Доклады АН, 1999, т.367, в.5, с.613-616.

23. D.C. Bertolet, J.— К. Hsu, S.H. Jones, K.M. Lau. "Pseudomorphic GaAs/InGaAs single quantum wells by atmospheric pressure organo — metallic chemical vaper deposition". Appl.Phys.Lett., 1988, v.52, p.293-295,

24. D.F. Welch, G.W. Wicks, L.F. Eastman. "Luminescence line shape broadering mechanisms in GalnAs/AlInAs quantum wells". Appl.Phys.Lett., 1985, v.46, p.991 -993.

25. K.F. Huang, K. Tai, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. "Optical studies of InxGatxAs/GaAs strained—layer quantum well". Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, p.2026 2028.

26. G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. "Optical investigation of highly strained InGaAs—GaAs multiple quantum wells". J.Appl.Phys., 1987, v.62, p.3366-3373.

27. Y.T. Leu, F.A. Thiel, H. Scheiber, B.I. Miller, J. Bachmann. J.Electron.Mater., 1979, v.8, p.663 —666.

28. D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. «Strain effects and offsets in GaAs/InGaAs strained layered quantum structures». J.Appl.Phys., 1989, v.66, N4, p.1739-1747.

29. RE. Nahory, M.A. Pollack, Jr.W.D. Johnston, R.L. Barns. «Band—gap versus composition and demonstration of Vegard's low for In^-xGaxAsyPj y lattice matched to InP». Appl.Phys.Lett., 1978, v.33, p.659 —661.

30. J. Singh, K.K. Bajaj. "Theory of luminescence line shape due to mterfacial quality in quantum well structures". Appl.Phys.Lett., 1984, v.44, N8, p.805-807.

31. J. Singh, K.K. Bajaj. "Theory of excitonic photoluminescence linewidth in semiconductor alloys". Appl.Phys.Lett., 1984, v.44, N11, p. 1075-1077.

32. J. Singh, K.K. Bajaj. "Role of interface roughness and alloy disorder in photoluminescence in quantum—well structures". J.Appl.Phys., 1985, v.57, N12, p.5433 5437.

33. I.M. Lifshitz, «The energy spectrum of disordered systems». Adv.Physics, 1965, v. 13, N52, p.483 536.

34. P.B. Kirby, J.A. Constable, R.S. Smith. "Photoluminescence study of undoped and modulation—doped pseudomorphic AlyGaiyAs/ inxGatxAs/AlyGat yAs single quantum wells". Phys.Rev.B, 1989, v.40, N5, p.3013—3020.134

35. D.C. Bertolet, J. — K. Hsu, K.M. Lau. J'Exciton photoluminescence linewidth in very narrow AIGaAs/GaAs and GaAs/InGaAs quantum wells". J.Appl.Phys., 1988, v.64, p.6562 6564.

36. W.T. Tsang, E.F. Schubert. «Extremely high quality Gao.47Ino.57As/InP quantum wells grown by chemical beam epitaxy». Appl.Phys.Lett., 1986, v.49, N4, p.220-222.

37. H. Kawai, K. Kaneko. «Photoluminescence of AIGaAs/GaAs quantum weDs grown by metalorganic chemical vapour deposition». J.Appl.Phys., 1984, v.56t p.463-467.

38. Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S . Nishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. "Characteristics of heavily Si—doped GaAs grown on(lll)A oriented substrate by molecular beam epitaxy as compared with (100) growth". JapJ.AppI.Phys., 1989, v.28, N2, p.L151 LI54.

39. W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. "Crystal orientation dependence of silicon doping in molecular beam epitaxial AIGaAs/GaAs heterostructures". Appl.Phys.Lett., 1985, v.47, N8, p.826 — 828.

40. D.L. Miller, P.M. Asbeck. "Plane-selective doped AIGaAs/GaAs double heterostructure light emitting diodes". J. Crystal Growth, 1987, v.81, p.368 —372.

41. Y. Okano, M. Shigeta, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto. "Incorporation behavior of Si atoms in the molecular beam epitaxial growth of GaAs on misoriented (lll)A substrates". Jap J.Appl.Phys., 1990, v.29f N8, p.L1357-L1359.135

42. M. Shigeta, Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, K. Kobayashi. "Si doping and MBE growth of GaAs on tilted (111)A substrates". J.Crystal Growth, 1991, v.Ill, p.284-287.

43. F. Piazza, L. Pavesi, М. Henini, D. Johnston. "Effect of As overpressure on Si—doped (111)A GaAs grown by molecular beam epitaxy: a photoluminescence study". Semicond.Sci.Technol., 1992, v.7, p. 1504-1507.

44. G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. "Band —gap narrowing in highly doped n— and p—type GaAs studied by photoluminescence spectroscopy". J.Appl.Phys., 1989, v.66, N9, p.4381-4386.

45. АП. Леванюк, B.B. Осипов. «Краевая люминесценция прямозонных полупроводников» (обзор). УФН, 1981, т.133, в.З, с.427 — 477.

46. В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. «Межпримесная излучат ель пая рекомбинация в сильно легированных полупроводниках». ФТП, 1977, т.11, в.7, с. 1277-1288.

47. В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. «Длинноволновое рекомбинационное излучение в сильно легированных компенсированных полупроводниках». ФТП, 1979, т. 13, в.З, с.542-552.136

48. B.B. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. «Спектр рекомбинационного излучения неупорядоченных полупроводников». ЖЭТФ, 1978, т.75, в.3(9), с. 1044-1055.

49. Б.И. Шкловский, A.A. Эфрос. «Электронные свойства легированных полупроводников». М., Наука, 1979.

50. В.Л. Королев, В.Г. Сидоров. «Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия». ФТП, 1988, т.22, в.8, с. 1359-1364.

51. В.А. Вилькоцкий, Д.С. Доманевский, C.B. Жоховец, М.В. Прокопеня. «Энергетический спектр электронных состояний в сильно легированных кристаллах арсенида галлия». ФТП, 1984, Т.12, С.2193 —2198.

52. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, В.А. Агаев, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. «Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (X = 1,3 мкм) при низком и высоком уровне фото возбуждения». ФТП, 1983, Т.17, В.9, с. 1652 —1655.

53. Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. «Расчеты времен оже—процессов в твердых растворах р—InGaAsP». ЖТФ, 1983, Т.53, В.2, C.315—319.

54. Т.О. Kane. "Thomas—Fermi approach to impure semiconductor band structure". Phys.Rev., 1963, v.131, p.79-88.

55. G.A. Baraff, M. Schlüter. "Binding and formation energies of native defect pairs in GaAs". Phys.Rev.B, 1986, v.33, N10, p. 7346 7348.

56. M. Bugajski, K.H. Ко, H.C. Gatos. "Photoluminescence investigation of the 1.356eV band and stoichiometry in undopped GaAs". J.Appl.Phys., 1989, v.65, N2, p.596-599.137

57. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. "Influence of the As overpressure during the molecular beam epitaxy grown of Si—doped (211) A and (311)AGaAs". Apll.Phys.Lett., 1995, v.66, N21, p.2846-2848.

58. K.C. Shin, M,H. Rwark, M.H. Choi, M.H. Oh, Y,B. Так. "Photoluminescence investigation of the 1.356 eV band and stoichiometry in undoped GaAs". J.Appl.Phys., 1989, v.65t N2, p.736 741.

59. В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, A.B. Гук, Г.Б. Галиев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs(lOO), выращенных методом молекулярно—лучевой эшгтаксии». ФТП, 1998, т.32, в.9, с.1060 -1063.

60. R.L.S. Devine, W.T. Moore. "Photoluminescence of InGaAs/GaAs pseudomorphic single quantum wells: effect of exitation intensity". SoLSt.Commun.f 1988, v.65f p.177 -179.

61. L. Goldstein, Y. Horikoshi, S. Tarucha, H. Okamoto. «Effect of well size fluctuation on photoluminescence spectrum of AlAs—GaAs superlattice». Japan.J.Appl.Phys., 1983, v.22, N10, p.1489-1492.

62. B. Deveaud, J.Y. Emery, A. Chomette, B. Lambert, M. Baudet. «Observation of one—monolayer size fluctuations in a GaAs/GaAlAs superlattice». Appl.Phys.Lett, 1984, v.45, N10, p. 1078-1080.

63. R.L.S. Devine, W.T. Moore. "Effect of interface structure on photoluminescence of InGaAs/GaAs pseudomorfic single quantum wells". J.Appl.Phys., 1987, v.62, N9, p.3999 4001.138

64. A.F.S. Penna, Jagdeep Shah, T.Y. Chang. "Spatial variation of band gap energy in Ino^Ga^As". Sol.St.Comm., 1984, v.51, N6, p.425-428.

65. P.B. Kirby, J.A, Constable, R.S. Smith. "Donor bound—exciton structure observed by photoluminescence in very thin GaAs/In01jGao.egAs/GaAs single quantum wells". J.Appl.Phys., 1991, v.69, N1, p.517-518.

66. P.B. Kirby, M.B. Simpson, J.D. Wilcox, R.S. Smith, T.M. Kerr, B.A. Miller, C.E.C. Wood. «Photoluminescence study on undoped single quantum well pseudomorphic structures». Appl.Phys.Lett., 1988, v.53( N22, p.2158-2160.

67. R.LS. Devine. "Photoluminescence characterisation of InGaAs/GaAs quantum well structures». Semicond.Sci.Technol., 1988, v.3, p.1171 — 1176.

68. A. Chiari, M. Colocci, F. Fermi, Y. Li, R. Querzoli, A Vinattieri, W. Zhuang. «Temperature dependence of the photoluminescence in GaAs —GaAlAs multiple quantum well structures». Phys.Stat.Sol., 1988, v,147, p.421 -429.

69. И.А. Авруцкий, B.A. Сычугов, Б А Усиевич. «Расчет параметров зкситона в напряженных КЯ структурах на основе InxGa, xAs/

70. GaAs». ФТП, 1991, т.25, вЛО, с.1787-1791.

71. X. Кейси, М. Паниш. «Лазеры на гетероструктурах». М., Мир, т.2, 1981.

72. A.C. Игнатьев, M.B. Карачевцева, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур lnxGaj xAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами». ФТП, 1994, т.28, в.1, с. 125— 132.

73. М.В. Карачевцева, А.С. Игнатьев, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. «Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGai xAs/GaAs с квантовыми ямами». ФТП, 1994, т.28, в.7, с.1211 -1218.