Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Междоузельный кислород в С2-кремнии

1.2. Растворимость кислорода в кремнии

1.3. Диффузия кислорода в кремнии

1.4. Кислородные термодоноры

1.5. Преципитация кислорода в кремнии

1.6. Теоретические модели преципитации

1.7. Технология внутреннего геттерирования

1.8. Технология "кремний на изоляторе"

1.9. Выводы

Глава 2. Теоретическое исследование преципитации 41 кислорода в кремнии

2.1. Кинетические коэффициенты * •

2.2. Преципитация, ограниченная диффузией

2.3. Центры зарождения кислородной преципитации

2.4. Кинетика среднего геометрического размера преципитатов

2.5. Образование дефектов упаковки

2.6. Выводы

Глава 3. Экспериментальные исследования

3.1. Исследуемые образцы

3.2. Методика определения концентрации междоузельного кислорода в кремнии

3.3. Экспериментальные данные по кинетике преципитации кислорода в кремнии

3.4. Микроскопические наблюдения преципитатов и дефектов упаковки

3.5. Выводы

Глава 4. Моделирование преципитации кислорода в кремнии

4.1. Определение параметров кислородной преципитации

4.2. Моделирование кинетики уменьшения концентрации междоузельного кислорода в кремнии

4.3. Моделирование кинетики роста среднего геометрического размера кислородных преципитатов

4.4. Моделирование образования дефектов упаковки

4.5. Выводы

Глава 5. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии

5.1. Моделирование процесса внутреннего геттерирования

5.2. Моделирование технологии «кремний на изоляторе»

5.3. Выводы

Интерес к поведению кислорода в кремнии возник в середине 50-х годов в связи с началом промышленного использования выращенных по методу Чохральского кристаллов кремния (Cz-кремния), содержащих высокую концентрацию междоузельного кислорода.

Обнаружение факта, что при определенных условиях термообработки кислород может иметь полезный эффект при производстве микросхем, дало мощный импульс изучению преципитации кислорода [1-6].

Основные направления, возникшие на начальном этапе изучения преципитации кислорода в кремнии, остаются актуальными и в наше время. К ним относятся:

1. Исследования природы центров зарождения кислородной преципитации;

2. Создание адекватной теоретической модели преципитации кислорода в кремнии;

3. Теоретическое описание процесса образования бездефектной зоны при внутреннем геттерировании с целью контроля и предсказания ее ширины.

В последние годы особую актуальность приобрело исследование образования скрытых диэлектрических слоев в кремнии (технология SOI), возникающих при преципитации имплантированного кислорода. Актуальность вышеперечисленных направлений в первую очередь обусловлена широким коммерческим использованием богатого кислородом Cz-кремния в современном производстве сверхбольших интегральных схем. Постоянно возрастающие требования к быстродействию и надежности интегральных схем приводят к необходимости более жесткого контроля концентрации вредных примесей в рабочей зоне кристалла. Используемый для этой цели процесс внутреннего геттерирования, который основан на преципитации кислорода, до сих пор не имеет четкого теоретического описания, что стимулирует особый интерес исследователей к данной теме.

Технология «кремний на изоляторе», в основе которой также лежит преципитация кислорода, выводит современное производство ИС на качественно новый уровень, позволяет достичь высочайшей степени миниатюризации. В частности, совсем недавно фирма ЮМ анонсировала выпуск нового процессора Power 4, изготовленного по 0.13-микронной SOI-технологии, способной увеличить производительность процессора на 35% [7].

Построение адекватной теоретической модели кислородной преципитации имеет существенное значение для замены длительных и дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием, а также для оптимизации вышеупомянутых сложных технологических процессов, в основе которых лежит преципитация кислорода.

Таким образом, исследования кислородной преципитации в кремнии представляет большой интерес как в теоретическом, так и в практическом отношении, и поэтому выбранная тема диссертационной работы является актуальной.

Цель работы

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии, а также проведение численного моделирования преципитации и связанных с ней технологических процессов.

Для достижения поставленной цели в работе решаются следующие задачи: разрабатывается теоретическая модель неоднородной по объему преципитации точечных дефектов в кристаллах, которая применяется к анализу кислородной преципитации в кремнии; проводятся спектроскопические и микроскопические исследования преципитации кислорода и образования дефектов упаковки в кремнии; определяются основные параметры кислородной преципитации по результатам сопоставления теоретических расчетов и экспериментальных данных; разрабатываются алгоритмы, и проводится численный расчет кинетики кислородной преципитации и образования дефектов упаковки в кремнии; проводится численное моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии.

Научная новизна

1) Разработана теоретическая модель, позволяющая описать кинетику преципитации кислорода в кремнии с учетом различной геометрии преципитатов.

2) Представлена модель, описывающая рост дефектов упаковки, образующихся из междоузельных атомов кремния, выдавленных кислородными преципитатами со своих мест в решетке кремния.

3) Развита теоретическая модель неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии, позволяющая моделировать технологии «внутреннее геттерирование» и «кремний на изоляторе».

Практическая ценность работы

1) Найдены параметры кислородной преципитации в кремнии.

2) Получены уравнения, позволяющие моделировать кинетику роста преципитатов различной геометрии с учетом образования дефектов упаковки.

3) Разработан алгоритм, позволяющий рассчитать ширину бездефектной зоны, образующейся в кремнии в процессе внутреннего геттерирования.

4) Предложена методика оценки толщины диэлектрического слоя, образующегося в объеме пластины кремния в технологии «кремний на изоляторе».

Положения, выносимые на защиту

1) Предложенная теоретическая модель позволяет описать кинетику неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии.

2) Преципитация кислорода в кремнии ограничена диффузией. Из анализа экспериментальных данных найден коэффициент диффузии кислорода в кремнии.

3) В области высоких температур преципитация кислорода ограничена развалом преципитатов.

4) Центры зарождения кислородной преципитации состоят из пяти атомов кислорода.

5) Критерием оценки ширины бездефектной зоны, образующейся при внутреннем геттерировании, может служить дисперсия профиля концентрации междоузельного кислорода.

6) Предложенная теоретическая модель неоднородной по объему преципитации позволяет описать возникновение внутреннего диэлектрического слоя в объеме кристалла кремния в технологии «кремний на изоляторе».

Апробация работы

Результаты диссертации докладывались и обсуждались на Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск,

1997), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998), Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 2000) и на ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов УлГУ (Ульяновск, 1996—

1998). По материалам диссертации также были представлены и опубликованы тезисы на следующие конференции: Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors» (Chernivtsi, Ukraine, 1997), Всероссийская конференция «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации» (Кисловодск, 1996), Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника-98» (Звенигород, 1998), Всероссийская конференция «Кремний-2000» (Москва, 2000).

Личное участие автора

Основные теоретические положения главы 2 разработаны совместно с д.ф.-м.н., профессором Булярским С.В. и к.ф.-м.н. Светухиным В.В. Постановка экспериментов (спектроскопические и микроскопические исследования), а также численное моделирование (главы 4, 5) выполнены автором самостоятельно.

Публикации

Основные результаты исследований отражены в 21 печатной работе, список которых приведен в заключении. Объем и структура диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и приложений. Материал изложен на 131 странице, содержит 33 рисунка, 5 таблиц, 120 наименований в списке литературы.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработана теоретическая модель, позволяющая описать кинетику преципитации кислорода в кремнии с учетом различной геометрии преципитатов. Показано, что образование кислородных преципитатов ограничено диффузией междоузельного кислорода.

2. Проведены спектроскопические исследования пластин кремния, подвергшихся предварительному отжигу. Результаты эксперимента подтверждают уменьшение междоузельного кислорода в кремнии в результате преципитации. По результатам сопоставления экспериментально полученных данных и теоретической модели был найден кинетический коэффициент преципитации кислорода, а также коэффициент диффузии кислорода в кремнии.

3. Разработана теоретическая модель образования дефектов упаковки в кремнии, позволяющая описать кинетику изменения концентрации междоузельных атомов кремния в процессе кислородной преципитации. Также проведена экспериментальная и теоретическая оценка среднего геометрического размера дефектов упаковки.

4. Получены выражения, описывающие процесс преципитации кислорода вблизи поверхности кристалла. Проведено численное моделирование и показано, что уменьшение концентрации междоузельного кислорода в приповерхностной области обусловлено не только диффузией на поверхности, но и преципитацией кислорода.

5. Предложен критерий оценки ширины бездефектной зоны (ШБЗ) по рассчитанным профилям концентрации междоузельного кислорода. Проведено численное моделирование ШБЗ, результаты которого удовлетворительно согласуются с известными из литературы экспериментальными данными. 6. Проведено теоретическое описание процесса образования скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имеющего место в технологии SOI. Показано, что данный процесс тесно связан с преципитацией имплантированного в кремния кислорода, и проанализированы условия возникновения диэлектрического слоя.

Научная новизна полученных результатов заключается в разработке теоретической модели кислородной преципитации, дополняющей теорию Хэма; в описании процесса образования дефектов упаковки как следствия преципитации кислорода. В отличие от аналогичных исследований других авторов предложена модель, позволяющая описать образование дефектов упаковки одновременно с преципитацией кислорода.

Также в работе развита теоретическая модель неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии. Показано, что уменьшение междоузельного кислорода в приповерхностной области связано не только с диффузией на поверхность, но и с преципитацией кислорода в объеме кристалла.

В ходе исследования неоднородной по объему преципитации кислорода был впервые предложен критерий оценки ширины бездефектной зоны по рассчитанным профилям концентрации междоузельного кислорода. Результаты использования предложенного критерия удовлетворительно согласуются с имеющимися экспериментальными данными, что позволяет сделать вывод о правомочности его применения.

Полученные результаты определяют направление дальнейших исследований по уточнению предложенного критерия. Предсказание ширины бездефектной зоны, образующейся при отжиге кристалла, может оказаться полезным для оптимизации некоторых технологических процессов внутреннего генерирования.

Предложенная в работе теоретическая модель неоднородной по объему преципитации может также найти применение в моделировании процесса образования скрытых диэлектрических слоев в технологии «кремний на изоляторе» (технологии SOI). Предложенный нами критерий слияния преципитатов в непроводящую фазу позволяет описать ширину образующегося диэлектрического слоя, однако данный вопрос требует дальнейшего исследования и учета влияния других дефектов в кристалле.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии // Труды конф. «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации», Кисловодск-96. С.92.

2. Н.Ю.Громова, В.В.Приходько, О.В.Приходько, В.В.Светухин. Преципитация кислорода в германии при отжиге // Труды конф. «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации», Кисловодск-96. С.94.

3. О.В.Приходько, В.В.Светухин. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ», Ульяновск. 1996. С.33-35.

4. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько, И.М.Романов. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии» // Известия вузов. Электроника. 1997. №5. С.24-29.

5. O.V.Prikhodko, V.V.Svetukhin, S.V.Bulyarskii. The Characterization of Oxygen Solution Decay in Si // Second International School-Conference

Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12th September, 1997. P.75.

6. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии // Труды междунар. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997. С.6-7.

7. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Кинетика преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1997. Вып. 1(3). С.61-63.

8. В.В.Светухин, О.В.Приходько. Центры зарождения кислородных преципитатов // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1998. Вып. 2(5). С.56-57.

9. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1998. Вып. 2(5), С.58-61.

10. С.В.Булярский, В.В.Светухин, . О.В.Приходько. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода // Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников», Ульяновск, 1998. С. 170-171.

11. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование процесса внутреннего геттерирования // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98», Звенигород, 1998. Т.1.

12. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование создания диэлектрических слоев Si02 в кремнии // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98», Звенигород, 1998. Т.2.

13. О.В.Приходько, В.В.Светухин. Моделирование процесса создания бездефектной зоны при внутреннем геттерировании // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ», Ульяновск, 1998. С.21-23.

14. О.В.Приходько, В.В.Светухин. Моделирование технологии «кремний на диэлектрике // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ», Ульяновск,

1998. С.23-25.

15. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование и экспериментальное исследование процесса внутреннего генерирования в кремнии 7/ Труды междунар. конф. «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1999. С. 18.

16. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии // ФТП,

1999. Т.ЗЗ. Вып. 11. С. 1281 -1286.

17. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование преципитации кислорода в кремнии // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1999. №3. С.11-17.

18. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии // Труды всероссийской конференции «Кремний-2000», Москва, 2000. С.38.

19. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Кинетика образования дефектов упаковки при преципитации кислорода в кремнии // Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников», Ульяновск, 2000. С. 160.

20. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование технологических процессов, связанных с преципитацией кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000. Т.29. №5. С.232-238.

21. С.В.Булярский, В.В.Светухин, О.В.Приходько. Моделирование кинетики образования дефектов упаковки в решетке кремния // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 2000. Вып. 2(9). С.30-33.

Заключение

1. Батавин В.В. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Кристаллография, 1970. Т.15. Вып.1. С.125-135.

2. Wilkes J.C. The precipitation of oxygen in silicon // J. Cryst. Growth, 1983. Y.65. P.214-230.

3. Forbes L., Whitwer F.D., Peng J.D. Oxygen precipitation in CMOS wafers // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.36. P.257-262.

4. Stanculescu F., Moldoveanu M., Botea M. Analysis of the mechanism of diffusion limited oxygen precipitation in Cz-silicon // J. Cryst. Growth, 1996. V.166. P. 183-188.

5. Yang D., Ma X., Fan R., Zhang J., Li L., Que D. Oxygen precipitation in nitrogen-doped Czochralski silicon // Physica B, 1999. V.273-274. P.308-311.

6. Cheung J., Messoloras S., Rycroft S., Stewart R.J., Binns M.J. Oxygen precipitation in Czochralski grown silicon heat treated at 550 °C // Semicond. Sci. Technol., 2000. No.15. P.782-788.

7. Чиди Д. Закон Мура продолжает действовать // Computerworld Россия, 2000. №48. С.ЗЗ.

8. Zulehner W. Czochralski grown of silicon // J. Cryst. Growth, 1983. V.65. No.1-3. P.189-213.

9. Mikkelsen J.C. An overview of oxygen in silicon // Materials Research Society Symp.Proc., 1986. V.59 P.205-214.

10. Corbett J.W., McDonald R.S., Watkins G.D. The Configuration and Diffusion of isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1964. V.25. No.8. P.873-879.

11. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl. Phys., 1995. V.77. No.9. P.4169-4244.

12. Гринштейн П.М., Ильин M.A., Моргулис Л.М., Орлова Е.В., Фистуль В.И. Механизм распада пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Электронная техника, сер. Матер., 1978. № 9. С.70-74.

13. Стандарт ФРГ ДИН 50438. Определение концентрации примеси в кремнии с помощью ИК-поглощения (кислород). 1978.

14. Hrostowski H.J., Kaiser R.H. The Solubility of Oxygen in Silicon // J. Phys. Chem. Solids, 1959. V.9. No.2. P.214-216.

15. Bean A.R., Newman R.C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals //J. Rhys. Chem. Solids, 1971. V.32. No.6. P.1211-1219

16. Logan R., Peters A. Diffusion of Oxygen in Silicon // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No.ll. P. 1627-1630.

17. Gass J., Muller H.H., Stussi H., Schweitzer S. Oxygen Diffusion in Silicon and the influence of Different Dopants // J. Appl. Phys., 1980. V.51. No.4 P.2030-2037.

18. Mikkelsen J.C.Jr. Excess Solubility of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation//Appl. Phys. Lett., 1982. V.41. No.9. P.871-873.

19. Kaiser W., Keck P.H. Oxygen Content of Silicon Single Crystals // J. Appl. Phys., 1957. V.28. No.8. P.882-887.

20. Mikkelsen J.C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals, 1985. V.37. No.5. P.51-54.

21. Mikkelsen J.C. Jr. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett., 1982. V.40. No.4. P.336-337.

22. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.31-37.

23. Benton J.L, Kimerling L.C., Stavola M. The Oxygen Related Donor Effect in Silicon//PhysicaB, 1983. V.116. P.271-275.

24. Kaiser W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., 1958. V.l 12. No.5. P.1546-1554.

25. Haas C. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1960. V.15. No.1-2. P.108-111.

26. Kushner R.A. Oxygen Diffusion in Silicon as Measured by Charged Particle // J. Electrochem. Soc., 1972. V.l 19. No.8. P.239.

27. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование преципитации кислорода в кремнии // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1999. №3. С. 11-17.

28. Newman R.C., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B, 1983. V.116. No. 1-3. P.264-270.

29. Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffusivity of Oxygen in Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett., 1983. V.42. No.l. P.73-75.

30. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.-472 с.

31. Fuller C.S., Ditzenberg J.A., Hannay N.B., Buehler E. Resistivity Changes in Silicon Induced by Heat Treatment // Phys. Rev., 1954. V.96. No.3. P.833

32. Kaiser W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., 1957. V.105. No.6. P.1751-1756.

33. Gaworzewski P., Schmalz K. On the Kinetics of Thermal Donors in Oxygen-Rich Silicon in the Range from 450 to 900 °C // Phys. Stat. Sol. (a), 1980. V.58. No.l. P.K223-K226.

34. Nakayama H., Katsura J., Nishino Т., Hamakawa Y. Hall-Effect and Photoluminescence Measuremets of Oxygen-Related Donors in Cz-Si Crystals // Jap. J. Appl. Phys., 1980. V.19. No.9. P.L547- L550.

35. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Bugay A.A., Dotsenko Yu.P., Kovalchuk V.B. The Effect of Heat Treatment on Compensated Cz-Silikon // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.82. No.2. P.533-536.

36. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys., 1983. V.54. No.ll. P.6594-6600.

37. Keller W.W. Pressure Dependence of Oxygen-Related Defect Levels in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.10. P.3471-3476.

38. Курило П.М., Сеитов E., Хитрень М.И. Влияние термической обработки на электрические свойства n-Si, содержащего высокую концентрацию кислорода// ФТП, 1970. Т.4. Вып. 12. С.2267-2270.

39. Kanamori A., Kanamori М. Comparison of Two Kinds of Oxygen Donors in Silicon by Resistivity // J. Appl. Phys., 1979. V.50. No. 12. P.8095-8101.

40. Мордкович B.H. О влиянии кислорода на проводимость в кремнии // ФТТ, 1964. Т.6. Вып.З. С.847-851.

41. Schmalz К., Kirscht F.-G. Klose К., Richter Н, Tittelbach-Helmrich К. DLTS Study on Deep Level Defects in Cz-p-Si due to Heat Treatment at 600 to 900 °C //Phys. Stat. Sol. (a), 1987. V.100. No.2. P.567-582.

42. Бабич B.M, Баран Н.П., Доценко Ю.П. Зотов К.И., Ковальчук В.Б. Образование термоакцепторов, сопутствующих термодонорам-П в кислородсодержащих кристаллах кремния // УФЖ, 1988. Т.ЗЗ. No.4. С.593-598.

43. Bender Н. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defect in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.86. No.l. P.245-261.

44. Reiche M., Reichel J., Nitzche W. Correlations Between Thermal Donor Formation, Rod-Like Defect Formation and Oxyden Reduction During Low-Temperature Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.851-865.

45. Bender H., Vanhellemont J. Rod-Like Defect in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon? //Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.455-467.

46. Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early Stages of Oxygen Segregation and Precipitation in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.4. P.825-835.

47. Yasutake K., Umeno M., Kawabe H. Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crustals // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.83. No.l. P.207-217.

48. Фольмер M. Кинетика образования новой фазы.-М.: Наука, 1986.-230 с.

49. Vanhellemont J. Diffusion limited oxygen precipitation in silicon: Precipitate growth kinetics and phase formation // J. Appl. Phys., 1995. V.78. No.6. P.4297-4299.

50. Huh J.Y., Gosele U., Tan T.Y. Coprecipitation of oxygen and carbon in Czochralski silicon: A growth Kinetic approach // J. Appl. Phys., 1996. V.78. No. 10. P.5926-5934.

51. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. - 240 с.

52. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys. Chem. Solids.,1958. V.6. P.335-350.

53. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No. 10. P.1518-1525.

54. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation // J. Appl. Phys.,1959. V.30. No.6. P.915-927.

55. Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon // Appi. Phys. Lett., 1983. V.88. No.6. P.525-527.

56. Xu L.B. A statistical thermodynamic model for oxygen segregation during Czochralski growth of silicon single crystals // J. Cryst. Growth, 1999. V.200. P.414-420 .

57. Hartzell R.A., Schaake H.F., Massey R.G. A model that describes role of oxygen, carbon, and silicon interstitials in silicon wafers during device processing // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.217-222.

58. Tan T.Y. On the kinetics of oxygen clustering and thermal donor formation in Czochralski silicon //Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.195-204.

59. Senkander S., Esfandyari J., Hobler G. A model for oxygen precipitation in silicon including bulk staking fault growth // J. Appl. Phys., 1995. V.78. No. 11. P.6469-6476.

60. Сафронов В.И. Диффузия кластеризующихся примесей в кристаллах. -Новосибирск: Институт физики полупроводников СО РАН, 1993. 32 с.

61. Иверонов В.И., Канцельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М: Наука, 1977. - 256 с.

62. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. - 384 с.73 .Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах // Сб. статей под ред. В.Н. Романенко. М.: Металлургия, 1987. - 137 с.

63. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. stat. sol. (a), 1979. V.51. P.629-640.

64. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon // Phys. stat. sol. (a), 1976. V.37. P.57-64.

65. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // ФТП, 1980. Т. 14. Вып.5. С.934-938.

66. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника// ФТП, 1983. Т.17. Вып.5. С.838-842.

67. Боброва Е.А., Галкин Г.Н., Енишерлов K.JI., Антонова И.А. Исследование эффективности некоторых приемов геттерирования в кремнии с использованием метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней//Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.2. С. 124-130.

68. Думбров В.И., Гулидов Д.Н., Миляев В.А., Никитин В.А. О возможности оценки качества внутреннего геттера неразрущающими бесконтактными методами // Микроэлектроника, 1988. Т. 17. Вып.1. С. 19-23.

69. Алехин В.П., Игнатьева JI.A., Литвинов Ю.М., Моисеенко Н.Ф., Сорокина М.Т. Образование дислокаций в бездислокационном Si, подвергнутом геттерирующей термообработке // Микроэлектроника, 1985. Т.14. Вып.5. С.415-419.

70. Васильева Е.Д., Соколов В.И., Шапиро И.Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела SÍ-SÍO2 // Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.4. С.392-396.

71. Craven R. Internal gettering in Czohralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.159-171.

72. Vanhellemont J., Claeys C.A. Theoretical Study of the Critical Radius of Precipitates and its Application to Silicon Oxide in Silicon // J. Appl. Phys., 1987. V.62. No.9. P.3960-3967.

73. Мальцев П.П., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. Перспективы развития технологии кремний на - изоляторе // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.5-9.

74. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Рекшинский В.А. Физические основы технологии КНИ-структур, формируемых методом ионно-лучевого синтеза // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.10-16.

75. Bennet D.J., Price Т.Е. Clustering, precipitation and diffusion in ion-implanted silicon // Semicond. Sei. Technol., 1994. No.9. P.5-9.

76. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем //Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.22-29.

77. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. - 654 с.

78. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968,-314 с.

79. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая школа, 1993. - 352 с.

80. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. М.: Металлургия, 1995. В двух томах.

81. Kimerling L.C. Structure and properties of the oxygen donor // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.83-89.

82. Булярский C.B., Георгобиани A.H., Светухин B.B. Кинетическая модель распада твердых растворов // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1997. №5. С.24-29.

83. Ван Кампен Н.Г. Стохастические процессы в физике и химии. М.: Высшая школа, 1990. - 258 с.

84. Tan T.Y. Exigent-accommodation-volume of precipitation and formation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.269-278.

85. Hu S.M. Oxygen precipitation in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.249-265.

86. Kaiser W., Frisch H.L., Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon//Phys. Rev., 1958. V.112. No.5. P.1546-1554.

87. Pinizzotto R.F., Schaake H.F., Massey R.G. Temperature ramping for nucleation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.275-280.

88. Mikkelsen J.C. The chemistry of oxygen in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.205-214.

89. Matsumoto S., Ishihara I., Kaneko H. Effect of dopant concentration on the growth of the oxide precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.263-268.

90. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B., Романов И.М. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии» // Известия вузов. Электроника. 1997. №5. С.24-29.

91. Bulyarskii S.V., Prikhodko O.V., Svetukhin V.V. The Characterization of Oxygen Solution Decay in Si // Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12л September, 1997. P.75.

92. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии // Труды междунар. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997. С.6-7.

93. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии // ФТП, 1999. Т.ЗЗ. Вып.11. С.1281-1286.

94. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика образования дефектов упаковки при преципитации кислорода в кремнии // Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников», Ульяновск, 2000. С. 160.

95. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование кинетики образования дефектов упаковки в решетке кремния // Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 2000. Вып. 2(9). С.30-33.

96. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. -214 с.

97. Дашевский М.Я., Раздобудько А.В. Микродефекты в легированных бездислокационных монокристаллах кремния, выявленные на сколах поплоскостям {111} // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1999. №3. С.21-23.

98. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1997. Вып. 1(3). С.61-63.

99. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода // Труды междунар. конф. «Оптика полупроводников», Ульяновск, 1998. С. 170-171.

100. Федоренко Р.П. Введение в вычислительную физику. М.: Изд-во Моск. физ.-техн. ин-та, 1994. - 528 с.

101. Журавель М.С., Михаденок В.В., Петлицкий А.Н., Тарасик М.И., Янченко A.M. Влияние дефектов упаковки на качество кремниевых интегральных микросхем // Труды всероссийской конференции «Кремний-2000», Москва, 2000. С.263-264.

102. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 1998. Вып. 2(5), С.58-61.

103. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование процесса внутреннего геттерирования // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98», Звенигород, 1998. Т.1.

104. Приходько О.В., Светухин В.В. Моделирование процесса создания бездефектной зоны при внутреннем геттерировании // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ», Ульяновск, 1998. С.21-23.

105. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, связанных с преципитацией кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000. Т.29. №5. С.232-238.

106. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии // Труды всероссийской конференции «Кремний-2000», Москва, 2000. С.38.

107. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование создания диэлектрических слоев Si02 в кремнии // Труды Всероссийской научно-технической конф. «Микро- и наноэлектроника-98», Звенигород, 1998. Т.2.

108. Приходько О.В., Светухин В.В. Моделирование технологии «кремний на диэлектрике // Сб. «Труды молодых ученых УлГУ», Ульяновск, 1998. С.23-25.