Сверхпроводимость неупорядоченных полупроводниковых сред тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости Двумерная сверхпроводимость в медно - оксидных сверхпроводниках

1.1. Новый класс и кристаллическая структура медно - оксидных сверхпроводников

1.2. Электронная структура сверхпроводящего слоя

1.3. Макроскопические магнитные свойства медно - оксидных сверхпроводников

1.4. Макроскопические квантовые эффекты 28 1.4.1. Предварительные исследования макроскопических квантовых эффектов в медно-оксидных сверхпроводниках

1.5. Явления переноса

1.6. Микроволновые исследования (СВЧ - отклик и когерентный пик проводимости)

1.6.1. Предварительные микроволновые исследования ВТСП

1.6.2. Когерентный пик проводимости

1.7. Магнитный порядок и сверхпроводимость

1.8. Модель высокотемпературной сверхпроводимости 59 Выводы

Глава 2. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости

Изменение топологии двумерного слоя - переход от слоистых сверхпроводников к кластерам

2.1. Слоистые сверхпроводники - первые Тс

2.2. Пространственные осцилляции двумерной решетки и Тс

2.3. Повышение Тс за счет структурной перестройки двумерных слоев

2.4. Пространственная модуляция и переход Мотта

2.5. Слоистые металлы - переход от дихалькогенидов переходных металлов к графитовым структурам

2.6. Кластеризация структуры графитовая плоскость - медь

2.6.1. Предварительные исследования структуры а - С:Н:Си и анализ результатов

2.6.2. Исследования структуры HOPG: Си, О и анализ результатов

2.7. Возможность повышения Тс в модели сверхпроводимости, основанной на представлениях «отрицательной корреляционной энергии состояний»

Выводы

Глава 3. Слабая сверхпроводимость в медь-кислородных структурах на основе селена

3.1. Электрическая неустойчивость в аморфном селене

3.2. Слабая сверхпроводимость в структурах YBCO-Se 109 Выводы

Глава 4. Возможность реализации сверхпроводящего состояния в полупроводниковых матрицах с токовым шнуром

4.1. Реализация «плоских» токовых шнуров на резкой гетерогранице

4.2. Сверхпроводимость в низкотемпературном GaAs

4.3. Токовые шнуры в n-Si

4.4. Токовые шнуры в p-Ge 131 Выводы

Глава 5. Слабая сверхпроводимость в медь-кислородных структурах на основе порошкообразного Сбо

5.1. Введение

5.2. Порошкообразные фуллериды Си„Сбо

5.2.1. Микроволновое поглощение системы Си„Сбо

5.2.2. Микроволновые свойства системы Си„Сбо

5.2.3. Магнитные свойства системы Си„Сбо

5.2.4. Наносекундный электрический транспорт системы Си„Сбо 167 Выводы

Глава 6. Слабая сверхпроводимость в медь-кислородных структурах на основе поликристаллического Ceo

6.1. Технологические аспекты и перспективы исследования

6.1.1. Структурное тестирование мембран

6.1.2. Медь-кислородные субструктуры в поликристаллических мембранах

6.2. Микроволновое тестирование поликристаллической мембраны

6.3. Микроволновое поглощение и диамагнетизм в медьсодержащих фуллереновых мембранах

6.4. Микроволновое излучение медьсодержащих фуллереновых мембранах при азотных температурах

6.5. Прямое наблюдение эффекта Мейснера в медьсодержащих фуллереновых мембранах

Выводы

Глава 7. Новые применения медьсодержащих фуллереновых мембран

7.1. Введение

7.2. Металлофуллереновые эквипотенциальные поверхности

7.3. Газовые сенсоры

7.4. Микроволновые антенны

7.5. Отражающие экраны на основе массивов Костаса

7.6. Следы реликтовых фуллеренов в природе: концепция поиска 225 Выводы

Глава 8. Новые технологические и диагностические приемы

8.1. Технология получения ВТСП образцов на основе Se

8.2. Технология получения ВТСП образцов на основе поликристаллического Сбо

8.3. Диагностика двумерной проводимости

8.4. Новые устройства для микроволновых исследований полупроводниковых матриц

8.5. Определение температуры токового канала полупроводниковых матриц

Выводы

Известно, что сверхпроводимость металлов существенно зависит от расположения атомов. Например, для висмута одни модификации не обнаруживают сверхпроводимость вплоть до 10~2 К, другие имеют Тс=3,9-8,5 К. Отметим, что обнаруживают сверхпроводимость и аморфные материалы. Неупорядоченная пленка висмута обладает Тс=6 К. Хотя был накоплен обширный материал по исследованию сверхпроводимости начиная с ее открытия в 1913г. Камерлингом Оннесом, однако до сих пор не найдено правило, предсказывающее это явление. Экспериментально было показано, что большую роль может играть атомный объем [1]. Если отложить зависимость атомного объема от порядкового номера (Рис. 1), то оказывается, что все сверхпроводники расположены в области малых значений объема («20А°).

Рис. 1. Атомные объемы элементов [1].

Для предсказании сверхпроводимости Б. Маттиас [1] предложил эмпирическое правило, согласно которому решающим для сверхпроводимости имеет среднее число валентных электронов, т. е. число электронов в незаполненной электронной оболочке, или номер группы периодической таблицы элементов. Чтобы быть сверхпроводником, металл или сплав должен иметь от 2 до 8 валентных электронов на атом. Комбинируя различные количества компонентов сплава можно приготовить сплав со средней концентрацией валентных электронов на атом между благоприятными концентрациями. Также утверждается, что для числа валентных электронов между 4 и 8 имеются максимумы температур перехода. На Рис. 2 представлена зависимость Тс от среднего числа валентных электронов пу для сплавов переходных металлов.

V;

I о-г К

4 5 6 7

Среднее число валентных электронов щ

Рис. 2.

Температура перехода как функция среднего числа валентных электронов для двух (1, 2) различных сплавов переходных металлов [1].

Итак, маленький атомный объем и определенное количество валентных электронов, сопутствующих сверхпроводникам, привели к точке зрения о том, что это явление присуще всем металлам (если они не переходят в магнитную фазу) [1]. Из теории Бардина - Купера - Шриффера (БКШ) следует уточнение, что металлы являются сверхпроводниками, если суммарное взаимодействие между электронами, как сумма фононного и кулоновского взаимодействия, положительно.

Например, медь, обладающая слабым электрон - фононным взаимодействием, не обнаруживает сверхпроводимости до предельных температур.

В модели БКШ температура сверхпроводящего перехода описывается [2]:

3,5кТс = 4Ьуьехр{-[К(8Р)У]"1}, где Уь - средняя фононная частота, V - матричный элемент взаимодействия, N(8^ -плотность состояний электронов на поверхности Ферми.

В металлах со стандартными значениями константы связи X = р\т(8р)У] < 0,3 и Ьуьк"1 « 400 К получаем Тс < 15 К. Значительное увеличение константы связи можно достичь, увеличивая И, т.е. синтезируя материалы с высокой плотностью состояний. Максимальная температура Тс=23 К, была достигнута для сплавов переходных металлов типа А3В в 1973 году. При низкой плотности состояний высокие Тс могут быть получены для большой величины электрон-фононного взаимодействия, которая для металлов не достигает больших значений за счет экранировки [2]. Известные к 1975 г. сверхпроводящие оксиды (перовскит [2]) при низкой плотности электронных состояний имели более высокую температуру перехода (Тс=13 К для перовскита) как раз за счет более сильной электрон-фононной связи. Идея реализации сильного электрон-фононного взаимодействия в системах с ян-теллеровскими ионами (например Си2+) за счет взаимодействия электронов с локальным искажением кристаллической решетки привела к обнаружению Беднорцем и Мюллером в 1985 г. в медно-оксидных соединениях Ьа и Ва сверхпроводящего перехода при температурах ниже 35 К. Если рассмотреть зависимость Тс от плотности электронных состояний на поверхности Ферми, то оказывается, что новые оксидные сверхпроводники при одинаковой плотности состояний с ранее известными сверхпроводниками, имеют более высокую Тс. На Рис. 3 представлена зависимость Тс от постоянной Зоммерфельда у ~ N(81-). Штриховая линия соответствует обычным сверхпроводникам.

Регистрация сверхпроводимости в медно-оксидных соединениях лантана и бария при температурах ниже 35 К стимулировала исследователей к поиску соединений с более высокой температурой сверхпроводящего перехода, и поэтому вопрос о предсказании сверхпроводимости становится как никогда актуальным.

100 10 1

Рис. 3. Зависимость Тсот постоянной Зоммерфельда [2].

После основополагающей работы Беднорца и Мюллера поиск происходил по наиболее простому пути - замене одних элементов другими с аналогичными химическими свойствами в соответствии с периодической таблицей элементов и учетом закономерностей, присущим сверхпроводящим металлам. Например, принимались во внимание соответствие ионных радиусов, или атомных объемов элементов (Рис.1). В 1987 г. при замене лантана на иттрий [2] (соединение УВагСизСЬ-у обозначенное в дальнейшем УВСО), получена температура Тс = 90 К. Сверхпроводящая фаза этого соединения имеет структуру слоистого перовскита с дефицитом по кислороду.

Основную роль в медно-оксидных сверхпроводниках играют плоскости СиСЬ, разделенные слоями других ионов. Другими словами, плоскости СиСЬ, образующие квадратную решетку ионов меди, связанных между собой через ионы кислорода (Рис. 4), определяют сверхпроводящие и металлические свойства нового класса сверхпроводников.

ВагУСи307 Ва(РЬ,В1)о5 • * а!15 о . ва(РЬ,зь)о3 / . V -о- /' . о. 5 ои0?«,М060Г7 о •

• №0 • •

• • о ПО

- йгПОг | | | I| |'|I-1—I, I I

10 100 у, мДмс/моль

Рис. 4.

Плоскость Си02 в купратном сверхпроводнике (а) и СиО со структурой №С1 (б) [3].

Установление такой взаимосвязи привело к исследованиям монооксида меди на близость его основных физических свойств к купратным сверхпроводникам. На возможность кристаллизации СиО в структуре №С1 (Рис. 4) указывается в работе [3]. Это позволяет кроме того увеличить вдвое активных для сверхпроводимости центров Си-О, что по мнению авторов [3] приведет к увеличению Тс.

Отметим, что еще до появления высокотемпературной сверхпроводимости было известно, что металлизация двумерной слоистой структуры щелочными металлами приводит к повышению сверхпроводящего перехода. Дисульфид молибдена (МоБг), слоистая структура, не является сверхпроводником вплоть до 1,28 К. Интеркалирование при помощи переходного металла (М) приводит к составу МхМо8г, где 0,1 < х < 0,5 и М - натрий или калий в нашем случае. Получено, что для натрия Тс=1,3 К, для калия - Тс=4,5 К [4]. Было установлено, когда такого типа структура из двумерной переходит в трехмерную, т.е. состоит из каркаса трехмерных металлических атомов, с ромбоэдрической структурой (т. к. углы близки к 90, метрическая система почти кубическая), температура перехода возрастает. К таким структурам относятся так называемые фазы Шевреля [5]: Mo6-xAxS6, где A-Cu, Mg, Zn, Cd, Ag, Sn, Pb. Максимальная температура Tc=13,2 К установлена для РЬ. Таким образом экспериментально установлено, что при изменении топологии от псевдодвумерной структуры до трехмерной происходит увеличение критической температуры.

Теоретически исследована еще одна возможность перестройки слоистой Cu02 структуры в трехмерную [6]. Согласно формуле Эйлера, замкнутый кластер типа (Cu02)„ образуется при помощи 8 треугольных и свободного количества квадратных плоскостей. В природе известен кластер типа (Cu02)i2. Это мурдоцит - РЬСи608С1. Его искуственный аналог только начинают изучать экспериментально и согласно работе [6] он не является сверхпроводящим.

Новый всплеск интереса к проблеме повышения Тс возник в связи с синтезом в 1985 году фуллеренов (Рис. 5) и обнаружением в 1991 г. сверхпроводимости в щелочноземельных фуллеритах. Появились многоатомные кластеры, позволяющие их использование в архитектуре сверхпроводящих соединений и моделировании кластерных структур. Примером повышения Тс (от 0,55 К до 18 К) является переход от интеркалированного слоистого графита КС8 до замкнутых гексагонов в сферу и реализации КзСво. Исследование медьсодержащих фуллереновых структур ранее не проводилось. Отметим, что известные работы по исследованию фуллереновых тонкопленочных структур на подложке из кристаллической меди не затрагивают вопросов сверхпроводимости.

Рис. 5. Кластер Сво.

В 1962 г. Б. Джозефсон высказал гипотезу, что туннельный переход может пропускать не только обычный ток квазичастиц, но и сверхток при нулевом напряжении из-за туннелирования конденсированных пар. Оказалось, что любая точно локализованная слабая связь в сверхпроводящей цепи также содержит сверхток, т.е. цепь ведет себя как единый сверхпроводник с критическими параметрами меньше обычных. Это явление названо П. Андерсоном слабой сверхпроводимостью. Исследования особенностей организации сверхпроводящего состояния в гранулированных ВТСП на макроскопическом уровне привели к созданию модели многосвязной джозефсоновской среды [7].

Следует подчеркнуть, что эффекты слабой сверхпроводимости в фуллереновых структурах (в том числе и гранулированных) ранее не рассматривались.

При исследовании низкотемпературных сверхпроводников было установлено, что критическая температура сильно зависит от присутствия дефектов или нарушения порядка в кристаллической структуре. Так например хорошо известно, что магнитные примеси разрушают сверхпроводящее состояние. Кроме того, влияние беспорядка на сверхпроводимость хорошо изучено для так называемых грязных сверхпроводников, т. е. неупорядоченных сплавов [8]. Речь идет об уменьшении Тс из-за влияния беспорядка и кулоновских эффектов - кулоновского отталкивания в присутствии примесей. При этом также расширяется область термодинамических флуктуаций вблизи Тс. После открытия высокотемпературной сверхпроводимости вопрос влияния дефектов также не остался без внимания. В основном рассматривались вопросы влияния кислородной стехиометрии на критическую температуру - дефицит кислорода по отношению к основной композиции УВСО понижает Тс. Кроме того локальные изменения чередования сверхпроводящих и нормальных слоев при различных терморежимах приводят к изменению критических параметров и рассматриваются как дефекты, связанные с кислородными вакансиями, уменьшающими Тс.

Сверхпроводящий переход в модели делокализованных пар слабо чувствует беспорядок, в тоже время существует класс низкотемпературных сверхпроводников, чувствительный к структурному состоянию, к ним относятся например мелкодисперсные конденсаты [9]. Для таких структур, типа аморфных полупроводников, построена модель, где существуют ковалентные центры связывания электронов, приводящие к сверхпроводящему переходу [9]. Таким образом строится модель, учитывающая существование узла, где происходит притяжение между электронами с противоположными спинами - так называемого и - минус центра. Оценка возможной температуры сверхпроводящего перехода для аморфных полупроводников дает значение Тс~10~3 К. До начала исследований по тематике данной работы, считалось, что для аморфного селена эта оценка выполняется. Для получения эффективного притяжения электронов на таких центрах, необходимо, чтобы притяжение через фононы преобладало над их кулоновским отталкиванием. Другими словами, размер молекул должен быть большим, т.е. ситуация может быть реализована для кристаллов из больших органических молекул. Эти молекулы должны обладать следующим свойством [10]: энергия системы из двукратно заряженной молекулы М"" и нейтральной молекулы М должна быть ниже энергии системы из двух однородно заряженных молекул М~ за счет взаимодействия электронов с внутримолекулярными колебаниями. К таким молекулам могут относится фуллерены. Экспериментальная реализация высокотемпературной сверхпроводимости на основе модели локального спаривания к началу наших исследований не была осуществлена.

В связи с вышеизложенным в настоящей работе была поставлена следующая цель: выявление и изучение явления сверхпроводимости в неупорядоченной полупроводниковой среде (на примере фуллерена и селена), содержащей медькислородные структуры.

В работе выделяется основное направление исследований - возможности создания медьсодержащих фуллереновых и структур селен - ВТСП, со свойствами, близкими к ВТСП - структурам. Это связано с предполагаемым общим характером образования сверхпроводимости в сопоставляемых объектах.

Таким образом представляемая диссертация посвящена экспериментальному электрофизическому исследованию медьсодержащих фуллереновых структур и ВТСП структур УВСО-Бе. Основные экспериментальные результаты для сопоставительных исследований на примере медь-оксидных высокотемпературных сверхпроводников получены начиная с 1988-1998 г.г., медьсодержащих фуллеридов, начиная с 1993-1999 г.г. Результаты по ВТСП - селеновым структурам получены в 1989-1990 г.г. Основная идея исследования сформировалась при изучении сверхпроводимости в ВТСП структурах в 1988г., и аморфных углеродных пленок, легированных медью в 1993 году.

В начале (Глава 1), проведен анализ экспериментальных данных по реализации двумерной сверхпроводимости в медно-оксидных сверхпроводниках. В данной главе рассматриваются микроволновые эксперименты, выполненные автором в первые годы после открытия ВТСП (1988 г.) на УВСО структурах. Данные эксперименты (когерентный пик проводимости, микроволновый отклик) являются приоритетными.

В первой главе рассматривает спектр электрических и магнитных свойств для медно-оксидных сверхпроводников. Приводятся сравнительные эксперименты по сверхпроводимости с учетом решения методических и технологических задач, связанных с регистрацией эффекта. Полученные закономерности позволили создать сравнительную классификацию эффекта. Во второй главе рассматриваются вопросы, связанные с изменением топологии двумерного слоя и как следствие, приводящие к увеличению критической температуры сверхпроводящего перехода. Проведенный анализ известных экспериментальных результатов позволяет сделать вывод о повышении Тс за счет кластеризации структуры. Приводятся экспериментальные результаты по кластеризации структуры графитовая плоскость-медь. Обсуждается возможный механизм кластеризации на основе возникновения II - минус центров. В третьей главе подробно исследуются медь-кислородные структуры на основе селена. Приводится сравнительный анализ микроволновых и транспортных свойств при больших перенапряжениях в наносекундном диапазоне длительностей. Представлены эксперименты по реализации слабой сверхпроводимости в УВСО-Бе полупроводниковых структурах (порошки, тонкие пленки и нити). Четвертая глава посвящена возможности получения сверхпроводящего состояния в полупроводниках с токовым шнуром. Рассматриваются результаты по созданию трехмерных и двумерных шнуров в различных полупроводниковых материалах (1гЮаА8/1пР, ОаАэ, п - р - (Зе).

В пятой главе подробно исследуются порошки и тонкопленочные фуллереновые структуры, легированные медью. Приводится сравнительный анализ электрических, магнитных, микроволновых свойств с известными для УВСО.

Шестая глава посвящена предложенному и подробно исследуемому новому фуллереновому объекту-поликристаллическим медьсодержащим образцам. Излагаются и анализируются экспериментальные результаты (микроволновое поглощение, диамагнетизм), свидетельствующие о существовании сверхпроводящего перехода, анализируются предложения по соответствию эксперимента существующим критериям.

В восьмой главе представлены технологические приемы, диагностики и устройства, разработанные при проведении исследований по теме диссертационной работы. Рассмотрены конкретные патенты по технологии изготовления ВТСП-приборов на основе полупроводниковых матриц (селен и фуллерен), диагностике двумерной проводимости, по устройствам для проведения микроволновых и шумовых исследований полупроводниковых матриц. Девятая глава посвящена обсуждению предлагаемой модели сверхпроводимости в медькислородных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. В заключении приведены основные выводы диссертационной работы.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Эффект высокотемпературной сверхпроводимости в структуре 8е-УВСО возникает в токовом канале аморфного селена.

2. Эффект высокотемпературной сверхпроводимости в медькислородной фуллереновой структуре возникает в неупорядоченной полупроводниковой фуллереновой среде с медькислородными кластерами.

3. Сверхпроводящее состояние в неупорядоченной среде определяется синхронизацией И-минус центров.

4. Технология создания нового класса структур типа аморфный селен-ВТСП и поликристаллический медькислородсодержащий фуллерен, и микроволновые методики для диагностики слабой сверхпроводимости в данных структурах.

Достоверность полученных экспериментальных результатов основана на использовании апробированных методик при исследовании хорошо изученных свойств высокотемпературных сверхпроводников и их соответствии с литературными данными. Достоверность интерпретации экспериментальных данных определяется большим количеством закономерностей, объясненных в рамках сопоставления с медно-оксидными сверхпроводниками.

Актуальность работы связана с вопросом получения сверхпроводников с температурой перехода в сверхпроводящее состояние выше азотных температур. Для ответа на этот вопрос необходимо выяснение другого важного вопроса - о природе сверхпроводящего состояния. Трудно рассчитывать на быстрое решение данного вопроса, учитывая сложное физико-химическое строение оксидных материалов. Построение микроскопической теории обычной сверхпроводимости заняло 46 лет! Экспериментальные исследования напротив могут привести к открытию совершенно новых соединений с высокими температурами сверхпроводящего перехода. Последний пример-фуллериды, легированные щелочными металлами, открывающие новую страницу в освоении высокотемпературной сверхпроводимости. Поиску новых экспериментальных возможностей получения более высоких температур перехода в сверхпроводящее состояние посвящена представляемая диссертация.

Другим аспектом актуальности является развиваемое в диссертации представление о повышение критической температуры за счет изменения пространственной топологии кластеров. В последнее время наблюдается повышенный интерес к таким исследованиям.

Полученные в работе экспериментальные результаты и предложенная для объяснения эффекта сверхпроводимости модель существенно расширяют наши познания о новых высокотемпературных сверхпроводящих материалах и природе сверхпроводящего состояния. Концепция Ц-минус центров, предложенная Андерсоном и впервые примененная в работе для фуллереновой структуры, позволит в будущем дать более полную интерпретацию природы явления сверхпроводимости в подобных структурах. Данное обстоятельство определяет практическую значимость работы для фундаментальных исследований. Практическая значимость работы также определяется рядом уникальных свойств, присущих как высокотемпературных сверхпроводникам, так и фуллереновым структурам в различных областях микро и наноэлектроники. Возможность использования фуллереновых мембран в качестве газовых сенсоров и транспортных мембран представляет большой интерес в биофизических применениях. Уже сейчас ведутся работы по применению фуллереновых порошков в качестве ионных селекторов в медицине. Полученные при участии автора мембраны с рекордными размерами (диаметром до сантиметра) могут стать основой создания нового класса приборов, аналогов активных биомембран. Применения в микроволновой технике связаны с созданием активных СВЧ - экранов и антенн с управляемым изменением диаграммы направленности.

Результаты диссертации могут быть использованы при научных исследованиях и практическом применении в следующих организациях: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, ГОИ им. С. И. Вавилова, СПбГТУ, СПбГУ, Рязанской Радиотехнической академии.

Научная новизна

1. Впервые проведено исследование сверхпроводящих свойств медькислородных фуллереновых структур и структур ВТСП-Бе.

2. Получено прямое доказательство существования высокотемпературной сверхпроводимости (эффект Мейснера, электромагнитный и микроволновые эффекты) в исследуемых структурах.

3. Установлен механизм слабой сверхпроводимости в медькислородных фуллереновых структурах и структурах ВТСП-8е.

4. Развито представление для описания модели сверхпроводимости на основе синхронизации и-минус центров в токовом канале селеновой неупорядоченной полупроводниковой среды (при эффекте переключения).

5. Впервые предложено использование модели сверхпроводимости на основе синхронизации и-минус центров для объяснения сверхпроводимости медькислородных фуллереновых структур.

6. Решена технологическая задача получения ВТСП структур на основе Бе и Сбо полупроводниковых матриц. Создан новый класс неупорядоченных структур типа ВТСП-селен и фуллереновых структур-твердых фуллереновых поликристаллических растворов и медьсодержащих фуллереновых растворов.

7. Предложены новые микроволновые методики определения параметров сверхпроводимости в исследуемых структурах.

Проведенные исследования вносят существенный вклад в развитие научного направления

СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СРЕД».

Настоящая работа является обобщением результатов исследований, проводившихся под руководством автора в соответствии с научными программами «Фуллерены и атомные кластеры» (Проект №98063) и Министерства образования Российской Федерации «Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России» (Проект №991144).

Личный вклад автора диссертационной работы заключается в том, что им были поставлены все основные цели и задачи, выбраны методы и объекты исследований, получены основные научные результаты и предложена основная модель для объяснения сверхпроводимости. Во всех опубликованных в соавторстве работах в части, касающейся магнитных, микроволновых, наносекундных экспериментов, а также технологии получения структур на основе селена участие автора было определяющим. Обобщение и анализ представленного к защите материала выполнено ¿втором.

Апробация работы

Основные результаты, составившие содержание диссертации, докладывались: -на Международных конференциях MRS-96, 97, 98 ; IWFAC95, 97, 99; и др. -на Всероссийских конференциях;

-на семинарах кафедры экспериментальной физики СПбГТУ, ФТИ им.

А. Ф. Иоффе и института физики полупроводников АН Литвы.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 67 печатных работ. Все основные работы опубликованы в ведущих Российских и зарубежных журналах (ФТТ, ФТП, Письма ЖТФ, ЖТФ, FST, Int. Journ. of MM and SUBMM Waves, и др.). Имеется 11 изобретений по теме диссертации. Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из Введения, 9 Глав и Заключения. Объем диссертации составляет 317 страниц, в том числе 229 страниц текста, 134 рисунков и 12 таблиц. Список литературы состоит из 229 названий. Основные результаты представлены в работах, отмеченных в общем списке литературы знаком (*). Оригинальные экспериментальные исследования представлены в виде рисунков, отмеченных как Рис.

Основные выводы работы можно представить следующим образом:

1. Создан новый класс неупорядоченных структур типа ВТСП-селен и фуллереновых структур-твердых фуллереновых поликристаллических растворов и медьсодержащих фуллереновых растворов.

2. Разработаны микроволновые методики определения параметров сверхпроводимости.

3. Доказано существование высокотемпературной сверхпроводимости (эффект Мейснера, электромагнитный и микроволновые эффекты) в исследуемых структурах.

4. Предложено использование модели сверхпроводимости на основе синхронизации Ц-минус центров для объяснения сверхпроводимости медькислородных фуллереновых структур.

5. Развито представление для описания модели сверхпроводимости на основе синхронизации ЦТ-минус центров в токовом канале селеновой неупорядоченной полупроводниковой среды (при эффекте переключения).

В заключении хочу выразить признательность своим близким коллегам -соавторам, сотрудникам и руководству кафедры экспериментальной физики СПбГТУ за доброжелательное и дружественное отношение. Особую благодарность я хочу высказать сотрудникам ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Это в первую очередь - моему постоянному соавтору Олегу Игоревичу Конькову, а также Евгению Ивановичу Терукову, которые стояли у «истоков» проведенных фуллереновых исследований и которым я обязан очень многим.

Благодарю Владимира Ивановича Иванова-Омского за постоянную поддержку работы и Сергея Гурьевича Ястребова за эффективное сотрудничество при исследовании аморфного углерода. Я признателен моим соавторам при исследовании двумерной проводимости - Алексею Тихоновичу Гореленку и Владимиру Васильевичу Мамутину. Хочу выразить благодарность Сергею Васильевичу Козыреву за постоянную поддержку и сотрудничество при становлении тематики работы. Я также признателен Валерию Юрьевичу Давыдову за доброжелательное отношение и помощь в проведении рамановских исследований.

Особо хочу отметить определяющую роль моих учителей в формировании научного направления исследований. Юрий Васильевич Шмарцев предложил в 1983 году провести исследования гетероструктур с двумерным электронным газом, что послужило началом цикла работ по реализации «плоских» токовых «шнуров», а в 1990 году Вадим Федорович Мастеров поддержал исследования по созданию ВТСП -структур на основе селена, а в последствии и медьсодержащих фуллеренов.

Я навсегда сохраню светлую память о моих замечательных учителях Юрие Васильевиче Шмарцеве и Вадиме Федоровиче Мастерове, благодаря которым и появилась данная диссертация.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным результатом диссертационной работы является существенное развитие научного направления

Сверхпроводимость неупорядоченных полупроводниковых сред».

Установлено, что неупорядоченное состояние в фуллереновых структурах реализуется за счет создания медькислородных субструктур с неоднородным зарядовым распределением в графитовой плоскости. При этом существенным является процесс кластеризации таких плоскостей.

Для структур на основе селена происходит кооперативное взаимодействие и -минус центров под воздействием электрической неустойчивости. Таким образом, процесс образования «шнура» тока является существенным для формирования сверхпроводящего состояния в селеновой матрице.

Один из основных вопросов при исследовании новых сверхпроводников является вопрос о реализации сверхпроводимости при температурах, превышающих азотную и приближающихся к комнатной. В этой связи многообещающими являются эксперименты по кооперативному взаимодействию Ц-минус центров в токовом «шнуре».

Представляется разумным «реабилитация» такого направления исследований как явление переключения в аморфных полупроводниках. Полученные экспериментальные значения шумовых температур в токовом «шнуре» селена хорошо вписываются в оценочные значения критических температур, полученных в модели сверхпроводимости II - минус центров.

Разработанные технологические приемы для создания исследуемых структур на основе селен - ВТСП и фуллерен - медь являются приоритетными и позволяют реализовать в них явление слабой сверхпроводимости. Показано, что данные структуры могут найти применение в приборах микроволновой электроники.

Разработанные микроволновые диагностики полупроводниковых матриц могут служить для диагностики двумерной проводимости.

1. БукельВ. Сверхпроводимость//М.: Мир. 1975. 368 С.

2. Плакида Н. М. Высокотемпературные сверхпроводники//М.: Международная программа образования. 1996. 288 С.

3. Красинькова М. В. О возможной природе высокотемпературной сверхпроводимости (Тс=200 К) окиси меди//Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 7. С. 1-3.

4. Somoano R. В., Rembaum A. Superconductivity in intercalated molybdenum disuffide/ZPhys. Rev.Let. 1971. Vol. 27. №7. P. 402-404.

5. Matthias В. Т., Marezio M., Corenzwit E., Cooper A. S., Barz H. E. High-temperature superconductors, the first ternary system//Science. 1972. Vol. 175. P. 1565-1466.

6. Regueiro M. D., Regueiro M. N. Cu02 fullerenelike clusters//Recent advances in the chemistry and physics of fullerenes and related materials. Ed. К. M. Kadish, R. S. Ruoff /The Electrochemical Soc. Inc. 1994.Vol. 94-24. P. 647-657.

7. Мастеров В. Ф. Макроскопические квантовые эффекты в ВТСП// Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования. Сб. Статей. Вып.1/Под ред. Проф. А. А. Киселева. Л.: Машиностроение. Ленинградское отд. 1990. С. 405-445.

8. Булаевский Л. Н., Панюков С. В., Садовский М. В. Неоднородная сверхпроводимость в неупорядочных металлах//ЖЭТФ. 1987. Т. 92. Вып. 2. С. 672-688.

9. Кулик И. О. Педан А. Г. Фазовый переход в модели «сверхпроводящего стекла»//ЖЭТФ. 1980. Т. 79. Вып. 4. С. 1469-1480.

10. Ю.Булаевский Л. Н. Собянин А. А., Хомский Д. И. Сверхпроводящие свойства систем с локальными парами//ЖЭТФ. 1984. Т. 87. Вып. 4. С. 1490-1500.

11. П.Гинзберг Д. М. Введение, история открытия и обзор свойств высокотемпературных сверхпроводников//Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников/ Под ред. Д. М. Гинзберга. М.: Мир. 1990. С. 8-38.

12. Freeman A. J., Yu J., Massidda S. Local density electronic structure and excitonic superconductivity in the high Tc Cu-oxides//Progress in high temperature superconductivity. 1988. Vol. 17. P. 17-45.

13. Абрикосов А. А. Основы теории металлов//М.: Наука. 1987. 519 С.

14. Шибанова Н. М., Потапов В. В., Баранова Н. М., Николайчук Г. А. Выращивание, структурные особенности и микроволновые свойства ВТСП-кристаллов в системе Вь8г-Са-Си-0//Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1983. Т. 6. №3. С. 597-603.

15. Мастеров В. Ф., Лихолит И. Л., Федоров А. В., Шибанова Н. М., Духовская Е. Л. Особенности микроволнового поглощения в монокристаллических образцах состава В128г2СаСи208//Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1992. Т. 5. №12. С. 2235-2241.

16. Орлов С. И. Расчет и конструирование коаксиальных резонаторов//М.: Советское Радио. 1970. 256 С.

17. Мастеров В. Ф. Козырев С. В., Штельмах К. Ф., Федоров А. В. Квантовые свойства электромагнитного эффекта в керамиках типа Y-Ba-Cu-О (1:2:3)//Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 14. С. 1277-1280.

18. Nuss М. С., Mankiewich Р. М., О Malley М. L., Westerwick Е. D. Dynamic conductivity and coherence peak in УВа2Сиз07 superconductors//Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. №25. P. 3305-3308.

19. Bonn D. A., Dosanjh P., Liang R., Hardy W. N. Evidence of rapid suppression of quasiparticle scattering below Tc in YBa2Cu?07-x//Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68. №15. P. 2390-2393.

20. Holczer K., Forro L., Mihaly L., Gruner G. Observation of the conductivity coherence peak in superconducting Bi2Sr2CaCu20g single crystals//Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. №1. P. 152-155.

21. Бароне А., Патерно Дж. Эффект Джозефсона: физика и применения//М.: Мир. 1984. С. 341-361.

22. Ginzburg V. L. Notes on high-temperature superconductivity//Prog. Low Temp. Phys.1989. Vol. 12. P. 1-44. 38.3айман Дж. Принципы теории твердого тела//М.: Мир. 1974. 472 С.

23. Kuwata S., Kinase W. Role of modulated structure in high -Tc superconductors//Jpn. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. №2. P. 764-769.

24. Красинькова M. В., Мойжес Б. Я. О купратных сверхпроводниках с аномально высокими TJ/OTT. 1990. Т. 32. №10. С. 2975-2978.

25. Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников//М.: Наука. Гл. редакция физ. мат. лит. 1979. 416 С.

26. Mott N. F. The basis of the electron theory of metals, with special reference to the transition metals//Proc. Phys. Soc. A. 1949. Vol. 62. Part 7. № 355A. P. 416-422.

27. MOTT H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах// М.: Мир. 1982. 662 С.

28. Булаевский Л. Н., Гусейнов А. А. Влияние примесей на существование неоднородного состояния в слоистых сверхпроводниках//ФНТ. 1976. Т. 2. №3. С. 283-288.

29. Brandt N. В., Chudinov S. М., Ponomarev Ya. G. Semimetals. 1. Graphite and its compounds/Modern problems in condensed matter sciences. 1988. Vol. 20.1. P. 218.

30. Brandt N. В., Ponomarev Ya. G. Semimetals. 1. Graphite and its compounds/ZModern problems in condensed matter sciences. 1988. Vol. 20.1. P. 466.

31. Werner Н., Wohlers М., Bublak D., Belz Th., Bensch W., Schlogle R. Electronic properties of fullerenes//Ed. H. Kusmany, I. Fink, V. Mehring, S. Roth. Springer-Verlag. Berlin-Heidelberg. 1993. P. 16.

32. Pace M. D., Christidis Т. C., Yin J. J. EPR of a free radical in C60: effect of 02//J. of Phys. Chemistry. 1992. Vol. 96. № 17. P. 6855-6858.

33. Уббелоде А. Р., Льюис Ф. А. Графит и его кристаллические соединения//М.: Мир. 1965. 119 С.

34. Уббелоде А. Р. Плавление и кристаллическая структура//М.: Мир. 1969. 249 С.

35. Биндер К., Хеерман Д. В. Моделирование методом Монте-Карло в статистической физике//М.: Наука. 1995. 110 С.

36. Хеерман Д. В. Методы компьютерного эксперимента в теоретической физике//М.: Наука. 1990. 112 С.

37. Грачева М. Е., Кашурников В. А., Руднев И. А. Динамика вихревой решетки в токовом состоянии высокотемпературных сверхпроводников: метод Монте-Карло//Физика низких температур. 1999. Т. 25. №2. С. 148-152.

38. Грачева М. Е., Кашурников В. А., Никитенко О. А., Руднев И. А. Плавление вихревой решетки в слоистом ВТСП в поле дефектов//Физика низких температур. 1999. Т. 25. №10. С. 1027-103.

39. Попов Б. П., Цэндин К. Д. Модель высокотемпературной сверхпроводимости в низкокоординатных полупроводниках и полимерах//Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. №7. С. 45-50.

40. Main С., Owen А. Е. Current noise in vitreous semiconductors// Phys. St. Sol (a). 1970. Vol. 1. P. 297-306.

41. Абдуллаев Г. Б., Абдинов Д. Ш. Физика селена//Баку: ЭЛМ. 1975. 404 С.

42. Colligan М. В., Van Vliet К. М. Noise properties of n-type gold-doped silicon//Phys.Rev. 1968. Vol. 171. P. 881-890.

43. Lanyon H. P. D., Spear W. E. Space change limited current flow and deep trapping in selenium//Proc. Phys. Soc. 1960. Vol. 77. №6. P. 1157-1165.

44. Волков А. Ф., Коган Ш. М. О возникновении неоднородного распределения тока в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью//ЖЭТФ. 1967. Т. 52. Вып. 6. С. 1647-1656.

45. Boer К. W., Ovshinsky S. R. Electrothermal initiation of an electronic switching mechanismin semiconducting glasse//J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. №6. P. 2675-2681.

46. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводниках//Аморфные полупроводники/Под ред. М. Бродски. М.: Мир. 1982. С. 55-95.

47. Baranowski J. М., Liliental-Weber Z, Yau W.-F., Weber E. R. Evidence for superconductivity in low-temperature-grown GaAs//Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. №23. P. 3079-3082.

48. Li Y. К., Huang Y., Fan Z., Jang С., Mei X. В., Zhou J. M., Mao J. C., Fu J. S., Wu E. Superconductivity related to indium-diffused GaAs//J. Appl. Phys. 1992. Vol.71. № 4. P. 2018-2020.

49. Harris R. D., Newton J. L., Watkins G. D. Negative-U defect: Interstitial boron in silicon//Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36. №2. P. 1094-1104.

50. ЮЗ.*Приходько А. В., Таурас В. К. Исследование координатного распределения радиационной температуры в полупроводнике с токовым шнуром//ФШ. 1986. Т. 20. Вып. 6. С. 1118-1120.

51. Makarenko L. F., Murin L. I. Trapping of minority carriers in thermal U" donors in n-Si//Phys. Stat. Sol.(b). 1988. Vol. 145. №1. P. 241-253.

52. Литвинов В. В., Пальчик Г. В., Уренев В. И. О перестраивающихся термодонорах в германии//ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 8. С. 1366-1370.

53. Елецкий А. В., Смирнов Б. М. Фуллерены//УФН. 1993. Т. 163. №2. С. 33-60.

54. Мастеров В. Ф. Физические свойства фуллеренов//Соросовский образовательный журнал. 1997. №1. С. 92-99.

55. Kratschmer W., Lamb L. D., Fostiroponlos К., Hoffman D. R. Solid C6o: a new form of carbon//Nature. 1990. Vol. 347. .№ 6291. P. 354-358.

56. Hebard A. F., Rosseinsky M. J., Haddon R. C., Murphy D. W., Glarum S. H., Palstra Т. Т. M., Ramirez A. P., Kortan A. R. Superconductivity at 18 К in potassium-doped C60//Nature. 1991. Vol. 350. P. 600-601.

57. Allemand P. M., Khemani К. C., Koch A., Wudl F., Holczer K., Donovan S., Gruner G., Thompson Joe D. Organic molecular soft ferromagnetism in a fullerene C6o//Science. 1991. Vol. 253. №5017. P. 301-303.

58. Пб.Кведер В. В., Мчедлидзе Т. Р., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И. Особенности СВЧ-потерь сверхпроводящей керамики в магнитном поле//Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 46. Приложение. С. 176-179.

59. Khamas S. К., Mehler M. J., Maclean T. S. M., Gough С. Е., Alford N. McN., Harmer M. A. High-Tc superconducting short dipole antenna/ZElectr. Lett. 1988. Vol. 24. №8. P. 460-461.

60. Малоземофф А. П. Макроскопические свойства высокотемпературных сверхпроводников//Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников/ Под ред. Д. М. Гинзберга. М.: Мир. 1990. С. 69-162.

61. Weiyan G. Observation of the Wohlleben effect in HoBa2Cu307-s films//Appl. Phys. Lett. 1995. P. 2748-2750.

62. Булаевский Л. H., Кузий В. В., Собянин А. А. Сверхпроводящая система со слабой связью с током в основном состоянии/Шисьма в ЖЭТФ. 1977. Т. 25. С. 314-318.

63. Jantsch W., Heinrich Н. A method for subnanosecond pulse measurements of I-V characteristics//Rev. Sci. Instr. 1970. Vol. 41. №2. P. 228-230.

64. Reynolds J. M., Hemstreet H. W., Leinhardt Т. E. The electrical resistance of graphite at low temperature//Phys. Rev. 1953. Vol. 91. №5. P. 1152-1155.

65. Гусаковская И. Г., Пирумова С. И. Атовмян JL О. Фазовые переходы в 1-2-3 керамике в области температур 95-300 К//Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1990. Т. 3. №8. С. 1980-1990.

66. Островский В. С., Виргильев Ю. С. Костиков В. И., Шипков Н. Н. Искусственный графит//М. 1986. 272 С.

67. Моругин Л. А., Глебович Г. В. Наносекундная импульсная техника// М.: Радио и связь. 1964. 623 С.

68. Blanc Е., Buergi Н. В., Restori R., Schwarzenbach D., Stellberg P.,Venugopalan P. Single-crystal X-ray diffraction study of the room temperature structure and orientational disorder of C70//Europhys. Letters. 1994. Vol. 27. №5. P. 359-364.

69. Hebard A. F., Haddon R. C., Fleming R. M., Kortan A. R. Deposition and characterization of fiillerene film//Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59. №17. P. 2109-2111.

70. Sundar C. S., Bharathi A., Hariharan Y, Janaki J., Sastry V. S., Radhakrishnan T. S. Thermal decomposition of C60//Sol. State communs. 1992. Vol. 68. №8. P. 823-826.

71. Valsakumar M. S., Subramanian N., Yousuf M., Sahu P. Ch., Hariharan Y., Bharathi A., Sastry V. S., Janaki J., RAO G. V. N., Radhakrishnan T. S., Sundar C. S. Crystal structure and disorder in solid C70//Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. №12. P. 9080-9085.

72. Fartash A. Growth and micro structure of interfacially oriented large-crystalline-grain Ceo sheets//Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. №14. P. 1877-1879.

73. Brandt N. В., Chudinov S. M., Ponomarev Ya. G. Semimetals. 1. Graphite and its compounds/ZModern problems in condensed matter sciences. 1988. Vol. 20.1. P. 12.

74. Brandt N. В., Chudinov S. M., Ponomarev Ya. G. Semimetals. 1. Graphite and its compounds/ZModern problems in condensed matter sciences. 1988. Vol. 20.1. P. 216.

75. David W. I. F., Ibberson R. M., Mathewman J. C., Prassides K., Dennis T. J. S., Hare J. P., Kroto H. W., Taylor R., Walton D.R.M. Crystal structure and bonding of ordered C60//Nature. 1991. Vol. 353, №6340. P. 147-149.

76. Wen C., Li J., Kitazawa K., Aida Т., Honma I., Komiyama H., Yamada K. Electrical conductivity of a pure Ceo single crystaWAppl. Phys. Letters. 1992. Vol. 61. №18. P. 2162-2163.

77. Mort J., Ziolo R., Machonkin M., Huffman D. R., Ferguson M. I. Electrical conductivity of undoped solid films of CW/Chem. Phys. Letters. 1991. Vol. 186. №2/3. P. 284-286.

78. Prassides K. Structure and dynamics of Ceo and C70// Electron, properties of fullerenes. Ed. H. Kusmany, J. Fink, V. Mehring, S. Roth. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg. 1993. P. 139-145. (Springer ser. Sol. State Sci. Vol. 117).

79. He P., Xu Y., Zhang X., Zhen X., Li W. Electrical conductivity studies of a pure C6o single crystal//! Phys. Cond. Matter. 1993. Vol. 5. №37. P. 7013-7016.

80. He P., Xu Y., Zhang X., Li W. Anomaly of high temperature conductivity on Сбо single crystal// Sol. State Communs. 1994. Vol. 89. №4. P. 373-374.

81. Arai Т., Murakami Y., Suematsu H, Kikuchi K., Achiba Y., Ikemoto I. Resistivity of single crystal C6o and effect of oxygen//Sol. State Commun. 1992. Vol. 84. № 8. P. 827-829.

82. Blaschko O., Glas R., Maier Ch., Haluska M., Kuzmany H. Heterophase fluctuations near the 260 К transition and the absence of reflections with half-integer indices in a Ceo single crystal//Phys. Rev. b. 1993. Vol.48. №19. P. 14638-14641.

83. Akers K., Fu K., Zhang P., Moskovits M. Order-disorder transition in polycrystalline C60 films//Science. 1993. Vol. 259.35098. P. 1152-1154.

84. Duclos S. J., Haddon R. C., Glarum S. H., Hebard A. F., Lyons К. B. The influence of oxygen on the Raman spectrum of C6o fullerene films//Sol. State Communs. 1991. Vol. 80. №7. P. 481-484.

85. Самохвалов А. А., Арбузова Т. И., Виглин Н. А., Наумов С. В., Галахов В. Р., Зацепин Д. А., Котов Ю. А., Саматов О. М., Клещев Д. Г. Парамагнетизм в системах на основе монооксида меди//ФТТ. 1998. Т. 40. № 2. С. 295-298.

86. Dresselhaus М. S., Dresselhaus G. Intercalation compounds of graphite//Adv. Phys. 1981. Vol. 30. P. 139-326.

87. Медьсодержащий фуллерид-новый высокотемпературный сверх провод ник//Научно-технические ведомости СПбГТУ. 2000. №3. С. 18-25.

88. Ильченко M. Е. Диэлектрические резонаторы// М.: Радио и связь. 1989. 328 С.

89. Малоземофф А. П. Макроскопические свойства высокотемпературных сверхпроводников//Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников/ Под ред. Д. М. Гинзберга. М.: Мир. 1990. С. 102.

90. Grosser R., Jager J., Betz J., Schoepe W.//Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. №16. P. 2400-2402.

91. Shull R. D., Swartzendruber L. J., Chiang С. К., Wu M. К., Peters P. N., Huang С. Y. Magnetic lévitation by attraction in some high Tc superconductors//Progress in high temperature superconductivity. 1988. Vol. 17. P. 328-339.

92. Grosser R., Jager J., Betz J., Schoepe W. Damping of the oscillations of a permanent magnet levitating between high-Tc superconductors//Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67.№16. P. 2400-2402.

93. Хьюнер Б., Клинкахорн П., Овертон Е. Б. Применение гибридных кварцевых генераторов в мониторе толщины напыленного слоя//Приборы для научных исследований. 1988. №6. С. 172-175.

94. Вонсовский С. В. Магнегизм//М.: Наука. 1971. 1032 С.

95. Camp J. В., Darling Т. W., Brown R. E. Macroscopic variations of surface potentials of conductors//! Appl. Phys. 1991. Vol. 69. №10. P. 7126-7129.

96. Ким Й., Джаггард Д. Л. Фрагментарно-самоподобные (фрактальные) случайные решетки//ТИИЭР. 1986. Т. 74. №9. С. 124-126.

97. Kroto Н. W. Spase, stars, С60, and soot//Science. 1988. Vol. 242. P. 1139-1145.

98. Di Brozolo F. R., Bunch Т. E., Fleming R. H., Macklin J. Fullerenes in an impact crater on the LDEF spacecraft//Nature. 1994. Vol. 369. №6475. P. 37-40.

99. Dityatev A. A., Polyakov S. N., Epanchintsev O. G., Blinov V. M., Bezmelnitsin V. N. Transformation of fullerite with diamond particles under shock-wave treatment/ZBook of abstracts ofIWFAC97. St. Petersburg. 1997. P. 285.

100. Blank V. D., Buga S. G., Serebryanaya N. R Phase transformations in solid C6o at high pressure high temperature treatment and the structure of 3D polymerized fullerites/ZPhysics Letters. 1996. Vol. 220. №1/3. P. 149-157.

101. Korneyev A. E., Epanchintcev O. G. Morphology, structure and mechanical properties of superhard carbon phase synthesized from fullerite at shock wave loading//Book of abstracts of IWFAC97. St. Petersburg. 1997. P. 198.

102. Ефимова Э. С., Соболев H. В. Распространенность кристаллических включений в алмазах Якутии//ДАН СССР. 1977. Т. 237. №6. С. 1475-1478.

103. Шумилова Т. Г. Особенности образования алмазов Кумдыкольского типа// Проблемы золотоносности и алмазоносности севера европейской части России. Петрозавдск. 1997. С. 115-117.

104. Включения в алмазе и алмазоносные породы//М. 1991. С. 102.

105. Куликова В. В., Куликов В. С. Черные и белые курильщики в докембрии: миф или реальность//Тезисы докладов межд. симп. «Углеродсодержащие формации в геологической hctophh-CFGH98». 2-7 июня 1998 г. Петрозаводск. 1998. С. 24-25.

106. Хазов Р. А., Попов М. Г., Бискэ Н. С. Трубки взрыва в Карелии//ДАН СССР. 1985.Т. 285. №4. С. 975-977.

107. Бирюлин Ю. Ф., Вуль А. Я., Ионова И. К., Коньков О. И., Макарова Т. Д, Михеев В. П., Саксеев Д. А., Теруков Е. И., Шульбах В. А. Начальные стадии образования фуллереновой пленки на кремниевой подложке//ФТТ. 1995. Т. 37. №10. С. 31243129.

108. Kitazawa К., Araki Т. Fullerenes technology//!арап Patent № 92-88197. 05. 10.92.

109. Денис. В. И., ПожелаЮ. К. Горячие электроны//Вильнюс. Минтис. 1971. С. 133.

110. Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ//М.: Советское Радио. 1968. 418 С.

111. Денис. В. И., ПожелаЮ. К. Горячиеэлектроны//Вильнюс. Минтис. 1971. С. 222.

112. Fischer J. Е., Heiney P. A. Order and disorder in fullerene and fulleride solids//! Phys. Chem. Solids. 1993. Vol. 12. P. 1-25.