Сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл/ХСП и разработка приборов на ее основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

На правах рукописи

РГБ ОД

2 3 ОКТ Ш "

КОГАЙ Владимир Ян-Сунович

СВЕРХБЫСТРОЕ РАСТВОРЕНИЕ МЕДИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ МЕТАЛЛ/ХСП И РАЗРАБОТКА ПРИБОРОВ НА ЕЕ ОСНОВЕ

01.04.01 -техника физического эксперимента, физика приборов, автоматизация физических исследований

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ижевск 2000

Работа выполнена в Институте прикладной механики УрО РАН

Научный руководитель: кандидат технических наук,

старший научный сотрудник

Хан В.П.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

старший научный сотрудник Рац Ю.В.

кандидат физико-математических наук,

доцент

Крылов П.Н.

Ведущая организация: Физико-технический институт им.

А.Ф.Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Защита состоится «а/^» ноября 2000 г. в часов на заседании Диссертационного совета Д 064.47.02 в Удмуртском государственном университете по адресу: 426034, г. Ижевск, ул. Университетская, д. 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке УдГУ.

Автореферат р^ослан . « ^ » октября 2000 г.

и

ох ^ ; т ;

.о. ученого секрёйр^'ДиссертацйЬннрго совета, доктор технических- .; Ч*-

Ш1\.\ъ~ОИ.О+ ^яц^м^/шМо

Баянкин В.Я.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. К интересным явлениям в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП) следует отнести сверхбыстрое растворите меди в гетерострукгуре металл / ХСП (М/ХСП), обнаруженное при выполнении настоящей работы. При достижении в тонкопленочной гетерострукхуре М / ХСП критических условий (пороговых значений энергии упругой деформации и температуры подложки) в ней происходит спонтанная релаксация энергии упругой деформации, приводящая к сверхбыстрому проникновению (1 - несколько секунд) больших концентраций металла (до 50 ат. %) в пленку ХСП. При этом изменяются оптические, электрические и физико-химические свойства полупроводника. Полученные пленки высокочувствительны к внешним воздействиям, чпго позволяет разработать прецизионные датчики температуры, влажности, освещенности и др. на их основе.

Гетеро структура М / ХСП является сложной диссипативной структурой. В ней взаимосвязаны диффузионные явления и твердофазные химические реакции. Поэтому изучение физической природы обнаруженного явления представляет значительный интерес.

Цель работы - исследование явления сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации энергии упругой деформации и разработка приборов на основе полученных тонкопленочных гетеро-структур.

Для достижения намеченной цели были поставлены следующие задачи:

- выявление критических условий спонтанной релаксации энергии упругой деформации в пленках ХСП;

- комплексное исследование процесса сверхбыстрого растворения

меди в пленке ХСП при изменении соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки, состава ХСП;

- изучение механизма сверхбыстрого растворения меди в гетеро-структуре МI ХСП;

- исследование валентного состояния меди после растворения ее в пленке ХСП;

- выявление причин, вызывающих прекращение сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП.

- разработка высокочувствительных прецизионных датчиков температуры и влажности на основе модифицированных пленок ХСП.

Научная новизна. Впервые в гетероструктуре М / ХСП обнаружен эффект сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации энергии упругой деформации.

Впервые в пленках Аз^е-ю, полученных в сильнонеравновесных условиях, обнаружены критические параметры (<^=1300 А, Т*р=270 К) при достижении которых в них происходит спонтанная релаксация энергии упругой деформации, приводящая к упорядочению пленочной структуры.

Скорость растворения меди в гетероструктуре М / ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки, состава ХСП.

Выявлен механизм сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП.

Практическая ценность. Разработан принципиально новый способ модифицирования полупроводников. На основе модифицированных пленок разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности. Селективное травление нелегированных и легирован-

пых пленок ХСП в плазме активных газов позволяет создать полностью «сухой» литографический процесс субмикронного разрешения.

Положепия, выноснмые на защиту.

1. Зависимость показателя преломления п пленок А5<ю8еад, полученных в сильно неравновесных условиях, от их толщины й имеет экстремум при с]кр=1300А, связанный с развитием флуктуаций и возникновением коллективных взаимодействий в системе.

2. Максимальные скорости растворения меди в пленке А5бо8е4о достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8.

3. Сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации возможно в широком интервале составов АйхЗеюо-х, где X = 20 - 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена.

4. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке АБ^е^о возрастает, а при температуре выше 340 К увеличивается скачком. Ниже критической температуры равной 270К сверхбыстрого растворения меди в пленке АэбоБеад не наблюдается.

5. При спонтанной релаксации энергии упругой деформации в гете-роструктуре М/ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Растворение меди в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений СизАзБеф

6. Металл, растворенный в пленке ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стек-лообразующей способности системы Си-Ав-Бе.

7. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами.

8. Зависимость сопротивления чувствительных элементов от температуры и влажности имеет линейный характер.

Апробация результатов. Результаты работы докладывались на Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохи-мии (г. Рига, сентябрь 1991), XIV Уральской школе металловедов-термистов «Фундаментальные проблемы физического металловедения перспективных материалов» (г. Ижевск, февраль 1998), П Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нано-технологии» (г. Санкг - Петербург, июнь 1998), XVIII Международном конгрессе по стеклу (США, г. Сан - Франциско, июль 1998), Всероссийском Симпозиуме с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (г. Санкт - Петербург, июль 1998), Международной конференции «Стекла и твердые электролиты» (г. Санкт - Петербург, май 1999), Международной конференции «Термодинамика и химическое строение расплавов и стекол» (г. Санкт -Петербург, сентябрь 1999), IX Международной конференции «Физика некристаллических веществ» (США, г. Аризона, октябрь 1999), П Международном симпозиуме «Композиты и глубокая переработка природных ресурсов» (г. Набережные Челны, ноябрь 1999).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 13 научных трудов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов с заключением и списка литературы. Содержит 135 стр. машинописного текста, включая 34 рисунка, 6 таблиц и 214 наименований библиографии.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель работы, дана структура диссертации и приведены основные положения,выносимые на защиту.

В первой главе приведен обзор литературных данных о процессах растворения металлов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Сделан вывод о том, что наиболее интересным и перспективным является диффузионный способ введения примесей в ХСП. Важными факторами в появлении новых электрофизических свойств и эффектов являются способ введения примесей и наличие высоких концентраций дефектов в ХСП. Глава заканчивается постановкой задач диссертационной работы.

Вторая глава посвящена обоснованию выбора материалов, методик приготовления и исследованию экспериментальных образцов.

В качестве основного объекта для исследования явления сверхбыстрого растворения металла в пленке ХСП была выбрана система Аз-Бе. В качестве металлов - элементы первой группы: медь, серебро и золото.

Формирование пленочной гетероструюуры М / ХСП проводили в едином вакуумном цикле (10"5 мм.рт.ст.) методом вакуумио-термического испарения, нанося попеременно слой металла и ХСП. Температуру подложки изменяли от Т=77 К до Т=350 К.

Оптические параметры и толщину пленок определяли с помощью лазерного эллипсометра ЛЭФ-ЗМ. Измерение поляризационных углов Ч* и А осуществлялось по двухзонной методике при длине волны монохроматического лазерного излучения А.=0,633 мкм и угле падения 70°. Для эллип-сометрических исследований в качестве подложек использовали монокристаллический кремний марки К50.

Качественный и количественный анализ модифицированных пленок ХСП проводили на реитгено-электронном спектрометре ЭС-2401. В качестве источника возбуждающего излучения использовали М§Ка - излучение (1253,6 эВ) с анодным током 20 мА и напряжением 7,5 кВ.

Радикальное травление легированных пленок ХСП проводили на установке плазмохимического травления «Плазма-125И». При этом под-

ложки находились в зоне, отделенной от области плазмы двумя алюминиевыми сетками, а в процессе травления участвовали химически активные частицы без активации электронной и ионной бомбардировок. Использовали шестифтористую серу (SF6), а также смесь этого газа с воздухом и аргоном. Режимы травления поддерживали следующими: ток сетки — 14 мА, ток анода - 300 мА, падающая мощность -365 Вт, давление в камере - 10'1 Topp.

В третьей главе приводятся экспериментальные результаты эффекта сверхбыстрого растворения меди в гетерострукгуре М / ХСП, когда в системе достигаются критические условия (пороговые значения плотности энергии упругой деформации и температуры).

Исследование оптических свойств тонких пленок AsöoSe^, полученных в условиях сильной неравновесности, показало, что зависимость показателя преломления от толщины пленки As6oSe4o имеет экстремум при толщине пленки равной 1300 А (рис.1), связанный с развитием флуктуации и возникновением коллективных взаимодействий в системе. С ростом толщины пленок в них, наряду с заряженными дефектами D+, D", образуются высокие концентрации химических и протяженных дефектов, которые способствуют появлению упрутих полей и накоплению энергии упругой деформации. Из рис. 1 видно, что показатель преломления при этом растет. Наличие заряженных дефектов D+, D" в пленках ХСП приводит к возникновению кулоновских полей, которые регулируют распределение всех дефектов, и определяют свойства упругих полей.

Флуктуации, возникающие в пленке As6oSe4o при малых концентрациях дефектов (химических и протяженных), не искажают установившееся среднее кулоновское поле. В точке максимума (d*p =1300 А), когда размеры флуктуации становятся сравнимыми с длиной дебаевского экранирования полупроводника, в пленке возникают крупномасштабные корреляции, приводящие к равномерному распределению в ней всех

Рис. 1. Зависимость показателя преломления п пленки Ая^е^ от ее толщины <1

^р/р;1 отн.ед

Рис. 2. Кинетические кривые изменения удельною поверхностного сопротивления гетерослоев Си/Аэ^е« при Т1ЮДЛ=ЗООК для равных соотношений их толщины: 1 - <1хсг/с1с„=5, 2 - <1ха/с1с „=8, 3 - си/с^Ю

Рис. 3. Кинетические кривые изменения удельного поверхностного сопротивления гетерослоев Си/Аэ^е« при (1хс1/с1си=8 для

Рис. 4. Зависимость величины удельного поверхностного сопротивления гетерослоев Си/Аз^е«

температуры подложки: 1-310 К, 2- 340 К от температуры при ёхс11/с1с„=8

дефектов и появлению коллективных взаимодействий. Пленочная система ведет себя как единое целое. Вследствие кооперативное™ свойств упругого поля в пленке при критической толщине ёкр =1300 А достигается пороговое значение плотности энергии упругой деформации. В точке максимума происходит спонтанная релаксация этой энергии, в результате чего структурное метастабильное состояние пленки переходит в более устойчивое, упорядоченное. Показатель преломления достигает максимального значения, равного 3,50.

Концентрация дефектов (химических и протяженных) в пленках увеличивается при дальнейшем росте их толщины. Это приводит к перекрытию кулоновских полей заряженных дефектов Б" и нарушению коллективных свойств упругого поля. При этом энергия упругой деформации и значение величины показателя преломления уменьшаются.

Наиболее ярко спонтанная релаксация энергии упругой деформации проявляется в гетероструктуре М / ХСП, где М-медь, серебро, золото, а ХСП - стекла системы Аз-Бе. При нанесении пленки А^Бе^ критической толщины, равной (1^=1300 А, в гетероструктуре Си/А^Бе-ш происходит сверхбыстрое растворение меди. Скорость растворения меди в пленке ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки, состава ХСП.

Установлено, что максимальные скорости растворения меди в пленке ХСП достижимы при соотношении толщин слоев ХСП и меди равном 8 (рис. 2), когда величина плотности энергии упругой деформации в пленке ХСП соответствует пороговому значению. При этом диссипативная гете-рострукгура Си/ХСП переходит в новое упорядоченное состояние. Внутренним параметром, управляющим данным переходом, является плотность энергии упругой деформации. Температура, при которой формировали ге-тероструктуры Си/ХСП, составляла 293 К.

Показано, что с увеличением температуры подложки скорость растворения меди в пленке ХСП возрастает, а при температуре выше 340 К скорость увеличивается скачком (рис.3). При этом соотношение толщин слоев ХСП и меди составляло 8.

Так как при температуре ниже критической, равной 270 К (рис.4), акустические моды "заморожены", процесса спонтанной релаксации энергии упругой деформации не наблюдается. Отсюда следует, что спонтанная релаксация энергии упругой деформации и растворение меди в пленке ХСП возможны только при достижении величины плотности энергии упругой деформации и температуры подложки своих пороговых значений.

Установлено, что сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП возможно в широком интервале составов AsxSeioo.x, где х=20 - 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличигаем содержания в пленках селена (рис. 5). Время растворения меди в гетероструктуре Си / АязЗег составляло 500 с, а в гетерострукгурах Си / As2Se3H Си / AsSe4 - 180 с и 10 с, соответственно. Максимальная концентрация растворенной меди в пленках системы As- Se составляет 50 ат.%.

В пленочной гетероструктуре М / ХСП при спонтанной релаксации энергии упругой деформации происходит структурно-химическое упорядочение. Медь, диффундируя в слой ХСП в виде положительно заряженных ионов Си+, равномерно в нем распределяется, вступая в химическое взаимодействие с компонентами стекла и, образуя новые стеклообразу-ющие структурные единицы неустойчивого химического соединения CuAsSe2. Данные структурные единицы и структурные единицы AsSe3/2 и As2Se4/2 сочленяются друг с другом в полимерные образования, где сопо-лимеризаторами являются атомы селена и мышьяка, что способствует расширению области стеклообразования. При дальнейшем увеличении концентрации меди в пленках появляются молекулярные фрагменты с межкластерными границами. Когда величина концентрации меди превышает

к

100 ¡200 300 400

Г\2 у\з

-1

-2 -3 -4 -5

Рис. 5. Кинетические кривые удельного поверхностного сопротивления гетерослоев СиМ^-Бе при Т=300 К для составов:

ЬСи/А^оБе,»; г-Си/А^Бе«,; З-Си/АБ^е«

К, Ом

200

160

120

80

Рис.6. Поверхность закристаллизованой пленки Си зАББе, после спонтанной релаксации

т,°с

20

40

60

80

V/«

Рис. 7. Зависимость сопротивления ЧЭ от температуры при различных содержаниях меди: 1 - 10ат.%; 2 - 15ат.%; 3 - 20ат.%

Рис. 8. Зависимость сопротивления (Я) ЧЭ от относительной влажности воздуха (Рге1)

30 ат.%, молекулярные кластеры неустойчивого соединения CuAsSe2 распадаются по реакции:

3CuAsSe2 = Cu3AsSe4+2AsSe (1) с образованием устойчивого кристаллического соединения Cu3AsSe4 (рис.6).

Исследования, проведенные методом рентгено-электронной спектроскопии, показали, что медь в легированных пленках ХСП сосуществует в различных валентных состояниях Си21", Си+, Си0. Исследовались рентгено-электронные спектры внутренних уровней Си 2рзга, As 3d$n, Se 3d5/2 и Оже-линия Си (LMM). Форма и энергетическое положение линий меди (Си 2р3/2 и Си (LMM)) свидетельствовали о возможном наличии в системе как Си^, так и Си+, а саттелит, отстоящий от основного пика на 8,5 эВ о присутствии Си2+.

Четвертая глава посвящена изучению механизма сверхбыстрого растворения металла в пленке ХСП. Исследуемый эффект имеет суперионную природу. Высокая скорость диффузии металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами. Коэффициент ускорения ионов электронами достигает в стекле величины Ю7.

Тонкопленочная гетероструктура М/ХСП представляется как сильнонеравновесная диссипативная структура, в которой ХСП играет роль «остова» (матрицы) суперионного проводника (СИП), находящегося в контакте с металлом (М) - суперионным агентом. При dxcn/dCu=8 и температуре Т>Ткр. (Ткр =270 К) в системе активируются процессы диффузии металла в «остов» (химическая реакция М+ХСП —>ХСП <Ме>). Скорость проникновения металла в пленку ХСП определяется процессами на фазовой границе М/ХСП, действующими градиентами химического потенциала Уцм и коэффициентами диффузии металла в ХСП. Полагая, что при Т > Ткр. Фазовая граница М/ХСП «прозрачна» для металла (ДЕ ~ коТкр., здесь АЕ - высота соответствующего потенциального барьера, к0 — постоянная

Больцмана), из соотношения t=d2/(7tD) « 0,1t* ( здесь т - характерное время диффузии, d « 1300Ä - толщина пленки), при t*=9Mmi получаем эффективный коэффициент диффузии металла в ХСП D30011« 10" шсм2/с. Найденная величина D превышает характерные для твердых тел значения D300K « 10"12 —Ю"20см2/с, что может указывать на действие эффекта ускорения ионов электронами при их совместной диффузии в ХСП.

Коэффициент ускорения ионов электронами в смешанных электронно-ионных проводниках определяется выражением:

D/Di = (te+tiDe/Dj) * (N/n+1), (2)

(здесь t; и tc (tj+te=l), N и n, Di и De - числа переноса, концентрации и коэффициенты диффузии ионов и электронов в отсутствии других частиц, D коэффициент сопряженной диффузии ионов и электронов (дырок)).

Равенство (2) справедливо при любых, сколь угодно малых, концентрациях элекгронов в ионном проводнике (в случае п-^0 (te"^0) имеем D/Di->1, приближенное равенство (2) - при условии Se»Sj (здесь Se и S;-электронная и ионная составляющие проводимости), что соответствует начальным стадиям легирования ХСП. Величина D/Dj ->1 при нулевом уровне легирования ХСП (N=0) и возрастает с ростом N по мере проникновения металла в пленку. При х*»20 ат.% для ХСП состава Asj^Cuo^Se концентрации ионов и электронов составляют NOT « 4-102|см"3 и п я 1014 см"3, соответственно. Отсюда следует, что D/D,« 107. Получе1шая величина коэффициента ускорения существенно превышает обычные для кристаллических СИП значения D/Di ~ 103-104, что связано с высокой растворимостью металла и низкой концентрацией электронных носителей тока в ХСП.

Модифицированные пленки, полученные при спонтанной релаксации энергии упругой деформации, высокочувствительны к внешним воздействиям (температуре, влажности, освещенности и др.). На основе этих пленок разработаны прецизионные датчики температуры и влажности.

Принцип действия датчиков температуры и влажности основан на изменении электрического сопротивления чувствительного элемента (ЧЭ) при изменении температуры и влажности. Причем, зависимость сопротивления ЧЭ от температуры и влажности имеет линейный характер (рис.7.3), (рис.8). Это облегчает калибровку датчиков и ее схемотехническую реализацию.

Достоинствами этих датчиков (температуры и влажности) являются высокая стойкость к радиационным излучениям, высокая чувствительность, малая потребляемая мощность, малые габаритные размеры, низкая себестоимость. Датчики могут работать как на постоянном, так и на переменном токе.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. В пленках АзбоБезд, полученных в сильно неравновесных условиях, обнаружены критические параметры ((1^=1300 А, Т,ф=270 К), при которых происходит спонтанная перестройка структуры пленки с переходом ее в упорядоченное состояние. Такой переход обусловлен развитием флукту-аций и возникновением коллективных взаимодействий в системе. Одну из важных ролей при этом играют кулоновские поля заряженных дефектов

Б".

2. Установлено, что скорость растворения металла в пленке ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки и состава ХСП. Максимальные скорости растворения Си в пленке АзбоЗе^ достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке As6oSe.ro возрастает, а при температуре выше 340 К скорость растворения увеличивается скачком. Ниже критической температуры, равной 270 К, растворения Си в пленке АБ^е^о не наблюдается.

3. Показано, что сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП возможно в широком интервале составов АйхЗеюо-х, где х = 20 - 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена. Максимальная концентрация растворенной меди в пленках системы Аэ- Бе составляет 50 ат.%.

4. Обнаружено, что при спонтанной релаксации энергии упругой деформации в гетероструюуре М / ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Металл, диффундируя в пленку ХСП, вступает в химическое взаимодействие с компонентами стекла, образуя новые химические соединения. Растворение Си в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений СизАзБе^.

5. Методом рентгено-электронной спектроскопии установлено, что металл в модифицированных пленках ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стекло-образующей способности системы Си-АБ-Бе.

6. Процесс вхождения металла в пленку ХСП имеет суперионную природу. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами. Коэффициент сопряженной диффузии достигает в стекле величины 107.

7. На основе модифицированных пленок ХСП, полученных при спонтанной релаксации, разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности.

8. Различная скорость травления легированных пленок ХСП в плазме активных газов позволяет использовать их в опто- и микроэлектронике в качестве эффективных фоторезистов с субмикронным разрешением.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Хан В.П., Когай В.Я., Александрович Е.В. Низкотемпературная спонтанная релаксация в гетер о структур е металл / халькогенидный

стеклообразный полупроводник // Тезисы 2 Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехноло-гий». С. - Петербург. - 1998. - С. 215.

2. Хан В.П., Когай В.Я., Александрович Е.В. Критические условия спонтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных структурах // ЖТФ. - 1999. - Т. 69. - В. 8. - С. 128 - 129.

3. Когай В.Я., Александрович Е,В. Критические явления в самоорганизующихся пленочных структурах // Тез. докл. Международной конференции «Стекла и твердые электролиты». С-Петербург. - 1999. С.83.

4. Хан В.П., Когай В .Я. О низкотемпературном легировании хапъко-генидных стеклообразных полупроводников металлами // Труды 18 Международного конгресса по стеклу, Сан-Франциско, Калифорния, 5-10 июля 1998. - Американское керамическое общество. - ICG131 - Р01 - 176 of CD - ROM Ргос. (на англ. яз.).

5. Когай В.Я., Александрович Е.В., [Хан В.Щ Эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования в самоорганизующейся гетерострукту-ре металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник // Труды 9 Международной конференции по физике некристаллических твердых тел, Туксон, Аризона, 17-21 октября 1999. (на англ. яз.).

6. Александрович Е. В., Когай В. Я. Роль диспропорционирования легирующих металлов в стеклообразовании халъкогенидных систем II Тезисы докл. Международной конференции «Термодинамика, химическое строение расплавов и стекол» С. - Петербург. - 1999.

7. Хан В.П., Александрович Е.В., Когай ВЛ. Новый подход к прогнозу инверсии проводимости в халъкогенидных стеклообразных полупроводниках // Тезисы Всероссийского симпозиума с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». С. -Петербург, - 1998. - С. 106.

8. Хан В.П., Федотова И.В., Когай В.Я. Изучение процессов проявления и травления неорганических пленочных фоторезистивных структур в плазме активных газов // Труды Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. — Рига. - 1991. - С. 432 - 435.

9. Хан В.П. Федотова И.В., Когай В.Я. Исследование процессов плазмохимического травления пленок состава СегоЗево // Деп. в ВИНИТИ-03.04.90. - № 1769. - В. 90. - 20 с.

10. Хан ВЛ. Федотова И.В., Когай В Л., Акашкин А. С. Структурные превращения и плазмохимическое травление фоточувствительных пленок ХГС // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1991. -№ 2. - С. 392 - 397.

11. Хан В.П. Федотова И.В., Когай В.Я. Плазмохимическое травление термически напыленных пленок ХГС, легированных серебром // Физика и химия обработки материалов. - 1992. - № 1. - С. 78 - 81.

12. Коржуев М. А., Когай В. Я., Александрович Е. В., Гранаткина Ю. В. О механизме низкотемпературного легирования аморфных пленок Аэ-Бе металлами И Тезисы докладов международной конференции «Стекла и твердые электролиты». - С. - Петербург. - 1999. - С. 94.

13. Когай В.Я., Замараев В.Н. Датчики влажности и температуры // Тезисы докладов 2 Международного симпозиума «Композиты и глубокая переработка природных ресурсов». Набережные Челны. - 1999. - С. 59.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ

РАСТВОРЕНИЯ МЕТАЛЛОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ

СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (ХСП).

1.1. Растворение металлов в ХСП при их совместном синтезе.

1.2. Растворение металлов в пленках ХСП при термической диффузии.

1.3. Фоторастворение металлов в ХСП.

1.4. Электрофоторастворение металлов в ХСП.

1.5. Дефекты в ХСП.

1.6. Выводы по состоянию проблемы и постановка задачи исследования.

Глава 2. МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ

ИССЛЕДОВАНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Синтез стеклообразных материалов.

2.2. Получение пленок ХСП в сильнонеравновесных условиях.

2.3. Определение удельного поверхностного сопротивления пленки.

2.4. Исследование оптических свойств пленок ХСП методом эллипсометрии.

2.5. Исследование модифицированных пленок ХСП методом фотоэлектронной спектроскопии.

2.6. Радикальное травление гетероструктуры металл/ХСП (М/ХСП) в плазме активных газов.

Глава 3. СВЕРХБЫСТРОЕ РАСТВОРЕНИЕ МЕДИ В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ

М/ХСП ПРИ СПОНТАННОЙ РЕЛАКСАЦИИ.

3.1. Исследование оптических свойств пленок Азбо8е4о.

3.2. Кинетика растворения меди в пленке ХСП.

3.2.1. Влияние соотношения толщин слоев меди и ХСП на скорость растворения металла в пленке ХСП.

3.2.2. Влияние температуры подложки на скорость растворения меди в пленке ХСП.

3.2.3. Влияние состава ХСП на скорость растворения меди в пленке

3.3. Структурно-химические упорядочения в гетероструктуре М / ХСП.

3.4. Исследование валентного состояния меди в модифицированных ХСП.

Глава 4. МЕХАНИЗМ СВЕРХБЫСТРОГО РАСТВОРЕНИЯ МЕДИ В

ПЛЕНКЕ ХСП.

4.1. Теоретический анализ сверхбыстрого растворения меди в пленке

4.2. Влияние химического и электрохимического потенциалов на растворимость металла в ХСП.

4.3. Термодинамический стимул легирования.

4.4. Электрическая активность легирующей добавки.

4.5. Возможности практического применения гетероструктур М / ХСП.

К числу наиболее интересных явлений, обнаруженных в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП), следует отнести сверхбыстрое растворение меди в гетероструктуре металл / ХСП. Это явление было обнаружено при выполнении настоящей работы. При достижении в гетероструктуре металл / ХСП критических условий (пороговых значений энергии упругой деформации и температуры подложки), в ней происходит спонтанная релаксация энергии упругой деформации, приводящая к сверхбыстрому проникновению (1 - несколько секунд) больших концентраций меди (до 50 ат.%) в пленку ХСП. При этом изменяются оптические, электрические и физико-химические свойства полупроводника. Модифицированные пленки высокочувствительны к внешним воздействиям, что позволяет разработать прецизионные датчики температуры, влажности, освещенности и др. на их основе.

Гетероструктура М/ХСП является сложной диссипативной структурой. В ней взаимосвязаны диффузионные явления и твердофазные химические реакции. Поэтому изучение физической природы обнаруженного явления представляет значительный интерес.

Целью диссертационной работы явилось исследование сверхбыстрого растворения меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации энергии упругой деформации и разработка приборов на основе полученных тонкопленочных гетероструктур.

Диссертация состоит из четырех глав.

В первой главе приведен обзор литературных данных о процессах растворения металлов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Из анализа литературных данных сделан вывод о том, что наиболее интересным и перспективным является диффузионный способ введения примесей в ХСП. Важными факторами в появлении новых электрофизических свойств и эффектов являются способ введения примесей и наличие высоких концентраций дефектов в ХСП. Глава заканчивается постановкой задач диссертационной работы.

Вторая глава посвящена обоснованию выбора материалов, методик приготовления, и исследования экспериментальных образцов.

В третьей главе приводятся результаты экспериментальных исследований сверхбыстрого растворения меди в гетероструктуре металл / ХСП, когда в системе достигаются критические условия (пороговые значения плотности энергии упругой деформации и температуры подложки).

Четвертая глава посвящена изучению механизма сверхбыстрого растворения металла в пленке ХСП. Исследуемое явление имеет суперионную природу. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами, достигающим в стекле величины 107.

В конце диссертации приводятся общие выводы с заключением и список литературы.

Положения, выносимые на защиту.

1. Зависимость показателя преломления п пленок А8608е40, полученных в сильно неравновесных условиях, от их толщины ё имеет экстремум при с1кр= 13 00А, связанный с развитием флуктуаций и возникновением коллективных взаимодействий в системе.

2. Максимальные скорости растворения меди в пленке А8бо8е4о достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8.

3. Сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП при спонтанной релаксации возможно в широком интервале составов АвхЗеюо-х, где X = 20 - 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена. 6

4. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке А8бо8е40 возрастает, а при температуре выше 340К увеличивается скачком. Ниже критической температуры равной 270К сверхбыстрого растворения меди в пленке А86о8е40 не наблюдается.

5. При спонтанной релаксации энергии упругой деформации в гетероструктуре М/ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Растворение меди в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений Си3Аз8е4.

6. Металл, растворенный в пленке ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стеклообразующей способности системы Си-АБ^е.

7. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами.

8. Зависимость сопротивления чувствительных элементов от температуры и влажности имеет линейный характер.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. В пленках А86о8е4о, полученных в сильно неравновесных условиях, обнаружены критические параметры (<1^=1300 А, Ткр:=270 К), при которых происходит спонтанная перестройка структуры пленки с переходом ее в упорядоченное состояние. Такой переход обусловлен развитием флуктуаций и возникновением коллективных взаимодействий в системе. Одну из важных ролей при этом играют кулоновские поля заряженных дефектов Б".

2. Установлено, что скорость растворения металла в пленке ХСП зависит от соотношения толщин слоев меди и ХСП, температуры подложки и состава ХСП. Максимальные скорости растворения Си в пленке Азбо8е40 достижимы при соотношении толщин слоев меди и ХСП равной 8. При увеличении температуры подложки скорость растворения меди в пленке А86о8е40 возрастает, а при температуре выше 340 К скорость растворения увеличивается скачком. Ниже критической температуры, равной 270 К, растворения Си в пленке Аз6о8е4о не наблюдается.

3. Показано, что сверхбыстрое растворение меди в пленке ХСП возможно в широком интервале составов АБхЗеюо-х, где х = 20 - 60, причем, скорость растворения возрастает с увеличением содержания в пленках селена. Максимальная концентрация растворенной меди в пленках системы Аб- 8е составляет 50 ат.%.

4. Обнаружено, что при спонтанной релаксации энергии упругой деформации в пленочной гетероструктуре М / ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. Металл, диффундируя в пленку ХСП, вступает в химическое взаимодействие с компонентами стекла, образуя новые химические соединения. Растворение Си в пленке ХСП прекращается с образованием устойчивых кристаллических соединений СизАзБеф

109

5. Методом рентгено-электронной спектроскопии установлено, что металл в модифицированных пленках ХСП, сосуществует в различных валентных состояниях Си2+, Си+, Си0, что способствует увеличению стеклообразующей способности системы Си-Аз-8е.

6. Процесс вхождения металла в пленку ХСП имеет суперионную природу. Высокая скорость растворения металла в пленке ХСП обусловлена ускорением ионов электронами. Коэффициент сопряженной диффузии достигает в стекле величины 107.

7. На основе модифицированных пленок ХСП, полученных при спонтанной релаксации, разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности.

8. Различная скорость травления легированных пленок ХСП в плазме активных газов позволяет использовать их в опто- и микроэлектронике в качестве эффективных фоторезистов с субмикронным разрешением.

110

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации представлены экспериментальные и теоретические результаты, впервые прояснившие характер взаимосвязи критических параметров спонтанной релаксации энергии упругой деформации, со сверхбыстрым растворением меди в пленке ХСП. Показано, что при спонтанной релаксации в гетероструктуре М/ХСП происходит структурно-химическое упорядочение. При этом изменяются оптические, электрические и физико-химические свойства полупроводника.

Модифицированные пленки, полученные при спонтанной релаксации, весьма чувствительны к внешним воздействиям. На их основе разработаны высокочувствительные прецизионные датчики температуры и влажности. Несмотря на все это существует множество проблем в понимании физической природы этого явления, что требует дальнейших исследований.

1. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР. Серия физ. 1956. - Т. 20. - В. 12. - С. 1496 - 1500.

2. Губанов А.И. Об изменении свойств полупроводников при плавлении // ЖТФ. 1957. - Т. 27.-В. 11.-С. 2510-2516.

3. Губанов А.И. К теории примесных уровней в аморфных полупроводниках // ФТТ. -1961. Т. 3. - В. 8. - С. 2336 - 2341.

4. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 34. - № 15. - P. 953 - 955.

5. Костышин M.T., Михайловская E.B., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках. // ФТТ. 1966. - Т. 8. - В. 2 -С. 571 - 572.

6. Flasch R., Izu М., Sapru К., Anderson Т., Ovshinsky S.R., Fritzsche Н. Optical and Electrical Properties of Modified Amorphous materials: Proc. 7th Inter. Conf. Amorph. and Liguid Semicond.- Edinburg, 1977. P. 524.

7. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стёкла. -Л.: ЛГУ, 1983.-344 с.

8. Борисова З.У. Некоторые особенности стеклообразования в халькогенидных системах // Неорг. Материалы. -1971. -Т. 7. № 10. -С. 1720- 1724.

9. Maruno S., Noda U., Yamada Т. Glass formation and thermal analysis in the arsenic sulfur - silver system // Yoguo Kyokai Shi. -1973. - V. 81. - P. 445 - 450.

10. Борисова З.У., Бычков Е.А., Тверьянович Ю.С. Взаимодействие металлов с халькогенидными стёклами. Л.: Изд. Ленингр. Универ., 1991.-252 с.

11. Owen Е.А. Electronic conduction mechanism in glasses // The glass industry. 1967. - V. 48. - P. 695 - 713.

12. Kawamoto J., Agatoi M., Tsuchihashi Sh. Structure of glasses in the Systems As2Se3 -T12S and As2Se3 -Ag2S // J. Ceram. Soc. Japan. 1974. -V. 82. - № 9. - P. 502 - 507.

13. Firth A.P., Owen A.E., Ewen P .J. Laser Raman Study of the structure of silver doped AsÄo glass // J. Phys. 1981. -V. 42. - № 10. - P. 903 - 906.

14. Elliot S.R., Rayment T.,Cummings S. Scattering studies of photo-structural changes in chalcogenide glasses // J. Phys. 1982. - V. 43. - № 12. - P. 35 -38.

15. Liang K.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studies of glassy CuAsSe2 and CuAs2Se3 alloys //Phys. Rev. B. 1974. - V. 10. - № 4. - P. 1528- 1538.

16. Hunter S.H., Bienenstock A., Hayer Т. H. Atomic coordination determinations in Cu-As2Se3 glasses using EXAFS // Proc. VII Conf. On amorphous and Liguid semiconductors. Edinburg. 1977. - P. 78 - 82.

17. Minami T // J. Non Ciyst. Solids. - 1985. - V. 73. - P. 273.

18. Kawamoto Y., Nishida M. // Phys. Chem. Glasses. 1977. - V. 18. - P. 19.

19. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М,: Мир, 1982. - Т. 1, 2. - 658 с.

20. Vlasov Yu.G., Bychkov Е.А. Ionic and electronic conductivity in the copper-silver-arsenic-selenium glasses // Solid State Ionics. 1984. - V. 14. - № 4. -P. 329-335.

21. Болтакс Б.И., Джафаров Т.Д., Кудоярова В.Х., Кратенко Н.Ф., Имамов P.M., Образцов A.A. Фотореакционная диффузия серебра в стеклообразном As2S3 // ФТП. -1979. Т. 13. - № 1. - С. 41.

22. Селезнев Б.Л., Каллион Р.Б., Бычков Е.А., Власов Ю.Г. Исследование транспортных процессов в халькогенидных стеклах системы серебро-медь- мышьяк-селен // Физ. хим. стекла. 1991. - Т. 17. - С. 154 - 159.

23. Костышин М.Т., Романенко П.Ф., Дембовский С. А., Виноградова Г.З. Фотохимические превращения в системах As2Se3-Ag, Ge-As-Se-Ag // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1971. - Т. 7. - № 1. -С. 210-213.

24. Boltaks B.I., Biktimirova V.Kh., Dzhafarov N.D. and et al. Diffusion, electric transport and effect of silver impurity on, electrical and optical properties of As2Se3 H Phys. Status Solidi (a). 1975. - V. 30. - P. 731.

25. Болтакс Б.И., Биктимирова B.X., Джафаров Т.Д. и др. В кн. Тр. Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. - Д.: Наука, 1976. - 269 с.

26. Nebauer Е., Suptitz P., Willert I. //Phys. Stat. Solidi (a). 1977. - V. 43. -P. 451.

27. Suptitz P., Willert I. Diffusion of gold and silver in amorphous As2S3 // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. - V. 28. - № 1. - P. 223 - 226.

28. Кудоярова B.X. Термическая и фотостимулированная диффузия примесей I группы в стеклообразных селениде и сульфиде мышьяка. Дисс. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук, JI. 1980. - 188 с.

29. Buroff A., Nebauer Е., Suptitz P., Willert I. Migration of silver and gold in amorphous As2S3 // Phys. Stat. Solidi (a). 1977. - Y. 40. - P. 195.

30. Кудоярова B.X., Мамонтова T.M., Чернышев JI.B, В кн.: Труды Международной конференции «Аморфные полупроводники 84» Габрово. - 1985. - С. 219.

31. Takeshi J., Kazujoshi К., Akio Н., Kazunobi Т. Photodoping of Ag into single crystal As2S3 // J. Phys. Soc. Jap. 1983. - V. 52. - P. 482 - 487.

32. Костышин M.T., Утешин Ю.В. Диффузионно-контролируемая чувствительность системы As2S3-Ag к облучению через слой металла // ФТП. 1982. - Т. 16. - В. 1. - С. 19 - 21.

33. Kolobov А.V., Kolomiets В.Т., Lyubin V.M., Taguirtdzhanov M.A. Photo-and thermal doping of chalcogenide vitreous semiconductors by zinc // Solid State Commun. 1985. - V. 54. - № 5. - P. 379 - 382.

34. Lyubin V.M., Kolobov A.V. Photoinduced processes in chalcodenide vitreous semiconductor-metal structures // J. Non Cryst. Solids. - 1987. -V. 90-P. 489-496.

35. Kolobov A. V., Bedel'baeva G.E. Effect of conductive substrate on dissolution and lateral diffusion of metals in vitreos chalcodenides // Philos. Mag. 1991.-V. В 63.

36. Matsuda A., Kikuchi M. Observations of fundamental process in Ag photodoping of amorphous As2S3 films // Suppl. to the J. Jap. Soc. Appl. Phys. 1973. - V. 42. - P. 239 - 248.

37. Goldschmidt D., Rudman P.S. The kinetics of photo-dissolution of Ag in amorphous As2S3 films II J. Non Ciyst. Sol. - 1976. -V. 22. - № 2. - P. 229 - 243.

38. Sakuma H., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. The photo-erasable memory effect associated with a conductive path formerd in Ag-doped chalcogenide glasses//Bull. Chem. Soc. Jap. -1977. V. 44. -P.1448; ibid, V. 44,-P. 1732

39. Shimizu I., Kokado H., Inoue E. The photo-erasable memory switching in Ag photo-doped chalcogenide glasses // Bull. Chem. Soc. Jap. 1973. - V. 46.-P. 3662-3665.

40. Shimizu I., Sakuma H., Kokado H., Inoue E. Metal- chalcogenide systems as imaging materials // Photogr. Sci. Eng. 1972. - V. 16. - P. 291 - 295.

41. Данько В.Ф., Индутный И.З. Касярум О.П., Коломиец В.В., Кудрявцев В.А., Минько В.И. Фотоиндуцированные процессы всветочувствительных системах ХСП-Ag // Препринт 8-89. ИФП АН УССР. -1989.-26 с.

42. Коломиец Б.Т., Лебедев Е.А., Казакова Л.П., Рогачев Н.А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка // ФТП. 1974. - Т. 8. - №.3. - С. 545 - 549.

43. Arai К., Kuwahata Т., Namikawa Н., Saito S. Electrical properties of silver -doped As-Se glasses // Jap. J. Appl. Phys. 1972. - V. 11 - № 7.- P. 1080- 1089.

44. Carcaly C., Houphouet-Boigny D. Electrical conductivity of Ag-As-Se glasses //J. Non- Cryst. Solids. 1986. - V. 86. - №. 2. - P. 271 - 284.

45. Ishikawa Т., Kitao M., Akao H., Yamada S. Electrical and optical properties of the amorphous As2Se3Agx system // Phys. Stat. Sol. (a). -1980.-V. 57.-P. 373-379.

46. Kawamoto Y., Nagura N., Tsuchikashi S. Dc conductivity of Ge-S-Ag and As-S-Ag glasses // J. Amer. Ceram. Soc. 1974. -V. 57. - P. 489 - 491.

47. Kawamoto Y., Nagura N., Tsuchikashi S. Properties of Ag-containing sulfide glasses // J. Amer. Geram. Soc. 1973. - V. 56. - P. 289 - 290.

48. Plocharski J., Przyluski J., Wycislik H., Photo-diffusion kinetics studies by means of elemental analysis of Ag doped As 2S3 glass // J. Non-ciyst. Solid. 1983. - V. 56. - № 2. - P. 325 - 330.

49. Huggett P.G., Frick K., Lehmann H.W. Development of silver sensitized germanium selenide photo-resist by reactive sputter etching in SF6 // Appl. Phys. Lett. 1983. - V. 42. - P. 592 - 594.

50. Lakshmikumar S.T. A new model for photo-diflusion of silver in amorphous chalcogenides // J. Non Cryst. Sol. - 1986 -V. 88. - № 1. -P. 196-205.

51. Matsuda A., Kikuchi M. Observations of photo-voltage in Ag photo-doping of amorphous As2S3 films//Solid State Commun. 1973.-V. 13. -№3 -P. 401 -403.

52. Kluge G. A new interpretation of the photo-doping effect amorphous As-and Ge- chalcogenides // Phys. Stat. Sol. (a). 1987. - V. 101. - № 1. - P. 105 -114.

53. Костышин М.Т.,Романенко П.Ф., Красноженов Е.П. О применимости правила Урбаха для описания светочувствительности и поглощения света полупроводниковыми слоями с примесями и дефектами // ФТП. -1968. -2. -№8.

54. Kokado H., Shimizu I., Inoue E. Discussion on the mechanism of Photo-doping // J. Non ciyst. Solids. - 1976. - V. 20. - P. 131 -139.

55. Ressel R., Kluge G., Suptitz P. Investigation of photo-doping kinetics in amorphous Ge-chalcogenides // J. Non cryst. Solids. - 1987 - V. 97 - 98. -P. 1247 - 1250.

56. Janai M. Photo-dissolution of in amorphous As2S3 films // Phys. Rev. Lett. -1981. V. 47. - № 8. - P. 726 - 729.

57. Lis S.A., Lavine J.M. Photo-doping of amorphous chalcogenides // Appl. Phys. Lett. 1983. - V. 42. - P. 675 - 677.

58. Lavine J.M., Lis S.A., Goldberg G.M., Masters J.J. Experiments on Ag-photo-doping of As2S3 // Proc, Electrochem. Soc. 1982. - V. 82 - 90. - P. 265-280.

59. Suzuki T., Hirose Y., Hirose H. A model of the photodoping mechanism in the Ag / As2S3 system // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. - V. 72. - № 2.1. P, 165 -168.

60. Костышин M.T. Минько В.И. О длинноволновой границе чувствительности систем полупроводник металл // ФТП. - 1979 -Т. 13.-В. 4.-С. 809-810.

61. Mizuno N., Tanaka К., Kikuchi M. Photo-and thermal diffusions of metals into As2S3 glass // Sol. State Commun. 1973. - V. 12. - № ю. - p. 999 -1001.

62. Ishikawa R. Photo-enhanced diffusion of Ag in amorphous Ge2S3 films //

63. Solid State Commun. 1979. - V. 30. - P. 99 - 102.

64. Ishikawa R., Kikuchi M. Photo-voltaic study of the photo-enhanced diffusion of Ag in amorphous films of Ge2S3 // J. Non-cryst. Solids. 1980. -V. 35-36.-P. 1061 - 1066.

65. Kokado H., Shimizu I., Tatsuno T., Inoue E. A photoelectric study of the interface between metallic silver and vitreous As2S3 // J. Non-Cryst. Solids. 1976.-V. 21.-№.2.-P. 225-232.

66. Goldschmidt D., Bernstein T., Rudman P.S. The kinetics of photodissolution of silver in amorphous AS2S3 films // Phys. Stat. Sol. (a). 1977 -V. 41. - P. 283 -287.

67. Любин B.M., Федорова Г.А. Получение и свойства тонких пленок многокомпонентных стеклообразных полупроводников // Изв. АН СССР Неорг.матер. 1970. - Т. 6. - № 10. - С. 1891 - 1892.

68. Honig V., Fedorov V.A., Liebmann G., Suptitz P. Ellipsometric investigation of Ag-photo-doping in amorphous chalcogenide thin films // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. - V. 96. - № 2. - P. 611 - 619.

69. Bajagopalan S., Yarshavardan K.S., Singh В., Chopra K.L. Photo- and electrochemical doping in Ge-based chalcogenides // J. De Phys. -1981 -V. C4.-P. 911 -914.

70. Rennie J., Elliot S. R., Jeynes C., Rutherford backscattering study of photo-dissolution of Ag in amorphous GeSe2// Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 48.-№.21.-P. 1430- 1432.

71. Sakuma N., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. A new amorphous semiconductors for optical memory // Proc. 3d Conf. on Solid State devices. Tokio. -1971. - P. 76 - 83.

72. Shimizu I., Sakuma N., Kokado H., Inoue E. Optical and electrical properties of photo-doped amorphous semiconductors //Bull of the chem. Soc. J. Japan. 1973. - V. 46. - № 5. - P. 1291 - 1294.

73. Ганин B.M. Оптические электро и фотоэлектрические явления вструктурах ХСП-металл // Дисс. канд. физ-мат.наук. Л: ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН.СССР. - 1978. - 192 с.

74. Ганин В.М.Б., Коломиец Б.Т., Любин В.М. Особенности фотопроводимости стеклообразных As2S3 и As2 Se3, легированных методами фото- и термодифузии // Письма в ЖТФ. 1979. - Т. 56. -В. 7. - С. 392 - 395.

75. Inoue Е., Kokado H., Shimizu I. Photo-doping of metal into chalcogenide glasses // J. Jap. Soc. Appl. Phys. 1974. - V. 43. - P. 101 -105.

76. Ewen P.J.S., Zakkeiy., Fivth A.P.,Owen A.E. Compositional dependence of Photo-dissolution kinetics in amorphous As-S films // J. Non-Cryst. Solids,-1987. V. a97/98. - P. 1127 - 1130.

77. Chatani K., Shimizu I., Kokado H., Inoue E. Influence of the localized structural transformation of As2S3 on the photo-doping rate of Ag // Japan J. of Apple. Phys. 1977. - V. 16. - № 2. - P. 389 - 390.

78. Кудоярова B.X., Болтакс Б.И. Термическая и фотостимулированная диффузия серебра в стеклообразном сульфиде мышьяка // Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-82». Бухарест. - 1982. - С. 166 -168.

79. Yamaguchi M., Shimizu I., Inoue E. Diffusion of silver associated with Photo-doping into amorphous chalcogenides // J. Non-Ciyst. Solids. 1982. - V. 47. - № 3. - P. 341 - 354.

80. Owen A.E., Firth A.P., Ewen P .J.S., Photo-induced structural and physico-chemical changes in amorphous chalcogenide semiconductors // Phill. Mag. B. 1985. - V. 52. - № 3. - P. 347 - 362.

81. Wagner T., Frumar M. Photo-induced diffusion of Ag in amorphous As40S60 layers // Proc. Int. Conf. " Non-Ciyst. Semiconductors-89".

82. Uzhgorod, USSR. 1989. - Pt. II. - P. 240 - 242.

83. Bedel'baeva G.E., Kolobov A.V., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Taguirdzhanov M.A. Photo-doping of As-S films with group II metals // J.

84. Non-Cryst. Solids. 1987. - V. 97/98. - P. 1243 - 1246.

85. Kolobov A.V., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Taguirdzhanov M.A. Photo-and thermal doping of chalcogenide vitreous semiconductors by zinc // Solid State Commun. 1985. - V. 54. - № 5 - P. 379 - 382.

86. Колобов A.B., Любин B.M. Фоторастворение цинка в стеклообразном As2Sз// ФТТ. 1982. - Т. 26. - В. 8. - С. 2522 - 2524.

87. Колобов А.В. Любин В.М. Эффект отрицательной фоторастворимости металла в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖТФ. 1985 - Т. 11. - В. 6. - С. 374 - 376.

88. Колобов А.В., Любин В.М., Трельтч И. Явление блокирования светом фотостимулированного растворения серебра в пленках стеклообразного сульфида мышьяка. 5 Всесоюз. конф. «Бессер. и необыч.фотогр. процессы» Черноголовка. 1988. - Т. 3. - С. 44.

89. Андриеш A.M., Ганин В.М., Коломиец Б.Т., Любин В.М., Циуляну Д.И. Эффект электрофотолегирования в ХСП // Письма ЖТФ. 1975. - Т. 1. -В. 12.-С. 578- 581.

90. Андриеш A.M., Циуляну Д.И., Ганин В.М., Коломиец Б.Т., Любин В.М. Электростимулированные фотохимические превращения в системах ХСП металл. // Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л.: Наука, 1976. - С. 456 - 459.

91. Андриеш A.M., Циуляну Д.И., Коломейко Э.П. Электродвижущаяся сила в тонкослойных структурах металл ХСП // Письма ЖТФ. - 1977. - Т.З.-С. 135- 137.

92. Циуляну Д.И., Чумаков И.С., Гриншпун Л.Б. Катодный эффект электростимулированных химических превращений в структурах металл- ХСП. //ФТП- 1983. -Т. 17.-В. 12. С. 2196-2198.

93. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. 1984. - Изд-во МГУ. - 189 с.

94. Kastner M.A. Defects chemistry and states in the gap of lone- pairsemiconductors I I J. Non cryst. Solids. - 1978. - V. 31. - № 1-2. - P. 223 -240.

95. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-generation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. - V. 37. -№. 22.-P. 1504- 1507.

96. Street R.A. Recombination in amorphous semiconductors // Phys. Rev. B-1978. V. 17. - № 10. - P. 3984 - 3995.

97. Street R.A. Non-radiative recombination in chalcogenide glasses // Solid State Commun. 1977. - V. 24. - № 5. - P. 363 - 365.

98. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic States in chalcogenide glasses // Phys. Rev. Lett. 1975. -V. 34.-№21.-P. 1346- 1350.

99. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic states in amorphous As // Solid State Commun. 1976. - V. 18.-№5.- P. 573 -576.

100. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors // Phys. Rev. B. 1977. -V. 15.-№4.-P. 2278-2294.

101. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys.1976. V. 25. - № 4. - P. 397 - 453.

102. Bishop S.G., Mitchell D.L. Photoluminescence exitation spectra in chalcogenide glasses // Phys. Rev. B 1973. - V. 8. - № 12. - P. 5696 -5703.

103. Kolomiets B.T.,Mamontova T.N., Babaev A.A. Radiative recombination in vitreous and single crystal As2S3 and As2Se3 // J. Non-Cryst. Solids. -1970. P. 289 - 294.

104. Kolomiets B.T.,Mamontova T.N., Vassilyev V.A. Fatique effect of photo-luminescence in glassy semiconductors // Amorphous and Liquid Semicond.: Proc. Int. Conf., Edinburgh. 1977. - P. 627 - 631.

105. Коломиец Б.Т., Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В. Зависимость «усталости» фотолюминесценции от состава в стеклообразных полупроводниках системы AstxSex// Физ. техн. полупроводн.1983. Т. 176. - № 9. - С. 1708 - 1710.

106. Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В. «Усталость» фотолюминесценции и неупорядоченность структуры As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн.1984. Т. 18. - № 3. - С. 536 - 538.

107. Mott N. F., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors // Phil. Mag. 1975. - V. 32. - № 5. - P. 961 -996.

108. Vardeny Z., Tauc J. Method for direct determination of the effective correlation energy of defects in semiconductors: Optical modulation spectroscopy of dangling bonds // Phys. Rev. Lett. 1985. - V. 54. - № 16. -P. 1844- 1847.

109. Панасюк Jl.M., Манушевич Г.Н., Гоглидзе Г.И., Провоторов В.Л. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики тонких слоев As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн. 1980. - Т. 44. - № 1. - С. 62 -68.

110. Shimakawa К. On the temperature dependence of a.c. conduction in chalcogenide glasses // Phil. Mag. B. 1982. - V. 46. - № 2. - P. 123 - 125.

111. Naito N., Nakaishi M., Matsushita Т., Okuda M. Gap state spectroscopy in amorphous As2Se3 films // J. Non-Cryst. Solids. 1985. - V. 77-78. - № 6. -P. 1183 - 1186.

112. Adriaenssens G.J., Hamman M., Michiel H., Marshall J.M. Spectral distribution of steady photo-conductivity in amorphous As2Se3 // Solids State Commun 1983. - V. 45. - № 6. - P. 465 - 469.

113. HammanM., Adriaenssens GJ., Grewendonk W. Steady-state photo-conductivity in amorphous arsenic selenide compounds // J. Phys. C.: Solids. State. Phys. 1985. - V. 18. - № 10. - P. 2151 - 2160.

114. Barclay R.P., Sarr M., Brebner J.L. Reversible metastable defect centres in amorphous arsenic triselenide // J. Non-Cryst. Solids. 1987. - V. 97-98. -pt. 2. - P. 687 - 690.

115. Попов А.Ю., Стыс JI.E., Цыбесков Л.В. Фотоэлектрическая спектроскопия глубоких уровней в пленках а As2Se3 // Физ. и техн. полупроводн. - 1987. - Т. 21. - № 12. - С. 2225 - 2227.

116. Вакаров Б.С., Стыс Л.Е., Фойгель М.Г., Цыбесков Л.В. Исследование локализованных состояний в запрещенной зоне триселенида мышьяка методом инжекдионных токов // Физ. и техн. полупроводн. 1985. -Т. 19.-№5.-С. 931 -933.

117. Pollard W.B., Joannopoulos J.D. Electronic structure of defects in amorphous arsenic // Phys. Rev. B. 1979 - V. 19 - № 8. - P. 4217 - 4223.

118. Elliott S.R., Davis E.A. Defects states in group- Y amorphous semiconductors //J. Phys. C.: Solid. State. Phys. 1979 - V. 12. - № 13. -P. 2547 - 2587.

119. Frumar M., Firth A.P., Owen A.E. A model for photoctructural changes in the amorphous As-S system // J. Non ciyst. Solids. - 1983 - V. 59 - 60. -№ 2. - P. 921 - 924.

120. Клингер М.И. Мягкие атомные конфигурации и механизмы фотостимулированных и радиационных процессов в стеклообразных системах // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн. наук. 1987. - № 4. -С. 58 - 66.

121. Klinger M.I. Glassy disordered system: topology, atomic dynamics and localized electron states // Phys. Rep. 1988. - V. 165. - № 5-6. - P. 275 -397.

122. Клингер М.И. Рождение и преобразование дефектов при релаксации электронных возбуждений в твердых телах (основные теоретические представления) // В кн.: Чтения памяти А.Ф. Иоффе, 1984. Л.: Наука. - 1986.-С. 53 -72.

123. Vlcek M., Frumar M. Model of photo-induced changes of optical properties in amorphous layers and glasses of Ge-Sb-S, Ge-S and As-Se systems // J. Non Cryst. Solids. - 1987 - V. 97-98. - Pt. 2. - P. 1223 - 1226.

124. Попов H.A. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в ЖЭФТ. 1980. - Т. 31. - В. 8. - С. 437 -440.

125. Попов Н.А. // Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Материалы конф. "Аморфные полупроводники-80".- Кишинёв: АН СССР, АН МССР. 1980. - С. 154- 157.

126. Минаев B.C. Электронная техника. Сер. материалы. 1981. - №.4 (153).- С. 48 53.

127. Минаев B.C. Кузнецов Ю.Н. Классификация стеклообразующих структурных единиц в халькогенидных стеклах // Сб. докл. конф. "Аморфные полупроводники-82". Бухарест: АН СССР. - 1982. - С. 97 -99.

128. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990.-279 с.

129. Dembovsky S.A., Chechetkina Е.А. Defekts and glass formation// J. Non-Cryst. Solids. 1984. - V. 64. - № 1. - P. 95 - 111.

130. Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. -416 с.

131. Martin Т.Р. Arsenic sulphide clusters// Solid State Commun. 1983. -V. 47. - № 2. - P. Ill -114.

132. Сандитов Д.С., Бартенев Г.М. Физические свойства неупорядоченных структур (молекулярон-кинетические и термодинамические процессы в неорганических стеклах и полимерах). Новосибирск: Наука, 1982. -259 с.

133. Бартенев Г.М., Сандитов Д.С. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Новосибирск: Наука, 1986. - 238 с.

134. Сандитов Д.С. Термодинамическая теория стеклования и модель флуктуационного свободного объема// Физ. и химия стекла. 1989. -Т. 15.-№4.-С. 513-519.

135. Кикинеши A.A. Концепция свободного объема и процессы структурной релаксации в модели фотоиндуцированных изменений халькогенидных стекол // Киев. 1987. 27 с. - Деп. в Укр НИИНТИ 11.06.87.-№ 1639.-Ук 87.

136. Вихров С.П. Неупорядоченное состояние и роль избыточной деформационной энергии в образовании высокоэнергетических дефектов // Сб. докл. Всесоюзного семинара «Новые идеи в физике стекла» М. 1987. - С. 41 - 48.

137. Немилов C.B. Валентно-конфигурационная теория вязкого течения переохлажденных стеклообразующих жидкостей и ее экспериментальное обоснование // Физика и химия стекла 1978. - Т.4. - № 2. - С. 129 - 148.

138. Вихров С.П. Роль энергии деформации в образовании дефектов и р типа проводимости в ХСП // В сб. : Материалы 3 Всесоюзного семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань, РРТИ, 1985. - С. 139 - 142.

139. Кобеко П.П. Аморфные вещества. М.-Л.: Изд. АН СССР, 1952. -432 с.

140. Маттис Б.Л. Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применение. Под ред. Л. Казмерски. М.: Мир. - 1983. - С. 9 - 23.

141. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. Пер. с нем. М.: Мир, 1986. - 558 с.

142. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Изд-во Ленинградского университета, 1972. - 247 с.

143. Шпотюк О.И. Индуцированные процессы и структурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Дисс. д.ф.-м.н. -Львов. - 1991.-346 с.

144. Gaczi P.J., Fritzsche H. Identification of photo-induced paramagnetic centers in AS43S57 glass by electron spin resonance. // Solid State Commun. -1981, V. 38. - № 1. - P. 23 - 26.

145. Шило В.П. Области стеклообразного состояния в сплавах халькогенидов. Автореферат дисс. канд. хим. наук, М. : ИОНХ, 1967. -18 с.

146. Горбов С.И., Крестников А.Н. Давление пара селенида мышьяка // ЖНХ. 1968. - Т. 13. - В. 6. - С. 1482 - 1487.

147. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 319 с.

148. Шкут В.А. Термическое напыление стеклообразных пленок сложного состава // ПТЭ. 1975. - № 5. - С. 230 - 231.

149. В.П.Хан, В.Я.Когай, Е.В. Александрович. Критические условия спонтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных структурах //ЖТФ. 1999. - Т. 69. - В. 8. - С. 128 - 129.

150. Гимпельсон В.Д., Родионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. -М.: Машиностроение, 1976.-328 с.

151. Урывский Ю.И. Эллипсометрия. Издательство ВГУ. Воронеж. -1971. 132 с.

152. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Под общей ред. Г.Хасса и Р.Э.Туна. T. IV. -М.: Мир, 1970.-440 с.

153. Любинская Р.И., Мардежов A.C., Хасонов Р., Швец В.А. Алгоритмы и программы для анализа эллипсометрических измерений. 1. Однослойные структуры. Препринт 1 86. АН СССР. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников. Новосибирск. - 1986. -40 с.

154. Альтшулер Г.Б., Ефимов H.H., Шакулин В.Г. Кварцевые генераторы. М.: Радио и связь, 1984. 232 с.

155. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М. : Радио и связь, 1983. -128 с.

156. Скворцов Г. Е. Динамические законы и супергидродинамика //

157. Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. - № 22. - С. 7 - 11.

158. Скорняков Г. В. Гипертермодинамика // Препринт ФТИ. 1981. № 740. - 25 с.

159. Тетерис Я.А., Рейнфелде М.Я. Атомный объем фотоиндуцированных изменений оптических свойств в Аз-Бе и АБ-Зе-П // Сб. докл. конф. «Аморфные полупроводники-84».- Габрово (Болгария). 1984. - Т. 1.- С. 60 62.

160. Когай В.Я., Александрович Е.В. Критические явления в самоорганизующихся пленочных структурах // Тез. докл. Международной конференции «Стекла и твердые электролиты». С-Петербург. 1999. - С. 83.

161. Гуревич Ю.Я. Твердые электролиты. М.: Наука, 1986. - 176 с.

162. Пригожин И. От существующего к возникающему. М.: Наука, 1985.- 327 с.

163. Ривьер Н., Даффи Д. Линейные дефекты и стеклование // В сб. статей Синергетика. Под ред. Кадомцева Б. М.: Мир, 1984. - С. 80 - 94.

164. Мазурин О.В. Стеклование. Л.: Наука, 1986. 158 с.

165. Geisz J. F., Kuech T-F-, Lagally M.G., Gardone F., Potemski R.M. Film stress of sputtered W/C multilayers and strain relaxation upon annealing // J.Appl. Phys. V. 75. - № 3. - 1994. - P. 1530 - 1533.

166. Street R.A., Mott N.F. States in the gap of glassy semiconductors. // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 35. - №. 22. - P. 1293 - 1297.

167. Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках // Успехи физических наук. 1978. - Т. 125. - №.4. - С. 707 - 730.

168. Колобов А.В. Фотостимулированные атомные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Дисс. докт. физ. мат. наук, Л. - 1991. - 445 с.

169. Teteris I. Photoinduced optical absorption in As-Se // Phys. Stat. Sol (a) -1984. -V. 83. № 1. - P. 47 -50.

170. Иваницкий В.П., Лукша О.В.,Ферцак Ю.Ю. и др. Структурные особенности и стимуллированная кристаллизация аморфных пленок халькогенидных полупроводников // Физ. электроника. 1982. - В. 23. -С. 102-114.

171. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 1. Short-range order in chalcogenide alloys // J. Non-Cryst. Solids. 1979. - V. 34. -№2.-P. 153-181.

172. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 2. Medium range order in chalcogenide alloys and a -Si(Ge) // J. Non-Crystalline Solids. 1981.-V. 43. № 1. - P. 37-77.

173. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline solids. 3. Kinetic model of the glass transition // J. Non-Crystalline Solids. 1981. V. 44. - № 1.1. P. 17-30.

174. Селезнев Б.JI., Бычков Е.Ф., Власов Ю.Г. Диффузия серебра в стеклах системы серебро-мышьяк-селен-теллур // Физика и химия стекла 1991. - Т. 17. - № 1. - С. 143 - 146.

175. Gurevich S.B. Ilyashenko N.N., Kolomiets В.Т., Lyulin V.M., Shilo V.P. Photostimulated changes of optical properties and structural of amorphous Se-As films // Phys. Stat. Sol (a). 1974. - V. 26. - № 2. - P. 127 - 130.

176. Хансен M., Андерко К. Структура двойных сплавов. Пер. с англ. М.: Металлургия. 1962. - Т. 1. - 608 с.

177. Филлипс Дж. Физика стекла. В сб.: Физика за рубежом. М.: Мир, 1983. - 178 с.

178. Александрович Е. В., Когай В. Я. Роль диспропорционирования легирующих металлов в стеклообразовании халькогенидных систем // Тезисы докл. Международной конференции «Термодинамика, химическое строение расплавов и стекол» С. -Петербург. 1999.

179. Хан В.П. Федотова И.В., Когай В.Я. Исследование процессов плазмохимического травления пленок состава Ge2oSe80 // Деп. в ВИНИТИ- 03.04.90. № 1769. - В. 90. - 20 с.

180. Хан В.П. Федотова И.В., Когай В.Я., Акашкин А. С. Структурные превращения и плазмохимическое травление фоточувствительных пленок ХГС // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1991.-№2.-С. 392-397.

181. Хан В.П. Федотова И.В., Когай В.Я. Плазмохимическое травление термически напыленных пленок ХГС, легированных серебром // Физика и химия обработки материалов. 1992. - № 1. - С. 78 - 81.

182. Yamamoto Y., Iton T., Hirose Y., Hirose H., Backscattering measurements of Ag photo-doping effect in As2 S3 glass // J. Appl. Phys. 1976. - V. 47. - P. 3603 - 3607.

183. Malinovski J., Buroff A., Photostimulated solid state reactions // Contemp. Phys. 1978. - V. 19. - P. 99 - 108.

184. Kitao M., Ishikawa T., Yamada S. Investigation of ionic conductivity in glassy As2S3:Ag // J. Non- ciyst. Solids. 1986. - V. 79. - №. 2. - P. 205 -207.

185. Meixner A.E., Chen C.H. Studies of Ag photodoping in glassy Ge-Se films by electron-energy-loss spectroscopy // Phys. Rev. -1983. B. 27. -№. 14. -P. 7489-7494.

186. Sherrel P.L., Thompson J.C. AC conductivity of Ag- doped bulk glassy As2Se3 // J. Non-cryst. Solids. 1977. - V. 24. - №. 1. - P. 69 - 76.

187. Shimakawa К., Nitta S., Mori Influence of silver additive on electronic and ionic natures in amorphous As2Se3 // Phys. Rev. 1978. - B. 18. -№. 11.-P. 4348-4354.

188. Клингер М.И., Карпов В.Г. Автолокализация электронных пар в структурах с туннельными состояниями (локальные центры с межэлектронным притяжением) // Письма в ЖТФ. 1980. - Т. 6. -№. 24. - С. 1473 - 1478.

189. Klinger M.I. Karpov V.G. Self-trapping of electron pairs in materials with tunneling states // Solid State Commun. 1981. - V. 37. - №.12. - P. 975 -978.

190. Kolobov A.V., Elliot S.R., Steel A. Structure of photodoped and thermally Zn-doped glassy arsenic fulfide films // Phys. Rev. B. -1990. -V. B41. — P. 9913-9920.

191. Oldale J.M., Rennie J., Elliot S.R. A comparative study of silver photodoping in chalcogenide films by means of EXAFS and kinetics measurements // Thin Solid Films. 1988. - V. 164. - P. 467 - 475.

192. Steel A.T., Greaves G.N., Firth A.P., Owen A.E. Photodissolution of silver in arsenic sulfide films an EXAFS study // J. Non-cryst. Solids. -1989.- V. 107.-P.155.

193. Danko V.A., Indutny I.Z., Minko V.I. Ionic transport in amorphous AS2S3 films photodoped with solver. -1989, Proc. Int. Conf. "Non-cryst. Semiconductors-90", Uzhgorod USSR. pt. 11. - P. 234.

194. Данько B.A., Индутный И.З., Минько В.И. Особенности фотостимулированного переноса серебра в тонкопленочной системе

195. As2S3 Ag I ! Автометрия - 1990. - № 6. - С. 67 - 71.

196. Чеботин B.H. Химическая диффузия в твердых телах. М. : Наука, 1989.-208 с.

197. Виноградова Г. 3. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. М.: Наука, 1984. 174 с.

198. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. Под ред. Земскова B.C. М.: Наука, 1978. - 198 с.

199. Коржуев М. А. Низкотемпературный предел коэффициента биполярной диффузии в суперионных проводниках со смешанной электронной и ионной проводимостью // ФТТ. 1992. - Т. 34. - №. 4. -С. 1209- 1211.

200. Коржуев М. А. О сверхбыстрой "химической" диффузии ионов и электронов в твердых телах // Неорганические материалы. 1998. Т. 34. - №. 4. - С. 53 - 57.

201. Дамаскин Б. Б., Петрий O.A. Электрохимия. М.: Высшая школа, 1987. - 296 с.

202. Физические величины. Справочник. Под ред. Григорьева И.С. и Мейликова Е.З. М.: Энергоиздат, 1991. - 1232 с.

203. Коржуев М.А., Баранчиков В.В., Абрикосов Н.Х., Банкина В. Ф. Влияние суперионного перехода на энтропию плавления Си 2.х Se. Поправки к формуле Кубашевского // ФТТ. 1984. - Т. 26. - №.7, -С. 2209-2212.

204. Khan V. P., Alexandrovich Ye.V. On n-type conductivity in chalcogenide glassy semiconductors. San Francisco, Proc. of 18 International Congress on Glass. (1998) ICG130 - P01 - 175 of CD -ROM Proc.

205. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных проводниках. Под ред. К.Д. Цэндина. СПБ: Наука, 1996. 486 с.

206. Когай В.Я., Замараев В.Н. Датчики влажности и температуры //1341. Участие соавторов работ

207. Руководитель лаборатории «Полупроводникового материаловедения» кандидат технических наук Хан В.П. принимал участие в постановке задачи, обсуждении результатов.

208. Научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Александрович Е.В. принимала участие в обсуждении результатов.

209. Доцент Удмуртского Государственного Университета, кандидат физико-математических наук Федотова И.В. помогала в проведении экспериментов и обсуждении результатов.

210. Старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук Коржуев М.А. принимал участие в обсуждении результатов.

211. Младший научный сотрудник Гранаткина Ю.В. принимала участие в обсуждении результатов.

212. Доцент Камского Политехнического института, кандидат технических наук Замараев В.Н. помогал в проведении экспериментов.