Термодинамика и кинетика образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

1. Точечные дефекты и их ассоциаты в полупроводниках.

1.1. Точечные дефекты в полупроводниках и их классификация.

1.2. Вакансии в полупроводниках.

1.3. Ассоциаты точечных дефектов и их классификация по типу взаимодействия.

1.4. Кластеризация точечных дефектов.

1.5. Термодинамика образования точечных дефектов.

Актуальность работы

В последнее время в связи с развитием новых технологий микро- и наноэлектроники резко возрос интерес к ассоциированным дефектам. Понимание процессов взаимодействия дефектов может способствовать созданию новых технологий на основе управления комплексообразованием. За рубежом интенсивно развивается новое направление физики полупроводников, получившее название defect engineering, базирующееся на моделировании управления процессами дефектообразования.

Одним из наиболее важных вопросов для направления defect engineering является вопрос об энтальпии и энтропии образования вакансий, однако до сих пор нет согласия относительно их численных значений. Так например, в различных источниках приводятся значения энтальпии образования вакансий в кремнии в интервале от 3 до 5 эВ. Причина этого разброса данных может быть в том, что при исследовании термодинамики образования вакансий необходимо учитывать многозарядность вакансий и положение уровня Ферми.

Для совершенствования современных технологий, необходимо дальнейшее развитие теоретических моделей образования ассоциатов, а также определение их параметров. Это важно как для замены длительных и дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием, так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежит взаимодействие дефектов. Несмотря на большое количество работ, посвященных данной теме, эта проблема остается актуальной и недостаточно изученной.

В данной работе с помощью предложенных кинетических и термодинамических моделей, описываются различные процессы взаимодействия дефектов с участием вакансий.

Цель исследований и постановка задачи

Целью настоящей работы является теоретическое исследование кинетики и термодинамики образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

Ь. Изучалось влияние электронной подсистемы на термодинамику образования вакансий и их комплексов в кремнии и германии.

2. Проводилось моделирование процессов образования вакансий и их комплексов в полупроводниках с различным легированием.

3. Развивалась кинетическая модель образования комплексов из 2-х дефектов, на основании которой определялись параметры комплексообразования из экспериментальных кривых изохронного отжига.

4. Исследовалась кинетика роста кластеров на центрах зарождения в виде комплексов с участием вакансий.

Научная новизна

1. Получены выражения для равновесной концентрации точечных дефектов в элементарных и многокомпонентных полупроводниках с учетом комплексообразования, многозарядности дефектов и вырождения электронной подсистемы, которые более точно описывают кривые растворимости дефектов в высокотемпературной области.

2. Получены теоретические выражения и рассчитаны концентрации вакансий в кремнии с учетом их многозарядности.

3. Разработаны термодинамическая и кинетическая модели образования комплексов из двух дефектов, хорошо описывающие экспериментальные результаты, полученные после изохронного отжига.

4. Разработана новая теоретическая модель описания кинетики кластеризации, учитывающая геометрию кластера и диффузионный механизм роста скоплений. Данная теория описывает как стадию роста, так и стадию коалесценции.

Практическая ценность

1. Разработан алгоритм обработки экспериментальных данных (с учетом вырождения электронной подсистемы) с целью получения термодинамических параметров растворимости примеси в полупроводниковом кристалле.

2. Предложен алгоритм обработки кривых изохронного отжига, позволяющий определять термодинамические и кинетические параметры комплекса, а в некоторых случаях и его структуру.

3. Показано, что процесс образования вакансий и их комплексов зависит от типа легирующей примеси.

4. Предложен алгоритм определения концентрации вакансий в разных зарядовых состояниях в зависимости от температуры и типа легирующей примеси. Найдены энергетические параметры образования вакансий. Эти результаты могут служить входными параметрами задачи моделирования управления процессами дефектообразования.

Положения, выносимые на защиту

1. На процессы образования вакансий и ассоциации дефектов влияет электронная подсистема, т.е. образование вакансий и их комплексов зависит от типа и концентрации легирующей примеси.

2. Процесс комплексообразования наиболее эффективно проходит в температурном интервале, ограниченном в области низких температур диффузией наиболее подвижной компоненты комплекса, а в области высоких температур скоростью развала комплексов.

3. Временная зависимость роста скоплений зависит от механизма роста (диффузионного или реакционного) скоплений и его геометрии.

4. Рост кластеров лития в германии происходит на комплексах вакансия -атом кислорода. Кластеры лития являются фрактальными с размерностью 2.4.

Апробация

Основное содержание работы докладывалось на научных семинарах и конференциях в Ульяновском государственном университете на физико-техническом факультете.

По материалам диссертации были представлены доклады и тезисы на следующие семинары и конференции: Международная конференция «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 2000), международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (г. Ульяновск, 2001).

Доклады представлялись на ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов в УлГУ на физико-техническом факультете, а также на других научных семинарах.

Личное участие автора

Основные теоретические положения разработаны совместно с профессором Булярским C.B. и докторантом Светухиным В.В. Численное моделирование выполнено автором самостоятельно.

Публикации

Основное содержание работы изложено в 7 публикациях, приведенных в списке работ автора диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и приложения. Материал изложен на 184 страницах, включает 68 рисунков, 5 таблиц и библиографический список из 124 наименований.

ВЫВОДЫ К ДИССЕРТАЦИИ

1. Получены выражения для образования точечных дефектов и их ассоциатов с учетом многозарядности и вырождения подсистемы.

2. Проведено термодинамическое рассмотрение образования вакансий и дивакансий в кремнии с учетом их многозарядности.

3. Найдены энтальпия и энтропия образования вакансий: Шу =3.4±0.1 эВ, = 7.7 ±0.1 к и дивакансий: АНУ2 =-3.6 ±0.1 эВ, А$у2 = -7.9+ 0.1 к в кремнии.

4. Показано влияние электронной подсистемы на термодинамику образования комплекса вакансия - атом примеси. Рассмотрены комплексы вакансии с О, В, А1, ва, Р, Аз, 8Ь в кремнии. Показано, что энтальпия образования комплекса вакансия - междоузельный кислород (А-центр) составляет около 2.3 эВ .

5. Проведено моделирование термодинамики образования вакансий и дивакансий в кремнии, легированном В, А1, ва, Р, Аэ, 8Ь. Влияние электронной подсистемы может приводить к ретроградной зависимости концентрации вакансий и дивакансий от температуры.

6. Показано, что сильное легирование донорной примесью может приводить к существенному увеличению концентрации вакансий в кремнии (Ю18 -ИО19 ом-3).

7. Развиты термодинамические и кинетические модели образования комплекса из двух дефектов. Проведено качественное моделирование кинетических кривых образования комплексов для разных температур отжига, зависимости равновесной концентрации комплексов от температуры, а также кривых изохронного отжига для разных времен отжига

8. Разработан алгоритм определения параметров комплекса по кривым изохронного отжига. На основе обработки кривых изохронного отжига показано, что энергия образования комплексов У-ве и У-С составляет 0.5 эВ, а энергия активации диффузии вакансии в кремнии около 0.3 эВ.

9. Получены решения кинетических уравнений, описывающих рост кластеров дефектов на центрах зарождения при диффузионном механизме присоединения частиц.

10. Показано, что рост кластеров лития в германии происходит на комплексах вакансия - атом кислорода. Кластеры 1л в Ое являются фрактальными с размерностью 2.4.

Основное содержание работы изложено работах [117-124].

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА НА ТЕМУ ДИССЕРТАЦИИ

1. Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский C.B., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2000. Вып. 1 (8), стр. 30 - 34.

2. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. Труды международной конференции «Оптика полупроводников» Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, стр. 162.

3. Bulyarskii S.V., Svetukhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., Ilin P.A. Fractal Lithium Clusters Growth in Germanium // Phys. stat. sol.(b) 231, №1, 2002, p. 237-242.

4. Агафонова O.B., Бортников K.C. Влияние электронной подсистемы на кинетику и термодинамику образования комплексов из двух дефектов. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 8.

5. Булярский C.B., Светухин В .В., Агафонова О .В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8., стр 897 - 899.

6. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Фрактальная размерность кластеров лития в германии. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 4.

7. Булярский C.B., Светухин В.В., Дзис Е.А., Агафонова О.В. Термодинамика взаимодействия гемоглобина с кислородом. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. - Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 13.

1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М: Наука, 1977

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В двух томах М.: Мир, 1984

3. Шалимова К.В. Физика полупроводников М: Энергия, 1971

4. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлурги я. 1988. с. 259

5. Ланно М, Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. М., 1961. с. 230

6. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. с. 240

7. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. с. 296

8. Болтакс Б.И. Диффузия полупроводников. М.: Энергия, 1971

9. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -Ленинград: Наука, 1972, 384 с.

10. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М: Радио и Связь, 1981, -248 с.

11. Фистуль В. И. Новые материалы (состояние проблемы и перспективы). М.: МИСИС ,1995. с. 142

12. Фистуль В.И. Беседы о ХТТ и ФТТ. М., 1994. с. 120

13. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М., 1945

14. Блайкмор Дж. Физика твердого состояния. М.: Металлургия, 1972. с. 488

15. Вавилов B.C. Киселев В.Ф. Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.,1990, с. 216

16. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968, -314 с.

17. Винецкий В.J1., Холодарь Г.А. Статическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969, -230с.

18. Bulyarskii S.V.,01einikov V.P. Termodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. stat. sol.(b) 141,1987, p. K7-K10

19. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. -М.:Мир, 1969, -654 с.

20. Вавилов B.C., Ухтин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М: Атомиздат, 1969, - 199 с.

21. Сб. статей: Радиационно-активируемые процессы в кремнии. Ташкент, Фан, 1977

22. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. -М.: Высшая школа, 1993, -352 с.

23. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М: Наука, 1967, -250 с.

24. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та,1995, -250 с.

25. Куликов Г.С., Малкович Р.Ш.// ФТП, 1995, 29, №5, с. 937

26. Горушкина Е.Д., Малкович Р.Ш. // ФТП, 1995, 29, №5, с. 908

27. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы. М.: 1986, -230 с.

28. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. М: Наука, 1979, -420 с.

29. Маркевич В.П., Мурин Л.И. // ФТП, т.25, №2, 1991, с.262.

30. Бринкевич Д.И., Маркевич В.П., Мурин Л.И. // ФТП, т.26, №4, 1992, с.682

31. Бабич В.М., Барин Н.П., Доценко Ю.П. // ФТП, т.26, №3, 1992, с.447

32. Corbett J.W., Watkins G.D., Cherenco R.M. Mc Donald R.S. // Phys. Rev. -1961, v. 121, №4, p. 1015-1022

33. F. Bailly. Lattice defects in semiconductors, 231. Univ. of Tokyo Press, Tokyo (1968)

34. R.A. Swalin. J. Phys. Chem. Sol., 18, 290 (1961)

35. К.Н. Benneman. Phys. Rev., 137, A1497 (1965)

36. A.Scholz, A. Seeger. Phys. St. Sol., 3, 1480 (1963)

37. T. Soma, M. Saeki, A. Morita. J. Phys. Soc. Japan, 35, 146 (1973)

38. J.C. Phillips, J.A. van Vechten. Phys. Rev. Lett., 30, 220 (1973)

39. B.A. Пантелеев. ФТТ, 19, 1801 (1977)

40. В. И. Окулич. Автореф. канд. дис. ГГУ им. Н.И. Лобачевского, Горький (1976)

41. L. Elstner and W. Kamprath, Phys Status Solidi, 22, 541 (1967)

42. G.D. Watkins, in Deep Centers in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986)

43. R. Car, P.J. Kelly, A. Oshiyama and S.T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 54, 360 (1985)

44. Van Vechten, Phys. Rev. В 33, 2674 (1986)

45. J.A. Van Vechten and C.D. Thurmond, Phys. Rev. В 14, 3539 (1976); 14, 3551 (1976)

46. F.J. Demond, S. Kalbitzer, H. Mannsperger, and H. Damjantschitsch, Phys. Lett. 93A, 503 (1983)

47. G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys. Rev. 134, A1359 (1964)

48. T.Y. Tan and U Gosele, Appl. Phys. A 37, 1 (1985)

49. Машовец T.B. Термодефекты в полупроводниках, ФТП, Т. 16, в. 1, (1982) стр. 3-18

50. S. Dannefaer, P. Mascher and D. Kerr, Monovacancy Formation Enthalpy in Silicon, Phys. Rev. Lett. Vol. 56, Num 20 (1986)

51. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 10, 1482 (1974)

52. J.A. Van Vechten, J. Electrochem. Soc. 122, 419 (1975)

53. J.A. Van Vechten, in Handbook on Semiconductors, edited by S.P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3, Chap. 1

54. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 11, 3910 (1975)

55. Y. Bar-Yam and E. Sun, J. Appl. Phys. 47, 3776 (1976)

56. G.D. Watkins, in International Conference on Lattice Defects in Semiconductors, Freiburg, Germany, 1974 (IOP, London, 1975), p. 1

57. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 12, 1247 (1975)

58. J.A. Van Vechten and J.F. Wager, Phys. Rev. В 32, 5259 (1985)

59. A. Seeger and K.P. Chik, Phys. Status Solidi 29, 455 (1968)

60. A. Chantre, M. Kechouane, and D. Bois, Physica 116B, 547 (1983)

61. A. Chantre, Appl. Phys. Lett. 46, 263 (1985)

62. E. Weber and H.G. Riotte, J. Appl. Phys. 51, 1484 (1980)

63. Y.H. Lee, R.L. Kleinhenz, and J.W. Corbett, Appl. Phys. Lett 31, 142 (1977)

64. R.E. Whan, Phys. Rev. 140, A690 (1965)

65. R.A. Logan, Phys. 101, 1455 (1956)

66. H. Letau, W.M. Portnoy, and L. Slifkin, Phys. Rev. 102 (1956)

67. A. Hiraki, J. Phys. Soc. Jpn. 21, 34 (1966)

68. F.A. Kröger, in The Chemistry of Imperfect Crystals, Ref. 30, p.p. 317, 318, and 446

69. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. М: Металлургия, 1995, в 2-х томах

70. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т.1. Теория. М.:Мир, 1985, -230 с.

71. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М:Металлургия,1984, 349с.

72. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М: Наука, 1967, -415 с.

73. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материаллахи приборах. Кишинев, 1978, -230 с.

74. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -Л. 1978,-240 с .

75. Слезов В.В., Шмельцер Ю. Максимальное число частиц новой фазы, зарождающихся при распаде твердых растворов.// ФТП, 1997, т.39 (12), с. 2210-2216

76. Кукушкин С.А., Осипов A.B. Кинетика фазовых переходов первого рода на асимптотической стадии. //ЖЭТФ, 1998, 113 (6), стр. 2186-2208

77. Кукушкин С.А., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких пленок. // УФН, 1998,168(10), стр. 1083-1115

78. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций. М: Мир, 1972, -556 с.

79. Болдырев В.В. Реакционная способность твердых веществ, Новосибирск, СО РАН, 1997, -304 с.

80. Успехи физики металлов,т.1, М: Металлургиздат, 1956, -322 с.

81. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys.Chem.Solids.1958. V.6. P.335-350.

82. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J.Appl.Phys. 1959. V.30. 40. P.1518-1525

83. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation.// J.Appl.Phys. 1959. V.30. .6.P.915-927

84. Бриллиантов H.B., Крапивский П.Jl. Кинетическая модель кластеризации дефектов в твердых телах. //ФТТ. 1989. Т.31, №2, с. 172-181

85. Волощук В.М. Кинетическая теория коагуляции, Л:Наука, 1984.-315 с.

86. Эрнст М. Кинетика образования кластеров при необратимой агрегации. / Фракталы в физике, под ред. Л. Пьетронеро и Э.Тозатти, М:Мир, 1988, с.399-430

87. Дубровский В.Г. Об одном точном решении управляющих уравнений модели обратимого роста. // ТМФ, т. 108, №2, с.327-335

88. Черемской П.Г.,Слезов В.В.,Бетехтин В.И. Поры в твердом теле.-М: Энергоатомиздат, 1990, -390 с.

89. Слезов В., Шмельцер Ю. Начальная стадия диффузионного распада твердых растворов. // ФТП, 1994, т.36 (2), с.353-362

90. Слезов В.В. Диффузионная скорость роста макродефектов в ансамблях. //ФТТ, т.31, №8, с.20-30

91. Клушин Л.И., Скворцов A.M., Горбунов А.А. Точно решаемая модель, демонстрирующая фазовые переходы первого и второго рода. // УФН, т.168, №7, стр. 719-729

92. Weiser К. Theory of solubility of interstitial impurities in germanium and silicon. //J. Phys. Chem. Solids, v. 17 (1-2), p.149-161

93. Weiser K. Theoretical calculation of distribution coefficients of impurities in germanium and silicon. Heats of solid solution. // J. Phys. Chem. Solids, v. 17 (1-2), p.149-161

94. Булярский С.В. Фистуль. В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. с. 352

95. Weisser K.//J. Phys. Chem. Solids. 1958. V.15.N2. P. 118 126

96. Волков Д.А. Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Квантовохимический метод расчета энтальпии растворения примеси III-V групп в кремнии и германии. М., 1994

97. Волков Д.А., Фистуль В.И. Топологическая оценка вероятности образования точечных дефектов в кристаллах AnIBIV со структурой сфалерита. //ФТП. 1990. Т.24. В.З. с. 475 478

98. Волков Д.А., Фистуль В.И. Метод расчета энергии связи изовалентных примесей в тетраэдрических полупроводниках. // ФТП. 1993. Т.27. В.З. с. 431 -437

99. Bulyarskii S.V., Oleinikow V.P. Thermodynamics о f Defects Formation and Defect Interaction in Compound Semiconductor.// Phys. St. Sol. (b) Vol. 146,1988, p.439-442

100. Булярский C.B., Светухин B.B., Львов П. Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов. // ФТП, 2000, №4. с. 385-389

101. Светухин В.В., Булярский C.B. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, №2, с. 246-250

102. Глазов В.М. Изменение пределов эффективности легирования германия путем варьирования соотношения концентрации доноров и акцепторов // МЭТ, 1998, №2. с. 15-18

103. Глазов В.М., Потемкин А .Я. Экспериментальные исследования совместной растворимости меди и сурьмы в германии. // журнал физ. хим. т.73. №9. 1999. с. 1537

104. Захаров A.M., Диаграммы состояния двойных и тройных систем. М.: Металлургия, 1990, с. 250

105. Глазов В.М., Потемкин А. Я. Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса. // ФТП. 2000. том 34. вып. 5. с. 513-518

106. Булярский C.B. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах. Кишинев: Штиница, 1987, 103 с.

107. Булярский C.B., Комлев A.B. Влияние потенциального взаимодействия на процессы растворения примесей Al, Ga, As, Р в кремнии. // Неорганические материалы, 1997, т.ЗЗ (2), с. 134-138

108. Ш.Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М: Металлургия, 1992, -240 с.

109. Наумов О.В., Смирнов JI.C., Стась В.Ф. Природа центров Ее 0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости // Физика полупроводников, 1997, т.31, № 8, стр. 993 997

110. M.V. Smoluchowski Z. Phys. Chem., 92,192 (1917)

111. Н.Г. Ван Кампен. Стохастические процессыв физике и химии М: Высшая школа, 1990 '

112. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии. // ФТП, 1999, т. 33, вып. 11, стр. 1281 1286

113. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991, 136 с.

114. Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский C.B., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2000. Вып. 1 (8), стр. 30-34

115. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В. Термодинамика образования вакансий и дивакансий в кремнии. Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2002. В печати

116. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. Труды международной конференции «Оптика полупроводников» Ульяновск: Изд-во У л ГУ, 2000, стр. 162

117. Bulyarskii S.V., Svetukhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., Ilin P.A. Fractal Lithium Clusters Growth in Germanium // Phys. stat. sol.(b) 231, №1, 2002, p. 237-242

118. Агафонова O.B., Бортников К.С. Влияние электронной подсистемы на кинетику и термодинамику образования комплексов из двух дефектов. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 8

119. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8., стр 897 899

120. Булярский C.B., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Фрактальная размерность кластеров лития в германии. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. -Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 4

121. Булярский C.B., Светухин В.В., Дзис Е.А., Агафонова О.В. Термодинамика взаимодействия гемоглобина с кислородом. Оптика, оптоэлектроника и технологии: Труды международной конференции. -Ульяновск: УлГУ, 2001, стр. 13