Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ И ИХ АССОЦИАТОВ С УЧЕТОМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДЕФЕКТОВ МЕЖДУ СОБОЙ И С ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМОЙ.

1.1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

1.2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ И ИХ АССОЦИАТОВ С УЧЕТОМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ С ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМОЙ.

1.3. АЛГОРИТМ РАСЧЕТА ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ С ДЕФЕКТАМИ.

1.4. РАСЧЕТ АКТИВНОСТИ ПРИМЕСИ В РАСПЛАВЕ ДВУХКОМПОНЕНТНОЙ СИСТЕМЫ.

1.5. РАСТВОРИМОСТЬ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ И ГЕРМАНИИ.

1.6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ОБРАЗОВАНИЯ ПРИМЕСИ В КРЕМНИИ И ГЕРМАНИИ.

1.7. РАСТВОРИМОСТЬ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ НА ПРИМЕРЕ ЗОЛОТА.

1.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ СОВМЕСТНОЙ РАСТВОРИМОСТИ ФОСФОРА И АЛЮМИНИЯ В КРЕМНИИ.

1.9. ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ НА РАСТВОРИМОСТЬ ПРИМЕСИ В КРИСТАЛЛАХ МАЛОГО РАЗМЕРА.

1.10. ТЕРМОДИНАМИКА РАСТВОРИМОСТИ ОДИНОЧНОГО АТОМА ПРИМЕСИ В КВАНТОВОЙ ТОЧКЕ.

1.11. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

ГЛАВА 2 ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ И ИХ КОМПЛЕКСОВ В КРЕМНИИ.

2.1. ЭНТАЛЬПИЯ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИИ В КРЕМНИИ.

2.2. ЗАРЯДОВЫЕ СОСТОЯНИЯ ВАКАНСИИ В КРЕМНИИ.

2.3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ В КРЕМНИИ

2.4. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ДИВАКАНСИЙ В КРЕМНИИ.

2.5. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕРМОДИНАМИКИ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ И ИХ

КОМПЛЕКСОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ ДОНОРНОИ ПРИМЕСЬЮ.

2.6. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕРМОДИНАМИКИ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ И ИХ КОМПЛЕКСОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСЬЮ.

2.7. КОМПЛЕКС ВАКАНСИЯ-АТОМ КИСЛОРОДА.

2.8. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

ГЛАВА 3. ТЕРМОДИНАМИКА ПРОЦЕССА КЛАСТЕРИЗАЦИИ.

3.1. СВОБОДНАЯ ЭНЕРГИЯ ОБРАЗОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ И ПРЕЦИПИТАТОВ РАЗЛИЧНОЙ ГЕОМЕТРИИ.

3.2. ТЕРМОДИНАМИКА ПРЕВРАЩЕНИЯ КЛАСТЕР-ПРЕЦИПИТАТ.

3.3. ИССЛЕДОВАНИЕ КЛАСТЕРИЗАЦИИ НА ПРИМЕРЕ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

3.4. ПОСЛЕПЛАВЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. КЛАСТЕРИЗАЦИЯ В РАСПЛАВАХ SI, GE, SB, BI.

3.5. В Л ИЯНИЕ КЛАСТЕРИЗАЦИИ НА ПРОЦЕСС ПЛАВЛЕН ИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ А3В5.

3.6. ПОЛИТРОПИЯ. КЛАСТЕРИЗАЦИЯ ПРИМЕСЕЙ В

ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

3.7. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

ГЛАВА 4. КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ КОМПЛЕКСА ИЗ ДВУХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.

4.1. ОСНОВНЫЕ КИНЕТИЧЕСКИЕ УРАВНЕНИЯ ОБРАЗОВАНИЯ КОМПЛЕКСА ИЗ ДВУХ ДЕФЕКТОВ.

4.2. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ НА КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЯ.

4.3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ ПОЛУПРОВОДНИКА В НЕРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ.

4.4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО.

4.5. СТОХАСТИЧЕСКОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ УРАВНЕНИЕ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ КОМПЛЕКСА ИЗ ДВУХ ДЕФЕКТОВ.

4.6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЯ ИЗ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ КРИВЫХ ИЗОХРОННОГО ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ

4.7. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЕ РАЗРУШЕНИЕ КОМПЛЕКСОВ И КЛАСТЕРОВ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

4.8. ДИФФУЗИЯ КОМПЛЕКСА ИЗ ДВУХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.

4.9. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

ГЛАВА 5. КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КЛАСТЕРИЗАЦИИ И ПРЕЦИПИТАЦИИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ.

5.1. КИНЕТИКА ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ПЕРВОГО РОДА В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

5.2. МОДЕЛЬ РОСТА СКОПЛЕНИЙ ДЕФЕКТОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ.

5.3. КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ КЛАСТЕРИЗАЦИИ И ПРЕЦИПИТАЦИИ.

5.4. ПРЕЦИПИТАЦИЯ, ОГРАНИЧЕННАЯ ДИФФУЗИЕЙ.

5.5. ПРЕЦИПИТАЦИЯ, ОГРАНИЧЕННАЯ СКОРОСТЬЮ РЕАКЦИИ.

5.6. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПРОЦЕССЫ КЛАСТЕРИЗАЦИИ И ПРЕЦИПИТАЦИИ.

5.7. КОАЛЕСЦЕНЦИЯ ДЕФЕКТОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ.

5.8. ВЫВОДЫ К 5 ГЛАВЕ.

ГЛАВА 6. МОДЕЛИРОВАНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ.

6.1. МЕЖДОУЗЕЛЬНЫЙ КИСЛОРОД В КРЕМНИИ, ВЫРАЩЕННОМ ПО МЕТОДУ ЧОХРАЛЬСКОГО.

6.2. ДИФФУЗИЯ И РАСТВОРИМОСТЬ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ.

6.3. ЦЕНТРЫ ЗАРОЖДЕНИЯ КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ И КИСЛОРОДНЫЕ ТЕРМОДОНОРЫ.

6.4. ГЕОМЕТРИЯ КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ.

6.5. ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ УПАКОВКИ ПРИ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА

6.6. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ.

6.7. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ.

6.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВНУТРЕННЕГО ГЕНЕРИРОВАНИЯ.

6.9. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ».

6.10. ВЛИЯНИЕ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА НА РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЯ.

6.11. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ЦИРКОНИЕМ.

6.12. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

ГЛАВА 7. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ И РАЗРУШЕНИЯ КЛАСТЕРОВ ЛИТИЯ В ГЕРМАНИИ.

7.1. РАСПАД ТВЁРДОГО РАСТВОРА ЛИТИЯ В ГЕРМАНИИ.

7.2. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПО КИНЕТИКЕ РОСТА КЛАСТЕРОВ ЛИТИЯ В ГЕРМАНИИ.

7.3. МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА ФРАКТАЛЬНЫХ КЛАСТЕРОВ В РЕШЕТКЕ ТИПА АЛМАЗ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО.

7.4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ЛИТИЯ В ДЕТЕКТОРНОМ ГЕРМАНИИ.

7.5. ЦЕНТРЫ ЗАРОЖДЕНИЯ КЛАСТЕРОВ ЛИТИЯ В ГЕРМАНИИ.

7.6. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ РАЗРУШЕНИЯ КЛАСТЕРОВ ЛИТИЯ В ДЕТЕКТОРНОМ ГЕРМАНИИ.'.

7.7. ДЕГРАДАЦИИ СЛОЯ ГЕРМАНИЕВО-ЛИТИЕВОГО ДЕТЕКТОРА ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ

7.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ И ВОССТАНОВЛЕНИЯ N-СЛОЯ ГЕРМАНИЕВО-ЛИТИЕВОГО ДЕТЕКТОРА.

7.9. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ.

Актуальность рс.ооты

Процессы взаимодействия точечных дефектов приводят к образованию ассоциатов в виде комплексов, кластеров и преципитатов, которые могут являться как причиной деградации и изменения параметров полупроводниковых структур, так и использоваться для управления их свойствами. В дальнейшее будем различать следующие ассоциаты: ионная пара - ассоциат из двух противоположно заряженных дефектов с преобладающим кулоновским взаимодействием; комплекс - ассоциат из небольшого числа дефектов со смешанным характером взаимодействия между ними; кластер - скопление из большого числа дефектов с когерентным расположением атомов в основной решетке; преципитат — скопление дефектов в виде новой фазы с выраженной границей по отношению к решетке матричного кристалла. Общность термодинамических и кинетических методов позволяет в ряде случаев использовать один и гот же подход для исследования ассоциатов различной природы.

В последнее время, в связи с развитием новых технологий микро- и наноэлектроники, резко возрос интерес к ассоциированным дефектам. Интенсивно развивается новое направление физики полупроводников, получившее название defect engineering, базирующееся на управлении процессами дефектообразования. Для совершенствования современных технологий необходимо дальнейшее развитие теоретических моделей образования ассоциатов, а также определение их параметров. Это важно как для замены длительных и дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием, так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежит взаимодействие дефектов. Несмотря на большое количество работ, посвященной данной теме, эта проблема остается актуальной и недостаточно изученной.

В связи с этим возникла необходимость анализа существующих моделей дефектообразования, растворимости примесей, образования комплексов, кластеров и преципитатов. В данной работе с помощью предложенных теоретических моделей описываются различные процессы взаимодействия дефектов, проводится изучение кинетики и термодинамики процессов комплексообразования, кластеризации и преципитации.

Цель исследований и постановка задач

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное изучение кинетики и термодинамики процессов взаимодействия дефектов в кремнии и германии, приводящих к комплексообразованию, кластеризации и преципитации.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1) Разрабатывалась обобщенная термодинамическая модель, описывающая процессы растворимости, комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках.

2) Проводилось термодинамическое исследование влияния электронной подсистемы на дефектообразование и ассоциацию дефектов в кремнии и германии. Моделировались процессы комплексообразования в полупроводниках с различным легированием. Исследовалась задача о растворимости примеси в кристаллах конечных размеров, вплоть до квантовых точек.

3) Развивалась термодинамическая модель образования кластеров, и их влияние на растворимость примеси и плавление полупроводниковых кристаллов.

4) Разрабатывалась кинетическая модель образования комплексов и алгоритмов ее применение для определения параметров комплексообразования на основании экспериментальных кривых изохронного отжига. Решалась задача о диффузии комплекса как целого.

5) Теоретически и экспериментально исследовалась преципитация на примере кислорода в кремнии, развивались численные модели преципитации и связанных с ней технологических процессов.

6) Теоретически и экспериментально исследовалась кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии, а также моделировалась деградация и восстановление диффузионного /г-слоя германиево-литиевого детектора гамма излучения.

Научная новизна

1) Получены выражения для равновесной концентрации точечных дефектов в элементарных и многокомпонентных полупроводниках с учетом их ассоциации, многозарядности и влияния электронной подсистемы, в том числе с учетом вырождения, которые точнее существующих описывают кривые растворимости дефектоь в высокотемпературной области.

2) Проведено термодинамическое рассмотрение задачи о растворимости примесных атомов в системе квантовых точек. Найдены критерии, при которых возможно эффективное введение одиночного атома примеси в квантовую точку.

3) Получены теоретические выражения и рассчитаны концентрации вакансий и их комплексов в кремнии с учетом многозарядности вакансий. Последовательный учет состояния электронной подсистемы, позволил критически проанализировать существующие экспериментальные результаты по величине энтальпии образования вакансии и дивакансии в кремнии в кремнии.

4) Разработана термодинамическая модель, позволяющая описывать процессы кластеризации в газообразной, жидкой и твердой фазе, выполнено моделирование данных процессов и определены оптимальные параметры моделей для технологически важных случаев. На основании данной модели проведен расчет концентрации дефектов с учетом политропии, найдены параметры кластеризации, а также показано, что распределение кластеров по числу атомов зависит от условия роста кристалла. На основании рассматриваемой модели описаны экспериментальные данные по послеплавлению полупроводниковых кристаллов.

5) Развиты термодинамическая и кинетическая модели образования комплексов из двух дефектов, хорошо описывающие диффузию комплексов как целого, в том числе в электрическом поле, а также результаты экспериментов по изохронному отжигу полупроводниковых кристаллов с такими дефектами.

6) Развита теория фазовых переходов первого рода для описания кинетики кластеризации и преципитации дефектов в полупроводниковых кристаллах, учитывающая геометрию и механизм роста скоплений (диффузионный и реакционный). Данная теория описывает как стадию роста скопления так и стадию коалесценции.

7) Развита теория неоднородной по объему преципитации кислорода (с учетом диффузионных процессов) в кремнии, позволяющая моделировать технологию «внутреннее геттерирование».

8) Развита теоретическая модель образования кластеров лития в германии. Из анализа экспериментальных данных по кинетике кластеризации лития показано, что кластеры лития характеризуются фрактальной геометрией с размерностью 2,4.

Практическая ценность.

1) Разработан алгоритм обработки экспериментальных данных (с учетом вырождения электронной подсистемы и ассоциации атомов примеси) с целью получения термодинамических параметров растворимости примеси в полупроводниковом кристалле.

2) Найдены критерии, при которых возможно эффективное введение в квантовые точки одиночного атома примеси.

3) Предложен алгоритм обработки кривых изохронного отжига позволяющий, определять термодинамические и кинетические параметры образования комплекса, а в некоторых случаях и его структуру.

4) Найдены параметры преципитации кислорода в кремнии. Получены уравнения, позволяющие моделировать кинетику роста преципитатов различной геометрии с учетом образования дефектов упаковки. Разработан алгоритм, позволяющий рассчитать ширину бездефектной зоны, образующейся в кремнии в процессе внутреннего геттерирования.

5) Найдены параметры образования и разрушения кластеров лития в германии, применяемом для изготовления германиево-литиевых детекторов. Представлена модель деградации и восстановления диффузионного «-слоя германиево-литиевого детектора, позволяющая усовершенствовать технологию восстановления германиево-литиевых детекторов.

Положения выносимые на защиту.

1) Процессы комплексообраззвания и кластеризации увеличивают растворимость примеси. На растворимость, и ассоциацию дефектов влияет электронная подсистема кристалла.

2) Явление политропии обусловлено возникновением кластеров с участием примесных атомов, причем число атомов в кластере зависит от условия роста кристалла. Последовательный учет процессов кластеризации атомов в расплаве позволяет адекватно описывать кривые послеплавления.

3) Существует возможность управлять процессом легирования системы квантовых точек.

4) Вид временной зависимости роста скоплений, кроме температуры, зависит от механизма роста (диффузионного или реакционного) скоплений и его геометрии.

5) Процесс комплексообразования определяется коэффициентом диффузии наиболее подвижного компонента и наиболее эффективно проходит в температурном интервале, ограниченном в области низких температур диффузией, а в области высоких температур развалом комплексов.

6) Преципитация кислорода в кремнии ограничена диффузией междоузельного кислорода. Одновременный учет процессов диффузии и преципитации атомов кислорода позволяет моделировать процесс внутреннего геттерирования.

7) Кинетика кластеризации лития в германии лимитирована диффузией лития. Деградация n-слоя германиево-литиевого детектора определяется кластеризацией лития. Кластеры лития можно разрушить нагревом до температур, при которых равновесная концентрация превосходит концентрацию мономеров лития.

Апробация.

По результатам исследований, проведенных в диссертации, были выполнены 2 гранта РФФИ, грант Министерства образования, грант Министерства атомной промышленности.

По материалам диссертации были представлены доклады и тезисы на следусщие семинары и конференции: Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 1997), всероссийский семинар «Моделирование неравновесных систем» (г. Красноярск, 1998), международная конференция «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 1998), Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors» (Chernivtsi, Ukraine, 1997), всероссийская конференция «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации» (г.Кисловодск, 1996), всероссийская конференция «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов» (г.Ульяновск, 1998), Всероссийской научно-техническая конференции «Микро- и нано- электроника 98» (Звенигород, 1998), международная конференции «Оптика полупроводников», (г.Ульяновск, 2000), всероссийская конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния, «Кремний-2000» (Москва, 2000, МИСиС), международная конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002), международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии», (Ульяновск, 2001), совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002" (Новосибирск, 2002).

Публикации.

Основное содержание работы изложено в 80 публикациях, приведенных в списке работ автора диссертации.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, и выводов. Материал изложен на 358 страницах, включает 132 рисунка, 24 таблицы и библиографический список из 255 наименований.

ВЫВОДЫ К ДИССЕРТАЦИИ

1) Получены выражения для концентрации точечных дефектов и их аееоциатов с учетом многозарядности и влияния электронной подсистемы, в том числе в состоянии вырождения. Показано влияние комплексообразования и кластеризации на растворимость примесей. Исследована задача о растворимости примесных атомов в системе квантовых точек.

2) Проведено термодинамическое рассмотрение образования вакансий в кремнии с учетом их многозарядности. Найдены энтальпия и энтропия образования вакансии: \HV = 3.410.1 эВ и ASV = (7.7 ±0.1)k и дивакансии: ДЯУ2 = —3.6±0.1 эВ и ASV1 - (-7.9±0.1) к.Показано влияние электронной подсистемы на термодинамику образования комплекса с участием вакансии.

3) Развиты термодинамические и кинетические модели образования комплекса из двух дефектов. Получено стохастическое дифференциальное уравнение, позволяющее описать комплексообразование в системе с малым числом частиц. Разработан алгоритм определения параметров комплекса по кривым изохронного отжига. Получено выражение для коэффициента диффузии комплекса из двух дефектов.

4) Развита термодинамика образования кластеров, апробированная описанием экспериментов по кластеризации инертных газов, явлений послеплавления и политропии. На основании данной теории проведен расчет концентрации дефектов с учетом политропии, найдены параметры кластеризации, а также показано, что распределение кластеров по числу атомов зависит от условия роста кристалла. На основании рассматриваемой модели описаны экспериментальные данные по послеплавлению полупроводниковых кристаллов.

5) Получены решения кинетических уравнений, описывающих рост скоплений дефектов при реакционном и диффузионном механизме присоединения частиц к скоплениям различной геометрии. Найдены диагностические признаки, позволяющие определять механизм роста скоплений. Получены асимптотические выражения для стадии коалесценции в случае скоплений различной геометрии и различных механизмов роста. Предложена теоретическая модель, описывающая фазовые переходы первого рода в твердых телах, которая позволяет объединить и обобщить работы Хэма, Тарнболла, Лифшица - Слезова, Кукушкина - Осипова.

6) В работе проведено экспериментальное и теоретическое исследование преципитации кислорода в кромнии. Показано, что образование кислородных преципитатов лимитировано дмффузией междоузельного кислорода. Получены выражения, описывающие процесс преципитации кислорода вблизи поверхности, лежащий в основе внутреннего геттерирования. Показано, что легирование цирконием приводит к замедлению кинетики преципитации кислорода.

7) Экспериментально исследовано образование и разрушения кластеров лития в германии. Получены кинетические уравнения, описывающие поведение системы во времени при различных условиях. Найдены параметры образования кластеров лития. Показано, что процесс кластеризации лития в германии лимитируется диффузией лития, а сами кластеры лития характеризуются фрактальной геометрией с размерностью 2.4, что подтверждается расчетами по методу Монте-Карло.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ

1) Булярский С.В., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии //ФТП, 2001, том 35, вып. 8, стр. 897-899.

2) Булярский С.В., Светухин В.В., Львов ГТ.Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП, 2000, т.34, №4.

3) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии //ФТП, 1999, т.ЗЗ, N11, с. 1280-1286.

4) Светухин В.В., Ильин П.А. Исследование кинетики разрушения кластеров лития в германии II Письма в журнал технической физики, 2002, т. 28, №7, стр. 73-77.

5) Булярский С.В., Львов П.Е., Светухин В.В. Влияние кластеризации на процесс плавления полупроводниковых соединений АЗВ5// Журнал технической физики, 2001, т.71, №9.

6) Булярский С.В. Амброзевич А.С., Светухин В.В., Джабраилов Т.А. Влияние кислородных преципитатов на рекомбинационные характеристики кремния. // Письма в журнал технической физики, 2001, т. 27, №5.

7) Булярский С.В., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле. //Неорганические материалы, 1996, т.32, №11, С. 1319-1322.

8) Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С. Исследование кинетики преципитации в кремнии, легированном цирконием // Письма в журнал технической физики, 2002, т. 28, №22.

9) Булярский С.В., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Диффузия в кристалле квазимолекулы из двух атомных дефектов. //Краткие сообщения по физике ФИАН, 1995, N11-12, С.3-8.

10) Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, №2, С.246-250.

11) Светухин В.В., Львов П.Е. Влияние поверхности на растворимость примеси в кристаллах малого размера // Письма в журнал технической физики, 2000, т. 26, №22.

12) Булярский С.В., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Кинетическая модель распада твердых растворов.//Краткие сообщения по физике ФИАН, 1997, №6, С.73-78.

13) Львов П.Е., Светухин В.В. Расчет параметров кластеризации неона, аргона, криптона и ксенона по P-V диаграммам // Письма в журнал технической физики, 2001, т. 27, №5.

14) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии. //Изв.вуз.Электроника, 1997, №5, С. 24-29.

15) Львов П.Е., Светухин В.В. О влиянии кластеризации на уравнение состояния реального газа. // Хим. физ., 1999, т. 18, №2, С. 93-96.

16) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000, №3.

17) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование кинетики преципитации кислорода в кремнии //Изв. вузов. Материалы электронной техники, 1999, №3.

18) Львов П.Е., Светухин В.В. Кластеризация в газах и закон соответственных состояний // Письма в журнал технической физики, 2002, т. 28, №12.

19) Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования дефектов в полупроводниках. // Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред, - Ульяновск, 1999, с.26-61.

20) Bulyarskii S.V., Svetukhin V.V., Agafonova O.V. et al. Fractal Lithium Cluster Growth in Germanium// Phys.stat.sol.(b), V.231, 4, p.237-242 (2002).

21) Пчелинцева T.C., Прокофьева В.К., Светухин В.В. Исследование взаимодействия циркония и кислорода в кремнии // Письма в журнал технической физики, 2001, т. 27, №20.

22) Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996. С.73-82.

23) Светухин В.В. Диффузия дислокаций, сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г. Ульяновск, 19%, С.65-73.

24) Светухин В.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С. 82-93.

25) Светухин В.В. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.55-64.

26) Булярский С.В, Светухин В.В. Кинетика образования кластеров различной геометрии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1997, №2, С.30-37.

27) Светухин В.В., Приходько О.В., Булярский С.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии// Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1997, №3, С.45-48.

28) Светухин В.В., Николаев А.Ф., Комлев А.В. Моделирование кинетики роста фрактальных кластеров. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.20-24.

29) Светухин В.В., Приходько О.В. Центры зарождения кислородных преципитатов в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.56-57.

30) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.57-61.

31) Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика процесса растворения примеси с учетом кластеризации и многозарядности дефектов. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.62-66.

32) Светухин В.В., Львов П.Е, Влияние поверхности на растворимость примеси в кристаллах малого размера//Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1999, №1, С.62-67.

33) Светухин В.В. Термодинамика превращения кластер - преципитат в твердых телах //Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 10-12.

34) Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский С.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных сластеров лития в германии //Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 30-34.

35) Санчищин Д.В., Львов П.Е., Светухин В.В. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии//Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 10-12.

36) Булярский С.В., Светухин В В., Пчелинцева Т.С., Прокофьева В.К, Рыгалин Б.Н. «Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, тегированном цирконием» //Ученые записки УлГУ, Серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2001, №2(11), стр.50-51.

37) Светухин В.В., Ильин П.А. Разрушения кластеров лития в германии //Ученые записки УлГУ, Серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2001, №2(11), стр.45-46.

38) Кувырченкова О.В., Светухин В.В. Разработка установки для измерения времени жизни неосновных носителей заряда метолом фото-ЭДС //Ученые записки УлГУ, Серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2001, №2(11), стр.47-49.

39) Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V. The Kinetics of Solid Solution Decay., Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12th September, 1997. P.18.

40) Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V., Prikhodko O.V. The Characterization of Oxygen Solution Decay in Si., Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12th September, 1997. P.75.

41) Светухин В.В., Булярский С.В. Кинетическая модель кластеризации в твердых телах., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997.С.4-5.

42) Светухин В.В., Булярский С.В., Приходько О.В. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск. 1997. С.6-7.

43) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода., Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, 1998, С. 170-171.

44) Булярский С.В., Светухин В.В. Модель диффузии комплекса атомов в кристалле. Тезисы конференции «Кисловодск-95»-»Материаловедение в электронной технике», С.57.

45) Булярский С.В., Приходько О.В., Светухин В.В. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии. Тезисы конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации», Кисловодск-96, С.37.

46) Булярский С.В., Светухин В.В. Взаимодействие дефектов в полупроводниках. Тезисы конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации», Кисловодск-96, С.38.

47) Громова Н.Ю., Светухин В.В., Приходько В.В. Преципитация кислорода в германии при отжиге. Тезисы конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации», Кисловодск-96, С.42.

48) Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста кластеров. Моделирование неравновесных систем - 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 108-109.

49) Светухин В.В., Комлев А.В. Влияние температуры на динамику формирования фрактальных кластеров. Моделирование неравновесных систем - 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 110-111.

50) Светухин В.В., Николаев А.Ф. Влияние геометрии фрактального кластера на динамику его роста. Моделирование неравновесных систем - 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998. С. 112113.

51) Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста фрактального кластера., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.49-51.

52) Светухин В.В., Комлев А.В. Влияние температуры на динамику роста фрактальных кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульянове*, 1998, С.55-57.

53) Светухин В.В., Николаев А.Ф. Имитационное моделирование кинетики pocT;i кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.57-59.

54) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование процесса внутреннего геттерирования //тезисы докладов Всероссийской научно-техническая конференции «Микро- и нано- электроника 98», Звенигород,

1998, том 1, С.03-20.

55) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование процесса создания диэлектрических слоев в SiOi кремнии //тезисы докладов Всероссийской научно-техническая конференции «Микро- и нано-электроника 98», Звенигород, 1998, том 2, С.РЗ-54.

56) Булярский С.В., Львов П.Е., Светухин В.В. Термодинамика процесса растворения примеси в полупроводниках с учетом ее ионизации и вырождения электронной подсистемы. // Труды международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1999, стр.6.

57) Светухин В.В. Влияние поверхности на растворимость примеси в кристаллах малого размера. // Труды международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск,

1999, стр.17.

58) Светухин В.В. Кинетика фазовых переходов первого рода в твердых телах. // Труды международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1999, стр. 19.

59) Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование и экспериментальное исследование процесса внутреннего геттерирования в кремнии. // Труды международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1999, стр.18.

60) Светухин В.В. Гришин А.Г. Ильина Т.С. и др. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием //Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2002, стр. 10.

61) Светухин В.В., Агафонова О.В., Санчнщин Д.В. Влияние легирования на термодинамику образования собственных точечных дефектов и их комплексов в кремнии //Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2002, стр.11.

62) Булярский С.В., Светухин В.В., Санчищин Д.В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии// Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск, 2002, стр.16.

63) Светухин В.В., Булярский С.В. , Санчищин Д.В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии// Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002".

64) Светухин В.В., Агафонова О.В., Санчищин Д.В. Влияние легирования на термодинамику образования собственных точечных дефектов и их комплексов в кремнии // Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002".

65) Светухин В.В., Булярский С.В., Гришин А.Г., Приходько О.В. Кинетика роста кислородных преципитатов различной геометрии в кремнии // Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002".

66) Булярский С.В., Светухин В.В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. «Фрактальная размерность кластеров лития в германии» //Труды международной конференции «Оптика,оптоэлектроника и технологии», Ульяновск: УлГУ, 2001.

67) Светухин В.В., Приходько О.В. «Кинетика роста кислородных преципитатов различной геометрии» //Труды международной конференции «Оптика,оптоэлектроника и технологии», Ульяновск: УлГУ, 2001.

68) Светухин В.В., Вострецов Д.Я. «Моделирование методом Монте-Карло ионного синтеза структур кремний на изоляторе» //Труды международной конференции «Оптика.оптоэлектроника и технологии», Ульяновск: УлГУ. 2001.

69) Светухин В.В., Пчелинцева Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. «Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием» //Труды международной конференции «Оптика, о пто электроника и технологии», Ульяновск: УлГУ, 2001.

70) Светухин В.В., Ильин П.А. «Кинетика разрушения кластеров лития в о, германии» //Труды международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии», Ульяновск: УлГУ, 2001.

71) Светухин В.В., Булярский С.В., Приходько О.В. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии. Тезисы докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния, «Кремний-2000», Москва, 2000, МиСИС, стр.38.

72) Светухин В.В., Львов П.Е., Булярский С.В. Влияние поверхности на растворимость примеси в кристаллах малого размера. Тезисы докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния, «Кремний-2000», Москва, 2000, МиСИС, стр.155.

73) Санчищин Д.В. Светухин В.В., Львов П.Е., Булярский С.В. База данных термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии. Тезисы докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния, «Кремний-2000», Москва, 2000, МиСИС, стр.103.

74) Булярский С.В., Светухин В.В., Агафонова О.В.,Гришин А.Г. Рост фрактальных кластеров лития в германии. Труды международной конференции «Оптика полупроводников», г.Ульяновск, 2000.

75) Светухин В.В., Булярский С.В., Приходько О.В. Кинетика образования дефектов упаковки при преципитации кислорода в кремнии. Труды международной конференции «Оптика полупроводников», г.Ульяновск, 2000.

76) Булярский С.В., Светухин В.В., Джабраилов Т.А. Амброзевич А.С.Влияние преципитации кислорода в кремнии на электрические характеристики диодов Шотки. Труды международной конференции «Оптика полупроводников», г.Ульяновск. 2000.

77) Светухин В.В. «Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии»/ Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук, г. Ульяновск, УлГУ. 1999, 198 с.

78) Светухин В.В. «Определение энергетических параметров центров накопления гелия в облученном карбиде бора по спектрам термодесорбции»// Письма в журнал технической физики, 2003, т. 29, №4, стр.52-57.

79) Булярский С.В., Светухин В.В. «Определение параметров комплексообразования по кривым изохронного отжига»// Письма в журнал технической физики, 2003, т. 29, №3, стр.8-12.

80) Булярский С.В., Светухин В.В. «Физические основы управления взаимодействием дефектов в полупроводниках», г.Ульяновск: УлГУ, 2002 г., -450 с.

Заключение

Автор диссертации выражает признательность профессору Булярскому Сергею Викторовичу, чье постоянное внимание к работе и ряд творческих идей способствовали ее завершению. Я также признателен Виктору Ильичу Фистулю, оказавшему большое влияние на написание 5 главы диссертации.

При проведении экспериментальных данных по преципитации кислорода в кремнии большую помощь оказал Александр Николаевич Сауров, которому автор также выражает свою признательность.

Особую благодарность автор приносит коллегам, оказавшим помощь на различных этапах выполнения работы, в сооавторстве с которыми был опубликован ряд работ: Приходько О.В., Львов П.Е., Агафонова О.В., Ильин П.А., Ильина Т.С., Гришин А.Г., Санчищин Д.В.

Написание работы было бы более затруднительным без финансовой поддержки со стороны различных организаций и фондов: фонд Джорджа Сороса, РФФИ, Министерство образования и т.д.

Написание работы было бы не возможно без моральной поддержки моей работы со стороны жены - Светухиной Ольги Сергеевны, которой я также очень благодарен.

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. - 654 с.

2. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968. -314 с.

3. Ковтуненко П.В. Физическая, химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая школа, 1993. - 352 е.

4. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. М.: Металлургия, 1995. - В 2-х томах.

5. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т.1. Теория. -М.: Мир, 1985.- 230 с.

6. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. - 250 с.

7. Фистуль В.И. Беседы о ХТТ. М„ 1994. - 120 с.

8. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. - 349 с.

9. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

10. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. - 214 с.

11. Вавилов B.C., Ухтин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 199 с.

12. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. - 240 с.

13. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967. -415 с.

14. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев, 1978. - 230 с.

15. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. Л.? 1978.-240 с.

16. Brown R.A., Wang Z., Mori Т. «Engineering analysis of microdefect formation during silicon crystal growth» // Journal of Crystal Growth. 225 (2001). - P.97-109.

17. Falster R., Voronkov V.V. «The engineering of intrinsic point defects in silicon wafers and crystals» // Materials Science and Engineering. B73 (2000). - P.87-94.

18. Puzanov N., Eidenzon A.M., Puzanov D.N. "Modelling microdefect distribution in dislocation-free Si crystal grown from the melt" // Journal of Crystal Growth. -178 (1997). P.468-478.

19. Винецкий В.JI. Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. - 230 с.

20. Bulyarsky S. V., Oleinicov V. P. // Phys. Stas. Sol. (b). 1987. - V.141. - P.K7-K10.

21. Bulyarsky S. V., Oleinicov V. P. (! Phys. Stas. Sol. (b). 1988. - V.146. - P.439-447.

22. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 250 с.

23. Weisser К. // J. Phys. Chem. Solids. 1958. - V. 15. - N2. - P. 118-126.

24. Волков Д.А. Квантово-химический метод расчета энтальпии растворения примеси III-V групп в кремнии и германии: Автореф. канд. физ.-мат. наук. -М„ 1994.

25. Волков Д.А., Фистуль В.И. Топологическая оценка вероятности образования точечных дефектов в кристаллах AU,B1V со структурой сфалерита // ФТП. 1990. - Т.24. - В.З. - С.475-478.

26. Волков Д.А., Фистуль В.И. Метод расчета энергии связи изовалентных примесей в тетраэдрических полупроводниках // ФТП. 1993. - Т.27. - В.З. -С.431-437.

27. Булярский С.В. Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. - С.352.

28. М.Г.Мильвидский, В.В. Чалдышев, ФТП, Т.32, 513 (1998).

29. Nakamura К., Saishoji Т., Kubota Т. // J. of Crystal Growth, 180 (1997), р.61-72.

30. Bailly F. Lattice defects in semiconductors, 231. Univ. of Tokyo Press, Tokyo (1968).

31. Swalin R.A.//J. Phys. Chem. Sol., 18, 290(1961).

32. Benneman K.H. // Phys. Rev., 137, A1497 (1965).

33. Scholz A., Seeger A. // Phys. St. Sol., 3, 1480 (1963).

34. Soma Т., Saek; M„ Morita A. // J. Phys. Soc. Japan, 35, 146 (1973).

35. Phillips LC„ Va-л Vechten J.A. // Phys. Rev. Lett., 30, 220 (1973).

36. Пантелеев В.A. // ФТТ. 19.- 1801 (1977).

37. В. И. Окулич. Автореф. дис. . канд. Горький: ГГУ им. Н.И. Лобачевского, 1976.

38. Elstner L., Kamprath W. // Phys Status Solidi, 22, 541 (1967).

39. Watkins G.D. In Deep Centers in Semiconductors / edited by ST. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986).

40. Car R., Kelly P.J., Oshiyama A., Pantelides S.T. // Phys. Rev. Lett. 54, 360 (1985).

41. Van Vechten J.A. // Phys. Rev. В 33, 2674 (1986).

42. Van Vechten J.A., Thurmond C.D. // Phys. Rev. B14, 3539 (1976); 14, 3551 (1976).

43. Demond F.J., Kalbitzer S., Mannsperger H., Damjantschitsch H. // Phys. Lett. 93A. 503 (1983).

44. Watkins G.D., Corbett J.W. //Phys. Rev. 134, A1359 (1964).

45. Tan T.Y., Gosele U. // Appl. Phys. A 37, 1 (1985).

46. Машовец T.B. Термодефекты в полупроводниках // ФТП. Т. 16. - В.1. -1982.-С.3-18.

47. Dannefaer S., Mascher P., Kerr D. Monovacancy Formation Enthalpy in Silicon // Phys. Rev. Lett. Vol.56, Num 20 (1986).

48. Van Vechten J.A. // Phys. Rev. В 10, 1482 (1974).

49. Van Vechten J.A. // J. Electrochem Soc. 122, 419 (1975).

50. Van Vechten J.A. // Handbook on Semiconductors / edited by S.P.Keller (North-Holland. Amsterdam, 1980), Vol.3, Chap.1.

51. Van Vechten J.A. // Phys. Rev. В 11. 3910 (1975).

52. Bar-Yam Y., Sun E. // J. Appl. Phys. 47, 3776 (1976).

53. Watkins G.D. // International Conference on Lattice Defects in Semiconductors. -Freibu g, Germany, 1974 (IOP, London, 1975), p.l.

54. Van Vechten J.A. // Phys. Rev. B12, 1247 (1975).

55. Van Vechten J.A., Wager J.F. // Phys. Rev. B32, 5259 (1985).

56. Seeger A., Chik K.P. // Phys. Status Solidi 29, 455 (1968).

57. Chantre A., Kechouane M., Bois D. // Physica 116B, 547 (1933).

58. Chantre A. // Appl. Phys. Lett. 46, 263 (1985).

59. Weber E., Riotte H.G. //J. Appl. Phys. 51, 1484 (1980).

60. Lee Y.H., Kleinhenz R.L., Corbett J.W. // Appl. Phys. Lett 31, 142 (1977). 61 ] Whan R.E. // Phys. Rev. 140, A690 (1965).

61. Logan R.A. // Phys. 101, 1455 (1956).

62. Letau H., Portnoy W.M., Slifkin L. // Phys. Rev. 102 (1956).

63. Hiraki A. // J. Phys. Soc. Japan. 21, 34 (1966).

64. Kroger F.A. // The Chemistry of Imperfect Crystals, Ref. 30, p.p.317, 318, 446.

65. Смирнов Б.М.//УФН,- 1997. -T.167. -№10.-C.l 169-1200.

66. Лазовик Ю.Е., Ракоч E.A. // ЖЭТФ. 1999. - T.l 16. - №6. - C.1903-1912.

67. Смирнов Б.М. // УФН. 1992. - T.162. -№1. - C.119-138.

68. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. // ФТП. 1998. - Т.32. - С.513-522.

69. Baumer М., Fank М. Heemeier М. et al // SurfaceSince. 2000. - V.454-456. -Pp.957-962.

70. Цирлин Г.Э., Петров B.H., Дубровский В.Г. // ФТП. 2000. - Т.ЗЗ. - №9. -С. 1066-1069.

71. Регель А.Р., Глазов В.М. // Электронная техника. 1984. - №9. - С.7-23.

72. Львов П.Е., Светухин В.В. // Хим. физика. 1999. - Т. 13. - №2. - С.93-96.

73. Хилсум К., Рауз-Инс А. Полупроводники типа АЗВ5, М:ИЛ, 1963.

74. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. // ФТП. 2000. - Т.34. - №4. -С.385-389. ^

75. Смирнов Б.М. Расчет поверхностной энергии кластера с плотной упаковкой //УФН,- 1992.-Т.162.-№12.-С.97.

76. Теплофизические свойства Ne, Ar, Кг, Хе. М.: Наука, 1976. - 367 с.

77. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел: В 2-х т. М.: Мир, 1983.

78. Справочник физических величин / Под ред. И.С.Григорьва, Е.З.Мейлихова.- М.: Энергохгомиздат, 1991.- 1232 с.

79. Булярский С.В., Львов П.Е., Светухин В.В. IJ ЖТФ. 2001. - T.7L - №9. -С.9-14.

80. Светухин В.В., Булярский С.В. Кинетика и термодинамика образования комплекс? из двух атомов // Неорган. Материалы. 1997. - Т.ЗЗ. - №2. -С.246-250.

81. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966. - 245 с.

82. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. stat. sol. (a). 51. -1979. - P.629-640.

83. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon // Phys. stat. sol. (a). 37. - 1976.- P.57-64.

84. Физика соединений A3B5 / Под ред. А.Н.Георгобиани, М.К.Шейкман. М.: Наука, 1986.

85. Бонч-Бруевич В.М., Калашников С.Ч. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.

86. Ван Кампен Н.Г. Стохастические процессы в физике и химии. М.: Высшая школа, 1990. - 258 с.

87. Липцер P.LLL, Ширяев А.Н. Теория мартингалов. М.: Наука, 1986.

88. Наумов О.В., Смирнов Л.С., Стась В.Ф. //ФТП. 1997. - Т.31. - №8. - С.993-997.

89. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

90. Щербак В.И., Тарасиков В.И., Быков В.Н., Руденко В.А. // Атомная энергия. 1986. - Т.60. -№3. - С. 190-192.

91. Ковыршин В.Г. // Атомная энергия. 1982. - Т.53. - №2. - С. 112-113.

92. Oliviero Е., Veen A. van, Fedorov A.V. Beaufort M.F., Barbot J.F.// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. В 186 (2000). - P.223-228.

93. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971. 250 с.

94. Старк Д. П. Диффузия в твердых телах. М.: Энергия, 1980. - 240 с.

95. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972.-384 с.

96. Corben J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors // Appl.Phys.A. -1987. V.43.- P.153-195.

97. Слезов B.B., Шмельцер Ю. Максимальное число частиц новой фазы, зарождающихся при распаде твердых растворов // ФТП. 1997. - Т.39(12). -С.2210-2216.

98. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Кинетика фазовых переходов первого рода на асимптотической стадии // ЖЭТФ. 1998. - 113(6). - С.2186-2208.

99. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. - 168(10). - С.1083-1115.

100. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций. М.: Мир, 1972. - 556 с.

101. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы. М.: Наука, 1986. - 230 с.

102. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. Т. 10. - М.: Наука. 1979.- 420 с.

103. Успехи физики металлов. Т.1. - М.: Металлургиздат, 1956. - 322 с.

104. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys. Chem. Solids. -1958. V.6. - P.335-350.

105. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J. Appl. Phys. 1959. - V.30. - №10. - P.1518-1525.

106. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation //J. Appl. Phys. 1959. -V.30.-№6. - P.915-927.

107. Бриллиантов H.B., Крапивский П.Л. Кинетическая модель кластеризации дефектов в твердых телах// ФТТ. 1989. - Т.31. -№2. - С. 172-181.

108. Волощук В.М. Кинетическая теория коагуляции. Л.: Наука, 1984. - 315 с.

109. Эрнст М. Кинетика образования кластеров при необратимой агрегации // Фракталы в физике / Под ред. Л.Пьетронеро и Э.Тозатти. М.: Мир. 1988. -С.399-430.

110. Дубровский В.Г. Об одном точном решении управляющих уравнений модели обратимого роста //ТМФ. Т. 108. - №2. - С.327-335.

111. Черемской П.Г., Слезов В.В., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 390 с.

112. Слезов В., Шмельцер Ю. Начальная стадия диффузионного распада твердых растворов // ФТП. 1994. - Т.36(2). - С.353-362.

113. Слезов В.В. Диффузионная скорость роста макродефектов в ансамблях // ФТТ. Т.31. - №8. - С.20-30.

114. Turnbull D. Theory of reaction limited precipitation. Acta Met. 1. - 1953. -P.764.

115. Батавин В.В. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Кристаллография. 1970. - Т. 15. - Вып.1. -С.125-135.

116. WiIkes J.C. The precipitation of oxygen in silicon // J. Cryst. Growth. 1983. -V.65. - P.214-230.

117. Forbes L., Whitwer F.D., Peng J.D. Oxygen precipitation in CMOS wafers If Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. - V.36. - P.257-262.

118. Stanculescu F., Moldoveanu M., Botea M. Analysis of the mechanism of diffusion limited oxygen precipitation in Cz-silicon // J. Cryst. Growth. 1996. -V.166. -P.183-188.

119. Yang D., Ma X., Fan R., Zhang J., Li L., Que D. Oxygen precipitation in nitrogen-doped Czochralski silicon // Physica B. 1999. - V.273-274. - P.308-311.

120. Cheung J., Messoloras S., Rycroft S., Stewart R.J., Binns M.J. Oxygen precipitation in Czochralski grown silicon heat treated at 550°C // Semicond. Sci. Technol. 2000. - No. 15. - P.782-788.

121. Пфанн В. Д. Зонная плавка. М.: Металлургия, 1960. - 366 с.

122. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. К.: Интерпресс ЛТД, 1997. - 240 с.

123. Zulehner W. Czochralski grown of silicon // J. Cryst. Growth. 1983. - V.65. -No. 1-3. - P. 189-213.

124. Newman R.C. Oxygen diffusion and precipitation in Czohralski silicon // J. Phys.: Cond. Matter. 2000. - No. 12. - P.335-365.

125. Ourmazd A., Schroter W., Bourret A. Oxygen-Related Thermal Donors in Silicon: A New Structural and Kinetic Model // J. Appl. Phys. 1984. - V.56. -No.6. - P. 1670-1681.

126. Mikkelsen J.C. An overview of oxygen in silicon // Materials Research Society Symp.Proc. 1986. - V.59. - P.205-214.

127. Bean A.R., Newman R.C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals // J. Rhys. Che.m. Solids. 1971. - V.32. - No.6. - P. 1211-1219.

128. Mikkelsen J.C.Jr. Excess Solubility of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett. 1982. - V.41. - No.9. - P.871-873.

129. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl. Phys. 1995. - V.77. - No,9. - F.4169-4244.

130. Hrostowski Н.1., Kaiser R.H. The Solubility of Oxygen in Silicon // J. Phys. Chem. Solids. 1959. - V.9. - No.2. - P.214-216.

131. Gass J., Muller H.H., Stussi H., Schweitzer S. Oxygen Diffusion in Silicon and the influence of Different Dopants // J. Appl. Phys. 1980. - V.51. - No.4. -P.2030-2037.

132. Logan R., Peters A. Diffusion of Oxygen in Silicon // J. Appl. Phys. 1959. -V.30. - No.l 1. - P.1627-1630.

133. Kaiser W„ Keck P.H. Oxygen Content of Silicon Single Crystals // J. Appl. Phys. 1957. - V.28. - No.8. - P.882-887.

134. Mikkelsen J.C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals. 1985. -V.37. - No.5. - P.51-54.

135. Mikkelsen J.C. Jr. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett. 1982. - V.40. - No.4. - P.336-337.

136. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. - V.59. - P.31-37.

137. Corbett J.W., McDonald R.S., Watkins G.D. The Configuration and Diffusion of isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys: Chem. Solids. 1964. -V.25. - No.8. - P.873-879.

138. Benton J.L., Kimerling L.C., Stavola M. The Oxygen Related Donor Effect in Silicon // Physica B. 1983. - V. 116. - P.271-275.

139. Kaiser W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys. Rev. 1958. - V. 112. - Nc.5. - P.1546-1554.

140. Haas C. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium H J. Phys. Chem. Solids. 1960. - V.15. - No.1-2. - P.108-111.

141. Kushner R.A. Oxygen Diffusion in Silicon as Measured by Charged Particle // J. Electrochem. Soc. 1972. - V.l 19. - No.8. - P.239.

142. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Моделирование преципитации кислорода в кремнии Н Известия вузов. Материалы электронной техники. 1999. - №3. - С.11-17.

143. Newman R.C., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B. 1983. - V. 116. - No. 1-3. - P.264-270.

144. Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffusivity of Oxygen in . Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett. 1983. - V.42.1. No.l. P.73-75.

145. Tan T.Y. Exigent-accommodation-volume of precipitation and formation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. - V.59. - P.269-278.

146. Hu S.M. Oxygen precipitation in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. -V.59. - P.249-265.

147. Kaiser W., Frisch H.L., Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon// Phys. Rev. 1958. - V.l 12. - No.5. - P.1546-1554.

148. Fuller C.S., Ditzenberg J.A., Hannay N.B., Buehler E. Resistivity Changes in Silicon Induced by Heat Treatment // Phys. Rev. 1954. - V.96. - No.3. - P.833.

149. Kaiser W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon // Phys. Rev. 1957. - V.105. - No.6. - P. 1751-1756.

150. Gaworzewski P., Schmalz К. On the Kinetics of Thermal Donors in Oxygen-Rich Silicon in the Range f.om 450 to 900°C // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. - V.58. - No. 1. - P.K223-K226.

151. Nakayama H., Katsura J., Nishino Т., Hamakawa Y. Hall-Effeci: and Photoluminescencg Measurem';ts of Oxygen-Related Donors in Cz-Si Crystals // Jap. J. Appl. Phys. 19? 0. - V.19. - No.9. - P.L547-L550.

152. Baranskii P.I., Babfch V.M., Baran N.P., Bugay A.A., Dotsenko Yu.P., Kovalchuk V.B. The Effect of Heat Treatment on Compensated Cz-Silikon // Phys. Stat. Sol. (z). 1984. - V.82. - No.2. - P.533-536.

153. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys. 1983. - V.54. - No.11. -P.6594-6600.

154. Henry P.M., Farmer J.W., Meese J.M. Symmetry and Electronics Properties of Oxygen Thermal Donor in Pulled Silicon // Appl. Phys. Lett. 1984. - V.45. -No.4. - P.454-456.

155. Keller W.W. Pressure Dependence of Oxygen-Related Defect Levels in Silicon // J. Appl. Phys. 1984. - V.55. - No.10. - P.3471-3476.

156. Pajot В., Compain H., Lerouille J. Clerjaud B. Spectroscopic Studies of 450°C Thermal Donors in Silicon // Physica B+C. 1983. - V.l 17-118. - P.110-112.

157. Stavola M„ Lee K.M., Nabity J.C., Freeland P.E., Kimeriing L.C. Site Symmetry and Ground-State Characteristics for the Oxygen Donor in Silicon // Phys. Rev. Lett. 1985. - V.54. - No.24. - P.2639-2642.

158. Oeder R., Wagner P. Infrared-Absorption of Thermal Donors in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1983. -V. 14. - P. 171-175.

159. Курило П.М., Сеитов E., Хитрень М.И. Влияние термической обработки на электрические свойства n-Si, содержащего высокую концентрацию кислорода // ФТП. 1970. - Т.4. - Вып. 12. - С.2267-2270.

160. Kanamori A., Kanamori М. Comparison of Two Kinds of Oxygen Donors in Silicon lr. Resistivity//J. Appl. Phys. 1979. - V.50. - No. 12. - P.8095-8101.

161. Pinizzotto R.F., Schaake H.F., Massey R.G. Temperature ramping for nucleation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1985. - V.36. -P.275-280.

162. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defeat in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Rhys. Stat. Sol. (a). 1984.- V.86. No.l. - P.245-261.

163. Reiche M., Reichel J., Nitzche W. Correlations Between Thermal Donor Formation, Rod-Like Defect Formation ano ' Jyyc^n jvw Action During Low-Temperature Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. - V.107. -No.2. - P.851-865.

164. Bender H. Vanhellemont J. Rod-Like Defect in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon?// Phys. Stat. Sol. (a). 1988. - V.107. - No.2. - P.455-467.

165. Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early Stages of Oxygen Segregation and Precipitation in Silicon II J. Appl. Phys. 1984. - V.55. - No.4. -P.825-835.

166. Yasutake K„ Umeno M., Kawabe H. Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crustals // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. - V.83. - No.l. -P.207-217.

167. Vanhellemont J. Diffusion limited oxygen precipitation in silicon: Precipitate growth kinetics and phase formation U J. Appl. Phys. 1995. - V.78. - No.6. -P.4297-4299.

168. Mikkelsen J.C. The chemistry of oxygen in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.- 1986. V.59. -P.205-214.

169. Senkander S., Esfandyari J., Hobler G. A model for oxygen precipitation in silicon including bulk staking fault growth // J. Appl. Phys. 1995. - V.78. - No.l 1.- P.6469-6476.

170. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Кинетика образования дефектов упаковки при преципитации кислорода в кремнии // Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск, 2000. - С. 160.

171. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование кинетики образования дефектов упаковки в решетке кремнил /V Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 2000. - Вып.2(9). - С.ЗО-ЗЗ.

172. Гринштейн П.М., Ильин М.А., Моргулис JI.M., Орлова Е.В., Фистуль В.И. Механизм распада пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Электронная техника. Сер. Матер. 1978. -№9. - С.70-74.

173. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. - 214 с.

174. Стандарт ФРГ ДИН 50438. Определение концентрации примеси в кремнии с помощью ИК-поглощения (кислород). 1978.

175. Дашевский М.Я., Раздобудько А.В. Микродефекты в легированных бездислокационных монокристаллах кремния, выявленные на сколах по плоскостям {111}// Известия вузов. Материалы электронной техники. 1999. - №3. - С.21-23.

176. Huh J.Y., Gosele U., Tan T.Y. Coprecipitation of oxygen and carbon in Czochralski silicon: A growth Kinetic approach //J. Appl. Phys. 1996. - V.78. -No. 10. - P.5926-5934.

177. Xu L.B. A statistical thermodynamic model for oxygen segregation during Czochralski growth of silicon single crystals // J. Cryst. Growth. 1999. - V.200. -P.414-420.

178. Hartzell R.A., Schaake H.F., Massey R.G. A model that describes role of oxygen, carbon, and silicon interstitials in silicon wafers during device processing // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1985. - V.36. - P.217-222.

179. Tan T.Y. On the kinetics of oxygen clustering and thermal donor formation in Czochralski silicon ft Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. - V.59. - P. 195-204.

180. Сафронов В.И. Диффузия кластеризующихся примесей в кристаллах. -Новосибирск: Институт физики полупроводников СО РАН, 1993. 32 с.

181. Иверонов В.И., Канцельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. -М: Наука, 1977.-256 с.

182. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. - 384 с.

183. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах // Сб. статей под ред В.Н.Романенко. М.: Металлургия, 1987. - 137 с.

184. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. stat. sol. (a). 1979. -V.51. - P.629-640.

185. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Delect Formation at Ion Implantation of Silicon // Phys. stat. sol. (a). 1976. -V.37. - P.57-64.

186. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // ФТП. 1980. - Т.14. - Вып.5. -С.934-938.

187. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника// ФТП. 1983. - Т. 17. - Вып.5. - С.838-842.

188. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 1997. -Вып.1(3). - С.61-63.

189. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода// Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск, 1998. - С.170-171.

190. Журавель М.С., Михаденок В.В., Петлицкий А.Н., Тарасик М.И., Янченко A.M. Влияние дефектов упаковки на качество кремниевых интегральных микросхем 11 Труды Всероссийской конференции «Кремний-2000». Москва, 2000. - С.263-264.

191. Думбров В.И., Гулидов Д.Н., Миляев В.А., Никитин В.А. О возможности оценки качества внутреннего геттера неразрущающими бесконтактными методами //Микроэлектроника. 1988. - Т. 17. - Вып.1. - С. 19-23.

192. Алехин В.П., Игнатьева JI.A., Литвинов Ю.М., Моисеенко Н.Ф., Сорокина М.Т. Образование дислокаций в бездислокационном Si, подвергнутом геттепирующей термообработке // Микроэлектроника. 1985. - Т.14. - Вып.5.- С.415-419.

193. Васильева Е.Д., Соколов В.И., Шапиро И.Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-Si02 // Микроэлектроника. 1991. - Т.20. -Вып.4. - С.392-396.

194. Craven R. Internal gettering in Czohralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1985. V.36. - P.159-171.

195. Vanhellernont J., Claeys C.A. Theoretical Study of the Critical Radius of Precipitates and its Application to Silicon Oxide in Silicon // J. Appl. Phys. 1987.- V.62. No.9. - P.3960-3967.

196. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 1998. - Вып.2(5). - С.58-61.

197. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование процесса внутреннего геттерирования // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98». Звенигород, 1998. - Т. 1.

198. Приходько О.В., Светухин В.В. Моделирование процесса создания бездефектной зоны при внутреннем геттерировании // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ». Ульяновск: УлГУ, 1998. - С.21-23.

199. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, связанных с преципитацией кислорода в кремнии // Микроэлектроника. 2000. - Т.29. - №5. - С.232-238.

200. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии // Труды Всероссийской конференции «Кремний-2000». Москва, 2000. - С.38.

201. Мальцев П.П., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. Перспективы развития технологии кремний на - изоляторе// Изв. вузов. Электроника. - 1998. - №5. - С.5-9.

202. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Рекшинский В.А. Физические основы технологии КНИ-структур, формируемых методом ионно-лучевого синтеза // Изв. вузов. Электроника. 1998. - №5. - С.10-16.

203. Bennet D.J., Price Т.Е. Clustering, precipitation and diffusion in ion-implanted silicon // Semicond. Sci. Technol. 1994. - No.9. - P.5-9.

204. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем U Изв. вузов. Электроника. 1998. - №5. - С.22-29.

205. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование создания диэлектрических слоев SiCb в кремнии // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98». Звенигород, 1998. - Т.2.

206. Приходько О.В., Светухин В.В. Моделирование технологии «кремний на диэлектрике // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ». Ульяновск, 1998. -С.23-25.

207. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во МГУ,1995. 399 с.

208. Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., Белянина Е.В. Электронейтральные примеси в элементарных полупроводниках // Изв. вузов. Цветная металлургия. №б. - 1996. - С.69-71.

209. Lemke Н. // Phys. Stat. Sol. (а). 1990. - 122. - Р.617-621.

210. Пчелинцева Т.С., Прокофьева В.К., Светухин В.В. и др. И ПЖТФ. 2001. -Т.27. - №20. - С.20-24.

211. Weltzin R.D., Swalin R.A., Hutchinson J.E. Electron microscopic study of precipitates and defects in germanium and silicon // Acta Met. 1965. - V.13. -P.115-125.

212. Ferman J.W., Swalin R.A. In: Proc. of 4-th International Conf. On Reactiviti of Solids. Amsterdam, 1961. - P.280-285.

213. Weltzin R.D., Swalin R.A. // J. Appl. Phys. Japan. 1963. - V.18. - Suppl. III. -P.136-143.

214. Carter J., Swalin R.A. // J. Appl. Phys. 1960. - V.31. - P. 1191-1196.

215. Swalin R.A., Weltzin R.D.//Progr. Sol. St. Chem. 1965. - V.2. - P.175-181.

216. Гончаров Jl.А., Чавлейшвили Н.Г. О свойствах центров преципитации лития в германии // ФТП. 1973. - Т.7. - В.2. - С.308-314.

217. Fuller C.S., Severience J. Phys. Rev. 1954. - V.95. - P.21-25.

218. Котина И.М., Курятков B.B., Мосина Г.Н., Новиков С.Р., Сорокин Л.М. Образование новой фазы при распаде пересыщенного твёрдого раствора лития в германии // ФТТ. 1984. - Т.26. - В.2. - С.436-440.

219. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991.

220. Иванова B.C., Баланкин А.С., Бунин И.Ж., Оксогоев А.А. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. - 315 с.

221. Witten Т.А., Sander L.M. Simulation of fractal cluster grothw // Phys. Rev. Lett. 1981. - V.87. - P.719.

222. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста кластеров. Моделирование неравновесных систем 98: Тез. докладов Первого всероссийского семинара. - Красноярск: КГТУ, 1998. - С. 108-109.

223. Светухин В.В., Комлев А.В. Влияние температуры на динамику формирования фрактальных кластеров. Моделирование неравновесных систем 98: Тез. докладов Первого всероссийского семинара. - Красноярск: КГТУ, 1998.-С. 110-111.

224. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Влияние геометрии фрактального кластера на динамику его роста. Моделирование неравновесных систем 98: Тез. докладов Первого всероссийского семинара. - Красноярск: КГТУ, 1998. -С.112-113.

225. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста фрактального кластера: Тез. конф. «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов». Ульяновск, 1998. - С.49-51.

226. Светухин В.В., Комлев А.В. Влияние температуры на динамику роста фрактальных кластеров: Тез. конф. «Математическое моделированиефизических, экономических, социальных систем и процессов». Ульяновск, 1998. -С.55-57.

227. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Имитационное моделирование кинетики роста гспастеров: Тез. конф. «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов». Ульяновск, 1998. - С.57-59.

228. Смирнов Б.М.//УФН,- 1997. Т.167. -№10. - С.1169-1200.

229. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. - 429 с.

230. Глазов В.М., Охотин А.С., Боровикова Р.П., Пушкарский А.С. Методы исследования термо-электрических свойств полупроводников. М.: Атомиздат, 1969. - 175 с.

231. Гончаров J1.A., Чавлейшвили Н.Г. Влияние кислорода на кинетику преципитации лития в германии // ФТП. 1972. - Т.6. - B.l 1. - С.2243-2245.

232. Henck R., et. al. Drift rate and precipitation of lithium in germanium // IEEE Trans, on Nuclear Science. 1966. - NS-13, N3. - P.245-251.

233. Lopes da Silva G., Henck R., Kuchly J.M. Litium driftability in germanium // IEEE Trans on Nuclear Science. 1968. - NS-15, N1. - P.448-455

234. Morin F.J., Reiss H.J. Phys. Chem. Solids. 1957. - V.3. - P.196-202.

235. Гринштейн П.М., Орлова E.B., Фистуль В.И. К вопросу о природе центров осаждения лития в кремнии II ФТП. 1977. - Т.П. - В.9. - С. 1661-1664.

236. Быкова Е.М., Гончаров J1.A., Лифшиц Т.М., Сидоров В.И, Холл Р.Н. Германий высокой чистоты. II. Взаимодействие лития с кислородом //ФТП. -1975. Т.9. - В. 10. - С.1861-1866.

237. Гаврилов Г.М., Гончаров Л.А., Литовченко П.Г., Петросян Э.Е., Ухрин Я., Чукчиев М.В. Исследование некоторых оптических и рекомбинационных• характеристик германия применяемого для изготовления GeLi-детекторов // ФТП. 1974. - Т.8. - В.1. - С.154-156.

238. Литовченко П.Г., Гаврилов Г.М., Бородовский Я.А. О центрах рекомбинации в бескислородном германии р-типа // ФТП. 1974. - Т.8. - В.5. - С.955-961.

239. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитациираствора кислорода в кремнии // Изв. вуз. Электроника. 1997. - №5. - С.24-29.

240. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП. №4. - 2000.

241. Кулярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования дефектов в полупроводниках // Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред. Ульяновск, 1999. - С.26-61.

242. Акимов Ю.К., Игнатьев О.В. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. М.: Энергоатомиздат, 1989. - 325 с.

243. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир, 1967. - 252 с.

244. Резников Р.С., Сельдяков Ю.П. Промышленные полупроводниковые детекторы. М.: Атомиздат, 1975. - 278 с.

245. Акимов Ю.Н., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф., Юнгклауссен X. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. М.: Атомиздат, 1967. - С.253.

246. Гамалий А.Ф., Нестеров Б.В. Технология изготовления германиево-литиевых детекторов гамма-излучения. Препринт ФЭИ-265. - Обнинск, 1971. - 15 с.

247. Новиков С.Р., Пустовойт А.К., Седов Н.Я., Шишкина Г.А. Германиевые литий-дрейфовые детекторы с большим чувствительным объемом. Л.: АН СССР ФТИ им. Иоффе, 1969. - 120 с.

248. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Влияние крупномасштабных ловушек на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений // ФТП. 1975. - Т.9. - В.8. - С.1575-1579.

249. Афанасьев В.Ф., Афанасьева Н.П., Любчик Б.Г. Влияние неоднородности распределения акцепторов на компенсацию в литий-дрейфовых p-i-n-переходах // ФТП. 1974. - Т.8. - В.6. - С. 1090-1095.

250. Любчик Б.Г. К теории компенсации полупроводников дрейфом ионов лития в присутствии резких локальных неоднородностей распределения акцепторов//ФТП. 1975. - Т.9. - В.5. - С. 1039-1040.