Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Гришин Александр Геннадьевич

ПРЕЦИПИТАЦИЯ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ,ЛЕГИРОВАННОМ ЦИРКОНИЕМ

01.04.10 - физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ульяновск - 2004

Работа выполнена на кафедре оптики и спектроскопии твердого тела государственного образовательного учреждения высшего

профессионального образования Ульяновский государственный университет

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

действ, чл. РАЕН, чл.-корр. АН Татарстана, профессор Булярский Сергей Викторович

Официальные оппоненты: доктор технических наук,

профессор Комов Александр Николаевич

доктор физико-математических наук Костишко Борис Михайлович

Ведущая организация: Мордовский государственный университет

им. Н.П. Огарева

Защита состоится 9 июня 2004 года в 1300 часов на заседании диссертационного совета Д 212.278.01 при Ульяновском государственном университете по адресу: 432970, г.Ульяновск, ул. Л. Толстого, 42 С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Ульяновского государственного университета

Автореферат разослан «6» мая 2004 г.

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу:

432970, г.Ульяновск, ул. Л. Толстого, д.42, УлГУ, научная часть

Ученый секретарь

диссертационного совета, к.ф.-.м.н., доцент ' Л - // О.Ю.Сабитов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Поведение кислорода в кремнии является одной из важнейших проблем современной микроэлектроники. Быстродействие и надежность полупроводниковых приборов достигаются путем управления технологическими процессами, основанными на точном знании физико-химических процессов, и контролем концентрации вредных примесей в кристалле.

К сожалению, в настоящее время кремний, выращенный по методу Чохральского в России и используемый для изготовления СБИС, уступает по ряду характеристик зарубежным аналогам. Определенные надежды можно возлагать на использование технологии «внутреннее геттерирование», позволяющей очистить рабочую область кремниевой пластины от нежелательных технологических примесей.

В последнее время значительное внимание уделяется изовалентно легированным полупроводникам. Введение геттерирующих примесей, например циркония, в расплав при выращивании монокристаллов большого диаметра способствует улучшению качества кремния для СБИС: повышается осевая и радиальная однородность распределения междоузельного кислорода, возрастает время жизни неравновесных носителей заряда. Распределение кислорода по длине и диаметру таких кристаллов кремния хорошо подходит для проведения процесса внутреннего геттерирования.

Для оптимизации процесса внутреннего геттерирования в кремнии,

легированном цирконием, необходимы исследования по влиянию

циркония на кинетику преципитации кислорода. Также актуальны

исследования по влиянию примеси циркония на процесс образования

кислородных термодоноров. • ---

РОС НАЦИОНАЛЬНАЯ БИБЛИОТЕКА СП.

Таким образом, исследования взаимодействия кислорода с цирконием в кремнии, выращенном по методу Чохральского, представляют большой интерес как в теоретическом, так и в практическом отношении, и поэтому выбранная тема диссертационной работы является актуальной.

В данной работе исследовались процессы образования кислородных преципитатов и низкотемпературных термодоноров в кремнии, выращенном по методу Чохральского в Московском институте электронной техники. Проводилось математическое моделирование роста кислородных кластеров и их превращение в преципитаты.

Цель работы

Целью данной работы является экспериментальное и теоретическое исследование кластеризации и преципитации кислорода в кремнии, легированного цирконием. Для достижения данной цели решались следующие задачи:

• моделирование процесса кластеризации и преципитации кислорода;

• моделирование процесса внутреннего геттерирования в кремнии, легированного цирконием;

• исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, легированного цирконием;

• определение параметров кислородной преципитации по результатам сопоставления теоретических расчетов и экспериментальных данных;

• исследование электрической активности дефектов в кремнии, выращенном по методу Чохральского, связанных с цирконием ^г);

• исследование образования термодоноров (ТД) в кремнии, легированном цирконием.

Научная новизна

1. Предложен механизм формирования центров зарождения кислородных преципитатов из кластеров, когерентно расположенных в решетке кремния. Найден критический радиус, при котором кластер из междоузельных атомов кислорода превращается в преципитат.

2. Моделирование методом Монте-Карло образования кластеров атомов кислорода в решетке кремния с учетом геометрии решетки позволило определить фрактальную размерность кластеров из междоузельных атомов кислорода, формирующихся на начальной стадии распада пересыщения твердого раствора кислорода.

3. Показано, что легирование кремния цирконием изменяет механизм зарождения центров преципитации при Т>1000°С, в результате их число больше, чем в кристалле без циркония.

4. Получено, что легирование кремния цирконием приводит к уменьшению скорости образования и к уменьшению максимальной концентрации термодоноров по сравнению с кремнием, не легированным цирконием, это связано с тем, что легирование цирконием уменьшает начальную концентрацию межузельного кислорода.

Практическая ценность работы

1. Разработан алгоритм моделирования процессов образования кластеров и преципитатов.

2. Экспериментально получены энергии активации уровней, связанных с цирконием в кремнии (0.65,0.52,0.32 эВ).

3. Показано, что легирование цирконием повышает термостабильность кремния, выращенного по методу Чохральского, при температурах 400-500°С.

4. Более однородное распределение кислорода по длине слитка кристалла, а также значения концентраций междоузельного кислорода позволяют провести операцию внутреннего геттерирования более эффективно, по сравнению с кремнием, не легированным цирконием.

5. Термообработка кремния, легированного цирконием, при 1000°С приводит к формированию повышенной концентрации центров зарождения кислородных преципитатов, что должно способствовать повышению эффективности внутреннего геттерирования.

6. В кремнии, легированном цирконием, можно использовать стандартные технологические операции, используемые при формировании внутреннего кислородного геттера.

Положения, выносимые на защиту

1. Легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования низкотемпературных кислородных термодоноров.

2. Цирконий участвует в формировании центров зарождения кислородных преципитатов и увеличивает их концентрацию по сравнению с кремнием, не легированным цирконием.

3. На начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода энергетически выгодно образовываться кластерам, которые при достижении критического размера превращаются в преципитаты.

Апробация работы

По материалам диссертации были представлены и опубликованы тезисы на следующих конференциях: Труды IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002),

Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии" (Ульяновск, 2002), Труды международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000), Труды III научной конференции "Математическое моделирование" (Ульяновск, 2000).

Личное участие автора. Основные теоретические положения главы 3 разработаны совместно с д.ф.-м.н., профессором Булярским СВ. и д.ф.-м.н. Светухиным В.В. Экспериментальные результаты работы и численное моделирование выполнены автором самостоятельно.

Публикации.. Основные результаты исследований отражены в 11 печатных работах (в том числе 4 в центральной печати), список которых приведен в заключении.

Объем И структура диссертации. Диссертационная работа изложена на 115 страницах, содержит 40 рисунков, 7 таблиц, 105 наименований в списке литературы, состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, охарактеризована научная новизна и практическая значимость результатов, изложены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит обзор данных литературы, касающихся поведения кислорода в кристаллической решетке кремния, комплексообразования и преципитации кислорода. Приведено описание кислородных термодоноров. Рассматривается роль кислорода в технологии производства полупроводниковых приборов на основе кремния.

Показывается, что кислород в кремнии является основной примесью, определяющей поведение термодоноров и эффективность геттерирования.

Рассматриваются причины возникновения кислородной преципитации в кремнии. Показывается, что размер и плотность преципитатов зависят от температуры и продолжительности отжига, исходной концентрации кислорода, присутствия различных легирующих и фоновых примесей. Особое внимание уделяется анализу встречающихся в литературе теоретических моделей преципитации кислорода. Показывается, что, несмотря на большое количество работ, посвященных кислородной преципитации, лишь немногие' из них посвящены физическому моделированию данного процесса, причем известные на данный момент модели не всегда способны описать имеющиеся эксперимент&чьные данные. Подробно анализируется наиболее известная модель Хэма, показывается, что она не способна описать неоднородную по объему преципитацию кислорода.

В данной главе также рассматривается роль кислородной преципитации, в таких современных технологиях производства интегральных схем, как внутреннее геттерирование.

Во второй главе на основе предложенной теоретической модели кластеризации проводится описание кинетики образования кластеров, влияние температуры и анизотропии на геометрию фрактальных кластеров, а также проводится моделирование образования кластеров в решетке типа алмаз. В этой главе были рассмотрены основные аспекты процессов кластеризации, которые могут стать основой для создания новых технологий. Были решены следующие задачи:

• проведено моделирование кинетики образования кластеров в двухмерном случае. Для рассмотрения • кинетики роста фрактальных кластеров была рассмотрена модифицированная модель Виттена-Сандера, которая заключается в следующем: в определенном

ограниченном пространстве имеется сразу N свободных частиц, которые беспорядочно двигаются (броуновское движение), и одна неподвижная частица (центр зарождения кластера), и как только свободная частица подходит к центру зарождения она «прилипает» к нему. Таким образом, со временем наблюдаем рост фрактального кластера. В представленной нами модели можно изменять следующие параметры: вероятность перехода частиц по решетке; константу скорости образования кластера; константу скорости развала кластера; размер решетки; число частиц и время моделирования.

• Предложена методика определения фрактальной размерности, которая сводится к следующему: используя зависимость ¡(Я) (числа частиц в кластере от Я радиуса, откладываемого от центра зарождения) от

фрактальной размерности ¡(Я) = Я В¥, справедливую для фрактальных

кластеров, и имея зависимость ¡(К), полученную в результате моделирования, фрактальная размерность определяется как тангенс угла наклона зависимости ¡(К), построенной в двойных логарифмических координатах.

• Произведено описание кинетики роста фрактального кластера. Представлены теоретические расчеты, которые подтверждают результаты нашего моделирования. А именно: представлены уравнения для описания кинетики роста фрактального кластера, которые вытекают из квазихимического подхода к росту кластеров.

• Описано влияние температуры на геометрию фрактальных кластеров. В этой части была предложена математическая модель роста кластера в зависимости от температуры. Соответствующее моделирование показало, что при увеличении температуры кластер растет быстрее, о чем говорит более резкое убывание числа мономеров со временем.

Описано влияние анизотропии кристалла на геометрию фрактальных кластеров. Качественно показано, что при введении анизотропии в кристалл форма образующихся кластеров значительно изменяется.

Проведено моделирование кинетики образования кластеров в решетке типа алмаз. В этой части было проведено исследование геометрии кластеров, образующихся из атомов, находящихся в межждоузельном положении при диффузионном росте. Моделирование проводилось в решетке соответствующей геометрии типа алмаз с учетом различного расположения междоузельного атома.

В результате данного моделирования была получена зависимость

jf = (зависимость числа частиц кластера i внутри сферы от ее радиуса Я, представленная на рис. 1) наклон данной прямой позволяет найти фрактальную размерность кластеров, полученных при моделировании методом МК для случая междоузельных атомов кислорода в кремнии

Моделирование проводилось неоднократно, затем проводилось усреднение и подсчитывалась погрешность вычислений.

На примере . преципитации пересыщенного твердого раствора кислорода в кристалле кремния, выращенного по методу Чохральского рассмотрена термодинамика превращения кислородных кластеров в преципитаты. На начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода энергетически выгодно образование кластеров, которые при достижении критического размера атомов)

превращаются в преципитаты.

юооо-з

¡(Я)вток

юоо

100-

Ор= 2.43*0.03

Рис. 1. Зависимость числа частиц кластера ; внутри сферы от ее радиуса Л при кластеризации кислорода в кремнии. Точки -результаты моделирования

методом Монте-Карло, линия -

ю

аппроксимация зависимостью.

степенной

ю

Я, слон

Третья глава посвящена экспериментальному исследованию преципитации кислорода. Распределение кислорода по длине и диаметру таких кристаллов кремния хорошо подходит для проведения процесса внутреннего геттерирования. Для оптимизации процесса внутреннего геттерирования в кремнии, легированном цирконием, необходимы исследования по влиянию циркония на кинетику преципитации кислорода.

В эксперименте исследовались пластины кремния р-типа с одной полированной стороной (диаметр пластин 0 = 10 СМ, толщина ¿=400 мкм, удельное сопротивление 8 Ф»см). Монокристаллы диаметром 100 мм (КДБ-12) выращивались в Московском институте электронной техники методом Чохральского с добавлением в расплав циркония до концентрации 5-1018-5-10!9 см"3. Известно, что примесь в кристаллах, выращенных этим методом, распределяется неравномерно по длине. Средняя концентрация циркония в кристалле кремния составляла 101бсм"3 и увеличивалась от начала к концу слитка. Поэтому весь кристалл был разделен на четыре части, и нами исследовались пластины из каждой части. Образцы были выращены по методу Чохральского с исходной концентрацией междоузельного кислорода Отжиг

пластин при температуре 900°С проводился в атмосфере азота в

лаборатории завода «Искра» г. Ульяновск, отжиг при температуре 1050°С проводился на кафедре «Оптики и спектроскопии твердого тела» УлГУ. Пластины отжигались в течение 5, 10, 15, 20, 30, 40, 50 и 60 часов. После отжига с пластин удалялся слой окисла с помощью травителя (плавиковая кислота HF), затем пластины разрезались на кусочки для проведения спектральных исследований.

По предложенной методике определения концентрации межузельного кислорода в кремнии для каждого образца измерялся коэффициент поглощения на длине волны 9 мкм, который затем пересчитывался в концентрацию междоузельного кислорода. По вышеописанной методике были получены значения начальной концентрации кислорода в образцах из различных частей слитка (рис. 2).

Рис. 2. Распределение содержания кислорода в образцах кремния, легированных

цирконием, по длине кристалла

На рис. 3. показаны типичные кривые по кинетике преципитации кислорода при для образца, легированного

цирконием и нелегированного. В работе исследовались пять образцов: один "чистый" и четыре легированных, с различной начальной концентрацией кислорода.

Было обнаружено, что цирконий влияет на процесс преципитации кислорода. Экспериментальные данные были описаны с помощью уравнения:

где N(1)- концентрация междоузельного кислорода, не связанного в преципитаты; Nс— концентрация центров зарождения кислородных преципитатов; равновесная концентрация междоузельного кислорода в кремнии; т — число атомов кислорода в центре зарождения (считается, что т=5). Параметр а отвечает за геометрию преципитатов (для преципитатов с постоянным эксцентриситетом а = 1/3 [3]). Кинетический коэффициент к0 связан с коэффициентом диффузии междоузельного

кислорода D следующим образом: кй =4тЮа, где а = 2.5А, который может быть вычислен из плотности фазы и кинетического коэффициента кислородной преципитации

Единственным подгоночным параметром являлась концентрация центров зарождения. Сопоставление теоретических расчетов с

экспериментальными данными позволило получить значения концентраций центров зарождения для образцов из разных частей слитка кристалла, легированного цирконием (см. таб. 1). В кремнии, выращенном по методу Чохральского и не легированном цирконием, концентрация центров зарождения кислородных преципитатов описывается выражением ,.УС = 0.15-ехр{2.65/АГ}, см"3, расчет по данной формуле дает значения 3.61010 см'3 и 1,8 109 см"3 при Т=900°С и Т=1050°С, соответственно. При температуре 1050°С концентрация центров зарождения почти на порядок больше, чем концентрация центров зарождения в кремнии, не легированном цирконием (см. таб. 1.). При 900°С концентрация центров зарождения в кремнии, легированном и не легированном цирконием, различаются не существенно.

Таб. 1. Концентрации центров зарождения кислородных преципитатов при двух температурах отжига.

Концентрация центров зарождения преципитатов, см""'

№ образца Т=1050иС Т=900иС

1 1*10'и 3.47*10'"

2 2.2*10'и 3.51*10'°

3 1*10ш 3.52*10'"

4 3.6*101и 3.48*10'"

Таким образом, можно сделать вывод о том, что кинетика преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием, связана, прежде всего, с уменьшением концентрации междоузельного кислорода; цирконий влияет не только на начальную концентрацию кислорода, но и на процесс формирования центров зарождения. При исследуемых

температурах концентрации центров зарождения слабо зависят от температуры и изменяются в диапазоне 1*Ю10-З.52*1010см"3.

Таким образом, можно говорить о неоднозначности влияния, циркония на кинетику преципитации кислорода в кремнии. С одной стороны, легирование цирконием приводит к уменьшению концентрации межузельного кислорода, с другой - легирование цирконием приводит к увеличению центров зарождения, что ускоряет преципитацию. Можно сделать предположение, что легирование кремния цирконием изменяет механизм зарождения центров преципитации при в результате

их число больше, чем в кристалле без циркония.

Описано моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии. Разработана модель и проводится численное моделирование изменения концентрации межузельного кислорода в кремнии по глубине кристалла в процессе отжига. Предлагается модель образования бездефектной зоны, формирующейся в рабочей области кристалла в процессе внутреннего геттерирования. На основе предложенной модели производится численный расчет ширины бездефектной зоны и среднего геометрического размера преципитата от времени отжига в чистом кремнии и легированном цирконием в различных температурных интерзалах.

В четвертой. главе описано исследование электрических свойств кремния, легированного цирконием. Был проведен изохронный отжиг образцов кремния, легированного и не легированного цирконием. На рис. 4. приведена температурная зависимость концентрации добавочных электронов проводимости, появление которых обусловлено образованием ТД в кристаллах с разной концентрацией кислорода за 1 час отжига.

Исследования показали, что легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования термодоноров.

Рис. 4. Температурная зависимость максимальной

концентрации термодоноров за 1 ч отжига в образцах кремния легированного цирконием (2), и в кремнии, не легированном цирконием (1).

мм-(-,-,-,-¡-,-,-,-|Т,°С

350 400 450 500 560

Представлены результаты эксперимента по изохронному отжигу, а также более детально исследована кинетика образования термодоноров при температуре 450°С (см. рис. 5). По полученным реультатам были оценены начальная скорость образования термодоноров и максимальная концентрация термодоноров для кремния, легированного цирконием.

Рис. 5. Зависимость добавочной концентрации электронов от времени отокига при температуре 45(fC (1 — данные, полученные Кайзером для кремния, не легированного цирконием, 2 — кремний, легированный цирконием).

О 20 « Ю 50 №

Из анализа полученных нами зависимостей по кинетике образования термодоноров в кремнии, легированном цирконием, можно сделать выводы: легирование кремния цирконием приводит к уменьшению скорости образования термодоноров и уменьшению их максимальной концентрации по сравнению с кремнием, не легированном цирконием;

подавление процесса образования кислородных термодоноров связано с тем, что цирконий уменьшает начальную концентрацию межузельного кислорода; легирование изменяет механизм зарождения центров преципитации при в результате их число больше, чем в

кристалле без циркония.

Представлены исследования температурной зависимости электропроводности в кремнии, легированном цирконием. Температурные зависимости электропроводимости позволили обнаружить ряд примесных уровней, связанных с цирконием (0.65, 0.52, 0.32 эВ). Было проведено исследование спектров фотопроводимости.

В заключении дается общий анализ полученных в работе результатов.

В приложении приводятся тексты разработанных автором компьютерных программ, с помощью которых проводилось моделирование кластеризации кислорода в кремнии.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Моделирование образования кластеров методом Монте-Карло показало, что на начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода возможно образование кластеров, характеризующихся фрактальной геометрией с размерностью 2,4.

2. Предложен механизм формирования преципитатов из кластеров. Оценен критический размер (~103 частиц) превращения кластеров в преципитаты.

3. Показано, что легирование кремния цирконием приводит к более однородному распределению кислорода по длине слитка кристалла, по сравнению с кремнием, не легированным цирконием.

4. Легирование цирконием изменяет механизм зарождения центров кислородных преципитатов при температуре свыше 1000°С и увеличивает их концентрацию.

5. По экспериментальным данным исследования электрических свойств кремния, легированного цирконием, был обнаружен ряд примесных уровней, связанных с цирконием (0.65, 0.52,0.32 эВ).

6. Легирование кремния цирконием приводит к уменьшению начальной скорости формирования низкотемпературных кислородных ТД и к уменьшению их максимальной концентрации, по сравнению с кремнием, не легированным цирконием.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих

работах:

1. Гришин А.Г. Рост фрактальных кластеров лития в германии // Физика и техника полупроводников. 2001. (в соавт., Булярский СВ., Светухин В.В., Агафонова О.В., Ильин ПА, 0,19 п.л.)

2. Гришин А.Г. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном цирконием // Письма в ЖТФ. 2002. (в соавт., Светухин В.В., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н., 0,19 пл.)

3. S.V.Bulyarskii, V.V.Svetuhin, O.V. Agafonova, A G. Grishin, P.A. ll'in. Fractal Lithium Clusters Growth in Germanium // Physica Status Solidi (b) 231,No. 1,237-242(2002).

4. Гришин А. Г. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Физика и техника полупроводников, 2003, т.37, вып.7 (в соавт., Светухин В.В., Приходько О.В., 0,19 п.л.)

5. Гришин А.Г. Влияние циркония на кинетику преципитации кислорода в кремнии // Труды IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. СПб. 2002. (в соавт., Булярский СВ., 0,1 п.л.)

6. Гришин А.Г. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном цирконием // Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии". Ульяновск.

2002 (в соавт., Светухин В.В., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н.,0,19п.л.)

7. Гришин А.Г. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2002, №2(13) (в соавт., Светухин В.В., Булярский СВ., Приходько О.В., 0,19 пл.)

8. Гришин А.Г. Вияние циркония на преципитацию кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ. 2002. №2(13) (в соавт., Светухин В.В., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н., 0,19 п.л.)

9. Гришин А.Г. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8) (в соавт., Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский СВ., Ильин П.А., 0,19 п.л.)

10. Гришин А.Г. Моделирование роста фрактальных кластеров в решетке типа алмаз // Труды III научной научной конференции "Математическое

.....—.......» лг_._л/: ¡п »„_1лпп /— -_т.._

Ми/^1з'и±|'-'иоап1'1с , / лвлпио^л, 1и—'и ллтл. Х.К1\1К). (О 1/иа»1., 1зуллры\мп

СВ., Светухин В.В., 0,1 пл.)

11. Гришин А.Г. Рост фрактальных кластеров лития в германии // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", Ульяновск, 2000. (в соавт., Булярский СВ., Светухин В.В., Ильин ПА, 0,1 п.л.)

Подписано в печать 27.04.04. Формат 60x84/16. Усл. печ. л. 1,0. Тираж 100 экз. Заказ №56/4?.*

Отпечатано с оригинал-макета в лаборатории оперативной полиграфии Ульяновского государственного университета 432970, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, 42

9603

ВВЕДЕНИЕ. щ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Колебательный спектр ИК-поглощения межузельного кислорода в кремнии.

1.2. Растворимость и диффузия кислорода в кремнии.

1.3. Кислородные комплексы в термообработанном кремнии.

Ц 1.4. Преципитация кислорода в кремнии.

1.5. Технология внутреннего геттерирования.

1.6. Изовалентные примеси.

Глава 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ

2.1. Моделирование кинетики образования кластеров (двухмерная модель).

2.2. Определение фрактальной размерности.

2.3. Описание кинетики роста фрактального кластера.

2.4. Влияние температуры на геометрию фрактальных кластеров.

2.5. Влияние анизотропии кристалла на геометрию фрактальных кластеров.

2.6. Моделирование кинетики образования кластеров в решетке типа алмаз.

2.7. Термодинамика превращения кислородных кластеров в преципитаты.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА

В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ЦИРКОНИЕМ

3.1. Моделирование кинетики преципитации кислорода в кремнии.

3.1.1. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии.

3.2. Экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием.

3.2.1. Методика определения концентрации межузельного кислорода в кремнии.

3.2.2. Экспериментальные данные по кинетике преципитации кислорода в кремнии.

3.3. Моделирование процесса "внутреннего геттерирования".

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЦИРКОНИЕМ

4.1. Измерение удельной электрической проводимости полупроводников.

4.2. Экспериментальное исследование кислородных комплексов в термообработанном кремнии.

4.3. Технология изготовления омических контактов (никель) на подложке.

4.4. Примесная проводимость полупроводников. Температурная зависимость электропроводимости примесных полупроводников.

4.5. Измерение термостимулированной ёмкости.

4.6. Обработка спектров фотопроводимости исследуемых образцов.

Поведение кислорода в кремнии (Si), является важнейшей проблемой современной ми1фоэлектроники. Преципитация кислорода в Si, выращенного по методу Чохральского лежит в основе технологического процесса внутреннее геттерирование. Образование кислородных ТД определяет термостабильность Si. В последнее время значительное внимание уделяется изовалентно легированным п/пр. Так, например легирование кремния цирконием (Si<Zr>) позволяет повысить однородность распределения кослорода по кристаллу и улучшить качество кремниевых пластин.К сожалению в настоящее время отечественный Si не может составлять конкуренцию западным аналогам. Определенные надежды возлагаются на использование кремния, легированного цирконием, в котором можно эффективно реализовать процесс внутреннего гетгерирования. Поэтому исследование взаимодействия циркония с кислородом является одной из наиболее актуальных задач для отечественной кремниевой промышленности.Цель работы Целью данной работы является исследование взаимодействия кислорода с цирконием в 1фемнии, выращенном по методу Чохральского. Для достижения данной цели решались следующие задачи: • исследование электрической активности дефектов в кремнии, выращенном по методу Чохральского связанных с цирконием; • исследование образование термодоноров (ТД) в кремнии, легированном цирконием; • исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием; • моделирование процесса кластеризации и преципитации кислорода; • проводилось моделирование процесса внутреннего гетгерирования в 1фемнии, легированном цирконием; Научная новизна 1) Было обнаружено, что цирконий замедляет процесс преципитации, а именно замедление кинетики преципитации в кремнии, легированном цирконием, связано, прежде всего, с уменьшением концентрации междоузельного кислорода.2) Проведено моделирование превращения кластера в преципитат и получена оценка критического радиуса.3) Проведено моделирование методом Монте-Карло образование кластеров из атомов кислорода в решетке кремния. Моделирование было проведено с учетом геометрии решетки и дискретности положений, которые может занимать междоузельный атом. Из моделирования была определена фрактальная размерность кластеров из междоузельных атомов.Практическая ценность работы 1) Из моделирования проведенного методом М.-К. следует, что на начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода образуются кластеры характеризующиеся фрактальной геометрией с размерностью 2,4.2) Представлено исследование образования низкотемпературных кислородных термодоноров, что дало воззможность заключить, что легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования кислородных ТД.

3) Экспериментальное исследование преципитации кислорода показало, что цирконий замедляет процесс преципитации.4) По экспериментальные данным исследования электрических свойств кремния, легированного цирконием были получены энергии активации уровней связанных с цирконием.Положения, выносимые на защиту 1) Легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования кислородных ТД.

2) Легирование кремния цирконием приводит к замедлению кинетики преципитации кислорода из-за уменьщения степени пересыщения.Цирконий учавствует в формировании центров зарождения кислородных преципитатов.3) На начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода образуются кластеры характеризующиеся фрактальной геометрией с размерностью 2,4.4) При достижении размера 3*10^ атомов происходит превращение кластера в преципитат.Апробация работы По материалам диссертации были представлены и опубликованы тезизы на следующие конференции: Труды IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002), Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии" (Ульяновск, 2002), Труды международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000), Труды III научной научной конференции "Математическое моделирование" (Ульяновск, 2000).Личное участие автора Основные теоретические положения разработаны совместно с д.ф.-м.н., профессором Булярским СВ. и д.ф.-м.н. Светухиным. Спектрометрические исследования и исследование образования низкотемпературных кислородных, путем изохронного отжига, а также численное моделирование (глава 3,4) выполнены автором самостоятельно.Публикации Основные результаты исследований отражены в 11 печатных работах, список которых приведен в заключении.Объем и структура диссертации Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений. Материал изложен на 115 страницах, содержит 40 рисунков, 7 таблиц, 105 наименований в списке литературы.Первая глава содержит обзор данных литературы, касающихся поведения кислорода в кристаллической решетке кремния, комплексообразования и преципитации кислорода. Приведено описание кислородных термодоноров.Во второй главе на основе предложенной теоретической модели кластеризации проводится описание кинетики образования кластеров, влияние температуры и анизотропии на геометрию фрактальных кластеров, а также проводится моделирование образования кластеров в решетке типа алмаз. Рассмотрена термодинамика превращения кислородных кластеров в преципитаты.Третья глава посвящена экспериментальному исследованию преципитации кислорода. Анализируется взаимосвязь кинетики преципитации в кремнии, легированном цирконием с уменьшением концентрации междоузельного кислорода. Описывается моделирование процесса "внутреннее геттерирование".В четвертой главе описано исследование электрических свойств Si, легированного Zr. Проведено экспериментальное исследование кислородных комплексов в термообработанном кремнии. Описан эксперимент по изохронному отжигу образцов кремния легированного и нелегированного цирконием. Представлены исследования температурной зависимости электропроводности в Si легированном Zr. Температурные зависимости электропроводимости позволили обнаружить ряд примесных уровней, связанных с Zr. Было проведено исследование спектров фотопроводимости.В заключении дается общий анализ полученных в работе результатов.В приложении приводятся тексты разработанных автором компьютерных программ, с помощью которых проводилось моделирование кластеризации кислорода в кремнии (приложения 1,2).

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Моделирование образования кластеров методом Монте-Карло показало, что на начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода возможно образование кластеров, характеризующихся фрактальной геометрией с размерностью 2,4;

2. Предложен механизм формирования преципитатов из кластеров. Оценен критический размер (~10 частиц) превращения кластеров в преципитаты;

3. Показано, что легирование кремния цирконием приводит к более однородному распределение кислорода по длине слитка кристалла, по сравнению с кремнием, нелегированным цирконием;

4. Легирование цирконием изменяет механизм зарождения центров кислородных преципитатов при температуре свыше 1000°С и увеличивает их концентрацию.

5. По экспериментальным данным исследования электрических свойств кремния, легированного цирконием был обнаружен ряд примесных уровней, связанных с цирконием (0.65, 0.52, 0.32 эВ);

6. Легирование кремния цирконием приводит к уменьшению начальной скорости формирования низкотемпературных кислородных ТД и к уменьшению их максимальной концентрации, по сравнению с кремнием нелегированным цирконием.

СПИСОК РАБОТ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ

1. Булярский С.В., Светухин В .В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. // Физика и техника полупроводников. 2001. С. 897-899.

2. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном

• цирконием // Письма в ЖТФ, 2002, с.78-81

3. Bulyarskii S.V., Svetuhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., H'in P.A. Fractal Lithium Clusters Growth in Germanium // Physica Status Solidi (b) 231, No. 1, 237242 (2002).

4. Светухин B.B., Гришин А.Г., Приходько O.B. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Физика и техника полупроводников, 2003, т.37, вып.7, стр. 871-873

5. Булярский С.В., Гришин А.Г. Влияние циркония на кинетику преципитации кислорода в кремнии // Труды четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и ц наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2002

6. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном цирконием // Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии", Ульяновск, 2002

7. Светухин В.В., Булярский С.В., Приходько О.В., Гришин А.Г. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2002, №2(13), с.29-32.

8. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. ф Вияние циркония на преципитацию кислорода в кремнии. // Ученые записки

УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2002, №2(13), с. 32-34.

9. Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский С.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии // Ученые записки

41 УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 30-34.

10. Булярский С.В., Светухин В.В., Гришин А.Г. Моделирование роста фрактальных кластеров в решетке типа алмаз. // Труды третьей научной научной конференции "Математическое моделирование", Ульяновск, 26-30 июня, 2000.

11.Булярский С.В., Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", Ульяновск, 2000.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Zulehner W. Czochralski grown of silicon // J. Cryst. Growth, 1983. V.65. No.1-3.• P. 189-213.

2. Пфанн В. Д. Зонная плавка. М.: Металлургия, 1960. - 366 с.

3. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. -К.: Интерпресс ЛТД, 1997. 240 с.

4. Newman R.C. Oxygen diffusion and precipitation in Czohralski silicon // J. Phys.:

5. Cond. Matter, 2000. No. 12. P.335-365.

6. Ourmazd A., Schroter W., Bourret A. Oxygen-Related Thermal Donors in Silicon: A New Structural and Kinetic Model // J. Appl. Phys., 1984. V.56. No.6. P.1670-1681.

7. Mikkelsen J.C. An overview of oxygen in silicon // Materials Research Society Symp.Proc., 1986. V.59 P.205-214.

8. Corbett J.W., McDonald R.S., Watkins G.D. The Configuration and Diffusion of isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1964. V.25. No.8. P.873-879.

9. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl.

10. Phys., 1995. V.77. No.9. P.4169-4244.

11. Гринштейн П.М., Ильин M.A., Моргулис Л.М., Орлова Е.В., Фистуль В.И. Механизм распада пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Электронная техника, сер. Матер., 1978. № 9. С.70-74.

12. Стандарт ФРГ ДИН 50438. Определение концентрации примеси в кремнии с помощью ИК-поглощения (кислород). 1978.

13. Hrostowski H.J., Kaiser R.H. The Solubility of Oxygen in Silicon // J. Phys. Chem. Solids, 1959. V.9. No.2. P.214-216.

14. Bean A.R., Newman R.C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals // J. £ Rhys. Chem. Solids, 1971. V.32. No.6. P.1211-1219

15. Logan R., Peters A. Diffusion of Oxygen in Silicon // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No.ll. РЛ627-1630.

16. Gass J., Muller H.H., Stussi H., Schweitzer S. Oxygen Diffusion in Silicon and the• influence of Different Dopants // J. Appl. Phys., 1980. V.51. No.4 P.2030-2037.

17. Mikkelsen J.CJr. Excess Solubility of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett., 1982. V.41. No.9. P.871-873.

18. Kaiser W., Keck P.H. Oxygen Content of Silicon Single Crystals // J. Appl. Phys., 1957. V.28. No.8. P.882-887.

19. Mikkelsen J.C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals, 1985. V.37. No.5. P.51-54.

20. Mikkelsen J.C. Jr. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett., 1982. V.40. No.4. P.336-337.

21. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.31-37.

22. Benton J.L, Kimerling L.C., Stavola M. The Oxygen Related Donor Effect in Silicon // Physica B, 1983. V.116. P.271-275.

23. Kaiser W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., 1958. V.112. No.5. P.1546-1554.

24. Haas C. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1960. V.15. No. 1-2. P.108-111.

25. Kushner R.A. Oxygen Diffusion in Silicon as Measured by Charged Particle // J. Electrochem. Soc., 1972. V.119. No.8. P.239.

26. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Моделирование преципитации кислорода в кремнии // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1999. №3. С. 11-17.

27. Newman R.C., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B, 1983. V.116. No.1-3. P.264-270.

28. Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffusivity of Oxygen in Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett., 1983. V.42. No.l. P.73-75.

29. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. -472 с.

30. Fuller C.S., Ditzenberg J.A., Hannay N.B., Buehler E. Resistivity Changes in Silicon Induced by Heat Treatment // Phys. Rev., 1954. V.96. No.3. P.833

31. Kaiser W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., % 1957. V.105. No.6. P.1751-1756.

32. Gaworzewski P., Schmalz K. On the Kinetics of Thermal Donors in Oxygen-Rich Silicon in the Range from 450 to 900 °C // Phys. Stat. Sol. (a), 1980. V.58. No.l. P.K223-K226.

33. Ф 32.Nakayama H., Katsura J., Nishino Т., Hamakawa Y. Hall-Effect and

34. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys., 1983. V.54. No.l 1. P.6594-6600.

35. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu.P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and-II in Oxygenic Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 °C // Phys. Stat.

36. Sol. (a), 1983. V.78. No.2. P.733-739.

37. Henry P.M., Farmer J.W., Meese J.M. Symmetry and Electronics Properties of Oxygen Thermal Donor in Pulled Silicon // Appl. Phys. Lett., 1984. V.45. No.4. P.454-456.

38. Keller W.W. Pressure Dependence of Oxygen-Related Defect Levels in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.10. P.3471-3476.

39. Pajot В., Compain H., Lerouille J., Clerjaud B. Spectroscopic Studies of 450 °C Thermal Donors in Silicon // Physica B+C, 1983. V.117-118. РЛ10-112.

40. Stavola M., Lee K.M., Nabity J.C., Freeland P.E., Kimeriing L.C. Site Symmetry and Ф Ground-State Characteristics for the Oxygen Donor in Silicon // Phys. Rev. Lett.,1985. V.54. No.24. P.2639-2642.

41. Oeder R., Wagner P. Infrared-Absorption of Thermal Donors in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1983. V.14. P.171-175.

42. Бабич B.M, Баран Н.П., Доценко Ю.П. Зотов К.И., Ковальчук В.Б. Образование термоакцепторов, сопутствующих термодонорам-Н в кислородсодержащих кристаллах кремния // УФЖ, 1988. Т.ЗЗ. No.4. С.593-598.

43. Bender Н. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defect in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.86. No.l. P.245-261.

44. Reiche M., Reichel J., Nitzche W. Correlations Between Thermal Donor Formation, щ Rod-Like Defect Formation and Oxyden Reduction During Low-Temperature

45. Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.851-865.

46. Bender H., Vanhellemont J. Rod-Like Defect in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon? // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.455-467.

47. Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early Stages of Oxygen Segregation and Precipitation in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.4. P.825-835.

48. Yasutake K., Umeno M., Kawabe H. Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crustals // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.83. No.l. P.207-217.

49. Фольмер M. Кинетика образования новой фазы.-М.: Наука, 1986.-230 с.

50. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1977. 240 с.

51. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys. Chem. Solids., 1958.1. V.6. P.335-350.

52. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No.10. P.1518-1525.

53. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation // J. Appl. Phys., 1959. V.30.• No.6. P.915-927.

54. Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon // Appi. Phys. Lett., 1983. V.88. No.6. P.525-527.

55. Xu L.B. A statistical thermodynamic model for oxygen segregation during Czochralski growth of silicon single crystals // J. Cryst. Growth, 1999. V.200. P.414-420.

56. Hartzell R.A., Schaake H.F., Massey R.G. A model that describes role of oxygen, carbon, and silicon interstitials in silicon wafers during device processing // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.217-222.

57. Tan T.Y. On the kinetics of oxygen clustering and thermal donor formation in

58. Czochralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P. 195-204.

59. Senkander S., Esfandyari J., Hobler G. A model for oxygen precipitation in silicon including bulk staking fault growth // J. Appl. Phys., 1995. V.78. No. 11. P.6469-6476.

60. Сафронов В.И. Диффузия кластеризующихся примесей в кристаллах. -Новосибирск: Институт физики полупроводников СО РАН, 1993. 32 с.

61. Иверонов В.И., Канцельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М: Наука, 1977.-256 с.

62. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. -М.: Наука, 1974. 384 с.

63. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах // Сб. статей подф ред. В.Н. Романенко. М.: Металлургия, 1987. - 137 с.

64. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. stat. sol. (a), 1979. V.51. P.629-640.

65. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon // Phys. stat. sol. (a), 1976. V.37. P.57-64.

66. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // ФТП, 1980. Т.14. Вып.5. С.934-938.

67. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника // ФТП,• 1983. Т.17. Вып.5. С.838-842.

68. Боброва Е.А., Галкин Г.Н., Енишерлов K.JL, Антонова И.А. Исследование эффективности некоторых приемов геттерирования в кремнии с использованием метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.2. С.124-130.

69. Думбров В.И., Гулидов Д.Н., Миляев В.А., Никитин В.А. О возможности оценки качества внутреннего геттера неразрущающими бесконтактными методами // Микроэлектроника, 1988. Т.17. Вып.1. С.19-23.

70. Алехин В.П., Игнатьева J1.A., Литвинов Ю.М., Моисеенко Н.Ф., Сорокина М.Т. Образование дислокаций в бездислокационном Si, подвергнутомф геттерирующей термообработке // Микроэлектроника, 1985. Т.14. Вып.5. С.415419.

71. Васильева Е.Д., Соколов В.И., Шапиро И.Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-Si02 // Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.4. С.392-396.

72. Craven R. Internal gettering in Czohralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.159-171.

73. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Рекшинский В.А. Физические основы технологии КНИ-структур, формируемых методом ионно-лучевого синтеза // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.10-16.

74. Ш 79. Bennet D.J., Price Т.Е. Clustering, precipitation and diffusion in ion-implanted silicon

75. Semicond. Sci. Technol., 1994. No.9. P.5-9.

76. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.22-29.

77. Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образованиядефектов в полупроводниках / Сб.: Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред.

78. Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов // Неорган, материалы. 1997. -Т.33, N2, С.246-250.

79. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М., 1961.

80. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем.

81. Иглицын М.И., Кекелидзе Т.П., Лазарева Г.В. Определение содержания кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП. -1964. -Т. 6, Вып. 10.1. Щ С.3148-3150.

82. Комалеева Ф.Н., Мордкович В.Н., Тэмпер Э.М., Харченко В.А. Влияние термообработки и облучения на состояние кислорода в кремнии // ФТП.-1976.-Т.10, Вып. 2.-С.320-323.

83. Рыжкова Е.М., Трапезников И.И., Челноков В.Е., Яковенко А.А. Оптические свойства кислорода в кремнии // ФТП.-1977.-Т.11, Вып. 6.-С. 1063-1066

84. Tan T.Y. Exigent-accommodation-volume of precipitation and formation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.269-278.

85. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его

86. Щ поверхности. М.: Наука, 1990. - 214 с.

87. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии // Труды Всероссийской конференции «Кремний-2000», Москва, 2000. С.38.

88. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, связанных с преципитацией кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000. Т.29. №5. С.232-238.

89. Fuller С., Logan R.,// J.Appl.Phys.-1957.-V.28.-P.129-146

90. Мордкович В.Н.//ФТТ.- 1962.- Т.4, Вып. 12.- С.3640-3644.

91. Мордкович В.Н.// Вопр.радиоэлектроники. Сер.1. Полупроводниковые приборы.-1964.-Вып.2.-С.46-52.

92. Мордкович В.Н.//ФТТ.- 1962.- Т.6, Вып.З.- С.847-852.

93. Павлов Л.П.// Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. С. 4-21

94. Lemke Н. // Phys. Stat. Sol. (а). 1990. V. 122. P. 617-621.

95. Джабраилов Т. А., Мекеров А. Н., Моливер С. С. Ученые записки Ульяновского госуниверситета, сер. физ., 2(7), 103 (1999).

96. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковыхф материалов. Изд-во Металлургия 1970. С. 54.

97. Беленький М.А. Электроосаждение металлических покрытий. Москва. 1985. С. 288.