Структурные неоднородности и магнитная анизотропия косоосажденных тонких пленок тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

>гз од

^ '' ПНР) РОССИЙСКАЯ- АКАДЕМИЯ НАУК

ДАЛЬНЕВОСТОЧНОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ АВТОМАТИКИ И ПРОЦЕССОВ УПРАВЛЕНИЯ

СТРУКТУРНЫЕ НЕОДНОРОДНОСТИ И МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ КОСООСАЖЦЕНННХ ТОНКИХ ШШНОК

01.04.07, - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ на соискание ученой степени, кандидата физико-математических наук

На правах рукописи

СлаОтенникова Ирина Михайловна

Владивосток

- 1993

Работа выполнена б Научно-исследовательском физико-техническом институте при Дальневосточном госуниверситете.

Нзучше руководители - доктор физико-математических наук, профессор ЧЕБОТКЕВИЧ Л.А.

- кандидат физико-математических наук ВОРОБЬЕВ Ю.Д..

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

профессор ЕЕЛОКОНЬ В.И.

- кандидат физико-математических наук КАШИНА Л.Г.

Ведущая организация - Дальневосточный технологический институт.

Защита состоится " " с^/г^с^^А 994 года в У/ часов на заседании Опециализировакнбго совета К 003.30.02. в Институте автоматики и процессов управления ДВО РАН (690032, Владивосток, ул. Радио б).

О диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НАЛУ. Автореферат разослан 1" 199^года.

Ученый секретарь Специализированного совета кандидат физико-математических на:

О Ю.Л. Гаврилюк

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш. В последние годы промышленность предъявляет бсй более жесткие требования к магнитным материалам не только в смысле их магнитных свойств, но и всей совокупности 'физических свойств (электрических, тепловых, механических). Разнообразие этих требований диктует необходимость проведения комплексных исследований различных физических процессов в тонких ферромагнитных пленках, технологических условий их получения и изучения влияния кристаллической структуры на формирование магнитных свойств.

Исследования, связанные с получением материалов, обладающих оптимальными характеристиками ведутся по двум направлениям: получение материалов для продольной и вертикальной записи, отличащихся различными требованиями к направлению оси наведэшой магнитной анизотропии. Реализация более высокой плотности вертикальной записи возмоцсна только после решения технологических проблем, связанных с производством чрезвычайно ровного и однородного рабочего слоя с перпендикулярной анизотропией. В настоящее время эти проблемы на промышленном уровне еще'не решены. Значительно ближе к широкой практической реализации тонкоилэночные магнитные диски с продольной записью. Осуществление процессов записй и воспроизводства во многом определяется параметрами как магнитного диска, так я магнитной универсальной головки записи-воспроизведения. При выборе материала тонкой пленки'для нанесения на диск следует учитывать ряд факторов: получение пленки с высоким значением козрпитив-

вной силы (Н ), большой намагниченностью; постоянство этих пароме-л

тров для всей поверхности носителя и взаимное соответствие свойств материалов магнитного диска и магнитной головки. Тогда как основными магнитными параметрами магнитной голсеки являются низкая коз-

рцитивяая сила, прямоугольность петли гистерезиса (или высокая магнитная анизотропия (К,,)), большая намагниченность насыщения (I )

и. В

и близкая к нулю констаята магнитострикции (А3).

В качестве материалов для магнитных головок перспективны тонкие аморфные пленки на основе ЗЛ-металлов, которые имеют превосходные магнито-мягкие характеристики, высокие значения удельного электрического сопротивления и, как правило, хорошие антикоррозионные свойства. Эти особенности в сочетании с возможностью заранее задавать их магнитные свойства (1д, К^) обеспечивают значительное преимущество аморфных материалов по сравнению с кристаллическими аналогами.

Сложность применения- тонких магнитных пленок связана о сильной зависимостью магнитных свойств от технологических условий препарирования. Это создает трудности в получении воспроизводимых свойств, но с другой стороны позволяет целенаправленно изменять магнитные параметру как в процессе создания тонких магнитных пленок (ТМП), так и в процессе старения и отжига.

В настоящее время в литературе уже имеются работы по изучению структуры тонких магнитных пленок и их физических свойств.< Однако к моменту написания диссертации в литературе недостаточно была отражена щюблема о направленном изменении магнитной анизотропии в тонких аморфных пленках, что связано со сложностью интерпретации данных по наведенной.магнитной анизотропии и разделению вкладов от различных источников. В этом смысле более перспективным является подход на основе комплекса методов исследований состава и структуры ТМП и сопоставления этих данных с магнитными свойствами.

Таким образом, возникла необходимость постановки исследований, направленных на выявление различных источников наведенной магнитной анизотропии в тонких аморфных магнитных пленках.

Целью диссертационной работы являлось исследование качественной и количественной связи кристаллической структуры ТМП с наведенной магнитной анизотропией и получение конкретной информации о возможности управляемого изменения наведенной магнитной анизотропии.

Для достижения поставленной цели необходимо било решить следующие задачи:

1) провести сравнительное исследование структурных нэоднород-ностей поликристаллических и аморфных ТМП. Установить взаимосвязь структурных неоднороднсстей с технологическими условиями получения тонких магнитных пленок;

2) установить роль типа и распределения структурных кеоднород-ностей на величину наведенной магнитной анизотропии. Провести разделение компонент магйитной анизотропии и их теоретические оценки;

3) исследовать процессы структурной релаксации и ее влияние на магнитные параметры при естественном и искусственном старения (те-рмомагни-рный отжиг - в полэ Н я легкой оси (Л.О.) ийх Л.О.) иле-, нок;

4) изучить возможности влияния на величину магнитной анизотропии контролируемого изменения типа и распределения структурных не-однородиостей.

Научная новизна работы.

.1. Экспериментально выявлены микроструктурные неоднородности -кластеры в аморфных пленках Со-Т1, их симметрия и распределение по пленке и цепочки из кластеров.

2. Экспериментально установлены оптимальные технологические условия, при которых наиболее вероятно образование кластеров триго-нальной симметрии.

3. Установлена взаимосвязь плоскостной наведенной магнитной анизотропии с микроструктурой аморфных плс-нок: типом и расгтределе-

наем кластеров, формой и распределением областей пониженной плотности и михропор.

4. Экспериментально показано, что отношение поля анизотропии 0^) к коэрцитивной силе (Нс) е аморфных пленках превышает

отношение HK/HQ в поликриеталличэских более чем на порядок.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В аморфных пленках также как и в поликристаллических структура и структурные неоднородности существенным образом зависят от технологических параметров: угла осаждения молекулярного потока, парциального давления рабочего газа, напряжения смещения, толщины пленок и скорости осаждения,

2. Вероятность образования низкосимметричных тригональных кластеров в аморфных пленках Со-Т1. полученных магнетронным распылением максимальна при давлении рабочего газа Р^ = 5,5*10"4 торр.

3. Как в аморфных так и в поликристаллических пленках одним ие источников наведенной магнитной .анизотропии являются структурные дефекты/Тип, форма, плотность и распределение структурных дефектов оказывают существенное влияние на величину поля анизотропии .Н, В аморфны*'пленках максимальный вклад в поле обусловлен низкосимметричными кластерами и-областями пониженной плотности, В поли кристаллических - формой и распределением микропор и анизотропие поверхностных неоднородиостей.

4. В тонких аморфных пленках тип и распределение кластеров ела бо влияют на величину коэрцитивной сила HQ.

Практическая ценность состоит в возможности прогнозирования вь

сокоанизотропных стабильных аморфных пленок.

Информация о типе, форме и распределении структурных неодноро; костей в аморфных пленках, их взаимосвязь с технологическими услс виями и влияние на магнитные свойства (1^, Н0) представляет инт<

рее для получения структур с. заданными свойствами.

Используя дашше об источниках наведенной магнитной анизотропии, представляется возможность изготовления аморфных структур с аномально большой анизотропией.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Всесоюзных школах-семинарах ."Новые магнитные материалы для микроэлектроники" (Саранск, 1984 г.» Астрахань, 1992 г.), Всесоюзных конференциях по физике магнитных явлений (Калинин, 1988 I1., Ташкент, (991 г.), Г/ Всесоюзной конференции "Проблему исследования структуры аморфных материалов" (Ижевск, 1992 г.), Есэсошшх кэавузовс-ких научно-технических конференциях (Владивосток, 1991, 1992'гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 17 работ, перечисленных в конце автореферата.

Структура к объги дясссртацки. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глаз", ныводоз, четырех приложений и содержат 140 страниц, включая 67 рисунков,' 10 таблиц и список литературы из 139 наименований.

КРАТКОЕ, СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во взодешга показана актуальность темы исследования, сформулирована соаая цель работы.

Первая глвзз содержит обзор литератур». В ней изложены совре-мзниые представления о структуре аморфны* материалов. Показано, ато реальная структура аморфного вещества значительно славшее структурных идеальных моделей и характеризуется иерархией структурных неодкородностей. Дан обзор работ по исследованию влияния технологических условий на формирование структурных нарднородэстей тонких магнитных пленок. Показано, что наличие структурных неодно-

родностей и анизотропия их формы и распределения влечет за собой анизотропию свойств, в частности, магнитных.

Приведен оОзор работ по природе наведенной магнитной анизотропии в тонких пленках. Отмечено, что магнитная анизотропия возникает под влиянием целого ряда причин, которые могут действовать как в отдельности, тан и одновременно. Рассмотрены методы разделения различных вкладов в наведенную магнитную анизотропию.

Вторая глваа посвящена методике экспериментальных исследова-

ний. Косоосааденные поликристаллические тонкие пленки CoHIFe'получали конденсацией в вакуумо 10~б торр электронно-лучевым методом. Угол осаждения изменялся от 0° до 50°, при этом толщина пленок выдерживалась постоянной. Для получения пленок Co-Ti использовался магнетронный метод распыления на постоянном токе. Давление остаточного rasa составляло 10~5 торр, давление рабочего газа аргона'во время осаждения варьировалось от' 2"1Cf4 до 10~3 торр..Скорость напыления составляла ~0,4 нм/с. Так как при магнетронном методе распыление вдет со всей поверхности мишени и максимальное распыление осуществляется в области плазменного шнура, то аморфные косоосаж-деаные пленки характеризуются условным углом осаждения, который выбирался между нормалью к подложке и прямой, проведенной от подложки к центру мишени. В качестве распыляемого материала использовалась мозаичная мишень Co-Ti.

Контроль химического состава пленок проводился на лазерном масс-спектрометре ЭМАЛ-2, а также для отдельных образцов на электронном микроскопе Hitachi Н-500 о ускоряющим напряжением 100 кВ, оборудованным рентгеновским энергодисперсионным анализатором Kevex -7000 с Si (Ы) детектором.

Исследование таких структурных характеристик тонких пленок как толщина, плотность и шероховатости поверхности осуществлялось ме-

тодом рентгеновской интерференции. Кроме того, для определения гае-рохозатоствй поверхности использовался метод реплик.

В третьей главе приведены экспериментальные результаты исследования структуры и магнитных параметров косоосаяиеншгх поликристаллических пленок Н1бзСо25Ре12. _

Измерения магнитных параметров показали, что для пленок ющииой и г. о0 нм поле анизотропии и коэрцитивная сила увеличиваются на порядок с ростом угла осаждения а. Для образцов толщиной Б >100 им в изучаемом интервале углов напыления коэрцитивная сила меняется незначительно, в то время как пола анизотропии увеличивается примерно в семь раз. Это приводит к тому, что в толстых пленках при увеличении угла падения молекулярного пучка отношение Н^Н возрастает и при углах а я Б0° равно 10.

Электронно-микроскопические исследования реплик с поверхности косссеажяенннх пленок показали,, что в образцах с толщиной 50 нм при углах нэгиления бодзэ 20° появляется анизотропии а распределю -нки шероховзтостей, причем высота неоднорэднсотей <Ю и их плотность (п) увеличиваются с ростом угла падения молекулярного пучка а. Кроме того, с увеличением' угла напыления а шероховатости приобретают анизотропную форму. Для пленок толщиной 100 нм морфология поверхности с увеличение угла а изменяется несущественно. Угол напыления практически не влияет на размер и распределение поверхностных неоднородностей..

В косоосвжденных пленках НЮоРе в результате эффекта самозат?-нзния происходят формирование рыхлой пленки с анизотропными порами, причем эффект сзмозатенения усиливается с ростом угла падения молекулярного пучка. Электронно-микроскопические снимки обрабатывались с помощью спектрального анализа и по полученным Фурье-спектрам определялась вытянутость пор и дисперсия их распределения.

■м.

Исследования показали, что с увеличением угла напыления вытяну-тоеть пор увеличивается: этот эффект для планок толщиной 40 нм выражен более ярко, чем для образцов с толщиной 100 нм. Как показал расчет кривых рентгеновской интерференции с увеличение угла осаждения уменьшается плотность пленок (табл.1), и соответственно возрастает их пористость.

Таблица 1.

Параметры косоосазвденных пленок ШСоУе, определенные с помощью метода рентгеновской интерференция.

а. град. Б, нм Ь, нм р, 10 3 ДГ/М3 !

0 27 5,6 7.05 - !

30 27 12

50 27 13 , |

0 90 :6

30 90 7 в, 45

л 50- 90 - 8,6 8,(7

Б - толщина пленок; Ь - высота аэроховатостей; р - плотность пленок.

Вытянутая форма пор и анизотрсция их распределения оказывают существенное влияние на величину наведенной магнитной анизотропии. Кроме роуо, в пленках с ярко выраженной морфологией поверхности необходимо учитывать вклад в магнитную анизотропию за счет поверхностных роднородностей. Поэтому константу магнитной анизотропии Кц можно представить в виде суперпозиции компонент, обусловленных магнитосгчдасой поверхностных неодаородностей, анизотропией формы и распределения пор. Компонента анизотропии связанная с магпитоуп-ругими напряжениями отсутствует, так как контанта магнитострикции для пленок этргр состава'равна нуда. Теоретические оценки магнит-

ной анизотропии, получешше о учетом дисперсии структурных и ново-рхностных неоднородностей хорошо согласуются с экспериментальными данными.

Исследование магнитной анизотропии при тзркомагкитнш оттагв показало, что отжиг приводит к уменьшению величины наведенной магнитной анизотропии, причем этот эффект зависит от толщины пленок. Для образцов толщиной 50 нм уменьшение константы магнитной анизотропии выражено сильнее. Такое изменение Кп можно объяснить, во-пв-вых, сглаживанием рельефа поверхности, что подтверждается электронно-микроскопическими снимками реплик с поверхности отожженных пленок. Так как рельеф поверхности тонких пленок до отжига более ■ выражен, чем для пленок толщиной г 100 нм, то и уменьшение магнитной анизотропии в них значительней. Во-вторых, при термомогнитном отжиге существенно изменяется кристаллическая структура и происходит перераспределение объемных дефектов: • изменяется их объем и плотность. Электронно-микроскопические исследования структуры по-

V

называют, что при отжиге косоосажденных пленок изменяется характер пористости и увеличивается размер кристаллитов. При росте, зерна увеличивается размер отдельных пор, но при этом относительный объем пористости уменьшается, а объем ферромагнитной части пленки увеличивается, что подтверждается ростом эффективной намагниченности. Все это приводит к перераспределению компонент наведенной магнитной анизотропии.

¡В четвертой главе представлены ( результаты исследования структуры и магнитных параметров аморфных-пленок Со-Т1.

Исследование концентрационной зависимости магнитных параметров показало, что при увеличении процентного содержания И намагниченность пленок линейно уменьшается и при содержании Т1 г 25 ат.У пленки становятся слзбоферромагнитными. При концентрации титана от

и до 22 8г. % наблюдается минимум коэрцнтшзной силы. Электронно-микроскопические исследования показали, что в этом концентрационном интервала пленки имеют оморфиуи структуру. Исследовашю константы наведенной магнитной анизотропии показали, что аморфные пленки с содержанием Т1 14 ат.% имеют максимальную воли'гину наведенной магнитной анизотропии.'Поэтому для дальнейших исследований были выораны образцы состава Соа6Т114.

Структура аморфных пленок исследовалась с помощью высокоразрешающей микроскопии. На электронно-микроскопических снимках нор-мальноосавдэнных пленок выявлены структурные неоднородности двух типов: образования размером 1,2 + 1,5 нм или кластеры и цепочки кз трех-четырзх таких кластеров. Для косоосахдекных пленок кроме указанных неоднородностей характерны' области резко отличающиеся по контрасту ~ области пониженной плотности размером порядка ¡2 нм. Электронно-микроскопические снимки обрабатывались с погаадд спектрального, анализа. Полученные Фурьз-спектры позволили определить периода структурных- неоднородностей, коэффициент иг. анизотропии и дисперсию распределения. Рассчитанные значения константы поведенной магнитной анизотропии хорошо согласуются с окспернжнтзлышмк данными (табл.2.)

Кроме угла осазкдеюм значительнее влияние на величину баЕэден-ной магнитной анизотропии оказываэт парциальное давление ьргона. Для пленок, подученных при давлении аргона В,5'10~4 торр (и = 700 В) значение константы магнитной анизотропии для Еормельнсосавдэн-ных пленок составило З'Ю3 Да;/м3, что в пять-ыесть раз превосходит величину константы магнитной анизотропии для пленок, распыленных при давлении аргона 2" 10"""* торр. Как показали.электрошю-микроскс-пкческие исследования, структурные неоднородности пленок, полученных при разном парциальном-давлении аргона, но при одинаковых уг-

лах напыления идентичны. Кроме того, в структура нормальноосажден-!шх пленок не обнаружено каких-либо крупномасштабных неоднородаос-тей ответственных за макроскопическую магнитную анизотропию.

Таблица 2.

Рассчитанные и экспериментально измеренные значения константы магнитной анизотропии аморфны:: пленок Со06Т114.

источники а 0° - 10е а = 10° - 30°

анизотропии Дж/м3 и. да/м^ Дж/м3 Дж/м3 Дя/м3 и-эксп. Дж/м3

анизотропные кластеры 2'102 3-102 -

цепочки из кластеров 1,2-Ю2 б • ю2 4+8М О2 1,7*102 24 МО2 20 + 2? МО2

ОПП. - 20*102

атомные пары 3*102 3*102

Однако исследования зависимости намагниченности от температуры показали, что, для пленок, полученных при давлении аргона 5,5МО-4 торр характерен термомагнитный гистерезио. При этом кривая нагревания идет ниже кривой охлаждения, что свидетельствует о наличии в структуре кластеров тригональной симметрию!, имеющих большую локальную магнитную анизотропию.

Причина большого различия Кц пленок, полученных при разном парциальном давлении аргона связана с типом кластеров, образовавшихся в пленке при распылении. В зависимости от энергии распыляемых атомов в кобальтсодерзкащих аморфных пленках могут образовываться кластеры разной симметрии. Вероятность образования в пленке кластеров тригональной симметрии, соответствующей ГПУ фазе кристаллического

состояния, будет максимальной, если энергия распыляемых атомов ми-иени при попадании их на подложку будет соизмерима с энергией активации процесса преобразования кластеров октаэдрической симметрии, соответствующей ГВД фазе, в кластеры тригональной симметрии.

Энергия распыляемых атомов зависит от парциального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки, величины напряжения, подаваемого на мишень (II) и напряжения смещения (У ) (тебл.З).

Таблица 3.

Влияние напряжения смешения и напряжения мишени на величину давления аргона Р^, при котором наблюдается максимум Кц.

У , в см' и, В торр

О 700 5,6 * 10~4

О -100-150 350 350 350 3,7 ' 10~4 Б,6 ' 10~4 6,5 ' Ш"4

Оценка.величины константы магнитной анизотропии, обусловленной образованием вдзкосишатричных кластеров дала значение 2*103 Дк/м? что хорошо согласуется с жнгаршвнтально кгкзрояноа величиной.

Таким образок, в соотавтсикш с рэоульгашм машшш измэрэ-ний можю сказать, что основным источником наведанной мапшткой анизотропии в нормальноосаздэнных аморфных пленках Со-Т1, полученных прк давлении аргона более 24 О-4 торр, яеляэтся локальная анизотропия кластеров тригональной ссаммрие. Для косоосаждекных пленок характерен еще одни источшде егшаотрошш - орион тировобласти пониженной плотности и мшропорц.

Одним из экспериментальных мэтодов разделения компонент магнят-

А5

ной анизотропии является изотермический отжиг в поле перпендикулярном оси легкого намагничивания при температуре ниже температуры кристаллизации. Кинетические зависимости магнитной анизотропии свидетельствуют о наличии отжигаемой и неотжигаемой компоненты. Отжигаемая компонента связана с переориентацией атомных пар в окрестности свободных объемов. Нвотжигаемая компонента обусловлена образованием низкосимметричных кластеров, областей погашенной плотности и микропор.

вывода

1. Экспериментально установлено и расчетами подтверждено, что в аморфных пленках на основе Со, полученных магнетронным распылением присутствуют низкосимметричные тригональные кластеры, состоящие из атомов Со. Максимальная вероятность образования таких кластеров зависит от парциального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки, величины напряжения, подаваемого на мишень и напряжения смещения.

2. Экспериментально выявлена анизотропия формы и распределения микро- и макроструктурных дефектов (кластеров, цепочек из кластеров, областей пониженной плотности и микропор), формирующих магнитные свойства аморфных пленок.

3. Для поликристаллических и аморфных пленок установлена зависимость поля анизотропии Н^ и коэрцитивной силы Н0 от типа и расп-

' ределения кластеров, формы и распределения областей пониженной плотности и микропор, формирование которых определяется технологическими условиями: углом падения молекулярного потока, давлением инертного газа, напряжением смещения, толщиной пленок, скоростью конденсации. Показано, что тип кластеров в эморфных пленках не влияет на величину Нс и оказывает существенное влияние на наведен-

ную магнитную анизотропию. Поэтому отношение f^/HQ как в нормально, так и в косо'осажденных аморфных пленках много больше, чем в поликристаллических.

4. Экспериментально выделены компоненты наведенной магнитной анизотропии, обусловленные различными структурными дефектами: направленным упорядочением атомных пар, анизотропным распределением шзкосимметричных кластеров, областей пониженной плотности и мик-ропор. Проведены их теоретические оценки и показано хорошев соответствие с экспериментальными данными.

Основные материалы диссертации опубликованы в работах:

1. Осуховский В.Э., Воробьев Ю.Д., Слабженникова И.М., Науманко Л.Ф. Локализованные дефекты и коэрцитивная сила тонких магнитных пленок// ЗШ. - 1985. .- T.60, * 3. - 0 . 623 - 624.

2. Осуховский В.3., Воробьев Ю.Д., Чзботкевич Л. А., Елисеенко Л.Г., Слабженникова И.М. Влияние отжига на закрепление доменной границы неодаородаостями поликристадпичвских пленок// ША. - 1986. - т.61, вып. 3. - 0. 543 - 548..

3. Воробьев Ю.Д., Слабженникова И.М., Чеботкевич Л.А., Пустова-лов Е.В., Головко М.В. Структурные неоднородности и магнитная анизотропия аморфных пленок Ço-Ti// ФММ. - 1993. - £ i. - С. 59 - 63.

4. Чеботкевич Л.А., Воробьев Ю.Д., Слабханншгава И.М,, Пустоза-лов Е.В., Должиков C.B., Сергеева Т.М., Плотников B.C. Роль кластеров в создании магнитной анизотропии в аморфных пленках Со-Т1// SMM. - 1993. - Т.75, ВЫП.4. - С. 79 - 83.

5. Воробьев Ю.Д., ЧеботквЕИч Л.А., Неверовская А.Ю.-, Слабкенни-кова И.М. Влияние на магнитную анизотропию аморфных пленок Со-Т1 напряжения смещения// ®Ш,(принята к печати)-.

6. Дилша 3.3., Слйбжанникоза И.М. Ферромагнитный резонанс в

косоосазденных пленках железа// Межвуз.сб.: Физические процессы в тонких пленках. - Владивосток: ДВГУ.- 1966. - 0. 16 - 23.

7. Воробьев Ю.Д., Елисеенко Л.Г., Олабженникова И.М., Козырь Т.В., Бондаренко И.В. Определение плотности, толщины и шероховатостей металлических пленок методом рентгеновской интерференции// Межвуз.сб.: Вопросы микроэлектроники. - Владивосток: ДВГУ.- 1990.-С. 5 - 13.

8. Олабженникова И.М., Козырь Т.В., Воробьев Ю.Д., Осуховский

V

B.Э. Магнитные свойства и структура косоосазденных пленок ЯеМСо// Межвуз.сб.: Вопросы микроэлектроники. - Владивосток: ДВГУ.- 1990.-

C. 30 - 36.

9. Воробьев Ю.Д., Осуховский В.Э., Олабженникова И.М., чеботкевич Л.А. Влияние отжига на перераспределение поверхностных и объемных вкладов в коэрцитивную силу косоосажденных пленок // Тез. докл. IX Всесоюзной школы-семинара. - Саранск: Мордов. ГУ. - 1984.

- С. 93 - 94.

10. Осуховский В.Э., Литвинцвв В.В., Воробьев .Ю.Д., Слабженни-кова И.М., Науменко Л.Ф., Макогина Б.Й. Структура и магнитные свойства аморфных пленок железа// Тез.докл. ШИ Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений.- Калинин: Калининский ГУ.- 1988.

- С.971 - 972.

11. Олабженникова И.М., Воробьев Ю.Д., Чеботкевич Л.А., Ильина Н.В. Поведение магнитных параметров аморфных пленок Со-Т1 при низкотемпературном отжиге// Тез. докл. ХХХП Всесоюзной межвузовской научнй-технической конференции. - Владивосток: Т0ВВМУ.-1991. -т.1, ч.2. - С. 68 - 71.

12. Олабженникова И.Ы., Воробьев Ю.Д., Чеботкевич Л.А., Козырь Т.В., Белинский Д.Г., Руднев А.С. Влияние состава на структуру и магнитные свойства Со-Т1 пленок// Тез. докл. XXXIУ Всесоюзной меж-

п

вузовской научно-технической конференции. - Владивосток: ТОВВМУ. - 1991.- т.1, 4.2. - С. 72 - 74.

13. Слабженникова И.М., Воробьев Ю.Д., Чеботкевич Л.А., Осухов-ский В.Э. Кию тика наведенной анизотропии в аморфных пленках//Тез. докл. XIX Всесоюзной конференции по физике магнитиых явлений.-Ташкент: Таи.ГУ. - 1991. - 4.1. - С. 92.

14. Воробьев Ю.Д., Сергеева Т.М., Слабженникова И.М., Чеботкевич Л.А. Магнитные кластеры аморфных пленок Co6gTi14 // Тез. докл. XXXY Всероссийской межвузовской научно-технической конференции. -Владивосток: ТОВВМУ. - 1992. - т.1, ч.1. - С. 55 - 58.

15. Слабженникова И.М., Пустовалов Е.В., Должиков C.B. Структура и наведенная анизотропия аморфных пленок Со8бТ114 // Тез. докл. XXXY Всероссийской межвузовской научно-технической конференции. -Владивосток: ТОВВМУ. - 1992. - т.1, 4.2. - С. 67 - ТО.

16. Воробьев Ю.Д., Чеботкевич-Л.А., Должиков C.B., Слабженникова И.М.,,Пустовалов Е.В., Плотников B.C. Структурные неоднородности и магнитная анизотропия аморфных пленок // Тез. докл. XIII школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники (магнит[ше пленки)". - Астрахань: АГПИ. - 1992. - ч.2. - С. 156-15Т.

17. Воробьев Ю.Д., Слабженникова И.М., Чеботкевич Л.А. Природа магнитной анизотропии аморфных пленок Co-Ti// Тез. докл. IY Всесоюзной, конференции "Проблемы исследования структуры аморфных материалов". - ИжеЕск: Удмуртский ГУ. - 1992: